JP2018150611A - Vacuum treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被処理物に対して真空状態で処理を実行する処理室と、被処理物を移送する搬送路とを備えた真空処理装置に関する。 The present invention relates to a vacuum processing apparatus including a processing chamber that performs processing in a vacuum state on an object to be processed, and a conveyance path that transfers the object to be processed.
例えば、真空蒸着装置、スパッタリング装置やプラズマCVD装置などの真空処理装置には、被処理物である基板を立てて搬送する縦型搬送方式を採用したインターバック型基板処理装置(特許文献1参照)や成膜装置(特許文献2参照)がある。 For example, a vacuum processing apparatus such as a vacuum deposition apparatus, a sputtering apparatus, or a plasma CVD apparatus employs a back-type substrate processing apparatus that employs a vertical transport system that stands and transports a substrate that is an object to be processed (see Patent Document 1). And a film forming apparatus (see Patent Document 2).
特許文献1で開示されたインターバック型基板処理装置は、ゲートバルブで仕切られた複数の処理チャンバと、各処理チャンバを通して設定された搬送ラインとで主要部が構成されている。 The Inter-back type substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a plurality of processing chambers partitioned by a gate valve and a main part configured by a transfer line set through each processing chamber.
搬送ラインは、反転位置に向かう往路搬送ラインと反転位置から戻る復路搬送ラインからなり、往路搬送ラインと復路搬送ラインは平行な異なる経路であり、復路搬送ラインは平行な二つのラインに分岐している。 The transport line consists of an outward transport line that goes to the reverse position and a return transport line that returns from the reverse position. The forward transport line and the backward transport line are different parallel paths, and the return transport line branches into two parallel lines. Yes.
一方、特許文献2で開示された成膜装置は、複数の真空処理室に対して、第一の搬送経路(往路)と第二の搬送経路(復路)からなる2つの搬送経路が設けられている。 On the other hand, the film forming apparatus disclosed in Patent Document 2 is provided with two transport paths including a first transport path (forward path) and a second transport path (return path) for a plurality of vacuum processing chambers. Yes.
第一の搬送経路は、基板トレーがロード室から各真空処理室に搬送される往路となる。第二の搬送経路は、基板トレーが各真空処理室から加熱室を経てアンロード室に搬送される復路となる。 The first transport path is a forward path through which the substrate tray is transported from the load chamber to each vacuum processing chamber. The second transfer path is a return path in which the substrate tray is transferred from each vacuum processing chamber to the unload chamber via the heating chamber.
ところで、特許文献1,2で開示された従来の真空処理装置は、以下のような課題を持つ。 Incidentally, the conventional vacuum processing apparatuses disclosed in Patent Documents 1 and 2 have the following problems.
特許文献1で開示されたインターバック型基板処理装置では、複数の処理チャンバを通して設定された搬送ラインを具備していることから、処理チャンバ前後のゲートバルブごとに搬送ラインで基板の搬送が途切れることになる。その結果、搬送ラインで基板をスムーズに搬送することが困難となる。 Since the inter-back type substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a transfer line set through a plurality of processing chambers, the transfer of the substrate is interrupted in the transfer line for each gate valve before and after the processing chamber. become. As a result, it becomes difficult to smoothly transport the substrate on the transport line.
また、特許文献1のインターバック型基板処理装置では、処理チャンバと搬送ラインとが独立しておらず、1つの処理チャンバにおいて、往路搬送ライン上の基板と復路搬送ライン上の基板とに対して個別の処理を実行している。 Further, in the inter-back type substrate processing apparatus of Patent Document 1, the processing chamber and the transfer line are not independent, and in one processing chamber, the substrate on the forward transfer line and the substrate on the return transfer line are arranged. Individual processes are being executed.
