JP2019100645A - Vacuum heating device, and method for producing high melting point metallic body - Google Patents

Vacuum heating device, and method for producing high melting point metallic body Download PDF

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Masaaki Hirakawa
正明 平川
智啓 永田
Tomohiro Nagata
智啓 永田
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Abstract

To produce a high melting point metallic body having high purity.SOLUTION: A vacuum heating device comprises a vacuum vessel, an exhaust mechanism, a stage and a pedestal. The exhaust mechanism exhausts gas in the vacuum vessel. The stage is provided at the inside of the vacuum vessel. The pedestal is mounted on the stage. The pedestal can support a high melting point metallic oxide and a carbon-containing molded body. The pedestal includes: an upper edge part to be contacted with the molded body; and a lower edge part to be contacted with the stage. In the pedestal, a first space part is formed in a space with the molded body by contacting the upper edge part with the molded body, and a second space part is formed in a space with the stage by contacting the lower edge part with the stage. The heating mechanism heats the molded body.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、真空加熱装置及び高融点金属体の製造方法に関する。   The present invention relates to a vacuum heating apparatus and a method of manufacturing a refractory metal body.

タンタル等の高融点金属を含む金属酸化物から、高融点金属を抽出する方法として、炭素還元法が知られている(例えば、非特許文献1参照)。例えば、タンタル酸化物及び黒鉛を含む成形体をプラズマアーク炉に入れ、この成形体に数千度以上のプラズマトーチに晒し、成形体から高融点金属体を得る手法である。しかしながら、プラズマアーク法は、プラズマトーチに晒される成形体の面積が限られることから量産性には優れない。   A carbon reduction method is known as a method of extracting a high melting point metal from a metal oxide containing a high melting point metal such as tantalum (see, for example, Non-Patent Document 1). For example, a compact containing tantalum oxide and graphite is placed in a plasma arc furnace, and the compact is exposed to a plasma torch of several thousand degrees or more to obtain a high melting point metal body from the compact. However, the plasma arc method is not excellent in mass productivity because the area of the molded body exposed to the plasma torch is limited.

これに対して、成形体を数千度以上に加熱処理する別の手法として、真空加熱処理がある(例えば、特許文献1参照)。真空加熱処理は、比較的大きな成形体を真空容器内に設置できることから、一度に炭素還元できる成形体の量が増し、量産性に優れる。そして、このような真空加熱処理では、成形体の炭素還元をいかにして効率よく促進させ、高純度の高融点金属体を得るかが重要になる。   On the other hand, there is vacuum heat treatment as another method for heat treatment of a molded body to several thousand degrees or more (see, for example, Patent Document 1). The vacuum heat treatment allows a relatively large compact to be installed in the vacuum vessel, so that the amount of compact which can be reduced by carbon at one time increases, and the mass productivity is excellent. And in such a vacuum heating process, it becomes important how to efficiently promote carbon reduction of a molded object and to obtain a high purity high melting point metal body.

特許第4023774号公報Patent No. 4023774

日本鉱業会誌/96 1105 ('80−3) 165<45>−170<54>Japan Mining Journal / 96 1105 ('80 -3) 165 <45> -170 <54>

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、炭素還元によって、より高純度の高融点金属体を製造する真空加熱装置及び高融点金属体の製造方法を提供することにある。   In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a vacuum heating apparatus and a method for producing a high melting point metal body, which produce a high purity high melting point metal body by carbon reduction.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空加熱装置は、真空容器と、排気機構と、ステージと、台座と、加熱機構とを具備する。上記排気機構は、上記真空容器内のガスを排気する。上記ステージは、上記真空容器内に設けられる。上記台座は、上記ステージに載置される。上記台座は、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能である。上記台座は、上記成形体と接触する上端部と、上記ステージと接触する下端部とを有する。上記台座は、上記上端部が上記成形体と接触することで上記成形体との間に第1空間部が形成され、上記下端部が上記ステージと接触することで上記ステージとの間に第2空間部が形成される。上記加熱機構は、上記成形体を加熱する。
このような真空加熱装置であれば、台座によって、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体が支持され、加熱機構によって成形体が加熱されたときに、成形体からステージへの熱拡散が抑えられて、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In order to achieve the above object, a vacuum heating apparatus according to an aspect of the present invention includes a vacuum vessel, an exhaust mechanism, a stage, a pedestal, and a heating mechanism. The exhaust mechanism exhausts the gas in the vacuum vessel. The stage is provided in the vacuum vessel. The pedestal is mounted on the stage. The pedestal is capable of supporting a shaped body containing refractory metal oxide and carbon. The pedestal has an upper end in contact with the molded body and a lower end in contact with the stage. The pedestal has a first space formed between the upper end portion and the molded body when the upper end portion contacts the molded body, and a second space between the lower end portion and the stage when the lower end portion contacts the stage. A space is formed. The heating mechanism heats the molded body.
With such a vacuum heating device, the pedestal supports the compact containing the refractory metal oxide and carbon, and when the compact is heated by the heating mechanism, the heat diffusion from the compact to the stage is suppressed. The high melting point metal oxide is efficiently carbon reduced to the high melting point metal.

上記の真空加熱装置においては、上記加熱機構は、上記ステージを挟み、互いに対向する一対のヒータ板を有してもよい。
このような真空加熱装置であれば、成形体が一対のヒータ板によって左右から均等に加熱され、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In the above-mentioned vacuum heating device, the above-mentioned heating mechanism may have a pair of heater boards which sandwich the above-mentioned stage and are mutually opposed.
With such a vacuum heating device, the compact is uniformly heated from the left and right by the pair of heater plates, and the refractory metal oxide is efficiently carbon-reduced to the refractory metal.

上記の真空加熱装置においては、上記台座は、水平方向に伸縮可能であり、上記水平方向における伸縮に応じて高さが変わってもよい。
このような真空加熱装置であれば、台座の高さに応じて、成形体から台座を介してのステージへの熱伝導の程度が調整できるので、成形体からステージへの熱拡散を抑制することができ、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In the above-described vacuum heating apparatus, the pedestal may be horizontally extended and contracted, and the height may change according to the horizontal extension and contraction.
With such a vacuum heating apparatus, the degree of heat conduction from the compact to the stage through the pedestal can be adjusted according to the height of the pedestal, so that the heat diffusion from the compact to the stage can be suppressed. The high melting point metal oxide is efficiently carbon reduced to the high melting point metal.

上記の真空加熱装置においては、上記台座の水平方向における断面形状は、ストライプ状に構成されてもよい。
このような真空加熱装置であれば、成形体から台座を介してのステージへの熱拡散が抑制されるので、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In the above-described vacuum heating apparatus, the cross-sectional shape in the horizontal direction of the pedestal may be configured in a stripe shape.
With such a vacuum heating device, the thermal diffusion from the compact to the stage through the pedestal is suppressed, so the refractory metal oxide is efficiently carbon-reduced to the refractory metal.

上記の真空加熱装置においては、上記台座は、4mm以上の高さを有してもよい。
このような真空加熱装置であれば、成形体から台座を介してのステージへの熱拡散が抑制されるので、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In the above-described vacuum heating device, the pedestal may have a height of 4 mm or more.
With such a vacuum heating device, the thermal diffusion from the compact to the stage through the pedestal is suppressed, so the refractory metal oxide is efficiently carbon-reduced to the refractory metal.

上記台座は、上記高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成されてもよい。
このような真空加熱装置であれば、高融点金属と台座とが同じ材料で構成されているので、台座から炭素還元により形成される高融点金属体に不純物が入りにくくなる。
The pedestal may be made of the same material as the refractory metal contained in the refractory metal oxide.
In such a vacuum heating apparatus, since the refractory metal and the pedestal are made of the same material, it is difficult for impurities to enter the refractory metal body formed by carbon reduction from the pedestal.

上記台座の上記上端部は、上記高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成されてもよい。
このような真空加熱装置であれば、高融点金属と台座の上端部とが同じ材料で構成されているので、炭素還元により形成される高融点金属体に台座からの不純物が入りにくくなる。
The upper end portion of the pedestal may be made of the same material as the refractory metal contained in the refractory metal oxide.
With such a vacuum heating apparatus, since the refractory metal and the upper end portion of the pedestal are made of the same material, it is difficult for impurities from the pedestal to enter the refractory metal body formed by carbon reduction.

