JP2544185B2 - 薄膜作製装置および方法 - Google Patents
薄膜作製装置および方法Info
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- JP2544185B2 JP2544185B2 JP63198553A JP19855388A JP2544185B2 JP 2544185 B2 JP2544185 B2 JP 2544185B2 JP 63198553 A JP63198553 A JP 63198553A JP 19855388 A JP19855388 A JP 19855388A JP 2544185 B2 JP2544185 B2 JP 2544185B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、基体上の所望する部分に選択的に薄膜を作
製する装置および方法に関するものである。
製する装置および方法に関するものである。
（従来の技術） 半導体デバイスの集積度が増大しパターが微細化する
につれて、選択成長技術、平坦化技術などの埋め込み技
術が重要となってきた。
につれて、選択成長技術、平坦化技術などの埋め込み技
術が重要となってきた。
従来の完成された選択成長技術としては、選択的タン
グステン成長法がある。この方法を用いると例えば、第
４図ａに基体表面の膜堆積経過（左図→右図）の拡大断
面図を示すように、シリコン100の基体２′上のパター
ニングされた二酸化珪素膜220の間の凹部222のみに選択
的にタングステン310を形成し埋め込みを行なうことが
できる。しかし半導体の集積度が高くなるにつれて金属
の比抵抗が問題となり、タングステンよりも比抵抗の小
さい金属で埋め込みを行なう要請が強くなってきた。
グステン成長法がある。この方法を用いると例えば、第
４図ａに基体表面の膜堆積経過（左図→右図）の拡大断
面図を示すように、シリコン100の基体２′上のパター
ニングされた二酸化珪素膜220の間の凹部222のみに選択
的にタングステン310を形成し埋め込みを行なうことが
できる。しかし半導体の集積度が高くなるにつれて金属
の比抵抗が問題となり、タングステンよりも比抵抗の小
さい金属で埋め込みを行なう要請が強くなってきた。
さて、比抵抗の小さいアルミニウムで凹部のみに選択
的に薄膜を形成したという報告がある。
的に薄膜を形成したという報告がある。
Takao Amazawaらはトリイソブチルアルミニウムを原
料として、減圧CVD法により選択的にアルミニウム膜を
作製している。（Extended Abstr acts of the 18th Co
nference on Solid State Devices and Materials,Toky
o,1986,pp755−756）。
料として、減圧CVD法により選択的にアルミニウム膜を
作製している。（Extended Abstr acts of the 18th Co
nference on Solid State Devices and Materials,Toky
o,1986,pp755−756）。
第４図ｂに前記選択タングステン成長法の場合と同様
の基体表面の拡大断面図を示す。この図から明らかなと
おり、この文献ではアルミニウム膜320は、シリコン100
の表面上に直接形成されている。しかし、このようにシ
リコン100の表面上に直接アルミニウム膜320を形成した
場合、その界面はアルミニウム−シリコン合金化しやす
く、界面特性が不安定になり、ベネトレーションが生じ
るという問題がある。
の基体表面の拡大断面図を示す。この図から明らかなと
おり、この文献ではアルミニウム膜320は、シリコン100
の表面上に直接形成されている。しかし、このようにシ
リコン100の表面上に直接アルミニウム膜320を形成した
場合、その界面はアルミニウム−シリコン合金化しやす
く、界面特性が不安定になり、ベネトレーションが生じ
るという問題がある。
一般に、こうした場合には、第４図c,dに示すように
シリコン100の表面にバリアメタルとしてTiN,TiWまたは
タングステンの膜を薄く形成し、その上にアルミニウム
膜を形成するのが良いとされていて、従ってここでは、
バリアメタルのタングステン等の上にアルミニウムを選
択的に成長させることが必要となる。以下では専らその
構造をとるものに関して記述する。
シリコン100の表面にバリアメタルとしてTiN,TiWまたは
