JP2021015849A - Optical module and stem part - Google Patents

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Hiroshi Kurachi
寛 倉知
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Abstract

To provide an optical module that imparts excellent heat dissipation performance to a package in which a semiconductor laser is accommodated.SOLUTION: An optical module includes a cap part containing a cap base and an optical window, a stem part containing an inner surface, an outer surface on an opposite side of the inner surface, a through-hole extending from the inner surface to the outer surface, a stem base having a first cavity provided on the inner surface, and a lead terminal supported by the stem base, and a subassembly containing a semiconductor laser and a heat sink. The stem part and the cap part are arranged in a first axis direction, and the subassembly and the optical window are arranged in the first axis direction. The lead terminal passes through the through-hole in the first axis direction, and the stem base has a surface defining the first cavity. The surface of the first cavity contains a side surface extending in the first axis direction and a bottom, and the subassembly is supported by the surface of the first cavity.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光モジュール及びステム部品に関する。 The present invention relates to optical modules and stem components.

特許文献1は、光モジュールを開示する。 Patent Document 1 discloses an optical module.

特開平5−175614号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-175614

光モジュールは、パッケージ、例えばステム部品及びキャップ部品を含むパッケージに半導体レーザを収容する。半導体レーザは、動作中に熱を発生し、この熱は、パッケージを介して外部に放出される。特に、レーザ発振に大きなパワーを必要なレーザ、例えば量子カスケードレーザは、パッケージに高い放熱能を求める。 The optical module houses the semiconductor laser in a package, eg, a package that includes stem and cap components. A semiconductor laser generates heat during operation, and this heat is released to the outside through a package. In particular, a laser that requires a large amount of power for laser oscillation, for example, a quantum cascade laser, requires a high heat dissipation capability in the package.

本発明の一側面は、半導体レーザを収容するパッケージに良好な放熱能を与える光モジュールを提供することを目的とする。本発明の別の側面は、半導体素子を収容するパッケージに良好な放熱能を与えるステム部品を提供することを目的とする。 One aspect of the present invention is to provide an optical module that imparts good heat dissipation to a package containing a semiconductor laser. Another aspect of the present invention is to provide a stem component that provides good heat dissipation to a package that houses a semiconductor device.

本発明の一側面に係る光モジュールは、キャップベース及び光学窓を含むキャップ部品と、内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベース、並びに前記ステムベースに支持されたリード端子を含むステム部品と、半導体レーザ及びヒートシンクを含むサブアセンブリと、を備え、前記ステム部品及び前記キャップ部品は、第1軸の方向に配列され、前記サブアセンブリ及び前記光学窓は、前記第1軸の方向に配列され、前記リード端子は、前記貫通孔を前記第1軸の方向に通過し、前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底とを含み、前記サブアセンブリは、前記第1キャビティの前記表面によって支持される。 The optical module according to one aspect of the present invention is provided on a cap component including a cap base and an optical window, an inner surface, an outer surface on the opposite side of the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, and the inner surface. A stem base having a first cavity, a stem component including a lead terminal supported by the stem base, and a subassembly including a semiconductor laser and a heat sink are provided, and the stem component and the cap component are the first shaft. The subassembly and the optical window are arranged in the direction of the first axis, the lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis, and the stem base is the stem base. It has a surface defining a first cavity, the surface of the first cavity includes a side surface and a bottom extending in the direction of the first axis, and the subassembly is by the surface of the first cavity. Be supported.

本発明の別の側面に係るステム部品は、内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベースと、前記ステムベースに支持されたリード端子と、を備え、前記リード端子は、前記貫通孔を第1軸の方向に通過し、前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底面とを含む。 Stem components according to another aspect of the present invention include a stem base having an inner surface, an outer surface opposite to the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, and a first cavity provided on the inner surface. A lead terminal supported by the stem base, the lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis, and the stem base has a surface defining the first cavity. The surface of the first cavity includes a side surface and a bottom surface extending in the direction of the first axis.

本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。 The above objectives and other objectives, features, and advantages of the present invention will be more easily apparent from the following detailed description of preferred embodiments of the invention, which proceed with reference to the accompanying drawings.

以上説明したように、本発明の一側面によれば、半導体レーザを収容するパッケージに良好な放熱能を与える光モジュールを提供する。本発明の別の側面によれば、半導体素子を収容するパッケージに良好な放熱能を与えるステム部品を提供する。 As described above, according to one aspect of the present invention, there is provided an optical module that imparts good heat dissipation to a package containing a semiconductor laser. According to another aspect of the present invention, there is provided a stem component that imparts good heat dissipation to a package containing a semiconductor element.

図1は、実施形態の一側面に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。FIG. 1 is a drawing showing components of an optical module according to one aspect of the embodiment. 図2は、図1に示された光モジュールを一部破断して示す図面である。FIG. 2 is a drawing showing a partially broken optical module shown in FIG. 図3は、図2に示されたIII−III線に沿って取られた断面を示す図面である。FIG. 3 is a drawing showing a cross section taken along lines III-III shown in FIG. 図4は、実施形態の別の側面に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。FIG. 4 is a drawing showing components of an optical module according to another aspect of the embodiment. 図5は、図4に示された光モジュールを一部破断して示す図面である。FIG. 5 is a drawing showing a partially broken optical module shown in FIG. 図6の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールのためにサブアセンブリを模式的に示す上面図である。図6の(b)部は、本実施形態に係る光モジュールのためにサブアセンブリを模式的に示す正面図である。図6の(c)部は、本実施形態に係る光モジュールのためにサブアセンブリを模式的に示す正面図である。Part (a) of FIG. 6 is a top view schematically showing a subassembly for the optical module according to the present embodiment. Part (b) of FIG. 6 is a front view schematically showing a subassembly for the optical module according to the present embodiment. Part (c) of FIG. 6 is a front view schematically showing a subassembly for the optical module according to the present embodiment. 図7の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図7の(b)部は、図7の(a)部に示されたVIIb−VIIb線に沿ってとられた断面を示す図面である。Part (a) of FIG. 7 is a drawing schematically showing a main step in the method for manufacturing an optical module according to the present embodiment. Part (b) of FIG. 7 is a drawing showing a cross section taken along the line VIIb-VIIb shown in part (a) of FIG. 図8の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図8の(b)部は、図8の(a)部に示されたVIIIb−VIIIb線に沿ってとられた断面を示す図面である。Part (a) of FIG. 8 is a drawing schematically showing a main step in the method for manufacturing an optical module according to the present embodiment. Part (b) of FIG. 8 is a drawing showing a cross section taken along the line VIIIb-VIIIb shown in part (a) of FIG. 図9の(a)部及び(b)部は、おのおの、本実施形態に係る光モジュールを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。(A) and (b) of FIG. 9 are drawings schematically showing the main steps in the method for manufacturing the optical module according to the present embodiment, respectively. 図10の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図10の(b)部は、図10の(a)部に示されたXb−Xb線に沿ってとられた断面を示す図面である。Part (a) of FIG. 10 is a drawing schematically showing a main step in the method for manufacturing an optical module according to the present embodiment. Part (b) of FIG. 10 is a drawing showing a cross section taken along the line Xb-Xb shown in part (a) of FIG. 図11の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールを作製する方法における主要な工程を模式的に示す図面である。図11の(b)部は、図11の(a)部に示されたXIb−XIb線に沿ってとられた断面を示す図面である。Part (a) of FIG. 11 is a drawing schematically showing a main step in the method for manufacturing an optical module according to the present embodiment. Part (b) of FIG. 11 is a drawing showing a cross section taken along the line XIb-XIb shown in part (a) of FIG.

いくつかの具体例を説明する。 Some specific examples will be described.

具体例に係る光モジュールは、(a)キャップベース及び光学窓を含むキャップ部品と、(b)内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベース、並びに前記ステムベースに支持されたリード端子を含むステム部品と、(c)半導体レーザ及びヒートシンクを含むサブアセンブリと、を備え、前記ステム部品及び前記キャップ部品は、第1軸の方向に配列され、前記サブアセンブリ及び前記光学窓は、前記第1軸の方向に配列され、前記リード端子は、前記貫通孔を前記第1軸の方向に通過し、前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底とを含み、前記サブアセンブリは、前記第1キャビティの前記表面によって支持される。 The optical module according to the specific example includes (a) a cap component including a cap base and an optical window, (b) an inner surface, an outer surface on the opposite side of the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, and the inner surface. A stem base having a first cavity provided in the stem base, a stem component including a lead terminal supported by the stem base, and (c) a subassembly including a semiconductor laser and a heat sink, the stem component and the cap. The parts are arranged in the direction of the first axis, the subassembly and the optical window are arranged in the direction of the first axis, and the lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis. The stem base has a surface defining the first cavity, the surface of the first cavity includes a side surface and a bottom extending in the direction of the first axis, and the subassembly is the first. It is supported by the surface of one cavity.

光モジュールによれば、ステム部品のステムベースには、第1軸の方向に延在する側面が提供される。この側面は、第1軸の方向に延在する第1キャビティを形成しており、第1キャビティは、その表面によってサブアセンブリを支持する。この支持によれば、サブアセンブリの半導体レーザがサブアセンブリのヒートシンク及び第1キャビティの表面を介してステム部品に放熱することを可能にする。 According to the optical module, the stem base of the stem component is provided with a side extending in the direction of the first axis. This side surface forms a first cavity extending in the direction of the first axis, the first cavity supporting the subassembly by its surface. This support allows the subassembly semiconductor laser to dissipate heat to the stem component through the surface of the subassembly heat sink and first cavity.

