JP3457144B2 - Polishing composition - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多結晶シリコン
（以下、ポリシリコンという）部材の研磨に使用される
研磨用組成物に関し、特に半導体産業等におけるデバイ
スウェーハのポリシリコン表面平坦化加工に好適な研磨
用組成物に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing composition used for polishing a polycrystalline silicon (hereinafter referred to as "polysilicon") member, and is particularly suitable for flattening a polysilicon surface of a device wafer in a semiconductor industry or the like. The present invention relates to a novel polishing composition.
【０００２】さらに詳しくは、本発明は、従来よりＣＭ
Ｐ技術（詳細後記）が適用されている半導体素子、例え
ばキャパシタ、ゲート電極、およびその他、に使用され
ているポリシリコン膜の平坦化において、大きな研磨速
度と選択比が得られ、優れた研磨表面を形成させること
ができると同時に、不純物金属イオン含有量の少ない、
高度なデバイス形成技術に適用可能な研磨用組成物に関
するものである。More specifically, the present invention
In the planarization of a polysilicon film used for a semiconductor element to which the P technique (details will be described later) is applied, for example, a capacitor, a gate electrode, and others, a large polishing rate and a selectivity are obtained, and an excellent polished surface is obtained. At the same time as having a low content of impurity metal ions,
The present invention relates to a polishing composition applicable to an advanced device forming technique.
【０００３】[0003]
【従来の技術】近年のコンピューターを始めとする所謂
ハイテク製品の進歩は目覚ましく、これに使用される部
品、例えばＵＬＳＩ、は年々高集積化・高速化の一途を
たどっている。これに伴い、半導体装置のデザインルー
ルは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点
深度は浅くなり、パターン形成面に要求される平坦性は
厳しくなってきている。2. Description of the Related Art In recent years, so-called high-tech products such as computers have been remarkably advanced, and components used in such products, for example, ULSI, have been increasing in integration and operating speed year by year. Along with this, the design rules of semiconductor devices have been miniaturized year by year, the depth of focus in the device manufacturing process has become shallower, and the flatness required for the pattern formation surface has become stricter.
【０００４】また、配線の微細化による配線抵抗の増大
に対処するため、デバイスの多層化による配線長の短縮
が行われているが、形成されたパターン表面の段差が多
層化の障害として問題化してきている。Further, in order to cope with an increase in wiring resistance due to miniaturization of wiring, the wiring length is shortened by increasing the number of devices. However, steps on the surface of the formed pattern are problematic as obstacles to multilayering. Have been doing.
【０００５】このような微細化および多層化を行うに当
たっては、そのプロセス中で段差を取り除くための所望
表面の平坦化を行うことが必要であり、この手法とし
て、これまではスピンオングラス、レジストエッチバッ
クおよびその他の平坦化法が用いられていた。In performing such miniaturization and multi-layering, it is necessary to flatten a desired surface in order to remove a step during the process. Back and other planarization methods have been used.
【０００６】しかし、これらの手法では、部分的な平坦
化は可能であるが、次世代のデバイスに要求されるグロ
ーバルプレナリゼーション（完全平坦化）を達成するこ
とは困難な状況であり、現在では機械的ないし物理的研
磨と化学的研磨とを組み合わせたメカノケミカル研磨加
工による平坦化（Chemical Mechanical Polishing、以
下「ＣＭＰ」という）が検討されるようになってきてい
る。However, although these methods can partially planarize, it is difficult to achieve global planarization (complete planarization) required for next-generation devices. 2. Description of the Related Art Flattening (Chemical Mechanical Polishing, hereinafter referred to as "CMP") by mechanochemical polishing combining mechanical or physical polishing and chemical polishing has been studied.
【０００７】一方、ＣＭＰ加工技術はキャパシタ、ゲー
ト電極、およびその他に使用されているポリシリコン膜
や、層間絶縁膜である二酸化ケイ素膜、さらに配線材料
であるアルミニウム膜、タングステン膜または銅膜等の
平坦化およびその他への適用が検討されている。On the other hand, the CMP processing technique uses a polysilicon film used for a capacitor, a gate electrode, and the like, a silicon dioxide film as an interlayer insulating film, and an aluminum film, a tungsten film or a copper film as a wiring material. Planarization and other applications are being considered.
【０００８】キャパシタ、ゲート電極、およびその他、
に使用されている材料の平坦化を実施するに当たっての
技術課題は、平坦化加工する面を研磨による取代の過不
足なく均一に仕上げること、かつ所定の取代で研磨を終
了させること、である。[0008] capacitors, gate electrodes, and others,
A technical problem in flattening the material used in the above is to finish the surface to be flattened uniformly without excess or insufficient allowance by polishing, and to end the polishing at a predetermined allowance.
【０００９】このような研磨作業を行うためには、例え
ば二酸化ケイ素膜の上にポリシリコン膜を堆積させた膜
付ウェーハを研磨する場合、部分的に二酸化ケイ素膜が
露出した時点でポリシリコン膜の研磨を終了する必要が
ある。この時点を「終点」といい、この終点を見つけ出
すことを「終点検出」という。終点検出の方法について
は種々検討が行なわれており、例えば研磨中、研磨定盤
下からレーザー光をウェーハにあてて残存膜厚を測定す
る方法、およびその他、が提案されているが、どれも十
分な実用域に達していないのが現状である。このため、
研磨中に終点を検出するのでなく、研磨用組成物の有す
る研磨速度から、ある一定厚さのポリシリコン膜を除去
するのに必要な時間を算出し、この時間内研磨を行なう
ことで終点とする方法をとるのが一般的である。In order to perform such a polishing operation, for example, when polishing a wafer with a film in which a polysilicon film is deposited on a silicon dioxide film, the polysilicon film is partially exposed when the silicon dioxide film is exposed. It is necessary to finish polishing. This point is called “end point”, and finding this end point is called “end point detection”. Various studies have been made on the method of detecting the end point, for example, during polishing, a method of measuring the residual film thickness by applying a laser beam to the wafer from under the polishing platen, and the like, but none of them have been proposed. At present, it has not reached a sufficient practical range. For this reason,
Rather than detecting the end point during polishing, from the polishing rate of the polishing composition, calculate the time required to remove the polysilicon film of a certain thickness, the end point by performing the polishing within this time It is common to take the method.
