JP2915644B2 - Manufacturing method of printed wiring board - Google Patents
Manufacturing method of printed wiring boardInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板の製造
方法に関し、特に信頼性の高い導体回路を形成するのに
有利なアディティブ法によるプリント配線板の製造方法
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board, and more particularly to a method for manufacturing a printed wiring board by an additive method which is advantageous for forming a highly reliable conductor circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、プリント配線板の製造に当たっ
て、化学めっきによって導体回路を形成するアディティ
ブ法がよく知られているが、例えばフルアディティブ法
の場合、次のような各工程を経ることが特徴である。
(a) 基板上の粗化接着剤層表面に、コロイドタイプのパ
ラジウム化合物(PdおよよびSnイオンを含む水溶液)な
どの無電解めっき用触媒を付与する工程、(b) 必要に応
じて、触媒活性化のために、酸でSnコロイドの一部を除
去する工程(c) めっきレジスト用フィルムまたは樹脂液
を印刷または塗布した後、露光, 現像, 熱処理などの方
法に基づいてめっきレジストを形成する工程、(d) 加熱
処理して触媒の固定を行う工程、(e) 再び酸にて触媒活
性化処理を行う工程、(f) 無電解めっきをして導体回路
を形成する工程、を経て、プリント配線板を製造する。2. Description of the Related Art Conventionally, in the production of printed wiring boards, an additive method of forming a conductive circuit by chemical plating is well known. For example, a full additive method is characterized by passing through the following steps. It is.
(a) a step of applying a catalyst for electroless plating, such as a colloidal palladium compound (aqueous solution containing Pd and Sn ions), to the surface of the roughened adhesive layer on the substrate, (b) if necessary, Step (c) of removing part of the Sn colloid with acid to activate the catalyst (c) After printing or applying a plating resist film or resin solution, form a plating resist based on methods such as exposure, development, and heat treatment (D) a step of fixing the catalyst by heat treatment, (e) a step of performing catalyst activation treatment again with acid, and (f) a step of forming a conductor circuit by electroless plating. To manufacture printed wiring boards.
【0003】このような従来技術の1つとして、例えば
特開昭58−128788号公報に記載されているような製造方
法がある。この技術は、フォトレジストを形成した後、
触媒付与基板を熱処理することにより、レジスト上への
Cuの析出を防止してプリント基板の信頼性を改善する方
法を提案している。As one of such prior arts, there is a manufacturing method described in, for example, JP-A-58-128788. This technology, after forming the photoresist,
By subjecting the catalyst-added substrate to heat treatment,
A method to prevent the deposition of Cu and improve the reliability of printed circuit boards is proposed.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】この従来技術は、フォ
トレジスト面へのめっき導体(Cu)の析出を防止すること
で信頼性の向上を図っているが、実際にはその他の信頼
性低下の要因に対する配慮に欠けていたことから、十分
な効果が得られていなかった。In this prior art, the reliability is improved by preventing the plating conductor (Cu) from depositing on the photoresist surface. Due to lack of consideration for the factors, sufficient effects were not obtained.
【0005】たとえば、この従来製造技術は、触媒( Pd
/Sn)を付与した後に行う該触媒固定化のための熱処理
を、大気中で行っているために、このとき前記触媒核
(Pd)が酸化物となり、工程(d) において、たとえ活性
化処理をしたとしても、金属Pdに変わることがなく、そ
のために酸化パラジウム(PdO) のまま前記接着剤層上に
残り、そしてこのことが、めっき導体の密着性を著しく
悪くして、プリント基板の信頼性を低下させるという問
題があった。[0005] For example, this conventional manufacturing technique uses a catalyst (Pd
Since the heat treatment for immobilizing the catalyst, which is performed after the application of / Sn), is performed in the air, the catalyst nucleus (Pd) becomes an oxide at this time. Even if it does, it will not be converted to metal Pd, so that palladium oxide (PdO) will remain on the adhesive layer as it is, and this will significantly deteriorate the adhesion of the plated conductor and reduce the reliability of the printed circuit board. There is a problem that the property is reduced.
【0006】本発明の目的は、従来技術が抱える問題点
を克服すること;すなわち、めっき導体の密着性の悪さ
に起因する信頼性の低下を克服できる技術を開発するこ
とにある。An object of the present invention is to overcome the problems of the prior art; that is, to develop a technique capable of overcoming a decrease in reliability due to poor adhesion of a plated conductor.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上述したように、大気中
での加熱処理によって生成した酸化パラジウム(PdO)
が、無電解めっき時のCuの析出を阻害してピール強度を
低下させ、それがめっき導体の密着性を悪くするという
現象に対し、本発明者らは、触媒固定化のための熱処理
を、非酸化性雰囲気で行うことに着目し、次のような構
成の本発明に想到した。As described above, palladium oxide (PdO) produced by a heat treatment in the atmosphere is used.
However, for the phenomenon that inhibits the precipitation of Cu during electroless plating and lowers the peel strength, thereby deteriorating the adhesion of the plated conductor, the present inventors performed a heat treatment for fixing the catalyst, Focusing on performing in a non-oxidizing atmosphere, the present invention has the following structure.
【0008】このような考え方に立脚する本発明のプリ
ント配線板の製造方法は、少なくともその一方の表面に
金属箔および/もしくは耐熱性樹脂系接着剤あるいはゴ
ム系接着剤からなる接着剤層が形成されている基板上
の、その接着剤層上に触媒核を付与し、その後、無電解
めっきを施してプリント配線板を製造する方法におい
て、非酸化性雰囲気下にて前記触媒核固定のために、上
記触媒核付与後の基板を50〜300 ℃の温度にて熱処理す
ることを要旨とするものである。すなわち本発明は、基
板の、例えば粗化接着剤層上に触媒付与を行った後、非
酸化性雰囲気下にて触媒核固定化のために50〜300 ℃の
温度にて熱処理を行い、次いで、必要に応じてその固定
化触媒核を有する粗化接着剤層上にレジストフィルムを
形成してから、露光現像あるいは熱硬化させるかさらに
は液状レジストを印刷して硬化させることにより、めっ
きレジストを形成し、その後、このめっきレジストのパ
ターンに無電解めっきを施して導体パターンを形成する
ことにより、プリント配線板を製造する方法である。[0008] The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention based on the above-described concept has at least one surface thereof.
Metal foil and / or heat-resistant resin-based adhesive or metal
On a substrate on which an adhesive layer made of a rubber-based adhesive is formed
The catalyst nucleus on the adhesive layer, and then electroless
In the method of manufacturing printed wiring boards by plating
In order to fix the catalyst core under a non-oxidizing atmosphere,
The substrate after the application of the catalyst nucleus is heat-treated at a temperature of 50 to 300 ° C.
It is an essence that that. That is, the present invention provides a method in which, after a catalyst is applied on a substrate, for example, a roughened adhesive layer, the temperature of 50 to 300 ° C. is used for fixing a catalyst core in a non-oxidizing atmosphere .
Heat treatment at a temperature , and then, if necessary, forming a resist film on the roughened adhesive layer having the immobilized catalyst nucleus, and then performing exposure development or thermal curing or even printing a liquid resist. This is a method of manufacturing a printed wiring board by forming a plating resist by curing, and then performing electroless plating on the pattern of the plating resist to form a conductor pattern.
【0009】また、この発明において、めっきレジスト
を形成する工程における露光後の現像処理に当たって
は、変成クロロセン (登録商標) を用いることができ
る。In the present invention, modified chlorocene (registered trademark) can be used for the development treatment after exposure in the step of forming a plating resist.
【0010】さらにこの発明は、前記めっきレジスト形
成工程の後無電解めっき処理の前に、50〜100 ℃の湯洗
処理を施すことができる。Further, according to the present invention, after the plating resist forming step and before the electroless plating treatment, a hot water washing treatment at 50 to 100 ° C. can be performed.
【0011】さらに、この発明は、前記無電解めっき処
理工程において、この無電解めっきを行う前に、触媒核
の活性化処理を行うことができる。Further, according to the present invention, in the electroless plating treatment step, a catalyst nucleus activation treatment can be performed before performing the electroless plating.
