JP2547944B2 - 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法 - Google Patents
二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法Info
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Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、共有結合をしたジアゾナフトキ
ノンスルホニルオキシ基を有するベンジルシルセスキオ
キサン樹脂からなるレジスト組成物を使用して、中およ
び深ＵＶ放射線により０.５μｍより小さい寸法をもつ
マイクロリソグラフパターンを作成する方法に関する。
さらに本発明は超高密度集積回路（ＶＬＳＩ）および超
大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体デバイスの製造の際に、
ポリマー下層にサブ−ハーフミクロンの図形（featur
e）を転写するためこのような組成物をエッチバリアー
マスクとして使用する二層リソグラフ法に関する。
ノンスルホニルオキシ基を有するベンジルシルセスキオ
キサン樹脂からなるレジスト組成物を使用して、中およ
び深ＵＶ放射線により０.５μｍより小さい寸法をもつ
マイクロリソグラフパターンを作成する方法に関する。
さらに本発明は超高密度集積回路（ＶＬＳＩ）および超
大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体デバイスの製造の際に、
ポリマー下層にサブ−ハーフミクロンの図形（featur
e）を転写するためこのような組成物をエッチバリアー
マスクとして使用する二層リソグラフ法に関する。
【０００２】
【背景技術】超高密度集積回路（ＶＬＳＩ）と超大規模
集積回路（ＵＬＳＩ）の形成には、サブ−ハーフミクロ
ンサイズのデバイスの高処理量製造に使用することので
きるレジスト材料とリソグラフ法とが望ましい。ポジ型
の、水性塩基で現像しうる、酸増幅法にもとずく単層ホ
トレジスト、およびこれを使用するリソグラフ法は良く
知られている。高い開口値をもつレンズと組み合わせて
短波長の露光用光源を使用するリソグラフ法では、酸増
幅された単層レジストはサブ−ハーフミクロンの解像力
を与えることができる。しかしながら、このような波長
での露光用装置の焦点深度は限られている。その上、酸
増幅深ＵＶ（ＤＵＶ）レジストは環境汚染にしばしば高
い感受性を示し、レジスト材料の取扱いまたは貯蔵につ
いて特別な処置を必要とするのである。
集積回路（ＵＬＳＩ）の形成には、サブ−ハーフミクロ
ンサイズのデバイスの高処理量製造に使用することので
きるレジスト材料とリソグラフ法とが望ましい。ポジ型
の、水性塩基で現像しうる、酸増幅法にもとずく単層ホ
トレジスト、およびこれを使用するリソグラフ法は良く
知られている。高い開口値をもつレンズと組み合わせて
短波長の露光用光源を使用するリソグラフ法では、酸増
幅された単層レジストはサブ−ハーフミクロンの解像力
を与えることができる。しかしながら、このような波長
での露光用装置の焦点深度は限られている。その上、酸
増幅深ＵＶ（ＤＵＶ）レジストは環境汚染にしばしば高
い感受性を示し、レジスト材料の取扱いまたは貯蔵につ
いて特別な処置を必要とするのである。
【０００３】高解像度パターンを得るための、単層レジ
ストによる方法より優れた本発明の一つの改良方法は比
較的うすい像形成層、典型的には１.０〜１.５μｍ厚み
の平面化層上の０.２〜０.４μｍの厚みをもつイメージ
ング層を利用する二層リソグラフ法を必要とする。この
ような方法において、上層のレジスト材料はいくつかの
基本的な特性要件を満たさねばならない。これらには高
解像度、良好な画質、下層中にレジストパターンを乾式
エッチ転写後の低バイアス（bias）に対する高いＯ2エ
ッチ抵抗性、プロセスの再現性、および高処理量のため
の集中製造の適合性などが含まれる。光生成した酸の増
幅作用に基づかない既存のレジスト組成物は、水銀アー
クＤＵＶステッパーによる経済的処理量に必要な感度を
有しない。このような組成物はまたエキシマレーザーに
よるＤＵＶ光源にも有効性が限定されている。
ストによる方法より優れた本発明の一つの改良方法は比
較的うすい像形成層、典型的には１.０〜１.５μｍ厚み
の平面化層上の０.２〜０.４μｍの厚みをもつイメージ
ング層を利用する二層リソグラフ法を必要とする。この
ような方法において、上層のレジスト材料はいくつかの
基本的な特性要件を満たさねばならない。これらには高
解像度、良好な画質、下層中にレジストパターンを乾式
エッチ転写後の低バイアス（bias）に対する高いＯ2エ
ッチ抵抗性、プロセスの再現性、および高処理量のため
の集中製造の適合性などが含まれる。光生成した酸の増
幅作用に基づかない既存のレジスト組成物は、水銀アー
クＤＵＶステッパーによる経済的処理量に必要な感度を
有しない。このような組成物はまたエキシマレーザーに
よるＤＵＶ光源にも有効性が限定されている。
【０００４】本発明の二層レジスト法による別の改良は
光学的な干渉作用の抑制に関するものである。反射性の
表面またはラインエッジ上の単色光によるパターン露光
は、入射光と干渉する界面反射によりレジスト内部に定
常波を生ずることが一般に知られている。この散乱と干
渉の両効果は、レジストの解像力に不都合な作用をし、
サブ−ハーフミクロンの寸法に必要なライン幅のコント
ロールに大きな問題となる。光散乱と界面反射に伴うこ
れらの問題を解決するためにもっとも普通に用いられた
アプローチの１つは下層中に吸収性の色素を添加するこ
とである。しかしながら、下層に添加された色素は下層
／基板界面の反射を減少するには効果的であるが、像形
成用レジスト／下層界面の反射を減少するのには効果的
でない。
光学的な干渉作用の抑制に関するものである。反射性の
表面またはラインエッジ上の単色光によるパターン露光
は、入射光と干渉する界面反射によりレジスト内部に定
常波を生ずることが一般に知られている。この散乱と干
渉の両効果は、レジストの解像力に不都合な作用をし、
サブ−ハーフミクロンの寸法に必要なライン幅のコント
ロールに大きな問題となる。光散乱と界面反射に伴うこ
れらの問題を解決するためにもっとも普通に用いられた
アプローチの１つは下層中に吸収性の色素を添加するこ
とである。しかしながら、下層に添加された色素は下層
／基板界面の反射を減少するには効果的であるが、像形
成用レジスト／下層界面の反射を減少するのには効果的
でない。
【０００５】従って、二層オーバーレイレジストのため
の前記の要求に加えて、平面化下層はまたある種の特定
な基本的光学特性をもたねばならない。下層にとって界
面反射と散乱効果により生ずるライン幅コントロールの
問題を無くすための重要な２つの要件は、（ａ）上部レ
ジストの露光波長における高い光学密度；（ｂ）上部レ
ジスト層の屈折率と一致する屈折率、である。
の前記の要求に加えて、平面化下層はまたある種の特定
な基本的光学特性をもたねばならない。下層にとって界
面反射と散乱効果により生ずるライン幅コントロールの
問題を無くすための重要な２つの要件は、（ａ）上部レ
ジストの露光波長における高い光学密度；（ｂ）上部レ
ジスト層の屈折率と一致する屈折率、である。
【０００６】
【発明の要点】本発明の１つの目的は、サブ−ハーフミ
クロンに適用するための、ジアゾナフトキノンベースの
珪素含有レジストを用いた光学露光を使用する二層リソ
グラフ法を提供することである。本発明の別の目的は、
ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩデバイスの高処理量で集中製造
するための、低コストで、高感度の、環境的に安定な珪
素含有レジストによる改良された二層リソグラフ法を提
供することである。
クロンに適用するための、ジアゾナフトキノンベースの
珪素含有レジストを用いた光学露光を使用する二層リソ
グラフ法を提供することである。本発明の別の目的は、
ＶＬＳＩおよびＵＬＳＩデバイスの高処理量で集中製造
するための、低コストで、高感度の、環境的に安定な珪
素含有レジストによる改良された二層リソグラフ法を提
供することである。
【０００７】さらに本発明の目的は、ｉ−線（３６５n
m）、またはエキシマレーザーＤＵＶあるいは広域ＤＵ
Ｖ（約１７０〜３００μｍの波長範囲）露光を使用し、
２μｍまでの厚みのポリマー下層を通じたＯ2ＲＩＥに
よる垂直な壁断面をもつシャープな０.３５μｍと０.２
０μｍの図形を描くための、新規な珪素含有レジストを
用いた二層リソグラフ法を提供することである。
m）、またはエキシマレーザーＤＵＶあるいは広域ＤＵ
Ｖ（約１７０〜３００μｍの波長範囲）露光を使用し、
２μｍまでの厚みのポリマー下層を通じたＯ2ＲＩＥに
よる垂直な壁断面をもつシャープな０.３５μｍと０.２
０μｍの図形を描くための、新規な珪素含有レジストを
用いた二層リソグラフ法を提供することである。
【０００８】なお別の本発明の目的は高コントラストの
珪素含有レジストを露光波長における高い光学密度と屈
折率がこの珪素レジストのそれと一致するポリイミド下
層と組み合わせて使用する、改良された二層レジスト構
造を提供することである。本発明の別の目的は、ポリマ
ー下層中に線幅の偏りまたは変化なしに、サブ−ハーフ
ミクロンのレジストパターンのエッチ転写をするための
改良された二層リソグラフ構造を提供することである。
珪素含有レジストを露光波長における高い光学密度と屈
折率がこの珪素レジストのそれと一致するポリイミド下
層と組み合わせて使用する、改良された二層レジスト構
造を提供することである。本発明の別の目的は、ポリマ
ー下層中に線幅の偏りまたは変化なしに、サブ−ハーフ
ミクロンのレジストパターンのエッチ転写をするための
改良された二層リソグラフ構造を提供することである。
【０００９】さらに本発明の目的は、大きなプロセスラ
チチュードをもち、そして解像力とＯ2反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）によるポリマー下層中（この下層は
処理サイクル後に容易にストリップし得る）への、レジ
ストパターンのシャープな転写の点で機能的に一貫性を
もつ、高感度の高コントラスト珪素含有レジストを提供
することである。本発明はまた珪素含有レジストを使用
し、ｇ−線(４３６μｍ)、ｉ−線、またはエキシマレー
ザーＤＵＶ露光によって、２μｍ厚みまでの可溶性ポリ
イミド中にＯ2 ＲＩＥにより、リフト−オフ用に使用す
るアンダーカットな断面をもつサブ−ミクロンパターン
を描くための、二層リソグラフ法を提供するものであ
る。
