JP2019117958A - Light-emitting device - Google Patents

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結城 敏尚
Toshihisa Yuki
敏尚 結城
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Pioneer Corp
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Abstract

To make a photoluminescence less likely to occur in an organic layer located in a region other than a light emitting portion.SOLUTION: A light emitting unit 140 is formed on a part of a first surface of a substrate 100, and includes a first electrode 110, a second electrode 130, and an organic layer 120. The second electrode 130 covers the first electrode 110. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. The organic layer 120 is continuously formed from a region overlapping with the first electrode 110 to a portion located around the first electrode 110. The organic layer 120 includes a phosphorescent material. Specifically, a light emitting layer of the organic layer 120 is formed of not a fluorescent material but a phosphorescent material .SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

近年は有機ELを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第1電極と第2電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第1電極には透明材料が用いられており、第2電極には金属材料が用いられている。   In recent years, development of a light emitting device using an organic EL is in progress. This light emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. In general, a transparent material is used for the first electrode, and a metal material is used for the second electrode.

有機ELを利用した発光装置の一つに、特許文献1に記載の技術がある。特許文献1の技術は、有機ELを利用した表示装置に光透過性(シースルー)を持たせるために、第2電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第2電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。なお、特許文献1に記載の技術において、複数の第2電極の間には、画素を画定するために、透光性の絶縁層が形成されている。特許文献1において、この絶縁層の材料として、酸化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂などの樹脂材料が例示されている。   There is a technology described in Patent Document 1 as one of light emitting devices using organic EL. In the technology of Patent Document 1, the second electrode is provided only in a part of the pixels in order to provide light transmission (see-through) to the display device using the organic EL. In such a structure, the region located between the plurality of second electrodes transmits light, and the display device can be light transmissive. In the technique described in Patent Document 1, a translucent insulating layer is formed between the plurality of second electrodes in order to define a pixel. In Patent Document 1, as a material of the insulating layer, an inorganic material such as silicon oxide and a resin material such as an acrylic resin are exemplified.

特開2011−23336号公報JP 2011-23336 A

発光層となる有機層が発光部以外の領域にも形成されている場合、この領域に位置する有機層に外光が入射すると、この外光が有機層で吸収されてフォトルミネッセンスが生じることがある。この場合、表示装置の光透過性が低下してしまう。   When the organic layer to be the light emitting layer is also formed in a region other than the light emitting portion, when the external light is incident on the organic layer located in this region, the external light is absorbed by the organic layer to generate photoluminescence is there. In this case, the light transmittance of the display device is reduced.

本発明が解決しようとする課題としては、有機層を発光部以外の領域にも形成する場合において、発光部以外の領域に位置する有機層においてフォトルミネッセンスが生じにくくすることが一例として挙げられる。   As a problem to be solved by the present invention, when forming an organic layer also in a region other than the light emitting part, it is mentioned as an example that it is difficult for photoluminescence to occur in the organic layer located in the region other than the light emitting part.

請求項1に記載の発明は、透光性の基板と、
第1電極、第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に位置する有機層、とを有し、且、前記基板の第1面に形成される発光部と、
を備え、
前記有機層は前記第1電極上の領域と前記第1電極の周囲に位置する部分とにわたって連続して形成されており、前記有機層の光の吸収領域のピークが480nm〜580nmにない発光装置である。
The invention according to claim 1 is a light transmitting substrate,
A light emitting portion having a first electrode, a second electrode, an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode, and formed on a first surface of the substrate;
Equipped with
The light emitting device wherein the organic layer is continuously formed over the region on the first electrode and the portion located around the first electrode, and the peak of the light absorption region of the organic layer is not 480 nm to 580 nm It is.

請求項3に記載の発明は、透光性を有しており、かつ第1波長以下の光の光線透過率が20%以下である基板と、
第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極との間に位置する有機層とを有し、且、前記基板の第1面に形成される発光部と、
を備え、
前記有機層は前記第1電極上の領域と前記第1電極の周囲に位置する部分とにわたって連続して形成されており、前記有機層の光の吸収領域のピーク波長が前記第1波長以下である発光装置である。
The invention according to claim 3 is a substrate having translucency and having a light transmittance of 20% or less of light of a first wavelength or less.
A light emitting portion formed on a first surface of the substrate, including a first electrode, a second electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode;
Equipped with
The organic layer is continuously formed over the region on the first electrode and the portion located around the first electrode, and the peak wavelength of the light absorption region of the organic layer is less than or equal to the first wavelength. It is a light emitting device.

