JP4000174B2 - Processing system - Google Patents
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Description
本発明は例えば半導体ウエハなどの基板に対して、熱処理等の処理を行う処理システムに関する。 The present invention relates to a processing system that performs processing such as heat treatment on a substrate such as a semiconductor wafer.
半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)の製造プロセスの1つとして、酸化膜の形成やド−パントの拡散などを行うために高温下で熱処理を行うプロセスがある。このような熱処理を行なう熱処理装置は、例えば図10に示すように装置本体1とユ−ティリティボックス11とポンプボックス12とから構成されており、装置本体1は外部との間でウエハカセットCを搬入出する入出力ポ−ト13、ウエハカセットCとウエハボ−ト14との間でウエハの受け渡しを行なう図示しないウエハ移載機構、ウエハボ−ト14が搬入されて熱処理を行なう熱処理炉15などを備えている。
As one of the manufacturing processes of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), there is a process in which heat treatment is performed at a high temperature in order to form an oxide film or diffuse dopants. As shown in FIG. 10, for example, the heat treatment apparatus that performs such heat treatment includes an apparatus main body 1, a
またユ−ティリティボックス11は電気系統部品を収納した電気系ユニット16、装置本体1に処理ガスやパ−ジガス等を供給するためのガス供給ユニット17などを備えており、ポンプボックス12は熱処理炉14内を排気するための真空ポンプ等を備えている。ポンプボックス12は排気管12a、前記電気系ユニット16はケ−ブル16a、ガス供給ユニット17はガス配管17aにより、装置本体1内部の各部と接続されている。
The
ここで半導体製造工場では、ウエハへのパーティクルの付着を防止するためにフィルタなどの特別な構造を備えたクリ−ン度の高い領域が設けられている。そして上述の熱処理装置では、このクリ−ン度の高い領域をクリ−ンル−ムCRと、クリ−ンル−ムCRよりはクリ−ン度が低いメンテナンスル−ムMRとに区画し、クリ−ンル−ムCRにてウエハを管理する一方、メンテナンスル−ムMRにて装置のメンテナンスを行なうようにしている。 Here, in a semiconductor manufacturing factory, a region with a high degree of cleanliness having a special structure such as a filter is provided in order to prevent particles from adhering to the wafer. In the above-described heat treatment apparatus, the region having a high degree of cleanness is divided into a clean room CR and a maintenance room MR having a cleanness lower than that of the clean room CR. While the wafer is managed by the room room CR, the maintenance of the apparatus is performed by the maintenance room MR.
具体的には熱処理装置はクリ−ンル−ムCRとメンテナンスル−ムMRとの間に設置され、クリ−ンル−ムCR側からウエハカセットCを搬入出するように装置本体1のクリ−ンル−ムCR側の面に前記入出力ポ−ト13が設けられると共に、前記ユ−ティリティボックス11はメンテナンスル−ムMRに設置されている。
More specifically, the heat treatment apparatus is installed between the clean room CR and the maintenance room MR, and the clean room of the apparatus main body 1 is loaded and unloaded with the wafer cassette C from the clean room CR side. The input /
ところで上述のクリ−ンル−ムCRは、室空間の塵埃を高性能フィルタにより除去することにより清浄化し、同時に温度や湿度を要求された値に保つために制御された室である。このため密閉性が必要であると共に、高性能フィルタやエア循環手段、温度や湿度の制御手段などの特別の設備が高価であるため、クリ−ンル−ムCRを設置するためのコストが高く、維持管理のためのランニングコストも高い。 By the way, the above-described clean room CR is a chamber controlled to clean the room space by removing dust in the room space with a high-performance filter and at the same time to maintain the temperature and humidity at the required values. For this reason, sealability is required, and special equipment such as a high-performance filter, air circulation means, temperature and humidity control means is expensive, and the cost for installing the clean room CR is high. Running costs for maintenance are also high.
