JP3272625B2 - Active matrix type liquid crystal display device and pixel defect repair method - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device and pixel defect repair method

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JP3272625B2
JP3272625B2 JP3824497A JP3824497A JP3272625B2 JP 3272625 B2 JP3272625 B2 JP 3272625B2 JP 3824497 A JP3824497 A JP 3824497A JP 3824497 A JP3824497 A JP 3824497A JP 3272625 B2 JP3272625 B2 JP 3272625B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表示用画素電極に
スイッチング素子を介して駆動信号を印加することによ
り表示を行う表示装置に係り、特に、画素電極をマトリ
クス状に配列することにより高密度表示を実現するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置およびその画素欠陥修
正方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device which performs display by applying a drive signal to a display pixel electrode via a switching element, and more particularly to a display device having a high density by arranging pixel electrodes in a matrix. The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device for realizing display and a method for correcting pixel defects.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶表示装置やプラズマ表示装置
のような表示装置は、マトリクス状に配列された複数の
画素電極とこれらの画素電極と対向して配される対向電
極を備え、両電極間に表示媒体(液晶、プラズマ等)を
介在させている。上記の表示装置は、画素電極に選択的
に電圧を印加することにより、画面上に表示パターンを
形成し、さらに、選択された画素電極と対向電極との間
に印加される電圧により、表示媒体が表示データを光学
的に変調して上記の表示パターンを可視化する。
2. Description of the Related Art Conventionally, a display device such as a liquid crystal display device or a plasma display device has a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix and a counter electrode disposed opposite to the pixel electrodes. A display medium (liquid crystal, plasma, etc.) is interposed between them. The above display device forms a display pattern on a screen by selectively applying a voltage to a pixel electrode, and furthermore, a display medium is formed by a voltage applied between the selected pixel electrode and a counter electrode. Optically modulates the display data to visualize the display pattern.

【0003】画素電極の駆動方法としては、マトリクス
状に配された画素電極のそれぞれにスイッチング素子を
接続し、画素電極個々をスイッチング素子により駆動す
る、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が知られて
いる。上記のスイッチング素子としては、TFT(薄膜
トランジスタ)、MIM(金属−絶縁膜−金属)素子等
が一般的に用いられる。また、画素電極は、基板上で信
号線または走査線(バスライン)と同層に形成されるこ
とが多く、信号線または走査線と接触しないように配置
されている。
As a driving method of a pixel electrode, a so-called active matrix driving method in which a switching element is connected to each of pixel electrodes arranged in a matrix and each pixel electrode is driven by the switching element is known. As the switching element, a TFT (thin film transistor), a MIM (metal-insulating-film-metal) element, or the like is generally used. In addition, the pixel electrode is often formed on the same layer as a signal line or a scanning line (bus line) on the substrate, and is arranged so as not to contact the signal line or the scanning line.

【0004】一方、絶縁膜としては従来、窒化シリコン
(SiN)などの無機材料が用いられてきたが、最近で
は感光性透明アクリル樹脂などの有機材料も絶縁膜とし
て用いられるようになってきている。そして、有機材料
からなる絶縁膜上に画素電極を設けることで、画素電極
とバスラインとを別層に形成することも提案されている
(特開昭58−172685号公報等)。このような画
素電極とバスラインとを別層で形成する構成では、バス
ラインと画素電極とを重畳させることができるので、画
素電極の面積(開口率)を拡大することができる。以
下、本明細書においては、上記のような画素電極とバス
ラインとを隔絶する絶縁膜を特に層間絶縁膜と称する。
On the other hand, conventionally, an inorganic material such as silicon nitride (SiN) has been used as the insulating film, but recently, an organic material such as a photosensitive transparent acrylic resin has also been used as the insulating film. . It has also been proposed that a pixel electrode and a bus line are formed in separate layers by providing a pixel electrode on an insulating film made of an organic material (Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-172885). In such a configuration in which the pixel electrode and the bus line are formed in different layers, the bus line and the pixel electrode can be overlapped, so that the area (aperture ratio) of the pixel electrode can be increased. Hereinafter, in the present specification, the insulating film that separates the pixel electrode from the bus line as described above is particularly referred to as an interlayer insulating film.

【0005】ここで、画素電極とデータ線とが層間絶縁
膜を介して重ねられる構成について、以下に説明する。
Here, a configuration in which a pixel electrode and a data line are overlapped via an interlayer insulating film will be described below.

【0006】図10ないし図12はそれぞれ、有機材料
からなる層間絶縁膜を用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置用配線基板の一例の、ドレイン電極形成時、
層間絶縁膜形成時、画素電極形成時の構造をそれぞれ示
している。各図において(a)は平面図、(b)は
(a)におけるB−B’線矢視断面図である。
FIGS. 10 to 12 each show an example of a wiring substrate for an active matrix type liquid crystal display device using an interlayer insulating film made of an organic material when a drain electrode is formed.
The structures at the time of forming an interlayer insulating film and at the time of forming a pixel electrode are shown. In each figure, (a) is a plan view, and (b) is a cross-sectional view taken along line BB 'in (a).

【0007】この構成では、図12に示すように、画素
電極51の両側の周辺部が、ゲート線52・52および
データ線53・53と重なるように設けられている。画
素電極51の下側かつ中央位置には、補助容量電極(以
降、Cs電極と称する)56が設けられている。このC
s電極56は、TFT55と共通して用いられるゲート
絶縁膜57上に形成されており、TFT55の半導体層
に接続されたドレイン電極62と接続線63を介して接
続されている。また、Cs電極56は、画素電極51の
コンタクト部51aと接触している。
In this configuration, as shown in FIG. 12, the peripheral portions on both sides of the pixel electrode 51 are provided so as to overlap the gate lines 52, 52 and the data lines 53, 53. An auxiliary capacitance electrode (hereinafter, referred to as a Cs electrode) 56 is provided below and at the center of the pixel electrode 51. This C
The s electrode 56 is formed on a gate insulating film 57 used in common with the TFT 55, and is connected via a connection line 63 to a drain electrode 62 connected to a semiconductor layer of the TFT 55. Further, the Cs electrode 56 is in contact with the contact portion 51a of the pixel electrode 51.

【0008】ゲート絶縁膜57は、ガラス製の基板58
上に形成された補助容量線59を覆うように形成されて
いる。ゲート絶縁膜57上のCs電極56の両側には、
下層信号線67・67が形成され、さらにその上にデー
タ線53・53が形成されている。下層データ線67・
67およびデータ線53・53は、層間絶縁膜61によ
り覆われている。
The gate insulating film 57 is made of a glass substrate 58.
It is formed so as to cover the auxiliary capacitance line 59 formed thereon. On both sides of the Cs electrode 56 on the gate insulating film 57,
Lower signal lines 67 are formed, and data lines 53 are formed thereon. Lower data line 67
67 and the data lines 53 are covered with the interlayer insulating film 61.

【0009】上記の構成では、画素電極51とデータ線
53・53との間に層間絶縁膜61が介在しているの
で、画素電極51をデータ線53・53の配置位置に関
わらず広く形成することができ、前述したように高開口
率となる。
In the above configuration, since the interlayer insulating film 61 is interposed between the pixel electrode 51 and the data lines 53, the pixel electrode 51 is formed widely regardless of the position of the data lines 53. And a high aperture ratio as described above.

【0010】このような高開口率構造の液晶表示装置で
は、画素電極51とデータ線53およびゲート線52と
の間に挟持される層間絶縁膜61に寄生する容量を低減
させることが必要である。そのため、層間絶縁膜61と
しては、数μmの厚さで形成することが容易であるこ
と、誘電率が窒化シリコンなどに比較して充分に小さい
ことなどが要求され、このような要求に応え得るものと
して、有機材料からなる絶縁膜が用いられている。
In the liquid crystal display device having such a high aperture ratio structure, it is necessary to reduce the parasitic capacitance of the interlayer insulating film 61 sandwiched between the pixel electrode 51 and the data line 53 and the gate line 52. . Therefore, the interlayer insulating film 61 is required to be easily formed with a thickness of several μm and to have a dielectric constant sufficiently smaller than that of silicon nitride or the like. For example, an insulating film made of an organic material is used.

【0011】また、TFT55のドレイン電極62と画
素電極51の電気的接触をコンタクト部51aで行うた
め、層間絶縁膜61にコンタクトホール61aを形成す
る必要があるが、層間絶縁膜61の材料として感光性ア
クリル樹脂を用いた場合、液状の樹脂材料をスピン塗布
法により基板に散布した後、フォトリソ工程にて露光
し、アルカリ性溶液による現像を行うことでパターニン
グすることでコンタクトホール61aを形成することが
できる。したがって、成膜とパターニングを同時に行う
ことが可能であるといって利点もある。
Further, since electrical contact between the drain electrode 62 of the TFT 55 and the pixel electrode 51 is made at the contact portion 51a, it is necessary to form a contact hole 61a in the interlayer insulating film 61. When a conductive acrylic resin is used, a contact hole 61a can be formed by spraying a liquid resin material on a substrate by a spin coating method, exposing it in a photolithography process, and performing patterning by developing with an alkaline solution. it can. Therefore, there is an advantage that film formation and patterning can be performed simultaneously.

【0012】ところで、マトリクス型の表示装置では、
製造時の不良に起因する配線の断線が常に問題となる。
そこで、従来からアクティブマトリクス型液晶表示装置
用配線基板においては、例えば図13に示すように、表
示エリア66(図中、一点鎖線にて示す)の周囲に、基
板の3方を囲むように予備線65・65を予め形成して
おく構造が採用されている。
By the way, in a matrix type display device,
Disconnection of the wiring due to a defect in manufacturing always poses a problem.
Therefore, conventionally, in a wiring substrate for an active matrix type liquid crystal display device, for example, as shown in FIG. 13, a spare area is provided around a display area 66 (indicated by a dashed line in the figure) so as to surround three sides of the substrate. A structure in which the lines 65 are formed in advance is employed.

【0013】このような構造では、データ線53に欠落
等による断線が生じたとき、図に示すように、欠陥60
のあるデータ線53と一方の予備線65との2つの交差
部(接続部68・68)を電気的に接続することで、デ
ータ信号を迂回させて欠陥60のあるデータ線53の修
正が可能となる。
In such a structure, when the data line 53 is disconnected due to a lack or the like, as shown in FIG.
By electrically connecting the two intersections (connecting portions 68, 68) of the data line 53 having a defect and one spare line 65, the data line 53 having the defect 60 can be corrected by bypassing the data signal. Becomes

【0014】また、SID '95 DIGEST of TECHNICAL PAPE
RS 4:AMLCDs 4.3;"High-Aperture and Fault-Tolerant
Pixel Structure for TFT-LCDs" には、断線を低減する
ためにゲート線を2重化した構造のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置について記載されている。
SID '95 DIGEST of TECHNICAL PAPE
RS 4: AMLCDs 4.3; "High-Aperture and Fault-Tolerant
"Pixel Structure for TFT-LCDs" describes an active matrix type liquid crystal display device having a structure in which gate lines are doubled to reduce disconnection.