タングステンの膜を薄く形成し、その上にアルミニウム
膜を形成するのが良いとされていて、従ってここでは、
バリアメタルのタングステン等の上にアルミニウムを選
択的に成長させることが必要となる。以下では専らその
構造をとるものに関して記述する。
また、純アルミニウムを用いた場合には、アルミニウ
ム配線内を通る電流の密度が大きいと、エレクトロマイ
グレーションによってアルミニウム原子が移動し、配線
の断線や短絡が生じるという問題があり、このエレクト
ロマイグレーションの防止のためには、アルミニウムに
少量のシリコンを導入したアルミニウム−シリコン合金
を用いるのがよいことが知られていて、純アルミニウム
に代わってアルミニウム−シリコン合金で凹部を埋め込
む必要がある。ここでいうアルミニウム−シリコン合金
には、アルミニウム中にシリコンが偏析しているものも
含まれるものとする。
ム配線内を通る電流の密度が大きいと、エレクトロマイ
グレーションによってアルミニウム原子が移動し、配線
の断線や短絡が生じるという問題があり、このエレクト
ロマイグレーションの防止のためには、アルミニウムに
少量のシリコンを導入したアルミニウム−シリコン合金
を用いるのがよいことが知られていて、純アルミニウム
に代わってアルミニウム−シリコン合金で凹部を埋め込
む必要がある。ここでいうアルミニウム−シリコン合金
には、アルミニウム中にシリコンが偏析しているものも
含まれるものとする。
このアルミニウム−シリコン合金で凹部を埋め込む方
法としては、すでに、平坦化技術の一手法としてのバイ
アススパッタリング法が存在し、ターゲット材としてア
ルミニウム−シリコン材を用い、第４図ｃ（基体表面の
前記同様の拡大断面図）のように基体２″の上にアルミ
ニウム−シリコン合金の薄膜を形成して凹部を埋めるこ
とができる。しかしこの方法にも欠点があり、この方法
を用いたときは、デバイスが大きいプラズマダメージを
受けるなどの問題がある。
法としては、すでに、平坦化技術の一手法としてのバイ
アススパッタリング法が存在し、ターゲット材としてア
ルミニウム−シリコン材を用い、第４図ｃ（基体表面の
前記同様の拡大断面図）のように基体２″の上にアルミ
ニウム−シリコン合金の薄膜を形成して凹部を埋めるこ
とができる。しかしこの方法にも欠点があり、この方法
を用いたときは、デバイスが大きいプラズマダメージを
受けるなどの問題がある。
ところで第５図は、本願の出願人の出願になる特願昭
62−172374号「成膜装置および方法」で示された薄膜作
製装置と同じ装置の概略の正面断面図である。
62−172374号「成膜装置および方法」で示された薄膜作
製装置と同じ装置の概略の正面断面図である。
１は処理室であり、気密に保つことができる構造とな
っている。３は、処理室１内に設置され基体２を保持す
るとともに基体２の温度調整をする基体ホルダーであ
る。基体ホルダー３の温度を調整する温度調整手段20を
構成について説明すると、４はヒーターであって抵抗加
熱により基体ホルダー３を加熱し、５は熱電対であって
基体ホルダー３の温度をモニターしている。温度モニタ
ーとして熱電対５の代わりに測温抵抗を用いても良い。
っている。３は、処理室１内に設置され基体２を保持す
るとともに基体２の温度調整をする基体ホルダーであ
る。基体ホルダー３の温度を調整する温度調整手段20を
構成について説明すると、４はヒーターであって抵抗加
熱により基体ホルダー３を加熱し、５は熱電対であって
基体ホルダー３の温度をモニターしている。温度モニタ
ーとして熱電対５の代わりに測温抵抗を用いても良い。
熱電対５で温度を測定して得られた信号は、図示しな
いPID制御,PI制御,ON−OFF制御等の制御回路に入力さ
れ、サイリスターもしくはリレーを用いてヒーター４の
入力電力を加減し、基体ホルダー３の温度を調整するよ
うになっている。必要のときは、水冷装置等で基体ホル
ダー３を冷却可能にして加熱・冷却の両方法により温度
を調節する。
いPID制御,PI制御,ON−OFF制御等の制御回路に入力さ
れ、サイリスターもしくはリレーを用いてヒーター４の
入力電力を加減し、基体ホルダー３の温度を調整するよ
うになっている。必要のときは、水冷装置等で基体ホル
ダー３を冷却可能にして加熱・冷却の両方法により温度
を調節する。
ガス分配手段としての分配板31は気体を均一に基体２
の表面に供給するために設け、分配板31の温度を調整す
るための温度調整手段40は、加熱手段41,温度モニター4
