JP2014116046A - Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk.
今日、パーソナルコンピュータ、あるいはDVD(Digital Versatile Disc)記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(HDD:Hard Disk Drive)が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッドで磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板として、金属基板(アルミニウム基板)等に比べて塑性変形し難い性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられる。 2. Description of the Related Art Today, a personal computer, a DVD (Digital Versatile Disc) recording device, or the like has a built-in hard disk device (HDD: Hard Disk Drive) for data recording. In particular, in a hard disk device used in a portable computer such as a notebook personal computer, a magnetic disk in which a magnetic layer is provided on a glass substrate is used, and the magnetic head slightly floats above the surface of the magnetic disk. Thus, magnetic recording information is recorded on or read from the magnetic layer. As a substrate for this magnetic disk, a glass substrate is preferably used because it has a property that it is less likely to be plastically deformed than a metal substrate (aluminum substrate) or the like.
また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁性層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリアの微細化が行われている。これにより、1枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。このようなディスク基板においては、磁性層の磁化方向が基板面に対して略垂直方向に向くように、基板表面を出来る限り平らにして磁性粒の成長方向を垂直方向に揃えることが好ましい。
さらに、記憶容量の一層の増大化のために、DFH(Dynamic Flying Height)機構を搭載した磁気ヘッドを用いて磁気記録面からの浮上距離を極めて短くすることにより、磁気ヘッドの記録再生素子と磁気ディスクの磁気記録層との間の磁気的スペーシングを低減して情報の記録再生の精度をより高める(S/N比を向上させる)ことも行われている。この場合においても、磁気ヘッドによる磁気記録情報の読み書きを長期に亘って安定して行うために、磁気ディスクの基板の表面凹凸は可能な限り小さくすることが求められる。
Further, in response to a request for an increase in storage capacity in a hard disk device, the density of magnetic recording has been increased. For example, the magnetic recording information area is miniaturized by using a perpendicular magnetic recording method in which the magnetization direction in the magnetic layer is perpendicular to the surface of the substrate. Thereby, the storage capacity of one disk substrate can be increased. In such a disk substrate, it is preferable to make the surface of the substrate as flat as possible and align the growth direction of the magnetic grains in the vertical direction so that the magnetization direction of the magnetic layer is substantially perpendicular to the substrate surface.
Furthermore, in order to further increase the storage capacity, a magnetic head equipped with a DFH (Dynamic Flying Height) mechanism is used to significantly shorten the flying distance from the magnetic recording surface, so that the recording / reproducing element of the magnetic head and the magnetic It is also practiced to increase the accuracy of recording / reproducing information (to improve the S / N ratio) by reducing the magnetic spacing between the magnetic recording layers of the disk. Even in this case, the surface irregularities of the substrate of the magnetic disk are required to be as small as possible in order to read and write magnetic recording information by the magnetic head stably over a long period of time.
磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程には、例えば、プレス成形後に平板状となったガラス基板の主表面の平坦度を向上させるために固定砥粒による研削を行う研削工程と、この研削工程によって主表面に残留したキズ、歪みの除去を目的とする主表面の研磨工程が含まれる。
従来、上記主表面の研磨工程においては、研磨剤として酸化セリウム(二酸化セリウム)砥粒を用いる方法が知られている(特許文献1)。研磨剤として酸化セリウム砥粒を用いる方法によれば、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に残留したキズや歪みを高い研磨レートで除去でき、磁気ディスク用ガラス基板に必要とされる主表面の表面凹凸を効率良く達成することができる。
In the process of producing the glass substrate for magnetic disk, for example, a grinding process of grinding with fixed abrasive grains to improve the flatness of the main surface of the glass substrate that has become flat after press molding, and this grinding process A polishing process of the main surface for the purpose of removing scratches and distortions remaining on the main surface is included.
Conventionally, a method using cerium oxide (cerium dioxide) abrasive grains as an abrasive is known in the polishing step of the main surface (Patent Document 1). According to the method using cerium oxide abrasive as the abrasive, scratches and distortions remaining on the main surface of the magnetic disk glass substrate can be removed at a high polishing rate, and the surface of the main surface required for the magnetic disk glass substrate Unevenness can be achieved efficiently.
ところで、近年、希土類であるセリウムを安定的に調達することが困難となってきており、それに伴ってセリウムの価格が高騰していることから、磁気ディスク用ガラス基板の製造においても、酸化セリウムに代わる研磨剤の開発が要請されている。
酸化セリウムに代わる研磨剤として、酸化ジルコニウム(ジルコニア)は有力な候補の一つであるが、研磨剤としてジルコニアを含む研磨剤を使用した場合、磁気ディスク用ガラス基板に対するジルコニアの化学的な相互作用や表面張力等により、研磨後の磁気ディスク用ガラス基板の表面には、ジルコニアの粒子が強固に付着する、あるいは表面に埋まる等して高い割合で残留することがわかってきた。
研磨後の磁気ディスク用ガラス基板の表面にジルコニアの粒子が残留していると、全体的な基板の表面凹凸を限りなく小さくしたとしても、当該ガラス基板から作製した磁気ディスクの表面凹凸が局部的に悪化し、磁気ヘッドによる磁気記録情報の長期に亘る安定した読み書きを阻害する。また、ジルコニア粒子による研磨の後に、ジルコニア粒子よりも粒径が小さいコロイダルシリカ等を研磨剤として用いる最終研磨工程を行う場合には、残留するジルコニア粒子に起因して、基板表面にスクラッチやキズが生じて基板表面の品質を劣化させる。
また、主表面以外の、基板の端部にもジルコニア粒子が残留しやすいことがわかってきた。これは、基板の主表面の研磨がキャリアに基板を保持しながら実施される場合、基板の端部とキャリアとが研磨中に擦れるためと考えられる。キャリアは研磨パッドよりも硬いため、ジルコニアの粒子を基板に押し付けたり、埋め込む力が主表面よりも強く作用すると考えられる。基板の端部に残留したジルコニアの粒子は、その後の成膜プロセス等において少しずつ剥離して主表面に移着するなどしてコンタミネーションとなり、成膜工程などの歩留まりを下げる恐れがある。
By the way, in recent years, it has become difficult to procure cerium, which is a rare earth, and the price of cerium has risen accordingly. Development of alternative abrasives is required.
As an alternative to cerium oxide, zirconium oxide (zirconia) is one of the promising candidates. However, when an abrasive containing zirconia is used as the abrasive, the chemical interaction of zirconia with the glass substrate for magnetic disks. It has been found that due to surface tension and the like, zirconia particles adhere to the surface of the magnetic disk glass substrate after polishing, or remain at a high rate by being buried in the surface.
If zirconia particles remain on the surface of the magnetic disk glass substrate after polishing, even if the overall surface irregularity of the substrate is reduced as much as possible, the surface irregularity of the magnetic disk produced from the glass substrate is localized. Thus, stable reading and writing of magnetic recording information for a long time by the magnetic head is hindered. In addition, after polishing with zirconia particles, when performing a final polishing step using colloidal silica or the like having a particle diameter smaller than that of zirconia particles as an abrasive, scratches and scratches are caused on the substrate surface due to residual zirconia particles. It occurs and degrades the quality of the substrate surface.
It has also been found that zirconia particles are likely to remain on the edge of the substrate other than the main surface. This is presumably because when the polishing of the main surface of the substrate is carried out while holding the substrate on the carrier, the edge of the substrate and the carrier rub during polishing. Since the carrier is harder than the polishing pad, it is considered that the force of pressing or embedding zirconia particles against the substrate acts stronger than the main surface. The zirconia particles remaining at the edge of the substrate may be contaminated by peeling off and transferring to the main surface little by little in a subsequent film formation process or the like, which may reduce the yield in the film formation process.
