JP2013003512A - Resist composition, and resist pattern forming method - Google Patents
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- UMRZSTCPUPJPOJ-UHFFFAOYSA-N C(C1)C2CC1CC2 Chemical compound C(C1)C2CC1CC2 UMRZSTCPUPJPOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。 The present invention relates to a resist composition and a resist pattern forming method.
リソグラフィー技術においては、例えば基板の上にレジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。レジスト膜の露光部が現像液に溶解する特性に変化するレジスト材料をポジ型、露光部が現像液に溶解しない特性に変化するレジスト材料をネガ型という。
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーより短波長(高エネルギー)のEUV(極紫外線)や、EB(電子線)、X線などについても検討が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
In lithography technology, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, and the resist film is selectively exposed and developed to form a resist pattern having a predetermined shape on the resist film. The process to perform is performed. A resist material in which the exposed portion of the resist film changes to a property that dissolves in the developer is referred to as a positive type, and a resist material that changes to a property in which the exposed portion does not dissolve in the developer is referred to as a negative type.
In recent years, in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements, pattern miniaturization has been rapidly progressing due to advances in lithography technology.
As a technique for miniaturization, the exposure light source is generally shortened in wavelength (increased energy). Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has started. Further, studies have been made on EUV (extreme ultraviolet), EB (electron beam), X-rays, and the like having a shorter wavelength (higher energy) than these excimer lasers.
Resist materials are required to have lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern with fine dimensions.
Conventionally, as a resist material satisfying such requirements, a chemically amplified resist composition containing an acid generator component that generates an acid upon exposure and a base material component whose solubility in a developing solution is changed by the action of the acid. Is used.
化学増幅型レジスト組成物において使用される基材成分としては、樹脂(ベース樹脂)が一般的に用いられている。
たとえば現像液としてアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセスにてポジ型のレジストパターンを形成するための化学増幅型レジスト組成物としては、酸発生剤成分と、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分と、を含有するものが一般的に用いられている。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、露光部において、酸発生剤成分から酸が発生し、該酸の作用により樹脂成分のアルカリ現像液に対する溶解性が増大して、露光部がアルカリ現像液に対して可溶となる。そのためアルカリ現像することにより、未露光部がパターンとして残るポジ型パターンが形成される。
前記樹脂成分としては、一般的に、酸の作用により樹脂の極性が増大するものが用いられている。極性が増大すると、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する一方で、有機溶剤に対する溶解性は低下する。そのため、アルカリ現像プロセスでなく、有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いた溶剤現像プロセスを適用すると、露光部では、相対的に有機系現像液に対する溶解性が低下するため、該溶剤現像プロセスにおいては、レジスト膜の未露光部が有機系現像液により溶解、除去されて、露光部がパターンとして残るネガ型のレジストパターンが形成される。このようにネガ型のレジストパターンを形成する溶剤現像プロセスをネガ型現像プロセスということがある(たとえば特許文献1参照)。
As a base material component used in the chemically amplified resist composition, a resin (base resin) is generally used.
For example, as a chemically amplified resist composition for forming a positive resist pattern in an alkali development process using an alkali developer as a developer, an acid generator component and solubility in an alkali developer due to the action of an acid are included. What contains the resin component which increases is generally used. When a resist film formed using such a resist composition is selectively exposed at the time of resist pattern formation, an acid is generated from the acid generator component in the exposed portion, and the alkali developer of the resin component is generated by the action of the acid. As a result, the exposed area becomes soluble in an alkaline developer. Therefore, by performing alkali development, a positive pattern in which an unexposed portion remains as a pattern is formed.
As the resin component, one that increases the polarity of the resin by the action of an acid is generally used. As the polarity increases, solubility in an alkaline developer increases while solubility in an organic solvent decreases. Therefore, when a solvent development process using an organic solvent-containing developer (organic developer) is applied instead of an alkali development process, the solubility in the organic developer is relatively reduced in the exposed area. In the solvent development process, the unexposed portion of the resist film is dissolved and removed by the organic developer, and a negative resist pattern is formed in which the exposed portion remains as a pattern. Such a solvent development process for forming a negative resist pattern is sometimes referred to as a negative development process (see, for example, Patent Document 1).
現在、ArFエキシマレーザーリソグラフィー等において使用される化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂としては、193nm付近における透明性に優れることから、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂(アクリル系樹脂)などが一般的に用いられている(たとえば特許文献2参照)。
ベース樹脂は、リソグラフィー特性等の向上のために、複数の構成単位を有している。たとえば前記酸の作用により樹脂の極性が増大する樹脂成分の場合、通常、酸発生剤成分から発生した酸の作用により分解して極性が増大する酸分解性基を有する構成単位を有し、その他、水酸基等の極性基を有する構成単位、ラクトン構造を有する構成単位等を有するものが用いられている。
ここで、「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。
At present, as a base resin of a chemically amplified resist composition used in ArF excimer laser lithography and the like, it has a structural unit derived from (meth) acrylic acid ester in its main chain because of its excellent transparency near 193 nm. Resins (acrylic resins) and the like are generally used (see, for example, Patent Document 2).
The base resin has a plurality of structural units in order to improve lithography properties and the like. For example, in the case of a resin component in which the polarity of the resin is increased by the action of the acid, it usually has a structural unit having an acid-decomposable group that is decomposed by the action of the acid generated from the acid generator component and increases in polarity. Those having a structural unit having a polar group such as a hydroxyl group and a structural unit having a lactone structure are used.
Here, “(meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position. “(Meth) acrylic acid” means one or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position.
化学増幅型レジスト組成物において使用される酸発生剤としては、これまで多種多様なものが提案されており、たとえばオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが知られている。 Various acid generators used in chemically amplified resist compositions have been proposed so far, such as onium salt acid generators, oxime sulfonate acid generators, diazomethane acid generators, nitro acid generators, and nitro acid generators. Benzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators and the like are known.
また、レジスト材料としては、酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂と、一般式(i):R101−R102−N−−S(=O)2−R103 Z+[式中、R101は水素原子、水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子、ヒドロキシル基、−OR100基、−OCOR100基、若しくは−COOR100基(但し、R100は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状若しくは環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。)で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基又は炭素数3〜20の環状若しくは環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示し、R102は単結合又は−O−(C=O)−基を示し、R103は水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基又は炭素数3〜20の環状若しくは環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示し、Z+はオニウムカチオンを示す。]で表される化合物(以下「化合物(i)」という)と、を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されている(特許文献3参照)。
レジスト膜の未露光部における化合物(i)は、酸発生剤等より発生する酸とイオン交換反応を行い、酸の拡散現象を抑制する作用を有し、露光部における化合物(i)は、分解することで、酸発生剤等より発生する酸に対しての塩基性を失う。これにより、特許文献3に記載された感放射線性樹脂組成物によれば、リソグラフィー特性、レジストパターン形状等の向上が図られる、とされている。
The resist material includes a resin having a structural unit having an acid-decomposable group, and a general formula (i): R 101 -R 102 -N -- S (= O) 2 -R 103 Z + [wherein R 101 is a hydrogen atom, part or all of the hydrogen atoms are fluorine atoms, hydroxyl groups, —OR 100 groups, —OCOR 100 groups, or —COOR 100 groups (provided that R 100 is a straight chain having 1 to 10 carbon atoms) Or a branched monovalent hydrocarbon group, or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic or cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms) which may be substituted with 1 to 10 carbon atoms. A linear or branched monovalent hydrocarbon group or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic or cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, R 102 represents a single bond or —O— (C═O ) -Group, R 103 represents hydrogen A linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyclic or cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, which may be partially or wholly substituted with fluorine atoms. And Z + represents an onium cation. ] (Hereinafter referred to as “compound (i)”) and a radiation-sensitive resin composition are disclosed (see Patent Document 3).
The compound (i) in the unexposed portion of the resist film has an action of suppressing an acid diffusion phenomenon by performing an ion exchange reaction with an acid generated from an acid generator or the like, and the compound (i) in the exposed portion is decomposed. By doing so, the basicity with respect to the acid generated from an acid generator or the like is lost. Thereby, according to the radiation sensitive resin composition described in patent document 3, it is supposed that the improvement of a lithography characteristic, a resist pattern shape, etc. will be aimed at.
しかしながら、特許文献3に記載された感放射線性樹脂組成物においては、当該樹脂組成物を調製して一定の期間保存されることにより、保存前後で形成されるレジストパターンの寸法が異なるという問題がある。
一方、レジストパターンの微細化がますます進み、レジスト材料には、良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状がこれまで以上に求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。
However, in the radiation-sensitive resin composition described in Patent Document 3, there is a problem that the resist pattern dimensions formed before and after storage are different by preparing the resin composition and storing it for a certain period of time. is there.
On the other hand, the resist pattern is increasingly miniaturized, and the resist material is required to have better lithography characteristics and a resist pattern shape than ever.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a resist composition and a resist pattern forming method that are excellent in lithography characteristics and resist pattern shape while suppressing dimensional fluctuation due to the influence of time. Let it be an issue.
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、下記の一般式(g1)で表される一価の基又は一般式(g2)で表される一価の基を有する化合物(G)と、下記の一般式(h1)で表される一価の基又は一般式(h2)で表される一価の基を有する化合物(H)とを含有することを特徴とするレジスト組成物である。
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.
That is, the first aspect of the present invention includes a compound (G) having a monovalent group represented by the following general formula (g1) or a monovalent group represented by the general formula (g2), and the following: A resist composition comprising a monovalent group represented by general formula (h1) or a compound (H) having a monovalent group represented by general formula (h2).
本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。 According to a second aspect of the present invention, a resist film is formed on a support using the resist composition of the first aspect, the resist film is exposed, and the resist film is developed to form a resist. It is a resist pattern formation method including the process of forming a pattern.
本明細書及び特許請求の範囲において、「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「ハロゲン化アルキル基」はアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、「ハロゲン化アルキレン基」はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」はアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基であり、「フッ素化アルキレン基」はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。
In the present specification and claims, “exposure” is a concept including general irradiation of radiation.
“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
“Aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
Unless otherwise specified, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups.
The “alkylene group” includes linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
“Halogenated alkyl group” is a group in which some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with halogen atoms. “Halogenated alkylene group” is in which some or all of the hydrogen atoms in the alkylene group are substituted with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
A “fluorinated alkyl group” is a group in which some or all of the hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with fluorine atoms. A “fluorinated alkylene group” is a group in which some or all of the hydrogen atoms in the alkylene group are substituted with fluorine atoms. Group.
本発明によれば、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while being able to suppress the dimensional variation by the influence of time, the resist composition excellent in the lithography characteristic and the resist pattern shape and the resist pattern formation method can be provided.
≪レジスト組成物≫
本発明のレジスト組成物は、前記の一般式(g1)で表される一価の基又は一般式(g2)で表される一価の基を有する化合物(G)(以下「(G)成分」ともいう。)と、前記の一般式(h1)で表される一価の基又は一般式(h2)で表される一価の基を有する化合物(H)(以下「(H)成分」ともいう。)とを含有する。
本発明における(G)成分及び(H)成分は、それぞれ、基材成分として、又は基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。
ここで、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であってレジスト膜を構成する主成分であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物をいう。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。本明細書において「低分子化合物」という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。
重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書および特許請求の範囲において「樹脂」という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。
≪Resist composition≫
The resist composition of the present invention comprises a compound (G) having a monovalent group represented by the general formula (g1) or a monovalent group represented by the general formula (g2) (hereinafter referred to as “(G) component”). And a compound (H) having a monovalent group represented by the general formula (h1) or a monovalent group represented by the general formula (h2) (hereinafter referred to as “component (H)”). Also).
(G) component and (H) component in this invention can be used as an additive mix | blended with a base material component or a base material component, respectively.
Here, the “base component” is an organic compound having a film forming ability and is a main component constituting a resist film, and preferably refers to an organic compound having a molecular weight of 500 or more. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film-forming ability is improved and a nano-level resist pattern is easily formed.
Organic compounds used as the base material component are roughly classified into non-polymers and polymers.
As the non-polymer, those having a molecular weight of 500 or more and less than 4000 are usually used. In the present specification, the “low molecular compound” refers to a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4000.
As the polymer, those having a molecular weight of 1000 or more are usually used. In the present specification and claims, the term “resin” refers to a polymer having a molecular weight of 1000 or more. As the molecular weight of the polymer, a polystyrene-reduced mass average molecular weight by GPC (gel permeation chromatography) is used.
基材成分と共に配合される添加剤として(G)成分及び(H)成分を用いる場合、本発明のレジスト組成物としては、(G)成分及び(H)成分に加えて、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「(A)成分」ともいう。)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」ともいう。)とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第一の実施形態」という。)が挙げられる。
基材成分((A)成分)として(G)成分及び(H)成分の一方又は両方を用いる場合、本発明のレジスト組成物としては、基材成分((A)成分)としての(G)成分と、添加剤としての(H)成分と、(B)成分とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第二の実施形態」という。);基材成分((A)成分)としての(H)成分と、添加剤としての(G)成分と、(B)成分とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第三の実施形態」という。);基材成分((A)成分)としての(G)成分と、基材成分((A)成分)としての(H)成分と、(B)成分とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第四の実施形態」という。)が挙げられる。
When the component (G) and the component (H) are used as additives added together with the base material component, the resist composition of the present invention is developed by the action of an acid in addition to the components (G) and (H). A base material component (A) (hereinafter also referred to as “component (A)”) whose solubility in the liquid changes, and an acid generator component (B) that generates acid upon exposure (hereinafter also referred to as “component (B)”). (Hereinafter, this resist composition is referred to as “first embodiment”).
When one or both of the component (G) and the component (H) is used as the substrate component (component (A)), the resist composition of the present invention includes (G) as the substrate component (component (A)). Component containing component (H) as additive and component (B) (this resist composition is hereinafter referred to as “second embodiment”); as a base component (component (A)) (H) component, (G) component as additive, and (B) component (this resist composition is hereinafter referred to as “third embodiment”); base material component ((A (G) component as component)), (H) component as substrate component (component (A)), and component (B) (hereinafter referred to as “fourth embodiment”). ").