【００１０】しかしながら、一般に、半導体素子に設け
られるポリシリコン膜は、約５，０００〜６，０００オ
ングストロームの厚さで成膜されているのに対して、一
般的な研磨用組成物を用いた場合にポリシリコン膜が研
磨される速度は数千オングストローム／分である。この
ため、研磨用組成物の種類により変化する、ポリシリコ
ン膜を研磨する速度が大きすぎると、研磨開始後、ごく
短時間でポリシリコン膜が除去されてしまう。However, in general, a polysilicon film provided on a semiconductor element is formed to a thickness of about 5,000 to 6,000 angstroms, whereas a general polishing composition is used. In this case, the polishing rate of the polysilicon film is several thousand angstroms / minute. For this reason, if the polishing rate of the polysilicon film, which varies depending on the type of the polishing composition, is too high, the polysilicon film is removed in a very short time after the start of polishing.
【００１１】このような事情から、一般的には、研磨対
象であるポリシリコン膜の下層により研磨されにくい二
酸化ケイ素膜を配し、二酸化ケイ素膜をストッパー層と
して研磨が行われることが多い。これに際して用いられ
る研磨用組成物としては、ポリシリコン膜を効率よく加
工することができ、一方、二酸化ケイ素膜に対しては、
これを研磨しない研磨用組成物が好適であることが理解
できる。Under such circumstances, in general, a silicon dioxide film which is hard to be polished by a lower layer of a polysilicon film to be polished is provided, and polishing is often performed using the silicon dioxide film as a stopper layer. As a polishing composition used at this time, a polysilicon film can be efficiently processed, while a silicon dioxide film is
It can be understood that a polishing composition that does not polish this is suitable.
【００１２】しかしながら、二酸化ケイ素膜上にポリシ
リコン膜を堆積させたウェーハを研磨用組成物を用いて
研磨する場合には、ポリシリコン膜の除去が完了した直
後に、的確に研磨操作を終了させなければ、ストッパー
層である二酸化ケイ素膜まで研磨が及んでしまうことも
ある。これは、ほとんどの場合、用いた研磨用組成物の
種類を問わず、二酸化ケイ素膜が研磨される速度も０で
はないためである。したがって、ポリシリコン膜の除去
完了後も研磨操作が継続されれば、二酸化ケイ素膜も除
去され、極端な場合には完全に除去されてしまうことさ
えある、という問題点があった。However, when a wafer having a polysilicon film deposited on a silicon dioxide film is polished by using a polishing composition, the polishing operation must be properly terminated immediately after the removal of the polysilicon film. Otherwise, polishing may reach the silicon dioxide film as the stopper layer. This is because, in most cases, regardless of the type of polishing composition used, the polishing rate of the silicon dioxide film is not zero. Therefore, there is a problem that if the polishing operation is continued even after the removal of the polysilicon film is completed, the silicon dioxide film is also removed, and in an extreme case, it may even be completely removed.
【００１３】一般的に、二酸化ケイ素膜に対してポリシ
リコン膜がどれだけ研磨され易いかを表す指標として、
研磨用組成物によりポリシリコン膜が研磨される速度
と、二酸化ケイ素膜の研磨される速度との比である選択
的研磨速度比（以下、「選択比」という）が用いられ
る。これは、研磨組成物によりポリシリコン膜が研磨さ
れる速度を二酸化ケイ素膜のそれで除すことで求められ
る。In general, as an index indicating how easily a polysilicon film is polished with respect to a silicon dioxide film,
A selective polishing rate ratio (hereinafter, referred to as “selection ratio”), which is a ratio between a polishing rate of the polysilicon film by the polishing composition and a polishing rate of the silicon dioxide film, is used. This is determined by dividing the rate at which the polysilicon film is polished by the polishing composition by that of the silicon dioxide film.
【００１４】この選択比の定義によれば、研磨用組成物
が二酸化ケイ素膜を研磨する速度は一定でも、ポリシリ
コン膜を研磨する速度が大きい程、また、ポリシリコン
膜を研磨する速度が一定でも、二酸化ケイ素膜を研磨す
る速度が小さい程、選択比は高くなる。勿論、二酸化ケ
イ素膜を研磨する速度が０に近く、かつ、ポリシリコン
膜を研磨する速度がより大きい研磨用組成物が要求され
ていることは、前記した理由から明らかである。According to the definition of the selectivity, the polishing composition polishing rate of the silicon dioxide film is constant, but the polishing rate of the polysilicon film is higher and the polishing rate of the polysilicon film is more constant. However, the lower the polishing rate of the silicon dioxide film, the higher the selectivity. Of course, it is clear from the above-mentioned reason that a polishing composition which requires a polishing rate of a silicon dioxide film close to zero and a polishing rate of a polysilicon film is higher.
【００１５】従って、ポリシリコン膜を研磨する速度が
大きくても、二酸化ケイ素膜を研磨する速度が大きいも
のは、いくら選択比が高くても実用性は低い。むしろ二
酸化ケイ素膜は研磨を止めるストッパー層であるため、
ポリシリコン膜を研磨する速度がやや小さくても、選択
比が高く、かつ、二酸化ケイ素膜を研磨する速度がより
０に近いものの方が実用的である。Therefore, even if the polishing rate of the polysilicon film is high or the polishing rate of the silicon dioxide film is high, the practicality is low even if the selection ratio is high. Rather, since the silicon dioxide film is a stopper layer that stops polishing,
Even if the speed of polishing the polysilicon film is slightly lower, it is more practical to use a material having a high selectivity and a speed of polishing the silicon dioxide film closer to zero.
