JP2014017474A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウォームホワイト（warm white）を具現し、光効率や光抽出効率を向上し、固定性を向上させる発光装置を提供する。
【解決手段】基板３の上に配置され、第１主波長領域の光を生成する第１発光素子７と、第１発光素子と離隔して基板の上に配置され、第１主波長領域とは異なる第２主波長領域の光を生成する第２発光素子１０と、第１及び第２発光素子を囲むように配置された透光層２９と、透光層の上に配置され、第１主波長領域の光及び前記第２主波長領域の光のうち、少なくとも１つを第１主波長領域および第２主波長領域とは異なる第３主波長領域の光に変換する波長変換層１８と、波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層１３を含み、第１及び第２発光素子のうちの１つは第１屈折率を有し、第１透光層は第２屈折率を有し、媒質層は第３屈折率を有し、波長変換層は第４屈折率を有し、第１乃至第４屈折率は互いに相異する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。
発光素子（light emitting device）、発光素子が採用された発光パッケージ（light emitting package）、または発光素子若しくは発光パッケージが採用された発光装置に対する研究が活発に進められている。
発光素子は、例えば半導体物質で形成されて電気エネルギーを光エネルギーに変換する半導体発光素子である。
半導体発光素子は、蛍光灯、白熱灯などのような既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の長所を有する。これによって、既存の光源を半導体発光素子に取り替えるための多くの研究が進められている。
併せて、半導体発光素子は、室内外で使われる各種ランプまたは街灯のような照明装置の光源、または液晶表示装置と電光板のような表示装置の光源として広く応用されている。
このような光源に使われるために、半導体発光素子、発光パッケージ、または発光装置は、白色の光を生成しなければならない。
このような白色光を生成する発光装置は、照明装置として街灯、液晶表示装置のバックライト、屋外広告板などに広く採用される。
本発明の目的は、ウォームホワイト（warm white）を具現できる発光装置を提供することである。
本発明の他の目的は、光効率（light efficiency）を向上させることができる発光装置を提供することである。
本発明の更に他の目的は、光抽出効率（light extraction efficiency）を向上させることができる発光装置を提供することである。
本発明の更に他の目的は、固定性を向上させることができる発光装置を提供することである。
本発明によれば、発光装置は、サブマウント、前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１光源、前記第１光源と離隔して前記サブマウントの上に配置され、６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの第２主波長領域の光を生成する第２光源、前記第１及び第２光源を囲むように配置された第１透光層、前記第１透光層の上に配置され、前記第１主波長領域の光及び前記第２主波長領域の光のうち、少なくとも１つを５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層、及び前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層を含み、前記第１及び第２光源のうちの１つは第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、前記第１乃至第４屈折率は互いに相異する。
本発明によれば、発光装置は、サブマウント、前記サブマウントの上に配置される多数の第１発光パッケージ、前記サブマウントの上に配置され、前記第１発光パッケージから離隔する多数の第２発光パッケージ、及び前記第１及び第２発光パッケージを囲み、前記サブマウントの上に配置される第２透光層を含み、前記第１発光パッケージは、前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１発光素子、前記第１発光素子を囲むように配置された第１透光層、前記第１透光層の上に配置され、前記第１主波長領域の光を５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層、及び前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層を含み、前記第１発光素子は第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、前記第１乃至第４屈折率は互いに相異する。
実施形態によれば、発光装置は、サブマウント、前記サブマウントの上に配置される多数の発光パッケージ、及び前記発光パッケージを囲み、前記サブマウントの上に配置される第２透光層を含み、前記発光パッケージは、前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１発光素子、前記サブマウントの上に配置され、前記第１発光パッケージから離隔し、６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの第２主波長領域の光を生成する多数の第２発光素子、前記第１及び第２発光素子を囲むように配置された第１透光層、前記第１透光層の上に配置され、前記第２主波長領域の光のうち、少なくとも１つを５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層、及び前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層を含み、前記第１発光素子は第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、前記第１乃至第４屈折率は互いに相異する。
本発明の様々な実施形態によれば、第１主波長領域の光を生成する第１光源、第２主波長領域の光を生成する第２光源、そして第１主波長領域の光または第２主波長領域の光から第３主波長領域の光を生成する波長変換層からなる構成によりウォームホワイト（warm white）光を容易に具現することができる。
本発明の様々な実施形態によれば、波長変換層に多数のホールや多数の溝（groove）を形成することによって、光抽出効率を向上させることができる。
本発明の様々な実施形態によれば、透光層が発光素子を囲む一方、基板の上に付着されることによって、発光素子の脱着を遮断するか、発光素子の汚染または腐食を防止することができる。
本発明の様々な実施形態によれば、第２発光素子に隣接した第１発光素子の側面に接するように拡散層を配置することができる。これによって、第１発光素子の側面に進行する第１主波長領域の光が第２発光素子に到達できないようにし、第１発光素子または第２発光素子から生成されて波長変換層により下方に反射された光をまた上方に反射させることによって、第１主波長領域の光損失を最小化して光効率を向上させることができる。
本発明の様々な実施形態によれば、演色指数が高く、２５００Ｋ乃至４０００Ｋの色温度（color temperature）を有するウォームホワイト光を生成することができる。
本発明の第１実施形態に従う発光装置を示す断面図。 第１及び第２発光素子の上に媒質層が配置される場合の光の進行経路を示す図。 本発明の第１実施形態において、第１及び第２発光素子と媒質層との間に透光層が配置される場合の進行経路を示す図。 本発明の第１実施形態において、媒質層及び波長変換層との間での光の進行経路を示す図。 図１の発光素子の配列を示す第１例示図。 図１の発光素子の配列を示す第２例示図。 図１の発光素子の配列を示す第３例示図。 本発明の第２実施形態に従う発光装置を示す断面図。 図８の波長変換層を示す平面図。 本発明の第３実施形態に従う発光装置を示す断面図。 本発明の第４実施形態に従う発光装置を示す断面図。 本発明の第４実施形態における光の進行形態を示す図。 本発明の第５実施形態に従う発光装置を示す断面図。 本発明の第６実施形態に従う発光装置を示す断面図。 図１４の第１発光パッケージを示す第１例示図。 図１４の第１発光パッケージを示す第２例示図。 図１４の第１発光パッケージを示す第３例示図。 図１４の第２発光パッケージを示す断面図。 図１４の発光パッケージの配列を示す第１例示図。 図１４の発光パッケージの配列を示す第２例示図。 図１４の発光パッケージの配列を示す第３例示図。 本発明の第７実施形態に従う発光装置を示す断面図。 図２２の発光パッケージを示す第１例示図。 図２２の発光パッケージを示す第２例示図。 図２２の発光パッケージを示す第３例示図。 図２２の発光パッケージを示す第４例示図。
本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
以下、添付した図面を参照して実施形態を説明すれば、次の通りである。図面で各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示されている。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを必ずしも正確に反映するものではない。
以下の説明で、基板やボディーは当業者に広く知られたサブマウント（submount）と命名され、発光素子または発光パッケージは光源（light source）または発光源（light emitting source）と命名できる。
白色光のうち、ウォームホワイト光は２５００Ｋ乃至４０００Ｋの色温度（color temperature）を有することができる。
現在、最適のウォームホワイト光を生成するための発光装置が活発に研究されている。
通常的に、演色指数（ＣＲＩ：Color Rendering Index）の値が高いほど自然光に近づくことができる。
より高い演色指数の値を得るために、例えば互いに相異する２つ以上の波長領域を有する光源が採用されることもある。
以下、演色指数が高く、２５００Ｋ乃至４０００Ｋの色温度（color temperature）を有するウォームホワイト光を生成するための発光装置を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
図１を参照すると、第１実施形態に従う発光装置１は、基板３、多数の第１及び第２発光素子７、１０、透光層（transparent layer）２９、媒質層（medium layer）１３、及び波長変換層（wavelength conversion layer）１８を含むことができる。
