JP2019160585A - Optical device - Google Patents

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Abstract

To suppress error detection of a light emission element due to light irradiated from a light emitting device.SOLUTION: An optical device 40 comprises: a substrate 100; a light emitting part 142; a light adjustment region 30; and a light reception element 220. The substrate 100 includes a first surface 102. The light emitting part 142 is positioned at a first surface 102 side of the substrate 100, and includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The light adjustment region 30 can be transferred to a first state of having a first transmission coefficient to a peak wavelength of light emitted from the light emitting part 142 and a second state of having a second transmission coefficient lower than the first transmission coefficient in response to a peak wavelength of the light emitted from the light emitting part 142. The light adjustment region 30 is positioned between the light emitting part 142 and the light reception element 220 on the first surface 102 of the substrate 100.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、光装置に関する。   The present invention relates to an optical device.

近年、発光装置として、有機発光ダイオード(OLED)が開発されている。OLEDは、第1電極、有機層及び第2電極を有している。第1電極、有機層及び第2電極は、発光部を構成している。有機層は、第1電極と第2電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス(EL)により光を発することができる。発光部は、封止部(例えば、封止缶)によって封止させることができる。   In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have been developed as light emitting devices. The OLED has a first electrode, an organic layer, and a second electrode. The first electrode, the organic layer, and the second electrode constitute a light emitting unit. The organic layer can emit light by organic electroluminescence (EL) by a voltage between the first electrode and the second electrode. The light emitting part can be sealed with a sealing part (for example, a sealing can).

特許文献1及び2には、OLEDの一例が記載されている。特許文献1のOLEDは、封止部の表面に取り付けられたエレクトロクロミック(EC)素子を備えている。特許文献2のOLEDは、封止部の表面に取り付けられた遮光膜を備えている。   Patent Documents 1 and 2 describe examples of OLEDs. The OLED of Patent Document 1 includes an electrochromic (EC) element attached to the surface of the sealing portion. The OLED of Patent Document 2 includes a light shielding film attached to the surface of the sealing portion.

特許文献3には、照明器具の一例が記載されている。照明器具は、光源及びセンサを備えている。センサは、光源の照度を検出する。光源は、センサの検出結果に基づいて、動作される。特許文献3では、光源の光がセンサに入射されないように、センサが遮光壁によって囲まれている。   Patent Document 3 describes an example of a lighting fixture. The lighting fixture includes a light source and a sensor. The sensor detects the illuminance of the light source. The light source is operated based on the detection result of the sensor. In Patent Document 3, the sensor is surrounded by a light shielding wall so that light from the light source does not enter the sensor.

特許文献4には、EC素子の一例が記載されている。EC素子は、水素化によって透明状態に遷移可能であり、脱水素化によって反射状態に遷移可能になっている。   Patent Document 4 describes an example of an EC element. The EC element can transition to a transparent state by hydrogenation, and can transition to a reflection state by dehydrogenation.

特開2016−29613号公報JP 2016-29613 A 特開2003−257618号公報JP 2003-257618 A 特開2015−210934号公報JP, 2015-210934, A 特開2017−37261号公報JP 2017-37261 A

上述したように、近年、OLEDが発光装置として開発されている。一定の用途(例えば、自動車のテールランプ)においては、このような発光装置が、受光素子(例えば、フォトダイオード(PD))を有する装置(例えば、光センサ又は撮像装置)と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。   As described above, in recent years, OLEDs have been developed as light emitting devices. In certain applications (eg, automotive tail lamps), such light emitting devices may be used in conjunction with devices (eg, photosensors or imaging devices) having light receiving elements (eg, photodiodes (PD)). is there. In this case, it is necessary to suppress the erroneous detection of the light receiving element by the light emitted from the light emitting device as much as possible.

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。   An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress erroneous detection of a light receiving element due to light emitted from a light emitting device.

請求項1に記載の発明は、
第1面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に位置し、第1電極、有機層及び第2電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第1面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置である。
The invention described in claim 1
A substrate having a first surface;
A light emitting part located on the first surface side of the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first state having a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion; and a second transmittance lower than the first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion. A dimming region capable of transitioning to a second state;
A light receiving element positioned apart from the light emitting part;
With
The light control region is an optical device positioned between the light emitting unit and the light receiving element on the first surface side of the substrate.

実施形態に係る光装置を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the optical apparatus which concerns on embodiment. 図1に示した調光領域の第1状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st state of the light control area | region shown in FIG. 図1に示した調光領域の第2状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd state of the light control area | region shown in FIG. センサ装置の詳細の第1例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st example of the detail of a sensor apparatus. センサ装置の詳細の第2例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd example of the detail of a sensor apparatus. 調光領域の詳細の第1例の断面図である。It is sectional drawing of the 1st example of the detail of a light control area | region. 調光領域の詳細の第2例の断面図である。It is sectional drawing of the 2nd example of the detail of a light control area | region. 調光領域の詳細の第3例の断面図である。It is sectional drawing of the 3rd example of the detail of a light control area | region. 調光領域の詳細の第4例の断面図である。It is sectional drawing of the 4th example of the detail of a light control area | region. 図9に示した調光領域の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light control area | region shown in FIG. 図9に示した調光領域の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light control area | region shown in FIG. 実施例1に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図12のP−P断面図である。It is PP sectional drawing of FIG. 図13に示した調光領域の第1状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st state of the light control area | region shown in FIG. 図13に示した調光領域の第2状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd state of the light control area | region shown in FIG. 発光装置及び調光領域の駆動方法の第1例を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the 1st example of the drive method of a light-emitting device and a light control area | region. 発光装置及び調光領域の駆動方法の第2例を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the 2nd example of the drive method of a light-emitting device and a light control area | region. 図17に示した制御回路による調光領域の制御の詳細の一例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating an example of the detail of control of the light control area | region by the control circuit shown in FIG. 図18の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 発光装置及び調光領域の駆動方法の第3例を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the 3rd example of the drive method of a light-emitting device and a light control area | region. 図20に示した制御回路による発光装置及び調光領域の制御の詳細の第1例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart for demonstrating the 1st example of the detail of control of the light-emitting device and light control area | region by the control circuit shown in FIG. 図20に示した制御回路による発光装置及び調光領域の制御の詳細の第2例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。It is a figure which shows the timing chart for demonstrating the 2nd example of the detail of control of the light-emitting device and the light control area | region by the control circuit shown in FIG. 図22に示した輝度のタイミングチャートの詳細を説明するための図である。FIG. 23 is a diagram for explaining details of a luminance timing chart shown in FIG. 22; 実施例2に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例3に係る発光装置の断面図である。6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Example 3. FIG. 図25に示した調光領域の第1状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st state of the light control area | region shown in FIG. 図25に示した調光領域の第2状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd state of the light control area | region shown in FIG. 図25の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 図1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 図13の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of FIG. 図13の第2の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of FIG. 図13の第3の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 3rd modification of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る光装置40を説明するための図である。図2は、図1に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図3は、図1に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。   FIG. 1 is a diagram for explaining an optical device 40 according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram for explaining a first state of the light control region 30 shown in FIG. FIG. 3 is a view for explaining a second state of the light control region 30 shown in FIG.

図1を用いて、光装置40の概要を説明する。光装置40は、基板100、発光部142、調光領域30及び受光素子220を備えている。基板100は、第1面102を有している。発光部142は、基板100の第1面102側に位置しており、第1電極110、有機層120及び第2電極130を有している。調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態(例えば、図2に示す状態)と、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態(例えば、図3に示す状態)と、に遷移可能である。受光素子220は、発光部142と離間して位置している。調光領域30は、基板100の第1面102側において発光部142と受光素子220の間に位置している。   The outline of the optical device 40 will be described with reference to FIG. The optical device 40 includes a substrate 100, a light emitting unit 142, a light control region 30, and a light receiving element 220. The substrate 100 has a first surface 102. The light emitting unit 142 is located on the first surface 102 side of the substrate 100 and includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130. The light control region 30 has a first state (for example, the state shown in FIG. 2) having a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 and a peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142. On the other hand, it is possible to transition to a second state (for example, the state shown in FIG. 3) having a second transmittance lower than the first transmittance. The light receiving element 220 is positioned away from the light emitting unit 142. The light control region 30 is located between the light emitting unit 142 and the light receiving element 220 on the first surface 102 side of the substrate 100.

上述した構成によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、調光領域30は、基板100の第1面102側において発光部142と受光素子220の間に位置している。したがって、発光部142から光が発せられる場合は、調光領域30が第2状態(例えば、図3に示す状態)に遷移することで、発光部142から発せられて受光素子220に向かう光を調光領域30によって遮ることができる。したがって、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。   According to the configuration described above, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed. Specifically, in the configuration described above, the light control region 30 is located between the light emitting unit 142 and the light receiving element 220 on the first surface 102 side of the substrate 100. Accordingly, when light is emitted from the light emitting unit 142, the light emitted from the light emitting unit 142 and traveling toward the light receiving element 220 is changed by the light control region 30 transitioning to the second state (for example, the state illustrated in FIG. 3). It can be blocked by the light control area 30. Therefore, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed.

図1を用いて、光装置40の詳細を説明する。   Details of the optical device 40 will be described with reference to FIG.

光装置40は、発光装置10及びセンサ装置20を備えている。   The optical device 40 includes the light emitting device 10 and the sensor device 20.