【0015】この構造は、図14に示すように、画素電
極51の1つあたりに2本のゲート線52・52’が設
けられ、ゲート線52・52’が画素電極51の両側で
データ線53・53に沿って配された短絡線54・54
により短絡されている。また、短絡線54・54は、図
示しない絶縁層を介して画素電極51と重ねて形成され
ており、その重なった部分が補助容量として機能するよ
うになっている。このような構成では、2本のゲート線
52・52’によりTFT55が駆動されるので、ゲー
ト線52・52’のうち1本に断線が生じても、短絡線
54・54を介してTFT55へのゲート電圧の印加を
維持することができる。
In this structure, as shown in FIG. 14, two gate lines 52 and 52 'are provided for each pixel electrode 51, and the gate lines 52 and 52' are connected to the data lines on both sides of the pixel electrode 51. 53,53 short-circuit wires 54,54 arranged along
Is short-circuited. Further, the short-circuit lines 54 are formed so as to overlap the pixel electrode 51 via an insulating layer (not shown), and the overlapping portion functions as an auxiliary capacitance. In such a configuration, the TFT 55 is driven by the two gate lines 52, 52 ', so that even if one of the gate lines 52, 52' is disconnected, the TFT 55 is connected to the TFT 55 via the short-circuit lines 54, 54. Of the gate voltage can be maintained.

【0016】また、この構造では、画素電極51と短絡
線54・54とが絶縁膜を介して基板に垂直な方向に重
ねられており、これにより、画素同士の間から光が漏れ
るのを防止するために一般に対向電極側に形成される遮
光パターンの一部を短絡線54・54が兼ねるようにも
なっている。
In this structure, the pixel electrode 51 and the short-circuit lines 54 are overlapped with each other in a direction perpendicular to the substrate via the insulating film, thereby preventing light from leaking from between the pixels. In order to achieve this, the short-circuit lines 54 generally serve as part of the light-shielding pattern formed on the counter electrode side.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】今日のアクティブマト
リクス型液晶表示装置のさらなる高精細化に伴い、バス
ラインの幅が減少するため、断線が増加する傾向にあ
る。断線が発生すると、バスラインに接続されている画
素電極に正常な電圧が印加されないため、電圧が印加さ
れない部分は、ライン状の欠陥として表示画面に現れ
る。表示素子におけるライン状欠陥は致命的な欠陥であ
り、その素子を用いた表示装置は不良品として扱われ、
このような不良品が増加すると、表示装置の歩留りの低
下を招き、製品コストが上昇することとなる。
As the definition of today's active matrix type liquid crystal display devices is further improved, the width of bus lines is reduced, and the number of disconnections tends to increase. When a disconnection occurs, a normal voltage is not applied to the pixel electrode connected to the bus line, and a portion to which no voltage is applied appears on the display screen as a linear defect. A line defect in a display element is a fatal defect, and a display device using the element is treated as a defective product.
When such defective products increase, the yield of the display device decreases, and the product cost increases.

【0018】ところが、図13の配線基板のように、表
示エリア66の周辺部に予備線65・65を形成した構
成では、予備線65・65を形成するために要する分だ
け液晶パネルの額縁を大きくとらなければならず、表示
装置の小型化の障害となる。
However, in the configuration in which the spare lines 65 and 65 are formed around the display area 66 as in the wiring board of FIG. 13, the frame of the liquid crystal panel is formed by an amount required to form the spare lines 65 and 65. It must be large, which is an obstacle to downsizing the display device.

【0019】一方、図14の配線基板のようにバスライ
ンを2重化する断線対策は、液晶パネルの額縁を大きく
することはない。しかしながら、この構成をそのままデ
ータ線の断線対策として応用することはできない。つま
り、データ線が2重化されてデータ線と画素電極との重
畳部が多くなると、画素電極とデータ線の寄生容量が増
大し、その容量によりクロストーク等が生じて表示品位
を著しく低下させるからである。
On the other hand, the measure against disconnection by double bus lines as in the wiring board of FIG. 14 does not increase the frame of the liquid crystal panel. However, this configuration cannot be directly applied as a measure against disconnection of the data line. In other words, when the data line is duplicated and the overlapping portion between the data line and the pixel electrode increases, the parasitic capacitance between the pixel electrode and the data line increases, and crosstalk occurs due to the capacitance, thereby significantly deteriorating the display quality. Because.

【0020】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、小型化を阻止することも、ま
た、表示品位を低下させることもなく、信号線断線時の
修正を可能とし、ひいては製造コスト低減を実現可能な
アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することに
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to prevent a reduction in size and to correct a signal line disconnection without deteriorating display quality. It is an object of the present invention to provide an active matrix type liquid crystal display device which can make it possible to reduce the manufacturing cost.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、基板上に設け
られた複数の走査線と、該走査線と直交するように形成
された複数の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号
線とで囲まれた領域にそれぞれ配置される複数の画素電
極と、各走査線に印加される走査電圧によりオン・オフ
して各画素電極への各信号線を介しての信号電圧の印加
をそれぞれスイッチングする複数のスイッチング素子と
を有し、上記複数の画素電極が、絶縁膜を介して上記の
複数の走査線および/又は複数の信号線と重畳するよう
に形成され、かつ、上記の各信号線と面方向に平行をな
し、該各信号線とは非導通状態に形成された複数の予備
線を備えるとともに、1画素あたり1つの割合で、上記
の信号線および予備線の両方と交差し、これら信号線お
よび予備線とは別層に形成された複数の電極線を有する
アクティブマトリクス型液晶表示装置であって、信号線
に断線が生じたとき、断線した信号線と隣り合う予備線
を、断線箇所を挟むように位置する2本の電極線との各
交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離すととも
に、断線箇所を挟むように位置する上記2本の電極線
を、上記信号線および上記予備線との各交差部の配線方
向両外側で切断して一部切り離し、該電極線の切り離し
部分と上記信号線とを電気的に接続するとともに、上記
予備線の切り離し部分と上記電極線の切り離し部分とを
電気的に接続することで、画素の欠陥を修正できるよう
になっていることを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device comprising a plurality of scanning lines provided on a substrate and a plurality of scanning lines formed orthogonal to the scanning lines. A plurality of pixel electrodes respectively arranged in a region surrounded by a signal line, an adjacent scanning line and an adjacent signal line, and turned on / off by a scanning voltage applied to each scanning line so that each pixel electrode A plurality of switching elements for respectively switching the application of a signal voltage via each signal line, wherein the plurality of pixel electrodes are connected to the plurality of scanning lines and / or the plurality of signal lines via an insulating film. is formed so as to overlap, and no parallel to the signal lines and the surface direction of the, along with the respective signal lines comprise a plurality of spare lines formed in non-conductive state, one in a ratio per pixel The signal lines and Cross the both lines, with a plurality of electrode lines formed on different layers from these signal lines and spare line
An active matrix liquid crystal display device, comprising a signal line
When a disconnection occurs, a spare line adjacent to the disconnected signal line
And each of the two electrode wires positioned so as to sandwich the
Cut at both outer sides in the wiring direction at the intersection and partially separate
And the two electrode wires positioned so as to sandwich the broken portion
The wiring method at each intersection with the signal line and the spare line.
Cut at both outer sides to separate part of the electrode wire
Part and the signal line are electrically connected, and
Separate the spare line and the electrode wire.
Electrical connection allows pixel defects to be corrected
It is characterized that it is.

【0022】また、本発明の請求項7記載の画素欠陥修
正方法は、基板上に設けられた複数の走査線と、該走査
線と直交するように形成された複数の信号線と、隣り合
う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞれ
配置される複数の画素電極と、各走査線に印加される走
査電圧によりオン・オフして各画素電極への各信号線を
介しての信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする複
数のスイッチング素子とを有し、上記複数の画素電極
が、絶縁膜を介して上記の複数の走査線および/又は複
数の信号線と重畳するように形成され、かつ、上記の各
信号線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状
態に形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素
あたり1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方
と交差し、これら信号線および予備線とは別層に形成さ
れた複数の電極線を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置に対し、信号線に断線が生じたとき、断線した
信号線と隣り合う予備線を、断線箇所を挟むように位置
する2本の電極線との各交差部の配線方向両外側で切断
して一部切り離すとともに、断線箇所を挟むように位置
する上記2本の電極線を、上記信号線および上記予備線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離
し、該電極線の切り離し部分と上記信号線とを電気的に
接続するとともに、上記予備線の切り離し部分と上記電
極線の切り離し部分とを電気的に接続することを特徴と
している。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a pixel defect correcting method, comprising: a plurality of scanning lines provided on a substrate;
A plurality of signal lines formed so as to be orthogonal to the
In the area surrounded by the scanning line and the adjacent signal line.
The plurality of pixel electrodes arranged and the scanning applied to each scanning line
Turn on / off by the scanning voltage and connect each signal line to each pixel electrode.
Through the switching of the application of the signal voltage via
A plurality of switching elements, and the plurality of pixel electrodes
Are provided with a plurality of scanning lines and / or multiple
Number of signal lines, and each of the above
Parallel to the signal line in the plane direction, non-conductive with each signal line
With a plurality of spare lines formed
One for each of the above signal lines and backup lines
Intersects with the signal line and the spare line.
Against the active matrix liquid crystal display device having a plurality of electrode lines which, when the disconnection occurs in a signal line, a spare line adjacent to the disconnection signal lines, two electrode lines positioned so as to sandwich the broken point The wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line is cut off at both outer sides in the wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line. Cutting at both outer sides and partially disconnecting, electrically connecting the separated portion of the electrode line and the signal line, and electrically connecting the separated portion of the spare line and the separated portion of the electrode line. It is characterized by.

【0023】上記のアクティブマトリクス型液晶表示装
又は画素欠陥修正方法によれば、信号線に断線不良が
生じたときは、上記のように欠陥修正することで、予備
線の一部と電極線の一部を介して断線箇所を迂回するよ
うにして信号線に信号電圧が印加される。それゆえ、あ
る画素電極と次段の画素電極との間で信号線が断線して
も、その次段の画素電極への信号電圧の印加を維持する
ことができる。
According to the active matrix type liquid crystal display device or the pixel defect repair method described above, when a disconnection failure occurs in the signal line, the defect is repaired as described above, so that a part of the spare line and the electrode line are removed. A signal voltage is applied to the signal line so as to bypass the disconnection via a part. Therefore, even if a signal line is disconnected between a certain pixel electrode and the next-stage pixel electrode, application of a signal voltage to the next-stage pixel electrode can be maintained.

【0024】そして、この場合、信号線に断線が無い場
合は、各予備線には信号電圧が印加されていないので、
予備線と画素電極の間の寄生容量が表示品位に影響を及
ぼすことはない。また、信号線に断線が生じた場合で
も、予備線に信号電圧が印加されるのは、信号線の断線
箇所を迂回して通る部分のみの、信号線に沿って隣り合
う2画素或いは数画素であるので、この数画素分の予備
線と画素電極の寄生容量が信号線の信号電圧の遅延に与
える影響は無視できる程度のものである。
In this case, if there is no disconnection in the signal line, no signal voltage is applied to each spare line.
The parasitic capacitance between the spare line and the pixel electrode does not affect display quality. Further, even when a break occurs in the signal line, the signal voltage is applied to the spare line only in a portion of the signal line that bypasses the break point of the signal line, that is, two pixels or several pixels adjacent to the signal line. Therefore, the influence of the parasitic capacitance of the spare line and the pixel electrode for several pixels on the delay of the signal voltage of the signal line is negligible.

