JP2013115410A - Electric power conversion apparatus and air conditioner including the same - Google Patents
Electric power conversion apparatus and air conditioner including the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013115410A JP2013115410A JP2011263483A JP2011263483A JP2013115410A JP 2013115410 A JP2013115410 A JP 2013115410A JP 2011263483 A JP2011263483 A JP 2011263483A JP 2011263483 A JP2011263483 A JP 2011263483A JP 2013115410 A JP2013115410 A JP 2013115410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- power module
- module
- power
- radiating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置に関する。 The present invention relates to a power converter and an air conditioner including the same.
パワーモジュールの小型・集積化が進む中、従来のSi(シリコン)系半導体により構成された半導体素子よりも耐熱性・耐電圧性が高く、小型化が可能なSiC(炭化珪素)やGaN(窒化ガリウム)系材料、またはダイヤモンド等のワイドバンドギャップ(以下、「WBG」という)半導体により構成された半導体素子の採用により、さらなるパワーモジュールの小型化・集積化が進んでいる。このWBG半導体により構成された半導体素子は、従来のSi系半導体により構成された半導体素子と比較して高価であるので、WBG半導体により構成された半導体素子とSi系半導体により構成された半導体素子とを混在させ、電力変換装置を構成する場合がある。 As power modules are becoming smaller and more integrated, SiC (silicon carbide) and GaN (nitridation) have higher heat resistance and voltage resistance than conventional semiconductor elements composed of Si (silicon) semiconductors and can be miniaturized. By adopting a semiconductor element composed of a wide band gap (hereinafter referred to as “WBG”) semiconductor such as a gallium) -based material or diamond, further miniaturization and integration of the power module is progressing. Since the semiconductor element constituted by the WBG semiconductor is expensive compared with the semiconductor element constituted by the conventional Si-based semiconductor, the semiconductor element constituted by the WBG semiconductor and the semiconductor element constituted by the Si-based semiconductor May be mixed to constitute a power conversion device.
従来、WBG半導体素子とSi系半導体素子を含む低耐熱性部品とを熱的に絶縁された別々の基板に実装して各基板に別々の熱電発電モジュールを設け、これらの熱電発電モジュールの両方に一体型放熱手段を接続することにより、放熱手段の製造コストを削減すると共に、組立性を向上させる技術が開示されている(例えば、特許文献1)が、同一の基板上にWBG半導体素子とSi系半導体素子とを混載する場合でも、各半導体素子毎に放熱手段を取り付けるのではなく、一体型の放熱手段に複数の半導体素子をネジで固定するのが一般的である。 Conventionally, a WBG semiconductor element and a low heat-resistant component including a Si-based semiconductor element are mounted on different thermally insulated substrates, and a separate thermoelectric power generation module is provided on each substrate, and both of these thermoelectric power generation modules are provided. A technique for reducing the manufacturing cost of the heat dissipating means by connecting the integrated heat dissipating means and improving the assemblability is disclosed (for example, Patent Document 1). However, the WBG semiconductor element and the Si on the same substrate are disclosed. Even when the semiconductor elements are mixedly mounted, it is general that a plurality of semiconductor elements are fixed to the integrated heat dissipating means with screws instead of attaching the heat dissipating means for each semiconductor element.
WBG半導体により構成された半導体素子は、従来のSi系半導体により構成された半導体素子よりもスイッチング速度が速く、スイッチング損失が小さい特性を有している。この特性を活かして高周波駆動する場合、基板上のパターン配線を太く、且つ、短くする必要があるが、上記従来技術では、基板に放熱手段とWBG半導体素子とをネジ止めするための作業用穴が必要となるため、上記のように基板上のパターン配線を太く、且つ、短くするといったWBG半導体の高周波動作を活かすためのパターン配線や基板の小型化が困難である。また、高周波動作によるノイズの抑制を考慮して、WBG半導体の実装位置を変更しようとした場合、放熱手段側の穴位置を変更するために放熱フィンの枚数や位置を変更する、あるいは、放熱手段側の作業用穴位置を変更することなく対応しようとした場合、高周波動作によるノイズの抑制を考慮した最適なWBG半導体や周辺部品の配置ができない等、基板設計や放熱手段の設計の自由度が阻害され、電力変換装置の小型化が困難となる、という問題があった。 A semiconductor element made of a WBG semiconductor has characteristics that the switching speed is faster and the switching loss is smaller than that of a semiconductor element made of a conventional Si-based semiconductor. When high-frequency driving is performed by making use of this characteristic, it is necessary to make the pattern wiring on the substrate thicker and shorter. However, in the above-described conventional technique, a work hole for screwing the heat radiation means and the WBG semiconductor element to the substrate is used. Therefore, it is difficult to miniaturize the pattern wiring and the substrate to make use of the high-frequency operation of the WBG semiconductor, such as making the pattern wiring on the substrate thick and short as described above. Also, when considering the suppression of noise due to high-frequency operation, when trying to change the mounting position of the WBG semiconductor, the number and position of the radiating fins are changed in order to change the hole position on the radiating means side, or the radiating means When trying to cope without changing the position of the working hole on the side, it is not possible to arrange the optimal WBG semiconductor and peripheral parts considering noise suppression due to high frequency operation, etc. There was a problem that it was obstructed and it was difficult to reduce the size of the power converter.