光装置40は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置10が発光の機能を実現し、センサ装置20が光センシングの機能を実現する。   The optical device 40 can be used for an application for performing light emission and optical sensing, for example, a tail lamp with a distance measuring sensor of an automobile. In this example, the light emitting device 10 realizes a light emitting function, and the sensor device 20 realizes a light sensing function.

発光装置10は、基板100、発光部142、封止部160及び調光領域30を備えている。発光部142は、第1電極110、有機層120及び第2電極130を基板100の第1面102から順に含んでいる。   The light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 142, a sealing unit 160, and a light control region 30. The light emitting unit 142 includes the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 in order from the first surface 102 of the substrate 100.

基板100は、第1面102及び第2面104を有している。第1電極110、有機層120、第2電極130、封止部160及び調光領域30は、基板100の第1面102側に位置している。第2面104は、第1面102の反対側に位置している。   The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the sealing portion 160, and the light control region 30 are located on the first surface 102 side of the substrate 100. The second surface 104 is located on the opposite side of the first surface 102.

基板100は、透光性を有する材料からなっている。したがって、光は基板100を透過することができる。   The substrate 100 is made of a light-transmitting material. Accordingly, light can pass through the substrate 100.

基板100は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。樹脂は、例えば、PEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタレート)又はポリイミドにすることができる。基板100が樹脂からなる場合、基板100のうちの第1面102及び第2面104の少なくとも一方は、無機バリア層(例えば、SiN又はSiON)によって覆われていてもよい。有機層120を劣化させ得る物質(例えば、水蒸気)が基板100を透過することを無機バリア層によって抑えることができる。 The substrate 100 is made of, for example, glass or resin. The resin can be, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate) or polyimide. When the substrate 100 is made of resin, at least one of the first surface 102 and the second surface 104 of the substrate 100 may be covered with an inorganic barrier layer (for example, SiN x or SiON). The inorganic barrier layer can prevent a substance (for example, water vapor) that can degrade the organic layer 120 from passing through the substrate 100.

第1電極110は、透明導電材料を含んでおり、透光性を有している。透明導電材料は、例えば、金属酸化物(例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide))又はIGZO(Indium Galium Zinc Oxide)、カーボンナノチューブ、導電性高分子(例えば、PEDOT/PSS)又は透光性を有する金属薄膜(例えば、Ag)若しくは透光性を有する合金薄膜(例えば、AgMg)とすることができる。   The first electrode 110 includes a transparent conductive material and has translucency. The transparent conductive material is, for example, a metal oxide (for example, Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Tungsten Zinc Oxide (IWZO), ZnO (Zinc Oxide)), or IGZO (Indium Galium Zinc Oxide). A carbon nanotube, a conductive polymer (for example, PEDOT / PSS), a light-transmitting metal thin film (for example, Ag), or a light-transmitting alloy thin film (for example, AgMg) can be used.

有機層120は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)によって光を発する発光層(EML)を含んでおり、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、電子輸送層(ETL)及び電子注入層(EIL)を適宜含んでいてもよい。第1電極110からEMLに正孔が注入され、第2電極130からEMLに電子が注入されて、EMLにおいて正孔及び電子が再結合して光が発せられる。   The organic layer 120 includes a light emitting layer (EML) that emits light by organic electroluminescence (EL), and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an electron transport layer (ETL), and an electron injection. A layer (EIL) may be included as appropriate. Holes are injected from the first electrode 110 into the EML, electrons are injected from the second electrode 130 into the EML, and the holes and electrons recombine in the EML to emit light.

第2電極130は、遮光性導電材料を含んでおり、遮光性、特に光反射性を有している。遮光性導電材料は、例えば、金属、特に、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn及びInからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。   The second electrode 130 includes a light-shielding conductive material, and has light-shielding properties, particularly light reflectivity. The light-shielding conductive material is, for example, a metal, particularly a metal selected from the group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from this group. Can do.

図1に示す例において、発光装置10は、ボトムエミッションである。つまり、有機層120から発せられた光は、第1電極110及び基板100を透過して、基板100の第2面104から出射される。   In the example shown in FIG. 1, the light emitting device 10 is bottom emission. That is, the light emitted from the organic layer 120 passes through the first electrode 110 and the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100.

図1に示す例において、有機層120(発光部142)から発せられる光は、単色、具体的には、赤色であり、600nm以上750nm以下にピーク波長を有している。他の例において、有機層120(発光部142)から発せられる光は、赤色以外の色(例えば、緑色又は青色)であってもよい。   In the example shown in FIG. 1, the light emitted from the organic layer 120 (light emitting unit 142) is monochromatic, specifically red, and has a peak wavelength of 600 nm or more and 750 nm or less. In another example, the light emitted from the organic layer 120 (the light emitting unit 142) may be a color other than red (for example, green or blue).

封止部160は、発光部142を封止している。図1に示す例において、封止部160は、透光性を有する封止缶(例えば、ガラス缶)であり、発光部142と封止部160の間の領域は、中空となっている。封止部160は、第1面102に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して基板100の第1面102に接着させることができる。   The sealing unit 160 seals the light emitting unit 142. In the example illustrated in FIG. 1, the sealing portion 160 is a light-transmitting sealing can (for example, a glass can), and a region between the light emitting portion 142 and the sealing portion 160 is hollow. The sealing portion 160 is attached to the first surface 102, and in one example, can be adhered to the first surface 102 of the substrate 100 via an adhesive layer (not shown).

調光領域30は、特定の波長(例えば、発光部142から発せられる光のピーク波長)に対してそれぞれ異なる透過率を有する複数の状態に遷移可能な領域である。一例において、調光領域30は、エレクトロクロミック(EC)素子を有することができる。EC素子は、第1状態において、実質的に透明状態に遷移することができ、第2状態において、発色状態に遷移することができる。   The light control region 30 is a region capable of transitioning to a plurality of states each having a different transmittance with respect to a specific wavelength (for example, the peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142). In one example, the dimming region 30 can include an electrochromic (EC) element. The EC element can transition to a substantially transparent state in the first state, and can transition to a coloring state in the second state.

第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して高い吸光度を有する色に遷移することができる。一例において、発光部142から発せられる光の色が赤色である場合、調光領域30は、第2状態において、青色状態に遷移することができる。   In the second state, the light control region 30 can transition to a color having a high absorbance with respect to the peak wavelength of the light emitted from the light emitting unit 142. In one example, when the color of light emitted from the light emitting unit 142 is red, the dimming region 30 can transition to the blue state in the second state.

図1に示す例において、調光領域30は、封止部160に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して封止部160に接着させることができる。   In the example shown in FIG. 1, the light control region 30 is attached to the sealing portion 160, and in one example, can be adhered to the sealing portion 160 via an adhesive layer (not shown).

センサ装置20は、受光素子220を有している。受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えば、フォトダイオード(PD)である。図1に示す例では、基板100の第1面102に垂直な方向において、センサ装置20の少なくとも一部が基板100の第1面102から基板100の外側に向けてずれており、基板100の第1面102に沿った方向において、センサ装置20の少なくとも一部が基板100の端部から基板100の外側に向けてずれている。   The sensor device 20 includes a light receiving element 220. The light receiving element 220 is an element capable of converting light energy into electrical energy, for example, a photodiode (PD). In the example shown in FIG. 1, at least a part of the sensor device 20 is displaced from the first surface 102 of the substrate 100 toward the outside of the substrate 100 in the direction perpendicular to the first surface 102 of the substrate 100. In the direction along the first surface 102, at least a part of the sensor device 20 is shifted from the end of the substrate 100 toward the outside of the substrate 100.

図2及び図3を用いて、調光領域30の第1状態及び第2状態の詳細を説明する。   Details of the first state and the second state of the light control region 30 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

図2及び図3に示すように、調光領域30は、発光部142から光が発せられていない場合に第1状態をとり(図2)、発光部142から光が発せられている場合に第2状態をとる(図3)。   As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the dimming region 30 takes the first state when light is not emitted from the light emitting unit 142 (FIG. 2), and when light is emitted from the light emitting unit 142. The second state is taken (FIG. 3).

図2に示す例では、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域、具体的には、400nm以上800nm以下の波長帯域において、例えば50%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。   In the example shown in FIG. 2, in the first state, the dimming region 30 is, for example, 50% to 100%, preferably, for example, in the wavelength band of visible light VL, specifically, in the wavelength band of 400 nm to 800 nm. It has an average transmittance of 80% or more and 100% or less. Therefore, the visible light VL can pass through the light control region 30.

特に図2に示す例では、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)に対して第1透過率を有している。第1透過率は、例えば50%以上である。したがって、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。   In particular, in the example illustrated in FIG. 2, the light control region 30 has a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 (for example, any one of 600 nm or more and 750 nm or less). The first transmittance is, for example, 50% or more. Therefore, the light control region 30 can also transmit light having a peak at the same wavelength as the peak wavelength of the light emitted from the light emitting unit 142.

図2に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されておらず、発光部142(有機層120)からは光が発せられていない。したがって、発光部142(有機層120)から発せられる光の波長に対して調光領域30が低透過率(例えば、高吸光度又は高反射率)を有していなくても、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出のおそれがない。したがって、調光領域30は、上述したように、可視光線VLの波長帯域において高い透過率を有していてもよい。調光領域30の高い透過率によって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。   In the example illustrated in FIG. 2, no voltage is applied between the first electrode 110 and the second electrode 130, and no light is emitted from the light emitting unit 142 (organic layer 120). Therefore, even if the light control region 30 does not have low transmittance (for example, high absorbance or high reflectance) with respect to the wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 (organic layer 120), the light emitting unit 142 (light emission). There is no risk of erroneous detection of the light receiving element 220 by light emitted from the apparatus 10). Therefore, as described above, the light control region 30 may have a high transmittance in the wavelength band of the visible light VL. Due to the high transmittance of the light control region 30, it is possible to suppress the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30.