【0012】[0012]
【作 用】無電解めっき時に見られる析出導体(Cu)の
密着性低下は、本発明者らの研究によれば、触媒固定化
のために行う加熱処理を、大気中で行っていたことが主
因であることが判った。それは、この熱処理によって、
PdCl2−SnCl2 −HCl(コロイドタイプ) 溶液などに含ま
れているPdがPdO に変わるため、塩酸およびSnによる活
性化処理のときに、次のような反応; を起こすことなく、従って、Pd0 に還元されないからで
ある。その結果、触媒核が不足して、めっき金属(Cu)
が析出しにくくなるのである。発明者らが行った測定結
果によれば、大気中で行った触媒固定化のための加熱処
理の場合、めっき導体のピール強度は平均 0.8 kg/cmに
しかならなかった。[Action] According to the study of the present inventors, the decrease in the adhesion of the deposited conductor (Cu) observed during electroless plating is due to the fact that the heat treatment for fixing the catalyst was performed in the air. It turned out to be the main cause. It is because of this heat treatment
Since the Pd contained like PdCl 2 -SnCl 2 -HCl (colloidal type) solution changes to PdO, when the activation treatment with hydrochloric acid and Sn, the following reaction; , And therefore is not reduced to Pd 0 . As a result, catalyst nuclei are insufficient, and plating metal (Cu)
Is less likely to precipitate. According to the measurement results performed by the inventors, the peel strength of the plated conductor was only 0.8 kg / cm on average in the case of the heat treatment for fixing the catalyst performed in the air.
【0013】そこで、本発明は、上述した最初の工程
(触媒核の付与およびそれの固定化段階)で行う触媒付
与後の熱処理を、非酸化性雰囲気, すなわち不活性ガス
雰囲気中または低酸素濃度雰囲気中で行うことにした。
熱処理をこのような雰囲気で行うと、従来技術で見られ
たようなPdOの生成を阻止でき、それ故に触媒核(Pd)の
不足がなくなり、めっき金属(Cu)が十分に析出するよう
になるのである。In the present invention, therefore, the heat treatment after the catalyst application performed in the above-mentioned first step (the step of applying the catalyst core and immobilizing the same) is performed in a non-oxidizing atmosphere, that is, in an inert gas atmosphere or a low oxygen concentration. I decided to do it in an atmosphere.
When the heat treatment is performed in such an atmosphere, the generation of PdO as seen in the prior art can be prevented, so that the lack of the catalyst nucleus (Pd) is eliminated, and the plating metal (Cu) is sufficiently deposited. It is.
【0014】前記熱処理における不活性ガス雰囲気の例
としては、窒素ガスが好適であり、また低酸素濃度雰囲
気で行う場合は、酸素濃度が1ppm 〜10%のレベルとな
るように制御する。なお、触媒固定化のために行うこの
熱処理の温度は、50〜300 ℃が好適範囲である。この温
度が50℃未満では固定化できないし、300 ℃を超えると
前記接着剤が変成するので好ましくない。As an example of the inert gas atmosphere in the heat treatment, a nitrogen gas is preferable, and when the heat treatment is performed in a low oxygen concentration atmosphere, the oxygen concentration is controlled to a level of 1 ppm to 10%. The temperature of the heat treatment for fixing the catalyst is preferably in the range of 50 to 300 ° C. If the temperature is lower than 50 ° C., it cannot be fixed, and if it exceeds 300 ° C., the adhesive is undesirably denatured.
【0015】次に、本発明は、ピール強度向上対策とし
て、上述の加熱雰囲気の工夫に加え、さらに接着剤の選
択、露光後の現像液の特定、ならびにめっきレジストの
熱硬化処理後に湯洗を行うという各方法を採用すること
とした。以下にそれぞれの具体的な内容につき製造工程
の説明に併せて説明する。Next, in the present invention, as a measure for improving the peel strength, in addition to the above-mentioned contrivance of the heating atmosphere, selection of an adhesive, specification of a developing solution after exposure, and washing with hot water after a thermosetting treatment of the plating resist are performed. Each method of doing is decided. Hereinafter, the specific contents will be described together with the description of the manufacturing process.
【0016】本発明は、触媒核を付与したのちに無電解
めっきを施すことにより、プリント配線板を製造する、
いわゆるアディティブプロセスに適用して有効な技術で
ある。このアディティブプロセスは、パートリーアディ
ティブ法と、フルアディティブ法とに分類される。上記
パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基
板, 必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を
穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導
体回路を形成し、前記導体回路上、スルーホールやバイ
アホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行う
ことにより、プリント配線板を製造する方法である。こ
れに対してフルアディティブ法は、基板( 導体回路が形
成されたものも含む) 上の耐熱性樹脂系接着剤もしくは
ゴム系接着剤からなる接着剤層を形成して触媒核付与を
行った後、前記接着剤層上にレジストフィルムを形成
し、露光現像あるいは必要に応じて熱硬化させるか、液
状レジストを印刷、硬化させることにより、めっきレジ
ストを形成し、その後、めっきレジストが形成されてい
ない部位に無電解めっきを施して導体パターン形成し、
プリント配線板を製造する方法である。本発明は、上述
したアディティブプロセスによるプリント配線板の製造
方法において、無電解めっき用触媒核の付与後に、この
触媒核を固定するための熱処理を行うことが特徴であ
る。According to the present invention, a printed wiring board is manufactured by applying electroless plating after providing a catalyst core.
This technique is effective when applied to a so-called additive process. This additive process is classified into a partly additive method and a full additive method. The partly additive method means that a substrate provided with a conductor layer, a catalyst nucleus is provided on a substrate formed with holes for through holes and via holes as necessary, and a conductor circuit is formed by etching, This is a method of manufacturing a printed wiring board by performing thickening by electroless plating on a through hole, a via hole, and the like on a conductor circuit. On the other hand, the full additive method uses a heat-resistant resin-based adhesive on a substrate (including ones with conductor circuits formed) or
After catalyst nuclei granted to form an adhesive layer comprising a rubber-based adhesive, a resist film prior SL adhesive layer
Then, by exposure and development or thermal curing as necessary, or by printing and curing a liquid resist, a plating resist is formed, and then electroless plating is performed on a portion where the plating resist is not formed to form a conductor pattern And
This is a method for manufacturing a printed wiring board. The present invention is characterized in that, in the above-described method for manufacturing a printed wiring board by the additive process, a heat treatment for fixing the catalyst nucleus is performed after the application of the catalyst nucleus for electroless plating.
【0017】以下に、上記パートリーアディティブ法に
従う本発明方法について図1に基づき説明する。この方
法における最初の工程(a) は、導体層2が形成された基
板1を準備することである。この基板としては、絶縁板
に銅箔などの金属箔を接着したものや、絶縁板上に耐熱
性樹脂系またはゴム系の無電解めっき用接着剤層を形成
し、さらに無電解めっきを行うことにより基板の全面に
導体層を析出させた基材などにエッチングにより回路形
成を施したものが望ましい。なお、孔穿けは、スルーホ
ール3やバイアホールの形成に必要である。次に、工程
(b) は、前記基板上に、無電解めっき用触媒核4を付与
する。この触媒化の付与は、Pdイオン、Snイオンを含む
コロイドタイプの溶液、例えば PdCl2−SnCl2 −HCl や
PdCl2−SnCl2 −NaClなどの溶液を、基板の少なくとも
その一表面に塗布することにより行う。次に、工程(c)
は、本発明方法に特有の触媒核固定化のための熱処理工
程である。この処理工程は、触媒核を付与した基板1
を、アルゴンや窒素などの不活性雰囲気下あるいは、触
媒核の酸化がおきない程度の酸素濃度の下で加熱するこ
とである。これによって触媒核は基板にしっかりと固定
される。工程(d) は、パターン形成のためにめっきレジ
ストを形成する過程である。即ち、このケースではエッ
チングレジスト5 を形成した後、レジスト部分( パター
ン部分) を除く他の個所の触媒核4´ならびに導体層2
を除去する段階である。使用するエッチングレジスト5
としては、ドライフィルムフォトレジスト、液状フォト
レジスト、スクリーン印刷インキ、電着レジストなどの
有機化合物レジストやはんだ、金などの金属系レジスト
などがある。また、エッチング溶液としては、塩化第2
銅、塩化第2鉄、過硫酸塩類、過酸化水素/硫酸、アル
カリエッチャントなどの水溶液を用いることができる。
そして、工程(e) は、工程(d) にてエッチングすること
により形成されるパターン域に、無電解めっきを施して
導体回路6を形成する段階である。導体回路6となる無
電解めっき膜の形成には、例えば第2銅イオン源となる
銅塩を基礎とし、これに銅イオンを金属銅にするための
還元剤、還元剤を有効に働かせるアルカリ性溶液にする
ための pH調整剤、アルカリ性溶液中で銅の沈澱を防ぐ
ための錯化剤および安定剤などを必要に応じて加えたも
のを用いることが望ましい。Hereinafter, the method of the present invention according to the above-described partly additive method will be described with reference to FIG. The first step (a) in this method is to prepare a substrate 1 on which a conductor layer 2 has been formed. This substrate can be made of a metal foil such as copper foil bonded to an insulating plate, or a heat-resistant
It is preferable to form an adhesive layer for electroless plating based on a conductive resin or rubber , and then perform circuit formation by etching on a substrate or the like on which a conductor layer is deposited on the entire surface of the substrate by further performing electroless plating. . The perforation is necessary for forming the through hole 3 and the via hole. Next, the process
(b), a catalyst core 4 for electroless plating is provided on the substrate. This catalysis is provided by a colloid type solution containing Pd ions and Sn ions, such as PdCl 2 -SnCl 2 -HCl or
This is performed by applying a solution such as PdCl 2 —SnCl 2 —NaCl to at least one surface of the substrate. Next, step (c)
Is a heat treatment step for fixing catalyst nuclei specific to the method of the present invention. This processing step is performed on the substrate 1 provided with the catalyst nucleus.
