JP3006687B2 - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JP3006687B2 JP3006687B2 JP1250042A JP25004289A JP3006687B2 JP 3006687 B2 JP3006687 B2 JP 3006687B2 JP 1250042 A JP1250042 A JP 1250042A JP 25004289 A JP25004289 A JP 25004289A JP 3006687 B2 JP3006687 B2 JP 3006687B2
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- plane
- optical
- light
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Description
本発明は、光源から発した光が光学系の端面で反射し
光源に戻るのを防止するための光アイソレータに関する
ものである。
光源に戻るのを防止するための光アイソレータに関する
ものである。
光源からの光を光学系を介して伝達しようとすると、
光学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば
光ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した
光はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多く
は伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズや
ファイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻っ
てその端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが
使用されている。光アイソレータは、第１図に示すよう
に、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子１をこ
の順に並べたものである。偏光子１は矢印ｙ方向に偏光
方向を持っている。ファラデー回転子３は磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれており、透過する光の偏光面を入射側から視て
時計方向（図示の出射側から視ると反時計方向）に45゜
回転させる。検光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上
記の45゜回転した矢印ｙ→ｚ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Oy方向に偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
45゜回転して検光子２の偏光方向ｙ→ｚに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Oy→
ｚ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（不
図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面反
射する。その反射光Ｒ（偏光面Ry→ｚ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に45゜回転する。そのため反射光は、偏光面Rz
が偏光子１と直交するので透過することがない。したが
って反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がそ
の偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、す
なわち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、
偏光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が
少ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求
されている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面
を、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデー回
転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回転
子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした光
アイソレータが開示されている。
光学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば
光ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した
光はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多く
は伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズや
ファイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻っ
てその端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが
使用されている。光アイソレータは、第１図に示すよう
に、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子１をこ
の順に並べたものである。偏光子１は矢印ｙ方向に偏光
方向を持っている。ファラデー回転子３は磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれており、透過する光の偏光面を入射側から視て
時計方向（図示の出射側から視ると反時計方向）に45゜
回転させる。検光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上
記の45゜回転した矢印ｙ→ｚ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Oy方向に偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
45゜回転して検光子２の偏光方向ｙ→ｚに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Oy→
ｚ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（不
図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面反