かかる第一〜第四の実施形態のレジスト組成物を用いてレジスト膜をそれぞれ形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にて(B)成分から酸が発生し、該酸の作用により(A)成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部では(A)成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。
その際、レジスト膜の未露光部における(G)成分は、(B)成分から発生する酸とイオン交換反応を行い、酸の拡散現象を抑制する作用を奏し、露光部における(G)成分は、露光により分解することで、(B)成分から発生する酸に対しての塩基性を失う。これにより、リソグラフィー特性、レジストパターン形状等の向上が図られる。
(H)成分は、主として、レジスト組成物の経時保存安定性の向上に寄与する。
When each resist film is formed using the resist composition of the first to fourth embodiments, and the resist film is selectively exposed, an acid is generated from the component (B) in the exposed portion, While the solubility of the component (A) in the developer changes due to the action of the acid, the solubility of the component (A) in the developer does not change in the unexposed area. Therefore, between the exposed area and the unexposed area. A difference in solubility in the developer occurs. Therefore, when the resist film is developed, when the resist composition is positive, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern, and when the resist composition is negative, the unexposed portion is dissolved. This is removed to form a negative resist pattern.
At that time, the (G) component in the unexposed portion of the resist film performs an ion exchange reaction with the acid generated from the (B) component and suppresses the acid diffusion phenomenon, and the (G) component in the exposed portion is By decomposing by exposure, the basicity with respect to the acid generated from the component (B) is lost. Thereby, improvement of lithography characteristics, resist pattern shape, etc. is achieved.
The component (H) mainly contributes to improvement in storage stability of the resist composition with time.
本発明のレジスト組成物は、上述した第一〜第四の実施形態に限定されず、
基材成分((A)成分)として同一の共重合体内に(G)成分から誘導される構成単位と(H)成分から誘導される構成単位とを有する共重合体と、(B)成分とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第五の実施形態」という。);添加剤としての(G)成分と、添加剤としての(H)成分と、露光により酸を発生し得る(A)成分とを含有するもの(以下このレジスト組成物を「第六の実施形態」という。)なども挙げられる。
The resist composition of the present invention is not limited to the first to fourth embodiments described above,
A copolymer having a structural unit derived from the component (G) and a structural unit derived from the component (H) in the same copolymer as the base material component (component (A)); (This resist composition is hereinafter referred to as “fifth embodiment”); (G) component as additive, (H) component as additive, and acid can be generated by exposure ( A) containing the component (hereinafter, this resist composition is referred to as “sixth embodiment”) and the like.
本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。
In this specification, a resist composition in which an exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern is referred to as a positive resist composition, and a resist composition that forms a negative resist pattern in which an unexposed portion is dissolved and removed. Is referred to as a negative resist composition.
The resist composition of the present invention may be a positive resist composition or a negative resist composition. In addition, the resist composition of the present invention may be used for an alkali development process using an alkali developer for development processing at the time of forming a resist pattern, and a developer (organic developer) containing an organic solvent is used for the development processing. It may be for the solvent development process used.
本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成する(または溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成する)レジスト組成物である場合、(A)成分としては、好ましくは、アルカリ現像液に可溶性の基材成分(以下「アルカリ可溶性基材成分」という。)が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。アルカリ可溶性基材成分としては、通常、樹脂(アルカリ可溶性樹脂)が用いられる。
アルカリ可溶性基材成分は、通常、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等のアルカリ可溶性基を有しており、架橋剤成分としては、メチロール基、アルコキシメチル基等の、酸の作用により該アルカリ可溶性基と反応し得る反応性基を有するものが用いられる。そのため、かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてたとえば(B)成分から酸が発生し、該酸の作用によりアルカリ可溶性基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、アルカリ可溶性基材成分のアルカリ可溶性基の減少およびそれに伴う極性の低下、分子量の増大等が生じ、その結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少(有機系現像液に対する溶解性が増大)する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性(有機系現像液に対して可溶性)へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性(有機系現像液に対して難溶性)のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。
架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1〜50質量部であることが好ましい。
なお、アルカリ可溶性基材成分が自己架橋性を有する場合(たとえばアルカリ可溶性基材成分が、酸の作用によりアルカリ可溶性基と反応し得る基を有する場合)は、必ずしも架橋剤成分は配合しなくてもよい。
When the resist composition of the present invention is a resist composition that forms a negative resist pattern in an alkali development process (or forms a positive resist pattern in a solvent development process), the component (A) is preferably A substrate component soluble in an alkali developer (hereinafter referred to as “alkali-soluble substrate component”) is used, and a crosslinking agent component is further blended. As the alkali-soluble base component, a resin (alkali-soluble resin) is usually used.
The alkali-soluble substrate component usually has an alkali-soluble group such as a hydroxyl group, a carboxy group, or an amino group, and the cross-linking agent component includes an alkali-soluble group such as a methylol group or an alkoxymethyl group by the action of an acid. Those having a reactive group capable of reacting with are used. Therefore, when a resist film is formed using such a resist composition and selective exposure is performed on the resist film, for example, an acid is generated from the component (B) in the exposed portion, and alkali-soluble due to the action of the acid. Cross-linking occurs between the base component and the cross-linking agent component, resulting in a decrease in alkali-soluble groups of the alkali-soluble base component and a concomitant decrease in polarity and increase in molecular weight. As a result, solubility in an alkali developer is increased. Decrease (increase in solubility in organic developer). Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by coating the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion is hardly soluble in an alkali developer (to an organic developer). On the other hand, the unexposed area remains soluble (almost insoluble in the organic developer) while remaining undissolved in the alkali developer, so that a negative resist pattern can be formed by developing with an alkali developer. . At this time, if an organic developer is used as the developer, a positive resist pattern can be formed.
As the crosslinking agent component, for example, it is usually preferable to use an amino crosslinking agent such as glycoluril having a methylol group or an alkoxymethyl group, a melamine crosslinking agent, or the like because a good resist pattern with less swelling can be formed. It is preferable that the compounding quantity of a crosslinking agent component is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of alkali-soluble resin.
In addition, when the alkali-soluble substrate component has self-crosslinkability (for example, when the alkali-soluble substrate component has a group capable of reacting with an alkali-soluble group by the action of an acid), the crosslinking agent component is not necessarily blended. Also good.
本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、(A)成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する基材成分(以下「(A0)成分」ともいう。)が用いられる。(A0)成分は露光前後で極性が変化するため、(A0)成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。
つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、(A0)成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりたとえば(B)成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、(A0)成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりたとえば(B)成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。
When the resist composition of the present invention is a resist composition that forms a positive resist pattern in an alkali development process and a negative resist pattern in a solvent development process, the component (A) is preferably an acid A base material component (hereinafter also referred to as “(A0) component”) whose polarity is increased by action is used. Since the polarity of the component (A0) changes before and after exposure, by using the component (A0), a good development contrast can be obtained not only in the alkali development process but also in the solvent development process.
That is, when applying an alkali development process, the component (A0) is hardly soluble in an alkali developer before exposure, and when an acid is generated from the component (B) by exposure, for example, the polarity of the component is reduced by the action of the acid. Increases the solubility in an alkaline developer. Therefore, in the formation of a resist pattern, when a resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion changes from slightly soluble to soluble in an alkaline developer. Since the unexposed portion remains hardly soluble in alkali and does not change, a positive resist pattern can be formed by alkali development. On the other hand, when the solvent development process is applied, the component (A0) is highly soluble in an organic developer before exposure. For example, when an acid is generated from the component (B) by exposure, the (A0) component is polar due to the action of the acid. Becomes higher and the solubility in an organic developer decreases. Therefore, in the formation of the resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on the support is selectively exposed, the exposed portion changes from soluble to poorly soluble in an organic developer. On the other hand, since the unexposed portion remains soluble and does not change, by developing with an organic developer, a contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, and a negative resist pattern can be formed.
<(G)成分>
(G)成分は、下記の一般式(g1)で表される一価の基又は一般式(g2)で表される一価の基を有する化合物である。
<(G) component>
The component (G) is a compound having a monovalent group represented by the following general formula (g1) or a monovalent group represented by the general formula (g2).
前記式(g1)中、R2は、単結合又は−C(=O)−O−基であり、単結合であることが好ましい。但し、R2が単結合の場合、(G)成分には、式中のN−が−C(=O)−基に結合するもの(−N−−C(=O)−基を有するもの)は含まれない。
R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基について、炭素数は1〜10であり、1〜5が好ましく、1〜3がより好ましい。R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等が挙げられる。
R3における、環状の1価の炭化水素基について、炭素数は3〜20であり、3〜12であることが好ましい。R3における、環状の1価の炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
R3における、環状の部分構造を有する1価の炭化水素基としては、環状の炭化水素が直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基の末端に結合した基、環状の炭化水素が直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。当該環状の部分構造は、その炭素数が3〜20であり、好ましくは3〜12であり、上述したモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
R3における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、環状の1価の炭化水素基、環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、それぞれ、当該炭化水素基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよく、置換されていなくてもよい。また、フッ素原子以外の置換基で置換されていてもよく、当該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
In Formula (g1), R 2 is a single bond or a —C (═O) —O— group, and preferably a single bond. However, when R 2 is a single bond, the component (G), N in the formula - is -C (= O) - those bonded to the group (-N - -C (= O) - has a group ) Is not included.
The linear or branched monovalent hydrocarbon group for R 3 has 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 5 and more preferably 1 to 3. Examples of the linear or branched monovalent hydrocarbon group in R 3 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl. Group, tert-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like.
The cyclic monovalent hydrocarbon group for R 3 has 3 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 12 carbon atoms. The cyclic monovalent hydrocarbon group for R 3 is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane; one or more polycycloalkanes such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Examples include a group excluding a hydrogen atom. Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane or cyclooctane; one from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane Examples include groups in which the above hydrogen atoms have been removed.
As the monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure in R 3 , a group in which a cyclic hydrocarbon is bonded to the end of a linear or branched hydrocarbon group, a cyclic hydrocarbon is a linear group Or the group etc. which intervene in the middle of the branched hydrocarbon group are mentioned. The cyclic partial structure has 3 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 12 carbon atoms, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the above-mentioned monocycloalkane, and one or more groups from polycycloalkane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
In R 3 , a linear or branched monovalent hydrocarbon group, a cyclic monovalent hydrocarbon group, and a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure are each in the hydrocarbon group. Part or all of the hydrogen atoms may be substituted with fluorine atoms or may not be substituted. The substituent may be substituted with a substituent other than a fluorine atom, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and an oxygen atom (= O). Can be mentioned.
前記式(g1)、(g2)中、M+は、それぞれ独立に有機カチオンである。
M+の有機カチオンは、特に限定されず、なかでも、従来のレジスト組成物に配合されているオニウム塩系酸発生剤のカチオン部として知られている有機カチオンが好適なものとして挙げられる。
かかるカチオン部としては、スルホニウムイオン又はヨードニウムイオンが好ましく、スルホニウムイオンが特に好ましい。
In the formulas (g1) and (g2), M + independently represents an organic cation.
The organic cation of M + is not particularly limited, and among them, an organic cation known as a cation part of an onium salt acid generator compounded in a conventional resist composition is preferable.
As such a cation moiety, a sulfonium ion or an iodonium ion is preferable, and a sulfonium ion is particularly preferable.
M+の有機カチオンのなかで好適なものとしては、下記の一般式(g−c1)又は一般式(g−c2)で表される有機カチオンが挙げられる。 Preferable examples of the organic cation of M + include organic cations represented by the following general formula (g-c1) or general formula (g-c2).
前記式(g−c1)中、R1”〜R3”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R1”〜R3”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、リソグラフィー特性とレジストパターン形状がより向上することから、R1”〜R3”のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R1”〜R3”のうち、2つ以上がアリール基であることがより好ましく、R1”〜R3”のすべてがアリール基であることが特に好ましい。
In the formula (g-c1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group, an alkyl group, or an alkenyl group that may have a substituent. Any two of R 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
Moreover, it is preferable that at least one of R 1 ″ to R 3 ″ is an aryl group, and two or more of R 1 ″ to R 3 ″ since the lithography characteristics and the resist pattern shape are further improved. Is more preferably an aryl group, and it is particularly preferred that all of R 1 ″ to R 3 ″ are aryl groups.
R1”〜R3”のアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、−C(=O)−O−R6’、−O−C(=O)−R7’、−O−R8’等で置換された置換アリール基等が挙げられる。R6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1〜25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2〜5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。
R1”〜R3”において、無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
R1”〜R3”の置換アリール基における置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
置換アリール基における置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基であることが最も好ましい。
置換アリール基における置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
置換アリール基における置換基としてのアリール基としては、前記R1”〜R3”のアリール基と同様のものが挙げられ、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、炭素数6〜10のアリール基がより好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
As the aryl group for R 1 ″ to R 3 ″, an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms; some or all of the hydrogen atoms of the unsubstituted aryl group are alkyl groups, alkoxy groups, halogen atoms, hydroxyl groups , An oxo group (═O), an aryl group, an alkoxyalkyloxy group, an alkoxycarbonylalkyloxy group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O And a substituted aryl group substituted with —R 8 ′ and the like. R 6 ′, R 7 ′ and R 8 ′ are each a linear, branched or cyclic saturated hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms, or a C 2 to 5 carbon atoms. It is a linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group.
In R 1 ″ to R 3 ″, the unsubstituted aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
As the alkyl group as a substituent in the substituted aryl group of R 1 ″ to R 3 ″, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group Most preferably.
As the alkoxy group as a substituent in the substituted aryl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, or a tert-butoxy group. Most preferably it is.
The halogen atom as a substituent in the substituted aryl group is preferably a fluorine atom.
Examples of the aryl group as a substituent in the substituted aryl group include the same aryl groups as those described above for R 1 ″ to R 3 ″, preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. Group is more preferable, and phenyl group and naphthyl group are more preferable.
置換アリール基におけるアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、
一般式:−O−C(R47)(R48)−O−R49
[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。
R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。
R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
R49における環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
As the alkoxyalkyloxy group in the substituted aryl group, for example,
General formula: -O-C ( R47 ) ( R48 ) -O- R49
[Wherein, R 47 and R 48 each independently represent a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group, and R 49 represents an alkyl group. ] Is represented.