ガラス基板の表面を研磨した後にその表面に残留するジルコニア粒子を洗浄により除去できればよいのであるが、ジルコニアは化学的に非常に安定で難溶性の物質であり、ガラス基板の表面からジルコニア粒子を有効に除去する洗浄方法は知られていない。
例えば、アルカリ性水溶液は、無機物であるジルコニアへの化学的な作用力が弱く、ガラス基板の表面に残留するジルコニアの粒子を十分に除去できない。また、高温下での強酸性水溶液を洗浄液として用いる洗浄方法、あるいは塩化物イオンを含む洗浄液を用いる洗浄方法では、磁気ディスク用ガラス基板の表面にエッチング作用を施し、表面に残留するジルコニアを除去するが、ガラス基板の表面が損傷を受け、製品としてのガラス基板の品質が低下する虞がある。
また、フッ素イオンを含む洗浄液を用いた洗浄方法が知られており、この洗浄方法は酸化セリウムを含む研磨剤を溶解除去するには有効な方法であるが、化学的に非常に安定なジルコニアを含む研磨剤に対しては効果が十分ではない。つまり、この洗浄方法を用いたとしてもガラス基板上にジルコニア粒子が多く残留してしまうことがわかっている。
It is only necessary that the zirconia particles remaining on the surface of the glass substrate after being polished can be removed by washing, but zirconia is a chemically very stable and hardly soluble substance, and zirconia particles are effectively removed from the surface of the glass substrate. There is no known cleaning method to remove.
For example, the alkaline aqueous solution has a weak chemical action force on zirconia, which is an inorganic substance, and cannot sufficiently remove zirconia particles remaining on the surface of the glass substrate. Further, in a cleaning method using a strongly acidic aqueous solution at a high temperature as a cleaning solution or a cleaning method using a cleaning solution containing chloride ions, the surface of the magnetic disk glass substrate is etched to remove zirconia remaining on the surface. However, the surface of the glass substrate may be damaged, and the quality of the glass substrate as a product may be deteriorated.
In addition, a cleaning method using a cleaning solution containing fluorine ions is known, and this cleaning method is an effective method for dissolving and removing a polishing agent containing cerium oxide, but chemically very stable zirconia is used. The effect is not sufficient for the contained abrasive. That is, it has been found that even if this cleaning method is used, a large amount of zirconia particles remain on the glass substrate.
そこで、本発明は、研磨剤として粒状のジルコニアを含む研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨した後に、ガラス基板の主表面にジルコニア粒子が残留することを抑制するようにした磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention is for a magnetic disk in which the main surface of a glass substrate is polished using a polishing liquid containing granular zirconia as an abrasive and the zirconia particles are prevented from remaining on the main surface of the glass substrate. It aims at providing the manufacturing method of a glass substrate.
上記課題に対して発明者らが鋭意研究した結果、以下の点を見出した。すなわち、フッ素イオンを含む洗浄液を用いてガラス基板の洗浄を行う前に、ホスホン酸を含む液にガラス基板を接触させたところ、洗浄性が改善してガラス基板に残留するジルコニア粒子の量が問題ないレベルとなった。詳細なメカニズムは不明であるが、ホスホン酸のキレート効果によってジルコニア砥粒とガラス基板との間にホスホン酸が入り込んで付着力を弱めた上でフッ素イオンの洗浄によるエッチング効果で効果的にジルコニア粒子がガラス表面から除去できたと考えられる。また、ホスホン酸には分散効果もあるため、ガラス基板の表面から離れたジルコニア粒子の周りにも付着して、ガラス基板へのジルコニア粒子の再付着を抑制したことも寄与したと考えられる。
以上の観点から、本発明は、ジルコニアの砥粒を含む研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨する研磨処理と、洗浄液を使用して前記研磨処理後のガラス基板を洗浄する洗浄処理とを有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記洗浄液は、少なくともフッ素イオンを含み、前記研磨処理と洗浄処理との間に、ホスホン酸を含む液に接触させることを特徴とする。
As a result of intensive studies by the inventors on the above problems, the following points have been found. That is, before the glass substrate is cleaned with the cleaning liquid containing fluorine ions, the glass substrate is brought into contact with the liquid containing phosphonic acid. As a result, the amount of zirconia particles remaining on the glass substrate is improved. There was no level. Although the detailed mechanism is unknown, the phosphonic acid enters the gap between the zirconia abrasive grains and the glass substrate due to the chelating effect of phosphonic acid, weakens the adhesion, and the zirconia particles are effectively etched by the cleaning effect of fluorine ions. Can be removed from the glass surface. In addition, since phosphonic acid also has a dispersion effect, it is considered that the phosphonic acid also adhered to the periphery of the zirconia particles separated from the surface of the glass substrate, thereby suppressing the reattachment of the zirconia particles to the glass substrate.
From the above viewpoints, the present invention provides a polishing process for polishing a main surface of a glass substrate using a polishing liquid containing zirconia abrasive grains, and a cleaning process for cleaning the glass substrate after the polishing process using a cleaning liquid. The cleaning liquid contains at least fluorine ions, and is contacted with a liquid containing phosphonic acid between the polishing process and the cleaning process.
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記ホスホン酸は、分子量が300以下のヒドロキシエチリデンジホスホン酸(HEDP)またはニトリロトリスメチレンホスホン酸(NTMP)であることが好ましい。 In the method for producing a glass substrate for a magnetic disk of the present invention, the phosphonic acid is preferably hydroxyethylidene diphosphonic acid (HEDP) or nitrilotrismethylenephosphonic acid (NTMP) having a molecular weight of 300 or less.
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記洗浄液はさらに、酸及び還元剤のうち少なくともいずれかを含むことが好ましい。 In the method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk of the present invention, it is preferable that the cleaning liquid further contains at least one of an acid and a reducing agent.
本発明に係る磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、研磨剤として粒状のジルコニアを含む研磨液を用いてガラス基板の主表面を研磨した後に、ガラス基板の主表面にジルコニア粒子が残留することを抑制することができる。 According to the method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk according to the present invention, zirconia particles remain on the main surface of the glass substrate after polishing the main surface of the glass substrate using a polishing liquid containing granular zirconia as an abrasive. This can be suppressed.
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the glass substrate for magnetic disks of this embodiment is demonstrated in detail.
[磁気ディスク用ガラス基板]
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとさらに好ましい。
[Magnetic disk glass substrate]
Aluminosilicate glass, soda lime glass, borosilicate glass, or the like can be used as the material for the magnetic disk glass substrate in the present embodiment. In particular, aluminosilicate glass can be suitably used in that it can be chemically strengthened and a glass substrate for a magnetic disk excellent in the flatness of the main surface and the strength of the substrate can be produced. More preferably, it is an amorphous aluminosilicate glass.
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス基板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル%表示で、SiO2を50〜75%、Al2O3を1〜15%、Li2O、Na2O及びK2Oから選択される少なくとも1種の成分を合計で5〜35%、MgO、CaO、SrO、BaO及びZnOから選択される少なくとも1種の成分を合計で0〜20%、ならびにZrO2、TiO2、La2O3、Y2O3、Ta2O5、Nb2O5及びHfO2から選択される少なくとも1種の成分を合計で0〜10%、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。 Although the composition of the glass substrate for a magnetic disk of this embodiment is not limited, the glass substrate of this embodiment is preferably converted to an oxide standard and expressed in mol%, SiO 2 is 50 to 75%, Al 2 to O 3 is selected from 1 to 15%, at least one component selected from Li 2 O, Na 2 O and K 2 O in total 5 to 35%, selected from MgO, CaO, SrO, BaO and ZnO 0-20% in total of at least one component, as well as ZrO 2, TiO 2, La 2 O 3, Y 2 O 3, Ta 2 O 5, Nb 2 O 5 and at least one selected from HfO 2 An amorphous aluminosilicate glass having a composition having 0 to 10% in total.
本実施形態のガラス基板は好ましくは、例えば特開2009−99239号公報に開示されるように、質量%表示にて、SiO2を57〜75%、Al2O3を5〜20%、(ただし、SiO2とAl2O3の合計量が74%以上)、ZrO2、HfO2、Nb2O5、Ta2O5、La2O3、Y2O3およびTiO2を合計で0%を超え、6%以下、Li2Oを1%を超え、9%以下、Na2Oを5〜18%(ただし、質量比Li2O/Na2Oが0.5以下)、K2Oを0〜6%、MgOを0〜4%、CaOを0%を超え、5%以下(ただし、MgOとCaOの合計量は5%以下であり、かつCaOの含有量はMgOの含有量よりも多い)、SrO+BaOを0〜3%、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであってもよい。 The glass substrate of this embodiment is preferably 57% to 75% SiO 2 , 5% to 20% Al 2 O 3 in mass% as disclosed in, for example, JP 2009-99239 A, ( However, the total amount of SiO 2 and Al 2 O 3 is 74% or more), ZrO 2 , HfO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 and TiO 2 in total 0 %, 6% or less, Li 2 O exceeds 1%, 9% or less, Na 2 O 5 to 18% (however, the mass ratio Li 2 O / Na 2 O is 0.5 or less), K 2 O is 0 to 6%, MgO is 0 to 4%, CaO is more than 0% and 5% or less (however, the total amount of MgO and CaO is 5% or less, and the content of CaO is the content of MgO) More than 0), SrO + BaO is 0 to 3% of amorphous composition composed of It may be a luminometer silicate glass.