また、ステムベースの側面が第1軸を囲むように閉じて、サブアセンブリを受け入れる第1キャビティのエリアを規定する。第1キャビティを有するステム部品によれば、サブアセンブリ及び光学窓を第1軸の方向に配列することを可能にする。また、第1キャビティに側面を有するステムベースによれば、ステムベースにおける第1軸の方向への熱伝搬に加えて、第1軸に交差する方向に、例えば周方向に側面に沿って熱の伝搬を可能にする。 Also, the sides of the stem base close around the first axis to define an area of the first cavity that accepts the subassembly. The stem component with the first cavity allows the subassembly and optical windows to be aligned in the direction of the first axis. Further, according to the stem base having a side surface in the first cavity, in addition to heat propagation in the direction of the first axis in the stem base, heat is transmitted in a direction intersecting the first axis, for example, in the circumferential direction along the side surface. Allows propagation.

具体例に係る光モジュールでは、前記半導体レーザは、量子カスケードレーザを含む。 In the optical module according to the specific example, the semiconductor laser includes a quantum cascade laser.

光モジュールによれば、量子カスケードレーザが、サブアセンブリのヒートシンク及び第1キャビティの表面を介してステム部品に放熱して、冷却される。 According to the optical module, the quantum cascade laser dissipates heat to the stem component through the surface of the heat sink and the first cavity of the subassembly and is cooled.

具体例に係る光モジュールでは、前記光学窓は、3マイクロメートル以上の波長の光を透過可能である。 In the optical module according to the specific example, the optical window can transmit light having a wavelength of 3 micrometers or more.

光モジュールによれば、光学窓が量子カスケードレーザからの光を外部に提供することを可能にする。 According to the optical module, the optical window allows the light from the quantum cascade laser to be provided to the outside.

具体例に係る光モジュールでは、前記キャップベースは、前記光学窓を支持する天井部と側壁部とを含み、前記キャップ部品及び前記ステム部品は、前記ステム部品の前記ステムベースが前記キャップ部品の前記側壁部の一端を支持するように前記ステムベース上に設けられて、前記サブアセンブリを気密に封止する第2キャビティを規定する。 In the optical module according to the specific example, the cap base includes a ceiling portion and a side wall portion that support the optical window, and the cap component and the stem component are such that the stem base of the stem component is the cap component. A second cavity is provided on the stem base to support one end of the side wall and airtightly seals the subassembly.

光モジュールによれば、サブアセンブリを気密に封止する第2キャビティ内に第1キャビティを設けることができる。 According to the optical module, the first cavity can be provided in the second cavity that hermetically seals the subassembly.

具体例に係る光モジュールでは、前記サブアセンブリは、前記ヒートシンクに搭載されたサブマウントを含み、前記サブマウントは、前記半導体レーザを搭載する第1面と、前記第1面の反対側の第2面を有し、当該光モジュールは、前記サブアセンブリを前記第1キャビティの前記側面に固定する接着材を更に備える。 In the optical module according to the specific example, the subassembly includes a submount mounted on the heat sink, and the submount includes a first surface on which the semiconductor laser is mounted and a second surface opposite the first surface. Having a surface, the optical module further comprises an adhesive that secures the subassembly to the side surface of the first cavity.

光モジュールによれば、第1キャビティが、サブアセンブリの一部又は全部を収容するようにヒートシンクをヒートシンクの第2面において支持できる、具体的には、サブアセンブリの一部(具体的には、半導体レーザの一部又は全部)を収容する第1キャビティは、サブマウントの第2面の一部を支持する。或いは、サブアセンブリの全部(具体的には、半導体レーザの全部)を収容する第1キャビティは、サブアセンブリの全部を収容するように、サブマウントの第2面の全部を支持する。 According to the optical module, the first cavity can support the heat sink on the second surface of the heat sink so as to accommodate part or all of the subassembly, specifically a part of the subassembly (specifically, The first cavity, which houses part or all of the semiconductor laser, supports part of the second surface of the submount. Alternatively, the first cavity, which houses the entire subassembly (specifically, the entire semiconductor laser), supports the entire second surface of the submount so as to accommodate the entire subassembly.

具体例に係る光モジュールでは、前記半導体レーザは、前記光学窓に光学的に結合された第1端面、及び該第1端面の反対側の第2端面を有し、前記半導体レーザの前記第2端面は、前記第1キャビティ内に位置する。 In the optical module according to the specific example, the semiconductor laser has a first end face optically coupled to the optical window and a second end face opposite to the first end face, and the second end face of the semiconductor laser. The end face is located in the first cavity.

光モジュールによれば、半導体レーザの第2端面が第1キャビティに位置するように、第1キャビティがサブアセンブリを収容することができる。サブアセンブリのヒートシンクは、第1キャビティ内において半導体レーザからの熱をステムベースに伝える。 According to the optical module, the first cavity can accommodate the subassembly so that the second end face of the semiconductor laser is located in the first cavity. The heat sink of the subassembly transfers heat from the semiconductor laser to the stem base in the first cavity.

具体例に係るステム部品は、光モジュールのために用いられ、(a)内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベースと、(b)前記ステムベースに支持されたリード端子と、を備え、前記リード端子は、前記貫通孔を第1軸の方向に通過し、前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底面とを含む。 The stem component according to the specific example is used for an optical module, and is provided with (a) an inner surface, an outer surface on the opposite side of the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, and a first surface provided on the inner surface. A stem base having a cavity and (b) a lead terminal supported by the stem base are provided, the lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis, and the stem base is the first. It has a surface that defines the cavity, and the surface of the first cavity includes a side surface and a bottom surface extending in the direction of the first axis.

ステム部品によれば、ステムベースの側面及び底面が第1キャビティを規定する。ステムベースの側面は、サブアセンブリを搭載可能なように、第1軸の方向に延在する。 According to the stem component, the sides and bottom of the stem base define the first cavity. The sides of the stem base extend in the direction of the first axis so that the subassembly can be mounted.

具体例に係るステム部品では、前記ステムベースは、前記第1キャビティの深さより小さい厚さを前記第1キャビティの前記底面において有する。 In the stem component according to the specific example, the stem base has a thickness smaller than the depth of the first cavity on the bottom surface of the first cavity.

ステム部品によれば、第1キャビティに、第1キャビティの底面の厚さより大きな深さを与えて、サブアセンブリを第1キャビティに収容することを容易にする。 According to the stem component, the first cavity is provided with a depth greater than the thickness of the bottom surface of the first cavity to facilitate accommodation of the subassembly in the first cavity.

本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、光モジュール及びステム部品に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。 The findings of the present invention can be easily understood by referring to the accompanying drawings shown as examples and considering the following detailed description. Subsequently, an embodiment relating to the optical module and the stem component will be described with reference to the accompanying drawings. When possible, the same parts are designated by the same reference numerals.

図1は、実施例に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。図2は、実施例に係る光モジュールを一部破断して示す図面である。図3は、図2に示されたIII−III線に沿って取られた断面を示す図面である。図4は、実施例に係る光モジュールの構成部品を示す図面である。図5は、実施例に係る光モジュールを一部破断して示す図面である。 FIG. 1 is a drawing showing components of an optical module according to an embodiment. FIG. 2 is a drawing showing a partially broken optical module according to an embodiment. FIG. 3 is a drawing showing a cross section taken along lines III-III shown in FIG. FIG. 4 is a drawing showing components of an optical module according to an embodiment. FIG. 5 is a drawing showing a partially broken optical module according to an embodiment.

図1、図2、図4及び図5を参照すると、光モジュール11は、ステム部品17を備える。 With reference to FIGS. 1, 2, 4 and 5, the optical module 11 includes a stem component 17.

ステム部品17は、ステムベース19及び一又は複数のリード端子21(本実施例では、リード端子21a及びリード端子21b)を含む。ステムベース19は、第1キャビティ20を有する。リード端子21は、ステムベース19に支持される。 The stem component 17 includes a stem base 19 and one or more lead terminals 21 (lead terminals 21a and lead terminals 21b in this embodiment). The stem base 19 has a first cavity 20. The lead terminal 21 is supported by the stem base 19.

ステムベース19は、第1キャビティ20を規定する表面19aを有する。
ステムベース19の表面19aは、第1軸Ax1の方向に延在する側面19bと、側面19bの下縁に繋がる底面19cとを含む。ステムベース19の表面19aの側面19b及び底面19cが、本実施例ではキャビティを規定して、第1キャビティに深さを与える。また、ステムベース19は、第1軸Ax1の方向に配列された内面19f及び外面19gを有し、内面19fは外面19gの反対側にある。ステムベース19は、リード端子21のための貫通孔19dを有する。貫通孔19dは、内面19fから外面19gまで延在する。
The stem base 19 has a surface 19a that defines the first cavity 20.
The surface 19a of the stem base 19 includes a side surface 19b extending in the direction of the first axis Ax1 and a bottom surface 19c connected to the lower edge of the side surface 19b. The side surfaces 19b and bottom surface 19c of the surface 19a of the stem base 19 define the cavity in this embodiment and provide depth to the first cavity. Further, the stem base 19 has an inner surface 19f and an outer surface 19g arranged in the direction of the first axis Ax1, and the inner surface 19f is on the opposite side of the outer surface 19g. The stem base 19 has a through hole 19d for the lead terminal 21. The through hole 19d extends from the inner surface 19f to the outer surface 19g.

