JP2655370B2 - Photosensitive composition - Google Patents

Photosensitive composition

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JP2655370B2
JP2655370B2 JP3204205A JP20420591A JP2655370B2 JP 2655370 B2 JP2655370 B2 JP 2655370B2 JP 3204205 A JP3204205 A JP 3204205A JP 20420591 A JP20420591 A JP 20420591A JP 2655370 B2 JP2655370 B2 JP 2655370B2
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一也 上西
能昌 青谷
明 梅原
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は平版印刷版やフォトレジ
ストの製造に適する感光性組成物に関するものである。
更に詳しくは、高い感度と高コントラストの画像を与え
るネガ型感光性組成物に関するものである。
The present invention relates to a photosensitive composition suitable for producing a lithographic printing plate or a photoresist.
More specifically, the present invention relates to a negative photosensitive composition which provides a high sensitivity and high contrast image.

【0002】[0002]

【従来の技術】ネガ型感光性組成物としては、一般にジ
アゾ樹脂とバインダー系、アジド化合物とバインダー
系、光重合系、光二量化型樹脂系などが用いられてい
る。
2. Description of the Related Art As a negative type photosensitive composition, a diazo resin and a binder system, an azide compound and a binder system, a photopolymerization system, a photodimerization type resin system and the like are generally used.

【0003】しかし、最近、上記以外の感光物を用いた
ネガ型感光性組成物に関する特許が多く出願されてい
る。
However, recently, many patents have been filed for negative photosensitive compositions using photosensitive materials other than those described above.

【0004】例えば、光の作用によって酸を発生する化
合物と、酸を触媒とする反応により現像液に対する親和
性あるいは溶解性が低下する物質とからなる感光性組成
物が挙げられる。それらの例としては、ナフトキノンジ
アジド化合物と酸硬化型樹脂の組み合せ〔特開昭60−
263143号〕、ハロゲン化有機化合物と酸硬化型樹
脂の組み合せ〔特開昭62−164045号〕、遠紫外
線光酸発生剤とその光酸発生剤を近紫外線に対して感光
性にするフェノチアジン系増感剤及び酸硬化型樹脂の組
み合せ〔特開平3−87748号〕、オニウム塩とポリ
(p−ブトキシカルボニルオキシスチレン)の組み合せ
〔Polym. Eng.Sci., 23 1012 〕、オニウム塩とポリ
(p−ビニル安息香酸エステル)の組み合せ [SPIE, 77
1 24]、ハロゲン化有機化合物と、ヘキサメトキシメチ
ルメラミンとノボラック樹脂の組み合せ〔Polym. Eng.
Sci., 26 1101 〕などが挙げられる。しかし、いずれの
従来技術もレジストパターン形状に優れ、広い波長域に
感光性を有し、かつ感度の高い感光性組成物を開示して
いない。
[0004] For example, a photosensitive composition comprising a compound that generates an acid by the action of light and a substance whose affinity or solubility in a developer is reduced by a reaction using the acid as a catalyst is exemplified. Examples thereof include a combination of a naphthoquinonediazide compound and an acid-curable resin [Japanese Unexamined Patent Publication No.
No. 263143], a combination of a halogenated organic compound and an acid-curable resin [JP-A-62-164045], and a phenothiazine based photoacid generator which makes the photoacid generator sensitive to near ultraviolet light. A combination of a sensitizer and an acid-curable resin [Japanese Patent Laid-Open No. 3-87748], a combination of an onium salt and poly (p-butoxycarbonyloxystyrene) [Polym. Eng. Sci., 23 1012], an onium salt and a poly (p -Vinyl benzoate) [SPIE, 77
1 24], a combination of a halogenated organic compound, hexamethoxymethylmelamine and a novolak resin [Polym. Eng.
Sci., 26 1101]. However, none of the prior arts discloses a photosensitive composition which is excellent in resist pattern shape, has photosensitivity in a wide wavelength range, and has high sensitivity.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高い感度と高コントラストの画像を与え、かつ紫外
線、可視光線、電子ビームまたはX線に対して感応す
る、すなわち、広い波長域に感光性を有するネガ型感光
性組成物を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an image with high sensitivity and high contrast and to be sensitive to ultraviolet rays, visible rays, electron beams or X-rays, that is, to a wide wavelength range. An object of the present invention is to provide a negative photosensitive composition having photosensitivity.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、酸を触媒とす
る反応により現像液に対する親和性あるいは溶解性が減
少する性質を有する化合物とオニウム化合物の芳香族ス
ルホン酸塩を含む事を特徴とする化学増幅系感光性組成
物である。
The present invention is characterized in that it comprises an aromatic sulfonate of an onium compound and a compound having a property of decreasing affinity or solubility in a developer by a reaction catalyzed by an acid. It is a chemically amplified photosensitive composition.

