JP2019537188A - 有機エレクトロルミネッセンス表示基板及び製造方法、表示パネル、表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示基板及び製造方法、表示パネル、表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
有機エレクトロルミネッセンス表示基板及びその製造方法、表示パネル、並びに表示装置。該有機エレクトロルミネッセンス表示基板（１０）は画素アレイ（１００）と光取り出し層（２００）を含む。画素アレイ（１００）は複数の画素（１１０）を含み、各画素（１１０）は第１色光を発光する第１サブ画素（１２０）を含み、各第１サブ画素（１２０）は有機エレクトロルミネッセンス素子（１５０）を含む。画素アレイ（１００）に被覆される光取り出し層（２００）は、並列設置され、光学特性が互いに異なる複数の第１光取り出し層ユニット（２１１）と複数の第２光取り出し層ユニット（２１２）を少なくとも含む。各第１サブ画素（１２０）のカソード発光側は少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット（２１１）及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニット（２１２）により被覆され、又は隣接する２つの第１サブ画素（１２０）のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット（２１１）及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニット（２１２）により被覆される。光学特性が互いに異なる少なくとも２つの光取り出しユニットを設置することによって、デバイスの輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善を実現する。
Description
本開示の実施例は有機エレクトロルミネッセンス表示基板、表示パネル、表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法に関する。
自己発光、低電力消耗、高速応答、湾曲可能、高コントラスト、広視野角、超薄性及び低コスト等の利点を有するので、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは人々に歓迎されている。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、アノード、カソード及びそれらの間に設置された有機発光層を含み、アノードがベース基板に近い側に設置されてもよく、カソードがベース基板から離れる側に設置される。
光出射方向に応じて、有機エレクトロルミネッセンス素子は、ボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子及び両面発光型エレクトロルミネッセンス素子に分けられる。ボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子とは、光がベース基板の一側（すなわちアノード発光側）から出射する有機エレクトロルミネッセンス素子を指し、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子とは、光が素子のトップ（すなわちカソード発光側）から出射する有機エレクトロルミネッセンス素子を指し、両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子とは、光が同時にベース基板の一側及び素子のトップ（すなわちアノード発光側及びカソード発光側）から出射する有機エレクトロルミネッセンス素子を指す。
有機発光材料の蛍光スペクトルが広いため、有機エレクトロルミネッセンス素子に光学的マイクロキャビティを導入して、マイクロキャビティ効果によって発光スペクトルの半値全幅（ＦＷＨＭ）の狭窄化を実現する必要がある。光学的マイクロキャビティの波長に対する強選択作用のため、マイクロキャビティ型有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の輝度及び色座標が視野角の変化に伴って変化し、更に表示効果に影響を与える。従って、有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の向上は表示分野の急務である。
本開示の一実施例は、画素アレイ及び光取り出し層を含む有機エレクトロルミネッセンス表示基板を提供する。画素アレイはアレイ状に配列した複数の画素を含み、前記画素の各々は第１色光を発光する第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素の各々は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む。前記画素アレイに被覆される光取り出し層は、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含み、前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なる。隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される。
本開示の別の実施例は、上記の有機エレクトロルミネッセンス表示基板を含む表示パネルを提供する。
本開示の別の実施例は、上記の表示基板又は表示パネルを含む表示装置を提供する。
本開示のさらに別の実施例は、画素アレイの形成及び光取り出し層の形成を含む有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法を提供する。画素アレイはアレイ状に配列した複数の画素を含み、前記画素の各々は第１色光を発光する第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素の各々は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む。前記画素アレイに被覆される光取り出し層は、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含み、前記第１光取り出し層ユニット及び第２光取り出し層ユニットは前記光学特性が互いに異なる。隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される。
本開示の実施例の技術案をより明瞭に説明するために、以下では実施例又は関連技術の説明に記載の図面を簡単に説明し、勿論、下記図面は本開示の一部の実施例に関するものに過ぎず、本開示を制限するものではない。
以下、図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明確且つ完全に説明する。図面に示されて以下に詳述される非限定的な例示的実施例を参照して、本開示の例示的な実施例とそれらの複数の特徴及び有利な細部をより完全に説明する。なお、図面に示された特徴は必ずしも一定の縮尺ではない。本開示の例示的な実施例を曖昧にしないように、本開示は既知材料、コンポーネント及びプロセス技術の説明を省いている。与えられる例は、本開示の例示的な実施例の実施を理解しやすく、及び当業者が例示的な実施例を実施できることのみを目的とする。したがって、これらの例は本開示の実施例の範囲を制限するものであると理解されるべきではない。