本実施形態のガラス基板は、例えば特許4815002号に開示されるように、酸化物基準の質量%で、SiO2:45.60〜60%、およびAl2O3:7〜20%、およびB2O3:1.00〜8%未満、およびP2O5:0.50〜7%、およびTiO2:1〜15%、およびROの合計量:5〜35%(ただしRはZn及びMg)の各成分を含有し、CaOの含有量が3.00%以下、BaOの含有量が4%以下であり、PbO成分、As2O3成分およびSb2O3成分およびCl−、NO−、SO2−、F−成分を含有せず、主結晶相としてRAl2O4、R2TiO4、(ただしRはZn、Mgから選択される1種類以上)から選ばれる一種以上を含有し、主結晶相の結晶粒径が0.5nm〜20nmの範囲であり、結晶化度が15%以下であり、比重が2.95以下であることを特徴とする結晶化ガラスであってもよい。 Glass substrate of the present embodiment, for example, as disclosed in Japanese Patent 4815002, in mass percent on the oxide basis, SiO 2: from 45.60 to 60%, and Al 2 O 3: 7~20%, and B 2 O 3 : less than 1.00 to 8%, and P 2 O 5 : 0.50 to 7%, and TiO 2 : 1 to 15%, and the total amount of RO: 5 to 35% (where R is Zn and Mg), the CaO content is 3.00% or less, the BaO content is 4% or less, the PbO component, the As 2 O 3 component, the Sb 2 O 3 component, Cl − , NO -, SO 2-, F - does not contain ingredients, RAl 2 O 4, R 2 TiO 4 as a main crystal phase, (wherein R is one or more selected Zn, from Mg) containing one or more kinds selected from The crystal grain size of the main crystal phase is 0.5 nm to 20 It may be a crystallized glass having a range of nm, a crystallinity of 15% or less, and a specific gravity of 2.95 or less.
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成は、必須成分として、SiO2、Li2O、Na2O、ならびに、MgO、CaO、SrOおよびBaOからなる群から選ばれる一種以上のアルカリ土類金属酸化物を含み、MgO、CaO、SrOおよびBaOの合計含有量に対するCaOの含有量のモル比(CaO/(MgO+CaO+SrO+BaO))が0.20以下であって、ガラス転移温度が650℃以上であってもよい。このような組成の磁気ディスク用ガラス基板は、エネルギーアシスト磁気記録用磁気ディスクに使用される磁気ディスク用ガラス基板に好適である。 The composition of the glass substrate for a magnetic disk according to the present embodiment includes, as an essential component, at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of SiO 2 , Li 2 O, Na 2 O, and MgO, CaO, SrO, and BaO. The molar ratio of the CaO content to the total content of MgO, CaO, SrO and BaO (CaO / (MgO + CaO + SrO + BaO)) is 0.20 or less and the glass transition temperature is 650 ° C. or more. Also good. A glass substrate for a magnetic disk having such a composition is suitable for a glass substrate for a magnetic disk used for a magnetic disk for energy-assisted magnetic recording.
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板は、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、例えば、公称直径2.5インチの磁気ディスク用ガラス基板として好適である。 The glass substrate for a magnetic disk in the present embodiment is an annular thin glass substrate. Although the size of the glass substrate for magnetic disks is not ask | required, for example, it is suitable as a glass substrate for magnetic disks with a nominal diameter of 2.5 inches.
[磁気ディスク用ガラス基板の製造方法]
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、工程毎に説明する。ただし、各工程の順番は適宜入れ替えてもよい。
[Method of manufacturing glass substrate for magnetic disk]
Hereinafter, the manufacturing method of the glass substrate for magnetic disks of this embodiment is demonstrated for every process. However, the order of each step may be changed as appropriate.
(1)ガラス基板の成形およびラッピング工程
例えばフロート法によって板状ガラスを形成した後、この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状のガラス基板が切り出される。フロート法の代わりに、例えば上型と下型を用いたプレス成形によってガラス基板を成形してもよい。なお、ガラス基板は、これらの方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することもできる。
なお、ガラス基板の両主表面に対して、必要に応じて、アルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング加工を行ってもよい。
(1) Molding and lapping process of glass substrate For example, after a plate glass is formed by a float process, a glass substrate having a predetermined shape as a base of the glass substrate for a magnetic disk is cut out from the plate glass. Instead of the float process, the glass substrate may be molded by press molding using an upper mold and a lower mold, for example. In addition, a glass substrate can also be manufactured using well-known manufacturing methods, such as not only these methods but a downdraw method, a redraw method, and a fusion method.
In addition, you may perform the lapping process using an alumina type loose abrasive grain with respect to both the main surfaces of a glass substrate as needed.
(2)コアリング工程
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円盤状ガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とする。なお、ダイヤモンドカッター等によるスクライビングを用いることもできる。
(2) Coring process Using a cylindrical diamond drill, an inner hole is formed in the center of the disc-shaped glass substrate to form an annular glass substrate. Scribing with a diamond cutter or the like can also be used.
(3)チャンファリング工程
コアリング工程の後、端部(外周端面及び内周端面)に面取り面を形成するチャンファリング工程が行われる。チャンファリング工程では、コアリング工程によって円筒状に加工された積層体の外周面および内周面に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いたメタルボンド砥石等によって面取りが施される。
(3) Chamfering step After the coring step, a chamfering step of forming a chamfered surface at the end (outer peripheral end surface and inner peripheral end surface) is performed. In the chamfering step, chamfering is performed on the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the laminated body processed into a cylindrical shape by the coring step by, for example, a metal bond grindstone using diamond abrasive grains.
(4)端面研磨工程(機械加工工程)
次に、円環状のガラス基板の端面研磨(エッジポリッシング)が行われる。
端面研磨では、円環状のガラス基板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、円環状ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。
(4) End face polishing process (machining process)
Next, end face polishing (edge polishing) of the annular glass substrate is performed.
In the end surface polishing, the inner peripheral end surface and the outer peripheral end surface of the annular glass substrate are mirror-finished by brush polishing. At this time, a slurry containing fine particles such as cerium oxide as free abrasive grains is used. By polishing the end face, removal of contamination such as dust on the end face of the annular glass substrate, damage or scratches can be prevented to prevent the occurrence of thermal asperity and corrosion of sodium and potassium. It is possible to prevent the occurrence of ion precipitation that is a cause.
(5)固定砥粒による研削工程
固定砥粒による研削工程では、両面研削装置を用いてガラス基板の主表面に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μm〜100μm程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤(上定盤および下定盤)を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板の両主表面を研削することができる。
(5) Grinding process with fixed abrasive In the grinding process with fixed abrasive, grinding is performed on the main surface of the glass substrate using a double-sided grinding device. The machining allowance by grinding is, for example, about several μm to 100 μm. The double-sided grinding apparatus has a pair of upper and lower surface plates (upper surface plate and lower surface plate), and a glass substrate is sandwiched between the upper surface plate and the lower surface plate. And, by moving either the upper surface plate or the lower surface plate, or both, the glass substrate and each surface plate are moved relatively to grind both main surfaces of the glass substrate. Can do.
(6)第1研磨(主表面研磨)工程
次に、研削されたガラス基板の主表面に第1研磨が施される。第1研磨による取り代は、例えば数μm〜50μm程度である。第1研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、表面凹凸(マイクロウェービネス、粗さ)の調整を目的とする。
[研磨装置]
第1研磨工程で使用される研磨装置について、図1を参照して説明する。図1は、第1研磨工程で使用される研磨装置(両面研磨装置)の概略断面図である。なお、この研磨装置と同様の構成は、上述した研削工程に使用される研削装置においても適用できる。
(6) 1st grinding | polishing (main surface grinding | polishing) process Next, 1st grinding | polishing is given to the main surface of the ground glass substrate. The machining allowance by the first polishing is, for example, about several μm to 50 μm. The purpose of the first polishing is to remove scratches and distortions remaining on the main surface by grinding with fixed abrasive grains, and to adjust surface irregularities (microwaveness, roughness).