【００１６】このような理由から、ＣＭＰ加工技術にお
いては終点で的確に研磨を終了させることが重要であ
り、ポリシリコン膜／二酸化ケイ素膜からなるウェーハ
表面をＣＭＰ加工するのに適当な、研磨速度および選択
比を有する研磨用組成物が求められていた。For these reasons, it is important in the CMP processing technique to end polishing accurately at an end point, and a polishing rate suitable for performing CMP processing on a wafer surface composed of a polysilicon film / silicon dioxide film. There has been a demand for a polishing composition having a selectivity.
【００１７】従来、ウェーハ表面に設けられた、キャパ
シタ、ゲート電極、およびその他に使用されているポリ
シリコン膜の研磨において、フュームドシリカ、水、お
よび水酸化カリウムを含む研磨用組成物が用いられてき
た。Conventionally, a polishing composition containing fumed silica, water, and potassium hydroxide has been used in polishing a polysilicon film used on a capacitor, a gate electrode, and others provided on a wafer surface. Have been.
【００１８】しかし、この研磨用組成物は二酸化ケイ素
膜を研磨する用途にも用いられるものである。本発明者
らの知る限り、この研磨用組成物をポリシリコン膜の研
磨に用いた場合、フュームドシリカのメカニカルな研磨
作用と、水酸化カリウムのケミカルな研磨作用が、ポリ
シリコン膜だけでなく、二酸化ケイ素膜にも強く作用し
てしまい、両者に対する研磨速度が大きくなり、その結
果、選択比が小さくなってしまうという問題があった。However, the polishing composition is also used for polishing a silicon dioxide film. As far as the present inventors know, when this polishing composition is used for polishing a polysilicon film, the mechanical polishing action of fumed silica and the chemical polishing action of potassium hydroxide are not limited to the polysilicon film. Also, it has a problem in that it also strongly acts on the silicon dioxide film, and the polishing rate for both of them increases, and as a result, the selectivity decreases.
【００１９】また、この研磨用組成物には、ケミカルな
研磨を促進させるために添加されている水酸化カリウム
を含んでなるが、この水酸化カリウムに起因して、カリ
ウムイオンはもちろん、その他のナトリウムイオンなど
の金属イオンが大量に含まれている。金属イオンは、半
導体デバイスの動作不良の原因となる場合があるため、
半導体の製造工程においては特に敬遠されるものであ
る。従って、本発明者らの知る限り、この研磨用組成物
は、半導体を加工する場合のＣＭＰ加工技術には必ずし
も好適ではなく、改良の余地があるものである。The polishing composition contains potassium hydroxide which is added to promote chemical polishing. Due to the potassium hydroxide, not only potassium ion but also other potassium ions are added. It contains a large amount of metal ions such as sodium ions. Since metal ions may cause malfunction of semiconductor devices,
It is particularly avoided in the semiconductor manufacturing process. Therefore, as far as the present inventors know, this polishing composition is not always suitable for a CMP processing technique for processing a semiconductor and has room for improvement.
【００２０】[0020]
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためになされたもので、ポリシリコン部材、例
えば基材、特に半導体基盤、の表面に施されたキャパシ
タ、ゲート電極、およびその他に使用されているポリシ
リコン膜、をＣＭＰ加工技術により平坦化させるのに用
いられる研磨用組成物に従来より求められていた、基本
的な研磨性能を有し、かつ大きな研磨速度と選択比が得
られ、表面欠陥の発生が少なく、さらには不純物金属イ
オン含有量の少ない研磨用組成物を提供することを目的
とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the above-mentioned problems, and includes a capacitor, a gate electrode, and others provided on a surface of a polysilicon member, for example, a substrate, particularly a semiconductor substrate. A polishing composition used to planarize a polysilicon film used for CMP by a CMP processing technique has a basic polishing performance that has been conventionally required, and has a large polishing rate and a high selectivity. It is an object of the present invention to provide a polishing composition which is obtained, has less occurrence of surface defects, and has a lower content of impurity metal ions.
【００２１】[0021]
［発明の概要］
＜要旨＞本発明の研磨用組成物は、二酸化ケイ素、酸化
アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ
素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる
群より選ばれる少なくとも１種類の研磨材および水を含
んでなる研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に
溶存している塩基性有機化合物を含んでなること、を特
徴とするものである。[Summary of the Invention] <Summary> The polishing composition of the present invention comprises at least one abrasive selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, cerium oxide, titanium oxide, silicon nitride, zirconium oxide, and manganese dioxide. And a polishing composition comprising water, and further comprising a basic organic compound dissolved in the composition.
【００２２】＜効果＞本発明の研磨用組成物は、ポリシ
リコン膜に対する研磨速度、およびポリシリコン膜の二
酸化ケイ素膜に対する選択比が大きく、表面欠陥の少な
い、優れた研磨表面を形成させることができる。<Effect> The polishing composition of the present invention has a high polishing rate for a polysilicon film and a high selectivity of a polysilicon film to a silicon dioxide film, and can form an excellent polished surface with few surface defects. it can.
【００２３】［発明の具体的説明］
＜研磨材＞本発明の研磨用組成物の成分の中で主研磨材
として用いるのに適当な研磨材とは、二酸化ケイ素、酸
化アルミニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ
素、酸化ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる
群より選ばれる。[Specific Description of the Invention] <Abrasive> Among the components of the polishing composition of the present invention, suitable abrasives to be used as the main abrasive include silicon dioxide, aluminum oxide, cerium oxide, and oxide. It is selected from the group consisting of titanium, silicon nitride, zirconium oxide, and manganese dioxide.