【0025】本発明の請求項2記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1の構成において、上記
複数の電極線として、上記の基板上に走査線と同層かつ
平行に全画素に共通して設けられた複数の補助容量線が
兼用されていることを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect, the plurality of electrode lines are common to all pixels in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate. A plurality of auxiliary capacitance lines provided as above are shared.

【0026】これによれば、信号電圧を迂回させるため
の複数の電極線を別途に形成する必要がなく、製造時の
工程数を削減できる。そして、複数の補助容量線は全画
素に共通して設けられるものであるので、その配線パタ
ーンを走査線に並走する全ての補助容量線でその両側か
ら電圧が印加されるようなパターンとすることで、補助
容量線の一部を画素欠陥修正のために切り離したとして
も、不良となることはない。
According to this, it is not necessary to separately form a plurality of electrode lines for bypassing the signal voltage, and the number of steps in manufacturing can be reduced. Since the plurality of auxiliary capacitance lines are provided in common to all pixels, the wiring pattern is a pattern in which voltage is applied from both sides of all the auxiliary capacitance lines running in parallel with the scanning lines. Thus, even if a part of the auxiliary capacitance line is cut off for correcting a pixel defect, no defect occurs.

【0027】本発明の請求項3記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1又2の構成において、
上記複数の予備線に、上記の基板上に走査線と同層かつ
平行に全画素に共通して設けられた複数の補助容量線と
同じ電圧が印加されることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device according to the first or second aspect .
The same voltage as a plurality of auxiliary capacitance lines provided in common with all pixels in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate is applied to the plurality of spare lines.

【0028】予備線と信号線との間で持つ容量が表示品
位に与える影響を小さくするためには、予備線に何らか
の電圧を印加しておく必要があるので、上記のような構
成とすることで、別途、複数の予備線に印加するためだ
けに電圧を生成することなく、予備線と信号線との間で
持つ容量が表示品位に与える影響を小さくできる。しか
も、予備線に補助容量線と同じ電圧を印加することで、
予備線と補助容量線との間の静電容量を削減できるの
で、表示品位がさらに向上する。
In order to reduce the effect of the capacitance between the spare line and the signal line on the display quality, it is necessary to apply some voltage to the spare line. Therefore, it is possible to reduce the influence of the capacitance between the spare line and the signal line on the display quality without generating a voltage only to apply the voltage to a plurality of spare lines. Moreover, by applying the same voltage to the auxiliary line as that of the auxiliary capacitance line,
Since the capacitance between the auxiliary line and the auxiliary capacitance line can be reduced, the display quality is further improved.

【0029】本発明の請求項4記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項3の構成において、上記
複数の予備線と上記複数の補助容量線とが電気的に接続
されることで、上記複数の予備線に、上記複数の補助容
量線と同じ電圧が印加されるようになっていることを特
徴としている。
The active matrix liquid crystal display device according to claim 4 of the present invention, in the configuration of claim 3, in Rukoto above and a plurality of spare lines and the plurality of auxiliary capacitance lines are electrically connected, the The multiple auxiliary lines are
It is characterized in that the same voltage as that of the quantum line is applied .

【0030】複数の予備線に複数の補助容量線と同じ電
圧を印加する手法としては、複数の予備線に別途端子を
設け、該端子から入力させる構成も考えられるが、上記
のような構成とすることで、最も簡単な手法で複数の予
備線に複数の補助容量線と同じ電圧を印加することが可
能となる。
As a method of applying the same voltage to the plurality of auxiliary lines as to the plurality of auxiliary capacitance lines, a configuration is possible in which terminals are separately provided for the plurality of auxiliary lines and input is made from the terminals. This makes it possible to apply the same voltage to the plurality of auxiliary lines to the plurality of auxiliary lines by the simplest method.

【0031】本発明の請求項5記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1〜のいずれかの構成
において、上記複数の予備線と上記複数の電極線
差部毎に電気的に接続されており、信号線に断線が生じ
たとき、断線した信号線と隣り合う予備線を、断線箇所
を挟むように位置する2本の電極線との各交差部の配線
方向両外側で切断して一部切り離すとともに、断線箇所
を挟むように位置する上記2本の電極線を、上記信号線
および上記予備線との各交差部の配線方向両外側で切断
して一部切り離し、該電極線の切り離し部分と上記信号
線とを電気的に接続するのみで、画素の欠陥を修正でき
るようになっていることを特徴としている。
The active matrix liquid crystal display device according to claim 5 of the present invention, in the construction of claims 1-4, said plurality of spare lines and said plurality of electrode lines and the exchange <br/> difference Each part is electrically connected , and the signal line is disconnected.
The spare line adjacent to the disconnected signal line
Wiring at each intersection with two electrode lines located so as to sandwich
Cut off both sides in the direction and partially cut off
The two electrode wires positioned so as to sandwich
And cutting at both outsides in the wiring direction at each intersection with the above spare line
And partially disconnect the electrode wire and the signal
Pixel defects can be corrected simply by making electrical connections to the lines.
It is characterized that it is so that.

【0032】本発明の請求項8記載の画素欠陥修正方法
は、基板上に設けられた複数の走査線と、該走査線と直
交するように形成された複数の信号線と、隣り合う走査
線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞれ配置さ
れる複数の画素電極と、各走査線に印加される走査電圧
によりオン・オフして各画素電極への各信号線を介して
の信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする複数のス
イッチング素子とを有し、上記複数の画素電極が、絶縁
膜を介して上記の複数の走査線および/又は複数の信号
線と重畳するように形成され、かつ、上記の各信号線と
面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状態に形成
された複数の予備線を備えるとともに、1画素あたり1
つの割合で、上記の信号線および予備線の両方と交差
し、これら信号線および予備線とは別層に形成された複
数の電極線を有し、上記複数の予備線と上記複数の電極
線とが交差部毎に電気的に接続されているアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に対し、信号線に断線が生じた
とき、断線した信号線と隣り合う予備線を、断線箇所を
挟むように位置する2本の電極線との各交差部の配線方
向両外側で切断して一部切り離すとともに、断線箇所を
挟むように位置する上記2本の電極線を、上記信号線お
よび上記予備線との各交差部の配線方向両外側で切断し
て一部切り離し、該電極線の切り離し部分と上記信号線
とを電気的に接続することを特徴としている。
According to the pixel defect correcting method of the present invention, a plurality of scanning lines provided on a substrate and the scanning lines are directly connected to the plurality of scanning lines.
A plurality of intersecting signal lines and adjacent scans
In the area surrounded by the signal line and the adjacent signal line.
Multiple pixel electrodes and the scanning voltage applied to each scanning line
ON / OFF by each signal line to each pixel electrode
Switches that switch the application of the
And a plurality of pixel electrodes having an insulating element.
The plurality of scan lines and / or the plurality of signals through the membrane
And each signal line is formed so as to overlap with the signal line.
Parallel to the plane direction, formed in a non-conductive state with each signal line
And a plurality of spare lines
Intersects both signal lines and backup lines at one rate
However, the signal line and the spare line are formed on a different layer
A plurality of electrode lines, the plurality of spare lines and the plurality of electrodes
Against the active matrix liquid crystal display device in which a line is electrically connected to each intersection, when a disconnection in the signal line occurs, the spare line adjacent to the disconnection signal line, position so as to sandwich the broken point The two electrode wires are cut at both outer sides in the wiring direction at the intersections with the two electrode wires to be partially cut off, and the two electrode wires positioned so as to sandwich the broken portion are connected to the signal line and the spare line. It is characterized in that it is cut off at both outer sides in the wiring direction of each intersection and partly separated, and the separated part of the electrode line is electrically connected to the signal line.

【0033】上記のアクティブマトリクス型液晶表示装
又は画素欠陥修正方法によれば、複数の予備線と複数
電極線とが交差部毎に電気的に接続されているので、
信号線に欠落による不良が生じたとき、上記のように欠
陥修正が行え、前記アクティブマトリクス型液晶表示装
置における欠陥修正よりも修正が容易である。
According to the active matrix type liquid crystal display device or the pixel defect repair method described above, the plurality of spare lines and the plurality of electrode lines are electrically connected at each intersection, so that
When the failure due to missing signal line occurs, defect correction as described above can, modifications than defect repair in the active matrix type liquid crystal display device is easy.

【0034】しかも、複数の予備線と複数の補助容量線
とを交差部毎、即ち画素毎に電気的に接続した構成で
は、予備線を介して全ての補助容量線に同じ電圧が印加
されるので、補助容量線の配線パターンにかかわらず、
補助容量線の一部を画素欠陥修正のために切り離したと
しても、不良となることはない。
Further, in a configuration in which a plurality of auxiliary lines and a plurality of auxiliary capacitance lines are electrically connected at each intersection, that is, for each pixel, the same voltage is applied to all auxiliary capacitance lines via the auxiliary lines. So, regardless of the wiring pattern of the auxiliary capacitance line,
Even if a part of the auxiliary capacitance line is cut off for correcting a pixel defect, no defect occurs.

【0035】本発明の請求項6記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1〜5のいずれかの構成
において、上記複数の予備線が透明導電体により形成さ
れていることを特徴としている。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device according to any one of the first to fifth aspects , wherein the plurality of spare lines are formed of a transparent conductor. .

【0036】これによれば、画素を透過する光が予備線
により遮断されることがないので、画素の開口率の低下
を阻止できる。
According to this, since the light passing through the pixel is not blocked by the spare line, a decrease in the aperture ratio of the pixel can be prevented.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

〔実施の形態1〕本発明の第1の実施の形態について図
1ないし図7に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
[Embodiment 1] The first embodiment of the present invention is described below with reference to FIGS.

【0038】本実施の形態に係るアクティブマトリクス
型液晶表示装置(以下、液晶表示装置と称する)は、図
1に示すように、複数のゲート線1…、複数のデータ線
2…、複数の補助容量線(以下、Cs線と称する)3…
等を有する配線基板を備えている。本液晶表示装置は、
この配線基板を含む液晶パネルを有している。この液晶
パネルは、上記の配線基板と図示しない共通電極が設け
られた対向基板とが間隔をおいて貼り合わされ、その間
に液晶が封入された構成である。
As shown in FIG. 1, an active matrix type liquid crystal display device (hereinafter, referred to as a liquid crystal display device) according to the present embodiment has a plurality of gate lines 1, a plurality of data lines 2, a plurality of auxiliary lines. Capacitance lines (hereinafter referred to as Cs lines) 3 ...
And the like. This liquid crystal display device
It has a liquid crystal panel including this wiring board. This liquid crystal panel has a configuration in which the wiring substrate and an opposing substrate provided with a common electrode (not shown) are attached at an interval, and liquid crystal is sealed therebetween.

【0039】ゲート線1…、データ線2…およびCs線
3…は、それぞれ後述する基板8(図4(b)参照)上
に一定の間隔をおいて互いに平行に設けられている。信
号線としてのデータ線2…は、走査線としてのゲート線
1…と直交して配され、Cs線3…は、全画素に共通し
て設けられており、ゲート線1…と平行に配されてい
る。隣り合うゲート線1・1と隣り合うデータ線2・2
とで囲まれる領域には、画素電極4がそれぞれ設けられ
ている。
The gate lines 1,..., The data lines 2,... And the Cs lines 3,... Are provided on a substrate 8 (see FIG. The data lines 2 as signal lines are arranged orthogonally to the gate lines 1 as scanning lines, and the Cs lines 3 are provided in common to all the pixels and arranged in parallel with the gate lines 1. Have been. Adjacent gate line 1.1 and adjacent data line 2.2
The pixel electrodes 4 are provided in the regions surrounded by.