前記基板３は、ベース基板の上に導電体（electric conductor）が配置され、その上に絶縁体（insulator）が配置される構造を有することができるが、これに対しては限定するものではない。前記絶縁体は、例えば絶縁性を有する樹脂系列物質（resin-based material）で形成できるが、これに対して限定するものではない。前記導電体は、電気導電性を有する金属物質で形成できるが、これに対して限定するものではない。前記導電体は、正（＋）電源が供給される第１導電体及び負（−）電源が供給される第２導電体を含むことができる。前記第１及び第２導電体は、第１及び第２発光素子７、１０の各々に電気的に連結できる。
前記基板３は、印刷回路基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）、メタルコア（metal core）ＰＣＢ（printed circuit board）、軟性（flexible）ＰＣＢ、またはセラミックＰＣＢを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
前記基板３は、前記絶縁体の上に配置され、反射性能に優れる反射材質で形成された反射層がさらに含まれることができるが、これに対して限定するものではない。
前記基板３の上に多数の第１発光素子７及び多数の第２発光素子１０が配置できる。
前記多数の第１発光素子７及び前記多数の第２発光素子１０は、前記基板３の上に互いに離隔するように配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１及び第２発光素子７、１０は、接着剤（図示せず）を用いて前記基板３の上に付着できる。前記第１及び第２発光素子７、１０の各々は、ワイヤボンディング、フリップチップボンディングなどを用いて第１及び第２導電体に電気的に連結できるが、これに対して限定するものではない。
前記多数の第１発光素子７は第１主波長領域の光が生成できる第１光源であり、前記多数の第２発光素子１０は第２主波長領域の光が生成できる第２光源であるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記第１主波長領域は４００ｎｍ至５００ｎｍの範囲を有し、前記第２主波長領域は６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの範囲を有することができるが、これに対して限定するものではない。
このような場合、前記波長変換層１８はイエローホワイト（yellowish white）を生成するために第１主波長領域の光または／及び第２主波長領域の光を第３主波長領域の光に変換してくれる役割をすることができる。前記第３主波長領域は５００ｎｍ乃至６００ｎｍであるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記第１主波長領域は４５０ｎｍのピークを有し、前記第２主波長領域は６１５ｎｍのピークを有し、前記第３主波長領域は５５０ｎｍ乃至５６０ｎｍの範囲のピークを有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記第１主波長領域の光、前記第２主波長領域の光、及び前記第３主波長領域の光の混合（mixing）によりウォームホワイト光（warm white light）が生成できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１及び第２発光素子７、１０は、少なくとも第１導電型半導体層、活性層、及び第２導電型半導体層を含むことができるが、これに対して限定するものではない。前記第１導電型半導体層、前記活性層、及び前記第２導電型半導体層は、発光構造物と命名できるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記活性層は前記第１導電型半導体層の上に配置され、前記第２導電型半導体層は前記活性層の上に配置できる。
前記第１導電型半導体層、前記活性層、及び前記第２導電型半導体層は、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材質で形成できる。例えば、前記第１導電型半導体層、前記活性層、及び前記第２導電型半導体層は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、及びＡｌＩｎＮからなるグループから選択された少なくとも１つを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
前記ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材質は、２．１乃至３．５の屈折率を有することができるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記第１導電型半導体層はｎ型ドーパントを含むｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層であるが、これに対して限定するものではない。前記ｎ型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどを含み、前記ｐ型ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むが、これに対して限定するものではない。
前記活性層は、前記第１導電型半導体層を通じて注入される第１キャリア、例えば電子と前記第２導電型半導体層を通じて注入される第２キャリア、例えば正孔が互いに結合されて、前記活性層の形成物質に従うエネルギーバンドギャップ（energy bandgap）の差に相応する波長を有する光を放出することができる。
前記活性層は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）、量子点構造、または量子線構造のうち、いずれか１つを含むことができる。前記活性層は、井戸層と障壁層とを一周期にして井戸層と障壁層とが繰り返して形成できる。前記井戸層と障壁層との反復周期は、発光素子の特性によって変形可能であるので、これに対して限定するものではない。
前記活性層は、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの周期、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮの周期、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮの周期などに形成できる。前記障壁層のバンドギャップは、前記井戸層のバンドギャップより大きく形成できる。
図示してはいないが、前記第２導電型半導体層の上に前記第１導電型半導体層と同一な導電型ドーパントを含む第３導電型半導体層が配置できる。
図示してはいないが、前記第１導電型半導体層に接するように第１電極が配置され、前記第２導電型半導体層または前記第３導電型半導体層に接するように第２電極が配置できる。
前記第１及び第２発光素子７、１０は、電極の配置方向によって、水平型構造、フリップチップ型構造、及び垂直型構造のうち、１つを含むことができる。
前記水平型構造や前記フリップチップ型構造では、前記第１電極は前記第１導電型半導体層の上に配置され、前記第２電極は前記第２導電型半導体層の上に配置できる。言い換えると、前記水平型構造や前記フリップチップ型構造では、前記第１及び第２電極が同一方向に向けて配置できる。
前記垂直型構造では、前記第１電極は前記第１導電型半導体層の上に配置され、前記第２電極は前記第２導電型半導体層の下に配置できる。言い換えると、前記垂直型構造は、前記第１及び第２電極が互いに反対方向に向けて配置され、前記第１及び第２電極の一部が少なくても重畳されるように配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光素子７及び前記第２発光素子１０は、図５乃至図７のように多様な配列構造を有することができるが、これに対して限定するものではない。
図５に示すように、第１及び第２発光素子７、１０がジグザグ形状に配列できる。
第１発光素子７は、奇数番目の行では奇数番目の列に配置され、偶数番目の行では偶数番目の列に配置できる。即ち、前記第１発光素子７は各行毎に奇数番目の列と偶数番目の列に交互に配置できるが、これに対して限定するものではない。
第２発光素子１０は、奇数番目の行では偶数番目の列に配置され、偶数番目の行では奇数番目の列に配置できる。即ち、前記第２発光素子１０は、各行毎に偶数番目の列と奇数番目の列に交互に配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１及び第２発光素子７、１０は、上面視して、図５に示すように、四角形状に形成されるか、図６に示すように、三角形状に形成されるか、図７に示すように、六角形状に形成できる。図示してはいないが、前記第１及び第２発光素子７、１０は、円形状、楕円形状、菱形状、四角形状を含む多角形状などを含むことができるが、これに対して限定するものではない。
図６に示すように、前記第１及び第２発光素子７、１０は、上面視して、三角形状に形成され、互いに交互に配置できる。前記第１発光素子７の一側面と前記第２発光素子１０の一側面とは互いに対向するように配置できるが、これに対して限定するものではない。
図７に示すように、前記第１発光素子７は、上面視して六角形状に形成され、前記第１発光素子７の六角形状の各側面に一側面が対向するように多数の第２発光素子１０が配置できる。
併せて、前記第２発光素子１０は、上面視して六角形状に形成され、前記第２発光素子１０の六角形状の各側面に一側面が対向するように多数の第１発光素子７が配置できる。
例えば、六角形状の第１発光素子７を囲むように多数の第２発光素子１０が配置され、前記六角形状の第１発光素子７と隣接して更に他の六角形状の第２発光素子１０が配置され、前記第２発光素子１０を囲むように多数の第１発光素子７が配置できる。言い換えると、六角形状の第１及び第２発光素子７、１０が交互に配置され、六角形状の第１発光素子７の周囲には多数の第２発光素子１０が配置され、六角形状の第２発光素子１０の周囲には多数の第１発光素子７が配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記六角形状の第１発光素子７、または第２発光素子１０を囲む多数の第２発光素子１０、または第１発光素子７は四角形状に形成できるが、これに対して限定するものではない。
図１を参照すると、前記第１及び第２発光素子７、１０を囲むように前記基板３の上に透光層２９が配置できる。
言い換えると、前記透光層２９は、前記第１及び第２発光素子７、１０の間及び／または前記第１及び第２発光素子７、１０の上に配置できる。
前記透光層２９が前記第１及び第２発光素子７、１０を囲む（surround）一方、前記基板３の上に付着（attach）されることによって、前記第１及び第２発光素子７、１０がより強く基板に固定（fix）されて、前記第１及び第２発光素子７、１０が激しい衝撃により脱着（detach）されることを遮断するだけでなく、前記第１及び第２発光素子７、１０が媒質層１３の空気により汚染または腐食（erode）されることを防止することができる。