上記の真空加熱装置においては、上記ステージは、上記台座と接する炭素シートを含んでもよい。
このような真空加熱装置であれば、台座とステージとの間に、炭素シートが介在しているので、台座とステージとの直接的な反応が抑えられる。
In the above vacuum heating apparatus, the stage may include a carbon sheet in contact with the pedestal.
In such a vacuum heating apparatus, since the carbon sheet is interposed between the pedestal and the stage, a direct reaction between the pedestal and the stage can be suppressed.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空加熱装置は、真空容器と、排気機構と、ステージと、台座と、加熱機構とを具備する。上記排気機構は、上記真空容器内のガスを排気する。上記ステージは、上記真空容器内に設けられる。上記台座は、上記ステージに載置される。上記台座は、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能である。上記台座は、上記成形体と接触する上端部と、上記ステージと接触する下端部とを有する。上記台座は、上記上端部が上記成形体と接触し、上記下端部が上記ステージと接触することで、上記成形体と上記ステージとの間を連通する空間部が形成される。上記加熱機構は、上記成形体を加熱する。
このような真空加熱装置であれば、台座によって、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体が支持され、加熱機構によって成形体が加熱されたときに、成形体からステージへの熱拡散が抑えられて、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In order to achieve the above object, a vacuum heating apparatus according to an aspect of the present invention includes a vacuum vessel, an exhaust mechanism, a stage, a pedestal, and a heating mechanism. The exhaust mechanism exhausts the gas in the vacuum vessel. The stage is provided in the vacuum vessel. The pedestal is mounted on the stage. The pedestal is capable of supporting a shaped body containing refractory metal oxide and carbon. The pedestal has an upper end in contact with the molded body and a lower end in contact with the stage. With the pedestal, the upper end portion is in contact with the molded body, and the lower end portion is in contact with the stage, thereby forming a space portion communicating the molded body with the stage. The heating mechanism heats the molded body.
With such a vacuum heating device, the pedestal supports the compact containing the refractory metal oxide and carbon, and when the compact is heated by the heating mechanism, the heat diffusion from the compact to the stage is suppressed. The high melting point metal oxide is efficiently carbon reduced to the high melting point metal.

上記台座の水平方向における断面形状は、ハニカム状、格子状及び円形状のいずれか1つに構成されてもよい。
このような真空加熱装置であれば、成形体から台座を介してのステージへの熱拡散が抑制されるので、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
The cross-sectional shape of the pedestal in the horizontal direction may be any one of a honeycomb shape, a lattice shape, and a circular shape.
With such a vacuum heating device, the thermal diffusion from the compact to the stage through the pedestal is suppressed, so the refractory metal oxide is efficiently carbon-reduced to the refractory metal.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る高融点金属体の製造方法は、真空容器内に設けられたステージ上に、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能であり、上記成形体と接触する上端部と、上記ステージと接触する下端部とを有し、上記上端部が上記成形体と接触することで上記成形体との間に第1空間部が形成され、上記下端部が上記ステージと接触することで上記ステージとの間に第2空間部が形成される台座を載置することを含む。上記成形体は、上記台座に支持される。上記真空容器内は、排気機構により排気されつつ上記成形体は加熱機構によって加熱される。上記高融点金属酸化物は炭素還元されて、高融点金属体が形成される。
このような方法であれば、台座によって、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体が支持され、加熱機構によって成形体が加熱されたときに、成形体からステージへの熱拡散が抑えられて、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a high melting point metal body according to an aspect of the present invention can support a molded body containing high melting point metal oxide and carbon on a stage provided in a vacuum vessel. An upper end in contact with the molded product, and a lower end in contact with the stage, and the upper end is in contact with the molded product to form a first space between the molded product and the molded product; The mounting of the pedestal in which the second space portion is formed between the lower end portion and the stage by contacting the lower end portion. The molded body is supported by the pedestal. The inside of the vacuum vessel is heated by the heating mechanism while being evacuated by the exhaust mechanism. The refractory metal oxide is carbon-reduced to form a refractory metal body.
In such a method, the pedestal supports the compact containing the refractory metal oxide and carbon, and when the compact is heated by the heating mechanism, the thermal diffusion from the compact to the stage is suppressed. The high melting point metal oxide is efficiently carbon reduced to the high melting point metal.

以上述べたように、本発明によれば、炭素還元によって、より高純度の高融点金属体が製造される。   As described above, according to the present invention, carbon reduction produces a high-purity refractory metal body.

本実施形態に係る真空加熱装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the vacuum heating apparatus which concerns on this embodiment. 図(a)は、台座の概略断面図である。図(b)は、台座の概略上面図である。Figure (a) is a schematic cross-sectional view of the pedestal. Figure (b) is a schematic top view of the pedestal. 成形体から台座を介してステージへ移動する熱の流れの一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the flow of the heat which moves to a stage from a molded object through a base. 本実施形態に係る真空加熱装置の動作の一例を示す概略グラフ図である。It is a schematic graph which shows an example of operation | movement of the vacuum heating apparatus which concerns on this embodiment. 図(a)は、比較例に係る真空加熱処理で形成されたタンタル金属体のX線回折結果である。図(b)は、本実施形態に係る真空加熱処理で形成されたタンタル金属体のX線回折結果である。図(c)は、炭素還元が図られたタンタル金属体の概略下面図である。図(d)は、図(c)の破線における概略断面図である。Figure (a) is the result of X-ray diffraction of the tantalum metal body formed by the vacuum heat treatment according to the comparative example. FIG. (B) is the result of X-ray diffraction of the tantalum metal body formed by the vacuum heat treatment according to the present embodiment. FIG. (C) is a schematic bottom view of a tantalum metal body subjected to carbon reduction. The figure (d) is a schematic sectional view in a dashed line of a figure (c). 図(a)及び図(b)は、台座の変形例の概略断面図である。The figures (a) and (b) are schematic cross-sectional views of modifications of the pedestal. 図(a)及び図(b)は、台座の別の変形例の概略断面図である。The figures (a) and (b) are schematic cross-sectional views of another modified example of the pedestal. 図(a)〜図(c)は、台座の別の変形例の概略斜視図である。The figures (a) to (c) are schematic perspective views of another modified example of the pedestal.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、XYZ軸座標が導入される場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, XYZ axis coordinates may be introduced.

図1は、本実施形態に係る真空加熱装置の概略断面図である。図1に示される真空加熱装置1は、一例であり、この例に限らない。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a vacuum heating apparatus according to the present embodiment. The vacuum heating device 1 shown in FIG. 1 is an example and is not limited to this example.

真空加熱装置1は、真空容器10と、脚部11と、基体12と、排気機構20と、ステージ30と、台座40Aと、加熱機構50と、断熱部材60と、ガス供給機構80とを具備する。図1の例では、台座40A上に成形体100が載置された状態が示されている。この状態では、成形体100は、加熱される前の状態にある。   The vacuum heating apparatus 1 includes a vacuum vessel 10, a leg 11, a base 12, an exhaust mechanism 20, a stage 30, a pedestal 40A, a heating mechanism 50, a heat insulating member 60, and a gas supply mechanism 80. Do. In the example of FIG. 1, the state in which the molded object 100 was mounted on the base 40A is shown. In this state, the molded body 100 is in a state before being heated.

真空容器10は、基体12、ステージ30、台座40A、加熱機構50、断熱部材60、及び成形体100を囲む。真空容器10は、例えば、円筒状の真空容器で、X軸方向に延在する。真空加熱装置1においては、図1の手前と奥にも真空容器10の一部である扉部(不図示)が配置され、真空容器10内のガスが排気機構20によって排気される。これにより、真空容器10内は、減圧状態に維持される。排気機構20は、例えば、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ等の真空ポンプを有する。真空容器10は、脚部11により支持されている。基体12は、真空容器10内に固定され、断熱部材60下に配置されている。なお、基体12も断熱材として機能する。   The vacuum vessel 10 encloses the base 12, the stage 30, the pedestal 40 A, the heating mechanism 50, the heat insulating member 60, and the molded body 100. The vacuum vessel 10 is, for example, a cylindrical vacuum vessel and extends in the X-axis direction. In the vacuum heating device 1, a door (not shown) which is a part of the vacuum vessel 10 is disposed at the front and back of FIG. 1, and the gas in the vacuum vessel 10 is exhausted by the exhaust mechanism 20. Thus, the inside of the vacuum vessel 10 is maintained in a reduced pressure state. The exhaust mechanism 20 includes, for example, a vacuum pump such as a rotary pump or a mechanical booster pump. The vacuum vessel 10 is supported by the legs 11. The substrate 12 is fixed in the vacuum vessel 10 and disposed under the heat insulating member 60. The base 12 also functions as a heat insulating material.