【0007】すなわち、本発明者は、特定の芳香族スル
ホン酸をオニウム化合物の対アニオンとして組み合わせ
ることにより、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域に
まで、組成物の感光域が拡大することを見出し、本発明
を完成するに至った。本発明は、酸を触媒とする反応に
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物(好ましくは分子量50〜50,00
0)とジアリールヨードニウム、またはトリアリールス
ルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩と
を組み合わせることにより、現像剤を適切に選択するこ
とによってネガ型の画像形成材料として働く、紫外線、
可視光線、電子ビームまたはX線に対して感応する感光
性組成物を提供するものである。上記オニウム化合物の
芳香族スルホン酸塩と、酸を触媒とする反応により現像
液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性質を有す
る化合物(好ましくは分子量50〜50,000)とを含
む組成物を基板上に薄い被膜として被覆し、制御された
条件の下でベークし、放射線により画像露光し、そして
場合によっては制御された条件の下でポストベークした
のち、未露光領域を現像液で処理して選択的に除去する
ことにより画像が得られる。
That is, the present inventor has found that by combining a specific aromatic sulfonic acid as a counter anion of an onium compound, the photosensitive range of the composition can be extended to the absorption wavelength range of the aromatic sulfonic acid. Thus, the present invention has been completed. The present invention relates to a compound having a property of decreasing affinity or solubility in a developer by a reaction using an acid as a catalyst (preferably having a molecular weight of 50 to 50,000).
Combining 0) with an aromatic sulfonate of an onium compound such as diaryliodonium or triarylsulfonium to act as a negative-type image-forming material by appropriately selecting a developer;
An object of the present invention is to provide a photosensitive composition which is sensitive to visible light, electron beam or X-ray. A composition comprising the aromatic sulfonate of the onium compound and a compound (preferably having a molecular weight of 50 to 50,000) having a property of decreasing affinity or solubility in a developer by a reaction using an acid as a catalyst is used as a substrate. After being coated as a thin film, baked under controlled conditions, imagewise exposed to radiation, and optionally post-baked under controlled conditions, the unexposed areas are treated with a developing solution. An image is obtained by selective removal.

【0008】本発明に用いられる酸を触媒とする反応に
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物(好ましくは分子量50〜50,00
0)としては、エポキシ基を側鎖に有する化合物〔Pro
c. Microcircuit Eng., 260,(1982)〕、メトキシメチル
化メラミン誘導体〔Polym. E g. Sci., 26,1101(198
6)〕、ベンジルアセテート基を側鎖に有する化合物〔P
olym. Eng. Sci., 29,960(1989)〕、ジフェニルジシラ
ノール等のシラノール基を含有する化合物〔Proc.SPIE.
1262, 26(1990)〕、2,6−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−t−ブチルフェノール、レゾール樹脂等のメチロ
ール基を含有する化合物を例示する事ができる。
A compound (preferably having a molecular weight of 50 to 500,000) having a property of decreasing affinity or solubility in a developer by a reaction using an acid as a catalyst in the present invention.
0) is a compound having an epoxy group in the side chain [Pro
c. Microcircuit Eng., 260, (1982)), a methoxymethylated melamine derivative [Polym. Eg. Sci., 26 , 1101 (198
6)], a compound having a benzyl acetate group in the side chain [P
olym. Eng. Sci., 29 , 960 (1989)], a compound containing a silanol group such as diphenyldisilanol [Proc. SPIE.
1262 , 26 (1990)], and compounds containing a methylol group, such as 2,6-bis (hydroxymethyl) -t-butylphenol and resole resins.

【0009】上記化合物の分子量が50より低いと膜形
成性が悪くなり、また50,000 より高いと現像性(未露
光領域の現像液による除去性)が悪くなる傾向がある。
上記化合物は、全感光性組成物(塗布溶媒は含まず)の
重量を基準として、5〜98重量%、好ましくは20〜
95重量%の量で使用される。これら例示した化合物
は、アルカリ可溶性樹脂と併用する事により本発明の効
果はさらに顕著になる。
When the molecular weight of the above compound is lower than 50, the film-forming property is deteriorated, and when the molecular weight is higher than 50,000, the developability (removability of an unexposed area by a developer) tends to be deteriorated.
The above compound is used in an amount of 5 to 98% by weight, preferably 20 to 98% by weight, based on the weight of the entire photosensitive composition (not including the coating solvent).
It is used in an amount of 95% by weight. The effects of the present invention become more remarkable when these exemplified compounds are used in combination with an alkali-soluble resin.

【0010】本発明に用いることのできるアルカリ可溶
性樹脂としては、ノボラック樹脂、アセトン−ピガロー
ル樹脂やポリヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げ
ることができる。
[0010] Examples of the alkali-soluble resin that can be used in the present invention include a novolak resin, an acetone-pigalol resin, polyhydroxystyrene and derivatives thereof.

【0011】これらの中で、特にノボラック樹脂が好ま
しく、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在
下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られ
る。所定のモノマーとしては、フェノール、m−クレゾ
ール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール
類、2,5−キシレノール、3,5−キシレノール、
3,4−キシレノール、2,3−キシレノール等のキシ
レノール等、m−エチルフェノール、p−エチルフェノ
ール、o−エチルフェノール、p−t−ブチルフェノー
ル等のアルキルフェノール類、p−メトキシフェノー
ル、m−メトキシフェノール、3,5−ジメトキシフェ
ノール、2−メトキシ−4−メチルフェノール、m−エ
トキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−プロ
ポキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−ブ
トキシフェノール、p−ブトキシフェノール等のアルコ
キシフェノール類、2−メチル−4−イソプロピルフェ
ノール等のビスアルキルフェノール類、m−クロロフェ
ノール、p−クロロフェノール、o−クロロフェノー
ル、ジヒドロキシビフェノール、ビスフェノールA、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒ
ドロキシ芳香族化合物を単独もしくは2種以上混合して
使用することができるが、これらに限定されるものでは
ない。
Among these, a novolak resin is particularly preferable, and is obtained by subjecting a predetermined monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst. Examples of the predetermined monomer include phenols, m-cresol, p-cresol, cresols such as o-cresol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol,
Xylenols such as 3,4-xylenol and 2,3-xylenol; alkylphenols such as m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-ethylphenol and pt-butylphenol; p-methoxyphenol and m-methoxyphenol Alkoxyphenols such as 3,5-dimethoxyphenol, 2-methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m-butoxyphenol and p-butoxyphenol , Bisalkylphenols such as 2-methyl-4-isopropylphenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, o-chlorophenol, dihydroxybiphenol, bisphenol A, phenylphenol, Rucinol, although the hydroxyaromatic compounds of naphthol or the like can be used alone or two or more, but is not limited thereto.