前記透光層２９は、１．４乃至２．０の屈折率を有することができる。前記透光層２９の屈折率は、前記第１及び第２発光素子の屈折率より０．１乃至１．５に低くなることができる。
前記透光層２９は、接着性と熱伝導性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂またはエポキシ（epoxy）系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記シリコン系列樹脂の屈折率は１．４５乃至１．６０であり、エポキシ系列樹脂の屈折率は１．５であることがあるが、これに対して限定するものではない。
図２は、第１及び第２発光素子の上に媒質層が配置される場合に光の進行経路を示す図である。
図２に示すように、前記第１及び第２発光素子７、１０と媒質層１３との間に透光層２９が配置されない場合、言い換えると、前記第１及び第２発光素子７、１０の上に媒質層１３が直接接する場合、前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の屈折率差（ｎ１−ｎ３）が大きく、また屈折率（ｎ１）の大きい第１及び第２発光素子７、１０から屈折率（ｎ３）の低い媒質層１３に光が進行されるので、前記第１及び第２発光素子７、１０から生成された光は前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の境界面９で全反射によって前記第１及び第２発光素子７、１０の内部に反射できる。
通常的に、屈折率の大きい媒質１から屈折率の低い媒質２に光が進行され、媒質１と媒質２との間の屈折率差が大きい場合、媒質１の光は媒質２に入射できず、媒質１に全反射される確率が大きくなる。
前記媒質層１３が、例えば空気の場合、空気の屈折率（ｎ３）は１．０００３でありうる。このような場合、前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の屈折率差（ｎ１−ｎ３）は１．０９９７乃至１．８９９７でありうる。
したがって、前記第１及び第２発光素子７、１０から生成された光が媒質層１３に出射できなくて光抽出効率の減少により光効率が低下することがある。
このような問題を解決するために、第１実施形態では、第１及び第２発光素子７、１０と媒質層１３との間の屈折率差（ｎ１−ｎ３）を緩衝するために、第１及び第２発光素子７、１０と媒質層１３との間に透光層２９が配置できる。
前記透光層２９の屈折率（ｎ２）は、前記第１及び第２発光素子７、１０の屈折率（ｎ１）よりは小さく、前記媒質層１３の屈折率（ｎ３）よりは大きいことがあるが、これに対して限定するものではない。即ち、前記透光層２９の屈折率（ｎ２）は前記第１及び第２発光素子７、１０の屈折率（ｎ１）と前記媒質層１３との間でありうる。
例えば、前記透光層２９の屈折率（ｎ２）は１．４乃至１．６の範囲を有することができるが、これに対して限定するものではない。
図３は、本発明の第１実施形態において、第１及び第２発光素子７、１０と媒質層１３との間に透光層２９が配置される場合の進行経路を示す図である。
例えば、図３に示すように、前記透光層２９が前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の屈折率差を緩衝することによって、前記第１及び第２発光素子７、１０から生成された光が前記透光層２９を経由して前記媒質層１３に容易に入射できる。
言い換えると、前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の屈折率差（ｎ１−ｎ３）より前記第１及び第２発光素子７、１０と前記透光層２９との間の屈折率差（ｎ１−ｎ２）が小さいので、前記第１及び第２発光素子７、１０の光が前記透光層２９に容易に入射できる。併せて、前記第１及び第２発光素子７、１０と前記媒質層１３との間の屈折率差（ｎ１−ｎ３）より前記透光層２９と前記媒質層１３との間の屈折率差（ｎ２−ｎ３）が小さいので、前記透光層２９の光が前記媒質層１３に容易に入射できる。したがって、前記第１及び第２発光素子７、１０の光は前記透光層２９の屈折率の緩衝により前記媒質層１３に一層容易に入射されるので、光抽出効率の増加により光効率が向上できる。
前記透光層２９は、上面視して円形状または楕円形状を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層２９は、側面視して、半球形状を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層２９は、第１半径（Ｒ１）の曲率を有する半球形状を有することができる。前記第１半径（Ｒ１）は前記透光層２９の中心、即ち前記基板３の中心から前記透光層２９の上面までの距離として定義できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層２９の背面は前記基板３と前記第１及び第２発光素子７、１０に接するように配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記媒質層１３の上に波長変換層１８が配置できる。前記波長変換層１８は前記第１及び第２発光素子７、１０から空間的に離隔するように配置され、基板３に固定または付着できる。
図示してはいないが、前記波長変換層１８は接着剤を用いて前記基板３に付着できるが、これに対して限定するものではない。前記接着剤は、例えば熱伝導性に優れて、接着性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂またはエポキシ（epoxy）系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、光経路差の発生を抑制して光の損失を防止し、光効率を向上させるために半球型キャップで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、第２半径（Ｒ２）の曲率を有する半球型キャップを有することができる。
前記第２半径（Ｒ２）は、前記波長変換層１８の中心、即ち前記基板３の中心から前記波長変換層１８までの距離として定義できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、第２半径（Ｒ２）の曲率を有するので、前記基板３の中心付近に配置された第１及び第２発光素子７、１０から生成された光が前記波長変換層１８に到達する光経路が同一である。このように、前記第１及び第２発光素子７、１０と前記波長変換層１８との間の光経路が同一であるので、光損失が発生されないので、光効率が向上できる。
しかしながら、第１実施形態の波長変換層１８は半球型キャップに限定されず、設計者の設計変更によって他の形状に変形可能である。
もし、前記透光層２９が上面視して、楕円形状を有する場合、前記媒質層１３及び前記波長変換層１８も楕円形状を有することができるが、これに対して限定するものではない。このような場合、前記透光層２９、前記媒質層１３、及び前記波長変換層１８は、短軸と長軸を有することができる。前記第１半径（Ｒ１）は前記透光層２９の短軸に適用され、前記第２半径（Ｒ２）は前記波長変換層１８の短軸に適用できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、前記第１発光素子７から生成された第１主波長領域の光または前記第２発光素子１０から生成された第２主波長領域の光を第３主波長領域の光に変換してくれる役割をすることができる。
前記波長変換層１８は、透光膜１７に多数の波長変換粒子１６が混合されて形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換粒子１６は単一波長変換粒子を含むこともでき、互いに相異する少なくとも２つ以上の波長変換粒子を含むことができる。
例えば、前記波長変換粒子１６は第１及び第２波長変換粒子を含むことができる。前記第１及び第２波長変換粒子は互いに相異する種類を有することができる。
前記透光膜１７は、例えば、光の透光性、熱に対する耐久性、及び熱伝導性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂、エポキシ（epoxy）系列樹脂、ポリカーボネート（polycarbonate）系列樹脂及び／またはガラスからなるグループから選択された１つで形成できるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記シリコン系列樹脂の屈折率は１．４５乃至１．６０であり、エポキシ系列樹脂の屈折率は１．５であり、前記ポリカーボネート（polycarbonate）系列樹脂の屈折率は１．５９であり、前記ガラスの屈折率は１．８９であることがあるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換粒子１６は、例えば蛍光物質で形成された蛍光体であることがあるが、これに対して限定するものではない。
前記蛍光物質には、ＹＡＧ系列物質やＴＡＧ系列物質が使用できるが、これに対して限定するものではない。例えば、ＹＡＧ系列物質には、ＹＡＧ：Ｃｅが使われることができ、ＴＡＧ系列物質にはＴＡＧ：Ｔｂが使われることができる。
また、前記蛍光物質にはシリケート（silicate）系列物質が使用できる。前記シリケート系列物質にはＳｒ４−ｘＭｇｙＢａｚＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ2+ ｘ（０＜ｘ＜１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）またはＳｒ３−ｘＳｉＯ５：Ｅｕ２＋ ｘ（０＜ｘ≦１）が使用できるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記波長変換粒子１６は、ＹＡＧ系列物質、ＴＡＧ系列物質及び／またはシリケート物質のうち、少なくとも１つ以上の物質が蛍光体として前記透光膜１７に分散配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換粒子１６は前記透光膜１７の内にランダムに分散配置できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換粒子１６は、前記第１発光素子７から生成された第１主波長領域の光を第３主波長領域の光に変換するか、前記第２発光素子１０から生成された第２主波長領域の光を第３主波長領域の光に変換することができるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光素子７から生成された第１主波長領域の光は、前記波長変換層１８の透光膜１７をそのまま通過するか、前記波長変換粒子１６により第３主波長領域の光に変換できる。
前記第２発光素子１０から生成された第２主波長領域の光は前記波長変換層１８の透光膜１７をそのまま通過するか、前記波長変換粒子１６により第３主波長領域の光に変換できる。