Is heated under an inert atmosphere such as argon or nitrogen or under an oxygen concentration that does not cause oxidation of the catalyst core. Thereby, the catalyst core is firmly fixed to the substrate. Step (d) is a step of forming a plating resist for pattern formation. That is, in this case, after the etching resist 5 is formed, the catalyst nuclei 4 'and the conductor layer 2 other than the resist part (pattern part) are removed.
This is the step of removing. Etching resist used 5
Examples thereof include organic compound resists such as dry film photoresists, liquid photoresists, screen printing inks, electrodeposition resists, and metallic resists such as solder and gold. In addition, as an etching solution,
Aqueous solutions such as copper, ferric chloride, persulfates, hydrogen peroxide / sulfuric acid, and alkaline etchants can be used.
The step (e) is a step of forming a conductor circuit 6 by applying electroless plating to a pattern area formed by etching in the step (d). The formation of the electroless plating film serving as the conductor circuit 6 is based on, for example, a copper salt serving as a second copper ion source, and a reducing agent for converting copper ions into metallic copper, an alkaline solution for effectively using the reducing agent. It is desirable to use a pH adjusting agent for adjusting the pH, a complexing agent for preventing the precipitation of copper in an alkaline solution, a stabilizer and the like, if necessary.
【0018】次に、本発明方法をフルアディティブ法に
よって実施する場合について、図2に基づいて説明す
る。基板の選択ならびに無電解めっきの方法について
は、上掲のパートリーアディティブ法と同じであり、工
程(a) は、基板1上に粗化接着剤層7を形成し、工程
(b) では、その粗化接着剤層7表面に触媒核4を付与
し、次に工程(c) では、前記触媒核4を加熱して固定化
させ、そして工程(d) では、固定化触媒核4´の上にめ
っきレジスト8を形成し、その後工程(e) にて無電解め
っきを行う方法である。そこで以下は、このフルアディ
ティブ法に特有な基板上に接着剤層を形成する工程を中
心にさらに詳しく説明する。Next, a case where the method of the present invention is carried out by a full additive method will be described with reference to FIG. The selection of the substrate and the method of the electroless plating are the same as those of the above-described partly additive method. In the step (a), the roughened adhesive layer 7 is formed on the substrate 1
In (b), a catalyst core 4 is applied to the surface of the roughened adhesive layer 7, and then, in step (c), the catalyst core 4 is heated and fixed, and in step (d), the catalyst core 4 is fixed. In this method, a plating resist 8 is formed on the catalyst nuclei 4 ', and then electroless plating is performed in a step (e). Therefore, the following description will focus on the step of forming an adhesive layer on a substrate unique to the full additive method.
【0019】さて、基板1上に接着剤層7を構成するた
めの接着剤は、酸あるいは酸化剤に対して難溶性の耐熱
性樹脂中に、(イ) 平均粒径2〜10μm の耐熱性樹脂粒子
と平均粒径2μm 以下の耐熱性樹脂微粉末との混合物、
(ロ) 平均粒径2〜10μm 以下の耐熱性樹脂粒子の表面に
平均粒径2μm 以下の耐熱性樹脂微粉末を付着させてな
る擬似粒子、(ハ) 平均粒径2μm 以下の耐熱性樹脂微粉
末を凝集させて平均粒径2〜10μm の大きさとした凝集
粒子、のうちから選ばれるいずれか少なくとも1種の酸
あるいは酸化剤に可溶で硬化処理された耐熱性粒子を分
散したものが好適である。The adhesive for forming the adhesive layer 7 on the substrate 1 is made of a heat-resistant resin which is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent. A mixture of resin particles and heat-resistant resin fine powder having an average particle size of 2 μm or less,
(B) pseudo particles obtained by adhering heat-resistant resin fine powder having an average particle size of 2 μm or less to the surface of heat-resistant resin particles having an average particle size of 2 to 10 μm or less; (c) heat-resistant resin fine particles having an average particle size of 2 μm or less. Agglomerated particles obtained by agglomerating powder to have an average particle diameter of 2 to 10 μm, and heat-resistant particles, which are soluble in at least one kind of acid or oxidizing agent selected from the group and are cured, are preferably dispersed. It is.
【0020】このような接着剤層を用いる理由は、接着
剤層表面を均一に粗化するのに好都合だからである。す
なわち、この発明で用いるかかる接着剤の場合、前記耐
熱性粒子とマトリックスを形成する耐熱性樹脂とは、
酸, 酸化剤に対する溶解性に大きな差異が生ずるように
なっているため、酸, 酸化剤で処理したとき、接着剤層
の表面部分に分散している前記耐熱性粒子のみが優先的
に溶解除去され、凹状のアンカーを形成するのである。
それ故に、酸, 酸化剤で処理したあとの接着剤層の表面
は、除去された耐熱性粒子のために均一に粗化されてお
り、あとでその表面に形成する導体回路に対する効果的
なアンカーとして作用する。従って、フルアディティブ
法によって形成するめっき導体回路は、高い密着強度を
有し、かつ信頼性を確保することとなる。好ましいこの
接着剤層の厚さは、5〜150 μm が望ましく、5 〜50μ
m が好適である。The reason why such an adhesive layer is used is that it is convenient to uniformly roughen the surface of the adhesive layer. That is, in the case of such an adhesive used in the present invention, the heat-resistant resin forming the matrix with the heat-resistant particles is:
Due to the large difference in solubility in acid and oxidizing agents, only the heat-resistant particles dispersed on the surface of the adhesive layer are preferentially dissolved and removed when treated with acid or oxidizing agent. To form a concave anchor.
Therefore, the surface of the adhesive layer after treatment with an acid or an oxidizing agent is uniformly roughened due to the removed heat-resistant particles, and is an effective anchor for a conductor circuit to be formed on the surface later. Act as Therefore, a plated conductor circuit formed by the full additive method has high adhesion strength and ensures reliability. The preferred thickness of this adhesive layer is preferably 5 to 150 μm, more preferably 5 to 50 μm.
m is preferred.
【0021】なお、接着剤中の前記耐熱性粒子は、耐熱
性と電気絶縁性に優れ、酸化剤以外の薬品に対して安定
な性質を示す樹脂を用いる。そして、この樹脂は硬化処
理することにより、耐熱性樹脂液あるいは溶剤に対して
は難溶性となるが、酸もしくは酸化剤に対しては可溶性
となる樹脂を使用する。As the heat-resistant particles in the adhesive, use is made of a resin having excellent heat resistance and electrical insulation properties and exhibiting properties stable to chemicals other than the oxidizing agent. The resin is hardly soluble in a heat-resistant resin liquid or a solvent by a curing treatment, but a resin that is soluble in an acid or an oxidizing agent is used.
【0022】このような耐熱性粒子構成する樹脂として
は、例えば、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂の中から選ばれるいずれか少
なくとも1種があり、特にエポキシ樹脂が好適である。The resin constituting such heat-resistant particles includes, for example, at least one selected from epoxy resins, polyester resins, and bismaleimide-triazine resins, with epoxy resins being particularly preferred.
【0023】上記酸化処理に当たって用いる前記酸化剤
としては、クロム酸,クロム酸塩,過マンガン酸塩, オゾ
ンなどが使用される。Chromic acid, chromate, permanganate, ozone and the like are used as the oxidizing agent used in the above oxidation treatment.