またメンテナンスル−ムMRについても、ウエハが置かれる雰囲気ほどの高いクリ−ン度は必要でないにしてもかなり高いクリ−ン度が要求されるので、やはり設置するためのコストやランニングコストは高くなる。これはメンテナンス時にボ−トエレベ−タやウエハ移載ア−ムの調整などを行うためにメンテナンスル−ムMRと装置本体1内の移載領域との間をオペレ−タが出入りし、これによりメンテナンスル−ムMRからクリ−ンル−ムCRにエアが入り込み、また装置本体1内のクリ−ン度を高めるため、メンテナンスル−ムMRからフィルタを介して装置本体1内にエアを取り込み、これを清浄エアとして装置本体1内に循環させているからである。 The maintenance room MR is also required to have a high degree of cleanliness even if the degree of cleanliness is not as high as the atmosphere in which the wafer is placed. Become. This is because the operator enters and exits between the maintenance room MR and the transfer area in the apparatus main body 1 in order to adjust the boat elevator and wafer transfer arm during maintenance. Air enters the clean room CR from the maintenance room MR, and takes air from the maintenance room MR through the filter into the main body 1 in order to increase the degree of cleanliness in the main body 1. This is because this is circulated in the apparatus main body 1 as clean air.
このように半導体製造工場では、作業雰囲気の確保のためのコストが本来高く、しかもウエハは大口径化しつつあり、これに合わせて装置本体1やユ−ティリティボックス11、ポンプボックス12も大型化し、同一フロアでみれば装置の設置台数が減ってしまうので、処理単価が今まで以上に高くなってしまうという問題がある。
As described above, in the semiconductor manufacturing factory, the cost for securing the working atmosphere is inherently high, and the diameter of the wafer is becoming larger. In accordance with this, the apparatus main body 1, the
本発明はこのような事情のもとになされたものであり、その目的はユ−ティリティボックスやポンプボックスをクリ−ンル−ムCRやメンテナンスル−ムMRと隔離して設置することにより、クリ−ン度の高い部屋の有効利用を図り、処理コストを低減することができる処理システムを提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances. The purpose of the present invention is to install a utility box and a pump box separately from the clean room CR and the maintenance room MR. An object of the present invention is to provide a processing system capable of effectively using a room having a high degree of communication and reducing processing costs.
本発明の処理システムは、クリーンルームと、このクリーンルームに対して仕切り部材により仕切られかつ清浄気体雰囲気であると共に、メンテナンスを行うためのエリアであるメンテナンスルームと、を含む第1の部屋を備えた半導体製造工場に設置される処理システムであって、
基板カセットの入出力ポートと、処理ガスを供給し、排気しながらこの処理ガスにより基板を処理するための処理部と、前記入出力ポートに載置された基板カセットから取り出した基板を前記処理部に対して移載する移載領域と、を備え、前記クリーンルームとメンテナンスルームとに亘って設置された半導体製造装置本体と、
前記第1の部屋に対して雰囲気が区画されかつ当該第1の部屋の階下に位置する第2の部屋に設けられ、前記処理ガスを供給するためのガス供給設備、ガス排気設備及び電気系統設備を含む、前記半導体製造装置本体のための用力設備と、を備え、
前記入出力ポートは前記クリーンルームに設けられ、前記処理部及び移載領域はメンテナンスルームに設けられ、
前記半導体製造装置本体側の排気管、ガス供給管及びケーブルは、前記メンテナンスルーム側から、前記第1の部屋と第2の部屋とを区画する床部を介して夫々前記ガス排気設備、ガス供給設備及び電気系統設備に接続されることを特徴とする。
The processing system of the present invention is a semiconductor provided with a first room including a clean room and a maintenance room which is a clean gas atmosphere partitioned by a partition member with respect to the clean room and is an area for performing maintenance. A processing system installed in a manufacturing plant,
An input / output port of the substrate cassette, a processing unit for supplying a processing gas and processing the substrate with the processing gas while exhausting, and a substrate taken out from the substrate cassette placed on the input / output port a semiconductor manufacturing apparatus body installed across and a transfer region for transferring the clean room and the maintenance room respect,
The atmosphere for the first room is provided in the second room located downstairs partitioned and the first chamber, a gas supply facility for supplying the processing gas, the gas exhaust system and electrical system equipment A utility facility for the semiconductor manufacturing apparatus main body, comprising:
The input / output port is provided in the clean room, the processing unit and the transfer area are provided in a maintenance room,
The exhaust pipe, the gas supply pipe and the cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side are respectively connected to the gas exhaust equipment and the gas supply from the maintenance room side through a floor section that divides the first room and the second room. It is connected to facilities and electrical system facilities .