図1、図2、図4及び図5を参照すると、光モジュール11は、サブアセンブリ13を更に備える。サブアセンブリ13は、半導体レーザ27及びサブマウント29を含み、ステム部品17上に設けられる。サブマウント29が半導体レーザ27を搭載する。サブアセンブリ13は、第1キャビティ20の表面19aによって支持される。第1キャビティ20の側面19bは、サブアセンブリ13を取り囲むように閉じている。 With reference to FIGS. 1, 2, 4 and 5, the optical module 11 further comprises a subassembly 13. The subassembly 13 includes a semiconductor laser 27 and a submount 29 and is provided on the stem component 17. The submount 29 mounts the semiconductor laser 27. The subassembly 13 is supported by the surface 19a of the first cavity 20. The side surface 19b of the first cavity 20 is closed so as to surround the subassembly 13.

光モジュール11によれば、ステムベース19には、第1軸Ax1の方向に延在する側面19bが提供される。この側面19bは、第1軸Ax1の方向に延在する第1キャビティ20を形成しており、第1キャビティ20は、その表面19aによってサブアセンブリ13を支持する。この支持によれば、サブアセンブリ13の半導体レーザ27からの熱が、サブアセンブリ13のサブマウント29及び第1キャビティ20の表面を介してステム部品17に伝わって、半導体レーザ27の放熱が可能になる。 According to the optical module 11, the stem base 19 is provided with a side surface 19b extending in the direction of the first axis Ax1. The side surface 19b forms a first cavity 20 extending in the direction of the first axis Ax1, and the first cavity 20 supports the subassembly 13 by its surface 19a. According to this support, the heat from the semiconductor laser 27 of the subassembly 13 is transferred to the stem component 17 through the surfaces of the submount 29 and the first cavity 20 of the subassembly 13, and the semiconductor laser 27 can be dissipated. Become.

光モジュール11は、キャップ部品15を更に備えることができる。キャップ部品15及びステム部品17は、第1軸Ax1の方向に配列されて、ステム部品17は、キャップ部品15の一端を支持する。 The optical module 11 may further include a cap component 15. The cap component 15 and the stem component 17 are arranged in the direction of the first axis Ax1, and the stem component 17 supports one end of the cap component 15.

具体的には、キャップ部品15は、キャップベース23及び光学窓25を含む。キャップベース23は、天井部23a及び側壁部23bを含む。天井部23aは、開口23cを有し、また開口23cに位置合わせされた光学窓25を支持する。側壁部23bは、開口23cを側壁部23bの一端から離間するように、天井部23aから第1軸Ax1の方向に延在する。サブアセンブリ13及び光学窓25は、第1軸Ax1の方向に配列される。 Specifically, the cap component 15 includes a cap base 23 and an optical window 25. The cap base 23 includes a ceiling portion 23a and a side wall portion 23b. The ceiling portion 23a has an opening 23c and supports an optical window 25 aligned with the opening 23c. The side wall portion 23b extends from the ceiling portion 23a in the direction of the first axis Ax1 so as to separate the opening 23c from one end of the side wall portion 23b. The subassembly 13 and the optical window 25 are arranged in the direction of the first axis Ax1.

また、第1軸Ax1を囲む側面19bが、サブアセンブリ13を受け入れる第1キャビティ20の位置を規定して、サブアセンブリ13(具体的には、サブアセンブリ13の半導体レーザ27)及び光学窓25を第1軸Ax1の方向に配列することを可能にする。半導体レーザ27は光学窓25に光学的に結合される。また、この側面19bは、ステムベース19内における第1軸Ax1の方向への熱伝搬に加えて、第1軸Ax1に交差する方向に、例えば周方向に側面に沿って熱の伝搬を可能にする。 Further, the side surface 19b surrounding the first axis Ax1 defines the position of the first cavity 20 for receiving the subassembly 13, and the subassembly 13 (specifically, the semiconductor laser 27 of the subassembly 13) and the optical window 25 are provided. It is possible to arrange in the direction of the first axis Ax1. The semiconductor laser 27 is optically coupled to the optical window 25. Further, the side surface 19b enables heat propagation in the stem base 19 in the direction of the first axis Ax1 and in the direction intersecting the first axis Ax1, for example, in the circumferential direction along the side surface. To do.

具体的には、ステムベース19は、内面19fを外面19gに繋ぐ側面19hを有する。ステムベース19は、第1キャビティ20を規定する凹部19eを内面19fに有する。凹部19eは、例えば2000マイクロメートル以上の深さを有する。 Specifically, the stem base 19 has a side surface 19h that connects the inner surface 19f to the outer surface 19g. The stem base 19 has a recess 19e defining the first cavity 20 on the inner surface 19f. The recess 19e has a depth of, for example, 2000 micrometers or more.

また、ステムベース19には貫通孔19dが与えられる。貫通孔19dは、内面19fから外面19gへの方向に延在する。ステム部品17は、貫通孔19d内に設けられる封止材18を有し、封止材18はリード端子21を保持する。リード端子21は、貫通孔19dを第1軸Ax1の方向に通過する。 Further, the stem base 19 is provided with a through hole 19d. The through hole 19d extends in the direction from the inner surface 19f to the outer surface 19g. The stem component 17 has a sealing material 18 provided in the through hole 19d, and the sealing material 18 holds the lead terminal 21. The lead terminal 21 passes through the through hole 19d in the direction of the first axis Ax1.

本実施例では、半導体レーザ27は、例えば量子カスケードレーザを含むことができる。光モジュール11によれば、量子カスケードレーザは、第1キャビティ20内においてサブマウント29及びステムベース19の側面19bを介してステム部品17に放熱することを可能にする。量子カスケードレーザは、例えば4から10マイクロメートルの波長の光を生成できる。 In this embodiment, the semiconductor laser 27 can include, for example, a quantum cascade laser. According to the optical module 11, the quantum cascade laser makes it possible to dissipate heat to the stem component 17 in the first cavity 20 via the submount 29 and the side surface 19b of the stem base 19. Quantum cascade lasers can generate light with wavelengths of, for example, 4 to 10 micrometers.

光学窓25は、例えばジンクセレン(ZnSe)を含むことができ、例えば3マイクロメートル以上の波長の光を透過可能である。光学窓25が量子カスケードレーザからの光を外部に提供することを可能にする。 The optical window 25 can contain, for example, zinc selenium (ZnSe), and can transmit light having a wavelength of, for example, 3 micrometers or more. The optical window 25 allows the light from the quantum cascade laser to be provided to the outside.

キャップ部品15は、ステム部品17のステムベース19がキャップ部品15(キャップベース23)の側壁部23bの一端を支持するようにステムベース19上に設けられて、サブアセンブリ13を気密に封止する第2キャビティ30を規定する。光モジュール11によれば、サブアセンブリ13を気密に封止する第2キャビティ30内に第1キャビティ20を設けることができる。 The cap component 15 is provided on the stem base 19 so that the stem base 19 of the stem component 17 supports one end of the side wall portion 23b of the cap component 15 (cap base 23), and airtightly seals the subassembly 13. The second cavity 30 is defined. According to the optical module 11, the first cavity 20 can be provided in the second cavity 30 that airtightly seals the subassembly 13.

サブアセンブリ13のサブマウント29は、第1面29a及び第2面29bを有し、第1面29aは第2面29bの反対側にある。サブマウント29のベース材は、例えば銅タングステン(CuW)を含むことができる。サブマウント29は、第1面29a上の金属膜29c上に半導体レーザ27を搭載する。 The submount 29 of the subassembly 13 has a first surface 29a and a second surface 29b, the first surface 29a being on the opposite side of the second surface 29b. The base material of the submount 29 can include, for example, copper tungsten (CuW). The submount 29 mounts the semiconductor laser 27 on the metal film 29c on the first surface 29a.

具体的には、サブアセンブリ13は、ヒートシンク33を更に含むことができ、ヒートシンク33は、搭載面33aと、搭載面33aの反対側の裏面33bとを有する。搭載面33aは、絶縁材を含むことができる。ヒートシンク33は、サブマウント29を搭載面33a上に搭載する。ヒートシンク33は、例えば銅(Cu)を含むことができる。 Specifically, the subassembly 13 may further include a heat sink 33, which has a mounting surface 33a and a back surface 33b opposite the mounting surface 33a. The mounting surface 33a may include an insulating material. The heat sink 33 mounts the sub mount 29 on the mounting surface 33a. The heat sink 33 may contain, for example, copper (Cu).

光モジュール11は、ヒートシンク33を第1キャビティ20の側面19bに固定する接着材31を更に備える。接着材31は、例えば金錫(AuSn)を含む。第1キャビティ20は、サブアセンブリ13の一部又は全部を収容する。 The optical module 11 further includes an adhesive 31 that fixes the heat sink 33 to the side surface 19b of the first cavity 20. The adhesive 31 contains, for example, gold tin (AuSn). The first cavity 20 houses a part or all of the subassembly 13.