2およびフィードバック制御手段（図示しない）を主に
して構成され、加熱手段41は、分配板31を大気圧側から
ヒーター32で抵抗加熱するようになっている。フィード
バック制御手段は図示されていないが、これも熱電対33
で測定して得た信号をPID制御,PI制御,ON−OFF制御等の
制御回路にフィードバックし、サイリスターやリレーを
用いヒーター32の入力電力を加減して、分配板31の温度
を制御している。ヒーター32は絶縁粉末34を用いて分配
板31から絶縁されている。35は絶縁粉末34を固定するた
めの蓋である。
の表面に供給するために設け、分配板31の温度を調整す
るための温度調整手段40は、加熱手段41,温度モニター4
2およびフィードバック制御手段（図示しない）を主に
して構成され、加熱手段41は、分配板31を大気圧側から
ヒーター32で抵抗加熱するようになっている。フィード
バック制御手段は図示されていないが、これも熱電対33
で測定して得た信号をPID制御,PI制御,ON−OFF制御等の
制御回路にフィードバックし、サイリスターやリレーを
用いヒーター32の入力電力を加減して、分配板31の温度
を制御している。ヒーター32は絶縁粉末34を用いて分配
板31から絶縁されている。35は絶縁粉末34を固定するた
めの蓋である。
上記のように構成された薄膜作製装置に対して、図示
しない気体供給装置からバルブ７を通してトリイソブチ
ルアルミニウムとジシランガスを導入すると、（本願の
出願人が先に出願した特願昭63−22463号「薄膜作製方
法」で示した方法を参照）、基体２の表面全体に良質の
アルミニウム−シリコン合金膜を作製することができ
る。
しない気体供給装置からバルブ７を通してトリイソブチ
ルアルミニウムとジシランガスを導入すると、（本願の
出願人が先に出願した特願昭63−22463号「薄膜作製方
法」で示した方法を参照）、基体２の表面全体に良質の
アルミニウム−シリコン合金膜を作製することができ
る。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記した特許願の装置および方法では、
基体の表面の全体にアルミニウム−シリコン合金膜が形
成されるだけであり、基体表面の所望する場所に選択的
にアルミニウム−シリコン合金膜を形成することができ
ない。例えば、第４図ｄに基体表面の前記同様の拡大断
面図を示すように、基体２″に上記した装置および方法
を適用した場合には、アルミニウム−シリコン合金膜33
0が基体２″の全体に形成されるだけであるために、基
体表面に激しい凹凸を生じてデバイスの微細化が困難に
なるという問題点がある。
基体の表面の全体にアルミニウム−シリコン合金膜が形
成されるだけであり、基体表面の所望する場所に選択的
にアルミニウム−シリコン合金膜を形成することができ
ない。例えば、第４図ｄに基体表面の前記同様の拡大断
面図を示すように、基体２″に上記した装置および方法
を適用した場合には、アルミニウム−シリコン合金膜33
0が基体２″の全体に形成されるだけであるために、基
体表面に激しい凹凸を生じてデバイスの微細化が困難に
なるという問題点がある。
（発明の目的） 本発明はこの問題を解決し、所望する薄膜を基体表面
の所望する部分に選択的に形成して、平坦化を行なうこ
とのできる装置および方法を提供することを目的とす
る。
の所望する部分に選択的に形成して、平坦化を行なうこ
とのできる装置および方法を提供することを目的とす
る。
（問題を解決するための手段） 本発明は、真空に保つことの出来る処理室と；該処理
室内に設置され、放射線照射を十分に透過し得る材質か
らなる、基体を保持する基体ホルダーと；所定の気体を
該処理室内に導入する気体導入手段と；該処理室内を排
気する排気手段と；開口部を該基体ホルダーに対向させ
て該処理室内に設置あるいは該処理室内を構成する一部
分として設けられた、該気体導入手段から導入された所
定の気体を均一に基体の表面に供給するガス分配手段
と；該ガス分配手段の温度調整を行う温度調整手段と；
基体の裏側から基体表面上の所望する部分を加熱するた
めの放射線照射を行う放射線照射手段を備えた薄膜作製
装置を用いる。また、該所定の気体は少なくとも二種類
の気体を含み、該二種類の気体の一方は、アルミニウム
を含有する化合物の気体またはその混合気体（以下、ア
ルミニウム含有気体）であり、他方は、アルミニウム以
外の金属を含有する化合物の気体またはその混合気体
（以下、金属含有気体）であり、該基体上に予め作製さ