【0012】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、o−ヒドロキシベンズアル
デヒド、m−ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、
m−クロロベンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデ
ヒド、o−ニトロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズ
アルデヒド、p−ニトロベンズアルデヒド、o−メチル
ベンズアルデヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−
メチルベンズアルデヒド、p−エチルベンズアルデヒ
ド、p−n−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドエチルアセタール等を使用
することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒド
を使用するのが好ましい。
Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde , O-chlorobenzaldehyde,
m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-
Methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, pn-butylbenzaldehyde, furfural,
Chloroacetaldehyde and its acetal form, for example, chloroacetaldehyde ethyl acetal, can be used, and among these, formaldehyde is preferably used.

【0013】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
2種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸等を使用することが
できる。
These aldehydes are used alone or in combination of two or more. As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid and the like can be used.

【0014】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、2000〜30000の範囲であることが
好ましい。2000未満では露光部の現像後の膜減りが
大きく、30000を越えると現像速度が小さくなって
しまう。特に好適なのは6000〜20000の範囲で
ある。
The weight average molecular weight of the novolak resin thus obtained is preferably in the range of 2,000 to 30,000. If it is less than 2,000, the film loss of the exposed portion after development is large, and if it exceeds 30,000, the developing speed is reduced. Particularly preferred is a range of 6,000 to 20,000.

【0015】ここで、重量平均分子量はゲルパーミェー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。また、本発明に感光物として用いられる
オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩は、下記一般式の
(1) また(2) で示される。
Here, the weight average molecular weight is defined as the value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography. Further, the aromatic sulfonate of the onium compound used as the photosensitive material in the present invention has the following general formula:
(1) Also shown in (2).

【0016】[0016]

【化1】 Embedded image

【0017】ここで式中Ar1 、Ar2 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、カルボニ
ル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基
及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数1〜8
個のアルキル、炭素数1〜8個のアルコキシ、ニトロ基
及び塩素原子である。R1 、R2 、R3 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換のアルキル基または芳
香族基を示す。好ましくは炭素数6〜14個のアリール
基、炭素数1〜8個のアルキル基及びそれらの置換誘導
体である。好ましい置換基としては、アリール基に対し
ては炭素数1〜8個のアルコキシ、炭素数1〜8個のア
ルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲ
ン原子であり、アルキル基に対して炭素数1〜8個のア
ルコキシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基であ
る。またR1 、R2 、R3 のうちの2つ及びAr1 、A
2 はそれぞれ単結合または置換基を介して結合しても
よい。X- は芳香族スルホン酸アニオンを示す。より好
ましくは、縮合多核芳香族スルホン酸、あるいは芳香環
を2つ以上有するスルホン酸が挙げられる。具体的に
は、ナフタレンー1−スルホン酸、ナフタレン−2−ス
ルホン酸、アントラセン−1−スルホン酸、9−ニトロ
アントラセン−1−スルホン酸、9,10−ジクロロア
ントラセン−2−スルホン酸、9,10−ジメトキシア
ントラセン−2−スルホン酸、9,10−ジメトキシア
ントラセン−2−スルホン酸、アントラセン−2−スル
ホン酸、フェナンスレン−2−スルホン酸、9−ブロモ
フェナンスレン−3−スルホン酸、1−メチル−7−イ
ソプロピルフェナンスレン−3−スルホン酸、ピレン−
2−スルホン酸、ベンズ〔a〕アントラセン−4−スル
ホン酸、トリフェニレン−2−スルホン酸、クリセン−
6−スルホン酸、5,6−ジクロロアントラセン−3−
スルホン酸、6−ニトロアセナフテン−5−スルホン
酸、2−t−ブチルナフタレン−7−スルホン酸等の縮
合多核芳香族スルホン酸アニオン、9,10−ジオキソ
−9,10−ジヒドロアントラセン−2−スルホン酸、
1−ブロモ−9,10−ジオキソ−9,10−ジヒドロ
アントラセン−2−スルホン酸、2−クロロ−9,10
−ジオキソ−9,10−ジヒドロアントラセン−2−ス
ルホン酸、9,10−ジオキソ−9,10−ジヒドロフェ
ナンスレン−3−スルホン酸等のアントラキノンスルホ
ン酸、フェナントラキノンスルホン酸アニオン、1,2
−ナフトキノン−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸ア
ニオン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン
−5−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレン
ジ、アリザリンS、インジゴカルミン、パテントブル
ー、クロルフェノールレッド、クリソフェニン等のスル
ホン酸基含有染料などが挙げられるがこれに限定される
ものではない。
In the formula, Ar 1 and Ar 2 may be the same or different, and represent a substituted or unsubstituted aromatic group. Preferred substituents are alkyl, haloalkyl, cycloalkyl, aryl, alkoxy, nitro, carbonyl, alkoxycarbonyl, hydroxy, mercapto groups and halogen atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms.
Alkyl, an alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group and a chlorine atom. R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aromatic group. Preferred are an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and substituted derivatives thereof. Preferred substituents are alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, alkyl having 1 to 8 carbon atoms, nitro, carbonyl, hydroxy group and halogen atom for the aryl group, and 1 carbon atom for the alkyl group. ~ 8 alkoxy, carbonyl and alkoxycarbonyl groups. Further, two of R 1 , R 2 and R 3 and Ar 1 and A
r 2 may be bonded through a single bond or a substituent. And X - represents an aromatic sulfonate anion. More preferably, a condensed polynuclear aromatic sulfonic acid or a sulfonic acid having two or more aromatic rings is used. Specifically, naphthalene-1-sulfonic acid, naphthalene-2-sulfonic acid, anthracene-1-sulfonic acid, 9-nitroanthracene-1-sulfonic acid, 9,10-dichloroanthracene-2-sulfonic acid, 9,10 -Dimethoxyanthracene-2-sulfonic acid, 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonic acid, anthracene-2-sulfonic acid, phenanthrene-2-sulfonic acid, 9-bromophenanthrene-3-sulfonic acid, 1-methyl -7-isopropylphenanthrene-3-sulfonic acid, pyrene-
2-sulfonic acid, benz [a] anthracene-4-sulfonic acid, triphenylene-2-sulfonic acid, chrysene-
6-sulfonic acid, 5,6-dichloroanthracene-3-
Condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anions such as sulfonic acid, 6-nitroacenaphthene-5-sulfonic acid, 2-t-butylnaphthalene-7-sulfonic acid, 9,10-dioxo-9,10-dihydroanthracene-2- Sulfonic acid,
1-bromo-9,10-dioxo-9,10-dihydroanthracene-2-sulfonic acid, 2-chloro-9,10
Anthraquinonesulfonic acid such as -dioxo-9,10-dihydroanthracene-2-sulfonic acid, 9,10-dioxo-9,10-dihydrophenanthrene-3-sulfonic acid, phenanthraquinonesulfonic acid anion; 2
Naphthoquinone sulfonic acid anions such as naphthoquinone-4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid, and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfone Examples include, but are not limited to, acids, phenol red, methyl orange, alizarin S, indigo carmine, patent blue, chlorophenol red, and sulfonic acid group-containing dyes such as chrysofenin.