請求項8に記載の発明は、透光性の基板と、
第1電極、第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に位置する有機層とを有し、且、前記基板の第1面に形成される発光部と、
を備え、
前記有機層は前記第1電極と前記第2電極の間の領域にのみ形成されており、前記有機層の発光層を構成する発光体は、少なくとも燐光材料を含む発光装置である。
The invention according to claim 8 is a light transmitting substrate,
A light emitting portion having a first electrode, a second electrode, an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode, and formed on a first surface of the substrate;
Equipped with
The organic layer is formed only in a region between the first electrode and the second electrode, and a light emitter constituting a light emitting layer of the organic layer is a light emitting device including at least a phosphorescent material.

請求項9に記載の発明は、透光性の基板と、
第1電極、第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に位置する有機層とを有し、且、前記基板の第1面に形成される発光部と、
を備え、
前記有機層は前記第1電極と前記第2電極の間の領域にのみ形成されており、前記有機層の発光層を構成する発光体は、燐光材料である発光装置である。
The invention according to claim 9 is a light transmitting substrate,
A light emitting portion having a first electrode, a second electrode, an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode, and formed on a first surface of the substrate;
Equipped with
The organic layer is formed only in a region between the first electrode and the second electrode, and a light emitter constituting a light emitting layer of the organic layer is a light emitting device which is a phosphorescent material.

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is a sectional view showing the composition of the light emitting device concerning an embodiment. 実施例1に係る発光装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a first embodiment. 実施例2に係る発光装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment. 図3に示した発光装置の平面図である。It is a top view of the light-emitting device shown in FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be appropriately omitted.

図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置10は、例えば照明装置または表示装置であり、基板100及び発光部140を備えている。発光部140は基板100の第1面に形成されており、第1電極110、第2電極130、及び有機層120を備えている。第2電極130は第1電極110を覆っている。有機層120は第1電極110と第2電極130の間に位置している。有機層120は、第1電極110と重なる領域から、第1電極110の周囲に位置する部分にわたって連続して形成されている。そして、有機層120の光の吸収領域のピークは、480nm〜600nmにない。具体的には、有機層120は、燐光材料を含んでいる。さらに詳細には、有機層120の発光層を構成する発光体は、一部、もしくは全てが、正孔と電子の再結合エネルギーにより励起し、燐光発光を主体とする燐光材料によって形成されている。以下、詳細に説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. The light emitting device 10 according to the embodiment is, for example, a lighting device or a display device, and includes the substrate 100 and the light emitting unit 140. The light emitting unit 140 is formed on a first surface of the substrate 100, and includes a first electrode 110, a second electrode 130, and an organic layer 120. The second electrode 130 covers the first electrode 110. The organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130. The organic layer 120 is continuously formed from a region overlapping with the first electrode 110 to a portion located around the first electrode 110. And the peak of the absorption region of the light of the organic layer 120 does not exist in 480 nm-600 nm. Specifically, the organic layer 120 contains a phosphorescent material. More specifically, the light-emitting body constituting the light-emitting layer of the organic layer 120 is partially or entirely formed of a phosphorescent material which is excited by the recombination energy of holes and electrons and is mainly made of phosphorescence. . The details will be described below.