【0040】画素電極4…の下側には、予備線5…が設
けられている。予備線5は、データ線2と平行に、隣り
合うデータ線2・2の間に1本ずつ形成されている。予
備線5は、データ線2の幅より広い一定の幅でデータ線
2と同種の金属材料により形成されている。なお、予備
線5…をインジウム錫酸化物(ITO)のような透明の
導電膜により形成することで、開口率の向上が図れる。
Auxiliary lines 5 are provided below the pixel electrodes 4. The spare line 5 is formed one by one between the adjacent data lines 2 in parallel with the data line 2. The spare line 5 is formed of the same kind of metal material as the data line 2 at a constant width larger than the width of the data line 2. The aperture ratio can be improved by forming the auxiliary lines 5 using a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO).

【0041】ゲート線1とデータ線2との交差部の近傍
には、スイッチング素子としてのTFT6が設けられて
いる。TFT6は、半導体層6aを有している。この半
導体層6aは、ゲート線1上に後述するゲート絶縁膜9
(図4(b)参照)を介して形成され、両端部がそれぞ
れデータ線2とドレイン電極7とに接続されている。半
導体層6aの中間部は、チャネル領域として形成されて
いる。
In the vicinity of the intersection between the gate line 1 and the data line 2, a TFT 6 as a switching element is provided. The TFT 6 has a semiconductor layer 6a. The semiconductor layer 6a is formed on the gate line 1 by a gate insulating film 9 described later.
4 (b), and both ends are connected to the data line 2 and the drain electrode 7, respectively. An intermediate portion of the semiconductor layer 6a is formed as a channel region.

【0042】ドレイン電極7は、接続線13により補助
容量の一方の電極となる補助容量電極10(以下:Cs
電極と称する)に接続されており、このCs電極10を
介して画素電極4と接続されている。その接続は、画素
電極4に窪んで形成されたコンタクト部4aにてなされ
ている。
The drain electrode 7 is connected to an auxiliary capacitance electrode 10 (hereinafter referred to as Cs
(Referred to as an electrode) and the pixel electrode 4 via the Cs electrode 10. The connection is made at a contact portion 4 a formed to be depressed in the pixel electrode 4.

【0043】TFT6は、ゲート線1にON電圧(走査
電圧)が印加されることによりONし、データ線2に印
加される電圧を画素電極4に与えて画素容量を充電する
ようになっている。
The TFT 6 is turned on when an ON voltage (scanning voltage) is applied to the gate line 1, and applies a voltage applied to the data line 2 to the pixel electrode 4 to charge a pixel capacitance. .

【0044】Cs線3は、隣り合うゲート線1・1の間
に1本ずつ配されている。また、図4(b)に示すよう
に、Cs線3は、ガラスのように透光性かつ絶縁性を有
する材料からなる基板8上に形成されている。なお、ゲ
ート線1は、図5に示すように、Cs線3と同層に設け
られている。
The Cs lines 3 are arranged one by one between the adjacent gate lines 1.1. Further, as shown in FIG. 4B, the Cs line 3 is formed on a substrate 8 made of a light-transmitting and insulating material such as glass. The gate line 1 is provided in the same layer as the Cs line 3, as shown in FIG.

【0045】Cs線3上には、ゲート絶縁膜9を介して
前述のCs電極10が1画素当たり1個の割合で形成さ
れている。また、ゲート絶縁膜9上には、Cs電極10
の両脇に予備線5と下層データ線11が形成されるとと
もに、予備線5のさらに脇に下層データ線11がさらに
形成されている。下層データ線11・11上には、デー
タ線2・2が形成されている。
On the Cs line 3, the above-mentioned Cs electrode 10 is formed at a rate of one per pixel via the gate insulating film 9. On the gate insulating film 9, a Cs electrode 10
, A spare line 5 and a lower data line 11 are formed on both sides, and a lower data line 11 is further formed on the side of the spare line 5. Data lines 2.2 are formed on the lower data lines 11.

【0046】そして、上記の予備線5はこのCs線3
と、予備線5とCs線3との交差部においてゲート絶縁
膜9に設けられたコンタクトホールを介してコンタクト
部5aにて電気的に接続されている。本実施の形態の液
晶表示装置においては、Cs線3が、予備線5とゲート
線2の両方と交差する電極線としての機能を兼ねるよう
になっている。
The spare line 5 is connected to the Cs line 3
At the intersection of the spare line 5 and the Cs line 3 via a contact hole provided in the gate insulating film 9 at a contact portion 5a. In the liquid crystal display device of the present embodiment, the Cs line 3 also functions as an electrode line crossing both the spare line 5 and the gate line 2.

【0047】さらに、これらは層間絶縁膜12で覆われ
ており、この層間絶縁膜12上に上記画素電極4が形成
されている。画素電極4は、前述したコンタクト部4a
を有しており、このコンタクト部4aでCs電極10と
接触している。
Further, these are covered with an interlayer insulating film 12, and the pixel electrode 4 is formed on the interlayer insulating film 12. The pixel electrode 4 is connected to the contact portion 4a described above.
And is in contact with the Cs electrode 10 at the contact portion 4a.

【0048】上記の層間絶縁膜12は、有機材料、特に
樹脂により形成されている。また、層間絶縁膜12の材
料としては、比誘電率の低い材料が用いられている。
The interlayer insulating film 12 is formed of an organic material, particularly, a resin. As the material of the interlayer insulating film 12, a material having a low relative dielectric constant is used.

【0049】上記の構成は、Cs電極10…が全ての画
素に共通するCs線3…上に配されている。補助容量
は、Cs線3、Cs電極10およびこれらの間に挟持さ
れるゲート絶縁膜9により形成されるCs on Common構造
である。
In the above configuration, the Cs electrodes 10 are arranged on the Cs lines 3 common to all the pixels. The storage capacitor has a Cs on Common structure formed by the Cs line 3, the Cs electrode 10, and the gate insulating film 9 sandwiched therebetween.

【0050】なお、本実施の形態では、Cs電極10と
ドレイン電極7とを接続線13にて接続した構成とした
が、図7に示すようなCs電極10とドレイン電極7と
がそれぞれコンタクト部4aとコンタクト部4bにて別
個に画素電極4と接続された構成としてもよい。この構
成も、図1の構成と同様、Cs on Common構造である。
In this embodiment, the Cs electrode 10 and the drain electrode 7 are connected by the connection line 13. However, as shown in FIG. 7, the Cs electrode 10 and the drain electrode 7 are Alternatively, the pixel electrode 4 may be separately connected to the pixel electrode 4 at the contact portion 4a and the contact portion 4b. This configuration is also a Cs on Common structure, like the configuration of FIG.

【0051】ここで、上記のように構成される配線基板
の製造について図2ないし図5を参照しながら説明す
る。図2ないし図4はそれぞれ、ドレイン電極形成時、
層間絶縁膜形成時、画素電極形成時の配線基板の構造を
それぞれ示している。各図において(a)は平面図、
(b)は(a)におけるA−A’線矢視断面図である。
また、図5は、TFT6の部分の構成を示す断面図であ
る。
Here, the manufacture of the wiring board configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 2 to FIG.
The structures of the wiring board when forming the interlayer insulating film and when forming the pixel electrode are shown. In each figure, (a) is a plan view,
(B) is a sectional view taken along line AA 'in (a).
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the TFT 6.

【0052】まず、透光性かつ絶縁性の基板8の表面に
導電薄膜を形成し、その導電薄膜をパターニングするこ
とによりゲート線1およびCs線3を形成する。基板8
としては、ガラス基板を用いるが、透光性かつ絶縁性を
有しておれば他の材料を用いてもよい。また、導電薄膜
には、Ta系の金属材料を用いるが、導電性を有してお
れば他の材料を用いてもよい。
First, a conductive thin film is formed on the surface of a light-transmitting and insulating substrate 8 and the conductive thin film is patterned to form a gate line 1 and a Cs line 3. Substrate 8
A glass substrate is used, but another material may be used as long as it has a light-transmitting property and an insulating property. Although a Ta-based metal material is used for the conductive thin film, another material may be used as long as it has conductivity.

【0053】次に、ゲート線1およびCs線3を覆うよ
うにゲート絶縁膜9となる絶縁性薄膜を形成し、この絶
縁性薄膜に、Cs線3と予備線5とを接続するためのコ
ンタクトホールを形成した後、半導体薄膜(半導体層6
a)および半導体−電極コンタクト材薄膜を順次形成
し、半導体コンタクト層14・14を形成する。
Next, an insulating thin film serving as a gate insulating film 9 is formed so as to cover the gate line 1 and the Cs line 3, and a contact for connecting the Cs line 3 and the spare line 5 is formed on the insulating thin film. After forming the holes, the semiconductor thin film (semiconductor layer 6
a) and a semiconductor-electrode contact material thin film are sequentially formed, and semiconductor contact layers 14 are formed.

【0054】ここでは、絶縁性薄膜として窒化シリコン
を用い、半導体薄膜としてアモルファスシリコンを用
い、コンタクト材薄膜としてn+ アモルファスシリコン
を用いる。ただし、絶縁性薄膜を形成する際には、絶縁
性を有するものであれば窒化シリコン以外の材料を用い
てもよい。
Here, silicon nitride is used as the insulating thin film, amorphous silicon is used as the semiconductor thin film, and n + amorphous silicon is used as the contact material thin film. However, when forming the insulating thin film, a material other than silicon nitride may be used as long as it has insulating properties.

【0055】なお、Cs線3と予備線5とを接続するた
めのコンタクトホールの形成は、絶縁性薄膜をゲート線
2の端子部等を露出させるためのパターニング時に一緒
に除去するだけでよいので、パターン変更のみで対応で
き、新たに製造工程を増加させるものではない。
The formation of the contact hole for connecting the Cs line 3 and the spare line 5 can be achieved only by removing the insulating thin film together with the patterning for exposing the terminal portion of the gate line 2 and the like. It can be dealt with only by changing the pattern, and does not newly increase the number of manufacturing steps.

【0056】続いて、透明導電薄膜および導電薄膜を重
ねて形成し、導電薄膜をパターニングすることにより、
データ線2およびドレイン電極7およびソース電極15
を形成する。その後、透明導電薄膜をパターニングする
ことにより、下層データ線11、下層ドレイン電極16
および下層ソース電極17、予備線5、接続線13、C
s電極10を形成する。このようなパターニングにより
TFT6が作製される。TFT6については、スイッチ
ング素子として動作するように形成できれば、材料、構
造および製造方法は特に問わない。
Subsequently, a transparent conductive thin film and a conductive thin film are formed on top of each other, and by patterning the conductive thin film,
Data line 2, drain electrode 7, and source electrode 15
To form Thereafter, the transparent conductive thin film is patterned to form the lower data line 11 and the lower drain electrode 16.
And lower layer source electrode 17, spare line 5, connection line 13, C
The s electrode 10 is formed. The TFT 6 is manufactured by such patterning. The material, structure, and manufacturing method of the TFT 6 are not particularly limited as long as it can be formed to operate as a switching element.

