JP2020002066A - 環状シロキサン化合物の製造方法、及び環状シロキサン化合物 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)クロロシラン類を原料とする場合には、それらの加水分解で腐食作用がある塩化水素が生じやすいために原料化合物の取り扱いが容易でない。シランジオールを反応させる際にも、腐食性の塩化水素やその塩が生成するため、原料の保管や反応の容器、廃棄物の処理等に特別な注意が必要である(方法A,B、及びC)。
(2)2環式オリゴシランを原料とする場合は、原料化合物の製造が容易でなく、酸化反応でも高価な酸化剤が必要である(方法D)。また、環状シロキサン骨格を含む高分子系化合物は、熱的安定性や機械的特性等にすぐれた機能材料への応用が期待されるが、これまで製造されていなかった。
(3)特許文献5、及び非特許文献7の方法では、塩化水素が発生せず、高価な酸化剤を必要としないものの、目的物のシロキサン化合物の収率が低い。
これらのことから、従来技術の課題を解決できる、工業的により有利な方法が求められていた。
[1]
下記式(1)で表される化合物と、アルコール化合物又は少なくとも2個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを、ホウ素触媒及び/又は遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、−Si−O−結合により環骨格を形成する工程を含む、前記環骨格を少なくとも1つ有する環状シロキサン化合物の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかである。
ただし、RA1及びRA2の組み合わせ並びにRC1及びRC2の組み合わせとRB1及びRB2の組み合わせとは、互いに同一でない。)
[2]
RA1、RA2、RC1及びRC2が、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RB1及びRB2が、それぞれ独立して、アリール基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかである、[1]に記載の製造方法。
[3]
前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格を1つ有する化合物である、[1]に記載の製造方法。
[4]
前記環骨格を1つ有する化合物が、下記式(3)で表される化合物である、[3]に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p’は、0以上の整数である。
ただし、RA1及びRA2の組み合わせ並びにRC1及びRC2の組み合わせとRB1及びRB2の組み合わせとは、互いに同一でない。)
[5]
前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記環骨格を形成する工程において、前記式(1)で表される化合物(式(1)中、RB1及びRB2の少なくとも一方は、−OSi(RX1)(RX2)H基である。)と、少なくとも3個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを反応させる、
[1]に記載の製造方法。
[6]
前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(4)で表される化合物であり、
少なくとも3個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物が、式(A1−1)で表される化合物である、[5]に記載の製造方法。
RB2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RE1及びRE2は、アルキル基である。)
[7]
前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記環骨格を形成する工程において、前記式(1)で表される化合物(式(1)中、RB1及びRB2は、−OSi(RX1)(RX2)H基である。)と、少なくとも4個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを反応させる、
[1]に記載の製造方法。
[8]
前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(5)で表される構造を有する化合物であり、
少なくとも4個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物が、式(A1−2)で表される化合物である、[7]に記載の製造方法。
RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
nは、2以上の整数である。)
[9]
前記環状シロキサン化合物が、少なくとも1つのスピロ環を含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記式(1)におけるRA1、RA2、RC1及びRC2は、それぞれ独立して、アルコキシ基であり、RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
前記式(1)で表される化合物と、少なくとも2個のヒドロキシ基を有するシラン化合物とを、遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、さらに下記式(2)で表される化合物をホウ素触媒の存在下で反応させる工程を含む、
[1]に記載の製造方法。
