JP2541318B2 - Magnetic memory - Google Patents

Magnetic memory

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JP2541318B2 JP1231513A JP23151389A JP2541318B2 JP 2541318 B2 JP2541318 B2 JP 2541318B2 JP 1231513 A JP1231513 A JP 1231513A JP 23151389 A JP23151389 A JP 23151389A JP 2541318 B2 JP2541318 B2 JP 2541318B2
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雅広 柳沢
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は情報を磁気的に書き込みおよび読み出しを行
う磁気記憶体に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a magnetic storage medium for magnetically writing and reading information.

[従来の技術] 従来より、磁気ヘッド(以下、ヘッドと称する)を通
して磁気記録媒体(以下、媒体と称する)に情報を磁気
的に書き込みおよび読み出しを行う磁気記憶体には、磁
気テープ、磁気カード、フレキシブルディスク、ハード
磁気ディスク(以下、ハードディスクと称する)などの
媒体を用いるものが実用化されているが、いずれも記録
密度を高くするためには媒体とヘッドの間隔(以下、ス
ペーシングと称する)をできるだけ小さくすることが必
要である。
[Prior Art] Conventionally, a magnetic tape or a magnetic card is used as a magnetic storage medium for magnetically writing and reading information to and from a magnetic recording medium (hereinafter referred to as medium) through a magnetic head (hereinafter referred to as head). , A flexible disk, a hard magnetic disk (hereinafter referred to as a hard disk), and the like have been put into practical use, but in order to increase the recording density, a space between the medium and the head (hereinafter referred to as spacing) is used. ) Should be as small as possible.

このうち、ハードディスクにおいては、ヘッドと媒体
間の相対速度を高速にするため、空気流の浮揚力を利用
してヘッドとハードディスク上でヘッドが非接触で浮上
する浮動型ヘッドを用いており、そのスペーシングは現
時点ではハードディスク装置において0.2μmが最小で
ある。また該ハードディスクは、基板に硬質の材料、例
えばアルミ合金,ニッケル−燐メッキ膜被覆アルミ合
金,アルマイト被覆アルミ合金,ガラス,セラミックス
等を用いて基板のうねりおよび表面粗さを小さくしてき
た。これは基板上に形成する媒体および保護膜も同様で
ある。また媒体と対向するヘッド表面も平滑かつ表面粗
さを小さくしてきた。
Among them, in the hard disk, in order to increase the relative speed between the head and the medium, a floating head is used in which the head floats on the hard disk in a non-contact manner by utilizing the levitation force of the air flow. At present, the minimum spacing is 0.2 μm in a hard disk drive. In the hard disk, the substrate has been made of a hard material such as an aluminum alloy, a nickel-phosphorus plated film-coated aluminum alloy, an alumite-coated aluminum alloy, glass or ceramics to reduce the waviness and surface roughness of the substrate. The same applies to the medium and protective film formed on the substrate. The head surface facing the medium has also been made smooth and the surface roughness has been reduced.

[発明が解決しようとする課題] 基板として硝子基板を用いた場合、その材料としては
加工性に優れ、製造価格を下げることができるLi,K,Na
などのアルカリ金属、またはBa,Mg,Ca,Srなどのアルカ
リ土類金属を含む珪酸硝子が用いられてきた。しかしこ
のような添加金属は空気中の水分や炭酸ガスなどと反応
し、水酸化物や炭酸塩などの反応生成物を形成する。こ
れらの反応生成物は体積膨張を生じたり、あるいは吸湿
性や強い塩基性を示し、該基板の上に被覆されている磁
性媒体を腐食させたり表面粗さを大きくしてヘッドと媒
体の接触・破壊を招き、磁気記憶装置の信頼性を著しく
阻害するという問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] When a glass substrate is used as the substrate, the material is excellent in workability and can reduce the manufacturing cost of Li, K, Na.
Silica glass containing alkali metals such as or alkaline earth metals such as Ba, Mg, Ca, and Sr has been used. However, such an added metal reacts with moisture and carbon dioxide in the air to form reaction products such as hydroxide and carbonate. These reaction products cause volume expansion, or show hygroscopicity or strong basicity, corrode the magnetic medium coated on the substrate, or increase the surface roughness to make contact between the head and the medium. There is a problem in that the magnetic storage device is damaged and the reliability of the magnetic storage device is significantly impaired.