【００２４】二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フ
ュームドシリカ、およびその他の、製造法や性状の異な
るものが多種存在する。このうち、コロイダルシリカ
は、ケイ酸ナトリウムをイオン交換樹脂で加水分解する
か、アルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解す
ることにより製造されるのが一般的である。このような
湿式法により製造されるコロイダルシリカは、通常は一
次粒子、二次粒子、または水中に分散したスラリーとし
て得られる。There are various types of silicon dioxide, such as colloidal silica, fumed silica, and others having different production methods and properties. Among them, colloidal silica is generally produced by hydrolyzing sodium silicate with an ion exchange resin or hydrolyzing alkoxysilane with an acid or alkali. Colloidal silica produced by such a wet method is usually obtained as primary particles, secondary particles, or a slurry dispersed in water.
【００２５】本発明において、コロイダルシリカを用い
る場合、一般的には前記の方法で製造されたものを用い
ることができるが、半導体基盤の研磨加工などを意図し
た場合には金属不純物が敬遠されるので、高純度コロイ
ダルシリカを用いることが好ましい。この高純度コロイ
ダルシリカは、有機ケイ素化合物を湿式で加水分解する
ことにより製造され、金属不純物が極めて少なく、中性
領域でも比較的安定であるという特徴を有する。In the present invention, when colloidal silica is used, generally, the one produced by the above-mentioned method can be used. However, when the polishing of a semiconductor substrate is intended, metal impurities are avoided. Therefore, it is preferable to use high-purity colloidal silica. This high-purity colloidal silica is produced by hydrolyzing an organosilicon compound by a wet method, and has a feature that it has very few metal impurities and is relatively stable even in a neutral region.
【００２６】また、本発明の研磨用組成物に用いること
のできるフュームドシリカは、四塩化ケイ素と水素を空
気中で燃焼させることにより製造されるものである。気
相法により製造される、このフュームドシリカは、一次
粒子が数個〜数十個集まった鎖構造の二次粒子を形成し
ており、金属不純物の含有量が比較的少ない。このよう
なフュームドシリカは、例えば、日本アエロジル社より
Aerosilの商品名で市販されている。The fumed silica which can be used in the polishing composition of the present invention is produced by burning silicon tetrachloride and hydrogen in air. This fumed silica produced by a gas phase method forms secondary particles having a chain structure in which several to several tens of primary particles are collected, and has a relatively small content of metal impurities. Such fumed silica, for example, from Nippon Aerosil
Commercially available under the Aerosil trade name.
【００２７】酸化アルミニウムにも、α−アルミナ、δ
−アルミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、およびその
他の形態的に異なるものがある。また製造法からフュー
ムドアルミナと呼ばれるものもある。Aluminum oxide also includes α-alumina, δ
-Alumina, [theta] -alumina, [kappa] -alumina, and other morphological differences. There is also one called fumed alumina from the manufacturing method.
【００２８】酸化セリウムには、酸化数から３価のもの
と４価のもの、また結晶系から見て、六方晶系、等軸晶
系、および面心立方晶系のものがある。Cerium oxide includes trivalent and tetravalent cerium oxides in terms of oxidation number, and hexagonal, equiaxed, and face-centered cubic crystals in terms of crystal system.
【００２９】酸化ジルコニウムは、結晶系から見て、単
斜晶系、正方晶系、および非晶質のものがある。また、
製造法からフュームドジルコニアと呼ばれるものもあ
る。The zirconium oxide includes monoclinic, tetragonal, and amorphous zirconium oxides. Also,
Some are called fumed zirconia from their manufacturing method.
【００３０】酸化チタンには、結晶系から見て、一酸化
チタン、三酸化二チタン、二酸化チタンおよびその他の
ものがある。また製造法からフュームドチタニアと呼ば
れるものもある。Titanium oxide includes titanium monoxide, dititanium trioxide, titanium dioxide and others in terms of crystal system. There is also one called fumed titania from the manufacturing method.
【００３１】窒化ケイ素は、α−窒化ケイ素、β−窒化
ケイ素、アモルファス窒化ケイ素、およびその他の形態
的に異なるものがある。Silicon nitride includes α-silicon nitride, β-silicon nitride, amorphous silicon nitride, and other morphologically different ones.
【００３２】二酸化マンガンは、形態的に見てα−二酸
化マンガン、β−二酸化マンガン、γ−二酸化マンガ
ン、δ−二酸化マンガン、ε−二酸化マンガン、η−二
酸化マンガン、およびその他がある。The manganese dioxide is morphologically α-manganese dioxide, β-manganese dioxide, γ-manganese dioxide, δ-manganese dioxide, ε-manganese dioxide, η-manganese dioxide, and others.
【００３３】本発明の研磨用組成物に用いる研磨材は、
これらのうちのいずれかに限定はされないが、研磨材は
二酸化ケイ素であることが好ましく、コロイダルシリカ
またはフュームドシリカであることが特に好ましい。The abrasive used in the polishing composition of the present invention is:
Although not limited to any of these, the abrasive is preferably silicon dioxide, and particularly preferably colloidal silica or fumed silica.
【００３４】また、本発明の組成物には、これらのもの
を任意に、必要に応じて組み合わせて、用いることがで
きる。組み合わせる場合には、その組み合わせ方や使用
する割合は特に限定されない。In the composition of the present invention, these can be used arbitrarily and in combination as needed. When they are combined, the manner of combination and the proportion used are not particularly limited.
【００３５】上記の研磨材は、砥粒としてメカニカルな
作用により被研磨面を研磨するものである。このうち二
酸化ケイ素の粒径は、ＢＥＴ法により測定した比表面積
から求められる平均粒子径で一般に０．００５〜０．５
μｍ、好ましくは０．０１〜０．２μｍ、である。ま
た、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタ
ン、窒化ケイ素、および二酸化マンガンの粒径は、ＢＥ
Ｔ法により測定した平均粒子径で一般に０．０１〜１０
μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍ、である。さらに、
酸化セリウムの粒径は、走査型電子顕微鏡により観察さ
れる平均粒子径で、一般に０．０１〜１０μｍ、好まし
くは０．０５〜３μｍ、である。The above-mentioned abrasive is for polishing the surface to be polished by mechanical action as abrasive grains. Among them, the particle diameter of silicon dioxide is generally 0.005 to 0.5 as an average particle diameter determined from the specific surface area measured by the BET method.