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a power conversion device that has an increased degree of freedom in board design and heat dissipation means design, and that can be easily reduced in size, and an air conditioner including the power conversion device. The purpose is to provide.
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる電力変換装置は、第1のパワーモジュールと、前記第1のパワーモジュールよりも高耐熱な第2のパワーモジュールと、前記第1のパワーモジュールと前記第2のパワーモジュールとが混載される基板と、前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールが発する熱を放熱する放熱手段と、前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールが発する熱を前記放熱手段に伝導する熱伝導手段と、前記第1のパワーモジュールと前記放熱手段とを前記熱伝導手段を介して密着固定する固定手段と、を備え、前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールは、それぞれの放熱面が基板面と平行になるように前記基板に配置され、前記放熱手段は、前記第1のパワーモジュールの放熱面および前記第2のパワーモジュールの放熱面に前記熱伝導手段を介して接する面が同一平面となるように形成され、前記第1のパワーモジュールの放熱面と前記放熱手段とが前記熱伝導手段を介して前記固定手段により密着固定されることにより、前記第2のパワーモジュールの放熱面と前記放熱手段とが前記熱伝導手段を介して密着することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a power conversion device according to the present invention includes a first power module, a second power module having higher heat resistance than the first power module, and the first power module. A substrate on which the power module and the second power module are mixedly mounted, heat dissipation means for radiating heat generated by the first power module and the second power module, the first power module and the second power module. Heat conduction means for conducting heat generated by the second power module to the heat radiation means, and fixing means for tightly fixing the first power module and the heat radiation means via the heat conduction means, The first power module and the second power module are arranged on the substrate such that each heat radiation surface is parallel to the substrate surface, and the heat radiation The step is formed such that a surface contacting the heat radiating surface of the first power module and the heat radiating surface of the second power module via the heat conducting means is coplanar, and the heat radiating of the first power module. When the surface and the heat radiating means are closely fixed by the fixing means via the heat conducting means, the heat radiating surface of the second power module and the heat radiating means are closely adhered via the heat conducting means. It is characterized by.
本発明によれば、基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、電力変換装置の小型化が容易となる、という効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to increase the degree of freedom in designing the substrate and the heat radiating means, and to easily reduce the size of the power converter.
以下に添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかる電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置について説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。 Hereinafter, a power converter according to an embodiment of the present invention and an air conditioner including the power converter will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1にかかる空気調和装置の一例を示す図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる空気調和装置は、室内機1および室外機2で構成され、室内機1と室外機2との間は、配管3により接続されている。また、室外機2は、実施の形態1にかかる電力変換装置である制御基板ユニット4を備えている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the air-conditioning apparatus according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the air conditioner according to the first embodiment includes an
図2は、実施の形態1にかかる電力変換装置である制御基板ユニットの一構成例を示す図である。図2に示すように、実施の形態1にかかる電力変換装置である制御基板ユニット4は、室内機1から配管3を介して交流電源6が供給され、交流電源6の交流電力を整流するダイオードブリッジモジュール7、昇圧および力率制御(高調波対策)用のPFCモジュール8、平滑用コンデンサ9、圧縮機モータ制御用インバータモジュール10、ファンモータ制御用インバータモジュール11がプリント基板5に実装され、ダイオードブリッジモジュール7とPFCモジュール8との間にリアクタ12が接続され構成される。また、制御基板ユニット4は、圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の負荷として圧縮機モータ13が接続され、ファンモータ制御用インバータモジュール11の負荷としてファンモータ14が接続されている。なお、本実施の形態では、ダイオードブリッジモジュール7、圧縮機モータ制御用インバータモジュール10、ファンモータ制御用インバータモジュール11は、Si系半導体により構成された低耐熱パワーモジュール(第1のパワーモジュール)であり、PFCモジュール8は、Si系半導体よりも高耐熱なWBG半導体により構成された高耐熱パワーモジュール(第2のパワーモジュール)である。また、プリント基板5としては、例えば、両面基板であってもよいし、片面基板あるいは多層基板であってもよい。
FIG. 2 is a diagram of a configuration example of a control board unit that is the power conversion apparatus according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the control board unit 4 that is the power conversion apparatus according to the first embodiment is supplied with an AC power supply 6 from the
図3は、実施の形態1にかかる制御基板ユニットの側面図である。また、図4は、図3に示す制御基板ユニットの矢視図である。なお、図3および図4に示す例では、図2に示した平滑用コンデンサ9およびファンモータ制御用インバータモジュール11を省略している。