したがって、前記波長変換層１８を通じて出射された第１主波長領域の光、第２主波長領域の光、及び第３主波長領域の光が混合されてウォームホワイト（warmwhite）の光が生成できる。
図示してはいないが、前記透光膜１７には前記波長変換粒子１６の他に拡散粒子（dispersion particles）がさらに分散配置されることもできるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子には、酸化チタニウム（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つが使用できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子が前記透光膜１７に配置されることによって、前記波長変換層１８の光が散乱（scatter）または分散（disperse）されて、前記波長変換層１８の上の外部に出射されるようになって、光抽出効率をより向上させることができる。
前記波長変換層１８、具体的に透光膜１７は、前記媒質層１３の光がより容易に入射されるようにする一方、前記波長変換層１８の内の光が前記媒質層１３に再入射されないようにすることができる。
即ち、前記波長変換層１８の屈折率は前記媒質層１３の屈折率より大きい値を有することができる。
例えば、前記波長変換層１８の屈折率は１．４乃至２．０の範囲を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８の屈折率は、前記透光層２９の屈折率と同一または相異することができる。
前記波長変換層１８の屈折率は、前記透光層２９の屈折率と等しいか大きい値を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、前記透光層２９と同一な物質で形成できるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記波長変換層１８が前記透光層２９に接して配置される場合であれば、前記波長変換層１８と前記透光層２９との屈折率が類似しているので、前記透光層２９の光が前記波長変換層１８に入射されるよりは、前記波長変換層１８により反射されて前記透光層２９の内部に再入射される確率が高まることができる。
このような場合、前記波長変換層１８が前記媒質層１３を挟んで前記透光層２９から離隔するように配置されれば、前記透光層２９から前記媒質層１３に入射された光は前記媒質層１３の屈折率より非常に大きい屈折率を有する波長変換層１８に容易に入射できる。したがって、このような構造により前記波長変換層１８への光の入射確率を格段に高めることによって、前記波長変換層１８で波長変換効率を極大化することができる。
前記透光層２９と前記波長変換層１８との間に媒質層１３が配置できる。
前記媒質層１３の屈折率は前記透光層２９の屈折率より小さいし、前記波長変換層１８の屈折率より小さいことがあるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記媒質層１３の屈折率は１乃至１．３を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記媒質層１３は真空媒質、空気及び／または液体炭酸（liquid carbon dioxide）からなるグループから選択された１つであることがあるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記真空媒質の屈折率は１．００であり、前記空気の屈折率は１．０００３であり、前記液体炭酸の屈折率は１．２でありうる。
前述したように、前記媒質層１３の屈折率が前記波長変換層１８の屈折率より小さいので、前記媒質層１３の光は前記波長変換層１８に容易に入射できる一方、前記波長変換層１８の光は前記媒質層１３に入射されるよりは前記波長変換層１８と前記媒質層１３との境界面で全反射により前記波長変換層１８の内部に反射されることがより容易である。
したがって、前記波長変換層１８の下に前記媒質層１３が配置されることによって、前記媒質層１３の光をより容易に前記波長変換層１８に入射されるようにする一方、前記波長変換層１８の光が前記媒質層１３に入射されないようにすることで、前記波長変換層１８に一層多い光が存在するようにして、前記波長変換層１８の波長変換効率を極大化することができる。
前記媒質層１３は、側面視して半球形状を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前記媒質層１３により前記波長変換層１８が前記第１及び第２発光素子７、１０と離隔するので、前記第１及び第２発光素子７、１０の熱が前記波長変換層１８に伝達されないので、前記波長変換層１８の劣化を防止することができ、また前記第１及び第２発光素子７、１０の熱による波長変換層１８の内の波長変換粒子１６の波長変換特性の低下を防止することができる。
前記波長変換層１８は前記基板３に固定されるので、前記第１及び第２発光素子７、１０の熱が前記媒質層１３の空気を媒介にして前記波長変換層１８に伝達されても、前記波長変換層１８の熱は前記基板３を通じて外部に容易に放出できる。
図示してはいないが、前記波長変換層１８の上面は光抽出効率を向上させるためのラフニス構造（roughness structure）やテクスチャー（texture）を有することができるが、これに対して限定するものではない。
前述したように、前記透光層２９は第１半径（Ｒ１）を有しており、前記波長変換層１８は第２半径（Ｒ２）を有することができる。
したがって、前記媒質層１３は前記波長変換層１８の第２半径（Ｒ２）と前記透光層２９の第１半径（Ｒ１）との間の間隔（Ｄ）を有することができる。前記間隔（Ｄ）は０．５ｍｍ乃至５０ｍｍであるが、これに対して限定するものではない。
前記間隔（Ｄ）は、具体的に前記波長変換層１８の背面と前記透光層２９の上面との間の距離として定義できる。前記間隔（Ｄ）は、前記波長変換層１８の背面と前記透光層２９の上面との間の全領域で一定であるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層２９の上面と前記波長変換層１８の背面との間の全領域で前記透光層２９の上面と前記波長変換層１８の背面との間の間隔（Ｄ）が同一である時、前記透光層２９の上面から出射された光が前記波長変換層１８の背面に到達する光経路が同一であるので、光損失の防止によって光効率が向上できる。
図８は、本発明の第２実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
第２実施形態は、波長変換層１８に形成された多数のホール２３を除いては第１実施形態とほとんど似ている。
第２実施形態で第１実施形態と同一な機能を有する同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、詳細な説明は省略する。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態の同一内容がそのまま採用されることができ、第１実施形態の同一内容から容易に理解できる。
図８を参照すると、第２実施形態に従う発光装置１Ａは、基板３、多数の第１及び第２発光素子７、１０、透光層２９、媒質層１３、及び波長変換層１８を含むことができる。
前記波長変換層１８は半球型キャップで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は、相互間に離隔した多数のホール２３を含むことができる。
前記ホール２３は、前記波長変換層１８の背面と前記波長変換層１８の上面との間を貫通して形成できる。
前記多数のホール２３は前記波長変換層１８の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができるが、これに対して限定するものではない。
もし、前記多数のホール２３が前記波長変換層１８の全体面積対比３０％以上の場合、前記波長変換層１８で波長変換する面積が減るようになって波長変換効率が低下することがある。
一方、前記ホール２３の直径は同一または相異することができるが、これに対して限定するものではない。また、前記ホール２３の間の間隔は同一またはランダムであるが、これに対して限定するものではない。
したがって、前記第１及び第２発光素子７、１０から前記媒質層１３を経由して前記波長変換層１８のホール２３に到達した光は、前記ホール２３を通じて外部に出射できる。
第２実施形態は、波長変換層１８に多数のホール２３を形成することによって、光の抽出効率を向上させることができる。
図９に示すように、前記ホール２３は、上面視して円形状に形成できるが、これに対して限定するものではない。即ち、前記ホール２３は、三角形状、四角形状、星形状、菱形状などに形成されることもできる。
前記ホール２３のサイズまたは直径は、図９に示すように互いに同一であることもあるが、互いに同一でないこともある。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域のホール２３のサイズまたは直径は比較的小さいし、前記波長変換層１８の周辺領域のホール２３のサイズまたは直径は比較的大きいことがある。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域から前記波長変換層１８の周辺領域へ行くほど、ホール２３のサイズまたは直径が線形的に、または非線形的に大きくなることができる。光が比較的多く出射される波長変換層１８の中心領域よりは光が比較的少なく出射される波長変換層１８の周辺領域のホール２３のサイズを大きくして、波長変換層１８の周辺領域でより多い光が抽出されるようにすることができる。したがって、前記波長変換層１８の全領域で均一な光量が出射されるようにして、均一な光輝度を確保することができる。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域にはホール２３を形成せず、前記波長変換層１８の周辺領域にはホール２３を形成することもできる。
一方、前記媒質層１３が空気で形成される場合、前記波長変換層１８に形成されたホール２３により前記媒質層１３と外部との間に空気の循環が発生して前記媒質層１３の空気密度が可変されることもある。このような問題を解消するために、前記媒質層１３の代りに樹脂材質で形成された透光層が形成できる。即ち、前記基板３の上に前記第１及び第２発光素子７、１０を囲むように透光層が形成され、その上に透光層に接して波長変換層１８が配置できる。前記透光層の材質には、シリコン系列樹脂やエポキシ系列樹脂が使用できるが、これに対して限定するものではない。前記透光層の屈折率は前記透光層２９及び前記波長変換層１８より小さい屈折率を有することができる。例えば、前記媒質層１３が取り替えられた透光層の屈折率は１．１乃至１．３でありうる。
図１０は、本発明の第３実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
第３実施形態は、波長変換層１８に形成された多数の溝２６を除いては第１実施形態とほとんど似ている。