そのため、一方の搬送ライン上の基板におけるガス圧の影響などにより、他方の搬送ライン上の基板における膜質に影響を受ける可能性がある。また、一方の搬送ライン上の基板に対する膜が拡散し、他方の搬送ライン上の基板に付着するおそれがある。 Therefore, there is a possibility that the film quality on the substrate on the other transfer line is affected by the influence of the gas pressure on the substrate on one transfer line. Further, the film on the substrate on one transport line may diffuse and adhere to the substrate on the other transport line.
一方、特許文献2の成膜装置についても、第1の搬送経路と第二の搬送経路がドアバルブで途切れている。そのため、第一の搬送経路と第二の搬送経路で基板をスムーズに搬送することが困難である。 On the other hand, also in the film-forming apparatus of patent document 2, the 1st conveyance path and the 2nd conveyance path are interrupted by the door valve. Therefore, it is difficult to smoothly transport the substrate through the first transport path and the second transport path.
また、特許文献2の成膜装置では、第一の搬送経路と第二の搬送経路からなる2つの搬送経路を設けていることから、設備面で成膜装置のコストアップを招くことになる。 Moreover, in the film-forming apparatus of patent document 2, since the two conveyance path | route which consists of a 1st conveyance path | route and a 2nd conveyance path | route is provided, the cost increase of the film-forming apparatus will be caused on an installation surface.
そこで、本発明は前述の課題に鑑みて提案されたもので、その目的とするところは、スムーズな搬送、高品質な処理および設備面でのコスト低減を容易に実現し得る真空処理装置を提供することにある。 Therefore, the present invention has been proposed in view of the above-described problems, and its object is to provide a vacuum processing apparatus that can easily realize smooth conveyance, high-quality processing, and cost reduction in terms of equipment. There is to do.
前述の目的を達成するための技術的手段として、本発明に係る真空処理装置は、中央に位置する往路と、その往路の両側に位置する復路とを備え、被処理物を移送する搬送路のみを往路に配設すると共に、被処理物に対して真空状態で処理を実行する処理室を復路に配設したことを特徴とする。 As a technical means for achieving the above-described object, the vacuum processing apparatus according to the present invention includes an outbound path located in the center and return paths positioned on both sides of the outbound path, and only a transport path for transferring an object to be processed. Is disposed in the forward path, and a processing chamber for performing processing on the workpiece in a vacuum state is disposed in the backward path.
本発明では、中央に位置する往路に、被処理物を移送する搬送路のみを配設したことにより、その搬送路の途中にゲートバルブが設けられていない。そのため、搬送路が途切れることなく、被処理物をスムーズに搬送することができる。 In the present invention, since only the transfer path for transferring the object to be processed is provided in the forward path located at the center, no gate valve is provided in the transfer path. Therefore, the object to be processed can be smoothly transported without interruption of the transport path.
また、本発明では、往路の両側に位置する復路に、被処理物に対して真空状態で処理を実行する処理室を配設したことにより、搬送路と処理室とを独立させている。そのため、処理室で高品質な処理を実行することができる。 Further, in the present invention, the transfer path and the processing chamber are made independent by disposing a processing chamber for performing processing on the workpiece in a vacuum state on the return path located on both sides of the forward path. Therefore, high-quality processing can be executed in the processing chamber.
さらに、本発明では、往路に設けた搬送路が単一であるので、設備面でのコスト低減を図ることが容易である。 Furthermore, in the present invention, since the transport path provided in the forward path is single, it is easy to reduce the cost in terms of equipment.
本発明において、搬送路の始端両側に、被処理物を搬送路に移送すると共に処理室から被処理物を搬出する第1のバッファエリアを配設すると共に、搬送路の終端両側に、処理室に被処理物を搬入する第2のバッファエリアを配設した構造が望ましい。 In the present invention, a first buffer area for transferring the object to be processed to the conveying path and carrying out the object to be processed from the processing chamber is disposed on both sides of the starting end of the conveying path, and the processing chamber is disposed on both ends of the conveying path. A structure in which a second buffer area for carrying an object to be processed is disposed on is desirable.