μm, preferably 0.01 to 0.2 μm. The particle size of aluminum oxide, zirconium oxide, titanium oxide, silicon nitride, and manganese dioxide is BE
Generally 0.01 to 10 as an average particle diameter measured by the T method.
μm, preferably 0.05 to 3 μm. further,
The particle diameter of cerium oxide is generally 0.01 to 10 μm, preferably 0.05 to 3 μm, as an average particle diameter observed by a scanning electron microscope.
【００３６】これらの研磨材の平均粒子径がここに示し
た範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが
大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの間題
があり、逆に、ここに示した範囲よりも小さいと研磨速
度が極端に小さくなってしまい実用的でない。If the average particle size of these abrasives is larger than the range shown here, there are problems such as large surface roughness of the polished surface and occurrence of scratches. If it is smaller than the range shown here, the polishing rate becomes extremely low, which is not practical.
【００３７】研磨用組成物中の研磨材の含有量は、通
常、組成物全量に対して一般に０．１〜５０重量％、好
ましくは０．５〜２５重量％、である。研磨材の含有量
が余りに少ないと研磨速度が小さくなり、逆に余りに多
いと均一分散が保てなくなり、かつ組成物粘度が過大と
なって取扱いが困難となることがある。The content of the abrasive in the polishing composition is generally from 0.1 to 50% by weight, preferably from 0.5 to 25% by weight, based on the total amount of the composition. If the content of the abrasive is too small, the polishing rate will be reduced, and if it is too large, uniform dispersion cannot be maintained, and the viscosity of the composition will be too large to make handling difficult.
【００３８】＜塩基性有機化合物＞本発明の研磨用組成
物は、塩基性有機化合物を含んでなる。本発明の研磨用
組成物において、塩基性有機化合物は研磨促進剤とし
て、ケミカルな作用により研磨作用を促進するものであ
る。使用する塩基性有機化合物は、組成物中に溶存して
いることが必要である。<Basic Organic Compound> The polishing composition of the present invention contains a basic organic compound. In the polishing composition of the present invention, the basic organic compound promotes the polishing action by a chemical action as a polishing accelerator. The basic organic compound used needs to be dissolved in the composition.
【００３９】用いる塩基性有機化合物は、本発明の効果
を損なわないものであれば特に限定されないが、アミン
化合物またはアンモニウム化合物であることが好まし
い。さらに具体的には、メチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミ
ン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールア
ミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、エ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン
・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチ
ル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレント
リアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパ
ノールアミン、トリイソプロパノールアミン、および水
酸化テトラメチルアンモニウムからなる群から選ばれる
少なくとも１種類であることが好ましい。これらの塩基
性有機化合物は任意の割合で併用することもできる。ま
た、上記の塩基性有機化合物については、金属イオンが
極めて少ない高純度のものを使用することにより、さら
に研磨用組成物中に不純物金属イオンを減少させること
ができるので好ましい。The basic organic compound used is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention, but is preferably an amine compound or an ammonium compound. More specifically, methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N- Dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N- (β-aminoethyl) ethanolamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine, piperazine hexahydrate, anhydrous piperazine, 1- ( 2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, diethylenetriamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, and tetramethylammonium hydroxide Is preferably at least one selected from the group consisting of. These basic organic compounds can be used together in any ratio. In addition, as for the above-mentioned basic organic compound, it is preferable to use a high-purity organic compound having a very small amount of metal ions since impurity metal ions can be further reduced in the polishing composition.
【００４０】本発明の研磨用組成物の塩基性有機化合物
の含有量は、用いる塩基性有機化合物の効果により異な
るが、研磨用組成物の全量に対して、好ましくは０．０
０１〜３５重量％、さらに好ましくは０．０５〜２０重
量％、である。塩基性有機化合物の添加量を増量するこ
とで本発明の効果がより強く発現する傾向があるが、過
度に多いと改良の度合いが小さくなり、経済的なデメリ
ットを生じることもあり得るので注意が必要である。The content of the basic organic compound in the polishing composition of the present invention varies depending on the effect of the basic organic compound used, but is preferably 0.00 to the total amount of the polishing composition.
It is from 0.01 to 35% by weight, and more preferably from 0.05 to 20% by weight. By increasing the amount of the basic organic compound added, the effect of the present invention tends to be exhibited more strongly.However, if the amount is excessively large, the degree of improvement is reduced, and attention may be paid because economic disadvantages may occur. is necessary.
【００４１】＜研磨用組成物＞本発明の研磨用組成物
は、一般に上記の研磨材を所望の含有率で水に混合し、
分散させ、さらに塩基性有機化合物を溶解させることに
より調製する。研磨材はこの組成物中に均一に分散して
懸濁液となり、研磨用組成物が形成される。これらの成
分を水中に分散または溶解させる方法は任意であり、例
えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散により分散
させる。また、これらの各成分の混合順序は任意であ
り、研磨材の分散と、塩基性有機化合物の溶解のどちら
を先に行ってもよく、また両者を同時に行ってもよい。<Polishing Composition> In general, the polishing composition of the present invention is obtained by mixing the above-mentioned abrasive in water at a desired content,
It is prepared by dispersing and further dissolving a basic organic compound. The abrasive is uniformly dispersed in the composition to form a suspension, and a polishing composition is formed. The method of dispersing or dissolving these components in water is arbitrary. For example, the components are stirred by a blade-type stirrer or dispersed by ultrasonic dispersion. The order of mixing these components is arbitrary, and either the dispersion of the abrasive or the dissolution of the basic organic compound may be performed first, or both may be performed simultaneously.