基板100は、例えばガラス基板や樹脂基板などの可視光に対して透光性を有する基板である。基板100がガラス基板である場合、基板100は、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、及び酸化シリコンを合計で80重量%以上含んでいる。このようにすると、第1波長以下(例えば400nm以下)における基板100の光線透過率を低く(例えば20%以下)にすることができる。基板100は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。基板100は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板100が樹脂基板である場合、基板100は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板100が樹脂基板である場合、水分が基板100を透過することを抑制するために、基板100の少なくとも一面(好ましくは両面)に、SiNやSiONなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。 The substrate 100 is a substrate having transparency to visible light, such as a glass substrate or a resin substrate. When the substrate 100 is a glass substrate, the substrate 100 contains 80 wt% or more in total of sodium oxide, calcium oxide, and silicon oxide. Thus, the light transmittance of the substrate 100 at the first wavelength or less (for example, 400 nm or less) can be made low (for example, 20% or less). The substrate 100 may have flexibility. In the case of having flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle or a circle. When the substrate 100 is a resin substrate, the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide. When the substrate 100 is a resin substrate, an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from passing through the substrate 100. Is preferred.

基板100の一面には、発光部140が形成されている。発光部140は、第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層させた構成を有している。発光装置10が照明装置の場合、複数の発光部140はライン状に延在している。一方、発光装置10が表示装置の場合、複数の発光部140はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示するように(例えばアイコンを表示するように)なっていてもよい。そして複数の発光部140は、画素別に形成されている。   A light emitting unit 140 is formed on one surface of the substrate 100. The light emitting unit 140 has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order. When the light emitting device 10 is a lighting device, the plurality of light emitting units 140 extend in a line. On the other hand, when the light emitting device 10 is a display device, the plurality of light emitting units 140 are arranged to form a matrix, or to form a segment or display a predetermined shape (for example, to display an icon) It may be done. The plurality of light emitting units 140 are formed for each pixel.

第1電極110は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極110の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極110は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極110は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよい。   The first electrode 110 is a transparent electrode having light transparency. The material of the transparent electrode is a material containing a metal, for example, metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), ZnO (Zinc Oxide) and the like. The thickness of the first electrode 110 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. The first electrode 110 is formed by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. The first electrode 110 may be a carbon nanotube, or a conductive organic material such as PEDOT / PSS.

有機層120は発光層を有している。有機層120は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層120は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層120のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極110と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層120の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層120のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。   The organic layer 120 has a light emitting layer. The organic layer 120 has, for example, a configuration in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order. A hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer. In addition, an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer. The organic layer 120 may be formed by vapor deposition. In addition, at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110 may be formed by an application method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition. Also, all the layers of the organic layer 120 may be formed using a coating method.

有機層120の発光層を構成する発光体は、一部もしくは全てが燐光材料を用いて形成されている。このようにすると、有機層120の光の吸収領域のピークが480nm〜580nmより小さくなる。このピークは、例えば400nm以下に位置している。また、有機層120におけるフォトルミネッセンスにおける発光スペクトルのピーク波長は、480nm〜580nmの波長域から外れる。ここで、基板100の説明において記載した第1波長が、有機層120の光の吸収領域のピーク波長より大きくなるように、基板100を構成する。このようにすると、有機層120において、外光に起因してフォトルミネッセンスは生じにくくなる。   A part or all of the light emitters forming the light emitting layer of the organic layer 120 is formed using a phosphorescent material. In this way, the peak of the light absorption region of the organic layer 120 is smaller than 480 nm to 580 nm. This peak is located, for example, at 400 nm or less. In addition, the peak wavelength of the emission spectrum of the photoluminescence in the organic layer 120 is out of the wavelength range of 480 nm to 580 nm. Here, the substrate 100 is configured such that the first wavelength described in the description of the substrate 100 is larger than the peak wavelength of the light absorption region of the organic layer 120. In this way, in the organic layer 120, photoluminescence is less likely to occur due to external light.

そして、有機層120は、第1電極110上、及び基板100のうち少なくとも第1電極110の周囲に位置する領域のそれぞれに、連続して形成されている。   The organic layer 120 is continuously formed on the first electrode 110 and in at least a region of the substrate 100 located around the first electrode 110.

第2電極130は、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第2電極130は遮光性を有している。第2電極130の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。ただし、第2電極130は、第1電極110の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第2電極130は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置10は第1電極110よりも幅が広くなっている。このため、基板100に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第1電極110の全体が第2電極130によって重なっており、また覆われている。   The second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Containing metal layers. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property. The thickness of the second electrode 130 is, for example, 10 nm or more and 500 nm or less. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. In the example shown in the figure, the light emitting device 10 is wider than the first electrode 110. Therefore, when viewed in the direction perpendicular to the substrate 100, the entire first electrode 110 is overlapped and covered by the second electrode 130 in the width direction.