このような構造を採用すれば、第1のバッファエリア−搬送路−第2のバッファエリア−処理室−第1のバッファエリアからなる経路でもって、被処理物のロード、移送、処理およびアンロードを連続的に実行することができる。 If such a structure is adopted, the load, transfer, processing, and unloading of the object to be processed is performed by a path including the first buffer area, the transport path, the second buffer area, the processing chamber, and the first buffer area. Can be executed continuously.
本発明において、搬送路の途中に、被処理物を加熱するヒータを備えた構造が望ましい。 In the present invention, a structure including a heater for heating an object to be processed is desirable in the middle of the conveyance path.
このような構造を採用すれば、処理室で被処理物に対して処理を実行する前に、ヒータにより被処理物を予備加熱することができるので、被処理物に対する処理を効率よく実行することができる。 If such a structure is adopted, the object to be processed can be preheated by the heater before the object is processed in the processing chamber, so that the object can be efficiently processed. Can do.
本発明において、復路に複数の処理室を連設した構造が望ましい。 In the present invention, a structure in which a plurality of processing chambers are continuously provided in the return path is desirable.
このような構造を採用すれば、複数の処理室で被処理物に対して多重の処理を実行することが容易となる。 By adopting such a structure, it becomes easy to perform multiple processing on the workpiece in a plurality of processing chambers.
本発明によれば、搬送路にゲートバルブが設けられていないので、搬送路が途切れることなく、被処理物をスムーズに搬送することができる。また、搬送路と処理室とを独立させているので、処理室で高品質な処理を実行することができる。さらに、搬送路が単一であるので、設備面でのコスト低減を図ることが容易である。 According to the present invention, since the gate valve is not provided in the conveyance path, the workpiece can be smoothly conveyed without interruption of the conveyance path. In addition, since the transfer path and the processing chamber are independent, high-quality processing can be performed in the processing chamber. Furthermore, since there is a single transport path, it is easy to reduce costs in terms of equipment.
本発明に係る真空処理装置の実施形態を図面に基づいて以下に詳述する。 Embodiments of a vacuum processing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
以下の実施形態では、例えば、ITO焼結体をターゲットとし、ガラス基板上にITOをスパッタリングすることにより、ITO膜をガラス基板上に成膜するスパッタリング装置を例示する。 In the following embodiments, for example, a sputtering apparatus that forms an ITO film on a glass substrate by sputtering an ITO on the glass substrate using an ITO sintered body as a target is exemplified.
なお、本発明は、前述のスパッタリング装置以外に、真空蒸着装置やプラズマCVD装置などの他の薄膜形成装置に適用することが可能である。さらに、本発明は、薄膜形成装置以外の他の真空処理装置にも適用可能である。 Note that the present invention can be applied to other thin film forming apparatuses such as a vacuum evaporation apparatus and a plasma CVD apparatus in addition to the above-described sputtering apparatus. Further, the present invention can be applied to other vacuum processing apparatuses other than the thin film forming apparatus.
この実施形態のスパッタリング装置は、大型サイズのガラス基板の撓みを無くし、安定したガラス基板の搬送を実現するため、ガラス基板を傾斜させた状態で立てて搬送する縦型搬送のインライン型スパッタリング装置である。 The sputtering apparatus of this embodiment is an in-line type sputtering apparatus of a vertical transfer that eliminates the deflection of a large-sized glass substrate and realizes a stable transfer of the glass substrate in order to transfer the glass substrate in an inclined state. is there.