【0024】なお、この方法において、前記接着剤層上
に形成されるめっき導体回路9のうち、少なくともパッ
ド部分についてのめっきレジストを、導体回路9よりも
厚い永久レジスト8´として残留させることが望まし
い。この理由は、相対的に厚い永久レジスト8´が、ハ
ンダブリッジを防止したり、セルフアライメント効果
(リード部品をパッドに搭載する際、リードとパッドが
多少ずれていても、パッドとレジストの段差や、ハンダ
の表面張力により正確に搭載できる効果) が期待できる
からである。In this method, it is desirable that, of the plated conductor circuit 9 formed on the adhesive layer, the plating resist for at least the pad portion is left as a permanent resist 8 ′ thicker than the conductor circuit 9. . The reason for this is that the relatively thick permanent resist 8 ′ prevents the solder bridge and the self-alignment effect.
(Even when the lead component is mounted on the pad, even if the lead and the pad are slightly displaced from each other, it is possible to expect the effect that the step can be accurately performed by the step between the pad and the resist or the surface tension of the solder).
【0025】また、本発明の接着剤としては、さらに次
のようなゴム系接着剤の利用も可能である。このゴム系
接着剤の例としては、樹脂、バインダー、合成ゴムから
なるものが好ましい。前記樹脂としては、エポキシ樹脂
が、またバインダーとしてはフェノール樹脂が、合成ゴ
ムとしてはジエン系ゴムが使用される。なお、樹脂、バ
インダー、合成ゴムを混合溶融させると、SP値(溶解
度パラメータ)の相違により、樹脂もしくは合成ゴムが
ビーズ状態になり、これを冷却することにより、樹脂あ
るいは合成ゴムをフィラーすることができる。なお、粗
化剤としては、クロム混酸を用いる。Further, as the adhesive of the present invention, it is possible further use of a rubber-based adhesive such as the following. This rubber system
As an example of the adhesive, a resin, a binder, and a synthetic rubber are preferable. An epoxy resin is used as the resin, a phenol resin is used as the binder, and a diene rubber is used as the synthetic rubber. When a resin, a binder, and a synthetic rubber are mixed and melted, the resin or the synthetic rubber is in a bead state due to a difference in SP value (solubility parameter), and the resin or the synthetic rubber can be filled by cooling. it can. In addition, a chromium mixed acid is used as a roughening agent.
【0026】なお、前記工程(b) において、工程(a) で
得られた前記粗化接着剤層7上に無電解めっきのための
触媒核4付与の処理は、前記接着剤層7つき基板1を、
Pdイオン, Snイオンを含むコロイドタイプの溶液、例え
ば PdCl2−SnCl2 −HClやPdCl2 −SnCl2 −NaCl、など
の溶液中に浸漬することにより、被めっき基板の表面に
Snイオン, Pdイオンを吸着させることにより行う。In the step (b), the treatment for applying the catalyst core 4 for electroless plating on the roughened adhesive layer 7 obtained in the step (a) is performed by 1
Pd ion, colloid type solution containing Sn ions, for example, PdCl 2 -SnCl 2 -HCl or PdCl 2 -SnCl 2 -NaCl, by immersion in a solution such as the surface of the plated substrate
This is performed by adsorbing Sn ions and Pd ions.
【0027】さらに、この処理の後、必要に応じてその
表面を塩酸などで処理することにより、図3(b) に示す
ように、Snの一部を除去して表面抵抗を下げ、有害なSn
の一部を除去して、Pdを多く露出させる活性化処理を行
うことが好ましい。このとき、触媒としてコロイドタイ
プのものを用いる理由は、例えば、Pd化合物は単独では
難溶性のため液化しないし、樹脂に対する吸着力が弱い
ためであり、Pd−Sn系のものを用いる理由は、Sn化合物
が還元剤として作用し、Pdイオンを還元するからであ
る。Further, after this treatment, if necessary, the surface is treated with hydrochloric acid or the like, as shown in FIG. Sn
It is preferable to perform an activation treatment for removing a part of the Pd to expose a large amount of Pd. At this time, the reason for using a colloidal catalyst as the catalyst is, for example, that the Pd compound alone is not liquefied due to its poor solubility and has a low adsorptivity to the resin, and the reason for using the Pd-Sn-based catalyst is as follows. This is because the Sn compound acts as a reducing agent and reduces Pd ions.
【0028】次に、この触媒核付与後に塩酸などによる
活性化処理を施した基板は、上述したように、触媒核4
固定化のために、50〜300 ℃の非酸化性雰囲気中で加熱
を行う。この熱処理は、めっきレジストを形成する前に
行うことが必要である。この理由は、めっきレジストを
形成するための現像処理の際に触媒核4が離脱しやすい
からである。Next, the substrate which has been subjected to the activation treatment with hydrochloric acid or the like after the application of the catalyst nucleus is provided with the catalyst nucleus 4 as described above.
For fixing, heating is performed in a non-oxidizing atmosphere at 50 to 300 ° C. This heat treatment needs to be performed before forming the plating resist. The reason is that the catalyst nuclei 4 are easily detached during the development process for forming the plating resist.
【0029】触媒核4を付与した後の基板については、
次に、所定のパターンに応じてレジストフィルムを形成
し、その後紫外線感光, レーザー露光などの露光処理の
後、現像するか、あるいは印刷や塗布法によってめっき
レジストを形成する。その後、さらに必要に応じて紫外
線処理または熱処理を行う。例えば、紫外線処理につい
ては、5J/cm2 の照射量が望ましく、熱処理は 150℃/
30分の条件で加熱することにより、めっきレジストを熱
硬化させる。With respect to the substrate after the catalyst core 4 has been applied,
Next, a resist film is formed in accordance with a predetermined pattern, and after exposure processing such as ultraviolet exposure or laser exposure, development is performed, or a plating resist is formed by printing or coating. Thereafter, an ultraviolet treatment or a heat treatment is further performed as necessary. For example, for UV treatment, a dose of 5 J / cm 2 is desirable,
The plating resist is thermally cured by heating for 30 minutes.
【0030】このめっきレジスト形成の工程(d) におい
て、現像に際して用いる薬剤としては、 1,1,1−トリク
ロロエタンと安定化剤からなるクロロセン (登録商標)
にイソプロピルアルコールやエタノール, ブタノール,
プロパノール+トルエン, ブタノール+エタノール, メ
チルセルソルブ, ブチルセルソルブ, メチルセルソルブ
アセテート, メチルエチルケトン, シクロヘキサンなど
を1〜20%添加した変成クロロセン (登録商標)、ある
いは炭酸ナトリウムやメタケイ酸ナトリウムなどを用い
ることができる。In the step (d) of forming the plating resist, a chemical used for development includes chlorocene (registered trademark ) comprising 1,1,1-trichloroethane and a stabilizer.
Isopropyl alcohol, ethanol, butanol,
Use modified chlorocene (registered trademark) containing 1 to 20% of propanol + toluene, butanol + ethanol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, methyl ethyl ketone, cyclohexane, or sodium carbonate or sodium metasilicate Can be.
【0031】なかでも、変成クロロセン (登録商標)に
ついては、上記クロロセン (登録商標)に比べ溶解力が
強く、無電解めっき接着剤層のアンカー内に残留するレ
ジストを完全に除去するのに有用である。この点、もし
上記めっきレジストの現像かすが接着剤層上のアンカー
内に残っていると、ピール強度が低下する傾向が見ら
れ、好ましくない。なお、現像の時間は30〜120 秒間行
うのが好ましい。Among them, modified chlorocene (registered trademark) has a stronger dissolving power than the above-mentioned chlorocene (registered trademark) , and is useful for completely removing the resist remaining in the anchor of the electroless plating adhesive layer. is there. In this regard, if the development residue of the plating resist remains in the anchor on the adhesive layer, the peel strength tends to decrease, which is not preferable. The development is preferably performed for 30 to 120 seconds.
【0032】また、本発明においては、露光, 現像ある
いは熱硬化処理の後、次の無電解めっき工程(e) の前に
湯洗をすることがとりわけ有効である。すなわち、この
湯洗処理は、上述の接着剤層の表面を50〜100 ℃の熱湯
にて洗浄(湯洗) する方法である。この段階でかような
湯洗をする理由は、その前段階での熱処理により、接着
剤層の表面の水分が蒸発して、めっき液に対する濡れ性
やピール強度が低下するのを防止することができるから
である。In the present invention, it is particularly effective to wash with hot water after the exposure, development or thermal curing treatment and before the next electroless plating step (e). That is, this hot water washing process is a method of washing (hot water washing) the surface of the above-mentioned adhesive layer with hot water at 50 to 100 ° C. The reason for performing such hot water washing at this stage is to prevent the heat treatment in the preceding stage from evaporating the water on the surface of the adhesive layer and thereby reducing the wettability to the plating solution and the peel strength. Because you can.