特に定義しない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、当業者が理解できる一般的な意味を有する。本開示に記載の「第１」、「第２」及び類似する用語は、順序、数量又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するためのものにすぎない。また、本開示の各実施例では、同一又は類似符号は同一又は類似部材を示す。
本開示の実施例は、有機エレクトロルミネッセンス表示基板、表示パネル、表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法を提供し、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板は、光学特性が互いに異なる少なくとも２種の光取り出しユニットを設置することによって、デバイスの輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善を実現する。
本開示の少なくとも１つの実施例は、画素アレイと光取り出し層を含む有機エレクトロルミネッセンス表示基板を提供する。画素アレイはアレイ状に配列した複数の画素を含み、各画素は第１色光を発光する第１サブ画素を含み、各第１サブ画素は有機エレクトロルミネッセンス素子を含み、画素アレイに被覆される光取り出し層は、例えば並列設置された、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含み、第１光取り出し層ユニット及び第２光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なり、隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される。例えば、各第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの第１サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニットにより被覆される。
例えば、本開示の実施例では、隣接する２つの第１サブ画素は、上記隣接する２つの第１サブ画素の間に他の第１サブ画素を含まないことを示し、上記隣接する２つの第１サブ画素が物理的に接触することを限定せず、上記隣接する２つの第１サブ画素の間に第１サブ画素以外のサブ画素を設置できないことも限定しない。例えば、各画素が第１サブ画素のみを含む場合、隣接する２つの第１サブ画素の間に第１サブ画素を含むいずれかのサブ画素を有しなくてもよく、また例えば、各画素が第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を含む場合、隣接する２つの第１サブ画素の間に第２サブ画素及び／又は第３サブ画素が設置されてもよい。
有機エレクトロルミネッセンス素子のカソード発光側に光取り出し層ユニットが被覆された場合、カソード電極付近の表面プラズモンポラリトン（ｓｕｒｆａｃｅ ｐｌａｓｍａ ｐｏｌａｒｉｔｏｎ）の数が減少し、それで、光のカソード電極付近のエネルギー消耗を減少させ、カソード電極の有効な透過率を増加させる。厚さ及び／又は屈折率が異なる光取り出し層ユニットによって、カソード電極が異なる有効な透過率及び反射率を有し、それで有機エレクトロルミネッセンス素子の視野角に伴う輝度及び色座標（色度）の変化特性に対する変化も異なる。少なくとも２種の光取り出し層ユニットを導入し、該少なくとも２種の光取り出し層ユニットが発光輝度及び色座標に対する平均効果を利用することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示基板の輝度視野角及び／又は色度視野角特性の改善を実現することができる。
例えば、図１（ａ）は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の一構造の断面模式図である。図１（ａ）に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は画素アレイ１００及び光取り出し層２００を含む。画素アレイ１００はアレイ（１次元又は２次元アレイ）状に配列した複数の画素１１０を含み、各画素１１０は第１色光を発光する第１サブ画素１２０を含み、各第１サブ画素１２０は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含み、該有機エレクトロルミネッセンス素子１５０はトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子又は両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。例えば、画素１１０は第１色光を発光する第１サブ画素１２０のみを含んでもよく、また例えば、実際の応用需要に応じて、画素１１０は第２色光を発光する第２サブ画素１３０と第３色光を発光する第３サブ画素１４０とを含んでもよく、各第２サブ画素１３０及び各第３サブ画素１４０は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含み、本開示はこれを具体的に限定しない。例えば、光取り出し層２００は画素アレイ１００に被覆されてもよく、並列設置された複数の第１光取り出し層ユニット２１１及び複数の第２光取り出し層ユニット２１２を含んでもよく、例えば、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は同じ厚さを有するが、異なる屈折率を有するようにしてもよい。各第１サブ画素１２０のカソード発光側は１つの第１光取り出し層ユニット２１１及び１つの第２光取り出し層ユニット２１２により被覆される。
図１（ｂ）は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の別の構造の断面模式図である。図１（ｂ）に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図１（ａ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、第１光取り出し層ユニット２１１と第２光取り出し層ユニット２１２が異なる厚さを有することである。第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は同じ材料で製造できるので、図１（ｂ）に示される光取り出し層２００の製造プロセスは図１（ａ）に示された光取り出し層２００の製造プロセスより簡単である。
図１（ｃ）は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図１（ｃ）に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は異なる厚さ及び被覆面積を有してもよい。該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図１（ｂ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、光取り出し層の形成方式が異なることであり、図１（ｃ）に示される第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は第１ユニット層２４１を含み、第２光取り出し層ユニット２１２は、第１ユニット層２４１に被覆される第２ユニット層２４２をさらに含む。