真空容器10内には、断熱部材60が設けられている。断熱部材60は、固定冶具65により真空容器10の内壁10wに固定されている。断熱部材60は、ステージ30の一部、台座40A、加熱機構50の一部、及び成形体100を囲む。断熱部材60の内側は、断熱部材60の外側から密閉されてなく、真空容器10内では、断熱部材60の内側と外側とでガスの行き来が可能である。   In the vacuum vessel 10, a heat insulating member 60 is provided. The heat insulating member 60 is fixed to the inner wall 10 w of the vacuum vessel 10 by a fixing jig 65. The heat insulating member 60 surrounds a part of the stage 30, the pedestal 40A, a part of the heating mechanism 50, and the molded body 100. The inside of the heat insulating member 60 is not sealed from the outside of the heat insulating member 60, and in the vacuum vessel 10, gas can flow between the inside and the outside of the heat insulating member 60.

断熱部材60は、下部断熱部材61と、側部断熱部材62a、62bと、上部断熱部材63とを有する。下部断熱部材61は、X−Y平面に対して平行に配置されている。下部断熱部材61は、Z軸方向において上部断熱部材63に対向する。側部断熱部材62aと側部断熱部材62bとは、Y軸方向において互いに対向する。下部断熱部材61、側部断熱部材62a、62b、及び上部断熱部材63のそれぞれは、X軸方向に延在する。真空容器10内には、成形体100の手前及び奥にも断熱部材が配置されてもよい。   The heat insulating member 60 has a lower heat insulating member 61, side heat insulating members 62a and 62b, and an upper heat insulating member 63. The lower heat insulating member 61 is disposed in parallel to the XY plane. The lower heat insulating member 61 faces the upper heat insulating member 63 in the Z-axis direction. The side heat insulating member 62a and the side heat insulating member 62b face each other in the Y-axis direction. Each of lower heat insulating member 61, side heat insulating members 62a and 62b, and upper heat insulating member 63 extends in the X-axis direction. In the vacuum vessel 10, a heat insulating member may be disposed in front of and behind the molded body 100.

ステージ30の一部は、断熱部材60内に設けられている。ステージ30は、ステージ本体31と、複数の支柱33と、炭素板32と、炭素シート34とを有する。ステージ本体31及び支柱33は、例えば、炭素製材料で構成されている。炭素板32と、炭素シート34とは、ステージ30から適宜取り除いてもよい。   A part of the stage 30 is provided in the heat insulating member 60. The stage 30 includes a stage body 31, a plurality of columns 33, a carbon plate 32, and a carbon sheet 34. The stage body 31 and the support 33 are made of, for example, a carbon material. The carbon plate 32 and the carbon sheet 34 may be removed from the stage 30 as appropriate.

複数の支柱33のそれぞれは、例えば、下部断熱部材61を貫通し、基体12に対して垂直に立設されている。ステージ本体31は、複数の支柱33(例えば、4点支持)により支えられている。これにより、ステージ本体31は、X−Y平面に対して平行に配置される。さらに、ステージ30は、ステージ本体31が下部断熱部材61に直接接しない構成になる。   Each of the plurality of columns 33 penetrates the lower heat insulating member 61, for example, and is erected vertically to the base 12. The stage main body 31 is supported by a plurality of columns 33 (for example, four-point support). Thereby, the stage main body 31 is arrange | positioned in parallel with respect to a XY plane. Furthermore, the stage 30 is configured such that the stage main body 31 is not in direct contact with the lower heat insulating member 61.

炭素板32は、ステージ本体31上に載置されている。ステージ本体31及び炭素板32は、断熱部材60内においてX軸方向に延在する。例えば、Z軸方向からステージ本体31及び炭素板32を見た場合、ステージ本体31及び炭素板32の平面形状は、例えば、長方形である。   The carbon plate 32 is mounted on the stage main body 31. The stage main body 31 and the carbon plate 32 extend in the X-axis direction in the heat insulating member 60. For example, when the stage main body 31 and the carbon plate 32 are viewed from the Z-axis direction, the planar shapes of the stage main body 31 and the carbon plate 32 are, for example, rectangular.

ステージ本体31の下に下部断熱部材61が配置されていることにより、成形体100が加熱機構50によって加熱された場合、成形体100に与えられた熱が真空容器10に逃げにくい構成になる。また、炭素板32は、線膨張係数が小さく、耐熱特性に優れる。このような炭素板32をステージ本体31上に配置することにより、ステージ本体31は、は、成形体100及び台座40Aから直接的な損傷を受けにくく、成形体100及び台座40Aを広い面積にわたり安定して支持することができる。   By disposing the lower heat insulating member 61 under the stage main body 31, when the molded body 100 is heated by the heating mechanism 50, the heat given to the molded body 100 is less likely to escape to the vacuum vessel 10. Further, the carbon plate 32 has a small coefficient of linear expansion and is excellent in heat resistance characteristics. By arranging such a carbon plate 32 on the stage main body 31, the stage main body 31 is less likely to be directly damaged from the molded body 100 and the pedestal 40A, and is stable over a wide area of the molded body 100 and the pedestal 40A. Can be supported.

また、台座40Aと炭素板32との間に炭素シート34を配置することにより、台座40Aが数千度以上の高温になったとしても、台座40Aと炭素板32との直接的な反応が抑えられる。この場合、台座40Aが炭素シート34と反応しても、炭素シート34を定期的に交換することにより、炭素板32においては、金属反応による腐食が回避される。   Further, by disposing the carbon sheet 34 between the pedestal 40A and the carbon plate 32, direct reaction between the pedestal 40A and the carbon plate 32 is suppressed even if the pedestal 40A reaches a high temperature of several thousand degrees or more. Be In this case, even if the pedestal 40A reacts with the carbon sheet 34, corrosion of the carbon plate 32 due to metal reaction is avoided by periodically replacing the carbon sheet 34.

ステージ30上には、台座40Aが載置されている。台座40Aの詳細については、後述する。   A pedestal 40A is mounted on the stage 30. The details of the pedestal 40A will be described later.

台座40A上には、成形体100が載置される。成形体100は、高融点金属酸化物及び炭素を含む。成形体100は、高融点金属酸化物の粉末と、炭素の粉末とが混合されて、高圧プレスにより成形されたペレット体またはブロック体である。高融点金属は、例えば、Ta(タンタル)、W(タングステン)、Mo(モリブデン)、Nb(ニオブ)、チタン(Ti)等のいずれかである。本実施形態では、高融点金属として、以下にTaを例示する。   The molded body 100 is placed on the pedestal 40A. Molded body 100 contains a refractory metal oxide and carbon. The molded body 100 is a pellet or a block formed by mixing a powder of a high melting point metal oxide and a powder of carbon and molding it by a high pressure press. The refractory metal is, for example, any of Ta (tantalum), W (tungsten), Mo (molybdenum), Nb (niobium), titanium (Ti) and the like. In the present embodiment, Ta is exemplified below as the high melting point metal.

例えば、成形体100は、タンタル酸化物(例えば、Ta)と炭素(C)とを含む。成形体100は、例えば、平均粒径が25μmのタンタル酸化物の粉末と、平均粒径が15μmの炭素の粉末とが圧力40MPaで加圧成形されたものである。 For example, the molded body 100 contains tantalum oxide (for example, Ta 2 O 5 ) and carbon (C). The molded body 100 is, for example, a powder of tantalum oxide having an average particle diameter of 25 μm and a powder of carbon having an average particle diameter of 15 μm, which are pressure-formed at a pressure of 40 MPa.

成形体100中の炭素のモル濃度(mol/m)は、タンタル酸化物のモル濃度の約5倍である。平均粒径は、例えば、レーザ散乱法により測定される。成形体100の形状は、一例として、厚さ10mm、径30mmのペレット体とする。成形体100の形状は、ペレット体に限らず、例えば、一辺が10mm以上100mm以下のブロック体であってもよい。 The molar concentration (mol / m 3 ) of carbon in the compact 100 is about 5 times the molar concentration of tantalum oxide. The average particle size is measured, for example, by laser scattering. The shape of the molded body 100 is, for example, a pellet of 10 mm in thickness and 30 mm in diameter. The shape of the molded body 100 is not limited to the pellet body, and may be, for example, a block body having a side of 10 mm to 100 mm.

なお、図1には、1個の成形体100が台座40Aによって支持されているが、X軸方向またはY軸方向に複数の台座40Aを配置し、これらの台座40A上に成形体100を載置してもよく、成形体100上に台座40Aを載置し、この台座40A上に別の成形体100が載置されてもよい。   Although one molded body 100 is supported by the pedestal 40A in FIG. 1, a plurality of pedestals 40A are disposed in the X-axis direction or the Y-axis direction, and the molded body 100 is mounted on these pedestals 40A. The pedestal 40A may be placed on the molded body 100, and another molded body 100 may be placed on the pedestal 40A.