【0033】さらに、本発明において、前記工程を経て
得られた基板のパターン上に、無電解めっきを施して導
体パターンを形成する段階である。この工程で用いる無
電解銅めっきのための浴は、第二銅イオン源となる銅塩
を基礎とし、これに銅イオンを金属銅にするための還元
剤、還元剤を有効に働かすアルカリ性溶液にするための
pH調整剤、アルカリ性溶液中で銅の沈澱を防ぐための
錯化剤および安定化剤などを必要に応じて加えたものを
用いる。Further, in the present invention, a step of forming a conductor pattern by performing electroless plating on the pattern of the substrate obtained through the above process. The bath for electroless copper plating used in this step is based on a copper salt serving as a source of cupric ions, and a reducing agent for converting copper ions into metallic copper, and an alkaline solution that effectively uses the reducing agent. in order to
A pH adjuster, a complexing agent for preventing precipitation of copper in an alkaline solution, a stabilizer, and the like are added as necessary.
【0034】例えば、銅塩:0.01〜0.15 mol/l、還元
剤 0.1 mol/l、 pH調整剤: 0.1〜1 mol/l、錯化
剤は銅イオンのモル濃度の1〜3倍の範囲内で調整した
ものが好ましい。また、無電解銅めっき浴の温度は、80
℃より高いと浴の分解が生じ、30℃より低いと析出速度
が遅すぎ、所望の無電解銅めっき厚さを得るまでに時間
がかかり過ぎるため、30〜80℃の範囲内が好ましい。For example, copper salt: 0.01 to 0.15 mol / l, reducing agent 0.1 mol / l, pH adjuster: 0.1 to 1 mol / l, complexing agent is in the range of 1 to 3 times the molar concentration of copper ions. It is preferable to adjust the above. The temperature of the electroless copper plating bath is 80
If the temperature is higher than 0 ° C, the bath is decomposed. If the temperature is lower than 30 ° C, the deposition rate is too slow and it takes too much time to obtain a desired electroless copper plating thickness.
【0035】[0035]
【実施例】実施例1 (1) FR−4グレードの絶縁板(日立化成工業製)の表
面をバフ研磨した後、水洗乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂(油化シェル
製)60重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化
シェル製)40重量部、イミダゾール硬化剤(四国化成
製)5 重量部、アンカー形成用の粗粒子および微粉末と
してエポキシ樹脂粉末(東レ製、平均粒径5.5 μm )25
重量部およびエポキシ樹脂粉末(東レ製、平均粒径0.5
μm )10重量部からなるものに、ブチルセルソルブアセ
テート溶剤を添加しながらホモディスパー分散機で粘度
を120 cps に調整し、三本ロールで混練して接着剤を調
整し得た。EXAMPLES Example 1 (1) The surface of an FR-4 grade insulating plate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was buffed, washed with water and dried to obtain a substrate. (2) 60 parts by weight of phenol novolak type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell), 40 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell), 5 parts by weight of imidazole hardener (manufactured by Shikoku Chemicals), crude for anchor formation Epoxy resin powder (manufactured by Toray, average particle size 5.5 μm) 25 as particles and fine powder
Parts by weight and epoxy resin powder (Toray, average particle size 0.5
μm) The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser while adding a butyl cellosolve acetate solvent to 10 parts by weight, and kneaded with a three-roll mill to obtain an adhesive.
【0036】(3) 前記第(1) 工程で得られた基板にロー
ラーコーターを使用して、前記第(2)工程で得られた接
着剤を塗布した後、100 ℃で1時間、さらに150 ℃で5
時間乾燥することにより、基板上に厚さ30μm の接着剤
層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた接着剤層を有する
基板を、クロム酸(Cr2O3)700 g/l水溶液からなる酸化剤
溶液中に、70℃で15分間浸漬することにより前記接着剤
層の表面を粗化し、その後中和溶液(シプレイ社製)に
浸漬し、水洗した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒(シプレイ社製)
を付与した。ついで、活性化浴(シプレイ社製)でSnの
一部を除去した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、N2 ガス
で置換した非酸化性雰囲気の高温器内にて120 ℃,30分
間熱処理を行った。なお、この時の酸素濃度は10ppm で
あった。(3) After applying the adhesive obtained in the above step (2) to the substrate obtained in the above step (1) using a roller coater, the adhesive is applied at 100 ° C. for 1 hour, 5 at ℃
By drying for an hour, an adhesive layer having a thickness of 30 μm was formed on the substrate. (4) The substrate having the adhesive layer obtained in the treatment of the (3) step is immersed in an oxidizing solution composed of an aqueous solution of chromic acid (Cr 2 O 3 ) 700 g / l at 70 ° C. for 15 minutes. Then, the surface of the adhesive layer was roughened, and then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. (5) A colloidal tin-palladium catalyst (manufactured by Shipley Co., Ltd.) is provided on the adhesive layer of the substrate obtained in the step (4).
Was given. Then, a part of Sn was removed with an activation bath (manufactured by Shipley). (6) The substrate obtained in the process (5) was subjected to a heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature device in a non-oxidizing atmosphere replaced with N 2 gas. The oxygen concentration at this time was 10 ppm.
【0037】(7) 前記第(6) 工程の処理で得られた基板
の接着剤層上に、ドライフィルムフォトレジストをラミ
ネートし、露光後、スプレー現像機でクロロセン (登録
商標)に対しIPA(イソプロピルアルコール)を10%
添加した変成クロロセン (登録商標)溶液にて現像し、
厚さ50μm のめっきレジストを形成した。 (8) さらに、紫外線照射装置により、3J/cm2 の光量で
光硬化させた後、N2ガスで置換した無酸素雰囲気高温
器内で150 ℃,30分熱硬化した。この時の酸素濃度は15
ppm であった。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、70℃,5
分にて湯洗した後、再び活性化浴(シプレイ社製)に浸
漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。(7) A dry film photoresist is laminated on the adhesive layer of the substrate obtained in the processing of the above (6) step, and after exposure, chlorocene (registered) is sprayed with a spray developing machine.
R) to IPA (isopropyl alcohol) 10%
Develop with the added modified Chlorocene (registered trademark) solution,
A plating resist having a thickness of 50 μm was formed. (8) Further, after photo-curing with an ultraviolet irradiation device at a light amount of 3 J / cm 2 , heat curing was performed at 150 ° C. for 30 minutes in an oxygen-free atmosphere high-temperature chamber replaced with N 2 gas. The oxygen concentration at this time is 15
ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) is heated at 70 ° C.
After rinsing with hot water for a minute, it was immersed again in an activation bath (manufactured by Shipley Co., Ltd.), activated, and then washed with water.
【0038】(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基
板を、下記に示す組成のアディティブ法用無電解銅めっ
き液中に約1時間浸漬して、めっき膜の厚さ25μm の無
電解銅めっきを施し、プリント回路配線板を製造した。 硫酸銅(CuSO4・5H2O) 0.06 モル/1 ホルマリン(37%) 0.30 モル/1 水酸化ナトリウム 0.35 モル/1 EDTA 0.12 モル/1 添加剤 少々 めっき濃度:70〜72℃ pH:12.4(10) The substrate obtained in the process (9) is immersed in an electroless copper plating solution for an additive method having the following composition for about 1 hour to form a plating film having a thickness of 25 μm. The printed circuit wiring board was manufactured by electroless copper plating. Copper sulfate (CuSO 4 · 5H 2 O) 0.06 mol / 1 formalin (37%) 0.30 mol / 1 sodium hydroxide 0.35 mol / 1 EDTA 0.12 mol / 1 additive Some plating Concentration: 70~72 ℃ pH: 12.4
【0039】実施例2 (1) 実施例1の(1) 〜(4) 各工程と同じ処理を行った。 (2) 前記工程(1) の処理を経た基板を、有機錯塩系パラ
ジュウム触媒(シェーリング社製)に浸漬し、水洗し
た。 (3) 触媒付与を終えた基板を、Arガスで置換した無酸素
雰囲気高温器内で、120℃,30分間熱処理を行った。な
お、この時の酸素濃度は3%であった。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板に、液状フォ
トレジストをローラーコーターにて塗布し、露光,現像
を行い、めっきレジストを形成した。 (5) さらに、紫外線照射装置により、1J/cm2 の光量で
光硬化させた後、Ar(O2 :1%)ガス中で150 ℃,30分
間熱硬化した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、50℃,5
分にて湯洗した後、活性化浴(シェーリング社製)に浸
漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。 (7) 実施例1の第(10)工程と同一の方法にて無電解めっ
きを行った。Example 2 (1) The same processing as in the steps (1) to (4) of Example 1 was performed. (2) The substrate subjected to the treatment in the step (1) was immersed in an organic complex salt-based palladium catalyst (manufactured by Schering) and washed with water. (3) The substrate after the application of the catalyst was subjected to a heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature oven in an oxygen-free atmosphere replaced with Ar gas. The oxygen concentration at this time was 3%. (4) A liquid photoresist was applied to the substrate obtained in the process of the step (3) by a roller coater, exposed and developed to form a plating resist. (5) Further, after light-curing with an ultraviolet irradiation device at a light amount of 1 J / cm 2 , heat curing was performed at 150 ° C. for 30 minutes in Ar (O 2 : 1%) gas. (6) The substrate obtained in the step (5) is heated at 50 ° C.