チチュードをもち、そして解像力とＯ2反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）によるポリマー下層中（この下層は
処理サイクル後に容易にストリップし得る）への、レジ
ストパターンのシャープな転写の点で機能的に一貫性を
もつ、高感度の高コントラスト珪素含有レジストを提供
することである。本発明はまた珪素含有レジストを使用
し、ｇ−線(４３６μｍ)、ｉ−線、またはエキシマレー
ザーＤＵＶ露光によって、２μｍ厚みまでの可溶性ポリ
イミド中にＯ2 ＲＩＥにより、リフト−オフ用に使用す
るアンダーカットな断面をもつサブ−ミクロンパターン
を描くための、二層リソグラフ法を提供するものであ
る。
【００１０】〔具体的説明〕本発明によれば、サブ−ハ
ーフミクロンのリソグラフパターンは、係属中の米国特
許第０７／８７６,２７７号に開示の感光性珪素含有レ
ジスト組成物から選ばれたものの１つを使用して形成す
ることができ、この開示を参照により本明細書中に組入
れる。
ーフミクロンのリソグラフパターンは、係属中の米国特
許第０７／８７６,２７７号に開示の感光性珪素含有レ
ジスト組成物から選ばれたものの１つを使用して形成す
ることができ、この開示を参照により本明細書中に組入
れる。
【００１１】このような組成物は、以下の式により表わ
される置換ポリ−〔ｐ−ヒドロキシ−ベンジルシルセス
キオキサン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキ
サン−コ−ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホ
ニルオキシ）シルセスキオキサン〕よりなる群から選ば
れた、ジアゾナフトキノン基により部分的にエステル化
されたシルセスキオキサンポリマーを含有するフェノー
ル性のヒドロキシからなる：
される置換ポリ−〔ｐ−ヒドロキシ−ベンジルシルセス
キオキサン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキ
サン−コ−ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホ
ニルオキシ）シルセスキオキサン〕よりなる群から選ば
れた、ジアゾナフトキノン基により部分的にエステル化
されたシルセスキオキサンポリマーを含有するフェノー
ル性のヒドロキシからなる：
【化５】 式中、（１） ＲはＨまたはＳｉ(ＣＨ3)3のいずれかで
あり、（２） Ａｒは独立して、それぞれ以下の式で表
わされる、ｐ−ヒドロキシフェニル、ｐ−メトキシフェ
ニル、またはｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスル
ホニルオキシ）フェニルであり、
あり、（２） Ａｒは独立して、それぞれ以下の式で表
わされる、ｐ−ヒドロキシフェニル、ｐ−メトキシフェ
ニル、またはｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスル
ホニルオキシ）フェニルであり、
【化６】
【００１２】（３） ＤＱは、それぞれ以下の式で表わ
される、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４残基（４−
ＤＱ）または２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５残基
（５−ＤＱ）またはその混合物であり、
される、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４残基（４−
ＤＱ）または２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５残基
（５−ＤＱ）またはその混合物であり、
【化７】 （４） ｎは１０〜２０の整数であり；そして（５）
ｐ−ヒドロキシフェニル基／ｐ−メトキシフェニル基／
ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニルオキ
シ）フェニル基のモル比は６７：２５：８から６０：２
５：１５の範囲であり、６４：３０：６から５８：３
０：１２までの範囲内である。
ｐ−ヒドロキシフェニル基／ｐ−メトキシフェニル基／
ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニルオキ
シ）フェニル基のモル比は６７：２５：８から６０：２
５：１５の範囲であり、６４：３０：６から５８：３
０：１２までの範囲内である。
【００１３】ＯＨ：ＯＣＨ3：ＯＳＯ2ＤＱの相対比を、
ＯＨ ５８〜６７％、ＯＣＨ3 ２５〜３０％、そしてＯ
ＳＯ2ＤＱを６〜１５％の狭い範囲内に維持したとき、
これらから誘導される二層レジストは比較的低い露光量
で中ＵＶ放射線を使用して、極めて小さいサブ−ミクロ
ン画像の解像に有用であるということが予期せずに見出
された。またＯＨ：ＯＣＨ3：ＯＳＯ2ＤＱの相対比を、
ＯＨ ５８〜６７％、ＯＣＨ3 ２５〜３０％、そしてＯ
ＳＯ2ＤＱを６〜１２％のせまい範囲内に維持したと
き、これらから誘導される二層レジストは比較的低い露
光量で深ＵＶ放射線を使用して、極めて小さいサブ−ミ
クロン画像の解像に有用であるということも予期せずに
見出された。メトキシ基の相対的比率が範囲の上限、す
なわち約３０％であるときは、ＯＳＯ2ＤＱ基の下限の
相対比、すなわち約６〜８％が好ましい。
ＯＨ ５８〜６７％、ＯＣＨ3 ２５〜３０％、そしてＯ
ＳＯ2ＤＱを６〜１５％の狭い範囲内に維持したとき、
これらから誘導される二層レジストは比較的低い露光量
で中ＵＶ放射線を使用して、極めて小さいサブ−ミクロ
ン画像の解像に有用であるということが予期せずに見出
された。またＯＨ：ＯＣＨ3：ＯＳＯ2ＤＱの相対比を、
ＯＨ ５８〜６７％、ＯＣＨ3 ２５〜３０％、そしてＯ
ＳＯ2ＤＱを６〜１２％のせまい範囲内に維持したと
き、これらから誘導される二層レジストは比較的低い露
光量で深ＵＶ放射線を使用して、極めて小さいサブ−ミ
クロン画像の解像に有用であるということも予期せずに
見出された。メトキシ基の相対的比率が範囲の上限、す
なわち約３０％であるときは、ＯＳＯ2ＤＱ基の下限の
相対比、すなわち約６〜８％が好ましい。
【００１４】また、レジストは高度の再限特性と高いプ
ロセスラチチュードとを示すものである。特に、これら
の組成物から誘導されたレジストフィルムは、ｉ−線放
射線で０.２５μｍの解像力またはエキシマレーザーＤ
ＵＶ放射線で０.２μｍの解像力を、約１５〜２０mJ／c
m2より少ない露光量で与え得ることが認められた。さら
に、これらの高解像性のパターンは種々の下層、たとえ
ばベークしたノボラック樹脂類、可溶性ポリイミド、た
とえばCiba-Geigy Probimide XU-9307、またはポリイミ
ド鎖中にヘキサフルオロイソプロピリデン基〔＞Ｃ(Ｃ
Ｆ3)2〕を含むDupont RC2566、低い熱膨張係数（低ＴＣ
Ｅ）ＢＰＤＡ−ＰＤＡを含むその他のポリイミド、およ
び高い光学的濃度と上部のレジストに一致した屈折率と
を有するその他のポリイミド下層などにＯ2ＲＩＥエッ
チで転写することができる。
ロセスラチチュードとを示すものである。特に、これら
の組成物から誘導されたレジストフィルムは、ｉ−線放
射線で０.２５μｍの解像力またはエキシマレーザーＤ
ＵＶ放射線で０.２μｍの解像力を、約１５〜２０mJ／c
m2より少ない露光量で与え得ることが認められた。さら
に、これらの高解像性のパターンは種々の下層、たとえ
ばベークしたノボラック樹脂類、可溶性ポリイミド、た
とえばCiba-Geigy Probimide XU-9307、またはポリイミ
ド鎖中にヘキサフルオロイソプロピリデン基〔＞Ｃ(Ｃ
Ｆ3)2〕を含むDupont RC2566、低い熱膨張係数（低ＴＣ
Ｅ）ＢＰＤＡ−ＰＤＡを含むその他のポリイミド、およ
び高い光学的濃度と上部のレジストに一致した屈折率と
を有するその他のポリイミド下層などにＯ2ＲＩＥエッ
チで転写することができる。
【００１５】本発明の一実施態様によれば、感光性の珪
素含有ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジル−シルセスキオキ
サン−コ−ｐ−メトキシベンジル−シルセスキオキサ
ン）は、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５−スルホニ
ルクロライド、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４−ス
ルホニルクロライド、またはこれらの混合物を、ポリ−
（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン）のフェノール
性ヒドロキシ基と反応させることにより生成される。こ
の出発材料のシルセスキオキサン樹脂とその製造法は、
Sugiyama氏他の米国特許第４,７４５,１６９号中で述べ
られている。
素含有ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジル−シルセスキオキ
サン−コ−ｐ−メトキシベンジル−シルセスキオキサ
ン）は、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５−スルホニ
ルクロライド、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４−ス
ルホニルクロライド、またはこれらの混合物を、ポリ−
（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン）のフェノール
性ヒドロキシ基と反応させることにより生成される。こ
の出発材料のシルセスキオキサン樹脂とその製造法は、
Sugiyama氏他の米国特許第４,７４５,１６９号中で述べ
られている。
【００１６】本発明によれば、出発材料のポリ−（ｐ−
ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−メト
キシベンジルシルセスキオキサン）は、Sugiyama特許中
で用いられた(ＣＨ3)3ＳｉＣｌヨウ化ナトリウム、およ
びアセトニトリルの代わりに、Hefferon氏他により、IB
M Technical Disclosure Bulletin, 34, 313 (1991）で
述べられているような、ボロントリブロマイドを使用す
るポリ−（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン）
の部分的脱メチル化によって得られる。ボロントリブロ
マイド（ＢＢｒ3）の媒介によるメトキシ基の脱メチル
反応で水酸基を形成させることは文献中、たとえば、J.