【0018】次に、本発明に用いられる一般式(1)で
示される化合物の具体例を示すが、これらに限定される
ものではない。
Next, specific examples of the compound represented by formula (1) used in the present invention will be shown, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0019】[0019]

【化2】 Embedded image

【0020】[0020]

【化3】 Embedded image

【0021】[0021]

【化4】 Embedded image

【0022】[0022]

【化5】 Embedded image

【0023】[0023]

【化6】 Embedded image

【0024】[0024]

【化7】 Embedded image

【0025】[0025]

【化8】 Embedded image

【0026】また、本発明に用いられる一般式(2) で示
される化合物の具体例を次に示すが、これに限られるも
のではない。
Specific examples of the compound represented by the general formula (2) used in the present invention are shown below, but are not limited thereto.

【0027】[0027]

【化9】 Embedded image

【0028】[0028]

【化10】 Embedded image

【0029】[0029]

【化11】 Embedded image

【0030】[0030]

【化12】 Embedded image

【0031】[0031]

【化13】 Embedded image

【0032】[0032]

【化14】 Embedded image

【0033】[0033]

【化15】 Embedded image

【0034】[0034]

【化16】 Embedded image

【0035】[0035]

【化17】 Embedded image

【0036】[0036]

【化18】 Embedded image

【0037】本発明に於いて用いられるオニウム化合物
の芳香族スルホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量
(塗布溶媒は含まず)を基準として約2〜60重量%、
より好ましくは5〜40重量%である。一般式(1) 又は
(2) で示される上記化合物は、例えば、J. W. Knapczyk
ら著、J. Am. Chem. Soc.,第91巻、第145頁 (1969
年)、A. L. Maycock ら著、J. Org. Chem.,第35巻、
第2532頁(1970年)、E. Goethals ら著、Bul
l. Soc. Chem. Belg., 第73巻、第546頁1964
年)、H. M. Leicester 著、J. Am. Chem. Soc.,第51
巻、第3587頁(1929年)、J. V. Crivelloら
著、J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed.,第18巻、第2
677頁(1980年)、米国特許第 2,807,648号及び
同第 4,247,473号明細書、F. M. Beringerら著、L. Am.
Chem. Soc.,第75巻、第2705頁(1953年)、
特開昭53−101331号公報などに示された手順に
より製造されたオニウム化合物のハロゲン、ビサルフェ
ートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいはアルコール溶
液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリウム塩水溶液
あるいはアルコール溶液を添加し、生成した沈澱を濾取
することによって得られる。
The amount of the aromatic sulfonate of the onium compound used in the present invention is about 2 to 60% by weight based on the total weight of the photosensitive composition (not including the coating solvent).
More preferably, it is 5 to 40% by weight. General formula (1) or
The compound represented by (2) is, for example, JW Knapczyk
Authors, J. Am. Chem. Soc., Vol. 91, pp. 145 (1969
), AL Maycock et al., J. Org. Chem., Volume 35,
2532 (1970), by E. Goethals et al., Bull
l. Soc. Chem. Belg., 73, 546, 1964
HM Leicester, J. Am. Chem. Soc., No. 51
3587 (1929), JV Crivello et al., J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed., Volume 18, No. 2
677 (1980), U.S. Pat. Nos. 2,807,648 and 4,247,473, FM Beringer et al., L. Am.
Chem. Soc., 75, 2705 (1953),
An aromatic sulfonic acid or a sodium salt aqueous solution or an alcoholic solution thereof is added to an aqueous solution or an alcoholic solution of a halogen, bisulfate or perchlorate of an onium compound produced by a procedure disclosed in JP-A-53-101331 or the like. It is obtained by adding and filtering the precipitate formed.