FIG. 3 is a side view of the control board unit according to the first embodiment. 4 is an arrow view of the control board unit shown in FIG. 3 and FIG. 4, the
図3に示すように、ダイオードブリッジモジュール7は、ダイオードブリッジモジュール用サポート16を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされ、PFCモジュール8は、PFCモジュール用サポート17を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされ、圧縮機モータ制御用インバータモジュール10は、インバータモジュール用サポート18を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされている。これらのダイオードブリッジモジュール7、PFCモジュール8、および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10は、それぞれの放熱面(プリント基板5に面するケース外面の反対側の面)がプリント基板5の基板面と平行になるように配置される。
As shown in FIG. 3, the
ダイオードブリッジモジュール用サポート16、PFCモジュール用サポート17、およびインバータモジュール用サポート18は、PFCモジュール8の放熱面とプリント基板5との直交方向距離が、ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面とプリント基板5との直交方向距離よりも大きくなるように高さが調整されている。本実施の形態では、PFCモジュール8の放熱面とプリント基板5との直交方向距離がダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面とプリント基板5との直交方向距離よりも数百nm〜数mm程度大きくなるように高さが調整されているものとしている。
The diode
ダイオードブリッジモジュール7、PFCモジュール8、および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10のそれぞれの放熱面には、熱伝導を向上させることを目的として放熱グリス19(熱伝導手段)が塗布され、その放熱グリス19を介して、放熱手段15が配置されている。
The heat dissipation surfaces of the
また、図4に示すように、プリント基板5には、ダイオードブリッジモジュール用サポート16およびインバータモジュール用サポート18の実装位置にそれぞれダイオードブリッジモジュール7と圧縮機モータ制御用インバータモジュール10とを放熱手段15にネジ止めするための作業用穴22が設けられている。また、プリント基板5には、PFCモジュール用サポート17の実装位置を固定するための小さい位置固定穴23が2箇所設けられている。
Further, as shown in FIG. 4, the printed
放熱手段15には、ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の固定用ネジ挿通孔(図示せず)に対応して固定用ネジ取付穴(図示せず)が設けられている。ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10は、プリント基板5に設けられた作業用穴22を利用して、固定用ネジ挿通孔に固定用ネジ(固定手段)20を挿通させて放熱手段15の固定用ネジ取付穴に固定用ネジ20を適切なトルクでねじ込むことにより、放熱面が放熱グリス19を介して放熱手段15に密着固定される。なお、放熱手段15の固定用ネジ取付穴は、放熱手段15に複数備えられている放熱フィン15aを避けた位置に設けられている。
The heat dissipating means 15 is provided with fixing screw mounting holes (not shown) corresponding to the fixing screw insertion holes (not shown) of the
上述したように、本実施の形態では、PFCモジュール8の放熱面とプリント基板5との直交方向距離がダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面とプリント基板5との直交方向距離よりも数百nm〜数mm程度大きくなるようにしている。このため、ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面が固定用ネジ20により放熱グリス19を介して放熱手段15に密着固定されることにより、PFCモジュール8の放熱面が放熱グリス19を介して放熱手段15に密着する。
As described above, in the present embodiment, the orthogonal distance between the heat dissipation surface of the
また、上述したように、本実施の形態では、WBG半導体により構成されたPFCモジュール8を、固定用ネジ20を用いることなく、放熱手段15に密着させる構成としている。このため、プリント基板5にPFCモジュール8を放熱手段15にネジ止めするための作業用穴22を設ける必要がなく、WBG半導体の高周波動作を活かすためのパターン配線や、高周波動作によるノイズの抑制を考慮した最適な部品配置が容易となり、プリント基板5の小型化も可能となる。また、放熱手段15にPFCモジュール8をネジ止めするための固定用ネジ取付穴を設ける必要がないため、放熱フィン15aの位置によりPFCモジュール8の実装位置が左右されることがなく、さらには、PFCモジュール8の実装位置により放熱手段15の設計が左右されることがないため、放熱手段15の設計が容易となる。
Further, as described above, in the present embodiment, the
以上説明したように、実施の形態1の電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置によれば、Si系半導体よりも高耐熱なWBG半導体により構成された高耐熱パワーモジュールであるPFCモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離が、Si系半導体により構成された低耐熱パワーモジュールであるダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールの放熱面とプリント基板5との直交方向距離よりも数百nm〜数mm程度大きくなるように配置し、ダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールの放熱面を固定用ネジにより放熱手段に熱伝導手段である放熱グリスを介して密着固定することにより、PFCモジュールの放熱面を放熱手段に密着固定させるための固定用ネジを用いることなく、PFCモジュールの放熱面を放熱手段に熱伝導手段である放熱グリスを介して密着させるようにしたので、プリント基板にPFCモジュールを放熱手段にネジ止めするための作業用穴を設ける必要がなく、WBG半導体の高周波動作を活かすためのパターン配線や、高周波動作によるノイズの抑制を考慮した最適な部品配置が容易となり、プリント基板の小型化も可能となる。
As described above, according to the power conversion device of the first embodiment and the air conditioner including the power conversion device, the PFC module that is a high heat-resistant power module configured by a WBG semiconductor having a heat resistance higher than that of the Si-based semiconductor. The distance in the orthogonal direction between the heat dissipation surface and the printed circuit board is greater than the distance in the orthogonal direction between the heat dissipation surface of the diode bridge module and the inverter module for controlling the compressor motor and the printed
つまり、PFCモジュールをWBG半導体の特徴である低スイッチング損失を活かして高周波スイッチング動作させる場合には、プリント基板上のパターン配線を太く、且つ、短くする等、高周波スイッチングによるパターン配線のインダクタンスの悪影響を軽減することができる。 In other words, when the PFC module is operated at a high frequency by taking advantage of the low switching loss that is characteristic of the WBG semiconductor, the pattern wiring on the printed circuit board is made thicker and shorter. Can be reduced.