本発明の態様の一つとして次の態様を挙げることができる。この態様は、前記第1の部屋と第2の部屋とを区画する床部に設けられ、半導体製造装置本体側の排気管、ガス供給管及びケーブルが着脱されると共に用力設備側の排気管、ガス供給管及びケーブルが着脱され、これら用力ラインを接続するための中継部と、を備え、前記中継部は、各々上下方向に設けられた中継用の排気管、中継用のガス供給管及び中継用の電気系用力ラインを備え、
前記中継用の排気管の上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側の排気管が着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用の排気管の下部側には、第2の部屋において用力設備側の排気管が着脱される接続端部が設けられ、
前記中継用のガス供給管の上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側のガス供給管が着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用のガス供給管の下部側には、第2の部屋において用力設備側のガス供給管が着脱される接続端部が設けられ、
前記中継用の電気系用力ラインの上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側のケーブルが着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用の電気系用力ラインの下部側には、第2の部屋において用力設備側のケーブルが着脱される接続端部が設けられたことを特徴とする。
The following aspect can be mentioned as one aspect of the present invention. This aspect is provided on a floor section that divides the first room and the second room, and an exhaust pipe, a gas supply pipe and a cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side are attached and detached, and an exhaust pipe on the utility equipment side, A gas supply pipe and a cable, and a relay part for connecting these utility lines, and the relay part is provided with a relay exhaust pipe, a relay gas supply pipe and a relay provided in the vertical direction, respectively. Power line for electric system,
On the upper side of the relay exhaust pipe, there is provided a connection end portion for attaching and detaching the exhaust pipe on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first chamber, and on the lower side of the relay exhaust pipe, A connecting end portion in which the exhaust pipe on the utility equipment side is attached and detached in the second room;
On the upper side of the relay gas supply pipe, there is provided a connection end for attaching and detaching the gas supply pipe on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first chamber, and on the lower side of the relay gas supply pipe. Is provided with a connection end to which the gas supply pipe on the utility equipment side is attached and detached in the second room,
On the upper side of the relay electric power line, there is provided a connection end for attaching and detaching the cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first room, and on the lower side of the relay electric power line. Is characterized in that a connection end to which a cable on the utility facility side is attached and detached is provided in the second room .
本発明によれば、クリ−ン度の高い部屋の有効利用を図ることができる。また中継部を設けることにより処理装置本体側の用力ラインと用力設備側の用力ラインとを容易に接続することができる。 According to the present invention, it is possible to effectively use a room having a high degree of cleanliness. Further, by providing the relay portion, the utility line on the processing apparatus main body side and the utility line on the utility equipment side can be easily connected.
本発明を縦型熱処理装置に適用した実施の形態について説明するが、先ずこの実施の形態の構想について述べておく。従来熱処理装置では、ウエハはクリ−ンル−ム側から装置本体内に搬入され、熱処理後はまたクリ−ンル−ムへ搬出されていく。このため装置本体はクリ−ン度の高い領域に配置する必要はあるが、ユ−ティリティボックスやポンプボックスへはウエハは搬入されないため、これら用力設備自体をクリ−ン度の高い領域に配置する必要はなく、別の領域に設置すれば、この設置領域分メンテナンスル−ムを小さくしたり、あるいは有効に使用することができる。本実施の形態ではこの点に着目して装置を構成している。 An embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be described. First, the concept of this embodiment will be described. In the conventional heat treatment apparatus, the wafer is carried into the apparatus main body from the clean room side, and is again carried out to the clean room after the heat treatment. For this reason, it is necessary to arrange the apparatus main body in an area with a high degree of cleanliness, but since the wafer is not loaded into the utility box or the pump box, these power facilities themselves are arranged in an area with a high degree of cleanliness. There is no need, and if it is installed in another area, the maintenance room can be reduced in size or used effectively. In the present embodiment, the apparatus is configured by paying attention to this point.