RB1'及びRB2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1')(RX2')H基(RX1'及びRX2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
nは、1以上の整数である。
ただし、RA1'及びRA2'の組み合わせ並びにRC1'及びRC2'の組み合わせとRB1'及びRB2'の組み合わせとは、互いに同一でない。)
[10]
前記少なくとも1つのスピロ環を含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(6)で表される構造を有する化合物である、[9]に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RA1'及びRA2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p及びNは、1以上の整数である。)
[11]
前記式(6)で表される構造を有する化合物が、下記式(6−1)で表される化合物である、[10]に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RA1'及びRA2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RB1'及びRB2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1')(RX2')H基(RX1'及びRX2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RC1'及びRC2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p及びnは、1以上の整数である。)
[12]
下記式(I)で表される、環状シロキサン化合物。
Rb1、Rb2、Rd1及びRd2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
mは、0〜2のいずれかの整数である。)
[13]
下記式(II)で表される、環状シロキサン化合物。
Rf、Rg1、Rg2、Rh1、Rh2、Ri1、及びRi2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)
[14]
下記式(III)で表される構造を有する、環状シロキサン化合物。
nは、2以上の整数である。)
[15]
下記式(IV)で表される構造を有する、環状シロキサン化合物。
m1、m2、m3は、それぞれ独立して、1又は2の整数であり、
nは、1以上の整数である。
ただし、Rn1及びRn2の組み合わせ並びにRr1及びRr2の組み合わせと、Rp1及びRp2の組み合わせとは、互いに同一でない。)
本発明の製造方法は、下記式(1)で表される化合物と、アルコール化合物又は少なくとも2個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを、ホウ素触媒及び/又は遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、−Si−O−結合により環骨格を形成する工程を含む、前記環骨格を少なくとも1つ有する環状シロキサン化合物の製造方法である。
本発明の製造方法における式(1)で表される化合物は、下記で表される。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかである。
ただし、RA1及びRA2の組み合わせ並びにRC1及びRC2の組み合わせとRB1及びRB2の組み合わせとは、互いに同一でない。
具体的には、以下に示すようにシランジオールとクロロシランとを塩基の存在下で反応させることにより得ることができる。
本発明の製造方法におけるアルコール化合物は、少なくとも1つのヒドロキシ基を有するアルコールであればよく、1価アルコールの他、2価アルコール、3価アルコールであってもよい。アルコール化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノール、メチルシクロヘキサノール、シクロヘキサノール、及びベンジルアルコール等が挙げられる。これらの中でも、好ましくは、ベンジルアルコールである。
本発明の製造方法における少なくとも2個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物は、少なくとも2個の、ケイ素原子とヒドロキシ基との結合(Si−OH)を含むケイ素化合物、又は、少なくとも2個の、ケイ素原子とアルコキシ基との結合(Si-OR)を有するケイ素化合物である。
上記シロキシ基として、具体的には、下記に示すシロキシ基(S)(以下、「シロキシ基(S)」と表記する。)が好適に挙げられる。
Z1の任意の二価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、及びブチレン基等の炭素数1〜10のアルキレン基;フェニレン基、及びナフチレン基等の炭素数6〜10のアリーレン基;−Si(RS1')(RS2')−(RS1'及びRS2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及びアルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかである);並びにこれらを組み合わせた基;が挙げられる。
RS3の任意の一価の有機基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基が挙げられる。
