JP2018054669A - Method for manufacturing photoelectric wiring board, method for manufacturing electronic equipment, and photoelectric wiring board - Google Patents

Method for manufacturing photoelectric wiring board, method for manufacturing electronic equipment, and photoelectric wiring board Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the loss of an optical signal.SOLUTION: A method for manufacturing a photoelectric wiring board according to one embodiment comprises first to fourth steps. The first step prepares a first substrate including a first surface and an optical waveguide and an alignment mark on the first surface. The second step forms a mirror part in the optical waveguide with reference to the alignment mark. The third step forms an insulating layer on the optical waveguide and the mirror part. The fourth step forms a through hole in a portion located above the mirror part of the insulating layer with reference to the alignment mark.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、光導波路および配線導体を具備する光電気配線基板およびそれを用いた電子装置に関する。   The present disclosure relates to an opto-electric wiring board including an optical waveguide and a wiring conductor, and an electronic device using the same.

近年、情報処理能力の向上を目的として、電子装置間の信号伝送を光で行なうことが検討されている。そのため、電子装置の電気信号を光信号に変換して、光信号を伝送する光導波路が形成された光電気配線基板が開発されている。   In recent years, it has been studied to perform signal transmission between electronic devices using light for the purpose of improving information processing capability. Therefore, an optoelectric wiring board has been developed in which an optical waveguide for transmitting an optical signal by converting an electrical signal of an electronic device into an optical signal is formed.

このような光電気配線基板としては、例えば特許文献1に記載されている。この光電気配線基板は、光導波路を内蔵したビルドアップ層を有している。また、この光導波路上に位置するビルドアップ層には光通過路が設けられている。そして、この光電気配線基板の上記ビルドアップ層上に発光素子または受光素子を実装し、上記光通過路を介して発光素子または受光素子と光導波路とを光学的に結合することによって電子装置となる。   Such an opto-electric wiring board is described in Patent Document 1, for example. This optoelectric wiring board has a build-up layer with a built-in optical waveguide. The buildup layer located on the optical waveguide is provided with a light passage. An electronic device is mounted by mounting a light emitting element or a light receiving element on the build-up layer of the photoelectric wiring board, and optically coupling the light emitting element or the light receiving element and the optical waveguide through the light passage. Become.

特開2006−39045号公報JP 2006-39045 A

光電気配線基板およびこれを用いた電子装置では、さらなる光信号の損失を低減することが望まれている。本開示はこのような事情に鑑みて案出されたものであり、光信号の損失を低減することが可能な光電気配線基板および電子装置を提供することを目的とする。   In an optoelectric wiring board and an electronic device using the same, it is desired to further reduce the loss of an optical signal. The present disclosure has been devised in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an optoelectric wiring board and an electronic device that can reduce loss of an optical signal.

本発明の一実施形態に係る光電気配線基板の製造方法は、第1工程から第4工程を具備している。第1工程は、第1の面を有するとともに第1の面上に光導波路およびアライメントマークを有する第1基板を用意する工程である。第2工程は、上記アライメントマークを基準として光導波路にミラー部を形成する工程である。第3工程は、光導波路およびミラー部上に絶縁層を形成する工程である。第4工程は、上記アライメントマークを基準として絶縁層のミラー部の上方に位置する部位に貫通孔を形成する工程である。   The method for manufacturing an optoelectric wiring board according to an embodiment of the present invention includes first to fourth steps. The first step is a step of preparing a first substrate having a first surface and having an optical waveguide and an alignment mark on the first surface. The second step is a step of forming a mirror portion in the optical waveguide with reference to the alignment mark. The third step is a step of forming an insulating layer on the optical waveguide and the mirror part. The fourth step is a step of forming a through hole in a portion located above the mirror portion of the insulating layer with reference to the alignment mark.

本発明の一実施形態に係る光電気配線基板の製造方法は、第1工程から第4工程を具備している。第1工程は、第1の面を有するとともに第1の面上に光導波路、第1配線導体およびアライメントマークを有する第1基板を用意する工程である。第2工程は、上記アライメントマークを基準として光導波路にミラー部を形成する工程である。第3工程は、表面に第2配線導体を有する配線基板を第1配線導体上およびミラー部上に載置するとともに第1配線導体と第2配線導体とを電気的に接続する工程である。第4工程は、上記アライメントマークを基準として配線基板のミラー部の上方に位置する部位に貫通孔を形成する工程である。   The method for manufacturing an optoelectric wiring board according to an embodiment of the present invention includes first to fourth steps. The first step is a step of preparing a first substrate having a first surface and having an optical waveguide, a first wiring conductor, and an alignment mark on the first surface. The second step is a step of forming a mirror portion in the optical waveguide with reference to the alignment mark. The third step is a step of placing the wiring board having the second wiring conductor on the surface on the first wiring conductor and the mirror portion and electrically connecting the first wiring conductor and the second wiring conductor. The fourth step is a step of forming a through hole in a portion located above the mirror portion of the wiring board with the alignment mark as a reference.

本発明の一実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記のいずれかの製造方法によって光電気配線基板を作製した後、受光部または発光部がミラー部に対向するように受光素子または発光素子を光電気配線基板上に配置する配置工程を具備する。   A method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention includes a light receiving element or a light emitting element so that a light receiving unit or a light emitting unit faces a mirror unit after an optoelectric wiring board is manufactured by any one of the above manufacturing methods. Is disposed on the photoelectric wiring board.

本発明の一実施形態に係る光電気配線基板は、第1基板と、クラッド部と、コア部と、
ミラー部と、配線基板と、金属バンプとを具備している。第1基板は、第1の面を有するとともに第1の面上に第1配線導体を有している。クラッド部は、第1基板上に位置しており、第1配線導体の上方の部位に貫通孔を有している。コア部は、クラッド部の内部に位置しており、第1の面に沿って延びている。ミラー部は、コア部の延長上に位置している。配線基板は、表面に第2配線導体を有しており、クラッド部上に位置している。金属バンプは、貫通孔内に位置しており、第1配線導体と第2配線導体とを電気的に接続している。
An opto-electric wiring board according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a cladding portion, a core portion,
The mirror part, the wiring board, and the metal bump are provided. The first substrate has a first surface and a first wiring conductor on the first surface. The clad portion is located on the first substrate and has a through hole at a portion above the first wiring conductor. The core part is located inside the clad part and extends along the first surface. The mirror part is located on the extension of the core part. The wiring board has the second wiring conductor on the surface and is located on the clad portion. The metal bump is located in the through hole, and electrically connects the first wiring conductor and the second wiring conductor.

上記各実施形態によれば、光電気配線基板および電子装置において光信号の損失を低減することができる。   According to each of the embodiments described above, loss of optical signals can be reduced in the photoelectric circuit board and the electronic device.