[Polishing equipment]
A polishing apparatus used in the first polishing step will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a polishing apparatus (double-side polishing apparatus) used in the first polishing step. Note that the same configuration as this polishing apparatus can be applied to a grinding apparatus used in the above-described grinding process.
図1に示すように、研磨装置は、上下一対の定盤、すなわち上定盤40および下定盤50を有している。上定盤40および下定盤50の間にガラス基板Gが狭持され、上定盤40または下定盤50のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板Gと各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板Gの両主表面を研磨することができる。
As shown in FIG. 1, the polishing apparatus has a pair of upper and lower surface plates, that is, an
図1を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤50の上面および上定盤40の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド10(樹脂ポリッシャ)が取り付けられている。太陽歯車61、外縁に設けられた内歯車62および円盤状のキャリア30は全体として、中心軸CTRを中心とする遊星歯車機構を構成する。円盤状のキャリア30は、内周側で太陽歯車61に噛合し、かつ外周側で内歯車62に噛合するともに、ガラス基板G(ワーク)を1または複数を収容し保持する。下定盤50上では、キャリア30が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Gと下定盤50とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車61がCCW(反時計回り)の方向に回転すれば、キャリア30はCW(時計回り)の方向に回転し、内歯車62はCCWの方向に回転する。その結果、研磨パッド10とガラス基板Gの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Gと上定盤40とを相対的に移動させてよい。
The configuration of the polishing apparatus will be described more specifically with reference to FIG.
In the polishing apparatus, an annular flat polishing pad 10 (resin polisher) is attached to the upper surface of the
上記相対運動の動作中には、上定盤40がガラス基板Gに対して(つまり、鉛直方向に)所定の荷重で押圧され、ガラス基板Gに対して研磨パッド10が押圧される。また、図示しないポンプによって研磨液(スラリー)が、研磨液供給タンク71から1または複数の配管72を経由してガラス基板Gと研磨パッド10の間に供給される。この研磨液に含まれる研磨剤によってガラス基板Gの主表面が研磨される。ここで、ガラス基板Gの研磨に使用された研磨液は上下定盤から排出され、図示しないリターン配管によって研磨液供給タンク71へ戻されて再使用されるのが好ましい。
なお、この研磨装置では、ガラス基板Gに対する所望の研磨負荷を設定する目的で、ガラス基板Gに与えられる上定盤40の荷重が調整されることが好ましい。
During the relative motion, the
In this polishing apparatus, it is preferable that the load of the
本実施形態の研磨装置で使用される研磨液は、研磨剤としてのジルコニアを含むものであれば如何なる成分のものでもよいが、以下に好ましい研磨液の成分例を開示する。
(A)粒状のジルコニア(二酸化ジルコニウム;ZrO2の微粒子)を含む研磨剤
(B)リン酸塩、スルホン酸塩、ポリカルボン酸及びポリカルボン酸塩からなる群より選択される少なくとも1種を含む第1添加剤
(C)再凝集防止剤を含む第2添加剤
また、研磨剤の分散性を向上させる目的で、上記研磨液は、更に、(D)粒径が前記ジルコニアよりも小さい粒状の二酸化珪素および/または二酸化チタンを含む第3添加剤、を含むことがさらに好ましい。
The polishing liquid used in the polishing apparatus of this embodiment may be any component as long as it contains zirconia as an abrasive, but examples of preferable components of the polishing liquid are disclosed below.
(A) Abrasive containing granular zirconia (zirconium dioxide; fine particles of ZrO 2 ) (B) including at least one selected from the group consisting of phosphate, sulfonate, polycarboxylic acid and polycarboxylate 1st additive (C) 2nd additive containing a re-aggregation inhibitor Moreover, in order to improve the dispersibility of an abrasive | polishing agent, the said polishing liquid is further (D) granular form whose particle size is smaller than the said zirconia. It is further preferable to include a third additive containing silicon dioxide and / or titanium dioxide.
上記研磨剤および第1〜第3添加剤を、水あるいはアルカリ性溶液などの液体中に混濁させて研磨液(スラリー)を生成する。
なお、研磨液に上記添加剤を加えるのが好ましいのは以下の理由による。すなわち、仮にジルコニアのみを研磨液に混濁させた場合、研磨中あるいは研磨液供給タンク内においてジルコニアの粒子がハードケーキ化(一度分散させた研磨剤中の砥粒が強固に結合し、再度分散が難しくなること)しやすい。このジルコニアの粒子のハードケーキ化によって、研磨レートおよび主表面の表面凹凸の精度が劣化し、主表面のスクラッチが生じやすくなる。そのため、ハードケーキ化しやすいジルコニアの粒子を十分に分散させ、かつ再凝縮を防止する目的で上記第1〜第3添加剤を研磨液に混入することが好ましい。
The abrasive and the first to third additives are turbid in a liquid such as water or an alkaline solution to produce a polishing liquid (slurry).
In addition, it is preferable to add the said additive to polishing liquid for the following reasons. That is, if only zirconia is made turbid in the polishing liquid, the zirconia particles are hard-caked during polishing or in the polishing liquid supply tank (the abrasive grains in the abrasive once dispersed are firmly bonded and dispersed again. Easy to do) By making the zirconia particles into a hard cake, the polishing rate and the accuracy of surface irregularities on the main surface are degraded, and scratches on the main surface are likely to occur. Therefore, it is preferable to mix the first to third additives in the polishing liquid for the purpose of sufficiently dispersing the zirconia particles that are likely to form a hard cake and preventing recondensation.
また、ガラス基板に対する研磨剤の研磨能力等の観点から、研磨液に例えば水酸化カリウムや水酸化ナトリウムを添加することによりpHで6〜12程度の研磨液とすることが好ましい。 Further, from the viewpoint of the polishing ability of the polishing agent on the glass substrate, it is preferable to add a polishing liquid having a pH of about 6 to 12 by adding, for example, potassium hydroxide or sodium hydroxide to the polishing liquid.
上述した好ましい研磨液の例において、粒状のジルコニアからなる研磨剤が5〜20重量%含まれることが好ましい。研磨剤(研磨砥粒)としてのジルコニアの平均粒径(D50)は、充分な研磨レート(例えば0.5μm/分)を有し、かつ、ガラス基板Gの表面凹凸について、集光ランプの検査でキズが確認されず、うねり(Waviness)が1nm以下、微小うねり(Micro Waviness)が2nm以下となる研磨能力を確保する観点から、好ましくは0.2〜10μm、より好ましくは0.2〜2μm、さらに好ましくは0.2〜0.6μmである。平均粒径(D50)とは、体積分率で計算した累積体積頻度が粒径の小さいほうから計算して50%となる粒径を意味している。
なお、うねり(Waviness)は、例えば、KLA―TENCOR社製Optiflatにより計測することができ、微小うねり(Micro Waviness)は例えばポリテック社製Thotにより計測することができる。
In the example of the preferable polishing liquid described above, it is preferable that 5 to 20% by weight of an abrasive made of granular zirconia is included. The average particle size (D50) of zirconia as an abrasive (polishing abrasive) has a sufficient polishing rate (for example, 0.5 μm / min), and the surface irregularities of the glass substrate G are inspected by a condenser lamp. From the viewpoint of ensuring a polishing ability in which scratches are not confirmed, waviness is 1 nm or less, and micro waviness is 2 nm or less, preferably 0.2 to 10 μm, more preferably 0.2 to 2 μm. More preferably, it is 0.2 to 0.6 μm. The average particle size (D50) means a particle size at which the cumulative volume frequency calculated by the volume fraction is 50% calculated from the smaller particle size.
The swell (Waviness) can be measured by, for example, Optiflat manufactured by KLA-TENCOR, and the micro swell (Micro Waviness) can be measured by, for example, Hot manufactured by Polytech.
上述した好ましい研磨液の例において、リン酸塩、スルホン酸塩、ポリカルボン酸及びポリカルボン酸塩からなる群より選択される少なくとも1種を含む第1添加剤が0.01〜5重量%含まれることが好ましい。リン酸塩としては、例えば、ヘキサメタリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等が挙げられる。 In the example of the preferable polishing liquid described above, the first additive containing at least one selected from the group consisting of phosphate, sulfonate, polycarboxylic acid and polycarboxylate is contained in an amount of 0.01 to 5% by weight. It is preferable that Examples of the phosphate include sodium hexametaphosphate, sodium pyrophosphate, and potassium pyrophosphate.