本発明は、以上述べたような従来の課題を解決するた
めになされたもので、硝子基板を用い、かつ磁気記憶体
の化学的および機械的信頼性の向上した磁気記憶体を提
供することにある。
The present invention has been made in order to solve the conventional problems described above, and provides a magnetic memory using a glass substrate and having improved chemical and mechanical reliability of the magnetic memory. is there.

[課題を解決するための手段] 本発明は、硝子基板の上にZrO2・SiO2複合酸化膜から
なるイオン拡散防止層が形成され、該イオン拡散防止層
上に少なくとも磁性媒体層が形成されてなることを特徴
とする磁気記憶体である。
[Means for Solving the Problems] In the present invention, an ion diffusion preventing layer made of a ZrO 2 · SiO 2 composite oxide film is formed on a glass substrate, and at least a magnetic medium layer is formed on the ion diffusion preventing layer. It is a magnetic memory body characterized by the following.

本発明の磁気記憶体の硝子基板には、Li,K,Naなどの
アルカリ金属、またはBa,Mg,Ca,Srなどのアルカリ土類
金属を含む珪酸硝子あるいは基板表面を別のアルカリ金
属で置換(例えばNaをKで置換)した化学強化硝子が用
いられる。
In the glass substrate of the magnetic memory of the present invention, Li, K, Na or other silicate glass containing alkali metal such as Ba, Mg, Ca, Sr or the substrate surface is replaced with another alkali metal. A chemically strengthened glass (for example, Na is replaced with K) is used.

この硝子基板の上にはZrO2・SiO2複合酸化膜からなる
イオン拡散防止層が被覆されている。該防止層はスパッ
タリング法あるいはプラズマ化学気相法(PCVD法)など
で作製される。
An ion diffusion preventing layer made of a ZrO 2 · SiO 2 composite oxide film is coated on the glass substrate. The prevention layer is formed by a sputtering method, a plasma chemical vapor deposition method (PCVD method) or the like.

該防止層上には直接、またはCr,Mo,Wなどの保磁力増
加層を介して磁性媒体が被覆されている。磁性媒体とし
ては、FeO4,γ−Fe2O3,Fe3N4,バリウムフェライト,Fe5C
2などの鉄酸化物、鉄窒化物または鉄炭化物などのセラ
ミックス、Co,Co−Ni,Co−Ni−P,Co−Mn−P,Co−Mn−Ni
−P,Co−Re,Co−Ni−Re,Co−Mn−Re−P,Co−Ni−Re−P,
Co−Cr,Co−Cr−Ta,Co−Fe−Cr,Co−V,Co−Ru,Co−Os,C
o−Pt,Co−Ni−Pt,Co−Pt−Cr,Co−Pt−V,Co−Rh,Co−C
r−Rh,Co−Ni−Mo,Co−Ni−Cr,Co−Ni−W,Co−Ru,Co−S
mなどのコバルトを含む金属、Fe−Mg,Fe−Nd,Fe−Ag,Fe
−Pd,Fe−Tb,Fe−Tiなどの鉄を含む金属、Mn−Al,Mn−C
u−Alなどのマンガンを含む金属等が用いられる。上記
金属は蒸着法あるいはスパッタリング法あるいはプラズ
マ化学気相法(PCVD法)などで薄膜として作製するか、
あるいは微粉末としてポリウレタン樹脂,エポキシ樹脂
あるいはフェノール樹脂などの高分子化合物中に混合し
た磁性塗料を塗布して作製する。
A magnetic medium is coated on the prevention layer directly or through a coercive force increasing layer of Cr, Mo, W or the like. Magnetic media include FeO 4 , γ-Fe 2 O 3 , Fe 3 N 4 , barium ferrite, and Fe 5 C.
2, such as iron oxides, ceramics such as iron nitride or iron carbide, Co, Co-Ni, Co-Ni-P, Co-Mn-P, Co-Mn-Ni
-P, Co-Re, Co-Ni-Re, Co-Mn-Re-P, Co-Ni-Re-P,
Co-Cr, Co-Cr-Ta, Co-Fe-Cr, Co-V, Co-Ru, Co-Os, C
o-Pt, Co-Ni-Pt, Co-Pt-Cr, Co-Pt-V, Co-Rh, Co-C
r-Rh, Co-Ni-Mo, Co-Ni-Cr, Co-Ni-W, Co-Ru, Co-S
Metals containing cobalt such as m, Fe-Mg, Fe-Nd, Fe-Ag, Fe
-Pd, Fe-Tb, Fe-Ti and other metals containing iron, Mn-Al, Mn-C
Metals including manganese such as u-Al are used. Is the above metal formed as a thin film by vapor deposition, sputtering, plasma chemical vapor deposition (PCVD), etc.,
Alternatively, it is prepared by applying a magnetic paint mixed as a fine powder into a polymer compound such as polyurethane resin, epoxy resin or phenol resin.