【0057】ここでは、透明導電薄膜としてITOを用
い、導電薄膜としてTa系金属材料を用いる。ただし、
これらの材料として他の導電材料を用いてもよい。ま
た、データ線2、予備線5、ドレイン電極7、接続線1
3およびCs電極10の全てを1種類の金属材料で形成
することが可能であるし、ITOのような透明導電材料
で形成することも可能である。このような場合、下層デ
ータ線11は不要になる。
Here, ITO is used as the transparent conductive thin film, and a Ta-based metal material is used as the conductive thin film. However,
Other conductive materials may be used as these materials. Further, the data line 2, the spare line 5, the drain electrode 7, the connection line 1
All of the 3 and Cs electrodes 10 can be formed of one type of metal material, or can be formed of a transparent conductive material such as ITO. In such a case, the lower data line 11 becomes unnecessary.

【0058】透明導電薄膜および導電薄膜をいずれの材
料で形成する場合においても、予備線5は、配線基板の
作製に欠くことのできないデータ線2、Cs電極10等
の形成と同時に行われる。それゆえ、パターン変更のみ
で対応でき、従来の表示素子の作製に比べて、予備線5
の形成のためにプロセス数が増加することはない。
In the case where the transparent conductive thin film and the conductive thin film are formed of any material, the spare line 5 is formed simultaneously with the formation of the data line 2 and the Cs electrode 10 which are indispensable for manufacturing a wiring board. Therefore, it can be dealt with only by changing the pattern.
Does not increase the number of processes.

【0059】さらに、層間絶縁膜14となる絶縁層を形
成し、この絶縁層に、画素電極4とCs電極10とを接
続するためのコンタクトホール12aを形成する。な
お、絶縁層としては、絶縁性を有する材料であればアク
リル樹脂以外の有機材料を用いてもよい。
Further, an insulating layer serving as an interlayer insulating film 14 is formed, and a contact hole 12a for connecting the pixel electrode 4 and the Cs electrode 10 is formed in the insulating layer. Note that as the insulating layer, an organic material other than an acrylic resin may be used as long as the material has an insulating property.

【0060】そして、ITOを形成しパターニングする
ことにより、画素電極4を形成する。このとき、上記の
コンタクトホール12a内にコンタクト部4aが形成さ
れる。ここでは、画素電極4の材料としてITO以外の
導電性材料を用いてもよい。このようにして、図1に示
す構造の配線基板が作製される。
Then, the pixel electrode 4 is formed by forming and patterning ITO. At this time, the contact portion 4a is formed in the contact hole 12a. Here, a conductive material other than ITO may be used as the material of the pixel electrode 4. Thus, the wiring board having the structure shown in FIG. 1 is manufactured.

【0061】本実施の形態に係るマトリクス型液晶表示
装置は、以上述べたように構成されているので、次のよ
うな優れた特徴を備えることができる。
Since the matrix type liquid crystal display device according to the present embodiment is configured as described above, it can have the following excellent features.

【0062】 データ線2に断線が生じた場合、画素
欠陥修正が可能となる。即ち、例えば、図6に示すよう
に、データ線2に欠陥20による断線が生じた場合、欠
陥20を挟むように位置する2本のCs線3・3を、予
備線5との交差部およびデータ線2との交差部の各外側
(切断部R1 ・R2 ・R3 ・R4 )でレーザ光等により
切断するとともに、これら切断した部分3’・3’と交
差する交差部の各外側(切断部R5 ・R6 )で予備線5
を同様の方法で切断する。そして、Cs線3における切
断した部分3’・3’とデータ線2とが交差する2箇所
(接続部G1 ・G2 )をレーザメルト等により電気的に
接続する。
When a disconnection occurs in the data line 2, a pixel defect can be corrected. That is, for example, as shown in FIG. 6, when the data line 2 is disconnected due to the defect 20, the two Cs lines 3.3 positioned so as to sandwich the defect 20 are connected to the intersection with the spare line 5 and Each outer portion (cut portion R 1 , R 2 , R 3 , R 4 ) of the intersection with the data line 2 is cut by a laser beam or the like, and each of the intersections intersecting with these cut portions 3 ′, 3 ′ spare line outside (cut portion R 5 · R 6) 5
Is cut in the same manner. Then, two portions (connection portions G 1 and G 2 ) where the cut portions 3 ′ and 3 ′ of the Cs line 3 intersect with the data line 2 are electrically connected by a laser melt or the like.

【0063】これにより、データ電圧は、欠陥20のあ
る部分を通らず、Cs線3・3の一部3’・3’と予備
線5の一部5’を通って、次段の画素電極4に対応する
データ線2へと流れ、欠陥20を有する画素のみは駆動
されないが、それ以降のデータ線2につながる画素の駆
動が可能となる。
As a result, the data voltage does not pass through the portion having the defect 20 but passes through the portions 3 ′ and 3 ′ of the Cs lines 3 and 3 ′ and the portion 5 ′ of the spare line 5 and the next pixel electrode. 4 flows to the data line 2 corresponding to 4, and only the pixel having the defect 20 is not driven, but the subsequent pixels connected to the data line 2 can be driven.

【0064】 データ線2…に断線が無い場合は、予
備線5…にはデータ電圧は印加されていないので、各予
備線2と各画素電極4の間の寄生容量が表示品位に影響
を及ぼすことはない。また、あるデータ線2に断線が生
じた場合でも、予備線5…やCs線3…にデータ電圧が
印加されるのは、欠陥の生じたデータ線2の欠陥を迂回
して通る部分のみの、当該データ線2に沿って隣り合う
2画素或いは数画素であるので、この数画素分の予備線
5と画素電極4の寄生容量が近接するデータ線2のデー
タ電圧の遅延に与える影響は無視できる程度のものであ
り、表示品位を低下させるものではない。
When there is no disconnection in the data lines 2, no data voltage is applied to the spare lines 5. Therefore, the parasitic capacitance between each spare line 2 and each pixel electrode 4 affects the display quality. Never. Also, even if a certain data line 2 is disconnected, the data voltage is applied to the spare lines 5... And the Cs lines 3. Since two or several pixels are adjacent to each other along the data line 2, the effect of the parasitic capacitance of the spare line 5 and the pixel electrode 4 for the several pixels on the delay of the data voltage of the adjacent data line 2 is ignored. This is as much as possible and does not lower the display quality.

【0065】 Cs線3…を画素欠陥の修正に利用す
るようになっているので、迂回路を形成するための電極
線を別途に形成する必要がなく、製造時の工程数を削減
できる。また、この場合、Cs線3…の配線をその両側
から電圧が印加されるような配線パターンで配線するこ
とで、画素欠陥修正のためにその一部を切り離したとし
ても、不良となることはない。
Since the Cs lines 3 are used for correcting pixel defects, it is not necessary to separately form an electrode line for forming a detour, and the number of manufacturing steps can be reduced. Also, in this case, if the wiring of the Cs lines 3 is wired in a wiring pattern to which a voltage is applied from both sides thereof, even if a part of the wiring is cut off for repairing a pixel defect, a failure will not occur. Absent.

【0066】 予備線5…には、通常はCs線3…と
同じ電圧が印加されているので、各予備線5と各データ
号線2との間で持つ容量が表示品位に与える影響を小さ
くできる。しかも、別途、予備線5…に印加するためで
けに電圧を生成することもない。また、予備線5とCs
線3との間の静電容量の削減も可能である。
Normally, the same voltage as that of the Cs lines 3 is applied to the auxiliary lines 5..., So that the effect of the capacitance between each auxiliary line 5 and each data line 2 on the display quality can be reduced. . In addition, there is no need to separately generate a voltage to apply to the spare lines 5. In addition, the spare line 5 and Cs
It is also possible to reduce the capacitance with the line 3.

【0067】 予備線5…とCs線3…とが電気的に
接続されることで、予備線5…にCs線3…と同じ信号
電圧が印加されているので、予備線5…に別途端子を形
成しておき、該端子からCs線3…と同じ電圧を入力さ
せる構成と比べて、構成が容易である。
Since the same signal voltage as that of the Cs lines 3 is applied to the spare lines 5 by electrically connecting the spare lines 5 to the Cs lines 3, terminals are separately connected to the spare lines 5. , And the configuration is easier than the configuration in which the same voltage as the Cs lines 3 is input from the terminal.

【0068】 予備線5…とCs線3…とをコンタク
ト部5aにて交差部毎、即ち画素毎に接続しているの
で、全てのCs線3…に予備線5…を介して同じ電圧が
入力されるので、Cs線3…の配線パターンにかかわら
ず、画素欠陥修正のためにCs線3の一部を切り離した
としても、不良となることはない。
Since the spare lines 5 are connected to the Cs lines 3 at the intersections, that is, for each pixel, at the contact portions 5a, the same voltage is applied to all the Cs lines 3 via the spare lines 5. .., Regardless of the wiring pattern of the Cs lines 3, even if a part of the Cs line 3 is cut off for correcting a pixel defect, no defect occurs.

【0069】 予備線5…をITOのような透明導電
体で形成することにより、画素を透過する光が予備線5
により遮られないので、画素の開口率は低下せずにす
む。
By forming the auxiliary lines 5 using a transparent conductor such as ITO, light passing through the pixels can be reduced.
, The aperture ratio of the pixel does not decrease.

【0070】なお、本実施の形態および次に説明する実
施の形態2では、1画素毎に1つの割合で、データ線2
および予備線5の両方と交差し、これらデータ線2およ
び予備線5とは別層に形成された複数の電極線として、
Cs線3…を用いる構成を例示したが、例えばこれ以外
にも、上記複数の電極線としては、導電性物質からなる
ブラックマトリクスを用いることができる。また、補助
容量を、ゲート線とCs電極およびこれらの間に挟持さ
れるゲート絶縁膜により形成されるCs on Gate構造とし
た場合のゲート線を用いることもできる。このとき、補
助容量を形成するゲート線部分は、ゲート線の本体部分
より、切断し易い構成としておくことが必要である。
In the present embodiment and the second embodiment to be described next, one data line is used for each pixel.
And a plurality of electrode lines formed on a different layer from the data line 2 and the spare line 5,
Although the configuration using the Cs lines 3 has been illustrated, for example, a black matrix made of a conductive material can be used as the plurality of electrode lines. Further, a gate line in the case where the storage capacitor has a Cs on Gate structure formed by a gate line, a Cs electrode, and a gate insulating film sandwiched therebetween can also be used. At this time, it is necessary that the gate line portion forming the auxiliary capacitance is configured to be more easily cut than the main portion of the gate line.

【0071】また、同様に本実施の形態および次の実施
の形態2に係る配線基板では、TFT6が逆スタガー型
であるが、スイッチング素子としてスタガー型のTFT
またはMIM素子を用いる場合においても本発明の適用
が可能である。スタガー型のTFTを用いる場合、ゲー
トおよび半導体層の配置が逆スタガー型のTFTと異な
る構造となる。
Similarly, in the wiring board according to the present embodiment and the next embodiment 2, the TFT 6 is of an inverted stagger type, but the stagger type TFT is used as a switching element.
Alternatively, the present invention can be applied to a case where an MIM element is used. In the case of using a staggered TFT, the arrangement of the gate and the semiconductor layer is different from that of the inverted staggered TFT.