光モジュール11によれば、第1キャビティ20が、サブアセンブリ13の一部又は全部を収容するように、サブアセンブリ13をヒートシンク33の裏面33bにおいて支持できる、具体的には、サブアセンブリ13の一部(具体的には、半導体レーザ27の一部)を収容する第1キャビティ20は、サブアセンブリ13の一部を収容するように、ヒートシンク33の裏面33bの一部を側面19bにおいて支持するようにできる。或いは、サブアセンブリ13の全部(具体的には、半導体レーザ27の全部)を収容する第1キャビティ20は、サブアセンブリ13の全部を収容するように、ヒートシンク33の裏面33bの全体を側面19bにおいて支持するようにできる。 According to the optical module 11, the subassembly 13 can be supported on the back surface 33b of the heat sink 33 so that the first cavity 20 accommodates part or all of the subassembly 13, specifically one of the subassembly 13. The first cavity 20 accommodating the portion (specifically, a part of the semiconductor laser 27) supports a part of the back surface 33b of the heat sink 33 on the side surface 19b so as to accommodate a part of the subassembly 13. Can be done. Alternatively, the first cavity 20 accommodating the entire subassembly 13 (specifically, the entire semiconductor laser 27) has the entire back surface 33b of the heat sink 33 on the side surface 19b so as to accommodate the entire subassembly 13. Can be supported.

図6の(a)部は、本実施形態に係る光モジュールのためにサブアセンブリを模式的に示す上面図である。サブアセンブリ13は、接続部品34を更に備え、接続部品34は、ヒートシンク33の搭載面33aに固定される。接続部品34は、導電性の第1アーム34a及び第2アーム34bを含み、第1アーム34a及び第2アーム34bは、ヒートシンク33の前縁から第1軸Ax1の方向に突出して成るそれぞれの突出部である。 Part (a) of FIG. 6 is a top view schematically showing a subassembly for the optical module according to the present embodiment. The subassembly 13 further includes a connecting component 34, which is fixed to the mounting surface 33a of the heat sink 33. The connecting component 34 includes a conductive first arm 34a and a second arm 34b, and the first arm 34a and the second arm 34b each project from the front edge of the heat sink 33 in the direction of the first axis Ax1. It is a department.

図2及び図5に示されるように、第1キャビティ20に位置決めされたサブアセンブリ13において、第1アーム34a及び第2アーム34bの突出部の少なくとも一部分は、第1キャビティ20の上縁より突出している。この突出によれば、第1キャビティ20内に収容されたサブアセンブリ13の半導体レーザ27をリード端子21に接続することを容易にする。 As shown in FIGS. 2 and 5, in the subassembly 13 positioned in the first cavity 20, at least a part of the protrusions of the first arm 34a and the second arm 34b protrudes from the upper edge of the first cavity 20. ing. This protrusion facilitates the connection of the semiconductor laser 27 of the subassembly 13 housed in the first cavity 20 to the lead terminal 21.

本実施例では、接続部品34は、互いに分離した第1バー35及び第2バー37を含み、第1バー35及び第2バー37は、ヒートシンク33の搭載面33aに固定される。第1バー35及び第2バー37は、図2、図3及び図5に示されるように、ヒートシンク33の搭載面33a上において第1軸Ax1の方向に延在する。第1バー35及び第2バー37は、例えば金属といった導電性材料であって、棒状の形を有することができる。 In this embodiment, the connecting component 34 includes a first bar 35 and a second bar 37 separated from each other, and the first bar 35 and the second bar 37 are fixed to the mounting surface 33a of the heat sink 33. The first bar 35 and the second bar 37 extend in the direction of the first axis Ax1 on the mounting surface 33a of the heat sink 33, as shown in FIGS. 2, 3 and 5. The first bar 35 and the second bar 37 are conductive materials such as metal and can have a rod-like shape.

本実施例では、サブマウント29は、ヒートシンク33の搭載面33a上において第1バー35と第2バー37との間に設けられる。サブマウント29上の半導体レーザ27は、金ワイヤといった導電性細線を介して第1バー35及び第2バー37に接続される。 In this embodiment, the submount 29 is provided between the first bar 35 and the second bar 37 on the mounting surface 33a of the heat sink 33. The semiconductor laser 27 on the submount 29 is connected to the first bar 35 and the second bar 37 via a conductive thin wire such as a gold wire.

第1バー35及び第2バー37の各々は、サブマウント29の前縁から外側に離れた前端と、ヒートシンク33の後縁から内側に離れた後端を有する。第1バー35及び第2バー37は、ヒートシンク33の前縁から突出しており、これらの突出部分は、接続部品34の導電性の第1アーム34a及び第2アーム34bとして働く。第1バー35及び第2バー37は、それぞれ、例えば半導体レーザ27のアノード及び半導体レーザ27のカソードに接続される。 Each of the first bar 35 and the second bar 37 has a front end away from the front edge of the submount 29 and a rear end away from the rear edge of the heat sink 33. The first bar 35 and the second bar 37 project from the front edge of the heat sink 33, and these projecting portions serve as the conductive first arm 34a and second arm 34b of the connecting component 34. The first bar 35 and the second bar 37 are connected to, for example, the anode of the semiconductor laser 27 and the cathode of the semiconductor laser 27, respectively.

図3を参照すると、半導体レーザ27は、第1端面27a及び第2端面27bを有し、第2端面27bは、第1端面27aの反対側にある。半導体レーザ27は、第1端面27aからレーザ光を出射し、第1端面27aは、図2及び図5に示されるように、光学窓25に光学的に結合される。半導体レーザ27は、金属膜といった高反射構造を第2端面27b上に有することができる。 Referring to FIG. 3, the semiconductor laser 27 has a first end face 27a and a second end face 27b, and the second end face 27b is on the opposite side of the first end face 27a. The semiconductor laser 27 emits laser light from the first end surface 27a, and the first end surface 27a is optically coupled to the optical window 25 as shown in FIGS. 2 and 5. The semiconductor laser 27 can have a highly reflective structure such as a metal film on the second end surface 27b.

半導体レーザ27は、支持体28a及び積層体28bを有する。支持体28aは積層体28bを搭載する。積層体28bは、上部クラッド層を含む上部半導体領域28c、コア層28d、及び下部クラッド層を含む下部半導体領域28eを有する。コア層28dは、上部半導体領域28cと下部半導体領域28eとの間に設けられて、本実施例では、量子カスケードを生じさせる。 The semiconductor laser 27 has a support 28a and a laminate 28b. The support 28a mounts the laminated body 28b. The laminate 28b has an upper semiconductor region 28c including an upper clad layer, a core layer 28d, and a lower semiconductor region 28e including a lower clad layer. The core layer 28d is provided between the upper semiconductor region 28c and the lower semiconductor region 28e, and in this embodiment, a quantum cascade is generated.

図6の(b)部及び(c)部は、本実施形態に係る光モジュールのためにサブアセンブリを模式的に示す正面図である。ヒートシンク33の裏面33bは、実質的な平面であることができ、或いは、第1軸Ax1に交差する断面において凸曲線を描くように搭載面33aから裏面33bへの方向に突出するようにしてもよい。 (B) and (c) of FIG. 6 are front views schematically showing subassemblies for the optical module according to the present embodiment. The back surface 33b of the heat sink 33 can be substantially flat, or even if it projects in the direction from the mounting surface 33a to the back surface 33b so as to draw a convex curve in a cross section intersecting the first axis Ax1. Good.

図1、図2、図3、図4及び図5を参照すると、半導体レーザ27の第2端面27bは、第1キャビティ20内に位置する。この光モジュール11によれば、半導体レーザ27の第2端面27bが第1キャビティ20に位置するように、第1キャビティ20がサブアセンブリ13を収容する。この収容によれば、半導体レーザ27からの熱をサブマウント29、ヒートシンク33及び第1キャビティ20の側面19bを介してステムベース19に伝えることを可能にする。 With reference to FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5, the second end surface 27b of the semiconductor laser 27 is located in the first cavity 20. According to the optical module 11, the first cavity 20 accommodates the subassembly 13 so that the second end surface 27b of the semiconductor laser 27 is located in the first cavity 20. This accommodation makes it possible to transfer heat from the semiconductor laser 27 to the stem base 19 via the submount 29, the heat sink 33 and the side surface 19b of the first cavity 20.

本実施例では、半導体レーザ27の第1端面27aも、第1キャビティ20内に位置する。 In this embodiment, the first end surface 27a of the semiconductor laser 27 is also located in the first cavity 20.

光モジュール11によれば、半導体レーザ27の第1端面27aが第1キャビティ20に位置するように、第1キャビティ20がサブアセンブリ13を収容することができる。この収容によれば、第1キャビティ20内において半導体レーザ27からの熱をヒートシンク33の裏面33bの全体を介して第1キャビティ20の側面19bに伝え、この熱はステムベース19に拡がる。 According to the optical module 11, the first cavity 20 can accommodate the subassembly 13 so that the first end surface 27a of the semiconductor laser 27 is located in the first cavity 20. According to this accommodation, the heat from the semiconductor laser 27 is transferred to the side surface 19b of the first cavity 20 through the entire back surface 33b of the heat sink 33 in the first cavity 20, and this heat is spread to the stem base 19.

図1、図2及び図3に示されるように、ステムベース19の貫通孔19dは、第1キャビティ20に繋がるように、内面19fから外面19gまで貫通することができる。貫通孔19dは、貫通孔19dが第1キャビティ20に繋がるように内面19f及び外面19gにおいて位置決めされて、第1キャビティ20の底面19cは、貫通孔19dの縁に到達している。リード端子21は、底面19c(内面19f)と外面19gとを繋ぐ短い孔を埋める封止材18によって保持される。リード端子21は、底面19cのレベルから突出して、第1キャビティ20の上縁のレベルより高い先端を有する。 As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the through hole 19d of the stem base 19 can penetrate from the inner surface 19f to the outer surface 19g so as to be connected to the first cavity 20. The through hole 19d is positioned on the inner surface 19f and the outer surface 19g so that the through hole 19d is connected to the first cavity 20, and the bottom surface 19c of the first cavity 20 reaches the edge of the through hole 19d. The lead terminal 21 is held by a sealing material 18 that fills a short hole connecting the bottom surface 19c (inner surface 19f) and the outer surface 19g. The lead terminal 21 protrudes from the level of the bottom surface 19c and has a tip higher than the level of the upper edge of the first cavity 20.