F. W. McComie と M. L. Watts, Chem.Ind., 1658 (19
63); J. F. W. McComie と M. L. Watts, Tetrahedron,
24, 2289 (1968）、などで良く知られている。
ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−メト
キシベンジルシルセスキオキサン）は、Sugiyama特許中
で用いられた(ＣＨ3)3ＳｉＣｌヨウ化ナトリウム、およ
びアセトニトリルの代わりに、Hefferon氏他により、IB
M Technical Disclosure Bulletin, 34, 313 (1991）で
述べられているような、ボロントリブロマイドを使用す
るポリ−（ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン）
の部分的脱メチル化によって得られる。ボロントリブロ
マイド（ＢＢｒ3）の媒介によるメトキシ基の脱メチル
反応で水酸基を形成させることは文献中、たとえば、J.
F. W. McComie と M. L. Watts, Chem.Ind., 1658 (19
63); J. F. W. McComie と M. L. Watts, Tetrahedron,
24, 2289 (1968）、などで良く知られている。
【００１７】本発明の目的のため、出発樹脂のポリ−
（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン）は、ヒドロキ
シ基７０〜７５％とメトキシ基２５〜３０％とを含んで
いる。感光性のジアゾナフトキノン基は、２−ジアゾ−
１−ナフトキノン−４−スルホニルクロライドを、有効
なフェノール性ヒドロキシ基の８〜１５％と反応させる
ことによりこのポリマーに結合される。
（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン）は、ヒドロキ
シ基７０〜７５％とメトキシ基２５〜３０％とを含んで
いる。感光性のジアゾナフトキノン基は、２−ジアゾ−
１−ナフトキノン−４−スルホニルクロライドを、有効
なフェノール性ヒドロキシ基の８〜１５％と反応させる
ことによりこのポリマーに結合される。
【００１８】３０００〜３５００Åの厚みの４−ＤＱベ
ースのレジストフィルムは、約２０mJ／cm2以下の露光
量を使用しｉ−線またはエキシマレーザーＤＵＶ光源に
よりパターン形成することができる。０.２５μｍの解
像力が現像中のフィルム薄層化約５％以下で得られた。
３５００Å厚みの５−ＤＱベースのレジストフィルム
は、約３０mJ／cm2以下の露光量を使用しｇ−線光源に
よりパターン形成することができる。０.４５μｍの解
像力が現像中のフィルム薄層化約５％以下で得られた。
ースのレジストフィルムは、約２０mJ／cm2以下の露光
量を使用しｉ−線またはエキシマレーザーＤＵＶ光源に
よりパターン形成することができる。０.２５μｍの解
像力が現像中のフィルム薄層化約５％以下で得られた。
３５００Å厚みの５−ＤＱベースのレジストフィルム
は、約３０mJ／cm2以下の露光量を使用しｇ−線光源に
よりパターン形成することができる。０.４５μｍの解
像力が現像中のフィルム薄層化約５％以下で得られた。
【００１９】本発明によれば、珪素含有の二層レジスト
組成物を使用する一次的のサブ−ハーフミクロンリソグ
ラフパターンの形成方法は以下の利点を備えている。レ
ジスト処方物は増感剤または溶解抑止剤の添加を要しな
い一成分ポリマー系から誘導される。シリコンウエハー
または有機ポリマー層上に１５００から４０００Åの範
囲の厚みにまでスピン塗布することにより、欠陥のない
フィルムを形成することができる。レジスト処方物は、
特別な取扱い、保存、または処理コントロールなどを要
することなく、環境に対し安定である。
組成物を使用する一次的のサブ−ハーフミクロンリソグ
ラフパターンの形成方法は以下の利点を備えている。レ
ジスト処方物は増感剤または溶解抑止剤の添加を要しな
い一成分ポリマー系から誘導される。シリコンウエハー
または有機ポリマー層上に１５００から４０００Åの範
囲の厚みにまでスピン塗布することにより、欠陥のない
フィルムを形成することができる。レジスト処方物は、
特別な取扱い、保存、または処理コントロールなどを要
することなく、環境に対し安定である。
【００２０】このリソグラフパターンは残留物の生成な
しに、また像の鮮明度を実質的に失うことなくＯ2ＲＩ
Ｅによりポリマー下層中に転写することができる。この
珪素含有レジストのサブ−ハーフミクロンパターンの転
写エッチングに適するポリマー下層には、ＢＰＤＡ−Ｐ
ＤＡのようなポリイミド誘電体、またはCiba-Geigy 287
もしくはDuPont RC2566のような可溶性ポリイミドなど
の知られた市販の組成物を含むハードベークしたノボラ
ツク−ジアゾナフトキノンベースのレジストが含まれ
る。
しに、また像の鮮明度を実質的に失うことなくＯ2ＲＩ
Ｅによりポリマー下層中に転写することができる。この
珪素含有レジストのサブ−ハーフミクロンパターンの転
写エッチングに適するポリマー下層には、ＢＰＤＡ−Ｐ
ＤＡのようなポリイミド誘電体、またはCiba-Geigy 287
もしくはDuPont RC2566のような可溶性ポリイミドなど
の知られた市販の組成物を含むハードベークしたノボラ
ツク−ジアゾナフトキノンベースのレジストが含まれ
る。
【００２１】本発明の好ましい実施態様によれば、下層
は上部レジストの像露光に使用される波長において、約
１.０〜２.０／μｍの範囲内の高い光学濃度を有してい
る。また、屈折率はレジストの屈折率１.５９と同様で
ある。これらの各特性は光学的な干渉効果の抑止に有用
であり、既知のものより優れた改良点である。マトリク
ス樹脂に色素を加えることによる既知の解決法はいくつ
かの欠点を有している。色素はポリマーマトリクスと非
相容性であって、相分離を起こしフィルムの質を損ね
る。色素は熱安定性が悪いのでソフトベーク中に分解ま
たは昇華を生じ吸収性を失う。溶剤中での色素の溶解性
が悪いので、保存中に液からの色素が結晶化する。
は上部レジストの像露光に使用される波長において、約
１.０〜２.０／μｍの範囲内の高い光学濃度を有してい
る。また、屈折率はレジストの屈折率１.５９と同様で
ある。これらの各特性は光学的な干渉効果の抑止に有用
であり、既知のものより優れた改良点である。マトリク
ス樹脂に色素を加えることによる既知の解決法はいくつ
かの欠点を有している。色素はポリマーマトリクスと非
相容性であって、相分離を起こしフィルムの質を損ね
る。色素は熱安定性が悪いのでソフトベーク中に分解ま
たは昇華を生じ吸収性を失う。溶剤中での色素の溶解性
が悪いので、保存中に液からの色素が結晶化する。
【００２２】二層レジストの別の応用は、個々のチップ
にしようとするウエハーの末端バイアレベルで、比較的
厚いポリイミドまたはその他の中間層誘電体のあるいは
不動態化層のパターン化することである。通常のスライ
シング操作では、ポリマーの弾性と柔軟性のため端部で
ポリマーをきれいに切断できない傾向がある。切断操作
はポリマーまたは多層構成体の層間剥離をしばしば生ず
る。
にしようとするウエハーの末端バイアレベルで、比較的
厚いポリイミドまたはその他の中間層誘電体のあるいは
不動態化層のパターン化することである。通常のスライ
シング操作では、ポリマーの弾性と柔軟性のため端部で
ポリマーをきれいに切断できない傾向がある。切断操作
はポリマーまたは多層構成体の層間剥離をしばしば生ず
る。
【００２３】本発明の二層レジスト組成物は、４００℃
で硬化させた低ＴＣＥのＢＰＤＡ−ＰＤＡポリイミドの
６〜１０μｍ厚みの不動態化表面層を有するウエハー上
に塗布された、２μｍ厚みのレジスト層として有効に使
用することができる。ｉ−線、広域線、ｇ−線、または
中−ＵＶ放射線によりレジストに像形成して４０〜５０
μｍまでの幅の画線をもつ切り目パターンを作った後、
このパターンを現像する。つぎに下側のポリイミドをＯ
2ＲＩＥを使用してエッチングすることができる。ＲＩ
Ｅは、レジストが完全にエッチングされるまでガス混合
物をＣＦ4／Ｏ2または本質的に純ＣＦ4に変えることに
より、約２μｍまでＳｉＯ2に継続することもできる。
この操作の後でダイアモンド鋸を使用する標準的な切断
を行うと、高い完全性をもつきれいにカットされたチッ
プが得られる。
で硬化させた低ＴＣＥのＢＰＤＡ−ＰＤＡポリイミドの
６〜１０μｍ厚みの不動態化表面層を有するウエハー上
に塗布された、２μｍ厚みのレジスト層として有効に使
用することができる。ｉ−線、広域線、ｇ−線、または
中−ＵＶ放射線によりレジストに像形成して４０〜５０
μｍまでの幅の画線をもつ切り目パターンを作った後、
このパターンを現像する。つぎに下側のポリイミドをＯ
2ＲＩＥを使用してエッチングすることができる。ＲＩ
Ｅは、レジストが完全にエッチングされるまでガス混合
物をＣＦ4／Ｏ2または本質的に純ＣＦ4に変えることに
より、約２μｍまでＳｉＯ2に継続することもできる。
この操作の後でダイアモンド鋸を使用する標準的な切断
を行うと、高い完全性をもつきれいにカットされたチッ
プが得られる。
【００２４】本発明の好ましい具体化例によれば、二層
レジスト用に使用される下層ポリマーは以下の独自の特
性を有している。 (ａ) レジストの露光波長（ｉ−線、３６５nm）で吸収