れた２種類以上の異なる薄膜のうち、放射線照射手段を
用いて特定の薄膜だけを加熱することで、基体を部分加
熱し、該特定の薄膜上だけに選択的にアルミニウムとア
ルミニウム以外の金属との合金膜を作製する薄膜作製方
法を用いる。
室内に設置され、放射線照射を十分に透過し得る材質か
らなる、基体を保持する基体ホルダーと；所定の気体を
該処理室内に導入する気体導入手段と；該処理室内を排
気する排気手段と；開口部を該基体ホルダーに対向させ
て該処理室内に設置あるいは該処理室内を構成する一部
分として設けられた、該気体導入手段から導入された所
定の気体を均一に基体の表面に供給するガス分配手段
と；該ガス分配手段の温度調整を行う温度調整手段と；
基体の裏側から基体表面上の所望する部分を加熱するた
めの放射線照射を行う放射線照射手段を備えた薄膜作製
装置を用いる。また、該所定の気体は少なくとも二種類
の気体を含み、該二種類の気体の一方は、アルミニウム
を含有する化合物の気体またはその混合気体（以下、ア
ルミニウム含有気体）であり、他方は、アルミニウム以
外の金属を含有する化合物の気体またはその混合気体
（以下、金属含有気体）であり、該基体上に予め作製さ
れた２種類以上の異なる薄膜のうち、放射線照射手段を
用いて特定の薄膜だけを加熱することで、基体を部分加
熱し、該特定の薄膜上だけに選択的にアルミニウムとア
ルミニウム以外の金属との合金膜を作製する薄膜作製方
法を用いる。
（作用） 第２図は、（本願の出願人の出願になる特願昭62−17
2374号「成膜装置および方法」で示した薄膜作製装置
に、特願昭63−22463号「薄膜作製方法」で示した方法
を参照）、後述するようにトリイソブチルアルミニウム
とジシランガスの混合気体でアルミニウム−シリコン合
金を作製した場合の基体温度に対する成膜速度の関係を
示す。
2374号「成膜装置および方法」で示した薄膜作製装置
に、特願昭63−22463号「薄膜作製方法」で示した方法
を参照）、後述するようにトリイソブチルアルミニウム
とジシランガスの混合気体でアルミニウム−シリコン合
金を作製した場合の基体温度に対する成膜速度の関係を
示す。
同図で分かるように、基体上の所望する部分だけを部
分加熱して、その部分の温度を250℃以上にし、他の部
分を250℃よりも低く保つことにより高温部分に選択的
にアルミニウム−シリコン合金を堆積させることができ
る。
分加熱して、その部分の温度を250℃以上にし、他の部
分を250℃よりも低く保つことにより高温部分に選択的
にアルミニウム−シリコン合金を堆積させることができ
る。
（実施例） 第１図は本発明の実施例の薄膜作製装置の正面断面図
である。第５図と同一の部材には同一の符号を付して説
明を省略する。
である。第５図と同一の部材には同一の符号を付して説
明を省略する。
ガス分配手段としての分配板31は、気体を基体２の表
面へ均一に供給するために設けてられているもので、本
実施例の場合は、気体の通過する多数の小孔が設けられ
た４枚の薄板を互いに狭い隙間を隔てて重ね合わせた構
成をとっている。この枚数は気体を均一に分配するため
に選ばれた枚数であって、枚数はもちろんこの構造にも
限定はない。薄板には熱伝導性の良いものとして銅を用
いている。分配板31の温度は温度調整手段40によって調
整されている。
面へ均一に供給するために設けてられているもので、本
実施例の場合は、気体の通過する多数の小孔が設けられ
た４枚の薄板を互いに狭い隙間を隔てて重ね合わせた構
成をとっている。この枚数は気体を均一に分配するため
に選ばれた枚数であって、枚数はもちろんこの構造にも
限定はない。薄板には熱伝導性の良いものとして銅を用
いている。分配板31の温度は温度調整手段40によって調
整されている。
図示しない気体供給装置からバルブ７を通して気体を
処理室１に導入すると、気体は４枚の薄板からなる分配
板31を通過することによって加熱され、加熱された気体
が基体２上に均一供給される。この気体の加熱は、基体
上に得られる膜の特性に極めて大きな影響を与える。
（この件に関しては本願の出願人の出願になる特願昭62
−172374号「成膜装置および方法」に記載がある。） そして例えば、基体２全体の温度をある温度に設定す
ると、第２図のような成膜速度で基体２上に成膜が行な
われる。しかし本発明は、選択的に所望する部分の上に
だけ所望する薄膜を成膜するために、基体２の表面で部
分的に温度差をつける方法を用いる。