或いは、図4及び図5に示されるように、ステムベース19の貫通孔19dは、第1キャビティ20から離れるようにステムベース19の内面19fから外面19gまで貫通することができる。貫通孔19dは、貫通孔19dから離れるように、内面19f及び外面19gにおいて位置決めされると共に、第1キャビティ20の底面19cは、第1キャビティ20の側面19bの下縁で終端している。リード端子21は、内面19fと外面19gとを繋ぐ長い孔を埋める封止材18によって保持される。リード端子21は、内面19fのレベルから突出して、第1キャビティ20の上縁のレベルより高い先端を有する。 Alternatively, as shown in FIGS. 4 and 5, the through hole 19d of the stem base 19 can penetrate from the inner surface 19f to the outer surface 19g of the stem base 19 so as to be separated from the first cavity 20. The through hole 19d is positioned on the inner surface 19f and the outer surface 19g so as to be separated from the through hole 19d, and the bottom surface 19c of the first cavity 20 is terminated at the lower edge of the side surface 19b of the first cavity 20. The lead terminal 21 is held by a sealing material 18 that fills a long hole connecting the inner surface 19f and the outer surface 19g. The lead terminal 21 protrudes from the level of the inner surface 19f and has a tip higher than the level of the upper edge of the first cavity 20.

図1から図5に示されるように、サブアセンブリ13の接続部品34は、第1キャビティ20の上縁より高い先端を有しており、リード端子21に導電体を介して接続される。 As shown in FIGS. 1 to 5, the connecting component 34 of the subassembly 13 has a tip higher than the upper edge of the first cavity 20 and is connected to the lead terminal 21 via a conductor.

図3を参照すると、ステムベース19は、板状部39及び壁部41を備える。板状部39は、ステムベース19に第1キャビティ20の底面19cを提供できるように、第1軸Ax1に交差する基準平面に沿って延在する。壁部41は、ステムベース19に第1キャビティ20の側面19bを提供できるように、板状部39から第1軸Ax1の方向に突出する。壁部41は、第1キャビティ20の底面19cを基準にして盛り上がっており、ステムベース19は、壁部41において、第1キャビティ20の底面19cにおける厚さより大きさ厚さを有する。壁部41は、第1キャビティ20の底面19cを基準にして2000マイクロメートル以上の高さを有する。 Referring to FIG. 3, the stem base 19 includes a plate-shaped portion 39 and a wall portion 41. The plate-shaped portion 39 extends along a reference plane intersecting the first axis Ax1 so that the stem base 19 can provide the bottom surface 19c of the first cavity 20. The wall portion 41 projects from the plate-shaped portion 39 in the direction of the first axis Ax1 so that the side surface 19b of the first cavity 20 can be provided to the stem base 19. The wall portion 41 is raised with reference to the bottom surface 19c of the first cavity 20, and the stem base 19 has a thickness larger than the thickness of the bottom surface 19c of the first cavity 20 at the wall portion 41. The wall portion 41 has a height of 2000 micrometers or more with respect to the bottom surface 19c of the first cavity 20.

壁部41には、第1キャビティ20の側面19bを備える内側面41bと、外側面41cとを有する。内側面41b及び外側面41cは、第1軸Ax1の方向に延在する。ステムベース19の側面19hは外側面41cを備える。本実施例では、壁部41は、第1キャビティ20の側面19bからステムベース19の側面19hまでステムベース19の径方向に延在して、ステムベース19の側面19hに壁部41の外側面41cを提供する。 The wall portion 41 has an inner side surface 41b having a side surface 19b of the first cavity 20 and an outer surface 41c. The inner surface 41b and the outer surface 41c extend in the direction of the first axis Ax1. The side surface 19h of the stem base 19 includes an outer surface 41c. In this embodiment, the wall portion 41 extends in the radial direction of the stem base 19 from the side surface 19b of the first cavity 20 to the side surface 19h of the stem base 19, and the outer surface of the wall portion 41 extends from the side surface 19h of the stem base 19 to the side surface 19h of the stem base 19. 41c is provided.

光モジュール11によれば、壁部41は、第1キャビティ20をステムベース19に形作るように上面41a及び内側面41bを内面19fに提供すると共に、側面19hに外側面41cを提供する。壁部41は、第1軸Ax1を囲むように設けられて、ステムベース19に低い熱抵抗を与える。 According to the optical module 11, the wall portion 41 provides the upper surface 41a and the inner side surface 41b to the inner surface 19f so as to form the first cavity 20 into the stem base 19, and also provides the outer surface 41c to the side surface 19h. The wall portion 41 is provided so as to surround the first axis Ax1 and gives a low thermal resistance to the stem base 19.

光モジュール11によれば、壁部41は、ステムベース19の底面19cにおける板状部39の厚さよりも大きな高さを有すると共に、サブアセンブリ13を取り囲むように板状部39上に設けられる。 According to the optical module 11, the wall portion 41 has a height larger than the thickness of the plate-shaped portion 39 on the bottom surface 19c of the stem base 19, and is provided on the plate-shaped portion 39 so as to surround the subassembly 13.

具体的には、光モジュール11によれば、壁部41をサブアセンブリ13のヒートシンク33の前端の位置より高くすることができる。高い壁部41は、ヒートシンク33の裏面33bを大きな面積で支持することを可能にして、半導体レーザからの熱をステムベース19に伝達することに役立つ。例えば、ヒートシンク33は、壁部41の高さに等しい又はより小さい長さを有することができる。 Specifically, according to the optical module 11, the wall portion 41 can be made higher than the position of the front end of the heat sink 33 of the subassembly 13. The high wall portion 41 makes it possible to support the back surface 33b of the heat sink 33 over a large area, which helps to transfer the heat from the semiconductor laser to the stem base 19. For example, the heat sink 33 can have a length equal to or less than the height of the wall 41.

また、ステムベースの径方向に係る厚さ(壁部41の厚さ)、例えばステムベース19の側面19hとヒートシンク33の裏面との距離は、ステムベース19の側面19hと貫通孔19dの側面(具体的には、板状部39において貫通孔19dを規定する側面)との距離より大きい。厚い壁部41は、ステムベース19に低い熱抵抗を与える。 Further, the thickness in the radial direction of the stem base (thickness of the wall portion 41), for example, the distance between the side surface 19h of the stem base 19 and the back surface of the heat sink 33 is determined by the side surface 19h of the stem base 19 and the side surface of the through hole 19d. Specifically, it is larger than the distance from the side surface of the plate-shaped portion 39 that defines the through hole 19d). The thick wall 41 provides the stem base 19 with low thermal resistance.

壁部41の高さ(第1キャビティ20の底面19cからステムベース19の内面19fまでの最大長)は、板状部39の厚さ(第1キャビティ20の底面19cからステムベース19の外面19gまでの最小長)より大きくすることができる。 The height of the wall portion 41 (maximum length from the bottom surface 19c of the first cavity 20 to the inner surface 19f of the stem base 19) is the thickness of the plate-shaped portion 39 (the outer surface 19g of the stem base 19 from the bottom surface 19c of the first cavity 20). Can be larger than the minimum length up to).

貫通孔19dは、ステムベース19の内面19fから外面19gまで板状部39及び壁部41を貫通して、側面19iによって規定される空隙をステムベース19に提供する。空隙は、リード端子21を保持するガラスといった封止材18で満たされて、封止材18は気密封止を可能にする。封止材18は、ステムベース19の金属の熱伝導より小さい熱伝導率を有する。 The through hole 19d penetrates the plate-shaped portion 39 and the wall portion 41 from the inner surface 19f to the outer surface 19g of the stem base 19, and provides the stem base 19 with a gap defined by the side surface 19i. The voids are filled with a sealing material 18 such as glass that holds the lead terminals 21, and the sealing material 18 enables airtight sealing. The encapsulant 18 has a thermal conductivity lower than that of the metal of the stem base 19.

ヒートシンク33、サブマウント29、及び半導体レーザ27は、第1軸Ax1に交差する第2軸Ax2に対してステム部品17の側面19b上において整列されており、またステム部品17では、リード端子21のうちの任意の2つ(本実施例では、図3の(a)部に示されルように、リード端子21a及びリード端子21b)が、第1軸Ax1の方向に延在する基準面上に配列される。光モジュール11では、リード端子21a及びリード端子21bの配列、ヒートシンク33、サブマウント29、並びに半導体レーザ27は、図3の(b)部に示されるように、第2軸Ax2の方向に順に配置される。リード端子21a及びリード端子21bの位置によれば、リード端子21の配置をサブアセンブリ13から離すことができ、ステムベース19の貫通孔19dが放熱において半導体レーザ27からの熱を迂回させることを回避できる。 The heat sink 33, the submount 29, and the semiconductor laser 27 are aligned on the side surface 19b of the stem component 17 with respect to the second axis Ax2 intersecting the first axis Ax1, and in the stem component 17, the lead terminal 21 Any two of them (in this embodiment, the lead terminal 21a and the lead terminal 21b as shown in the part (a) of FIG. 3) are on the reference plane extending in the direction of the first axis Ax1. Be arranged. In the optical module 11, the arrangement of the lead terminals 21a and the lead terminals 21b, the heat sink 33, the submount 29, and the semiconductor laser 27 are arranged in order in the direction of the second axis Ax2 as shown in the part (b) of FIG. Will be done. According to the positions of the lead terminal 21a and the lead terminal 21b, the arrangement of the lead terminal 21 can be separated from the subassembly 13 and the through hole 19d of the stem base 19 avoids diversion of heat from the semiconductor laser 27 in heat dissipation. it can.