射する。その反射光Ｒ（偏光面Ry→ｚ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に45゜回転する。そのため反射光は、偏光面Rz
が偏光子１と直交するので透過することがない。したが
って反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がそ
の偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、す
なわち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、
偏光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が
少ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求
されている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面
を、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデー回
転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回転
子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした光
アイソレータが開示されている。
しかし同公報に開示された構成の光アイソレータで
は、消光性能および挿入損失ともに不充分である。 表面反射成分を光路外に除去するために偏光子等の各
光学素子を傾けることは有効であるが、従来のように単
に傾けるだけでは、別な要素により消光性能が低下した
り挿入損失が増加したりするという問題があった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿
入損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
は、消光性能および挿入損失ともに不充分である。 表面反射成分を光路外に除去するために偏光子等の各
光学素子を傾けることは有効であるが、従来のように単
に傾けるだけでは、別な要素により消光性能が低下した
り挿入損失が増加したりするという問題があった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿
入損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
前記課題を解決するための本発明を適用した光アイソ
レータを、第１図により説明する。 同図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー
回転子３、および検光子２を順に並べたもので、光源と
光学系（不図示）の中間に配置されている。偏光子１の
持つ偏光方向ｙと光源から光学系に至る光軸ｃとにより
形成される面を基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたと
き、偏光子１およびファラデー回転子３を基準面ｃ−ｙ
が保たれる方向に角度θｙ＝１〜７゜傾斜させる。光軸
ｃと偏光方向ｙに直交する方向ｚとにより形成される面
を基準直交面ｃ−ｚ（第２図参照）として、基準直交面
ｃ−ｚが保たれる方向への偏光子１およびファラデー回
転子３の傾斜θｚが１゜以下である。 上記構成では、光アイソレータ中の偏光子１およびフ
ァラデー回転子を傾斜させたが、別な構成として偏光
子、ファラデー回転子および検光子からなる光アイソレ
ータ全体を上記と同様に傾斜させてもよい。
レータを、第１図により説明する。 同図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー
回転子３、および検光子２を順に並べたもので、光源と
光学系（不図示）の中間に配置されている。偏光子１の
持つ偏光方向ｙと光源から光学系に至る光軸ｃとにより
形成される面を基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたと
き、偏光子１およびファラデー回転子３を基準面ｃ−ｙ
が保たれる方向に角度θｙ＝１〜７゜傾斜させる。光軸
ｃと偏光方向ｙに直交する方向ｚとにより形成される面
を基準直交面ｃ−ｚ（第２図参照）として、基準直交面
ｃ−ｚが保たれる方向への偏光子１およびファラデー回
転子３の傾斜θｚが１゜以下である。 上記構成では、光アイソレータ中の偏光子１およびフ
ァラデー回転子を傾斜させたが、別な構成として偏光
子、ファラデー回転子および検光子からなる光アイソレ
ータ全体を上記と同様に傾斜させてもよい。
上記のように光アイソレータの素子を傾斜させたこと
により、各光学素子表面で起こる表面反射成分は光軸か
ら外れ、光源に戻ることがなくなるから、光源のノイズ
を減らすことができる。傾斜角度を上記の角度範囲内に
したことにより、光アイソレータとしての消光性能が充
分に高く、挿入損失が充分に低いまま表面反射成分が光
源に戻ることを防止できる。
により、各光学素子表面で起こる表面反射成分は光軸か
ら外れ、光源に戻ることがなくなるから、光源のノイズ
を減らすことができる。傾斜角度を上記の角度範囲内に
したことにより、光アイソレータとしての消光性能が充
分に高く、挿入損失が充分に低いまま表面反射成分が光
源に戻ることを防止できる。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第１図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光
子１、磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、お
よび検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザ
ーと光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１と検光子２は同質の構成であるが、配置位置
により機能が異なっているものである。偏光子１（また
は検光子２）はガラスの三角プリズム1aに誘電体積層膜
1bを積層してあり、さらにその上から三角プリズム1cを
接合してある。三角プリズム1aの低面角度は、自己の屈
折率と誘電体積層膜1bの屈折率との間にブリュスター角
度を満たす関係になっている。偏光子１と検光子２の光
入射面および光出射面には夫々反射防止の薄膜コーティ
ングが施されている。また上下面および両側面は迷光を
吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、GGG（ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）単結晶の一部をGa、Mg、Zrで置換した
厚さ500μｍの基板に、ガーネット（BiGdTb）３（FeG
a）5O12単結晶を液相エキピタルシャルで400μｍの厚さ
に着けてから380μｍの厚さまでに研磨したものであ
る。光入射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下