加熱機構50は、成形体100を輻射熱によって加熱する。加熱機構50は、第1加熱機構51と、第2加熱機構52とを有する。   The heating mechanism 50 heats the molded body 100 by radiant heat. The heating mechanism 50 has a first heating mechanism 51 and a second heating mechanism 52.

第1加熱機構51は、ヒータ板51aと、絶縁性の支持冶具51bとを有する。支持冶具51bは、真空容器10の内壁10wに固定され、上部断熱部材63を貫通する。支持冶具51bは、ヒータ板51aを支持するとともに、真空容器10外からヒータ板51aに電力を供給する配線が設けられている。ヒータ板51aは、X軸方向に延在するとともに、上部断熱部材63から下部断熱部材61に向かう方向に延在する。ヒータ板51aは、側部断熱部材62aと接触せず、側部断熱部材62aと平行に配置されている。   The first heating mechanism 51 has a heater plate 51 a and an insulating support jig 51 b. The support jig 51 b is fixed to the inner wall 10 w of the vacuum vessel 10 and penetrates the upper heat insulating member 63. The support jig 51 b supports the heater plate 51 a and is provided with a wire for supplying power to the heater plate 51 a from the outside of the vacuum vessel 10. The heater plate 51 a extends in the X-axis direction and in the direction from the upper heat insulating member 63 toward the lower heat insulating member 61. The heater plate 51a is not in contact with the side heat insulation member 62a, and is disposed in parallel with the side heat insulation member 62a.

第2加熱機構52は、ヒータ板52aと、絶縁性の支持冶具52bとを有する。支持冶具52bは、真空容器10の内壁10wに固定され、上部断熱部材63を貫通する。支持冶具52bは、ヒータ板52aを支持するとともに、真空容器10外からヒータ板52aに電力を供給する配線が設けられている。ヒータ板52aは、X軸方向に延在するとともに、上部断熱部材63から下部断熱部材61に向かう方向に延在する。ヒータ板52aは、側部断熱部材62bと接触せず、側部断熱部材62bと平行に配置されている。   The second heating mechanism 52 has a heater plate 52a and an insulating support jig 52b. The support jig 52 b is fixed to the inner wall 10 w of the vacuum vessel 10 and penetrates the upper heat insulating member 63. The support jig 52 b supports the heater plate 52 a and is provided with a wire for supplying power to the heater plate 52 a from the outside of the vacuum vessel 10. The heater plate 52 a extends in the X-axis direction and in the direction from the upper heat insulating member 63 toward the lower heat insulating member 61. The heater plate 52a is not in contact with the side heat insulation member 62b, and is disposed in parallel with the side heat insulation member 62b.

互いに対向する一対のヒータ板51a、52aは、炭素製ヒータである。ヒータ板51a、52aのそれぞれの下端は、ステージ本体31よりも下に位置する。これにより、成形体100は、ヒータ板51a、52aからの輻射熱によって左右から均等に加熱される。例えば、成形体100は、1900℃以上に加熱され得る。   The pair of heater plates 51a, 52a facing each other is a heater made of carbon. The lower ends of the heater plates 51 a and 52 a are located below the stage main body 31. Thereby, the molded object 100 is equally heated from the left and right by the radiant heat from the heater boards 51a and 52a. For example, the molded body 100 can be heated to 1900 ° C. or higher.

ヒータ板は、成形体100の上方に配置されてもよく、成形体100の手前または奥にも配置されてもよい。これにより、横と上方から成形体100により均一に熱を与えることができる。   The heater plate may be disposed above the compact 100 or may be disposed in front of or behind the compact 100. Thereby, heat can be more uniformly applied to the compact 100 from the side and the top.

一方、真空加熱装置1では、炭素還元を利用した高融点金属体の量産を想定していることから、成形体100は1個とは限らず複数になり、ステージ30上の成形体の重量が嵩む場合もある。このため、真空加熱装置1では、成形体100を支持する頑丈なステージ30が必須になる。   On the other hand, in the vacuum heating apparatus 1, since mass production of a high melting point metal body utilizing carbon reduction is assumed, the number of the compacts 100 is not limited to one, and the weight of the compact on the stage 30 is It may be bulky. For this reason, in the vacuum heating device 1, a strong stage 30 for supporting the molded body 100 is essential.

従って、成形体100の下にはステージ30が配置され、ヒータ板は、配置されない。ここで、ステージ本体31の下にヒータ板を配置する手法もある。しかし、この構成では、ステージ本体31によってヒータ板からの輻射熱が遮られてしまう。さらに、ステージ本体31の下方にヒータ板を配置する場合、支柱33を避けてヒータ板を配置する必要があり、ステージ本体31下に配置するヒータ板の構造が複雑になってしまう。   Therefore, the stage 30 is disposed below the molded body 100, and the heater plate is not disposed. Here, there is also a method of arranging a heater plate under the stage main body 31. However, in this configuration, the radiation heat from the heater plate is blocked by the stage main body 31. Furthermore, when the heater plate is disposed below the stage main body 31, the heater plate needs to be disposed avoiding the columns 33, and the structure of the heater plate disposed below the stage main body 31 becomes complicated.

成形体100の温度は、例えば、ヒータ板51a、52aに投入する電力と、成形体100の温度との関係、ヒータ板51a、52aの温度と、成形体100の温度との関係等を予め求めることにより算出される。ヒータ板51a、52aの温度は、熱電対によって測定してもよく、または、放射温度計によって、直接、成形体100の温度を測定してもよい。また、成形体100の温度を間接的に測定する温度測定用の試料を成形体100の近傍に設置してもよい。   The temperature of the molded body 100 is obtained by, for example, finding in advance the relation between the electric power supplied to the heater plates 51a and 52a and the temperature of the molded body 100, the relation between the temperature of the heater plates 51a and 52a and the temperature of the molded body 100, etc. Calculated by The temperature of the heater plates 51a, 52a may be measured by a thermocouple, or the temperature of the molded body 100 may be measured directly by a radiation thermometer. In addition, a sample for temperature measurement which indirectly measures the temperature of the molded body 100 may be placed in the vicinity of the molded body 100.

ガス供給機構80は、真空容器10内に、N、Ar等のガスを供給することできる。例えば、成形体100に対する加熱が終了し、成形体100が所定の温度にまで冷却した後、ガス供給機構80によって真空容器10内にパージ用のガス(例えば、N)が供給される。 The gas supply mechanism 80 can supply a gas such as N 2 or Ar into the vacuum vessel 10. For example, after heating of the molded body 100 is completed and the molded body 100 is cooled to a predetermined temperature, a gas for purge (for example, N 2 ) is supplied into the vacuum vessel 10 by the gas supply mechanism 80.

図2(a)は、台座の概略断面図である。図2(b)は、台座の概略上面図である。   FIG. 2A is a schematic cross-sectional view of a pedestal. FIG. 2 (b) is a schematic top view of the pedestal.

台座40Aは、一例として、その断面が三角波形になるように構成されている。台座40Aは、第1方向(例えば、Y軸方向とZ軸方向との間の方向)に平行な第1板状部41と、第1方向に交差する第2方向(第1方向と線対称になる方向)に平行な第2板状部42とが交互に連結されている。第1板状部41及び第2板状部42の厚みは、典型的には、0.5mm以上である。   The pedestal 40A is, for example, configured to have a triangular waveform in cross section. The pedestal 40A has a first plate-like portion 41 parallel to the first direction (for example, a direction between the Y-axis direction and the Z-axis direction) and a second direction (line-symmetrical to the first direction) intersecting the first direction. And the second plate-like portions 42 parallel to each other are alternately connected. The thickness of the first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42 is typically 0.5 mm or more.

台座40Aにおいて、上端部40uは、成形体100に対向し、上端部40uとは反対側の下端部40dは、ステージ30に対向する。例えば、上端部40uは、成形体100に接し、下端部40dは、ステージ30に接する。   In the pedestal 40A, the upper end 40u faces the molded body 100, and the lower end 40d opposite to the upper end 40u faces the stage 30. For example, the upper end 40 u is in contact with the molded body 100, and the lower end 40 d is in contact with the stage 30.

このような板状部で構成された台座40Aにおいては、上端部40uから下端部40dまでの熱伝導経路が狭くなり、成形体100に与えられる熱が台座40Aを介してステージ30に逃げにくくなる。   In the pedestal 40A configured of such a plate-like portion, the heat conduction path from the upper end 40u to the lower end 40d is narrowed, and heat applied to the molded body 100 is less likely to escape to the stage 30 via the pedestal 40A. .

図3は、成形体から台座を介してステージへ移動する熱の流れの一例を示す概略断面図である。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of the flow of heat moving from the molded body to the stage via the pedestal.

台座40AをX−Y平面で切断したときの断面形状は、ストライプ状に構成される。これにより、台座40Aは、成形体100及びステージ30と、面接触でなく線接触で接触する。仮に、台座40Aを設けず、成形体100を直接、炭素シート34に載置した場合は、成形体100から炭素シート34に熱が伝熱され、成形体100の底部の温度が下がってしまう。また、反応により発生するCOガスが成形体100から抜けにくくなる。このような不具合を本実施形態は解決する。   The cross-sectional shape when the pedestal 40A is cut along the XY plane is configured in a stripe shape. Thereby, pedestal 40A contacts with molding 100 and stage 30 not by surface contact but by line contact. If the molded body 100 is placed directly on the carbon sheet 34 without providing the pedestal 40A, heat is transferred from the molded body 100 to the carbon sheet 34, and the temperature of the bottom of the molded body 100 is lowered. In addition, CO gas generated by the reaction is less likely to escape from the molded body 100. The present embodiment solves such problems.

例えば、成形体100に与えられた熱がステージ30に伝導する様子を中央に位置する上端部40uを例に説明する。成形体100から上端部40uに伝導した熱は、第1板状部41と第2板状部42との二股に分かれる。上端部40uから第1板状部41を伝導する熱は、下端部40dを介して一部がステージ30に逃げていくものの、第2板状部42に伝導し、成形体100側に戻る熱もある。同様に、上端部40uから第2板状部42を伝導する熱は、下端部40dを介して一部がステージ30に逃げていくものの、第1板状部41に伝導し、成形体100側に戻る熱もある。   For example, the upper end 40 u located at the center of the heat transfer to the stage 30 will be described as an example. The heat conducted from the molded body 100 to the upper end portion 40 u is split into a fork between the first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42. The heat conducted from the upper end 40u to the first plate 41 is partially dissipated to the stage 30 through the lower end 40d, but conducted to the second plate 42 and returned to the molded body 100. There is also. Similarly, although the heat conducted from the upper end 40u to the second plate-like portion 42 partially escapes to the stage 30 through the lower end 40d, the heat is conducted to the first plate-like portion 41 and the molded body 100 side There is also a fever back.

従って、台座40Aを用いることにより、成形体100からステージ30への熱伝導が極力抑えられ、成形体100が充分に加熱され得る。これにより、成形体100は、加熱機構50によって効率よく加熱される。   Therefore, by using the pedestal 40A, the heat conduction from the molded body 100 to the stage 30 can be suppressed as much as possible, and the molded body 100 can be sufficiently heated. Thus, the molded body 100 is efficiently heated by the heating mechanism 50.

また、成形体100を台座40Aに載置すると、上端部40uが成形体100と接触し、成形体100との間に空間部410(第1空間部)が形成される。台座40Aをステージ30上に載置すると、下端部40dがステージ30と接触し、ステージ30との間に空間部420(第2空間部)が形成される。ここで、台座40Aの高さhは、成形体100内で炭素還元が起きているときの真空容器10内のガスの平均自由行程以上に設定される。   When the molded body 100 is placed on the pedestal 40A, the upper end 40u comes in contact with the molded body 100, and a space portion 410 (first space portion) is formed between the molded body 100 and the molded body 100. When the pedestal 40A is placed on the stage 30, the lower end 40d contacts the stage 30, and a space 420 (second space) is formed between the lower end 40d and the stage 30. Here, the height h of the pedestal 40A is set to be equal to or greater than the mean free path of the gas in the vacuum vessel 10 when carbon reduction occurs in the molded body 100.

例えば、台座40Aの高さhは、4mm以上に設定される。台座40Aの高さhは、Y軸方向における上端部40u及び下端部40dのピッチを変えることで調製できる。これにより、空間部410の深さが約4mm以上になり、成形体100とステージ30との間におけるガスによる熱伝導が抑制され、成形体100が加熱機構50によって効率よく加熱される。例えば、成形体100温度をT1、ステージ30(炭素シート34)の温度をT2(T1>T2)とした場合、成形体100とステージ30との間隔hが平均自由行程λよりも長くなると(λ<<h)、定常状態における熱流束qは、例えば、q=k(T1−T2)/dで表わすことができ(k:気体の熱伝導率)、間隔hが大きくなるほど、熱流束qが低減すると考えられる。   For example, the height h of the pedestal 40A is set to 4 mm or more. The height h of the pedestal 40A can be prepared by changing the pitch of the upper end 40u and the lower end 40d in the Y-axis direction. Thereby, the depth of the space portion 410 becomes about 4 mm or more, the heat conduction by the gas between the green body 100 and the stage 30 is suppressed, and the green body 100 is efficiently heated by the heating mechanism 50. For example, assuming that the temperature of the molded body 100 is T1 and the temperature of the stage 30 (carbon sheet 34) is T2 (T1> T2), the distance h between the molded body 100 and the stage 30 becomes longer than the mean free path λ (λ << h), the heat flux q in the steady state can be expressed, for example, by q = k (T1-T2) / d (k: thermal conductivity of gas), and the heat flux q becomes larger as the spacing h becomes larger. It is thought that it reduces.

また、台座40Aは、成形体100の高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成される。これにより、成形体100中の高融点金属酸化物が炭素還元により高融点金属体になったとしても、台座40Aから高融点金属体に高融点金属以外の不純物が入りにくくなる。   The pedestal 40A is made of the same material as the refractory metal contained in the refractory metal oxide of the molded body 100. As a result, even if the refractory metal oxide in the molded body 100 becomes a refractory metal body by carbon reduction, it becomes difficult for impurities other than the refractory metal to enter the refractory metal body from the pedestal 40A.

次に、台座40Aを例にして、本実施形態に係る高融点金属体の製造方法の一例を説明する。
図4は、本実施形態に係る真空加熱装置の動作の一例を示す概略グラフ図である。
図4の横軸は、時間であり、右縦軸は、真空容器10内の圧力であり、左縦軸は、成形体100の温度である。
Next, one example of a method of manufacturing the refractory metal body according to the present embodiment will be described by taking the pedestal 40A as an example.
FIG. 4 is a schematic graph showing an example of the operation of the vacuum heating apparatus according to the present embodiment.
The horizontal axis in FIG. 4 is time, the right vertical axis is the pressure in the vacuum vessel 10, and the left vertical axis is the temperature of the molded body 100.

本実施形態に係る真空加熱処理では、予め、真空容器10内に設けられたステージ30上に台座40Aを載置する。続いて、成形体100を台座40A上に支持させる。   In the vacuum heating process according to the present embodiment, the pedestal 40A is placed on the stage 30 provided in the vacuum vessel 10 in advance. Subsequently, the molded body 100 is supported on the pedestal 40A.

次に、真空容器10内を排気機構20によって、数Pa(例えば、2Pa)まで排気し、真空排気をしながら成形体100を加熱機構50により、例えば、10℃/分の速度で加熱する。これにより、成形体100の温度は、徐々に上昇する。   Next, the inside of the vacuum vessel 10 is evacuated to several Pa (for example, 2 Pa) by the exhaust mechanism 20, and the molded body 100 is heated by the heating mechanism 50 at a rate of, for example, 10 ° C./min while evacuation is performed. Thereby, the temperature of the molded object 100 rises gradually.

真空容器10内の圧力は、成形体100の温度が室温から600℃になるまでは、真空容器10の内壁10w、ステージ30、断熱部材60、成形体100等に物理吸着していたガスの脱ガスが起きて、一旦、2Pa以上にまで上昇する。脱ガスが緩和すると、真空容器10内の圧力が再び減少する。   The pressure in the vacuum vessel 10 is such that the gas physically adsorbed on the inner wall 10w of the vacuum vessel 10, the stage 30, the heat insulating member 60, the compact 100, etc. is removed until the temperature of the compact 100 changes from room temperature to 600.degree. The gas rises and rises once to 2 Pa or more. As the degassing relaxes, the pressure in the vacuum vessel 10 decreases again.

成形体100への昇温加熱を続け、成形体100の温度が1935℃になった後、昇温加熱を停止して60分間、成形体100の温度を1935℃のまま保持する。成形体100では、約1800℃以上になると、炭素還元が起こり、例えば、タンタル酸化物が炭素によって還元されて、タンタル(Ta)と一酸化炭素(CO)とが生成する。これにより、真空容器10内の圧力が再び上昇する。炭素還元中、真空容器10内の圧力は、例えば、2Pa以上10Pa以下になる。一酸化炭素は、排気機構20のよって真空容器10外に排気される。   The temperature rising heating to the formed body 100 is continued, and after the temperature of the formed body 100 reaches 1935 ° C., the temperature rising heating is stopped and the temperature of the formed body 100 is maintained at 1935 ° C. for 60 minutes. In the molded body 100, carbon reduction occurs when the temperature is about 1800 ° C. or more, and, for example, tantalum oxide is reduced by carbon to form tantalum (Ta) and carbon monoxide (CO). Thereby, the pressure in the vacuum vessel 10 rises again. During carbon reduction, the pressure in the vacuum vessel 10 is, for example, 2 Pa or more and 10 Pa or less. Carbon monoxide is exhausted out of the vacuum vessel 10 by the exhaust mechanism 20.

炭素還元によって成形体100中の炭素が消費されると、成形体100中の炭素の量が減少し、成形体100からの一酸化炭素の放出が徐々に緩和する。これに応じて真空容器10内の圧力は減少し、真空容器10内の圧力減少が飽和したときに、成形体100への加熱を停止する。   When the carbon in the compact 100 is consumed by carbon reduction, the amount of carbon in the compact 100 is reduced, and the release of carbon monoxide from the compact 100 is gradually alleviated. In response to this, the pressure in the vacuum vessel 10 decreases, and when the pressure drop in the vacuum vessel 10 is saturated, the heating to the molded body 100 is stopped.

成形体100の温度が25℃以下になった後に、真空容器10内を例えばNガスで数回パージする。この後、真空容器10を大気開放して、タンタル酸化物が炭素還元されたタンタル金属体を真空容器10から取り出す。取り出したタンタル金属体は、例えば、別の真空容器に移されて、EB(Electron Beam)照射により溶解され、タンタル金属インゴットが形成される。タンタル金属インゴットは、例えば、タンタル膜をスパッタリグ成膜するタンタルターゲットとして切り出される。 After the temperature of the molded body 100 becomes 25 ° C. or lower, the inside of the vacuum vessel 10 is purged with, for example, N 2 gas several times. Thereafter, the vacuum vessel 10 is opened to the atmosphere, and the tantalum metal body from which the tantalum oxide is carbon reduced is taken out from the vacuum vessel 10. The removed tantalum metal body is transferred, for example, to another vacuum vessel and melted by EB (Electron Beam) irradiation to form a tantalum metal ingot. The tantalum metal ingot is cut out, for example, as a tantalum target on which a tantalum film is sputter-deposited.

本実施形態の効果について説明する。   The effects of this embodiment will be described.

図5(a)は、比較例に係る真空加熱処理で形成されたタンタル金属体のX線回折結果である。図5(b)は、本実施形態に係る真空加熱処理で形成されたタンタル金属体のX線回折結果である。図5(c)は、炭素還元が図られたタンタル金属体の概略下面図である。図5(d)は、図5(c)の破線における概略断面図である。   FIG. 5A is a result of X-ray diffraction of a tantalum metal body formed by vacuum heat treatment according to a comparative example. FIG. 5 (b) is the result of X-ray diffraction of the tantalum metal body formed by the vacuum heat treatment according to the present embodiment. FIG. 5C is a schematic bottom view of a tantalum metal body subjected to carbon reduction. FIG. 5D is a schematic cross-sectional view taken along a broken line in FIG.

X線回折は、θ−2θ法による。グラフの横軸は、2θ(°)であり、縦軸は、光強度(任意値)である。被測定体は、炭素還元が図られたタンタル金属体(厚さ10mm、径30mmのペレット体)である。実線Aは、図5(c)、(d)に示すタンタル金属体の端部PaのX線回折結果である。破線Bは、図5(c)、(d)に示すタンタル金属体の下側中央部PbのX線回折結果である。   X-ray diffraction is by the θ-2θ method. The horizontal axis of the graph is 2θ (°), and the vertical axis is light intensity (arbitrary value). The object to be measured is a tantalum metal body (a pellet of 10 mm in thickness and 30 mm in diameter) subjected to carbon reduction. The solid line A is the result of X-ray diffraction of the end portion Pa of the tantalum metal body shown in FIGS. 5 (c) and 5 (d). The broken line B is the result of X-ray diffraction of the lower central portion Pb of the tantalum metal body shown in FIGS. 5 (c) and 5 (d).

図5(a)に示す比較例では、台座として、2本のタンタル細線を並列に並べたものが用いられている。タンタル細線の径は、2mmである。すなわち、タンタル平行細線の高さは、2mmであり、成形体100とステージ30との間の距離は、2mmである。   In the comparative example shown in FIG. 5A, a pedestal in which two tantalum fine wires are arranged in parallel is used. The diameter of the tantalum wire is 2 mm. That is, the height of the tantalum parallel thin line is 2 mm, and the distance between the green body 100 and the stage 30 is 2 mm.

比較例において、タンタル金属体の端部Paでは、Ta、TaCのピークは観測されず、Taのピークが観測されている。しかし、タンタル金属体の下側中央部Pbでは、Taのピークが観測されたが、Ta、TaCのピークも観測されている。この理由として、以下のことが考えられる。 In the comparative example, the peaks of Ta 2 O 5 and Ta 2 C are not observed at the end Pa of the tantalum metal body, but the peaks of Ta are observed. However, although a peak of Ta was observed at the lower central part Pb of the tantalum metal body, peaks of Ta 2 O 5 and Ta 2 C were also observed. The following can be considered as the reason.

例えば、台座の高さが4mmより小さくなると、成形体100とステージ30との間に真空容器10内に残留するガスが溜りやすい。この結果、タンタル細線のほか、成形体100とステージ30との間に存在するガスが熱媒体になりやすい。   For example, when the height of the pedestal is smaller than 4 mm, the gas remaining in the vacuum vessel 10 is likely to be accumulated between the molded body 100 and the stage 30. As a result, the gas existing between the compact 100 and the stage 30 is likely to be the heat medium, in addition to the tantalum fine wire.

従って、加熱機構50により成形体100に熱を与えても、この熱は、タンタル細線のほか、成形体100とステージ30との間に存在するガスを介してステージ30に逃げていく。これにより、比較例では、成形体100の下部中央部の加熱が不充分になり、タンタル金属体の下側中央部Pbにおける炭素還元が不充分になる、と推測される。なお、径の異なるタンタル細線を用いて、成形体100とステージ30との間の距離を変えたところ、成形体100とステージ30との間の距離が3mm以下では、Ta、TaCのピークが観測されている。 Therefore, even if heat is applied to the compact 100 by the heating mechanism 50, this heat escapes to the stage 30 through the tantalum thin wire and the gas existing between the compact 100 and the stage 30. Thereby, in the comparative example, it is assumed that the heating of the lower central part of the molded body 100 becomes insufficient and the carbon reduction in the lower central part Pb of the tantalum metal body becomes insufficient. When the distance between the green body 100 and the stage 30 is changed using tantalum fine wires having different diameters, Ta 2 O 5 and Ta 2 are obtained when the distance between the green body 100 and the stage 30 is 3 mm or less. The peak of C is observed.

これに対して、本実施形態では、図5(b)に示すように、タンタル金属体の端部Pa及び下側中央部Pbで、Ta、TaCのピークが観測されず、Taのピークが観測されている。 On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 5B, the peaks of Ta 2 O 5 and Ta 2 C are not observed at the end Pa and the lower central part Pb of the tantalum metal body. The peak of Ta is observed.

すなわち、本実施形態では、台座40Aの高さが4mm以上であり、成形体100とステージ30との間で、ガスが熱媒体となりにくく、成形体100全体が加熱機構50によって充分に加熱される。この結果、成形体100全体で炭素還元が充分に進行する。   That is, in the present embodiment, the height of the pedestal 40A is 4 mm or more, the gas is less likely to be a heat medium between the molded body 100 and the stage 30, and the entire molded body 100 is sufficiently heated by the heating mechanism 50. . As a result, carbon reduction proceeds sufficiently in the entire molded body 100.

例えば、台座40Aを用いることにより、成形体100の温度を1935℃から1875℃に下げても、タンタル金属体の端部Pa及び下側中央部PbではTa、TaCに関するピークは観測されず、温度が1875℃でもタンタル金属体の端部Pa及び下側中央部Pbで炭素還元が充分に進行することがわかっている。 For example, even if the temperature of the molded body 100 is lowered from 1935 ° C. to 1875 ° C. by using the pedestal 40A, the peaks related to Ta 2 O 5 and Ta 2 C at the end Pa of the tantalum metal body and the lower central portion Pb Not observed, it is known that carbon reduction sufficiently proceeds at the end portion Pa of the tantalum metal body and the lower central portion Pb even at a temperature of 1875 ° C.

このように、本実施形態に係る真空加熱装置1によれば、成形体100から台座40Aを介してのステージ30への熱拡散が抑制され、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。これにより、高融点金属酸化物から高純度の高融点金属体が形成される。   As described above, according to the vacuum heating apparatus 1 according to the present embodiment, the thermal diffusion from the molded body 100 to the stage 30 via the pedestal 40A is suppressed, and the refractory metal oxide is efficiently carbonized to the refractory metal It is reduced. Thus, a high-purity refractory metal body is formed from the refractory metal oxide.

例えば、タンタル金属体における、C(炭素)、Al(アルミニウム)、Co(コバルト)、Cr(Cr)、Cu(銅)、Fe(鉄)、Mg(マグネシウム)、Mo(モリブデン)、Nb(ニオブ)、及びNi(ニッケル)の濃度の総和は、50ppm以下である。   For example, in a tantalum metal body, C (carbon), Al (aluminum), Co (cobalt), Cr (Cr), Cu (copper), Fe (iron), Mg (magnesium), Mo (molybdenum), Nb (niobium) And the total concentration of Ni (nickel) is 50 ppm or less.

図6(a)及び図6(b)は、台座の変形例の概略断面図である。   Fig.6 (a) and FIG.6 (b) are schematic sectional drawings of the modification of a base.

台座40Bは、水平方向に伸縮可能であり、水平方向における伸縮に応じて高さが変わる。水平方向とは、X−Y平面に対して平行な方向である。台座40Bは、第1板状部41と、第2板状部42と、基軸部43と、締付冶具44a、44bとを有する。基軸部43は、第1板状部41及び第2板状部42を貫通する。基軸部43の外周には、例えば、ねじ山が設けられ、締付冶具44a、44bの内周には、基軸部43のねじ山に対応したねじ溝が設けられている。第1板状部41と第2板状部42とは、ヒンジ機構により接続してもよい。   The pedestal 40B can be expanded and contracted in the horizontal direction, and its height changes in accordance with the expansion and contraction in the horizontal direction. The horizontal direction is a direction parallel to the X-Y plane. The pedestal 40B includes a first plate-like portion 41, a second plate-like portion 42, a base shaft portion 43, and tightening jigs 44a and 44b. The base shaft portion 43 penetrates the first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42. For example, screw threads are provided on the outer periphery of the base shaft portion 43, and screw grooves corresponding to the screw threads of the base shaft portion 43 are provided on the inner peripheries of the tightening jigs 44a and 44b. The first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42 may be connected by a hinge mechanism.

例えば、図6(a)には、基軸部43の両端に締付冶具44a、44bのそれぞれを嵌め込んだ後の状態が示されている。この状態では、台座40Bは、h1の高さを有している。図6(b)に示すように、締付冶具44a、44bを締めて、締付冶具44a、44bの互いの距離を狭めることにより、第1板状部41と第2板状部42との成す角が小さくなる。これにより、台座40Bは、Y軸方向に縮んで、台座40Bの高さが高さh1よりも高いh2になる。   For example, FIG. 6A shows a state after each of the fastening jigs 44a and 44b is fitted to both ends of the base shaft portion 43. As shown in FIG. In this state, the pedestal 40B has a height h1. As shown in FIG. 6 (b), by tightening the tightening jigs 44a and 44b and narrowing the distance between the tightening jigs 44a and 44b, the first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42 The angle formed is small. As a result, the pedestal 40B shrinks in the Y-axis direction, and the height of the pedestal 40B becomes h2 higher than the height h1.

このような台座40Bであれば、台座40Bの高さに応じて、成形体100から台座40Bを介してのステージ30へ伝導する熱量が調整できる。これにより、成形体100からステージ30への熱拡散が抑制される。   With such a pedestal 40B, the amount of heat conducted from the molded body 100 to the stage 30 via the pedestal 40B can be adjusted according to the height of the pedestal 40B. Thereby, the thermal diffusion from the molded body 100 to the stage 30 is suppressed.

また、台座40Bにおいては、最外の第1板状部41が締付冶具44aに接し、最外の第2板状部42と締付冶具44bに接している。これにより、上端部40uに重い成形体が載せられたとしても、最外の第1板状部41は、締付冶具44aによって止められ、最外の第2板状部42は、締付冶具44bによって止められる。すなわち、成形体100の重量が嵩んだとしても、台座40Bは、潰れにくくなる。   Further, in the pedestal 40B, the outermost first plate-like portion 41 is in contact with the tightening jig 44a, and is in contact with the outermost second plate-like portion 42 and the tightening jig 44b. Thereby, even if a heavy molded body is placed on the upper end portion 40u, the outermost first plate-like portion 41 is stopped by the tightening jig 44a, and the outermost second plate-like portion 42 is the tightening jig Stopped by 44b. That is, even if the weight of the molded body 100 is increased, the pedestal 40B is unlikely to be crushed.

また、台座40Bにおいては、隣り合う上端部40uのピッチが可変に構成される。これにより、成形体100の横幅に応じて上端部40uのピッチを変えることで、成形体100を台座40Bで安定して支持することができる。   Further, in the pedestal 40B, the pitch of the adjacent upper end portions 40u is configured to be variable. Thereby, the molded object 100 can be stably supported by the pedestal 40B by changing the pitch of the upper end 40u according to the width of the molded object 100.

図7(a)及び図7(b)は、台座の別の変形例の概略断面図である。   Fig.7 (a) and FIG.7 (b) are schematic sectional drawings of another modification of a base.

図7(a)に示す台座40Cにおいては、上端部40uが高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成される。例えば、台座40Cにおいては、第1板状部41と第2板状部42とが交わる部分に凹部45が形成され、凹部45内にTa小片46が担持されている。また、図7(b)に示す台座40Dにおいては、凹部45内にTa細線47が載置されている。   In the pedestal 40C shown in FIG. 7A, the upper end 40u is made of the same material as the refractory metal contained in the refractory metal oxide. For example, in the pedestal 40C, the recess 45 is formed in the portion where the first plate-like portion 41 and the second plate-like portion 42 intersect, and the Ta piece 46 is supported in the recess 45. Further, in the pedestal 40D shown in FIG. 7B, the thin Ta wire 47 is placed in the recess 45.

このような台座40C、40Dであれば、高融点金属体と、台座の上端部40uとが同じ材料で構成されているので、高融点金属体に台座40C、40Dからの不純物が入りにくくなる。   With such pedestals 40C and 40D, since the refractory metal and the upper end 40u of the pedestal are made of the same material, it is difficult for impurities from the pedestals 40C and 40D to enter the refractory metal.

図8(a)〜図8(c)は、台座の別の変形例の概略斜視図である。以下に示す台座は、台座40Aと同じ高さを有する。   Fig.8 (a)-FIG.8 (c) are schematic perspective views of another modification of a base. The pedestal shown below has the same height as the pedestal 40A.

図8(a)に示す台座40Eにおいては、上端部40uが成形体100と接触し、下端部40dがステージ30と接触することで、成形体100とステージ30との間を連通する空間部430が形成されている。台座40EのX−Y平面における断面形状は、円状である。   In the pedestal 40E shown in FIG. 8A, the upper end 40u is in contact with the molded body 100, and the lower end 40d is in contact with the stage 30, so that a space 430 communicating the molded body 100 and the stage 30 with each other. Is formed. The cross-sectional shape of the pedestal 40E in the X-Y plane is circular.

図8(b)に示す台座40Fにおいては、上端部40uが成形体100と接触し、下端部40dがステージ30と接触することで、成形体100とステージ30との間を連通する空間部440が形成されている。台座40FのX−Y平面における断面形状は、格子状である。   In the pedestal 40F shown in FIG. 8B, the upper end 40u is in contact with the molded body 100, and the lower end 40d is in contact with the stage 30, so that a space 440 communicating between the molded body 100 and the stage 30. Is formed. The cross-sectional shape in the XY plane of the pedestal 40F is lattice-like.

図8(c)に示す台座40Gにおいては、上端部40uが成形体100と接触し、下端部40dがステージ30と接触することで、成形体100とステージ30との間を連通する空間部450が形成されている。台座40GのX−Y平面における断面形状は、ハニカム状である。   In pedestal 40G shown in FIG. 8C, upper end portion 40u comes in contact with molded body 100, and lower end portion 40d comes in contact with stage 30, and a space portion 450 that allows communication between molded body 100 and stage 30. Is formed. The cross-sectional shape in the XY plane of the pedestal 40G is a honeycomb shape.

これらの台座を用いても、成形体100から台座を介してステージ30への熱拡散が抑制され、高融点金属酸化物が効率よく高融点金属に炭素還元される。   Even when these pedestals are used, the thermal diffusion from the molded body 100 to the stage 30 via the pedestals is suppressed, and the refractory metal oxide is efficiently carbon reduced to the refractory metal.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited only to the above-mentioned embodiment, of course, a various change can be added.

1…真空加熱装置
10…真空容器
10w…内壁
11…脚部
12…基体
20…排気機構
30…ステージ
31…ステージ本体
32…炭素板
33…支柱
34…炭素シート
40A、40B、40C、40D、40E、40F、40G…台座
40d…下端部
40u…上端部
41…第1板状部
42…第2板状部
410、420、430、440、450…空間部
43…基軸部
44a、44b…締付冶具
45…凹部
46…Ta小片
47…Ta細線
50…加熱機構
51…第1加熱機構
52…第2加熱機構
51a、52a…ヒータ板
51b、52b…支持冶具
60…断熱部材
61…下部断熱部材
62a、62b…側部断熱部材
63…上部断熱部材
65…固定冶具
80…ガス供給機構
100…成形体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum heating apparatus 10 ... Vacuum vessel 10w ... Inner wall 11 ... Leg part 12 ... Base | substrate 20 ... Exhaust mechanism 30 ... Stage 31 ... Stage main body 32 ... Carbon plate 33 ... Post 34 ... Carbon sheet 40A, 40B, 40C, 40D, 40E , 40F, 40G ... pedestal 40d ... lower end 40u ... upper end 41 ... first plate-like portion 42 ... second plate-like portion 410, 420, 430, 440, 450 ... space portion 43 ... basic shaft portion 44a, 44b ... tightening Jig 45: Recess 46: Ta small piece 47: Ta thin line 50: Heating mechanism 51: First heating mechanism 52: Second heating mechanism 51a, 52a: Heater plate 51b, 52b: Support jig 60: Heat insulation member 61: Lower heat insulation member 62a , 62b ... side heat insulating member 63 ... upper heat insulating member 65 ... fixing jig 80 ... gas supply mechanism 100 ... molded body

Claims (11)

真空容器と、
前記真空容器内のガスを排気する排気機構と、
前記真空容器内に設けられたステージと、
前記ステージに載置され、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能であり、前記成形体と接触する上端部と、前記ステージと接触する下端部とを有し、前記上端部が前記成形体と接触することで前記成形体との間に第1空間部が形成され、前記下端部が前記ステージと接触することで前記ステージとの間に第2空間部が形成される台座と、
前記成形体を加熱する加熱機構と
を具備する真空加熱装置。
With a vacuum vessel,
An exhaust mechanism for exhausting the gas in the vacuum vessel;
A stage provided in the vacuum vessel;
It is mounted on the stage and can support a molded body containing a refractory metal oxide and carbon, and has an upper end in contact with the molded body and a lower end in contact with the stage, the upper end being A pedestal in which a first space portion is formed between the molded body and the molded body by contacting the molded body, and a second space portion is formed between the lower end portion and the stage by contacting the stage ,
And a heating mechanism for heating the molded body.
請求項1に記載の真空加熱装置であって、
前記加熱機構は、前記ステージを挟み、互いに対向する一対のヒータ板を有する
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to claim 1, wherein
The heating mechanism includes a pair of heater plates that sandwich the stage and face each other.
請求項1または2に記載の真空加熱装置であって、
前記台座は、水平方向に伸縮可能であり、前記水平方向における伸縮に応じて高さが変わる
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The pedestal is horizontally extendable and retractable, and its height changes according to the extension and contraction in the horizontal direction. Vacuum heating apparatus.
請求項1〜3のいずれか1つに記載の真空加熱装置であって、
前記台座の水平方向における断面形状は、ストライプ状に構成されている
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
The cross-sectional shape in the horizontal direction of the said base is comprised by stripe shape. Vacuum heating apparatus.
請求項1〜4のいずれか1つに記載の真空加熱装置であって、
前記台座は、4mm以上の高さを有する
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein
The pedestal has a height of 4 mm or more.
請求項1〜5のいずれか1つに記載の真空加熱装置であって、
前記台座は、前記高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成される
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
The base is made of the same material as the refractory metal contained in the refractory metal oxide. Vacuum heating apparatus.
請求項1〜6のいずれか1つに記載の真空加熱装置であって、
前記台座の前記上端部は、前記高融点金属酸化物に含まれる高融点金属と同じ材料で構成される
真空加熱装置。
The vacuum heating device according to any one of claims 1 to 6, wherein
The said upper end part of the said base is comprised with the same material as the refractory metal contained in the said refractory metal oxide. Vacuum heating apparatus.
請求項1〜7のいずれか1つに記載の真空加熱装置であって、
前記ステージは、前記台座と接する炭素シートを含む
真空加熱装置。
The vacuum heating device according to any one of claims 1 to 7, wherein
The stage includes a carbon sheet in contact with the pedestal.
真空容器と、
前記真空容器内のガスを排気する排気機構と、
前記真空容器内に設けられたステージと、
前記ステージに載置され、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能であり、前記成形体と接触する上端部と、前記ステージと接触する下端部とを有し、前記上端部が前記成形体と接触し、前記下端部が前記ステージと接触することで、前記成形体と前記ステージとの間を連通する空間部が形成される台座と、
前記成形体を加熱する加熱機構と
を具備する真空加熱装置。
With a vacuum vessel,
An exhaust mechanism for exhausting the gas in the vacuum vessel;
A stage provided in the vacuum vessel;
It is mounted on the stage and can support a molded body containing a refractory metal oxide and carbon, and has an upper end in contact with the molded body and a lower end in contact with the stage, the upper end being A pedestal which is in contact with the molded body and the lower end portion is in contact with the stage to form a space communicating between the molded body and the stage;
And a heating mechanism for heating the molded body.
請求項9に記載の真空加熱装置であって、
前記台座の水平方向における断面形状は、ハニカム状、格子状及び円形状のいずれか1つに構成されている
真空加熱装置。
The vacuum heating apparatus according to claim 9, wherein
The cross-sectional shape in the horizontal direction of the pedestal is configured in any one of a honeycomb shape, a lattice shape, and a circular shape. Vacuum heating device.
真空容器内に設けられたステージ上に、高融点金属酸化物及び炭素を含む成形体を支持可能であり、前記成形体と接触する上端部と、前記ステージと接触する下端部とを有し、前記上端部が前記成形体と接触することで前記成形体との間に第1空間部が形成され、前記下端部が前記ステージと接触することで前記ステージとの間に第2空間部が形成される台座を載置し、
前記台座に前記成形体を支持させ、
前記真空容器内を排気機構により排気しつつ前記成形体を加熱機構によって加熱し、
前記高融点金属酸化物を炭素還元して、高融点金属体を形成する
高融点金属体の製造方法。
A molded body containing refractory metal oxide and carbon can be supported on a stage provided in a vacuum vessel, and has an upper end in contact with the molded body and a lower end in contact with the stage, A first space portion is formed between the upper end portion and the molded body by being in contact with the molded body, and a second space portion is formed between the lower end portion and the stage by being in contact with the stage. Place the pedestal to be
Causing the pedestal to support the molded body,
While the inside of the vacuum vessel is evacuated by an exhaust mechanism, the compact is heated by a heating mechanism;
The method for producing a high melting point metal body, wherein the high melting point metal oxide is reduced by carbon to form a high melting point metal body.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51125607A (en) * 1974-11-28 1976-11-02 Yasuichiro Moriyama A new process for produciing alloys
JPS58172270A (en) * 1982-03-31 1983-10-11 松下電器産業株式会社 Ceramic baking method
JPH07208873A (en) * 1994-01-14 1995-08-11 Nippondenso Co Ltd Ceramic burning table and burning method
JPH09159375A (en) * 1995-12-13 1997-06-20 Tokyo Tungsten Co Ltd Fixture for burning and manufacture thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51125607A (en) * 1974-11-28 1976-11-02 Yasuichiro Moriyama A new process for produciing alloys
JPS58172270A (en) * 1982-03-31 1983-10-11 松下電器産業株式会社 Ceramic baking method
JPH07208873A (en) * 1994-01-14 1995-08-11 Nippondenso Co Ltd Ceramic burning table and burning method
JPH09159375A (en) * 1995-12-13 1997-06-20 Tokyo Tungsten Co Ltd Fixture for burning and manufacture thereof

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