JP2014056975A - Method for manufacturing resin layer having pattern - Google Patents
Method for manufacturing resin layer having pattern Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014056975A JP2014056975A JP2012201712A JP2012201712A JP2014056975A JP 2014056975 A JP2014056975 A JP 2014056975A JP 2012201712 A JP2012201712 A JP 2012201712A JP 2012201712 A JP2012201712 A JP 2012201712A JP 2014056975 A JP2014056975 A JP 2014056975A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- pattern
- group
- resin
- meth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 196
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 78
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 77
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 43
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 39
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 39
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 19
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 19
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 16
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenoxy)benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1OC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WVDRSXGPQWNUBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 8
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 7
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 7
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 5
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 5
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 5
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 4
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003504 2-oxazolinyl group Chemical group O1C(=NCC1)* 0.000 description 3
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N Tetrachlorobisphenol A Chemical compound C=1C(Cl)=C(O)C(Cl)=CC=1C(C)(C)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 KYPYTERUKNKOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 3
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1C OGMSGZZPTQNTIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVVGIUUJYPYENY-UHFFFAOYSA-N 1-methylpyridin-2-one Chemical compound CN1C=CC=CC1=O DVVGIUUJYPYENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1C QIDIFDCCFHVZOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-[[4-[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxymethyl]phenyl]methoxymethyl]oxetane Chemical compound C=1C=C(COCC2(CC)COC2)C=CC=1COCC1(CC)COC1 LMIOYAVXLAOXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMAIAZQPQINLPR-UHFFFAOYSA-N 4,6-diethyl-7-(ethylamino)chromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(CC)C2=C1C=C(NCC)C(CC)=C2 IMAIAZQPQINLPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-amino-2-(trifluoromethyl)phenyl]-3-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound FC(F)(F)C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C(F)(F)F NVKGJHAQGWCWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N Menadione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C)=CC(=O)C2=C1 MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N N-phenylglycine Chemical compound OC(=O)CNC1=CC=CC=C1 NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPLONMMJNGTUAI-UHFFFAOYSA-M lithium;bromide;hydrate Chemical compound [Li+].O.[Br-] IPLONMMJNGTUAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N p-Mentha-1,3,5,8-tetraene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(C)C=C1 MMSLOZQEMPDGPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 2
- 238000006798 ring closing metathesis reaction Methods 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical compound CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1(CC)COC1 RSHKWPIEJYAPCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- DPZSNGJNFHWQDC-ARJAWSKDSA-N (z)-2,3-diaminobut-2-enedinitrile Chemical compound N#CC(/N)=C(/N)C#N DPZSNGJNFHWQDC-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(ethenoxymethyl)cyclohexane Chemical compound C=COCC1(COC=C)CCCCC1 HIYIGPVBMDKPCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylanthracene-9,10-dione Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C3C(=O)C2=C1C XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trifluoro-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(F)=C(F)C=C1F SKYXLDSRLNRAPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROLAGNYPWIVYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(4-methoxyphenyl)ethanamine;hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC(OC)=CC=C1CC(N)C1=CC=C(OC)C=C1 ROLAGNYPWIVYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical group C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKIJMTKJEMUCQG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-3-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC(C)=C1C FKIJMTKJEMUCQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethoxy 2-vinyl benzene Natural products COC1=CC(OC)=C(C=C)C(OC)=C1 CORMBJOFDGICKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDWRKTULOHXYGN-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenoxy)-2,2-bis(ethenoxymethyl)propane Chemical compound C=COCC(COC=C)(COC=C)COC=C XDWRKTULOHXYGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethyl-5-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC(C)=CC(C)=C1 IURLOHPODYBNSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 1,3-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC(N)=C1 WZCQRUWWHSTZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 PXGZQGDTEZPERC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylic acid Chemical compound C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 1,6-bis(ethenoxy)hexane Chemical compound C=COCCCCCCOC=C JOSFJABFAXRZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940008841 1,6-hexamethylene diisocyanate Drugs 0.000 description 1
- WGVVLKIKGKGXOT-UHFFFAOYSA-N 1,9-bis(ethenoxy)nonane Chemical compound C=COCCCCCCCCCOC=C WGVVLKIKGKGXOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSZOCHFYWWVSAI-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1C=C SSZOCHFYWWVSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQJQPCJDKBKSLV-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-3-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=CC(C=C)=C1 KQJQPCJDKBKSLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-ethenylbenzene Chemical compound BrC1=CC=C(C=C)C=C1 WGGLDBIZIQMEGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOVQCIDBZXNFEJ-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=C)=C1 BOVQCIDBZXNFEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-ethenylbenzene Chemical compound ClC1=CC=C(C=C)C=C1 KTZVZZJJVJQZHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC(=C)C1=CC=CC=C1 XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)butane Chemical compound C=COCC(CC)(COC=C)COC=C CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOC=C SAMJGBVVQUEMGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC=C QJJDJWUCRAPCOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxypropane Chemical compound CCCOC=C OVGRCEFMXPHEBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C=C)C(C)=C1C UFMLLTODLZCTMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C=C1C SVGCCRAIYFQZQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C(C)=C1 OEVVKKAVYQFQNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=C VTPNYMSKBPZSTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 XIRPMPKSZHNMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3,5-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=C)=C1 XKMDZVINHIFHLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=C)=C1 XHUZSRRCICJJCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C=C)=C1 PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-phenylbenzene Chemical group C=CC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZMXAHWXPRKVGCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYSVFZBXZVPIFA-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(4-ethenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=C(C=C)C=C1 IYSVFZBXZVPIFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCJFUXHMKAGYFV-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(4-phenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 HCJFUXHMKAGYFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C=C)C=C1 WHFHDVDXYKOSKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropropane Chemical compound CCCF JRHNUZCXXOTJCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(C)C(C)=C2 KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPZJSWWEEJJSIZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromo-4-[(3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=C(Br)C(O)=C(Br)C=C1CC1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 WPZJSWWEEJJSIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXYQFJWVHVYIHB-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloro-4-(3,5-dichloro-4-hydroxyphenoxy)phenol Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=C(Cl)C=C1OC1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 TXYQFJWVHVYIHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYDJTJGFHTVGGF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloro-4-(3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=C(Cl)C=C1S(=O)(=O)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 YYDJTJGFHTVGGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADPNKEKOIMXCQW-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloro-4-[(3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl)-dimethylsilyl]phenol Chemical compound C=1C(Cl)=C(O)C(Cl)=CC=1[Si](C)(C)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 ADPNKEKOIMXCQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIFDRXSVRSCMMY-UHFFFAOYSA-N 2,6-dichloro-4-[(3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl)methyl]phenol Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=C(Cl)C=C1CC1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 WIFDRXSVRSCMMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=C(C=2C(=CC=CC=2)OC)NC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=N1 UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class FC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZAZXHQSSWRBHT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyphenyl)-3,4,5,6-tetramethylphenol Chemical compound OC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C1=CC=CC=C1O CZAZXHQSSWRBHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMOZDINWBHMBSQ-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(4,5-dihydro-1,3-oxazol-2-yl)phenyl]-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound O1CCN=C1C1=CC=CC(C=2OCCN=2)=C1 HMOZDINWBHMBSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3-amino-4-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)=C1 KZLDGFZCFRXUIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KECOIASOKMSRFT-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(N)C(O)=CC=2)=C1 KECOIASOKMSRFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHIDYCYNRPVZCK-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C(N)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C(N)=C1 UHIDYCYNRPVZCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical group C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)sulfonylphenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C(O)=C1 KHAFBBNQUOEYHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDFAWEKPFLGRAK-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-[2-(4-amino-3-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(N)C(O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C(O)=C1 JDFAWEKPFLGRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKTNABJAOZQJCM-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-4-[9-(3-bromo-4-hydroxyphenyl)fluoren-9-yl]phenol Chemical compound C1=C(Br)C(O)=CC=C1C1(C=2C=C(Br)C(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 ZKTNABJAOZQJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBQRPFBBTWXIFI-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-[2-(3-chloro-4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C(Cl)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C(Cl)=C1 XBQRPFBBTWXIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USYCYUZCESSCGY-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-[9-(3-chloro-4-hydroxyphenyl)fluoren-9-yl]phenol Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=CC=C1C1(C=2C=C(Cl)C(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 USYCYUZCESSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 2-chlorostyrene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1C=C ISRGONDNXBCDBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNUGVECARVKIPH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxypropane Chemical compound CC(C)OC=C GNUGVECARVKIPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C=C)C(C)=C1 PDELBHCVXBSVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,3-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C=C OWRKXOZFTROHSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 2-ethenyl-1,4-dimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C=C)=C1 DBWWINQJTZYDFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 4-nitrobenzoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 NPSJHQMIVNJLNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- KYQXCPBNIIFERU-UHFFFAOYSA-N 2-fluoro-4-[9-(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)fluoren-9-yl]phenol Chemical compound C1=C(F)C(O)=CC=C1C1(C=2C=C(F)C(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 KYQXCPBNIIFERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical group CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 AXYQEGMSGMXGGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCYHRYNSUGLLMA-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoxyethanol Chemical compound OCCOCC=C GCYHRYNSUGLLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbisphenol A Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALNBMSFIZFUDMD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethylnaphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=C(O)C(C)=C(C)C2=C1 ALNBMSFIZFUDMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 3-(ethenoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COC=C DSSAWHFZNWVJEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMAQHCMFKOQWML-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[2-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C(=CC=CC=2)S(=O)(=O)C=2C(=CC=CC=2)OC=2C=C(N)C=CC=2)=C1 QMAQHCMFKOQWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZASAYJPZFDDHB-UHFFFAOYSA-N 3-[7-(diethylamino)-2-oxochromene-3-carbonyl]-5,7-dimethoxychromen-2-one Chemical compound C1=C(OC)C=C2OC(=O)C(C(=O)C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=CC2=C1OC NZASAYJPZFDDHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=C)=C1 YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Dihydroxybenzophenone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RXNYJUSEXLAVNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Thiodianiline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1SC1=CC=C(N)C=C1 ICNFHJVPAJKPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenyl)benzoic acid Chemical group C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 NEQFBGHQPUXOFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQJQLYOMPSJVQS-UHFFFAOYSA-N 4-(4-carboxyphenyl)sulfonylbenzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 SQJQLYOMPSJVQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSIVRHDEPHUII-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenoxy)-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(OC=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 KQSIVRHDEPHUII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUCTVKDVODFXFX-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)sulfonyl-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 SUCTVKDVODFXFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCIVBLNHLBBZFE-UHFFFAOYSA-N 4-(9h-fluoren-1-yl)-2-methylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C=2C3=C(C4=CC=CC=C4C3)C=CC=2)=C1 KCIVBLNHLBBZFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJAQDSUXGOUHLT-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)-dimethylsilyl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([Si](C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 YJAQDSUXGOUHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAABNODEAACFII-UHFFFAOYSA-N 4-[(4-hydroxyphenyl)-dimethylsilyl]phenol Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1[Si](C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 AAABNODEAACFII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIOCFZAEFQTCSO-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 QIOCFZAEFQTCSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQYMDAUTAXXFZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-carboxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 PHQYMDAUTAXXFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKACUVXWRVMXOE-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-carboxyphenyl)propan-2-yl]benzoic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 XKACUVXWRVMXOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMMYPOBNFBLJS-UHFFFAOYSA-N 4-[9-(4-hydroxy-3-methoxyphenyl)fluoren-9-yl]-2-methoxyphenol Chemical compound C1=C(O)C(OC)=CC(C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=C(OC)C(O)=CC=2)=C1 TVMMYPOBNFBLJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- LKJDPYZBJFUZNS-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-7-(methylamino)chromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(NC)=CC=C21 LKJDPYZBJFUZNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEMGMKHRBKOVHA-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound CC(C)(C)C1COC=N1 QEMGMKHRBKOVHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 4H-quinolizine Chemical compound C1=CC=CN2CC=CC=C21 GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JATKASGNRMGFSW-UHFFFAOYSA-N 5-bromobenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(Br)=CC(C(O)=O)=C1 JATKASGNRMGFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLPFTLXIQQYOMW-UHFFFAOYSA-N 5-chlorobenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(Cl)=CC(C(O)=O)=C1 PLPFTLXIQQYOMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUIOTTUHAZONIC-UHFFFAOYSA-N 5-fluorobenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(F)=CC(C(O)=O)=C1 AUIOTTUHAZONIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJLUCDZIWWSFIB-UHFFFAOYSA-N 5-tert-butylbenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 BJLUCDZIWWSFIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXAMGWKESXGGNV-UHFFFAOYSA-N 7-(diethylamino)-1-benzopyran-2-one Chemical compound C1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 QXAMGWKESXGGNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCSNPEIXPRTDCL-UHFFFAOYSA-N 7-(diethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(N(CC)CC)C(C)=C2 LCSNPEIXPRTDCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-2,3-dihydro-1h-cyclopenta[c]chromen-4-one Chemical compound O=C1OC2=CC(N(C)C)=CC=C2C2=C1CCC2 RIUSGHALMCFISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMIBFBLKEYPIBO-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4,6-diethylchromen-2-one Chemical compound CCC1=CC(=O)OC2=C1C=C(CC)C(N(C)C)=C2 IMIBFBLKEYPIBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMENEVLIGWZJCI-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(N(C)C)C(C)=C2 IMENEVLIGWZJCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 7-(dimethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(C)C)=CC=C21 GZEYLLPOQRZUDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 7-(ethylamino)-4,6-dimethylchromen-2-one Chemical compound O1C(=O)C=C(C)C2=C1C=C(NCC)C(C)=C2 QZXAEJGHNXJTSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTNIKUTWXUODJZ-UHFFFAOYSA-N 7-(ethylamino)-4-methylchromen-2-one Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(NCC)=CC=C21 OTNIKUTWXUODJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 YWFPGFJLYRKYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 9H-thioxanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3SC2=C1 PQJUJGAVDBINPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- LYJHVEDILOKZCG-UHFFFAOYSA-N Allyl benzoate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 LYJHVEDILOKZCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- LOUIXFKMLOGECE-UHFFFAOYSA-N ClC1=C(C=CC=C1)C1(N(C(=C(N1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1(N=C(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)Cl)C1=C(C=CC=C1)Cl Chemical class ClC1=C(C=CC=C1)C1(N(C(=C(N1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1(N=C(C(=N1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=C(C=CC=C1)Cl)C1=C(C=CC=C1)Cl LOUIXFKMLOGECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDDWCEYQOUUSIT-UHFFFAOYSA-N ClC1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C2C=C1C1=CC=CC=C1)=O)=O Chemical compound ClC1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O.C1(=CC=CC=C1)C1=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C2C=C1C1=CC=CC=C1)=O)=O IDDWCEYQOUUSIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Chemical class 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- WMNLMCUGNMCQCD-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C=C(C=C1Br)Br)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound OC1=C(C=C(C=C1Br)Br)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 WMNLMCUGNMCQCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAERVXKGGOYMCI-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C=C(C=C1Cl)C1(C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12)C1=CC(=C(C(=C1)Cl)O)Cl)Cl.OC1=C(C=C(C=C1C)C1(C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12)C1=CC(=C(C(=C1)C)O)C)C Chemical compound OC1=C(C=C(C=C1Cl)C1(C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12)C1=CC(=C(C(=C1)Cl)O)Cl)Cl.OC1=C(C=C(C=C1C)C1(C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC12)C1=CC(=C(C(=C1)C)O)C)C DAERVXKGGOYMCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Chemical class 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N [(e)-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)carbazol-3-yl]ethylideneamino] acetate Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=C(C(\C)=N\OC(C)=O)C=C3C2=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1C SEEVRZDUPHZSOX-WPWMEQJKSA-N 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N benzo[a]anthracene-7,12-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- CNASVLXXMGAQGK-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-dichloro-4-hydroxyphenyl)methanone Chemical compound C1=C(Cl)C(O)=C(Cl)C=C1C(=O)C1=CC(Cl)=C(O)C(Cl)=C1 CNASVLXXMGAQGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl) hexanedioate Chemical compound C=COC(=O)CCCCC(=O)OC=C JZQAAQZDDMEFGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDNFTNPFYCKVTB-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,4-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC=C)C=C1 ZDNFTNPFYCKVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTPJLLIHIDBKQ-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) cyclohexane-1,4-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1CCC(C(=O)OCC=C)CC1 ZXTPJLLIHIDBKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQHOHKQMTHROSF-UHFFFAOYSA-N but-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CCC(=C)C1=CC=CC=C1 SQHOHKQMTHROSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N coumarin 120 Chemical compound C1=C(N)C=CC2=C1OC(=O)C=C2C GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N coumarin 460 Chemical compound CC1=CC(=O)OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C21 AFYCEAFSNDLKSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- SUSAGCZZQKACKE-UHFFFAOYSA-N cyclobutane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC1C(O)=O SUSAGCZZQKACKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- LNGJOYPCXLOTKL-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCC(C(O)=O)C1 LNGJOYPCXLOTKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical class NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N ethenyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC=C UIWXSTHGICQLQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940018564 m-phenylenediamine Drugs 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PNLUGRYDUHRLOF-UHFFFAOYSA-N n-ethenyl-n-methylacetamide Chemical compound C=CN(C)C(C)=O PNLUGRYDUHRLOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N n-prop-2-enylprop-2-en-1-amine Chemical compound C=CCNCC=C DYUWTXWIYMHBQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- OVAZZMXASSWARN-UHFFFAOYSA-N naphthalen-1-ylmethanediol Chemical compound C1=CC=C2C(C(O)O)=CC=CC2=C1 OVAZZMXASSWARN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1N KQSABULTKYLFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=C(N)C=CC2=CC(N)=CC=C21 GOGZBMRXLADNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N o-Vinylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=C SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N p-Vinylbiphenyl Chemical group C1=CC(C=C)=CC=C1C1=CC=CC=C1 HDBWAWNLGGMZRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M pent-4-enoate Chemical compound [O-]C(=O)CCC=C HVAMZGADVCBITI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentachloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)(Cl)Cl UHZYTMXLRWXGPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N vinyl benzoate Chemical compound C=COC(=O)C1=CC=CC=C1 KOZCZZVUFDCZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、パターンを有する樹脂層をインプリント法により製造する方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a resin layer having a pattern by an imprint method.