例えば、図１（ｃ）に示される第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の製造方法としては、先ず画素アレイ１００のカソード発光側に一層の第１ユニット層２４１を形成し、次に第２光取り出し層ユニット２１２に対応する領域に第２ユニット層２４２を形成し、更に同一のサブ画素に異なる厚さの第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２を被覆することを実現するようであってもよい。それにより、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の厚さをより高精度に制御し、且つ第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の製造難度をさらに低下させることができる。
例えば、本実施例に示される第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２はファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ）によって形成される。例えば、本実施例に示される第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は例えば８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）等の有機材料で製造されてもよく、例えば二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料で製造されてもよく、又は他の適切な材料で製造されてもよく、形成される光取り出し層ユニットは光を取り出すことができ、それで、デバイスの輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性を改善することができる。
以下、図２（ａ）のシミュレーション結果を参照して、屈折率が異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う輝度の変化特性に対する影響、及び少なくとも２つの屈折率が異なる光取り出し層ユニットの設置による図１（ａ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の輝度視野角特性の向上の原理を説明する。
図２（ａ）に示されるランベルト図は、光取り出し層ユニット（図でｃｐｌにより示される）の屈折率が有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う赤色発光輝度の変化特性に対する影響を示し、ここで、光取り出し層の厚さが５５ｎｍ（すなわち、５５ナノメートル）である。図２（ａ）に示すように、光取り出し層ユニットの屈折率が小さい（例えば、ｎ＝１．４）場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の零視野角（すなわち正面）時の輝度は比較的に強く、視野角が大きくなると、輝度は迅速に低下し、大視野角での輝度は比較的に弱く、光取り出し層ユニットの屈折率が大きい（例えば、ｎ＝２）場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の零視野角（すなわち正面）時の輝度は比較的に弱く、視野角が大きくなると、輝度はゆっくりと低下し、大視野角での輝度は比較的に強い。
有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に屈折率が異なる２つの光取り出しユニットを被覆する場合、２つの光取り出しユニットが同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に設置されるので、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の有効発光輝度は、（第１ユニット層のみを設置した時の発光輝度×第１光取り出し層ユニット２１１の幅＋第２ユニット層のみを設置した発光輝度×第２光取り出し層ユニット２１１の幅）／（第１光取り出し層ユニット２１１の幅＋第２光取り出し層ユニット２１２の幅）である。例えば、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の幅が同じである場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の有効発光輝度は上記２つの発光輝度の和の半分である。従って、同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に、小視野角で輝度が高く、大視野角で輝度が低い１つの光取り出しユニットと小視野角で輝度が低く、大視野角で輝度が高い１つの光取り出しユニットを設置する場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う輝度の変化が遅くなり、それにより有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の輝度視野角特性を改善することができ、更に図１（ａ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の輝度視野角特性を改善することができる。
以下、表１のシミュレーション結果を参照して、屈折率が異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う赤色発光色座標の変化特性に対する影響、及び屈折率が異なる少なくとも２つの光取り出し層ユニットの設置による図１（ａ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の色度視野角特性の改善の原理を説明する。
表１は、屈折率が異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う色座標の変化特性に対する影響を示し、ＣＩＥｘ及びＣＩＥｙは有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の発光色座標を示し、Δｕ’Δｖ’は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の零視野角に対する色ずれを示す。
表１に示すように、１つのみの光取り出し層ユニットを有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に被覆する場合、大視野角（例えば、６０°）での色ずれはいずれも比較的に大きく、屈折率がそれぞれ１．４及び２の２つの光取り出し層ユニットを同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に被覆する場合、大視野角での色ずれは比較的に小さい。従って、同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に２つの屈折率が異なる光取り出し層ユニットを設置することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の色度視野角特性の改善を実現することができ、更に図１（ａ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の色度視野角特性を改善することができる。
以下、図２（ｂ）のシミュレーション結果を参照して、厚さが異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う輝度の変化特性に対する影響、及び厚さが異なる少なくとも２つの光取り出し層ユニットの設置による図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の輝度視野角特性の向上の原理を説明する。