【0072】〔実施の形態2〕本発明の第2の実施の形
態について図8ないし図9に基づいて説明すれば、以下
の通りである。なお、説明の便宜上、本実施の形態にお
いて、第1の実施の形態にて示した構成要素と同等の機
能を有する構成要素については、同等の符号を付記して
その説明を省略する。
[Embodiment 2] The second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that, for convenience of description, in the present embodiment, components having the same functions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0073】本実施の形態に係る液晶表示装置は、図8
に示すような配線基板を備えており、この配線基板と第
1の実施の形態にて示した配線基板との違いは、第1の
実施の形態の配線基板では、予備線5…とCs線3…と
が交差部毎にコンタクト部5aにて接続されていたのに
対し、本実施の形態の配線基板では、予備線5…とCs
線3…とが、表示エリア外の図示しない端子部にてコン
タクトホールにて接続されている点である。なお、この
場合、コンタクトホールを使用せず、別途予備線5の端
子を形成して、該端子からCs線3…と同じ電圧を入力
するようにする構成でもよい。
The liquid crystal display device according to the present embodiment has the structure shown in FIG.
The difference between this wiring board and the wiring board shown in the first embodiment is that, in the wiring board of the first embodiment, the spare lines 5. 3 are connected by the contact portions 5a at the intersections, whereas in the wiring board of the present embodiment, the spare lines 5 are connected to Cs
Lines 3... Are connected by contact holes at terminal portions (not shown) outside the display area. In this case, a configuration may be adopted in which the terminal of the spare line 5 is separately formed without using a contact hole, and the same voltage as that of the Cs lines 3 is input from the terminal.

【0074】このような構成の配線基板からなる液晶パ
ネルを備えた本実施の形態のアクティブマトリクス型液
晶表示装置では、例えば、図9に示すような手順で、画
素欠陥修正が行える。
In the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment provided with the liquid crystal panel composed of the wiring substrate having such a configuration, pixel defects can be corrected by, for example, a procedure as shown in FIG.

【0075】即ち、欠陥20を挟むように位置する2本
のCs線3・3を、予備線5との交差部およびデータ線
2との交差部の各外側(切断部R1 ・R2 ・R3
4 )でレーザ光等により切断するとともに、これら切
断した部分3’・3’と交差する交差部の各外側(切断
部R5 ・R6 )で予備線5を同様の方法で切断する。そ
して、Cs線3における切断した部分3’・3’とデー
タ線2とが交差する2箇所(接続部G1 ・G2 )、並び
に、Cs線3における切断した部分3’・3’と予備線
5の切断した部分5’とが交差する2箇所(接続部G3
・G4 )をレーザメルト等により電気的に接続する。
That is, the two Cs lines 3.3 positioned so as to sandwich the defect 20 are connected to the outside of each of the intersection with the spare line 5 and the intersection with the data line 2 (cutting parts R 1 , R 2. R 3
R 4 ) is cut by a laser beam or the like, and the spare line 5 is cut in the same manner at each of the outsides (cut portions R 5 and R 6 ) of the intersections that intersect these cut portions 3 ′ and 3 ′. Then, two portions (connection portions G 1 and G 2 ) where the cut portions 3 ′ and 3 ′ of the Cs line 3 intersect with the data line 2, and the cut portions 3 ′ and 3 ′ of the Cs line 3 and the spare portion Two places where the cut portion 5 ′ of the line 5 intersects (the connection portion G 3
・ G 4 ) is electrically connected by laser melt or the like.

【0076】これにより、データ電圧は、欠陥20のあ
る部分を通らず、Cs線3・3の一部3’・3’と予備
線5の一部5’を通って、次段の画素電極4に対応する
データ線2へと流れ、欠陥20を有する画素のみが駆動
されないが、それ以降のデータ線2につながる画素の駆
動が可能となる。なお、その他の特徴は、第1の実施の
形態と同様であるので説明は省略する。
As a result, the data voltage does not pass through the portion having the defect 20 but passes through the portions 3 ′ and 3 ′ of the Cs lines 3 and 3 ′ and the portion 5 ′ of the spare line 5 and the pixel electrode of the next stage. 4 flows to the data line 2 corresponding to 4, and only the pixel having the defect 20 is not driven, but the subsequent pixels connected to the data line 2 can be driven. The other features are the same as those of the first embodiment, and the description is omitted.

【0077】[0077]

【発明の効果】以上のように、本発明の請求項1記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、上記の各信号
線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状態に
形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素あた
り1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方と交
差し、これら信号線および予備線とは別層に形成された
複数の電極線を有し、信号線に断線が生じたとき、断線
した信号線と隣り合う予備線を、断線箇所を挟むように
位置する2本の電極線との各交差部の配線方向両外側で
切断して一部切り離すとともに、断線箇所を挟むように
位置する上記2本の電極線を、上記信号線および上記予
備線との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り
離し、該電極線の切り離し部分と上記信号線とを電気的
に接続するとともに、上記予備線の切り離し部分と上記
電極線の切り離し部分とを電気的に接続することで、画
素の欠陥を修正できるようになっている構成である。
As described above, the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention is parallel to the above-mentioned signal lines in the plane direction, and is formed in a non-conductive state with the respective signal lines. And a plurality of electrode lines that intersect both the signal line and the spare line at a rate of one per pixel, and are formed on a different layer from the signal line and the spare line. Yes, and when a disconnection in the signal line occurs, disconnection
The spare line adjacent to the broken signal line so that the
At both intersections in the wiring direction at each intersection with the two electrode wires
Cut and partly cut, and sandwich the broken part
The two electrode lines located are connected to the signal line and the spare
Cut both sides of the wiring direction at each intersection with the reserve line
And electrically disconnect the separated portion of the electrode line from the signal line.
Connected to the spare line
By electrically connecting the separated part of the electrode wire,
Is a configuration that has become to be able to correct the defects of the unit.

【0078】また、本発明の請求項7記載の画素欠陥修
正方法は、基板上に設けられた複数の走査線と、該走査
線と直交するように形成された複数の信号線と、隣り合
う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞれ
配置される複数の画素電極と、各走査線に印加される走
査電圧によりオン・オフして各画素電極への各信号線を
介しての信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする複
数のスイッチング素子とを有し、上記複数の画素電極
が、絶縁膜を介して上記の複数の走査線および/又は複
数の信号線と重畳するように形成され、かつ、上記の各
信号線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状
態に形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素
あたり1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方
と交差し、これら信号線および予備線とは別層に形成さ
れた複数の電極線を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置に対し、信号線に断線が生じたとき、断線した
信号線と隣り合う予備線を、断線箇所を挟むように位置
する2本の電極線との各交差部の配線方向両外側で切断
して一部切り離すとともに、断線箇所を挟むように位置
する上記2本の電極線を、上記信号線および上記予備線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離
し、該電極線の切り離し部分と上記信号線とを電気的に
接続するとともに、上記予備線の切り離し部分と上記電
極線の切り離し部分とを電気的に接続するものである。
Further, according to the pixel defect correcting method of the present invention, a plurality of scanning lines provided on a substrate are provided.
A plurality of signal lines formed so as to be orthogonal to the
In the area surrounded by the scanning line and the adjacent signal line.
The plurality of pixel electrodes arranged and the scanning applied to each scanning line
Turn on / off by the scanning voltage and connect each signal line to each pixel electrode.
Through the switching of the application of the signal voltage via
A plurality of switching elements, and the plurality of pixel electrodes
Are provided with a plurality of scanning lines and / or multiple
Number of signal lines, and each of the above
Parallel to the signal line in the plane direction, non-conductive with each signal line
With a plurality of spare lines formed
One for each of the above signal lines and backup lines
Intersects with the signal line and the spare line.
Against the active matrix liquid crystal display device having a plurality of electrode lines which, when the disconnection occurs in a signal line, a spare line adjacent to the disconnection signal lines, two electrode lines positioned so as to sandwich the broken point The wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line is cut off at both outer sides in the wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line. A device that cuts both sides and partially separates, electrically connects the separated portion of the electrode line and the signal line, and electrically connects the separated portion of the spare line and the separated portion of the electrode line. It is.

【0079】これにより、信号線に断線不良が生じたと
きは、予備線と電極線とを介して断線箇所を迂回するよ
うにしてデータ線にデータ電圧を印加することができ
る。それゆえ、ある画素電極と次段の画素電極との間で
信号線が断線しても、その次段の画素電極への信号電圧
の印加を維持することができる。
Thus, when a disconnection failure occurs in the signal line, a data voltage can be applied to the data line so as to bypass the disconnection point via the spare line and the electrode line. Therefore, even if a signal line is disconnected between a certain pixel electrode and the next-stage pixel electrode, application of a signal voltage to the next-stage pixel electrode can be maintained.

【0080】しかも、信号線に断線が無い場合は、各予
備線には信号電圧が印加されていないので、予備線と画
素電極の間の寄生容量が表示品位に影響を及ぼすことは
ない。また、信号線に断線が生じた場合でも、予備線に
信号電圧が印加されるのは、信号線の断線箇所を迂回し
て通る部分のみの、信号線に沿って隣り合う2画素或い
は数画素であるので、この数画素分の予備線と画素電極
の寄生容量が信号線の信号電圧の遅延に与える影響は無
視できる程度のものである。
Further, when there is no disconnection in the signal line, no signal voltage is applied to each spare line, so that the parasitic capacitance between the spare line and the pixel electrode does not affect the display quality. Further, even when a break occurs in the signal line, the signal voltage is applied to the spare line only in a portion of the signal line that bypasses the break point of the signal line, that is, two pixels or several pixels adjacent to the signal line. Therefore, the influence of the parasitic capacitance of the spare line and the pixel electrode for several pixels on the delay of the signal voltage of the signal line is negligible.

【0081】この結果、小型化を阻止することも、表示
品位を低下させることもなく、信号線断線時の修正が可
能となる。したがって、本アクティブマトリクス型液晶
表示装置は、製品コストの低減を図るとともに、信頼性
を向上させることができるという効果を奏する。
As a result, the correction at the time of disconnection of the signal line becomes possible without preventing the miniaturization and without deteriorating the display quality. Therefore, the present active matrix type liquid crystal display device has an effect that the product cost can be reduced and the reliability can be improved.

【0082】本発明の請求項2記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1の構成において、上記
複数の電極線として、上記の基板上に走査線と同層かつ
平行に全画素に共通して設けられた複数の補助容量線が
兼用されている構成である。
According to a second aspect of the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device according to the first aspect, the plurality of electrode lines are common to all pixels in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate. This is a configuration in which a plurality of auxiliary capacitance lines provided are also used.

【0083】これにより、信号電圧を迂回させるための
複数の電極線を別途に形成する必要がなく、製造時の工
程数を削減できる。また、複数の補助容量線は全画素に
共通して設けられるものであるので、その配線パターン
を走査線に並走する全ての補助容量線でその両側から電
圧が印加されるようなパターンとすることで、補助容量
線の一部を画素欠陥修正のために切り離したとしても、
不良となることはない。したがって、本アクティブマト
リクス型液晶表示装置は、製品コストのさらなる削減が
可能となるという効果を奏する。
As a result, it is not necessary to separately form a plurality of electrode lines for bypassing the signal voltage, and the number of manufacturing steps can be reduced. Further, since the plurality of auxiliary capacitance lines are provided in common to all pixels, the wiring pattern is a pattern in which voltage is applied from both sides of all the auxiliary capacitance lines running in parallel with the scanning lines. Therefore, even if a part of the auxiliary capacitance line is separated for pixel defect correction,
It will not be defective. Therefore, the present active matrix liquid crystal display device has an effect that the product cost can be further reduced.