近年、光学素子、半導体など、微細パターンを有する物品を製造する方法としてインプリント法が注目されている(例えば,非特許文献1参照)。また、微細加工技術の発展に伴い、微細パターンを有する基材表面上にむらなく、均一に離型膜を形成し、基材に離型性等を付与する技術が求められている。 In recent years, an imprint method has attracted attention as a method for producing an article having a fine pattern, such as an optical element or a semiconductor (for example, see Non-Patent Document 1). In addition, with the development of microfabrication technology, there is a need for a technology that uniformly forms a release film on the surface of a substrate having a fine pattern and imparts releasability to the substrate.
インプリント法としては、熱インプリント法と光インプリント法が提案されている。熱インプリント法では、ガラス転移温度以上に加熱されて軟化した熱可塑性樹脂に、表面に微細パターンを有するインプリント用の型を押し当て、冷却し樹脂を固化させた後に型から樹脂を外すことで微細パターンを基板上の樹脂に転写する(例えば、特許文献1)。一方、光インプリント法では、表面に微細パターンを有するインプリント用の透明の型に光硬化性樹脂組成物を充填した後、型を通してUVなどの光を照射し、光硬化性樹脂組成物を硬化させ、型から樹脂を外すことで微細パターンを基板上に転写する(例えば特許文献2)。いずれの方法においても、通常、インプリント用の型と樹脂との離型性が不足して、型から樹脂を外す際に樹脂表面の微細パターンが変形したり、欠落したりして、パターニングの精度が低下しやすい。従って、一般的に予め離型剤を塗布するなどの方法で離型性を型に付与する等の手段が用いられている。従来、これらの離型剤として表面エネルギーの小さい含フッ素化合物が広く用いられてきた。該含フッ素化合物としては、基材との密着性、汚染物質の拭き取り性、耐久性の観点で含フッ素シランカップリング剤が用いられる。例えば,−CF2−基を有するクロロシラン系化学吸着剤を一成分として含む塗布溶液を噴霧により塗布して基材表面に共有結合を有する化学吸着膜を形成する方法(例えば、特許文献3参照)などが知られている。 As the imprint method, a thermal imprint method and an optical imprint method have been proposed. In the thermal imprint method, an imprint mold having a fine pattern on the surface is pressed against a thermoplastic resin that has been heated and softened above the glass transition temperature, and the resin is removed from the mold after cooling and solidifying the resin. Then, the fine pattern is transferred to the resin on the substrate (for example, Patent Document 1). On the other hand, in the photoimprint method, after a photocurable resin composition is filled into a transparent mold for imprinting having a fine pattern on the surface, light such as UV is irradiated through the mold, and the photocurable resin composition is then applied. The fine pattern is transferred onto the substrate by curing and removing the resin from the mold (for example, Patent Document 2). In any of the methods, the releasability between the imprint mold and the resin is usually insufficient, and when the resin is removed from the mold, the fine pattern on the resin surface may be deformed or missing, resulting in patterning. Accuracy tends to decrease. Therefore, generally, means such as applying mold release properties to the mold by a method such as applying a release agent in advance is used. Conventionally, fluorine-containing compounds having a small surface energy have been widely used as these release agents. As the fluorine-containing compound, a fluorine-containing silane coupling agent is used from the viewpoints of adhesion to a substrate, wiping of contaminants, and durability. For example, a method of forming a chemical adsorption film having a covalent bond on the substrate surface by applying a coating solution containing a chlorosilane-based chemical adsorbent having a —CF 2 — group as a component by spraying (see, for example, Patent Document 3) Etc. are known.
しかしながら、含フッ素シランカップリング剤を離型剤としてインプリント用の型に適用した場合、離型する際の型とインプリント用樹脂との密着力が大きく、離型性が十分ではない場合があった。 However, when a fluorine-containing silane coupling agent is applied to a mold for imprinting as a mold release agent, the adhesion between the mold at the time of mold release and the resin for imprinting is large, and the mold releasability may not be sufficient. there were.
一方、無機系の膜を離型層として用いる場合、離型層の膜厚が厚く、パターン寸法が離型層の影響で大きく変化し易い。そのため、この方法は微細なパターンを形成するために適用するのは困難である。またインプリント後に劣化した膜を剥離して、再度、膜付けするために多大なコストを要するという問題もある。 On the other hand, when an inorganic film is used as the release layer, the thickness of the release layer is large, and the pattern dimensions are likely to change greatly due to the influence of the release layer. Therefore, this method is difficult to apply in order to form a fine pattern. In addition, there is a problem that it takes a lot of cost to peel off a film that has deteriorated after imprinting and to apply the film again.
インプリントを実用化する上では、1回の転写ごとの型の離型性のみならず、良好なパターンを繰り返し安定して形成できることが極めて重要である。特に大量生産化するにあたっては、連続してパターン形成を行った場合でも歩留まりを高く保つことが求められる。すなわち、繰り返しパターン転写を行った場合でも良好なパターン形成性を保つこと(繰り返しパターニング耐性)が求められる。 In practical use of imprinting, it is extremely important that not only the mold releasability for each transfer but also a good pattern can be formed repeatedly and stably. Particularly in mass production, it is required to maintain a high yield even when pattern formation is continuously performed. That is, it is required to maintain good pattern formability (repeated patterning resistance) even when repeated pattern transfer is performed.
そこで、本発明の主な目的は、パターンを有する樹脂層をインプリント法により形成する場合において、型に離型性を付与しなくとも、パターンを繰り返して形成したときに良好なパターン形成性を維持できる方法を提供することにある。 Therefore, the main object of the present invention is to provide a good pattern formability when a pattern is repeatedly formed without imparting mold release properties to the mold when a resin layer having a pattern is formed by an imprint method. It is to provide a method that can be maintained.
本発明は、樹脂組成物からなる樹脂層に光を照射する工程と、光を照射された樹脂層に凹凸パターンを有する型を押し当てて、前記凹凸パターンに対して反転したパターンを樹脂層に形成させる工程と、パターンを形成した樹脂層から型を外す工程と、を備える、パターンを有する樹脂層を製造する方法に関する。 The present invention includes a step of irradiating a resin layer made of a resin composition with light, a mold having a concavo-convex pattern pressed against the resin layer irradiated with light, and a pattern inverted with respect to the concavo-convex pattern applied to the resin layer. The present invention relates to a method for producing a resin layer having a pattern, comprising a step of forming and a step of removing a mold from the resin layer on which the pattern is formed.
上記本発明に係る方法によれば、樹脂層に型を押し当てる前に、樹脂層に光を照射することで、インプリントに好適な流動性を維持しながら、樹脂層の離型性が高められる。そのため、離型層を設けるなどの方法により型に離型性を付与しなくとも、樹脂層から型を外す際にパターンに欠陥が発生し難い。樹脂層自体に離型性を付与することから、型に離型性を付与する場合のようにパターン転写を繰り返したときでも、型に再度離型剤を塗布する等の処理を本質的に必要としない。すなわち、型に離型性を付与しなくとも、パターンを繰り返して形成したときに良好なパターン形成性を維持できる。また、樹脂層に柔らかすぎる樹脂を適用した場合、未露光のままでは離型剤を塗布した型に対しても接着してしまう場合がある。しかしながら、本発明に係る方法によれば、樹脂層に柔らかい樹脂を適用した場合であっても、インプリントに好適な流動性を維持しながら、樹脂層の離型性を高めることができる。 According to the method of the present invention, the resin layer is irradiated with light before the mold is pressed against the resin layer, so that the release property of the resin layer is improved while maintaining fluidity suitable for imprinting. It is done. Therefore, even if the mold release property is not imparted to the mold by a method such as providing a mold release layer, a defect is hardly generated in the pattern when the mold is removed from the resin layer. Since the resin layer itself is given releasability, processing such as re-applying a release agent to the mold is essential even when pattern transfer is repeated as in the case of giving releasability to the mold. And not. That is, good pattern formability can be maintained when a pattern is repeatedly formed without imparting mold release properties to the mold. Further, when a resin that is too soft is applied to the resin layer, the resin layer may adhere to a mold to which a release agent is applied if it is left unexposed. However, according to the method of the present invention, even when a soft resin is applied to the resin layer, the release property of the resin layer can be improved while maintaining fluidity suitable for imprinting.
樹脂層から型を外す工程の後、パターンを形成した樹脂層を硬化させる工程を更に備えていてもよい。この場合、好ましくは、パターンを形成した樹脂層を硬化させる工程は、パターンを形成した樹脂層に光を照射することを含む。 You may further provide the process of hardening the resin layer in which the pattern was formed after the process of removing a type | mold from a resin layer. In this case, preferably, the step of curing the resin layer on which the pattern is formed includes irradiating the resin layer on which the pattern is formed with light.
光照射により樹脂層を硬化させることで、熱硬化等のために樹脂層が加熱されたときに、パターンの形状を良好に保持することができる。 By curing the resin layer by light irradiation, the pattern shape can be satisfactorily maintained when the resin layer is heated for thermosetting or the like.
上記樹脂組成物は、光重合性化合物と、光重合開始剤と、を含有していてもよい。これにより、光照射による離型性向上等の効果がより顕著に得られる。 The resin composition may contain a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator. Thereby, effects, such as a mold release improvement by light irradiation, are acquired notably.
上記樹脂組成物が、高分子化合物及び熱硬化性樹脂から選ばれる、光重合性化合物とは異なる化合物を更に含有していてもよい。高分子化合物及び熱硬化性樹脂は、硬化後の樹脂層に高い耐熱性を付与することができる。 The resin composition may further contain a compound different from the photopolymerizable compound selected from a polymer compound and a thermosetting resin. The polymer compound and the thermosetting resin can impart high heat resistance to the cured resin layer.
本発明は、上記方法によって得ることのできる、パターンを有する樹脂層に関する。係る樹脂層は、永久膜であってもよい。本発明はまた、係る樹脂層を永久膜等として備える電子部品に関する。 The present invention relates to a resin layer having a pattern, which can be obtained by the above method. The resin layer may be a permanent film. The present invention also relates to an electronic component including the resin layer as a permanent film.
本発明に係る方法によれば、パターンを有する樹脂層をインプリント法により形成する場合において、型に離型性を付与しなくとも、パターンを繰り返して形成したときに良好なパターン形成性を維持できる。離型剤を型に再度塗布する等の処理を必要とすることなく、良好なパターンを繰り返し安定して形成することができる。型に予めフッ素樹脂などの離型剤を塗布するなどの方法で離型性を付与する必要がないため、大幅なコストダウンが見込まれる。 According to the method of the present invention, when a resin layer having a pattern is formed by an imprint method, good pattern formability is maintained when the pattern is repeatedly formed without imparting release properties to the mold. it can. A good pattern can be repeatedly and stably formed without requiring treatment such as re-applying the release agent to the mold. Since it is not necessary to provide mold release properties by a method such as applying a mold release agent such as a fluororesin to the mold in advance, a significant cost reduction is expected.
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments.
<パターンを有する樹脂層を製造する方法>
図1及び図2は、パターンを有する樹脂層を製造する方法の一実施形態を示す工程図である。図1及び図2に示される方法は、主として、基板1上にインプリント用樹脂組成物からなる樹脂層10aを設ける工程(図1の(a))と、基板1上の樹脂層10aに対して光を照射する工程(図1の(b))と、凹凸パターンを有する型5を光照射された樹脂層10aに押し当てて、型5のパターンに対して反転したパターンを樹脂層10aに形成させる工程(図1の(c)、(d))と、型5をパターンを形成した樹脂層10bから外す工程(図2の(e))と、パターンを形成した樹脂層10bに対して光を照射する工程(図2の(f))と、パターンを形成した樹脂層10bを熱硬化させる工程(図2の(g))とから構成される。
<Method for producing resin layer having pattern>
FIG.1 and FIG.2 is process drawing which shows one Embodiment of the method of manufacturing the resin layer which has a pattern. The method shown in FIGS. 1 and 2 mainly includes a step of providing a resin layer 10a made of an imprinting resin composition on a substrate 1 (FIG. 1A) and a resin layer 10a on the substrate 1. And irradiating light (FIG. 1 (b)) and pressing the mold 5 having the concavo-convex pattern against the resin layer 10a irradiated with the light, the pattern reversed with respect to the pattern of the mold 5 is applied to the resin layer 10a. Steps of forming (FIGS. 1C and 1D), removing the mold 5 from the resin layer 10b on which the pattern is formed (FIG. 2E), and the resin layer 10b on which the pattern is formed It comprises a step of irradiating light ((f) in FIG. 2) and a step of thermally curing the resin layer 10b on which the pattern is formed ((g) in FIG. 2).
図1の(a)に示すように、樹脂層10aは、その膜厚が均一になる方法により形成されることが好ましい。樹脂層10aの好ましい厚さは、型5が有する凹凸パターンの凸部の高さに対して1/3倍〜2倍程度である。樹脂層10aが適度な厚さを有することにより、樹脂組成物が凹凸バターンに特に容易に充填され易く、型を樹脂層から外した時に樹脂が型上に残ることをより効果的に抑制できる。樹脂層10aの厚さは、通常は1〜100μm、好ましくは1〜50μm、より好ましくは1〜25μmである。樹脂層10aの厚さが、特に15μm以下であると、パターンの良好な形状を保持しながら、型押し(インプリント)後の残存膜厚を薄くすることができる。 As shown to (a) of FIG. 1, it is preferable that the resin layer 10a is formed by the method in which the film thickness becomes uniform. The preferred thickness of the resin layer 10a is about 1/3 to 2 times the height of the convex portion of the concave / convex pattern of the mold 5. When the resin layer 10a has an appropriate thickness, the resin composition is particularly easily filled in the uneven pattern, and the resin can be more effectively suppressed from remaining on the mold when the mold is removed from the resin layer. The thickness of the resin layer 10a is usually 1 to 100 μm, preferably 1 to 50 μm, more preferably 1 to 25 μm. When the thickness of the resin layer 10a is particularly 15 μm or less, the remaining film thickness after imprinting (imprint) can be reduced while maintaining a good pattern shape.
樹脂層10aは、例えば、インプリント用樹脂組成物を基板1に塗布し、必要により塗膜から溶媒を除去することにより、形成することができる。必要に応じて、樹脂組成物を溶媒に溶解又は分散させて塗工液を調製し、塗工液を基板1に塗布してもよい。塗布の方法は特に限定されず、例えば、スピンコート又はディップコートなどの方法を用いることができる。インプリント用樹脂組成物の詳細については後述する。 The resin layer 10a can be formed, for example, by applying an imprinting resin composition to the substrate 1 and removing the solvent from the coating film as necessary. If necessary, the resin composition may be dissolved or dispersed in a solvent to prepare a coating solution, and the coating solution may be applied to the substrate 1. The method of application is not particularly limited, and for example, a method such as spin coating or dip coating can be used. Details of the resin composition for imprint will be described later.