After rinsing with hot water, the product was immersed in an activation bath (manufactured by Schering Co., Ltd.), activated, and then washed with water. (7) Electroless plating was performed in the same manner as in the step (10) of Example 1.
【0040】実施例3 (1) 実施例1の第(1) 工程と同様の処理を行い、得られ
た基板の表面を粗化処理した。 (2) ビスフェノールF型エポキシ樹脂(油化シェル製)
100 重量部,アクリルニトリルブタジエン共重合ゴム
(グットリッチ社製),変成触媒としてトリフェニルス
ルホスフィン0.2 重量部,ジシアンジアミド5重量部,
および2−ヘプタデシルイミダゾール 0.2重量部を配合
し、ジメチルホルムアミド溶剤に溶かして粘度200 cps
の接着剤を調整した。 (3) 実施例1の第(3) 工程と同様の処理を行って基板上
に接着剤層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム硫
酸(重クロム酸ナトリウム120 g/1, 濃硫酸600 ml/
1)水溶液からなる酸化剤溶液中で、で50℃, 3分間の
粗化処理を行い、その後亜硫酸ナトリウム水溶液からな
る中和溶液に浸漬し、さらにその後水洗した。 (5) 実施例1の第(5) 工程の処理と同様の操作を行うこ
とにより、前記接着剤層上に触媒を付与した。 (6) 非酸化性のXeガス中(O2 300ppm)で、120 ℃,30分
間加熱処理した。 (7) 前記第(6) 工程の処理で得られた基板に、熱硬化型
液状レジストをスクリーン印刷にて印刷し、その後熱処
理を施して硬化させることによりめっきレジストを形成
した。 (8) 前記第(7) 工程の処理で得られた基板を、70℃,5
分間て湯洗した後、6N塩酸にて活性化処理を行い、そ
の後水洗した。 (9) 実施例1の第(10)工程の処理と同一の条件にて、厚
さ30μm の無電解めっきを施した。Example 3 (1) The same processing as in step (1) of Example 1 was performed, and the surface of the obtained substrate was roughened. (2) Bisphenol F type epoxy resin (made by Yuka Shell)
100 parts by weight, acrylonitrile-butadiene copolymer rubber (manufactured by Goodrich Co.), 0.2 parts by weight of triphenylsulfophosphine as a conversion catalyst, 5 parts by weight of dicyandiamide,
And 0.2 parts by weight of 2-heptadecyl imidazole are dissolved in a dimethylformamide solvent to give a viscosity of 200 cps.
Was adjusted. (3) An adhesive layer was formed on the substrate by performing the same processing as in the step (3) of Example 1. (4) The substrate obtained in the treatment of the step (3) was treated with chromic sulfuric acid (sodium dichromate 120 g / 1, concentrated sulfuric acid 600 ml /
1) In an oxidizing agent solution composed of an aqueous solution, a roughening treatment was performed at 50 ° C. for 3 minutes, followed by immersion in a neutralizing solution composed of an aqueous solution of sodium sulfite, followed by washing with water. (5) A catalyst was applied on the adhesive layer by performing the same operation as the treatment in the step (5) of Example 1. (6) Heat treatment was performed in non-oxidizing Xe gas (300 ppm O 2 ) at 120 ° C. for 30 minutes. (7) A thermosetting liquid resist was printed by screen printing on the substrate obtained in the process (6), and then heat-treated to cure to form a plating resist. (8) The substrate obtained in the process of the above (7) is heated at 70 ° C.
After rinsing with hot water for 5 minutes, activation treatment was performed with 6N hydrochloric acid, followed by rinsing with water. (9) A 30 μm-thick electroless plating was performed under the same conditions as those in the process (10) of Example 1.
【0041】実施例4 (1) FR−4グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤5重量部、エポキシ樹脂粉末(5.5 μm粒径)25
重量部、エポキシ樹脂粉末(3.9 μm 粒径)10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整して接着
剤を得た。 (3) 工程(1) の基板上に、前記工程(2) で調整した接着
剤をロールコーターで塗布し、その後 100℃で1時間、
150 ℃で5時間乾燥させ、厚さ30μm の接着層を形成し
た。 (4) 前記第3工程の処理で得られた基板を、クロム酸50
0 g/l水溶液からなる酸化剤溶液中にに70℃, 15分間浸
漬し、接着剤層の表面を粗化した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。つい
で Sn の一部をHCl で除去した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、N2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃,30分
間熱処理をして触媒固定化処理を行った。 (7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセンにて現
像し、厚さ50μm のめっきレジストを形成した。 (8) さらに、UVキュアーにより、3J/cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃,30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後、水洗した。 (10) 前記第9工程の処理で得られた基板を、実施例1
の工程(10)と同じ条件の無電解銅めっき液に17時間浸漬
し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっきを施した。Example 4 (1) The surface of an FR-4 grade insulating plate was polished, washed with water,
After drying, a substrate was obtained. (2) Phenol novolak type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
Parts by weight and 10 parts by weight of epoxy resin powder (3.9 μm particle size)
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive prepared in the step (2) is applied on the substrate in the step (1) with a roll coater, and then at 100 ° C. for 1 hour.
After drying at 150 ° C. for 5 hours, an adhesive layer having a thickness of 30 μm was formed. (4) The substrate obtained in the third step is treated with chromic acid 50
It was immersed in an oxidizing agent solution consisting of an aqueous solution of 0 g / l at 70 ° C. for 15 minutes to roughen the surface of the adhesive layer. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied on the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. Next, a part of Sn was removed with HCl. (6) The substrate obtained in the process (5) was subjected to a heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container in an oxygen-free atmosphere replaced with N 2 gas to perform a catalyst fixing treatment. (7) Then, a dry film for plating resist was laminated, exposed, and developed with chlorocene with a spray developing machine to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Furthermore, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , the substrate was heated in a nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the (8) th step was immersed in an activating liquid, activated, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the ninth step was treated in Example 1
The substrate was immersed in an electroless copper plating solution under the same conditions as in the step (10) for 17 hours to perform electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm.
【0042】実施例5 (1) FR−4グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤5重量部、エポキシ樹脂粉末(5.5 μm粒径)25
重量部、エポキシ樹脂粉末(3.9 μm 粒径)10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤を得た。 (3) 上記接着剤を、ロールコーターで前記基板上に塗布
した後、100 ℃で1時間、150 ℃で5時間それぞれ乾燥
させ、基板上に厚さ30μm の接着剤層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、接着剤層表面を粗化した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板上の接着剤層
上に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。つ
いで、活性化浴にてSnの一部を除去した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、N2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃,30分
間の触媒固定化処理を行った。 (7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機で、クロロセン (登
録商標)にIPA( イソプロピルアルコール)10%添加
した変成クロロセン (登録商標)溶液にて現像し、厚さ
50μm のめっきレジストを形成した。 (8) さらに、UVキュアーにより、3J/cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃,30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後、水洗した。 (10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を、実施例
1の工程(10)で使用した無電解銅めっき液に17時間浸漬
し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっきを施した。Example 5 (1) The surface of an FR-4 grade insulating plate was polished, washed with water,
After drying, a substrate was obtained. (2) Phenol novolak type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
Parts by weight and 10 parts by weight of epoxy resin powder (3.9 μm particle size)
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The above adhesive was applied on the substrate by a roll coater, and then dried at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm on the substrate. (4) The substrate obtained in the step (3) is treated with chromic acid.
It was immersed in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes to roughen the surface of the adhesive layer. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied on the adhesive layer on the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. Then, part of Sn was removed in an activation bath. (6) The substrate obtained in the process (5) was subjected to a catalyst fixing treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature vessel in an oxygen-free atmosphere replaced with N 2 gas. (7) Next, a dry film for plating resist is laminated, and after exposure, chlorocene (registered) is
Recording trademark) in IPA (modified Kurorosen added isopropyl alcohol) 10% (by developing with TM) solution, the thickness
A 50 μm plating resist was formed. (8) Furthermore, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , the substrate was heated in a nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the (8) th step was immersed in an activating liquid, activated, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the step (9) was immersed in the electroless copper plating solution used in the step (10) of Example 1 for 17 hours, and the electroless copper having a plating film thickness of 35 μm was obtained. Plating was applied.