この実施の形態に係る縦型熱処理装置は、図1及び図2に示すように処理装置本体例えば装置本体2と、ユ−ティリティボックス3と、ポンプボックス4とを備えている。前記装置本体2は図示しない清浄設備が付設されたクリ−ン度が高い部屋である第1の部屋S1内に設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the vertical heat treatment apparatus according to this embodiment includes a processing apparatus main body, for example, an apparatus
前記第1の部屋S1はクリ−ンル−ムCRと、メンテナンスル−ムMRとに仕切り板51により仕切られており、装置本体2は第1クリ−ンル−ムCRとメンテナンスル−ムMRとに亘って設置されていて、ウエハカセットCの入出力ポ−トをなすカセットステ−ジ21が設けられた前面部がクリ−ンル−ムCR内に位置している。
The first room S1 is partitioned into a clean room CR and a maintenance room MR by a
この装置本体2内の各部について図3を参照しながら簡単に説明すると、前記カセットステ−ジ21は回転軸21aにより奥側に90度倒れるようにつまりカセットC内の縦置きのウエハが水平になるように構成される。カセットステ−ジ21の後方にはカセット搬送機構22の搬送路を介して、上側にストッカ23、下側に中間ステ−ジ24が配設されている。
Each part in the apparatus
中間ステ−ジ24の後方側には、ウエハ移載手段25を介して、ウエハ保持具であるウエハボ−ト26が設けられている。このウエハボ−ト26は多数枚のウエハを夫々水平に棚状に配列保持できるように構成され、ボ−トエレベ−タ27の上に保温筒28を介して載置されている。ウエハボ−ト26の上方には処理部例えば熱処理炉29が配設されており、ボ−トエレベ−タ27が上昇してウエハボ−ト26が熱処理炉29内に搬入されることとなる。
A
前記メンテナンスル−ムMRはクリ−ンル−ムCRよりはクリ−ン度が低く構成されており、装置本体2内のウエハ移載領域との間に図示しないドア部が設けられていて、熱処理装置のメンテナンス時例えばボ−トエレベ−タやウエハ移載ア−ムの調整などを行うときに、オペレ−タがメンテナンスル−ムMRから装置本体2内に出入りできるように構成されている。
The maintenance room MR has a lower degree of cleanliness than the clean room CR, and a door portion (not shown) is provided between the wafer transfer area in the apparatus
前記ユ−ティリティボックス3とポンプボックス4とは用力設備をなすものであり、これらは装置本体2が設けられた第1の部屋S1とは隔離された第2の部屋に設けられている。この第2の部屋S2は第1の部屋S1の床部5の例えば下方側領域に形成されており、清浄設備は付設されてなくクリ−ンル−ムとしては構成されていない。
The utility box 3 and the
前記ユ−ティリティボックス3は内部に、熱処理炉29内に処理ガスやパ−ジ用の非酸化ガスを供給するためのバルブ、流量計などを備えたガス供給部をなすガス供給ユニット31と、装置全体の動力を供給する電力供給部及び搬送系やヒ−タの制御回路等の電気系統部品を備えた電気系統設備をなす電気系ユニット32と、熱処理炉29内を冷却するための冷却水ユニット33等を備えている。またポンプボックス4はガス排気設備をなすものであり、熱処理炉29内を真空排気するための真空ポンプ等を備えている。
The utility box 3 includes a gas supply unit 31 forming a gas supply unit including a valve, a flow meter and the like for supplying a processing gas and a non-oxidizing gas for purging into the
前記用力設備と装置本体2とは、排気管、ガス供給管群、ケ−ブル群及び冷却水通水管等の用力ラインで接続されるが、この例では第1の部屋S1と第2の部屋S2とを区画する区画壁である床部5(第2の部屋S2からみると天井部)に用力ラインの中継部である中継ユニット6を設け、第1の部屋S1側の用力ライン即ち排気管41b、ガス供給管群31b,ケ−ブル群32b、冷却水通水管33bと第2の部屋S2側の用力ライン(排気管41a、ガス供給管群31a,ケ−ブル群32a、冷却水通水管33a)とを、中継ユニット6に対して着脱自在に接続している。
The utility equipment and the apparatus
前記中継ユニット6はユニット本体60内に中継用の用力ライン(排気管61、ガス供給管群62、ケ−ブル群63、冷却水通水管64)を上下方向に貫通させ、ユニット本体60の上下両端部から前記用力ラインの両端部が突出するように設けて構成されている。前記ユニット本体60は例えば左右両端にフランジ部65a,65bを備え、床板5に形成された開口部52に着脱自在に挿入されて、第2の部屋S2の空気が第1の部屋S1に流れ込まないように構成されている。