上述した好ましい研磨液の例において、再凝集防止剤を含む第2添加剤が0.01〜5重量%含まれることが好ましい。再凝集防止剤の種類を特に限定するものではないが、例えばセルロース(微結晶)、カルボキシメチルセルロース、マルトース、フルクトースなどの糖類や繊維から適宜選択されてよい。 In the example of the preferable polishing liquid described above, it is preferable that the second additive containing the reaggregation inhibitor is contained in an amount of 0.01 to 5% by weight. The type of the reaggregation inhibitor is not particularly limited, and may be appropriately selected from saccharides and fibers such as cellulose (microcrystal), carboxymethylcellulose, maltose, and fructose.
上述した好ましい研磨液の例において、更に粒径が前記ジルコニアよりも小さい粒状の二酸化珪素(SiO2)および/または二酸化チタン(TiO2)を含む第3添加剤が0.05〜5重量%含まれることが好ましい。また、第3添加剤として、粉末状のクォーツ(石英)を加えてもよい。例えば、ジルコニアの平均粒径(D50)を0.2〜10μmとすると、第3添加剤に含まれる二酸化珪素および/または二酸化チタンの粒径(平均粒径)を10〜100nmとする。二酸化珪素としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、フューズドシリカなどから適宜選択されてよい。 In the example of the preferable polishing liquid described above, 0.05 to 5% by weight of the third additive containing granular silicon dioxide (SiO 2 ) and / or titanium dioxide (TiO 2 ) having a particle size smaller than that of the zirconia is further included. It is preferable that Further, powdery quartz (quartz) may be added as the third additive. For example, when the average particle diameter (D50) of zirconia is 0.2 to 10 μm, the particle diameter (average particle diameter) of silicon dioxide and / or titanium dioxide contained in the third additive is 10 to 100 nm. Silicon dioxide may be appropriately selected from colloidal silica, fumed silica, fused silica, and the like.
上記研磨液を用いてガラス基板を研磨した後、ガラス基板は洗浄される。ガラス基板の洗浄では、フッ素イオンを含む洗浄液が用いられる。フッ素イオンは、例えばケイフッ酸を洗浄液に含むことで供給することができる。洗浄液は、還元剤としてのアスコルビン酸、及び硫酸等の強酸のうち少なくともいずれかをさらに含むことが好ましい。これにより、ジルコニア粒子を僅かながら溶解除去することができる。例えば、洗浄液は、フッ素イオンを0.001〜0.02[mol/L]、硫酸を0.05〜1[mol/L]、アスコルビン酸を0.001〜0.2[mol/L]、含む。
フッ素イオンを含む洗浄液については、例えば特許第4041110号を参照されたい。
After polishing the glass substrate using the polishing liquid, the glass substrate is washed. In cleaning the glass substrate, a cleaning liquid containing fluorine ions is used. Fluorine ions can be supplied, for example, by including silicic acid in the cleaning solution. The cleaning liquid preferably further contains at least one of ascorbic acid as a reducing agent and a strong acid such as sulfuric acid. Thereby, zirconia particles can be slightly removed by dissolution. For example, the cleaning liquid has a fluorine ion of 0.001 to 0.02 [mol / L], a sulfuric acid of 0.05 to 1 [mol / L], an ascorbic acid of 0.001 to 0.2 [mol / L], Including.
For the cleaning liquid containing fluorine ions, see, for example, Japanese Patent No. 4041110.
本実施形態では、研磨後のガラス基板を直ちにフッ素イオンを含む洗浄液による洗浄に供すのではなく、その間に、ホスホン酸を含む液(ホスホン酸液)にガラス基板を接触させる。これは、研磨後にガラス基板の表面に残留するジルコニア粒子を効果的に除去することを目的としている。ジルコニア粒子が効果的に除去できる理由は、以下のように推定される。すなわち、ガラス基板の表面をホスホン酸液に接触させることで、ホスホン酸のキレート効果によって、ガラス基板とその表面に残留するジルコニア粒子との間に入り込んで付着力を弱めた上で、その後のフッ素イオンの洗浄によるエッチング効果によって効果的にジルコニア粒子をガラス基板の表面から除去すると考えられる。また、ホスホン酸には分散効果もあるため、ガラス基板の表面から離れたジルコニア粒子の周りにも付着して、ガラス基板へのジルコニア粒子の再付着を抑制すると考えられる。 In this embodiment, the glass substrate after polishing is not immediately subjected to cleaning with a cleaning solution containing fluorine ions, but in the meantime, the glass substrate is brought into contact with a solution containing phosphonic acid (phosphonic acid solution). This is intended to effectively remove zirconia particles remaining on the surface of the glass substrate after polishing. The reason why the zirconia particles can be effectively removed is estimated as follows. That is, by bringing the surface of the glass substrate into contact with the phosphonic acid solution, the chelating effect of phosphonic acid enters between the glass substrate and the zirconia particles remaining on the surface to weaken the adhesive force, and then the subsequent fluorine It is considered that the zirconia particles are effectively removed from the surface of the glass substrate by the etching effect of the ion cleaning. Moreover, since phosphonic acid also has a dispersion effect, it is considered that the phosphonic acid also adheres around the zirconia particles separated from the surface of the glass substrate and suppresses the reattachment of the zirconia particles to the glass substrate.
上記ホスホン酸液に含まれるホスホン酸の例としては、PBTC(Phosphonobutane Tricarboxylic Acid)、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸(HEDP:Hydroxyethylidene Diphosphonic Acid)、ニトリロトリスメチレンホスホン酸(NTMP:Nitrilotris (Methylene Phosphonic Acid))、EDTMP(Ethylene Diamine Tetra(Methylene Phosphonic Acid))等が挙げられる。これらのホスホン酸はリン酸基がそれぞれ、1〜4つである。
上記ホスホン酸液に含まれるホスホン酸は、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸(HEDP)またはニトリロトリスメチレンホスホン酸(NTMP)であることが好ましい。これらのホスホン酸のジルコニア粒子に対するキレート効果と分散効果が特に高いためである。
ホスホン酸は、分子量が300以下とすることが好ましい。これは、ホスホン酸液に対するホスホン酸の溶解度を高くできるので、ガラス基板の表面に析出して汚染源となる恐れがなく、また、ジルコニア粒子に対するキレート効果と分散効果が高くなるためである。
ガラス基板のホスホン酸液への接触方法は特に限定されるものではないが、例えば、ガラス基板をホスホン酸液に所定時間浸漬させることが好ましい。また、超音波を照射させるとより好ましい。ホスホン酸液は、純水にホスホン酸0.1〜10vol%を添加して作成することができる。また、pH1〜3の酸性に調整することが好ましい。これは、pH1〜3とすることで、ホスホン酸の水溶性を高くしてキレート効果や分散効果を発揮し易くできるほか、ガラス基板表面へのエッチング作用によってジルコニア粒子をガラス基板表面から離し易くできるからである。
Examples of the phosphonic acid contained in the phosphonic acid solution include PBTC (Phosphonobutane Tricarboxylic Acid), Hydroxyethylidene Diphosphonic Acid (HEDP), Nitrilotris Methylenephosphonic Acid (NTMP), And EDTMP (Ethylene Diamine Tetra (Methylene Phosphonic Acid)). Each of these phosphonic acids has 1 to 4 phosphate groups.
The phosphonic acid contained in the phosphonic acid solution is preferably hydroxyethylidene diphosphonic acid (HEDP) or nitrilotrismethylenephosphonic acid (NTMP). This is because these phosphonic acids have particularly high chelating effects and dispersion effects on zirconia particles.
The phosphonic acid preferably has a molecular weight of 300 or less. This is because the solubility of the phosphonic acid in the phosphonic acid solution can be increased, so that there is no fear of being deposited on the surface of the glass substrate and becoming a contamination source, and the chelating effect and the dispersing effect on the zirconia particles are increased.