面および両側面には黒塗りが施されている。 偏光子１とファラデー回転子３は、偏光子１の持つ偏
光方向ｙと光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｙ
（第２図参照）としたとき、偏光子１およびファラデー
回転子３を基準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝１
〜７゜傾斜させる。また光軸ｃと偏光方向ｙに直交する
方向ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｚ（第２
図参照）として、基準直交面ｃ−ｚが保たれる方向への
偏光子１およびファラデー回転子３の傾斜角度θｚは１
゜以下が好ましい。 角度θｙは１〜７゜で、角度θｚは１゜以下が好まし
いという根拠は、上記によって得られた偏光子１（また
は検光子２、ともに偏光ビームスプリッタPBS）につき
挿入損失の入射角依存性および消光性能の入射角依存性
を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第３
図に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光
子１の持つ偏光方向Ｙと光軸ｃとにより形成される面を
基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき、偏光子１を基
準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙだけ傾斜させてゆ
く。また入射角度θｚにするには、光軸ｃと偏光方向ｙ
に直交する方向ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ
−ｚとしたとき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｚが保たれ
る方向に角度θｚだけ傾斜させてゆく。前記したように
偏光子１はプリズム1aに誘電体積層膜1bを積層してあ
り、さらにその上からプリズム1cを接合してあるが、誘
電体積層膜1bを積層したプリズム1aの側から光を入射さ
せた場合（光路O1）と、プリズム1cの側から光を入射さ
せた場合（光路O2）の両方について、挿入損失および消
光性能の変化を調べた。 第４図には偏光子である偏光ビームスプリッタPBSに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する挿入損失、す
なわち偏光面が基準面と一致する偏光を入射させた場合
の透過光の減衰の変化を示してある。同図に示すように
入射角度θｙが７゜以内で変化しても挿入損失の変化が
あまりない。プリズム1aの側から光を入射させた光路O1
を採るほうが、逆方向から入射する光路O2を採るより挿
入損失が0.02〜0.03dB程度低いことが分かった。入射角
の変化による挿入損失の変化は、入射角θｚが変化した
ときのほうが、入射角θｙが変化したときより入射角依
存性が強い。挿入損失の値から、偏光子の傾き角度θｚ
の許容範囲は±３゜程度までである。また入射角θｚが
変化したときにおいても、光路O1を採るほうが、光路O2
を採るより挿入損失が0.02〜0.03dB程度低いことがわか
った。 第５図には偏光子である偏光ビームスプリッタPBSに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する消光性能、す
なわち偏光面が基準直交面と一致する偏光を入射させた
場合の透過光の減衰の変化を示してある。同図に示すよ
うに入射角θｙが変化しても消光性能の変化があまりな
い。一方、入射角θｚが変化した場合の消光性能の変化
は大きく、消光比40dB以上が得られる角度θｚの許容範
囲は±１゜程度の狭い範囲である。また光路O1を採るほ
うが、光路O2を採るより、若干消光比が低い値である。 第４図に示した挿入損失と第５図に示した消光比性能
から、偏光ビームスプリッタPBSを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規則されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θｚ方向への傾けは避けることが好ましく１゜以下程度
である。角度θｙ方向への傾けは、角度θｚ方向への傾
けより許容され、１〜７゜傾けても挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 また、第４図と第５図に示した結果から、誘電体積層
膜1bを積層したプリズム1aの側から光を入射させ（光路
O1を採る）、反射光が逆方向から入射する（光路O2を採
る）ようにすることが好ましいことがわかる。 前記第１図に示した光アイソレータで、偏光子１、フ
ァラデー回転子３、および検光子２を全く傾けないで構
成した光アイソレータ（従来の構成）では、消光性能が
30dB以下である。偏光子１、ファラデー回転子３および
検光子２には反射防止が施してあるが、0.1％の表面反
射があるため、その反射光が戻って消光性能があまり良
くない。挿入損失は0.3dB以下であった。 これに対し、前記第１図に示した光アイソレータで、
偏光子１およびファラデー回転子３を角度θｙ＝７゜傾
け、角度θｚは傾けずに構成し、消光性能を調べたとこ
ろ40dB以上であった。また偏光子１、ファラデー回転子
３および検光子２の表面反射により光源へ戻る反射光は
検出されなかった。挿入損失は0.3dB以下で変わらなか
った。同じく第１図に示した光アイソレータで、偏光子
１、ファラデー回転子３および検光子２、すなわち光ア
イソレータ全体を角度θｙ＝７゜傾けて構成し、消光性
能を調べたところやはり40dB以上であった。また偏光子
１、ファラデー回転子３および検光子２の表面反射によ
り光源へ戻る反射光も検出されなかった。挿入損失は0.
3dB以下であった。 さらに比較のため、前記第１図に示した光アイソレー
タで、偏光子１およびファラデー回転子３を角度θｙは
傾けないで、角度θｚ＝３゜傾けて構成し、消光性能を
調べたところ30dB以下に劣化した。偏光子１、ファラデ
ー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻る
反射光は検出されなかった。同じく第１図に示した光ア
イソレータで、偏光子１、ファラデー回転子３および検
光子２、すなわち光アイソレータ全体を角度θｙは傾け
ないで、角度θｚ＝３゜傾けて構成し、消光性能を調べ
たところやはり30dB以下に劣化した。偏光子１、ファラ
デー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻
る反射光も検出されなかった。挿入損失は、偏光子１等
を全く傾けないで構成した光アイソレータ（従来の構
成）に比べ0.2dB以上大きくなった。
子１、磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、お
よび検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザ
ーと光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１と検光子２は同質の構成であるが、配置位置
により機能が異なっているものである。偏光子１（また
は検光子２）はガラスの三角プリズム1aに誘電体積層膜
1bを積層してあり、さらにその上から三角プリズム1cを
接合してある。三角プリズム1aの低面角度は、自己の屈
折率と誘電体積層膜1bの屈折率との間にブリュスター角
度を満たす関係になっている。偏光子１と検光子２の光
入射面および光出射面には夫々反射防止の薄膜コーティ
ングが施されている。また上下面および両側面は迷光を
吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、GGG（ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）単結晶の一部をGa、Mg、Zrで置換した
厚さ500μｍの基板に、ガーネット（BiGdTb）３（FeG
a）5O12単結晶を液相エキピタルシャルで400μｍの厚さ
に着けてから380μｍの厚さまでに研磨したものであ
る。光入射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下
面および両側面には黒塗りが施されている。 偏光子１とファラデー回転子３は、偏光子１の持つ偏
光方向ｙと光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｙ
（第２図参照）としたとき、偏光子１およびファラデー
回転子３を基準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝１
〜７゜傾斜させる。また光軸ｃと偏光方向ｙに直交する
方向ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｚ（第２
図参照）として、基準直交面ｃ−ｚが保たれる方向への
偏光子１およびファラデー回転子３の傾斜角度θｚは１
゜以下が好ましい。 角度θｙは１〜７゜で、角度θｚは１゜以下が好まし
いという根拠は、上記によって得られた偏光子１（また
は検光子２、ともに偏光ビームスプリッタPBS）につき
挿入損失の入射角依存性および消光性能の入射角依存性
を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第３
図に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光
子１の持つ偏光方向Ｙと光軸ｃとにより形成される面を
基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき、偏光子１を基
準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙだけ傾斜させてゆ
く。また入射角度θｚにするには、光軸ｃと偏光方向ｙ
に直交する方向ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ
−ｚとしたとき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｚが保たれ
る方向に角度θｚだけ傾斜させてゆく。前記したように
偏光子１はプリズム1aに誘電体積層膜1bを積層してあ
り、さらにその上からプリズム1cを接合してあるが、誘
電体積層膜1bを積層したプリズム1aの側から光を入射さ
せた場合（光路O1）と、プリズム1cの側から光を入射さ
せた場合（光路O2）の両方について、挿入損失および消
光性能の変化を調べた。 第４図には偏光子である偏光ビームスプリッタPBSに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する挿入損失、す
なわち偏光面が基準面と一致する偏光を入射させた場合
の透過光の減衰の変化を示してある。同図に示すように
入射角度θｙが７゜以内で変化しても挿入損失の変化が
あまりない。プリズム1aの側から光を入射させた光路O1
を採るほうが、逆方向から入射する光路O2を採るより挿
入損失が0.02〜0.03dB程度低いことが分かった。入射角
の変化による挿入損失の変化は、入射角θｚが変化した
ときのほうが、入射角θｙが変化したときより入射角依
存性が強い。挿入損失の値から、偏光子の傾き角度θｚ
の許容範囲は±３゜程度までである。また入射角θｚが
変化したときにおいても、光路O1を採るほうが、光路O2
を採るより挿入損失が0.02〜0.03dB程度低いことがわか
った。 第５図には偏光子である偏光ビームスプリッタPBSに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する消光性能、す
なわち偏光面が基準直交面と一致する偏光を入射させた
場合の透過光の減衰の変化を示してある。同図に示すよ
うに入射角θｙが変化しても消光性能の変化があまりな
い。一方、入射角θｚが変化した場合の消光性能の変化
は大きく、消光比40dB以上が得られる角度θｚの許容範
囲は±１゜程度の狭い範囲である。また光路O1を採るほ
うが、光路O2を採るより、若干消光比が低い値である。 第４図に示した挿入損失と第５図に示した消光比性能
から、偏光ビームスプリッタPBSを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規則されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θｚ方向への傾けは避けることが好ましく１゜以下程度
である。角度θｙ方向への傾けは、角度θｚ方向への傾
けより許容され、１〜７゜傾けても挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 また、第４図と第５図に示した結果から、誘電体積層
膜1bを積層したプリズム1aの側から光を入射させ（光路
O1を採る）、反射光が逆方向から入射する（光路O2を採
る）ようにすることが好ましいことがわかる。 前記第１図に示した光アイソレータで、偏光子１、フ
ァラデー回転子３、および検光子２を全く傾けないで構
成した光アイソレータ（従来の構成）では、消光性能が
30dB以下である。偏光子１、ファラデー回転子３および
検光子２には反射防止が施してあるが、0.1％の表面反
射があるため、その反射光が戻って消光性能があまり良
くない。挿入損失は0.3dB以下であった。 これに対し、前記第１図に示した光アイソレータで、
偏光子１およびファラデー回転子３を角度θｙ＝７゜傾
け、角度θｚは傾けずに構成し、消光性能を調べたとこ
ろ40dB以上であった。また偏光子１、ファラデー回転子
３および検光子２の表面反射により光源へ戻る反射光は
検出されなかった。挿入損失は0.3dB以下で変わらなか
った。同じく第１図に示した光アイソレータで、偏光子
１、ファラデー回転子３および検光子２、すなわち光ア
イソレータ全体を角度θｙ＝７゜傾けて構成し、消光性
能を調べたところやはり40dB以上であった。また偏光子
１、ファラデー回転子３および検光子２の表面反射によ
り光源へ戻る反射光も検出されなかった。挿入損失は0.