あるいは、予め支持フィルム上に樹脂層10aを形成して、支持フィルム及び支持フィルム上に設けられた樹脂層10aを有するインプリント用樹脂フィルムを準備し、これを基板1に貼り付けて基板1上に樹脂層10aを設けることもできる。インプリント用樹脂組成物又はその溶液若しくは分散液を支持フィルムに塗布し、ホットプレート、オーブン等を用いて、例えば60〜120℃で、1分〜1時間の加熱により塗膜を乾燥して、支持フィルム上に樹脂層10aを形成することができる。支持フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の有機フィルムを用いることができる。樹脂層10a上に、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、及びポリプロピレンフィルム等から選ばれる保護フィルムが積層されていてもよい。樹脂層10aが自己支持性を有していれば、支持フィルムを剥がして、樹脂層10aを単独でインプリント用樹脂フィルムとして使用することも可能である。 Alternatively, the resin layer 10a is formed in advance on the support film, and the imprint resin film having the support film and the resin layer 10a provided on the support film is prepared. The resin layer 10a can be provided on the substrate. Apply a resin composition for imprinting or a solution or dispersion thereof to a support film, and use a hot plate, oven, etc., for example, at 60 to 120 ° C. to dry the coating film by heating for 1 minute to 1 hour, The resin layer 10a can be formed on the support film. As the support film, for example, an organic film such as a polyethylene terephthalate film can be used. A protective film selected from a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polypropylene film, and the like may be laminated on the resin layer 10a. If the resin layer 10a has self-supporting properties, the support film can be peeled off and the resin layer 10a can be used alone as an imprinting resin film.
この場合、インプリント用樹脂フィルムの樹脂層10aの厚さは、通常は1〜100μm、好ましくは1〜50μm、より好ましくは1〜25μmである。樹脂層10aの厚さは、15μm以下であってもよい。樹脂層10aの厚さが、特に15μm以下であると、深さ(あるいは高さ)10μmの凹凸パターンを有する型を使用した場合に,パターンの良好な形状を保持しながら、型押し(インプリント)後の残存膜厚を薄くすることができる。 In this case, the thickness of the resin layer 10a of the imprint resin film is usually 1 to 100 μm, preferably 1 to 50 μm, more preferably 1 to 25 μm. The thickness of the resin layer 10a may be 15 μm or less. When the mold having a concavo-convex pattern with a depth (or height) of 10 μm is used when the thickness of the resin layer 10a is particularly 15 μm or less, the embossing (imprinting) is performed while maintaining a good pattern shape. ) The remaining film thickness afterwards can be reduced.
基板1上に樹脂層10aを形成した後、図1の(b)に示すように、樹脂層10aに対して光(活性光線)を基板1とは反対側から照射する。この光照射により、インプリントに適した樹脂層の流動性を維持しつつ、樹脂層10a表面の離型性を向上させることができる。その結果、樹脂層10aに型5を押し当てて樹脂層10aにパターンを形成させた後、樹脂層の型5への密着が抑制される。 After forming the resin layer 10 a on the substrate 1, as shown in FIG. 1B, the resin layer 10 a is irradiated with light (active light) from the side opposite to the substrate 1. This light irradiation can improve the mold release property on the surface of the resin layer 10a while maintaining the fluidity of the resin layer suitable for imprinting. As a result, after the mold 5 is pressed against the resin layer 10a to form a pattern on the resin layer 10a, the adhesion of the resin layer to the mold 5 is suppressed.
照射される光の種類は特に制限されず、例えば、当該分野において通常用いられる光源を用いて、紫外線、可視光線、電子線及びX線からなる群より選ばれる少なくとも1種の活性光線が照射される。これらの中でも特に、紫外線及び可視光線が好ましい。露光量は、例えば1〜4000mJ/cm2、好ましくは1〜2000mJ/cm2、より好ましくは1〜100mJ/cm2、特に好ましくは5〜50mJ/cm2の範囲内で、樹脂層の離型性と流動性の好適なバランス等を考慮して適宜調整することができる。露光量を大きくすると、樹脂層の離型性が向上し、樹脂層の流動性は低下する傾向がある。特に、樹脂層10aが光重合性化合物を含んでいると、光重合性化合物の光重合が部分的に進行する程度の露光量で光照射することにより、樹脂層の離型性と流動性の良好なバランスを容易に達成することができる。 The type of light to be irradiated is not particularly limited. For example, at least one actinic ray selected from the group consisting of ultraviolet rays, visible rays, electron beams and X-rays is irradiated using a light source usually used in the field. The Among these, ultraviolet rays and visible rays are particularly preferable. The exposure amount is, for example, 1 to 4000 mJ / cm 2 , preferably 1 to 2000 mJ / cm 2 , more preferably 1 to 100 mJ / cm 2 , particularly preferably 5 to 50 mJ / cm 2 , and release of the resin layer. Can be appropriately adjusted in consideration of a suitable balance between the property and fluidity. When the exposure amount is increased, the releasability of the resin layer is improved, and the fluidity of the resin layer tends to be lowered. In particular, when the resin layer 10a contains a photopolymerizable compound, the resin layer 10a is irradiated with light at an exposure amount such that the photopolymerization of the photopolymerizable compound partially proceeds. A good balance can be easily achieved.
次いで、図1の(c)、(d)に示すように、最終的に形成される樹脂層10のパターンに対して反転した凹凸パターンを有する型5を準備し、これを樹脂層10aに押し当てる。型を押し当てる方法は特に制限されず、例えば、手で型を押し当てる方法、プレス装置を用いて高圧で型を押し当てる方法などを用いることができる。型5として、例えばシリコン製の型を用いることができる。型5は、離型処理されることを必ずしも必要としないが、離型処理されていてもよい。 Next, as shown in FIGS. 1C and 1D, a mold 5 having a concavo-convex pattern inverted with respect to the pattern of the finally formed resin layer 10 is prepared, and this is pressed onto the resin layer 10a. Hit it. The method of pressing the mold is not particularly limited, and for example, a method of pressing the mold by hand, a method of pressing the mold at a high pressure using a press device, or the like can be used. As the mold 5, for example, a silicon mold can be used. The mold 5 does not necessarily need to be subjected to a release treatment, but may be subjected to a release treatment.
型5を樹脂層10aに押し当てたときに、樹脂層10aは、流動して型5の凹凸パターンを充填する。これにより、型5の凹凸パターンに対して反転したパターンを有する樹脂層10bが形成される。すなわち、型5を用いたインプリントにより樹脂層がパターニングされる。型5を樹脂層10aに押し当てる工程において、樹脂の良好な充填性を確保するため、特に樹脂層の粘度が高いときは、型5が加熱されることが好ましい。型5の温度は、好ましくは40℃以上である。また、樹脂の分解を防ぐためなどの理由から、型5の温度は、好ましくは300℃以下である。 When the mold 5 is pressed against the resin layer 10 a, the resin layer 10 a flows and fills the uneven pattern of the mold 5. Thereby, the resin layer 10b having a pattern inverted with respect to the concave / convex pattern of the mold 5 is formed. That is, the resin layer is patterned by imprinting using the mold 5. In the step of pressing the mold 5 against the resin layer 10a, it is preferable that the mold 5 is heated, particularly when the viscosity of the resin layer is high, in order to ensure good filling properties of the resin. The temperature of the mold 5 is preferably 40 ° C. or higher. Further, the temperature of the mold 5 is preferably 300 ° C. or lower for reasons such as preventing decomposition of the resin.
型5を樹脂層に押し当てる際の雰囲気は、特に制限されないが、樹脂層中に気泡が残ることを防ぐために、減圧下で当該工程を行うことが好ましい。特に樹脂層が(メタ)アクリロイル基、アリル基、ビニル基などの炭素−炭素二重結合を有する重合性不飽和化合物(光重合性化合物)を含有する場合、酸素による重合阻害を防ぐために、減圧下で当該工程を行うことが好ましい。 The atmosphere when pressing the mold 5 against the resin layer is not particularly limited, but it is preferable to perform the step under reduced pressure in order to prevent bubbles from remaining in the resin layer. In particular, when the resin layer contains a polymerizable unsaturated compound (photopolymerizable compound) having a carbon-carbon double bond such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, or a vinyl group, the pressure is reduced to prevent polymerization inhibition by oxygen. It is preferred to carry out the process below.
パターンを有する樹脂層10bが形成された後、図2の(e)に示すように、型5が樹脂層10bから取り外される。 After the resin layer 10b having a pattern is formed, the mold 5 is removed from the resin layer 10b as shown in FIG.
型5を取り外した後、樹脂層10bを更に硬化させることで、樹脂層10bの耐熱性、物理強度等を高めることができる。樹脂層10bを加熱すること(図2の(g)、熱硬化)、樹脂層10bに光を照射すること(図2の(f)、光硬化)、又はこれらの組み合わせにより、樹脂層10bを硬化させることができる。 After the mold 5 is removed, the heat resistance, physical strength, and the like of the resin layer 10b can be increased by further curing the resin layer 10b. The resin layer 10b is heated by heating the resin layer 10b ((g) in FIG. 2, thermosetting), irradiating the resin layer 10b with light ((f) in FIG. 2, photocuring), or a combination thereof. It can be cured.
熱硬化のための加熱の方法は、特に制限されない。例えば、樹脂層10aのガラス転移点以下の温度に保ちながら徐々に昇温することで、形成されたパターンを特に容易に保持することができる。また、加熱の温度を300℃以下とすることにより、樹脂の熱分解を防ぐことができる。 The heating method for thermosetting is not particularly limited. For example, the formed pattern can be particularly easily held by gradually raising the temperature while maintaining the temperature below the glass transition point of the resin layer 10a. Moreover, the thermal decomposition of resin can be prevented by making the temperature of heating into 300 degrees C or less.
光硬化は、インプリントの前の光照射(図1の(b))と同様に、紫外線及び可視光線等の活性光線を樹脂層10bに対して照射することにより、行うことができる。光硬化が十分に進行するように、露光量は、例えば1〜4000mJ/cm2、好ましくは1000〜4000mJ/cm2の範囲内で調整される。この光硬化により、熱硬化の際に樹脂層が軟化し難くなり、パターンの形状が崩れることをより効果的に防止することができる。したがって、熱硬化の前に、樹脂層10bを光硬化させることが好ましい。光硬化によるパターン保持の効果は、樹脂層10aが光重合開始剤を含有するとき、特に顕著に奏される。パターンの形状が保持され易いことは、例えば微細なパターンを形成する場合に特に有利である。 Photocuring can be performed by irradiating the resin layer 10b with active rays such as ultraviolet rays and visible rays in the same manner as the light irradiation before imprinting ((b) in FIG. 1). As light curing sufficiently proceeds, the exposure amount, for example 1~4000mJ / cm 2, preferably adjusted within a range of 1000~4000mJ / cm 2. This photocuring makes it difficult to soften the resin layer during thermosetting, and can more effectively prevent the pattern shape from collapsing. Therefore, the resin layer 10b is preferably photocured before thermosetting. The effect of pattern holding by photocuring is particularly prominent when the resin layer 10a contains a photopolymerization initiator. The fact that the shape of the pattern is easily maintained is particularly advantageous when, for example, a fine pattern is formed.
<インプリント用樹脂組成物>
本実施形態に係る方法において、樹脂層を形成するために好適に用いることができる樹脂組成物について、詳細に説明する。
<Resin composition for imprint>
The resin composition that can be suitably used for forming the resin layer in the method according to this embodiment will be described in detail.
本実施形態に係る樹脂組成物は、(A)光重合性化合物と、(B)光重合開始剤とを含有することが好ましい。 The resin composition according to this embodiment preferably contains (A) a photopolymerizable compound and (B) a photopolymerization initiator.
本実施形態に係る樹脂組成物は、(A)成分の光重合性化合物として、光重合性の官能基を有する化合物を1種又は2種以上含むことができる。光重合性の官能基の数には特に制限はないが、パターン形成時の硬化速度、硬化後の被膜の物理的及び化学的な耐久性の点から、分子内に2つ以上の光重合性の官能基を有する化合物が好ましい。(A)成分のうち2つ以上の光重合性の官能基を有する化合物の割合は、好ましくは30質量%以上100質量%以下、より好ましくは50質量%以上100質量%以下である。 The resin composition which concerns on this embodiment can contain the compound which has a photopolymerizable functional group 1 type, or 2 or more types as a photopolymerizable compound of (A) component. The number of photopolymerizable functional groups is not particularly limited, but two or more photopolymerizable groups in the molecule can be used from the viewpoints of curing speed during pattern formation and physical and chemical durability of the coating after curing. A compound having a functional group of The proportion of the compound having two or more photopolymerizable functional groups in the component (A) is preferably 30% by mass to 100% by mass, more preferably 50% by mass to 100% by mass.
光重合性の官能基は、例えば、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基、エポキシ基、及びオキセタニル基からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。これらの官能基のなかでも、より硬化時間を短くし、高スループットを実現するためには(メタ)アクリロイル基が好ましい。(A)成分全体における、(メタ)アクリロイル基を有する化合物の割合は、好ましくは30質量%以上100質量%以下である。 The photopolymerizable functional group may be, for example, at least one selected from the group consisting of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an allyl group, an epoxy group, and an oxetanyl group. Among these functional groups, a (meth) acryloyl group is preferable in order to shorten the curing time and realize high throughput. (A) The ratio of the compound which has a (meth) acryloyl group in the whole component becomes like this. Preferably they are 30 mass% or more and 100 mass% or less.
1つの(メタ)アクリロイル基を持つ化合物は、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸−n−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸−n−ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸−sec−ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸−2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸−3−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸−2−ヒドロキシフェニルエチルなどのモノ(メタ)アクリレート、及び、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−アクリロイルモルフォリンなどの(メタ)アクリルアミドからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the compound having one (meth) acryloyl group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, (n-propyl) (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. -N-butyl, isobutyl (meth) acrylate, (sec) -butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, (meth) acryl Decyl acid, isobornyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid-2- Hydroxypropyl, (meth) acrylic acid-3-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid-2- Mono (meth) acrylates such as droxybutyl, (meth) acrylic acid-2-hydroxyphenylethyl, and N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-acryloylmorpholine, etc. It may be at least one selected from the group consisting of (meth) acrylamide.
2つ以上の(メタ)アクリロイル基を有する化合物は、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートなどの多官能(メタ)アクリレート、及び、エポキシ樹脂に(メタ)アクリル酸を付加させて得られるいわゆるエポキシ(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。エポキシ(メタ)アクリレートは、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、N−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂又はε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂から誘導される。 Examples of the compound having two or more (meth) acryloyl groups include ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and diethylene glycol di (meth) acrylate. Polyfunctional (meth) acrylates such as triethylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol penta (meth) acrylate, and epoxy resin ( It may be at least one selected from the group consisting of so-called epoxy (meth) acrylates obtained by adding meth) acrylic acid. Epoxy (meth) acrylates include, for example, bisphenol A type epoxy resins, hydrogenated bisphenol A type epoxy resins, brominated bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, novolac type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolacs. Type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, dicyclopentadiene phenolic Derived from type epoxy resin, silicone modified epoxy resin or ε-caprolactone modified epoxy resin.