【0043】実施例6 (1) FR−4グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤5重量部、エポキシ樹脂粉末(5.5 μm粒径)25
重量部、エポキシ樹脂粉末(3.9 μm 粒径)10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤を得た。 (3) 前記接着剤を、前記基板上にロールコーターで塗布
し、その後 100℃で1時間、150 ℃で5時間それぞれ乾
燥させ、厚さ30μm の接着剤層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、前記接着剤層の表面を粗化した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板の接着剤層上
に、コロイド系スズ−パラジウム触媒を付与した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、N2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃,30分
間の触媒固定化処理を行った。 (7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセン (登録
商標)にIPA( イソプロピルアルコール)10%添加
した変成クロロセン (登録商標)溶液にて現像し、厚さ
50μm のめっきレジストを 形成した。 (8) さらに、UVキュアーにより、3J/cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃,30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、70℃,5
分間の湯洗を行い、その後活性化液に浸漬して活性化処
理を行い、その後水洗した。 (10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を下記の無
電解銅めっき液に17時間浸漬し、めっき膜の厚さ35μm
の無電解銅めっきを施した。Example 6 (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished, washed with water,
After drying, a substrate was obtained. (2) Phenol novolak type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
Parts by weight and 10 parts by weight of epoxy resin powder (3.9 μm particle size)
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive was applied on the substrate by a roll coater, and then dried at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) The substrate obtained in the step (3) is treated with chromic acid.
It was immersed in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes to roughen the surface of the adhesive layer. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied on the adhesive layer of the substrate obtained in the treatment of the above (4) step. (6) The substrate obtained in the process (5) was subjected to a catalyst fixing treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature vessel in an oxygen-free atmosphere replaced with N 2 gas. (7) Then, dry film for plating resist is laminated, and after exposure, chlorocene (registered
And developed with IPA (isopropyl alcohol) is added 10% was modified Kurorosen ® solution trademark), thickness
A 50 μm plating resist was formed. (8) Furthermore, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , the substrate was heated in a nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) is heated at 70 ° C. for 5 minutes.
After rinsing for a minute, the substrate was immersed in an activation liquid to perform an activation treatment, and then rinsed with water. (10) The substrate obtained in the treatment of the (9) step is immersed in the following electroless copper plating solution for 17 hours, and the thickness of the plating film is 35 μm.
Was subjected to electroless copper plating.
【0044】実施例7 (1) FR−4グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤5重量部、エポキシ樹脂粉末(5.5 μm粒径)25
重量部、エポキシ樹脂粉末(3.9 μm 粒径)10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤とした。 (3) 前記接着剤層を、前記基板上にロールコーターで塗
布し、その後 100℃で1時間、150 ℃で5時間それぞれ
乾燥させ、厚さ30μm の接着層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l 水溶液からなる酸化溶液中にに70℃で15分間浸
漬し、前記接着剤層の表面を粗化した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板に、コロイド
系スズ−パラジウム触媒を付与した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、N2 ガス
で置換した無酸素雰囲気の高温容器内で、120 ℃,30分
間の触媒固定化処理を行った。 (7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機で、クロロセン (登
録商標)にIPA(イソプロピルアルコール)10%添加
した変成クロロセン (登録商標)溶液にて現像し、厚さ
50μm のめっきレジストを 形成した。 (8) さらに、UVキュアーにより、3J/cm2 の光量で光
硬化させた後、窒素ガス中で150 ℃,30分加熱した。酸
素濃度は、10ppm であった。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、80℃,5
分間の条件の湯洗を行い、6N塩酸水溶液に浸漬して活
性化処理を行い、その後水洗した。 (10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基板を、実施例
1の第(10)工程で使用したのと同じ無電解銅めっき液に
17時間浸漬し、めっき膜の厚さ35μm の無電解銅めっき
を施した。Example 7 (1) The surface of an FR-4 grade insulating plate was polished, washed with water,
After drying, a substrate was obtained. (2) Phenol novolak type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
Parts by weight and 10 parts by weight of epoxy resin powder (3.9 μm particle size)
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive layer was applied on the substrate by a roll coater, and then dried at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) The substrate obtained in the step (3) is treated with chromic acid.
The surface of the adhesive layer was roughened by immersion in an oxidizing solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied to the substrate obtained in the process of the above (4). (6) The substrate obtained in the process (5) was subjected to a catalyst fixing treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature vessel in an oxygen-free atmosphere replaced with N 2 gas. (7) Next, a dry film for plating resist is laminated, and after exposure, chlorocene (registered) is
Recording trademark) in IPA (modified Kurorosen added isopropyl alcohol) 10% (by developing with TM) solution, the thickness
A 50 μm plating resist was formed. (8) Furthermore, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , the substrate was heated in a nitrogen gas at 150 ° C. for 30 minutes. The oxygen concentration was 10 ppm. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) is heated at 80 ° C.
After rinsing with hot water for 6 minutes, the substrate was immersed in a 6N hydrochloric acid aqueous solution to perform an activation treatment, and then washed with water. (10) The substrate obtained in the process of the (9) th step is treated with the same electroless copper plating solution as used in the (10) th step of Example 1.
It was immersed for 17 hours and subjected to electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm.
【0045】実施例8 本実施例は、基本的に実施例7と同様であるが、現像液
として、クロロセン (登録商標)に、プロパノールとシ
クロヘキサノンをそれぞれ5%,10%添加した変成クロ
ロセン (登録商標)溶液を使用した。[0045] Example 8 This embodiment is basically the same as in Example 7, as a developing solution, the Kurorosen (TM), 5% propanol and cyclohexanone, respectively, the added modified Kurorosen (registered 10% (Trademark) solution was used.
【0046】実施例9 本実施例は、基本的に実施例4と同様であるが、現像液
として、炭酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウムの混合溶
液を使用した。Example 9 This example is basically the same as Example 4, except that a mixed solution of sodium carbonate and sodium metasilicate was used as a developing solution.
【0047】実施例10 (1) 銅張り積層板のスルーホール形成位置に、孔径 300
μmの孔を穿けた。 (2) コロイド径スズ−パラジウム触媒(シプレイ社製)
を付与した。 (3) この基板を、N2 ガスで置換した非酸化性雰囲気の
高温器内で 120℃、30分間熱処理を行い、触媒核を固定
した。 (4) 電着フォトレジストを基板に電着後、露光現像処理
を施して、エッチングレジストを形成した。 (5) 塩化第2鉄水溶液に浸漬し、エッチングを行い、薄
い膜厚 (18μm) の導体回路を形成した。 (6) 外部接続用端子部位とスルーホールを除いて液状フ
ォトレジストにてめっきレジストを形成した。 (7) 上記基板を70℃、5分で湯洗した後、活性化浴(シ
プレイ社)に浸漬し、活性化処理を行い、その後水洗し
た。 (8) 無電解めっきを行い、外部接続用端子部位およびス
ルーホールを厚付けした。 このようにして得られたプリント配線板は、銅落ち(剥
がれた触媒核が、本来無電解めっき膜が析出すべきでな
い部分に再付着して銅が析出してしまうこと)がなく高
品質のプリント配線板が得られた。Example 10 (1) A hole diameter of 300 was formed at the position where a through hole was formed in a copper-clad laminate.
A μm hole was drilled. (2) Colloidal tin-palladium catalyst (Shipley)
Was given. (3) This substrate was subjected to a heat treatment at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature vessel in a non-oxidizing atmosphere replaced with N 2 gas to fix the catalyst core. (4) After electrodeposition of the electrodeposited photoresist on the substrate, exposure and development were performed to form an etching resist. (5) The conductor circuit was immersed in an aqueous ferric chloride solution and etched to form a conductor circuit having a thin film thickness (18 μm). (6) A plating resist was formed using a liquid photoresist except for external connection terminal portions and through holes. (7) After the substrate was washed with hot water at 70 ° C. for 5 minutes, it was immersed in an activation bath (Shipley Co., Ltd.), activated, and then washed with water. (8) Electroless plating was performed to thicken external connection terminal portions and through holes. The printed wiring board obtained in this manner has high quality without copper drop (the separated catalyst nuclei are re-adhered to a portion where the electroless plating film should not be originally deposited and copper is deposited). A printed wiring board was obtained.