【0038】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、増感剤などを含
有させることができる。好適な染料としては油溶性染料
及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー#1
01、オイルイエロー#103、オイルピンク#31
2、オイルグリーンBG、オイルプルーBOS、オイル
ブルー#603、オイルブラックBY、オイルブラック
BS、オイルブラックT−505(以上、オリエント化
学工業株式会社製)、クリスタルバイオレット(CI4
2555)、メチルバイオレット(CI42535)、
ローダミンB(CI45170B)、マラカイトグリー
ン(CI42000)、メチレンブルー(CI1520
15)などを挙げることができる。
The photosensitive composition of the present invention may optionally contain
Further, a dye, a pigment, a plasticizer, a surfactant, a sensitizer, and the like can be contained. Suitable dyes include oil-soluble dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 1
01, oil yellow # 103, oil pink # 31
2. Oil green BG, oil proof BOS, oil blue # 603, oil black BY, oil black BS, oil black T-505 (all manufactured by Orient Chemical Industry Co., Ltd.), crystal violet (CI4
2555), methyl violet (CI42535),
Rhodamine B (CI45170B), malachite green (CI42000), methylene blue (CI1520)
15) and the like.

【0039】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独
あるいは混合して使用する。
The photosensitive composition of the present invention is dissolved in a solvent capable of dissolving the above-mentioned components, and coated on a support. Examples of the solvent used here include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, toluene, and acetic acid. Ethyl, methyl lactate, ethyl lactate, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination.

【0040】また、上記溶媒に界面活性剤を加えること
もできる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像するこ
とにより良好なレジストを得ることができる。
Further, a surfactant may be added to the above solvent. The photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) such as used in the manufacture of precision integrated circuit devices by an appropriate application method such as a spinner or a coater, and then exposed through a predetermined mask, By developing, a good resist can be obtained.

【0041】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコール類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロ
ール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の
水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類
の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して
使用することもできる。
As the developer for the photosensitive composition of the present invention,
Sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate,
Inorganic alkalis such as sodium silicate, sodium metasilicate and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, and triethylamine and methyldiethylamine Aqueous solutions of alkalis such as triamines, alcohols such as dimethylethanolamine and triethanolamine, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, cyclic amines such as pyrrole and piperidine, etc. Can be used. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the aqueous solution of the above alkalis for use.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明の感光性組成物は高感度であり、
かつ広い波長域に感光性を有し、解像力に優れたネガ型
レジスト組成物を与える。
The photosensitive composition of the present invention has high sensitivity,
In addition, a negative resist composition having photosensitivity in a wide wavelength range and having excellent resolution is provided.

【0043】[0043]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the contents of the present invention are not limited thereto.

【0044】[0044]

【合成例1】 例示化合物(1−3)の合成 ジフェニルヨードニウム過塩素酸塩36重量部を水50
0重量部に溶解した水溶液に、攪拌下、9,10−ジメ
トキシアントラセン−2−スルホン酸ナトリウム34重
量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。次いで、混合物を2時間攪拌して、生成物の沈澱を
生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄した。
次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして51.3
部、89.4%の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・
9,10−ジメトキシアントラセン−2−スルホン酸塩
を得た。
Synthesis Example 1 Synthesis of Exemplified Compound (1-3) 36 parts by weight of diphenyliodonium perchlorate was added to water 50
An aqueous solution in which 34 parts by weight of sodium 9,10-dimethoxyanthracene-2-sulfonate is dissolved in 500 parts by weight of water is gradually added dropwise to the aqueous solution dissolved in 0 part by weight with stirring. The mixture was then stirred for 2 hours, causing precipitation of the product. The product was filtered and washed with 200 parts of water.
The salt was then dried at 40 ° C. under reduced pressure. Thus 51.3
Part, the target product diphenyliodonium.
9,10-Dimethoxyanthracene-2-sulfonate was obtained.

