JP2019160585A - Optical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光装置に関する。 The present invention relates to an optical device.
近年、発光装置として、有機発光ダイオード(OLED)が開発されている。OLEDは、第1電極、有機層及び第2電極を有している。第1電極、有機層及び第2電極は、発光部を構成している。有機層は、第1電極と第2電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス(EL)により光を発することができる。発光部は、封止部(例えば、封止缶)によって封止させることができる。 In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have been developed as light emitting devices. The OLED has a first electrode, an organic layer, and a second electrode. The first electrode, the organic layer, and the second electrode constitute a light emitting unit. The organic layer can emit light by organic electroluminescence (EL) by a voltage between the first electrode and the second electrode. The light emitting part can be sealed with a sealing part (for example, a sealing can).
特許文献1及び2には、OLEDの一例が記載されている。特許文献1のOLEDは、封止部の表面に取り付けられたエレクトロクロミック(EC)素子を備えている。特許文献2のOLEDは、封止部の表面に取り付けられた遮光膜を備えている。
特許文献3には、照明器具の一例が記載されている。照明器具は、光源及びセンサを備えている。センサは、光源の照度を検出する。光源は、センサの検出結果に基づいて、動作される。特許文献3では、光源の光がセンサに入射されないように、センサが遮光壁によって囲まれている。 Patent Document 3 describes an example of a lighting fixture. The lighting fixture includes a light source and a sensor. The sensor detects the illuminance of the light source. The light source is operated based on the detection result of the sensor. In Patent Document 3, the sensor is surrounded by a light shielding wall so that light from the light source does not enter the sensor.
特許文献4には、EC素子の一例が記載されている。EC素子は、水素化によって透明状態に遷移可能であり、脱水素化によって反射状態に遷移可能になっている。 Patent Document 4 describes an example of an EC element. The EC element can transition to a transparent state by hydrogenation, and can transition to a reflection state by dehydrogenation.
上述したように、近年、OLEDが発光装置として開発されている。一定の用途(例えば、自動車のテールランプ)においては、このような発光装置が、受光素子(例えば、フォトダイオード(PD))を有する装置(例えば、光センサ又は撮像装置)と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。 As described above, in recent years, OLEDs have been developed as light emitting devices. In certain applications (eg, automotive tail lamps), such light emitting devices may be used in conjunction with devices (eg, photosensors or imaging devices) having light receiving elements (eg, photodiodes (PD)). is there. In this case, it is necessary to suppress the erroneous detection of the light receiving element by the light emitted from the light emitting device as much as possible.
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress erroneous detection of a light receiving element due to light emitted from a light emitting device.
請求項1に記載の発明は、
第1面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に位置し、第1電極、有機層及び第2電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第1面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置である。
The invention described in
A substrate having a first surface;
A light emitting part located on the first surface side of the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first state having a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion; and a second transmittance lower than the first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion. A dimming region capable of transitioning to a second state;
A light receiving element positioned apart from the light emitting part;
With
The light control region is an optical device positioned between the light emitting unit and the light receiving element on the first surface side of the substrate.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
図1は、実施形態に係る光装置40を説明するための図である。図2は、図1に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図3は、図1に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining an