図２（ｂ）に示されるランベルト図は、光取り出し層ユニット（図でｃｐｌにより示される）の厚さが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う緑色発光輝度の変化特性に対する影響を示し、ここで、光取り出し層の屈折率が１．８である。図２（ｂ）に示すように、光取り出し層ユニットの厚さが４５ナノメートルである場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の大視野角での輝度は比較的に弱く、光取り出し層ユニットの厚さが６５ナノメートルである場合、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の大視野角での輝度は比較的に強い。従って、同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に厚さが異なる２つの光取り出し層ユニットを設置することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の輝度視野角特性の向上を実現することができ、更に図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の輝度視野角特性を改善することができる。
以下、表２のシミュレーション結果を参照して、厚さが異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う緑色発光色座標の変化特性に対する影響、及び厚さが異なる少なくとも２つの光取り出し層ユニットの設置による図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の色度視野角特性の改善の原理を説明する。
表２は、厚さが異なる光取り出し層ユニットが有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の視野角に伴う色座標の変化特性に対する影響を示す。
表２に示すように、１つのみの光取り出し層ユニットを有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に被覆する場合、大視野角での色ずれはいずれも比較的に大きく、厚さがそれぞれ４５及び６０ナノメートルの２つの光取り出し層ユニットを同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に被覆する場合、大視野角での色ずれは比較的に小さい。従って、同一の有機エレクトロルミネッセンス素子１５０に厚さが異なる２つの光取り出し層ユニットを設置することによって、有機エレクトロルミネッセンス素子１５０の色度視野角特性の改善を実現することができ、更に図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の色度視野角特性を改善することができる。
例えば、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は、第２色光を発光する第２サブ画素１３０と第３色光を発光する第３サブ画素１４０とをさらに含み、各第２サブ画素１３０及び各第３サブ画素１４０は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含む。
例えば、図３は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図３に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図１に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２が第１サブ画素１２０のカソード発光側に被覆されるだけでなく、それぞれ隣接する第２サブ画素１３０及び隣接する第３サブ画素１４０のカソード発光側に少なくとも部分的に被覆されることである。第１サブ画素１２０のカソード発光側に屈折率又は厚さが異なる第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２が被覆されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第１色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を向上させることができる。第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の幅が増加するので、光取り出し層２００の製造難度を低下させることができる。
例えば、図４は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図４に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図１に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、光取り出し層２００が並列設置された複数の第３光取り出し層ユニット２２１及び複数の第４光取り出し層ユニット２２２をさらに含むことである。第３光取り出し層ユニット２２１及び第４光取り出し層ユニット２２２の光学特性は互いに異なり、例えば第３光取り出し層ユニット２２１及び第４光取り出し層ユニット２２２は異なる屈折率又は厚さを有する。各第２サブ画素１３０のカソード発光側は１つの第３光取り出し層ユニット２２１及び１つの第４光取り出し層ユニット２２２により被覆される。第２サブ画素１３０のカソード発光側に１つの第３光取り出し層ユニット２２１及び１つの第４光取り出し層ユニット２２２が被覆されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第２色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することもできる。
例えば、図４に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は、並列設置された複数の第５光取り出し層ユニット２３１及び複数の第６光取り出し層ユニット２３２を含んでもよい。第５光取り出し層ユニット２３１及び第６光取り出し層ユニット２３２の光学特性は互いに異なり、例えば第５光取り出し層ユニット２３１及び第６光取り出し層ユニット２３２は異なる屈折率又は厚さを有する。各第３サブ画素１４０のカソード発光側は１つの第５光取り出し層ユニット２３１及び１つの第６光取り出し層ユニット２３２により被覆される。第３サブ画素１４０のカソード発光側に１つの第５光取り出し層ユニット２３１及び１つの第６光取り出し層ユニット２３２が被覆されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することもできる。
図４に示された光取り出し層２００は第１サブ画素１２０、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のそれぞれに対して光学特性が異なる２つの光取り出しユニットを設置することができ、それにより、第１色光、第２色光及び第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性をさらに向上させることができる。