磁性媒体の上には必要に応じて保護膜が被覆される。
保護膜としては、SiO2,SiO2,Si3N4,SiCまたはゾル−ゲ
ル法による珪酸重合物などの珪素化合物、Al2O3,CoO,Co
O4,Co2O3,α−Fe2O3,Cr2O3,TiO2,ZrO2,ZnO,PbO,NiO,MoO
2またはSnO2などの金属酸化物、TiN,ZrN,CrN,TaN,BNな
どの金属窒化物、MoS2,WS2,TaS2などの金属流株付、Ti
C,ZrC,CrC,TaCなどの金属炭化物、ふっ化黒鉛などの金
属ふっ化物、またはW,Cr,Ir,NiB,NiP,FeCr,NiCr,Sn,Pb,
Zn,Tl,Au,Ag,Cu,Ga,Ru,Rh,Mn,Mo,OsまたはTaまたはそれ
らの合金などの金属または合金、Si,Ge,B,C(非晶質あ
るいはダイヤモンド状あるいはその混合物)などの半導
体、ポリテトラフルオロエチレン,フェノール樹脂,ポ
リイミドなどのプラスチック等が用いられる。
A protective film is coated on the magnetic medium as needed.
As the protective film, SiO 2 , SiO 2 , Si 3 N 4 , SiC or a silicon compound such as a silicic acid polymer by the sol-gel method, Al 2 O 3 , CoO, Co
O 4 , Co 2 O 3 , α-Fe 2 O 3 , Cr 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, PbO, NiO, MoO
2 or SnO 2 and other metal oxides, TiN, ZrN, CrN, TaN, BN and other metal nitrides, MoS 2 , WS 2 , TaS 2 and other metal stocks, Ti
C, ZrC, CrC, TaC and other metal carbides, fluorinated graphite and other metal fluorides, or W, Cr, Ir, NiB, NiP, FeCr, NiCr, Sn, Pb,
Metals or alloys such as Zn, Tl, Au, Ag, Cu, Ga, Ru, Rh, Mn, Mo, Os or Ta or their alloys, Si, Ge, B, C (amorphous or diamond-like or mixture thereof) ) And other semiconductors, and plastics such as polytetrafluoroethylene, phenolic resin, and polyimide are used.

保護膜の上には潤滑層が被覆されていてもよい。潤滑
層としては、パーフロロポリエーテル,脂肪酸,脂肪酸
エステル,シリコーンオイル,弗素化シリコーンオイル
などが用いられる。
A lubricating layer may be coated on the protective film. As the lubricating layer, perfluoropolyether, fatty acid, fatty acid ester, silicone oil, fluorinated silicone oil, etc. are used.

保護膜および潤滑層も空気中の水蒸気の侵入を防止
し、硝子基板中のアルカリまたはアルカリ土類金属の反
応を防止する効果を有している。
The protective film and the lubricating layer also have the effect of preventing the entry of water vapor in the air and the reaction of the alkali or alkaline earth metal in the glass substrate.