第1電極110の縁は、絶縁膜150によって覆われている。絶縁膜150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140となる部分を囲んでいる。第2電極130の幅方向の縁は、絶縁膜150上に位置している。言い換えると、基板100に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜150の一部は第2電極130から食み出ている。また本図に示す例において、有機層120は絶縁膜150の上及び側面にも形成されている。   The edge of the first electrode 110 is covered by the insulating film 150. The insulating film 150 is formed of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion to be the light emitting unit 140 in the first electrode 110. The widthwise edge of the second electrode 130 is located on the insulating film 150. In other words, when viewed in a direction perpendicular to the substrate 100, a part of the insulating film 150 protrudes from the second electrode 130. In the example shown in the figure, the organic layer 120 is also formed on the insulating film 150 and on the side surface.

基板100の第1面には、複数の発光部140が互いに離間して形成されている。そして、発光装置10は第1領域102及び第2領域104を有している。第1領域102は、複数の発光部140の間の領域のうち有機層120を含んでいて絶縁膜150を含まない領域である。第2領域104は、複数の発光部140の間の領域のうち有機層120及び絶縁膜150を含む領域である。第1領域102の面積は104の面積よりも大きい。断面図においては、第1領域102の幅は第2領域104の幅よりも大きい。   A plurality of light emitting units 140 are formed on the first surface of the substrate 100 so as to be separated from each other. The light emitting device 10 has a first area 102 and a second area 104. The first region 102 is a region that includes the organic layer 120 and does not include the insulating film 150 among the regions between the plurality of light emitting units 140. The second region 104 is a region including the organic layer 120 and the insulating film 150 among the regions between the plurality of light emitting units 140. The area of the first region 102 is larger than the area of 104. In the cross-sectional view, the width of the first region 102 is larger than the width of the second region 104.

そして本図に示す例において、発光装置10は、さらに第3領域106を有している。第3領域106は、複数の発光部140の間の領域のうち有機層120及び絶縁膜150を含んでおり、かつ第2電極130と重なっている領域である。   And in the example shown to this figure, the light-emitting device 10 has the 3rd area | region 106 further. The third region 106 is a region including the organic layer 120 and the insulating film 150 among the regions between the plurality of light emitting units 140 and overlapping the second electrode 130.

次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100に第1電極110を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第1電極110を、フォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第1電極110の縁の上に絶縁膜150を形成する。例えば絶縁膜150が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜150は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層120及び第2電極130をこの順に形成する。有機層120が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第2電極130も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材(図示せず)を用いて発光部140を封止する。   Next, a method of manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the first electrode 110 is formed on the substrate 100 using, for example, a sputtering method. Then, the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern using a photolithographic method. Next, the insulating film 150 is formed on the edge of the first electrode 110. For example, in the case where the insulating film 150 is formed of a photosensitive resin, the insulating film 150 is formed into a predetermined pattern through exposure and development steps. Then, the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order. When the organic layer 120 includes a layer formed by vapor deposition, this layer is formed in a predetermined pattern, for example, using a mask. The second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern, for example, using a mask. Thereafter, the light emitting unit 140 is sealed using a sealing member (not shown).

本実施形態において、第1領域102の光線透過率は第2領域104の光線透過率よりも高い。そして、第1領域102の面積は第2領域104の面積よりも大きい。このため、発光装置10は、一定以上の光透過性を有する。   In the present embodiment, the light transmittance of the first region 102 is higher than the light transmittance of the second region 104. The area of the first region 102 is larger than the area of the second region 104. For this reason, the light emitting device 10 has light transmittance of a certain level or more.