The
そして上述の装置本体2を複数備えた処理システムは例えば図6に示すように構成され、例えば複数の装置本体2が同一フロアの第1の部屋S1内に横に並べて配設されており、各装置本体2に対応するユ−ティリティボックス3等が例えば地下室である第2の部屋S2に並べて配設されている。
A processing system including a plurality of the apparatus
次に上述の実施の形態の作用について説明する。中継ユニット6では、図5に示すように、中継用の用力ラインの上部側の接続端部に、第1の部屋S1において装置本体2側の用力ラインが接続され、同様に中継用の用力ラインの下部側の接続端部に、第2の部屋S2において用力設備側の用力ラインが接続される。こうして第1の部屋S1に置かれた装置本体2の各機構と第2の部屋S2に置かれた用力設備とが用力ラインにより接続される。
Next, the operation of the above embodiment will be described. In the
そして装置本体2の各機構は電気系ユニット32により電力が供給されて駆動され、また電気系ユニット32との間で信号の授受が行われる。そして所定のプロセス条件に基づいて熱処理炉29内がポンプボックス4内の真空ポンプにより所定の圧力まで排気され、熱処理炉29内にガス供給ユニット31により所定の処理ガスやパ−ジガスが所定の流量で供給される。
Each mechanism of the apparatus
熱処理装置の動作については先ずウエハWが収納されたウエハカセットCが外部からカセットステ−ジ21に搬入され、カセット搬送機構22により中間ステ−ジ24に搬送される。その後ウエハ移載手段25によりウエハカセットC内からウエハWがウエハボ−ト26に移載され、ウエハボ−ト26に所定枚数例えば100枚搭載された後ボ−トエレベ−タ27によりウエハボ−ト26が熱処理炉29内に搬入される。熱処理炉29内ではプロセス条件に基づいて所定の熱処理が行われる。
Regarding the operation of the heat treatment apparatus, first, the wafer cassette C in which the wafer W is stored is carried into the
このような熱処理装置では、第1の部屋S1をクリ−ン度が高い部屋とすると共に第2の部屋S2を第1の部屋S1とは隔離して地下に設け、クリ−ン度の高い部屋に置かれる必要のある装置本体2のみを第1の部屋S1に設置し、クリ−ン度が高い部屋に置かれる必要のないユ−ティリティボックス3やポンプボックス4は地下室である第2の部屋S2に設置している。
In such a heat treatment apparatus, the first room S1 is a room with a high degree of cleanness, and the second room S2 is provided in the basement separately from the first room S1, and a room with a high degree of cleanness is provided. Only the apparatus
このため用力設備(ユ−ティリティボックス3やポンプボックス4)も装置本体2と同一フロアのクリ−ン度が高い部屋に設けられていた従来の熱処理装置に比べて、用力設備の設置分、熱処理装置の設置に必要なクリ−ン度の高い部屋を小さくすることができ、これによりクリ−ン度の高い部屋の設置コストや維持管理のためのランニングコストを低くすることができる。
For this reason, utility facilities (utility box 3 and pump box 4) are installed in the same capacity as the
またクリ−ン度の高い部屋が予め区画されている場合には、この部屋に設置される装置台数を多くすることができるので、クリ−ン度の高い部屋を有効利用することができ、これによりこの部屋のランニングコストをも含めた熱処理装置1台当たりの運転コストを低減することができる。このことは設置台数が同じであれば、従来のシステムに比べてクリ−ンル−ムのスペ−スを狭くできることを意味する。 In addition, when a room with a high degree of cleanliness is partitioned in advance, the number of devices installed in this room can be increased, so that a room with a high degree of cleanliness can be used effectively. Thus, the operation cost per heat treatment apparatus including the running cost of this room can be reduced. This means that if the number of installed units is the same, the clean room space can be narrowed compared to the conventional system.