1つのビニル基を有する化合物は、例えば、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどのモノビニルエーテル、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなどのモノビニルエステル、アジピン酸ジビニルなどのジビニルエステル、N−ビニルピロリドン、N−メチル−N−ビニルアセトアミドなどのN−ビニルアミド、及び、スチレン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、2,4−ジメチルスチレン、2,5−ジメチルスチレン、2,6−ジメチルスチレン、3,4−ジメチルスチレン、3,5−ジメチルスチレン、2,4,6−トリメチルスチレン、2,4,5−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o−エチルスチレン、m−エチルスチレン、p−エチルスチレン、o−クロロスチレン、m−クロロスチレン、p−クロロスチレン、o−ブロモスチレン、m−ブロモスチレン、p−ブロモスチレン、o−メトキシスチレン、m−メトキシスチレン、p−メトキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、2−ビニルビフェニル、3−ビニルビフェニル、4−ビニルビフェニル、1−ビニルナフタレン、2−ビニルナフタレン、4−ビニル−p−ターフェニル、1−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、o−イソプロペニルトルエン、m−イソプロペニルトルエン、p−イソプロペニルトルエン、2,4−ジメチル−α−メチルスチレン、2,3−ジメチル−α−メチルスチレン、3,5−ジメチル−α−メチルスチレン、p−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレンなどのスチレン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the compound having one vinyl group include n-propyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, n-butyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether, 2-ethylhexyl vinyl ether, octadecyl vinyl ether, monovinyl ether such as cyclohexyl vinyl ether, vinyl acetate, vinyl propionate, butyric acid. Monovinyl esters such as vinyl and vinyl benzoate; divinyl esters such as divinyl adipate; N-vinylamides such as N-vinylpyrrolidone and N-methyl-N-vinylacetamide; and styrene and 2,4-dimethyl-α-methyl Styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, 2,4-dimethylstyrene, 2,5-dimethylstyrene, 2,6-dimethylstyrene, 3, -Dimethylstyrene, 3,5-dimethylstyrene, 2,4,6-trimethylstyrene, 2,4,5-trimethylstyrene, pentamethylstyrene, o-ethylstyrene, m-ethylstyrene, p-ethylstyrene, o- Chlorostyrene, m-chlorostyrene, p-chlorostyrene, o-bromostyrene, m-bromostyrene, p-bromostyrene, o-methoxystyrene, m-methoxystyrene, p-methoxystyrene, o-hydroxystyrene, m- Hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, 2-vinylbiphenyl, 3-vinylbiphenyl, 4-vinylbiphenyl, 1-vinylnaphthalene, 2-vinylnaphthalene, 4-vinyl-p-terphenyl, 1-vinylanthracene, α-methyl Styrene, o-isopropenyltoluene, m- Sopropenyl toluene, p-isopropenyl toluene, 2,4-dimethyl-α-methylstyrene, 2,3-dimethyl-α-methylstyrene, 3,5-dimethyl-α-methylstyrene, p-isopropyl-α-methyl It may be at least one selected from the group consisting of styrene derivatives such as styrene, α-ethylstyrene and α-chlorostyrene.
2つ以上のビニル基を有する化合物は、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジビニルエーテル、1,9−ノナンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル、ジビニルベンゼン、及びジビニルビフェニルからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the compound having two or more vinyl groups include ethylene glycol divinyl ether, 1,4-butanediol divinyl ether, 1,6-hexanediol divinyl ether, 1,9-nonanediol divinyl ether, and cyclohexanedimethanol divinyl ether. , Diethylene glycol divinyl ether, triethylene glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, polyfunctional vinyl ethers such as pentaerythritol tetravinyl ether, divinylbenzene, and at least one selected from the group consisting of divinylbiphenyl.
1つのアリル基を有する化合物は、例えば、アリルアルコール、エチレングリコールモノアリルエーテル、アリルアミン、アリルグリシジルエーテル、酢酸アリル、安息香酸アリルなどのアリルエステルから選ばれる少なくとも1種であってもよい。2以上のアリル基を有する化合物は、例えば、ジアリルアミン、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸ジアリル、フタル酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル及びイソフタル酸ジアリルからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The compound having one allyl group may be at least one selected from allyl esters such as allyl alcohol, ethylene glycol monoallyl ether, allylamine, allyl glycidyl ether, allyl acetate, and allyl benzoate. The compound having two or more allyl groups may be, for example, at least one selected from the group consisting of diallylamine, diallyl 1,4-cyclohexanedicarboxylate, diallyl phthalate, diallyl terephthalate, and diallyl isophthalate.
1つのエポキシ基を有する化合物は、例えば、グリシドール及びシクロヘキセンオキサイドから選ばれる。2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、N−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールAのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂及びε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The compound having one epoxy group is selected from, for example, glycidol and cyclohexene oxide. Examples of the compound having two or more epoxy groups include bisphenol A type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, novolac type epoxy resin, and phenol novolac type epoxy. Resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, N-glycidyl type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, chelate type epoxy resin, glyoxal type epoxy resin, amino group-containing epoxy resin, rubber-modified epoxy resin, It may be at least one selected from the group consisting of a dicyclopentadiene phenolic epoxy resin, a silicone-modified epoxy resin, and an ε-caprolactone-modified epoxy resin.
1つのオキセタニル基を有する化合物は、例えば、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン、及び3−エチル−3−メタクリロキシメチルオキセタンから選ばれる。2つ以上のオキセタニル基を有する化合物は、例えば、東亞合成(株)社製アロンオキセタンOXT−121(商品名)、新日鐵化学(株)社製OXTP(商品名)、及びOXBP(商品名)から選ばれる。 The compound having one oxetanyl group is selected from, for example, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane and 3-ethyl-3-methacryloxymethyloxetane. Compounds having two or more oxetanyl groups include, for example, Aron Oxetane OXT-121 (trade name) manufactured by Toagosei Co., Ltd., OXTP (trade name) manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., and OXBP (trade name) ).
本実施形態に係る樹脂組成物は、光重合性化合物として、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物を含むことが好ましい。樹脂組成物がウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物を含むことにより、硬化後の樹脂層の耐熱性を高めることができる。より具体的には、樹脂層の硬化物の高温における剛性が高められ、さらに樹脂層が脆くなることが抑制され、樹脂層が基板等に対して良好な密着性を保持することができる。 It is preferable that the resin composition which concerns on this embodiment contains the (meth) acrylate compound which has a urethane bond as a photopolymerizable compound. By including the (meth) acrylate compound which has a urethane bond in a resin composition, the heat resistance of the resin layer after hardening can be improved. More specifically, the high-temperature rigidity of the cured product of the resin layer is increased, the resin layer is further prevented from becoming brittle, and the resin layer can maintain good adhesion to the substrate and the like.
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物は、例えば、β位等に水酸基を有する(メタ)アクリルモノマーとジイソシアネート化合物との付加反応物であるウレタン(メタ)アクリレート、エチレンオキシド(EO)変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド(EO)又はプロピレンオキシド(PO)変性ウレタンジ(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有するウレタン(メタ)アクリレート、ジオール化合物、及び、2つの水酸基及び2つのエチレン性不飽和基を有する2官能エポキシ(メタ)アクリレートとポリイソシアネートとの反応物からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the (meth) acrylate compound having a urethane bond include urethane (meth) acrylate and ethylene oxide (EO) -modified urethane di (meth) which are addition reaction products of a (meth) acrylic monomer having a hydroxyl group at the β-position and the like and a diisocyanate compound. Acrylate, ethylene oxide (EO) or propylene oxide (PO) modified urethane di (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate having carboxyl group, diol compound, and bifunctional epoxy having two hydroxyl groups and two ethylenically unsaturated groups It may be at least one selected from the group consisting of a reaction product of (meth) acrylate and polyisocyanate.
上記のβ位等に水酸基を有する(メタ)アクリルモノマーは、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート及びペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。上記イソシアネート化合物は、例えば、イソホロンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート及び1,6−ヘキサメチレンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The (meth) acrylic monomer having a hydroxyl group at the β-position is at least selected from the group consisting of 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and pentaerythritol tri (meth) acrylate, for example. One kind may be sufficient. The isocyanate compound may be, for example, at least one selected from the group consisting of isophorone diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, and 1,6-hexamethylene diisocyanate.
耐熱性、剛性と高密着性とをより高いレベルで両立するために、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物の官能基数((メタ)アクリロイルオキシ基の数)及び重量平均分子量を最適化することが好ましい。これにより、粘度を過度に高めることなく選択できる材料の範囲が広くなるため、基板上に塗布するインプリント用樹脂組成物の粘度を容易に調整することできる。インプリント用樹脂組成物の粘度は溶剤を用いることでも低くすることが可能であるが、官能基数及び重量平均分子量が適正されたウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物を用いることにより、溶剤の量を低減することができる。溶剤の量を低減することで、硬化後の樹脂層の良好な特性及び信頼性を維持し易い。 Optimize the number of functional groups (number of (meth) acryloyloxy groups) and weight average molecular weight of (meth) acrylate compounds with urethane bonds to achieve both higher levels of heat resistance, rigidity and high adhesion. Is preferred. Thereby, since the range of the material which can be selected without increasing a viscosity excessively becomes wide, the viscosity of the resin composition for imprint apply | coated on a board | substrate can be adjusted easily. The viscosity of the resin composition for imprinting can be lowered by using a solvent, but by using a (meth) acrylate compound having a urethane bond with an appropriate number of functional groups and weight average molecular weight, the amount of the solvent Can be reduced. By reducing the amount of the solvent, it is easy to maintain good characteristics and reliability of the cured resin layer.
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物の官能基数((メタ)アクリロイルオキシ基の数)は、耐熱性、密着性、塗工性、及びパターン形成性の観点から、好ましくは2〜15である。この官能基数は、硬化後の樹脂層の物性及び特性の安定性の観点から、より好ましくは2〜12、更に好ましくは2〜10である。 The number of functional groups (number of (meth) acryloyloxy groups) of the (meth) acrylate compound having a urethane bond is preferably 2 to 15 from the viewpoints of heat resistance, adhesion, coatability, and pattern formability. The number of functional groups is more preferably 2 to 12, and still more preferably 2 to 10 from the viewpoint of the physical properties of the resin layer after curing and the stability of characteristics.
当該官能基数が2以上であると、硬化後の樹脂層の耐熱性及び、高温における樹脂層の剛性をより一層高めることができる。当該官能基数が15以下であると、硬化後の樹脂層が脆くなることを抑制でき、良好な密着性を得ることができる。また、当該官能基数が少ないと、(メタ)アクリレート化合物の重量平均分子量が大きくなり過ぎないため、樹脂組成物の粘度を適切な範囲に調整し易い。そのため、良好な塗工性が得られ易い。更には、光硬化及び/又は熱硬化後、未反応の(メタ)アクリロイル基が多く残存することが少なくなり、その結果、樹脂膜の物性及び特性の変動をより効果的に回避することができる。 When the number of functional groups is 2 or more, the heat resistance of the cured resin layer and the rigidity of the resin layer at high temperatures can be further increased. When the number of the functional groups is 15 or less, the cured resin layer can be prevented from becoming brittle and good adhesion can be obtained. Moreover, since the weight average molecular weight of a (meth) acrylate compound will not become large too much when the said functional group number is small, it is easy to adjust the viscosity of a resin composition to an appropriate range. Therefore, good coatability is easily obtained. Furthermore, after photo-curing and / or heat-curing, a large amount of unreacted (meth) acryloyl groups remain, and as a result, variations in physical properties and characteristics of the resin film can be more effectively avoided. .
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは950〜25000である。この重量平均分子量は、塗布性向上の観点から、より好ましくは950〜15000であり、相溶性の観点から、更に好ましくは950〜11000である。本明細書において、重量平均分子量(Mw)の値は、ゲルパーミエーションクロマトクラフ(GPC)法によって、テトラヒドロフラン又はトルエン等の溶離液を用いて測定される、標準ポリスチレンに換算された値を意味する。 The weight average molecular weight (Mw) of the (meth) acrylate compound having a urethane bond is preferably 950 to 25000. The weight average molecular weight is more preferably 950 to 15000 from the viewpoint of improving coatability, and further preferably 950 to 11,000 from the viewpoint of compatibility. In the present specification, the value of the weight average molecular weight (Mw) means a value converted to standard polystyrene, which is measured using an eluent such as tetrahydrofuran or toluene by a gel permeation chromatography craft (GPC) method. .
当該重量平均分子量が950以上であると、樹脂組成物の粘度が低くなり過ぎず、基板上に塗布された樹脂組成物がだれることを防ぐことができる。また、厚膜の形成が容易である点、硬化収縮に起因する信頼性低下が起こりにくい点からも、重量平均分子量が950以上であることが好ましい。当該重量平均分子量が25000以下であると、樹脂組成物の粘度が高くなり過ぎないため、特に良好な塗工性が得られる。また、厚膜形成も容易である。 When the weight average molecular weight is 950 or more, the viscosity of the resin composition does not become too low, and it is possible to prevent the resin composition applied on the substrate from dripping. Moreover, it is preferable that a weight average molecular weight is 950 or more also from the point that formation of a thick film is easy and the reliability fall resulting from hardening shrinkage does not occur easily. When the weight average molecular weight is 25000 or less, the viscosity of the resin composition does not become too high, and particularly good coatability is obtained. Moreover, thick film formation is also easy.
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物としては、耐熱性と密着性の観点から、下記一般式で表される化合物が好ましい。 The (meth) acrylate compound having a urethane bond is preferably a compound represented by the following general formula from the viewpoint of heat resistance and adhesion.
R1及びR2は、それぞれ独立に2価の有機基を示し、例えば、炭素数1〜15の直鎖若しくは分岐アルキレン基、置換基を有してもよい脂環基を含む炭素数1〜20の基が挙げられる。nは1以上の整数であり、例えば1〜5である。特に耐熱性を向上させる観点から、R2は下記の構造で表される2価の基であることが好ましい。 R 1 and R 2 each independently represent a divalent organic group, for example, a linear or branched alkylene group having 1 to 15 carbon atoms, or an alicyclic group that may have a substituent, having 1 to 1 carbon atoms. There are 20 groups. n is an integer greater than or equal to 1, for example, 1-5. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, R 2 is preferably a divalent group represented by the following structure.
上記一般式で表される化合物の市販品としては、例えば、UN−952(官能基数:10、Mw:6500〜11000)等が挙げられる。また、ウレタン結合を有するアクリレート化合物(アクリロイルオキシ基を有する化合物)の市販品としては、例えば、ウレタン結合を有するアクリレート化合物(アクリロイルオキシ基を有する化合物)である、UN−904(官能基数:10、Mw:4900)、UN−952(官能基数:10、Mw:6500〜11000)、UN−333(官能基数:2、Mw:5000)、UN−1255(官能基数:2、Mw:8000)、UN−2600(官能基数:2、Mw:2500)、UN−6200(官能基数:2、Mw:6500)、UN−3320HA(官能基数:6、Mw:1500)、UN−3320HC(官能基数:6、Mw:1500)、UN−9000PEP(官能基数:2、Mw:5000)、UN−9200A(官能基数:2、Mw:15000)、UN−3320HS(官能基数:15、Mw:4900)、UN−6301(官能基数:2、Mw:33000)(以上はいずれも商品名、根上工業株式会社製)、TMCH−5R(商品名、日立化成工業社製)、KRM8452(官能基数=10、Mw=1200)、EBECRYL8405(ウレタンアクリレート/1,6−ヘキサンジオールジアクリレート=80/20の付加反応物、官能基数:4、Mw:2700)(以上はいずれも商品名、ダイセル・サイテック株式会社製)が挙げられる。 As a commercial item of the compound represented by the said general formula, UN-952 (the number of functional groups: 10, Mw: 6500-11000) etc. are mentioned, for example. Moreover, as a commercial item of the acrylate compound (compound which has acryloyloxy group) which has a urethane bond, UN-904 (functional group number: 10) which is an acrylate compound (compound which has acryloyloxy group) which has a urethane bond, for example. Mw: 4900), UN-952 (functional group number: 10, Mw: 6500 to 11000), UN-333 (functional group number: 2, Mw: 5000), UN-1255 (functional group number: 2, Mw: 8000), UN -2600 (functional group number: 2, Mw: 2500), UN-6200 (functional group number: 2, Mw: 6500), UN-3320HA (functional group number: 6, Mw: 1500), UN-3320HC (functional group number: 6, Mw: 1500), UN-9000 PEP (functional group number: 2, Mw: 5000), UN-9200A ( Number of functional groups: 2, Mw: 15000), UN-3320HS (functional group number: 15, Mw: 4900), UN-6301 (functional group number: 2, Mw: 33000) (all are trade names, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.) ), TMCH-5R (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), KRM8452 (number of functional groups = 10, Mw = 1200), EBECRYL8405 (urethane acrylate / 1,6-hexanediol diacrylate = 80/20 addition reaction product, (The number of functional groups: 4, Mw: 2700) (all are trade names, manufactured by Daicel-Cytec Co., Ltd.).
ウレタン結合を有するメタクリレート化合物(メタクリロイルオキシ基を有する化合物)としては、例えば、UN−6060PTM(官能基数:2、Mw:6000、商品名、根上工業株式会社製)、JTX−0309(商品名、日立化成工業社製)、UA−21(商品名、新中村化学工業株式会社製)が挙げられる。 Examples of the methacrylate compound having a urethane bond (compound having a methacryloyloxy group) include UN-6060PTM (functional group number: 2, Mw: 6000, trade name, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.), JTX-0309 (trade name, Hitachi). Kasei Kogyo Co., Ltd.) and UA-21 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).
ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物の含有量は、耐熱性を向上させる観点から、(A)成分の光重合性化合物の総量に対して、好ましくは10質量%以上、より好ましくは30質量%以上、更に好ましくは50質量%以上である。この含有量が10質量%以上であると、塗工性、及び樹脂組成物の硬化物に要求される各種物性及び特性をより高いレベルで保持できる。 From the viewpoint of improving heat resistance, the content of the (meth) acrylate compound having a urethane bond is preferably 10% by mass or more, more preferably 30% by mass, based on the total amount of the photopolymerizable compound as the component (A). As mentioned above, More preferably, it is 50 mass% or more. When the content is 10% by mass or more, various physical properties and characteristics required for coating properties and a cured product of the resin composition can be maintained at a higher level.
樹脂組成物の塗工性、及び樹脂組成物の硬化物に要求される物性及び特性を考慮して、後述の他の(メタ)アクリレート化合物を選択的に配合するために、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレートの含有量は、好ましくは95質量%以下、より好ましくは85質量%以下、更に好ましくは75質量%以下である。 In view of the coating properties of the resin composition and the physical properties and properties required for the cured product of the resin composition, in order to selectively blend other (meth) acrylate compounds described later, a urethane bond ( The content of (meth) acrylate is preferably 95% by mass or less, more preferably 85% by mass or less, and still more preferably 75% by mass or less.
本実施形態に係る樹脂組成物は、アミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、及び、エチレン性不飽和基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル共重合体からなる群より選ばれる少なくとも1種の光重合性化合物を含有していてもよい。中でもアミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物は、解像度と密着性の向上に加え、インプリントプロセスの裕度が広がる点で好ましく用いることができる。 The resin composition according to this embodiment includes a (meth) acrylate compound having an amide bond, a compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid, a bisphenol A-based (meth) acrylate compound, and glycidyl. At least one light selected from the group consisting of a compound obtained by reacting a group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid and a (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer having an ethylenically unsaturated group It may contain a polymerizable compound. Among them, a (meth) acrylate compound having an amide bond can be preferably used in terms of increasing the tolerance of the imprint process in addition to improving resolution and adhesion.
これらの中でも、アミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物は、耐熱性、解像度及び密着性の向上に加え、インプリントプロセスの裕度が広がる点で好ましい。アミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物としては、解像度と密着性の観点から、下記一般式(1)で表される化合物が好ましい。 Among these, a (meth) acrylate compound having an amide bond is preferable in terms of increasing the tolerance of the imprint process in addition to improving heat resistance, resolution, and adhesion. The (meth) acrylate compound having an amide bond is preferably a compound represented by the following general formula (1) from the viewpoint of resolution and adhesion.
式(1)中、R31、R32及びR33は、それぞれ独立に2価の有機基を示し、R34は、水素原子又はメチル基を示し、R35及びR36は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基を示す。
In formula (1), R 31 , R 32 and R 33 each independently represent a divalent organic group, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 35 and R 36 each independently represent hydrogen. An atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group is shown.
R31、R32又はR33としての2価の有機基は、例えば、置換基を有してもよいフェニレン基、置換基を有してもよいピリジレン基、炭素数1〜10の直鎖若しくは分岐アルキレン基、置換基を有してもよい脂環基を含む炭素数1〜10の基、又は、ビスフェノール(2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパン等)から水酸基を除いて形成される基である。 The divalent organic group as R 31 , R 32 or R 33 is, for example, a phenylene group which may have a substituent, a pyridylene group which may have a substituent, a linear chain having 1 to 10 carbon atoms, or A branched alkylene group, a group having 1 to 10 carbon atoms including an alicyclic group which may have a substituent, or a hydroxyl group from bisphenol (such as 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) propane) Is a group formed by removing
上記一般式(1)で表される化合物は、例えば、2つのオキサゾリン基を有する化合物と2つのカルボキシ基を有する化合物及び/又は2つのフェノール性水酸基を有する化合物とを反応させて得ることができる。これにより、高弾性率且つ高耐熱性の樹脂硬化物が特に形成され易い。 The compound represented by the general formula (1) can be obtained, for example, by reacting a compound having two oxazoline groups with a compound having two carboxy groups and / or a compound having two phenolic hydroxyl groups. . Thereby, a high elastic modulus and high heat resistant resin cured product is particularly easily formed.
式(1)で表される化合物を合成するために用いられるオキサゾリン基を含む化合物としては、例えば、下記一般式(2)で表されるビスオキサゾリンがある。式(2)中、R33、R35及びR36は、式(1)中のR33、R35及びR36と同義である。 Examples of the compound containing an oxazoline group used for synthesizing the compound represented by the formula (1) include a bisoxazoline represented by the following general formula (2). In the formula (2), R 33, R 35 and R 36 have the same meanings as R 33, R 35 and R 36 in the formula (1).
式(2)で表されるビスオキサゾリンは、例えば、2,2’−(1,3−フェニレン)ビス−2−オキサゾリン、2,6−ビス(4−イソプロピル−2−オキサゾリン−2−イル)ピリジン、2−2’−イソプロピリデンビス(4−フェニル−2−オキサゾリン)、及び2−2’−イソプロピリデンビス(4−ターシャリーブチル−2−オキサゾリン)からなる群より選ばれる少なくとも1種である。 Examples of the bisoxazoline represented by the formula (2) include 2,2 ′-(1,3-phenylene) bis-2-oxazoline and 2,6-bis (4-isopropyl-2-oxazolin-2-yl). At least one selected from the group consisting of pyridine, 2-2'-isopropylidenebis (4-phenyl-2-oxazoline), and 2-2'-isopropylidenebis (4-tertiarybutyl-2-oxazoline) is there.
2つのフェノール性水酸基を有する化合物(ビスフェノール)は、例えば、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシメチルナフタレン、ジヒドロキシジメチルナフタレン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)ジメチルシラン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)プロパン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)エーテル、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−クロロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−ブロモフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)フルオレン、及び9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)フルオレンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。これらの中でも、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジクロロフェニル)プロパンが好ましい。式(1)中のR31は、通常、これら2つのフェノール性水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基である。 Examples of the compound having two phenolic hydroxyl groups (bisphenol) include biphenol, tetramethylbiphenol, dihydroxynaphthalene, dihydroxymethylnaphthalene, dihydroxydimethylnaphthalene, bis (4-hydroxyphenyl) ketone, and bis (4-hydroxy-3,5). -Dimethylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) ketone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy- 3,5-dichlorophenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) Nyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxyphenyl) dimethylsilane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) dimethylsilane, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) dimethylsilane, bis (4 -Hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) methane, bis (4-hydroxy-3,5-dibromophenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2, 2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) Propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) propane, bis (4- Droxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) ether, 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, 9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-chlorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-bromophenyl) fluorene, 9, 9-bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) fluorene, and 9,9-bis (4- It may be at least one selected from the group consisting of (hydroxy-3,5-dibromophenyl) fluorene. Among these, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dichlorophenyl) propane is preferable. R 31 in the formula (1) is usually a residue obtained by removing a hydroxyl group from a compound having these two phenolic hydroxyl groups.
オキサゾリン基を有する化合物とカルボキシ基を有する化合物及び/又はフェノール性水酸基を有する化合物との反応は、50〜200℃で行うことが好ましい。反応温度が50℃以上であれば、反応を効率良く進行させることができ、200℃以下であれば、副反応を十分に抑えることができる。必要に応じて、当該反応は、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の極性有機溶剤中で行ってもよい。 The reaction between the compound having an oxazoline group and the compound having a carboxy group and / or the compound having a phenolic hydroxyl group is preferably performed at 50 to 200 ° C. If reaction temperature is 50 degreeC or more, reaction can be advanced efficiently, and if it is 200 degrees C or less, a side reaction can fully be suppressed. If necessary, the reaction may be carried out in a polar organic solvent such as dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide.
多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物は、例えば、エチレン基の数が2〜14であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2〜14であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜14でありプロピレン基の数が2〜14であるポリエチレン・ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド(EO)変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド(PO)変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、EO及びPO変性トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、及びジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the compound obtained by reacting a polyhydric alcohol with an α, β-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups. Polypropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and 2 to 14 propylene groups, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylol Propane tri (meth) acrylate, ethylene oxide (EO) modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, propylene oxide (PO) modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO and PO modified trimethylolpropane tri (meth) acrylate Or at least one selected from the group consisting of tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate Good.
ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物は、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリブトキシ)フェニル)プロパン、及び2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシポリプロポキシ)フェニル)プロパンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of bisphenol A-based (meth) acrylate compounds include 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane and 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolypropoxy). Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolybutoxy) phenyl) propane, and 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxypolypropoxy) phenyl) propane It may be at least one selected from the group.
グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物は、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂及びサリチルアルデヒド型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種のエポキシ樹脂と、(メタ)アクリル酸と、を反応させて得られるエポキシ(メタ)アクリレート化合物であってもよい。 The compound obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid is, for example, at least one epoxy selected from the group consisting of a novolac type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin and a salicylaldehyde type epoxy resin The epoxy (meth) acrylate compound obtained by making resin and (meth) acrylic acid react may be sufficient.
エポキシ(メタ)アクリレート化合物の水酸基に、テトラヒドロフタル酸無水物等の酸無水物を反応させて得られる酸変性エポキシアクリレート化合物を光重合性化合物として用いることもできる。このような酸変性エポキシアクリレート化合物としては、例えば、下記一般式(3)で表されるEA−6340(新中村化学製、商品名)が商業的に入手可能である。式(3)中、m及びnは0又は1以上の整数を示し、mとnとの比は100/0〜0/100である。 An acid-modified epoxy acrylate compound obtained by reacting an acid anhydride such as tetrahydrophthalic anhydride with the hydroxyl group of the epoxy (meth) acrylate compound can also be used as a photopolymerizable compound. As such an acid-modified epoxy acrylate compound, for example, EA-6340 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) represented by the following general formula (3) is commercially available. In formula (3), m and n represent 0 or an integer of 1 or more, and the ratio of m to n is 100/0 to 0/100.
エチレン性不飽和基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステル共重合体は、例えば、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、及び(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステルからなる群より選ばれる少なくとも1種の(メタ)アルキル酸エステルをモノマー単位として含む。 Examples of (meth) acrylic acid alkyl ester copolymers having an ethylenically unsaturated group include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, and (meth) acrylic. It contains at least one (meth) alkyl acid ester selected from the group consisting of acid 2-ethylhexyl ester as a monomer unit.
(A)成分の光重合性化合物として用いられる(メタ)アクリレート化合物は、耐熱性及び密着性の向上の観点から、炭素−窒素結合を有することが好ましく、アミド結合及び/又はウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物がより好ましい。 The (meth) acrylate compound used as the photopolymerizable compound of the component (A) preferably has a carbon-nitrogen bond and has an amide bond and / or a urethane bond from the viewpoint of improving heat resistance and adhesion ( More preferred are meth) acrylate compounds.
架橋密度を高めて密着性を向上させる観点、インプリントプロセスの裕度が広がる点、及び耐熱性のバランスの観点から、樹脂組成物は、アミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物及びウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物を含有することが好ましい。この場合、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物とアミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物との割合(ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物/アミド結合を有する(メタ)アクリレート化合物)は、好ましくは40/60〜90/10、より好ましくは50/50〜85/15、更に好ましくは60/40〜80/20である。 The resin composition has a (meth) acrylate compound having an amide bond and a urethane bond from the viewpoint of improving the adhesion density by increasing the crosslink density, increasing the tolerance of the imprint process, and balancing heat resistance. It is preferable to contain a (meth) acrylate compound. In this case, the ratio of the (meth) acrylate compound having a urethane bond and the (meth) acrylate compound having an amide bond ((meth) acrylate compound having a urethane bond / (meth) acrylate compound having an amide bond) is preferably It is 40 / 60-90 / 10, More preferably, it is 50 / 50-85 / 15, More preferably, it is 60 / 40-80 / 20.
(B)光重合開始剤
本実施形態に係るインプリント用樹脂組成物は、光重合開始剤を含有してもよい。これにより、光照射により光重合性化合物を効率的に架橋して、樹脂層の粘弾性をインプリントプロセスに好適な範囲に容易に調整することができる。インプリントプロセスの後に樹脂層を熱硬化させる場合に、加熱の条件によっては、樹脂が溶融しパターンがダレて変形する可能性があるが、樹脂組成物が光開始剤を含むことにより、パターニング後の光照射によって光重合性化合物の硬化を効率的に進めることができるため、熱硬化にともなうパターン形状の劣化(パターンのダレ)をより一層効果的に抑制することができる。
(B) Photopolymerization initiator The resin composition for imprints according to this embodiment may contain a photopolymerization initiator. Thereby, a photopolymerizable compound can be bridge | crosslinked efficiently by light irradiation and the viscoelasticity of a resin layer can be easily adjusted to the range suitable for an imprint process. When the resin layer is thermoset after the imprint process, depending on the heating conditions, the resin may melt and the pattern may sag and deform, but the resin composition contains a photoinitiator, and after patterning Since the photopolymerizable compound can be efficiently cured by the light irradiation, pattern shape deterioration (sag of the pattern) associated with thermosetting can be more effectively suppressed.
光重合開始剤は、活性光線により遊離ラジカルを生成する化合物であれば特に制限されず、例えば、アシルフォスフィンオキサイド、オキシムエステル、芳香族ケトン、キノン類、ベンゾインエーテル化合物、ベンジル誘導体、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、アクリジン誘導体、クマリン系化合物、N−フェニルグリシン、及びN−フェニルグリシン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。これらの中でも、光硬化性の向上及び高感度化、硬化膜の透明性の観点から、アシルフォスフィンオキサイド及びオキシムエステルが好ましい。 The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it is a compound that generates a free radical by actinic rays. For example, acylphosphine oxide, oxime ester, aromatic ketone, quinones, benzoin ether compound, benzyl derivative, 2, 4 , 5-triarylimidazole dimer, acridine derivative, coumarin compound, N-phenylglycine, and at least one selected from the group consisting of N-phenylglycine derivatives. Among these, acylphosphine oxide and oxime ester are preferable from the viewpoint of improvement of photocurability and high sensitivity, and transparency of the cured film.
アシルフォスフィンオキサイドはとしては、例えば、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキサイド(市販品:「IRGACURE−819」、BASF社製)、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド(市販品、「LUCIRIN TPO」、BASF社製)が挙げられる。 Examples of the acylphosphine oxide include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide (commercial product: “IRGACURE-819”, manufactured by BASF), 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl. -Phosphine oxide (commercial product, "LUCIRIN TPO", manufactured by BASF).
オキシムエステルとしては、例えば、下記式(4)で示される1,2−オクタンジオン−1−[4−(フェニルチオ)フェニル−2−(O−ベンゾイルオキシム)(市販品:「IRGACURE−OXE01」、BASF社製)、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]エタノン−1−(O−アセチルオキシム)(市販品:「IRGACURE−OXE02」、BASF社製)、及び1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−[o−(エトキシカルボニル)オキシム](市販品:「Quantacure−PDO」、日本化薬社製)からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the oxime ester include 1,2-octanedione-1- [4- (phenylthio) phenyl-2- (O-benzoyloxime) represented by the following formula (4) (commercially available product: “IRGACURE-OXE01”, Manufactured by BASF), 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] ethanone-1- (O-acetyloxime) (commercially available product: “IRGACURE-OXE02”, BASF And at least selected from the group consisting of 1-phenyl-1,2-propanedione-2- [o- (ethoxycarbonyl) oxime] (commercially available product: “Quantacure-PDO”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) One kind may be sufficient.
芳香族ケトンは、例えば、ベンゾフェノン、N,N'−テトラメチル−4,4'−ジアミノベンゾフェノン(即ち、ミヒラーケトン)、N,N'−テトラエチル−4,4'−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4'−ジメチルアミノベンゾフェノン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(市販品:「IRGACURE−651」、BASF社製)、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン(市販品:「IRGACURE−369」、BASF社製)、及び2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン(市販品:「IRGACURE−907」、BASF社製)からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Aromatic ketones include, for example, benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (ie Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy-4. '-Dimethylaminobenzophenone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (commercial product: “IRGACURE-651”, manufactured by BASF), 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4 -Morpholinophenyl) -butan-1-one (commercial product: "IRGACURE-369", manufactured by BASF) and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane-1- It may be at least one selected from the group consisting of ON (commercial product: “IRGACURE-907”, manufactured by BASF).