また、PFCモジュールを高周波スイッチング動作させない場合でも、PFCモジュールの周辺部品を実装するスペースが広くなるため、プリント基板を小型化することができる。 Even when the PFC module is not operated at high frequency, the space for mounting the peripheral components of the PFC module is widened, so that the printed circuit board can be reduced in size.
また、放熱手段にPFCモジュールをネジ止めするための固定用ネジ取付穴を設ける必要がないため、放熱フィンの位置によりPFCモジュールの実装位置が左右されることがなく、PFCモジュール自体の配置が容易となる。さらには、PFCモジュールの実装位置により放熱手段の設計が左右されることがないため、放熱フィンの位置や枚数に対する自由度が増し、放熱手段の設計が容易となる。 In addition, since it is not necessary to provide fixing screw mounting holes for screwing the PFC module to the heat dissipation means, the mounting position of the PFC module is not affected by the position of the heat dissipation fin, and the arrangement of the PFC module itself is easy. It becomes. Furthermore, since the design of the heat radiating means is not affected by the mounting position of the PFC module, the degree of freedom with respect to the position and number of the heat radiating fins is increased, and the design of the heat radiating means becomes easy.
実施の形態2.
実施の形態1では、高耐熱パワーモジュールであるPFCモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離が低耐熱モジュールであるダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離よりも数百nm〜数mm程度大きくなるように高さを調整する例について説明したが、本実施の形態では、高耐熱パワーモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離と低耐熱パワーモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離とが等しくなるように高さを調整し、高耐熱パワーモジュールおよび低耐熱パワーモジュールの熱伝導手段を異なる仕様とすることにより実施の形態1と同様の効果を得る例について説明する。なお、実施の形態2にかかる電力変換装置の構成は、実施の形態1にかかる電力変換装置と同一であるので、ここでは説明を省略する。
In the first embodiment, the orthogonal distance between the heat radiation surface of the PFC module, which is a high heat resistant power module, and the printed circuit board is a low heat resistance module between the diode bridge module and the compressor motor control inverter module, and the printed circuit board. Although an example of adjusting the height to be several hundred nm to several mm larger than the orthogonal distance is described, in the present embodiment, the orthogonal distance between the heat radiation surface of the high heat-resistant power module and the printed circuit board is low.
図5は、実施の形態2にかかる制御基板ユニットの側面図である。なお、図5に示す例では、実施の形態1と同様に、図2に示した平滑用コンデンサ9およびファンモータ制御用インバータモジュール11を省略している。
FIG. 5 is a side view of the control board unit according to the second embodiment. In the example shown in FIG. 5, the smoothing
図5に示すように、ダイオードブリッジモジュール7は、ダイオードブリッジモジュール用サポート16を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされ、PFCモジュール8は、PFCモジュール用サポート17を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされ、圧縮機モータ制御用インバータモジュール10は、インバータモジュール用サポート18を介してプリント基板5上に配置されて半田付けされている。なお、プリント基板5としては、実施の形態1と同様に、例えば、両面基板であってもよいし、片面基板あるいは多層基板であってもよい。
As shown in FIG. 5, the
ダイオードブリッジモジュール用サポート16、PFCモジュール用サポート17、およびインバータモジュール用サポート18は、PFCモジュール8、ダイオードブリッジモジュール7、および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面とプリント基板5との直交方向距離が等しくなるように高さが調整されている。
The diode
ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10のそれぞれの放熱面には、実施の形態1と同様に放熱グリス19(第1の熱伝導手段)が塗布され、その放熱グリス19を介して、放熱手段15が配置されている。
The heat radiation surfaces of the
また、PFCモジュール8の放熱面には、放熱グリス19に代えて、数百nm〜数mmの厚みのある放熱シート21(第2の熱伝導手段)が貼り付けられ、その放熱シートを介して、放熱手段15が配置されている。
In addition, a heat radiation sheet 21 (second heat conduction means) having a thickness of several hundred nm to several mm is attached to the heat radiation surface of the
また、実施の形態1と同様に、プリント基板5には、ダイオードブリッジモジュール用サポート16およびインバータモジュール用サポート18の実装位置にそれぞれダイオードブリッジモジュール7と圧縮機モータ制御用インバータモジュール10とを放熱手段15にネジ止めするための作業用穴22が設けられている。また、プリント基板5には、PFCモジュール用サポート17の実装位置を固定するための小さい位置固定穴23が2箇所設けられている(図4参照)。
Similarly to the first embodiment, the printed
放熱手段15には、ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の固定用ネジ挿通孔(図示せず)に対応して固定用ネジ取付穴(図示せず)が設けられている。ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10は、プリント基板5に設けられた作業用穴22を利用して、固定用ネジ挿通孔に固定用ネジ20を挿通させて放熱手段15の固定用ネジ取付穴に固定用ネジ20を適切なトルクでねじ込むことにより、放熱面が放熱グリス19を介して放熱手段15に密着固定される。なお、放熱手段15の固定用ネジ取付穴は、放熱手段15に複数備えられている放熱フィン15aを避けた位置に設けられている。
The
本実施の形態では、PFCモジュール8、ダイオードブリッジモジュール7、および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面とプリント基板5との直交方向距離が等しくなるように配置され、PFCモジュール8の放熱面には、上述したように、放熱グリス19に代えて、数百nm〜数mmの厚みのある放熱シート21が貼り付けられ、その放熱シートを介して、放熱手段15が配置されるようにしている。このため、ダイオードブリッジモジュール7および圧縮機モータ制御用インバータモジュール10の放熱面が固定用ネジ20により放熱手段15に放熱グリス19を介して密着固定されることにより、PFCモジュール8の放熱面に貼り付けられた放熱シート21が適度に圧迫されて押し潰され、PFCモジュール8の放熱面がその押し潰された放熱シート21を介して放熱手段15に密着する。