するため適切な発色団がポリマー構造の一体部分であ
り、従来技術のような添加物ではない。 (ｂ) 下層ポリマーは２００℃より大きな高い熱安定性
をもち、高温でのベーク後でも必要な吸収特性を保持し
ている。 (ｃ) 硬化したフィルムの光学濃度は３６５nmで１／μ
ｍより高い。 (ｄ) 下層の屈折率は約１.５８〜１.６２で、これはレ
ジストの１.５９〜１.６０と同様である。 (ｅ) この下層は処理後溶剤を用いて容易にストリップ
することができる。
レジスト用に使用される下層ポリマーは以下の独自の特
性を有している。 (ａ) レジストの露光波長（ｉ−線、３６５nm）で吸収
するため適切な発色団がポリマー構造の一体部分であ
り、従来技術のような添加物ではない。 (ｂ) 下層ポリマーは２００℃より大きな高い熱安定性
をもち、高温でのベーク後でも必要な吸収特性を保持し
ている。 (ｃ) 硬化したフィルムの光学濃度は３６５nmで１／μ
ｍより高い。 (ｄ) 下層の屈折率は約１.５８〜１.６２で、これはレ
ジストの１.５９〜１.６０と同様である。 (ｅ) この下層は処理後溶剤を用いて容易にストリップ
することができる。
【００２５】これらの各特性は、ポリイミドの鎖状構造
中にアゾベンゼン（Ａｒ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ）結合をもつ一
般式IXとＸを有するポリイミドにより達成することがで
きるとわかった。このポリイミドは、代表的な構造VII
とVIIIにより示される対応するポリアミド酸またはポリ
アミドエステルプレカーサーから作られ、これらのもの
はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジグライム、ガン
マ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキサイド、および
メトキシ−２−プロパノールのような非反応性の高沸点
溶媒中で、芳香族ジアミンと芳香族または脂肪族のジ酸
無水物との標準的な縮合重合反応によって合成される。
中にアゾベンゼン（Ａｒ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ）結合をもつ一
般式IXとＸを有するポリイミドにより達成することがで
きるとわかった。このポリイミドは、代表的な構造VII
とVIIIにより示される対応するポリアミド酸またはポリ
アミドエステルプレカーサーから作られ、これらのもの
はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジグライム、ガン
マ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキサイド、および
メトキシ−２−プロパノールのような非反応性の高沸点
溶媒中で、芳香族ジアミンと芳香族または脂肪族のジ酸
無水物との標準的な縮合重合反応によって合成される。
【００２６】本発明による好ましいポリイミド下層用の
典型的なジ酸無水物とジアミンには、２,２′−ビス−
（３,４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプ
ロパン酸無水物（６ＦＤＡ）；５−（２,５−ジオキソ
テトラヒドロール）−３−メチル−３−シクロヘキセン
−１、２−ジカルボン酸無水物（Ｂ４４００）；４,
４′−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、および
４,４′−オキシジアニリン（ＯＤＡ）またはその３,
４′および３,３′異性体；４,４′−アゾジアニリン
（ＡＤＡ）；１,３−ビス−（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン（ＡＰＢ）などが含まれる。以下の各構造は、
本発明の目的に適した下層ポリマーの好ましい化学式の
代表的な例として示すものである。
典型的なジ酸無水物とジアミンには、２,２′−ビス−
（３,４−ジカルボキシフェニル）−ヘキサフルオロプ
ロパン酸無水物（６ＦＤＡ）；５−（２,５−ジオキソ
テトラヒドロール）−３−メチル−３−シクロヘキセン
−１、２−ジカルボン酸無水物（Ｂ４４００）；４,
４′−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、および
４,４′−オキシジアニリン（ＯＤＡ）またはその３,
４′および３,３′異性体；４,４′−アゾジアニリン
（ＡＤＡ）；１,３−ビス−（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン（ＡＰＢ）などが含まれる。以下の各構造は、
本発明の目的に適した下層ポリマーの好ましい化学式の
代表的な例として示すものである。
【００２７】
【化８】
【００２８】
【表１】 以下の各実施例は本発明の実施の好ましい態様を示すも
のである。
のである。
【００２９】〔実施例１〕ポリ−（ｐ−メトキシベンジ
ルシルセスキオキサン）のボロントリブロマイド（ＢＢ
ｒ3）による脱メチル化により、７５：２５の比率で基
ＯＨとＯＣＨ3を有するポリ−（ｐ−ヒドロキシベンジ
ルシルセスキオキサン−コ−ｐ−メトキシベンジルシル
セスキオキサン）を調製した。添加ロート、還流コンデ
ンサー、および機械撹拌器を備えた三つ首フラスコに、
ジクロロメタン４５０mlとポリ（ｐ−メトキシベンジル
シルセスキオキサン）１００ｇ（０.６３モル）を入れ
る。混合物をアルゴン下に室温で撹拌してすべての固体
を溶解し、ついでフラスコをドライアイス／アセトン浴
（−７８℃）中で冷却する。試薬級のＢＢｒ3 ４４.５m
l（０.４７３モル）を穏やかに撹拌しながらアルゴン雰
囲気下に滴加する。ＢＢｒ3の添加完了後冷却浴を取り
去り、反応混合物を２時間撹拌し、その後脱イオン水２
５０mlを徐々に加えて充分に混合した。
ルシルセスキオキサン）のボロントリブロマイド（ＢＢ
ｒ3）による脱メチル化により、７５：２５の比率で基
ＯＨとＯＣＨ3を有するポリ−（ｐ−ヒドロキシベンジ
ルシルセスキオキサン−コ−ｐ−メトキシベンジルシル
セスキオキサン）を調製した。添加ロート、還流コンデ
ンサー、および機械撹拌器を備えた三つ首フラスコに、
ジクロロメタン４５０mlとポリ（ｐ−メトキシベンジル
シルセスキオキサン）１００ｇ（０.６３モル）を入れ
る。混合物をアルゴン下に室温で撹拌してすべての固体
を溶解し、ついでフラスコをドライアイス／アセトン浴
（−７８℃）中で冷却する。試薬級のＢＢｒ3 ４４.５m
l（０.４７３モル）を穏やかに撹拌しながらアルゴン雰
囲気下に滴加する。ＢＢｒ3の添加完了後冷却浴を取り
去り、反応混合物を２時間撹拌し、その後脱イオン水２
５０mlを徐々に加えて充分に混合した。
【００３０】放置後分離した水を傾斜により除き、残留
する固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２２０ml中に
溶解し、次いでこれに脱イオン水８０mlとジエチルエー
テル８０mlを添加する。分液ロートを使用して有機層を
取り出し、脱イオン水８０ml、次いで飽和食塩水８０ml
で順次洗い、次に無水硫酸マグネシウムで乾燥し濾過し
た。溶剤を回転エバポレーターで真空下に除去し、濃縮
物をアセトンに溶解し再度溶剤を回転エバポレーターで
除去した。最後に溶剤とその他揮発性物質の根跡を高真
空に一晩排気することによって除去し、固体として最終
生成物を得た。ＮＭＲ分析はそれぞれ７５：２５の−Ｏ
Ｈ／−ＯＣＨ3比を有する、構造１に一致した。
する固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２２０ml中に
溶解し、次いでこれに脱イオン水８０mlとジエチルエー
テル８０mlを添加する。分液ロートを使用して有機層を
取り出し、脱イオン水８０ml、次いで飽和食塩水８０ml
で順次洗い、次に無水硫酸マグネシウムで乾燥し濾過し
た。溶剤を回転エバポレーターで真空下に除去し、濃縮
物をアセトンに溶解し再度溶剤を回転エバポレーターで
除去した。最後に溶剤とその他揮発性物質の根跡を高真
空に一晩排気することによって除去し、固体として最終
生成物を得た。ＮＭＲ分析はそれぞれ７５：２５の−Ｏ
Ｈ／−ＯＣＨ3比を有する、構造１に一致した。
【００３１】〔実施例２〕それぞれ６３.５：２５.０：
１１.５のＯＨ／ＯＣＨ3／４−ＯＳＯ2ＤＱ比を有す
る、ポリ−〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−（１−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ニルオキシ）−ベンジルシルセスキオキサン〕を前述の
方法により合成した。この物質は米国特許出願第０７／
８７６,２７７号で述べられたように、炭酸ナトリウム
の存在下水性アセトン溶液中で、実施例１の出発原料中
の用いうるフェノール性ヒドロキシ基を、１−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−４−スルホニルクロライドとの反
応により部分誘導化することにより調製される。
１１.５のＯＨ／ＯＣＨ3／４−ＯＳＯ2ＤＱ比を有す
る、ポリ−〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−（１−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ニルオキシ）−ベンジルシルセスキオキサン〕を前述の