キノン類は、例えば、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナントラキノン、2−メチル−1,4−ナフトキノン、及び2,3−ジメチルアントラキノンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The quinones are, for example, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, and at least selected from the group consisting of 2,3-dimethylanthraquinone One kind may be sufficient.
ベンゾインエーテル化合物は、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、及びベンゾインフェニルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The benzoin ether compound may be at least one selected from the group consisting of benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether, for example.
ベンジル誘導体は、例えば、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物、及びベンジルジメチルケタールからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The benzyl derivative may be, for example, at least one selected from the group consisting of benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin, and ethylbenzoin, and benzyldimethyl ketal.
2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体は、例えば、2−(2−クロロフェニル)−1−〔2−(2−クロロフェニル)−4,5−ジフェニル−1,3−ジアゾール−2−イル〕−4,5−ジフェニルイミダゾール等の2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、及び2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 2,4,5-Triarylimidazole dimer is, for example, 2- (2-chlorophenyl) -1- [2- (2-chlorophenyl) -4,5-diphenyl-1,3-diazol-2-yl ] 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, such as 4,5-diphenylimidazole, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, and 2- (p-methoxyphenyl) -4, It may be at least one selected from the group consisting of 5-diphenylimidazole dimers.
アクリジン誘導体は、例えば、9−フェニルアクリジン、及び1,7−ビス(9,9'−アクリジニル)ヘプタンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The acridine derivative may be at least one selected from the group consisting of 9-phenylacridine and 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, for example.
クマリン系化合物は、例えば、7−アミノ−4−メチルクマリン、7−ジメチルアミノ−4−メチルクマリン、7−ジエチルアミノ−4−メチルクマリン、7−メチルアミノ−4−メチルクマリン、7−エチルアミノ−4−メチルクマリン、7−ジメチルアミノシクロペンタ[c]クマリン、7−アミノシクロペンタ[c]クマリン、7−ジエチルアミノシクロペンタ[c]クマリン、4,6−ジメチル−7−エチルアミノクマリン、4,6−ジエチル−7−エチルアミノクマリン、4,6−ジメチル−7−ジエチルアミノクマリン、4,6−ジメチル−7−ジメチルアミノクマリン、4,6−ジエチル−7−エチルアミノクマリン、4,6−ジエチル−7−ジメチルアミノクマリン、2,3,6,7,10,11−ヘキサンヒドロ−1H,5H−シクロペンタ[3,4][1]ベンゾピラノ−[6,7,8−ij]キノリジン12(9H)−オン、7−ジエチルアミノ−5',7'−ジメトキシ−3,3'−カルボニルビスクマリン、3,3'−カルボニルビス[7−(ジエチルアミノ)クマリン]、及び7−ジエチルアミノ−3−チエノキシルクマリンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Coumarin compounds include, for example, 7-amino-4-methylcoumarin, 7-dimethylamino-4-methylcoumarin, 7-diethylamino-4-methylcoumarin, 7-methylamino-4-methylcoumarin, 7-ethylamino- 4-methylcoumarin, 7-dimethylaminocyclopenta [c] coumarin, 7-aminocyclopenta [c] coumarin, 7-diethylaminocyclopenta [c] coumarin, 4,6-dimethyl-7-ethylaminocoumarin, 4, 6-diethyl-7-ethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7-diethylaminocoumarin, 4,6-dimethyl-7-dimethylaminocoumarin, 4,6-diethyl-7-ethylaminocoumarin, 4,6-diethyl -7-dimethylaminocoumarin, 2,3,6,7,10,11-hexanehydro-1H, H-cyclopenta [3,4] [1] benzopyrano- [6,7,8-ij] quinolizine 12 (9H) -one, 7-diethylamino-5 ′, 7′-dimethoxy-3,3′-carbonylbiscoumarin 3,3′-carbonylbis [7- (diethylamino) coumarin] and 7-diethylamino-3-thienoxysilkine may be at least one selected from the group consisting of
光重合開始剤の含有量は、(A)成分の光重合性化合物100質量部に対して、好ましくは0.1〜20質量部、より好ましくは0.5〜10質量部、更に好ましくは0.75〜5質量部である。当該含有量がこれら範囲内にあることにより、インプリント用樹脂組成物の感度と光硬化性が特に高められて、樹脂層の粘弾性の調整及び熱硬化時のパターン形状の保持がさらに容易となる。 The content of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 0.5 to 10 parts by mass, and still more preferably 0 with respect to 100 parts by mass of the photopolymerizable compound (A). .75 to 5 parts by mass. When the content is within these ranges, the sensitivity and photocurability of the imprint resin composition are particularly enhanced, and the adjustment of the viscoelasticity of the resin layer and the maintenance of the pattern shape during thermosetting are further facilitated. Become.
(C)高分子化合物,熱硬化性樹脂
本実施形態に係る樹脂組成物は、高分子化合物及び熱硬化性樹脂から選ばれる、上記光重合性化合物とは異なる化合物(以下、場合により「耐熱性樹脂」という。)を更に含有していてもよい。これにより、硬化後の樹脂層に関して、耐熱性、熱伝導率、耐ヒートサイクル性及び鉛フリーの高温半田に対する実装信頼性が高いという効果が得られる。
(C) Polymer compound, thermosetting resin The resin composition according to the present embodiment is selected from a polymer compound and a thermosetting resin, and is different from the above-mentioned photopolymerizable compound (hereinafter referred to as “heat resistance in some cases”). Resin ")). Thereby, regarding the resin layer after curing, the effects of high heat resistance, thermal conductivity, heat cycle resistance, and high mounting reliability with respect to lead-free high-temperature solder can be obtained.
耐熱性樹脂は、例えば、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、アニリン樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、アリル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ケイ素樹脂、及びベンゾオキサジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。なかでもエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ケイ素樹脂、ベンゾオキサジン樹脂が好適である。エポキシ樹脂は、少なくとも1個のオキシラン環(エポキシ基)を有する有機化合物(熱硬化性樹脂)である。 Examples of the heat resistant resin include phenol resin, novolac resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, furan resin, urea resin, melamine resin, polyurethane resin, aniline resin, thermosetting modified polyphenylene ether resin, thermosetting It may be at least one selected from the group consisting of polyimide resins, allyl resins, bismaleimide triazine resins, silicon resins, and benzoxazine resins. Among these, epoxy resins, phenol resins, urea resins, unsaturated polyester resins, allyl resins, thermosetting polyimide resins, bismaleimide triazine resins, thermosetting modified polyphenylene ether resins, silicon resins, and benzoxazine resins are suitable. The epoxy resin is an organic compound (thermosetting resin) having at least one oxirane ring (epoxy group).
耐熱性樹脂としての熱硬化性樹脂は、好ましくは硬化剤と組み合わせて用いられる。硬化剤は、例えば、ポリフェノール系硬化剤、ポリアミン系硬化剤、カルボン酸ヒドラジド、ジアミノマレオニトリル、ジシアンジアミド及びその誘導体、イミダゾール、ポリアミンのナイロン塩及びリン酸塩、並びにルイス酸及びそのアミン錯体からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 The thermosetting resin as the heat resistant resin is preferably used in combination with a curing agent. Curing agents include, for example, polyphenolic curing agents, polyamine curing agents, carboxylic acid hydrazides, diaminomaleonitrile, dicyandiamide and derivatives thereof, imidazoles, polyamine nylon salts and phosphates, and Lewis acids and amine complexes thereof. It may be at least one selected from more.
耐熱性樹脂として用いられる高分子化合物は、ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルであってもよい。ポリアミド酸又はポリアミド酸エステルは、例えば、下記一般式(5)で表される。 The polymer compound used as the heat resistant resin may be a polyamic acid or a polyamic acid ester. The polyamic acid or polyamic acid ester is represented, for example, by the following general formula (5).
式(5)中、R1は四価の有機基を示し、R2は二価の有機基を示し、R3は水素原子又は一価の有機基を示し、同一分子中の複数のR3は同一でも異なっていてもよい。 In Formula (5), R 1 represents a tetravalent organic group, R 2 represents a divalent organic group, R 3 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, and a plurality of R 3 in the same molecule May be the same or different.
R1は、特に制限されないが、低熱膨張性に優れる点から、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、ベンゾフェノン、シクロブタン、シクロヘキサン、キサンテン又はチオキサンテンから水素原子を4個除いて形成される基であってもよい。R2は、例えば、ベンゼン、ビフェニル、ベンゾフェノン、又はシクロヘキサンから水素原子を2個除いて形成される基であってもよい。これらの骨格にメチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子及び水酸基などから選ばれる1種又は2種以上の置換基が置換していてもよい。 R 1 is not particularly limited, but is a group formed by removing four hydrogen atoms from, for example, benzene, biphenyl, naphthalene, benzophenone, cyclobutane, cyclohexane, xanthene, or thioxanthene from the viewpoint of excellent low thermal expansion. Also good. R 2 may be, for example, a group formed by removing two hydrogen atoms from benzene, biphenyl, benzophenone, or cyclohexane. These skeletons may be substituted with one or more substituents selected from a methyl group, a trifluoromethyl group, a fluorine atom and a hydroxyl group.
R3として一価の有機基は、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、フェニル基、ベンジル基等の炭素原子数が1〜10の脂肪族または芳香族炭化水素基、メトキシエチル基などの炭素原子数が2〜10のアルコキシアルキル基、及びこれらにフッ素原子が置換して形成される基からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。これらのうち、水素原子、エチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ベンジル基が好ましい。 The monovalent organic group as R 3 is, for example, an aliphatic or aromatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms such as methyl group, ethyl group, isopropyl group, t-butyl group, phenyl group, benzyl group, It may be at least one selected from the group consisting of an alkoxyalkyl group having 2 to 10 carbon atoms such as a methoxyethyl group and a group formed by substituting a fluorine atom for them. Of these, a hydrogen atom, an ethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, an isopropyl group, a t-butyl group, and a benzyl group are preferable.
上記耐熱性樹脂として、加熱により閉環してポリベンゾオキサゾールを形成するポリベンゾオキサゾール前駆体であるポリヒドロキシアミドが、耐熱性、機械特性、電気特性に優れることから好ましい。このポリヒドロキシアミドは、例えば、下記一般式(6)で表される構成単位を有する。ヒドロキシ基を含有するアミドユニットは、最終的には、硬化時の脱水閉環により、耐熱性、機械特性、電気特性に優れるオキサゾール体に変換される。式(6)中、R11は4価の有機基を示し、R12は2価の有機基を示す。 As the heat-resistant resin, polyhydroxyamide, which is a polybenzoxazole precursor that forms polybenzoxazole by ring closure by heating, is preferable because of its excellent heat resistance, mechanical properties, and electrical properties. This polyhydroxyamide has, for example, a structural unit represented by the following general formula (6). The amide unit containing a hydroxy group is finally converted into an oxazole having excellent heat resistance, mechanical properties, and electrical properties by dehydration and ring closure during curing. In formula (6), R 11 represents a tetravalent organic group, and R 12 represents a divalent organic group.
式(6)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドは、例えば、ジカルボン酸化合物とヒドロキシ基を有するジアミン化合物とから合成できる。具体的には、ジカルボン酸化合物をジハライド化合物に変換した後、ジハライド化合物と前記ジアミン化合物との反応を行うことにより、式(6)で表される繰り返し単位を有するポリヒドロキシアミドを合成できる。ジハライド化合物としては、ジクロリド化合物が好ましい。 The polyhydroxyamide having a repeating unit represented by the formula (6) can be synthesized from, for example, a dicarboxylic acid compound and a diamine compound having a hydroxy group. Specifically, after converting a dicarboxylic acid compound into a dihalide compound, a polyhydroxyamide having a repeating unit represented by the formula (6) can be synthesized by reacting the dihalide compound with the diamine compound. As the dihalide compound, a dichloride compound is preferable.
ジクロリド化合物は、ジカルボン酸化合物にハロゲン化剤を作用させて合成することができる。ハロゲン化剤としては、通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用されるもの、例えば、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リンなどが使用できる。 The dichloride compound can be synthesized by reacting a dicarboxylic acid compound with a halogenating agent. As the halogenating agent, those used in usual acid chlorideation reaction of carboxylic acid, for example, thionyl chloride, phosphoryl chloride, phosphorus oxychloride, phosphorus pentachloride and the like can be used.
ジクロリド化合物の合成は、ジカルボン酸化合物とハロゲン化剤とを反応溶媒中で反応させる方法、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分のハロゲン化剤を留去する方法により行うことができる。反応溶媒として、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。ハロゲン化剤の量は、溶媒中で反応を行う場合、ジカルボン酸化合物1.0モルに対して、1.5〜3.0モルが好ましく、1.7〜2.5モルがより好ましい。ハロゲン化剤中で反応を行う場合、ハロゲン化剤の量は、カルボン酸化合物1.0モルに対して4.0〜50モルが好ましく、5.0〜20モルがより好ましい。反応温度は、−10〜70℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。 The synthesis of the dichloride compound should be carried out by reacting the dicarboxylic acid compound and the halogenating agent in a reaction solvent, or by reacting in an excess halogenating agent and then distilling off the excess halogenating agent. Can do. As a reaction solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, toluene, benzene and the like can be used. When the reaction is carried out in a solvent, the amount of the halogenating agent is preferably 1.5 to 3.0 mol, more preferably 1.7 to 2.5 mol, relative to 1.0 mol of the dicarboxylic acid compound. When the reaction is carried out in a halogenating agent, the amount of the halogenating agent is preferably 4.0 to 50 mol, more preferably 5.0 to 20 mol, relative to 1.0 mol of the carboxylic acid compound. The reaction temperature is preferably -10 to 70 ° C, more preferably 0 to 20 ° C.
ジクロリド化合物とジアミンとの反応は、脱ハロゲン化水素剤の存在下、有機溶媒中で行うことが好ましい。脱ハロゲン化水素剤としては、通常、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基が使用される。有機溶媒としは、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等が使用できる。反応温度は、−10〜30℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。 The reaction between the dichloride compound and the diamine is preferably performed in an organic solvent in the presence of a dehydrohalogenating agent. As the dehydrohalogenating agent, organic bases such as pyridine and triethylamine are usually used. As the organic solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like can be used. The reaction temperature is preferably −10 to 30 ° C., more preferably 0 to 20 ° C.
式(6)において、R11で表される4価の有機基は、一般に、2個のアミノ基及2個のヒドロキシ基を有するジアミン化合物の残基である。ヒドロキシ基は、アミノ基のオルト位に位置していてもよい。R11は、芳香環を含む基であることが好ましい。R11の炭素原子数は6〜40が好ましい。R11は、好ましくは、芳香環を含む炭素原子数6〜40の4価の基である。ジアミン化合物において、アミノ基及びヒドロキシル基がいずれもR11中の芳香環に直接結合していることが好ましい。 In formula (6), the tetravalent organic group represented by R 11 is generally a residue of a diamine compound having two amino groups and two hydroxy groups. The hydroxy group may be located at the ortho position of the amino group. R 11 is preferably a group containing an aromatic ring. The number of carbon atoms in R 11 is preferably 6 to 40. R 11 is preferably a tetravalent group having 6 to 40 carbon atoms and containing an aromatic ring. In the diamine compound, it is preferable that both the amino group and the hydroxyl group are directly bonded to the aromatic ring in R 11 .
上記ジアミン化合物は、例えば、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン及び2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the diamine compound include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-4) -Hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane and 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexa It may be at least one selected from the group consisting of fluoropropane.
ポリヒドロキシアミドは、式(6)の構成単位に加えて、ヒドロキシル基を有しない構成単位を更に含んでいてもよい。すなわち、ポリヒドロキシアミドは、例えば、下記一般式(7)で表される重合体であってもよい。 In addition to the structural unit of the formula (6), the polyhydroxyamide may further include a structural unit having no hydroxyl group. That is, the polyhydroxyamide may be a polymer represented by the following general formula (7), for example.
式(7)中、R13は4価の有機基を示し、R12は2価の有機基を示す。j及びkは、モル分率を示し、j及びkの和は100モル%であり、好ましくは、jが60〜100モル%、kが40〜0モル%である。jが80〜100モル%、kが20〜0モル%であることがより好ましい。 In the formula (7), R 13 represents a tetravalent organic group, and R 12 represents a divalent organic group. j and k represent mole fractions, and the sum of j and k is 100 mol%, preferably j is 60 to 100 mol% and k is 40 to 0 mol%. More preferably, j is 80 to 100 mol% and k is 20 to 0 mol%.