In R 47 and R 48 , the alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
At least one of R 47 and R 48 is preferably a hydrogen atom. In particular, it is more preferable that one is a hydrogen atom and the other is a hydrogen atom or a methyl group.
The alkyl group for R 49 preferably has 1 to 15 carbon atoms and may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group for R 49 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned.
The cyclic alkyl group for R 49 preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc., which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, etc. And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
置換アリール基におけるアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、
一般式:−O−R55−C(=O)−O−R56
[式中、R55は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。
R55における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1−ジメチルエチレン基などが挙げられる。
R56における第3級アルキル基としては、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、1−メチル−1−シクロペンチル基、1−エチル−1−シクロペンチル基、1−メチル−1−シクロヘキシル基、1−エチル−1−シクロヘキシル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−アダマンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロペンチル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロペンチル)−1−メチルペンチル基;1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルエチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルプロピル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルブチル基、1−(1−シクロヘキシル)−1−メチルペンチル基、tert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘキシル基などが挙げられる。
さらに、前記一般式:−O−R55−C(=O)−O−R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。
R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。
R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。
R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述の(B)成分についての説明の中で例示する、式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基等が挙げられる。
R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子が酸素原子(=O)に置換されたもの等が挙げられる。
As the alkoxycarbonylalkyloxy group in the substituted aryl group, for example,
General formula: —O—R 55 —C (═O) —O—R 56
[Wherein, R 55 represents a linear or branched alkylene group, and R 56 represents a tertiary alkyl group. ] Is represented.
The linear or branched alkylene group for R 55 preferably has 1 to 5 carbon atoms, such as a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, or a 1,1-dimethylethylene group. Etc.
As the tertiary alkyl group for R 56 , 2-methyl-2-adamantyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 1-methyl-1-cyclopentyl group, 1-ethyl-1-cyclopentyl group, 1-methyl -1-cyclohexyl group, 1-ethyl-1-cyclohexyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylethyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-adamantyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclopentyl) -1-methylethyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclopentyl) -1-methylpentyl group; 1- (1-cyclohexyl) -1-methylethyl Group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpropyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylbutyl group, 1- (1-cyclohexyl) -1-methylpentyl group, tert-butyl group, tert -Pentyl group, tert-hexyl group and the like.
Moreover, the general formula: the R 56 in the -O-R 55 -C (= O ) -O-R 56, also include groups replaced by R 56 '. R 56 ′ is a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorinated alkyl group, or an aliphatic cyclic group that may contain a hetero atom.
Examples of the alkyl group for R 56 ′ include the same alkyl groups as those described above for R 49 .
Examples of the fluorinated alkyl group for R 56 ′ include groups in which some or all of the hydrogen atoms within the alkyl group for R 49 have been substituted with fluorine atoms.
Examples of the aliphatic cyclic group which may contain a hetero atom in R 56 ′ include an aliphatic cyclic group containing no hetero atom, an aliphatic cyclic group containing a hetero atom in the ring structure, and an aliphatic cyclic group. Examples include those in which a hydrogen atom in the group is substituted with a heteroatom.
Regarding R 56 ′, the aliphatic cyclic group containing no hetero atom includes a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. Can be mentioned. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
As for R 56 ′, specific examples of the aliphatic cyclic group containing a hetero atom in the ring structure include formulas (L1) to (L6) and (S1) exemplified in the description of the component (B) described later. ) To (S4) and the like.
As for R 56 ′, the hydrogen atom in the aliphatic cyclic group is specifically substituted with a hetero atom, specifically, the hydrogen atom in the aliphatic cyclic group is substituted with an oxygen atom (═O), etc. Is mentioned.
−C(=O)−O−R6’、−O−C(=O)−R7’、−O−R8’におけるR6’、R7’、R8’は、それぞれ、炭素数1〜25の直鎖状、分岐鎖状若しくは炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基、又は、炭素数2〜5の直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基である。
直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基は、炭素数1〜25であり、炭素数1〜15であることが好ましく、4〜10であることがより好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、第3級アルキル基を除き、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
R6’、R7’、R8’における炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基としては、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合(−C(=O)−O−)を有していてもよい。具体的には、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。
後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、低級アルキル基等が挙げられる。
また、R6’、R7’、R8’は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と、環状アルキル基との組み合わせであってもよい。
直鎖状または分岐鎖状のアルキル基と環状アルキル基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基に置換基として環状のアルキル基が結合した基、環状のアルキル基に置換基として直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合した基等が挙げられる。
R6’、R7’、R8’における直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。
R6’、R7’、R8’における分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
該直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R7’、R8’においては、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、炭素数1〜15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。
-C (= O) -O-R 6 ', -O-C (= O) -R 7', 'R 6 in' -O-R 8, R 7 ', R 8' are each carbon atoms 1 to 25 linear, branched or cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group having 2 to 5 carbon atoms. .
The linear or branched saturated hydrocarbon group has 1 to 25 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 4 to 10 carbon atoms.
Examples of the linear saturated hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and a decyl group.
Examples of the branched saturated hydrocarbon group excluding the tertiary alkyl group include, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3 -Methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like can be mentioned.
The linear or branched saturated hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), a cyano group, and a carboxy group.
As the alkoxy group as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, An n-butoxy group and a tert-butoxy group are preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group as a substituent of the linear or branched saturated hydrocarbon group, part or all of the hydrogen atoms of the linear or branched saturated hydrocarbon group are the halogen atoms. And a group substituted with.
The cyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms in R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ may be either a polycyclic group or a monocyclic group. A group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. More specifically, one hydrogen atom was removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Group and the like.
The cyclic saturated hydrocarbon group may have a substituent. For example, part of the carbon atoms constituting the ring of the cyclic alkyl group may be substituted with a heteroatom, or the hydrogen atom bonded to the ring of the cyclic alkyl group may be substituted with a substituent. Good.
Examples of the former include one or more hydrogen atoms from a heterocycloalkane in which a part of the carbon atoms constituting the ring of the monocycloalkane or polycycloalkane is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Examples include groups other than atoms. The ring structure may have an ester bond (—C (═O) —O—). Specifically, a lactone-containing monocyclic group such as a group obtained by removing one hydrogen atom from γ-butyrolactone, or a group obtained by removing one hydrogen atom from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring. And other lactone-containing polycyclic groups.
Examples of the substituent in the latter example include the same as those described above as the substituent that the linear or branched alkyl group may have, a lower alkyl group, and the like.
R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ may be a combination of a linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group.
A combination of a linear or branched alkyl group and a cyclic alkyl group includes a group in which a cyclic alkyl group is bonded as a substituent to a linear or branched alkyl group, and a substituent to the cyclic alkyl group. And a group having a linear or branched alkyl group bonded thereto.
Examples of the linear aliphatic unsaturated hydrocarbon group for R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group.
Examples of the branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group for R 6 ′, R 7 ′, and R 8 ′ include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
The linear or branched aliphatic unsaturated hydrocarbon group may have a substituent. Examples of the substituent include the same as those described as the substituent that the linear or branched alkyl group may have.
Among R 7 ′ and R 8 ′, among them, the lithography characteristics and the resist pattern shape are good, so that the linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, or the carbon number 3-20 cyclic saturated hydrocarbon groups are preferred.
R1”〜R3”のアリール基としては、それぞれ、フェニル基またはナフチル基であることが好ましい。 The aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ are each preferably a phenyl group or a naphthyl group.
R1”〜R3”のアルキル基としては、たとえば、炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。なかでも、解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。 Examples of the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″ include a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Especially, it is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decyl group. A methyl group is preferable because it is excellent in resolution and can be synthesized at low cost.
R1”〜R3”のアルケニル基としては、たとえば、炭素数2〜10であることが好ましく、2〜5がより好ましく、2〜4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。 As an alkenyl group of R < 1 >"-R< 3 >", it is preferable that it is C2-C10, for example, 2-5 are more preferable, and 2-4 are more preferable. Specific examples include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), a butynyl group, a 1-methylpropenyl group, and a 2-methylpropenyl group.
R1”〜R3”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、5〜7員環を形成していることが特に好ましい。
R1”〜R3”のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1”〜R3”のアリール基と同様のものが挙げられる。
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, it is preferable that a 3 to 10 membered ring including the sulfur atom is formed, It is particularly preferable to form a 5- to 7-membered ring.
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, the remaining one is preferably an aryl group. Examples of the aryl group include the same aryl groups as R 1 ″ to R 3 ″.
前記式(g−c1)で表される化合物におけるカチオン部の具体例としては、たとえば、トリフェニルスルホニウム、(3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−アダマントキシメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−アダマントキシメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ)フェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−(2−メチル−2−アダマンチルオキシカルボニルメチルオキシ)−3,5−ジメチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウム、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウム、モノフェニルジメチルスルホニウム、ジフェニルモノメチルスルホニウム、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウム、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウム、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウム、1−フェニルテトラヒドロチオフェニウム、1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム、1−フェニルテトラヒドロチオピラニウム、1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウム、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウム、1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウム等が挙げられる。 Specific examples of the cation moiety in the compound represented by the formula (g-c1) include, for example, triphenylsulfonium, (3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-adamantoxymethyloxy)- 3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-adamantoxymethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (tert-butoxycarbonylmethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (tert-butoxycarbonyl) Methyloxy) -3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-methyl-2-adamantyloxycarbonylmethyloxy) phenyl) diphenylsulfonium, (4- (2-methyl-2-adamantyloxycarbonylmethyl) (Oxy) -3,5-dimethylphenyl) diphenylsulfonium, tri (4-methylphenyl) sulfonium, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium, monophenyldimethylsulfonium, diphenylmonomethylsulfonium, (4-methylphenyl) diphenylsulfonium, 4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium, tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, di (1-naphthyl) phenylsulfonium, 1-phenyltetrahydrothiophenium, 1 -(4-methylphenyl) tetrahydrothiophenium, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium, 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl Tetrahydrothiophenium, 1- (4-ethoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, 1-phenyltetrahydrothiopyranium, 1 -(4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiopyranium and the like can be mentioned.
また、前記式(g−c1)で表される化合物におけるカチオン部のなかで好適なものとして、具体的には以下に示すものが挙げられる。 Specific examples of the cation moiety in the compound represented by the formula (g-c1) include those shown below.
前記式(g−c2)中、R5”〜R6”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。
R5”〜R6”のうち、少なくとも1つはアリール基であることが好ましく、R5”〜R6”のいずれもアリール基であることが特に好ましい。
R5”〜R6”のアリール基としては、R1”〜R3”のアリール基と同様のものが挙げられる。
R5”〜R6”のアルキル基としては、R1”〜R3”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
R5”〜R6”のアルケニル基としては、R1”〜R3”のアルケニル基と同様のものが挙げられる。
これらの中でも、R5”〜R6”は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。
前記式(g−c2)で表されるカチオン部の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム等が挙げられる。
In the formula (g-c2), R 5 ″ and R 6 ″ each independently represents an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent.
Among R 5 "~R 6", it is preferable that at least one is an aryl group, and particularly preferably none of R 5 "~R 6" are aryl groups.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Examples of the alkenyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same alkenyl groups for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, it is most preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are phenyl groups.
Specific examples of the cation moiety represented by the formula (g-c2) include diphenyliodonium and bis (4-tert-butylphenyl) iodonium.
また、M+の有機カチオンの好適なものとしては、たとえば、下記の一般式(g−c3)又は一般式(g−c4)で表されるカチオンも挙げられる。 Moreover, as a suitable thing of the organic cation of M <+>, the cation represented by the following general formula (g-c3) or general formula (g-c4) is mentioned, for example.
R81〜R86において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
R81〜R86に付された符号n1〜n6が2以上の整数である場合、複数のR81〜R86はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
n1は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。
n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。
n4は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In R 81 to R 86 , the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n A butyl group or a tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the symbols n 1 to n 6 attached to R 81 to R 86 are integers of 2 or more, the plurality of R 81 to R 86 may be the same or different.
n 1 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.
n 2 and n 3 are preferably each independently 0 or 1, more preferably 0.
n 4 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
n 5 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
n 6 is preferably 0 or 1, more preferably 1.
前記式(g−c3)又は式(g−c4)で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。 Preferable examples of the cation represented by the formula (g-c3) or the formula (g-c4) include those shown below.
また、M+の有機カチオンの好適なものとしては、たとえば、下記の一般式(g−c5)又は一般式(g−c6)で表されるカチオンも挙げられる。 Moreover, as a suitable thing of the organic cation of M <+>, the cation represented by the following general formula (g-c5) or general formula (g-c6) is mentioned, for example.
式(g−c5)、(g−c6)中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。この置換基としては、上記R1”〜R3”のアリール基についての説明のなかで例示した置換アリール基における置換基(アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、−C(=O)−O−R6’、−O−C(=O)−R7’、−O−R8’、前記一般式:−O−R55−C(=O)−O−R56中のR56をR56’で置き換えた基等)と同様である。
R4’は炭素数1〜5のアルキレン基である。
uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。
前記式(b−7)又は式(b−8)で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式中、RCは、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基(アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基(=O)、アリール基、−C(=O)−O−R6’、−O−C(=O)−R7’、−O−R8’)である。
In formulas (g-c5) and (g-c6), R 9 and R 10 are each independently a phenyl group, a naphthyl group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group which may have a substituent. Group, hydroxyl group. Examples of the substituent include a substituent in the substituted aryl group exemplified in the description of the aryl group of R 1 ″ to R 3 ″ (an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxyalkyloxy group, an alkoxycarbonylalkyloxy group, a halogen atom). Atom, hydroxyl group, oxo group (═O), aryl group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O—R 8 ′, the above general formula : -O-R 55 -C (= O) based on R 56 is replaced by R 56 'in the -O-R 56, etc.) to be similar.
R 4 ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.
u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.