例えば、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のプロセス複雑度を低下させるために、図４に示された第１光取り出し層ユニット、第３光取り出し層ユニット及び第５光取り出し層ユニットの厚さ及び屈折率を同じように設定することができ、また例えば、図４に示された第２光取り出し層ユニット、第４光取り出し層ユニット及び第６光取り出し層ユニットの厚さ及び屈折率を同じように設定することもできる。
例えば、第１色光、第２色光及び第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を最大限に向上させるために、図４に示された第１光取り出し層ユニット、第３光取り出し層ユニット及び第５光取り出し層ユニットの厚さ又は／及び屈折率を異なるように設定することができ、第２光取り出し層ユニット、第４光取り出し層ユニット及び第６光取り出し層ユニットの厚さ又は／及び屈折率を異なるように設定することもできる。
例えば、図５は本開示の一実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図５に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図１に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、図５に示される有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０が第２色光を発光する第２サブ画素１３０及び第３色光を発光する第３サブ画素１４０をさらに含み、各第２サブ画素１３０及び各第３サブ画素１４０が有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含むことである。各第２サブ画素１３０は１つの第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２により被覆され、各第３サブ画素１４０は１つの第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２により被覆され、第１サブ画素１２０、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のうちいずれか２つの隣接するサブ画素のカソード発光側の少なくとも一部は同一の第１光取り出し層ユニット２１１又は同一の第２光取り出し層ユニット２１２により被覆され、それにより第１サブ画素１２０、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のそれぞれは光学特性が異なる少なくとも２つの光取り出し層により被覆される。
例えば、図５に示される有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０において、図５の左側の２つの隣接する第１サブ画素１２０及び第２サブ画素１３０は同一の第１光取り出し層ユニット２１１により被覆され、図５の右側の２つの隣接する第１サブ画素１２０及び第２サブ画素１３０は同一の第２光取り出し層ユニット２１２により被覆され、図５の左側の２つの隣接する第１サブ画素１２０及び第３サブ画素１４０は同一の第２光取り出し層ユニット２１２により被覆され、図５の右側の２つの隣接する第１サブ画素１２０及び第３サブ画素１４０は同一の第１光取り出し層ユニット２１１により被覆される。第１サブ画素１２０、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のそれぞれに光学特性が異なる２つの光取り出しユニットが設置されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第１色光、第２色光及び第３色光のそれぞれの輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することができる。２つごとのサブ画素が１つの光取り出しユニットを共用するため、光取り出しユニットの幅が増加して、光取り出し層２００の製造難度を低下させることができる。
例えば、図５に示される光取り出し層は２つの光取り出し層ユニット（第１光取り出し層ユニット及び第２光取り出し層ユニット）が設置されることに制限されず、光学特性が互いに異なるより多くの光取り出しユニットが設置されてもよい。例えば、３つの光取り出し層ユニット（第１光取り出し層ユニット、第２光取り出し層ユニット及び第７光取り出し層ユニット）が設置されてもよく、このとき、２つの隣接する第１サブ画素及び第２サブ画素は同一の第１光取り出し層ユニットにより被覆され、２つの隣接する第１サブ画素及び第３サブ画素は同一の第２光取り出し層ユニットにより被覆され、２つの隣接する第３サブ画素及び第２サブ画素は同一の第７光取り出し層ユニットにより被覆される（図５に未図示）。従って、本願は光取り出し層ユニットの数を限定しない。
例えば、図６は本開示の一実施例に係る別の有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の一構造の断面模式図である。図６に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は画素アレイ１００及び光取り出し層２００を含む。画素アレイ１００はアレイ状に配列した複数の画素１１０を含み、各画素１１０は第１色光を発光する第１サブ画素１２０を含み、各第１サブ画素１２０は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含み、該有機エレクトロルミネッセンス素子１５０はトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子又は両面発光型有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。画素アレイ１００に被覆される光取り出し層２００は、並列設置された、複数の第１光取り出し層ユニット２１１及び複数の第２光取り出し層ユニット２１２を含み、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２は異なる屈折率又は厚さを有する。隣接する２つの第１サブ画素１２０のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット２１１及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニット２１２により被覆される。
以下、図７を参照して、図６に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善原理を説明する。点Ｏは目の瞳孔中心を示し、θは人間の目が識別できる両点の瞳孔中心に対する最小開角（約１´）を示し、Ｄは人間の目とディスプレイスクリーンとの距離（携帯電話の作動距離が通常２５ｃｍである）を示し、Ｌは人間の目の最小分解能距離（通常０．１ｍｍより大きい）を示す。解像度がＱＨＤである携帯電話は、２つの隣接する同じ色のサブ画素間の距離が０．０４ｍｍより小さい（緑色が約０．０２ｍｍである）。従って、人間の目は解像度がＱＨＤ（フルＨＤ１９２０＊１０８０解像度の四分の一）の携帯電話の２つの隣接する同じ色のサブ画素を区別できず、同一の発光点により発光された光であると思われる。そのため、図６に示される有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は、同一の発光点に光学特性が異なる２つの第１光取り出し層ユニット２１１と第２光取り出し層ユニット２１２を設置することに相当し、それにより、第１色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性の改善を実現することができる。