【００４２】また、上記の研磨用組成物の調製に際して
は、製品の品質保持や安定化を図る目的や、被加工物の
種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要に応じ
て、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。In preparing the above polishing composition, various types of polishing compositions may be used depending on the purpose of maintaining and stabilizing the quality of the product, the type of the workpiece, the processing conditions, and other needs for polishing. Known additives may be further added.
【００４３】すなわち、さらに加える添加剤の好適な例
としては、下記のものが挙げられる。
（イ）セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、および
その他、（ロ）水溶性アルコール類、例えばエタノー
ル、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、（ハ）界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合
物、およびその他、（ニ）有機ポリアニオン系物質、例
えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、および
その他、（ホ）水溶性高分子（乳化剤）類、例えばポリ
ビニルアルコール、およびその他、（ヘ）キレート剤、
例えばジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、ア
セチリアセトン、グリシン、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ、および
その他。That is, preferable examples of the additive to be further added include the following. (A) celluloses, such as cellulose, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, and others; (B) water-soluble alcohols, such as ethanol, propanol, ethylene glycol, and others; (C) surfactants, such as sodium alkylbenzene sulfonate; Formalin condensates of naphthalenesulfonic acid, and others, (d) organic polyanionic substances such as ligninsulfonate, polyacrylate, and others, (e) water-soluble polymers (emulsifiers) such as polyvinyl alcohol, and In addition, (f) chelating agents,
For example, dimethylglyoxime, dithizone, oxine, acetylene acetone, glycine, EDTA, NTA, and others.
【００４４】また、本発明の研磨用組成物に対して、そ
こに含まれる研磨材および塩基性有機化合物に加えて、
研磨材および塩基性有機化合物として前記したものを包
含するものの中からその他のものを、研磨材または研磨
促進剤の用途以外の目的で、例えば研磨材の沈降防止の
ために、さらなる添加剤として用いることも可能であ
る。In addition to the abrasive and basic organic compound contained therein, the polishing composition of the present invention
Others, including those mentioned above as the abrasive and the basic organic compound, are used as additional additives for purposes other than the use of the abrasive or polishing accelerator, for example, to prevent settling of the abrasive. It is also possible.
【００４５】本発明の研磨用組成物は、ポリシリコン部
材を研磨するためのものである。研磨されるポリシリコ
ン部材としては、任意のものを選択できるが、具体的に
は、半導体デバイスが挙げられる。本発明の研磨用組成
物は、半導体デバイス、特に半導体基盤表面上に施され
たキャパシタ、ゲート電極、およびその他に使用されて
いるポリシリコン膜を研磨するのに適している。なお、
このような基材に対して本発明の研磨用組成物を適用し
て研磨加工を行った場合、ポリシリコン膜とともに二酸
化ケイ素膜、金属膜、または基材材料も研磨されること
がある。The polishing composition of the present invention is for polishing a polysilicon member. As the polysilicon member to be polished, any one can be selected, and specific examples include a semiconductor device. The polishing composition of the present invention is suitable for polishing a polysilicon film used for a semiconductor device, particularly for a capacitor, a gate electrode, and the like provided on the surface of a semiconductor substrate. In addition,
When a polishing process is performed on such a substrate by applying the polishing composition of the present invention, a silicon dioxide film, a metal film, or a substrate material may be polished together with the polysilicon film.
【００４６】また、本発明の研磨用組成物は、比較的高
濃度の原液として調製して貯蔵または輸送などをし、実
際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述
の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして
記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯
蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃度の
溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の
観点から、そのような濃縮された形態で製造されること
が好ましい。なお、研磨用組成物について前述した濃度
などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃
度を記載したものである。The polishing composition of the present invention can be prepared as a stock solution having a relatively high concentration, stored or transported, and diluted at the time of actual polishing. The preferred concentration ranges described above are described as those at the time of actual polishing, and it goes without saying that when such a method of use is taken, a solution with a higher concentration will be obtained in a state of being stored or transported. . In addition, from the viewpoint of handleability, it is preferable to manufacture in such a concentrated form. The above-mentioned concentrations and the like for the polishing composition are not the concentrations at the time of production but describe the concentrations at the time of use.
【００４７】なお、本発明の研磨用組成物がポリシリコ
ン膜の平坦化において、ポリシリコン膜を研磨する速度
と選択比が大きい理由について、機構的な解明は行って
いないが、以下のように推察される。The reason why the polishing composition of the present invention has high polishing rate and selectivity for polishing the polysilicon film in planarizing the polysilicon film has not been elucidated mechanically, but is as follows. Inferred.
【００４８】ポリシリコン膜を研磨する速度が大きいこ
との理由に関しては、塩基性有機化合物によりポリシリ
コン膜が化学的変化を受けて、研磨材のメカニカルな作
用による研磨効果を受けやすくなるためと考えられる。
一方、選択比が大きくなる、すなわち、ポリシリコン膜
に対する研磨速度が大きく、それに比較して二酸化ケイ
素膜に対する研磨速度が大きくならない理由は、塩基性
有機化合物によるケミカルな作用が二酸化ケイ素膜には
あまりおよばず、研磨材によるメカニカルな作用による
研磨効果が比較的受けにくいためと考えられる。The reason why the polishing rate of the polysilicon film is high is considered to be that the polysilicon film is chemically changed by the basic organic compound, so that the polishing effect is easily affected by the mechanical action of the abrasive. Can be
On the other hand, the reason why the selectivity is large, that is, the polishing rate for the polysilicon film is high, and the polishing rate for the silicon dioxide film is not so high is that the chemical action of the basic organic compound is too small for the silicon dioxide film. This is probably because the polishing effect by the mechanical action of the abrasive is relatively hard to receive.