Preferable examples of the cation represented by the formula (b-7) or the formula (b-8) include those shown below. In the formula, R C represents a substituent (alkyl group, alkoxy group, alkoxyalkyloxy group, alkoxycarbonylalkyloxy group, halogen atom, hydroxyl group, oxo group (═O) exemplified in the description of the substituted aryl group. An aryl group, —C (═O) —O—R 6 ′, —O—C (═O) —R 7 ′, —O—R 8 ′).
上記のなかでも、M+の有機カチオンとしては、レジスト組成物に配合した際、より良好なリソグラフィー特性とレジストパターン形状が得られやすいことから、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンが最も好ましい。 Among these, as the organic cation of M + , when blended in a resist composition, better lithography characteristics and a resist pattern shape can be easily obtained. Therefore, the organic cation represented by the general formula (g-c1) is used. Most preferred are cations.
(G)成分として具体的には、下記の一般式(g1−1)で表される化合物(Gm−1)、一般式(g2−1)で表される化合物(Gm−2)、一般式(g1−2)で表される化合物(Gm−3)、一般式(g2−2)で表される化合物(Gm−4)等の低分子化合物成分が挙げられる。
また、(G)成分としては、前記の化合物(Gm−1)及び化合物(Gm−2)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位(g’)を有する樹脂成分なども挙げられる。
Specifically, as the component (G), the compound (Gm-1) represented by the following general formula (g1-1), the compound (Gm-2) represented by the general formula (g2-1), and the general formula Examples thereof include low-molecular compound components such as the compound (Gm-3) represented by (g1-2) and the compound (Gm-4) represented by the general formula (g2-2).
Further, as the component (G), a resin component having a structural unit (g ′) derived from at least one compound selected from the group consisting of the compound (Gm-1) and the compound (Gm-2), etc. Also mentioned.
[化合物(Gm−1)]
化合物(Gm−1)は、上記一般式(g1−1)で表される化合物である。
式(g1−1)中、RP1は、上記の一般式(I)又は一般式(II)のいずれかで表される1価の基である。
式(I)、(II)中、Raは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Raにおける炭素数1〜5のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Raにおける炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基は、上記「Raにおける炭素数1〜5のアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Raとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
式(II)中、Rnは、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。
[Compound (Gm-1)]
The compound (Gm-1) is a compound represented by the general formula (g1-1).
In formula (g1-1), R P1 is a monovalent group represented by any one of the above general formula (I) or general formula (II).
In formulas (I) and (II), R a is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in Ra is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, or an isobutyl group. Tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. Halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms in R a will, a part or all of the hydrogen atoms of the "alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R a", are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. As R a , a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable in terms of industrial availability.
Wherein (II), R n is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
式(g1−1)中、Xは、単結合又は2価の連結基を示す。
Xにおける2価の連結基は、特に限定されず、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の基または原子)で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
前記Xにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
In formula (g1-1), X represents a single bond or a divalent linking group.
The divalent linking group in X is not particularly limited, and preferred examples include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.
The hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom).
The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in X may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH2−]、エチレン基[−(CH2)2−]、トリメチレン基[−(CH2)3−]、テトラメチレン基[−(CH2)4−]、ペンタメチレン基[−(CH2)5−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH3)−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)2−、−C(CH3)(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−C(CH2CH3)2−等のアルキルメチレン基;−CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−、−C(CH2CH3)2−CH2−等のアルキルエチレン基;−CH(CH3)CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH3)CH2CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2CH2−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (═O).
前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).
前記Xにおける2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
該芳香族炭化水素基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in X is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, further preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. . However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is hetero Aromatic heterocycles substituted with atoms; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) ) In which one of the hydrogen atoms is substituted with an alkylene group (for example, arylalkyl such as benzyl, phenethyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthylmethyl, 1-naphthylethyl, 2-naphthylethyl, etc.) Group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group in the group); and the like. The alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to the aromatic hydrocarbon ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
前記Xの「ヘテロ原子を含む2価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−、−NH−C(=O)−、=N−、一般式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0〜3の整数である。]等が挙げられる。
Xが−NH−の場合、そのHはアルキル基、アリール基(芳香族基)等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アリール基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがより好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でXにおける「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基において、m’は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基としては、式−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CH2)a’−C(=O)−O−(CH2)b’−で表される基が好ましい。該式中、a’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基がより好ましい。
The hetero atom in the “divalent linking group containing a hetero atom” of X is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
As the divalent linking group containing a hetero atom, —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C (= O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, —S (═O) 2 -O -, - NH-C (= O) -, = N-, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - Or a group represented by —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 —, wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group optionally having a substituent. O is an oxygen atom, and m ′ is an integer of 0 to 3. ] Etc. are mentioned.
When X is —NH—, H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an aryl group (aromatic group). The substituent (alkyl group, aryl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
Formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - or -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22 - In, Y 21 And Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same groups as those described above as the “divalent hydrocarbon group optionally having substituent (s)” in X.
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or an ethylene group. preferable.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 —, m ′ is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, Or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — is represented by the formula —Y 21 —C (═O) —O—Y 22 —. The group is particularly preferred. Among these, a group represented by the formula — (CH 2 ) a ′ —C (═O) —O— (CH 2 ) b ′ — is preferable. In the formula, a ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, further preferably 1 or 2, and most preferably 1. b ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.
Examples of the divalent linking group containing a hetero atom, a linear group containing an oxygen atom as a hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond, are preferred, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, A group represented by — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — or —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is more preferable.
上記のなかでも、Xの2価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基がより好ましい。 Among these, the divalent linking group for X is particularly preferably a linear or branched alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom. . Among these, a linear or branched alkylene group and a divalent alicyclic hydrocarbon group are preferable, and a linear alkylene group and a divalent alicyclic hydrocarbon group are more preferable.
式(g1−1)中、R2、R3及びM+は、前記式(g1)中のR2、R3及びM+とそれぞれ同様である。 Wherein (g1-1), R 2, R 3 and M + is, the formula (g1) is R 2, R 3 and M + respectively similar in.
以下に、化合物(Gm−1)の具体例を例示する。 Specific examples of the compound (Gm-1) are shown below.
[化合物(Gm−2)]
化合物(Gm−2)は、上記一般式(g2−1)で表される化合物である。
式(g2−1)中、RP2は、上記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される1価の基である。Ra、Rnについては、前記と同様である。
式(g2−1)中、X及びM+は、前記式(g1−1)中のX及びM+とそれぞれ同様である。RP2が上記一般式(III)で表される1価の基である場合、Xにおける2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基が好ましく、アリーレン基がより好ましい。
[Compound (Gm-2)]
The compound (Gm-2) is a compound represented by the above general formula (g2-1).
In formula (g2-1), R P2 is a monovalent group represented by any one of the general formulas (I) to (III). R a and R n are the same as described above.
Wherein (g2-1), X and M + are the same as the formula (g1-1) X and M + respectively in. When RP2 is a monovalent group represented by the general formula (III), the divalent linking group in X is preferably a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. An arylene group is more preferable.
以下に、化合物(Gm−2)の具体例を例示する。 Below, the specific example of a compound (Gm-2) is illustrated.
[化合物(Gm−3)]
化合物(Gm−3)は、上記一般式(g1−2)で表される化合物である。
式(g1−2)中、R1は、フッ素原子、ヒドロキシ基、−O−R10基、−NH−C(=O)−R10基、−O−C(=O)−R10基、又は−C(=O)−O−R10基(但し、R10は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。)で置換されていてもよい、炭素数1〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子である。
R10における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基について、炭素数は1〜10であり、1〜5が好ましく、1〜3がより好ましい。R10における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基等が挙げられる。
R10における、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式(g1)中のR3における、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様である。
[Compound (Gm-3)]
The compound (Gm-3) is a compound represented by the general formula (g1-2).
In formula (g1-2), R 1 represents a fluorine atom, a hydroxy group, —O—R 10 group, —NH—C (═O) —R 10 group, —O—C (═O) —R 10 group. Or -C (= O) -O-R 10 group (where R 10 is a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or cyclic monovalent group having 3 to 20 carbon atoms) Or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, which may be substituted with a linear or branched chain group having 1 to 20 carbon atoms. A monovalent hydrocarbon group, a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, or a hydrogen atom.
The linear or branched monovalent alkyl group for R 10 has 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 5 and more preferably 1 to 3. As the linear or branched monovalent alkyl group in R 10 , methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group Tert-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group and the like.
In R 10 , a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms are represented by R 3 in the formula (g1), This is the same as a monovalent hydrocarbon group having a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms.
R1における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基について、炭素数は1〜20であり、1〜15が好ましく、1〜10がより好ましく、1〜5がさらに好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
R1における、直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、i−トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、i−ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
R1における、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式(g1)中のR3における、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様のものが挙げられる。加えて、当該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は5〜20であることが好ましく、6〜15がより好ましく、6〜12が特に好ましい。但し、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基;当該アリール基又は当該アリールアルキル基から1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The linear or branched monovalent hydrocarbon group for R 1 has 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, and still more preferably 1 to 5. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Examples of the linear or branched monovalent hydrocarbon group in R 1 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl. Group, tert-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group I-tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, i-hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group and the like.
A cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms in R 1 are represented by R 3 in the formula (g1), Examples thereof are the same as those of a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms. In addition, the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group. The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 5 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. One aryl group removed; arylalkyl group such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group; the aryl group or arylalkyl group A group in which one or more hydrogen atoms have been removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
該芳香族炭化水素基は、フッ素原子、ヒドロキシ基、−O−R10基、−NH−C(=O)−R10基、−O−C(=O)−R10基、又は−C(=O)−O−R10基以外に、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、フッ素原子以外のハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group is a fluorine atom, a hydroxy group, -O-R 10 group, -NH-C (= O) -R 10 group, -O-C (= O) -R 10 group, or -C. In addition to the (= O) -O-R 10 group, it may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, a halogen atom other than a fluorine atom, a halogenated alkyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of the halogenated alkyl group as the substituent for the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with chlorine, bromine or iodine atoms.
式(g1−2)中、R2、R3及びM+は、前記式(g1)中のR2、R3及びM+とそれぞれ同様である。 Wherein (g1-2), R 2, R 3 and M + is, the formula (g1) is R 2, R 3 and M + respectively similar in.
以下に、化合物(Gm−3)の具体例を例示する。 Below, the specific example of a compound (Gm-3) is illustrated.
[化合物(Gm−4)]
化合物(Gm−4)は、上記一般式(g2−2)で表される化合物である。
式(g2−2)中、R4は、フッ素原子、ヒドロキシ基、−O−R10基、−O−C(=O)−R10基、又は−C(=O)−O−R10基(但し、R10は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。)で置換されていてもよい、炭素数1〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基であり、前記式(g1−2)中のR1と同様である。
式(g2−2)中、M+は、前記式(g1)中のM+と同様である。
[Compound (Gm-4)]
The compound (Gm-4) is a compound represented by the general formula (g2-2).
In formula (g2-2), R 4 represents a fluorine atom, a hydroxy group, —O—R 10 group, —O—C (═O) —R 10 group, or —C (═O) —O—R 10. A group wherein R 10 is a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic group having 3 to 20 carbon atoms A monovalent hydrocarbon group having a partial structure of 1), a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a cyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, which is the same as R 1 in the formula (g1-2).
Wherein (G2-2), M + is the same as M + in the formula (g1).
以下に、化合物(Gm−4)の具体例を例示する。 Below, the specific example of a compound (Gm-4) is illustrated.
上述した化合物(Gm−1)、化合物(Gm−2)、化合物(Gm−3)及び化合物(Gm−4)等の低分子化合物成分は、レジスト組成物において、基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。
レジスト組成物中、かかる添加剤としての(G)成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
添加剤としての(G)成分は、化合物(Gm−1)、化合物(Gm−2)、化合物(Gm−3)及び化合物(Gm−4)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。
レジスト組成物中、添加剤としての(G)成分の含有量は、レジスト組成物の基材成分100質量部に対して、0.5〜20質量部が好ましく、1.0〜15質量部がより好ましく、1.5〜10質量部が特に好ましい。
(G)成分の含有量が上記範囲内であることにより、酸の拡散制御の効果がより高まり、また、未露光部と露光部におけるコントラストが良好になるため、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。
The low molecular compound components such as the compound (Gm-1), the compound (Gm-2), the compound (Gm-3) and the compound (Gm-4) described above are added together with the base material component in the resist composition. It can be used as an agent.
In the resist composition, the component (G) as an additive may be used alone or in combination of two or more.
The component (G) as an additive includes at least one compound selected from the group consisting of the compound (Gm-1), the compound (Gm-2), the compound (Gm-3), and the compound (Gm-4). It is preferable.
In the resist composition, the content of the component (G) as an additive is preferably 0.5 to 20 parts by mass, and 1.0 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base component of the resist composition. More preferred is 1.5 to 10 parts by mass.
Since the content of the component (G) is within the above range, the effect of acid diffusion control is further enhanced, and the contrast between the unexposed area and the exposed area is improved, so that the lithography characteristics or the resist pattern shape is further improved. It becomes good.
[構成単位(g’)を有する樹脂成分]
構成単位(g’)は、前記の化合物(Gm−1)及び化合物(Gm−2)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位である。
以下、構成単位(g’)のうち、化合物(Gm−1)から誘導される構成単位を構成単位(g’1)、化合物(Gm−2)から誘導される構成単位を構成単位(g’2)ともいう。
ここでいう「化合物(Gm−1)から誘導される構成単位」、「化合物(Gm−2)から誘導される構成単位」とは、それぞれの化合物のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
[Resin Component Having Structural Unit (g ′)]
The structural unit (g ′) is a structural unit derived from at least one compound selected from the group consisting of the compound (Gm-1) and the compound (Gm-2).
Hereinafter, among the structural units (g ′), the structural unit derived from the compound (Gm-1) is the structural unit (g′1), and the structural unit derived from the compound (Gm-2) is the structural unit (g ′). Also called 2).
The “structural unit derived from the compound (Gm-1)” and the “structural unit derived from the compound (Gm-2)” as used herein are configured by cleavage of the ethylenic double bond of each compound. Means a structural unit.
・構成単位(g’1)
構成単位(g’1)は、下記の一般式(Gm−1−I)又は一般式(Gm−1−II)で表される構成単位である。
・ Structural unit (g'1)
The structural unit (g′1) is a structural unit represented by the following general formula (Gm-1-I) or general formula (Gm-1-II).
