JP2016091455A - Transparent conductor and touch panel - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、透明導電体及びこれを用いたタッチパネルに関する。 The present disclosure relates to a transparent conductor and a touch panel using the same.
液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、エレクトロルミネッセンスパネル(有機EL、無機EL)、タッチパネル、及びエレクトロクロミック素子等の表示装置には、透明電極が用いられている。このような透明電極は、通常、基材と基材上に作製された透明導電層とを有する透明導電体によって構成される。また、透明導電体は、透明な電磁波遮蔽膜として用いることもできる。 Transparent electrodes are used in display devices such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an electroluminescence panel (organic EL, inorganic EL), a touch panel, and an electrochromic element. Such a transparent electrode is normally comprised by the transparent conductor which has a base material and the transparent conductive layer produced on the base material. The transparent conductor can also be used as a transparent electromagnetic wave shielding film.
タッチパネル(タッチスイッチ又はフラットスイッチとも称される)は、液晶装置などのディスプレイ表面に配置された情報入力装置である。タッチパネルは、スマートフォン、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、及び銀行のATM端末などの電子機器に広く使用されている。 A touch panel (also referred to as a touch switch or a flat switch) is an information input device disposed on a display surface such as a liquid crystal device. Touch panels are widely used in electronic devices such as smartphones, car navigation systems, personal computers, ticket vending machines, and bank ATM terminals.
タッチパネルは、画像表示領域に表示された指示画像に、指又はタッチペン等が接触又は近接すると、その位置を検出できる。これによって、指示画像に対応する情報の入力が行えるように構成されている。タッチパネルの位置の検出方法にはいくつかの方式があり、それらの中でも、抵抗膜方式と静電容量方式が主流となっている。 The touch panel can detect the position when a finger, a touch pen, or the like touches or approaches the instruction image displayed in the image display area. Thus, the information corresponding to the instruction image can be input. There are several methods for detecting the position of the touch panel, and among them, a resistive film method and a capacitance method are mainly used.
静電容量方式の場合、センシングのために透明導電体の透明導電層を、エッチングによって所定のセンシングパターンに加工している。すなわち、エッチングによって、タッチパネルに用いられる透明導電体は、透明導電層を有する導電部と、透明導電層を有していない非導電部とが形成される。したがって、投影型静電容量方式のタッチパネルでは、導電部と非導電部の光学特性の差異によってセンシングパターンが認識され易いという固有の事情がある(例えば、特許文献1)。 In the case of the capacitance method, the transparent conductive layer of the transparent conductor is processed into a predetermined sensing pattern by etching for sensing. That is, the conductive part which has a transparent conductive layer, and the non-conductive part which does not have a transparent conductive layer are formed in the transparent conductor used for a touch panel by an etching. Therefore, in the projected capacitive touch panel, there is an inherent situation that a sensing pattern is easily recognized due to a difference in optical characteristics between the conductive part and the non-conductive part (for example, Patent Document 1).
センシングパターンに加工する際、エッチングができたか否かの判断はエッチング部分の導電性の有無によって判断することができる。ところが、導電性の有無による判断では、エッチング部分に透明導電層が微量に残存した場合でも透明導電層なしと判断される場合がある。このように判断される理由は、透明導電層が島状に残存している場合があるためである。透明導電層が島状に残存する場合、非導電部は導電性を有しない。しかしながら、透明導電層が残存している部分と残存していない部分では、反射率が異なるため、島状に残存する透明導電層は、容易に視認されるという問題が生じる。したがって、非導電部には島状の透明導電層が残存しないように、透明導電層をエッチングで完全に除去する必要がある。 When processing into a sensing pattern, whether or not etching has been performed can be determined based on whether or not the etched portion has conductivity. However, in the determination based on the presence or absence of conductivity, it may be determined that there is no transparent conductive layer even if a small amount of the transparent conductive layer remains in the etched portion. The reason for this determination is that the transparent conductive layer may remain in an island shape. When the transparent conductive layer remains in an island shape, the nonconductive portion does not have conductivity. However, since the reflectance is different between the portion where the transparent conductive layer remains and the portion where the transparent conductive layer does not remain, there arises a problem that the transparent conductive layer remaining in an island shape is easily visually recognized. Therefore, it is necessary to completely remove the transparent conductive layer by etching so that the island-shaped transparent conductive layer does not remain in the non-conductive portion.
しかしながら、ITO等の通常の透明導電層は、結晶粒径などの違いによって生じる結晶性によってエッチング速度が大きく変動する。例えば、透明導電層の成膜条件の僅かな違いによって透明導電層の結晶性が変化するため、透明導電層を完全に除去するために必要なエッチング時間も変化する。非導電部に残存する微量の透明導電層を認識され難くするためには、成膜条件の変動を考慮して、透明導電層のエッチング時間を長くする必要がある。しかしながら、エッチング時間を長くすると、生産性が低下してしまう。なお、特許文献1では、非導電部に導電層が微量に残存する場合の問題点等は何ら示されておらず、また、その解決手段も示されていない。このため、エッチングの条件が多少変動して非導電部に微量の透明導電層が残存した場合でも、非導電部に残存する透明導電層自身及びセンシングパターンを視認し難くすることが可能な技術を確立することが求められている。 However, the etching rate of a normal transparent conductive layer such as ITO varies greatly depending on the crystallinity caused by the difference in crystal grain size. For example, since the crystallinity of the transparent conductive layer changes due to a slight difference in the film formation conditions of the transparent conductive layer, the etching time required to completely remove the transparent conductive layer also changes. In order to make it difficult to recognize a minute amount of the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion, it is necessary to lengthen the etching time of the transparent conductive layer in consideration of a change in film forming conditions. However, when the etching time is lengthened, productivity is lowered. Note that Patent Document 1 does not show any problem or the like when a trace amount of the conductive layer remains in the non-conductive portion, and does not show any solution. For this reason, even when the etching conditions vary somewhat and a small amount of the transparent conductive layer remains in the non-conductive portion, a technique that makes it difficult to visually recognize the transparent conductive layer itself and the sensing pattern remaining in the non-conductive portion. There is a need to establish.
本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、センシングパターンのみならず、非導電部に残存する透明導電層も視認され難い透明導電体を提供することを目的とする。また、本開示では、上述のような透明導電体を用いることによって、センシングパターンのみならず、非導電部に残存する透明導電層も視認され難いタッチパネルを提供することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above circumstances, and an object of the present disclosure is to provide a transparent conductor in which not only a sensing pattern but also a transparent conductive layer remaining in a non-conductive portion is hardly visible. Moreover, it is an object of the present disclosure to provide a touch panel in which not only a sensing pattern but also a transparent conductive layer remaining in a non-conductive portion is hardly visible by using the transparent conductor as described above.
本開示では、透明基材と、透明導電層と、透明基材及び透明導電層の間に光学調整層と、を備える透明導電体であって、光学調整層は、透明基材側から、第1の光学調整層、第2の光学調整層、及び第3の光学調整層を有し、第1の光学調整層、第2の光学調整層及び第3の光学調整層の屈折率を、それぞれ、n1、n2及びn3としたときに、下記式(1)、式(2)及び式(3)を満たす、透明導電体を提供する。
1.7≦n3≦2.2 (1)
n3−n2≧0.1 (2)
n1−n2≧0.1 (3)
In the present disclosure, a transparent conductor including a transparent substrate, a transparent conductive layer, and an optical adjustment layer between the transparent substrate and the transparent conductive layer, the optical adjustment layer from the transparent substrate side, 1 optical adjustment layer, second optical adjustment layer, and third optical adjustment layer, and the refractive indexes of the first optical adjustment layer, the second optical adjustment layer, and the third optical adjustment layer, respectively. , N1, n2 and n3, a transparent conductor satisfying the following formula (1), formula (2) and formula (3) is provided.
1.7 ≦ n3 ≦ 2.2 (1)
n3-n2 ≧ 0.1 (2)
n1-n2 ≧ 0.1 (3)
本開示の透明導電体は、透明基材側から、第1の光学調整層、第2の光学調整層、及び第3の光学調整層を有する光学調整層を備える。第2の光学調整層と透明導電層との間に式(1)を満たす第3の光学調整層を有することによって、透明導電層と第3の光学調整層との屈折率の差異を十分に小さくすることができる。また、上記式(1)に加えて、式(2)及び式(3)を満たすことから、エッチング後に非導電部に残存する微量の透明導電層を視認し難くすることができる。 The transparent conductor of this indication is provided with the optical adjustment layer which has the 1st optical adjustment layer, the 2nd optical adjustment layer, and the 3rd optical adjustment layer from the transparent substrate side. By having the third optical adjustment layer satisfying the formula (1) between the second optical adjustment layer and the transparent conductive layer, the difference in refractive index between the transparent conductive layer and the third optical adjustment layer is sufficiently increased. Can be small. Moreover, in addition to the said Formula (1), since Formula (2) and Formula (3) are satisfy | filled, it can be made difficult to visually recognize the trace amount transparent conductive layer which remains in a nonelectroconductive part after an etching.
また、式(2)及び(3)を満足することによって、導電部と非導電部との反射率の差異が低減され、センシングパターンを視認し難くすることができる。 Moreover, by satisfy | filling Formula (2) and (3), the difference in the reflectance of an electroconductive part and a nonelectroconductive part is reduced, and it can make it difficult to visually recognize a sensing pattern.
幾つかの実施形態では、第3の光学調整層は、窒化珪素、又は窒化珪素及び酸化珪素を含有し、透明導電層が酸化インジウムを含有することが好ましい。これによって、第3の光学調整層と透明導電体の屈折率の差異をさらに低減することができる。したがって、エッチング後に非導電部に残存する微量の透明導電層を、より視認し難くすることができる。 In some embodiments, it is preferable that the third optical adjustment layer contains silicon nitride or silicon nitride and silicon oxide, and the transparent conductive layer contains indium oxide. Thereby, the difference in refractive index between the third optical adjustment layer and the transparent conductor can be further reduced. Therefore, it is possible to make the trace amount of the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion after etching more difficult to visually recognize.
幾つかの実施形態では、第3の光学調整層は2〜15nmの厚みを有することが好ましい。これによって、センシングパターンのみならず、エッチング後に残存する微量の透明導電層をさらに視認し難くすることができる。 In some embodiments, the third optical adjustment layer preferably has a thickness of 2-15 nm. As a result, not only the sensing pattern, but also a small amount of the transparent conductive layer remaining after etching can be made more difficult to visually recognize.
幾つかの実施形態では、透明導電層は10〜30nmの厚みを有することが好ましい。これによって、抵抗値を安定させるとともに、全光線透過率を高くすることができる。また、別の幾つかの実施形態では、透明導電層の屈折率をn4としたときに、下記式(4)を満たすことが好ましい。これによって、エッチング後に非導電部に残存する微量の透明導電層を、さらに視認し難くすることができる。
−0.3≦n4−n3≦0.3 (4)
In some embodiments, the transparent conductive layer preferably has a thickness of 10-30 nm. Thereby, the resistance value can be stabilized and the total light transmittance can be increased. In some other embodiments, it is preferable to satisfy the following formula (4) when the refractive index of the transparent conductive layer is n4. As a result, it is possible to make it difficult to visually recognize a minute amount of the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion after etching.
−0.3 ≦ n4-n3 ≦ 0.3 (4)
本開示では、パネル板の上にセンサフィルムを有するタッチパネルであって、センサフィルムが上述の透明導電体で構成されるタッチパネルを提供する。このようなタッチパネルは、センサフィルムとして上述の透明導電体を有することから、センシングパターンのみならず、エッチング後に残存する微量の透明導電層をも視認され難くすることができる。 In this indication, it is a touch panel which has a sensor film on a panel board, and a sensor film is provided with the above-mentioned transparent conductor. Since such a touch panel has the above-described transparent conductor as a sensor film, not only the sensing pattern but also a small amount of the transparent conductive layer remaining after etching can be hardly visually recognized.
本開示によれば、センシングパターンのみならず、非導電部に残存する透明導電層も視認され難い透明導電体を提供することができる。また、本開示では、上述のような透明導電体を用いることによって、センシングパターンのみならず、非導電部に残存する透明導電層も視認され難いタッチパネルを提供することができる。 According to the present disclosure, it is possible to provide a transparent conductor in which not only a sensing pattern but also a transparent conductive layer remaining in a non-conductive portion is hardly visually recognized. In addition, in the present disclosure, by using the transparent conductor as described above, it is possible to provide a touch panel in which not only the sensing pattern but also the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion is hardly visually recognized.
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されるものではない。なお、図面において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、場合により重複する説明は省略する。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the drawings, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted in some cases.
図1は、透明導電体の一実施形態を示す模式断面図である。透明導電体100は、フィルム状の透明基材10と透明導電層16と、透明基材10と透明導電層16との間に組成が異なる複数の層からなる光学調整層11と、を備える。光学調整層11は、透明基材10から透明導電層16に向かって、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14、及び第3の光学調整層15が積層された構造を有する。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a transparent conductor. The transparent conductor 100 includes a film-like transparent substrate 10 and a transparent conductive layer 16, and an optical adjustment layer 11 including a plurality of layers having different compositions between the transparent substrate 10 and the transparent conductive layer 16. The optical adjustment layer 11 has a structure in which a first optical adjustment layer 13, a second optical adjustment layer 14, and a third optical adjustment layer 15 are laminated from the transparent substrate 10 toward the transparent conductive layer 16. .
(透明基材10)
透明基材10は、例えば可撓性を有する有機樹脂フィルム又は有機樹脂シートである。本明細書における「透明」とは、可視光が透過することを意味しており、光をある程度散乱してもよい。光の散乱度合いについては、透明導電体100の用途によって要求されるレベルが異なる。一般に半透明といわれるような光の散乱があるものも、本明細書における「透明」の概念に含まれる。光の散乱度合いは小さい方が好ましく、透明性は高い方が好ましい。透明導電体100全体の全光線透過率は、例えば86%以上であり、好ましくは89%以上である。
(Transparent substrate 10)
The transparent substrate 10 is, for example, a flexible organic resin film or organic resin sheet. “Transparent” in the present specification means that visible light is transmitted, and the light may be scattered to some extent. Regarding the degree of light scattering, the required level varies depending on the use of the transparent conductor 100. What has light scattering generally referred to as translucent is also included in the concept of “transparency” in this specification. The degree of light scattering is preferably small, and the transparency is preferably high. The total light transmittance of the entire transparent conductor 100 is, for example, 86% or more, and preferably 89% or more.
透明基材10としては、可撓性を有する有機樹脂フィルムが好適である。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルム、ポリエチレン及びポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム、ポリカーボネートフィルム、アクリルフィルム、ノルボルネンフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエーテルスルフォンフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、並びにトリアセチルセルロースフィルム等が挙げられる。これらのうち、ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステルフィルムが好ましい。 As the transparent substrate 10, an organic resin film having flexibility is suitable. Examples of the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefin films such as polyethylene and polypropylene, polycarbonate films, acrylic films, norbornene films, polyarylate films, polyether sulfone films, A diacetyl cellulose film, a triacetyl cellulose film, etc. are mentioned. Of these, polyester films such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) are preferable.
透明基材10は、剛性の観点からは厚い方が好ましい。一方、透明基材10は、透明導電体100を薄膜化する観点からは薄い方が好ましい。このような観点から、透明基材10の厚みは、例えば10〜130μmである。透明基材の屈折率は、光学特性に優れる透明導電体とする観点から、例えば1.50〜1.70である。なお、本明細書における屈折率は、λ=633nm、温度20℃の条件下で測定される値である。 The transparent substrate 10 is preferably thicker from the viewpoint of rigidity. On the other hand, the transparent substrate 10 is preferably thin from the viewpoint of thinning the transparent conductor 100. From such a viewpoint, the thickness of the transparent substrate 10 is, for example, 10 to 130 μm. The refractive index of the transparent substrate is, for example, 1.50 to 1.70 from the viewpoint of making a transparent conductor excellent in optical characteristics. The refractive index in this specification is a value measured under the conditions of λ = 633 nm and a temperature of 20 ° C.
透明基材10は、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、電子線照射処理、及びオゾン処理からなる群より選ばれる少なくとも一つの表面処理が施されたものであってもよい。 The transparent substrate 10 may be subjected to at least one surface treatment selected from the group consisting of corona discharge treatment, glow discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, electron beam irradiation treatment, and ozone treatment. .
透明導電体100を構成する各層の厚みは、以下の手順で測定することができる。集束イオンビーム装置(FIB,Focused Ion Beam)によって透明導電体100を切断して断面を得る。透過電子顕微鏡(TEM)を用いて当該断面を観察し、各層の厚みを測定する。測定は、任意に選択された10箇所以上の位置で測定を行い、その平均値を求めることが好ましい。断面を得る方法として、集束イオンビーム装置以外の装置としてミクロトームを用いてもよい。厚みを測定する方法としては、走査電子顕微鏡(SEM)を用いてもよい。また蛍光X線装置を用いても膜厚を測定することが可能である。 The thickness of each layer constituting the transparent conductor 100 can be measured by the following procedure. The transparent conductor 100 is cut by a focused ion beam device (FIB, Focused Ion Beam) to obtain a cross section. The cross section is observed using a transmission electron microscope (TEM), and the thickness of each layer is measured. The measurement is preferably performed at 10 or more arbitrarily selected positions, and the average value is obtained. As a method for obtaining the cross section, a microtome may be used as an apparatus other than the focused ion beam apparatus. A scanning electron microscope (SEM) may be used as a method for measuring the thickness. It is also possible to measure the film thickness using a fluorescent X-ray apparatus.
透明基材10の上には、組成が異なる複数の層で構成される光学調整層11が積層されている。光学調整層11には、透明基材10側から、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14、及び第3の光学調整層15がこの順で設けられている。光学調整層11、すなわち、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14及び第3の光学調整層15は、光学干渉により、透明導電層16表面の反射率を低減し、全光線透過率を高める層を構成する。また、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14及び第3の光学調整層15は、透明導電層16の有無による光学差を抑制する。光学調整層11は、非導電部に残存する透明導電層及びセンシングパターンを認識させ難くする機能を有するとともに、表示される画像等の視認性を向上させる機能をも有する。 On the transparent substrate 10, an optical adjustment layer 11 composed of a plurality of layers having different compositions is laminated. The optical adjustment layer 11 is provided with a first optical adjustment layer 13, a second optical adjustment layer 14, and a third optical adjustment layer 15 in this order from the transparent substrate 10 side. The optical adjustment layer 11, that is, the first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, and the third optical adjustment layer 15 reduce the reflectance of the surface of the transparent conductive layer 16 due to optical interference, and reduce the total light. A layer for increasing the transmittance is formed. In addition, the first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, and the third optical adjustment layer 15 suppress optical differences due to the presence or absence of the transparent conductive layer 16. The optical adjustment layer 11 has a function of making it difficult to recognize the transparent conductive layer and the sensing pattern remaining in the non-conductive portion, and also has a function of improving the visibility of displayed images and the like.
第1の光学調整層13、第2の光学調整層14、及び第3の光学調整層15は、下記の関係式(1)、(2)及び(3)を満たす。式(1)、(2)及び(3)において、n1、n2及びn3は、それぞれ、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14及び第3の光学調整層15の屈折率を示す。
1.7≦n3≦2.2 (1)
n3−n2≧0.1 (2)
n1−n2≧0.1 (3)
The first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, and the third optical adjustment layer 15 satisfy the following relational expressions (1), (2), and (3). In the formulas (1), (2), and (3), n1, n2, and n3 represent the refractive indexes of the first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, and the third optical adjustment layer 15, respectively. Show.
1.7 ≦ n3 ≦ 2.2 (1)
n3-n2 ≧ 0.1 (2)
n1-n2 ≧ 0.1 (3)
第3の光学調整層15は式(1)を満足するため、透明導電層16と第3の光学調整層15との屈折率の差異を十分に小さくすることができる。したがって、非導電部に残存する微量の透明導電層を視認し難くすることができる。同様の観点から、n3の下限は、好ましくは1.8である。同様の観点から、n3の上限は、好ましくは2.1である。 Since the third optical adjustment layer 15 satisfies the expression (1), the difference in refractive index between the transparent conductive layer 16 and the third optical adjustment layer 15 can be sufficiently reduced. Therefore, it is possible to make it difficult to visually recognize a small amount of the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion. From the same viewpoint, the lower limit of n3 is preferably 1.8. From the same viewpoint, the upper limit of n3 is preferably 2.1.
n3,n2は、式(2)の関係を満たす。これによって、導電部と非導電部との反射率の差異が低減され、センシングパターンを視認し難くすることができる。センシングパターンをさらに視認し難くする観点から、n3−n2の下限は、好ましくは0.2であり、より好ましくは0.3である。n3−n2の上限に特に制限はないが、この屈折率差が大きくなると反射率が高くなるため透過率が低下する傾向にある。このような観点から、n3−n2の上限は、例えば0.7であってもよく、0.6であってもよい。 n3 and n2 satisfy the relationship of Expression (2). Thereby, the difference in reflectance between the conductive portion and the non-conductive portion is reduced, and the sensing pattern can be made difficult to visually recognize. From the viewpoint of making the sensing pattern more difficult to visually recognize, the lower limit of n3-n2 is preferably 0.2, and more preferably 0.3. Although there is no restriction | limiting in particular in the upper limit of n3-n2, when this refractive index difference becomes large, since a reflectance will become high, it exists in the tendency for the transmittance | permeability to fall. From such a viewpoint, the upper limit of n3-n2 may be 0.7 or 0.6, for example.
n1,n2は、式(3)の関係を満たす。これによって、導電部と非導電部との反射率の差異が低減され、センシングパターンを視認し難くすることができる。エッチング後に残存する微量の透明導電層16をさらに視認し難くする観点から、n1−n2の下限は、好ましくは0.2である。n1−n2の上限に特に制限はないが、この屈折率差が大きくなると反射率が高くなるため透過率が低下する傾向にある。このような観点から、n1−n2の上限は、例えば0.8であってもよく、0.5であってもよい。 n1 and n2 satisfy the relationship of Expression (3). Thereby, the difference in reflectance between the conductive portion and the non-conductive portion is reduced, and the sensing pattern can be made difficult to visually recognize. The lower limit of n1-n2 is preferably 0.2 from the viewpoint of making it difficult to visually recognize a trace amount of the transparent conductive layer 16 remaining after etching. Although there is no restriction | limiting in particular in the upper limit of n1-n2, When this refractive index difference becomes large, since a reflectance will become high, it exists in the tendency for the transmittance | permeability to fall. From such a viewpoint, the upper limit of n1-n2 may be 0.8 or 0.5, for example.
n1,n2,n3は、下記式(5)を満たすことが好ましい。これによって、エッチング後に非導電部に残存する微量の透明導電層をさらに視認し難くすることができる。
n3>n1>n2 (5)
n1, n2, and n3 preferably satisfy the following formula (5). Thereby, it is possible to further make it difficult to visually recognize a small amount of the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion after the etching.
n3>n1> n2 (5)
(第1の光学調整層13)
第1の光学調整層13は、例えば、樹脂組成物をエネルギー線で硬化させて得られる樹脂硬化物を含有する。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物、紫外線硬化性樹脂組成物、及び電子線硬化性樹脂組成物から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂、及びメラミン系樹脂から選ばれる少なくとも一種を含んでもよい。
(First optical adjustment layer 13)
The first optical adjustment layer 13 contains, for example, a cured resin obtained by curing the resin composition with energy rays. The resin composition preferably contains at least one selected from a thermosetting resin composition, an ultraviolet curable resin composition, and an electron beam curable resin composition. The thermosetting resin composition may include at least one selected from an epoxy resin, a phenoxy resin, and a melamine resin.
樹脂組成物は、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等のエネルギー線反応性基を有する硬化性化合物を含む組成物である。なお、(メタ)アクリロイル基なる表記は、アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも一方を含む意味である。硬化性化合物は、1つの分子内に2つ以上、好ましくは3つ以上のエネルギー線反応性基を含む多官能モノマー又はオリゴマーを含んでいることが好ましい。 A resin composition is a composition containing the sclerosing | hardenable compound which has energy-beam reactive groups, such as a (meth) acryloyl group and a vinyl group, for example. Note that the notation of (meth) acryloyl group includes at least one of acryloyl group and methacryloyl group. The curable compound preferably contains a polyfunctional monomer or oligomer containing 2 or more, preferably 3 or more energy ray reactive groups in one molecule.
硬化性化合物は、好ましくはアクリル系モノマーを含有する。アクリル系モノマーとしては、具体的には、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び3−(メタ)アクリロイルオキシグリセリンモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。ただし、必ずしもこれらに限定されるものではない。例えば、ウレタン変性アクリレート、及びエポキシ変性アクリレート等も挙げられる。 The curable compound preferably contains an acrylic monomer. Specific examples of acrylic monomers include 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, ethylene oxide-modified bisphenol A di (meth) acrylate, and trimethylolpropane tri (meth). Acrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane propylene oxide modified tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and 3- (meth) acryloyloxy Riserinmono (meth) acrylate. However, it is not necessarily limited to these. For example, urethane-modified acrylate and epoxy-modified acrylate are also included.
硬化性化合物として、ビニル基を有する化合物を用いてもよい。ビニル基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ヒドロキノンジビニルエーテル、エチレンオキサイド変性ビスフェノールAジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、及び、ジトリメチロールプロパンポリビニルエーテル等が挙げられる。ただし、必ずしもこれらに限定されるものではない。 As the curable compound, a compound having a vinyl group may be used. Examples of the compound having a vinyl group include ethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol divinyl ether, 1,6-hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane divinyl ether, ethylene oxide-modified hydroquinone divinyl ether, ethylene oxide-modified bisphenol A divinyl ether, Examples include pentaerythritol trivinyl ether, dipentaerythritol hexavinyl ether, and ditrimethylolpropane polyvinyl ether. However, it is not necessarily limited to these.
樹脂組成物は、硬化性化合物を紫外線によって硬化させる場合、光重合開始剤を含む。光重合開始剤としては、種々のものを用いることができる。例えば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン系、及びチオキサントン系等の公知の化合物から適宜選択すればよい。より具体的には、ダロキュア1173、イルガキュア651、イルガキュア184、イルガキュア907(以上商品名、チバスペシャルティケミカルズ社製)、及び、KAYACURE DETX−S(商品名、日本化薬(株)製)が挙げられる。 The resin composition contains a photopolymerization initiator when the curable compound is cured by ultraviolet rays. Various photopolymerization initiators can be used. For example, it may be appropriately selected from known compounds such as acetophenone, benzoin, benzophenone, and thioxanthone. More specifically, Darocur 1173, Irgacure 651, Irgacure 184, Irgacure 907 (above trade name, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and KAYACURE DETX-S (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) can be mentioned. .
光重合開始剤は、硬化性化合物の重量に対して、0.01〜20重量%、又は0.5〜5重量%程度とすればよい。樹脂組成物は、アクリル系モノマーに光重合開始剤を加えた公知のものであってもよい。アクリル系モノマーに光重合開始剤を加えたものとしては、例えば、紫外線硬化型樹脂であるSD−318(商品名、大日本インキ化学工業(株)製)、及び、XNR5535(商品名、長瀬産業(株)製)等が挙げられる。 The photopolymerization initiator may be about 0.01 to 20% by weight or about 0.5 to 5% by weight with respect to the weight of the curable compound. The resin composition may be a known composition obtained by adding a photopolymerization initiator to an acrylic monomer. Examples of the acrylic monomer added with a photopolymerization initiator include SD-318 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) and XNR5535 (trade name, Nagase Sangyo), which are ultraviolet curable resins. Etc.).
エネルギー線で硬化する樹脂組成物を用いると、紫外線等のエネルギー線を照射することによって、樹脂組成物を硬化させることができる。したがって、このような樹脂組成物を用いることが製造工程上の観点からも好ましい。 When a resin composition that cures with energy rays is used, the resin composition can be cured by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays. Accordingly, it is preferable to use such a resin composition from the viewpoint of the manufacturing process.
樹脂組成物は、金属酸化物の微粒子を含んでいてもよい。金属酸化物の微粒子としては、酸化チタン(TiO2、屈折率:2.35)、酸化ジルコニウム(ZrO2、屈折率:2.05)、酸化セリウム(CeO2、屈折率:2.30)、酸化ニオブ(Nb2O3、屈折率:2.15)、酸化アンチモン(Sb2O3、屈折率:2.10)、酸化タンタル(Ta2O5、屈折率:2.10)、及びこれらを2つ以上組み合わせたものが挙げられる。 The resin composition may contain metal oxide fine particles. Examples of the metal oxide fine particles include titanium oxide (TiO 2 , refractive index: 2.35), zirconium oxide (ZrO 2 , refractive index: 2.05), cerium oxide (CeO 2 , refractive index: 2.30), Niobium oxide (Nb 2 O 3 , refractive index: 2.15), antimony oxide (Sb 2 O 3 , refractive index: 2.10), tantalum oxide (Ta 2 O 5 , refractive index: 2.10), and these And a combination of two or more.
このような微粒子を硬化性化合物に分散させた樹脂組成物を、透明基材10上に塗布して硬化させることによって、樹脂硬化物と金属酸化物の微粒子とを含む第1の光学調整層13を作製することもできる。微粒子は、硬化性化合物100重量部に対して、例えば5〜500重量部であってもよく、20〜200重量部であってもよい。微粒子の含有量が少なくなるに伴って、第1の光学調整層13の屈折率が低くなる傾向になる。 A resin composition in which such fine particles are dispersed in a curable compound is applied onto the transparent substrate 10 and cured to thereby cure the first optical adjustment layer 13 containing a cured resin and fine metal oxide particles. Can also be produced. The fine particles may be, for example, 5 to 500 parts by weight or 20 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound. As the content of the fine particles decreases, the refractive index of the first optical adjustment layer 13 tends to decrease.
微粒子の平均粒径は、第1の光学調整層13の厚みよりも小さく、十分な透明性を確保する観点から、100nm以下であってもよく、20nm以下であってもよい。一方、微粒子の平均粒径は、コロイド溶液の製造上の観点から、5nm以上であってもよく、10nm以上であってもよい。有機微粒子及び/又は無機微粒子を用いる場合、有機微粒子及び無機微粒子の合計量は、硬化性化合物100重量部に対して、例えば5〜500重量部であってもよく、20〜200重量部であってもよい。 The average particle diameter of the fine particles is smaller than the thickness of the first optical adjustment layer 13, and may be 100 nm or less or 20 nm or less from the viewpoint of ensuring sufficient transparency. On the other hand, the average particle diameter of the fine particles may be 5 nm or more, or 10 nm or more from the viewpoint of production of the colloidal solution. When organic fine particles and / or inorganic fine particles are used, the total amount of organic fine particles and inorganic fine particles may be, for example, 5 to 500 parts by weight or 20 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable compound. May be.
第1の光学調整層13は、樹脂組成物の溶液又は樹脂組成物に微粒子を分散させた分散液を、透明基材10の一方面上に塗布して乾燥し、樹脂組成物を硬化させて作製することができる。この際の塗布は、公知の方法により行うことができる。塗布方法としては、例えば、エクストルージョンノズル法、ブレード法、ナイフ法、バーコート法、キスコート法、キスリバース法、グラビアロール法、ディップ法、リバースロール法、ダイレクトロール法、カーテン法、及びスクイズ法などが挙げられる。 The first optical adjustment layer 13 is a resin composition solution or a dispersion liquid in which fine particles are dispersed in a resin composition, which is applied onto one surface of the transparent substrate 10 and dried to cure the resin composition. Can be produced. Application | coating in this case can be performed by a well-known method. Examples of the coating method include an extrusion nozzle method, a blade method, a knife method, a bar coating method, a kiss coating method, a kiss reverse method, a gravure roll method, a dip method, a reverse roll method, a direct roll method, a curtain method, and a squeeze method. Etc.
第1の光学調整層13の屈折率(n1)は、例えば1.55〜1.90であってもよく、1.60〜1.80であってもよい。第1の光学調整層13の屈折率が低すぎるとセンシングパターンでの透明導電層がある部分(導電部)での全光線透過率が低下する傾向にある。一方、第1の光学調整層13の屈折率が高すぎるとセンシングパターンを形成した場合に、透明導電層16を除去した部分(非導電部)での透過光のb*値がマイナス側に小さくなる傾向にある。すなわち、センシングパターンによって透過光に色差が発生しやすくなる傾向にある。 The refractive index (n1) of the first optical adjustment layer 13 may be, for example, 1.55 to 1.90 or 1.60 to 1.80. If the refractive index of the first optical adjustment layer 13 is too low, the total light transmittance at the portion (conductive portion) where the transparent conductive layer is present in the sensing pattern tends to decrease. On the other hand, when the sensing pattern is formed when the refractive index of the first optical adjustment layer 13 is too high, the b * value of the transmitted light in the portion where the transparent conductive layer 16 is removed (non-conductive portion) is small on the negative side. Tend to be. That is, a color difference tends to occur in the transmitted light depending on the sensing pattern.
第1の光学調整層13の厚みは、例えば10〜2000nmである。第1の光学調整層13が薄くなり過ぎると、塗布による第1の光学調整層13の作製が困難になる傾向にある。また、導電部の反射率が高くなることで透過率が低下する傾向にある。一方、第1の光学調整層13が厚くなり過ぎると、透明導電体100の反りが大きくなる傾向になる。 The thickness of the first optical adjustment layer 13 is, for example, 10 to 2000 nm. If the first optical adjustment layer 13 becomes too thin, the production of the first optical adjustment layer 13 by application tends to be difficult. In addition, the transmittance tends to decrease as the reflectivity of the conductive portion increases. On the other hand, if the first optical adjustment layer 13 becomes too thick, the warp of the transparent conductor 100 tends to increase.
第1の光学調整層13を作製するための樹脂組成物として、例えば、酸化チタン(TiO2)がアクリル系のエネルギー線硬化型の樹脂組成物中に分散されたTYT80(商品名、屈折率:1.80、東洋インキ(株)製)、酸化ジルコニウム(ZrO2)がアクリル系のエネルギー線硬化型の樹脂組成物中に分散されたTYZ70(商品名、屈折率:1.70、東洋インキ(株)製)、及びTYZ74(商品名、屈折率:1.74、東洋インキ(株)製)等が挙げられる。高屈折率のポリマーを含有する樹脂組成物を用いてもよい。高屈折率のポリマーとして、例えばUR−101(商品名、屈折率:1.70、日産化学工業製)が挙げられる。 As a resin composition for producing the first optical adjustment layer 13, for example, TYT80 (trade name, refractive index: titanium oxide (TiO 2 ) dispersed in an acrylic energy ray curable resin composition. 1.80, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.), TYZ70 (trade name, refractive index: 1.70, Toyo Ink (ZrO 2 ) dispersed in an acrylic energy ray-curable resin composition) And TYZ74 (trade name, refractive index: 1.74, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.). A resin composition containing a polymer having a high refractive index may be used. Examples of the high refractive index polymer include UR-101 (trade name, refractive index: 1.70, manufactured by Nissan Chemical Industries).
第1の光学調整層13は、透明基材10上に、上述の樹脂組成物を塗布して乾燥し、その後、紫外線照射を行って硬化させて形成することができる。この際の塗布方法は、公知の方法により行うことができる。塗布方法としては、例えば、エクストルージョンノズル法、ブレード法、ナイフ法、バーコート法、キスコート法、キスリバース法、グラビアロール法、ディップ法、リバースロール法、ダイレクトロール法、カーテン法、及びスクイズ法などが挙げられる。 The first optical adjustment layer 13 can be formed by applying the above-described resin composition on the transparent substrate 10 and drying it, followed by curing with ultraviolet irradiation. The coating method at this time can be performed by a known method. Examples of the coating method include an extrusion nozzle method, a blade method, a knife method, a bar coating method, a kiss coating method, a kiss reverse method, a gravure roll method, a dip method, a reverse roll method, a direct roll method, a curtain method, and a squeeze method. Etc.
第1の光学調整層13は、透明導電体100の反り(カール)の発生を抑制する機能を有していてもよい。各光学調整層の組成は、例えば、集束イオンビーム装置(FIB:Focused Ion Beam)を用いて透明導電体100を切断して得られた切断面を、透過電子顕微鏡(TEM)又は走査電子顕微鏡(SEM)に付属するエネルギー分散型X線分光器(EDS:energy dispersive X-ray spectrometry)等を用いて分析することによって、求めることができる。 The first optical adjustment layer 13 may have a function of suppressing the occurrence of warpage (curl) of the transparent conductor 100. The composition of each optical adjustment layer is, for example, that a cut surface obtained by cutting the transparent conductor 100 using a focused ion beam device (FIB) is a transmission electron microscope (TEM) or a scanning electron microscope ( It can be determined by analyzing using an energy dispersive X-ray spectrometer (EDS) attached to the SEM.
(第2の光学調整層14)
第2の光学調整層14は、無機酸化物からなる層、及び/又は、樹脂組成物をエネルギー線で硬化させて得られる樹脂硬化物からなる層で構成することができる。
(Second optical adjustment layer 14)
The second optical adjustment layer 14 can be composed of a layer made of an inorganic oxide and / or a layer made of a cured resin obtained by curing the resin composition with energy rays.
第2の光学調整層14の屈折率(n2)は、n1及びn3よりも小さく、例えば、1.40〜1.65であってもよく、1.45〜1.55であってもよい。光学特性的な観点からは、屈折率(n2)は低い方が好ましい。しかしながら、低屈折率の材料は通常高価である。このため、屈折率(n2)が低くなり過ぎると、材料コストが高くなる傾向にある。このような観点から、屈折率(n2)は上述の範囲とすることが好ましい。 The refractive index (n2) of the second optical adjustment layer 14 is smaller than n1 and n3, and may be, for example, 1.40 to 1.65 or 1.45 to 1.55. From the viewpoint of optical characteristics, the refractive index (n2) is preferably low. However, low refractive index materials are usually expensive. For this reason, if the refractive index (n2) becomes too low, the material cost tends to increase. From such a viewpoint, the refractive index (n2) is preferably set in the above-described range.
第2の光学調整層14の厚みは、5〜80nmであってもよく、10〜70nmであってもよく、15〜60nmであってもよい。第2の光学調整層14が薄くなり過ぎると反射率が高くなり、透過率が低下する傾向にある。一方、第2の光学調整層14が厚くなり過ぎると、センシングパターンを形成したときの導電部と非導電部の反射率差が大きくなり、センシングパターンが認識され易くなる傾向にある。 The thickness of the second optical adjustment layer 14 may be 5 to 80 nm, 10 to 70 nm, or 15 to 60 nm. When the second optical adjustment layer 14 becomes too thin, the reflectance increases and the transmittance tends to decrease. On the other hand, if the second optical adjustment layer 14 becomes too thick, the difference in reflectance between the conductive portion and the non-conductive portion when the sensing pattern is formed tends to increase, and the sensing pattern tends to be easily recognized.
第2の光学調整層14が樹脂硬化物からなる層を有する場合、第1の光学調整層13を形成する場合と同様の樹脂組成物を用いて同様の方法で形成することができる。樹脂組成物としては、例えば、酸化ジルコニウム(ZrO2)がアクリル系のエネルギー線硬化型の樹脂組成物中に分散されたTYZ60(商品名、屈折率:1.60、東洋インキ(株)製)、及び、SD−318(商品名、屈折率:1.48、東洋インキ(株)製)等が挙げられる。 When the 2nd optical adjustment layer 14 has a layer which consists of resin hardened | cured materials, it can form by the same method using the resin composition similar to the case where the 1st optical adjustment layer 13 is formed. Examples of the resin composition include TYZ60 (trade name, refractive index: 1.60, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.) in which zirconium oxide (ZrO 2 ) is dispersed in an acrylic energy ray-curable resin composition. And SD-318 (trade name, refractive index: 1.48, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.).
第2の光学調整層14は、第1の光学調整層13上に、上述の樹脂組成物を塗布して乾燥し、その後、紫外線照射を行って硬化させて形成することができる。この際の塗布方法は、公知の方法により行うことができる。塗布方法としては、例えば、エクストルージョンノズル法、ブレード法、ナイフ法、バーコート法、キスコート法、キスリバース法、グラビアロール法、ディップ法、リバースロール法、ダイレクトロール法、カーテン法、及びスクイズ法などが挙げられる。 The second optical adjustment layer 14 can be formed by applying the above-described resin composition on the first optical adjustment layer 13 and drying it, followed by curing by irradiation with ultraviolet rays. The coating method at this time can be performed by a known method. Examples of the coating method include an extrusion nozzle method, a blade method, a knife method, a bar coating method, a kiss coating method, a kiss reverse method, a gravure roll method, a dip method, a reverse roll method, a direct roll method, a curtain method, and a squeeze method. Etc.
第2の光学調整層14が無機酸化物からなる層を有する場合、無機酸化物は酸化珪素(SiO2、屈折率:1.46)を含有することが好ましい。無機酸化物からなる層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はCVD法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点で、スパッタリング法が好ましい。 When the second optical adjustment layer 14 has a layer made of an inorganic oxide, the inorganic oxide preferably contains silicon oxide (SiO 2 , refractive index: 1.46). The layer made of an inorganic oxide can be manufactured by a vacuum film forming method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method. Among these, the sputtering method is preferable in that the film forming chamber can be reduced in size.
スパッタリング法では、酸化物ターゲットと反応性ガスとを用いた反応性スパッタリング法によって、第1の光学調整層13の上に第2の光学調整層14を作製することができる。 In the sputtering method, the second optical adjustment layer 14 can be formed on the first optical adjustment layer 13 by a reactive sputtering method using an oxide target and a reactive gas.
第2の光学調整層14は、無機酸化物の他に、以下のような微量成分を含んでいてもよい。微量成分としては、例えば、フッ化リチウム(LiF、屈折率:1.36)、フッ化マグネシウム(MgF、屈折率:1.38)、フッ化カルシウム(CaF2、屈折率:1.4)、及びフッ化セリウム(CeF、屈折率:1.63)が挙げられる。無機酸化物からなる層における酸化珪素の含有量は、例えば90mol%以上であり、95mol%以上である。また、第2の光学調整層14は、酸化窒素と酸化珪素の混合物でもよい。窒化珪素の含有量は、反応性スパッタリング法の反応ガスを変えることで調整することができる。 The second optical adjustment layer 14 may contain the following trace components in addition to the inorganic oxide. Examples of the trace component include lithium fluoride (LiF, refractive index: 1.36), magnesium fluoride (MgF, refractive index: 1.38), calcium fluoride (CaF 2 , refractive index: 1.4), And cerium fluoride (CeF, refractive index: 1.63). The content of silicon oxide in the layer made of an inorganic oxide is, for example, 90 mol% or more and 95 mol% or more. Further, the second optical adjustment layer 14 may be a mixture of nitrogen oxide and silicon oxide. The content of silicon nitride can be adjusted by changing the reactive gas in the reactive sputtering method.
(第3の光学調整層15)
第3の光学調整層15は、無機化合物で構成される層であってもよい。無機化合物としては、窒化珪素(Si3N4、屈折率:2.00)、酸化珪素(SiO2、屈折率:1.46)、酸化チタン(TiO2、屈折率:2.35)、酸化ジルコニウム(ZrO、屈折率:2.05)、酸化セリウム(CeO2、屈折率:2.30)、酸化ニオブ(Nb2O5、屈折率:2.30)、酸化アンチモン(Sb2O5 屈折率2.10)、酸化タンタル(Ta2O3、屈折率:2.10)、及び酸化亜鉛(ZnO2、屈折率:2.00)から選ばれる少なくとも一つを含有してもよい。無機酸化物の混合比率を変えることによって、第3の光学調整層15の屈折率を調整することができる。例えば、窒化珪素及び酸化珪素を含有する場合の第3の光学調整層15の屈折率は、窒化珪素及び酸化珪素の混合比率を変えることによって、例えば1.7〜2.0の範囲とすることができる。
(Third optical adjustment layer 15)
The third optical adjustment layer 15 may be a layer composed of an inorganic compound. Examples of inorganic compounds include silicon nitride (Si 3 N 4 , refractive index: 2.00), silicon oxide (SiO 2 , refractive index: 1.46), titanium oxide (TiO 2 , refractive index: 2.35), and oxidation. Zirconium (ZrO, refractive index: 2.05), cerium oxide (CeO 2 , refractive index: 2.30), niobium oxide (Nb 2 O 5 , refractive index: 2.30), antimony oxide (Sb 2 O 5 refraction) And at least one selected from tantalum oxide (Ta 2 O 3 , refractive index: 2.10), and zinc oxide (ZnO 2 , refractive index: 2.00). The refractive index of the third optical adjustment layer 15 can be adjusted by changing the mixing ratio of the inorganic oxide. For example, the refractive index of the third optical adjustment layer 15 in the case of containing silicon nitride and silicon oxide is, for example, in the range of 1.7 to 2.0 by changing the mixing ratio of silicon nitride and silicon oxide. Can do.
上記無機酸化物のうち、窒化珪素、又は窒化珪素及び酸化珪素の組み合わせを含有することが好ましい。無機酸化物が、窒化珪素及び酸化珪素である場合、窒化珪素及び酸化珪素の合計に対する窒化珪素のモル比率は、30mol%以上であってもよく、40mol%以上であってもよく、50mol%以上であってもよい。窒化珪素と酸化珪素の比率は、反応性スパッタリング法の反応ガスの組成を変えることで調整することができる。第3の光学調整層15の屈折率(n3)を高くする観点から、第3の光学調整層15は酸化チタンを含んでいてもよい。 Of the inorganic oxides, silicon nitride or a combination of silicon nitride and silicon oxide is preferably contained. When the inorganic oxide is silicon nitride and silicon oxide, the molar ratio of silicon nitride to the total of silicon nitride and silicon oxide may be 30 mol% or more, 40 mol% or more, or 50 mol% or more. It may be. The ratio of silicon nitride and silicon oxide can be adjusted by changing the composition of the reactive gas in the reactive sputtering method. From the viewpoint of increasing the refractive index (n3) of the third optical adjustment layer 15, the third optical adjustment layer 15 may contain titanium oxide.
第3の光学調整層15は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はCVD法などの真空成膜法によって作製することができる。これらのうち、成膜室を小型化できる点で、スパッタリング法が好ましい。成膜する層が複数ある場合、スパッタリング法は特に好ましい。 The third optical adjustment layer 15 can be produced by a vacuum film forming method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method. Among these, the sputtering method is preferable in that the film forming chamber can be reduced in size. The sputtering method is particularly preferable when there are a plurality of layers to be formed.
スパッタリング法では、酸化物ターゲット、金属又は半金属ターゲットと反応性ガスとを用いた反応性スパッタリング法によって、第2の光学調整層14の上に第3の光学調整層15を作製することができる。反応性スパッタリング法は、アルゴンガスなどの不活性ガスに、酸素や窒素などの反応性ガスを添加することで、金属又は半金属の酸化物或いは窒化物などを成膜する方法である。金属又は半金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法は、酸化物ターゲット用いる場合よりも、成膜速度を速くすることができる。 In the sputtering method, the third optical adjustment layer 15 can be formed on the second optical adjustment layer 14 by a reactive sputtering method using an oxide target, a metal or metalloid target, and a reactive gas. . The reactive sputtering method is a method of forming a metal or metalloid oxide or nitride film by adding a reactive gas such as oxygen or nitrogen to an inert gas such as argon gas. The reactive sputtering method using a metal or metalloid target can increase the deposition rate as compared with the case of using an oxide target.
第3の光学調整層15の厚みは、好ましくは1〜20nmであり、より好ましくは2〜15nmであり、さらに好ましくは5〜12nmである。第3の光学調整層15が厚くなり過ぎると、反射率が高くなり過ぎる傾向、及び、透明導電体100の反りが発生する場合がある。 The thickness of the 3rd optical adjustment layer 15 becomes like this. Preferably it is 1-20 nm, More preferably, it is 2-15 nm, More preferably, it is 5-12 nm. If the third optical adjustment layer 15 becomes too thick, the reflectance tends to be too high and the warp of the transparent conductor 100 may occur.
(透明導電層16)
透明導電層16は、金属(又は半金属)の酸化物からなる薄膜である。酸化物としては、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、インジウム−錫複合酸化物、錫−アンチモン複合酸化物、亜鉛−アルミニウム複合酸化物、及びインジウム−亜鉛複合酸化物などが挙げられる。透明導電層16は、これらのうち、酸化インジウム、又は、インジウム−錫複合酸化物を含有することが好ましい。インジウム−錫複合酸化物における酸化錫の含有量は、例えば3〜12重量%である。なお、インジウム−錫複合酸化物の屈折率は通常2.00前後であり、酸化インジウムの屈折率は通常1.9〜2.1である。
(Transparent conductive layer 16)
The transparent conductive layer 16 is a thin film made of a metal (or metalloid) oxide. Examples of the oxide include tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, indium-tin composite oxide, tin-antimony composite oxide, zinc-aluminum composite oxide, and indium-zinc composite oxide. It is done. Of these, the transparent conductive layer 16 preferably contains indium oxide or an indium-tin composite oxide. The content of tin oxide in the indium-tin composite oxide is, for example, 3 to 12% by weight. The refractive index of indium-tin composite oxide is usually around 2.00, and the refractive index of indium oxide is usually 1.9 to 2.1.
透明導電層16は、第3の光学調整層15の上に設けられる。透明導電層16は、第3の光学調整層15の一方面の全体を覆っていてもよく、一部のみを覆っていてもよい。すなわち、透明導電層16は、パターニングされて、該一方面の一部を覆うように構成されていてもよい。透明導電層16は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、又はCVD法などの真空成膜法によって成膜した後、結晶化処理して作製することができる。上述の成膜方法のうち、成膜室を小型化できる点で、スパッタリング法は好ましい。透明導電体100は真空成膜法によって作製される複数の層を有することから、スパッタリング法は特に好ましい。透明導電層16は、成膜後に、加熱して結晶化処理を行って形成する。この際の加熱条件は、通常、加熱温度140℃及び加熱時間90分間程度で行う。 The transparent conductive layer 16 is provided on the third optical adjustment layer 15. The transparent conductive layer 16 may cover the entire one surface of the third optical adjustment layer 15 or may cover only a part thereof. That is, the transparent conductive layer 16 may be patterned so as to cover a part of the one surface. The transparent conductive layer 16 can be formed by forming a film by a vacuum film formation method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a CVD method, and then performing a crystallization process. Of the above-described film forming methods, the sputtering method is preferable because the film forming chamber can be downsized. Since the transparent conductor 100 has a plurality of layers produced by a vacuum film forming method, the sputtering method is particularly preferable. The transparent conductive layer 16 is formed by heating and crystallizing after film formation. The heating conditions in this case are usually performed at a heating temperature of 140 ° C. and a heating time of about 90 minutes.
透明導電層16の厚みは、抵抗値と全光線透過率の観点から、例えば10〜50nmであり、好ましくは10〜30nmである。透明導電層16が薄すぎると緻密にならず抵抗値が安定しない傾向にある。一方、透明導電層16が厚すぎると、全光線透過率が低くなる傾向にある。 From the viewpoint of the resistance value and the total light transmittance, the thickness of the transparent conductive layer 16 is, for example, 10 to 50 nm, and preferably 10 to 30 nm. If the transparent conductive layer 16 is too thin, it does not become dense and the resistance value tends to be unstable. On the other hand, if the transparent conductive layer 16 is too thick, the total light transmittance tends to be low.
透明導電層16の屈折率(n4)は、例えば、1.4〜2.4であり、好ましくは1.7〜2.2である。このような屈折率を有する透明導電層16は、第3の光学調整層15と隣接するときに、n4−n3の差異が小さくなる。このため、エッチング後に、非導電部に微量の透明導電層16が残存していても、残存部を視認し難くすることができる。同様の観点から、n3,n4は、下記式(4)を満足することが好ましく、下記式(6)を満足することがより好ましい。
−0.3≦n4−n3≦0.3 (4)
−0.2≦n4−n3≦0.2 (6)
The refractive index (n4) of the transparent conductive layer 16 is, for example, 1.4 to 2.4, and preferably 1.7 to 2.2. When the transparent conductive layer 16 having such a refractive index is adjacent to the third optical adjustment layer 15, the difference n4-n3 is reduced. For this reason, even if a small amount of the transparent conductive layer 16 remains in the non-conductive portion after the etching, it is difficult to visually recognize the remaining portion. From the same viewpoint, n3 and n4 preferably satisfy the following formula (4), and more preferably satisfy the following formula (6).
−0.3 ≦ n4-n3 ≦ 0.3 (4)
−0.2 ≦ n4-n3 ≦ 0.2 (6)
透明導電層16の表面抵抗値は、低い方が好ましく、例えば300Ω/□(300Ω/sq.)以下であってもよく、50〜300Ω/□であってもよい。 The surface resistance value of the transparent conductive layer 16 is preferably low, and may be, for example, 300Ω / □ (300Ω / sq.) Or less, or 50 to 300Ω / □.
透明導電体100の厚みは、例えば200μm以下であってもよく、130μm以下であってもよく、115μm以下であってもよい。透明導電体100は、厚みを小さくしても、センシングパターン及びエッチング後に非導電部に残存する微量の透明導電層16を視認し難くすることが可能である。 The thickness of the transparent conductor 100 may be, for example, 200 μm or less, 130 μm or less, or 115 μm or less. Even if the thickness of the transparent conductor 100 is reduced, it is possible to make it difficult to visually recognize the minute amount of the transparent conductive layer 16 remaining in the non-conductive portion after the sensing pattern and etching.
透明導電体100における透明導電層16のエッチングは、導電部となるセンサ電極16a,16b(図4参照)の部分をレジストで覆った後、塩酸等の通常の酸性エッチング液を用いて行うことができる。透明導電層16は、塩酸等の酸性エッチング液に対して溶解するのに対し、第3の光学調整層15は、塩酸等の酸性エッチング液に対して溶解しないもの、すなわち安定であるものが好ましい。 Etching of the transparent conductive layer 16 in the transparent conductor 100 is performed using a normal acidic etching solution such as hydrochloric acid after covering portions of the sensor electrodes 16a and 16b (see FIG. 4) serving as conductive portions with a resist. it can. The transparent conductive layer 16 is soluble in an acidic etching solution such as hydrochloric acid, while the third optical adjustment layer 15 is preferably insoluble in an acidic etching solution such as hydrochloric acid, that is, stable. .
図2は、エッチングを行った後の非導電部の一例を拡大して示す走査型電子顕微鏡の画像(30,000倍)の写真である。図2では、エッチング後の非導電部に透明導電層16が島状に残存している。このように、非導電部に透明導電層16が島状に残存しても、透明導電体100は、残存する透明導電層16を視認し難くすることができる。 FIG. 2 is a photograph of a scanning electron microscope image (magnified 30,000) showing an example of the non-conductive portion after etching. In FIG. 2, the transparent conductive layer 16 remains in an island shape in the non-conductive portion after etching. Thus, even if the transparent conductive layer 16 remains in an island shape in the non-conductive portion, the transparent conductor 100 can make it difficult to visually recognize the remaining transparent conductive layer 16.
図3は、一対のセンサフィルムを備えるタッチパネル200の断面の一部を拡大して示す模式断面図である。図4(A)及び図4(B)は、上述の透明導電体100を用いたセンサフィルム100a及び100bの平面図である。タッチパネル200は、光学のり18を介して対向配置される一対のセンサフィルム100a,100bを備える。タッチパネル200は、接触体のタッチ位置を、画面となるパネル板70に平行な二次元座標(X−Y座標)平面における座標位置(横方向位置と縦方向位置)として算出することが可能なように構成されている。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an enlarged part of a cross section of a touch panel 200 including a pair of sensor films. 4A and 4B are plan views of sensor films 100a and 100b using the transparent conductor 100 described above. The touch panel 200 includes a pair of sensor films 100 a and 100 b that are disposed to face each other via the optical glue 18. The touch panel 200 can calculate the touch position of the contact body as a coordinate position (horizontal position and vertical position) on a two-dimensional coordinate (XY coordinate) plane parallel to the panel board 70 serving as a screen. It is configured.
具体的には、タッチパネル200は、光学のり18を介して貼り合わせられた、縦方向位置検出用のセンサフィルム100a(以下、「Y用センサフィルム」と言う)と、横方向位置検出用のセンサフィルム100b(以下、「X用センサフィルム」と言う)とを備える。X用センサフィルム100bの下面側には、X用センサフィルム100bと、表示装置のパネル板70との間に、スペーサ92が設けられている。 Specifically, the touch panel 200 includes a sensor film 100a for longitudinal position detection (hereinafter referred to as “sensor film for Y”) and a sensor for position detection in the lateral direction, which are bonded together via the optical glue 18. A film 100b (hereinafter referred to as "sensor film for X"). On the lower surface side of the X sensor film 100b, a spacer 92 is provided between the X sensor film 100b and the panel plate 70 of the display device.
Y用センサフィルム100aの上面側(パネル板70側とは反対側)には、光学のり17を介して、カバーグラス19が設けられている。すなわち、タッチパネル200は、パネル板70の上に、パネル板70側から、X用センサフィルム100b、Y用センサフィルム100a、及びカバーグラス19がこの順に積層された積層構造を有する。 A cover glass 19 is provided on the upper surface side (the side opposite to the panel plate 70 side) of the Y sensor film 100 a via an optical glue 17. That is, the touch panel 200 has a laminated structure in which the X sensor film 100b, the Y sensor film 100a, and the cover glass 19 are laminated in this order on the panel board 70 from the panel board 70 side.
縦方向位置を検出するY用センサフィルム100aと、横方向位置を検出するX用センサフィルム100bは、上述の透明導電体100で構成される。Y用センサフィルム100a及びX用センサフィルム100bは、カバーグラス19と対向するように、導電部であるセンサ電極16a及びセンサ電極16bを有する。 The Y sensor film 100a for detecting the vertical position and the X sensor film 100b for detecting the horizontal position are constituted by the transparent conductor 100 described above. The Y sensor film 100a and the X sensor film 100b have a sensor electrode 16a and a sensor electrode 16b, which are conductive portions, so as to face the cover glass 19.
センサ電極16aは、透明導電層16で構成される。図4(A)に示すように、センサ電極16aは、縦方向(y方向)のタッチ位置を検出できるように、縦方向(y方向)に複数本延在している。複数本のセンサ電極16aは、縦方向(y方向)に沿って、互いに平行に並べて配置されている。センサ電極16aの一端は、銀ペーストで形成される導体線路50を介して、駆動用IC側の電極80と接続されている。 The sensor electrode 16 a is composed of the transparent conductive layer 16. As shown in FIG. 4A, a plurality of sensor electrodes 16a extend in the vertical direction (y direction) so that the touch position in the vertical direction (y direction) can be detected. The plurality of sensor electrodes 16a are arranged in parallel to each other along the vertical direction (y direction). One end of the sensor electrode 16a is connected to the electrode 80 on the driving IC side via a conductor line 50 formed of silver paste.
センサ電極16bは、透明導電層16で構成される。図4(B)に示すように、センサ電極16bは、横方向(x方向)のタッチ位置を検出できるように、横方向(x方向)に複数本延在している。複数本のセンサ電極16bは、横方向(x方向)に沿って、互いに平行に並べて配置されている。センサ電極16bの一端は、銀ペーストで形成される導体線路50を介して、駆動用IC側の電極80と接続されている。 The sensor electrode 16 b is composed of the transparent conductive layer 16. As shown in FIG. 4B, a plurality of sensor electrodes 16b extend in the horizontal direction (x direction) so that the touch position in the horizontal direction (x direction) can be detected. The plurality of sensor electrodes 16b are arranged in parallel to each other along the horizontal direction (x direction). One end of the sensor electrode 16b is connected to the electrode 80 on the driving IC side via a conductor line 50 formed of silver paste.
Y用センサフィルム100aとX用センサフィルム100bは、Y用センサフィルム100aとX用センサフィルム100bの積層方向からみたときに、それぞれのセンサ電極16a,16bが互いに直交するように、光学のり18を介して重ね合わせられている。Y用センサフィルム100aのX用センサフィルム100b側とは反対側には、光学のり17を介してカバーグラス19が設けられている。光学のり17,18、カバーグラス19、及びパネル板70は、通常のものを用いることができる。 When the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b are viewed from the stacking direction of the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b, the optical glue 18 is arranged so that the sensor electrodes 16a and 16b are orthogonal to each other. Are overlaid. A cover glass 19 is provided on the opposite side of the Y sensor film 100 a from the X sensor film 100 b side via an optical glue 17. As the optical glues 17, 18, the cover glass 19, and the panel plate 70, ordinary ones can be used.
図4(A),(B)における導体線路50及び電極80は、金属(例えばAg)等の導電性材料によって構成される。導体線路50及び電極80は、例えば、スクリーン印刷によってパターン形成される。透明基材10は、タッチパネル200の表面を覆う保護フィルムとしての機能をも有する。 The conductor line 50 and the electrode 80 in FIGS. 4A and 4B are made of a conductive material such as metal (for example, Ag). The conductor line 50 and the electrode 80 are patterned by, for example, screen printing. The transparent substrate 10 also has a function as a protective film that covers the surface of the touch panel 200.
各センサフィルム100a,100bにおけるセンサ電極16a,16bの形状及び数は、図3及び図4に示す形態に限定されるものではない。例えば、センサ電極16a,16bの数を増やしてタッチ位置の検出精度を高めてもよい。 The shape and number of the sensor electrodes 16a and 16b in the sensor films 100a and 100b are not limited to the forms shown in FIGS. For example, the detection accuracy of the touch position may be increased by increasing the number of sensor electrodes 16a and 16b.
X用センサフィルム100bのY用センサフィルム100a側とは反対側には、スペーサ92を介してパネル板70が設けられる。スペーサ92は、センサ電極16a,16bの形状に対応する位置と、センサ電極16a,16bの全体を取り囲む位置とに設けることができる。スペーサ92は、透光性を有する材料、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂で形成されていてもよい。スペーサ92の一端は、光学のり或いはアクリル系又はエポキシ系等の透光性を有する接着剤90によって、X用センサフィルム100bの下面に接着される。スペーサ92の他端は、接着剤90によって表示装置のパネル板70に接着される。このように、スペーサ92を介してX用センサフィルム100bとパネル板70とを対向配置することによって、X用センサフィルム100bと表示装置のパネル板70との間に隙間Sを形成することができる。 On the opposite side of the X sensor film 100b to the Y sensor film 100a side, a panel plate 70 is provided via a spacer 92. The spacer 92 can be provided at a position corresponding to the shape of the sensor electrodes 16a and 16b and a position surrounding the entire sensor electrodes 16a and 16b. The spacer 92 may be formed of a light-transmitting material, for example, PET (polyethylene terephthalate) resin. One end of the spacer 92 is bonded to the lower surface of the X sensor film 100b by an optical glue or an adhesive 90 having translucency such as acrylic or epoxy. The other end of the spacer 92 is bonded to the panel plate 70 of the display device with an adhesive 90. Thus, by arranging the X sensor film 100b and the panel plate 70 to face each other via the spacer 92, a gap S can be formed between the X sensor film 100b and the panel plate 70 of the display device. .
電極80には、制御部(IC)が電気的に接続される。指先とタッチパネル200のY用センサフィルム100aの間における静電容量の変化によって生じる各センサ電極16a,16bの容量変化がそれぞれ測定される。制御部は、測定結果に基づいて接触体のタッチ位置を座標位置(X軸方向の位置とY軸方向の位置の交点)として算出することができる。なお、センサ電極の駆動方法、及び、座標位置の算出方法は、上述の他に、公知の各種の方法を採用することが可能である。 A control unit (IC) is electrically connected to the electrode 80. The capacitance changes of the sensor electrodes 16a and 16b caused by the capacitance change between the fingertip and the Y sensor film 100a of the touch panel 200 are measured. The control unit can calculate the touch position of the contact body as a coordinate position (intersection of the position in the X-axis direction and the position in the Y-axis direction) based on the measurement result. In addition to the above, various known methods can be adopted as the sensor electrode driving method and the coordinate position calculation method.
タッチパネル200は以下の手順で製造することができる。透明導電体100を準備した後、透明導電層16のエッチングを行って、パターニングを行う。具体的には、フォトリソグラフィーの技術を用いて透明導電層16の表面にスピンコーティングによりレジスト材料を塗布する。その後、密着性を向上させるためにプリベークを行ってもよい。続いて、マスクパターンを配置して露光し、現像液で現像することによって、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形成は、フォトリソグラフィーに限定されず、スクリーン印刷等によって形成することも可能である。エッチング液としては、無機酸系のエッチング液を用いることができる。例えば、塩酸系のエッチング液が好適である。 The touch panel 200 can be manufactured by the following procedure. After preparing the transparent conductor 100, the transparent conductive layer 16 is etched and patterned. Specifically, a resist material is applied to the surface of the transparent conductive layer 16 by spin coating using a photolithography technique. Thereafter, pre-baking may be performed to improve adhesion. Subsequently, a resist pattern is formed by arranging and exposing a mask pattern and developing with a developer. The formation of the resist pattern is not limited to photolithography, and can be formed by screen printing or the like. As the etchant, an inorganic acid-based etchant can be used. For example, a hydrochloric acid-based etching solution is suitable.
次に、酸性のエッチング液に、レジストパターンを形成した透明導電体100を浸漬し、レジストパターンが形成されて無い部分における透明導電層16を溶解除去する。その後、レジストを除去して、センサ電極16aが形成されたY用センサフィルム100aと、センサ電極16bが形成されたX用センサフィルム100bが得られる。 Next, the transparent conductor 100 on which the resist pattern is formed is immersed in an acidic etching solution, and the transparent conductive layer 16 in a portion where the resist pattern is not formed is dissolved and removed. Thereafter, the resist is removed to obtain the Y sensor film 100a on which the sensor electrode 16a is formed and the X sensor film 100b on which the sensor electrode 16b is formed.
続いて、例えば銀合金ペーストなどの金属ペーストを塗布して、導体線路50及び電極80を形成する。このようにして、制御部とセンサ電極16a,16bとが電気的に接続される。次に、Y用センサフィルム100aとX用センサフィルム100bを、光学のり18を用いて、それぞれのセンサ電極16a,16bが同一方向に向くようにして貼り合わせる。この場合、Y用センサフィルム100aとX用センサフィルム100bの積層方向からみたときに、センサ電極16a,16bが互いに直交するように貼り合わせる。そして、光学のり17を用いてカバーグラス19とY用センサフィルム100aとを貼り合わせる。このようにして、タッチパネル200を製造することができる。 Subsequently, for example, a metal paste such as a silver alloy paste is applied to form the conductor line 50 and the electrode 80. In this way, the control unit and the sensor electrodes 16a and 16b are electrically connected. Next, the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b are bonded using the optical glue 18 so that the sensor electrodes 16a and 16b face in the same direction. In this case, the sensor electrodes 16a and 16b are bonded so as to be orthogonal to each other when viewed from the stacking direction of the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b. Then, the cover glass 19 and the Y sensor film 100 a are bonded together using the optical glue 17. In this way, the touch panel 200 can be manufactured.
タッチパネル200は、Y用センサフィルム100a及びX用センサフィルム100bとして、透明導電体100を用いていることから、十分に薄型化することができる。このように薄型化しても、Y用センサフィルム100a及びX用センサフィルム100bのセンシングパターン、及びエッチング後に残存する微量の透明導電層を、十分に視認し難くすることができる。なお、Y用センサフィルム100a及びX用センサフィルム100bの双方に、透明導電体100を用いる必要はなく、どちらか一方は、別の透明導電体を用いてもよい。このようなタッチパネルであっても、センシングパターンのみならず、エッチング後に残存する微量の透明導電層を視認し難くすることができる。 Since the touch panel 200 uses the transparent conductor 100 as the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b, the touch panel 200 can be sufficiently thinned. Even if the thickness is reduced in this manner, the sensing patterns of the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b and the trace amount of the transparent conductive layer remaining after etching can be made sufficiently difficult to visually recognize. In addition, it is not necessary to use the transparent conductor 100 for both the Y sensor film 100a and the X sensor film 100b, and either one may use another transparent conductor. Even with such a touch panel, not only the sensing pattern but also a small amount of the transparent conductive layer remaining after etching can be made difficult to visually recognize.
図5は、本発明の透明導電体の別の実施形態を示す模式断面図である。透明導電体101は、光学調整層11aが、第2の光学調整層14と、第3の光学調整層15との間に、第4の光学調整層40を備える点で、透明導電体100と異なっている。その他の構成は、透明導電体100と同様である。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the transparent conductor of the present invention. The transparent conductor 101 is different from the transparent conductor 100 in that the optical adjustment layer 11a includes a fourth optical adjustment layer 40 between the second optical adjustment layer 14 and the third optical adjustment layer 15. Is different. Other configurations are the same as those of the transparent conductor 100.
第4の光学調整層40の屈折率(n5)の範囲は、n2と同様であり、例えば、1.40〜1.65であってもよく、1.45〜1.55であってもよい。n5は、下記式(7)、式(8)及び式(9)を満たすことが好ましい。
n1−n5≧0.1 (7)
−0.1<n2−n5<0.1 (8)
n3−n5≧0.1 (9)
The range of the refractive index (n5) of the fourth optical adjustment layer 40 is the same as that of n2, and may be, for example, 1.40 to 1.65, or 1.45 to 1.55. . n5 preferably satisfies the following formula (7), formula (8), and formula (9).
n1-n5 ≧ 0.1 (7)
-0.1 <n2-n5 <0.1 (8)
n3-n5 ≧ 0.1 (9)
第4の光学調整層40は、第2の光学調整層14と同様の材料で構成してもよい。例えば、第4の光学調整層40は、無機酸化物からなる層、及び/又は、樹脂組成物をエネルギー線で硬化させて得られる樹脂硬化物からなる層で構成してもよい。これらのうち、第2の光学調整層14及び第4の光学調整層40の一方を樹脂硬化物で構成し、他方を無機酸化物で構成することが好ましい。このように、層厚を大きくすることが容易な樹脂硬化物と、層厚み精度が容易な無機酸化物を組み合わせることで、光学調整層11a及び透明導電体101全体の厚みを精度よく制御して、センシングパターンをさらに視認し難くすることができる。 The fourth optical adjustment layer 40 may be made of the same material as that of the second optical adjustment layer 14. For example, the fourth optical adjustment layer 40 may be composed of a layer made of an inorganic oxide and / or a layer made of a cured resin obtained by curing a resin composition with energy rays. Among these, it is preferable that one of the second optical adjustment layer 14 and the fourth optical adjustment layer 40 is made of a cured resin and the other is made of an inorganic oxide. In this way, by combining the cured resin easily increasing the layer thickness and the inorganic oxide having an easy layer thickness accuracy, the thickness of the entire optical adjustment layer 11a and the transparent conductor 101 can be accurately controlled. The sensing pattern can be made more difficult to visually recognize.
第2の光学調整層14を樹脂硬化物からなる層とし、第4の光学調整層40を無機酸化物からなる層とすることがより好ましい。これによって、光学調整層11a及び透明導電体101全体の厚みを精度よく制御してセンシングパターンを視認し難くすることと、生産性の向上とを、さらに高い水準で両立することができる。第4の光学調整層40の厚みは、第2の光学調整層14の厚みとの合計として、5〜80nmであってもよく、10〜70nmであってもよく、15〜60nmであってもよい。 More preferably, the second optical adjustment layer 14 is a layer made of a cured resin, and the fourth optical adjustment layer 40 is a layer made of an inorganic oxide. Thereby, it is possible to make it difficult to visually recognize the sensing pattern by accurately controlling the thickness of the entire optical adjustment layer 11a and the transparent conductor 101, and to improve the productivity at a higher level. The thickness of the fourth optical adjustment layer 40 may be 5 to 80 nm, 10 to 70 nm, or 15 to 60 nm as the sum of the thickness of the second optical adjustment layer 14. Good.
上述の透明導電体100,101を用いることによって、センシングパターン及び非導電部に残存する微量の透明導電層16が視認され難いデバイスを作製することができる。このため、上記各実施形態の透明導電体100,101は、タッチパネル用に好適に用いることができる。ただし、その用途はタッチパネルに限定されるものではなく、例えば、透明導電層を所定形状に加工して、透明導電層を有する部分(導電部)と、透明導電層を有していない部分(非導電部)とを形成し、液晶ディスプレイ(LCD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、エレクトロルミネッセンスパネル(有機EL、無機EL)、エレクトロクロミック素子、及び電子ペーパーなどの各種表示装置において、透明電極用、帯電防止用、電磁波シールド用として用いることができる。また、アンテナとして用いることもできる。 By using the above-described transparent conductors 100 and 101, a device in which a minute amount of the transparent conductive layer 16 remaining in the sensing pattern and the non-conductive portion is difficult to be visually recognized can be manufactured. For this reason, the transparent conductors 100 and 101 of the above embodiments can be suitably used for touch panels. However, the application is not limited to the touch panel. For example, the transparent conductive layer is processed into a predetermined shape, and the portion having the transparent conductive layer (conductive portion) and the portion having no transparent conductive layer (non-conductive) In various display devices such as liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), electroluminescence panel (organic EL, inorganic EL), electrochromic element, and electronic paper, for transparent electrodes, It can be used for antistatic and electromagnetic shielding. It can also be used as an antenna.
以上、好適な実施形態を説明したが、透明導電体及びタッチパネルは上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、透明導電体は、透明基材10に隣接するハードコート層を備えてもよく、透明基材10を挟むように一対のハードコート層を備えてもよい。ハードコート層は、透明導電体の傷を防止するために設けてもよい。ハードコート層は、樹脂組成物を硬化させて得られる樹脂硬化物を含有する。また、透明導電体の機械的な強度を向上させるため、保護フィルムを設けてもよい。 As mentioned above, although suitable embodiment was described, a transparent conductor and a touch panel are not limited to the above-mentioned embodiment. For example, the transparent conductor may include a hard coat layer adjacent to the transparent substrate 10 or may include a pair of hard coat layers so as to sandwich the transparent substrate 10. The hard coat layer may be provided to prevent scratches on the transparent conductor. The hard coat layer contains a cured resin obtained by curing the resin composition. Moreover, in order to improve the mechanical strength of a transparent conductor, you may provide a protective film.
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.
[実施例1]
図1に示すような、透明導電体100を作製した。透明導電体は、透明基材10、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14、第3の光学調整層15、及び透明導電層16がこの順で積層された積層構造を有している。このような構造を有する透明導電体100を以下のとおりにして作製した。
[Example 1]
A transparent conductor 100 as shown in FIG. 1 was produced. The transparent conductor has a laminated structure in which the transparent substrate 10, the first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, the third optical adjustment layer 15, and the transparent conductive layer 16 are laminated in this order. doing. The transparent conductor 100 having such a structure was produced as follows.
厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム製、品番:KEL−86w)を準備した。このPETフィルムを透明基材10として用いた。透明基材10の屈折率は1.60であった。 A polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm (manufactured by Teijin DuPont Films, product number: KEL-86w) was prepared. This PET film was used as the transparent substrate 10. The refractive index of the transparent substrate 10 was 1.60.
<第1の光学調整層13の作製>
酸化ジルコニウム(ZrO2)を含有するTYZ70(商品名、東洋インキ(株)製)を、溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGMA)で希釈して塗料を調整した。得られた塗料を、第1の光学調整層13作製用の塗料として用いた。
<Preparation of the first optical adjustment layer 13>
TYZ70 (trade name, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd.) containing zirconium oxide (ZrO 2 ) was diluted with propylene glycol monomethyl ether (PGMA) as a solvent to prepare a coating material. The obtained paint was used as a paint for producing the first optical adjustment layer 13.
透明基材10の上に、第1の光学調整層13作製用の塗料をロールトゥロール方式で塗布して塗布膜を作製した。80℃に設定した乾燥炉において塗布膜中の溶剤を除去した後、UV処理装置を用いて積算光量400mJ/cm2の紫外線を照射して塗布膜を硬化させた。このようにして、透明基材10の上に第1の光学調整層13を作製した。第1の光学調整層13の屈折率(n1)及び厚みは表1に示すとおりであった。 On the transparent base material 10, the coating material for 1st optical adjustment layer 13 preparation was apply | coated by the roll toe roll system, and the coating film was produced. After removing the solvent in the coating film in a drying oven set at 80 ° C., the coating film was cured by irradiating with an ultraviolet ray having an integrated light amount of 400 mJ / cm 2 using a UV processing apparatus. In this way, the first optical adjustment layer 13 was produced on the transparent substrate 10. The refractive index (n1) and thickness of the first optical adjustment layer 13 were as shown in Table 1.
<第2の光学調整層14の作製>
第1の光学調整層13の上に、第2の光学調整層14を作製した。具体的には、SD−318(商品名、DIC株式会社株製、アクリル樹脂)を、溶剤で希釈して塗料を調整した。第1の光学調整層13の上に、この塗料をロールトゥロール方式で塗布して塗布膜を作製した。80℃に設定した乾燥炉において塗布膜中の溶剤を除去した後、UV処理装置を用いて積算光量400mJ/cm2の紫外線を照射して塗布膜を硬化させて、第2の光学調整層14を形成した。第2の光学調整層14の屈折率(n2)及び厚みは表1に示すとおりであった。
<Preparation of Second Optical Adjustment Layer 14>
On the 1st optical adjustment layer 13, the 2nd optical adjustment layer 14 was produced. Specifically, SD-318 (trade name, manufactured by DIC Corporation, acrylic resin) was diluted with a solvent to prepare a coating material. On the 1st optical adjustment layer 13, this coating material was apply | coated by the roll-to-roll system, and the coating film was produced. After removing the solvent in the coating film in a drying furnace set at 80 ° C., the coating film is cured by irradiating the coating film with ultraviolet rays with an integrated light amount of 400 mJ / cm 2 using a UV processing apparatus, and the second optical adjustment layer 14 Formed. The refractive index (n2) and thickness of the second optical adjustment layer 14 were as shown in Table 1.
<第3の光学調整層15の作製>
第2の光学調整層14の上に、スパッタリング法を用いて第3の光学調整層15を作製した。具体的には、ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス80体積%、酸素ガス5体積%、及び窒素ガス15体積%からなる混合雰囲気中で成膜して、窒化珪素及び酸化珪素からなる第3の光学調整層15を作製した。第3の光学調整層15の屈折率(n3)は表1に示すとおりであった。屈折率の値から、第3の光学調整層15における、窒化珪素(SiN)と酸化珪素(SiO2)のモル比率は60:40であった。
<Preparation of Third Optical Adjustment Layer 15>
On the 2nd optical adjustment layer 14, the 3rd optical adjustment layer 15 was produced using sputtering method. Specifically, a silicon target doped with boron is used to form a film in a mixed atmosphere composed of 80% by volume of argon gas, 5% by volume of oxygen gas, and 15% by volume of nitrogen gas, and from silicon nitride and silicon oxide. A third optical adjustment layer 15 was produced. The refractive index (n3) of the third optical adjustment layer 15 was as shown in Table 1. From the refractive index value, the molar ratio of silicon nitride (SiN) to silicon oxide (SiO 2 ) in the third optical adjustment layer 15 was 60:40.
<透明導電層16の作製>
第3の光学調整層15の上に、スパッタリング法を用いて透明導電層16を作製した。具体的には、酸化インジウムに酸化錫を5重量%添加したターゲットを用いて、アルゴンガス98体積%と酸素ガス2体積%とからなる混合雰囲気中で成膜して、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物からなる透明導電層16を作製した。その後、積層体をオーブンにて140℃、90分の条件で加熱して、透明導電体100を作製した。透明導電層16の厚みは21nm、屈折率(n4)は2.00であった。
<Preparation of transparent conductive layer 16>
A transparent conductive layer 16 was produced on the third optical adjustment layer 15 by sputtering. Specifically, using a target obtained by adding 5% by weight of tin oxide to indium oxide, a film was formed in a mixed atmosphere consisting of 98% by volume of argon gas and 2% by volume of oxygen gas. A transparent conductive layer 16 made of the composite oxide was prepared. Thereafter, the laminate was heated in an oven at 140 ° C. for 90 minutes to produce a transparent conductor 100. The transparent conductive layer 16 had a thickness of 21 nm and a refractive index (n4) of 2.00.
<各層の評価>
表1〜表5に示す各層の厚みは、以下の手順で測定した。作製した透明導電体100を集束イオンビーム装置(FIB,Focused Ion Beam)によって切断した。透過電子顕微鏡(TEM)を用いて切断面を観察し、各層の厚みを測定した。
<Evaluation of each layer>
The thickness of each layer shown in Tables 1 to 5 was measured by the following procedure. The produced transparent conductor 100 was cut by a focused ion beam device (FIB, Focused Ion Beam). The cut surface was observed using a transmission electron microscope (TEM), and the thickness of each layer was measured.
PETフィルム(透明基材10)の屈折率は、光学式膜厚測定装置(商品名:ETA−RT、STEAG ETA−Optik社製)を用いて測定を行った。一方、第1の光学調整層13、第2の光学調整層14、第3の光学調整層15、及び透明導電層16の屈折率は、屈折率測定用の膜を別途作製して測定した。具体的には、シリコンウエハー上に塗布して成膜し、エリプソメーター(商品名:DHA−OLX、溝尻光学工業所社製)を用いて、膜(層)のλ=633nmにおける20℃での屈折率を測定した。 The refractive index of the PET film (transparent substrate 10) was measured using an optical film thickness measuring device (trade name: ETA-RT, manufactured by STEAG ETA-Optik). On the other hand, the refractive indexes of the first optical adjustment layer 13, the second optical adjustment layer 14, the third optical adjustment layer 15, and the transparent conductive layer 16 were measured by separately preparing a refractive index measurement film. Specifically, it is applied onto a silicon wafer to form a film, and using an ellipsometer (trade name: DHA-OLX, manufactured by Mizoji Optical Co., Ltd.), the film (layer) at λ = 633 nm at 20 ° C. The refractive index was measured.
<反射率の評価>
透明導電体100における透明導電層16の一部をマスクで覆い、透明導電層16の他部を、エッチング液(クロマット IT(商品名)、富士技研工業株式会社製)を用いて除去した。透明導電層16の残存量の影響を評価するため、透明導電層16をエッチングで完全に除去したサンプル(1)と、透明導電層16をエッチングして、微量の透明導電層16が残存したサンプル(2)と、透明導電層16をエッチングする前のサンプル(3)とを準備した。サンプル(1)、(2)及び(3)の反射率を、分光色素計(CM−5(商品名)、コニカミノルタ製)で測定した。サンプル(1)、(2)及び(3)の波長450〜650nmにおける反射率の平均値を、それぞれ反射率(1)、(2)及び(3)として表1に示す。
<Evaluation of reflectance>
A part of the transparent conductive layer 16 in the transparent conductor 100 was covered with a mask, and the other part of the transparent conductive layer 16 was removed using an etching solution (Chromat IT (trade name), manufactured by Fuji Giken Kogyo Co., Ltd.). In order to evaluate the influence of the remaining amount of the transparent conductive layer 16, the sample (1) in which the transparent conductive layer 16 is completely removed by etching and the sample in which the transparent conductive layer 16 is etched to leave a small amount of the transparent conductive layer 16 remain. (2) and a sample (3) before etching the transparent conductive layer 16 were prepared. The reflectances of samples (1), (2), and (3) were measured with a spectrophotometer (CM-5 (trade name), manufactured by Konica Minolta). The average values of the reflectances of the samples (1), (2), and (3) at wavelengths of 450 to 650 nm are shown in Table 1 as reflectances (1), (2), and (3), respectively.
サンプル(2)は以下のとおりにして作製した。透明導電体100のエッチングを、40秒間から120秒間まで20秒間刻みで行った。20秒間経過毎に、透明導電体100の電気抵抗を、カードハイテスタ(商品名、日置電機社製)を用いて測定した。エッチング時間を横軸として、縦軸に電気抵抗をプロットしたときに、電気抵抗が測定レンジを超えてオーバーロードした時点のもの(電気抵抗がオーバーロードする、最もエッチング時間が短いもの)を、サンプル(2)とした。 Sample (2) was prepared as follows. Etching of the transparent conductor 100 was performed in increments of 20 seconds from 40 seconds to 120 seconds. Every 20 seconds, the electrical resistance of the transparent conductor 100 was measured using a card high tester (trade name, manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.). When the electrical resistance is plotted on the vertical axis with the etching time on the horizontal axis, the sample at the point when the electrical resistance exceeds the measurement range and overloads (the electrical resistance is overloaded and the etching time is the shortest) (2).
[実施例2]
第3の光学調整層15の作製において、ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス80体積%、酸素ガス2体積%、及び窒素ガス18体積%からなる混合雰囲気中で成膜して、窒化珪素及び酸化珪素からなる第3の光学調整層15を作製したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例1と同様にして、各評価を行った。結果を表1に示す。
[Example 2]
In the production of the third optical adjustment layer 15, a boron-doped silicon target was used to form a film in a mixed atmosphere composed of 80% by volume of argon gas, 2% by volume of oxygen gas, and 18% by volume of nitrogen gas, A transparent conductor 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the third optical adjustment layer 15 made of silicon nitride and silicon oxide was produced. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例3]
第3の光学調整層15の作製において、ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス80体積%、及び窒素ガス20体積%からなる混合雰囲気中で成膜して、窒化珪素からなる第3の光学調整層15を作製したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例1と同様にして、各評価を行った。結果を表1に示す。
[Example 3]
In the production of the third optical adjustment layer 15, using a boron-doped silicon target, a film was formed in a mixed atmosphere composed of 80% by volume of argon gas and 20% by volume of nitrogen gas, and a third layer made of silicon nitride. A transparent conductor 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the optical adjustment layer 15 was produced. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[実施例4]
第3の光学調整層15の作製において、TiO2(50質量%)とZnO2(50質量%)とからなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で成膜して、酸化チタンと酸化亜鉛からなる第3の光学調整層15を作製したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例1と同様にして、各評価を行った。結果を表1に示す。
[Example 4]
In the preparation of the third optical adjustment layer 15, using a target consisting of TiO 2 (50 wt%) ZnO 2 (50 wt%) and, was deposited in an argon gas atmosphere, and an oxide of titanium oxide, zinc A transparent conductor 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the third optical adjustment layer 15 was produced. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例1]
第3の光学調整層15の作製において、ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス85体積%、及び酸素ガス15体積%からなる混合雰囲気中で成膜して、酸化珪素からなる第3の光学調整層15を作製したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電体を作製した。そして、実施例1と同様にして、各評価を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 1]
In the production of the third optical adjustment layer 15, a silicon target doped with boron is used to form a film in a mixed atmosphere consisting of 85% by volume of argon gas and 15% by volume of oxygen gas, and a third layer made of silicon oxide. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that the optical adjustment layer 15 was produced. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
[比較例2]
第3の光学調整層15の作製において、TiO2からなるターゲットを用いて、アルゴンガス雰囲気中で成膜して、酸化チタンからなる第3の光学調整層を作製したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例1と同様にして、各評価を行った。結果を表1に示す。
[Comparative Example 2]
Example 1 except that in the production of the third optical adjustment layer 15, a target made of TiO 2 was used to form a film in an argon gas atmosphere to produce a third optical adjustment layer made of titanium oxide. A transparent conductor 100 was produced in the same manner as described above. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
表1に、「反射率(3)−反射率(1)」の値、及び、「反射率(2)−反射率(1)」の値を示す(以下、これらの値を総称して「反射率の差」という。)。反射率の差の絶対値が小さいほど、エッチング後に残存する透明導電層及びセンシングパターンが視認され難い透明導電体とすることができる。 Table 1 shows the values of “reflectance (3) −reflectivity (1)” and “reflectivity (2) —reflectivity (1)” (hereinafter these values are collectively referred to as “ "Reflectance difference"). As the absolute value of the difference in reflectance is smaller, the transparent conductive layer and the sensing pattern remaining after etching can be made less visible.
表1に示すとおり、各実施例の透明導電体は、反射率の差の絶対値が1.0未満であり、十分に小さくなっていることが確認された。一方、各比較例の透明導電体は、反射率(3)−反射率(1)の差の絶対値が1.0以上であり、センシングパターンが視認され易いことが確認された。また、比較例1の透明導電体は、反射率(2)−反射率(1)の絶対値が0.7以上であり、エッチング後に残存する微量の透明導電層が、各実施例よりも視認され易いことが確認された。 As shown in Table 1, it was confirmed that the transparent conductor of each example had a sufficiently small absolute value of reflectance difference of less than 1.0. On the other hand, the transparent conductor of each comparative example has an absolute value of a difference of reflectance (3) −reflectance (1) of 1.0 or more, and it was confirmed that the sensing pattern is easily visible. In addition, the transparent conductor of Comparative Example 1 has an absolute value of reflectance (2) −reflectance (1) of 0.7 or more, and a small amount of the transparent conductive layer remaining after etching is more visible than each example. It was confirmed that it was easy to be done.
[実施例5]
実施例3と同様にして第1の光学調整層13を作製した。この上に、スパッタリング法を用いて、第2の光学調整層14を形成した。具体的には、ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス80体積%、酸素ガス10体積%、及び窒素ガス10体積%からなる混合雰囲気中で、窒化珪素及び酸化珪素からなる第2の光学調整層14(屈折率:1.60)を作製した。
[Example 5]
A first optical adjustment layer 13 was produced in the same manner as in Example 3. On this, the 2nd optical adjustment layer 14 was formed using sputtering method. Specifically, using a boron-doped silicon target, a second atmosphere composed of silicon nitride and silicon oxide in a mixed atmosphere composed of 80% by volume of argon gas, 10% by volume of oxygen gas, and 10% by volume of nitrogen gas. The optical adjustment layer 14 (refractive index: 1.60) was produced.
実施例3と同様にして、第3の光学調整層15及び透明導電層16を作製して透明導電体100を作製した。そして、実施例3と同様にして各評価を行った。結果を表2に示す。比較のため、実施例3の結果も併せて表2に示す。 In the same manner as in Example 3, the third optical adjustment layer 15 and the transparent conductive layer 16 were produced, and the transparent conductor 100 was produced. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 3. The results are shown in Table 2. For comparison, the results of Example 3 are also shown in Table 2.
[比較例3]
ホウ素をドープした珪素ターゲットを用いて、アルゴンガス80体積%、及び窒素ガス20体積%からなる混合雰囲気中で成膜して、窒化珪素からなる第2の光学調整層14を作製したこと以外は、実施例5と同様にして透明導電体を作製した。そして、実施例5と同様にして各評価を行った。結果を表2に示す。
[Comparative Example 3]
Except for forming the second optical adjustment layer 14 made of silicon nitride by forming a film in a mixed atmosphere composed of 80% by volume of argon gas and 20% by volume of nitrogen gas using a silicon target doped with boron. A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 5. Each evaluation was performed in the same manner as in Example 5. The results are shown in Table 2.
表2に示すとおり、n3−n2及びn1−n2の値が所定値よりも小さい比較例3は、反射率の差の絶対値が1.0以上となる場合があり、センシングパターンが視認され易いことが確認された。 As shown in Table 2, in Comparative Example 3 in which the values of n3-n2 and n1-n2 are smaller than a predetermined value, the absolute value of the difference in reflectance may be 1.0 or more, and the sensing pattern is easily visible. It was confirmed.
[実施例6〜11]
スパッタリングの時間を調整して、第3の光学調整層15の厚みを表3に示すとおりに変更したこと以外は、実施例3と同様にして、実施例6〜11の透明導電体100を作製した。そして、実施例3と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表3に示す。比較のため、実施例3の結果も併せて表3に示す。
[Examples 6 to 11]
The transparent conductor 100 of Examples 6-11 was produced like Example 3 except having adjusted the time of sputtering and having changed the thickness of the 3rd optical adjustment layer 15 as shown in Table 3. did. Then, each layer and the transparent conductor were evaluated in the same manner as in Example 3. The evaluation results are shown in Table 3. For comparison, the results of Example 3 are also shown in Table 3.
[比較例4]
第3の光学調整層15を作製しなかったこと以外は、実施例3と同様にして、比較例4の透明導電体を作製した。そして、実施例1と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表3に示す。
[Comparative Example 4]
A transparent conductor of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Example 3 except that the third optical adjustment layer 15 was not produced. Then, in the same manner as in Example 1, each layer and the transparent conductor were evaluated. The evaluation results are shown in Table 3.
表3に示すとおり、第3の光学調整層15を設けることによって、反射率の差の絶対値を1.0未満とすることができた。一方、第3の光学調整層15を設けていない比較例4では、反射率(3)−反射率(1)の絶対値が1.0以上となり、センシングパターンが視認され易いことが確認された。また、比較例4の透明導電体は、反射率(2)−反射率(1)の絶対値が0.8であり、エッチング後に残存する微量の透明導電層が、各実施例よりも視認され易いことが確認された。 As shown in Table 3, the absolute value of the difference in reflectance could be made less than 1.0 by providing the third optical adjustment layer 15. On the other hand, in Comparative Example 4 in which the third optical adjustment layer 15 is not provided, the absolute value of reflectance (3) −reflectance (1) is 1.0 or more, and it has been confirmed that the sensing pattern is easily visible. . Further, the transparent conductor of Comparative Example 4 has an absolute value of reflectance (2) -reflectance (1) of 0.8, and a small amount of the transparent conductive layer remaining after etching is more visible than in each example. It was confirmed that it was easy.
[実施例12]
塗料の塗布量を調整して、第2の光学調整層14の厚みを55nmとしたこと以外は、実施例3と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例3と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表4に示す。比較のため、実施例3の結果も併せて表4に示す。
[Example 12]
A transparent conductor 100 was produced in the same manner as in Example 3 except that the coating amount of the paint was adjusted so that the thickness of the second optical adjustment layer 14 was 55 nm. Then, each layer and the transparent conductor were evaluated in the same manner as in Example 3. The evaluation results are shown in Table 4. For comparison, the results of Example 3 are also shown in Table 4.
[比較例5]
第2の光学調整層14を作製しなかったこと以外は、実施例3と同様にして透明導電体を作製した。そして、実施例3と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表4に示す。
[Comparative Example 5]
A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 3 except that the second optical adjustment layer 14 was not produced. Then, each layer and the transparent conductor were evaluated in the same manner as in Example 3. The evaluation results are shown in Table 4.
表4に示すとおり、第2の光学調整層14の厚みを変更しても、反射率の差の絶対値を1.0未満にすることができた(実施例12)。一方、第2の光学調整層14を設けていない比較例5では、反射率(3)−反射率(1)の絶対値が1.0以上となり、センシングパターンが視認され易いことが確認された。 As shown in Table 4, even when the thickness of the second optical adjustment layer 14 was changed, the absolute value of the difference in reflectance could be made less than 1.0 (Example 12). On the other hand, in Comparative Example 5 in which the second optical adjustment layer 14 was not provided, the absolute value of reflectance (3) −reflectance (1) was 1.0 or more, and it was confirmed that the sensing pattern was easily visible. .
[実施例13]
塗料の塗布量を調整して、第2の光学調整層14の厚みを表5に示すとおりとしたこと、及び、第1の光学調整層13を以下のとおりにして作製したこと以外は、実施例3と同様にして透明導電体100を作製した。そして、実施例3と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表5に示す。
[Example 13]
Implementation was performed except that the coating amount of the paint was adjusted so that the thickness of the second optical adjustment layer 14 was as shown in Table 5 and that the first optical adjustment layer 13 was produced as follows. A transparent conductor 100 was produced in the same manner as in Example 3. Then, each layer and the transparent conductor were evaluated in the same manner as in Example 3. The evaluation results are shown in Table 5.
第1の光学調整層13は以下のとおりにして作製した。具体的には、酸化ジルコニウム(ZrO2)を含有するTYZ74(商品名、東洋インキ(株)製、アクリル樹脂)を、溶剤で希釈して塗料を調整した。透明基材10の上に、この塗料をロールトゥロール方式で塗布して塗布膜を作製した。80℃に設定した乾燥炉において塗布膜中の溶剤を除去した後、UV処理装置を用いて積算光量400mJ/cm2の紫外線を照射して塗布膜を硬化させて、第1の光学調整層13を形成した。 The first optical adjustment layer 13 was produced as follows. Specifically, TYZ74 (trade name, manufactured by Toyo Ink Co., Ltd., acrylic resin) containing zirconium oxide (ZrO 2 ) was diluted with a solvent to prepare a coating material. On the transparent base material 10, this coating material was apply | coated by the roll to roll system, and the coating film was produced. After removing the solvent in the coating film in a drying furnace set at 80 ° C., the coating film is cured by irradiating the coating film with ultraviolet rays having an integrated light amount of 400 mJ / cm 2 using a UV processing apparatus, and the first optical adjustment layer 13 is then cured. Formed.
[比較例6]
第3の光学調整層15を作製しなかったこと以外は、実施例13と同様にして透明導電体を作製した。そして、実施例3と同様にして、各層及び透明導電体の評価を行った。評価結果を表5に示す。
[Comparative Example 6]
A transparent conductor was produced in the same manner as in Example 13 except that the third optical adjustment layer 15 was not produced. Then, each layer and the transparent conductor were evaluated in the same manner as in Example 3. The evaluation results are shown in Table 5.
表5に示すとおり、第1の光学調整層13の厚みを大きくしても、反射率の差の絶対値を1.0未満にすることができることが確認された(実施例13)。なお、第3の光学調整層15を設けていない比較例6では、反射率の差の絶対値が1.0以上となり、エッチング後に残存する透明導電層及びセンシングパターンが視認され易いことが確認された。 As shown in Table 5, it was confirmed that even when the thickness of the first optical adjustment layer 13 was increased, the absolute value of the difference in reflectance could be made less than 1.0 (Example 13). In Comparative Example 6 in which the third optical adjustment layer 15 was not provided, the absolute value of the difference in reflectance was 1.0 or more, and it was confirmed that the transparent conductive layer and the sensing pattern remaining after etching were easily visible. It was.
非導電部に残存する透明導電層が視認され難い透明導電体が提供される。また、非導電部に残存する透明導電層が視認され難いタッチパネルが提供される。 A transparent conductor in which the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion is hardly visible is provided. In addition, a touch panel is provided in which the transparent conductive layer remaining in the non-conductive portion is hardly visible.
10…透明基材、11…光学調整層、13…第1の光学調整層、14…第2の光学調整層、15…第3の光学調整層、16…透明導電層、16a,16b…センサ電極、17,18…光学のり、19…カバーグラス、50…導体線路、70…パネル板、80…電極、90…接着剤、92…スペーサ、100,101…透明導電体、100a…Y用センサフィルム、100b…X用センサフィルム、200…タッチパネル。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Transparent base material, 11 ... Optical adjustment layer, 13 ... 1st optical adjustment layer, 14 ... 2nd optical adjustment layer, 15 ... 3rd optical adjustment layer, 16 ... Transparent conductive layer, 16a, 16b ... Sensor Electrode, 17, 18 ... Optical glue, 19 ... Cover glass, 50 ... Conductor line, 70 ... Panel plate, 80 ... Electrode, 90 ... Adhesive, 92 ... Spacer, 100, 101 ... Transparent conductor, 100a ... Sensor for Y Film, 100b ... Sensor film for X, 200 ... Touch panel.
Claims (6)
前記光学調整層は、前記透明基材側から、第1の光学調整層、第2の光学調整層、及び第3の光学調整層を有し、
前記第1の光学調整層、前記第2の光学調整層及び前記第3の光学調整層の屈折率を、それぞれ、n1、n2及びn3としたときに、下記式(1)、式(2)及び式(3)を満たす、透明導電体。
1.7≦n3≦2.2 (1)
n3−n2≧0.1 (2)
n1−n2≧0.1 (3) A transparent conductor comprising a transparent substrate, a transparent conductive layer, and an optical adjustment layer between the transparent substrate and the transparent conductive layer,
The optical adjustment layer has a first optical adjustment layer, a second optical adjustment layer, and a third optical adjustment layer from the transparent substrate side,
When the refractive indexes of the first optical adjustment layer, the second optical adjustment layer, and the third optical adjustment layer are n1, n2, and n3, respectively, the following formulas (1) and (2) And a transparent conductor satisfying the formula (3).
1.7 ≦ n3 ≦ 2.2 (1)
n3-n2 ≧ 0.1 (2)
n1-n2 ≧ 0.1 (3)
−0.3≦n4−n3≦0.3 (4) The transparent conductor as described in any one of Claims 1-4 which satisfy | fills following formula (4) when the refractive index of the said transparent conductive layer is set to n4.
−0.3 ≦ n4-n3 ≦ 0.3 (4)
前記センサフィルムが請求項1〜5のいずれか一項に記載の透明導電体で構成されるタッチパネル。 A touch panel having a sensor film on a panel board,
The touch panel with which the said sensor film is comprised with the transparent conductor as described in any one of Claims 1-5.
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