第３実施形態で第１実施形態と同一な機能を有する同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、詳細な説明は省略する。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態の同一内容がそのまま採用されることができ、第１実施形態の同一内容から容易に理解できる。
図１０を参照すると、第３実施形態に従う発光装置１Ｂは、基板３、多数の第１及び第２発光素子７、１０、透光層２９、媒質層１３、及び波長変換層１８を含むことができる。
前記波長変換層１８は半球型キャップで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記波長変換層１８は相互間に離隔した多数の溝（groove）２６を含むことができる。
前記溝２６は、前記波長変換層１８の上面から内部、即ち下方に凹まれた凹形状（concave shape）を有することができる。
前記溝２６の底面と前記波長変換層１８の背面との間には相変らず一定厚さを有する透光膜１７を有することができる。
前記溝２６の背面と前記波長変換層１８の背面との間の第１厚さは、前記波長変換層１８の上面と前記波長変換層１８の背面との間の第２厚さより小さいことがある。
または、図示してはいないが、前記溝２６は前記波長変換層１８の背面から内部、即ち上方に凹まれた凹形状を有することができる。
前記多数の溝２６は、前記波長変換層１８の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができるが、これに対して限定するものではない。
もし、前記多数の溝２６が前記波長変換層１８の全体面積対比３０％以上の場合、前記波長変換層１８で波長変換する面積が減るようになって波長変換効率が低下することがある。
第３実施形態は、波長変換層１８に多数の溝２６を形成することによって、光の抽出効率を向上させることができる。
前記溝２６は、上面視して円形状に形成できるが、これに対して限定するものではない。即ち、前記溝２６は、三角形状、四角形状、星形状、菱形状などに形成されることもできる。
前記溝２６は、前記波長変換層１８の上面から内部に凹むように形成できる。
前記溝２６のサイズまたは直径は互いに同一であるか、互いに同一でないこともある。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域の溝２６のサイズまたは直径は比較的小さいし、前記波長変換層１８の周辺領域の溝２６のサイズまたは直径は比較的大きいことがある。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域から前記波長変換層１８の周辺領域へ行くほど溝２６のサイズまたは直径が線形的に、または非線形的に大きくなることができる。光が比較的多く出射される波長変換層１８の中心領域よりは光が比較的少なく出射される波長変換層１８の周辺領域の溝２６のサイズを大きくして、波長変換層１８の周辺領域でより多い光が抽出されるようにすることができる。したがって、前記波長変換層１８の全領域で均一な光量が出射されるようにして、均一な光輝度を確保することができる。
例えば、前記波長変換層１８の中心領域には溝２６を形成せず、前記波長変換層１８の周辺領域には溝２６を形成することもできる。
一方、前記溝２６の深さは互いに同一であるか、互いに相異するように形成されることもできる。
例えば、前記波長変換層１８の周辺領域での溝２６の深さが前記波長変換層１８の中心領域での溝２６の深さより大きいように形成できる。
これとは反対に、前記波長変換層１８の中心領域での溝２６の深さが前記波長変換層１８の周辺領域での溝２６の深さより大きいように形成できる。
一方、図示してはいないが、前記溝２６の代りに突起が形成されることもできるが、これに対して限定するものではない。前記突起は前記波長変換層１８の上面から上方に突出するか、前記波長変換層１８の背面から下方に突出できる。
前記突起の形状、サイズ間隔などは、前記溝２６の説明から容易に理解できる。
図１１は、本発明の第４実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
第４実施形態は、基板３の上に第１及び第２発光素子７、１０の間に配置された拡散層３２を除いては第１実施形態とほとんど似ている。
第４実施形態で第１実施形態と同一な機能を有する同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、詳細な説明は省略する。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態の同一内容がそのまま採用されることができ、第１実施形態の同一内容から容易に理解できる。
図１１を参照すると、第４実施形態に従う発光装置１Ｃは、基板３、多数の第１及び第２発光素子７、１０、透光層２９、媒質層１３、及び波長変換層１８を含むことができる。
前記透光層２９と前記基板３との間に拡散層３２が配置できる。即ち、前記拡散層３２は前記透光層２９の背面と前記基板３の上面との間に配置できる。より詳しくは、前記拡散層３２の背面は前記基板３の上面と接し、前記拡散層３２の上面は前記透光層２９の背面と接することができるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散層３２は、前記第１及び第２発光素子７、１０の側面に接して形成できる。言い換えると、前記拡散層３２は前記基板３で前記第１及び第２発光素子７、１０が付着された領域（以下、‘第１領域’という）を除外した残りの領域（以下、‘第２領域’という）の上に配置できる。即ち、前記拡散層３２は前記基板３の前記第２領域の上に形成できる。
前記拡散層３２の側面は前記基板３に固定される前記波長変換層１８の内面に接することができる。
前記拡散層３２の上面は前記第１及び第２発光素子７、１０の上面と等しいか、より高いか、より低く位置できるが、これに対して限定するものではない。これによって、前記第１及び第２発光素子７、１０の側面の全領域は前記拡散層３２と接することができる。
例えば、前記拡散層３２の上面は前記第１及び第２発光素子７、１０の側面の高さの半分に位置できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散層３２は透光膜に多数の拡散粒子（dispersion particles）が混合されて形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光膜は、電気的絶縁性、熱に対する耐久性及び熱伝導性に優れるシリコン系列樹脂、ホワイトエポキシ系列樹脂、及び／またはＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）からなるグループから選択された１つで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子には、酸化チタニウム（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つが使用できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子は、第１発光素子７から生成された第１主波長領域（４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）の光に対する拡散特性に優れる材質でありうる。
通常的に、第１主波長領域（４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）の光は第２主波長領域（６００ｎｍ乃至６７０ｎｍ）の光を生成する第２発光素子１０に到達する場合、前記第１主波長領域の光が前記第２発光素子１０により吸収されて、前記第１主波長領域の光量が減る問題がある。
第４実施形態は、前記第１発光素子７の側面に接するように拡散層３２を配置することができる。したがって、第１発光素子７の側面に進行する第１主波長領域の光が前記拡散層３２により散乱、拡散、または反射されて前記第２発光素子１０に到達できなくなるので、第１発光素子７の第１主波長帯の光量を維持することができる。
図１２に示すように、第１発光素子７から生成された第１主波長領域の光または第２発光素子１０から生成された第２主波長領域の光は、前記媒質層１３を経由して前記波長変換層１８を通じて外部に出射されることもでき、前記波長変換層１８により反射されて媒質層１３を経由して下方に進行できる。
このように、下方に進行された光は、前記拡散層３２により散乱、拡散、または反射されて、また上方に進行できる。
第４実施形態は、前記第１及び第２発光素子７、１０から生成されて前記波長変換層１８により反射されて下方に進行された光が前記拡散層３２により上方に散乱、拡散、または反射されることによって、光が基板３などに吸収されて発生される光損失を最小化して、光効率を向上させることができる。
図１３は、本発明の第５実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
第５実施形態は、波長変換層１８の上に配置された透光層２０を除いては第１実施形態とほとんど似ている。
第５実施形態で第１実施形態と同一な機能を有する同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、詳細な説明は省略する。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態の同一内容がそのまま採用されることができ、第１実施形態の同一内容から容易に理解できる。
図１３を参照すると、第５実施形態に従う発光装置１Ｄは、基板３、多数の第１及び第２発光素子７、１０、透光層２９、媒質層１３、及び波長変換層１８を含むことができる。
前記波長変換層１８の上に透光層２０がさらに配置できる。
説明の便宜のために、透光層２９を第１透光層と命名し、透光層２０を第２透光層と命名することができる。
前記第２透光層２０の屈折率は少なくとも前記波長変換層１８の屈折率より小さい値を有することができる。
前記第２透光層２０は、例えば、光の透光性、熱に対する耐久性及び熱伝導性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂またはエポキシ（epoxy）系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記シリコン系列樹脂の屈折率は１．４５乃至１．６０であり、エポキシ系列樹脂の屈折率は１．５であることがあるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記波長変換層１８は１．８９の屈折率を有するガラスで形成され、前記第２透光層２０は１．５の屈折率を有するエポキシ系列樹脂で形成できる。
前記波長変換層１８が直接外部の大気圧と接する場合、前記波長変換層１８と前記大気圧との間の屈折率差が大きいので、前記波長変換層１８の光の外部への出射が容易でないことがある。