前記式(Gm−1−I)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
R2は、単結合であることが好ましい。
R3は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
M+は、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンであることが好ましい。
In the formula (Gm-1-I), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
R 2 is preferably a single bond.
R 3 is preferably a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and is a linear or branched chain having 1 to 10 carbon atoms or It is more preferably a branched monovalent fluorinated alkyl group.
M + is preferably an organic cation represented by the general formula (g-c1).
前記式(Gm−1−II)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。R2は、単結合であることが好ましい。
R3は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
M+は、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンであることが好ましい。
In the formula (Gm-1-II), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R n is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group. R 2 is preferably a single bond.
R 3 is preferably a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and is a linear or branched chain having 1 to 10 carbon atoms or It is more preferably a branched monovalent fluorinated alkyl group.
M + is preferably an organic cation represented by the general formula (g-c1).
以下に、構成単位(g’1)の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit (g′1) are illustrated below. In the following formula, R a ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
・構成単位(g’2)
構成単位(g’2)は、下記の一般式(Gm−2−I)、一般式(Gm−2−II)又は一般式(Gm−2−III)で表される構成単位である。
・ Unit (g'2)
The structural unit (g′2) is a structural unit represented by the following general formula (Gm-2-I), general formula (Gm-2-II), or general formula (Gm-2-III).
前記式(Gm−2−I)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
M+は、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンであることが好ましい。
In the formula (Gm-2-I), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
M + is preferably an organic cation represented by the general formula (g-c1).
前記式(Gm−2−II)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
M+は、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンであることが好ましい。
In the formula (Gm-2-II), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R n is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
M + is preferably an organic cation represented by the general formula (g-c1).
前記式(Gm−2−III)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、単結合、または置換基を有していてもよいアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。
M+は、前記一般式(g−c1)で表される有機カチオンであることが好ましい。
In the formula (Gm-2-III), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group. X is preferably a single bond or an arylene group which may have a substituent, and more preferably a single bond.
M + is preferably an organic cation represented by the general formula (g-c1).
以下に、構成単位(g’2)の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。m”は、0または1である。 Specific examples of the structural unit (g′2) are illustrated below. In the following formula, R a ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. m ″ is 0 or 1.
樹脂成分が含有する構成単位(g’)は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
構成単位(g’)を有する樹脂成分中、構成単位(g’)の割合は、当該樹脂成分を構成する全構成単位に対し、0.5〜30モル%が好ましく、1〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
構成単位(g’)の割合を上記範囲内とすることによって、酸の拡散制御の効果がより高まり、また、未露光部と露光部におけるコントラストが良好になるため、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。
The structural unit (g ′) contained in the resin component may be used alone or in combination of two or more.
In the resin component having the structural unit (g ′), the proportion of the structural unit (g ′) is preferably 0.5 to 30 mol%, and 1 to 15 mol% with respect to all the structural units constituting the resin component. More preferably, 1-10 mol% is further more preferable.
By making the proportion of the structural unit (g ′) within the above range, the effect of acid diffusion control is further enhanced, and the contrast between the unexposed part and the exposed part is improved, so that the lithography characteristics or the resist pattern shape is improved. Better.
・その他の構成単位
構成単位(g’)を有する樹脂成分は、構成単位(g’)以外のその他の構成単位を有してもよい。
かかるその他の構成単位は、上述した構成単位(g’)に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
かかるその他の構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(後述の構成単位(a1))を有することが好ましい。特に、この構成単位(a1)と、上述した構成単位(g’)とを有する共重合体は、レジスト組成物の基材成分((A)成分)として用いることができる。
-Other structural unit The resin component which has a structural unit (g ') may have other structural units other than a structural unit (g').
Such other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that is not classified into the structural unit (g ′) described above, such as for ArF excimer laser, for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser), Many things conventionally known as what is used for resin for resists can be used.
Such other structural unit is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and the acid decomposition whose polarity is increased by the action of an acid It is preferable to have a structural unit (structural unit (a1) described later) containing a sex group. In particular, the copolymer having the structural unit (a1) and the above-described structural unit (g ′) can be used as a base component (component (A)) of the resist composition.
本発明のレジスト組成物において、構成単位(g’)を有する樹脂成分は、構成単位(g’)と構成単位(a1)とを有する共重合体であること、すなわち基材成分((A)成分)としての(G)成分であること、が好ましい。
基材成分((A)成分)としての、構成単位(g’)を有する樹脂成分は、構成単位(g’)及び構成単位(a1)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO2−含有環式基を含む構成単位(a0)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。
また、基材成分((A)成分)としての、構成単位(g’)を有する樹脂成分は、構成単位(g’)及び構成単位(a1)に加えて、又は、構成単位(a0)及び構成単位(a2)の少なくとも一方と構成単位(a1)と構成単位(g’)とに加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)を有するものが好ましい。
当該構成単位(a1)〜(a3)、(a0)の詳細については後述する。
In the resist composition of the present invention, the resin component having the structural unit (g ′) is a copolymer having the structural unit (g ′) and the structural unit (a1), that is, the base material component ((A)). The component (G) is preferred as the component.
In addition to the structural unit (g ′) and the structural unit (a1), the resin component having the structural unit (g ′) as the base material component (component (A)) was further bonded to the α-position carbon atom. A structural unit derived from an acrylate ester optionally substituted with a hydrogen atom, a structural unit (a0) containing a —SO 2 — containing cyclic group, and hydrogen bonded to the α-position carbon atom A structural unit derived from an acrylate ester optionally substituted with a substituent having at least one structural unit selected from the group consisting of the structural unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group Is preferred.
In addition to the structural unit (g ′) and the structural unit (a1), the resin component having the structural unit (g ′) as the base material component (component (A)) or the structural unit (a0) and In addition to at least one of the structural unit (a2), the structural unit (a1), and the structural unit (g ′), the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be further substituted with a substituent. A structural unit derived from an ester and having a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is preferred.
Details of the structural units (a1) to (a3) and (a0) will be described later.
レジスト組成物中、構成単位(g’)を有する樹脂成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the resist composition, the resin component having the structural unit (g ′) may be used alone or in combination of two or more.
<(H)成分>
(H)成分は、下記の一般式(h1)で表される一価の基又は一般式(h2)で表される一価の基を有する化合物である。
<(H) component>
The component (H) is a compound having a monovalent group represented by the following general formula (h1) or a monovalent group represented by the general formula (h2).
前記式(h1)中、R6は、単結合又は−C(=O)−O−基であり、単結合であることが好ましい。
R7における、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基は、前記式(g1)中のR3における、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基とそれぞれ同様である。
In the formula (h1), R 6 is a single bond or a —C (═O) —O— group, and preferably a single bond.
In R 7 , a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms The monovalent hydrocarbon group having a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a cyclic group having 3 to 20 carbon atoms in R 3 in the formula (g1). The same applies to a monovalent hydrocarbon group and a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms.
(H)成分として具体的には、下記の一般式(h1−1)で表される化合物(Hm−1)、一般式(h2−1)で表される化合物(Hm−2)、一般式(h1−2)で表される化合物(Hm−3)、一般式(h2−2)で表される化合物(Hm−4)等の低分子化合物成分が挙げられる。
また、(H)成分としては、前記の化合物(Hm−1)及び化合物(Hm−2)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位(h’)を有する樹脂成分なども挙げられる。
Specifically, as the component (H), a compound (Hm-1) represented by the following general formula (h1-1), a compound (Hm-2) represented by the general formula (h2-1), a general formula Low molecular compound components such as the compound (Hm-3) represented by (h1-2) and the compound (Hm-4) represented by the general formula (h2-2) can be mentioned.
The component (H) includes a resin component having a structural unit (h ′) derived from at least one compound selected from the group consisting of the compound (Hm-1) and the compound (Hm-2). Also mentioned.
[化合物(Hm−1)]
化合物(Hm−1)は、上記一般式(h1−1)で表される化合物である。
式(h1−1)中、RP1は、前記の一般式(I)又は一般式(II)のいずれかで表される1価の基である。
式(h1−1)中、R6、R7及びXは、前記式(g1−1)中のR2、R3及びXとそれぞれ同様である。
化合物(Hm−1)の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物(Gm−1)で挙げた化合物のアニオン部における「−N−−」を「−NH−」に置き換えた化合物等が挙げられる。
[Compound (Hm-1)]
The compound (Hm-1) is a compound represented by the general formula (h1-1).
In the formula (h1-1), R P1 is a monovalent group represented by either the general formula (I) or the general formula (II).
In formula (h1-1), R 6 , R 7 and X are the same as R 2 , R 3 and X in formula (g1-1), respectively.
As a specific example of the compound (Hm-1), as shown below as an example, “—N − —” in the anion moiety of the compound mentioned in the compound (Gm-1) is replaced with “—NH—”. And the like.
[化合物(Hm−2)]
化合物(Hm−2)は、上記一般式(h2−1)で表される化合物である。
式(h2−1)中、RP2は、前記一般式(I)〜(III)のいずれかで表される1価の基である。
式(h2−1)中、Xは、前記式(g2−1)中のXと同様である。
以下に、化合物(Hm−2)の具体例としては、前記化合物(Gm−2)で挙げた化合物のアニオン部における「−COO−」を「−COOH」に置き換えた化合物が挙げられる。
[Compound (Hm-2)]
The compound (Hm-2) is a compound represented by the general formula (h2-1).
In formula (h2-1), R P2 is a monovalent group represented by any one of the general formulas (I) to (III).
In formula (h2-1), X is the same as X in the formula (g2-1).
Specific examples of the compound (Hm-2) include compounds in which “—COO − ” in the anion moiety of the compound mentioned in the compound (Gm-2) is replaced with “—COOH”.
[化合物(Hm−3)]
化合物(Hm−3)は、上記一般式(h1−2)で表される化合物である。
式(h1−2)中、R5は、フッ素原子、ヒドロキシ基、−O−R10基、−NH−C(=O)−R10基、−O−C(=O)−R10基、又は−C(=O)−O−R10基(但し、R10は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。)で置換されていてもよい、炭素数1〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基、又は水素原子であり、前記式(g1−2)中のR1と同様である。
式(h1−2)中、R6及びR7は、前記式(h1−1)中のR6及びR7とそれぞれ同様である。
以下に、化合物(Hm−3)の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物(Gm−3)で挙げた化合物のアニオン部における「−N−−」を「−NH−」に置き換えた化合物等が挙げられる。
[Compound (Hm-3)]
The compound (Hm-3) is a compound represented by the general formula (h1-2).
In formula (h1-2), R 5 is a fluorine atom, a hydroxy group, —O—R 10 group, —NH—C (═O) —R 10 group, —O—C (═O) —R 10 group. Or -C (= O) -O-R 10 group (where R 10 is a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or cyclic monovalent group having 3 to 20 carbon atoms) Or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, which may be substituted with a linear or branched chain group having 1 to 20 carbon atoms. A monovalent hydrocarbon group, a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, or a hydrogen atom, The same as R 1 in g1-2).
Wherein (H1-2), R 6 and R 7 are each similar to the R 6 and R 7 in the formula (h1-1).
As specific examples of the compound (Hm-3), as shown below as an example, “—N − —” in the anion moiety of the compound exemplified in the compound (Gm-3) is represented by “—NH—. And the like.
[化合物(Hm−4)]
化合物(Hm−4)は、上記一般式(h2−2)で表される化合物である。
式(h2−2)中、R8は、フッ素原子、ヒドロキシ基、−O−R10基、−O−C(=O)−R10基、又は−C(=O)−O−R10基(但し、R10は炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基を示す。)で置換されていてもよい、炭素数1〜20の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のアルキル基、炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状の部分構造を有する1価の炭化水素基であり、前記式(h1−2)中のR5と同様である。
以下に、化合物(Hm−4)の具体例としては、その一例として以下に示すように、前記化合物(Gm−4)で挙げた化合物のアニオン部における「−COO−」を「−COOH」に置き換えた化合物等が挙げられる。
[Compound (Hm-4)]
The compound (Hm-4) is a compound represented by the general formula (h2-2).
In formula (h2-2), R 8 represents a fluorine atom, a hydroxy group, —O—R 10 group, —O—C (═O) —R 10 group, or —C (═O) —O—R 10. A group wherein R 10 is a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyclic monovalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a cyclic group having 3 to 20 carbon atoms A monovalent hydrocarbon group having a partial structure of 1), a linear or branched monovalent alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and a cyclic group having 3 to 20 carbon atoms. Or a monovalent hydrocarbon group having a cyclic partial structure having 3 to 20 carbon atoms, which is the same as R 5 in the formula (h1-2).
Hereinafter, specific examples of the compound (Hm-4), as shown below as an example, the anion moiety of the compounds listed in the compound (Gm-4) "-COO -" to "-COOH" Examples include substituted compounds.
上述した化合物(Hm−1)、化合物(Hm−2)、化合物(Hm−3)及び化合物(Hm−4)等の低分子化合物成分は、レジスト組成物において、基材成分と共に配合される添加剤として用いることができる。
レジスト組成物中、かかる添加剤としての(H)成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
添加剤としての(H)成分は、化合物(Hm−1)、化合物(Hm−2)、化合物(Hm−3)及び化合物(Hm−4)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。
レジスト組成物中、添加剤としての(H)成分の含有量は、レジスト組成物の基材成分100質量部に対して、0.1〜15質量部が好ましく、0.3〜7質量部がより好ましく、0.5〜5質量部が特に好ましい。
(H)成分の含有量が上記範囲内であることにより、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。
The low molecular compound components such as the compound (Hm-1), the compound (Hm-2), the compound (Hm-3) and the compound (Hm-4) described above are added together with the base material component in the resist composition. It can be used as an agent.
In the resist composition, the component (H) as the additive may be used alone or in combination of two or more.
The component (H) as an additive includes at least one compound selected from the group consisting of the compound (Hm-1), the compound (Hm-2), the compound (Hm-3), and the compound (Hm-4). It is preferable.
In the resist composition, the content of the component (H) as an additive is preferably 0.1 to 15 parts by mass, and 0.3 to 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base component of the resist composition. More preferably, 0.5-5 mass parts is especially preferable.