貫通孔19dは、ステムベース19の内面19fから外面19gに板状部39及び壁部41を貫通する。図1、図2及び図3に示されるように、貫通孔19dは、貫通孔19dの一部分が第1キャビティ20に連結されるように位置決めされることができる。或いは、図4及び図5に示されるように、貫通孔19dの全体が第1キャビティ20に離されるように位置決めされることができる。 The through hole 19d penetrates the plate-shaped portion 39 and the wall portion 41 from the inner surface 19f of the stem base 19 to the outer surface 19g. As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the through hole 19d can be positioned so that a part of the through hole 19d is connected to the first cavity 20. Alternatively, as shown in FIGS. 4 and 5, the entire through hole 19d can be positioned so as to be separated from the first cavity 20.

いずれの形態においても、リード端子21a及びリード端子21bは、壁部41の上面41aよりも高い端部を有することができる。 In either form, the lead terminal 21a and the lead terminal 21b can have an end portion higher than the upper surface 41a of the wall portion 41.

図1から図5を参照すると、ステム部品17では、壁部41の外側面41cがステムベース19の側面19hの一部を形成するようにしてもよい。キャップ部品15の側壁部23bを壁部41の上面41aにおいて支持する。光モジュール11によれば、キャップ部品15の側壁部23bの長さから独立した高さを有する壁部41をステムベース19に与えることができる。具体的には、壁部41の上面41aは、ステム部品17の外縁に到達することができる。 Referring to FIGS. 1 to 5, in the stem component 17, the outer surface 41c of the wall portion 41 may form a part of the side surface 19h of the stem base 19. The side wall portion 23b of the cap component 15 is supported on the upper surface 41a of the wall portion 41. According to the optical module 11, a wall portion 41 having a height independent of the length of the side wall portion 23b of the cap component 15 can be provided to the stem base 19. Specifically, the upper surface 41a of the wall portion 41 can reach the outer edge of the stem component 17.

或いは、ステム部品17では、板状部39がフランジを形作るように、壁部41をステムベース19の側面19hから離すようにしてもよい。キャップ部品15を、ステムベース19の側面19hと壁部41の外側面41cを繋ぐ板状部39のフランジのところで支持することができ、壁部41の外側面41cから離れて、板状部39から突出してリッジ形状を形作る。キャップ部品15をステム部品17に接合する際の抵抗溶接において、ステム部品17の電気抵抗を小さくできる。 Alternatively, in the stem component 17, the wall portion 41 may be separated from the side surface 19h of the stem base 19 so that the plate-shaped portion 39 forms a flange. The cap component 15 can be supported at the flange of the plate-shaped portion 39 connecting the side surface 19h of the stem base 19 and the outer surface 41c of the wall portion 41, away from the outer surface 41c of the wall portion 41, and the plate-shaped portion 39. It protrudes from and forms a ridge shape. In resistance welding when the cap component 15 is joined to the stem component 17, the electrical resistance of the stem component 17 can be reduced.

図7の(a)部及び(b)部、図8の(a)部及び(b)部、図9の(a)部及び(b)部、図10の(a)部及び(b)部、並びに図11の(a)部及び(b)部は、本実施形態に係る光モジュールを製造する方法における主要な工程を示す図面である。 (A) and (b) parts of FIG. 7, (a) and (b) parts of FIG. 8, (a) and (b) parts of FIG. 9, and (a) and (b) of FIG. Parts, and parts (a) and (b) of FIG. 11, are drawings showing the main steps in the method of manufacturing the optical module according to the present embodiment.

図7の(a)部は、ステム部品を準備する工程を模式的に示す上面図である。図7の(b)部は、図7の(a)部に示されたVIIb−VIIb線に沿ってとられた断面を示す。 Part (a) of FIG. 7 is a top view schematically showing a process of preparing a stem component. Part (b) of FIG. 7 shows a cross section taken along the VIIb-VIIb line shown in part (a) of FIG.

製造方法は、ステム部品を準備する工程を含む。この工程では、具体的にはステム部品17を準備するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。ステム部品17には、封止材18、ステムベース19、リード端子21a及びリード端子21bが提供される。リード端子21a及びリード端子21bは、ステムベース19に支持される。 The manufacturing method includes a step of preparing stem parts. In this step, specifically, the stem component 17 is prepared, but the present embodiment is not limited to this. The stem component 17 is provided with a sealing material 18, a stem base 19, a lead terminal 21a, and a lead terminal 21b. The lead terminal 21a and the lead terminal 21b are supported by the stem base 19.

ステムベース19には、板状部39及び壁部41が提供される。板状部39は、第1軸Ax1に交差する基準平面に沿って延在して、ステムベース19に第1キャビティ20の底面19cを提供する。壁部41は、板状部39から第1軸Ax1の方向に盛り上がって、ステムベース19に第1キャビティ20の側面19bを提供する。 The stem base 19 is provided with a plate-shaped portion 39 and a wall portion 41. The plate-shaped portion 39 extends along a reference plane intersecting the first axis Ax1 to provide the stem base 19 with the bottom surface 19c of the first cavity 20. The wall portion 41 rises from the plate-shaped portion 39 in the direction of the first axis Ax1 to provide the stem base 19 with the side surface 19b of the first cavity 20.

ステムベース19には、リード端子21のための貫通孔19dが提供される。ステム部品17は、貫通孔19d内に設けられる封止材18を有し、封止材18は、貫通孔19d内においてリード端子21を保持して、気密封止を可能にする。 The stem base 19 is provided with a through hole 19d for the lead terminal 21. The stem component 17 has a sealing material 18 provided in the through hole 19d, and the sealing material 18 holds the lead terminal 21 in the through hole 19d to enable airtight sealing.

具体的には、ステムベース19は、内面19f、外面19g及び側面19hを有する。内面19fは、外面19gの反対側にあり、側面19hは、内面19fから外面19gまで延在する。貫通孔19dは、内面19fから外面19gへの方向、例えば第1軸Ax1の方向に延在する。 Specifically, the stem base 19 has an inner surface 19f, an outer surface 19g, and a side surface 19h. The inner surface 19f is on the opposite side of the outer surface 19g, and the side surface 19h extends from the inner surface 19f to the outer surface 19g. The through hole 19d extends in the direction from the inner surface 19f to the outer surface 19g, for example, in the direction of the first axis Ax1.

ステムベース19の内面19fには凹部19eが提供されて、第1キャビティ20を規定する。 A recess 19e is provided on the inner surface 19f of the stem base 19 to define the first cavity 20.

製造方法は、サブアセンブリを準備する工程を含む。この工程では、具体的には、図6の(b)部に示される構造を有するサブアセンブリ13を準備するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。サブアセンブリ13には、半導体レーザ27、サブマウント29、ヒートシンク33及び接続部品34が提供される。半導体レーザ27、サブマウント29、ヒートシンク33及び接続部品34は、以下の構造を形成するように組み立てられる。 The manufacturing method includes a step of preparing a subassembly. In this step, specifically, the subassembly 13 having the structure shown in the part (b) of FIG. 6 is prepared, but the present embodiment is not limited to this. The subassembly 13 is provided with a semiconductor laser 27, a submount 29, a heat sink 33 and a connecting component 34. The semiconductor laser 27, the submount 29, the heat sink 33, and the connecting component 34 are assembled so as to form the following structure.

具体的には、半導体レーザ27は、第1端面27aがサブマウント29の前端に位置合わせされて、サブマウント29の金属層上に半田材によって固定される。半導体レーザ27及びサブマウント29は、ヒートシンク33の主面の法線方向に順に配列される。サブアセンブリ13は、ステムベース19がその側面19bで支持可能なように設けられた裏面を有する。 Specifically, in the semiconductor laser 27, the first end surface 27a is aligned with the front end of the submount 29 and is fixed on the metal layer of the submount 29 by a solder material. The semiconductor laser 27 and the submount 29 are arranged in order in the normal direction of the main surface of the heat sink 33. The subassembly 13 has a back surface provided so that the stem base 19 can be supported on its side surface 19b.

接続部品34には、導電性の第1アーム34a及び第2アーム34bが提供され、接続部品34は、第1アーム34a及び第2アーム34bがヒートシンク33の前縁から前方に向けて突出するように、ヒートシンク33の主面に固定される。 The connecting component 34 is provided with a conductive first arm 34a and a second arm 34b, and the connecting component 34 is such that the first arm 34a and the second arm 34b project forward from the front edge of the heat sink 33. Is fixed to the main surface of the heat sink 33.

具体的には、接続部品34は、第1アーム34a及び第2アーム34bとして働く互いに分離した第1バー35及び第2バー37を含み、第1バー35及び第2バー37の各々は、金属棒を含む。第1バー35及び第2バー37は、ヒートシンク33の前縁から突出するように、ヒートシンク33の主面に位置決めされる。 Specifically, the connecting component 34 includes a first bar 35 and a second bar 37 separated from each other acting as a first arm 34a and a second arm 34b, and each of the first bar 35 and the second bar 37 is made of metal. Including sticks. The first bar 35 and the second bar 37 are positioned on the main surface of the heat sink 33 so as to project from the front edge of the heat sink 33.