図3に示す例では、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して第2透過率を有している。第2透過率は、第1透過率より低く、例えば0%以上70%以下、好ましくは例えば0%以上30%以下である。したがって、調光領域30は、光L1を透過させない。   In the example shown in FIG. 3, in the second state, the light control region 30 has the second transmittance with respect to the peak wavelength of the light L <b> 1 emitted from the light emitting unit 142. The second transmittance is lower than the first transmittance, for example, 0% or more and 70% or less, preferably 0% or more and 30% or less. Therefore, the light control region 30 does not transmit the light L1.

図3に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されており、発光部142(有機層120)から光L1が発せられている。光L1がフレネル反射によって基板100の第2面104によってセンサ装置20(受光素子220)に向けて反射されても、光L1を調光領域30によってセンサ装置20(受光素子220)から遮ることができる。したがって、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。   In the example illustrated in FIG. 3, a voltage is applied between the first electrode 110 and the second electrode 130, and light L <b> 1 is emitted from the light emitting unit 142 (organic layer 120). Even if the light L1 is reflected toward the sensor device 20 (light receiving element 220) by the second surface 104 of the substrate 100 due to Fresnel reflection, the light L1 may be blocked from the sensor device 20 (light receiving element 220) by the light control region 30. it can. Therefore, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed.

図3に示す例では、第2状態において、調光領域30は、400nm以上800nm以下の波長帯域(すなわち、可視光線の波長帯域)のうち光L1のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)を除く100nmの波長帯域(例えば、400nm以上500nm以下の波長帯域)において、例えば50%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域30は、光L1の波長帯域の光を選択的に反射することができる。言い換えると、調光領域30は、可視光線の波長帯域のうちの光L1以外の波長帯域の光をよく透過させることができる。したがって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。   In the example shown in FIG. 3, in the second state, the dimming region 30 has any peak wavelength of the light L1 (for example, 600 nm or more and 750 nm or less) in the wavelength band of 400 nm or more and 800 nm or less (that is, the visible light wavelength band). In the wavelength band of 100 nm excluding ()) (for example, the wavelength band of 400 nm or more and 500 nm or less), it may have an average transmittance of, for example, 50% or more and 100% or less, and preferably 80% or more and 100% or less. In this case, the light control region 30 can selectively reflect light in the wavelength band of the light L1. In other words, the light control region 30 can well transmit light in a wavelength band other than the light L1 in the visible light wavelength band. Therefore, the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30 can be suppressed.

図4は、センサ装置20の詳細の第1例を説明するための図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining a first example of details of the sensor device 20.

センサ装置20は、発光素子210及び受光素子220を含んでいる。一例において、センサ装置20は、測距センサ、特にLiDAR(Light Detection And Ranging)にすることができる。この例において、発光素子210は、センサ装置20の外部に向けて光を発し、受光素子220は、発光素子210から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子210は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード(LD)にすることができ、受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード(PD)にすることができる。センサ装置20は、光が発光素子210から発せられてから受光素子220によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置20から対象物までの距離を検出することができる。   The sensor device 20 includes a light emitting element 210 and a light receiving element 220. In one example, the sensor device 20 can be a ranging sensor, in particular a LiDAR (Light Detection And Ranging). In this example, the light emitting element 210 emits light toward the outside of the sensor device 20, and the light receiving element 220 receives light emitted from the light emitting element 210 and reflected by the object. In one example, the light emitting element 210 can be an element that can convert electrical energy into light energy, such as a laser diode (LD), and the light receiving element 220 can be an element that can convert light energy into electrical energy, such as It can be a photodiode (PD). The sensor device 20 can detect the distance from the sensor device 20 to the object based on the time from when the light is emitted from the light emitting element 210 to when it is received by the light receiving element 220.

センサ装置20の受光素子220は、センサ装置20の外部からの光を検出する。したがって、受光素子220の誤検出を防ぐため、発光装置10から発せられた光が受光素子220に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図1から図3を用いて説明した例によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を調光領域30によって抑えることができる。   The light receiving element 220 of the sensor device 20 detects light from the outside of the sensor device 20. Therefore, in order to prevent erroneous detection of the light receiving element 220, it is desirable to suppress the light emitted from the light emitting device 10 from entering the light receiving element 220 as much as possible. As described above, according to the example described with reference to FIGS. 1 to 3, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed by the dimming region 30.

図5は、センサ装置20の詳細の第2例を説明するための図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining a second example of the details of the sensor device 20.

センサ装置20は、複数の受光素子220を含んでいる。一例において、センサ装置20は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子220は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ又はCMOS(Complementary Metal−Oxide−Semiconductor)イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子220は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード(PD)にすることができる。センサ装置20は、複数の受光素子220によって、センサ装置20の外部の対象物の像を検出することができる。   The sensor device 20 includes a plurality of light receiving elements 220. In one example, the sensor device 20 can be an imaging sensor. In this example, the plurality of light receiving elements 220 can be elements capable of converting an image into an electric signal, for example, a charge coupled device (CCD) image sensor or a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor. In one example, each light receiving element 220 can be an element capable of converting light energy into electrical energy, such as a photodiode (PD). The sensor device 20 can detect an image of an object outside the sensor device 20 by the plurality of light receiving elements 220.

センサ装置20の受光素子220は、センサ装置20の外部からの光を検出する。したがって、受光素子220の誤検出を防ぐため、発光装置10から発せられて受光素子220に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図1から図3を用いて説明したによれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を調光領域30によって抑えることができる。   The light receiving element 220 of the sensor device 20 detects light from the outside of the sensor device 20. Therefore, in order to prevent erroneous detection of the light receiving element 220, it is desirable to suppress the amount of light emitted from the light emitting device 10 and incident on the light receiving element 220 as much as possible. As described above, according to the description with reference to FIGS. 1 to 3, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed by the dimming region 30.

図6は、調光領域30の詳細の第1例の断面図である。図6に示す例において、調光領域30は、EC素子を有している。   FIG. 6 is a cross-sectional view of a first example of details of the light control region 30. In the example shown in FIG. 6, the light control region 30 has an EC element.

調光領域30は、基板312、電極322、電解質330、電極324及び基板314を順に含んでいる。   The light control region 30 includes a substrate 312, an electrode 322, an electrolyte 330, an electrode 324, and a substrate 314 in this order.

基板312及び基板314は、透光性を有している。   The substrate 312 and the substrate 314 have a light-transmitting property.

電極322及び電極324は、透光性を有している。電極322及び電極324は、例えば、金属酸化物、具体的には、例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、フッ素をドープした酸化スズ(FTO)、アンチモンをドープした酸化スズ(ATO)、アルミニウムをドープした酸化スズ(AZO)、酸化亜鉛又は酸化チタンからなっている。電極322及び電極324は、様々な方法、例えば、スパッタ、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、キャスティング又はインクジェットによって形成させることができる。   The electrode 322 and the electrode 324 have a light-transmitting property. The electrodes 322 and 324 are, for example, metal oxides, specifically, for example, indium tin oxide (ITO), tin oxide doped with fluorine (FTO), tin oxide doped with antimony (ATO), and aluminum. Made of oxidized tin oxide (AZO), zinc oxide or titanium oxide. The electrode 322 and the electrode 324 can be formed by various methods, for example, sputtering, spin coating, spray coating, dip coating, casting, or inkjet.

一例において、電解質330は、液体状である。この例においては、電解質330は、溶媒及び溶媒に溶かされたイオン化したEC材料を含んでいる。この例においては、電極322と電極324の間に一方向に電圧を印加することで、エレクトロクロミック(EC)材料が電極322及び電極324の一方に析出して調光領域30が発色状態に遷移し、電極322と電極324の間に逆方向に電圧を印加することで、析出したEC材料が電解質330の溶媒に溶解して調光領域30が実質的に透明状態に遷移する。   In one example, the electrolyte 330 is liquid. In this example, electrolyte 330 includes a solvent and an ionized EC material dissolved in the solvent. In this example, by applying a voltage in one direction between the electrode 322 and the electrode 324, the electrochromic (EC) material is deposited on one of the electrode 322 and the electrode 324, and the dimming region 30 transitions to a colored state. Then, by applying a voltage in the opposite direction between the electrode 322 and the electrode 324, the deposited EC material is dissolved in the solvent of the electrolyte 330, and the dimming region 30 transitions to a substantially transparent state.

図7は、調光領域30の詳細の第2例の断面図である。図7に示す例は、以下の点を除いて、図6に示した例と同様である。   FIG. 7 is a cross-sectional view of a second example of details of the light control region 30. The example shown in FIG. 7 is the same as the example shown in FIG. 6 except for the following points.

調光領域30は、基板312、電極322、エレクトロクロミック(EC)層332、電解質330、電極324及び基板314を順に含んでいる。   The light control region 30 includes a substrate 312, an electrode 322, an electrochromic (EC) layer 332, an electrolyte 330, an electrode 324, and a substrate 314 in this order.