さらに中継ユニット60を介して各部屋S1、S2の用力ラインが互いに着脱自在に接続されているので、装置本体2及び用力設備各々のメンテナンスを容易に行なうことができる。
Furthermore, since the utility lines of the rooms S1 and S2 are detachably connected to each other via the relay unit 60, the maintenance of the apparatus
続いて本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態の形態が上述の第1の実施の形態と異なる点は、ウエハカセットを図7に示すようなクロ−ズ型カセット7(以下カセット7という)としたことにある。このカセット7について簡単に説明すると、このカセット7は例えば13枚のウエハW1を棚状に保持するようにウエハ保持部70が多段に形成されたカセット本体71と、このカセット本体71のウエハ取り出し口である開口部72を気密に塞ぐための蓋体73とを備えている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that the wafer cassette is a closed-type cassette 7 (hereinafter referred to as cassette 7) as shown in FIG. The cassette 7 will be briefly described. The cassette 7 has, for example, a cassette body 71 in which
前記蓋体73はカセット本体71の開口部72の内側に入り込むように設けられており、また蓋体73には例えば2か所に鍵穴74が設けられていて、この鍵穴74にキ−75を挿入して回すことにより、蓋体73の上端と下端とから例えば4本のロックピン76が突出してカセット本体71に蓋体73が固定されるように構成されている。 The lid 73 is provided so as to enter the inside of the opening 72 of the cassette body 71, and the lid 73 has, for example, two key holes 74, and a key 75 is provided in the key hole 74. By inserting and turning, for example, four lock pins 76 protrude from the upper and lower ends of the lid 73 so that the lid 73 is fixed to the cassette body 71.
このようなカセット7を用いる場合には、装置本体8は例えば図8及び図9に示すように構成される。この装置本体8はクリ−ン度の高い部屋である第1の部屋S1に設けられるが、第1の部屋S1はクリ−ンル−ムCRとメンテナンスル−ムMRとに区画されおらず、従来のオ−プン型カセットを用いていた場合のクリ−ン度よりは低い、いわば中程度のクリ−ン度に維持されている。
When such a cassette 7 is used, the apparatus
このような構成の熱処理装置では、装置本体8の常時は蓋体で閉じられている受け渡し口81aに外部からカセット7が装着され、カセット7の蓋体73と受け渡し口81aの蓋体とを図示しない開閉機構により開き、この後カセット7内のウエハがウエハ移載手段85によりウエハボ−ト83、84に移載され、このウエハボ−ト83、84がボ−トエレベ−タ83a,84aにより熱処理炉82内に交互に搬入されて所定の熱処理が行われる。
In the heat treatment apparatus having such a configuration, the cassette 7 is mounted from the outside to the transfer port 81a that is normally closed by the lid of the apparatus
本実施の形態においては、装置本体8内の移載領域(ウエハ移載手段85の移載領域及びウエハボ−ト83、84の移動領域)を外部から区画すると共に、カセット7自体を蓋体を設けたクロ−ズ型とし、装置本体8内やカセット7内にパーティクルが入り込まないようにしているため、装置本体8内はクリ−ン度が高くなければならないが、第1の部屋S1自体は上述のように中程度のクリ−ン度でよい。従って高度のクリ−ン度が必要である場合に比べて、第1の部屋S1の設置コストやランニングコストが低いため、ユ−ティリティボックス3やポンプボックス4を第2の部屋S2に設けることにより第1の部屋S1を小さくすることができれば、第1の部屋S1の設置コストやランニングコストをより低減することができる。
In the present embodiment, the transfer area in the apparatus main body 8 (the transfer area of the wafer transfer means 85 and the movement area of the
以上において本発明では、クリ−ン度の高い第1の部屋の上部に前記部屋とは区画された第2の部屋を設け、第1の部屋に処理装置本体を設置し、第2の部屋に用力設備を設置するようにしてもよいし、第2の部屋は第1の部屋と同一フロアに設けられていてもよい。また第1の部屋に複数の処理装置本体を設置する場合に、2体あるいは3体の処理装置本体に共通の用力設備を第2の部屋に設置するようにしてもよい。 As described above, in the present invention, a second room partitioned from the room is provided above the first room having a high degree of cleanliness, a processing apparatus main body is installed in the first room, and the second room is provided with the second room. Utility equipment may be installed, and the second room may be provided on the same floor as the first room. Further, when a plurality of processing apparatus main bodies are installed in the first room, utility facilities common to two or three processing apparatus main bodies may be installed in the second room.