図1を用いて、光装置40の概要を説明する。光装置40は、基板100、発光部142、調光領域30及び受光素子220を備えている。基板100は、第1面102を有している。発光部142は、基板100の第1面102側に位置しており、第1電極110、有機層120及び第2電極130を有している。調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態(例えば、図2に示す状態)と、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態(例えば、図3に示す状態)と、に遷移可能である。受光素子220は、発光部142と離間して位置している。調光領域30は、基板100の第1面102側において発光部142と受光素子220の間に位置している。
The outline of the
上述した構成によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、調光領域30は、基板100の第1面102側において発光部142と受光素子220の間に位置している。したがって、発光部142から光が発せられる場合は、調光領域30が第2状態(例えば、図3に示す状態)に遷移することで、発光部142から発せられて受光素子220に向かう光を調光領域30によって遮ることができる。したがって、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。
According to the configuration described above, erroneous detection of the
図1を用いて、光装置40の詳細を説明する。
Details of the
光装置40は、発光装置10及びセンサ装置20を備えている。
The
光装置40は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置10が発光の機能を実現し、センサ装置20が光センシングの機能を実現する。
The
発光装置10は、基板100、発光部142、封止部160及び調光領域30を備えている。発光部142は、第1電極110、有機層120及び第2電極130を基板100の第1面102から順に含んでいる。
The
基板100は、第1面102及び第2面104を有している。第1電極110、有機層120、第2電極130、封止部160及び調光領域30は、基板100の第1面102側に位置している。第2面104は、第1面102の反対側に位置している。
The
基板100は、透光性を有する材料からなっている。したがって、光は基板100を透過することができる。
The
基板100は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。樹脂は、例えば、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタレート)又はポリイミドにすることができる。基板100が樹脂からなる場合、基板100のうちの第1面102及び第2面104の少なくとも一方は、無機バリア層(例えば、SiNx又はSiON)によって覆われていてもよい。有機層120を劣化させ得る物質(例えば、水蒸気)が基板100を透過することを無機バリア層によって抑えることができる。
The
第1電極110は、透明導電材料を含んでおり、透光性を有している。透明導電材料は、例えば、金属酸化物(例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide))又はIGZO(Indium Galium Zinc Oxide)、カーボンナノチューブ、導電性高分子(例えば、PEDOT/PSS)又は透光性を有する金属薄膜(例えば、Ag)若しくは透光性を有する合金薄膜(例えば、AgMg)とすることができる。
The
有機層120は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)によって光を発する発光層(EML)を含んでおり、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、電子輸送層(ETL)及び電子注入層(EIL)を適宜含んでいてもよい。第1電極110からEMLに正孔が注入され、第2電極130からEMLに電子が注入されて、EMLにおいて正孔及び電子が再結合して光が発せられる。
The
第2電極130は、遮光性導電材料を含んでおり、遮光性、特に光反射性を有している。遮光性導電材料は、例えば、金属、特に、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn及びInからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。
The
図1に示す例において、発光装置10は、ボトムエミッションである。つまり、有機層120から発せられた光は、第1電極110及び基板100を透過して、基板100の第2面104から出射される。
In the example shown in FIG. 1, the
図1に示す例において、有機層120(発光部142)から発せられる光は、単色、具体的には、赤色であり、600nm以上750nm以下にピーク波長を有している。他の例において、有機層120(発光部142)から発せられる光は、赤色以外の色(例えば、緑色又は青色)であってもよい。 In the example shown in FIG. 1, the light emitted from the organic layer 120 (light emitting unit 142) is monochromatic, specifically red, and has a peak wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less. In another example, the light emitted from the organic layer 120 (the light emitting unit 142) may be a color other than red (for example, green or blue).
封止部160は、発光部142を封止している。図1に示す例において、封止部160は、透光性を有する封止缶(例えば、ガラス缶)であり、発光部142と封止部160の間の領域は、中空となっている。封止部160は、第1面102に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して基板100の第1面102に接着させることができる。
The sealing
調光領域30は、特定の波長(例えば、発光部142から発せられる光のピーク波長)に対してそれぞれ異なる透過率を有する複数の状態に遷移可能な領域である。一例において、調光領域30は、エレクトロクロミック(EC)素子を有することができる。EC素子は、第1状態において、実質的に透明状態に遷移することができ、第2状態において、発色状態に遷移することができる。
The
第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して高い吸光度を有する色に遷移することができる。一例において、発光部142から発せられる光の色が赤色である場合、調光領域30は、第2状態において、青色状態に遷移することができる。
In the second state, the
図1に示す例において、調光領域30は、封止部160に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して封止部160に接着させることができる。
In the example shown in FIG. 1, the
センサ装置20は、受光素子220を有している。受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えば、フォトダイオード(PD)である。図1に示す例では、基板100の第1面102に垂直な方向において、センサ装置20の少なくとも一部が基板100の第1面102から基板100の外側に向けてずれており、基板100の第1面102に沿った方向において、センサ装置20の少なくとも一部が基板100の端部から基板100の外側に向けてずれている。
The
図2及び図3を用いて、調光領域30の第1状態及び第2状態の詳細を説明する。
Details of the first state and the second state of the
図2及び図3に示すように、調光領域30は、発光部142から光が発せられていない場合に第1状態をとり(図2)、発光部142から光が発せられている場合に第2状態をとる(図3)。
As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the