このスパッタリング装置は、図1に示すように、中央に位置する往路11と、その往路11の左右両側に位置する2つの復路12とを備えている。往路11には、被処理物であるガラス基板13を移送する搬送路14が配設されている。復路12には、ガラス基板13に対して真空状態で薄膜を形成する処理室である成膜室15が配設されている。
As shown in FIG. 1, the sputtering apparatus includes an
搬送路14の始端両側には、ガラス基板13を搬送路14に移送すると共に成膜室15からガラス基板13を搬出する第1のバッファエリア16が配設されている。搬送路14の終端両側には、成膜室15にガラス基板13を搬入する第2のバッファエリア17が配設されている。
On both sides of the starting end of the
搬送路14の途中には、ガラス基板13を予備加熱するためのヒータ18が設置されて加熱エリア19を構成している。成膜室15には、ターゲットを未処理のガラス基板13に供給するためのスパッタ源20が設けられている。
A
成膜室15のロード側およびアンロード側には、ゲートバルブ21が設けられている。ゲートバルブ21は、バッファエリア16,17と成膜室15との間で開閉する。
バッファエリア16には、スパッタリング装置へのガラス基板13の搬出入を実行するためのロード・アンロード室22がゲートバルブ23を介して連設されている。ゲートバルブ23は、ロード・アンロード室22とバッファエリア16との間で開閉する。ロード・アンロード室22の搬出入口にはドアバルブ24が設けられている。
In the
図2は、バッファエリア16におけるガラス基板13の搬送機構25を示す。この搬送機構25は、バッファエリア16にリニアガイド26により直動自在(図1および図2のXY矢印方向)に移動台27が設置されている。この移動台27は、バッファエリア16に取り付けられた直動シリンダ28に連結されている。
FIG. 2 shows a
移動台27には、プーリ29が回転自在に軸支されている。このプーリ29に駆動モータ30が同軸的に連結されている。また、プーリ29には、レール31を介して搬送台車32が載置されている。この搬送台車32には、トレイ33により傾斜状態で保持されたガラス基板13が載置されている。
A
以上の構成からなる搬送機構25は、搬送路14の終端両側に位置するバッファエリア17にも設置されている。なお、搬送機構25におけるプーリ29およびレール31に代えて、ピニオンおよびラックを使用することも可能である。
The
また、搬送路14には、図示しないが、駆動モータ、プーリおよびレール(あるいはピニオンおよびラック)からなる搬送機構が設置されており、トレイ33によりガラス基板13が保持された搬送台車32が搬送路14に沿って直進可能となっている。
In addition, although not shown in the drawing, a conveyance mechanism including a drive motor, a pulley, and a rail (or a pinion and a rack) is installed in the
この実施形態のスパッタリング装置では、以下の要領でもって、ガラス基板13の搬送および成膜が実行される。
In the sputtering apparatus of this embodiment, conveyance and film formation of the
図1に示すように、ロード・アンロード室22のドアバルブ24から未処理のガラス基板13が供給される。ロード・アンロード室22からゲートバルブ23を通ってバッファエリア16にガラス基板13が搬入される。ガラス基板13の搬入は、図2に示すように、搬送機構25の駆動モータ30の回転により、搬送台車32がレール31に沿って移動することにより行われる。
As shown in FIG. 1, an
ガラス基板13がバッファエリア16のロード・アンロード位置Pに配されると、搬送機構25により搬送路14の始端位置Qにガラス基板13が移送される(図1のX矢印参照)。ガラス基板13の移送は、搬送機構25の直動シリンダ28の駆動により、移動台27がリニアガイド26に沿って移動することにより行われる(図2のX矢印参照)。
When the
ガラス基板13が搬送路14の始端位置Qに配されると、搬送機構(図示せず)により搬送路14の終端位置Rまでガラス基板13が移送される。この搬送路14の途中では、加熱エリア19でヒータ18によりガラス基板13が予備加熱される。
When the
このスパッタリング装置の往路11には、搬送路14のみが配設されていることから、その搬送路14にゲートバルブが設けられていない。そのため、搬送路14が途切れることなく、ガラス基板13をスムーズに搬送することができる。
Since only the
また、スパッタリング装置の復路12に成膜室15が配設されていることから、搬送路14と成膜室15とを独立させている。そのため、成膜室15でガス圧などを独立して制御できるので、適正な膜質で成膜することができる。
Further, since the
さらに、搬送路14に膜が拡散することがないので、搬送路14上の未処理のガラス基板13に膜が付着することもない。その結果、高品質な成膜が得られる。また、搬送路14が単一であるので、設備面でのコスト低減が図れる。