EC層332は、EC材料からなっている。EC材料は、例えば、金属酸化物、金属錯体化合物、低分子の有機化合物又は導電性高分子である。金属酸化物は、例えば、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウム又は酸化チタンである。金属錯体化合物は、例えば、プルシアンブルーである。低分子の有機化合物は、例えば、ビオロゲン、希土類フタロシアニン又はスチリルである。導電性高分子は、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン若しくはポリアニリン又はそれらの誘導体である。   The EC layer 332 is made of an EC material. The EC material is, for example, a metal oxide, a metal complex compound, a low molecular organic compound, or a conductive polymer. The metal oxide is, for example, tungsten oxide, molybdenum oxide, iridium oxide, or titanium oxide. The metal complex compound is, for example, Prussian blue. The low molecular organic compound is, for example, viologen, rare earth phthalocyanine, or styryl. The conductive polymer is, for example, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, or a derivative thereof.

電解質330は、固体状、液体状及びゲル状のいずれであってもよい。   The electrolyte 330 may be solid, liquid, or gel.

電解質330が液体状であるとき、電解質330は、水系電解液、有機電解液及びイオン液体電解液のいずれであってもよい。水系電解液は、支持電解質を含んでいてもよい。支持電解質は、アルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、4級アンモニウム塩又は酸類若しくはアルカリ類の支持塩である。より詳細には、支持電解質は、例えば、LiClO、LiBF、LiAsF、LiPF、LiCFSO、LiCFCOO、KCl、NaClO、NaCl、NaBF、NaSCN、KBF、NaSCN、KBF、Mg(ClO又はMg(BFである。有機電解液は、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γ―ブチロラクン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、1、2−ジメトキシエタン、1、2−エトキシメトキシエタン若しくはポリエチレングリコール、アルコール類又はそれらの混合溶媒である。高粘稠性を得るため、有機電解液にポリマーを添加してもよい。ポリマーは、例えば、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアミド、ポリアクリルアミド、ポリエステル又はナフィオン(登録商標)である。他の例において、有機電解液をゲル状にするため、有機電解液にゲル化剤を添加してもよい。 When the electrolyte 330 is in a liquid state, the electrolyte 330 may be any of an aqueous electrolyte solution, an organic electrolyte solution, and an ionic liquid electrolyte solution. The aqueous electrolyte solution may contain a supporting electrolyte. The supporting electrolyte is an inorganic ion salt such as an alkali metal salt or an alkaline earth metal salt, a quaternary ammonium salt, or a supporting salt of acids or alkalis. More specifically, the supporting electrolyte may be, for example, LiClO 4 , LiBF 4 , LiAsF 6 , LiPF 6 , LiCF 3 SO 3 , LiCF 3 COO, KCl, NaClO 3 , NaCl, NaBF 4 , NaSCN, KBF 4 , NaSCN, KBF 4 , Mg (ClO 4 ) 2 or Mg (BF 4 ) 2 . The organic electrolyte is, for example, propylene carbonate, acetonitrile, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, sulfolane, dioxolane, tetrahydrofuran, 2-methyltetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-ethoxymethoxyethane, or polyethylene glycol. , Alcohols or mixed solvents thereof. In order to obtain high viscosity, a polymer may be added to the organic electrolyte. The polymer is, for example, polyacrylonitrile, carboxymethylcellulose, polyvinyl chloride, polyethylene oxide, polypropylene oxide, polyurethane, polyacrylate, polymethacrylate, polyamide, polyacrylamide, polyester, or Nafion (registered trademark). In another example, a gelling agent may be added to the organic electrolyte in order to make the organic electrolyte into a gel.

電解質330が固体状であるとき、電解質330は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。   When the electrolyte 330 is solid, the electrolyte 330 can be made of, for example, tantalum oxide.

図8は、調光領域30の詳細の第3例の断面図である。図8に示す例は、以下の点を除いて、図7に示した例と同様である。   FIG. 8 is a sectional view of a third example of details of the light control region 30. The example shown in FIG. 8 is the same as the example shown in FIG. 7 except for the following points.

調光領域30は、基板312、電極322、EC層332、電解質330、EC層334、電極324及び基板314を順に含んでいる。   The light control region 30 includes a substrate 312, an electrode 322, an EC layer 332, an electrolyte 330, an EC layer 334, an electrode 324, and a substrate 314 in this order.

一例において、EC層332及びEC層334の一方は、酸化によって発色可能な材料からなるようにし、EC層332及びEC層334のもう一方は、還元によってEC層332及びEC層334の一方と実質的に同一の色に発色可能な材料からなるようにしてもよい。電極322と電極324の間の電圧によって、EC層332及びEC層334の双方において酸化還元反応が生じ、EC層332及びEC層334の双方が実質的に同じ色に発色される。したがって、調光領域30の発色効率を高くすることができる。   In one example, one of the EC layer 332 and the EC layer 334 is made of a material that can develop color by oxidation, and the other of the EC layer 332 and the EC layer 334 is substantially reduced with one of the EC layer 332 and the EC layer 334 by reduction. In other words, it may be made of a material capable of developing the same color. The voltage between the electrode 322 and the electrode 324 causes an oxidation-reduction reaction in both the EC layer 332 and the EC layer 334, and both the EC layer 332 and the EC layer 334 are colored in substantially the same color. Therefore, the coloring efficiency of the light control region 30 can be increased.

詳細な一例において、EC層332及びEC層334の一方は、プルシアンブルーからなるようにし、EC層332及びEC層334のもう一方は、酸化タングステン又はビオロゲンからなるようにしてもよい。プルシアンブルーは、酸化によって透明から青色に発色可能であり、酸化タングステン及びビオロゲンは、還元によって透明から青色に発色可能である。この例においては、調光領域30を透明から青色に高い効率で発色させることができる。   In a detailed example, one of the EC layer 332 and the EC layer 334 may be made of Prussian blue, and the other of the EC layer 332 and the EC layer 334 may be made of tungsten oxide or viologen. Prussian blue can be colored from transparent to blue by oxidation, and tungsten oxide and viologen can be colored from transparent to blue by reduction. In this example, the light control region 30 can be colored from transparent to blue with high efficiency.

図9は、調光領域30の詳細の第4例の断面図である。図9の上段は、調光領域30の平面図であり、図9の下段は、図9の上段のA−A断面図である。図9に示す例は、以下の点を除いて、図7に示した例と同様である。   FIG. 9 is a sectional view of a fourth example of details of the light control region 30. The upper part of FIG. 9 is a plan view of the light control region 30, and the lower part of FIG. 9 is an AA cross-sectional view of the upper part of FIG. 9. The example shown in FIG. 9 is the same as the example shown in FIG. 7 except for the following points.

調光領域30は、シール材340を有している。シール材340は、例えば、ゴムシートである。シール材340は、EC層332及び電解質330を囲んでいる。電解質330は、液体状又はゲル状にすることができる。電解質330が液体状又はゲル状であっても、電解質330の外側への漏れをシール材340によって抑えることができる。   The light control region 30 has a sealing material 340. The sealing material 340 is, for example, a rubber sheet. The sealing material 340 surrounds the EC layer 332 and the electrolyte 330. The electrolyte 330 can be liquid or gel. Even if the electrolyte 330 is liquid or gel, leakage to the outside of the electrolyte 330 can be suppressed by the sealing material 340.

図10及び図11は、図9に示した調光領域30の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、調光領域30は、以下のようにして製造される。   10 and 11 are views for explaining an example of a manufacturing method of the light control region 30 shown in FIG. In this example, the light control region 30 is manufactured as follows.

図10に示すように、基板312上の電極322上にマスクMKを配置して、電極322上にEC層332をマスクMKによって選択的に堆積する。図10に示す例において、EC層332は、酸化タングステンからなり、スパッタによって堆積される。次いで、マスクMKを除去する。   As shown in FIG. 10, a mask MK is disposed on the electrode 322 on the substrate 312, and an EC layer 332 is selectively deposited on the electrode 322 by the mask MK. In the example shown in FIG. 10, the EC layer 332 is made of tungsten oxide and is deposited by sputtering. Next, the mask MK is removed.

次いで、図11に示すように、基板312上の電極322上にシール材340を設けて、シール材340がEC層332を囲むようにする。次いで、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を設ける。電解質330が液体状又はゲル状であるとき、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を流し込むことで、シール材340によって囲まれた領域内に電解質330を設けることができる。   Next, as shown in FIG. 11, a sealing material 340 is provided on the electrode 322 on the substrate 312 so that the sealing material 340 surrounds the EC layer 332. Next, an electrolyte 330 is provided in a region surrounded by the sealing material 340. When the electrolyte 330 is liquid or gel, the electrolyte 330 can be provided in the region surrounded by the sealing material 340 by pouring the electrolyte 330 into the region surrounded by the sealing material 340.

次いで、基板314及び電極324を含む積層体(図9)を、電極324が電解質330、EC層332及びEC層334を介して電極322と対向するように、電解質330上に貼り付ける。   Next, a stacked body including the substrate 314 and the electrode 324 (FIG. 9) is attached onto the electrolyte 330 so that the electrode 324 faces the electrode 322 with the electrolyte 330, the EC layer 332, and the EC layer 334 interposed therebetween.

このようにして、図9に示した調光領域30が製造される。   In this way, the light control region 30 shown in FIG. 9 is manufactured.

以上、本実施形態によれば、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。   As described above, according to this embodiment, erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10) can be suppressed.

(実施例1)
図12は、実施例1に係る発光装置10の平面図である。図13は、図12のP−P断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様である。
Example 1
FIG. 12 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. 13 is a cross-sectional view taken along the line PP in FIG. The light emitting device 10 according to this example is the same as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points.