図2に示す例では、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域、具体的には、400nm以上800nm以下の波長帯域において、例えば50%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。
In the example shown in FIG. 2, in the first state, the
特に図2に示す例では、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)に対して第1透過率を有している。第1透過率は、例えば50%以上である。したがって、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。
In particular, in the example illustrated in FIG. 2, the
図2に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されておらず、発光部142(有機層120)からは光が発せられていない。したがって、発光部142(有機層120)から発せられる光の波長に対して調光領域30が低透過率(例えば、高吸光度又は高反射率)を有していなくても、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出のおそれがない。したがって、調光領域30は、上述したように、可視光線VLの波長帯域において高い透過率を有していてもよい。調光領域30の高い透過率によって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example illustrated in FIG. 2, no voltage is applied between the
図3に示す例では、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して第2透過率を有している。第2透過率は、第1透過率より低く、例えば0%以上70%以下、好ましくは例えば0%以上30%以下である。したがって、調光領域30は、光L1を透過させない。
In the example shown in FIG. 3, in the second state, the
図3に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されており、発光部142(有機層120)から光L1が発せられている。光L1がフレネル反射によって基板100の第2面104によってセンサ装置20(受光素子220)に向けて反射されても、光L1を調光領域30によってセンサ装置20(受光素子220)から遮ることができる。したがって、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。
In the example illustrated in FIG. 3, a voltage is applied between the
図3に示す例では、第2状態において、調光領域30は、400nm以上800nm以下の波長帯域(すなわち、可視光線の波長帯域)のうち光L1のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)を除く100nmの波長帯域(例えば、400nm以上500nm以下の波長帯域)において、例えば50%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域30は、光L1の波長帯域の光を選択的に反射することができる。言い換えると、調光領域30は、可視光線の波長帯域のうちの光L1以外の波長帯域の光をよく透過させることができる。したがって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example shown in FIG. 3, in the second state, the
図4は、センサ装置20の詳細の第1例を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a first example of details of the
センサ装置20は、発光素子210及び受光素子220を含んでいる。一例において、センサ装置20は、測距センサ、特にLiDAR(Light Detection And Ranging)にすることができる。この例において、発光素子210は、センサ装置20の外部に向けて光を発し、受光素子220は、発光素子210から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子210は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード(LD)にすることができ、受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード(PD)にすることができる。センサ装置20は、光が発光素子210から発せられてから受光素子220によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置20から対象物までの距離を検出することができる。
The
センサ装置20の受光素子220は、センサ装置20の外部からの光を検出する。したがって、受光素子220の誤検出を防ぐため、発光装置10から発せられた光が受光素子220に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図1から図3を用いて説明した例によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を調光領域30によって抑えることができる。
The
図5は、センサ装置20の詳細の第2例を説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a second example of the details of the
センサ装置20は、複数の受光素子220を含んでいる。一例において、センサ装置20は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子220は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ又はCMOS(Complementary Metal−Oxide−Semiconductor)イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード(PD)にすることができる。センサ装置20は、複数の受光素子220によって、センサ装置20の外部の対象物の像を検出することができる。
The
センサ装置20の受光素子220は、センサ装置20の外部からの光を検出する。したがって、受光素子220の誤検出を防ぐため、発光装置10から発せられて受光素子220に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図1から図3を用いて説明したによれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を調光領域30によって抑えることができる。
The
図6は、調光領域30の詳細の第1例の断面図である。図6に示す例において、調光領域30は、EC素子を有している。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a first example of details of the
調光領域30は、基板312、電極322、電解質330、電極324及び基板314を順に含んでいる。
The
基板312及び基板314は、透光性を有している。
The
電極322及び電極324は、透光性を有している。電極322及び電極324は、例えば、金属酸化物、具体的には、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、フッ素をドープした酸化スズ(FTO)、アンチモンをドープした酸化スズ(ATO)、アルミニウムをドープした酸化スズ(AZO)、酸化亜鉛又は酸化チタンからなっている。電極322及び電極324は、様々な方法、例えば、スパッタ、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、キャスティング又はインクジェットによって形成させることができる。
The
一例において、電解質330は、液体状である。この例においては、電解質330は、溶媒及び溶媒に溶かされたイオン化したEC材料を含んでいる。この例においては、電極322と電極324の間に一方向に電圧を印加することで、エレクトロクロミック(EC)材料が電極322及び電極324の一方に析出して調光領域30が発色状態に遷移し、電極322と電極324の間に逆方向に電圧を印加することで、析出したEC材料が電解質330の溶媒に溶解して調光領域30が実質的に透明状態に遷移する。
In one example, the
図7は、調光領域30の詳細の第2例の断面図である。図7に示す例は、以下の点を除いて、図6に示した例と同様である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a second example of details of the
調光領域30は、基板312、電極322、エレクトロクロミック(EC)層332、電解質330、電極324及び基板314を順に含んでいる。
The
EC層332は、EC材料からなっている。EC材料は、例えば、金属酸化物、金属錯体化合物、低分子の有機化合物又は導電性高分子である。金属酸化物は、例えば、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウム又は酸化チタンである。金属錯体化合物は、例えば、プルシアンブルーである。低分子の有機化合物は、例えば、ビオロゲン、希土類フタロシアニン又はスチリルである。導電性高分子は、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン若しくはポリアニリン又はそれらの誘導体である。
The
電解質330は、固体状、液体状及びゲル状のいずれであってもよい。
The
電解質330が液体状であるとき、電解質330は、水系電解液、有機電解液及びイオン液体電解液のいずれであってもよい。水系電解液は、支持電解質を含んでいてもよい。支持電解質は、アルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、4級アンモニウム塩又は酸類若しくはアルカリ類の支持塩である。より詳細には、支持電解質は、例えば、LiClO4、LiBF4、LiAsF6、LiPF6、LiCF3SO3、LiCF3COO、KCl、NaClO3、NaCl、NaBF4、NaSCN、KBF4、NaSCN、KBF4、Mg(ClO4)2又はMg(BF4)2である。有機電解液は、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γ―ブチロラクン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、1、2−ジメトキシエタン、1、2−エトキシメトキシエタン若しくはポリエチレングリコール、アルコール類又はそれらの混合溶媒である。高粘稠性を得るため、有機電解液にポリマーを添加してもよい。ポリマーは、例えば、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアミド、ポリアクリルアミド、ポリエステル又はナフィオン(登録商標)である。他の例において、有機電解液をゲル状にするため、有機電解液にゲル化剤を添加してもよい。
When the
電解質330が固体状であるとき、電解質330は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。
When the
図8は、調光領域30の詳細の第3例の断面図である。図8に示す例は、以下の点を除いて、図7に示した例と同様である。
FIG. 8 is a sectional view of a third example of details of the
調光領域30は、基板312、電極322、EC層332、電解質330、EC層334、電極324及び基板314を順に含んでいる。
The
一例において、EC層332及びEC層334の一方は、酸化によって発色可能な材料からなるようにし、EC層332及びEC層334のもう一方は、還元によってEC層332及びEC層334の一方と実質的に同一の色に発色可能な材料からなるようにしてもよい。電極322と電極324の間の電圧によって、EC層332及びEC層334の双方において酸化還元反応が生じ、EC層332及びEC層334の双方が実質的に同じ色に発色される。したがって、調光領域30の発色効率を高くすることができる。
In one example, one of the
詳細な一例において、EC層332及びEC層334の一方は、プルシアンブルーからなるようにし、EC層332及びEC層334のもう一方は、酸化タングステン又はビオロゲンからなるようにしてもよい。プルシアンブルーは、酸化によって透明から青色に発色可能であり、酸化タングステン及びビオロゲンは、還元によって透明から青色に発色可能である。この例においては、調光領域30を透明から青色に高い効率で発色させることができる。
In a detailed example, one of the
図9は、調光領域30の詳細の第4例の断面図である。図9の上段は、調光領域30の平面図であり、図9の下段は、図9の上段のA−A断面図である。図9に示す例は、以下の点を除いて、図7に示した例と同様である。
FIG. 9 is a sectional view of a fourth example of details of the
調光領域30は、シール材340を有している。シール材340は、例えば、ゴムシートである。シール材340は、EC層332及び電解質330を囲んでいる。電解質330は、液体状又はゲル状にすることができる。電解質330が液体状又はゲル状であっても、電解質330の外側への漏れをシール材340によって抑えることができる。
The
図10及び図11は、図9に示した調光領域30の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、調光領域30は、以下のようにして製造される。
10 and 11 are views for explaining an example of a manufacturing method of the
図10に示すように、基板312上の電極322上にマスクMKを配置して、電極322上にEC層332をマスクMKによって選択的に堆積する。図10に示す例において、EC層332は、酸化タングステンからなり、スパッタによって堆積される。次いで、マスクMKを除去する。
As shown in FIG. 10, a mask MK is disposed on the
次いで、図11に示すように、基板312上の電極322上にシール材340を設けて、シール材340がEC層332を囲むようにする。次いで、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を設ける。電解質330が液体状又はゲル状であるとき、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を流し込むことで、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を設けることができる。
Next, as shown in FIG. 11, a sealing
次いで、基板314及び電極324を含む積層体(図9)を、電極324が電解質330、EC層332及びEC層334を介して電極322と対向するように、電解質330上に貼り付ける。
Next, a stacked body including the
このようにして、図9に示した調光領域30が製造される。
In this way, the
以上、本実施形態によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。
As described above, according to this embodiment, erroneous detection of the
(実施例1)
図12は、実施例1に係る発光装置10の平面図である。図13は、図12のP−P断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様である。
Example 1
FIG. 12 is a plan view of the
発光装置10は、発光領域140を備えている。発光領域140は、複数の発光部142及び複数の透光部144を有している。図12に示すように、複数の発光部142は、基板100の第1面102(図13)に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している。各発光部142は、第1電極110、有機層120及び第2電極130を有している。第1電極110は透光性を有しており、第2電極130は光反射性を有している。複数の透光部144のそれぞれは、遮光部材(例えば、第2電極130)と重なっておらず、隣り合う発光部142の間に位置している。このようにして、複数の発光部142及び複数の透光部144は、交互に並んでいる。
The
発光装置10は、調光領域30を備えている。図12に示すように、調光領域30は、基板100の第1面102(図13)に垂直な方向から見て、発光領域140(複数の発光部142)と重なっている。図12に示す例では、発光領域140の全体が調光領域30の内側に位置している。したがって、発光領域140から漏れ得る光を調光領域30によってよく遮ることができる。
The
封止部160は、外面162及び内面164を有している。外面162は、頂面162a及び外側面162bを含んでいる。内面164は、裏面164a及び内側面164bを含んでいる。裏面164aは、頂面162aの反対側にある。内側面164bは、外側面162bの反対側にある。
The sealing
図12に示す例では、調光領域30は、封止部160の外面162、より具体的には、封止部160の頂面162aに取り付けられている。一例において、調光領域30は、接着層(不図示)を介して封止部160に接着させることができる。
In the example shown in FIG. 12, the
図14は、図13に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図15は、図13に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。
FIG. 14 is a diagram for explaining a first state of the
図14に示す例では、図2に示した例と同様にして、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域において、高い平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。特に、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して高い透過率(第1透過率)を有している。
In the example shown in FIG. 14, similarly to the example shown in FIG. 2, in the first state, the
図14に示すように、可視光線VLは、透光部144を透過することができる。さらに、上述したように、可視光線VLは、調光領域30も透過することができる。したがって、発光装置10は、調光領域30の第1状態において、高い透光性を有することができる。
As shown in FIG. 14, the visible light VL can pass through the
図15に示す例では、図3に示した例と同様にして、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して低い透過率(第2透過率)を有している。したがって、光L1がフレネル反射によって基板100の第2面104によって第2面104の反対側に向けて反射されても、光L1を調光領域30によって遮ることができる。
In the example shown in FIG. 15, similarly to the example shown in FIG. 3, in the second state, the
図15に示す例では、図3に示した例と同様にして、第2状態において、調光領域30は、可視光線の波長帯域のうちの光L1のピーク波長を除く一部分の波長帯域において、高い平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example shown in FIG. 15, similarly to the example shown in FIG. 3, in the second state, the
図16は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第1例を説明するための回路図である。
FIG. 16 is a circuit diagram for explaining a first example of a driving method of the
光装置40は、駆動回路400を備えている。駆動回路400は、第1駆動部410及び第2駆動部420を有している。第1駆動部410及び第2駆動部420は、互いに独立して、発光装置10及び調光領域30をそれぞれ駆動している。
The
図17は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第2例を説明するための回路図である。図17に示す例は、以下の点を除いて、図16に示した例と同様である。
FIG. 17 is a circuit diagram for explaining a second example of the driving method of the
光装置40は、制御回路430及び光センサ440を備えている。光センサ440は、調光領域30の周囲の明るさを検出する。光センサ440は、図1に示したセンサ装置20であってもよい。制御回路430は、光センサ440のセンシング結果(つまり、調光領域30の周囲の明るさ)に基づいて、第2駆動部420を制御して、第2状態における、可視光線の波長帯域に対しての、調光領域30の平均透過率を制御している(以下、平均透過率T2,VLと称する。)。
The
一例において、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが第1の明るさであるときは、平均透過率T2,VLが第1透過率となるように調光領域30を制御し、調光領域30の周囲の明るさが第1の明るさより明るい第2の明るさであるときは、平均透過率T2,VLが第1透過率より高い第2透過率となるように調光領域30を制御する。調光領域30の周囲が暗い場合(第1の明るさ)は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光が目立つ。したがって、平均透過率T2,VLは、ある程度低い必要がある(第1透過率)。これに対して、調光領域30の周囲が明るい場合(第2の明るさ)は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光はあまり目立たない。したがって、平均透過率T2,VLは、ある程度高くてもよい(第2透過率)。このようにして、調光領域30の周囲が暗い場合は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を調光領域30によって抑えることができ、調光領域30の周囲が明るい場合は、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる
In one example, when the brightness around the
図18は、図17に示した制御回路430による調光領域30の制御の詳細の一例を説明するためのグラフである。図18に示すグラフにおいて、横軸は、調光領域30の周囲の明るさを示し、縦軸は、平均透過率T2,VLを示している。
FIG. 18 is a graph for explaining an example of details of control of the
図18に示す例において、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが線型に増加するように調光領域30を制御している。したがって、調光領域30の周囲が暗い場合は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を調光領域30によって抑えることができ、調光領域30の周囲が明るい場合は、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example illustrated in FIG. 18, the
図19は、図18の変形例を示す図である。 FIG. 19 is a diagram showing a modification of FIG.
図19の上段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、階段状に増加するように調光領域30を制御してもよい。
As shown in the upper graph of FIG. 19, the
図19の中段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、下に凸な曲線状に増加するように調光領域30を制御してもよい。
As shown in the middle graph of FIG. 19, the
図19の下段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、上に凸な曲線状に増加するように調光領域30を制御してもよい。
As shown in the lower graph of FIG. 19, the
図20は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第3例を説明するための回路図である。図20に示す例は、以下の点を除いて、図16に示した例と同様である。
FIG. 20 is a circuit diagram for explaining a third example of the driving method of the
制御回路430は、第1駆動部410及び第2駆動部420の双方、つまり、発光装置10及び調光領域30の双方を制御している。制御回路430は、発光装置10の輝度(以下、輝度Lと称する。)を第1輝度(発光装置10がオフ状態)及び第2輝度(発光装置10が完全にオン状態)の間に制御する(第2輝度は、第1輝度より高い。)。制御回路430は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対しての調光領域30の透過率(以下、透過率TPと称する。)を第1透過率及び第2透過率の間に制御する(第2透過率は、第1透過率より低い。)。制御回路430は、透過率TPに応じて、輝度Lを制御することができる。
The
図21は、図20に示した制御回路430による発光装置10及び調光領域30の制御の詳細の第1例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
FIG. 21 is a diagram illustrating a timing chart for explaining a first example of details of control of the
図21に示すタイミングチャートでは、輝度Lが第1輝度から第2輝度に変化し、かつ透過率TPが第1透過率から第2透過率に変化している。調光領域30の応答速度は、発光装置10の応答速度よりも遅い。したがって、図21に示すように、透過率TPが第1透過率から第2透過率に変化するのに要する時間は、輝度Lが第1輝度から第2輝度に変化するのに要する時間よりも長い。したがって、透過率TPが十分に低くないタイミング(例えば、透過率TPが第1輝度であるタイミング)で輝度Lが第2輝度に達すると、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光が目立つことになる。
In the timing chart shown in FIG. 21, the luminance L is changed from the first brightness to the second brightness, and the transmittance T P is changed from the first transmittance to the second transmittance. The response speed of the
図21に示す例では、制御回路430は、透過率TPが第1透過率より低くなったタイミングで輝度Lが第2輝度に達するように、発光装置10及び調光領域30を制御している。したがって、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を抑えることができる。輝度Lが第2輝度に達するタイミングにおける透過率TPは、低いことが好ましく、例えば第1透過率の50%以下、好ましくは例えば第1透過率の10%以下である。
In the example shown in FIG. 21, the
図22は、図20に示した制御回路430による発光装置10及び調光領域30の制御の詳細の第2例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。図22に示すタイミングチャートは、以下の点を除いて、図21に示したタイミングチャートと同様である。
FIG. 22 is a diagram illustrating a timing chart for explaining a second example of details of control of the
図22に示す例では、制御回路430は、透過率TPが第1透過率から変化し始めたタイミングと実質的に同じタイミングで輝度Lが第1輝度から変化し始めるようにし、かつ、透過率TPが第1透過率より低くなったタイミングで輝度Lが第2輝度に達するように、発光装置10及び調光領域30を制御している。この例において、制御回路430は、輝度Lを、発光装置10の通常の動作時間よりも長い時間をかけて、第1輝度から第2輝度へ増加させている。したがって、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を抑えることができる。
In the example shown in FIG. 22, the
図23は、図22に示した輝度Lのタイミングチャートの詳細を説明するための図である。 FIG. 23 is a diagram for explaining the details of the luminance L timing chart shown in FIG.
図23の上段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、線型に増加させている。
In the upper timing chart of FIG. 23, the
図23の中段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、非線型に、具体的には、階段状に増加させている。
In the middle timing chart of FIG. 23, the
図23の下段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、非線型に、具体的には、下に凸な曲線状に増加させている。
In the lower timing chart of FIG. 23, the
(実施例2)
図24は、実施例2に係る発光装置10の断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例1に係る発光装置10と同様である。
(Example 2)
FIG. 24 is a cross-sectional view of the
調光領域30は、基板312、電極322、電解質330、EC層334、電極324及び基板314を封止部160の頂面162aから順に含んでいる。
The
調光領域30は、導電部352(第1導電部)及び導電部354(第2導電部)をさらに有している。導電部352は、基板312及び電極322の間にあって電極322(第1電極)に覆われている。導電部354は、基板314及び電極324の間にあって電極324(第2電極)に覆われている。導電部352及び導電部354は、電極322及び電極324にそれぞれ接続している。導電部352及び導電部354は、電極322及び電極324よりもそれぞれ高い導電率を有しており、電極322の補助電極及び電極324の補助電極としてそれぞれ機能している。調光領域30は、導電部352及び導電部354によって、高い発色効率を得ることができる。
The
導電部352及び導電部354は、金属、より具体的には、例えば、Cr(クロム)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ag(銀)、Au(金)、Mo(モリブデン)、W(タングステン)若しくはNi(ニッケル)又はこれらの合金からなっている。これらの中でも、高い導電率で且つ汎用性が高い(価格が安い)という観点から、Agが好ましい。
The
図24に示す例において、導電部352の少なくとも一部及び導電部354の少なくとも一部は、第2電極130と重なっている。さらに、導電部352の幅及び導電部354の幅のそれぞれは、第2電極130の幅より狭くなっており、基板100の第1面102に沿う方向において、導電部352及び導電部354は、第2電極130の内側に位置している。この場合、導電部352及び導電部354が遮光性を有していても、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example shown in FIG. 24, at least a part of the
(実施例3)
図25は、実施例3に係る発光装置10の断面図である。図26は、図25に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図27は、図25に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例1に係る発光装置10と同様である。
(Example 3)
FIG. 25 is a cross-sectional view of the
図25を用いて、発光装置10の構造を説明する。
The structure of the
第2電極130は、第1電極110と同様にして、透光性を有している。調光領域30は、第2電極130上に位置している。調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1反射率を有する第1状態(例えば、図26に示す状態)と、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1反射率より低い第2反射率を有する第2状態(例えば、図27に示す状態)と、に遷移可能である。
Similar to the
上述した構成によれば、有機層120から光が発せられていない場合、調光領域30が第1状態に遷移することで、発光装置10の透過率を高くすることができ(例えば、図26)、有機層120から光が発せられている場合、調光領域30が第2状態に遷移することで、有機層120から調光領域30に向けて発せられた光を調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる(例えば、図27)。
According to the configuration described above, when light is not emitted from the
調光領域30は、バッファ層360、電極322、EC層332、触媒層336、電解質330及び電極324を第2電極130から順に含んでいる。バッファ層360は、例えば真空蒸着によって第2電極130上に形成させることができる。電極322、EC層332、触媒層336、電解質330及び電極324は、例えばスパッタによって順に形成させることができる。
The
電極322、電極324、電解質330及びバッファ層360は、透光性を有している。
The
電解質330は、固体状にすることができる。電解質330は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。
The
EC層332は、水素化により透明状態(例えば、図26に示す状態)に遷移可能であり、かつ脱水素化により反射状態(例えば、図27に示す状態)に遷移可能である。水素化及び脱水素化は、可逆反応である。電極322と電極324の間の一方向に電圧を印加することで、水素化を生じさせることができ、電極322と電極324の間の逆方向に電圧を印加することで、脱水素化を生じさせることができる。EC層332の材料は、例えば、Y−Mg、La−Mg、Gd−Mg若しくはSm−Mgの希土類−マグネシウム合金;Mg−Ni、Mg−Mn、Mg−Co若しくはMg−Feのマグネシウム−遷移金属合金;第2族元素から選択される少なくとも1種の元素及び第3族元素及び希土類元素から選択される2種以上の元素を含む合金;又は上述した合金の水素化物である。
The
触媒層336は、EC層332の水素化及び脱水素化を促進するための機能を有している。触媒層336の材料は、例えば、パラジウム、白金、パラジウム合金又は白金合金の中から選択された少なくとも1種の金属であり、水素透過性の観点から好ましくはパラジウムである。
The
図26及び図27を用いて、調光領域30の第1状態及び第2状態の詳細を説明する。
Details of the first state and the second state of the
図26に示す例では、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域、具体的には、400nm以上800nm以下の波長帯域において、例えば40%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。
In the example shown in FIG. 26, in the first state, the
特に図26に示す例では、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)に対して第1反射率を有している。第1反射率は、例えば30%未満である。したがって、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。
In particular, in the example illustrated in FIG. 26, the
図26に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されておらず、発光部142(有機層120)からは光が発せられていない。したがって、調光領域30は、発光部142(有機層120)から発せられる光の波長に対して高反射率を有していなくてよい。したがって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。
In the example shown in FIG. 26, no voltage is applied between the
図27に示す例では、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して第2反射率を有している。第2反射率は、第1反射率より高く、例えば60%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下である。したがって、調光領域30は、光L1を反射することができる。
In the example shown in FIG. 27, in the second state, the
図27に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されており、有機層120から光L1が発せられている。光L1が調光領域30に向かっても、光L1を調光領域30によって調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる。
In the example shown in FIG. 27, a voltage is applied between the
図28は、図25の変形例を示す図である。 FIG. 28 is a diagram showing a modification of FIG.
図28に示すように、調光領域30は、バッファ層(図25に示したバッファ層360に相当する層)を含んでいなくてもよく、第2電極130が電極322として機能してもよい。この例においても、図25に示した例と同様にして、有機層120から光が発せられていない場合、調光領域30が第1状態に遷移することで、発光装置10の透過率を高くすることができ、有機層120から光が発せられている場合、調光領域30が第2状態に遷移することで、有機層120から調光領域30に向けて発せられた光を調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる。
As shown in FIG. 28, the
図29は、図1の変形例を示す図である。 FIG. 29 is a diagram showing a modification of FIG.
図29に示す例において、発光装置10は、トップエミッションである。第1電極110は光反射性を有しており、第2電極130は光透過性を有している。したがって、有機層120から発せられた光は、第2電極130を透過して封止部160から出射される。
In the example shown in FIG. 29, the
調光領域30は、基板100の第2面104側において発光部142と受光素子200の間に位置している。特に図29に示す例では、基板100の第2面104に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して基板100の第2面104に接着させることができる。したがって、図1に示した例と同様にして、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。
The
図30は、図13の第1の変形例を示す図である。 FIG. 30 is a diagram showing a first modification of FIG.
図30に示すように、調光領域30は、封止部160の頂面162aだけでなく、封止部160の外側面162bにも取り付けられていてもよい。
As shown in FIG. 30, the
図31は、図13の第2の変形例を示す図である。 FIG. 31 is a diagram showing a second modification of FIG.
図31に示すように、調光領域30は、封止部160の内面164に取り付けられていてもよく、特に図31に示す例では、封止部160の裏面164a及び内側面164bに取り付けられている。
As shown in FIG. 31, the
図32は、図13の第3の変形例を示す図である。 FIG. 32 is a diagram showing a third modification of FIG.
図32に示すように、調光領域30は、封止部160の外面162及び内面164の双方に取り付けられていてもよく、特に図32に示す例では、封止部160の頂面162a及び裏面164aに取り付けられている。
As shown in FIG. 32, the
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
10 発光装置
20 センサ装置
30 調光領域
40 光装置
100 基板
102 第1面
104 第2面
110 第1電極
120 有機層
130 第2電極
140 発光領域
142 発光部
144 透光部
160 封止部
162 外面
162a 頂面
162b 外側面
164 内面
164a 裏面
164b 内側面
200 受光素子
210 発光素子
220 受光素子
312 基板
314 基板
322 電極
324 電極
330 電解質
332 EC層
334 EC層
336 触媒層
340 シール材
352 導電部
354 導電部
360 バッファ層
400 駆動回路
410 第1駆動部
420 第2駆動部
430 制御回路
440 光センサ
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記基板の前記第1面側に位置し、第1電極、有機層及び第2電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第1面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置。 A substrate having a first surface;
A light emitting part located on the first surface side of the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first state having a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion; and a second transmittance lower than the first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion. A dimming region capable of transitioning to a second state;
A light receiving element positioned apart from the light emitting part;
With
The said light control area | region is an optical apparatus located between the said light emission part and the said light receiving element in the said 1st surface side of the said board | substrate.
前記基板の前記第1面側に位置し、透光性を有し、前記発光部を封止する封止部をさらに備え、
前記調光領域は、前記封止部に取り付けられている、光装置。 The optical device according to claim 1,
It is located on the first surface side of the substrate, has translucency, and further comprises a sealing portion that seals the light emitting portion,
The said light control area | region is an optical apparatus attached to the said sealing part.
前記調光領域は、前記封止部の外面に取り付けられている、光装置。 The optical device according to claim 2,
The said light control area | region is an optical apparatus attached to the outer surface of the said sealing part.
複数の前記発光部を備え、
前記複数の発光部の各第2電極は、光反射性を有し、
前記複数の発光部は、前記第1面に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している、光装置。 The optical device according to any one of claims 1 to 3,
A plurality of the light emitting units,
Each second electrode of the plurality of light emitting units has light reflectivity,
The optical device, wherein the plurality of light emitting units extend in the same direction when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
前記調光領域は、前記第1面に垂直な方向から見て、前記発光部と重なっている、光装置。 The optical device according to any one of claims 1 to 4, wherein:
The light control region is an optical device that overlaps with the light emitting unit when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
前記調光領域は、エレクトロクロミック素子を有する、光装置。 The optical device according to any one of claims 1 to 5,
The said light control area | region is an optical apparatus which has an electrochromic element.
前記エレクトロクロミック素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極に接続し、前記第1電極より高い導電率を有する第1導電部と、前記第2電極に接続し、前記第2電極より高い導電率を有する第2導電部と、を有し、
前記第1導電部の少なくとも一部及び前記第2導電部の少なくとも一部は、前記第1面に垂直な方向から見て、前記第2電極と重なっている、光装置。 The optical device according to claim 6.
The electrochromic element is connected to the first electrode, the second electrode, the first electrode, has a higher conductivity than the first electrode, and is connected to the second electrode, A second conductive part having a higher conductivity than the two electrodes,
An optical device, wherein at least a part of the first conductive part and at least a part of the second conductive part overlap the second electrode when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
前記第1導電部の幅及び前記第2導電部の幅のそれぞれは、前記第2電極の幅より狭い、光装置。 The optical device according to claim 7.
Each of the width | variety of the said 1st electroconductive part and the width | variety of the said 2nd electroconductive part is an optical apparatus narrower than the width | variety of the said 2nd electrode.
前記調光領域は、前記発光部から光が発せられていない場合に前記第1状態をとり、前記発光部から光が発せられている場合に前記第2状態をとる、光装置。 The optical device according to any one of claims 1 to 8,
The light control region is an optical device that takes the first state when light is not emitted from the light emitting unit and takes the second state when light is emitted from the light emitting unit.
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