When the content of the component (H) is within the above range, the dimensional variation of the resist pattern due to the influence of time is further suppressed.
[構成単位(h’)を有する樹脂成分]
構成単位(h’)は、前記の化合物(Hm−1)及び化合物(Hm−2)からなる群より選択される少なくとも一種の化合物から誘導される構成単位である。
以下、構成単位(h’)のうち、化合物(Hm−1)から誘導される構成単位を構成単位(h’1)、化合物(Hm−2)から誘導される構成単位を構成単位(h’2)ともいう。
ここでいう「化合物(Hm−1)から誘導される構成単位」、「化合物(Hm−2)から誘導される構成単位」とは、それぞれの化合物のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
[Resin component having structural unit (h ′)]
The structural unit (h ′) is a structural unit derived from at least one compound selected from the group consisting of the compound (Hm-1) and the compound (Hm-2).
Hereinafter, among the structural units (h ′), the structural unit derived from the compound (Hm-1) is the structural unit (h′1), and the structural unit derived from the compound (Hm-2) is the structural unit (h ′). Also called 2).
The “structural unit derived from the compound (Hm-1)” and the “structural unit derived from the compound (Hm-2)” as used herein are configured by cleavage of the ethylenic double bond of each compound. Means a structural unit.
・構成単位(h’1)
構成単位(h’1)は、下記の一般式(Hm−1−I)又は一般式(Hm−1−II)で表される構成単位である。
・ Unit (h'1)
The structural unit (h′1) is a structural unit represented by the following general formula (Hm-1-I) or general formula (Hm-1-II).
前記式(Hm−1−I)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
R6は、単結合であることが好ましい。
R7は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
In the formula (Hm-1-I), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
R 6 is preferably a single bond.
R 7 is preferably a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and a linear or branched group having 1 to 10 carbon atoms or It is more preferably a branched monovalent fluorinated alkyl group.
前記式(Hm−1−II)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
R6は、単結合であることが好ましい。
R7は、フッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価の炭化水素基であることが好ましく、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐鎖状の1価のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
In the formula (Hm-1-II), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R n is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
R 6 is preferably a single bond.
R 7 is preferably a linear or branched monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, and a linear or branched group having 1 to 10 carbon atoms or It is more preferably a branched monovalent fluorinated alkyl group.
以下に、構成単位(h’1)の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit (h′1) are illustrated below. In the following formula, R a ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
・構成単位(h’2)
構成単位(h’2)は、下記の一般式(Hm−2−I)、一般式(Hm−2−II)又は一般式(Hm−2−III)で表される構成単位である。
・ Unit (h'2)
The structural unit (h′2) is a structural unit represented by the following general formula (Hm-2-I), general formula (Hm-2-II), or general formula (Hm-2-III).
前記式(Hm−2−I)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
In the formula (Hm-2-I), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
前記式(Hm−2−II)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
Rnは、水素原子またはメチル基であることが好ましい。
Xは、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキレン基であることが好ましく、直鎖状または環状のアルキレン基であることがより好ましい。
In the formula (Hm-2-II), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
R n is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X is preferably a linear, branched or cyclic alkylene group, and more preferably a linear or cyclic alkylene group.
前記式(Hm−2−III)中、Raは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Xは、単結合、または置換基を有していてもよいアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。 In the formula (Hm-2-III), R a is preferably a hydrogen atom or a methyl group. X is preferably a single bond or an arylene group which may have a substituent, and more preferably a single bond.
以下に、構成単位(h’2)の具体例を例示する。下記式中、Ra’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。m”は、0または1である。 Specific examples of the structural unit (h′2) are illustrated below. In the following formula, R a ′ represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. m ″ is 0 or 1.
樹脂成分が含有する構成単位(h’)は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
構成単位(h’)を有する樹脂成分中、構成単位(h’)の割合は、当該樹脂成分を構成する全構成単位に対し、0.5〜30モル%が好ましく、1〜15モル%がより好ましく、1.5〜10モル%がさらに好ましい。。
構成単位(h’)の割合を下限値以上とすることによって、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。一方、構成単位(h’)の割合を上限値以下とすることにより、現像液(特にアルカリ現像液)の溶解コントラストが良好となり、解像性・パターン形状等のリソグラフィー特性が良好になる。
The structural unit (h ′) contained in the resin component may be used alone or in combination of two or more.
In the resin component having the structural unit (h ′), the proportion of the structural unit (h ′) is preferably 0.5 to 30 mol%, and 1 to 15 mol% with respect to all the structural units constituting the resin component. More preferred is 1.5 to 10 mol%. .
By setting the proportion of the structural unit (h ′) to be equal to or higher than the lower limit value, the dimensional variation of the resist pattern due to the influence of time is further suppressed. On the other hand, by setting the proportion of the structural unit (h ′) to the upper limit value or less, the dissolution contrast of the developer (particularly alkali developer) is improved, and the lithography properties such as resolution and pattern shape are improved.
・その他の構成単位
構成単位(h’)を有する樹脂成分は、構成単位(h’)以外のその他の構成単位を有してもよい。
かかるその他の構成単位は、上述した構成単位(h’)に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
かかるその他の構成単位としては、後述の構成単位(a1)を有することが好ましい。特に、この構成単位(a1)と、上述した構成単位(h’)とを有する共重合体は、レジスト組成物の基材成分((A)成分)として用いることができる。
-Other structural unit The resin component which has structural unit (h ') may have other structural units other than structural unit (h').
Such other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that is not classified into the structural unit (h ′) described above, such as for ArF excimer laser, for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser), etc. Many things conventionally known as what is used for resin for resists can be used.
As such other structural unit, it is preferable to have a structural unit (a1) described later. In particular, the copolymer having the structural unit (a1) and the above-described structural unit (h ′) can be used as a base component (component (A)) of the resist composition.
本発明のレジスト組成物において、構成単位(h’)を有する樹脂成分は、構成単位(h’)と構成単位(a1)とを有する共重合体であること、すなわち基材成分((A)成分)としての(H)成分であること、が好ましい。
構成単位(h’)を有する樹脂成分は、構成単位(h’)及び構成単位(a1)に加えて、さらに、前記の構成単位(a0)及び構成単位(a2)からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。
また、構成単位(h’)を有する樹脂成分は、構成単位(h’)及び構成単位(a1)に加えて、又は、構成単位(a0)及び構成単位(a2)の少なくとも一方と構成単位(a1)と構成単位(h’)とに加えて、さらに、前記構成単位(a3)を有するものが好ましい。
In the resist composition of the present invention, the resin component having the structural unit (h ′) is a copolymer having the structural unit (h ′) and the structural unit (a1), that is, the base material component ((A)). (H) component as component) is preferable.
The resin component having the structural unit (h ′) is selected from the group consisting of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) in addition to the structural unit (h ′) and the structural unit (a1). What has at least 1 type of structural unit is preferable.
In addition to the structural unit (h ′) and the structural unit (a1), the resin component having the structural unit (h ′) or at least one of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) and the structural unit ( What has the said structural unit (a3) further in addition to a1) and a structural unit (h ') is preferable.
レジスト組成物中、、構成単位(h’)を有する樹脂成分は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the resist composition, the resin component having the structural unit (h ′) may be used alone or in combination of two or more.
なお、上述した「構成単位(g’)を有する樹脂成分」、「構成単位(h’)を有する樹脂成分」としては、同一の共重合体内に、(G)成分から誘導される構成単位(構成単位(g’))と、(H)成分から誘導される構成単位(構成単位(h’))と、を有する共重合体も挙げられる。
かかる構成単位(g’)と構成単位(h’)とを有する共重合体中、構成単位(g’)の割合は、当該共重合体を構成する全構成単位に対し、0.5〜30モル%が好ましく、1〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましく、構成単位(h’)の割合は、当該共重合体を構成する全構成単位に対し、0.5〜30モル%が好ましく、1〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
構成単位(g’)の割合を上記範囲内とすることによって、酸の拡散制御の効果がより高まり、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。
構成単位(h’)の割合を下限値以上とすることによって、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。一方、構成単位(h’)の割合を上限値以下とすることにより、現像液(特にアルカリ現像液)の溶解コントラストが良好となり、解像性・パターン形状等のリソグラフィー特性が良好になる。
The above-mentioned “resin component having the structural unit (g ′)” and “resin component having the structural unit (h ′)” are structural units derived from the component (G) in the same copolymer ( A copolymer having a structural unit (g ′)) and a structural unit derived from the component (H) (structural unit (h ′)) is also included.
In the copolymer having the structural unit (g ′) and the structural unit (h ′), the proportion of the structural unit (g ′) is 0.5 to 30 with respect to all the structural units constituting the copolymer. Mol% is preferable, 1-15 mol% is more preferable, 1-10 mol% is more preferable, and the ratio of a structural unit (h ') is 0.5-0.5 with respect to all the structural units which comprise the said copolymer. 30 mol% is preferable, 1-15 mol% is more preferable, and 1-10 mol% is further more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (g ′) within the above range, the effect of acid diffusion control is further enhanced, and the lithography characteristics or resist pattern shape is improved.
By setting the proportion of the structural unit (h ′) to be equal to or higher than the lower limit value, the dimensional variation of the resist pattern due to the influence of time is further suppressed. On the other hand, by setting the proportion of the structural unit (h ′) to the upper limit value or less, the dissolution contrast of the developer (particularly alkali developer) is improved, and the lithography properties such as resolution and pattern shape are improved.
本発明のレジスト組成物においては、前記化合物(H)の含有物質量が、前記化合物(G)の含有物質量以上であることが好ましい。これにより、レジスト組成物を調製して一定の期間保存した際の、経時の影響による寸法変動が抑制される。
本発明において、化合物(H)又は化合物(G)が低分子化合物成分である場合の「含有物質量」とは、基材成分100質量部を基準としてレジスト組成物に配合されるその化合物のモル(mol)数を意味する。
化合物(H)又は化合物(G)が基材成分としての樹脂成分である場合の「含有物質量」は、下記手順(1)〜(3)により算出されるモル(mol)数とする。
手順(1):レジスト組成物に使用する樹脂について、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により当該樹脂の共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))を求める。これにより、構成単位(h’)又は構成単位(g’)の割合(モル比)が求められる。
手順(2):手順(1)で求めたモル比より、構成単位(h’)又は構成単位(g’)の質量比を求め、これより、樹脂成分の全体を100(質量部)とした際のそれぞれの構成単位の割合(質量比)を求める。
手順(3):手順(2)で求めた構成単位の割合(質量比)を、化合物(H)又は化合物(G)の質量とみなし、これより、化合物(H)又は化合物(G)のモル(mol)数を算出する。
In the resist composition of the present invention, the content of the compound (H) is preferably equal to or greater than the content of the compound (G). Thereby, when the resist composition is prepared and stored for a certain period, the dimensional fluctuation due to the influence of time is suppressed.
In the present invention, when the compound (H) or the compound (G) is a low molecular compound component, the “amount of contained material” means the mole of the compound blended in the resist composition based on 100 parts by mass of the base component. (Mol) means number.
When the compound (H) or the compound (G) is a resin component as a base component, the “content amount” is the number of moles calculated by the following procedures (1) to (3).
Procedure (1): About resin used for a resist composition, carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz — 13 C-NMR) indicates the copolymer composition ratio of the resin (ratio of each structural unit in the structural formula (molar ratio)). Ask for. Thereby, the ratio (molar ratio) of the structural unit (h ′) or the structural unit (g ′) is determined.
Procedure (2): From the molar ratio determined in the procedure (1), the mass ratio of the structural unit (h ′) or the structural unit (g ′) was determined, and the total resin component was defined as 100 (parts by mass). The ratio (mass ratio) of each structural unit is determined.
Procedure (3): The ratio (mass ratio) of the structural units determined in Procedure (2) is regarded as the mass of the compound (H) or the compound (G), and from this, the mole of the compound (H) or the compound (G) Calculate the number of (mol).
<(A)成分>
本発明のレジスト組成物において、(A)成分としては、酸の作用により極性が増大する基材成分((A0)成分)を用いることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。
該(A0)成分は、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であってもよく、酸の作用により極性が増大する低分子化合物成分であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。
(A0)成分としては、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であることが好ましく、特に、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する重合体(A1)(以下「(A1)成分」ともいう。)を含有するものが好ましい。
(A1)成分は、前記構成単位(a1)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO2−含有環式基を含む構成単位(a0)、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。
また、(A1)成分は、前記構成単位(a1)に加えて、又は、構成単位(a0)及び構成単位(a2)の少なくとも一方と前記構成単位(a1)とに加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)を有するものが好ましい。
加えて、(A1)成分としては、前記構成単位(a1)に加えて、さらに、上述した構成単位(g’)を有する共重合体(基材成分としての(G)成分)も好適なものとして挙げられる。
また、(A1)成分としては、前記構成単位(a1)に加えて、さらに、上述した構成単位(h’)を有する共重合体(基材成分としての(H)成分)も好適なものとして挙げられる。
<(A) component>
In the resist composition of the present invention, as the component (A), it is preferable to use a base material component ((A0) component) whose polarity is increased by the action of an acid. That is, the resist composition of the present invention is preferably a chemically amplified resist composition that becomes positive in the alkali development process and negative in the solvent development process.
The component (A0) may be a resin component whose polarity is increased by the action of an acid, a low molecular compound component whose polarity is increased by the action of an acid, or a mixture thereof. .
The component (A0) is preferably a resin component whose polarity is increased by the action of an acid, and particularly derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. And a polymer (A1) having a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid (hereinafter also referred to as “component (A1)”). preferable.
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. A structural unit derived from a structural unit (a0) containing a —SO 2 — containing cyclic group, and an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and a lactone What has at least 1 type of structural unit selected from the group which consists of a structural unit (a2) containing a containing cyclic group is preferable.
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) or at least one of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) and the structural unit (a1) are A structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom of which may be substituted with a substituent and having a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is preferred. .
In addition, as the component (A1), in addition to the structural unit (a1), a copolymer (the component (G) as a base material component) having the structural unit (g ′) described above is also suitable. As mentioned.