そして本実施形態では、有機層120を構成する発光層は燐光材料を含んでおり、蛍光材料を含んでいない。このようにすると、有機層120における光の吸収領域のピーク波長は、480nm〜580nmの波長域から外れる。一方、発光装置10は可視光を発光する装置であり、基板100等の材料は、480nm〜580nmの波長域において透光性が高くなるように設計されている。このため、有機層120においてフォトルミネッセンスは生じにくくなる。従って、発光装置10の光透過性が低下することを抑制できる。さらに有機層120におけるフォトルミネッセンスの発光スペクトルのピーク波長は480nm〜580nmの外側に位置している。従って、有機層120においてフォトルミネッセンスが生じても、フォトルミネッセンスによる光を人は視認しにくい。従って、発光装置10の光透過性が低下することをさらに抑制できる。   In the present embodiment, the light emitting layer constituting the organic layer 120 contains a phosphorescent material and does not contain a fluorescent material. In this way, the peak wavelength of the light absorption region in the organic layer 120 deviates from the wavelength range of 480 nm to 580 nm. On the other hand, the light emitting device 10 is a device that emits visible light, and the material of the substrate 100 and the like is designed to have high translucency in a wavelength range of 480 nm to 580 nm. For this reason, it becomes difficult to produce photoluminescence in the organic layer 120. Therefore, it can suppress that the light transmittance of the light-emitting device 10 falls. Furthermore, the peak wavelength of the emission spectrum of the photoluminescence in the organic layer 120 is located outside 480 nm to 580 nm. Therefore, even if photoluminescence occurs in the organic layer 120, it is difficult for a person to visually recognize light by photoluminescence. Therefore, it can further suppress that the light transmittance of the light-emitting device 10 falls.

(実施例1)
図2は、実施例1に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本実施例に係る発光装置10は、導電部170を備えている点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
Example 1
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the first embodiment. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except that the conductive portion 170 is provided.

導電部170は、例えば第1電極110の補助電極であり、第1電極110に接触している。導電部170は第1電極110よりも抵抗値が低い材料によって形成されており、例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成されている。導電部170は、例えばMo又はMo合金などの第1金属層、Al又はAl合金などの第2金属層、及びMo又はMo合金などの第3金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら3つの金属層のうち第2金属層が最も厚い。   The conductive portion 170 is, for example, an auxiliary electrode of the first electrode 110 and is in contact with the first electrode 110. The conductive portion 170 is formed of a material having a resistance value lower than that of the first electrode 110, and is formed of, for example, at least one metal layer. Conductive portion 170 has a configuration in which, for example, a first metal layer such as Mo or Mo alloy, a second metal layer such as Al or Al alloy, and a third metal layer such as Mo or Mo alloy are stacked in this order. There is. The second metal layer is the thickest of these three metal layers.

そして導電部170は、絶縁膜150によって覆われている。このため、導電部170が絶縁膜150に短絡することを抑制できる。   The conductive portion 170 is covered by the insulating film 150. Therefore, a short circuit of the conductive portion 170 to the insulating film 150 can be suppressed.

導電部170を形成するタイミングは、第1電極110を形成した後、絶縁膜150を形成する前である。導電部170は、例えば以下のようにして形成される。まず、導電部170となる導電層を、例えばスパッタリング法などの成膜法を用いてこの順に形成する。次いで、この導電層上にレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクとして導電層をエッチング(例えばウェットエッチング)する。これにより、導電部170は形成される。   The timing for forming the conductive portion 170 is before forming the insulating film 150 after forming the first electrode 110. The conductive portion 170 is formed, for example, as follows. First, a conductive layer to be the conductive portion 170 is formed in this order using, for example, a film formation method such as a sputtering method. Next, a resist pattern (not shown) is formed on the conductive layer, and the conductive layer is etched (eg, wet etched) using the resist pattern as a mask. Thus, the conductive portion 170 is formed.

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置10の光透過性が低下することを抑制できる。また、第1電極110上に導電部170を形成しているため、第1電極110の抵抗値を小さくすることができる。   Also in the present example, as in the embodiment, the decrease in the light transmittance of the light emitting device 10 can be suppressed. Further, since the conductive portion 170 is formed on the first electrode 110, the resistance value of the first electrode 110 can be reduced.