In the present embodiment, the
上述したように、本実施の形態では、実施の形態1と同様に、WBG半導体により構成されたPFCモジュール8を、固定用ネジ20を用いることなく、放熱手段15に密着させる構成としている。このため、プリント基板5にPFCモジュール8を放熱手段15にネジ止めするための作業用穴22を設ける必要がなく、WBG半導体の高周波動作を活かすためのパターン配線や、高周波動作によるノイズの抑制を考慮した最適な部品配置が容易となり、プリント基板5の小型化も可能となる。また、放熱手段15にPFCモジュール8をネジ止めするための固定用ネジ取付穴を設ける必要がないため、放熱フィン15aの位置によりPFCモジュール8の実装位置が左右されることがなく、さらには、PFCモジュール8の実装位置により放熱手段15の設計が左右されることがないため、放熱手段15の設計が容易となる。
As described above, in the present embodiment, as in the first embodiment, the
以上説明したように、実施の形態2の電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置によれば、Si系半導体よりも高耐熱なWBG半導体により構成された高耐熱パワーモジュールであるPFCモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離と、Si系半導体により構成された低耐熱パワーモジュールであるダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールの放熱面とプリント基板との直交方向距離とが等しくなるように配置し、ダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールの放熱面を固定用ネジにより放熱手段に第1の熱伝導手段である放熱グリスを介して密着固定することにより、PFCモジュールの放熱面を放熱手段に密着固定させるための固定用ネジを用いることなく、PFCモジュールの放熱面を放熱手段に第2の熱伝導手段である放熱シートを介して密着させるようにしたので、実施の形態1と同様に、基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、電力変換装置の小型化が容易となる。 As described above, according to the power conversion device of the second embodiment and the air conditioner including the power conversion device, the PFC module, which is a high heat resistant power module configured by a WBG semiconductor having a higher heat resistance than the Si-based semiconductor, is used. The orthogonal distance between the heat dissipation surface and the printed circuit board is equal to the orthogonal distance between the heat dissipation surface and the printed circuit board of the diode bridge module and the inverter module for controlling the compressor motor that are low heat resistant power modules composed of Si-based semiconductors. The heat dissipation surfaces of the diode bridge module and the compressor motor control inverter module are fixed to the heat dissipating means with heat dissipating grease, which is the first heat conducting means, by fixing screws. Use fixing screws to tightly fix the heat dissipation surface to the heat dissipation means Without any problem, the heat radiation surface of the PFC module is brought into close contact with the heat radiation means via the heat radiation sheet as the second heat conduction means, so that the degree of freedom in designing the board and the heat radiation means is the same as in the first embodiment. This increases the size of the power conversion device.
なお、上述した実施の形態2では、第1の熱伝導手段として放熱グリスを適用し、第2の熱伝導手段として数百nm〜数mmの厚みのある放熱シートを適用して構成する例について説明したが、第1の熱伝導手段として放熱シートを適用し、第2の熱伝導手段として第1の熱伝導手段である放熱シートよりも数百nm〜数mm程度厚い放熱シートを適用して構成するようにしても、同様の効果を得ることができる。 In the second embodiment described above, an example in which heat radiation grease is applied as the first heat conduction means and a heat radiation sheet having a thickness of several hundred nm to several mm is applied as the second heat conduction means. As described above, a heat radiating sheet is applied as the first heat conducting means, and a heat radiating sheet that is several hundred nm to several mm thicker than the heat radiating sheet that is the first heat conducting means is applied as the second heat conducting means. Even if it comprises, the same effect can be acquired.
また、上述した実施の形態では、固定用ネジを用いることなくPFCモジュールの放熱面を放熱手段に密着させるようにしたが、この場合には、固定用ネジを用いて放熱手段に密着固定させた場合よりも放熱面と放熱手段との間の熱抵抗が増し、温度が上昇することとなる。上述した実施の形態1では、Si系半導体よりも高耐熱であり、200℃以上の高温動作が可能なWBG半導体を用いてPFCモジュールを構成していることを利用して、固定用ネジを用いることなくPFCモジュールの放熱面を放熱手段に密着させる構成とすることを可能としている。 Further, in the above-described embodiment, the heat radiation surface of the PFC module is brought into close contact with the heat radiating means without using the fixing screw. In this case, the fixing heat is tightly fixed to the heat radiating means. The thermal resistance between the heat radiating surface and the heat radiating means increases more than the case, and the temperature rises. In the first embodiment described above, a fixing screw is used by utilizing the fact that a PFC module is configured using a WBG semiconductor that is higher in heat resistance than Si-based semiconductors and can operate at a high temperature of 200 ° C. or higher. The heat dissipation surface of the PFC module can be brought into close contact with the heat dissipation means without any problem.