方法により合成した。この物質は米国特許出願第０７／
８７６,２７７号で述べられたように、炭酸ナトリウム
の存在下水性アセトン溶液中で、実施例１の出発原料中
の用いうるフェノール性ヒドロキシ基を、１−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−４−スルホニルクロライドとの反
応により部分誘導化することにより調製される。
【００３２】〔実施例３〕それぞれ６３.０：２５.０：
１２.０のＯＨ／ＯＣＨ3／５−ＯＳＯ2ＤＱ比を有す
る、ポリ−〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−（１−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホ
ニルオキシ）−ベンジルシルセスキオキサン〕を前述の
方法により合成した。この物質は米国特許出願第０７／
８７６,２７７号で述べられているように、炭酸ナトリ
ウムの存在下水性アセトン溶液中で、実施例１の出発原
料中の用いうるフェノール性ヒドロキシ基を、１−ナフ
トキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロライドと
の反応により部分誘導化して調製される。
１２.０のＯＨ／ＯＣＨ3／５−ＯＳＯ2ＤＱ比を有す
る、ポリ−〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサ
ン−コ−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−（１−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホ
ニルオキシ）−ベンジルシルセスキオキサン〕を前述の
方法により合成した。この物質は米国特許出願第０７／
８７６,２７７号で述べられているように、炭酸ナトリ
ウムの存在下水性アセトン溶液中で、実施例１の出発原
料中の用いうるフェノール性ヒドロキシ基を、１−ナフ
トキノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロライドと
の反応により部分誘導化して調製される。
【００３３】〔実施例４〕代表的な高感光度ｉ−線用レ
ジスト組成物は、それぞれ６３：２５：１２のＯＨ／Ｏ
ＣＨ3／４−ＯＳＯ2ＤＱ比を有する、感光性のポリ−
〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−（２
−ジアゾ−１−ナフトキノン−４−スルホニルオキシ）
−ベンジルシルセスキオキサン〕を、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＭ−アセテー
ト）中に、１５％ ｗ／ｗ固体の溶液となるよう溶解さ
せて調製した。この液を０.２μｍ隔膜フィルターによ
り濾過し、そしてフレオン中のヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）の蒸気に当て、ついで９０℃の熱板上で１
〜２分ベークして約３０００〜４０００Åの厚みを有す
るフィルムを形成させ、予め表面を変性させたシリコン
ウエハー上に２０００rpmで３０秒間スピン塗布した。
ジスト組成物は、それぞれ６３：２５：１２のＯＨ／Ｏ
ＣＨ3／４−ＯＳＯ2ＤＱ比を有する、感光性のポリ−
〔ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ
−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−（２
−ジアゾ−１−ナフトキノン−４−スルホニルオキシ）
−ベンジルシルセスキオキサン〕を、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＭ−アセテー
ト）中に、１５％ ｗ／ｗ固体の溶液となるよう溶解さ
せて調製した。この液を０.２μｍ隔膜フィルターによ
り濾過し、そしてフレオン中のヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）の蒸気に当て、ついで９０℃の熱板上で１
〜２分ベークして約３０００〜４０００Åの厚みを有す
るフィルムを形成させ、予め表面を変性させたシリコン
ウエハー上に２０００rpmで３０秒間スピン塗布した。
【００３４】０.４５ＮＡ ｉ−線（３６５um）光源また
はエキシマレーザーＤＵＶ光源により、約１５〜２０mJ
／cm2以下の露光量で像露光し、次いでテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の０.１８Ｎ
水溶液により４５〜６０秒現像し、０.３５より良好な
解像性を有する優れた画質を得た。このような条件下
で、未露光レジストの薄層化は典型的には５％以下であ
る。ハードベークしたノボラツクまたはポリイミドから
なる、ポリマー下層上にレジストコーティングを形成さ
せた二層法用の別の態様において、レジストパターンは
単一ウエハーエッチング装置でＯ2ＲＩＥにより下層中
に転写され、解像性の失われないシャープな画像を生成
した。
はエキシマレーザーＤＵＶ光源により、約１５〜２０mJ
／cm2以下の露光量で像露光し、次いでテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の０.１８Ｎ
水溶液により４５〜６０秒現像し、０.３５より良好な
解像性を有する優れた画質を得た。このような条件下
で、未露光レジストの薄層化は典型的には５％以下であ
る。ハードベークしたノボラツクまたはポリイミドから
なる、ポリマー下層上にレジストコーティングを形成さ
せた二層法用の別の態様において、レジストパターンは
単一ウエハーエッチング装置でＯ2ＲＩＥにより下層中
に転写され、解像性の失われないシャープな画像を生成
した。
【００３５】〔実施例５〕同様に、実施例３の感光性ポ
リ−（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−
（２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５−スルホニルオキ
シ）ベンジルシルセスキオキサンから誘導されたレジス
ト組成物を、１００mJ／cm2の露光量でｇ−線（４６３u
m）露光を用いて評価した。レジスト現像処理の間の薄
層化がほとんどない０.４〜０.４５μｍの解像性を有す
る優れた画質のパターンが再び得られた。
リ−（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン−コ
−ｐ−メトキシベンジルシルセスキオキサン−コ−ｐ−
（２−ジアゾ−１−ナフトキノン−５−スルホニルオキ
シ）ベンジルシルセスキオキサンから誘導されたレジス
ト組成物を、１００mJ／cm2の露光量でｇ−線（４６３u
m）露光を用いて評価した。レジスト現像処理の間の薄
層化がほとんどない０.４〜０.４５μｍの解像性を有す
る優れた画質のパターンが再び得られた。
【００３６】〔実施例６〕一般式VIIのポリアミド酸を
以下のようにして合成した。４,４′−ジアミノアゾベ
ンゼン（ＡＤＡ）２.１２ｇ（１０ミリモル）と４,４′
−オキシジアニリン（ＯＤＡ）２.２ｇ（１０ミリモ
ル）とを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）６５mlとジ
グライム１０mlの混合物中に溶解した。この液に２,
２′−ビス−（３,４−ジカルボキシフェニル）−ヘキ
サフルオロプロパン酸無水物（６ＦＤＡ）８.８８ｇ
（２０ミリモル）を、乾燥Ｎ2下に撹拌しつつ固体のま
ま添加した。添加の速度を調節して、反応温度を３５℃
以下に維持した。酸無水物の全量添加後、反応混合物を
ポリアミド酸の粘性溶液が生成するまで６時間室温で撹
拌した。これを１μｍの隔膜フィルターにより濾過し、
使用するまで冷蔵庫で保存した。
以下のようにして合成した。４,４′−ジアミノアゾベ
ンゼン（ＡＤＡ）２.１２ｇ（１０ミリモル）と４,４′
−オキシジアニリン（ＯＤＡ）２.２ｇ（１０ミリモ
ル）とを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）６５mlとジ
グライム１０mlの混合物中に溶解した。この液に２,
２′−ビス−（３,４−ジカルボキシフェニル）−ヘキ
サフルオロプロパン酸無水物（６ＦＤＡ）８.８８ｇ
（２０ミリモル）を、乾燥Ｎ2下に撹拌しつつ固体のま
ま添加した。添加の速度を調節して、反応温度を３５℃
以下に維持した。酸無水物の全量添加後、反応混合物を
ポリアミド酸の粘性溶液が生成するまで６時間室温で撹
拌した。これを１μｍの隔膜フィルターにより濾過し、
使用するまで冷蔵庫で保存した。
【００３７】〔実施例７〕実施例６のポリアミド酸VII
からなるポリイミドの薄いフィルムの下層は以下のよう
にして調製される。シリコンウエハーをＯ2プラズマで
清浄化し、そして９５：５のエタノール／水混合物中の
３−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ａ１１００）
の０.１％溶液により表面処理した。実施例６のポリマ
ー液を３０００rpmで４５秒間スピン塗布し、そして８
５℃で１５分間、次いで１５０℃で２０分間、次に２３
０℃で３０分間ベークし、IXで示される構造をもつ１.