処理室１に導入すると、気体は４枚の薄板からなる分配
板31を通過することによって加熱され、加熱された気体
が基体２上に均一供給される。この気体の加熱は、基体
上に得られる膜の特性に極めて大きな影響を与える。
（この件に関しては本願の出願人の出願になる特願昭62
−172374号「成膜装置および方法」に記載がある。） そして例えば、基体２全体の温度をある温度に設定す
ると、第２図のような成膜速度で基体２上に成膜が行な
われる。しかし本発明は、選択的に所望する部分の上に
だけ所望する薄膜を成膜するために、基体２の表面で部
分的に温度差をつける方法を用いる。
基体２の表面上の所望する部分の部分加熱は、赤外線
ランプ50によって行なう。赤外線ランプ50から放射され
る赤外線55の吸収効率は、例えば、タングステンのよう
な金属の場合には高いが、シリコンや二酸化珪素のよう
な場合には低く、吸収効率は物質により異なる。従って
吸収効率の相違を利用すれば所望する部分だけを部分加
熱することができる。
ランプ50によって行なう。赤外線ランプ50から放射され
る赤外線55の吸収効率は、例えば、タングステンのよう
な金属の場合には高いが、シリコンや二酸化珪素のよう
な場合には低く、吸収効率は物質により異なる。従って
吸収効率の相違を利用すれば所望する部分だけを部分加
熱することができる。
部分加熱が目的であるから、吸収効率さえ異なれば使
用する放射線は赤外線以外の電磁波でもよく、マイクロ
波や紫外線等も使用可能である。
用する放射線は赤外線以外の電磁波でもよく、マイクロ
波や紫外線等も使用可能である。
この部分加熱を利用する従来技術には、前述のように
すでに選択的タングステン成長法があり、部分加熱が可
能であり且つ有効であることはすでに当業者に広く認識
されている。
すでに選択的タングステン成長法があり、部分加熱が可
能であり且つ有効であることはすでに当業者に広く認識
されている。
基体２および基体２を保持する基体ホルダー３′と光
学窓51の材質は、赤外線ランプ50から放射する赤外線55
を十分に透過するものである。
学窓51の材質は、赤外線ランプ50から放射する赤外線55
を十分に透過するものである。
本実施例では光学窓51に石英ガラスを用いたが、赤外
線55を十分に透過するものであるれば材質は石英ガラス
に限定されない。また赤外線ランプ50にハロゲンランプ
を用いたが、これにも限定されるものでなく、ランプの
代わりにレーザ等を用いてもよい。
線55を十分に透過するものであるれば材質は石英ガラス
に限定されない。また赤外線ランプ50にハロゲンランプ
を用いたが、これにも限定されるものでなく、ランプの
代わりにレーザ等を用いてもよい。
第１図の装置を用いることによりアルミニウム−シリ
コン合金膜を基体の表面の所望する部分に選択的に形成
することができる。
コン合金膜を基体の表面の所望する部分に選択的に形成
することができる。
第３図は本発明によるアルミニウム−シリコン合金膜
の選択的堆積の工程を示す基体の拡大断面図である。
の選択的堆積の工程を示す基体の拡大断面図である。
先ず、第３図ａの如く、珪素基体（Si基体）100上に1
0000Å位の二酸化珪素膜（SiO2）200を、熱CVD、スパッ
タリング法、プラズマCVD法、プラズマECR法等の手法で
形成する。そしてレジストでパターニングしてRIE法で
コンタクトホール21を形成する（第３図ｂ）。
0000Å位の二酸化珪素膜（SiO2）200を、熱CVD、スパッ
タリング法、プラズマCVD法、プラズマECR法等の手法で
形成する。そしてレジストでパターニングしてRIE法で
コンタクトホール21を形成する（第３図ｂ）。
そして、選択的タングステン成長法を用いて、このコ
ンタクトホール21の底部に、バイアメタルとなるタング
ステン400を1000Å位形成してできた第３図ｃの基体
２″を、上記した第１図の本発明の装置に設置する。そ
して分配板31の温度を230℃に設定し、ジシランガスの
流量を10sccm、トリイソブチルアルミニウム（アルゴン
をキャリアガスとして用いる）の流量40sccmの混合気体
をバルブ７を通して導入する。圧力はバルブ９の開閉操
作で2Torrになるようにする。この状態で赤外線ランプ5
0から放射する赤外線55を基体２に照射すると、タング
ステン400が部分加熱されて、その上に第３図ｄのよう
にアルミニウム−シリコン合金膜340を選択的に作製す
ることができた。
ンタクトホール21の底部に、バイアメタルとなるタング