As the component (A1), in addition to the structural unit (a1), a copolymer having the structural unit (h ′) described above (component (H) as a base material component) is also suitable. Can be mentioned.
ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH2=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
α置換アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
Here, in the present specification and claims, the “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group terminal of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylate ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent. The substituent that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is an atom or group other than a hydrogen atom, such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a hydroxy group. An alkyl group etc. are mentioned. The α-position carbon atom of the acrylate ester is a carbon atom to which a carbonyl group is bonded unless otherwise specified.
Hereinafter, an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylate ester. Further, the acrylate ester and the α-substituted acrylate ester may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylate ester”.
In the α-substituted acrylate ester, the alkyl group as a substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Examples thereof include a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
Specific examples of the halogenated alkyl group as the substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom. It is done. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Bonded to the α-position of the α-substituted acrylate ester is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. An alkyl group or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferred, and a hydrogen atom or a methyl group is most preferred from the viewpoint of industrial availability.
[構成単位(a1)]
構成単位(a1)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。
[Structural unit (a1)]
The structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and has an acid-decomposability that increases polarity by the action of an acid. A structural unit containing a group.
「酸分解性基」は、露光によりたとえば(B)成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SO3H)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基(たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
「酸解離性基」は、露光によりたとえば(B)成分から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、(A1)成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、他方、現像液が有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)の場合には溶解性が減少する。
The “acid-decomposable group” is an acid-decomposable group that can cleave at least part of the bonds in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid generated from the component (B) upon exposure.
Examples of the acid-decomposable group whose polarity increases by the action of an acid include a group that decomposes by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (—SO 3 H), and the like. Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as “OH-containing polar group”) is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include a group in which the polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected with an acid-dissociable group).
An “acid-dissociable group” is an acid that can cleave at least a bond between the acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by the action of an acid generated from, for example, the component (B) upon exposure. It is a group having dissociation properties. The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group must be a group having a lower polarity than the polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Is dissociated, a polar group having a polarity higher than that of the acid dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developer changes relatively. When the developer is an alkaline developer, the solubility increases. On the other hand, the developer contains an organic solvent (organic type). In the case of a developer, the solubility decreases.
酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。
ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。
前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」という。
The acid-dissociable group is not particularly limited, and those that have been proposed as acid-dissociable groups for base resins for chemically amplified resists can be used. In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like; an acetal-type acid dissociable group such as an alkoxyalkyl group is widely known.
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (═O The structure in which the tertiary carbon atom of the chain or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom of) -O-). In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom to form a carboxy group.
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable group” for convenience.
第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
ここで、「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。「脂肪族分岐鎖状酸解離性基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、−C(R71)(R72)(R73)で表される基が挙げられる。式中、R71〜R73は、それぞれ独立に、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基である。−C(R71)(R72)(R73)で表される基は、炭素数が4〜8であることが好ましく、具体的にはtert−ブチル基、2−メチル−2−ブチル基、2−メチル−2−ペンチル基、3−メチル−3−ペンチル基などが挙げられる。特にtert−ブチル基が好ましい。
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.
Here, “aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity. The structure of the “aliphatic branched acid dissociable group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic branched acid dissociable group include a group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ). Wherein, R 71 to R 73 each independently represents a linear alkyl group of 1 to 5 carbon atoms. The group represented by —C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ) preferably has 4 to 8 carbon atoms, specifically, a tert-butyl group or a 2-methyl-2-butyl group. , 2-methyl-2-pentyl group, 3-methyl-3-pentyl group and the like. A tert-butyl group is particularly preferable.
「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。
「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
該基本の環を構成する炭素数は3〜30が好ましく、3〜20がより好ましく、5〜15がさらに好ましく、5〜12が特に好ましい。
脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されたものであってもよい。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The aliphatic cyclic group in the “acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group” may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like. Is mentioned.
The basic ring structure excluding the substituent of the aliphatic cyclic group is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
3-30 are preferable, as for carbon number which comprises this basic ring, 3-20 are more preferable, 5-15 are further more preferable, and 5-12 are especially preferable.
The aliphatic cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
Examples of the aliphatic cyclic group include one or more hydrogens from a monocycloalkane which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. A group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane; More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. An alicyclic hydrocarbon group such as a group excluding a hydrogen atom is exemplified. Moreover, a part of carbon atoms constituting the ring of these alicyclic hydrocarbon groups may be substituted with an ether group (—O—).
脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、たとえば、
(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子(たとえば−C(=O)−O−における−O−)と結合する炭素原子に置換基(水素原子以外の原子または基)が結合して第3級炭素原子が形成されている基;
(ii)1価の脂肪族環式基と、これに結合する第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基などが挙げられる。
前記(i)の基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様のものが挙げられる。
前記(i)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(1−1)〜(1−9)で表される基等が挙げられる。
前記(ii)の基の具体例としては、たとえば下記一般式(2−1)〜(2−6)で表される基等が挙げられる。
Examples of the acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group include:
(I) On the ring skeleton of a monovalent aliphatic cyclic group, the substituent ( An atom or group other than a hydrogen atom) to form a tertiary carbon atom;
(Ii) a group having a monovalent aliphatic cyclic group and a branched alkylene having a tertiary carbon atom bonded thereto.
In the group (i), examples of the substituent bonded to the carbon atom bonded to the atom adjacent to the acid dissociable group on the ring skeleton of the aliphatic cyclic group include an alkyl group. Examples of the alkyl group include those similar to R 14 in formulas (1-1) to (1-9) described later.
Specific examples of the group (i) include groups represented by the following general formulas (1-1) to (1-9).
Specific examples of the group (ii) include groups represented by the following general formulas (2-1) to (2-6).
式(1−1)〜(1−9)中、R14のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜5であることが好ましく、1〜4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。
gは0〜3の整数が好ましく、1〜3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。
式(2−1)〜(2−6)中、R15〜R16のアルキル基としては、前記R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。
上記式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子(−O−)で置換されていてもよい。
また、式(1−1)〜(1−9)、(2−1)〜(2−6)中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。
In formulas (1-1) to (1-9), the alkyl group of R 14 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4, and still more preferably 1 or 2. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and an n-pentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.
The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include isopropyl group, isobutyl group, tert-butyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like, and isopropyl group is most preferable.
g is preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 1 to 3, and still more preferably 1 or 2.
In formulas (2-1) to (2-6), examples of the alkyl group for R 15 to R 16 include the same alkyl groups as those described above for R 14 .
In the formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a part of the carbon atoms constituting the ring is substituted with an etheric oxygen atom (—O—). May be.
In formulas (1-1) to (1-9) and (2-1) to (2-6), a hydrogen atom bonded to a carbon atom constituting the ring may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, and a fluorinated alkyl group.
「アセタール型酸解離性基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成される。
アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal-type acid dissociable group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an OH-containing polar group such as a carboxy group or a hydroxyl group. When an acid is generated by exposure, this acid acts to break the bond between the acetal type acid dissociable group and the oxygen atom to which the acetal type acid dissociable group is bonded. OH-containing polar groups are formed.
Examples of the acetal type acid dissociable group include a group represented by the following general formula (p1).
式(p1)中、nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
R1’,R2’のアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In formula (p1), n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the alkyl group for R 1 ′ and R 2 ′ include the same alkyl groups listed as the substituents that may be bonded to the α-position carbon atom in the description of the α-substituted acrylate ester. A methyl group or an ethyl group is preferred, and a methyl group is most preferred.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).
Yのアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。
Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基を含有する酸解離性基」で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。
Examples of the alkyl group for Y include the same alkyl groups as those described above for the substituent that may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylate ester.
The aliphatic cyclic group for Y can be appropriately selected from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in a number of conventional ArF resists. For example, the above “aliphatic ring” Examples thereof are the same as the aliphatic cyclic groups mentioned in “Acid-dissociable groups containing formula groups”.
アセタール型酸解離性基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。 Examples of the acetal type acid dissociable group also include a group represented by the following general formula (p2).
R17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、エチル基が最も好ましい。
R19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式(p2)においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であって、R19とR17とが結合していてもよい。
この場合、R17と、R19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group. And the like, in which a hydrogen atom is removed. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the formula (p2), R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and R 19 and R 17 And may be combined.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.
構成単位(a1)として、より具体的には、下記一般式(a1−0−1)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位等が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a1) include structural units represented by general formula (a1-0-1) shown below, structural units represented by general formula (a1-0-2) shown below, and the like. .
一般式(a1−0−1)において、Rのアルキル基、ハロゲン化アルキル基は、それぞれ、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
X1は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
一般式(a1−0−2)において、Rは上記と同様である。
X2は、式(a1−0−1)中のX1と同様である。
In general formula (a1-0-1), the alkyl group and the halogenated alkyl group of R are each exemplified as the substituent which may be bonded to the carbon atom at the α-position in the description of the α-substituted acrylic ester. And the same alkyl groups and halogenated alkyl groups. R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group.
X 1 is not particularly limited as long as it is an acid dissociable group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable groups, acetal type acid dissociable groups, and the like. An ester type acid dissociable group is preferred.
In general formula (a1-0-2), R is the same as defined above.
X 2 is the same as X 1 in formula (a1-0-1).
Y2の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の基または原子)で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
前記Y2における2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent linking group of Y 2, but are not limited to, divalent hydrocarbon group which may have a substituent group, and a divalent linking group containing a hetero atom as preferred.
The hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with a substituent (a group or atom other than a hydrogen atom).
The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Y 2 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH2−]、エチレン基[−(CH2)2−]、トリメチレン基[−(CH2)3−]、テトラメチレン基[−(CH2)4−]、ペンタメチレン基[−(CH2)5−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH3)−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)2−、−C(CH3)(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−C(CH2CH3)2−等のアルキルメチレン基;−CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−、−C(CH2CH3)2−CH2−等のアルキルエチレン基;−CH(CH3)CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH3)CH2CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2CH2−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 4, and most preferably 1 to 3.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (═O).
前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure include an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those described above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane. , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。
前記Y2における2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基);前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基);等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring.
The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Y 2 preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms. 15 is particularly preferable, and 6 to 10 is most preferable. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is hetero Aromatic heterocycles substituted with atoms; and the like. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocyclic ring include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically, the aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring (arylene group); a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring (aryl group) ) In which one of the hydrogen atoms is substituted with an alkylene group (for example, arylalkyl such as benzyl, phenethyl, 1-naphthylmethyl, 2-naphthylmethyl, 1-naphthylethyl, 2-naphthylethyl, etc.) Group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group in the group); and the like. The alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to the aromatic hydrocarbon ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group. Most preferred is an ethoxy group.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
前記Y2の「ヘテロ原子を含む2価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−、−NH−C(=O)−、=N−、一般式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0〜3の整数である。]等が挙げられる。
Y2が−NH−の場合、そのHはアルキル基、アリール基(芳香族基)等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アリール基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でY2における「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基において、m’は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−で表される基としては、式−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CH2)a’−C(=O)−O−(CH2)b’−で表される基が好ましい。該式中、a’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式−Y21−O−Y22−、−[Y21−C(=O)−O]m’−Y22−または−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基がより好ましい。
The hetero atom in the “divalent linking group containing a hetero atom” of Y 2 is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
As the divalent linking group containing a hetero atom, —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C (= O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, —S (═O) 2 -O -, - NH-C (= O) -, = N-, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - Or a group represented by —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 —, wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group optionally having a substituent. O is an oxygen atom, and m ′ is an integer of 0 to 3. ] Etc. are mentioned.
When Y 2 is —NH—, H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an aryl group (aromatic group). The substituent (alkyl group, aryl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
Formula -Y 21 -O-Y 22 -, - [Y 21 -C (= O) -O] m '-Y 22 - or -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22 - In, Y 21 And Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same groups as those described above as the “divalent hydrocarbon group which may have a substituent” for Y 2 .
Y 21 is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methylene group or an ethylene group. preferable.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 —, m ′ is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, Or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — is represented by the formula —Y 21 —C (═O) —O—Y 22 —. The group is particularly preferred. Among these, a group represented by the formula — (CH 2 ) a ′ —C (═O) —O— (CH 2 ) b ′ — is preferable. In the formula, a ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, further preferably 1 or 2, and most preferably 1. b ′ is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.
Examples of the divalent linking group containing a hetero atom, a linear group containing an oxygen atom as a hetero atom, for example, a group containing an ether bond or an ester bond, are preferred, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, A group represented by — [Y 21 —C (═O) —O] m ′ —Y 22 — or —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is more preferable.
上記のなかでも、Y2の2価の連結基としては、特に、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。 Among the above, as the divalent linking group for Y 2 , in particular, a linear or branched alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom is included. preferable. Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing a hetero atom is preferable.
構成単位(a1)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a1) include structural units represented by the following general formulas (a1-1) to (a1-4).
式中、X’は、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。
R1’、R2’、n、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR1’、R2’、n、Yと同様のものが挙げられる。
Y2としては、上述の一般式(a1−0−2)におけるY2と同様のものが挙げられる。
以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
In the formula, X ′ is the same as the tertiary alkyl ester-type acid dissociable group.
R 1 ', R 2', n, as the Y, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable group" described above (p1) ', R 2' , n, similarly to the Y Can be mentioned.
The Y 2, the same groups as those described above for Y 2 in the general formula (a1-0-2).
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.
In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
本発明においては、構成単位(a1)として、下記一般式(a1−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−12)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−13)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−14)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−15)で表される構成単位、および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することが好ましい。
なかでも、下記一般式(a1−0−11)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−12)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−13)で表される構成単位、下記一般式(a1−0−14)で表される構成単位、および下記一般式(a1−0−15)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を有することがより好ましい。
In the present invention, as the structural unit (a1), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-11), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-12), and the following general formula ( a1-0-13), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-14), a structural unit represented by the following general formula (a1-0-15), and the following general unit It is preferable to have at least one selected from the group consisting of structural units represented by formula (a1-0-2).
Especially, the structural unit represented by the following general formula (a1-0-11), the structural unit represented by the following general formula (a1-0-12), and the following general formula (a1-0-13) And at least one selected from the group consisting of structural units represented by the following general formula (a1-0-14) and structural units represented by the following general formula (a1-0-15) It is more preferable.