０５μｍ厚みの欠陥のないポリイミドフィルムを形成さ
せた。このフィルムの屈折率は１.５９８であることが
認められた。ＵＶスペクトルを測定するため同様のフィ
ルムを石英板上に形成させた。２３０℃のベーク後この
ポリイミドフィルムの３６５nmでの光学濃度（ＯＤ）は
２.１／μｍ（フィルムの厚みの１ミクロン当りＯＤ＝
２.１）と測定された。
からなるポリイミドの薄いフィルムの下層は以下のよう
にして調製される。シリコンウエハーをＯ2プラズマで
清浄化し、そして９５：５のエタノール／水混合物中の
３−アミノプロピルトリエトキシシラン（Ａ１１００）
の０.１％溶液により表面処理した。実施例６のポリマ
ー液を３０００rpmで４５秒間スピン塗布し、そして８
５℃で１５分間、次いで１５０℃で２０分間、次に２３
０℃で３０分間ベークし、IXで示される構造をもつ１.
０５μｍ厚みの欠陥のないポリイミドフィルムを形成さ
せた。このフィルムの屈折率は１.５９８であることが
認められた。ＵＶスペクトルを測定するため同様のフィ
ルムを石英板上に形成させた。２３０℃のベーク後この
ポリイミドフィルムの３６５nmでの光学濃度（ＯＤ）は
２.１／μｍ（フィルムの厚みの１ミクロン当りＯＤ＝
２.１）と測定された。
【００３８】〔実施例８〕構造VIIIの代表的なポリアミ
ド酸を以下のようにして合成した。４,４′−ジアミノ
アゾベンゼン（ＡＤＡ）２.１２ｇ（１０ミリモル）と
３,３′−（ジアミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）
２.９２ｇ（１０ミリモル）とをメトキシ−２−プロパ
ノール６５ml中に溶解した。脂肪族ジ無水物Ｂ４４００
５.２８ｇ（２０ミリモル）を、このジアミン溶液に不
活性雰囲気下に撹拌しながら、温度上昇が３２℃を超え
ないようにして１０分間にわたって添加した。ジ酸無水
物の添加完了後、反応混合物を６時間撹拌し、次いでγ
−ブチロラクトンの１０mlで希釈し、１μｍの隔膜フィ
ルターにより濾過した。
ド酸を以下のようにして合成した。４,４′−ジアミノ
アゾベンゼン（ＡＤＡ）２.１２ｇ（１０ミリモル）と
３,３′−（ジアミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ）
２.９２ｇ（１０ミリモル）とをメトキシ−２−プロパ
ノール６５ml中に溶解した。脂肪族ジ無水物Ｂ４４００
５.２８ｇ（２０ミリモル）を、このジアミン溶液に不
活性雰囲気下に撹拌しながら、温度上昇が３２℃を超え
ないようにして１０分間にわたって添加した。ジ酸無水
物の添加完了後、反応混合物を６時間撹拌し、次いでγ
−ブチロラクトンの１０mlで希釈し、１μｍの隔膜フィ
ルターにより濾過した。
【００３９】〔実施例９〕実施例８のポリアミド酸VIII
からなるポリイミド下層を以下のようにして調製した。
シリコンウエハーをＯ2プラズマで清浄化し、そして９
５：５のエタノール／水混合物中の３−アミノプロピル
トリエトキシシラン（Ａ１１００）の０.１％溶液で表
面処理した。実施例８のポリマー液を３０００rpmで４
５秒間スピン塗布し、８５°で１５分間、次いで１５０
℃で２０分間、次に２３０℃で３０分間ベークし、Ｘで
示される構造をもつ１.３４μｍ厚みの欠陥のないポリ
イミドフィルムを形成させた。このフィルムの屈折率は
１.５８であることが認められた。ＵＶスペクトル測定
のため石英板上に同様のフィルムを形成させた。２３０
℃のベーク後、このポリイミドフィルムの３６５nmでの
光学濃度は１.９／μｍ（フィルムの厚み１ミクロン当
りＯＤ＝１.９）であることが認められた。
からなるポリイミド下層を以下のようにして調製した。
シリコンウエハーをＯ2プラズマで清浄化し、そして９
５：５のエタノール／水混合物中の３−アミノプロピル
トリエトキシシラン（Ａ１１００）の０.１％溶液で表
面処理した。実施例８のポリマー液を３０００rpmで４
５秒間スピン塗布し、８５°で１５分間、次いで１５０
℃で２０分間、次に２３０℃で３０分間ベークし、Ｘで
示される構造をもつ１.３４μｍ厚みの欠陥のないポリ
イミドフィルムを形成させた。このフィルムの屈折率は
１.５８であることが認められた。ＵＶスペクトル測定
のため石英板上に同様のフィルムを形成させた。２３０
℃のベーク後、このポリイミドフィルムの３６５nmでの
光学濃度は１.９／μｍ（フィルムの厚み１ミクロン当
りＯＤ＝１.９）であることが認められた。
【００４０】〔実施例１０〕以下は、ハードベークした
ノボラック下層中にサブ−ハーフミクロンのパターンを
描画するための、ｉ−線露光源による代表的な二層リソ
グラフ法を示している。シリコンウエハーをＯ2プラズ
マ清浄化し、そしてジアゾナフトキノン−ノボラックベ
ースのレジスト塗膜をスピン塗布し、次いで２３０℃で
ベークして１.２μｍ厚みの下層を形成させた。１８％
ｗ／ｗの固体分をもつ像形成用の珪素含有レジスト溶液
は、実施例２の感光性ポリマーをＰＭ−アセテート中に
溶解し、１μｍ隔膜フィルターで２回、０.４５μｍフ
ィルターで２回、そして次に０.２μｍフィルターで順
次濾過することにより調製した。このレジスト液をハー
ドベークしたノボラック下層上に３０００rpmで３０〜
４５秒スピン塗布し、そして熱板上で９０℃で６０秒間
ベークして、約０.３nmの厚みをもつ二層構造体を構成
するフィルムを形成させた。
ノボラック下層中にサブ−ハーフミクロンのパターンを
描画するための、ｉ−線露光源による代表的な二層リソ
グラフ法を示している。シリコンウエハーをＯ2プラズ
マ清浄化し、そしてジアゾナフトキノン−ノボラックベ
ースのレジスト塗膜をスピン塗布し、次いで２３０℃で
ベークして１.２μｍ厚みの下層を形成させた。１８％
ｗ／ｗの固体分をもつ像形成用の珪素含有レジスト溶液
は、実施例２の感光性ポリマーをＰＭ−アセテート中に
溶解し、１μｍ隔膜フィルターで２回、０.４５μｍフ
ィルターで２回、そして次に０.２μｍフィルターで順
次濾過することにより調製した。このレジスト液をハー
ドベークしたノボラック下層上に３０００rpmで３０〜
４５秒スピン塗布し、そして熱板上で９０℃で６０秒間
ベークして、約０.３nmの厚みをもつ二層構造体を構成
するフィルムを形成させた。
【００４１】この二層構造体を０.４５ＮＡ ｉ−線ステ
ッパーを使用し約１５〜２０mJ／cm 2の露光量で像露光
した。０.１８Ｎ水性ＴＭＡＨ中で６０秒現像し、次い
で水でリンスして優れた画質のサブ−ハーフミクロンレ
ジストパターンを得た。未露光フィルムの厚み損失は現
像工程中約５％以下であった。高められた温度での乾燥
後、レジストパターンをＲＦ出力１００ｗ、圧力７.５
ｍトル、酸素流量４０〜４５sccmを用いるダイオード型
の反応性イオンエッチング装置により、下層にＯ 2ＲＩ
Ｅ転写した。これらの条件で、ハードベークした１.２
μｍのノボラック下層をエッチングするのに約１２〜１
４分を必要とした。エッチングされたパターンのＳＥＭ
顕微鏡写真は垂直壁の外形をもつ、シャープな０.３５
〜０.４μｍのラインとスペースの形状（features）を
示した。
ッパーを使用し約１５〜２０mJ／cm 2の露光量で像露光
した。０.１８Ｎ水性ＴＭＡＨ中で６０秒現像し、次い
で水でリンスして優れた画質のサブ−ハーフミクロンレ
ジストパターンを得た。未露光フィルムの厚み損失は現
像工程中約５％以下であった。高められた温度での乾燥
後、レジストパターンをＲＦ出力１００ｗ、圧力７.５
ｍトル、酸素流量４０〜４５sccmを用いるダイオード型
の反応性イオンエッチング装置により、下層にＯ 2ＲＩ
Ｅ転写した。これらの条件で、ハードベークした１.２
μｍのノボラック下層をエッチングするのに約１２〜１
４分を必要とした。エッチングされたパターンのＳＥＭ
顕微鏡写真は垂直壁の外形をもつ、シャープな０.３５
〜０.４μｍのラインとスペースの形状（features）を
示した。
【００４２】〔実施例１１〕以下は、３６５nmにおいて
高い光学温度をもちかつ上側にある珪素含有レジストと
同様の屈折率を有するポリマー下層中に、サブ−ハーフ
ミクロンパターンを描画するための代表的な二層リソグ
ラフ法を示す。実施例６の６ＦＤＡ−ＡＤＡ−ＯＤＡポ
リアミド酸処方物を、予めＯ2プラズマ清浄化したシリ
コンウエハーに２０００rpmで４５秒間スピン塗布し、
そして実施例７で述べたようにベークして１.３μｍ厚
みのポリイミド下層を形成した。実施例１０で述べた像
形成用珪素含有レジスト処方物を、３０００rpmで３０
秒間スピン塗布し熱板上で９０℃で６０秒間ベークし
た。
高い光学温度をもちかつ上側にある珪素含有レジストと
同様の屈折率を有するポリマー下層中に、サブ−ハーフ
ミクロンパターンを描画するための代表的な二層リソグ
ラフ法を示す。実施例６の６ＦＤＡ−ＡＤＡ−ＯＤＡポ
リアミド酸処方物を、予めＯ2プラズマ清浄化したシリ
コンウエハーに２０００rpmで４５秒間スピン塗布し、
そして実施例７で述べたようにベークして１.３μｍ厚