【0045】[0045]

【合成例2】 例示化合物(2−5)の合成 トリフェニルスルホニウムクロライド30重量部を水1
00重量部に溶解した水溶液に、攪拌下2−ヒドロキシ
−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸31重
量部を水500重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。滴下終了後、混合物を2時間攪拌して生成物の沈澱
を生ぜしめた。生成物を濾過し、水200部で洗浄し
た。次いで塩を40℃で減圧下に乾燥した。かくして4
5.8部、80.4%の収率で目的物トリフェニルスルホニ
ウム・2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−
5−スルホン酸塩を得た。
Synthesis Example 2 Synthesis of Exemplified Compound (2-5) 30 parts by weight of triphenylsulfonium chloride was added to water 1
An aqueous solution in which 31 parts by weight of 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-5-sulfonic acid is dissolved in 500 parts by weight of water is gradually added dropwise to an aqueous solution dissolved in 00 parts by weight with stirring. After the addition was complete, the mixture was stirred for 2 hours, causing precipitation of the product. The product was filtered and washed with 200 parts of water. The salt was then dried at 40 ° C. under reduced pressure. Thus 4
5.8 parts, triphenylsulfonium 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone-in a yield of 80.4%
The 5-sulfonate was obtained.

【0046】[0046]

【実施例1〜3】本発明の化合物の種類を変えて、表−
1に示す3種類の感光液〔A〕−1〜〔A〕−3を調製
した。
Examples 1 to 3 By changing the type of the compound of the present invention,
Three types of photosensitive solutions [A] -1 to [A] -3 shown in No. 1 were prepared.

【0047】 表−1 ─────────────────────────────────── 〔A〕−1 〔A〕−2 〔A〕−3 ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-3)0.5g (1-9)0.5g (2-7)0.5g ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.75g ─ 0.5g メラミン ─────────────────────────────────── 2,6 −ビス(ヒドロキシ ─ 1.0g 0.5g メチル)−t−ブチル フェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 2g ─ 1.75g (m/p=40/60 モル比) (重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── ポリ(p−ヒドロキシ スチレン) ─ 1.75g ─ (重量平均分子量10,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g 10g ───────────────────────────────────Table-1 ─────────────────────────────────── [A] -1 [A]- 2 [A] -3} Compound of the present invention (1-3) 0.5g (1-9) 0.5g (2-7) 0.5g ──────────────────────────────────ヘ キ サ Hexamethoxymethyl 0.75g ─ 0.5g Melamine ─────────────────────────────────── 2,6 -Bis (hydroxy) {1.0 g 0.5 g methyl) -t-butyl phenol ─── m, p-cresol novolak resin 2 g ─ 1.75 g (m / p = 40/60 molar ratio) (weight average molecular weight 8,000) ──────────────── ─ポ リ Poly (p-hydroxystyrene) ─ 1.75 g ─ (weight average molecular weight 10,000) ──────────────溶 剤 Solvent (diglyme) 10g 10g 10g ────────────────────── ─────────────

【0048】[0048]

【比較例1〜3】次に比較例として下記の表−2に示す
感光液〔B〕−1〜〔B〕−3を調製した。
Comparative Examples 1 to 3 Next, as comparative examples, photosensitive solutions [B] -1 to [B] -3 shown in Table 2 below were prepared.

【0049】 表−2 ─────────────────────────────────── 〔B〕−1 〔B〕−2 〔B〕−3 ─────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ 0.5g 0.5g ─ ヘキサフルオロホスフェー ト塩 ─────────────────────────────────── 2,4-ビス(トリクロロメチル) −6−(p−メトキシフェニル) ─ ─ 0.5g −s−トリアジン ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.75g ─ 0.75g メラミン ─────────────────────────────────── 2,6-ビス(ヒドロキシメチル) ─ 0.75g ─ −t−ブチルフェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 (m/p=40/60 モル比) 2g 2g 2g (重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g 10g ───────────────────────────────────Table-2 ─────────────────────────────────── [B] -1 [B]- 2 [B] -3 @ diphenyliodonium 0.5 g 0.5 g ─ Hexafluorophosphate salt ─────────────────────────────────── 2,4-bis (trichloromethyl ) -6- (p-methoxyphenyl) ─ ─ 0.5 g -s-triazineヘ キ サ Hexamethoxymethyl 0.75 g ─ 0.75 g melamine ─────────────────────────────────── 2,6-bis (hydroxymethyl) ─0.75 g ─-t-butylphenol ─────────────────────────────────── m, p-cresol novolak resin (m / p = 40 2g 2g 2g (weight average molecular weight 8,000) 溶 剤 Solvent (Diglyme) 10g 10g 10g ───────────────────────────────────

【0050】[0050]

【感光性組成物の調製と評価】表−1及び表−2に示す
感光液をスピナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
窒素雰囲気下の対流オーブンで90℃、30分間乾燥し
て、膜厚1.2μm のレジスト膜を得た。
[Preparation and evaluation of photosensitive composition] The photosensitive solutions shown in Tables 1 and 2 were applied to a silicon wafer using a spinner,
The resist film was dried in a convection oven under a nitrogen atmosphere at 90 ° C. for 30 minutes to obtain a resist film having a thickness of 1.2 μm.

【0051】この膜に縮少投影露光装置(キャノン社製
i線ステッパー)を用いテストチャートマスクを介して
露光した後、ホットプレートにて90℃、1分間ポスト
ベークし、次いで2.38%のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で1分間現像し、30秒間水洗して
乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハーの
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジス
トを評価した。その結果を表−3に示す。
After exposing the film through a test chart mask using a reduced projection exposure apparatus (i-line stepper manufactured by Canon Inc.), the film was post-baked on a hot plate at 90 ° C. for 1 minute, and then 2.38% The film was developed with an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 1 minute, washed with water for 30 seconds and dried. The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist. Table 3 shows the results.