(実施例2)
図3は、実施例2に係る発光装置10の断面図である。図4は、図3に示した発光装置10の平面図である。図3は、図4のA−A断面に対応している。本実施例に係る発光装置10は、複数の発光部140を備えている点を除いて、実施形態又は実施例1に係る発光装置10のいずれかと同様の構成である。
(Example 2)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device 10 according to the second embodiment. FIG. 4 is a plan view of the light emitting device 10 shown in FIG. FIG. 3 corresponds to the cross section AA in FIG. The light emitting device 10 according to the present embodiment has the same configuration as any of the light emitting devices 10 according to the embodiment or the example 1 except that the light emitting device 10 includes the plurality of light emitting units 140.

詳細には、発光装置10は照明装置であり、複数の線状の発光部140を有している。これら複数の発光部140は、基板100の第1面に互いに離れて配置されている。詳細には、複数の発光部140は線状かつ同一方向に延在している。そして有機層120は、基板100の第1面のうち、複数の発光部140の間に位置する領域にも形成されている。言い換えると、有機層120は、複数の発光部140及びこれらの間の領域に連続して形成されている。   In detail, the light emitting device 10 is a lighting device, and includes a plurality of linear light emitting units 140. The plurality of light emitting units 140 are disposed apart from each other on the first surface of the substrate 100. Specifically, the plurality of light emitting units 140 are linear and extend in the same direction. The organic layer 120 is also formed in a region of the first surface of the substrate 100 located between the plurality of light emitting units 140. In other words, the organic layer 120 is continuously formed in the plurality of light emitting units 140 and the region between them.

本実施例によっても、実施形態と同様に、第1電極110と第2電極130が短絡することを抑制できる。また、有機層120は、複数の発光部140及びこれらの間の領域に連続して形成されているため、有機層120を形成するときに、細かなパターンを有するマスクを用いる必要がない。従って、発光装置10を製造するときのコストを低くすることができる。   Also according to this embodiment, as in the embodiment, a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 can be suppressed. In addition, since the organic layer 120 is continuously formed in the plurality of light emitting parts 140 and the region between them, it is not necessary to use a mask having a fine pattern when forming the organic layer 120. Therefore, the cost of manufacturing the light emitting device 10 can be reduced.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although an embodiment and an example were described with reference to drawings, these are the illustrations of the present invention and can also adopt various composition except the above.

10 発光装置
100 基板
102 第1領域
104 第2領域
110 第1電極
120 有機層
130 第2電極
140 発光部
150 絶縁膜
170 導電部
DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS 10 light emitting device 100 substrate 102 first region 104 second region 110 first electrode 120 organic layer 130 second electrode 140 light emitting portion 150 insulating film 170 conductive portion

Claims (1)

透光性の基板と、
第1電極、第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に位置する有機層、とを有し、且、前記基板の第1面に形成される発光部と、
を備え、
前記有機層は前記第1電極上の領域と前記第1電極の周囲に位置する部分とにわたって連続して形成されており、前記有機層の光の吸収領域のピークが480nm〜580nmにない発光装置。
A translucent substrate,
A light emitting portion having a first electrode, a second electrode, an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode, and formed on a first surface of the substrate;
Equipped with
The light emitting device wherein the organic layer is continuously formed over the region on the first electrode and the portion located around the first electrode, and the peak of the light absorption region of the organic layer is not 480 nm to 580 nm .
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11195487A (en) * 1997-12-27 1999-07-21 Tdk Corp Organic el element
WO2009099133A1 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. Compound having carbazolyl group and use thereof
JP2011187431A (en) * 2010-03-10 2011-09-22 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device and its manufacturing method
JP2012186021A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Sony Corp Organic el display device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097338B1 (en) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device
JP5758314B2 (en) * 2012-01-17 2015-08-05 株式会社東芝 Organic electroluminescence device and lighting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11195487A (en) * 1997-12-27 1999-07-21 Tdk Corp Organic el element
WO2009099133A1 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. Compound having carbazolyl group and use thereof
JP2011187431A (en) * 2010-03-10 2011-09-22 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device and its manufacturing method
JP2012186021A (en) * 2011-03-04 2012-09-27 Sony Corp Organic el display device and method for manufacturing the same

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