Further, since the film does not diffuse in the
ガラス基板13が搬送路14の終端位置Rに移送されると、搬送機構25によりバッファエリア17の搬入位置Sにガラス基板13が移送される(図1のY矢印参照)。ガラス基板13の移送は、搬送機構25の直動シリンダ28の駆動により、移動台27がリニアガイド26に沿って移動することにより行われる(図2のY矢印参照)。
When the
ガラス基板13がバッファエリア17の搬入位置Sに配されると、搬送機構25によりゲートバルブ21を通して成膜室15にガラス基板13が搬入される。ガラス基板13の搬入は、搬送機構25の駆動モータ30の回転により、搬送台車32がレール31を沿って移動することにより行われる。
When the
ここで、往路11の搬送路14の左右両側に復路12が設けられている。そのため、搬送路14を移送されてくるガラス基板13は、左側の復路12と右側の復路12とに交互に振り分けられるようにして、両バッファエリア17の搬入位置Sに移送される。
Here, the
このように、往路11の搬送路14の左右両側に2つの復路12を設け、各復路12に成膜室15を配設することにより、成膜の処理能力を向上させることができる。また、一方の成膜室15のスパッタ源20をメンテナンスする場合であっても、他方の成膜室15のスパッタ源20を稼働させることができ、稼働効率を向上させることができる。
As described above, by providing the two
なお、ロード・アンロード室22から移送されてくるガラス基板13も、左右のバッファエリア16から交互に搬送路14の始端位置Qに配される。
In addition, the
成膜室15では、スパッタ源20のITO焼結体をターゲットとし、ガラス基板13上にITOをスパッタリングすることにより、ITO膜をガラス基板13上に成膜する。成膜が完了すると、搬送機構25によりゲートバルブ21を通してバッファエリア16にガラス基板13が搬出される。ガラス基板13の搬出は、搬送機構25の駆動モータ30の回転により、搬送台車32がレール31に沿って移動することにより行われる。
In the
ガラス基板13がバッファエリア16の搬出位置Tに配されると、搬送機構25によりバッファエリア16のロード・アンロード位置Pにガラス基板13が移送される。ガラス基板13の移送は、搬送機構25の直動シリンダ28の駆動により、移動台27がリニアガイド26に沿って移動することにより行われる。
When the
ガラス基板13がバッファエリア16のロード・アンロード位置Pに移送されると、搬送機構25によりロード・アンロード室22にガラス基板13が移送される。ガラス基板13の移送は、搬送機構25の駆動モータ30の回転により、搬送台車32がレール31に沿って移動することにより行われる。
When the
以上のようにして成膜を完了したガラス基板13は、ロード・アンロード室22のドアバルブ24から取り出される。
The
以上の実施形態では、スパッタリング装置の復路12に1つの成膜室15を設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、図3に示す実施形態のスパッタリング装置であってもよい。
In the above embodiment, the case where one
図3に示す実施形態は、スパッタリング装置の復路12に2つの成膜室15を連設した場合を例示する。この成膜室15の数は2つ以外の複数個であってもよく、その数は任意である。このように、複数個の成膜室15を連設することにより、ガラス基板13に多層膜を形成する場合に有効である。
The embodiment shown in FIG. 3 exemplifies a case where two
なお、図1に示す実施形態のスパッタリング装置と同一部分には同一参照符号を付して重複説明については省略する。 The same parts as those of the sputtering apparatus of the embodiment shown in FIG.
本発明は前述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、さらに種々なる形態で実施し得ることは勿論のことであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲に記載の均等の意味、および範囲内のすべての変更を含む。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can of course be implemented in various forms without departing from the gist of the present invention. It includes the equivalent meanings recited in the claims and the equivalents recited in the claims, and all modifications within the scope.
11 往路
12 復路
13 被処理物(ガラス基板)
14 搬送路
15 処理室(成膜室)
16 第1のバッファエリア
17 第2のバッファエリア
18 ヒータ
11
14
16
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