みのポリイミド下層を形成した。実施例１０で述べた像
形成用珪素含有レジスト処方物を、３０００rpmで３０
秒間スピン塗布し熱板上で９０℃で６０秒間ベークし
た。
【００４３】この二層構造体を０.５４ＮＡ ｉ−線ステ
ッパーを使用し約７０mJ／cm2の露光量で像露光した。
０.１２Ｎ ＴＭＡＨにより６０秒間現像し次いで脱イオ
ン水でリンスすることにより、像形成用レジスト層に優
れた画質のサブ−ハーフミクロンのラインとスペースの
形状が得られた。これらの処理条件下で未露光のレジス
トフィルム厚みに検知し得る減少は認められなかった。
ＳＥＭ顕微鏡写真は定常波またはエッジの荒れなどの形
跡のないなめらかな側壁断面を示した。この像形成用レ
ジストのパターンがＲＦ出力３００〜４００ｗと５〜１
５ｍトルの圧力とを使用するＡＭＥ ５０００装置で、
約２分間磁気強化Ｏ2ＲＩＥにより下層に転写された。
ウエハー断面のＳＥＭ顕微鏡写真は、バイアス像または
ライン幅の変化のない垂直壁の外形をもつ、０.２５〜
０.３５μｍのシャープな形状を示した。
ッパーを使用し約７０mJ／cm2の露光量で像露光した。
０.１２Ｎ ＴＭＡＨにより６０秒間現像し次いで脱イオ
ン水でリンスすることにより、像形成用レジスト層に優
れた画質のサブ−ハーフミクロンのラインとスペースの
形状が得られた。これらの処理条件下で未露光のレジス
トフィルム厚みに検知し得る減少は認められなかった。
ＳＥＭ顕微鏡写真は定常波またはエッジの荒れなどの形
跡のないなめらかな側壁断面を示した。この像形成用レ
ジストのパターンがＲＦ出力３００〜４００ｗと５〜１
５ｍトルの圧力とを使用するＡＭＥ ５０００装置で、
約２分間磁気強化Ｏ2ＲＩＥにより下層に転写された。
ウエハー断面のＳＥＭ顕微鏡写真は、バイアス像または
ライン幅の変化のない垂直壁の外形をもつ、０.２５〜
０.３５μｍのシャープな形状を示した。
【００４４】以下はＤＵＶ露光用光源を使用する典型的
な二層リソグラフ法を示している。１.１μｍ厚みのハ
ードベークしたノボラック下層と、０.３μｍ厚みのシ
リコンレジストとから構成される。二層構造体を、実施
例１０で述べたように、シリコンウエハー上に形成させ
た。レジストを０.４５ＮＡエキシマレーザーステッパ
ーで約２０mJ／cm2のＤＵＶ放射線に像露光し、ついで
０.１８Ｎ ＴＭＡＨで６０秒間現像しその後脱イオン水
でリンスした。高められた温度で乾燥後、レジストパタ
ーンを実施例１０と１１で述べたようにＯ2ＲＩＥによ
り下層中に転写した。エッチングしたパターンのＳＥＭ
観察で、垂直壁の外形をもつもとのライン幅に変化のな
い、シャープな０.２μｍ相当のラインとスペースの形
状が示された。
な二層リソグラフ法を示している。１.１μｍ厚みのハ
ードベークしたノボラック下層と、０.３μｍ厚みのシ
リコンレジストとから構成される。二層構造体を、実施
例１０で述べたように、シリコンウエハー上に形成させ
た。レジストを０.４５ＮＡエキシマレーザーステッパ
ーで約２０mJ／cm2のＤＵＶ放射線に像露光し、ついで
０.１８Ｎ ＴＭＡＨで６０秒間現像しその後脱イオン水
でリンスした。高められた温度で乾燥後、レジストパタ
ーンを実施例１０と１１で述べたようにＯ2ＲＩＥによ
り下層中に転写した。エッチングしたパターンのＳＥＭ
観察で、垂直壁の外形をもつもとのライン幅に変化のな
い、シャープな０.２μｍ相当のラインとスペースの形
状が示された。
【００４５】以上、本発明を詳細に説明したが、本発明
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １） （ａ） 基板に、露光する紫外線の波長で、約
１.５８〜１.７の範囲の屈折率を有するポリマーの下層
を付与し；そして（ｂ） この下層に、以下の式
はさらに次の実施態様によってこれを要約して示すこと
ができる。 １） （ａ） 基板に、露光する紫外線の波長で、約
１.５８〜１.７の範囲の屈折率を有するポリマーの下層
を付与し；そして（ｂ） この下層に、以下の式
【化９】 （式中、 （１） ＲはＨまたはＳｉ(ＣＨ3)3のいずれか、あるい
はこれらの組み合わせであり； （２） Ａｒは独立して、それぞれ以下の式で表わされ
るｐ−ヒドロキシフェニル、ｐ−メトキシフェニルまた
はｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニルオキ
シ）フェニルであり；
はこれらの組み合わせであり； （２） Ａｒは独立して、それぞれ以下の式で表わされ
るｐ−ヒドロキシフェニル、ｐ−メトキシフェニルまた
はｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニルオキ
シ）フェニルであり；
【化１０】
【００４６】（３） ＤＱは、それぞれ以下の式で表わ
される、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４残基、２−
ジアゾ−１−ナフトキノン−５残基、またはこれらの混
合物であり、
される、２−ジアゾ−１−ナフトキノン−４残基、２−
ジアゾ−１−ナフトキノン−５残基、またはこれらの混
合物であり、
【化１１】 （４） ｎは１０〜２０の整数であり；そして （５） ｐ−ヒドロキシフェニル基／ｐ−メトキシフェ
ニル基／ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニ
ルオキシ）フェニル基のモル比は６７：２５：８から５
８：３０：１２の範囲である）、を有するジアゾナフト
キノン基により部分的にエステル化されている、感光性
のヒドロキシ芳香族シルセスキオキサンポリマーからな
る組成物で上塗りし； （ｃ） この感光性シルセスキオキサンポリマーを紫外
線に像露光して潜像を形成させ； （ｄ） この潜像を現像してシルセスキオキサンポリマ
ーにレリーフを形成させ；そして （ｅ） このレリーフ像をＯ2ＲＩＥによりポリマー下
層に転写する、各工程からなる、少なくとも二つの層を
有し、且つサブ−ハーフミクロンの図形を有するホトレ
ジストレリーフ画像の作成方法。
ニル基／ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニ
ルオキシ）フェニル基のモル比は６７：２５：８から５
８：３０：１２の範囲である）、を有するジアゾナフト
キノン基により部分的にエステル化されている、感光性
のヒドロキシ芳香族シルセスキオキサンポリマーからな
る組成物で上塗りし； （ｃ） この感光性シルセスキオキサンポリマーを紫外
線に像露光して潜像を形成させ； （ｄ） この潜像を現像してシルセスキオキサンポリマ
ーにレリーフを形成させ；そして （ｅ） このレリーフ像をＯ2ＲＩＥによりポリマー下
層に転写する、各工程からなる、少なくとも二つの層を
有し、且つサブ−ハーフミクロンの図形を有するホトレ
ジストレリーフ画像の作成方法。
【００４７】２） ポリマー下層が、露光する紫外線の
波長で少なくとも１／μｍの光学濃度を有する、前項１
記載の方法。 ３） ポリマー下層が約１.５８〜１.６２の範囲の屈折
率を有する、前項１記載の方法。 ４） 基板が珪素、シリコンオキサイド、シリコンナイ
トライド、およびガリウムアルセナイドよりなる群から
選ばれる、前項１記載の方法。 ５） ポリマーが約２μｍより大きくない厚みをもつ、
前項１記載の方法。
波長で少なくとも１／μｍの光学濃度を有する、前項１
記載の方法。 ３） ポリマー下層が約１.５８〜１.６２の範囲の屈折
率を有する、前項１記載の方法。 ４） 基板が珪素、シリコンオキサイド、シリコンナイ
トライド、およびガリウムアルセナイドよりなる群から
選ばれる、前項１記載の方法。 ５） ポリマーが約２μｍより大きくない厚みをもつ、
前項１記載の方法。
【００４８】６） 感光性シルセスキオキサンポリマー
が、約１５％〜約２０％の固体分をもつプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート溶液から付与され
る、前項１記載の方法。 ７） 感光性シルセスキオキサンポリマーを、中または
深ＵＶ光で像露光させる、前項１記載の方法。 ８） ポリマー下層がハードベークされたノボラックポ
リマーおよびポリイミドよりなる群から選ばれる、前項
１記載の方法。 ９） ポリマー下層が、基板上にポリアミド酸またはポ
リアミドエステルポリイミドプレカーサーをスピン塗布
し、次いでベーキングすることにより形成させたポリイ
ミドである、前項８記載の方法。
が、約１５％〜約２０％の固体分をもつプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテート溶液から付与され
る、前項１記載の方法。 ７） 感光性シルセスキオキサンポリマーを、中または
深ＵＶ光で像露光させる、前項１記載の方法。 ８） ポリマー下層がハードベークされたノボラックポ
リマーおよびポリイミドよりなる群から選ばれる、前項
１記載の方法。 ９） ポリマー下層が、基板上にポリアミド酸またはポ