例えば、実際の応用需要に応じて、光取り出し層２００は、隣接する２つの第１サブ画素１２０のうちの一方のカソード発光側が１つの第１光取り出し層ユニット２１１により被覆され、他方のカソード発光側が１つの第２光取り出し層ユニット２１２により被覆されるように設置されてもよい。この場合も、同一の発光点に光学特性が異なる２つの第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２を設置することに相当し、それにより、第１色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性をある程度改善することもできる。
例えば、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は、第２色光を発光する第２サブ画素１３０及び第３色光を発光する第３サブ画素１４０をさらに含み、各第２サブ画素１３０及び各第３サブ画素１４０は有機エレクトロルミネッセンス素子１５０を含む。
例えば、図８は本開示の一実施例に係る別の有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の別の構造の断面模式図である。図８に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図６に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２が第１サブ画素１２０のカソード発光側に被覆されるだけでなく、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のカソード発光側に少なくとも部分的に被覆されることである。２つの隣接する第１サブ画素１２０のカソード発光側に屈折率又は厚さが異なる第１光取り出し層ユニット２１１と第２光取り出し層ユニット２１２が被覆されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第１色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することができる。第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の幅が増加するので、光取り出し層２００の製造難度を低下させる。
例えば、図９は本開示の一実施例に係る別の有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図９に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図６に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、光取り出し層２００が並列設置された複数の第３光取り出し層ユニット２２１と複数の第４光取り出し層ユニット２２２をさらに含むことである。第３光取り出し層ユニット２２１と第４光取り出し層ユニット２２２の光学特性は互いに異なり、例えば第３光取り出し層ユニット２２１及び第４光取り出し層ユニット２２２は異なる屈折率又は厚さを有する。隣接する２つの第２サブ画素１３０のカソード発光側はそれぞれ１つの第３光取り出し層ユニット２２１及び１つの第４光取り出し層ユニット２２２により被覆される。それにより、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第２色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することができる。
例えば、図９に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０は、並列設置された複数の第５光取り出し層ユニット２３１及び複数の第６光取り出し層ユニット２３２をさらに含んでもよい。第５光取り出し層ユニット２３１及び第６光取り出し層ユニット２３２の光学特性は互いに異なり、例えば第５光取り出し層ユニット２３１及び第６光取り出し層ユニット２３２は異なる屈折率又は厚さを有する。隣接する２つの第３サブ画素１４０のカソード発光側はそれぞれ１つの第５光取り出し層ユニット２３１及び１つの第６光取り出し層ユニット２３２により被覆される。それにより、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善することができる。
例えば、図９に示された光取り出し層２００は隣接する２つの第１サブ画素１２０、隣接する２つの第２サブ画素１３０及び隣接する２つの第３サブ画素１４０のそれぞれに対して光学特性が異なる２つの光取り出しユニットを設置することができ、それにより、第１色光、第２色光及び第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を最大限に向上させることができる。
例えば、図１０は本開示の一実施例に係る別の有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０のさらに別の構造の断面模式図である。図１０に示すように、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０と図６に示された有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０との相違点は、第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２が第１サブ画素１２０のカソード発光側に被覆されるだけでなく、第２サブ画素１３０及び第３サブ画素１４０のカソード発光側に被覆されることであり、つまり第１光取り出し層ユニット２１１は１つの画素１１０（例えば、図１０の左側の画素）に被覆され、第２光取り出し層ユニット２１２は第１光取り出しユニットと隣接する１つの画素１１０（例えば、図１０の右側の画素）に被覆される。隣接する２つの第１サブ画素１２０、隣接する２つの第２サブ画素１３０及び隣接する２つの第３サブ画素１４０のカソード発光側のそれぞれに屈折率又は厚さが異なる第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２が被覆されるので、有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０の第１色光、第２色光及び第３色光の輝度視野角及び／又は色度視野角特性を改善する。第１光取り出し層ユニット２１１及び第２光取り出し層ユニット２１２の幅が更に増加するので、光取り出し層２００の製造難度を更に低下させる。
例えば、本開示の別の実施例は、本開示のいずれかの実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０を含む表示パネルを提供する。例えば、本開示の別の実施例はさらに表示装置を提供し、図１１は本開示の別の実施例に係る表示装置２０の模式図であり、該表示装置２０は、本開示のいずれかの実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板１０、又は上記表示パネルを含む。なお、ガラスカバープレート等の表示パネルの他の構成部分、及び表示装置２０の他の構成部分はいずれも当業者が理解できるものであり、ここで繰り返し説明せず、本発明を制限するものではない。光学特性が互いに異なる少なくとも２つの光取り出しユニットを設置することによって、有機エレクトロルミネッセンス表示基板、及び該有機エレクトロルミネッセンス表示基板を含む表示パネルと表示装置の輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善を実現する。