【００４９】以下は、本発明の研磨用組成物を例を用い
て具体的に説明するものである。なお、本発明は、その
要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定
されない。The following is a specific description of the polishing composition of the present invention using examples. Note that the present invention is not limited to the configurations of the examples described below as long as the gist is not exceeded.
【００５０】[0050]
＜研磨用組成物の内容および調製＞まず、研磨材として
高純度コロイダルシリカ（一次粒子径０．０３５μｍ、
二次粒子径０．０７μｍ）を撹拌機を用いて水に分散さ
せて、研磨材濃度５重量％のスラリーを調製した。次い
でこのスラリーに表１に記載した塩基性有機化合物を各
々０．１ｍｏｌ／リットル添加して実施例１〜１６の試
料を調製した。<Contents and Preparation of Polishing Composition> First, high-purity colloidal silica (primary particle diameter 0.035 μm,
The secondary particle diameter (0.07 μm) was dispersed in water using a stirrer to prepare a slurry having an abrasive concentration of 5% by weight. Next, the samples of Examples 1 to 16 were prepared by adding 0.1 mol / L each of the basic organic compounds described in Table 1 to this slurry.
【００５１】また、研磨材としてフュームドシリカ（一
次粒子径０．０５μｍ、二次粒子径０．２μｍ）を撹拌
機を用いて水に分散させて、研磨材濃度５重量％のスラ
リーを調製した。次いでこのスラリーにピペラジン・六
水和物または水酸化カリウムを各々０．１ｍｏｌ／リッ
トル添加して実施例１７および比較例１の試料を調製し
た。Further, fumed silica (primary particle diameter: 0.05 μm, secondary particle diameter: 0.2 μm) as an abrasive was dispersed in water using a stirrer to prepare a slurry having an abrasive concentration of 5% by weight. . Next, 0.1 mol / l of piperazine hexahydrate or potassium hydroxide was added to the slurry to prepare samples of Example 17 and Comparative Example 1.
【００５２】＜研磨試験＞次に、実施例１〜１７および
比較例１の試料による研磨試験を行った。被加工物とし
ては、ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を成膜した６イン
チ・シリコンウェーハおよび熱酸化法により二酸化ケイ
素膜を成膜した６インチ・シリコンウェーハ（いずれも
外径約１５０ｍｍ）の基盤を使用し、それぞれポリシリ
コン膜および二酸化ケイ素膜の膜付き面を研磨した。<Polishing Test> Next, polishing tests were performed on the samples of Examples 1 to 17 and Comparative Example 1. The substrate used is a 6-inch silicon wafer with a polysilicon film formed by CVD and a 6-inch silicon wafer with a silicon dioxide film formed by thermal oxidation (both with an outer diameter of about 150 mm). Then, the film-coated surfaces of the polysilicon film and the silicon dioxide film were polished, respectively.
【００５３】研磨は片面研磨機（定盤径５７０ｍｍ）を
使用して行った。研磨機の定盤には不織布タイプの研磨
パッド（Ｒｏｄｅｌ社（米国）製Ｓｕｂａ６００）を貼
り付け、まずポリシリコン膜付ウェーハを装填して２分
間研磨し、次にウェーハを二酸化ケイ素膜付ウェーハに
取り換えて同様に２０分間研磨した。Polishing was performed using a single-side polishing machine (platen diameter: 570 mm). A polishing pad of a nonwoven fabric type (Suba600 manufactured by Rodel (USA)) is attached to the surface plate of the polishing machine, a wafer with a polysilicon film is first loaded and polished for 2 minutes, and then the wafer is turned into a wafer with a silicon dioxide film. It was replaced and polished for 20 minutes in the same manner.
【００５４】研磨条件は、加工圧力４９０ｇ／ｃｍ2、
定盤回転数３０ｒｐｍ、研磨剤供給量１５０ｃｃ／分、
ウェーハ回転数３０ｒｐｍとした。The polishing conditions were as follows: processing pressure 490 g / cm 2 ,
Platen rotation speed 30 rpm, abrasive supply 150 cc / min,
The wafer rotation speed was 30 rpm.
【００５５】研磨後、ウェーハを順次洗浄、乾燥した
後、研磨によるウェーハの膜厚減を４９点測定すること
により、各試験別に研磨速度を求めた。After polishing, the wafers were sequentially washed and dried, and the thickness reduction of the wafers due to polishing was measured at 49 points to determine the polishing rate for each test.
【００５６】さらに、ポリシリコン膜を研磨する速度を
二酸化ケイ素膜のそれで除すことにより、選択比を求め
た。Furthermore, the selectivity was determined by dividing the polishing rate of the polysilicon film by that of the silicon dioxide film.