第1バー35の前方部分及び第2バー37の前方部分がヒートシンク33の前縁から前方に向けて突出すると共に、第1バー35の後方部分及び第2バー37の後方部分がヒートシンク33に固定される。第1バー35及び第2バー37のうちの一方の後方部分は、サブマウント29の金属層及び金属ワイヤを介して半導体レーザ27に接続され、他方の後方部分は金属ワイヤを介して半導体レーザ27に接続される。本実施例では、サブマウント29は、ヒートシンク33の主面上において第1バー35の後方部分と第2バー37の後方部分との間に設けられて、第1バー35及び第2バー37が互いに意図しない接触を成すことを回避する。 The front portion of the first bar 35 and the front portion of the second bar 37 project forward from the front edge of the heat sink 33, and the rear portion of the first bar 35 and the rear portion of the second bar 37 are fixed to the heat sink 33. Will be done. One rear portion of the first bar 35 and the second bar 37 is connected to the semiconductor laser 27 via the metal layer and the metal wire of the submount 29, and the other rear portion is connected to the semiconductor laser 27 via the metal wire. Connected to. In this embodiment, the submount 29 is provided between the rear portion of the first bar 35 and the rear portion of the second bar 37 on the main surface of the heat sink 33, and the first bar 35 and the second bar 37 are provided. Avoid making unintended contact with each other.

ヒートシンク33は、サブマウント29の幅より広い幅を有しており、第1バー35及び第2バー37がサブマウント29から隔置されるように、接続部品34を搭載する。第1バー35及び第2バー37は、ヒートシンク33の側辺それぞれに沿って置かれる。 The heat sink 33 has a width wider than the width of the sub mount 29, and mounts the connecting component 34 so that the first bar 35 and the second bar 37 are separated from the sub mount 29. The first bar 35 and the second bar 37 are placed along the side sides of the heat sink 33, respectively.

製造方法は、キャップ部品を準備する工程を含む。この工程では、具体的には、キャップ部品15を準備するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。キャップ部品15には、キャップベース23及び光学窓25が提供される。キャップベース23は、天井部23a及び側壁部23bを含み、光学窓25は、天井部23aによって支持されて、天井部23aの開口23cを塞ぐ。側壁部23bは、光学窓25を側壁部23bの端部から離間するように、天井部23aから延在する。側壁部23bの端部は、抵抗溶接のための閉じた突起を有する。 The manufacturing method includes a step of preparing a cap part. Specifically, in this step, the cap component 15 is prepared, but the present embodiment is not limited to this. The cap component 15 is provided with a cap base 23 and an optical window 25. The cap base 23 includes a ceiling portion 23a and a side wall portion 23b, and the optical window 25 is supported by the ceiling portion 23a to close the opening 23c of the ceiling portion 23a. The side wall portion 23b extends from the ceiling portion 23a so as to separate the optical window 25 from the end portion of the side wall portion 23b. The end of the side wall 23b has a closed protrusion for resistance welding.

材料の例示。
ステムベース19:銅タングステン。
キャップベース23:コバール。
光学窓25:ジンクセレン。
半導体レーザ27:III−V化合物半導体の量子カスケードレーザ。
サブマウント29のベース材:銅タングステン。
ヒートシンク33のベース材:銅。
接続部品34のバー:銅。
Example of material.
Stem base 19: Copper tungsten.
Cap base 23: Kovar.
Optical window 25: Zinc selenium.
Semiconductor laser 27: Quantum cascade laser of III-V compound semiconductor.
Base material of submount 29: Copper tungsten.
Base material of heat sink 33: Copper.
Bar of connecting part 34: Copper.

図8の(a)部は、ステム部品に対するサブアセンブリの位置決め及びステム部品へのサブアセンブリの固定を模式的に示す上面図である。図8の(b)部は、図8の(a)部に示されたVIIIb−VIIIb線に沿ってとられた断面を示す。 Part (a) of FIG. 8 is a top view schematically showing the positioning of the subassembly with respect to the stem component and the fixing of the subassembly to the stem component. Part (b) of FIG. 8 shows a cross section taken along the line VIIIb-VIIIb shown in part (a) of FIG.

製造方法は、サブアセンブリをステム部品に位置決めする工程を含む。ステム部品17の第1キャビティ20にサブアセンブリ13をアライメントする。アライメントにおいて、具体的には、第1軸Ax1、第2軸Ax2、並びに第1軸Ax1及び第2軸Ax2に交差する第3軸Ax3に関して以下のように位置決めすることができる:第1軸Ax1に関しては、サブアセンブリ13をステム部品17の底面19cに突き当てて、半導体レーザ27の高さ及び向きを決めることができる;第2軸Ax2に関しては、サブアセンブリ13をステム部品17の側面19bに突き当てて、半導体レーザ27の位置決めすることができる;第3軸Ax3に関しては、第1キャビティ20の開口形状を基準にしてサブアセンブリ13を位置決めできる。この工程では、第1キャビティ20の形状を基準にしてサブアセンブリ13をステム部品17にアライメントするが、本実施形態はこれに限定されるものではない。 The manufacturing method includes positioning the subassembly on the stem component. The subassembly 13 is aligned with the first cavity 20 of the stem component 17. In the alignment, specifically, the first axis Ax1, the second axis Ax2, and the third axis Ax3 intersecting the first axis Ax1 and the second axis Ax2 can be positioned as follows: 1st axis Ax1. With respect to, the subassembly 13 can be abutted against the bottom surface 19c of the stem component 17 to determine the height and orientation of the semiconductor laser 27; with respect to the second axis Ax2, the subassembly 13 can be placed on the side surface 19b of the stem component 17. The semiconductor laser 27 can be abutted and positioned; with respect to the third axis Ax3, the subassembly 13 can be positioned relative to the opening shape of the first cavity 20. In this step, the subassembly 13 is aligned with the stem component 17 with reference to the shape of the first cavity 20, but the present embodiment is not limited to this.

第1キャビティ20内においてアライメントされたサブアセンブリ13では、第1アーム34a及び第2アーム34bの少なくとも一部分は、第1キャビティ20の上縁より突出している。 In the subassembly 13 aligned in the first cavity 20, at least a portion of the first arm 34a and the second arm 34b protrudes from the upper edge of the first cavity 20.

製造方法は、アライメントの後にサブアセンブリをステム部品に固定する工程を含む。具体的には、接着材31を用いてヒートシンク33を第1キャビティ20の側面19b及び底面19cに固定して、中間組立体を形成する。 The manufacturing method includes fixing the subassembly to the stem component after alignment. Specifically, the heat sink 33 is fixed to the side surface 19b and the bottom surface 19c of the first cavity 20 by using the adhesive 31 to form an intermediate assembly.

図6の(b)部に示される構造のサブアセンブリ13は、上記のようにアライメントされる。これだけでなく、図6の(c)部に示される構造を有するサブアセンブリ13も同様にステム部品17にアライメントすることができる。 The subassembly 13 of the structure shown in the part (b) of FIG. 6 is aligned as described above. Not only this, the subassembly 13 having the structure shown in part (c) of FIG. 6 can be similarly aligned with the stem component 17.

図9の(a)部は、図6の(c)部に示される構造を有するサブアセンブリ13のためのステム部品を模式的に示す上面図である。図9の(b)部は、図6の(c)部に示される構造を有するサブアセンブリ13を含む中間組立体を模式的に示す上面図である。 Part (a) of FIG. 9 is a top view schematically showing a stem component for the subassembly 13 having the structure shown in part (c) of FIG. Part (b) of FIG. 9 is a top view schematically showing an intermediate assembly including a subassembly 13 having the structure shown in part (c) of FIG.

図10の(a)部は、サブアセンブリをステム部品の電気的接続を模式的に示す上面図である。図10の(b)部は、図10の(a)部に示されたXb−Xb線に沿ってとられた断面を示す。 Part (a) of FIG. 10 is a top view schematically showing the electrical connection of the stem component to the subassembly. Part (b) of FIG. 10 shows a cross section taken along the line Xb-Xb shown in part (a) of FIG.

製造方法は、固定されたサブアセンブリをステム部品のリード端子に接続する工程を含む。この工程では、電気的接続に金属ワイヤを用いるが、本実施形態はこれに限定されるものではない。 The manufacturing method includes connecting the fixed subassembly to the lead terminals of the stem component. In this step, a metal wire is used for electrical connection, but the present embodiment is not limited to this.

具体的には、第1キャビティ20内に収容されたサブアセンブリ13の半導体レーザ27を金ワイヤを用いてリード端子21に接続する。具体的には、サブアセンブリ13の一部又は全部が第1キャビティ20内に収容される一方で、第1バー35及び第2バー37の少なくとも一部分が第1キャビティ20の上縁より突出する。リード端子21a及び21bは、それぞれ、突出する第1バー35及び第2バー37に金ワイヤを用いてに接続される。 Specifically, the semiconductor laser 27 of the subassembly 13 housed in the first cavity 20 is connected to the lead terminal 21 by using a gold wire. Specifically, while a part or all of the subassembly 13 is housed in the first cavity 20, at least a part of the first bar 35 and the second bar 37 protrudes from the upper edge of the first cavity 20. The lead terminals 21a and 21b are connected to the protruding first bar 35 and second bar 37 by using a gold wire, respectively.