第1実施形態に係る電子装置の平面図である。1 is a plan view of an electronic device according to a first embodiment. 図1の電子装置のII−II線における断面図である。It is sectional drawing in the II-II line of the electronic device of FIG. (a)は第1実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のIIIb−IIIb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectronic wiring board which concerns on 1st Embodiment, (b) is sectional drawing in the IIIb-IIIb line | wire of (a). (a)は第1実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のIVb−IVb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 1st Embodiment, (b) is sectional drawing in the IVb-IVb line | wire of (a). (a)は第1実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のVb−Vb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 1st Embodiment, (b) is sectional drawing in the Vb-Vb line | wire of (a). (a)は第1実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のVIb−VIb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectronic wiring board which concerns on 1st Embodiment, (b) is sectional drawing in the VIb-VIb line | wire of (a). (a)は第1実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のVIIb−VIIb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 1st Embodiment, (b) is sectional drawing in the VIIb-VIIb line | wire of (a). 第2実施形態に係る電子装置の平面図である。It is a top view of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 図8の電子装置のIX−IX線における断面図である。It is sectional drawing in the IX-IX line of the electronic device of FIG. (a)は第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のXb−Xb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing in the Xb-Xb line | wire of (a). (a)は第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のXIb−XIb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing in the XIb-XIb line | wire of (a). (a)は第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のXIIb−XIIb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing in the XIIb-XIIb line | wire of (a). 第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment. (a)は第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のXIVb−XIVb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing in the XIVb-XIVb line | wire of (a). (a)は第2実施形態に係る光電気配線基板の製造工程途中の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のXVb−XVb線における断面図である。(A) is a top view which shows the state in the middle of the manufacturing process of the optoelectric wiring board which concerns on 2nd Embodiment, (b) is sectional drawing in the XVb-XVb line | wire of (a).

本開示の光電気配線基板および電子装置について、図面を参照しながら説明する。また、光伝送モジュールは、いずれの方向が上方とされてもよいが、本開示では、便宜的に、直交座標系(X,Y,Z)を定義し、Z軸方向の正側を上方として上面等の言葉を用いる。   The optoelectric wiring board and the electronic device of the present disclosure will be described with reference to the drawings. In addition, in the present disclosure, for the sake of convenience, an orthogonal coordinate system (X, Y, Z) is defined, and the positive side in the Z-axis direction is set upward. Use words such as the top.

図1および図2に第1実施形態の光電気配線基板100を示す。この光電気配線基板100に光電変換素子8を実装することによって電子装置101となる。電子装置101は、例えば、光トランシーバー、サーバーまたはルータ等の製品に搭載される。   1 and 2 show a photoelectric wiring board 100 of the first embodiment. An electronic device 101 is obtained by mounting the photoelectric conversion element 8 on the optoelectric wiring board 100. The electronic device 101 is mounted on a product such as an optical transceiver, a server, or a router, for example.

光電変換素子8は、電気信号を光信号に変換する発光素子であってもよく、光信号を電気信号に変換する受光素子であってもよい。光電変換素子8は、例えば、金、銀、銅または半田等の接合部材を介して光電気配線基板100の配線導体7に電気的に接続される。具体例として、光電変換素子8は、光電気配線基板100の配線導体7上にフリップチップ実装されてもよい。   The photoelectric conversion element 8 may be a light emitting element that converts an electric signal into an optical signal, or may be a light receiving element that converts an optical signal into an electric signal. The photoelectric conversion element 8 is electrically connected to the wiring conductor 7 of the photoelectric circuit board 100 via a bonding member such as gold, silver, copper, or solder. As a specific example, the photoelectric conversion element 8 may be flip-chip mounted on the wiring conductor 7 of the photoelectric wiring substrate 100.

光電変換素子8は、種々の発光素子または受光素子を適用することができる。発光素子としては、例えば、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting LASER)等を使用することができる。また、受光素子としては、例えば、フォトダイオード(PD:Photo Diode)等を使用することができる。あるいは光電変換素子8は発光部および受光部をともに有する受発光素子であってもよい。   Various light emitting elements or light receiving elements can be applied to the photoelectric conversion element 8. As the light emitting element, for example, a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) can be used. Moreover, as a light receiving element, a photodiode (PD: Photo Diode) etc. can be used, for example. Alternatively, the photoelectric conversion element 8 may be a light receiving / emitting element having both a light emitting part and a light receiving part.

光電気配線基板100は、光信号および電気信号を伝送する機能を有する。光電気配線基板100は、第1基板1と、光導波路2と、アライメントマーク3と、ミラー部4と、絶縁層6とを具備している。   The optoelectric wiring board 100 has a function of transmitting optical signals and electrical signals. The optoelectric wiring board 100 includes a first substrate 1, an optical waveguide 2, an alignment mark 3, a mirror part 4, and an insulating layer 6.

第1基板1は、光電変換素子8および光導波路2を支持している。第1基板1は、例えば、複数の絶縁層(図示せず)と、複数の金属層(図示せず)と、ビア導体(図示せず)とを具備している。これらの複数の絶縁層および複数の金属層は交互に積層されている。また、ビア導体は1層の絶縁層を貫通して設けられており、このビア導体を介して、上下方向に隣り合う金属層同士が電気的に接続されている。なお、金属層は、第1基板1の配線導体として機能する。第1基板1は、従来周知の方法によって作製することができる。   The first substrate 1 supports the photoelectric conversion element 8 and the optical waveguide 2. The first substrate 1 includes, for example, a plurality of insulating layers (not shown), a plurality of metal layers (not shown), and via conductors (not shown). The plurality of insulating layers and the plurality of metal layers are alternately stacked. The via conductor is provided so as to penetrate through one insulating layer, and the metal layers adjacent in the vertical direction are electrically connected to each other via the via conductor. The metal layer functions as a wiring conductor of the first substrate 1. The first substrate 1 can be manufactured by a conventionally known method.

第1基板1は、複数の絶縁層および複数の金属層を有している場合に限られない。第1基板1は、例えば、1層の絶縁層と、1層の絶縁層の上面に配された金属層とを有するものでもよい。また、第1基板1は、例えば、複数の絶縁層からなる積層体と、積層体の上面に配された金属層とを有するものでもよい。また、第1基板1は、例えば、絶縁層と、複数の絶縁層からなる積層体とを混合して積層したものでもよい。   The first substrate 1 is not limited to having a plurality of insulating layers and a plurality of metal layers. The first substrate 1 may have, for example, one insulating layer and a metal layer disposed on the upper surface of the one insulating layer. Moreover, the 1st board | substrate 1 may have the laminated body which consists of a some insulating layer, and the metal layer distribute | arranged to the upper surface of the laminated body, for example. Moreover, the 1st board | substrate 1 may mix and laminate | stack the insulating layer and the laminated body which consists of a several insulating layer, for example.

第1基板1の絶縁層は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料、あるいはシリカ、アルミナまたはジルコニア等のセラミックス材料等が用いられる。また、第1基板1の金属層およびビア導体は、例えば、銅またはアルミニウム等の金属材料等が用いられる。   For the insulating layer of the first substrate 1, for example, a resin material such as an epoxy resin, or a ceramic material such as silica, alumina, or zirconia is used. The metal layer and via conductor of the first substrate 1 are made of a metal material such as copper or aluminum, for example.

アライメントマーク3は、第1基板1の上面(第1の面)に配されている。アライメントマーク3は、ミラー部4の位置を特定するための基準となるものであり、例えば平面視形状が円形状または多角形状等の図形であってもよく、これらの図形が組み合わされたものであってもよい。アライメントマーク3は、平面視したときに第1基板1の上面との境界が明確となるような状態で設けられる。例えば、アライメントマーク3と第1基板1の上面とは、色が異なっていてもよく、光反射率が異なっていてもよい。このようなアライメントマーク3は、第1基板1の上面に配された金属層または絶縁層であってもよい。あるいは、アライメントマーク3は、第1基板1の上面から突出した凸部であってもよく、第1基板1の上面から窪んだ凹部であってもよい。   The alignment mark 3 is disposed on the upper surface (first surface) of the first substrate 1. The alignment mark 3 serves as a reference for specifying the position of the mirror unit 4. For example, the shape in plan view may be a figure such as a circle or a polygon, and these figures are combined. There may be. The alignment mark 3 is provided in a state where the boundary with the upper surface of the first substrate 1 becomes clear when viewed in plan. For example, the alignment mark 3 and the upper surface of the first substrate 1 may have different colors and may have different light reflectivities. Such an alignment mark 3 may be a metal layer or an insulating layer disposed on the upper surface of the first substrate 1. Alternatively, the alignment mark 3 may be a protrusion protruding from the upper surface of the first substrate 1 or a recess recessed from the upper surface of the first substrate 1.

光導波路2は、光信号を伝送する機能を有する。光導波路2の厚みは、例えば、50μm以上110μm以下に設定される。光導波路2は、層状のクラッド部2aと、クラッド部2aの内部に位置した、少なくとも1つの帯状のコア部2bとを有している。コア部2bの屈折率は、クラッド部2aの屈折率よりも大きく設定されているため、コア部2b内に進入した光は、コア部2bとクラッド部2aとの界面において反射を繰り返しつつ、コア部2b内を進むことになる。その結果、光導波路2は、光信号を伝送することができる。   The optical waveguide 2 has a function of transmitting an optical signal. The thickness of the optical waveguide 2 is set to, for example, 50 μm or more and 110 μm or less. The optical waveguide 2 has a layered clad part 2a and at least one strip-shaped core part 2b located inside the clad part 2a. Since the refractive index of the core part 2b is set larger than the refractive index of the cladding part 2a, the light entering the core part 2b is repeatedly reflected at the interface between the core part 2b and the cladding part 2a, It will proceed in the part 2b. As a result, the optical waveguide 2 can transmit an optical signal.

コア部2bは、例えば、エポキシ樹脂等を使用することができる。クラッド部2aは、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。なお、コア部2bの屈折率は、例えば、1.5以上1.6以下に設定される。またクラッド部2aの屈折率は、例えば、1.45以上1.55以下に設定される。コア部2bの屈折率は、クラッド部2aの屈折率に対して例えば0.1%以上0.5%以下の範囲で、クラッド部2aの屈折率よりも大きく設定される。   For example, an epoxy resin or the like can be used for the core portion 2b. For example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like can be used for the clad portion 2a. In addition, the refractive index of the core part 2b is set to 1.5 or more and 1.6 or less, for example. Moreover, the refractive index of the clad part 2a is set to 1.45 or more and 1.55 or less, for example. The refractive index of the core part 2b is set larger than the refractive index of the cladding part 2a, for example, in the range of 0.1% to 0.5% with respect to the refractive index of the cladding part 2a.

光導波路2のクラッド部2aは、例えば、第1クラッド部と、第2クラッド部とを有している。第1クラッド部は、層状に形成されており、第1基板1の上面に積層されている。コア部2bは、帯状に形成されており、第1クラッド部の上面に配されている。第2クラッド部は、コア部2bの上面および側面を覆うように配されている。   The clad part 2a of the optical waveguide 2 has, for example, a first clad part and a second clad part. The first clad portion is formed in a layer shape, and is laminated on the upper surface of the first substrate 1. The core portion 2b is formed in a band shape and is disposed on the upper surface of the first cladding portion. The second cladding part is arranged so as to cover the upper surface and the side surface of the core part 2b.

光導波路2は、例えば以下のようにして作製することができる。まず、第1クラッド部となる樹脂フィルムを第1基板1の上面に積層する。次に、第1クラッド部の上面にコア部2bとなる樹脂フィルムを積層し、この樹脂フィルムの露光および現像を適宜行なうことによって帯状のコア部2bを形成する。次に、コア部2bの上面および側面を覆うように、第2クラッド部となる樹脂フィルムを第1クラッド部の上面に積層する。   The optical waveguide 2 can be manufactured as follows, for example. First, a resin film serving as a first cladding portion is laminated on the upper surface of the first substrate 1. Next, the resin film used as the core part 2b is laminated | stacked on the upper surface of a 1st clad part, and the strip | belt-shaped core part 2b is formed by performing exposure and image development of this resin film suitably. Next, a resin film to be the second cladding part is laminated on the upper surface of the first cladding part so as to cover the upper surface and side surfaces of the core part 2b.

なお、光導波路2のクラッド部2aは、透光性であればアライメントマーク3の上面を覆っていてもよい。このような構成であっても、クラッド部2aが透光性であれば、クラッド部2aを介してアライメントマーク3を認識することができる。   The clad 2a of the optical waveguide 2 may cover the upper surface of the alignment mark 3 as long as it is translucent. Even in such a configuration, the alignment mark 3 can be recognized through the cladding 2a if the cladding 2a is translucent.

ミラー部4は、光導波路2の一部に配されており、光電変換素子8とコア部2bとを光学的に接続するためのものである。ミラー部4は、コア部2bの延びる方向(X軸方向)に対して傾斜しており、その傾斜面が光反射面となっている。すなわち、ミラー部4は、光電変換素子8から下方(−Z方向)に向かって出射された光を平面方向(+X方向)に反射して、コア部2b内に光を誘導することができる。あるいは、ミラー部4は、傾斜したミラー部4によって、コア部2bから平面方向(−X方向)に出射された光を上方(+Z方向)に反射して光電変換素子8に光を誘導することができる。ミラー部4は、光導波路2の一部を、ダイシング、レーザー加工等を使用して切り欠くことによって形成することができる。   The mirror part 4 is arranged in a part of the optical waveguide 2 and is for optically connecting the photoelectric conversion element 8 and the core part 2b. The mirror part 4 is inclined with respect to the extending direction of the core part 2b (X-axis direction), and the inclined surface is a light reflecting surface. That is, the mirror part 4 can guide the light into the core part 2b by reflecting the light emitted downward (−Z direction) from the photoelectric conversion element 8 in the plane direction (+ X direction). Alternatively, the mirror unit 4 guides the light to the photoelectric conversion element 8 by reflecting the light emitted in the plane direction (−X direction) from the core unit 2 b upward (+ Z direction) by the inclined mirror unit 4. Can do. The mirror part 4 can be formed by cutting out a part of the optical waveguide 2 using dicing, laser processing or the like.

なお、ミラー部4とコア部2bとの間には、これらの間で伝送される光に対して光透過性を有する透光性樹脂が充填されていてもよい。このような透光性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等を使用することができる。透光性樹脂の屈折率は、コア部2bの屈折率よりも小さくてもよい。このような構成によって、ミラー部4とコア部2bとの間で良好に光信号を伝送させることができる。なお、透光性樹脂の屈折率は、例えば1.45以上1.55以下に設定される。   In addition, between the mirror part 4 and the core part 2b, the translucent resin which has a light transmittance with respect to the light transmitted between these may be filled. As such a translucent resin, for example, an epoxy resin or a silicone resin can be used. The refractive index of the translucent resin may be smaller than the refractive index of the core portion 2b. With such a configuration, an optical signal can be transmitted favorably between the mirror unit 4 and the core unit 2b. In addition, the refractive index of translucent resin is set to 1.45 or more and 1.55 or less, for example.

絶縁層6は、光導波路2上に位置しており、光電変換素子8を搭載するためのものである。絶縁層6は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。   The insulating layer 6 is located on the optical waveguide 2 and is for mounting the photoelectric conversion element 8. For the insulating layer 6, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like can be used.

絶縁層6のミラー部4上には厚み方向(Z軸方向)に貫通孔6aが設けられている。貫通孔6aは、光電変換素子8とミラー部4との光結合を良好に行なうための光の通路である。貫通孔6aは、絶縁層6として感光性樹脂を用い、露光と現像とを行なうことで作製することができる。貫通孔6a内には、光電変換素子8とミラー部4との間で伝送される光に対して光透過性を有する透光性樹脂が充填されていてもよい。このような透光性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等を使用することができる。   On the mirror part 4 of the insulating layer 6, a through hole 6 a is provided in the thickness direction (Z-axis direction). The through hole 6 a is a light path for satisfactorily optically coupling the photoelectric conversion element 8 and the mirror unit 4. The through-hole 6a can be produced by using a photosensitive resin as the insulating layer 6 and performing exposure and development. The through-hole 6a may be filled with a translucent resin having light transmissivity with respect to light transmitted between the photoelectric conversion element 8 and the mirror unit 4. As such a translucent resin, for example, an epoxy resin or a silicone resin can be used.

絶縁層6は、Z軸方向に平面視したときに、光導波路2の外側にまで延在していてもよい。その場合、光導波路2の外側においては、図2に示すように、他の絶縁層5を介して第1基板1上に絶縁層6が配されていてもよい。この他の絶縁層5厚みが光導波路2の厚みと同じであれば、他の絶縁層5の上面と光導波路2の上面とが同じ高さとなり、絶縁層6を良好に形成しやすくなる。他の絶縁層5は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。なお、上記の他の絶縁層5の代わりにクラッド部2aを延在させたものを用いてもよい。   The insulating layer 6 may extend to the outside of the optical waveguide 2 when viewed in plan in the Z-axis direction. In that case, outside the optical waveguide 2, as shown in FIG. 2, an insulating layer 6 may be disposed on the first substrate 1 via another insulating layer 5. If the thickness of the other insulating layer 5 is the same as the thickness of the optical waveguide 2, the upper surface of the other insulating layer 5 and the upper surface of the optical waveguide 2 have the same height, and the insulating layer 6 can be easily formed well. For the other insulating layer 5, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, an acrylic resin, or the like can be used. Instead of the other insulating layer 5 described above, an extension of the clad portion 2a may be used.

絶縁層6は配線導体7を具備していてもよい。配線導体7は光電変換素子8に電気信号を入力するため、あるいは光電変換素子8から電気信号を出力するためのものである。光電変換素子8は図2に示すように、半田等を用いて配線導体7上にフリップチップ実装されていてもよく、あるいは光電変換素子8と配線導体7とがワイヤボンディングによって接続されていてもよい。   The insulating layer 6 may include a wiring conductor 7. The wiring conductor 7 is for inputting an electric signal to the photoelectric conversion element 8 or for outputting an electric signal from the photoelectric conversion element 8. As shown in FIG. 2, the photoelectric conversion element 8 may be flip-chip mounted on the wiring conductor 7 using solder or the like, or the photoelectric conversion element 8 and the wiring conductor 7 may be connected by wire bonding. Good.

配線導体7は、図2に示すように、光電変換素子8を駆動するための半導体素子9が電気的に接続されていてもよい。また、配線導体7は、図2に示すように、絶縁層6および他の絶縁層5を貫通して第1基板1上に配された配線導体1bに電気的に接続されていてもよい。配線導体7は、銅、アルミニウムまたは半田等の金属材料等が用いられる。   As shown in FIG. 2, the wiring conductor 7 may be electrically connected to a semiconductor element 9 for driving the photoelectric conversion element 8. Further, as shown in FIG. 2, the wiring conductor 7 may be electrically connected to the wiring conductor 1 b disposed on the first substrate 1 through the insulating layer 6 and the other insulating layer 5. The wiring conductor 7 is made of a metal material such as copper, aluminum, or solder.

光電変換素子8は、その発光部またはその受光部が、絶縁層6の貫通孔6aを介してミラー部4と対向するようにして絶縁層6上に搭載される。このような構成によって、光電変換素子8とミラー部4とを近づけることができ、光導波路2と光電変換素子8とを低損失で光結合させることができる。   The photoelectric conversion element 8 is mounted on the insulating layer 6 so that the light emitting part or the light receiving part thereof faces the mirror part 4 through the through hole 6a of the insulating layer 6. With such a configuration, the photoelectric conversion element 8 and the mirror unit 4 can be brought close to each other, and the optical waveguide 2 and the photoelectric conversion element 8 can be optically coupled with low loss.

上記の第1実施形態の光電気配線基板100の製造方法を以下に示す。   A method for manufacturing the optoelectric wiring board 100 of the first embodiment will be described below.

まず、図3に示すように、第1基板1の上面(第1の面)に、フォトリソグラフィ技術等を利用して金属層を加工し、配線導体1bおよびアライメントマーク3を作製する。その後、第1基板1の上面に光導波路2を作製する。光導波路2は、アライメントマーク3を基準として形成してもよい。すなわち、光導波路2のコア部2bを形成する際、アライメントマーク3を基準として、コア部2bを所望の位置に所望の形状となるように作製する。これによって、後述するミラー部4と光導波路2とを良好に光接続することができる。   First, as shown in FIG. 3, a metal layer is processed on the upper surface (first surface) of the first substrate 1 using a photolithographic technique or the like, thereby producing the wiring conductor 1 b and the alignment mark 3. Thereafter, the optical waveguide 2 is formed on the upper surface of the first substrate 1. The optical waveguide 2 may be formed with the alignment mark 3 as a reference. That is, when the core portion 2b of the optical waveguide 2 is formed, the core portion 2b is produced in a desired shape at a desired position with the alignment mark 3 as a reference. Thereby, the mirror part 4 and the optical waveguide 2 which will be described later can be optically connected favorably.

次に、図4に示すように、アライメントマーク3を基準として光導波路2の一部を切欠いて、傾斜面から成るミラー部4を形成する。ミラー部4の傾斜面には、めっき等で金属層を被着して光反射率を高めてもよい。   Next, as shown in FIG. 4, a part of the optical waveguide 2 is cut out with the alignment mark 3 as a reference to form a mirror portion 4 having an inclined surface. On the inclined surface of the mirror part 4, a metal layer may be deposited by plating or the like to increase the light reflectance.

次に、図5に示すように、絶縁基板1および光導波路2の上に、他の絶縁層5および絶縁層6を積層する。他の絶縁層5は、光導波路2のクラッド部2aを延在させたものであってもよい。   Next, as shown in FIG. 5, another insulating layer 5 and an insulating layer 6 are laminated on the insulating substrate 1 and the optical waveguide 2. The other insulating layer 5 may be formed by extending the clad portion 2 a of the optical waveguide 2.

次に、図6に示すように、絶縁層6のミラー部4の上方に位置する部位に貫通孔6aを形成する。なお、貫通孔6aは、図6に示すように、絶縁層6を分断する溝であってもよい。また、絶縁層6および他の絶縁層5に、配線導体7を形成するための他の貫通孔を形成する。このような貫通孔6aおよび他の貫通孔は、絶縁層6および他の絶縁層5として感光性樹脂を用いて露光と現像とを行なうことによって、あるいは、レーザー加工によって作製できる。絶縁層6として感光性樹脂を用いた場合、絶縁層6に貫通孔6aを形成する際、ミラー部4の表面の損傷を低減して、ミラー部4の光反射効率を高く維持すること
ができる。
Next, as shown in FIG. 6, a through hole 6 a is formed in a portion of the insulating layer 6 located above the mirror portion 4. The through hole 6a may be a groove that divides the insulating layer 6 as shown in FIG. In addition, another through hole for forming the wiring conductor 7 is formed in the insulating layer 6 and the other insulating layer 5. Such through holes 6a and other through holes can be produced by performing exposure and development using a photosensitive resin as the insulating layer 6 and the other insulating layer 5, or by laser processing. When a photosensitive resin is used as the insulating layer 6, when the through-hole 6 a is formed in the insulating layer 6, damage to the surface of the mirror part 4 can be reduced and the light reflection efficiency of the mirror part 4 can be maintained high. .

以上のように、光導波路2にアライメント3を基準としてミラー部4を形成した後、再度、このアライメント3を基準として絶縁層6に貫通孔6aを形成する工程を具備することによって、光電気配線基板100における光信号の損失を低減することが可能となる。つまり、上記工程を具備することによって、光電気配線基板100に実装された光電変換素子8、絶縁層6の貫通孔6a、ミラー部4および光導波路2のコア部2bのそれぞれの位置精度を高めることが可能となる。   As described above, after forming the mirror portion 4 in the optical waveguide 2 with the alignment 3 as a reference, the process of forming the through hole 6a in the insulating layer 6 with the alignment 3 as a reference again is provided. It becomes possible to reduce the loss of the optical signal in the substrate 100. That is, by providing the above steps, the positional accuracy of the photoelectric conversion element 8 mounted on the optoelectric wiring substrate 100, the through hole 6a of the insulating layer 6, the mirror part 4 and the core part 2b of the optical waveguide 2 is increased. It becomes possible.

以上のようにして光電気配線基板100を作製した後、光電変換素子8の受光部または発光部(すなわち、受光素子の受光部または発光素子の発光部)がミラー部4に対向するように、光電変換素子8を絶縁層6上に配置する。これによって、図1および図2に示した電子装置101となる。   After producing the optoelectric wiring board 100 as described above, the light receiving part or the light emitting part of the photoelectric conversion element 8 (that is, the light receiving part of the light receiving element or the light emitting part of the light emitting element) is opposed to the mirror part 4. The photoelectric conversion element 8 is disposed on the insulating layer 6. As a result, the electronic device 101 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.

上記光電変換素子8を絶縁層6上に配置する際、上記のアライメントマーク3を基準として光電変換素子8を絶縁層6上に配置してもよい。その場合、光電変換素子8とミラー部4との位置精度がさらに向上し、電子装置101の光損失をさらに低減できる。   When the photoelectric conversion element 8 is disposed on the insulating layer 6, the photoelectric conversion element 8 may be disposed on the insulating layer 6 with the alignment mark 3 as a reference. In this case, the positional accuracy between the photoelectric conversion element 8 and the mirror unit 4 is further improved, and the optical loss of the electronic device 101 can be further reduced.

<変形例>
図8および図9に第2実施形態の光電気配線基板200を示す。この光電気配線基板200に光電変換素子28を実装することによって電子装置201となる。
<Modification>
8 and 9 show an optoelectric wiring board 200 according to the second embodiment. An electronic device 201 is formed by mounting the photoelectric conversion element 28 on the optoelectric wiring board 200.

光電気配線基板200は、第1基板21と、クラッド部22aと、コア部22bと、アライメントマーク23と、ミラー部24と、配線基板26とを具備している。   The optoelectric wiring board 200 includes a first substrate 21, a cladding part 22 a, a core part 22 b, an alignment mark 23, a mirror part 24, and a wiring board 26.

第1基板21は、上面(第1の面)に第1配線導体21bを有する。第1基板21および第1配線導体21bは、上記の光電気配線基板100で説明した、第1基板11および第1基板11に設けられた金属層と同様の材料および構成を用いることができる。   The first substrate 21 has a first wiring conductor 21b on the upper surface (first surface). For the first substrate 21 and the first wiring conductor 21b, the same material and configuration as those of the first substrate 11 and the metal layer provided on the first substrate 11 described in the above-described optoelectric wiring substrate 100 can be used.

アライメントマーク23は、第1基板1の上面(第1の面)に配されている。アライメントマーク23は、ミラー部24の位置を特定するための基準となるものである。アライメントマーク24は、上記の光電気配線基板100で説明した、アライメントマーク3と同様の材料および構成を用いることができる。   The alignment mark 23 is disposed on the upper surface (first surface) of the first substrate 1. The alignment mark 23 serves as a reference for specifying the position of the mirror portion 24. The alignment mark 24 may be made of the same material and configuration as the alignment mark 3 described in the photoelectric wiring board 100 described above.

クラッド部22aは、第1基板21上に位置しており、第1配線導体21bの上方の部位に貫通孔を有している。また、クラッド部22aの内部には、第1基板21の上面に沿って延びるコア部22bが位置しており、クラッド部22aとコア部22bとで光導波路22を構成している。クラッド部22aおよびコア部22bは、上記の光電気配線基板100で説明した、クラッド部2aおよびコア部2bと同様の材料および構成を用いることができる。   The clad portion 22a is located on the first substrate 21 and has a through hole in a portion above the first wiring conductor 21b. A core portion 22b extending along the upper surface of the first substrate 21 is located inside the cladding portion 22a, and the cladding portion 22a and the core portion 22b constitute the optical waveguide 22. The clad portion 22a and the core portion 22b can be made of the same material and configuration as the clad portion 2a and the core portion 2b described in the optoelectric wiring board 100.

ミラー部24は、コア部22bの延長上に配されており、光電変換素子28とコア部22bとを光学的に接続するためのものである。また、ミラー部24とコア部22bとの間には、これらの間で伝送される光に対して光透過性を有する透光性樹脂が充填されていてもよい。ミラー部24および透光性樹脂は、上記の光電気配線基板100で説明した、ミラー部4および透光性樹脂と同様の材料および構成を用いることができる。   The mirror part 24 is arranged on the extension of the core part 22b, and is for optically connecting the photoelectric conversion element 28 and the core part 22b. Moreover, between the mirror part 24 and the core part 22b, the translucent resin which has a light transmittance with respect to the light transmitted between these may be filled. The mirror part 24 and translucent resin can use the material and structure similar to the mirror part 4 and translucent resin which were demonstrated by said optoelectric wiring board 100. FIG.

配線基板26は、クラッド部22aの貫通孔およびミラー部24を上から覆うようにクラッド部22a上に位置している。配線基板26は表面に第2配線導体27を有している。配線基板26は、接着剤等を介してクラッド部22aの上面に接着されていてもよい。   The wiring board 26 is located on the cladding part 22a so as to cover the through hole of the cladding part 22a and the mirror part 24 from above. The wiring board 26 has a second wiring conductor 27 on the surface. The wiring board 26 may be bonded to the upper surface of the clad portion 22a via an adhesive or the like.

配線基板26は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂またはアクリル樹脂等を使用することができる。また、第2配線導体27は、銅、アルミニウムまたは半田等の金属材料等が用いられる。   For the wiring board 26, for example, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, acrylic resin, or the like can be used. The second wiring conductor 27 is made of a metal material such as copper, aluminum, or solder.

そして、クラッド部22aの貫通孔内には金属バンプ22cが位置しており、この金属バンプ22cが第2配線導体27と第1配線導体21bとを電気的に接続している。このような構成によって、クラッド部22aを貫通するように第1配線導体21bと第2配線導体27とを、高い接続信頼性を有する状態で接続することができる。その結果、光信号および電気信号の伝送性がともに優れた光光電気配線基板200を容易に作製することができる。つまり、第1基板21上に光導波路22を作製する際、第1配線導体21bが配された領域においてもクラッド部22aを絶縁層として用いることによって、絶縁層を別途形成する工程が簡略化される。ただし、クラッド部22aは、コア部22bとともに光伝送に適した材料が用いられるため、配線導体との密着性が低い場合が多い。そこで、金属バンプ22cを用いることによって、第1配線導体21bと第2配線導体27との接続信頼性を高めることができる。   A metal bump 22c is located in the through hole of the clad portion 22a, and the metal bump 22c electrically connects the second wiring conductor 27 and the first wiring conductor 21b. With such a configuration, the first wiring conductor 21b and the second wiring conductor 27 can be connected in a state having high connection reliability so as to penetrate the cladding portion 22a. As a result, it is possible to easily manufacture the opto-electrical wiring board 200 having excellent optical signal and electric signal transmission properties. That is, when the optical waveguide 22 is formed on the first substrate 21, the step of separately forming the insulating layer is simplified by using the cladding portion 22a as the insulating layer even in the region where the first wiring conductor 21b is disposed. The However, since the cladding portion 22a is made of a material suitable for optical transmission together with the core portion 22b, the adhesion to the wiring conductor is often low. Therefore, by using the metal bump 22c, the connection reliability between the first wiring conductor 21b and the second wiring conductor 27 can be improved.

金属バンプ24は、金、銀、銅または半田等の金属材料で形成される。また、金属バンプ24は、球状または柱状の形状を有している。金属バンプ24としては、例えば半田ボールまたはスタッドバンプ等が適用される。   The metal bump 24 is formed of a metal material such as gold, silver, copper, or solder. Further, the metal bump 24 has a spherical or columnar shape. For example, solder balls or stud bumps are applied as the metal bumps 24.

また、配線基板26は、ミラー部24の上方に位置する部位に貫通孔26aを有している。この貫通孔26aを介して、配線基板26上に搭載された光電変換素子28とミラー部24とが光学的に接続される。このような構成によって、光電変換素子28とミラー部24とを近づけることができ、光導波路22と光電変換素子28とを低損失で光結合させることができる。また、貫通孔26a内には、光電変換素子28とミラー部24との間で伝送される光に対して光透過性を有する透光性樹脂が充填されていてもよい。このような透光性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂等を使用することができる。   In addition, the wiring board 26 has a through hole 26 a at a position located above the mirror portion 24. The photoelectric conversion element 28 mounted on the wiring board 26 and the mirror part 24 are optically connected through the through hole 26a. With such a configuration, the photoelectric conversion element 28 and the mirror unit 24 can be brought close to each other, and the optical waveguide 22 and the photoelectric conversion element 28 can be optically coupled with low loss. Further, the through hole 26 a may be filled with a translucent resin having light transmissivity with respect to light transmitted between the photoelectric conversion element 28 and the mirror portion 24. As such a translucent resin, for example, an epoxy resin or a silicone resin can be used.

貫通孔26aは、配線基板26を光導波路22上に配置した後にレーザー加工等で形成してもよい。あるいは、予め配線基板26に貫通孔26aを形成しておき、貫通孔26aとミラー部24とが対向するように配線基板26を光導波路22上に配置してもよい。   The through hole 26 a may be formed by laser processing or the like after the wiring board 26 is disposed on the optical waveguide 22. Alternatively, the through hole 26 a may be formed in the wiring substrate 26 in advance, and the wiring substrate 26 may be disposed on the optical waveguide 22 so that the through hole 26 a and the mirror portion 24 face each other.

また、第2配線導体27は、図9に示すように、光電変換素子28を駆動するための半導体素子29が電気的に接続されていてもよい。   Further, as shown in FIG. 9, the second wiring conductor 27 may be electrically connected to a semiconductor element 29 for driving the photoelectric conversion element 28.

上記の第2実施形態の光電気配線基板200の製造方法を以下に示す。   A method for manufacturing the optoelectric wiring board 200 of the second embodiment will be described below.

まず、図10に示すように、第1基板21の上面(第1の面)に、フォトリソグラフィ技術等を利用して金属層を加工し、第1配線導体21bおよびアライメントマーク23を作製する。その後、第1基板21の上面に、層状のクラッド部22aとその内部に配された帯状のコア部22bとを有する光導波路22を作製する。光導波路22は、アライメントマーク23を基準として形成してもよい。すなわち、光導波路22のコア部22bを形成する際、アライメントマーク23を基準として、コア部22bを所望の位置に所望の形状となるように作製する。これによって、後述するミラー部24と光導波路22とを良好に光接続することができる。   First, as shown in FIG. 10, a metal layer is processed on the upper surface (first surface) of the first substrate 21 by using a photolithography technique or the like to produce the first wiring conductor 21 b and the alignment mark 23. Thereafter, an optical waveguide 22 having a layered clad portion 22a and a strip-shaped core portion 22b disposed therein is formed on the upper surface of the first substrate 21. The optical waveguide 22 may be formed with the alignment mark 23 as a reference. That is, when the core portion 22b of the optical waveguide 22 is formed, the core portion 22b is formed in a desired position at a desired position with the alignment mark 23 as a reference. Thereby, the mirror part 24 and the optical waveguide 22 which will be described later can be favorably optically connected.

なお、図10の例ではアライメントマーク23上にクラッド部22aが配されているが、クラッド部22aがアライメントマーク23を覆わないようにしてもよい。   In the example of FIG. 10, the clad portion 22 a is disposed on the alignment mark 23, but the clad portion 22 a may not cover the alignment mark 23.

次に、図11に示すように、アライメントマーク23を基準として光導波路22の一部を切欠いて、傾斜面から成るミラー部24を形成する。ミラー部24の傾斜面には、めっき等で金属層を被着して光反射率を高めてもよい。   Next, as shown in FIG. 11, a part of the optical waveguide 22 is cut out with the alignment mark 23 as a reference to form a mirror portion 24 having an inclined surface. The light reflectivity may be increased by depositing a metal layer on the inclined surface of the mirror portion 24 by plating or the like.

また、クラッド部22aの第1配線導体21aの上方に位置する部位に貫通孔を形成する。このような貫通孔は、クラッド22aとして感光性樹脂を用いて露光と現像とを行なうことによって、あるいは、レーザー加工によって作製できる。   Further, a through hole is formed in a portion of the clad portion 22a located above the first wiring conductor 21a. Such a through hole can be produced by performing exposure and development using a photosensitive resin as the cladding 22a, or by laser processing.

次に、図12に示すように、クラッド部22aの貫通孔内において、第1配線導体21a上に金属バンプ22cを載置する。そして、図14に示すように、表面に第2配線導体27を有する配線基板26を、金属バンプ22c上およびミラー部24上に載置するとともに第1配線導体21aと第2配線導体27とを金属バンプ22cで電気的に接続する。   Next, as shown in FIG. 12, the metal bump 22c is placed on the first wiring conductor 21a in the through hole of the clad portion 22a. Then, as shown in FIG. 14, the wiring board 26 having the second wiring conductor 27 on the surface is placed on the metal bump 22 c and the mirror part 24, and the first wiring conductor 21 a and the second wiring conductor 27 are connected. The metal bumps 22c are electrically connected.

あるいは、図11に示す工程の後、図12に示す工程に代えて、図13に示す工程を行なってもよい。この場合、図13に示すように、表面に第2配線導体27を有する配線基板26を用意し、この第2配線導体27上に金属バンプ22cを接続する。そして、図14に示すように、配線基板26を、クラッド部22aおよびミラー部24上に載置するとともに上記金属バンプ22cをクラッド部22aの貫通孔内に挿入する。そして、この挿入した金属バンプ22cと第1配線導体21aとを接続する。   Alternatively, after the step shown in FIG. 11, the step shown in FIG. 13 may be performed instead of the step shown in FIG. In this case, as shown in FIG. 13, a wiring board 26 having a second wiring conductor 27 on the surface is prepared, and metal bumps 22 c are connected on the second wiring conductor 27. Then, as shown in FIG. 14, the wiring board 26 is placed on the clad portion 22a and the mirror portion 24, and the metal bump 22c is inserted into the through hole of the clad portion 22a. Then, the inserted metal bump 22c and the first wiring conductor 21a are connected.

図12および図14の工程の後、あるいは図13および図14の工程の後、図15に示すように、配線基板26のミラー部24の上方に位置する部位に貫通孔26aを形成する。なお、貫通孔26aは、図12に示すように、配線基板26aを分断する溝であってもよい。このような貫通孔26aは、配線基板26として感光性樹脂を用いて露光と現像とを行なうことによって、あるいは、レーザー加工によって作製される。配線基板26として感光性樹脂を用いた場合、配線基板26に貫通孔26aを形成する際、ミラー部24の表面の損傷を低減して、ミラー部24の光反射効率を高く維持することができる。   After the steps of FIGS. 12 and 14, or after the steps of FIGS. 13 and 14, as shown in FIG. 15, a through hole 26a is formed in a portion located above the mirror portion 24 of the wiring board 26. The through hole 26a may be a groove that divides the wiring board 26a as shown in FIG. Such a through hole 26a is produced by performing exposure and development using a photosensitive resin as the wiring substrate 26, or by laser processing. When a photosensitive resin is used as the wiring board 26, when the through hole 26a is formed in the wiring board 26, damage to the surface of the mirror part 24 can be reduced, and the light reflection efficiency of the mirror part 24 can be maintained high. .

以上のように、光導波路22にアライメント23を基準としてミラー部24を形成した後、再度、このアライメント23を基準として配線基板26に貫通孔26aを形成する工程を具備することによって、光電気配線基板200における光信号の損失を低減することが可能となる。つまり、上記工程を具備することによって、光電気配線基板200に実装された光電変換素子28、配線基板26の貫通孔26a、ミラー部24および光導波路22のコア部22bのそれぞれの位置精度を高めることが可能となる。   As described above, after the mirror portion 24 is formed in the optical waveguide 22 with the alignment 23 as a reference, the through-hole 26a is formed in the wiring board 26 with the alignment 23 as a reference again. It becomes possible to reduce the loss of the optical signal in the substrate 200. That is, by providing the above steps, the positional accuracy of the photoelectric conversion element 28 mounted on the optoelectric wiring board 200, the through hole 26a of the wiring board 26, the mirror part 24, and the core part 22b of the optical waveguide 22 is increased. It becomes possible.

以上のようにして光電気配線基板200を作製した後、光電変換素子28の受光部または発光部(すなわち、受光素子の受光部または発光素子の発光部)がミラー部24に対向するように、光電変換素子28を配線基板26上に配置する。これによって、図8および図9に示した電子装置201となる。   After producing the optoelectronic wiring board 200 as described above, the light receiving part or the light emitting part of the photoelectric conversion element 28 (that is, the light receiving part of the light receiving element or the light emitting part of the light emitting element) is opposed to the mirror part 24. The photoelectric conversion element 28 is disposed on the wiring board 26. As a result, the electronic device 201 shown in FIGS. 8 and 9 is obtained.

上記光電変換素子28を配線基板26上に配置する際、上記のアライメントマーク23を基準として光電変換素子28を配線基板26上に配置してもよい。その場合、光電変換素子28とミラー部24との位置精度がさらに向上し、電子装置201の光損失をさらに低減できる。   When the photoelectric conversion element 28 is arranged on the wiring board 26, the photoelectric conversion element 28 may be arranged on the wiring board 26 with the alignment mark 23 as a reference. In this case, the positional accuracy between the photoelectric conversion element 28 and the mirror unit 24 is further improved, and the optical loss of the electronic device 201 can be further reduced.

なお、本発明は本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。   Note that the present invention is not limited to the present embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the spirit of the present invention.

1、21:第1基板
2、22:光導波路
2a、22a:クラッド部
2b、22b:コア部
3、23:アライメントマーク
4、24:ミラー部
6:絶縁層
7:配線導体
21b:第1配線導体
26:配線基板
27:第2配線導体
8、28:光電変換素子(受光素子または発光素子)
100、200:光電気配線基板
101、201:電子装置
Reference numerals 1, 2: 1: First substrate 2, 22: Optical waveguide 2a, 22a: Clad portion 2b, 22b: Core portion 3, 23: Alignment mark 4, 24: Mirror portion 6: Insulating layer 7: Wiring conductor 21b: First wiring Conductor 26: Wiring substrate 27: Second wiring conductor 8, 28: Photoelectric conversion element (light receiving element or light emitting element)
100, 200: Optoelectric wiring board 101, 201: Electronic device

Claims (10)

第1の面を有するとともに前記第1の面上に光導波路およびアライメントマークを有する第1基板を用意する第1工程と、
前記アライメントマークを基準として前記光導波路にミラー部を形成する第2工程と、
前記光導波路および前記ミラー部上に絶縁層を形成する第3工程と、
前記アライメントマークを基準として前記絶縁層の前記ミラー部の上方に位置する部位に貫通孔を形成する第4工程と
を具備する光電気配線基板の製造方法。
Preparing a first substrate having a first surface and having an optical waveguide and an alignment mark on the first surface;
A second step of forming a mirror portion in the optical waveguide with reference to the alignment mark;
A third step of forming an insulating layer on the optical waveguide and the mirror part;
And a fourth step of forming a through hole in a portion of the insulating layer located above the mirror portion with reference to the alignment mark.
前記第1工程は、前記第1の面に前記アライメントマークを形成した後、前記アライメントマークを基準として前記光導波路を形成することによって前記第1基板を作製する工程である、請求項1に記載の光電気配線基板の製造方法。   The said 1st process is a process of producing the said 1st board | substrate by forming the said optical waveguide on the basis of the said alignment mark after forming the said alignment mark in the said 1st surface. Manufacturing method of the optoelectric wiring board. 前記第3工程の後または前記第4工程の後に前記絶縁層上に配線導体を形成する工程をさらに具備する、請求項1または2に記載の光電気配線基板の製造方法。   The method of manufacturing an optoelectric wiring board according to claim 1, further comprising a step of forming a wiring conductor on the insulating layer after the third step or after the fourth step. 前記配線導体を形成する工程は、前記アライメントを基準として前記配線導体を形成する工程である、請求項3に記載の光電気配線基板の製造方法。   The method of manufacturing an optoelectric wiring board according to claim 3, wherein the step of forming the wiring conductor is a step of forming the wiring conductor based on the alignment. 前記絶縁層として感光性樹脂を用いる、請求項1乃至4のいずれかに記載の光電気配線基板の製造方法。   The method for manufacturing an optoelectronic wiring board according to claim 1, wherein a photosensitive resin is used as the insulating layer. 第1の面を有するとともに前記第1の面上に光導波路、第1配線導体およびアライメントマークを有する第1基板を用意する第1工程と、
前記アライメントマークを基準として前記光導波路にミラー部を形成する第2工程と、
表面に第2配線導体を有する配線基板を前記第1配線導体上および前記ミラー部上に載置するとともに前記第1配線導体と前記第2配線導体とを電気的に接続する第3工程と、
前記アライメントマークを基準として前記配線基板の前記ミラー部の上方に位置する部位に貫通孔を形成する第4工程と
を具備する光電気配線基板の製造方法。
Preparing a first substrate having a first surface and having an optical waveguide, a first wiring conductor and an alignment mark on the first surface;
A second step of forming a mirror portion in the optical waveguide with reference to the alignment mark;
A third step of placing a wiring board having a second wiring conductor on a surface thereof on the first wiring conductor and the mirror portion and electrically connecting the first wiring conductor and the second wiring conductor;
And a fourth step of forming a through hole in a portion of the wiring board located above the mirror portion with reference to the alignment mark.
前記第1工程は、前記第1の面に前記アライメントマークを形成した後、前記アライメントマークを基準として前記光導波路を形成することによって前記第1基板を作製する工程である、請求項6に記載の光電気配線基板の製造方法。   The said 1st process is a process of producing the said 1st board | substrate by forming the said optical waveguide on the basis of the said alignment mark after forming the said alignment mark in the said 1st surface. Manufacturing method of the optoelectric wiring board. 請求項1乃至7のいずれかに記載の製造方法によって光電気配線基板を作製した後、受光素子の受光部または発光素子の発光部が前記ミラー部に対向するように前記受光素子または前記発光素子を前記光電気配線基板上に配置する配置工程を具備する電子装置の製造方法。   8. The light receiving element or the light emitting element so that a light receiving part of the light receiving element or a light emitting part of the light emitting element faces the mirror part after the optoelectric wiring board is manufactured by the manufacturing method according to claim 1. A method of manufacturing an electronic device, comprising a disposing step of disposing a substrate on the photoelectric wiring board. 前記配置工程は、前記アライメントマークを基準として前記受光素子または前記発光素子を前記光電気配線基板上に配置する工程である、請求項8に記載の電子装置の製造方法。   The method of manufacturing an electronic device according to claim 8, wherein the arranging step is a step of arranging the light receiving element or the light emitting element on the photoelectric wiring board with the alignment mark as a reference. 第1の面を有するとともに前記第1の面上に第1配線導体を有する第1基板と、
前記第1基板上に位置しており、前記第1配線導体の上方の部位に貫通孔を有するクラッド部と、
前記クラッド部の内部に位置しており、前記第1の面に沿って延びるコア部と、
前記コア部の延長上に位置するミラー部と、
表面に第2配線導体を有しており、前記クラッド部上に位置している配線基板と、
前記貫通孔内に位置しており、前記第1配線導体と前記第2配線導体とを電気的に接続する金属バンプと
を具備している光電気配線基板。
A first substrate having a first surface and having a first wiring conductor on the first surface;
A clad portion that is located on the first substrate and has a through hole in a portion above the first wiring conductor;
A core portion located inside the cladding portion and extending along the first surface;
A mirror part located on an extension of the core part;
A wiring board having a second wiring conductor on the surface and positioned on the clad portion;
An optoelectric wiring board that is located in the through hole and includes a metal bump that electrically connects the first wiring conductor and the second wiring conductor.
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