このような問題を解消するために、前記波長変換層１８と前記大気圧との間の屈折率差を緩衝するために前記波長変換層１８と前記大気圧との間の屈折率を有する第２透光層２０が配置できる。即ち、前記第２透光層２０の屈折率は前記波長変換層１８の屈折率より小さい値を有し、前記大気圧の屈折率は前記第２透光層２０の屈折率より小さい値を有することができる。したがって、前記波長変換層１８の光は前記第２透光層２０を経由して外部に容易に出射できる。
前記第２透光層２０は屈折率差の緩衝をより極大化するために多数の透光膜を含むことができる。このような場合、前記透光膜の屈折率は前記波長変換層１８から前記外部へ行くほど線形的に、または非線形的に小さくなることができる。
図１４は、本発明の第６実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
図１４を参照すると、第６実施形態に従う発光装置１Ｅは、基板３、多数の第１及び第２発光パッケージ４０、５０、及び透光層３４を含むことができる。
前記基板３は、第１実施形態で詳細に説明したので、これ以上の説明は省略する。前記基板３は第１実施形態の説明から容易に理解できる。
前記透光層３４は、図１５に図示した第１発光パッケージ４０の波長変換層４９の上に配置できる。
前記透光層３４は、図１３に図示した透光層２０のように、前記波長変換層４９より小さい屈折率を有することができる。
前記透光層３４は、接着性と熱伝導性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂またはエポキシ（epoxy）系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１及び第２発光パッケージ４０、５０は、前記基板３の上に接着剤を用いて付着できる。
前記第１発光パッケージ４０は第１主波長領域の光と第３主波長領域の光を生成するための第１光源であり、前記第２発光パッケージ５０は第２主波長領域の光を生成するための第２光源であることがあるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光パッケージ４０は、前記第１主波長領域の光を生成する第１発光素子と、前記第１主波長領域の光を前記第３主波長領域の光に変換する波長変換層とを含むことができる。前記第２発光パッケージ５０は、前記第２主波長領域の光を生成する第２発光素子を含むことができる。
例えば、前記第１主波長領域は４００ｎｍ乃至５００ｎｍであり、前記第２主波長領域は６００ｎｍ乃至６７０ｎｍであり、前記第３主波長領域は５００ｎｍ乃至６００ｎｍであるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記第１主波長領域は４５０ｎｍのピークを有し、前記第２主波長領域は６１５ｎｍのピークを有し、前記第３主波長領域は５５０ｎｍ乃至５６０ｎｍのピークを有することができるが、これに対して限定するものではない。
したがって、第６実施形態に従う発光装置１Ｄは、前記第１発光パッケージ４０で生成された第１主波長領域の光及び第３主波長領域の光、そして前記第２発光パッケージ５０で生成された第２主波長領域の光の混合によりウォームホワイト光（warm white light）が生成できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光パッケージ４０は、図１５乃至図１７に示すように、多様な構造に変形できる。
図１５乃至図１７に示すように、ボディー４２を除いては第１実施形態に説明された第１発光素子７、媒質層１３、透光層２９、及び波長変換層１８とほとんど同一であるので、これ以上の詳細な説明は省略する。
併せて、図１５乃至図１７に図示してはいないが、前記第１発光パッケージ４０は第１発光素子４４を電気的に連結するための第１及び第２電極ラインが前記ボディー４２の上に形成できる。
前記第１及び第２電極ライン及び／または前記ボディー４２の上に前記第１発光素子４４で発生された光を反射させて光効率を増加させるために反射層がコーティングできる。前記第１及び第２電極ラインは、前記第１発光素子４４で発生された熱を外部に排出させるための放熱部材としての役割をすることができる。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態の同一構成要素から容易に理解できる。
図１５に示すように、第１発光パッケージ４０は、ボディー４２、第１発光素子４４、透光層７１、媒質層４６、及び波長変換層４９を含むことができる。
前記ボディー４２は、前記第１発光素子４４を支持するための基板と命名されることもできる。
前記ボディー４２は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できるが、これに対して限定するものではない。
図１５には前記ボディー４２の上面が平面であるが、前記ボディー４２の上面は下に凹まれたキャビティーが形成され、前記キャビティーの底面に前記第１発光素子４４が配置されることもできる。
前記第１発光素子４４は、フリップチップボンディングまたはダイボンディングを用いて前記ボディーの第１及び第２電極ラインに付着できるが、これに対して限定するものではない。
前記第１発光素子４４は、第１主波長領域の光を生成するためにＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材質で形成できる。
前記透光層７１が前記第１発光素子４４を囲む一方、前記ボディー４２の上に付着されることによって、前記第１発光素子４４がより強くボディー４２に固定されて前記第１発光素子４４が激しい衝撃により脱着されることを遮断するだけでなく、前記第１発光素子４４の媒質層４６の空気による汚染または腐食を防止することができる。
前記透光層７１の屈折率は、前記第１発光素子４４と前記媒質層４６との間の屈折率を有することができる。即ち、前記透光層７１の屈折率は前記第１発光素子４４の屈折率より小さい値を有し、前記媒質層４６の屈折率は前記透光層７１の屈折率より小さい値を有することができる。
前記透光層７１は、前記第１発光素子４４と前記媒質層４６との間の屈折率差を緩衝してくれて、前記第１発光素子４４の光がより容易に媒質層４６に入射されるようにすることができる。
前記波長変換層４９は、前記媒質層４６を挟んで前記透光層７１から離隔するように配置できる。
前記波長変換層４９の屈折率は前記媒質層４６の屈折率より大きい値を有することができる。したがって、前記第１発光素子４４から前記媒質層４６に進行された光が損失無しで前記波長変換層４９に入射されるので、前記波長変換層４９の波長変換効率を極大化することができる。
前記波長変換層４９は、透光膜４８と多数の波長変換粒子４７とを含むことができる。前記波長変換粒子４７は前記透光膜４８に分散配置できる。
前記第１発光素子４４から生成された光は前記波長変換粒子４７により第３主波長領域の光に変換できる。併せて、前記第１発光素子４４から生成された光は前記波長変換粒子４７の間の前記透光膜４８を通じてそのまま外部に通過されることもできる。
したがって、前記第１発光素子４４は前記第１主波長領域の光と前記第３主波長領域の光を出射させることができる。例えば、前記第１主波長領域の光と前記第３主波長領域の光との混合によりユーザの目にはグリニッシュな（緑色を帯びた、greenish）光に見えることができるが、これに対して限定するものではない。
一方、前記透光層７１は第１半径（ｒ１）を有し、前記波長変換層４９は第２半径（ｒ２）を有する時、媒質層の間隔（Ｄ）は前記波長変換層４９の第２半径（ｒ２）と前記透光層７１の第１半径（ｒ１）との差として定義できる。
このような場合、前記媒質層４６は前記波長変換層４９の第２半径（ｒ２）と前記透光層７１の第１半径（ｒ１）との間の間隔（Ｄ）に形成できる。
前記間隔（Ｄ）は、前記波長変換層４９と前記透光層７１との間の全領域で同一であるが、これに対して限定するものではない。
図１６に示すように、第１発光パッケージ４０Ａは、ボディー４２、第１発光素子４４、透光層７１、媒質層４６、及び波長変換層４９を含むことができる。
前記波長変換層４９は相互間に離隔した多数のホール６５を含むことができる。
前記ホール６５は、前記波長変換層４９の背面と前記波長変換層４９の上面との間を貫通して形成できる。
前記多数のホール６５は、前記波長変換層４９の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができる。
図１６に図示した第１発光パッケージ４０Ｂは、波長変換層４９に多数のホール６５を形成することによって、光の抽出効率を向上させることができる。
前記ホール６５は、上面視して円形状、三角形状、四角形状、星形状、菱形状などに形成されることもできる。
前記ホール６５のサイズまたは直径は同一であるか、互いに同一でないこともある。
例えば、前記波長変換層４９の中心領域のホール６５のサイズまたは直径は比較的小さいし、前記波長変換層４９の周辺領域のホール６５のサイズまたは直径は比較的大きいことがある。
例えば、前記波長変換層４９の中心領域から前記波長変換層４９の周辺領域へ行くほどホール６５のサイズまたは直径が線形的に、または非線形的に大きくなることができる。
例えば、前記波長変換層４９の中心領域にはホール６５を形成せず、前記波長変換層４９の周辺領域にはホール６５を形成することもできる。
図１７に示すように、第１発光パッケージ４０Ｂは、ボディー４２、第１発光素子４４、透光層７１、媒質層４６、及び波長変換層４９を含むことができる。
前記波長変換層４９は、図１５のホール６５の代りに多数の溝６７を含むことができる。即ち、前記溝６７は互いに離隔して前記波長変換層４９の上面に形成できる。
前記多数の溝６７は、前記波長変換層４９の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができる。
前記溝６７の深さは、前記波長変換層４９の位置によって変わることができる。例えば、前記溝６７の深さは前記波長変換層４９の中心領域より周辺領域でより深くなることができる。例えば、前記溝６７の深さは前記波長変換層４９の周辺領域より中心領域でより深くなることができる。
前記溝６７のサイズまたは直径は、前記波長変換層４９の位置によって変わることができる。例えば、前記溝６７のサイズまたは直径は、前記波長変換層４９の中心領域より前記周辺領域でより大きくなることができる。例えば、前記溝６７のサイズまたは直径は、前記波長変換層４９の周辺領域より前記波長変換層４９の中心領域でより大きくなることができる。
図１８は、図１４の第２発光パッケージを示す断面図である。
第２発光パッケージ５０は、ボディー５２、第２発光素子５４、及び透光層５６を含むことができる。
前記ボディー５２は、前記第２発光素子５４を支持するための基板と命名されることもできる。
前記ボディー５２は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記ボディー５２の上面が平面であるが、前記ボディー５２の上面は下へ凹まれたキャビティーが形成され、前記キャビティーの底面に前記第２発光素子５４が配置されることもできる。