【0084】本発明の請求項3記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1又は2の構成におい
て、上記複数の予備線に、上記の基板上に走査線と同層
かつ平行に全画素に共通して設けられた複数の補助容量
線と同じ電圧が印加される構成である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an active matrix type liquid crystal display device according to the first or second aspect , wherein all of the plurality of pixels are provided on the plurality of spare lines in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate. In this configuration, the same voltage is applied to a plurality of auxiliary capacitance lines provided in common to the storage capacitors.

【0085】これにより、別途、複数の予備線に印加す
るためだけに電圧を生成することなく、予備線と信号線
との間で持つ容量が表示品位に与える影響を小さくでき
る。しかも、予備線に補助容量線と同じ電圧を印加する
ことで、予備線と補助容量線との間の静電容量を削減で
きるので、表示品位がさらに向上する。したがって、本
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、表示品位をさ
らに向上させることができるという効果を奏する。
As a result, it is possible to reduce the influence of the capacitance between the spare line and the signal line on the display quality without generating a voltage only for applying to a plurality of spare lines. In addition, by applying the same voltage to the auxiliary line as that of the auxiliary capacitance line, the capacitance between the auxiliary line and the auxiliary capacitance line can be reduced, so that the display quality is further improved. Therefore, the present active matrix liquid crystal display device has an effect that the display quality can be further improved.

【0086】本発明の請求項4記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項3の構成において、上記
複数の予備線と上記複数の補助容量線とが電気的に接続
されることで、上記複数の予備線に、上記複数の補助容
量線と同じ電圧が印加されるようになっている構成であ
る。
[0086] The active matrix type liquid crystal display device according to claim 4 of the present invention, in the configuration of claim 3, in Rukoto above and a plurality of spare lines and the plurality of auxiliary capacitance lines are electrically connected, the The multiple auxiliary lines are
In this configuration, the same voltage as that of the quantum line is applied .

【0087】これにより、最も簡単な手法で複数の予備
線に複数の補助容量線と同じ電圧を印加することが可能
となる。したがって、本アクティブマトリクス型液晶表
示装置は、製品コストのさらなる削減が可能となるとい
う効果を奏する。
Thus, it is possible to apply the same voltage to the plurality of auxiliary lines as to the plurality of auxiliary lines by the simplest method. Therefore, the present active matrix liquid crystal display device has an effect that the product cost can be further reduced.

【0088】本発明の請求項5記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1〜4のいずれかの構成
において、上記複数の予備線と上記複数の電極線
差部毎に電気的に接続されており、信号線に断線が生じ
たとき、断線した信号線と隣り合う予備線を、断線箇所
を挟むように位置する2本の電極線との各交差部の配線
方向両外側で切断して一部切り離すとともに、断線箇所
を挟むように位置する上記2本の電極線を、上記信号線
および上記予備線との各交差部の配線方向両外側で切断
して一部切り離し、該電極線の切り離し部分と上記信号
線とを電気的に接続するのみで、画素の欠陥を修正でき
るようになっている構成である。
[0088] The active matrix type liquid crystal display device according to claim 5 of the present invention, in the construction of claim 1-4, said plurality of spare lines and said plurality of electrode lines and the exchange <br/> difference Each part is electrically connected, and the signal line is disconnected.
The spare line adjacent to the disconnected signal line
Wiring at each intersection with two electrode lines located so as to sandwich
Cut off both sides in the direction and partially cut off
The two electrode wires positioned so as to sandwich
And cutting at both outsides in the wiring direction at each intersection with the above spare line
And partially disconnect the electrode wire and the signal
Pixel defects can be corrected simply by making electrical connections to the lines.
The configuration is such that

【0089】本発明の請求項8記載の画素欠陥修正方法
は、基板上に設けられた複数の走査線と、該走査線と直
交するように形成された複数の信号線と、隣り合う走査
線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞれ配置さ
れる複数の画素電極と、各走査線に印加される走査電圧
によりオン・オフして各画素電極への各信号線を介して
の信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする複数のス
イッチング素子とを有し、上記複数の画素電極が、絶縁
膜を介して上記の複数の走査線および/又は複数の信号
線と重畳するように形成され、かつ、上記の各信号線と
面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状態に形成
された複数の予備線を備えるとともに、1画素あたり1
つの割合で、上記の信号線および予備線の両方と交差
し、これら信号線および予備線とは別層に形成された複
数の電極線を有し、上記複数の予備線と上記複数の電極
線とが交差部毎に電気的に接続されているアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に対し、信号線に断線が生じた
とき、断線した信号線と隣り合う予備線を、断線箇所を
挟むように位置する2本の電極線との各交差部の配線方
向両外側で切断して一部切り離すとともに、断線箇所を
挟むように位置する上記2本の電極線を、上記信号線お
よび上記予備線との各交差部の配線方向両外側で切断し
て一部切り離し、該電極線の切り離し部分と上記信号線
とを電気的に接続するものである。
According to the pixel defect correcting method of the present invention, a plurality of scanning lines provided on a substrate,
A plurality of intersecting signal lines and adjacent scans
In the area surrounded by the signal line and the adjacent signal line.
Multiple pixel electrodes and the scanning voltage applied to each scanning line
ON / OFF by each signal line to each pixel electrode
Switches that switch the application of the
And a plurality of pixel electrodes having an insulating element.
The plurality of scan lines and / or the plurality of signals through the membrane
And each signal line is formed so as to overlap with the signal line.
Parallel to the plane direction, formed in a non-conductive state with each signal line
And a plurality of spare lines
Intersects both signal lines and backup lines at one rate
However, the signal line and the spare line are formed on a different layer
A plurality of electrode lines, the plurality of spare lines and the plurality of electrodes
Against the active matrix liquid crystal display device in which a line is electrically connected to each intersection, when a disconnection in the signal line occurs, the spare line adjacent to the disconnection signal line, position so as to sandwich the broken point The two electrode wires are cut at both outer sides in the wiring direction at the intersections with the two electrode wires to be partially cut off, and the two electrode wires positioned so as to sandwich the broken portion are connected to the signal line and the spare line. It is cut off at both outer sides in the wiring direction of each intersection, and partly separated, and the separated part of the electrode line is electrically connected to the signal line.

【0090】これにより、信号線に断線不良が生じたと
き、前記アクティブマトリクス型液晶表示装置における
欠陥修正よりも修正が容易である。また、複数の予備線
と複数の補助容量線とを交差部毎、即ち画素毎に電気的
に接続した構成では、予備線を介して全ての補助容量線
に同じ電圧が印加されるので、複数の補助容量線の配線
パターンにかかわらず、補助容量線の一部を画素欠陥修
正のために切り離したとしても、不良となることはな
い。
[0090] Thus, when a disconnection failure occurs in the signal line, corrected than defect repair in the active matrix type liquid crystal display device is easy. In a configuration in which a plurality of auxiliary lines and a plurality of auxiliary capacitance lines are electrically connected at each intersection, that is, for each pixel, the same voltage is applied to all auxiliary capacitance lines via the auxiliary lines. Irrespective of the wiring pattern of the auxiliary capacitance line, even if a part of the auxiliary capacitance line is cut off for correcting a pixel defect, no defect occurs.

【0091】したがって、本アクティブマトリクス型液
晶表示装置は、さらに容易に画素欠陥の修正が行えると
いう効果を奏する。
Therefore, the present active matrix liquid crystal display has an effect that the pixel defect can be more easily corrected.

【0092】本発明の請求項記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、請求項1〜5のいずれかの構成
において、上記複数の予備線が透明導電体により形成さ
れている構成である。
An active matrix type liquid crystal display device according to a sixth aspect of the present invention is the active matrix type liquid crystal display device according to any one of the first to fifth aspects , wherein the plurality of spare lines are formed of a transparent conductor.

【0093】これにより、画素を透過する光が予備線に
より遮断されることがないので、画素の開口率の低下を
阻止できる。したがって、本アクティブマトリクス型液
晶表示装置は、表示品位を向上させることができるとい
う効果を奏する。
Thus, the light passing through the pixel is not blocked by the backup line, so that a decrease in the aperture ratio of the pixel can be prevented. Therefore, the present active matrix liquid crystal display device has an effect that the display quality can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置用配線基板の構成を示す平面図
である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wiring substrate for an active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】(a)はドレイン電極形成時の図1の配線基板
における1画素領域の構成を拡大して示す平面図であ
り、(b)は(a)におけるA−A’線矢視断面図であ
る。
FIG. 2A is an enlarged plan view illustrating a configuration of one pixel region in the wiring substrate of FIG. 1 when a drain electrode is formed, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. FIG.

【図3】(a)は層間絶縁膜形成時の図1の配線基板に
おける1画素領域の構成を拡大して示す平面図であり、
(b)は(a)におけるA−A’線矢視断面図である。
FIG. 3A is an enlarged plan view showing a configuration of one pixel region in the wiring substrate of FIG. 1 when an interlayer insulating film is formed,
(B) is a sectional view taken along line AA 'in (a).

【図4】(a)は画素電極形成時の図1の配線基板にお
ける1画素領域の構成を拡大して示す平面図であり、
(b)は(a)におけるA−A’線矢視断面図である。
FIG. 4A is an enlarged plan view showing a configuration of one pixel region in the wiring substrate of FIG. 1 when a pixel electrode is formed,
(B) is a sectional view taken along line AA 'in (a).

【図5】図1の配線基板におけるTFTの部分の構成を
示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a TFT portion in the wiring substrate of FIG. 1;

【図6】図1の配線基板においてデータ線に欠落による
欠陥が生じた場合の修正を説明る平面図である。
FIG. 6 is a plan view illustrating correction when a defect occurs due to a missing data line in the wiring board of FIG. 1;

【図7】本発明の第1の実施の形態に係る配線基板であ
って予備線が設けられた他の構成を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing another configuration of the wiring board according to the first embodiment of the present invention, in which a spare line is provided.

【図8】本発明の第2の実施の形態に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置用配線基板の構成を示す平面図
である。
FIG. 8 is a plan view showing a configuration of a wiring substrate for an active matrix type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】図8の配線基板においてデータ線に欠落による
欠陥が生じた場合の修正を説明る平面図である。
FIG. 9 is a plan view for explaining correction when a defect occurs due to a missing data line in the wiring board of FIG. 8;

【図10】(a)はドレイン電極形成時の従来の配線基
板における1画素領域の構成を示す平面図であり、
(b)は(a)におけるB−B’線矢視断面図である。
FIG. 10A is a plan view showing a configuration of one pixel region in a conventional wiring substrate when a drain electrode is formed,
(B) is a sectional view taken along line BB 'in (a).

【図11】(a)は層間絶縁膜形成時の従来の配線基板
における1画素領域の構成を示す平面図であり、(b)
は(a)におけるB−B’線矢視断面図である。
FIG. 11A is a plan view illustrating a configuration of one pixel region in a conventional wiring substrate when an interlayer insulating film is formed, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB ′ in FIG.

【図12】(a)は画素電極形成時の従来の配線基板に
おける1画素領域の構成を示す平面図であり、(b)は
(a)におけるB−B’線矢視断面図である。
FIG. 12A is a plan view showing a configuration of one pixel region in a conventional wiring substrate when a pixel electrode is formed, and FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG.