ステン400を1000Å位形成してできた第３図ｃの基体
２″を、上記した第１図の本発明の装置に設置する。そ
して分配板31の温度を230℃に設定し、ジシランガスの
流量を10sccm、トリイソブチルアルミニウム（アルゴン
をキャリアガスとして用いる）の流量40sccmの混合気体
をバルブ７を通して導入する。圧力はバルブ９の開閉操
作で2Torrになるようにする。この状態で赤外線ランプ5
0から放射する赤外線55を基体２に照射すると、タング
ステン400が部分加熱されて、その上に第３図ｄのよう
にアルミニウム−シリコン合金膜340を選択的に作製す
ることができた。
また上記では、アルミニウム含有化合物としてイソブ
チルアルミニウムを用いているが、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム等の、他のアルミニウム
含有化合物を用いた場合も同様の結果を得た。しかしト
リメチルアルミニウムやトリエチルアルミニウムでは、
作製した膜中に多少の炭素が残留する欠点があった。
チルアルミニウムを用いているが、トリメチルアルミニ
ウム、トリエチルアルミニウム等の、他のアルミニウム
含有化合物を用いた場合も同様の結果を得た。しかしト
リメチルアルミニウムやトリエチルアルミニウムでは、
作製した膜中に多少の炭素が残留する欠点があった。
またシリコン化合物として、ジシランの他にモノシラ
ンやトリシランを用いても同様の堆積が得られる。トリ
シランはジシラン以上に有効であることが判明している
が、現在は高純度のトリシランを多量に入手することが
困難であり経済性に問題がある。
ンやトリシランを用いても同様の堆積が得られる。トリ
シランはジシラン以上に有効であることが判明している
が、現在は高純度のトリシランを多量に入手することが
困難であり経済性に問題がある。
また上記では、アルミニウム−シリコン合金膜の作製
について記述したが、アルミニウム単体膜、アルミニウ
ム−銅合金膜、アルミニウム−シリコン−銅合金膜等の
作製についても同様の作業は可能であった。
について記述したが、アルミニウム単体膜、アルミニウ
ム−銅合金膜、アルミニウム−シリコン−銅合金膜等の
作製についても同様の作業は可能であった。
（発明の効果） 以上のように、本発明の装置および方法によって、段
差または凹部を有する基体について、その底部または凹
部に選択的に薄膜を形成し平坦化を行なうことができ
る。
差または凹部を有する基体について、その底部または凹
部に選択的に薄膜を形成し平坦化を行なうことができ
る。
第１図は本発明の実施例の薄膜作製装置の断面図。 第２図は基体温度と成膜速度の関係図。 第３図は本発明によるアルミニウム−シリコン合金膜作
製の経過を示す基体表面の拡大断面図。 第４図は従来の薄膜作製方法によって作製された薄膜の
状態を示す基体表面の拡大断面図。 第５図は従来の薄膜作製装置の断面図である。 １……処理室、２……基体、３′……基体ホルダー、31
……ガス分配手段、32……ヒーター、33……熱電対、40
……温度調整手段、50……赤外線ランプ、51……光学
窓、55……赤外線。
製の経過を示す基体表面の拡大断面図。 第４図は従来の薄膜作製方法によって作製された薄膜の
状態を示す基体表面の拡大断面図。 第５図は従来の薄膜作製装置の断面図である。 １……処理室、２……基体、３′……基体ホルダー、31
……ガス分配手段、32……ヒーター、33……熱電対、40
……温度調整手段、50……赤外線ランプ、51……光学
窓、55……赤外線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−67135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−14870（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−45759（ＪＰ，Ａ) 特公 昭44−5283（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】真空に保つことの出来る処理室と；該処理
室内に設置され、基体を保持する基体ホルダーと；所定
の気体を該処理室内に導入する気体導入手段と；該処理
室内を排気する排気手段と；開口部を該基体ホルダーに
対向させて該処理室内に設置あるいは該処理室内を構成
する一部分として設けられた、該気体導入手段から導入
された所定の気体を均一に基体の表面に供給するガス分