2、8 装置本体
29 熱処理炉
3 ユ−ティリティボックス
31 ガス供給ユニット
32 電気系ユニット
33 冷却水ユニット
4 ポンプボックス
5 床部
6 中継ユニット
7 クロ−ズ型カセット
S1 第1の部屋
S2 第2の部屋
2, 8 Apparatus
Claims (2)
基板カセットの入出力ポートと、処理ガスを供給し、排気しながらこの処理ガスにより基板を処理するための処理部と、前記入出力ポートに載置された基板カセットから取り出した基板を前記処理部に対して移載する移載領域と、を備え、前記クリーンルームとメンテナンスルームとに亘って設置された半導体製造装置本体と、
前記第1の部屋に対して雰囲気が区画されかつ当該第1の部屋の階下に位置する第2の部屋に設けられ、前記処理ガスを供給するためのガス供給設備、ガス排気設備及び電気系統設備を含む、前記半導体製造装置本体のための用力設備と、を備え、
前記入出力ポートは前記クリーンルームに設けられ、前記処理部及び移載領域はメンテナンスルームに設けられ、
前記半導体製造装置本体側の排気管、ガス供給管及びケーブルは、前記メンテナンスルーム側から、前記第1の部屋と第2の部屋とを区画する床部を介して夫々前記ガス排気設備、ガス供給設備及び電気系統設備に接続されることを特徴とする処理システム。 A process installed in a semiconductor manufacturing factory including a clean room and a first room including a maintenance room which is a clean gas atmosphere partitioned by a partition member and is an area for performing maintenance. A system,
An input / output port of the substrate cassette, a processing unit for supplying a processing gas and processing the substrate with the processing gas while exhausting, and a substrate taken out from the substrate cassette placed on the input / output port a semiconductor manufacturing apparatus body installed across and a transfer region for transferring the clean room and the maintenance room respect,
The atmosphere for the first room is provided in the second room located downstairs partitioned and the first chamber, a gas supply facility for supplying the processing gas, the gas exhaust system and electrical system equipment A utility facility for the semiconductor manufacturing apparatus main body, comprising:
The input / output port is provided in the clean room, the processing unit and the transfer area are provided in a maintenance room,
The exhaust pipe, the gas supply pipe and the cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side are respectively connected to the gas exhaust equipment and the gas supply from the maintenance room side through a floor section that divides the first room and the second room. A processing system characterized by being connected to equipment and electrical system equipment .
前記中継用の排気管の上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側の排気管が着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用の排気管の下部側には、第2の部屋において用力設備側の排気管が着脱される接続端部が設けられ、
前記中継用のガス供給管の上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側のガス供給管が着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用のガス供給管の下部側には、第2の部屋において用力設備側のガス供給管が着脱される接続端部が設けられ、
前記中継用の電気系用力ラインの上部側には、第1の部屋において半導体製造装置本体側のケーブルが着脱される接続端部が設けられると共に、前記中継用の電気系用力ラインの下部側には、第2の部屋において用力設備側のケーブルが着脱される接続端部が設けられたことを特徴とする請求項1記載の処理システム。 An exhaust pipe, a gas supply pipe, and a cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side are attached to and detached from the floor section that divides the first room and the second room, and an exhaust pipe, a gas supply pipe on the utility equipment side, and A relay part for connecting and disconnecting cables and connecting the utility lines, wherein the relay part is provided with an exhaust pipe for relay, a gas supply pipe for relay, and an electrical system for relay respectively provided in the vertical direction. Equipped with utility line,
On the upper side of the relay exhaust pipe, there is provided a connection end portion for attaching and detaching the exhaust pipe on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first chamber, and on the lower side of the relay exhaust pipe, A connecting end portion in which the exhaust pipe on the utility equipment side is attached and detached in the second room;
On the upper side of the relay gas supply pipe, there is provided a connection end for attaching and detaching the gas supply pipe on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first chamber, and on the lower side of the relay gas supply pipe. Is provided with a connection end to which the gas supply pipe on the utility equipment side is attached and detached in the second room,
On the upper side of the relay electric power line, there is provided a connection end for attaching and detaching the cable on the semiconductor manufacturing apparatus main body side in the first room, and on the lower side of the relay electric power line. The processing system according to claim 1, further comprising a connection end portion to which a cable on the utility facility side is attached and detached in the second room .
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