リアミドエステルポリイミドプレカーサーをスピン塗布
し、次いでベーキングすることにより形成させたポリイ
ミドである、前項８記載の方法。
【００４９】１０） ポリマー下層が、ポリマー鎖の一
部にアゾベンゼン（Ａｒ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ）発色団を有す
るポリイミドである、前項８記載の方法。 １１） ポリマー下層が、以下の式の（Ｉ）、（II）お
よび（III）よりなる群から選ばれたポリイミドであ
る、前項８記載の方法。
部にアゾベンゼン（Ａｒ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ）発色団を有す
るポリイミドである、前項８記載の方法。 １１） ポリマー下層が、以下の式の（Ｉ）、（II）お
よび（III）よりなる群から選ばれたポリイミドであ
る、前項８記載の方法。
【００５０】
【化１２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 プレムラータ・ジヤガンナータン アメリカ合衆国ニユーヨーク州12563. パターソン．カロリンウエイ41 (72)発明者 ロバート・ラング アメリカ合衆国ニユーヨーク州12569. プレザントバリー．アール・デイー２. ボツクス286 (72)発明者 ハルバンズ・サクデブ アメリカ合衆国ニユーヨーク州12533. ホープウエルジヤンクシヨン．フエアビ ユードライブ23 (72)発明者 ラトナム・ソーリヤクマーラン アメリカ合衆国ニユーヨーク州12524. フイツシユキル．ラウデンドライブ15− ３デイー (72)発明者 ジヨウエル・アール・ホイツテイカー アメリカ合衆国ニユーヨーク州12466. ポートユーイン．イーストスタウトアベ ニユー125 (56)参考文献 特開 昭62−212645（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−222254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−143538（ＪＰ，Ａ)
Claims (8)
- 【請求項１】（ａ） 基板に、露光する紫外線の波長
で、１.５８〜１.７の範囲の屈折率を有するポリマーの
下層を付与し；そして （ｂ） この下層に、以下の式 【化１】 （式中、 （１） ＲはＨまたはＳｉ(ＣＨ3)3のいずれか、あるい
はこれらの組み合わせであり； （２） Ａｒは独立して、それぞれ以下の式で表わされ
るｐ−ヒドロキシフェニル、ｐ−メトキシフェニルまた
はｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニルオキ
シ）フェニルであり； 【化２】 （３） ＤＱは、それぞれ以下の式で表わされる、２−
ジアゾ−１−ナフトキノン−４残基、２−ジアゾ−１−
ナフトキノン−５残基、またはこれらの混合物であり、 【化３】 （４） ｎは１０〜２０の整数であり；そして （５） ｐ−ヒドロキシフェニル基／ｐ−メトキシフェ
ニル基／ｐ−（２−ジアゾ−１−ナフトキノンスルホニ
ルオキシ）フェニル基のモル比は６７：２５：８から５
８：３０：１２の範囲である）、 を有するジアゾナフトキノン基により部分的にエステル
化されている、感光性のヒドロキシ芳香族シルセスキオ
キサンポリマーからなる組成物で上塗りし； （ｃ） この感光性シルセスキオキサンポリマーを紫外
線に像露光して潜像を形成させ； （ｄ） この潜像を現像してシルセスキオキサンポリマ
ーにレリーフを形成させ；そして （ｅ） このレリーフ像をＯ2ＲＩＥによりポリマー下
層に転写する、 各工程からなる、少なくとも二つの層を有し、且つサブ
−ハーフミクロンの形状を有するホトレジストレリーフ
画像の作成方法。 - 【請求項２】 ポリマー下層が、露光する紫外線の波長
で少なくとも１／μｍの光学濃度を有する、請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】ポリマー下層が１.５８〜１.６２の範囲の
屈折率を有する、請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 基板が珪素、シリコンオキサイド、シリ
コンナイトライド、およびガリウムアルセナイドよりな
る群から選ばれる、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】 ポリマー下層がハードベークされたノボ
ラックポリマーおよびポリイミドよりなる群から選ばれ
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 ポリマー下層が、基板上にポリアミド酸
またはポリアミドエステルポリイミドプレカーサーをス
ピン塗布し、次いでベーキングすることにより形成させ
たポリイミドである、請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 ポリマー下層が、ポリマー鎖の一部にア
ゾベンゼン（Ａｒ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ）発色団を有するポリ
イミドである、請求項５記載の方法。 - 【請求項８】 ポリマー下層が、以下の式の（Ｉ）、
（II）および（III）よりなる群から選ばれたポリイミ
ドである、請求項５記載の方法。 【化４】
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US96877392A | 1992-09-30 | 1992-09-30 | |
| US968773 | 1992-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202338A JPH06202338A (ja) | 1994-07-22 |
| JP2547944B2 true JP2547944B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=25514759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5221650A Expired - Lifetime JP2547944B2 (ja) | 1992-09-30 | 1993-09-07 | 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5399462A (ja) |
| EP (1) | EP0599762A1 (ja) |
| JP (1) | JP2547944B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69308671T2 (de) * | 1992-07-22 | 1997-10-16 | Asahi Chemical Ind | Photoempfindliche Polyimid-Zusammensetzung |
| KR970004447B1 (ko) * | 1993-09-08 | 1997-03-27 | 삼성전자 주식회사 | 반사방지막 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP4274594B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2009-06-10 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の構造およびその製造方法 |
| US6204168B1 (en) * | 1998-02-02 | 2001-03-20 | Applied Materials, Inc. | Damascene structure fabricated using a layer of silicon-based photoresist material |
| US6277539B1 (en) * | 1998-05-22 | 2001-08-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Enhanced adhesion for LIGA microfabrication by using a buffer layer |
| US6087064A (en) | 1998-09-03 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Silsesquioxane polymers, method of synthesis, photoresist composition, and multilayer lithographic method |
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