なお、パワーモジュールの温度保護として、例えば、低耐熱パワーモジュールであるダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ駆動用インバータモジュールの温度を検出あるいは推定するための温度サーミスタと、高耐熱パワーモジュールであるPFCモジュールの温度を検出あるいは推定するための温度サーミスタとをそれぞれ放熱手段に設け、ダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ駆動用インバータモジュールの温度、あるいは、PFCモジュールの温度のどちらか一方の温度が上限温度を超えた場合に、制御基板ユニットを停止させる構成としてもよい。また、例えば、パワーモジュールのケース温度、あるいは、よりジャンクション温度に近い温度情報を電圧出力する端子を備えたパワーモジュールを用いて、複数あるうちのいずれかのパワーモジュールの温度が上限温度を超えた場合に、制御基板ユニットを停止させる構成としてもよい。 As the temperature protection of the power module, for example, a temperature thermistor for detecting or estimating the temperature of the diode bridge module and the inverter module for driving the compressor motor which are low heat resistant power modules, and the PFC module which is a high heat resistant power module. A temperature thermistor for detecting or estimating the temperature is provided in each heat dissipating means, and either the temperature of the diode bridge module and the inverter module for driving the compressor motor or the temperature of the PFC module exceeds the upper limit temperature. In this case, the control board unit may be stopped. Also, for example, using a power module with a terminal that outputs voltage information for case temperature of the power module or temperature information closer to the junction temperature, the temperature of one of the power modules exceeds the upper limit temperature. In this case, the control board unit may be stopped.
また、上述した実施の形態では、PFCモジュールを高耐熱パワーモジュールとし、ダイオードブリッジモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールを低耐熱モジュールとした例について説明したが、ダイオードブリッジモジュールを高耐熱パワーモジュールとし、PFCモジュールおよび圧縮機モータ制御用インバータモジュールを低耐熱パワーモジュールとしてもよいし、圧縮機モータ制御用インバータモジュールを高耐熱パワーモジュールとし、ダイオードブリッジモジュールおよびPFCモジュールを低耐熱パワーモジュールとしてもよい。また、ファンモータ制御用インバータモジュールをも放熱手段により放熱される構成とし、ダイオードブリッジモジュール、PFCモジュール、圧縮機モータ制御用インバータモジュール、およびファンモータ制御用インバータモジュールの4つのうち、1つだけ高耐熱パワーモジュールとし、残りの3つを低耐熱パワーモジュールとしてもよいし、ダイオードブリッジモジュール、PFCモジュール、圧縮機モータ制御用インバータモジュール、およびファンモータ制御用インバータモジュールの4つのうち、2つを高耐熱パワーモジュールとし、残る2つを低耐熱パワーモジュールとしてもよい。なお、高耐熱パワーモジュールおよび低耐熱パワーモジュールをそれぞれ1つずつ要する構成である場合には、放熱手段が低耐熱パワーモジュールのみで固定されることとなる。この場合には、放熱手段とプリント基板とを固定するための固定手段を別途設ける構成としてもよい。 In the above-described embodiment, the PFC module is a high heat resistant power module and the diode bridge module and the compressor motor control inverter module are low heat resistant modules. However, the diode bridge module is a high heat resistant power module. The PFC module and the compressor motor control inverter module may be a low heat resistant power module, the compressor motor control inverter module may be a high heat resistant power module, and the diode bridge module and the PFC module may be a low heat resistant power module. In addition, the fan motor control inverter module is also configured to dissipate heat by the heat radiating means, and only one of the four modules of the diode bridge module, the PFC module, the compressor motor control inverter module, and the fan motor control inverter module is high. Heat resistant power modules may be used, and the remaining three may be low heat resistant power modules. Two of the four modules: diode bridge module, PFC module, compressor motor control inverter module, and fan motor control inverter module are high. The heat resistant power module may be used, and the remaining two may be low heat resistant power modules. In addition, when it is the structure which requires one high heat-resistant power module and one low heat-resistant power module, respectively, a thermal radiation means will be fixed only with a low heat-resistant power module. In this case, a fixing means for fixing the heat dissipation means and the printed board may be separately provided.
さらに、上述した実施の形態では、ダイオードモジュール用サポート、PFCモジュール用サポート、およびインバータモジュール用サポートを備えて各パワーモジュールの高さを調整する構成としているが、これらのサポート部品を用いずに各パワーモジュールの高さを調整する構成であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, the height of each power module is adjusted by providing the support for the diode module, the support for the PFC module, and the support for the inverter module. The structure which adjusts the height of a power module may be sufficient.
なお、上述した実施の形態において説明したWBG半導体により構成されたパワーモジュールを用いることによる効果は、各実施の形態において記載した効果にとどまらない。 Note that the effect of using the power module configured by the WBG semiconductor described in the above-described embodiment is not limited to the effect described in each embodiment.
例えば、WBG半導体によって構成されたパワーモジュールは、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、パワーモジュールのさらなる小型化が可能であり、これら小型化されたパワーモジュールを用いることにより、これらのモジュールを組み込んだ電力変換装置の小型化が可能となる。 For example, a power module composed of a WBG semiconductor has a high withstand voltage and a high allowable current density. Therefore, the power module can be further miniaturized. By using these miniaturized power modules, these power modules can be reduced. The power converter incorporating the module can be miniaturized.