[作用] 本発明の磁気記憶体においては、硝子基板と磁性媒体
層との間にZrO2・SiO2複合酸化膜からなるイオン拡散防
止層が形成されている。このため、硝子基板中の添加金
属の磁性媒体層への侵入がイオン拡散防止層によって妨
げられ、磁性媒体の腐食や、表面粗さの増大が防止され
る。
[Operation] In the magnetic memory of the present invention, the ion diffusion preventing layer made of the ZrO 2 · SiO 2 composite oxide film is formed between the glass substrate and the magnetic medium layer. Therefore, the ion diffusion preventing layer prevents the added metal in the glass substrate from entering the magnetic medium layer, and prevents corrosion of the magnetic medium and increase in surface roughness.

従って、本発明の磁気記憶体は、アルカリ金属あるい
はアルカリ土類金属の反応による磁性媒体層の腐食やヘ
ッドと媒体の接触・破壊が少ないという特徴を有してお
り、従来の硝子基板を用いた磁気記憶体よりはるかに優
れた信頼性を有する。
Therefore, the magnetic memory of the present invention is characterized by less corrosion of the magnetic medium layer and contact / destruction between the head and the medium due to the reaction of the alkali metal or alkaline earth metal, and the conventional glass substrate was used. It has much higher reliability than magnetic memory.

[実施例] 以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。[Examples] Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

実施例1 第1図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図
である。第1図のように、NaとCaを含むソーダ・ライム
ガラスよりなる硝子基板2上にスパッタリング法により
ZrO2SiO2複合酸化膜からなるイオン拡散防止層3を200n
m被覆し、さらにその上に保磁力増加層4としてCrをス
パッタリング法により1μm被覆した。更にその上に磁
性媒体層としてCoCr合金をスパッタリング法により50nm
被覆し、その上に保護膜6として炭素をスパッタリング
法により2nm被覆し、更にその上に潤滑層7としてパー
フロロポリエーテルを浸漬法により2nm被覆して磁気記
憶体1を作製した。
Embodiment 1 FIG. 1 is a partial sectional view of an embodiment of the magnetic memory body of the present invention. As shown in FIG. 1, a glass substrate 2 made of soda-lime glass containing Na and Ca was sputtered.
Ion diffusion prevention layer 3 consisting of ZrO 2 SiO 2 composite oxide film
m was coated, and Cr was further coated thereon as a coercive force increasing layer 4 by 1 μm by a sputtering method. On top of that, a CoCr alloy as a magnetic medium layer is formed to a thickness of 50 nm by a sputtering method.
Then, a protective film 6 was coated with carbon by a sputtering method to a thickness of 2 nm, and a lubricating layer 7 was further coated with perfluoropolyether by a dipping method to a thickness of 2 nm to prepare a magnetic memory body 1.

実施例2 第2図は、本発明の磁気記憶体のさらに別の実施例の
部分断面図である。第2図のように、化学強化ガラスよ
りなる硝子基板22上にスパッタリング法によりZrO2・Si
O2からなるイオン拡散防止層23を200nm被覆し、さらに
その上に磁性媒体層25としてCoPt合金をスパッタリング
法により30nm被覆した。その上に保護膜26として炭素を
PCVD法により2nm被覆し、更にその上に潤滑層27として
パーフロロポリエーテルを浸漬法により2nm被覆して磁
気記憶体21を作製した。
Embodiment 2 FIG. 2 is a partial sectional view of still another embodiment of the magnetic memory body of the present invention. As shown in Fig. 2 , ZrO 2 · Si was sputtered on a glass substrate 22 made of chemically strengthened glass.
An ion diffusion preventive layer 23 made of O 2 was coated with 200 nm, and a CoPt alloy was coated with 30 nm as a magnetic medium layer 25 thereon by a sputtering method. On top of that, carbon is used as a protective film 26.
A magnetic memory body 21 was prepared by coating it to a thickness of 2 nm by the PCVD method, and further coating a perfluoropolyether as a lubricating layer 27 thereon to a thickness of 2 nm by the dipping method.