【0052】感度は0.70μm のマスクパターンを再現
する露光量の逆数をもって定義し、比較例3の感度の相
対値で示した。
The sensitivity was defined as the reciprocal of the exposure amount for reproducing a 0.70 μm mask pattern, and was shown as a relative value of the sensitivity of Comparative Example 3.

【0053】残膜率は露光部の現像前後の膜厚の比の百
分率で表した。解像力は0.70μm のマスクパターンを
再現する露光量における限界解像力を表す。
The residual film ratio was expressed as a percentage of the ratio of the film thickness of the exposed portion before and after development. The resolving power indicates a limit resolving power at an exposure amount for reproducing a 0.70 μm mask pattern.

【0054】 表−3 ─────────────────────────────────── 感光度 相対感度 解像力 残膜率 レジストパターン (μm ) (%) のプロファイル ─────────────────────────────────── 実施例1 〔A〕−1 32.5 0.37 100 良 好 2 〔A〕−2 21.0 0.37 98 良 好 3 〔A〕−3 28.5 0.37 99 良 好 ─────────────────────────────────── 比較例1 〔B〕−1 画像得られず ─ 0 ─ 2 〔B〕−2 画像得られず ─ 0 ─ 3 〔B〕−3 1.0 0.45 82 丸味あり ─────────────────────────────────── これから判るように、本発明のオニウム化合物の芳香族
スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力、
残膜率、及びレジストパターンのプロファイルにおいて
優れた性能を示す。
Table 3 ─────────────────────────────────── Photosensitivity Relative sensitivity Resolution Power Remaining film ratio Resist Pattern (μm) (%) Profile ─────────────────────────────────── Example 1 [A] -1 32.5 0.37 100 good 2 [A] -2 21.0 0.37 98 good 3 [A] -3 28.5 0.37 99 good ─────────比較 Comparative Example 1 [B] -1 image not obtained 0 0 ─ 2 [B] -2 image obtained ─ 0 ─ 3 [B] -3 1.0.45 82 Rounded ───────────────────────────────る よ う As can be seen, the aromatic sulfonate of the onium compound of the present invention was used. The photosensitive composition was sensitive,
Excellent performance in residual film ratio and resist pattern profile.

【0055】[0055]

【実施例4〜6】本発明の化合物の種類を変えて表−4
に示す3種類の感光液〔A〕−4〜〔A〕−6を調製し
た。
Examples 4 to 6 Table 4 by changing the kind of the compound of the present invention.
The following three types of photosensitive solutions [A] -4 to [A] -6 were prepared.

【0056】 表−4 ─────────────────────────────────── 〔A〕−4 〔A〕−5 〔A〕−6 ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-1)0.5g (1-1)0.5g (1-3)0.5g ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.8g 0.8g ─ メラミン ─────────────────────────────────── 2,6 −ビス(ヒドロキシ ─ ─ 0.8g メチル)−t−ブチル フェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 2g ─ 2g (m/p=50/50 モル比) (重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── ポリ(p−ヒドロキシ スチレン) ─ 2g ─ (重量平均分子量20,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g 10g ───────────────────────────────────Table-4 ─────────────────────────────────── [A] -4 [A]- 5 [A] -6} Compound of the Present Invention (1-1) 0.5g (1-1) 0.5g (1-3) 0.5g ──────────────────────────────────ヘ キ サ Hexamethoxymethyl 0.8g 0.8g ─ Melamine ─────────────────────────────────── 2,6 -Bis (hydroxy) {0.8 g methyl) -t-butyl phenol ─ m, p-cresol novolak resin 2 g ─ 2 g (m / p = 50/50 molar ratio) (weight average molecular weight 8,000) ──────────────────── ─ポ リ Poly (p-hydroxystyrene) ─ 2 g ─ (weight average molecular weight 20,000) ─────────────────────溶 剤 Solvent (diglyme) 10g 10g 10g ───────────────────────────── ──────

【0057】[0057]

【比較例4及び5】[Comparative Examples 4 and 5]

【0058】次に比較例として下記の表−5に示す感光
液〔B〕−4及び〔B〕−5を調製した。
Next, as comparative examples, photosensitive solutions [B] -4 and [B] -5 shown in Table 5 below were prepared.

【0059】 表−5 ─────────────────────────────────── 〔B〕−4 〔B〕−5 ─────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ ヘキサフルオロホスフェー 0.5g ─ ト塩 ─────────────────────────────────── トリフェニルスルホニウム・ ─ 0.5g テトラフロロボレート塩 ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.8g 0.8g メラミン ─────────────────────────────────── ポリ(p−ヒドロキシスチレ ン) 2g 2g (重量平均分子量:20,000) ─────────────────────────────────── 溶剤(ジグライム) 10g 10g ───────────────────────────────────Table-5 ─────────────────────────────────── [B] -4 [B]- 5 ─────────────────────────────────── diphenyliodonium hexafluorophosphate 0.5 g ─ salt ─ ────────────────────────────────── Triphenylsulfonium ・ ─ 0.5g Tetrafluoroborate salt ────ヘ キ サ Hexamethoxymethyl 0.8g 0.8g Melamine ─────────ポ リ 2 g of poly (p-hydroxystyrene) 2 g (weight average molecular weight: 20,000) ─────── ──────────────── ─────────── Solvent (diglyme) 10g 10g ───────────────────────────────── ──