また、WBG半導体によって構成されたパワーモジュールは、上述したように耐熱性も高いため、放熱手段の放熱フィンの小型化が可能であるので、電力変換装置の一層の小型化が可能となり、延いては、その電力変換装置を組み込んだ空気調和装置の小型化・低コスト化を図ることが可能となる。 In addition, since the power module constituted by the WBG semiconductor has high heat resistance as described above, it is possible to reduce the size of the heat dissipating fins of the heat dissipating means, thereby further reducing the size of the power converter. Can reduce the size and cost of an air conditioner incorporating the power conversion device.
なお、以上の実施の形態に示した構成は、本発明の構成の一例であり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは言うまでもない。 Note that the configuration shown in the above embodiment is an example of the configuration of the present invention, and can be combined with another known technique, and a part thereof is omitted without departing from the gist of the present invention. Needless to say, it is possible to change the configuration.
1 室内機
2 室外機
3 配管
4 制御基板ユニット
5 プリント基板
6 交流電源
7 ダイオードブリッジモジュール(第1のパワーモジュール)
8 PFCモジュール(第2のパワーモジュール)
9 平滑用コンデンサ
10 圧縮機モータ制御用インバータモジュール(第1のパワーモジュール)
11 ファンモータ制御用インバータモジュール(第1のパワーモジュール)
12 リアクタ
13 圧縮機モータ
14 ファンモータ
15a 放熱フィン
15 放熱手段
16 ダイオードブリッジモジュール用サポート
17 PFCモジュール用サポート
18 インバータモジュール用サポート
19 放熱グリス(熱伝導手段、第1の熱伝導手段)
20 固定用ネジ(固定手段)
21 放熱シート(第1の熱伝導手段、第2の熱伝導手段)
22 作業用穴
23 位置固定穴
DESCRIPTION OF
8 PFC module (second power module)
9 Smoothing
11 Inverter module for fan motor control (first power module)
DESCRIPTION OF
20 Fixing screws (fixing means)
21 Heat dissipation sheet (first heat conduction means, second heat conduction means)
22
Claims (9)
前記第1のパワーモジュールよりも高耐熱な第2のパワーモジュールと、
前記第1のパワーモジュールと前記第2のパワーモジュールとが混載される基板と、
前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールが発する熱を放熱する放熱手段と、
前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールが発する熱を前記放熱手段に伝導する熱伝導手段と、
前記第1のパワーモジュールと前記放熱手段とを前記熱伝導手段を介して密着固定する固定手段と、
を備え、
前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールは、
それぞれの放熱面が基板面と平行になるように前記基板に配置され、
前記放熱手段は、
前記第1のパワーモジュールの放熱面および前記第2のパワーモジュールの放熱面に前記熱伝導手段を介して接する面が同一平面となるように形成され、
前記第1のパワーモジュールの放熱面と前記放熱手段とが前記熱伝導手段を介して前記固定手段により密着固定されることにより、前記第2のパワーモジュールの放熱面と前記放熱手段とが前記熱伝導手段を介して密着する
ことを特徴とする電力変換装置。 A first power module;
A second power module having higher heat resistance than the first power module;
A substrate on which the first power module and the second power module are mixedly mounted;
Heat radiating means for radiating heat generated by the first power module and the second power module;
Heat conducting means for conducting heat generated by the first power module and the second power module to the heat radiating means;
Fixing means for tightly fixing the first power module and the heat dissipating means via the heat conducting means;
With
The first power module and the second power module are:
Each heat dissipation surface is arranged on the substrate so as to be parallel to the substrate surface,
The heat dissipation means is
The heat-radiating surface of the first power module and the heat-dissipating surface of the second power module are formed so that the surfaces that are in contact with each other through the heat conducting means are in the same plane,
The heat dissipation surface of the first power module and the heat dissipation means are closely fixed by the fixing means via the heat conducting means, so that the heat dissipation surface of the second power module and the heat dissipation means are heated. A power converter characterized by being in close contact via a conduction means.
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 The distance in the orthogonal direction between the heat dissipation surface of the second power module and the substrate surface is larger than the distance in the orthogonal direction between the heat dissipation surface of the first power module and the substrate surface. Power converter.