比較例1 第3図は、比較例として用いた従来例による磁気記憶
体の部分断面図である。作製方法は実施例1と同様にし
て、但しイオン拡散防止層を被覆せずに、硝子基板42上
に保磁力増加層44、磁性媒体層45、保護膜46、潤滑層47
を順次被覆した磁気記憶体41を製造した。
Comparative Example 1 FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a conventional magnetic memory body used as a comparative example. The manufacturing method is the same as in Example 1, except that the ion diffusion preventing layer is not covered and the coercive force increasing layer 44, the magnetic medium layer 45, the protective film 46, and the lubricating layer 47 are formed on the glass substrate 42.
A magnetic memory body 41 was manufactured by sequentially coating the above.

次に、実施例および比較例で得られた磁気記憶体につ
いて、温度90℃、相対湿度95%で耐候性試験を6ヶ月行
い、エラーレートを測定した。6ヶ月の耐候性試験後、
本発明の磁気記憶体のエラーレートは全く劣化がみられ
ず、また試験後、回転の起動・停止繰り返しによる機械
的耐久性試験(CSS試験)を行ったが、2万回以上にお
いてもヘッドまたは磁気記憶体にはなんら傷などの発生
はなかった。比較例による磁気記憶体については、上記
耐候性試験による硝子基板からのNa,KおよびCaの拡散に
よって磁性媒体膜が腐食したり、反応生成物による突起
の発生によりエラーレートが100倍以上増加した。また
耐候性試験後CSS試験を行ったところ、数回でヘッドク
ラッシュを生じ、磁気記憶体には基板に達するほどの傷
が生じた。
Next, with respect to the magnetic memory bodies obtained in Examples and Comparative Examples, a weather resistance test was conducted for 6 months at a temperature of 90 ° C. and a relative humidity of 95%, and an error rate was measured. After 6 months weather resistance test,
The magnetic memory of the present invention showed no deterioration in the error rate, and after the test, a mechanical durability test (CSS test) was repeated by repeatedly starting and stopping rotation. There were no scratches on the magnetic memory. Regarding the magnetic memory according to the comparative example, the magnetic medium film was corroded by the diffusion of Na, K and Ca from the glass substrate by the weather resistance test, or the error rate was increased 100 times or more due to the generation of protrusions by the reaction product. . Moreover, when a CSS test was conducted after the weather resistance test, a head crash occurred several times, and scratches reaching the substrate occurred in the magnetic memory body.

[発明の効果] 以上、詳細に述べたように、本発明の磁気記憶体は耐
候性に優れていると共に、機械的耐久性にも優れてお
り、その結果、信頼性を向上させることができるという
効果を有する。
[Effects of the Invention] As described in detail above, the magnetic memory body of the present invention is excellent in weather resistance and mechanical durability, and as a result, reliability can be improved. Has the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図および第2図はそれぞれ本発明の磁気記憶体の一
実施例の部分断面図、第3図は従来例による磁気記憶体
の一例の部分断面図である。 1,21,41……磁気記憶体 2,22,42……硝子基板 3,23……イオン拡散防止層 4,44……保磁力増加層 5,25,45……磁性媒体層 6,26,46……保護膜 7,27,47……潤滑層
1 and 2 are partial cross-sectional views of an embodiment of the magnetic memory body of the present invention, and FIG. 3 is a partial cross-sectional view of an example of the conventional magnetic memory body. 1,21,41 …… Magnetic memory 2,22,42 …… Glass substrate 3,23 …… Ion diffusion prevention layer 4,44 …… Coercive force increasing layer 5,25,45 …… Magnetic medium layer 6,26 , 46 …… Protective film 7,27,47 …… Lubrication layer

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】硝子基板の上にZrO2・SiO2複合酸化膜から
なるイオン拡散防止層が形成され、該イオン拡散防止層
に少なくとも磁性媒体層が形成されてなることを特徴と
する磁気記憶体。
1. A magnetic memory characterized in that an ion diffusion preventing layer comprising a ZrO 2 .SiO 2 composite oxide film is formed on a glass substrate, and at least a magnetic medium layer is formed on the ion diffusion preventing layer. body.
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