本発明の製造方法において使用されるホウ素触媒としては、ホウ素を含有するものであれば特に制限されず、例えば、トリフェニルボラン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン、トリス(2,3,4,5−テトラフルオロフェニル)ボラン、トリス(2,4,6−トリフルオロフェニル)ボラン、トリス(2,3−ジフルオロフェニル)ボラン、トリス(2−フルオロフェニル)ボラン、トリス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ボラン、トリス[4−(トリフルオロメチル)フェニル]ボラン、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(トリフルオロメチル)ボラン、ジフェニルフルオロボラン、及びビス(ペンタフルオロフェニル)クロロボランが挙げられる。これらの中でも、好ましくは、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランである。
本発明の製造方法において使用される遷移金属ヒドリド錯体触媒としては、遷移金属原子と水素原子との結合を有する錯体であれば特に制限されない。
遷移金属としては、例えば、銅、鉄、ロジウム、イリジウム、レニウム、タングステン、プラチナ、パラジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、クロム、モリブデン、及びルテニウムが挙げられる。これらの中でも好ましくは銅及びルテニウムである。
遷移金属ヒドリド錯体には、ヒドリド以外の配位子が配位していてもよく、当該配位子としては、例えば、2,2’−ビピリジン、1,10−フェナントロリン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、トリフェニルホスフィン、及び2−(ジシクロヘキシルホスフィノ)ビフェニル、一酸化炭素、シクロペンタジエンが挙げられる。
本発明の製造方法における反応を気相で行う場合、窒素等の不活性ガスを原料及び溶媒に混合して反応を行うこともできる。
本発明の製造方法において、−Si−O−結合により環骨格を形成する反応を円滑に進行させる観点から溶媒を用いて反応を行うことが好ましい。
本発明の製造方法における溶媒は、触媒としてホウ素触媒を用いるとき、好ましくはケトン系溶媒、エーテル系溶媒、及び芳香族炭化水素系溶媒である。
また、本発明の製造方法における溶媒は、反応を円滑に進行させる観点から、好ましくは芳香族炭化水素系溶媒であり、より好ましくはトルエンである。
反応温度は、通常−30℃以上、好ましくは−20〜300℃、より好ましくは−10〜200℃、さらに好ましくは−10〜150℃である。
反応圧力は、通常0.1〜100気圧、好ましくは0.1〜50気圧、より好ましくは0.1〜20気圧、さらに好ましくは0.1〜10気圧である。
反応時間は、原料や触媒の量、反応温度、反応装置の形態等に応じて適宜調整すればよく、通常0.1〜1000時間、好ましくは0.1〜800時間、より好ましくは0.1〜500時間程度である。
ここで、環状シロキサン化合物が2以上の環骨格を含むとき、環状シロキサン化合物は、環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を有する化合物、又は、環骨格内のケイ素原子の少なくとも1つがスピロ原子となってスピロ環を有する化合物である。
すなわち、本発明の製造方法により得られる環状シロキサン化合物は、1)−Si−O−結合により形成される環骨格を1つ有する化合物(以下、環状シロキサン化合物Aともいう。)、2)環骨格内のケイ素原子間で−Si−O−結合により形成される架橋を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物(以下、環状シロキサン化合物Bともいう。)、及び、3)−Si−O−結合により形成される少なくとも1つのスピロ環を含む、2以上の環から構成される化合物(以下、環状シロキサン化合物Cともいう。)である。
環状シロキサン化合物Aは、好ましくは、下記式(3)で表される。
式(3)中p’が1以上である化合物は、式(1)で表される化合物と、少なくとも2個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物、好ましくは式(A1)で表される化合物とを、反応させることにより、得ることができる。
このとき、式(1)中のRB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであることが好ましい。
環状シロキサン化合物Bを製造するとき、式(1)で表される化合物中のRB1及びRB2の少なくとも一方は、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)である。また、式(1)で表される化合物と反応させる化合物は、少なくとも3個のヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するケイ素化合物である。
式(4)で表される化合物を製造するとき、式(1)中のRB1は、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)であり、式(A1)中の、RD1はアルコキシ基であり、RE1及びRE2はアルキル基であり、pは1であることが好ましい。
式(5)で表される構造を有する化合物を製造するとき、式(1)中のRB1及びRB2は、−OSi(RX1)(RX2)H基であり、式(A1)中の、RD1及びRD2はアルコキシ基であり、RE1及びRE2はアルキル基であり、pは1であることが好ましい。
また、式(5)で表される構造を有する化合物の末端は、下記式(5’)で表されるように、水素又はRE'(RE'はアルキル基である。)であってもよい。
ここで、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基は、式(1)及び式(A1)における、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基と同様の基を例示することができ、同様の好ましい基を挙げることができる。