式(7)において、R13で表される2価の有機基は、一般に、ジカルボン酸化合物と反応してポリアミド構造を形成する、ヒドロキシル基を有しないジアミン化合物の残基である。R13は、2価の芳香族基又は脂肪族基であることが好ましい。炭素原子数としては4〜40のものが好ましく、炭素原子数4〜40の2価の芳香族基がより好ましい。 In formula (7), the divalent organic group represented by R 13 is generally a residue of a diamine compound having no hydroxyl group, which reacts with a dicarboxylic acid compound to form a polyamide structure. R 13 is preferably a divalent aromatic group or an aliphatic group. The number of carbon atoms is preferably 4 to 40, and more preferably a divalent aromatic group having 4 to 40 carbon atoms.
ヒドロキシル基を有しない上記ジアミン化合物は、例えば、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−ジアミノジフェニルスルホン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフィド、ベンジシン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル及び1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも1種の芳香族ジアミン化合物であってもよい。上記ジアミン化合物は、シリコーン基を有するジアミンであってもよい。シリコーン基を有するジアミンとしては、LP−7100、X−22−161AS、X−22−161A、X−22−161B、X−22−161CおよびX−22−161E(いずれも信越化学工業株式会社製、商品名)等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらの化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the diamine compound having no hydroxyl group include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, benzidine, m- Phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4-aminophenoxy) biphenyl And at least one aromatic diamine compound selected from the group consisting of bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether and 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene. The diamine compound may be a diamine having a silicone group. Examples of the diamine having a silicone group include LP-7100, X-22-161AS, X-22-161A, X-22-161B, X-22-161C, and X-22-161E (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.). However, it is not limited to these. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
式(6)及び(7)において、R12で表される2価の有機基は、一般に、ポリヒドロキシアミドを合成するために用いられたジカルボン酸化合物の残基である。R12は、芳香環を含む2価の基であることが好ましい。R12の炭素原子数は好ましくは6〜40である。R12は、芳香環を含む炭素原子数6〜40の2価の基であることがより好ましい。2個のカルボキシル基はいずれもR12中の芳香環に直接結合していることが好ましい。 In formulas (6) and (7), the divalent organic group represented by R 12 is generally a residue of a dicarboxylic acid compound used to synthesize polyhydroxyamide. R 12 is preferably a divalent group containing an aromatic ring. R 12 preferably has 6 to 40 carbon atoms. R 12 is more preferably a divalent group having 6 to 40 carbon atoms including an aromatic ring. It is preferred that none of the two carboxyl groups are bonded directly to the aromatic ring in R 12.
上記ジカルボン酸化合物は、例えば、イソフタル酸、テレフタル酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4'−ジカルボキシビフェニル、4,4'−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4'−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(p−カルボキシフェニル)プロパン、5−tert−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、及び、1,2−シクロブタンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族ジカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。 Examples of the dicarboxylic acid compound include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and 4,4′-dicarboxybiphenyl. 4,4′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4′-dicarboxytetraphenylsilane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (p-carboxyphenyl) propane, 5-tert-butylisophthalic acid , Aromatic dicarboxylic acids such as 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, and 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid , 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, etc. It may be at least one selected from the group consisting of carboxylic acid.
(その他の成分)
インプリント用樹脂組成物は、必要に応じて、インプリント用樹脂組成物と基板との接着性を向上させるために、接着助剤を含有してもよい。接着助剤としては、例えば、γ−グリシドキシシラン、アミノシラン、γ−ウレイドシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。接着助剤の含有量は、(A)成分の光重合性化合物100質量部に対して、好ましくは0.1〜10質量部、より好ましくは0.2〜5質量部、更に好ましくは0.5〜2質量部である。
(Other ingredients)
The imprinting resin composition may contain an adhesion aid in order to improve the adhesiveness between the imprinting resin composition and the substrate, if necessary. Examples of the adhesion assistant include silane coupling agents such as γ-glycidoxysilane, aminosilane, and γ-ureidosilane. The content of the adhesion assistant is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.2 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.1 to 100 parts by mass of the photopolymerizable compound (A). 5 to 2 parts by mass.
基板又は支持フィルム等に塗布するときの作業性の観点から、インプリント用樹脂組成物に溶媒を加えて、樹脂組成物の溶液又は分散液を塗工液として調製してもよい。用いる溶媒は、特に制限されないが、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の極性溶媒、及び、γ−ブチロラクトンからなる群より選ばれる少なくとも1種であってもよい。塗工液におけるインプリント用樹脂組成物の濃度は、塗工液の質量を基準として、好ましくは20〜85質量%、より好ましくは30〜80質量%である。 From the viewpoint of workability when applied to a substrate, a support film or the like, a solution or dispersion of the resin composition may be prepared as a coating liquid by adding a solvent to the imprint resin composition. The solvent to be used is not particularly limited, but includes, for example, polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether acetate, and γ-butyrolactone. It may be at least one selected from the group. The concentration of the resin composition for imprint in the coating solution is preferably 20 to 85% by mass, more preferably 30 to 80% by mass, based on the mass of the coating solution.
<電子部品>
本実施形態に係る電子部品は、上述の方法により形成されたパターンを有する樹脂層(硬化膜)を、永久膜として備える。電子部品は、例えば、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス等であってもよい。
<Electronic parts>
The electronic component according to the present embodiment includes a resin layer (cured film) having a pattern formed by the above-described method as a permanent film. The electronic component may be, for example, a semiconductor device, a multilayer wiring board, various electronic devices, or the like.
「永久膜」は、電子部品等の製造の過程で除去されることなく、完成品としての電子部品等を構成する膜である。永久膜の具体例としては、電子部品の表面保護膜及び層間絶縁膜、並びに、多層配線板の層間絶縁膜が挙げられる。本実施形態に係る電子部品は、本実施形態に係る方法により形成された永久膜を有していればよく、その構造等は特に制限されない。 The “permanent film” is a film constituting an electronic component or the like as a finished product without being removed in the process of manufacturing the electronic component or the like. Specific examples of the permanent film include a surface protective film and an interlayer insulating film of an electronic component, and an interlayer insulating film of a multilayer wiring board. The electronic component according to the present embodiment is not particularly limited as long as it has a permanent film formed by the method according to the present embodiment.
図3は、パターンを有する樹脂層を永久膜として備える半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図3に示す半導体装置100は、シリコンチップ23と、シリコンチップ23の一方面側に設けられた層間絶縁膜11と、層間絶縁膜11上に形成された、パッド部15を含むパターンを有するAl配線層12と、パッド部15上に開口を形成しながら層間絶縁膜11及びAl配線層12上に順次積層された絶縁層13(例えばP−SiN層)及び表面保護層14と、表面保護層14上で開口近傍に配された島状のコア18と、絶縁層13及び表面保護層14の開口内でパッド部15と接するとともに再配線層用のコア18の表面保護層14とは反対側の面に接するように表面保護層14上に延在する再配線層16とを備える。更に、半導体装置100は、表面保護層14、再配線用コア18及び再配線層16を覆い、コア18上の再配線層16の部分に開口を形成しているカバーコート層19と、カバーコート層19の開口においてバリアメタル20を間に挟んで再配線層16と接続された導電性ボール17と、導電性ボールを保持するカラー21と、導電性ボール17周囲のカバーコート層19上に設けられたアンダーフィル22とを備える。導電性ボール17は外部接続端子として用いられ、ハンダ、金等から形成される。アンダーフィル22は、半導体装置100を実装する際に応力を緩和するために設けられている。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing an embodiment of a semiconductor device provided with a resin layer having a pattern as a permanent film. A semiconductor device 100 shown in FIG. 3 includes a silicon chip 23, an interlayer insulating film 11 provided on one side of the silicon chip 23, and an Al having a pattern including a pad portion 15 formed on the interlayer insulating film 11. A wiring layer 12, an insulating layer 13 (for example, a P-SiN layer) and a surface protective layer 14, which are sequentially stacked on the interlayer insulating film 11 and the Al wiring layer 12 while forming an opening on the pad portion 15, and a surface protective layer 14 is in contact with the pad portion 15 in the openings of the insulating layer 13 and the surface protective layer 14 and is opposite to the surface protective layer 14 of the core 18 for the rewiring layer. And a rewiring layer 16 extending on the surface protective layer 14 so as to be in contact with the surface. Further, the semiconductor device 100 includes a cover coat layer 19 that covers the surface protective layer 14, the rewiring core 18, and the rewiring layer 16, and forms an opening in the portion of the rewiring layer 16 on the core 18. The conductive ball 17 connected to the rewiring layer 16 with the barrier metal 20 interposed therebetween in the opening of the layer 19, the collar 21 that holds the conductive ball, and the cover coat layer 19 around the conductive ball 17 are provided. The underfill 22 is provided. The conductive ball 17 is used as an external connection terminal and is formed of solder, gold or the like. The underfill 22 is provided to relieve stress when the semiconductor device 100 is mounted.
半導体装置100において、層間絶縁層、表面保護層、カバーコート層、再配線用コア、カラー、及びアンダーフィルからなる群より選ばれる少なくとも1つの永久膜が、上述の樹脂組成物により形成され得る永久膜である。本実勢形態に係るインプリント用樹脂組成物により形成される硬化膜は、メタル層及び封止剤等との接着性に優れ、応力緩和効果も高い。そのため、半導体素子100は、極めて優れた信頼性を有する。本発明に係る半導体装置は、図3に示す構造を有するものに限定されない。 In the semiconductor device 100, at least one permanent film selected from the group consisting of an interlayer insulating layer, a surface protective layer, a cover coat layer, a rewiring core, a collar, and an underfill can be formed with the above-described resin composition. It is a membrane. The cured film formed with the resin composition for imprints according to the present embodiment is excellent in adhesiveness with a metal layer and a sealant, and has a high stress relaxation effect. Therefore, the semiconductor element 100 has extremely excellent reliability. The semiconductor device according to the present invention is not limited to the one having the structure shown in FIG.
層間絶縁層、表面保護層、カバーコート、再配線用コア、半田等のボール用カラー、又はアンダーフィル等をさらに信頼性の高いものとするために、インプリント用樹脂組成物の硬化後の50〜100℃における熱膨張係数は、好ましくは50ppm/K以下、より好ましくは30ppm/K以下である。永久膜を形成するために用いるインプリント用樹脂組成物に適量の無機フィラーを含ませることにより、熱膨張係数を顕著に低減させることができる。 In order to make the interlayer insulating layer, surface protective layer, cover coat, core for rewiring, ball collar such as solder, underfill, etc. more reliable, 50 after the resin composition for imprinting is cured The coefficient of thermal expansion at -100 ° C is preferably 50 ppm / K or less, more preferably 30 ppm / K or less. By including an appropriate amount of inorganic filler in the imprinting resin composition used to form the permanent film, the thermal expansion coefficient can be significantly reduced.
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
<(C)成分のポリマーの合成>
以下、合成法を示す。なお、重量平均分子量は、溶離液としてテトラヒドロフランとN,N-ジメチルアセトアミドの混合溶液を用いてGPC法によって求めたものである。GPC法の詳細は次のとおりである。
装置名:HLC−8320GPC(製品名、東ソー社製)
カラム:TSKgel SuperAWM-H,TSKgelguardcolumn SuperAW-H,TSKgel SuperH2500,TSKgel SuperH3000,TSKgel SuperH4000,TSKgelguardcolumn SuperH−L(全て,東ソー社製)
検出器:UV,RI検出器
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフランとN,N−ジメチルアセトアミドの混合溶液
(混合比1対1)
添加剤:臭化リチウム一水和物(0.03mol/L)、リン酸(0.06mol/L)
流速:0.35ml/分
標準物質:ポリスチレン
<Synthesis of (C) Component Polymer>
Hereinafter, the synthesis method will be shown. The weight average molecular weight was determined by GPC method using a mixed solution of tetrahydrofuran and N, N-dimethylacetamide as an eluent. Details of the GPC method are as follows.
Device name: HLC-8320GPC (product name, manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel SuperAWM-H, TSKgelguardcolumn SuperAW-H, TSKgel SuperH2500, TSKgel SuperH3000, TSKgel SuperH4000, TSKgelguardcolumn Super-L
Detector: UV, RI detector Column temperature: 40 ° C
Eluent: Mixed solution of tetrahydrofuran and N, N-dimethylacetamide
(Mixing ratio 1: 1)
Additives: lithium bromide monohydrate (0.03 mol / L), phosphoric acid (0.06 mol / L)
Flow rate: 0.35 ml / min Standard material: Polystyrene
(合成例1)ポリアミド酸
N−メチル−2−ピロリドン150mlにp−フェニレンジアミン5.4g(50mmol)と2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン16.0g(50mmol)を添加して溶解させた。その後、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.4g(100mmol)を添加して重合を進行させて、生成したポリアミド酸(ポリマーI)の溶液を得た。標準ポリスチレン換算により求めたポリアミド酸の重量平均分子量は41400であった。
(Synthesis Example 1) Polyamide acid 5.4 g (50 mmol) of p-phenylenediamine and 16.0 g (50 mmol) of 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine are dissolved in 150 ml of N-methyl-2-pyrrolidone. I let you. Thereafter, 39.4 g (100 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was added to proceed the polymerization, and a solution of the produced polyamic acid (Polymer I) was obtained. The weight average molecular weight of the polyamic acid determined by standard polystyrene conversion was 41400.
(合成例2)ポリアミド酸
2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジンを等モルの2,2’−ジメチルベンジジンに置き換えた以外は合成例1と同様の条件で合成を行って、ポリアミド酸(ポリマーII)の溶液をえた。標準ポリスチレン換算により求めたポリアミド酸の重量平均分子量は51500であった。
(Synthesis Example 2) Polyamide acid The synthesis was performed under the same conditions as in Synthesis Example 1 except that 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine was replaced with an equimolar amount of 2,2′-dimethylbenzidine. A solution of (Polymer II) was obtained. The weight average molecular weight of the polyamic acid determined by standard polystyrene conversion was 51500.
(合成例3)ポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)
攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g(60mmol)、N−メチルピロリドン90gを仕込んだ。フラスコを5℃に冷却しながら、塩化チオニル23.9g(120mmol)を滴下し、30分間反応を行って、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを入れ、そこにビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(6FAP)18.30g(50mmol)を溶解させた。さらにピリジン9.48g(120mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。反応液を3リットルの水に投入し、析出物を回収した。析出物を純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して、末端にカルボキシル基を有するポリヒドロキシアミド(ポリマーIII)を得た。GPC法の標準ポリスチレン換算により求めたポリマーIIIの重量平均分子量は17600であり、分散度は1.6であった。
Synthesis Example 3 Polyhydroxyamide (Polybenzoxazole Precursor)
In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 15.48 g (60 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid and 90 g of N-methylpyrrolidone were charged. While the flask was cooled to 5 ° C., 23.9 g (120 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 87.5 g of N-methylpyrrolidone was placed in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 18.30 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (6FAP) was added thereto. (50 mmol) was dissolved. Further, 9.48 g (120 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes, followed by stirring for 30 minutes. The reaction solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected. The precipitate was washed three times with pure water and then dried under reduced pressure to obtain polyhydroxyamide (Polymer III) having a carboxyl group at the terminal. The weight average molecular weight of the polymer III calculated | required by standard polystyrene conversion of GPC method was 17600, and dispersion degree was 1.6.
(合成例4)ポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)
攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸12.90g(50mmol)、N−メチルピロリドン75gを仕込んだ。フラスコを5℃に冷却しながら、塩化チオニル19.9g(100mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン105gを入れ、そこにビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン22.0g(60mmol)と5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物3.28g(20mmol)を溶解させた。さらにピリジン7.9g(100mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。反応液を3リットルの水に投入し、析出物を回収した。析出物を純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して、二重結合を末端に有するポリヒドロキシアミド(ポリマーIV)を得た。GPC法標準ポリスチレン換算により求めたポリマーIVの重量平均分子量は22800であり、分散度は1.8であった。
Synthesis Example 4 Polyhydroxyamide (Polybenzoxazole Precursor)
In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 12.90 g (50 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid and 75 g of N-methylpyrrolidone were charged. While cooling the flask to 5 ° C., 19.9 g (100 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 105 g of N-methylpyrrolidone was placed in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 22.0 g (60 mmol) of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 5 g were added thereto. -Norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride 3.28 g (20 mmol) was dissolved. Further, 7.9 g (100 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes, and then stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected. The precipitate was washed three times with pure water and then dried under reduced pressure to obtain polyhydroxyamide (Polymer IV) having a double bond at the end. The weight average molecular weight of the polymer IV calculated | required by GPC method standard polystyrene conversion was 22800, and dispersion degree was 1.8.