前記第1のパワーモジュールが発する熱を前記放熱手段に伝導する第1の熱伝導手段と、
前記第2のパワーモジュールが発する熱を前記放熱手段に伝導する第2の熱伝導手段と、
を有して成り、
前記第1のパワーモジュールおよび前記第2のパワーモジュールの放熱面と前記基板面との直交方向距離が等しいことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 The heat conducting means is
First heat conducting means for conducting heat generated by the first power module to the heat radiating means;
Second heat conducting means for conducting heat generated by the second power module to the heat radiating means;
Comprising
2. The power converter according to claim 1, wherein the orthogonal distances between the heat radiation surfaces of the first power module and the second power module and the substrate surface are equal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011263483A JP5638505B2 (en) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | Power converter and air conditioner equipped with the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011263483A JP5638505B2 (en) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | Power converter and air conditioner equipped with the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013115410A true JP2013115410A (en) | 2013-06-10 |
JP5638505B2 JP5638505B2 (en) | 2014-12-10 |
Family
ID=48710638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011263483A Expired - Fee Related JP5638505B2 (en) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | Power converter and air conditioner equipped with the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5638505B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103414356A (en) * | 2013-08-16 | 2013-11-27 | 张晓民 | Shared monopole suspension type rectifier module |
WO2016071964A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
WO2016071963A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
JP2017098392A (en) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Electronic circuit device |
WO2017187578A1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
CN109192723A (en) * | 2018-10-31 | 2019-01-11 | 广东美的制冷设备有限公司 | Highly integrated power module and electric appliance |
CN109579242A (en) * | 2019-01-21 | 2019-04-05 | 广东美的暖通设备有限公司 | Controller and air conditioner |
JP2022515802A (en) * | 2018-12-29 | 2022-02-22 | 広東美的制冷設備有限公司 | Highly integrated power modules and appliances |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160588A (en) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Hitachi Ltd | Semiconductor module device |
JP2004095670A (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
2011
- 2011-12-01 JP JP2011263483A patent/JP5638505B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05160588A (en) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Hitachi Ltd | Semiconductor module device |
JP2004095670A (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103414356A (en) * | 2013-08-16 | 2013-11-27 | 张晓民 | Shared monopole suspension type rectifier module |
US10658967B2 (en) | 2014-11-04 | 2020-05-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Motor drive apparatus and air conditioner |
WO2016071963A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
JPWO2016071963A1 (en) * | 2014-11-04 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | Electric motor drive device and air conditioner |
JPWO2016071964A1 (en) * | 2014-11-04 | 2017-04-27 | 三菱電機株式会社 | Electric motor drive device and air conditioner |
KR20170060111A (en) * | 2014-11-04 | 2017-05-31 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Motor drive device and air conditioner |
CN107155396A (en) * | 2014-11-04 | 2017-09-12 | 三菱电机株式会社 | Motor drive and air conditioner |
CN107155397A (en) * | 2014-11-04 | 2017-09-12 | 三菱电机株式会社 | Motor drive and air conditioner |
KR101961575B1 (en) * | 2014-11-04 | 2019-03-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | Motor drive device and air conditioner |
WO2016071964A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
US10128775B2 (en) | 2014-11-04 | 2018-11-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Motor drive apparatus and air conditioner |
CN107155396B (en) * | 2014-11-04 | 2019-10-15 | 三菱电机株式会社 | Motor drive and air conditioner |
JP2017098392A (en) * | 2015-11-24 | 2017-06-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Electronic circuit device |
JPWO2017187578A1 (en) * | 2016-04-27 | 2018-07-05 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
CN109075733A (en) * | 2016-04-27 | 2018-12-21 | 三菱电机株式会社 | Motor drive and air conditioner |
WO2017187578A1 (en) * | 2016-04-27 | 2017-11-02 | 三菱電機株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
CN109075733B (en) * | 2016-04-27 | 2022-05-13 | 三菱电机株式会社 | Motor drive device and air conditioner |
CN109192723A (en) * | 2018-10-31 | 2019-01-11 | 广东美的制冷设备有限公司 | Highly integrated power module and electric appliance |
JP2022515802A (en) * | 2018-12-29 | 2022-02-22 | 広東美的制冷設備有限公司 | Highly integrated power modules and appliances |
JP7174856B2 (en) | 2018-12-29 | 2022-11-17 | 広東美的制冷設備有限公司 | Highly integrated power modules and appliances |
US12068680B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-08-20 | Gd Midea Air-Conditioning Equipment Co., Ltd. | Highly integrated power module and electrical appliance |
CN109579242A (en) * | 2019-01-21 | 2019-04-05 | 广东美的暖通设备有限公司 | Controller and air conditioner |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5638505B2 (en) | 2014-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638505B2 (en) | Power converter and air conditioner equipped with the same | |
JP5271487B2 (en) | Power converter | |
US8908374B2 (en) | Electronic device and power converter provided with electronic device | |
WO2007105580A1 (en) | Base for power module | |
JP5393841B2 (en) | Power converter and method for manufacturing power converter | |
WO2013172183A1 (en) | Power module | |
JP6458131B2 (en) | Air conditioner outdoor unit | |
JP2007324016A (en) | Induction heating apparatus | |
JP4402602B2 (en) | Capacitor cooling structure and power conversion device | |
JP2011176974A (en) | Inverter device, compressor, and refrigerant cycle device | |
JP2010093020A (en) | Cooling device for power module | |
JP5773904B2 (en) | Electrical box and air conditioner | |
JP4438526B2 (en) | Power component cooling system | |
JP2009283840A (en) | Electronic circuit module | |
JP2018198508A (en) | Power semiconductor device and electric power conversion system | |
TWI692294B (en) | Converter | |
JP6414326B2 (en) | Stack heat dissipation structure and power conversion device including stack having the stack heat dissipation structure | |
JP4858428B2 (en) | Cooling method for mounted parts | |
JP6907672B2 (en) | Heat dissipation device | |
JP2005073425A (en) | Power conversion device | |
JP2017022152A (en) | Power apparatus | |
JP2010073965A (en) | Semiconductor cooling unit | |
WO2022249841A1 (en) | Mounting structure | |
JP2007173301A (en) | Dissipator for cooling semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing process of dissipator for cooling semiconductor element | |
WO2017126086A1 (en) | Power conversion device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140924 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638505 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |