JP2014527534A - スピロベンジルアミン−ホスフィン及びその製造方法並びにその使用 - Google Patents
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Abstract
Description
前記C1〜C8アルキル基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、s−ペンチル基、t−ペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、s−ヘキシル基、t−ヘキシル基、n−ヘプチル基、イソヘプチル基、ネオヘプチル基、s−ヘプチル基、t−ヘプチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、ネオオクチル基、s−オクチル基又はt−オクチル基であり、
前記C1〜C8アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、s−ペンチルオキシ基、t−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、s−ヘキシルオキシ基、t−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、s−ヘプチルオキシ基、t−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、s−オクチルオキシ基又はt−オクチルオキシ基であり、
前記C1〜C8アシル基は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、n−ブチリル基、イソブチリル基、n−バレリル基、イソバレリル基、s−バレリル基、ネオバレリル基、n−ヘキサノイル基、イソヘキサノイル基、ネオヘキサノイル基、s−ヘキサノイル基、n−ヘプタノイル基、イソヘプタノイル基、ネオヘプタノイル基、s−ヘプタノイル基、n−オクタノイル基、イソオクタノイル基、ネオオクタノイル基、s−オクタノイル基、1−シクロプロピルホルミル基、1−シクロブチルホルミル基、1−シクロペンチルホルミル基、1−シクロヘキシルホルミル基、1−シクロヘプチルホルミル基であり;
前記C2〜C8アシルオキシ基は、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、n−ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、n−バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、s−バレリルオキシ基、ネオバレリルオキシ基、n−ヘキサノイルオキシ基、イソヘキサノイルオキシ基、ネオヘキサノイルオキシ基、s−ヘキサノイルオキシ基、n−ヘプタノイルオキシ基、イソヘプタノイルオキシ基、ネオヘプタノイルオキシ基、s−ヘプタノイルオキシ基、n−オクタノイルオキシ基、イソオクタノイルオキシ基、ネオオクタノイルオキシ基、s−オクタノイルオキシ基、1−シクロプロピルホルミルオキシ基、1−シクロブチルホルミルオキシ基、1−シクロペンチルホルミルオキシ基、1−シクロヘキシルホルミルオキシ基、1−シクロヘプチルホルミルオキシ基であり、
前記C2〜C8エステル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、s−ペンチルオキシカルボニル基、t−ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、s−ヘキシルオキシカルボニル基、t−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ネオヘプチルオキシカルボニル基、s−ヘプチルオキシカルボニル基、t−ヘプチルオキシカルボニル基、シクロヘプチルオキシカルボニル基であり、
前記ハロアルキル基は、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を含むハロアルキル基である。
置換される7−トリフルオロメシルオキシ−7'−ジアリールホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン1を出発原料とし、まず、パラジウム触媒によるシアノ化反応により、中間体2を製造するステップと、
還元剤の作用下で、シアノ化合物2からR8とR9は同時にHであるスピロベンジルアミン−ホスフィン3を得るステップと、
スピロベンジルアミン−ホスフィン3のアミノ基に置換反応を行って、R8とR9は同時にHであることではない他のスピロベンジルアミン−ホスフィンを製造するステップとを含む。
本発明で提供されるスピロベンジルアミン−ホスフィンから製造されるスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体5は以下のような構造式を有する。
前記のスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体の製造方法は、有機溶媒(ジクロロメタン、トリクロロメタン又は1,2−ジクロロエタンの1種又は複数種)に、10〜50℃で、スピロベンジルアミン−ホスフィン(1mol)と1価のイリジウム化合物、例えは[Ir(COD)Cl]2(COD=シクロオクタジエン)(0.5〜1mol)が0.5〜24時間反応して、Clをアニオンとするスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体を製造し、さらに、アニオン交換により異なるアニオンを有するスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体を得る。
前記ピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体の使用は、α−置換アクリル酸の不斉水素化反応を触媒することに用いられるものである。
具体的な過程は、触媒と基質とを反応釜の内管に加え、添加剤と溶媒を加え、反応釜を密閉して水素ガスで3〜10回置換し、所定の圧力まで水素ガスを導入し、所定の温度で反応終了まで撹拌する。
実施例で略語を使用し、その意味は以下の通りである。
以下の化合物の合成方法は実施例1と同じである。
以下の化合物の合成方法は実施例2と同じである。
以下の化合物の合成方法は実施例5と同じである。
NaBArFの代わりに、異なるアニオンを含むナトリウム塩、銀塩などを用いて、各種の異なるアニオンを含むスピロベンジルアミン−ホスフィンとイリジウムとの錯体を現地で製造できた。具体的な操作を実施例10を参照した。
Claims (10)
- 式(I)で表される構造を有する化合物であることを特徴とするスピロベンジルアミン−ホスフィン。
R3、R4、R5、R6はそれぞれH、C1〜C8アルキル基、ハロアルキル基、C1〜C8アルコキシ基、C2〜C8アシルオキシ基、C1〜C8アシル基、C2〜C8エステル基、(C1〜C8アシル基)アミノ基、ジ(C1〜C8アルキル基)アミノ基、ハロゲン、フェニル基、置換されるフェニル基、ナフチル基、置換されるナフチル基、フリル基、チエニル基であり;或いはR3〜R4、R5〜R6は縮合脂肪環又は芳香環である。R3、R4、R5、R6は同一でも異なっていてもよい。
R7はC1〜C8アルキル基、フェニル基、置換されるフェニル基、ナフチル基、置換されるナフチル基、フリル基、又はチエニル基である。
R8、R9はそれぞれH、C1〜C8アルキル基、ベンジル基、置換されるベンジル基、フェニル基、置換されるフェニル基、ナフチル基、置換されるナフチル基、フリル基、又はチエニル基である。R8とR9は同一でも異なっていてもよい。
前記置換されるフェニル基又はナフチル基において、置換基はC1〜C8アルキル基、C1〜C8アルコキシ基、水酸基、C2〜C8アシルオキシ基、ハロゲン、アミノ基、(C1〜C8アシル基)アミノ基、ジ(C1〜C8アルキル基)アミノ基、C1〜C8アシル基、C2〜C8エステル基の1種又は複数種である。置換基の数は0〜5である。) - 前記C1〜C8アルキル基はメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、s−ペンチル基、t−ペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、ネオヘキシル基、s−ヘキシル基、t−ヘキシル基、n−ヘプチル基、イソヘプチル基、ネオヘプチル基、s−ヘプチル基、t−ヘプチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、ネオオクチル基、s−オクチル基又はt−オクチル基であり、
前記C1〜C8アルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、s−ペンチルオキシ基、t−ペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、s−ヘキシルオキシ基、t−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ネオヘプチルオキシ基、s−ヘプチルオキシ基、t−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ネオオクチルオキシ基、s−オクチルオキシ基又はt−オクチルオキシ基であり、
前記C1〜C8アシル基は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、n−ブチリル基、イソブチリル基、n−バレリル基、イソバレリル基、s−バレリル基、ネオバレリル基、n−ヘキサノイル基、イソヘキサノイル基、ネオヘキサノイル基、s−ヘキサノイル基、n−ヘプタノイル基、イソヘプタノイル基、ネオヘプタノイル基、s−ヘプタノイル基、n−オクタノイル基、イソオクタノイル基、ネオオクタノイル基、s−オクタノイル基、1−シクロプロピルホルミル基、1−シクロブチルホルミル基、1−シクロペンチルホルミル基、1−シクロヘキシルホルミル基又は1−シクロヘプチルホルミル基であり;
前記C2〜C8アシルオキシ基は、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、n−ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、n−バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、s−バレリルオキシ基、ネオバレリルオキシ基、n−ヘキサノイルオキシ基、イソヘキサノイルオキシ基、ネオヘキサノイルオキシ基、s−ヘキサノイルオキシ基、n−ヘプタノイルオキシ基、イソヘプタノイルオキシ基、ネオヘプタノイルオキシ基、s−ヘプタノイルオキシ基、n−オクタノイルオキシ基、イソオクタノイルオキシ基、ネオオクタノイルオキシ基、s−オクタノイルオキシ基、1−シクロプロピルホルミルオキシ基、1−シクロブチルホルミルオキシ基、1−シクロペンチルホルミルオキシ基、1−シクロヘキシルホルミルオキシ基又は1−シクロヘプチルホルミルオキシ基であり、
前記C2〜C8エステル基は、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、s−ペンチルオキシカルボニル基、t−ペンチルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、イソヘキシルオキシカルボニル基、ネオヘキシルオキシカルボニル基、s−ヘキシルオキシカルボニル基、t−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、イソヘプチルオキシカルボニル基、ネオヘプチルオキシカルボニル基、s−ヘプチルオキシカルボニル基、t−ヘプチルオキシカルボニル基又はシクロヘプチルオキシカルボニル基であり、
前記ハロアルキル基は、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素を含むハロアルキル基であることを特徴とする請求項1に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィン。 - 同じ化学構造一般式を有するが、異なる立体構造及び旋光性を持つラセミ体、D体及びL体を含むことを特徴とする請求項1に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィン。
- 7−アミノメチル−7'−ジ(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン、
7−アミノメチル−7'−ジフェニルホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン、
7−アミノメチル−7'−ジ(4−メチルフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン、
7−アミノメチル−7'−ジ(4−メトキシフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン、
7−アミノメチル−7'−ジ(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン
N−メチル−7−アミノメチル−7'−ジ(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン、
N−ベンジル−7−アミノメチル−7'−ジ(3,5−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデンであることを特徴とする請求項1に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィン。 - 置換される7−トリフルオロメシルオキシ−7'−ジアリールホスフィノ−1,1’−スピロジヒドロインデン1を出発原料として、まず、パラジウム触媒によるシアノ化反応により中間体2を製造するステップと、
還元剤の作用下で、シアノ化合物2からR8とR9は同時にHであるスピロベンジルアミン−ホスフィン3を得るステップと、
スピロベンジルアミン−ホスフィン3のアミノ基に置換反応を行って、R8とR9は同時にHであることではない他のスピロベンジルアミン−ホスフィンを製造するステップとを含むことを特徴とする請求項1に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィンの製造方法であって、
具体的な反応は以下の通りである。
- 以下のような構造式を有することを特徴とする請求項1に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィンから製造されるイリジウム錯体。
- ジクロロメタン、トリクロロメタン又は1,2−ジクロロエタンの1種又は複数種の有機溶媒に、10〜50℃で、スピロベンジルアミン−ホスフィンとイリジウム前駆体は錯体を形成し、XがClであるスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体を製造し、さらに、アニオン交換により異なるアニオンを有するスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体を得ることを特徴とする請求項6に記載のスピロベンジルアミン−ホスフィンのイリジウム錯体の製造方法。
- 触媒と基質とを反応釜の内管に加え、添加剤と溶媒を加え、反応釜を密閉して水素ガスで3〜10回置換し、所定の圧力まで水素ガスを導入し、所定の温度で反応終了まで撹拌することを特徴とする請求項8に記載の使用。
- 前記触媒による水素化反応の条件は、使用される溶媒がC1〜C6のアルコール類であり、触媒の使用量が0.001〜1mol%、基質の濃度が0.001〜10.0Mであり、添加剤がイソプロピルアミン、t−ブチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ−7−エン、1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、t−ブタノールナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウム、t−ブタノールカリウム、水酸化セシウム、炭酸セシウムの1種又は複数種であり、反応温度が0〜100℃であり、水素ガスの圧力が0.1〜10MPaであり、10分間〜48時間反応することを特徴とする請求項8に記載の使用。
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