The method for contacting the glass substrate with the phosphonic acid solution is not particularly limited. For example, it is preferable to immerse the glass substrate in the phosphonic acid solution for a predetermined time. Moreover, it is more preferable to irradiate ultrasonic waves. The phosphonic acid solution can be prepared by adding 0.1 to 10 vol% of phosphonic acid to pure water. Moreover, it is preferable to adjust to pH 1-3. By setting the pH to 1 to 3, the water solubility of the phosphonic acid can be increased to easily exhibit the chelating effect and the dispersing effect, and the zirconia particles can be easily separated from the glass substrate surface by the etching action on the glass substrate surface. Because.
なお、ガラス基板の端面については主表面よりもジルコニア粒子が残留しやすいことがわかっているが、本実施形態のように、ホスホン酸液に接触させた後にガラス基板をフッ素イオンを含む洗浄液によって洗浄することによって、端面に残留するジルコニア粒子を除去することができる。この点は、ガラス基板の端面の表面粗さRaが0.015μm以下である場合に、特に有効である。ガラス基板の端面の表面粗さRaは、側壁面及び/又は面取面上の所定サイズの領域(例えば、50μm四方の評価領域)について測定された値とすることができる。レーザ顕微鏡としては、キーエンス製VK−X200(例えば、分解能:0.7nm,観察倍率:1000倍,Z軸測定ピッチ:0.1μm,カットオフ値λs:0.08μm,カットオフ値λc:0.25nmとする。)を用いることができる。 Although it is known that the zirconia particles remain more easily on the end face of the glass substrate than the main surface, the glass substrate is cleaned with a cleaning solution containing fluorine ions after being brought into contact with the phosphonic acid solution as in this embodiment. By doing so, the zirconia particles remaining on the end face can be removed. This point is particularly effective when the surface roughness Ra of the end face of the glass substrate is 0.015 μm or less. The surface roughness Ra of the end surface of the glass substrate can be a value measured for a region of a predetermined size (for example, an evaluation region of 50 μm square) on the side wall surface and / or the chamfered surface. As a laser microscope, Keyence VK-X200 (for example, resolution: 0.7 nm, observation magnification: 1000 times, Z-axis measurement pitch: 0.1 μm, cut-off value λs: 0.08 μm, cut-off value λc: 0. 25 nm) can be used.
研磨液に含有させるジルコニア砥粒は、湿式法で製造され、粒径が70〜200nmの範囲内の1次粒子が集合してなるジルコニア粒子であることが好ましい。また、研磨砥粒の1次粒子径とは一定の相関関係にある指標として、BET比表面積が知られているが、この観点では、ジルコニア砥粒は、湿式法で製造され、そのBET比表面積が4〜15m2/gの範囲内にあることが好ましい。このような1次粒子の集合体からなるジルコニア砥粒を研磨剤として使用することで、ガラス基板に残留するジルコニア粒子をより効果的に除去することができる。これは、ジルコニア粒子が微小であるため、ホスホン酸が接触(吸着)するジルコニア粒子の表面積が大きくなり、ガラス基板とその表面に残留するジルコニア粒子との間の付着力をより有効に低減させることができるためであると考えられる。 The zirconia abrasive grains to be contained in the polishing liquid are preferably zirconia particles produced by a wet method and formed by aggregating primary particles having a particle size in the range of 70 to 200 nm. Further, the BET specific surface area is known as an index having a certain correlation with the primary particle diameter of the abrasive grains. From this viewpoint, the zirconia abrasive grains are produced by a wet method, and the BET specific surface area is obtained. Is preferably in the range of 4 to 15 m 2 / g. By using such zirconia abrasive grains composed of an aggregate of primary particles as an abrasive, zirconia particles remaining on the glass substrate can be more effectively removed. This is because the surface area of the zirconia particles to which phosphonic acid comes into contact (adsorption) increases because the zirconia particles are very small, and the adhesion force between the glass substrate and the zirconia particles remaining on the surface is more effectively reduced. This is thought to be possible.
洗浄方法としては、浸漬洗浄法、シャワー洗浄法、ブラシ洗浄法、超音波洗浄法、スクラブ洗浄法等が挙げられ、これらのうち少なくとも一種又は二種以上が組み合わされて実施されうるが、中でも超音波洗浄法を採ることが好ましい。超音波洗浄法とは洗浄槽内で洗浄液に浸漬されたガラス基板に超音波を照射し、キャビテーション効果等の物理的な力を利用して洗浄する方法である。超音波洗浄法は、ガラス基板の表面を傷付けにくく、物理的に異物を除去するため、平滑度を維持しながら清浄度を高めやすく、洗浄方法として好ましい方法である。
超音波洗浄における超音波の周波数は、例えば28〜1,000kHz程度であるが、ガラス基板表面において十分なキャビテーション効果を得つつガラス基板表面を傷つけにくいという理由から28〜80kHzの範囲の比較的低周波数が好ましい。
Examples of the cleaning method include an immersion cleaning method, a shower cleaning method, a brush cleaning method, an ultrasonic cleaning method, a scrub cleaning method, and the like. Of these, at least one type or a combination of two or more types may be used. It is preferable to adopt a sonic cleaning method. The ultrasonic cleaning method is a method of irradiating a glass substrate immersed in a cleaning liquid in a cleaning tank with ultrasonic waves and cleaning using a physical force such as a cavitation effect. The ultrasonic cleaning method is preferable as a cleaning method because it hardly damages the surface of the glass substrate and physically removes foreign matters, so that it is easy to increase cleanliness while maintaining smoothness.
The frequency of ultrasonic waves in ultrasonic cleaning is, for example, about 28 to 1,000 kHz, but is relatively low in the range of 28 to 80 kHz because the glass substrate surface is hardly damaged while obtaining a sufficient cavitation effect on the glass substrate surface. A frequency is preferred.
また、超音波洗浄においては、洗浄槽内で洗浄液に浸漬されたガラス基板に超音波を照射しながら、ガラス基板を縦または横方向に揺動させることがさらに好ましい。
これは以下の理由による。つまり、超音波洗浄においては、洗浄槽の底部に設けられた振動板を超音波で縦方向に振動させることによって行われるため、この発生した超音波は洗浄液中を縦波として伝播する。つまり、超音波による波の振動方向は一方向のみであるため、洗浄槽内のワークであるガラス基板の配置によっては、超音波によるキャビテーション効果の強い部分と弱い部分とが生じることになる。超音波によるキャビテーション効果の弱い部分については、研磨砥粒のジルコニア粒子の洗浄効果が弱くなり、ガラス基板に残留する可能性が高くなる。そこで、縦方向の超音波振動に加えて、洗浄槽の横方向の揺動を併用することによって、ガラス基板に対して超音波によるキャビテーション効果を、ガラス基板における位置によらずにより均一に発揮させることができるようになる。
In the ultrasonic cleaning, it is more preferable to swing the glass substrate in the vertical or horizontal direction while irradiating the glass substrate immersed in the cleaning liquid in the cleaning tank with ultrasonic waves.
This is due to the following reason. That is, since ultrasonic cleaning is performed by vibrating a vibration plate provided at the bottom of the cleaning tank in the vertical direction with ultrasonic waves, the generated ultrasonic waves propagate in the cleaning liquid as vertical waves. That is, since the vibration direction of the wave by the ultrasonic wave is only one direction, depending on the arrangement of the glass substrate which is the work in the cleaning tank, a strong part and a weak part of the ultrasonic cavitation effect are generated. About the part with a weak cavitation effect by an ultrasonic wave, the washing | cleaning effect of the zirconia particle of an abrasive grain becomes weak, and possibility that it will remain on a glass substrate becomes high. Therefore, in addition to the ultrasonic vibration in the vertical direction, the cavitation effect due to the ultrasonic wave is made more uniform on the glass substrate regardless of the position on the glass substrate by using the horizontal oscillation of the cleaning tank. Will be able to.
(7)化学強化工程
次に、第1研磨工程後のガラス基板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウム(60重量%)と硫酸ナトリウム(40重量%)の混合液等を用いることができる。化学強化では、化学強化液が、例えば300℃〜400℃に加熱され、洗浄したガラス基板が、例えば200℃〜300℃に予熱された後、ガラス基板が化学強化液中に、例えば1時間〜5時間浸漬される。
このように、ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。
(7) Chemical Strengthening Step Next, the glass substrate after the first polishing step is chemically strengthened.
As the chemical strengthening solution, for example, a mixed solution of potassium nitrate (60% by weight) and sodium sulfate (40% by weight) can be used. In the chemical strengthening, the chemical strengthening liquid is heated to, for example, 300 ° C. to 400 ° C., and the cleaned glass substrate is preheated to, for example, 200 ° C. to 300 ° C. Soak for 5 hours.