【図13】表示エリアの周囲に予備線が形成された従来
のアクティブマトリクス型液晶表示装置用配線基板の構
成を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing a configuration of a conventional wiring substrate for an active matrix liquid crystal display device in which a spare line is formed around a display area.

【図14】ゲートが2重化された従来のアクティブマト
リクス型液晶表示装置用配線基板の構成を示す平面図で
ある。
FIG. 14 is a plan view showing a configuration of a conventional wiring substrate for an active matrix type liquid crystal display device in which gates are duplicated.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート線 2 データ線 3 補助容量線(電極
線) 4 画素電極 5 予備線 6 TFT(スイッチ
ング素子) 8 基板 9 ゲート絶縁膜(絶
縁膜) 12 層間絶縁膜(絶
縁膜) R1 ・R2 ・R3 ・R4 ・R5 ・R6 切断部 G1 ・G2 ・G3 ・G4 切断部
Reference Signs List 1 gate line 2 data line 3 auxiliary capacitance line (electrode line) 4 pixel electrode 5 spare line 6 TFT (switching element) 8 substrate 9 gate insulating film (insulating film) 12 interlayer insulating film (insulating film) R 1 · R 2 · R 3 · R 4 · R 5 · R 6 cut portion G 1 · G 2 · G 3 · G 4 cutting portion

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 尚幸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−326329(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1368 G02F 1/1343 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Naoyuki Shimada 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Inside Sharp Corporation (56) References JP-A-4-326329 (JP, A) (58) Investigated Field (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1368 G02F 1/1343

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】基板上に設けられた複数の走査線と、該走
査線と直交するように形成された複数の信号線と、隣り
合う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞ
れ配置される複数の画素電極と、各走査線に印加される
走査電圧によりオン・オフして各画素電極への各信号線
を介しての信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする
複数のスイッチング素子とを有し、上記複数の画素電極
が、絶縁膜を介して上記の複数の走査線および/又は複
数の信号線と重畳するように形成され、かつ、上記の各
信号線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状
態に形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素
あたり1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方
と交差し、これら信号線および予備線とは別層に形成さ
れた複数の電極線を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、 信号線に断線が生じたとき、断線した信号線と隣り合う
予備線を、断線箇所を挟むように位置する2本の電極線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離す
とともに、断線箇所を挟むように位置する上記2本の電
極線を、上記信号線および上記予備線との各交差部の配
線方向両外側で切断して一部切り離し、該電極線の切り
離し部分と上記信号線とを電気的に接続するとともに、
上記予備線の切り離し部分と上記電極線の切り離し部分
とを電気的に接続することで、画素の欠陥を修正できる
ようになっている ことを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
An area surrounded by a plurality of scanning lines provided on a substrate, a plurality of signal lines formed to be orthogonal to the scanning lines, and an adjacent scanning line and an adjacent signal line. A plurality of pixel electrodes respectively arranged, and a plurality of switching elements which are turned on / off by a scanning voltage applied to each scanning line and switch application of a signal voltage to each pixel electrode via each signal line. And the plurality of pixel electrodes are formed so as to overlap with the plurality of scanning lines and / or the plurality of signal lines via an insulating film , and are parallel to the signal lines in a plane direction. None, each of the signal lines includes a plurality of spare lines formed in a non-conducting state, and intersects with both of the signal lines and the spare lines at a rate of one per pixel. Multiple electrode wires formed on different layers An active matrix type liquid crystal display device having, when the disconnection occurs in the signal line, adjacent to the disconnection signal line
Two electrode wires that are positioned so that the spare wire sandwiches the broken part
And cut off both outsides in the wiring direction at each intersection with
At the same time, the two
Polar lines at each intersection with the signal line and the spare line
Cut at both outer sides in the line direction to partially separate and cut the electrode wire
While electrically connecting the separated portion and the signal line,
Separation part of the spare line and separation part of the electrode wire
By electrically connecting to, the defect of the pixel can be corrected
Active matrix liquid crystal display device characterized in that it is so.
【請求項2】上記複数の電極線として、上記の基板上に
走査線と同層かつ平行に全画素に共通して設けられた複
数の補助容量線が兼用されていることを特徴とする請求
1に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. A plurality of auxiliary capacitance lines provided in common with all pixels in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate as the plurality of electrode lines. Item 2. An active matrix liquid crystal display device according to item 1 .
【請求項3】上記複数の予備線には、通常、上記の基板
上に走査線と同層かつ平行に全画素に共通して設けられ
た複数の補助容量線と同じ電圧が印加されていることを
特徴とする請求項1又は2に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
3. The same voltage as that of a plurality of auxiliary capacitance lines provided in common with all pixels in the same layer and in parallel with the scanning lines on the substrate is usually applied to the plurality of auxiliary lines. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項4】上記複数の予備線と上記複数の補助容量線
とが電気的に接続されることで、上記複数の予備線に、
上記複数の補助容量線と同じ電圧が印加されるようにな
ていることを特徴とする請求項3記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。
Wherein at Rukoto said plurality of spare lines and the plurality of auxiliary capacitance lines are electrically connected to the plurality of spare lines,
The same voltage is applied to the plurality of auxiliary capacitance lines.
It has Tsu active matrix liquid crystal display device according to claim 3, characterized in.
【請求項5】上記複数の予備線と上記複数の電極線
交差部毎に電気的に接続されており、 信号線に断線が生じたとき、断線した信号線と隣り合う
予備線を、断線箇所を挟むように位置する2本の電極線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離す
とともに、断線箇所を挟むように位置する上記2本の電
極線を、上記信号線および上記予備線との各交差部の配
線方向両外側で切断して一部切り離し、該電極線の切り
離し部分と上記信号線とを電気的に接続するのみで、画
素の欠陥を修正できるようになっていることを特徴とす
請求項1〜4のいずれかに記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
5. The plurality of spare lines and the plurality of electrode lines are electrically connected to each other at each intersection, and when a signal line is disconnected , it is adjacent to the disconnected signal line.
Two electrode wires that are positioned so that the spare wire sandwiches the broken part
And cut off both outsides in the wiring direction at each intersection with
At the same time, the two
Polar lines at each intersection with the signal line and the spare line
Cut at both outer sides in the line direction to partially separate and cut the electrode wire
Only by electrically connecting the separated part to the signal line,
Characterized by the ability to correct elementary defects
Active matrix liquid crystal display device according to claim 1 that.
【請求項6】上記複数の予備線が透明導電体により形成
されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
6. The active matrix type liquid crystal display device of <br/> according to any one of claims 1-5, characterized in that said plurality of spare lines is formed of a transparent conductive material.
【請求項7】基板上に設けられた複数の走査線と、該走
査線と直交するように形成された複数の信号線と、隣り
合う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞ
れ配置される複数の画素電極と、各走査線に印加される
走査電圧によりオン・オフして各画素電極への各信号線
を介しての信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする
複数のスイッチング素子とを有し、上記複数の画素電極
が、絶縁膜を介して上記の複数の走査線および/又は複
数の信号線と重畳するように形成され、かつ、上記の各
信号線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状
態に形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素
あたり1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方
と交差し、これら信号線および予備線とは別層に形成さ
れた複数の電極線を有するアクティブマトリクス型液晶
表示装置に対し、 信号線に断線が生じたとき、断線した信号線と隣り合う
予備線を、断線箇所を挟むように位置する2本の電極線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離す
とともに、断線箇所を挟むように位置する上記2本の電
極線を、上記信号線および上記予備線との各交差部の配
線方向両外側で切断して一部切り離し、該電極線の切り
離し部分と上記信号線とを電気的に接続するとともに、
上記予備線の切り離し部分と上記電極線の切り離し部分
とを電気的に接続することを特徴とする画素欠陥修正方
法。
7. A plurality of scanning lines provided on a substrate;
A plurality of signal lines formed so as to be orthogonal to the
In the area surrounded by matching scanning lines and adjacent signal lines
A plurality of pixel electrodes arranged and applied to each scanning line
Each signal line to each pixel electrode by turning on / off by the scanning voltage
Switching the application of the signal voltage via
A plurality of switching elements, and the plurality of pixel electrodes
Are provided with a plurality of scanning lines and / or multiple
Number of signal lines, and each of the above
Parallel to the signal line in the plane direction, non-conductive with each signal line
With a plurality of spare lines formed
One for each of the above signal lines and backup lines
Intersects with the signal line and the spare line.
Against the active matrix liquid crystal display device having a plurality of electrode lines which, when the disconnection occurs in a signal line, a spare line adjacent to the disconnection signal lines, two electrode lines positioned so as to sandwich the broken point The wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line is cut off at both outer sides in the wiring direction at each intersection with the signal line and the spare line. Cutting both sides to partially separate and electrically connect the separated portion of the electrode line and the signal line,
A pixel defect correcting method, wherein a disconnection portion of the spare line and a disconnection portion of the electrode line are electrically connected.
【請求項8】基板上に設けられた複数の走査線と、該走
査線と直交するように形成された複数の信号線と、隣り
合う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域にそれぞ
れ配置される複数の画素電極と、各走査線に印加される
走査電圧によりオン・オフして各画素電極への各信号線
を介しての信号電圧の印加をそれぞれスイッチングする
複数のスイッチング素子とを有し、上記複数の画素電極
が、絶縁膜を介して上記の複数の走査線および/又は複
数の信号線と重畳するように形成され、かつ、上記の各
信号線と面方向に平行をなし、該各信号線とは非導通状
態に形成された複数の予備線を備えるとともに、1画素
あたり1つの割合で、上記の信号線および予備線の両方
と交差し、これら信号線および予備線とは別層に形成さ
れた複数の電極線を有し、上記複数の予備線と上記複数
の電極線とが交差部毎に電気的に接続されているアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に対し、 信号線に断線が生じたとき、断線した信号線と隣り合う
予備線を、断線箇所を挟むように位置する2本の電極線
との各交差部の配線方向両外側で切断して一部切り離す
とともに、断線箇所を挟むように位置する上記2本の電
極線を、上記信号線および上記予備線との各交差部の配
線方向両外側で切断して一部切り離し、該電極線の切り
離し部分と上記信号線とを電気的に接続することを特徴
とする画素欠陥修正方法。
8. A plurality of scanning lines provided on a substrate;
A plurality of signal lines formed so as to be orthogonal to the
In the area surrounded by matching scanning lines and adjacent signal lines
A plurality of pixel electrodes arranged and applied to each scanning line
Each signal line to each pixel electrode by turning on / off by the scanning voltage
Switching the application of the signal voltage via
A plurality of switching elements, and the plurality of pixel electrodes
Are provided with a plurality of scanning lines and / or multiple
Number of signal lines, and each of the above
Parallel to the signal line in the plane direction, non-conductive with each signal line
With a plurality of spare lines formed
One for each of the above signal lines and backup lines
Intersects with the signal line and spare line.
A plurality of electrode lines, the plurality of spare lines and the plurality of
And the electrode wire against the Akti <br/> Ibumatorikusu type liquid crystal display device which is electrically connected at a cross section of, when a disconnection occurs in a signal line, a spare line adjacent to the disconnection signal lines, broken The two electrode lines, which intersect with the two electrode lines positioned so as to sandwich the portion, are cut off at both outer sides in the wiring direction at the intersections, and partially cut off. And a method for repairing a pixel defect, comprising cutting off both outer sides in the wiring direction of each intersection with the spare line and partially cutting off, and electrically connecting the separated portion of the electrode line to the signal line.
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