3dB以下であった。 さらに比較のため、前記第１図に示した光アイソレー
タで、偏光子１およびファラデー回転子３を角度θｙは
傾けないで、角度θｚ＝３゜傾けて構成し、消光性能を
調べたところ30dB以下に劣化した。偏光子１、ファラデ
ー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻る
反射光は検出されなかった。同じく第１図に示した光ア
イソレータで、偏光子１、ファラデー回転子３および検
光子２、すなわち光アイソレータ全体を角度θｙは傾け
ないで、角度θｚ＝３゜傾けて構成し、消光性能を調べ
たところやはり30dB以下に劣化した。偏光子１、ファラ
デー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻
る反射光も検出されなかった。挿入損失は、偏光子１等
を全く傾けないで構成した光アイソレータ（従来の構
成）に比べ0.2dB以上大きくなった。
以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータ
は、光学素子を傾斜させたことにより、表面反射成分が
光源に戻ることがなくなるから、消光性能を高く保ち光
源のノイズを減らすことができる。傾斜方向を特定し、
その角度を制限したことにより、挿入損失が充分に低い
まま消光性能を高く保つことができる。
は、光学素子を傾斜させたことにより、表面反射成分が
光源に戻ることがなくなるから、消光性能を高く保ち光
源のノイズを減らすことができる。傾斜方向を特定し、
その角度を制限したことにより、挿入損失が充分に低い
まま消光性能を高く保つことができる。
第１図は光アイソレータの実施例を示す斜視図、第２図
は光アイソレータの傾きを説明する図、第３図は偏光子
を示す斜視図、第４図は光アイソレータの挿入損失を示
す図、第５図は光アイソレータの消光比性能を示す図で
ある。 １……偏光子、２……検光子 ３……ファラデー回転子 1a、1c……三角プリズム 1b……誘電体積層膜
は光アイソレータの傾きを説明する図、第３図は偏光子
を示す斜視図、第４図は光アイソレータの挿入損失を示
す図、第５図は光アイソレータの消光比性能を示す図で
ある。 １……偏光子、２……検光子 ３……ファラデー回転子 1a、1c……三角プリズム 1b……誘電体積層膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−131519（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−139213（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 27/28
Claims (3)
- 【請求項１】光源と光学系の中間に配置され、偏光子
（１）、光の進行方向の磁界中に置かれたファラデー回
転子（３）、および検光子（２）からなる光アイソレー
タにおいて、偏光子（１）の持つ偏光方向（ｙ）と光源
から光学系に至る光軸（ｃ）とにより形成される面を基
準面（ｃ−ｙ）とし、該光軸（ｃ）と該偏光方向（ｙ）
に直交する面とにより形成される面を基準直交面（ｃ−
ｚ）として、偏光子（１）およびファラデー回転子
（３）を前記基準面（ｃ−ｙ）が保たれる方向（θｙ）
に１〜７゜傾斜させ、前記基準直交面（ｃ−ｚ）が保た
れる方向（θｚ）への該偏光子（１）および該ファラデ
ー回転子（３）の傾斜が１゜以下であることを特徴とす
る光アイソレータ。 - 【請求項２】光源と光学系の中間に配置され、偏光子
（１）、光の進行方向の磁界中に置かれたファラデー回
転子（３）、および検光子（２）からなる光アイソレー
タにおいて、偏光子（１）の持つ偏光方向（ｙ）と光源
から光学系に至る光軸（ｃ）とにより形成される面を基
準面（ｃ−ｙ）とし、該光軸（ｃ）と該偏光方向（ｙ）
に直交する面とにより形成される面を基準直交面（ｃ−
ｚ）として、光アイソレータを前記基準面（ｃ−ｙ）が
保たれる方向（θｙ）に１〜７゜傾斜させ、前記基準直
交面（ｃ−ｚ）が保たれる方向（θｚ）への光アイソレ
ータの傾斜が１゜以下であることを特徴とする光アイソ
レータ。 - 【請求項３】前記偏光子（１）および検光子（２）がプ
リズムに誘電体積層膜を積層した構造を有する偏光ビー
ムスプリッタであり、該プリズム側から前記光源の光が
入射することを特徴とする請求項第１項または第２項に
記載の光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250042A JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250042A JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111807A JPH03111807A (ja) | 1991-05-13 |
| JP3006687B2 true JP3006687B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17201958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250042A Expired - Lifetime JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006687B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016171156A (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-23 | ソニー株式会社 | 光増幅装置、及び光源装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2632150B2 (ja) * | 1986-07-29 | 1997-07-23 | 旭光学工業株式会社 | 磁気ヘツド調整装置 |
| JPH01131519A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1250042A patent/JP3006687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03111807A (ja) | 1991-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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