【0060】表−4及び表−5に示す感光液をスピナー
を用いてシリコンウェハーに塗布し、90℃のホットプ
レートで60秒間乾燥して、膜厚1.0μm のレジスト膜
を得た。露光には低圧水銀灯を用い、これに干渉フィル
ターを取りつけて、254nmの単一波長の光を露光光と
した。露光面での光強度は平均で約1.5mW/cm2であっ
た。最小線巾が0.5μm である石英製クロムテストマス
クを通して所望パターンの露光を行なった。露光後直ち
に100℃のホットプレートで60秒間加熱し、次いで
2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で1分間現像し、30秒間水洗して乾燥した。
The photosensitive solutions shown in Tables 4 and 5 were applied to a silicon wafer using a spinner and dried on a hot plate at 90 ° C. for 60 seconds to obtain a resist film having a thickness of 1.0 μm. A low-pressure mercury lamp was used for the exposure, and an interference filter was attached to the exposure, and light having a single wavelength of 254 nm was used as exposure light. The light intensity on the exposed surface was about 1.5 mW / cm 2 on average. The desired pattern was exposed through a quartz chrome test mask having a minimum line width of 0.5 μm. Immediately after exposure, heat on a hot plate at 100 ° C for 60 seconds, and then
The film was developed with a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 1 minute, washed with water for 30 seconds and dried.

【0061】このようにして得られたシリコンウェハー
のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
ストを評価した。評価は実施例1〜3と同様に行ない表
−6に示す結果を得た。なお、相対感度は実施例−4の
感度に対する相対値で示した。
The resist pattern of the silicon wafer thus obtained was observed with a scanning electron microscope to evaluate the resist. The evaluation was performed in the same manner as in Examples 1 to 3, and the results shown in Table 6 were obtained. The relative sensitivity was shown as a relative value to the sensitivity of Example-4.

【0062】 表−6 ─────────────────────────────────── 感光液 相対感度 解像力 残膜率 (μm ) (%) ──────────────────────────────────── 実施例4 〔A〕−4 1.0 0.50 99 5 〔A〕−5 1.8 0.52 100 6 〔A〕−6 1.1 0.50 99 比較例4 〔B〕−4 0.4 0.57 92 5 〔B〕−5 0.5 0.60 93 ─────────────────────────────────── これから判るように本発明のオニウム化合物の芳香族ス
ルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力及び
残膜率において優れた性能を示す。
Table 6 ─────────────────────────────────── Photosensitive Liquid Relative Sensitivity Resolution Power Remaining Film Ratio ( μm) (%) ──────────────────────────────────── Example 4 [A] -41 0.0 0.50 995 [A] -5 1.8 0.52 100 6 [A] -6 1.1 0.50 99 Comparative Example 4 [B] -4 0.4 0.57 925 [B ] -5 0.5 0.60 93 本 As you can see from this book The photosensitive composition using the aromatic sulfonate of the onium compound of the present invention exhibits excellent performance in sensitivity, resolution and remaining film ratio.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−179355(JP,A) 特開 平2−150848(JP,A) 特開 平2−170165(JP,A) 特開 平3−107162(JP,A) 特開 平3−154059(JP,A) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-3-179355 (JP, A) JP-A-2-150848 (JP, A) JP-A-2-170165 (JP, A) JP-A-3-179 107162 (JP, A) JP-A-3-154059 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 酸を触媒とする反応により現像液に対す
る親和性あるいは溶解性が減少する性質を有する化合物
とオニウム化合物の縮合多核芳香族スルホン酸塩又は芳
香環を2個以上有するスルホン酸塩を含むことを特徴と
する化学増幅系感光性組成物。
1. A condensed polynuclear aromatic sulfonic acid salt of a compound having a property of decreasing affinity or solubility in a developer by an acid-catalyzed reaction and an onium compound,
A chemically amplified photosensitive composition comprising a sulfonate having two or more aromatic rings .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550004A (en) * 1992-05-06 1996-08-27 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chemically amplified radiation-sensitive composition
TW338125B (en) * 1993-02-26 1998-08-11 Hoechst Celanese Corp Novel matriz resin and its preparation and use in high-temperature stable photoimageable compositions
US6213042B1 (en) * 1999-03-01 2001-04-10 Barry E. Delfosse Small waterplane area multihull (SWAMH) vessel with submerged turbine drive
JP4070393B2 (en) * 2000-01-17 2008-04-02 富士フイルム株式会社 Negative resist composition
US6576394B1 (en) * 2000-06-16 2003-06-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Negative-acting chemically amplified photoresist composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02150848A (en) * 1988-12-02 1990-06-11 Hitachi Ltd Photofadable and radiation sensitive composition and pattern forming method by using this composition
JPH02170165A (en) * 1988-12-23 1990-06-29 Hitachi Ltd Radiation sensitive composition and pattern forming method using this composition
JP2660352B2 (en) * 1989-09-20 1997-10-08 日本ゼオン株式会社 Resist composition
JPH03179355A (en) * 1989-10-06 1991-08-05 Hitachi Ltd Radiation sensitive composition and pattern forming method using this composition
JP2599007B2 (en) * 1989-11-13 1997-04-09 富士写真フイルム株式会社 Positive photosensitive composition

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