【００５７】 表１ 研磨材 添加剤 Ｐ* Ｓ** 選択比 実施例１ ＣＳ モノエタノールアミン ３４９０ ９ ３８８ 実施例２ ＣＳ ジエタノールアミン ２６５４ １５ １７７ 実施例３ ＣＳ Ｎ−メチルエタノールアミン ３８９２ ３０ １３０ 実施例４ ＣＳ Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ− ２３７２ ８ ２９７ ジエタノールアミン 実施例５ ＣＳ Ｎ，Ｎ−ジメチルジエタノール ３６７１ １１ ３３４ アミン 実施例６ ＣＳ Ｎ，Ｎ−ジエチルジエタノール ２５１３ １０ ２５１ アミン 実施例７ ＣＳ Ｎ−（β−アミノエチル） ３８５２ １５ ２５７ エタノールアミン 実施例８ ＣＳ エチレンジアミン ４８１７ ３０ １６１ 実施例９ ＣＳ ヘキサメチレンジアミン ４６０３ １５ ３０７ 実施例10 ＣＳ ピペラジン・六水和物 ２５５３ ７ ３６５ 実施例11 ＣＳ 無水ピペラジン ３７１１ ２４ １５５ 実施例12 ＣＳ １−（２−アミノエチル） ４５０３ １５ ３００ ピペラジン 実施例13 ＣＳ Ｎ−メチルピペラジン ３６３０ ２０ １８２ 実施例14 ＣＳ ジエチレントリアミン ４７５６ １２ ３９６ 実施例15 ＣＳ モノイソプロパノールアミン ３２９７ １３ ２５４ 実施例16 ＣＳ ジイソプロパノールミン １８６１ １１ １６９ 実施例17 ＦＳ ピペラジン・六水和物 ３０６４ １１ ２７９比較例１ ＦＳ 水酸化カリウム ３４９３ ６７７ ５ Ｐ*：ポリシリコン膜に対する研磨速度（μｍ／分） Ｓ**：二酸化ケイ素膜に対する研磨速度（μｍ／分） 研磨材ＣＳ：高純度コロイダルシリカ 研磨材ＦＳ：フュームドシリカTable 1 Abrasive additive P * S ** Selectivity Example 1 CS monoethanolamine 3490 9 388 Example 2 CS diethanolamine 2654 15 177 Example 3 CS N-methylethanolamine 3892 30 130 Example 4 CS N-methyl-N, N-23728 297 Diethanolamine Example 5 CS N, N-Dimethyldiethanol 3671 11 334 Amine Example 6 CS N, N-Diethyldiethanol 2513 10 251 Amine Example 7 CS N- (β-aminoethyl) 3852 15 257 Ethanolamine Example 8 CS Ethylenediamine 4817 30161 Example 9 CS hexamethylenediamine 4603 15 307 Example 10 CS piperazine hexahydrate 25553 7 365 Example 11 CS anhydrous piperazine 3711 24 155 Example 12 CS 1- ( 2-aminoethyl) 4503 15 300 piperazine Example 13 CS N-methylpiperazine 3630 20 182 Example 14 CS diethylenetriamine 4756 12 396 Example 15 CS monoisopropanolamine 3297 13 254 Example 16 CS diisopropanolamine 1861 11 169 Example 17 FS Piperazine hexahydrate 3064 11 279 Comparative Example 1 FS Potassium hydroxide 3493 677 5 P * : Polishing rate for polysilicon film (μm / min) S ** : Polishing rate for silicon dioxide film (μm / min) Abrasive CS: High-purity colloidal silica Abrasive FS: Fumed silica
【００５８】表１に示した結果より、本発明の研磨用組
成物は、従来の水酸化カリウムを用いた研磨用組成物に
比べて、研磨速度と選択比が大きいことがわかる。From the results shown in Table 1, it can be seen that the polishing composition of the present invention has a higher polishing rate and a higher selectivity than the conventional polishing composition using potassium hydroxide.
【００５９】なお、上記の表１において掲載しなかった
が、これらの試験で用いた研磨済加工面を目視にて評価
したところ、実施例、比較例ともに、表面欠陥について
は見出されなかった。Although not shown in Table 1 above, when the polished surfaces used in these tests were visually evaluated, no surface defects were found in any of the examples and comparative examples. .
【００６０】[0060]
【発明の効果】本発明の研磨用組成物は、ポリシリコン
膜に対する研磨速度、およびポリシリコン膜の二酸化ケ
イ素膜に対する選択比が大きく、表面欠陥の少ない優れ
た研磨表面を形成させることができることは、［発明の
概要］の項に前記したとおりである。The polishing composition of the present invention has a large polishing rate for a polysilicon film and a high selectivity of a polysilicon film to a silicon dioxide film, and can form an excellent polished surface with few surface defects. , [Summary of the Invention].
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−63996（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−279480（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−30333（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B24B 37/00 C09K 3/14 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-9-63996 (JP, A) JP-A-8-279480 (JP, A) JP-A-62-30333 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 B24B 37/00 C09K 3/14
Claims (8)
リウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、
および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくと
も１種類の研磨材および水を含んでなる研磨用組成物で
あって、さらにこの組成物中に溶存している塩基性有機
化合物を含んでなることを特徴とする、ポリシリコン研
磨用組成物。(1) silicon dioxide, aluminum oxide, cerium oxide, titanium oxide, silicon nitride, zirconium oxide,
And a polishing composition comprising at least one abrasive selected from the group consisting of manganese dioxide and water, and further comprising a basic organic compound dissolved in the composition. A polishing composition for polysilicon.
記載の研磨用組成物。2. The polishing composition according to claim 1, wherein the abrasive is silicon dioxide.
フュームドシリカの少なくとも１種類である、請求項２
に記載の研磨用組成物。3. The method of claim 2, wherein the silicon dioxide is at least one of colloidal silica and fumed silica.
3. The polishing composition according to item 1.
１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。4. The polishing composition according to claim 1, wherein the basic organic compound is an amine.
ン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミ
ン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタ
ノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールア
ミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、エ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン
・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチ
ル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレント
リアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパ
ノールアミン、およびトリイソプロパノールアミンから
なる群から選ばれる少なくとも１種類である、請求項４
に記載の研磨用組成物。(5) the amine is methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N-methylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N- (β-aminoethyl) ethanolamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine, piperazine hexahydrate, anhydrous piperazine, -(2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, diethylenetriamine, monoisopropanolamine, diisopropanolamine, and a small number selected from the group consisting of triisopropanolamine. Both a single type, according to claim 4
3. The polishing composition according to item 1.
ある、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成
物。6. The polishing composition according to claim 1, wherein the basic organic compound is an ammonium compound.
ルアンモニウムである、請求項６に記載の研磨用組成
物。7. The polishing composition according to claim 6, wherein the ammonium compound is tetramethylammonium hydroxide.
物の重量を基準にして０．００１〜３５重量％である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の研磨用組成物。8. The content of the basic organic compound is 0.001 to 35% by weight based on the weight of the polishing composition.
The polishing composition according to claim 1.
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