Thus, by immersing the glass substrate in the chemical strengthening solution, lithium ions and sodium ions on the surface layer of the glass substrate are respectively replaced with sodium ions and potassium ions having a relatively large ion radius in the chemical strengthening solution, The glass substrate is strengthened. Note that the chemically strengthened glass substrate is cleaned. For example, after washing with sulfuric acid, it is washed with pure water or the like.
(8)第2研磨(最終研磨)工程
次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス基板に第2研磨が施される。第2研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨による取り代は、例えば5μm程度である。第2研磨工程によってナノピット及び/又はナノスクラッチが全て除去された基板を安定して量産するためには、第1研磨工程において生ずるナノピット及び/又はナノスクラッチの深さの10倍以上の取り代とすることが好ましい。第2研磨では例えば、第1研磨で用いた研磨装置を用いる。このとき、第1研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。
第2研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子(粒子サイズ:直径10〜50nm程度)が用いられる。これにより、ガラス基板の主表面の表面粗さをさらに低減でき、端部形状を好ましい範囲に調整できる。
研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、IPA等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
(8) Second Polishing (Final Polishing) Step Next, the second polishing is performed on the glass substrate that has been chemically strengthened and sufficiently cleaned. The second polishing is intended for mirror polishing of the main surface. The machining allowance by the second polishing is, for example, about 5 μm. In order to stably mass-produce a substrate from which all the nanopits and / or nanoscratches have been removed by the second polishing process, the machining allowance more than 10 times the depth of the nanopits and / or nanoscratches generated in the first polishing process is required. It is preferable to do. In the second polishing, for example, the polishing apparatus used in the first polishing is used. At this time, the difference from the first polishing is that the type and particle size of the free abrasive grains are different and the hardness of the resin polisher is different.
As the free abrasive grains used in the second polishing, for example, fine particles (particle size: diameter of about 10 to 50 nm) such as colloidal silica made turbid in the slurry are used. Thereby, the surface roughness of the main surface of a glass substrate can further be reduced, and an edge part shape can be adjusted to a preferable range.
The polished glass substrate is washed with a neutral detergent, pure water, IPA or the like to obtain a glass substrate for a magnetic disk.
[磁気ディスク]
磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板を用いて以下のようにして得られる。
磁気ディスクは、例えば磁気ディスク用ガラス基板(以下、単に「基板」という。)の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層(磁気記録層)、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば基板を、真空引きを行った成膜装置内に導入し、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、基板の主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばCrTi、下地層としては例えばCrRuを用いることができる。磁性層としては、例えばCoPt系合金を用いることができる。また、L10規則構造のCoPt系合金やFePt系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばCVD法によりC2H4を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばPFPE(パーフルオロポリエーテル)をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。
作製された磁気ディスクは、好ましくは、DFH(Dynamic Flying Height)コントロール機構を搭載した磁気ヘッドと、磁気ディスクを固定するためのスピンドルとを備えた、磁気記録再生装置としての磁気ディスクドライブ装置(HDD(Hard Disk Drive))に組み込まれる。
[Magnetic disk]
A magnetic disk is obtained as follows using a magnetic disk glass substrate.
The magnetic disk is, for example, on the main surface of a glass substrate for magnetic disk (hereinafter simply referred to as “substrate”), in order from the closest to the main surface, at least an adhesion layer, an underlayer, a magnetic layer (magnetic recording layer), and a protective layer. A layer and a lubricating layer are laminated.
For example, the substrate is introduced into a film forming apparatus that has been evacuated, and a film is sequentially formed from an adhesion layer to a magnetic layer on the main surface of the substrate in an Ar atmosphere by a DC magnetron sputtering method. For example, CrTi can be used as the adhesion layer, and CrRu can be used as the underlayer. As the magnetic layer, for example, a CoPt alloy can be used. It is also possible to form a CoPt-based alloy and FePt based alloy L 10 regular structure and magnetic layer for heat-assisted magnetic recording. After the above film formation, a magnetic recording medium can be formed by forming a protective layer using, for example, C 2 H 4 by a CVD method and subsequently performing nitriding treatment for introducing nitrogen into the surface. Thereafter, for example, PFPE (perfluoropolyether) is applied on the protective layer by a dip coating method, whereby a lubricating layer can be formed.
The manufactured magnetic disk is preferably a magnetic disk drive device (HDD) as a magnetic recording / reproducing device, which includes a magnetic head equipped with a DFH (Dynamic Flying Height) control mechanism and a spindle for fixing the magnetic disk. (Hard Disk Drive)).
以下に、本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。 In the following, the present invention is further illustrated by examples. However, this invention is not limited to the aspect shown in the Example.
(1)溶融ガラスの作製
本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の効果を確認するために、製造した磁気ディスク用ガラス基板から2.5インチの磁気ディスク(外径65mm、内径20mm、板厚0.635mm)を作製した。作製した磁気ディスク用ガラス基板のガラスの組成は、下記の通りである。
(ガラスの組成)
質量%表示で、SiO2を65.08%、Al2O3を15.14%、Li2Oを3.61%、Na2Oを10.68%、K2Oを0.35%、MgOを0.99%、CaOを2.07%、ZrO2を1.98%、Fe2O3を0.10%、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスであり、ガラス転移温度が510℃である。
(1) Production of Molten Glass In order to confirm the effect of the magnetic disk glass substrate of the present embodiment, a 2.5-inch magnetic disk (outer diameter 65 mm, inner diameter 20 mm, plate thickness 0) from the manufactured magnetic disk glass substrate. .635 mm). The composition of the glass of the produced magnetic disk glass substrate is as follows.
(Glass composition)
In terms of mass%, SiO 2 is 65.08%, Al 2 O 3 is 15.14%, Li 2 O is 3.61%, Na 2 O is 10.68%, K 2 O is 0.35%, An amorphous aluminosilicate glass having a composition having 0.99% MgO, 2.07% CaO, 1.98% ZrO 2 and 0.10% Fe 2 O 3 , and has a glass transition temperature of 510 ° C. It is.
(2)ガラス基板の作製
清澄、均質化した上記熔融ガラスをパイプから一定流量で流出するとともにプレス成形用の下型で受け、下型上に所定量の熔融ガラス塊が得られるよう流出した熔融ガラスを切断刃で切断した。そして熔融ガラス塊を載せた下型をパイプ下方から直ちに搬出し、下型と対向する上型および胴型を用いて、薄肉円盤状にプレス成形した。プレス成形品を変形しない温度にまで冷却した後、型から取り出してアニールする。その後、プレス成形により得られたガラス基板に対して、ラッピング加工を行った。ラッピング加工では、遊離砥粒としてアルミナ砥粒(#1000の粒度)を用いた。
(2) Production of glass substrate Melted glass that flows out from the pipe at a constant flow rate and is received by a lower mold for press molding so that a predetermined amount of molten glass lump is obtained on the lower mold. The glass was cut with a cutting blade. Then, the lower mold on which the molten glass block was placed was immediately carried out from below the pipe, and was press-formed into a thin disk shape using the upper mold and the barrel mold opposed to the lower mold. After the press-formed product is cooled to a temperature at which it does not deform, it is removed from the mold and annealed. Then, the lapping process was performed with respect to the glass substrate obtained by press molding. In the lapping process, alumina abrasive grains (# 1000 grain size) were used as free abrasive grains.
(3)コアリング加工、およびチャンファリング加工
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円盤状のガラス基板の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした(コアリング)。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した(チャンファリング)。
(3) Coring processing and chamfering processing Using a cylindrical diamond drill, an inner hole was formed at the center of a disk-shaped glass substrate to obtain an annular glass substrate (coring). Then, the inner peripheral end face and the outer peripheral end face were ground with a diamond grindstone and subjected to predetermined chamfering (chambering).
(4)端面研磨工程
次に、円環状のガラス基板の端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー(遊離砥粒)を用いた。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、パーティクル等の発塵を防止できる鏡面状態に加工された。
(4) End face polishing step Next, the end face of the annular glass substrate was subjected to mirror polishing by a brush polishing method. At this time, as the abrasive grains, a slurry (free abrasive grains) containing cerium oxide abrasive grains was used. By this end surface polishing step, the end surface of the glass substrate was processed into a mirror surface state capable of preventing generation of particles and the like.
(5)主表面に対する第1研磨工程
図1に示した研磨装置にガラス基板をセットして研磨を行った。研磨工程に使用される研磨液は、研磨剤としてのジルコニア(ZrO2)を5〜20重量%、第1添加剤としてのヘキサメタリン酸ナトリウムを0.01〜5重量%、第2添加剤としてのセルロースを0.01〜5重量%、を純水ろ過水(RO水)もしくは純水に混入させて十分に攪拌して生成した。また、このときのジルコニアの平均粒径(D50)は0.5μmで湿式法で製造されたものとした。このジルコニア粒子の1次粒子径は120nmである。
実施例のガラス基板については、研磨の後にホスホン酸液へ浸漬させた。具体的には、純水にホスホン酸1vol%を添加してpH=1〜3、温度40℃に調整したホスホン酸液を用意して、40〜80kHzの超音波をガラス基板に照射させつつ、10分間浸漬させた。表1に示すように、実施例1〜4ではそれぞれ、ホスホン酸液に含まれるホスホン酸が異なる。比較例のガラス基板については、研磨の後にホスホン酸液へ浸漬させなかった。
その後、実施例及び比較例のガラス基板について、フッ素イオンを含む洗浄液を使用して超音波洗浄法で洗浄し、さらに純水を使用してリンス洗浄し、最後にIPA蒸気乾燥を行った。洗浄液として、ケイフッ酸を0.01[mol/L]、硫酸を1[mol/L]、アスコルビン酸を0.1[mol/L]含むものを使用した。超音波洗浄法では、超音波の周波数は40kHzとし、50℃で4分間の洗浄を行った。
(5) First polishing step for main surface A glass substrate was set in the polishing apparatus shown in FIG. The polishing liquid used in the polishing step is 5 to 20% by weight of zirconia (ZrO 2 ) as an abrasive, 0.01 to 5% by weight of sodium hexametaphosphate as a first additive, and as a second additive. It was produced by mixing 0.01 to 5% by weight of cellulose in pure water filtered water (RO water) or pure water and stirring sufficiently. At this time, the average particle diameter (D50) of zirconia was 0.5 μm, and it was manufactured by a wet method. The primary particle diameter of the zirconia particles is 120 nm.
About the glass substrate of an Example, it was immersed in the phosphonic acid liquid after grinding | polishing. Specifically, phosphonic acid solution prepared by adding 1 vol% of phosphonic acid to pure water and adjusting the pH to 1 to 3 and the temperature of 40 ° C. was prepared, and the glass substrate was irradiated with ultrasonic waves of 40 to 80 kHz. It was immersed for 10 minutes. As shown in Table 1, in Examples 1 to 4, the phosphonic acid contained in the phosphonic acid solution is different. The glass substrate of the comparative example was not immersed in the phosphonic acid solution after polishing.
Then, about the glass substrate of the Example and the comparative example, it wash | cleaned by the ultrasonic cleaning method using the washing | cleaning liquid containing a fluorine ion, Furthermore, the rinse washing | cleaning using the pure water was performed, and IPA vapor drying was performed finally. A cleaning solution containing 0.01 [mol / L] silicic acid, 1 [mol / L] sulfuric acid, and 0.1 [mol / L] ascorbic acid was used. In the ultrasonic cleaning method, the frequency of ultrasonic waves was 40 kHz, and cleaning was performed at 50 ° C. for 4 minutes.
[評価方法]
ガラス基板に対して洗浄を行った後、実施例及び比較例のガラス基板の表面の清浄度(汚れの程度)を目視検査及び顕微鏡にて評価した。清浄度は、クリーンルームの暗幕エリア内にて集光ランプを使用して、実施例及び比較例のガラス基板について100枚ずつのサンプルを評価し、ガラス基板の端部に汚れが見られなかったガラス基板の枚数の割合(%)を算出した。なお、主表面については、いずれもほぼ良好であった。また、汚れが見られたサンプルについて、汚れた部分のSEM/EDXによる詳細調査を行ったところ、いずれもジルコニアの砥粒が発見された。よって清浄度が高いものほどジルコニア砥粒をよく洗浄除去することができていると判断される。
[Evaluation method]
After cleaning the glass substrate, the cleanliness (degree of soiling) of the surface of the glass substrate of Examples and Comparative Examples was evaluated by visual inspection and a microscope. The cleanliness was evaluated by evaluating 100 samples of each of the glass substrates of Examples and Comparative Examples using a condensing lamp in the dark curtain area of a clean room, and no contamination was observed on the edge of the glass substrate. The ratio (%) of the number of substrates was calculated. In addition, as for the main surface, all were substantially favorable. Further, when the soiled samples were examined in detail by SEM / EDX, the zirconia abrasive grains were found. Therefore, it is judged that the higher the cleanliness, the better the zirconia abrasive grains can be washed away.
表1の評価結果により、ジルコニア砥粒を研磨剤として含む研磨液を使用してガラス基板の主表面を研磨した後、フッ素イオンを含む洗浄液を用いた洗浄を行う前にホスホン酸液にガラス基板を浸漬(接触)させることによって、ガラス基板の端部の表面の清浄度が良好となることがわかる。特に、ホスホン酸としてHEDP又はNTMP含む液にガラス基板を浸漬させることによって、ガラス基板の表面の清浄度が極めて良好となることがわかる。これは、HEDP及びNTMPのジルコニア粒子に対するキレート効果と分散効果が特に高いためである。
また、表1の評価結果により、概ねホスホン酸の分子量が小さくなるにつれて清浄度が良好になることがわかる。これは、ホスホン酸液に対するホスホン酸の溶解度を高くできるので、ガラス基板の表面に析出して汚染源となる恐れがなく、また、ジルコニア粒子に対するキレート効果と分散効果が高くなるためである。特に分子量が300以下の場合(HEDP、NTMP、又はPBTC)に、清浄度が比較的良好となる。
According to the evaluation results in Table 1, after polishing the main surface of the glass substrate using a polishing liquid containing zirconia abrasives as an abrasive, the glass substrate is added to the phosphonic acid liquid before cleaning with a cleaning liquid containing fluorine ions. It is understood that the cleanliness of the surface of the end portion of the glass substrate is improved by immersing (contacting). In particular, it is understood that the cleanliness of the surface of the glass substrate becomes extremely good by immersing the glass substrate in a solution containing HEDP or NTMP as phosphonic acid. This is because HEDP and NTMP have particularly high chelating effects and dispersion effects on zirconia particles.
Moreover, it turns out from the evaluation result of Table 1 that the degree of cleanliness becomes better as the molecular weight of phosphonic acid decreases. This is because the solubility of the phosphonic acid in the phosphonic acid solution can be increased, so that there is no fear of being deposited on the surface of the glass substrate and becoming a contamination source, and the chelating effect and the dispersing effect on the zirconia particles are increased. In particular, when the molecular weight is 300 or less (HEDP, NTMP, or PBTC), the cleanliness is relatively good.
以上、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは勿論である。 As mentioned above, although the manufacturing method of the glass substrate for magnetic discs of this invention was demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, even if various improvement and a change are carried out. Of course it is good.
10 研磨パッド
30 キャリア
40 上定盤
50 下定盤
61 太陽歯車
62 内歯車
71 研磨液供給タンク
72 配管
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記洗浄液は、少なくともフッ素イオンを含み、
前記研磨処理と洗浄処理との間に、ホスホン酸を含む液に接触させることを特徴とする、
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 Manufacture of a glass substrate for a magnetic disk, comprising: a polishing process for polishing a main surface of a glass substrate using a polishing liquid containing zirconia abrasive grains; and a cleaning process for cleaning the glass substrate after the polishing process using a cleaning liquid. A method,
The cleaning liquid contains at least fluorine ions,
Between the polishing treatment and the cleaning treatment, a liquid containing phosphonic acid is contacted,
Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk.
請求項1に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 The phosphonic acid is hydroxyethylidene diphosphonic acid (HEDP) or nitrilotrismethylene phosphonic acid (NTMP) having a molecular weight of 300 or less,
The manufacturing method of the glass substrate for magnetic discs described in Claim 1.
請求項1又は2に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。 The cleaning liquid further includes at least one of an acid and a reducing agent.
A method for producing a glass substrate for a magnetic disk according to claim 1 or 2.
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