配手段と；基体加熱手段と；を含んで構成され、該所定
の気体を構成する元素の一部を基体の表面に堆積させ薄
膜を作製する薄膜作製装置において、 該ガス分配手段は、該処理室内の温度とは独立して、該
ガス分配手段を通過する該所定の気体を加熱するための
ガス分配板の温度調整手段をもち、該基体加熱手段とし
て、基体の裏側から基体表面上の所望する部分を加熱す
るための放射線照射を行う放射線照射手段を備え、該基
体ホルダーは該放射線照射を十分に透過し得る材質から
なり、よって該基体表面上の所望する部分にアルミニウ
ムとアルミニウム以外の金属との合金膜を堆積させるこ
とを特徴とする薄膜作製装置。 - 【請求項２】処理室内に導入される気体の構成元素の一
部を、基体のみを加熱することで基体の表面に堆積さ
せ、薄膜を作製する方法において、 該気体は少なくとも二種類の気体を含み、該二種類の気
体の一方は、アルミニウムを含有する化合物の気体また
はその混合気体（以下、アルミニウム含有気体）であ
り、他方は、アルミニウム以外の金属を含有する化合物
の気体またはその混合気体（以下、金属含有気体）であ
り、該二種類の気体を気体導入経路上において加熱して
から処理室内に導入し、放射線照射手段を用いて該基体
の所望する部分を部分加熱することで、選択的に該所望
する部分の表面にアルミニウムとアルミニウム以外の金
属との合金膜を作製することを特徴とする薄膜作製方
法。 - 【請求項３】前記アルミニウム以外の金属がシリコンで
あり、作製される薄膜がアルミニウム−シリコン合金膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄
膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198553A JP2544185B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 薄膜作製装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198553A JP2544185B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 薄膜作製装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247263A JPH0247263A (ja) | 1990-02-16 |
| JP2544185B2 true JP2544185B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16393089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198553A Expired - Fee Related JP2544185B2 (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 薄膜作製装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2544185B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2041983B (en) * | 1978-11-09 | 1982-12-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Metallising semiconductor devices |
| JPS5645759A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of vapor growth film |
| JPS6314870A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | Hitachi Ltd | 金属薄膜選択成長方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP63198553A patent/JP2544185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247263A (ja) | 1990-02-16 |
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