例えば、同一の発明構想に基づき、本開示の実施例はさらに有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法を提供する。該有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法は、画素アレイの形成及び光取り出し層の形成を含む。画素アレイはアレイ状に配列した複数の画素を含み、各画素は第１色光を発光する第１サブ画素を含み、各第１サブ画素は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む。画素アレイに被覆される光取り出し層は、例えば並列設置された、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含み、第１光取り出し層ユニット及び第２光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なる。隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、例えば、各第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの第１サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの第２光取り出し層ユニットにより被覆される。
例えば、図１２は本開示のさらに別の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示基板を製造するための製造方法のフローチャートである。図１２に示すように、該製造方法は、画素アレイを形成するステップＳ１０と、光取り出し層を形成するステップＳ２０とを含んでもよい。
画素アレイ及び光取り出し層の設置形態は前述した有機エレクトロルミネッセンス表示基板の実施例を参照でき、ここで繰り返し説明しない。各第１サブ画素のカソード発光側又は隣接する２つの第１サブ画素のカソード発光側に光学特性が互いに異なる少なくとも２つの光取り出しユニットを形成することによって、有機エレクトロルミネッセンス表示基板の輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善を実現する。
本開示の実施例は有機エレクトロルミネッセンス表示基板、表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法を提供し、該有機エレクトロルミネッセンス表示基板は、光学特性が互いに異なる少なくとも２つの光取り出しユニットを設置することによって、デバイスの輝度視野角特性及び／又は色度視野角特性の改善を実現する。
以上では一般的な説明及び実施形態によって、本開示を詳しく説明したが、本開示の実施例に基づき、いくつかの修正や改良を行うことができ、これは当業者にとって明らかである。従って、本開示の精神を逸脱せずに行った修正や改良は、いずれも本開示の保護範囲に属する。本願は２０１６年１２月０１日に出願した中国特許出願第２０１６１１０９１４４７．Ｘ号の優先権を主張し、ここで、上記中国特許出願の全内容を援用して本願の一部として組み込む。
１０ 有機エレクトロルミネッセンス表示基板
１００ 画素アレイ
１１０ 画素
１２０ 第１サブ画素
１３０ 第２サブ画素
１４０ 第３サブ画素
１５０ 有機エレクトロルミネッセンス素子
２００ 光取り出し層
２１１ 第１光取り出し層ユニット
２１２ 第２光取り出し層ユニット
２２１ 第３光取り出し層ユニット
２２２ 第４光取り出し層ユニット
２３１ 第５光取り出し層ユニット
２３２ 第６光取り出し層ユニット
２４１ 第１ユニット層
２４２ 第２ユニット層
１００ 画素アレイ
１１０ 画素
１２０ 第１サブ画素
１３０ 第２サブ画素
１４０ 第３サブ画素
１５０ 有機エレクトロルミネッセンス素子
２００ 光取り出し層
２１１ 第１光取り出し層ユニット
２１２ 第２光取り出し層ユニット
２２１ 第３光取り出し層ユニット
２２２ 第４光取り出し層ユニット
２３１ 第５光取り出し層ユニット
２３２ 第６光取り出し層ユニット
２４１ 第１ユニット層
２４２ 第２ユニット層
Claims (19)
- アレイ状に配列した複数の画素を含み、前記画素の各々が第１色光を発光する第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素の各々が有機エレクトロルミネッセンス素子を含む画素アレイと、
前記画素アレイに被覆され、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含む光取り出し層であって、前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なる光取り出し層と、を含み、
隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、有機エレクトロルミネッセンス表示基板。 - 前記第１サブ画素の各々のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは異なる厚さ又は異なる屈折率を有する、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは第１ユニット層を含み、前記第２光取り出し層ユニットは、前記第１ユニット層に被覆される第２ユニット層をさらに含む、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 前記画素アレイの各々は第２色光を発光する第２サブ画素及び第３色光を発光する第３サブ画素をさらに含み、前記第２サブ画素の各々及び前記第３サブ画素の各々は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 前記第２サブ画素の各々は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、前記第３サブ画素の各々は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素のうちいずれか２つの隣接するサブ画素のカソード発光側の少なくとも一部は同一の前記第１光取り出し層ユニット又は同一の前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 並列設置された、複数の第３光取り出し層ユニット及び複数の第４光取り出し層ユニットをさらに含み、前記第３光取り出し層ユニット及び第４光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なり、
前記第２サブ画素の各々のカソード発光側は少なくとも１つの前記第３光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第４光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの前記第２サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの前記第３光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第４光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。 - 並列設置された、複数の第５光取り出し層ユニット及び複数の第６光取り出し層ユニットをさらに含み、前記第５光取り出し層ユニット及び第６光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なり、