環状シロキサン化合物Cを製造するとき、式(1)における、RA1、RA2、RC1及びRC2は、それぞれ独立して、アルコキシ基であり、RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。
また、環状シロキサン化合物Cを製造するとき、前記式(1)で表される化合物と、少なくとも2個のヒドロキシ基を有するシラン化合物とを、遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、さらに下記式(2)で表される化合物をホウ素触媒の存在下で反応させる工程を含む。
RB1'及びRB2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1')(RX2')H基(RX1'及びRX2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
nは、1以上の整数である。nの上限は、10であり、好ましくは5であり、より好ましくは2である。
ただし、RA1'及びRA2'の組み合わせ並びにRC1'及びRC2'の組み合わせとRB1'及びRB2'の組み合わせとは、互いに同一でない。
本発明の製造方法により、環状シロキサン化合物を提供できる。
本発明の環状シロキサン化合物としては、例えば、下記式(I)で表される化合物が挙げられる。
Rb1、Rb2、Rd1及びRd2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
mは、0〜2のいずれかの整数である。
Rf、Rg1、Rg2、Rh1、Rh2、Ri1、及びRi2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。
上記シロキシ基として、具体的には、下記に示すシロキシ基(S)が好適に挙げられる。
Z1の任意の二価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、及びブチレン基等の炭素数1〜10のアルキレン基;フェニレン基、及びナフチレン基等の炭素数6〜10のアリーレン基;−Si(RS1')(RS2')−(RS1'及びRS2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及びアルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかである;並びにこれらを組み合わせた基;が挙げられる。
RS3の任意の一価の有機基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及びアルコキシ基が挙げられる。
S−3中の波線は、別の式S−3で表される基への結合を表す。
nは、2以上の整数である。
また、式(III)で表される構造を有する化合物の末端は、下記式(III’)で表されるように、水素又はRE'(RE'はアルキル基である。)であってもよい。
ここで、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基は、式(1)及び式(A1)における、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基と同様の基を例示することができ、同様の好ましい基を挙げることができる。
m1、m2、m3は、それぞれ独立して、1又は2の整数であり、
nは、1以上の整数である。
ただし、Rn1及びRn2の組み合わせ並びにRr1及びRr2の組み合わせと、Rp1及びRp2の組み合わせとは、互いに同一でない。
m1、m2、m3は、それぞれ独立して、1又は2の整数であり、
nは、1以上の整数である。
ただし、Rn1及びRn2の組み合わせ並びにRr1及びRr2の組み合わせと、Rp1及びRp2の組み合わせとは、互いに同一でない。
Rt1、Rt2、Ru1、及びRu2は、好ましくはアリール基であり、より好ましくはフェニル基である。
本発明の環状シロキサン化合物は、熱的に安定な環状骨格を有するため、それらの化合物を組成物として含む材料は、耐熱性材料等として利用できる。環状シロキサンの組成物としては、一種類だけでなく二種類以上の環状シロキサン化合物を同時に用いることもできる。
(1)原料のアルコキシシランやシラノールやヒドロシランは、加水分解しても塩化水素のような腐食性化合物を発生しないため、安全性が高く、入手も容易である。
(2)反応の共生成物は水素や炭化水素であり、塩化水素のような強い腐食性化合物は生成しない。
(3)室温程度の温和な条件で反応が進行し、高収率で環状シロキサン化合物を得られる。
(4)新規な環状シロキサン化合物を製造できる。
(5)低分子系化合物だけでなく、高分子系化合物も製造することができる。
(6)高分子系の環状シロキサン化合物は熱安定性が高く、当該環状シロキサン化合物含む組成物を新規な耐熱性材料として使用できる。
その他の試薬については市販のものを使用した。
1H NMR (600 MHz, benzene-d6): δ:7.20-7.84, 0.96, 0.68.
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ:136.5, 134.9, 130.8, 128.5, 7.9, 7.1.
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -15.4, -45.0.
1H NMR (600 MHz, benzene-d6): δ:7.84-7.86 (m), 7.18-7.24 (m), 1.79-1.83 (m), 1.56-1.65 (m), 1.48-1.53 (m), 1.25 (t), 0.70 (q).