【0048】実施例11 本実施例は基本的に実施例1と同様であるが、接着剤層
を硬化させた後、表面を研磨し、6N塩酸で粗化処理を
行い、プリント配線板を得た。Example 11 This example is basically the same as Example 1, except that after the adhesive layer was cured, the surface was polished and roughened with 6N hydrochloric acid to obtain a printed wiring board. Was.
【0049】実施例12 本実施例は基本的に実施例1と同様であるが、接着剤中
の耐熱性微粉末としてエポキシ樹脂粒子の代わりに、シ
リカ(直径 0.6μm) を用い、接着剤層をフッ酸で粗化
し、プリント配線板を得た。Example 12 This example is basically the same as Example 1, except that silica (diameter: 0.6 μm) was used as the heat-resistant fine powder in the adhesive instead of epoxy resin particles. Was roughened with hydrofluoric acid to obtain a printed wiring board.
【0050】比較例 (1) FR−4グレードの絶縁板の表面を研磨し、水洗、
乾燥して基板を得た。 (2) フェノールノボラック型エポキシ樹脂60重量部、ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂40重量部、イミダゾール
硬化剤5重量部、エポキシ樹脂粉末(5.5 μm粒径)25
重量部、エポキシ樹脂粉末(3.9 μm 粒径)10重量部か
らなるものに、ブチルセルソルブ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー分散機で粘度を120cps に調整し、接着
剤とした。 (3) 前記接着剤を、前記基板上にロールコーターで塗布
した後、100 ℃で1時間、150 ℃で5時間乾燥させ、厚
さ30μm の接着層を形成した。 (4) 前記第(3) 工程の処理で得られた基板を、クロム酸
500 g/l水溶液からなる酸化剤溶液中に70℃で15分間浸
漬し、接着剤層の表面を粗化した。 (5) 前記第(4) 工程の処理で得られた基板に、コロイド
系スズ−パラジウム触媒を付与した。 (6) 前記第(5) 工程の処理で得られた基板を、大気雰囲
気下の高温容器内で、120 ℃,30分の触媒固定化のため
の熱処理を施した。 (7) ついで、めっきレジスト用ドライフィルムをラミネ
ートし、露光後、スプレー式現像機でクロロセン (登録
商標)にて現像し、厚さ50μm のめっきレジストを形成
した。 (8) さらに、UVキュアーにより、3J/cm2 の光量で光
硬化させた後、空気雰囲気下で150 ℃,30分の熱硬化処
理を施した。 (9) 前記第(8) 工程の処理で得られた基板を、活性化液
に浸漬し、活性化処理を行い、その後水洗した。Comparative Example (1) The surface of an insulating plate of FR-4 grade was polished, washed with water,
After drying, a substrate was obtained. (2) Phenol novolak type epoxy resin 60 parts by weight, bisphenol A type epoxy resin 40 parts by weight, imidazole curing agent 5 parts by weight, epoxy resin powder (5.5 μm particle size) 25
Parts by weight and 10 parts by weight of epoxy resin powder (3.9 μm particle size)
The viscosity was adjusted to 120 cps with a homodisper disperser to obtain an adhesive. (3) The adhesive was applied on the substrate by a roll coater, and dried at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 5 hours to form an adhesive layer having a thickness of 30 μm. (4) The substrate obtained in the step (3) is treated with chromic acid.
It was immersed in an oxidizing agent solution consisting of a 500 g / l aqueous solution at 70 ° C. for 15 minutes to roughen the surface of the adhesive layer. (5) A colloidal tin-palladium catalyst was applied to the substrate obtained in the process of the above (4). (6) The substrate obtained in the step (5) was subjected to a heat treatment for fixing the catalyst at 120 ° C. for 30 minutes in a high-temperature container under an air atmosphere. (7) Then, dry film for plating resist is laminated, and after exposure, chlorocene (registered
(Trademark) to form a plating resist having a thickness of 50 μm. (8) Furthermore, after photocuring with a UV cure at a light amount of 3 J / cm 2 , a heat curing treatment was performed at 150 ° C. for 30 minutes in an air atmosphere. (9) The substrate obtained in the process of the above (8) step was immersed in an activating liquid, activated, and then washed with water.
【0051】(10) 前記第(9) 工程の処理で得られた基
板を、下記の無電解銅めっき液に17時間浸漬し、めっき
膜の厚さ35μmの無電解銅めっきを施した。 硫酸銅 0.06 モル/l ホルマリン 0.30 モル/l 水酸化ナトリウム 0.35 モル/l EDTA 0.12 モル/l めっき濃度:70〜72℃ pH:12.4(10) The substrate obtained in the process of the above (9) step was immersed in the following electroless copper plating solution for 17 hours, and electroless copper plating with a plating film thickness of 35 μm was performed. Copper sulfate 0.06 mol / l Formalin 0.30 mol / l Sodium hydroxide 0.35 mol / l EDTA 0.12 mol / l Plating concentration: 70-72 ° C pH: 12.4
【0052】以上のように実施例1〜9、比較例で製造
したプリント配線板について、それぞれ基板と銅めっき
との密着強度をJIS−C−6481の方法で測定した。そ
のピール強度の一覧表を第1表として示す。 With respect to the printed wiring boards manufactured in Examples 1 to 9 and Comparative Example as described above, the adhesion strength between the substrate and the copper plating was measured by the method of JIS-C-6481. A table of the peel strength is shown in Table 1.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、付
与触媒の活性化が確実に達成されるから、ピール強度の
大きい無電解めっきが可能となり、それ故に信頼性の高
いプリント配線板を製造するのに有効である。しかも、
変成クロロセンによる現像や湯洗処理による接着剤のア
ンカー効果が高められるから、極めて高いピール強度が
得られる。As described above, according to the present invention, the activation of the applied catalyst is reliably achieved, so that electroless plating with high peel strength can be performed, and therefore, a highly reliable printed wiring board can be obtained. Effective for manufacturing. Moreover,
An extremely high peel strength can be obtained because the anchor effect of the adhesive is improved by development with modified chlorocene or washing with hot water.
【図1】パートリーアディティブ法に従う本発明方法を
示す工程図FIG. 1 is a process chart showing the method of the present invention according to the partly additive method.
【図2】フルアディティブ法に従う本発明方法を示す工
程図FIG. 2 is a process chart showing the method of the present invention according to the full additive method.
【図3】触媒核活性化のための処理工程図である。FIG. 3 is a process chart for activating a catalyst nucleus.
1 基板 2 導体層 3 スルーホール 4, 4´ 触媒核 5 エッチングレジスト 6 導体回路 7 接着剤層 8 めっきレジスト 8´ 永久レジスト 9 導体回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Conductive layer 3 Through hole 4, 4 'Catalyst nucleus 5 Etching resist 6 Conductor circuit 7 Adhesive layer 8 Plating resist 8' Permanent resist 9 Conductor circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H05K 3/10 - 3/26 H05K 3/38 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H05K 3/10-3/26 H05K 3/38
Claims (4)
び/もしくは耐熱性樹脂系接着剤あるいはゴム系接着剤
からなる接着剤層が形成されている基板上の、その接着
剤層上に触媒核を付与し、その後、無電解めっきを施し
てプリント配線板を製造する方法において、 非酸化性雰囲気下にて前記触媒核付与後の基板を50〜30
0 ℃の温度にて熱処理することを特徴とするプリント配
線板の製造方法。1. A metal foil and / or a heat-resistant resin-based adhesive or a rubber-based adhesive on at least one surface thereof.
Bonding on a substrate on which an adhesive layer made of
The catalyst nuclei imparted onto adhesive layer, then facilities electroless plating
In the method of manufacturing a printed wiring board, the substrate after the catalyst nucleus is applied in a non-oxidizing atmosphere by 50 to 30
Method for manufacturing a printed wiring board, characterized by a heat treatment at 0 ℃ temperature.
イアホールが形成されてなる請求項1に記載のプリント
配線板の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein a through hole or a via hole is formed on the substrate.
の基板を非酸化性雰囲気下にて熱処理した後、めっきレ
ジストを形成し、その後無電解めっきを施すことを特徴
とするプリント配線板の製造方法。3. The printed wiring board according to claim 1, wherein the substrate to which the catalyst nucleus has been applied is heat-treated in a non-oxidizing atmosphere, a plating resist is formed, and then electroless plating is performed. Manufacturing method.
処理の前に、50〜100 ℃の湯洗処理を施すことを特徴と
するプリント配線板の製造方法。4. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein a hot water washing process at 50 to 100 ° C. is performed before the electroless plating process.
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