接続部品34の突出によれば、サブアセンブリ13の一部又は全部、具体的には半導体レーザ27の電極の一部又は全体及びサブマウント29の金属層の一部又は全体が第1キャビティ20に収容される構造において、リード端子21を接続部品34に容易に接続できる。 According to the protrusion of the connecting component 34, a part or all of the subassembly 13, specifically a part or all of the electrodes of the semiconductor laser 27 and a part or all of the metal layer of the submount 29 are in the first cavity 20. In the housed structure, the lead terminal 21 can be easily connected to the connecting component 34.

図11の(a)部は、ステム部品へのキャップ部品の固定を模式的に示す上面図である。図11の(b)部は、図11の(a)部に示されたXIb−XIb線に沿ってとられた断面を示す。この工程は、具体的にはキャップ部品15をステム部品17に抵抗溶接により固定するが、本実施形態はこれに限定されるものではない。 Part (a) of FIG. 11 is a top view schematically showing the fixing of the cap component to the stem component. Part (b) of FIG. 11 shows a cross section taken along the XIb-XIb line shown in part (a) of FIG. Specifically, this step fixes the cap component 15 to the stem component 17 by resistance welding, but the present embodiment is not limited to this.

キャップ部品15をステム部品17上において位置合わせすると共に、キャップ部品15をステム部品17に固定して、気密封止の第2キャビティ30を形成する。 The cap component 15 is aligned on the stem component 17 and the cap component 15 is fixed to the stem component 17 to form an airtightly sealed second cavity 30.

以上説明したように、本実施形態に係る光モジュールは、半導体レーザを収容するパッケージに良好な放熱能を与えることができ、本実施形態に係るステム部品は、半導体素子を収容するパッケージに良好な放熱能を与えることができる。 As described above, the optical module according to the present embodiment can provide good heat dissipation to the package accommodating the semiconductor laser, and the stem component according to the present embodiment is good for the package accommodating the semiconductor element. It can provide heat dissipation ability.

好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。 Although the principles of the invention have been illustrated and demonstrated in preferred embodiments, it will be appreciated by those skilled in the art that the invention may be modified in arrangement and detail without departing from such principles. The present invention is not limited to the specific configuration disclosed in the present embodiment. Therefore, we claim all amendments and changes that come from the claims and their spiritual scope.

本実施形態によれば、半導体レーザを収容するパッケージに良好な放熱能を与える光モジュールを提供でき、半導体素子を収容するパッケージに良好な放熱能を与えるステム部品を提供できる。 According to the present embodiment, it is possible to provide an optical module that imparts good heat dissipation to a package that houses a semiconductor laser, and to provide a stem component that gives good heat dissipation to a package that houses a semiconductor element.

11…光モジュール、13…サブアセンブリ、15…キャップ部品、17…ステム部品、18…封止材、19…ステムベース、19a…表面、19h…側面、19c…底面、19d…貫通孔、19e…凹部、19f…内面、19g…外面、21…リード端子、21a…リード端子、21b…リード端子、20…第1キャビティ、23…キャップベース、23a…天井部、23b…側壁部、23c…開口、25…光学窓、27…半導体レーザ、27a…第1端面、27b…第2端面、28a…支持体、28b…積層体、28c…上部半導体領域、28d…コア層、28e…下部半導体領域、29…サブマウント、29a…第1面、29b…第2面、29c…金属膜、30…第2キャビティ、31…接着材、33…ヒートシンク、33a…搭載面、33b…裏面、34…接続部品、34a…第1アーム、34b…第2アーム、35…第1バー、37…第2バー、39…板状部、41…壁部、41a…上面、41b…内側面、41c…外側面。 11 ... Optical module, 13 ... Subassembly, 15 ... Cap part, 17 ... Stem part, 18 ... Encapsulant, 19 ... Stem base, 19a ... Surface, 19h ... Side, 19c ... Bottom, 19d ... Through hole, 19e ... Recess, 19f ... Inner surface, 19g ... Outer surface, 21 ... Lead terminal, 21a ... Lead terminal, 21b ... Lead terminal, 20 ... First cavity, 23 ... Cap base, 23a ... Ceiling part, 23b ... Side wall part, 23c ... Opening, 25 ... Optical window, 27 ... Semiconductor laser, 27a ... First end face, 27b ... Second end face, 28a ... Support, 28b ... Laminate, 28c ... Upper semiconductor region, 28d ... Core layer, 28e ... Lower semiconductor region, 29 ... Submount, 29a ... 1st surface, 29b ... 2nd surface, 29c ... Metal film, 30 ... 2nd cavity, 31 ... Adhesive, 33 ... Heat sink, 33a ... Mounting surface, 33b ... Back side, 34 ... Connecting parts, 34a ... 1st arm, 34b ... 2nd arm, 35 ... 1st bar, 37 ... 2nd bar, 39 ... Plate-shaped part, 41 ... Wall part, 41a ... Top surface, 41b ... Inner side surface, 41c ... Outer surface.

Claims (8)

光モジュールであって、
キャップベース及び光学窓を含むキャップ部品と、
内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベース、並びに前記ステムベースに支持されたリード端子を含むステム部品と、
半導体レーザ及びヒートシンクを含むサブアセンブリと、
を備え、
前記ステム部品及び前記キャップ部品は、第1軸の方向に配列され、
前記サブアセンブリ及び前記光学窓は、前記第1軸の方向に配列され、
前記リード端子は、前記貫通孔を前記第1軸の方向に通過し、
前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、
前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底とを含み、
前記サブアセンブリは、前記第1キャビティの前記表面によって支持される、光モジュール。
It's an optical module
Cap parts including cap base and optical window,
A stem including an inner surface, an outer surface on the opposite side of the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, a stem base having a first cavity provided on the inner surface, and a lead terminal supported by the stem base. With parts
With subassemblies including semiconductor lasers and heat sinks
With
The stem component and the cap component are arranged in the direction of the first axis.
The subassembly and the optical window are arranged in the direction of the first axis.
The lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis.
The stem base has a surface that defines the first cavity.
The surface of the first cavity includes a side surface and a bottom extending in the direction of the first axis.
The subassembly is an optical module supported by the surface of the first cavity.
前記半導体レーザは、量子カスケードレーザを含む、請求項1に記載された光モジュール。 The optical module according to claim 1, wherein the semiconductor laser includes a quantum cascade laser. 前記光学窓は、3マイクロメートル以上の波長の光を透過可能である、請求項1又は請求項2に記載された光モジュール。 The optical module according to claim 1 or 2, wherein the optical window can transmit light having a wavelength of 3 micrometers or more. 前記キャップベースは、前記光学窓を支持する天井部と側壁部とを含み、
前記キャップ部品及び前記ステム部品は、前記ステム部品の前記ステムベースが前記キャップ部品の前記側壁部の一端を支持するように前記ステムベース上に設けられて、前記サブアセンブリを気密に封止する第2キャビティを規定する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載された光モジュール。
The cap base includes a ceiling portion and a side wall portion that support the optical window.
The cap component and the stem component are provided on the stem base so that the stem base of the stem component supports one end of the side wall portion of the cap component, and the subassembly is airtightly sealed. 2. The optical module according to any one of claims 1 to 3, which defines a cavity.
前記サブアセンブリは、前記ヒートシンクに搭載されたサブマウントを含み、
前記サブマウントは、前記半導体レーザを搭載する第1面と、前記第1面の反対側の第2面を有し、
当該光モジュールは、前記サブアセンブリを前記第1キャビティの前記側面に固定する接着材を更に備える、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載された光モジュール。
The subassembly includes a submount mounted on the heat sink.
The submount has a first surface on which the semiconductor laser is mounted and a second surface opposite to the first surface.
The optical module according to any one of claims 1 to 4, further comprising an adhesive for fixing the subassembly to the side surface of the first cavity.
前記半導体レーザは、前記光学窓に光学的に結合された第1端面、及び該第1端面の反対側の第2端面を有し、
前記半導体レーザの前記第2端面は、前記第1キャビティ内に位置する、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載された光モジュール。
The semiconductor laser has a first end face optically coupled to the optical window and a second end face opposite to the first end face.
The optical module according to any one of claims 1 to 5, wherein the second end surface of the semiconductor laser is located in the first cavity.
ステム部品であって、
内面、前記内面の反対側の外面、前記内面から前記外面に延在する貫通孔、及び前記内面に設けられた第1キャビティを有するステムベースと、
前記ステムベースに支持されたリード端子と、
を備え、
前記リード端子は、前記貫通孔を第1軸の方向に通過し、
前記ステムベースは、前記第1キャビティを規定する表面を有し、
前記第1キャビティの前記表面は、前記第1軸の方向に延在する側面と底面とを含む、ステム部品。
It ’s a stem part,
A stem base having an inner surface, an outer surface on the opposite side of the inner surface, a through hole extending from the inner surface to the outer surface, and a first cavity provided on the inner surface.
The lead terminal supported by the stem base and
With
The lead terminal passes through the through hole in the direction of the first axis.
The stem base has a surface that defines the first cavity.
The surface of the first cavity is a stem component including a side surface and a bottom surface extending in the direction of the first axis.
前記ステムベースは、前記第1キャビティの深さより小さい厚さを前記第1キャビティの前記底面において有する、請求項7に記載されたステム部品。 The stem component according to claim 7, wherein the stem base has a thickness smaller than the depth of the first cavity on the bottom surface of the first cavity.
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