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ:137.0, 134.9, 130.6, 128.7, 28.4, 27.8, 26.2, 8.1, 7.3.
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -18.8, -22.6, -46.6.
1H NMR (600 MHz, benzene-d6): δ:7.83-7.84 (m), 7.19-7.23 (m), 0.21 (s), 0.17 (s).
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ:136.6, 134.9, 130.7, 128.5, 1.31, 1.28.
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -17.5, -18.5, -45.7.
1H NMR (600 MHz, benzene-d6): δ:7.81-7.84 (m), 7.16-7.23 (m), 6.08-6.14 (m), 5.86-5.91 (m), 0.25 (s), 0.21 (d).
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ:137.0, 136.5 (d), 134.9 (d), 134.0, 130.7 (d), 128.5 (d), 1.3, -0.3.
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ-16.9, -32.9, -45.6.
1H NMR (600 MHz, benzene-d6): δ:7.81-7.83 (m), 7.17-7.21 (m), 5.29 (d), 1.36-1.45 (m), 1.07-1.24 (m), 0.82-0.90 (m), 0.68-0.75 (m).
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ:135.6, 135.5, 135.3, 135.0, 134.99, 134.95, 130.9, 128.6, 33.1 (d), 32.2 (d),23.2 (d), 22.4 (d), 17.4 (d), 14.7 (d).
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -30.8 (d), -42.8 (d).
13C[1H] NMR (151 MHz, benzene-d6): δ 136.0, 135.98, 134.8, 132.4, 131.2, 130.6, 128.5, 128.4, 0.8.
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -12.0, -17.5, -72.4, -101.3.
図1に、1H NMR, 13C NMR, 29Si NMRのスペクトルデータを示す。
化合物13の収率はフェニルトリメチルシラン(30 mg, 0.2 mmol)を内部標準として用いた29Si NMRにより求めた。
29Si NMRスペクトルにおけるピーク位置は以下のとおりであった。
29Si[1H] NMR (119 MHz, benzene-d6): δ -44.2, -93.8.
1H NMR (600 MHz, THF-d8): δ 7.39-7.42, 7.16-7.20, 7.06-7.11, -0.20.
13C[1H] NMR (151 MHz, THF-d8): δ 136.98, 136.97, 135.8, 135.5, 131.5, 131.3, 129.1, 129.0, 1.0.
29Si[1H] NMR (119 MHz, THF-d8): δ -17.7, -46.4, -47.5, -108.8.
1H NMR (600 MHz, THF-d8): δ 7.92-7.94 (m), 7.78-7.82 (m), 7.16-7.22 (m), 0.21 (d), 0.13 (s).
13C[1H] NMR (151 MHz, THF-d8): δ 136.98, 136.97, 135.8, 135.5, 131.5, 131.3, 129.1, 129.0, 1.1 (d), 0.9.
29Si[1H] NMR (119 MHz, THF-d8): δ -15.7, -19.1, -44.9, -46.0, -107.2.