発光装置10は、発光領域140を備えている。発光領域140は、複数の発光部142及び複数の透光部144を有している。図12に示すように、複数の発光部142は、基板100の第1面102(図13)に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している。各発光部142は、第1電極110、有機層120及び第2電極130を有している。第1電極110は透光性を有しており、第2電極130は光反射性を有している。複数の透光部144のそれぞれは、遮光部材(例えば、第2電極130)と重なっておらず、隣り合う発光部142の間に位置している。このようにして、複数の発光部142及び複数の透光部144は、交互に並んでいる。   The light emitting device 10 includes a light emitting region 140. The light emitting region 140 includes a plurality of light emitting portions 142 and a plurality of light transmitting portions 144. As shown in FIG. 12, the plurality of light emitting portions 142 extend in the same direction as viewed from the direction perpendicular to the first surface 102 (FIG. 13) of the substrate 100. Each light emitting unit 142 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. The first electrode 110 has translucency, and the second electrode 130 has light reflectivity. Each of the plurality of light transmitting portions 144 does not overlap with the light shielding member (for example, the second electrode 130) and is positioned between the adjacent light emitting portions 142. In this way, the plurality of light emitting units 142 and the plurality of light transmitting units 144 are alternately arranged.

発光装置10は、調光領域30を備えている。図12に示すように、調光領域30は、基板100の第1面102(図13)に垂直な方向から見て、発光領域140(複数の発光部142)と重なっている。図12に示す例では、発光領域140の全体が調光領域30の内側に位置している。したがって、発光領域140から漏れ得る光を調光領域30によってよく遮ることができる。   The light emitting device 10 includes a light control region 30. As shown in FIG. 12, the light control region 30 overlaps the light emitting region 140 (the plurality of light emitting units 142) when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102 (FIG. 13) of the substrate 100. In the example shown in FIG. 12, the entire light emitting region 140 is located inside the light control region 30. Therefore, the light that can leak from the light emitting region 140 can be well blocked by the light control region 30.

封止部160は、外面162及び内面164を有している。外面162は、頂面162a及び外側面162bを含んでいる。内面164は、裏面164a及び内側面164bを含んでいる。裏面164aは、頂面162aの反対側にある。内側面164bは、外側面162bの反対側にある。   The sealing part 160 has an outer surface 162 and an inner surface 164. The outer surface 162 includes a top surface 162a and an outer surface 162b. The inner surface 164 includes a back surface 164a and an inner surface 164b. The back surface 164a is on the opposite side of the top surface 162a. The inner surface 164b is on the opposite side of the outer surface 162b.

図12に示す例では、調光領域30は、封止部160の外面162、より具体的には、封止部160の頂面162aに取り付けられている。一例において、調光領域30は、接着層(不図示)を介して封止部160に接着させることができる。   In the example shown in FIG. 12, the light control region 30 is attached to the outer surface 162 of the sealing portion 160, more specifically, the top surface 162 a of the sealing portion 160. In one example, the light control region 30 can be adhered to the sealing portion 160 via an adhesive layer (not shown).

図14は、図13に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図15は、図13に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。   FIG. 14 is a diagram for explaining a first state of the light control region 30 shown in FIG. FIG. 15 is a diagram for explaining a second state of the light control region 30 illustrated in FIG. 13.

図14に示す例では、図2に示した例と同様にして、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域において、高い平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。特に、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して高い透過率(第1透過率)を有している。   In the example shown in FIG. 14, similarly to the example shown in FIG. 2, in the first state, the dimming region 30 has a high average transmittance in the wavelength band of the visible light VL. Therefore, the visible light VL can pass through the light control region 30. In particular, the light control region 30 has a high transmittance (first transmittance) with respect to the peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142.

図14に示すように、可視光線VLは、透光部144を透過することができる。さらに、上述したように、可視光線VLは、調光領域30も透過することができる。したがって、発光装置10は、調光領域30の第1状態において、高い透光性を有することができる。   As shown in FIG. 14, the visible light VL can pass through the light transmitting portion 144. Further, as described above, the visible light VL can also pass through the light control region 30. Therefore, the light emitting device 10 can have high translucency in the first state of the light control region 30.

図15に示す例では、図3に示した例と同様にして、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して低い透過率(第2透過率)を有している。したがって、光L1がフレネル反射によって基板100の第2面104によって第2面104の反対側に向けて反射されても、光L1を調光領域30によって遮ることができる。   In the example shown in FIG. 15, similarly to the example shown in FIG. 3, in the second state, the dimming region 30 has a low transmittance (second transmission) with respect to the peak wavelength of the light L <b> 1 emitted from the light emitting unit 142. Rate). Therefore, even if the light L1 is reflected by the second surface 104 of the substrate 100 toward the opposite side of the second surface 104 due to Fresnel reflection, the light L1 can be blocked by the dimming region 30.

図15に示す例では、図3に示した例と同様にして、第2状態において、調光領域30は、可視光線の波長帯域のうちの光L1のピーク波長を除く一部分の波長帯域において、高い平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。   In the example shown in FIG. 15, similarly to the example shown in FIG. 3, in the second state, the dimming region 30 is in a partial wavelength band excluding the peak wavelength of the light L <b> 1 in the visible light wavelength band. It may have a high average transmittance. In this case, the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30 can be suppressed.

図16は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第1例を説明するための回路図である。   FIG. 16 is a circuit diagram for explaining a first example of a driving method of the light emitting device 10 and the dimming region 30.

光装置40は、駆動回路400を備えている。駆動回路400は、第1駆動部410及び第2駆動部420を有している。第1駆動部410及び第2駆動部420は、互いに独立して、発光装置10及び調光領域30をそれぞれ駆動している。   The optical device 40 includes a drive circuit 400. The drive circuit 400 includes a first drive unit 410 and a second drive unit 420. The first driving unit 410 and the second driving unit 420 drive the light emitting device 10 and the light control region 30 independently of each other.

図17は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第2例を説明するための回路図である。図17に示す例は、以下の点を除いて、図16に示した例と同様である。   FIG. 17 is a circuit diagram for explaining a second example of the driving method of the light emitting device 10 and the light control region 30. The example shown in FIG. 17 is the same as the example shown in FIG. 16 except for the following points.

光装置40は、制御回路430及び光センサ440を備えている。光センサ440は、調光領域30の周囲の明るさを検出する。光センサ440は、図1に示したセンサ装置20であってもよい。制御回路430は、光センサ440のセンシング結果(つまり、調光領域30の周囲の明るさ)に基づいて、第2駆動部420を制御して、第2状態における、可視光線の波長帯域に対しての、調光領域30の平均透過率を制御している(以下、平均透過率T2,VLと称する。)。 The optical device 40 includes a control circuit 430 and an optical sensor 440. The optical sensor 440 detects the brightness around the dimming area 30. The optical sensor 440 may be the sensor device 20 shown in FIG. The control circuit 430 controls the second driving unit 420 based on the sensing result of the optical sensor 440 (that is, the brightness around the dimming region 30), and the visible light wavelength band in the second state is controlled. The average transmittance of the light control region 30 is controlled (hereinafter referred to as average transmittance T2 , VL ).

一例において、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが第1の明るさであるときは、平均透過率T2,VLが第1透過率となるように調光領域30を制御し、調光領域30の周囲の明るさが第1の明るさより明るい第2の明るさであるときは、平均透過率T2,VLが第1透過率より高い第2透過率となるように調光領域30を制御する。調光領域30の周囲が暗い場合(第1の明るさ)は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光が目立つ。したがって、平均透過率T2,VLは、ある程度低い必要がある(第1透過率)。これに対して、調光領域30の周囲が明るい場合(第2の明るさ)は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光はあまり目立たない。したがって、平均透過率T2,VLは、ある程度高くてもよい(第2透過率)。このようにして、調光領域30の周囲が暗い場合は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を調光領域30によって抑えることができ、調光領域30の周囲が明るい場合は、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる In one example, when the brightness around the dimming area 30 is the first brightness, the control circuit 430 controls the dimming area 30 so that the average transmittance T 2, VL becomes the first transmittance. When the brightness around the light control region 30 is the second brightness higher than the first brightness, the average transmittance T 2, VL is set to the second transmittance higher than the first transmittance. The dimming area 30 is controlled. When the periphery of the light control region 30 is dark (first brightness), the light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 is conspicuous. Therefore, the average transmittance T 2, VL needs to be low to some extent (first transmittance). On the other hand, when the periphery of the light control region 30 is bright (second brightness), the light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 is not so conspicuous. Therefore, the average transmittance T2 , VL may be high to some extent (second transmittance). In this way, when the periphery of the light control region 30 is dark, the amount of light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed by the light control region 30, and the light control region When the periphery of 30 is bright, the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30 can be suppressed.

図18は、図17に示した制御回路430による調光領域30の制御の詳細の一例を説明するためのグラフである。図18に示すグラフにおいて、横軸は、調光領域30の周囲の明るさを示し、縦軸は、平均透過率T2,VLを示している。 FIG. 18 is a graph for explaining an example of details of control of the light control region 30 by the control circuit 430 shown in FIG. In the graph shown in FIG. 18, the horizontal axis represents the brightness around the light control region 30, and the vertical axis represents the average transmittance T2 , VL .

図18に示す例において、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが線型に増加するように調光領域30を制御している。したがって、調光領域30の周囲が暗い場合は、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を調光領域30によって抑えることができ、調光領域30の周囲が明るい場合は、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。 In the example illustrated in FIG. 18, the control circuit 430 controls the dimming region 30 so that the average transmittances T 2 and VL increase linearly as the brightness around the dimming region 30 increases. Therefore, when the periphery of the light control region 30 is dark, the amount of light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed by the light control region 30. Is bright, the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30 can be suppressed.

図19は、図18の変形例を示す図である。   FIG. 19 is a diagram showing a modification of FIG.

図19の上段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、階段状に増加するように調光領域30を制御してもよい。 As shown in the upper graph of FIG. 19, the control circuit 430 increases the average transmittances T 2 and VL in a non-linear manner, that is, in a staircase pattern as the brightness around the dimming region 30 increases. The dimming area 30 may be controlled.

図19の中段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、下に凸な曲線状に増加するように調光領域30を制御してもよい。 As shown in the middle graph of FIG. 19, the control circuit 430 shows that the average transmittance T 2, VL becomes non-linear, that is, has a downward convex curve, as the brightness around the light control region 30 becomes brighter. You may control the light control area | region 30 so that it may increase.

図19の下段のグラフに示すように、制御回路430は、調光領域30の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率T2,VLが、非線型に、すなわち、上に凸な曲線状に増加するように調光領域30を制御してもよい。 As shown in the lower graph of FIG. 19, the control circuit 430 has an average transmittance T 2, VL that is non-linear, that is, in a curved shape that is convex upward, as the brightness around the dimming region 30 increases. You may control the light control area | region 30 so that it may increase.

図20は、発光装置10及び調光領域30の駆動方法の第3例を説明するための回路図である。図20に示す例は、以下の点を除いて、図16に示した例と同様である。   FIG. 20 is a circuit diagram for explaining a third example of the driving method of the light emitting device 10 and the light control region 30. The example shown in FIG. 20 is the same as the example shown in FIG. 16 except for the following points.

制御回路430は、第1駆動部410及び第2駆動部420の双方、つまり、発光装置10及び調光領域30の双方を制御している。制御回路430は、発光装置10の輝度(以下、輝度Lと称する。)を第1輝度(発光装置10がオフ状態)及び第2輝度(発光装置10が完全にオン状態)の間に制御する(第2輝度は、第1輝度より高い。)。制御回路430は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対しての調光領域30の透過率(以下、透過率Tと称する。)を第1透過率及び第2透過率の間に制御する(第2透過率は、第1透過率より低い。)。制御回路430は、透過率Tに応じて、輝度Lを制御することができる。 The control circuit 430 controls both the first drive unit 410 and the second drive unit 420, that is, both the light emitting device 10 and the dimming region 30. The control circuit 430 controls the luminance of the light emitting device 10 (hereinafter referred to as luminance L) between the first luminance (the light emitting device 10 is in an off state) and the second luminance (the light emitting device 10 is in a fully on state). (The second luminance is higher than the first luminance). Control circuit 430, the transmittance of the light control area 30 with respect to the peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 (hereinafter, referred to as the transmittance T P.) Between the first transmission and the second transmission Control (the second transmittance is lower than the first transmittance). Control circuit 430, in accordance with the transmittance T P, it is possible to control the luminance L.

図21は、図20に示した制御回路430による発光装置10及び調光領域30の制御の詳細の第1例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。   FIG. 21 is a diagram illustrating a timing chart for explaining a first example of details of control of the light emitting device 10 and the light control region 30 by the control circuit 430 illustrated in FIG. 20.

図21に示すタイミングチャートでは、輝度Lが第1輝度から第2輝度に変化し、かつ透過率Tが第1透過率から第2透過率に変化している。調光領域30の応答速度は、発光装置10の応答速度よりも遅い。したがって、図21に示すように、透過率Tが第1透過率から第2透過率に変化するのに要する時間は、輝度Lが第1輝度から第2輝度に変化するのに要する時間よりも長い。したがって、透過率Tが十分に低くないタイミング(例えば、透過率Tが第1輝度であるタイミング)で輝度Lが第2輝度に達すると、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光が目立つことになる。 In the timing chart shown in FIG. 21, the luminance L is changed from the first brightness to the second brightness, and the transmittance T P is changed from the first transmittance to the second transmittance. The response speed of the light control region 30 is slower than the response speed of the light emitting device 10. Accordingly, as shown in FIG. 21, the transmittance T P is the time required to change the second transmittance of the first transmission, than the time which the luminance L takes to change from a first luminance to a second luminance Also long. Therefore, the timing transmittance T P is not sufficiently low (e.g., the transmittance T P is a first luminance timing) when the luminance L reaches the second luminance, and emitted from the light emitting unit 142 the first substrate 100 Light leaking to the surface 102 side will be noticeable.

図21に示す例では、制御回路430は、透過率Tが第1透過率より低くなったタイミングで輝度Lが第2輝度に達するように、発光装置10及び調光領域30を制御している。したがって、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を抑えることができる。輝度Lが第2輝度に達するタイミングにおける透過率Tは、低いことが好ましく、例えば第1透過率の50%以下、好ましくは例えば第1透過率の10%以下である。 In the example shown in FIG. 21, the control circuit 430, so that the luminance L reaches the second luminance at the timing of the transmittance T P is lower than the first transmittance, and controls the light emitting device 10 and light control area 30 Yes. Therefore, the amount of light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed. Luminance L is the transmittance T P at the time when reaching the second luminance, low it is preferable, for example, 50% of the first transmittance, preferably less than or equal to for example 10% of the first transmittance.

図22は、図20に示した制御回路430による発光装置10及び調光領域30の制御の詳細の第2例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。図22に示すタイミングチャートは、以下の点を除いて、図21に示したタイミングチャートと同様である。   FIG. 22 is a diagram illustrating a timing chart for explaining a second example of details of control of the light emitting device 10 and the light control region 30 by the control circuit 430 illustrated in FIG. 20. The timing chart shown in FIG. 22 is the same as the timing chart shown in FIG. 21 except for the following points.

図22に示す例では、制御回路430は、透過率Tが第1透過率から変化し始めたタイミングと実質的に同じタイミングで輝度Lが第1輝度から変化し始めるようにし、かつ、透過率Tが第1透過率より低くなったタイミングで輝度Lが第2輝度に達するように、発光装置10及び調光領域30を制御している。この例において、制御回路430は、輝度Lを、発光装置10の通常の動作時間よりも長い時間をかけて、第1輝度から第2輝度へ増加させている。したがって、発光部142から発せられて基板100の第1面102側へ漏れる光の量を抑えることができる。 In the example shown in FIG. 22, the control circuit 430, the transmittance T P is as luminance L starts to change from a first luminance at the timing substantially the same timing began to change from a first transmission, and transmission as luminance L reaches the second luminance at the timing rate T P is lower than the first transmittance, and controls the light emitting device 10 and light control area 30. In this example, the control circuit 430 increases the luminance L from the first luminance to the second luminance over a longer time than the normal operation time of the light emitting device 10. Therefore, the amount of light emitted from the light emitting unit 142 and leaking to the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed.

図23は、図22に示した輝度Lのタイミングチャートの詳細を説明するための図である。   FIG. 23 is a diagram for explaining the details of the luminance L timing chart shown in FIG.

図23の上段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、線型に増加させている。   In the upper timing chart of FIG. 23, the control circuit 430 linearly increases the luminance L from the first luminance to the second luminance.

図23の中段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、非線型に、具体的には、階段状に増加させている。   In the middle timing chart of FIG. 23, the control circuit 430 increases the luminance L from the first luminance to the second luminance, non-linearly, specifically, stepwise.

図23の下段のタイミングチャートでは、制御回路430は、輝度Lを、第1輝度から第2輝度に、非線型に、具体的には、下に凸な曲線状に増加させている。   In the lower timing chart of FIG. 23, the control circuit 430 increases the luminance L from the first luminance to the second luminance in a non-linear manner, specifically, in a downward convex curve.

(実施例2)
図24は、実施例2に係る発光装置10の断面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例1に係る発光装置10と同様である。
(Example 2)
FIG. 24 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 according to the second embodiment. The light emitting device 10 according to the present embodiment is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.

調光領域30は、基板312、電極322、電解質330、EC層334、電極324及び基板314を封止部160の頂面162aから順に含んでいる。   The light control region 30 includes a substrate 312, an electrode 322, an electrolyte 330, an EC layer 334, an electrode 324, and a substrate 314 in this order from the top surface 162 a of the sealing portion 160.

調光領域30は、導電部352(第1導電部)及び導電部354(第2導電部)をさらに有している。導電部352は、基板312及び電極322の間にあって電極322(第1電極)に覆われている。導電部354は、基板314及び電極324の間にあって電極324(第2電極)に覆われている。導電部352及び導電部354は、電極322及び電極324にそれぞれ接続している。導電部352及び導電部354は、電極322及び電極324よりもそれぞれ高い導電率を有しており、電極322の補助電極及び電極324の補助電極としてそれぞれ機能している。調光領域30は、導電部352及び導電部354によって、高い発色効率を得ることができる。   The light control region 30 further includes a conductive portion 352 (first conductive portion) and a conductive portion 354 (second conductive portion). The conductive portion 352 is between the substrate 312 and the electrode 322 and is covered with the electrode 322 (first electrode). The conductive portion 354 is between the substrate 314 and the electrode 324 and is covered with the electrode 324 (second electrode). The conductive portion 352 and the conductive portion 354 are connected to the electrode 322 and the electrode 324, respectively. The conductive portion 352 and the conductive portion 354 have higher conductivity than the electrode 322 and the electrode 324, respectively, and function as an auxiliary electrode of the electrode 322 and an auxiliary electrode of the electrode 324, respectively. The light control region 30 can obtain high color development efficiency by the conductive portion 352 and the conductive portion 354.

導電部352及び導電部354は、金属、より具体的には、例えば、Cr(クロム)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、Ag(銀)、Au(金)、Mo(モリブデン)、W(タングステン)若しくはNi(ニッケル)又はこれらの合金からなっている。これらの中でも、高い導電率で且つ汎用性が高い(価格が安い)という観点から、Agが好ましい。   The conductive portion 352 and the conductive portion 354 are metals, more specifically, for example, Cr (chromium), Cu (copper), Al (aluminum), Ag (silver), Au (gold), Mo (molybdenum), W (Tungsten) or Ni (nickel) or an alloy thereof. Among these, Ag is preferable from the viewpoint of high conductivity and high versatility (low price).

図24に示す例において、導電部352の少なくとも一部及び導電部354の少なくとも一部は、第2電極130と重なっている。さらに、導電部352の幅及び導電部354の幅のそれぞれは、第2電極130の幅より狭くなっており、基板100の第1面102に沿う方向において、導電部352及び導電部354は、第2電極130の内側に位置している。この場合、導電部352及び導電部354が遮光性を有していても、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。   In the example shown in FIG. 24, at least a part of the conductive part 352 and at least a part of the conductive part 354 overlap with the second electrode 130. Furthermore, each of the width of the conductive portion 352 and the width of the conductive portion 354 is narrower than the width of the second electrode 130. In the direction along the first surface 102 of the substrate 100, the conductive portion 352 and the conductive portion 354 are It is located inside the second electrode 130. In this case, even if the electroconductive part 352 and the electroconductive part 354 have light-shielding property, the loss of the translucency of the light-emitting device 10 by the light control area | region 30 can be suppressed.

(実施例3)
図25は、実施例3に係る発光装置10の断面図である。図26は、図25に示した調光領域30の第1状態を説明するための図である。図27は、図25に示した調光領域30の第2状態を説明するための図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例1に係る発光装置10と同様である。
(Example 3)
FIG. 25 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 according to the third embodiment. FIG. 26 is a diagram for describing the first state of the light control region 30 illustrated in FIG. 25. FIG. 27 is a diagram for explaining a second state of the light control region 30 illustrated in FIG. 25. The light emitting device 10 according to the present embodiment is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.

図25を用いて、発光装置10の構造を説明する。   The structure of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG.

第2電極130は、第1電極110と同様にして、透光性を有している。調光領域30は、第2電極130上に位置している。調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1反射率を有する第1状態(例えば、図26に示す状態)と、発光部142から発せられる光のピーク波長に対して第1反射率より低い第2反射率を有する第2状態(例えば、図27に示す状態)と、に遷移可能である。   Similar to the first electrode 110, the second electrode 130 has translucency. The light control region 30 is located on the second electrode 130. The dimming region 30 has a first state (for example, the state shown in FIG. 26) having a first reflectance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 and a peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142. On the other hand, it is possible to transition to a second state (for example, the state shown in FIG. 27) having a second reflectance lower than the first reflectance.

上述した構成によれば、有機層120から光が発せられていない場合、調光領域30が第1状態に遷移することで、発光装置10の透過率を高くすることができ(例えば、図26)、有機層120から光が発せられている場合、調光領域30が第2状態に遷移することで、有機層120から調光領域30に向けて発せられた光を調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる(例えば、図27)。   According to the configuration described above, when light is not emitted from the organic layer 120, the light control region 30 transitions to the first state, whereby the transmittance of the light emitting device 10 can be increased (for example, FIG. 26). ), When light is emitted from the organic layer 120, the light emitted from the organic layer 120 toward the light control region 30 is changed to the opposite side of the light control region 30 by the transition of the light control region 30 to the second state. It can reflect toward the side (substrate 100 side) (for example, FIG. 27).

調光領域30は、バッファ層360、電極322、EC層332、触媒層336、電解質330及び電極324を第2電極130から順に含んでいる。バッファ層360は、例えば真空蒸着によって第2電極130上に形成させることができる。電極322、EC層332、触媒層336、電解質330及び電極324は、例えばスパッタによって順に形成させることができる。   The light control region 30 includes a buffer layer 360, an electrode 322, an EC layer 332, a catalyst layer 336, an electrolyte 330, and an electrode 324 in this order from the second electrode 130. The buffer layer 360 can be formed on the second electrode 130 by, for example, vacuum deposition. The electrode 322, the EC layer 332, the catalyst layer 336, the electrolyte 330, and the electrode 324 can be sequentially formed by, for example, sputtering.

電極322、電極324、電解質330及びバッファ層360は、透光性を有している。   The electrode 322, the electrode 324, the electrolyte 330, and the buffer layer 360 are translucent.

電解質330は、固体状にすることができる。電解質330は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。   The electrolyte 330 can be solid. The electrolyte 330 can be made of, for example, tantalum oxide.

EC層332は、水素化により透明状態(例えば、図26に示す状態)に遷移可能であり、かつ脱水素化により反射状態(例えば、図27に示す状態)に遷移可能である。水素化及び脱水素化は、可逆反応である。電極322と電極324の間の一方向に電圧を印加することで、水素化を生じさせることができ、電極322と電極324の間の逆方向に電圧を印加することで、脱水素化を生じさせることができる。EC層332の材料は、例えば、Y−Mg、La−Mg、Gd−Mg若しくはSm−Mgの希土類−マグネシウム合金;Mg−Ni、Mg−Mn、Mg−Co若しくはMg−Feのマグネシウム−遷移金属合金;第2族元素から選択される少なくとも1種の元素及び第3族元素及び希土類元素から選択される2種以上の元素を含む合金;又は上述した合金の水素化物である。   The EC layer 332 can transition to a transparent state (for example, the state shown in FIG. 26) by hydrogenation, and can transition to a reflective state (for example, the state shown in FIG. 27) by dehydrogenation. Hydrogenation and dehydrogenation are reversible reactions. By applying a voltage in one direction between the electrode 322 and the electrode 324, hydrogenation can be caused. By applying a voltage in the opposite direction between the electrode 322 and the electrode 324, dehydrogenation is caused. Can be made. The material of the EC layer 332 is, for example, a rare earth-magnesium alloy of Y—Mg, La—Mg, Gd—Mg, or Sm—Mg; a magnesium-transition metal of Mg—Ni, Mg—Mn, Mg—Co, or Mg—Fe An alloy; an alloy containing at least one element selected from Group 2 elements and two or more elements selected from Group 3 elements and rare earth elements; or a hydride of the above-described alloy.

触媒層336は、EC層332の水素化及び脱水素化を促進するための機能を有している。触媒層336の材料は、例えば、パラジウム、白金、パラジウム合金又は白金合金の中から選択された少なくとも1種の金属であり、水素透過性の観点から好ましくはパラジウムである。   The catalyst layer 336 has a function for promoting hydrogenation and dehydrogenation of the EC layer 332. The material of the catalyst layer 336 is, for example, at least one metal selected from palladium, platinum, a palladium alloy, or a platinum alloy, and is preferably palladium from the viewpoint of hydrogen permeability.

図26及び図27を用いて、調光領域30の第1状態及び第2状態の詳細を説明する。   Details of the first state and the second state of the light control region 30 will be described with reference to FIGS. 26 and 27.

図26に示す例では、第1状態において、調光領域30は、可視光線VLの波長帯域、具体的には、400nm以上800nm以下の波長帯域において、例えば40%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線VLは、調光領域30を透過することができる。   In the example shown in FIG. 26, in the first state, the dimming region 30 is, for example, 40% or more and 100% or less, preferably, It has an average transmittance of 80% or more and 100% or less. Therefore, the visible light VL can pass through the light control region 30.

特に図26に示す例では、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長(例えば、600nm以上750nm以下のいずれか)に対して第1反射率を有している。第1反射率は、例えば30%未満である。したがって、調光領域30は、発光部142から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。   In particular, in the example illustrated in FIG. 26, the light control region 30 has a first reflectance with respect to the peak wavelength of light emitted from the light emitting unit 142 (for example, any of 600 nm or more and 750 nm or less). The first reflectance is, for example, less than 30%. Therefore, the light control region 30 can also transmit light having a peak at the same wavelength as the peak wavelength of the light emitted from the light emitting unit 142.

図26に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されておらず、発光部142(有機層120)からは光が発せられていない。したがって、調光領域30は、発光部142(有機層120)から発せられる光の波長に対して高反射率を有していなくてよい。したがって、調光領域30による発光装置10の透光性の損失を抑えることができる。   In the example shown in FIG. 26, no voltage is applied between the first electrode 110 and the second electrode 130, and no light is emitted from the light emitting unit 142 (organic layer 120). Therefore, the light control area | region 30 does not need to have a high reflectance with respect to the wavelength of the light emitted from the light emission part 142 (organic layer 120). Therefore, the loss of translucency of the light emitting device 10 due to the light control region 30 can be suppressed.

図27に示す例では、第2状態において、調光領域30は、発光部142から発せられる光L1のピーク波長に対して第2反射率を有している。第2反射率は、第1反射率より高く、例えば60%以上100%以下、好ましくは例えば80%以上100%以下である。したがって、調光領域30は、光L1を反射することができる。   In the example shown in FIG. 27, in the second state, the light control region 30 has the second reflectance with respect to the peak wavelength of the light L1 emitted from the light emitting unit 142. The second reflectance is higher than the first reflectance, for example, 60% or more and 100% or less, preferably 80% or more and 100% or less. Therefore, the light control region 30 can reflect the light L1.

図27に示す例では、第1電極110と第2電極130の間に電圧が印加されており、有機層120から光L1が発せられている。光L1が調光領域30に向かっても、光L1を調光領域30によって調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる。   In the example shown in FIG. 27, a voltage is applied between the first electrode 110 and the second electrode 130, and light L <b> 1 is emitted from the organic layer 120. Even when the light L1 is directed toward the light control region 30, the light L1 can be reflected by the light control region 30 toward the opposite side (substrate 100 side) of the light control region 30.

図28は、図25の変形例を示す図である。   FIG. 28 is a diagram showing a modification of FIG.

図28に示すように、調光領域30は、バッファ層(図25に示したバッファ層360に相当する層)を含んでいなくてもよく、第2電極130が電極322として機能してもよい。この例においても、図25に示した例と同様にして、有機層120から光が発せられていない場合、調光領域30が第1状態に遷移することで、発光装置10の透過率を高くすることができ、有機層120から光が発せられている場合、調光領域30が第2状態に遷移することで、有機層120から調光領域30に向けて発せられた光を調光領域30の反対側(基板100側)に向けて反射することができる。   As shown in FIG. 28, the light control region 30 may not include a buffer layer (a layer corresponding to the buffer layer 360 shown in FIG. 25), and the second electrode 130 may function as the electrode 322. Good. In this example, similarly to the example shown in FIG. 25, when light is not emitted from the organic layer 120, the light control region 30 transitions to the first state, thereby increasing the transmittance of the light emitting device 10. When light is emitted from the organic layer 120, the light emitted from the organic layer 120 toward the light control region 30 can be changed by the light control region 30 transitioning to the second state. It can reflect toward the opposite side (substrate 100 side) of 30.

図29は、図1の変形例を示す図である。   FIG. 29 is a diagram showing a modification of FIG.

図29に示す例において、発光装置10は、トップエミッションである。第1電極110は光反射性を有しており、第2電極130は光透過性を有している。したがって、有機層120から発せられた光は、第2電極130を透過して封止部160から出射される。   In the example shown in FIG. 29, the light emitting device 10 is top emission. The first electrode 110 has light reflectivity, and the second electrode 130 has light transmittance. Therefore, the light emitted from the organic layer 120 passes through the second electrode 130 and is emitted from the sealing unit 160.

調光領域30は、基板100の第2面104側において発光部142と受光素子200の間に位置している。特に図29に示す例では、基板100の第2面104に取り付けられており、一例において、接着層(不図示)を介して基板100の第2面104に接着させることができる。したがって、図1に示した例と同様にして、発光部142(発光装置10)から発せられる光による受光素子220の誤検出を抑えることができる。   The light control region 30 is located between the light emitting unit 142 and the light receiving element 200 on the second surface 104 side of the substrate 100. In particular, in the example shown in FIG. 29, it is attached to the second surface 104 of the substrate 100, and in one example, it can be adhered to the second surface 104 of the substrate 100 via an adhesive layer (not shown). Therefore, similarly to the example shown in FIG. 1, it is possible to suppress erroneous detection of the light receiving element 220 due to light emitted from the light emitting unit 142 (light emitting device 10).

図30は、図13の第1の変形例を示す図である。   FIG. 30 is a diagram showing a first modification of FIG.

図30に示すように、調光領域30は、封止部160の頂面162aだけでなく、封止部160の外側面162bにも取り付けられていてもよい。   As shown in FIG. 30, the light control region 30 may be attached not only to the top surface 162 a of the sealing portion 160 but also to the outer side surface 162 b of the sealing portion 160.

図31は、図13の第2の変形例を示す図である。   FIG. 31 is a diagram showing a second modification of FIG.

図31に示すように、調光領域30は、封止部160の内面164に取り付けられていてもよく、特に図31に示す例では、封止部160の裏面164a及び内側面164bに取り付けられている。   As shown in FIG. 31, the light control region 30 may be attached to the inner surface 164 of the sealing portion 160, and in particular in the example shown in FIG. 31, it is attached to the back surface 164 a and the inner side surface 164 b of the sealing portion 160. ing.

図32は、図13の第3の変形例を示す図である。   FIG. 32 is a diagram showing a third modification of FIG.

図32に示すように、調光領域30は、封止部160の外面162及び内面164の双方に取り付けられていてもよく、特に図32に示す例では、封止部160の頂面162a及び裏面164aに取り付けられている。   As shown in FIG. 32, the light control region 30 may be attached to both the outer surface 162 and the inner surface 164 of the sealing portion 160. In the example shown in FIG. 32, the top surface 162a of the sealing portion 160 and It is attached to the back surface 164a.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

10 発光装置
20 センサ装置
30 調光領域
40 光装置
100 基板
102 第1面
104 第2面
110 第1電極
120 有機層
130 第2電極
140 発光領域
142 発光部
144 透光部
160 封止部
162 外面
162a 頂面
162b 外側面
164 内面
164a 裏面
164b 内側面
200 受光素子
210 発光素子
220 受光素子
312 基板
314 基板
322 電極
324 電極
330 電解質
332 EC層
334 EC層
336 触媒層
340 シール材
352 導電部
354 導電部
360 バッファ層
400 駆動回路
410 第1駆動部
420 第2駆動部
430 制御回路
440 光センサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 20 Sensor apparatus 30 Light control area 40 Optical device 100 Board | substrate 102 1st surface 104 2nd surface 110 1st electrode 120 Organic layer 130 2nd electrode 140 Light-emitting area 142 Light-emitting part 144 Light-transmitting part 160 Sealing part 162 Outer surface 162a Top surface 162b Outer surface 164 Inner surface 164a Back surface 164b Inner surface 200 Light receiving element 210 Light emitting element 220 Light receiving element 312 Substrate 314 Substrate 322 Electrode 324 Electrode 330 Electrolyte 332 EC layer 334 EC layer 336 Catalyst layer 340 Sealing material 352 Conductive part 354 Conductive part 360 Buffer layer 400 Drive circuit 410 First drive unit 420 Second drive unit 430 Control circuit 440 Optical sensor

Claims (9)

第1面を有する基板と、
前記基板の前記第1面側に位置し、第1電極、有機層及び第2電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第1透過率を有する第1状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第1透過率より低い第2透過率を有する第2状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第1面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置。
A substrate having a first surface;
A light emitting part located on the first surface side of the substrate and having a first electrode, an organic layer and a second electrode;
A first state having a first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion; and a second transmittance lower than the first transmittance with respect to a peak wavelength of light emitted from the light emitting portion. A dimming region capable of transitioning to a second state;
A light receiving element positioned apart from the light emitting part;
With
The said light control area | region is an optical apparatus located between the said light emission part and the said light receiving element in the said 1st surface side of the said board | substrate.
請求項1に記載の光装置において、
前記基板の前記第1面側に位置し、透光性を有し、前記発光部を封止する封止部をさらに備え、
前記調光領域は、前記封止部に取り付けられている、光装置。
The optical device according to claim 1,
It is located on the first surface side of the substrate, has translucency, and further comprises a sealing portion that seals the light emitting portion,
The said light control area | region is an optical apparatus attached to the said sealing part.
請求項2に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記封止部の外面に取り付けられている、光装置。
The optical device according to claim 2,
The said light control area | region is an optical apparatus attached to the outer surface of the said sealing part.
請求項1から3までのいずれか一項に記載の光装置において、
複数の前記発光部を備え、
前記複数の発光部の各第2電極は、光反射性を有し、
前記複数の発光部は、前記第1面に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している、光装置。
The optical device according to any one of claims 1 to 3,
A plurality of the light emitting units,
Each second electrode of the plurality of light emitting units has light reflectivity,
The optical device, wherein the plurality of light emitting units extend in the same direction when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
請求項1から4までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記第1面に垂直な方向から見て、前記発光部と重なっている、光装置。
The optical device according to any one of claims 1 to 4, wherein:
The light control region is an optical device that overlaps with the light emitting unit when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
請求項1から5までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、エレクトロクロミック素子を有する、光装置。
The optical device according to any one of claims 1 to 5,
The said light control area | region is an optical apparatus which has an electrochromic element.
請求項6に記載の光装置において、
前記エレクトロクロミック素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極に接続し、前記第1電極より高い導電率を有する第1導電部と、前記第2電極に接続し、前記第2電極より高い導電率を有する第2導電部と、を有し、
前記第1導電部の少なくとも一部及び前記第2導電部の少なくとも一部は、前記第1面に垂直な方向から見て、前記第2電極と重なっている、光装置。
The optical device according to claim 6.
The electrochromic element is connected to the first electrode, the second electrode, the first electrode, has a higher conductivity than the first electrode, and is connected to the second electrode, A second conductive part having a higher conductivity than the two electrodes,
An optical device, wherein at least a part of the first conductive part and at least a part of the second conductive part overlap the second electrode when viewed from a direction perpendicular to the first surface.
請求項7に記載の光装置において、
前記第1導電部の幅及び前記第2導電部の幅のそれぞれは、前記第2電極の幅より狭い、光装置。
The optical device according to claim 7.
Each of the width | variety of the said 1st electroconductive part and the width | variety of the said 2nd electroconductive part is an optical apparatus narrower than the width | variety of the said 2nd electrode.
請求項1から8までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記発光部から光が発せられていない場合に前記第1状態をとり、前記発光部から光が発せられている場合に前記第2状態をとる、光装置。
The optical device according to any one of claims 1 to 8,
The light control region is an optical device that takes the first state when light is not emitted from the light emitting unit and takes the second state when light is emitted from the light emitting unit.
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