前記第３サブ画素の各々のカソード発光側は少なくとも１つの前記第５光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第６光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの前記第３サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの前記第５光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第６光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。 - 前記第１光取り出し層ユニット、前記第３光取り出し層ユニット及び前記第５光取り出し層ユニットの光学特性は同じであり、前記第２光取り出し層ユニット、前記第４光取り出し層ユニット及び前記第６光取り出し層ユニットの光学特性は同じである、請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 隣接する２つの前記画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項１から４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス素子はトップエミッション型又は両面発光型である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板。
- 請求項１から１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板を含む表示パネル。
- 請求項１から１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板又は請求項１２に記載の表示パネルを含む表示装置。
- 請求項１から１１のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法であって、
アレイ状に配列した複数の画素を含み、前記画素の各々は第１色光を発光する第１サブ画素を含み、前記第１サブ画素の各々は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む画素アレイを形成するステップと、
前記画素アレイに被覆され、複数の第１光取り出し層ユニット及び複数の第２光取り出し層ユニットを少なくとも含む光取り出し層であって、前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは光学特性が互いに異なる光取り出し層を形成するステップと、を含み、
隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。 - 前記第１サブ画素の各々のカソード発光側は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、又は隣接する２つの前記第１サブ画素のカソード発光側はそれぞれ少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。
- 前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは異なる厚さ又は異なる屈折率を有する、請求項１４又は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。
- 前記第１光取り出し層ユニット及び前記第２光取り出し層ユニットは第１ユニット層を含み、前記第２光取り出し層ユニットは、前記第１ユニット層に被覆される第２ユニット層をさらに含む、請求項１４又は１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。
- 前記画素アレイは第２色光を発光する第２サブ画素及び第３色光を発光する第３サブ画素をさらに含み、前記第２サブ画素及び各前記第３サブ画素は有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。
- 前記第２サブ画素の各々は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、前記第３サブ画素の各々は少なくとも１つの前記第１光取り出し層ユニット及び少なくとも１つの前記第２光取り出し層ユニットにより被覆され、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素のうちいずれか２つの隣接するサブ画素のカソード発光側の少なくとも一部は同一の前記第１光取り出し層ユニット又は同一の前記第２光取り出し層ユニットにより被覆される、請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示基板の製造方法。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060552A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2011065773A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | 有機電界発光装置 |
| KR20150019332A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 화소, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US20160315290A1 (en) * | 2015-04-21 | 2016-10-27 | Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | Light emitting device and organic light emitting panel |
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|---|---|---|---|---|
| JP2004287053A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光取り出し率向上フィルム及びその製造方法 |
| JP2008521165A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機発光デバイス、それを製造するための方法、および複数の有機発光デバイスを備えるアレイ |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2011060552A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2011065773A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | 有機電界発光装置 |
| KR20150019332A (ko) * | 2013-08-13 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 화소, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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