図2に、1H NMR, 13C NMR, 29Si NMRのスペクトルデータを示す。
また、図3に窒素雰囲気下で示差走査熱量分析により熱物性を測定した結果を示す。図4に空気雰囲気下で示差走査熱量分析により熱物性を測定した結果を示す。
Claims (15)
- 下記式(1)で表される化合物と、アルコール化合物又は少なくとも2個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを、ホウ素触媒及び/又は遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、−Si−O−結合により環骨格を形成する工程を含む、前記環骨格を少なくとも1つ有する環状シロキサン化合物の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかである。
ただし、RA1及びRA2の組み合わせ並びにRC1及びRC2の組み合わせとRB1及びRB2の組み合わせとは、互いに同一でない。) - RA1、RA2、RC1及びRC2が、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RB1及びRB2が、それぞれ独立して、アリール基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかである、請求項1に記載の製造方法。 - 前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格を1つ有する化合物である、請求項1に記載の製造方法。
- 前記環骨格を1つ有する化合物が、下記式(3)で表される化合物である、請求項3に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p’は、0以上の整数である。
ただし、RA1及びRA2の組み合わせ並びにRC1及びRC2の組み合わせとRB1及びRB2の組み合わせとは、互いに同一でない。) - 前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記環骨格を形成する工程において、前記式(1)で表される化合物(式(1)中、RB1及びRB2の少なくとも一方は、−OSi(RX1)(RX2)H基である。)と、少なくとも3個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを反応させる、
請求項1に記載の製造方法。 - 前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(4)で表される化合物であり、
少なくとも3個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物が、式(A1−1)で表される化合物である、請求項5に記載の製造方法。
RB2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD2は、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RE1及びRE2は、アルキル基である。) - 前記環状シロキサン化合物が、前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記環骨格を形成する工程において、前記式(1)で表される化合物(式(1)中、RB1及びRB2は、−OSi(RX1)(RX2)H基である。)と、少なくとも4個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物とを反応させる、
請求項1に記載の製造方法。 - 前記環骨格内のケイ素原子間で形成される架橋環を少なくとも1つ含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(5)で表される構造を有する化合物であり、
少なくとも4個のヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を有するケイ素化合物が、式(A1−2)で表される化合物である、請求項7に記載の製造方法。
RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
nは、2以上の整数である。)
- 前記環状シロキサン化合物が、少なくとも1つのスピロ環を含む、2以上の環から構成される化合物であり、
前記式(1)におけるRA1、RA2、RC1及びRC2は、それぞれ独立して、アルコキシ基であり、RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
前記式(1)で表される化合物と、少なくとも2個のヒドロキシ基を有するシラン化合物とを、遷移金属ヒドリド錯体触媒の存在下で反応させ、さらに下記式(2)で表される化合物をホウ素触媒の存在下で反応させる工程を含む、
請求項1に記載の製造方法。
RB1'及びRB2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1')(RX2')H基(RX1'及びRX2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
nは、1以上の整数である。
ただし、RA1'及びRA2'の組み合わせ並びにRC1'及びRC2'の組み合わせとRB1'及びRB2'の組み合わせとは、互いに同一でない。) - 前記少なくとも1つのスピロ環を含む、2以上の環から構成される化合物が、下記式(6)で表される構造を有する化合物である、請求項9に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RA1'及びRA2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p及びNは、1以上の整数である。) - 前記式(6)で表される構造を有する化合物が、下記式(6−1)で表される化合物である、請求項10に記載の製造方法。
RB1及びRB2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1)(RX2)H基(RX1及びRX2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RD1及びRD2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、及びシロキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RA1'及びRA2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
RB1'及びRB2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、−OSi(RX1')(RX2')H基(RX1'及びRX2'は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及びアルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。)からなる群より選ばれるいずれかであり、
RC1'及びRC2'は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アリール基、アルケニル基、及び、アルコキシ基からなる群より選ばれるいずれかであり、
p及びnは、1以上の整数である。) - 下記式(I)で表される、環状シロキサン化合物。
Rb1、Rb2、Rd1及びRd2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかであり、
mは、0〜2のいずれかの整数である。) - 下記式(II)で表される、環状シロキサン化合物。
Rf、Rg1、Rg2、Rh1、Rh2、Ri1、及びRi2は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、及び、アルケニル基からなる群より選ばれるいずれかである。) - 下記式(III)で表される構造を有する、環状シロキサン化合物。
nは、2以上の整数である。) - 下記式(IV)で表される構造を有する、環状シロキサン化合物。
m1、m2、m3は、それぞれ独立して、1又は2の整数であり、
nは、1以上の整数である。
ただし、Rn1及びRn2の組み合わせ並びにRr1及びRr2の組み合わせと、Rp1及びRp2の組み合わせとは、互いに同一でない。)
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