前記第２発光素子５４は、第２主波長領域の光を生成するためにＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材質で形成できる。
前記透光層５６は、透過度及び絶縁性に優れるエポキシ系列樹脂やシリコン系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層５６は、側面視して半球形状を有するが、これに対して限定するものではない。
前記透光層５６の上面は凸形状を有することができるが、これに対して限定するものではない。
図示してはいないが、前記透光層５６の上面の中心領域は凹なリセスが形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層５６の上面は光抽出効率を向上させるためのラフニス構造（roughness structure）やテクスチャー（texture）を有することができるが、これに対して限定するものではない。
図１９乃至図２１は、第１及び第２発光パッケージの配列形態を示す図である。
図１９乃至図２１の第１及び第２発光パッケージ４０、５０の配列形態は、図２乃至図４の第１及び第２発光素子７、１０の配列形態とほとんど似ている。
したがって、図２乃至図４の第１及び第２発光素子７、１０の配列形態から図１９乃至図２１の第１及び第２発光パッケージ４０、５０の配列形態は容易に理解できるので、詳細な説明は省略する。
図２２は、本発明の第７実施形態に従う発光装置を示す断面図である。
第７実施形態は、発光パッケージ８０を除いては図１４の第６実施形態とほとんど似ている。
第６実施形態では、第１及び第２発光パッケージ４０、５０によりウォームホワイト光が生成されることに反して、第７実施形態では単一発光パッケージ８０によりウォームホワイト光が生成できる。
以下の説明で欠落した内容は第１実施形態及び第６実施形態から容易に理解できる。
併せて、以下の説明で第１及び第６実施形態と同一な機能を有する同一な構成要素に対しては同一な図面符号を与えて、これ以上の説明は省略する。
図２２を参照すると、第７実施形態に従う発光装置１Ｆは、基板３、多数の発光パッケージ８０、及び透光層３４を含むことができる。
前記発光パッケージ８０は、互いに離隔して前記基板３の上に付着できる。
前記透光層３４は、前記発光パッケージ８０を囲み、前記基板３の上に配置できる。
前記透光層３４は、図２３に図示した発光パッケージ８０の波長変換層８９の上に配置され、前記基板３の上に配置できる。
前記透光層３４は、図１３に図示した透光層２０のように、前記波長変換層８９より小さい屈折率を有することができる。
前記透光層３４は、接着性及び熱伝導性に優れるシリコン（silicone）系列樹脂またはエポキシ（epoxy）系列樹脂で形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層３４は、成形工程を用いて前記基板３の上に直接形成することもできる。
または、前記透光層３４は予め半球型に加工した後、基板の上に接着剤を用いて付着されることもできるが、これに対して限定するものではない。このような場合、前記透光層３４の背面は前記発光素子パッケージ８０の形状に対応する凹なリセスが形成できる。
前記発光パッケージ８０は、第１主波長領域の光、第２主波長領域の光、及び第３主波長領域の光を生成して、これら第１乃至第３主波長領域の光を混合してウォームホワイト光（warm white light）を生成することができる。
例えば、前記第１主波長領域は４００ｎｍ乃至５００ｎｍであり、前記第２主波長領域は６００ｎｍ乃至６７０ｎｍであり、前記第３主波長領域は５００ｎｍ乃至６００ｎｍであることがあるが、これに対して限定するものではない。
例えば、前記第１主波長領域は４５０ｎｍのピークを有し、前記第２主波長領域は６１５ｎｍのピークを有し、前記第３主波長領域は５５０ｎｍ乃至５６０ｎｍのピークを有することができるが、これに対して限定するものではない。
したがって、第７実施形態に従う発光装置１Ｆは、前記発光パッケージ８０で生成された第１主波長領域の光、第２主波長領域の光、及び第３主波長領域の光の混合によりウォームホワイト光（warm white light）が生成できるが、これに対して限定するものではない。
図２３乃至図２６に示すように、ボディー８２を除いては第１実施形態に説明された第１発光素子７、媒質層１３、透光層２９、及び波長変換層１８とほとんど同一であるので、これ以上の詳細な説明は省略する。
併せて、図２３乃至図２６に図示してはいないが、前記発光パッケージ８０は、第１及び第２発光素子８４、８５の各々を電気的に連結するための第１及び第２電極ラインをさらに含むことができる。
前記第１及び第２電極ラインまたは前記ボディー８２の上に前記第１発光素子８４または第２発光素子８５から発生された光を反射させて光効率を増加させるために反射層がコーティングできる。前記第１及び第２電極ラインは、前記第１発光素子８４または第２発光素子８５から発生された熱を外部に排出させるための放熱部材としての役割をすることができる。
以下の説明で欠落した内容は、第１実施形態の同一構成要素から容易に理解できる。
図２３に示すように、発光パッケージ８０は、ボディー８２、多数の第１及び第２発光素子８４、８５、透光層９９、媒質層８６、及び波長変換層８９を含むことができる。
前記ボディー８２の上面は平面であるか、凹なキャビティーを含むことができる。前記第１及び第２発光素子８４、８５は平面上に付着されるか、前記キャビティーの底面の上に付着できる。
前記第１及び第２発光素子８４、８５は、互いに離隔して前記ボディー８２の上に付着できる。前記第１及び第２発光素子８４、８５は、フリップチップボンディングやダイボンディングを用いて前記ボディー８２の前記第１及び第２電極ラインの上に付着できる。
前記第１発光素子８４は第１主波長領域の光を生成するための第１光源であり、前記第２発光素子８５は第２主波長領域の光を生成するための第２光源であることがあるが、これに対して限定するものではない。
前記透光層９９が前記第１及び第２発光素子８４、８５を囲む一方、前記ボディー８２の上に付着されることによって、前記第１及び第２発光素子８４、８５がより強くボディー８２に固定されて前記第１及び第２発光素子８４、８５の激しい衝撃による脱着を遮断するだけでなく、前記第１及び第２発光素子８４、８５の媒質層８６の空気による汚染または腐食を防止することができる。
前記透光層９９の屈折率は、前記第１及び第２発光素子８４、８５と前記媒質層８６との間の屈折率を有することができる。即ち、前記透光層９９の屈折率は前記第１及び第２発光素子８４、８５の屈折率より小さい値を有し、前記媒質層８６の屈折率は前記透光層９９の屈折率を有することができる。
前記透光層９９は、前記第１及び第２発光素子８４、８５と前記媒質層８６との間の屈折率差を緩衝してくれて、前記第１及び第２発光素子８４、８５の光がより容易に媒質層８６に入射されるようにすることができる。
前記波長変換層８９は、前記媒質層８６を挟んで前記透光層９９から離隔するように配置できる。
前記波長変換層８９の屈折率は、前記媒質層８６の屈折率より大きい値を有することができる。したがって、前記第１及び第２発光素子８４、８５から前記媒質層８６に進行された光が損失無しで前記波長変換層８９に入射されるので、前記波長変換層８９の波長変換効率を極大化することができる。
前記波長変換層８９は、透光膜８８及び多数の波長変換粒子８７を含むことができる。前記波長変換粒子８７は前記透光膜８８に分散配置できる。
前記第１発光素子８４から生成された第１主波長領域の光や前記第２発光素子８５から生成された第２主波長領域の光は、前記波長変換層８９の波長変換粒子８７により第３主波長領域の光に変換できる。
前記波長変換粒子８７は蛍光体であることがあるが、これに対して限定するものではない。
一方、前記透光層９９は第１半径（ｒ１）を有し、前記波長変換層８９は第２半径（ｒ２）を有することができる。このような場合、前記媒質層８６は前記波長変換層８９の第２半径（ｒ２）と前記透光層９９の第１半径（ｒ１）との間の間隔（Ｄ）を有することができる。
前記間隔（Ｄ）は、前記透光層９９の上面と前記波長変換層８９の背面との間の距離でありうる。
図２４に示すように、発光パッケージ８０Ａは、ボディー８２、第１及び第２発光素子８４、８５、透光層９９、媒質層８６、及び波長変換層８９を含むことができる。
前記波長変換層８９は相互間に離隔した多数のホール９５を含むことができる。
前記ホール９５は、前記波長変換層８９の背面と前記波長変換層８９の上面との間を貫通して形成できる。
前記多数のホール９５は、前記波長変換層８９の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができる。
図２４に図示した発光パッケージ８０Ａは、波長変換層８９に多数のホール９５を形成することによって、光抽出効率を向上させることができる。
前記ホール９５は、上面視して、円形状、三角形状、四角形状、星形状、菱形状などに形成されることもできる。
前記ホール９５のサイズまたは直径は互いに同一であるか、互いに同一でないこともある。
例えば、前記波長変換層８９の中心領域のホール９５のサイズまたは直径は比較的小さいし、前記波長変換層８９の周辺領域のホール９５のサイズまたは直径は比較的大きいことがある。
例えば、前記波長変換層８９の中心領域から前記波長変換層８９の周辺領域へ行くほどホール９５のサイズまたは直径が線形的に、または非線形的に大きくなることができる。
例えば、前記波長変換層８９の中心領域にはホール９５を形成せず、前記波長変換層８９の周辺領域にはホール９５を形成することもできる。
図２５に示すように、発光パッケージ８０Ｂは、ボディー８２、第１及び第２発光素子８４、８５、透光層９９、媒質層８６、及び波長変換層８９を含むことができる。
前記波長変換層８９は、図２４のホール９５の代りに多数の溝９７を含むことができる。即ち、前記溝９７は互いに離隔して前記波長変換層８９の上面に形成できる。
前記多数のホール９５は、前記波長変換層８９の全体面積対比１０％乃至３０％の面積を有することができる。
前記溝９７の深さは前記波長変換層８９の位置によって変わることができる。例えば、前記溝９７の深さは前記波長変換層８９の中心領域より周辺領域でより深くなることができる。例えば、前記溝９７の深さは前記波長変換層８９の周辺領域より中心領域でより深くなることができる。
前記溝９７のサイズまたは直径は前記波長変換層８９の位置によって変わることができる。例えば、前記溝９７のサイズまたは直径は前記波長変換層８９の中心領域より前記周辺領域でより大きくなることができる。例えば、前記溝９７のサイズまたは直径は前記波長変換層８９の周辺領域より前記波長変換層８９の中心領域でより大きくなることができる。
図２６に示すように、発光パッケージ８０Ｄは、ボディー８２、第１及び第２発光素子８４、８５、透光層９９、媒質層８６、及び波長変換層８９を含むことができる。
前記媒質層８６と前記ボディー８２との間に拡散層８３が配置できる。