(合成例5)ポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)
攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸12.90g(50mmol)、N−メチルピロリドン75gを仕込んだ。フラスコを5℃に冷却しながら、塩化チオニル19.9g(100mmol)を滴下し、30分間反応を行って、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を装着した0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン105gを仕込み、そこにビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン14.7g(40mmol)及びm−アミノフェノール2.16g(20mmol)を溶解させた。さらにピリジン7.9g(100mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。反応液を3リットルの水に投入し、析出物を回収した。析出物を純水で3回洗浄した後、減圧乾燥して、フェノールを末端に有するポリヒドロキシアミド(ポリマーV)を得た。GPC法標準ポリスチレン換算により求めたポリマーVの重量平均分子量は15600、分散度は1.7であった。
Synthesis Example 5 Polyhydroxyamide (Polybenzoxazole Precursor)
In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 12.90 g (50 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid and 75 g of N-methylpyrrolidone were charged. While the flask was cooled to 5 ° C., 19.9 g (100 mmol) of thionyl chloride was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride. Next, 105 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 14.7 g (40 mmol) of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and m -2.16 g (20 mmol) of aminophenol was dissolved. Further, 7.9 g (100 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes, and then stirring was continued for 30 minutes. The reaction solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected. The precipitate was washed three times with pure water and then dried under reduced pressure to obtain a polyhydroxyamide (Polymer V) having a phenol terminal. The weight average molecular weight of the polymer V determined by GPC standard polystyrene conversion was 15600, and the degree of dispersion was 1.7.
(インプリント用樹脂組成物の調製)
(A)成分である光重合性化合物、(B)成分である光重合開始剤及び(C)成分であるポリマーを、溶媒としてのN−メチルピロリドン中で表1に示した割合で混合し、各実施例及び比較例のインプリント用樹脂組成物の溶液を得た。表中の数字は各成分の固形分の質量部を示している。表中の各成分の詳細を以下に示す。
(A)成分:光重合性化合物
・UN−904、UN−952(商品名、ウレタンアクリレート、根上工業株式会社製)
・FA−7220M(商品名、アミド結合含有メタクリレート、日立化成工業製)
(B)成分:光重合開始剤
・I−819(商品名、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、チバスペシャリティーケミカルズ株式会社製)
(Preparation of resin composition for imprint)
(A) The photopolymerizable compound as the component, the photopolymerization initiator as the component (B), and the polymer as the component (C) are mixed in the ratio shown in Table 1 in N-methylpyrrolidone as a solvent, The solution of the resin composition for imprint of each Example and a comparative example was obtained. The numbers in the table indicate the mass parts of the solid content of each component. The detail of each component in a table | surface is shown below.
(A) Component: Photopolymerizable compound / UN-904, UN-952 (trade name, urethane acrylate, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
FA-7220M (trade name, amide bond-containing methacrylate, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Component (B): Photopolymerization initiator / I-819 (trade name, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.)
表1に、ウレタンアクリレートの官能基(アクリロイルオキシ基)の数及び重量平均分子量を表に示す。重量平均分子量(Mw)は、溶離液としてテトラヒドロフランとN,N−ジメチルアセトアミドを用いてGPC法によって求めたものである。GPC法の詳細は次のとおりである。
装置名:HLC−8320GPC(製品名、東ソー社製)
カラム:TSKgelSuperAWM-H,TSKgelguardcolumn SuperAW-H,TSKgel SuperH2500,TSKgel Super H3000,TSKgel SuperH4000,TSKgelguardcolumn SuperH−L(全て,東ソー社製)
検出器:UV,RI検出器
カラム温度:40℃
溶離液:テトラヒドロフランとN,N−ジメチルアセトアミドの混合溶液
(混合比1対1)
添加剤:臭化リチウム一水和物(0.03mol/L)、リン酸(0.06mol/L)
流速:0.35ml/分
標準物質:ポリスチレン
Table 1 shows the number of functional groups (acryloyloxy groups) and weight average molecular weight of urethane acrylate. The weight average molecular weight (Mw) is determined by GPC method using tetrahydrofuran and N, N-dimethylacetamide as an eluent. Details of the GPC method are as follows.
Device name: HLC-8320GPC (product name, manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Super AWM-H, TSK gel guard column Super A W-H, TSK gel Super H 2500, TSK gel Super H 3000, TSK gel Super H 4000, TSK gel guard column, Super H-L
Detector: UV, RI detector Column temperature: 40 ° C
Eluent: Mixed solution of tetrahydrofuran and N, N-dimethylacetamide
(Mixing ratio 1: 1)
Additives: lithium bromide monohydrate (0.03 mol / L), phosphoric acid (0.06 mol / L)
Flow rate: 0.35 ml / min Standard material: Polystyrene
<インプリント用樹脂フィルムの作製>
実施例及び比較例のインプリント用樹脂組成物の溶液を、支持フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート上にアプリケータを用いて均一に塗布した。塗布された溶液を120℃の乾燥機で30分間加熱して溶媒を除去することにより、インプリント用樹脂層を形成して、支持フィルム及び支持フィルム上の樹脂層を有する2層構成のインプリント用樹脂フィルムを得た。
<Preparation of resin film for imprint>
The solution of the resin composition for imprint of an Example and a comparative example was apply | coated uniformly using the applicator on the polyethylene terephthalate as a support film. The applied solution is heated in a 120 ° C. dryer for 30 minutes to remove the solvent, thereby forming an imprint resin layer, and a two-layer imprint having a support film and a resin layer on the support film A resin film was obtained.
<パターン形成性の評価>
試験基板上に、インプリント用樹脂フィルムを、支持フィルムが試験基板と反対側に位置する向きで積層した。積層はラミネーターを用いて行った。試験基板に積層されたインプリント用樹脂フィルムに対して、高精度平行露光機(オーク製作所)を用いて、露光量10mJ/cm2で露光した(インプリント前の光照射)。このインプリント前の光照射の有無を表2に示した。
<Evaluation of pattern formability>
On the test substrate, the imprinting resin film was laminated in such a direction that the support film was positioned on the side opposite to the test substrate. Lamination was performed using a laminator. The resin film for imprint laminated on the test substrate was exposed at an exposure amount of 10 mJ / cm 2 using a high-precision parallel exposure machine (Oak Seisakusho) (light irradiation before imprinting). The presence or absence of light irradiation before imprinting is shown in Table 2.
次に、支持フィルムを剥離してから、シリコン製の型上に、樹脂層を試験基板とともに乗せ、これらを圧着機にセットして、8MPaで2分間、60-200℃に加熱しながら加圧した。型をはずして、パターン化された樹脂層の被膜を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、下記の基準に基づいてパターン形成性を評価した。
A:型に樹脂残りなく、良好な形状のパターンが形成された。
B:型に部分的に樹脂が残り、パターンに欠けが確認できる。
C:型に大部分の樹脂が残り、パターン形成が難しい。
D:型が樹脂層から剥がれない。
Next, after peeling off the support film, the resin layer is placed on the silicon mold together with the test substrate, and these are set in a crimping machine and pressurized while heating at 60-200 ° C. for 2 minutes at 8 MPa. did. The mold was removed and the film of the patterned resin layer was observed using a scanning electron microscope, and the pattern forming property was evaluated based on the following criteria.
A: The resin pattern remained in the mold, and a good pattern was formed.
B: Resin remains partially in the mold, and the chipping can be confirmed.
C: Most of the resin remains in the mold, and pattern formation is difficult.
D: The mold does not peel from the resin layer.
<パターン保持性の評価>
パターン形成性の評価と同様に、試験基板上にインプリント用樹脂フィルムを積層した。次に、支持フィルムを剥離してから、樹脂層を試験基板とともにシリコン製の型上に乗せ、これらを圧着機にセットして、8MPaで2分間、60-200℃に加熱しながら加圧した。加圧後、型を樹脂層から外した後、パターンを形成した樹脂層に対して、高精度平行露光機(オーク製作所)を用いて、露光量4000mJ/cm2で光を照射した。露光後、オーブン中で、室温から200℃まで2.8℃/minで昇温させた後、200℃で1時間の加熱により、樹脂層を熱硬化させた。
<Evaluation of pattern retention>
Similar to the evaluation of pattern formation, an imprinting resin film was laminated on the test substrate. Next, after peeling off the support film, the resin layer was placed on a silicon mold together with the test substrate, and these were set in a crimping machine and pressurized while heating at 60-200 ° C. for 2 minutes at 8 MPa. . After pressurization, the mold was removed from the resin layer, and then the resin layer on which the pattern was formed was irradiated with light at an exposure amount of 4000 mJ / cm 2 using a high-precision parallel exposure machine (Oak Seisakusho). After the exposure, the temperature was raised from room temperature to 200 ° C. at 2.8 ° C./min in an oven, and then the resin layer was thermally cured by heating at 200 ° C. for 1 hour.
硬化した樹脂層(硬化膜)を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、下記の基準に基づいてパターン保持性を評価した。
A:樹脂層が溶融していない。
B:溶融による形状変化が観察される。
The cured resin layer (cured film) was observed using a scanning electron microscope, and pattern retention was evaluated based on the following criteria.
A: The resin layer is not melted.
B: Shape change due to melting is observed.
表2に評価結果を示す。インプリント前の光照射により、樹脂層と型との密着性が低化し,優れたパターン形成性が得られることが確認された。また、熱硬化前の光照射により、樹脂層中の架橋反応を進行して、熱硬化後にも良好なパターンが保持されることも確認された。図4は、実施例1において形成されたパターンを有する樹脂層の熱硬化後の電子顕微鏡写真である。 Table 2 shows the evaluation results. It was confirmed that the light irradiation before imprinting reduced the adhesion between the resin layer and the mold, and resulted in excellent pattern formability. It was also confirmed that a good pattern was maintained even after thermosetting by proceeding with a crosslinking reaction in the resin layer by light irradiation before thermosetting. FIG. 4 is an electron micrograph of the resin layer having the pattern formed in Example 1 after thermosetting.
一方、比較例のように、インプリント前の光照射を行わなかった場合、樹脂層と型との密着性が過度に大きいため、型押しを行った後、型が樹脂層から剥がれないという結果となった。また、インプリント後、光照射を行わずに熱硬化を行った場合には、熱による軟化が起こり、形状を保持することが難しいことが確認された。図5は、比較例1において形成されたパターンを有する樹脂層の熱硬化後の電子顕微鏡写真である。 On the other hand, as in the comparative example, when the light irradiation before imprinting was not performed, the adhesiveness between the resin layer and the mold was excessively large, and thus the mold was not peeled off from the resin layer after the mold was pressed. It became. In addition, it was confirmed that, after imprinting, when thermosetting was performed without light irradiation, heat softening occurred and it was difficult to maintain the shape. FIG. 5 is an electron micrograph of the resin layer having the pattern formed in Comparative Example 1 after thermosetting.
1…基板、5…型、10…パターンを有する樹脂層(硬化膜)、10a…樹脂層、10b…パターンを有する樹脂層、11…層間絶縁膜、12…Al配線層、13…絶縁層、14…表面保護層、15…パッド部、16…再配線層、17…導電性ボール、18…コア、19…カバーコート層、20…バリアメタル、21…カラー、22…アンダーフィル、23…シリコンチップ、100…半導体装置(電子部品)。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 5 ... Mold, 10 ... Resin layer (cured film) having a pattern, 10a ... Resin layer, 10b ... Resin layer having a pattern, 11 ... Interlayer insulating film, 12 ... Al wiring layer, 13 ... Insulating layer, DESCRIPTION OF SYMBOLS 14 ... Surface protective layer, 15 ... Pad part, 16 ... Redistribution layer, 17 ... Conductive ball, 18 ... Core, 19 ... Cover coat layer, 20 ... Barrier metal, 21 ... Collar, 22 ... Underfill, 23 ... Silicon Chip, 100... Semiconductor device (electronic component).
Claims (8)
光を照射された前記樹脂層に凹凸パターンを有する型を押し当てて、前記凹凸パターンに対して反転したパターンを前記樹脂層に形成させる工程と、
パターンを形成した前記樹脂層から前記型を外す工程と、
を備える、パターンを有する樹脂層を製造する方法。 Irradiating the resin layer made of the resin composition with light;
A step of pressing a mold having a concavo-convex pattern on the resin layer irradiated with light to form a pattern reversed on the concavo-convex pattern on the resin layer;
Removing the mold from the resin layer on which a pattern is formed;
A method for producing a resin layer having a pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012201712A JP2014056975A (en) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | Method for manufacturing resin layer having pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012201712A JP2014056975A (en) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | Method for manufacturing resin layer having pattern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014056975A true JP2014056975A (en) | 2014-03-27 |
Family
ID=50614046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012201712A Pending JP2014056975A (en) | 2012-09-13 | 2012-09-13 | Method for manufacturing resin layer having pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014056975A (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007069462A (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tdk Corp | Method for forming mask and method for producing information recording medium |
JP2007245684A (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacturing process of replica mold |
JP2009073958A (en) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | Curable composition for photo-nanoimprint lithography, cured product producing method using it, and cured product |
WO2011020727A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Basf Se | Apparatus and method for a sub microscopic and optically variable image carrying device |
JP2011238721A (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toray Eng Co Ltd | Imprint processing apparatus, imprint processing method, and imprint processed object |
WO2012022561A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor |
JP2012156357A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Asahi Glass Co Ltd | Production method of molding having fine pattern on surface |
-
2012
- 2012-09-13 JP JP2012201712A patent/JP2014056975A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007069462A (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Tdk Corp | Method for forming mask and method for producing information recording medium |
JP2007245684A (en) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacturing process of replica mold |
JP2009073958A (en) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | Curable composition for photo-nanoimprint lithography, cured product producing method using it, and cured product |
WO2011020727A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | Basf Se | Apparatus and method for a sub microscopic and optically variable image carrying device |
JP2011238721A (en) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toray Eng Co Ltd | Imprint processing apparatus, imprint processing method, and imprint processed object |
WO2012022561A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-23 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method for imprint lithography and apparatus therefor |
JP2012156357A (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Asahi Glass Co Ltd | Production method of molding having fine pattern on surface |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6557755B2 (en) | Composition containing vinyl group-containing compound | |
JP6379458B2 (en) | Method for producing resin layer having pattern, and resin composition used therefor | |
TWI491987B (en) | A negative photosensitive resin composition, a hardened embossed pattern, and a semiconductor device | |
JP6378012B2 (en) | Composition containing vinyl group-containing compound | |
JP5315106B2 (en) | Alkali-soluble resin, method for producing the same, and photosensitive resin composition using alkali-soluble resin | |
TW200846824A (en) | Curing composition for photonano-imprinting lithography and pattern forming method by using the same | |
JPWO2012176694A1 (en) | Negative photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, insulating film, color filter, and display device | |
JP5133658B2 (en) | Photosensitive resin composition for black matrix, cured product and color filter using the same | |
JP2009258471A (en) | Photosensitive resin composition film and method for forming resist using the same | |
JP5887867B2 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film using the same, and electronic component using the same | |
JP2010256532A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method of forming resist pattern using the same | |
TW201122074A (en) | Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive sheet and semiconductor device using the same | |
JP2008156613A (en) | Alkali-soluble resin, method for production thereof, and photosensitive resin composition using the same, cured product and color filter | |
JP5305502B2 (en) | Functional element, negative photosensitive resin composition used therefor, and method for producing functional element | |
JP2010151946A (en) | Photosensitive resin composition and photosensitive element | |
WO2013077358A1 (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive resin film produced using said composition, and electronic component produced using said composition or said film | |
TWI824035B (en) | Resin composition, cured film, laminate, cured film manufacturing method, and semiconductor element | |
JP5078648B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP6330269B2 (en) | Method for producing a resin layer having a pattern | |
JP5875209B2 (en) | Thermosetting resin composition | |
JP2014056975A (en) | Method for manufacturing resin layer having pattern | |
US20200041900A1 (en) | Photosensitive resin composition, cured pattern production method, cured product, interlayer insulating film, cover coat layer, surface protective layer, and electronic component | |
JP6446788B2 (en) | Hollow structure, method for manufacturing the same, and electronic component having hollow structure | |
JP2014074774A (en) | Photosensitive resin composition, photosensitive film and substrate with built-in component using the same | |
JPH10195294A (en) | Photosensitive resin composition |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160624 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161108 |