前記拡散層８３は、前記第１及び第２発光素子８４、８５の側面に接して形成できる。言い換えると、前記拡散層８３は前記ボディー８２で前記第１及び第２発光素子８４、８５が付着された領域（以下、‘第１領域’という）を除外した残りの領域（以下、‘第２領域’という）の上に配置できる。
前記拡散層８３の側面は前記ボディー８２に固定される前記波長変換層８９の下部領域に接することができる。
前記拡散層８３の上面は前記第１及び第２発光素子８４、８５の上面と等しいか、 より高いか、より低く位置できるが、これに対して限定するものではない。これによって、前記第１及び第２発光素子８４、８５の側面の全領域は前記拡散層８３と接することができる。
例えば、前記拡散層８３の上面は前記第１及び第２発光素子８４、８５の側面の高さの半分に位置できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散層８３は透光膜に多数の拡散粒子（dispersion particles）が混合されて形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記透光膜は、電気的絶縁性、熱に対する耐久性及び熱伝導性に優れるシリコン系列樹脂、ホワイトエポキシ系列樹脂及び／またはＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）からなるグループから選択された１つで形成できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子には、酸化チタニウム（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるグループから選択された１つが使用できるが、これに対して限定するものではない。
前記拡散粒子は、第１発光素子８４から生成された第１主波長領域（４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）の光に対する拡散特性に優れる材質でありうる。
通常的に、前記第１発光素子８４から生成された第１主波長領域（４００ｎｍ乃至５００ｎｍ）の光は第２主波長領域（６００ｎｍ乃至６７０ｎｍ）の光を生成する第２発光素子８５に到達する場合、前記第１主波長領域の光が前記第２発光素子８５により吸収される。したがって、第１発光素子８４及び第２発光素子８５が配置される場合、第１発光素子８４の第１主波長領域の光が前記第２発光素子８５により吸収されて、前記第１主波長領域の光量が減る問題がある。
発光素子パッケージ８０Ｃによれば、前記第１及び第２発光素子８４、８５の側面に接するように拡散層８３を配置することができる。したがって、第１発光素子８４の側面に進行する第１主波長領域の光が前記拡散層８３により散乱または拡散されて前記第２発光素子８５に到達できなくなるので、第１発光素子８４の第１主波長帯の光量を維持することができる。
一方、第１発光素子８４から生成された第１主波長領域の光または第２発光素子８５から生成された第２主波長領域の光は、前記媒質層８６を経由して前記波長変換層８９を通じて外部に出射されることもでき、前記波長変換層８９により反射されて媒質層８６を経由して下方に進行できる。
このように、下方に進行された光は前記拡散層８３により散乱または拡散されて、また上方に進行されことによって、光がボディー８２などに吸収されて発生される光損失を最小化して、光効率を向上させることができる。

Claims (20)

  1. サブマウントと、
    前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１光源と、
    前記第１光源と離隔して前記サブマウントの上に配置され、６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの第２主波長領域の光を生成する第２光源と、
    前記第１及び第２光源を囲むように配置された第１透光層と、
    前記第１透光層の上に配置され、前記第１主波長領域の光及び前記第２主波長領域の光のうち、少なくとも１つを５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層と、
    前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層と、を含み、
    前記第１及び第２光源のうちの１つは第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、
    前記第１乃至第４屈折率は互いに相異することを特徴とする、発光装置。
  2. 前記第２屈折率は１．４乃至１．６であり、前記第３屈折率は１乃至１．３であり、前記第４屈折率は１．４乃至２．０であることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記波長変換層の上に配置された第２透光層をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第２透光層は第５屈折率を有し、
    前記第５屈折率は前記第４屈折率より小さい値を有することを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記第２透光層は互いに屈折率が相異する多数の透光膜を含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
  6. 前記サブマウントと前記第１透光層との間に配置され、少なくとも前記第１及び第２光源のうち、少なくとも１つの光源の側面に接する拡散層をさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至３のうち、いずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記拡散層の上面は前記少なくとも１つの光源の上面と同一に位置されることを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記第１透光層は第１半径の曲率を有し、
    前記波長変換層は第２半径の曲率を有し、
    前記媒質層は前記第２半径と前記第１半径との間の間隔を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
  9. 前記第１透光層及び前記波長変換層のうちの少なくとも１つは、半球形状を有することを特徴とする、請求項１または８に記載の発光装置。
  10. 前記波長変換層は、
    透光膜と、
    前記透光膜に分散配置された多数の波長変換粒子と、
    を含むことを特徴とする、請求項１乃至３及び請求項６乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光装置。
  11. 前記波長変換粒子は、蛍光体であることを特徴とする、請求項１０に記載の発光装置。
  12. 前記波長変換層は、
    多数のホール、多数の溝、及び多数の突起のうち、いずれか１つを含むことを特徴とする、請求項１乃至３及び請求項６乃至８のうち、いずれか１項に記載の発光装置。
  13. 前記多数のホールの面積は、前記波長変換層の全体面積の１０％乃至３０％であることを特徴とする、請求項１２に記載の発光装置。
  14. 前記多数の溝は前記波長変換層の位置によって互いに深さが相異することを特徴とする、請求項１２に記載の発光装置。
  15. 前記第１及び第２光源は、少なくとも１つ以上の発光素子及び少なくとも１つ以上の発光パッケージのうちの１つであることを特徴とする、請求項１乃至３、請求項６乃至８、及び請求項１２のうち、いずれか１項に記載の発光装置。
  16. 前記波長変換層の上面に形成されたテクスチャーをさらに含むことを特徴とする、請求項１乃至３、請求項６乃至８、請求項１２、及び請求項１５のうち、いずれか１項に記載の発光装置。
  17. サブマウントと、
    前記サブマウントの上に配置される多数の第１発光パッケージと、
    前記サブマウントの上に配置され、前記第１発光パッケージから離隔する多数の第２発光パッケージと、
    前記第１及び第２発光パッケージを囲み、前記サブマウントの上に配置される第２透光層と、を含み、
    前記第１発光パッケージは、
    前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１発光素子と、
    前記第１発光素子を囲むように配置された第１透光層と、
    前記第１透光層の上に配置され、前記第１主波長領域の光を５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層と、
    前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層と、を含み、
    前記第１発光素子は第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、
    前記第１乃至第４屈折率は互いに相異することを特徴とする、発光装置。
  18. 前記第２発光パッケージは、
    前記サブマウントの上に配置され、６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの第２主波長領域の光を生成する第２発光素子と、
    前記第２発光素子を囲むように配置された第３透光層と、
    を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の発光装置。
  19. サブマウントと、
    前記サブマウントの上に配置される多数の発光パッケージと、
    前記発光パッケージを囲み、前記サブマウントの上に配置される第２透光層と、を含み、
    前記発光パッケージは、
    前記サブマウントの上に配置され、４００ｎｍ乃至５００ｎｍの第１主波長領域の光を生成する第１発光素子と、
    前記サブマウントの上に配置され、前記第１発光パッケージから離隔し、６００ｎｍ乃至６７０ｎｍの第２主波長領域の光を生成する多数の第２発光素子と、
    前記第１及び第２発光素子を囲むように配置された第１透光層と、
    前記第１透光層の上に配置され、前記第２主波長領域の光のうち、少なくとも１つを５００ｎｍ乃至６００ｎｍの第３主波長領域の光に変換する波長変換層と、
    前記波長変換層と前記第１透光層との間に配置された媒質層と、を含み、
    前記第１発光素子は第１屈折率を有し、前記第１透光層は第２屈折率を有し、前記媒質層は第３屈折率を有し、前記波長変換層は第４屈折率を有し、
    前記第１乃至第４屈折率は互いに相異することを特徴とする、発光装置。
  20. 前記サブマウントと前記第１透光層との間に配置され、少なくとも前記第１及び第２発光素子のうち、少なくとも１つの発光素子の側面に接する拡散層をさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載の発光装置。
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