各式中、R、Y2、X2についての説明は前記と同じである。
式(a1−0−11)中、R21のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましい。
R22が、当該R22が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族単環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、単環式基であるものと同様のものが挙げられる。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該モノシクロアルカンは、3〜11員環であることが好ましく、3〜8員環であることがより好ましく、4〜6員環がさらに好ましく、5または6員環が特に好ましい。
該モノシクロアルカンは、環を構成する炭素原子の一部がエーテル基(−O−)で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。
また、該モノシクロアルカンは、置換基として、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基を有していてもよい。
かかる脂肪族単環式基を構成するR22としては、たとえば、炭素原子間にエーテル基(−O−)が介在してもよい直鎖状のアルキレン基が挙げられる。
In each formula, the description of R, Y 2 and X 2 is the same as described above.
In formula (a1-0-11), examples of the alkyl group for R 21 include the same alkyl groups as those described above for R 14 in formulas (1-1) to (1-9). Group or isopropyl group is preferred.
R 22 is, the aliphatic monocyclic group formed together with the carbon atom to which R 22 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups, a monocyclic group The thing similar to what is is mentioned. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane. The monocycloalkane is preferably a 3- to 11-membered ring, more preferably a 3- to 8-membered ring, further preferably a 4- to 6-membered ring, and particularly preferably a 5- or 6-membered ring.
In the monocycloalkane, a part of carbon atoms constituting the ring may or may not be substituted with an ether group (—O—).
Moreover, this monocycloalkane may have a C1-C5 alkyl group, a fluorine atom, or a C1-C5 fluorinated alkyl group as a substituent.
Examples of R 22 constituting such an aliphatic monocyclic group include a linear alkylene group in which an ether group (—O—) may be interposed between carbon atoms.
式(a1−0−11)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−16)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、式(a1−1−16)〜(a1−1−17)、(a1−1−20)〜(a1−1−23)、(a1−1−27)、(a1−1−31)、(a1−1−32)、(a1−1−33)で表される構成単位を包括する下記(a1−1−02)で表される構成単位が好ましい。また、下記(a1−1−02’)で表される構成単位も好ましい。
各式中、hは、1〜4の整数であり、1または2が好ましい。
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-11) include the formulas (a1-1-16) to (a1-1-23), (a1-1-27), and (a1-1 -31). Among these, the formulas (a1-1-16) to (a1-1-17), (a1-1-20) to (a1-1-23), (a1-1-27), (a1-1-1- The structural unit represented by the following (a1-1-02) including the structural units represented by 31), (a1-1-32), and (a1-1-33) is preferable. Moreover, the structural unit represented by the following (a1-1-02 ′) is also preferable.
In each formula, h is an integer of 1 to 4, and 1 or 2 is preferable.
式(a1−0−12)中、R23の分岐鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた分岐鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、イソプロピル基が最も好ましい。
R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基としては、前記第3級アルキルエステル型酸解離性基において挙げた脂肪族環式基のうち、多環式基であるものと同様のものが挙げられる。
式(a1−0−12)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−1−26)、(a1−1−28)〜(a1−1−30)で表される構成単位が挙げられる。
式(a1−0−12)で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−26)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-0-12), as the branched alkyl group for R 23 , the branched alkyl group described for the alkyl group for R 14 in formulas (1-1) to (1-9) above. Examples thereof are the same as those described above, and an isopropyl group is most preferable.
R 24 is, the aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded, the same aliphatic cyclic groups as those in the aforementioned tertiary alkyl ester-type acid dissociable group, polycyclic group The thing similar to what is is mentioned.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-12) include those represented by the formulas (a1-1-26) and (a1-1-28) to (a1-1-30). Units are listed.
As the structural unit represented by the formula (a1-0-12), those in which R 24 is an aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded are preferably a 2-adamantyl group, The structural unit represented by the formula (a1-1-26) is preferable.
式(a1−0−13)中、RおよびR24はそれぞれ前記と同様である。
R25の直鎖状のアルキル基としては、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14のアルキル基で挙げた直鎖状のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が最も好ましい。
式(a1−0−13)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−1)〜(a1−1−2)、(a1−1−7)〜(a1−1−15)で表される構成単位が挙げられる。
式(a1−0−13)で表される構成単位としては、R24が、当該R24が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族多環式基が2−アダマンチル基であるものが好ましく、特に、前記式(a1−1−1)または(a1−1−2)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-0-13), R and R 24 are the same as defined above.
Examples of the linear alkyl group for R 25 include the same linear alkyl groups as those described above for the alkyl group for R 14 in the formulas (1-1) to (1-9), and methyl Most preferred are groups or ethyl groups.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-13) include formulas (a1-1-1) to (a1-1-2) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ), Structural units represented by (a1-1-7) to (a1-1-15).
As the structural unit represented by the formula (a1-0-13), those in which R 24 is an aliphatic polycyclic group formed together with the carbon atom to which R 24 is bonded are preferably a 2-adamantyl group, The structural unit represented by the formula (a1-1-1) or (a1-1-2) is preferable.
式(a1−0−14)中、RおよびR22はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a1−0−14)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−35)、(a1−1−36)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a1-0-14), R and R 22 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-14) include the formulas (a1-1-35) and (a1-1-36) exemplified as specific examples of the general formula (a1-1). ).
式(a1−0−15)中、RおよびR24はそれぞれ前記と同様である。R15およびR16は、それぞれ前記一般式(2−1)〜(2−6)におけるR15およびR16と同様である。
式(a1−0−15)で表される構成単位として具体的には、前記一般式(a1−1)の具体例として例示した、式(a1−1−4)〜(a1−1−6)、(a1−1−34)で表される構成単位が挙げられる。
In formula (a1-0-15), R and R 24 are the same as defined above. R 15 and R 16 are the same as R 15 and R 16 in each of the general formulas (2-1) to (2-6).
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-0-15) include formulas (a1-1-4) to (a1-1-6) exemplified as specific examples of general formula (a1-1). ) And (a1-1-34).
式(a1−0−2)で表される構成単位としては、前記式(a1−3)または(a1−4)で表される構成単位が挙げられ、特に式(a1−3)で表される構成単位が好ましい。
式(a1−0−2)で表される構成単位としては、特に、式中のY2が前記−Y21−O−Y22−または−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基であるものが好ましい。
かかる構成単位として、好ましいものとしては、下記一般式(a1−3−01)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−02)で表される構成単位;下記一般式(a1−3−03)で表される構成単位などが挙げられる。
Examples of the structural unit represented by the formula (a1-0-2) include the structural unit represented by the formula (a1-3) or (a1-4), and particularly represented by the formula (a1-3). Are preferred.
As the structural unit represented by the formula (a1-0-2), in particular, Y 2 in the formula is the aforementioned —Y 21 —O—Y 22 — or —Y 21 —C (═O) —O—Y 22. Those represented by-are preferred.
Preferred examples of the structural unit include a structural unit represented by the following general formula (a1-3-01); a structural unit represented by the following general formula (a1-3-02); 3-03) and the like.
式(a1−3−01)〜(a1−3−02)中、R13は、水素原子が好ましい。
R14は、前記式(1−1)〜(1−9)中のR14と同様である。
eは、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が最も好ましい。
n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。
式(a1−3−01)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−25)〜(a1−3−26)で表される構成単位等が挙げられる。
式(a1−3−02)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−27)〜(a1−3−28)で表される構成単位等が挙げられる。
In formulas (a1-3-01) to (a1-3-02), R 13 is preferably a hydrogen atom.
R 14 is the same as R 14 in the formula (1-1) to (1-9).
e is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and most preferably 1 or 2.
n ′ is preferably 1 or 2, and most preferably 2.
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-01) include structural units represented by the formulas (a1-3-25) to (a1-3-26).
Specific examples of the structural unit represented by the formula (a1-3-02) include structural units represented by the formulas (a1-3-27) to (a1-3-28).
式(a1−3−03)中、Y2’、Y2” における2価の連結基としては、前記一般式(a1−3)におけるY2と同様のものが挙げられる。
Y2’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
Y2”としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。
X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述した(i)1価の脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に置換基が結合して第3級炭素原子が形成されている基がより好ましく、中でも、前記一般式(1−1)で表される基が好ましい。
wは0〜3の整数であり、wは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
式(a1−3−03)で表される構成単位としては、下記一般式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位が好ましく、中でも、式(a1−3−03−1)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a1-3-03), examples of the divalent linking group for Y 2 ′ and Y 2 ″ include the same groups as those described above for Y 2 in formula (a1-3).
Y 2 ′ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and even more preferably a linear alkylene group. Among these, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Y 2 ″ is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, and still more preferably a linear alkylene group. A linear alkylene group of 1 to 5 is preferable, and a methylene group and an ethylene group are most preferable.
Examples of the acid dissociable group in X ′ include the same groups as described above, and are preferably tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups. In addition, a group in which a substituent is bonded to a carbon atom bonded to an atom adjacent to the acid dissociable group to form a tertiary carbon atom is more preferable. Preferred are the groups
w is an integer of 0 to 3, and w is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.
As the structural unit represented by the formula (a1-3-03), a structural unit represented by the following general formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) is preferable. The structural unit represented by the formula (a1-3-03-1) is preferable.
式(a1−3−03−1)〜(a1−3−03−2)中、a’は前記と同じであり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2が特に好ましい。
b’は前記と同じであり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
tは1〜3の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
式(a1−3−03−1)または(a1−3−03−2)で表される構成単位の具体例としては、前記式(a1−3−29)〜(a1−3−32)で表される構成単位が挙げられる。
In formulas (a1-3-03-1) to (a1-3-03-2), a ′ is the same as described above, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and 1 or 2 is particularly preferred.
b ′ is the same as described above, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, and particularly preferably 1 or 2.
t is preferably an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is particularly preferable.
Specific examples of the structural unit represented by formula (a1-3-03-1) or (a1-3-03-2) include those represented by formulas (a1-3-29) to (a1-3-32). The structural unit represented is mentioned.
(A1)成分が含有する構成単位(a1)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中、構成単位(a1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、15〜70モル%が好ましく、15〜60モル%がより好ましく、20〜55モル%がさらに好ましい。
構成単位(a1)の割合を下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、LWR等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
As the structural unit (a1) contained in the component (A1), 1 type of structural unit may be used, or 2 or more types may be used.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a1) is preferably from 15 to 70 mol%, more preferably from 15 to 60 mol%, more preferably from 20 to 55 mol%, based on all the structural units constituting the component (A1). Is more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a1) to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when a resist composition is formed, and the lithography properties such as sensitivity, resolution, and LWR are also improved. Moreover, it becomes easy to balance with another structural unit by setting it as an upper limit or less.
[構成単位(a0)]
構成単位(a0)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO2−含有環式基を含む構成単位である。
構成単位(a0)は、−SO2−含有環式基を含むことにより、(A1)成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性を高める。また、感度、解像性、露光余裕度(ELマージン)、LWR(ラインワイズラフネス)、LER(ラインエッジラフネス)、マスク再現性等のリソグラフィー特性の向上に寄与する。
[Structural unit (a0)]
The structural unit (a0) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a —SO 2 — containing cyclic group Unit.
The structural unit (a0) contains a —SO 2 — containing cyclic group, thereby improving the adhesion of the resist film formed using the resist composition containing the component (A1) to the substrate. Further, it contributes to the improvement of lithography characteristics such as sensitivity, resolution, exposure margin (EL margin), LWR (line width roughness), LER (line edge roughness), mask reproducibility and the like.
ここで「−SO2−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO2−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO2−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。
−SO2−含有環式基においては、その環骨格中に−SO2−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
−SO2−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO2−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO2−を含む環式基、すなわち−O−SO2−中の−O−S−が環式基の環骨格の一部を形成するスルトン(sultone)環であることが好ましい。
−SO2−含有環式基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、4〜20であることが好ましく、4〜15であることがより好ましく、4〜12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
−SO2−含有環式基は、−SO2−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO2−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO2−含有脂肪族環式基である。
−SO2−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO2−または−O−SO2−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH2−が−SO2−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH2−CH2−が−O−SO2−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。
該脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
Here - as "-SO 2 containing cyclic group", -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom (S ) Is a cyclic group that forms part of the ring skeleton of the cyclic group.
-SO 2 - In-containing cyclic group, within the ring skeleton thereof -SO 2 - in a ring containing as the first ring, when in the case of the ring only having a single cyclic group, yet another ring structure Is referred to as a polycyclic group regardless of its structure.
The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
The —SO 2 — containing cyclic group is particularly a cyclic group containing —O—SO 2 — in the ring skeleton, that is, a ring skeleton in which —O—S— in —O—SO 2 — is a cyclic group. It is preferable that it is a sultone ring which forms a part of.
The —SO 2 — containing cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 4 to 12 carbon atoms. . However, the carbon number is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the carbon number in the substituent.
The —SO 2 — containing cyclic group may be an —SO 2 — containing aliphatic cyclic group or an —SO 2 — containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
The —SO 2 -containing aliphatic cyclic group includes at least a hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. One group is excluded. More specifically, a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which —CH 2 — constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 —, —CH 2 — constituting the ring And a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — is substituted with —O—SO 2 —.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane. , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.
−SO2−含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”(R”は水素原子又はアルキル基である。)、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基であることが好ましい。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
−SO2−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。
The —SO 2 — containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR ″, —OC (═O) R ″ (R ″ represents a hydrogen atom or an alkyl group). Group), a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, the group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) to the alkyl group quoted as the alkyl group as the said substituent is mentioned.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the halogen atom. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
R ″ in —COOR ″ and —OC (═O) R ″ is preferably a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group More specifically, one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Group and the like.
As the hydroxyalkyl group as the substituent, those having 1 to 6 carbon atoms are preferable. Specifically, at least one hydrogen atom of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent is substituted with a hydroxyl group. Group.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (3-1) to (3-4).
前記一般式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
A’における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH2−、−CH2−O−CH2−、−S−CH2−、−CH2−S−CH2−等が挙げられる。
A’としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
zは0〜2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。
zが2である場合、複数のR6はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
R6におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO2−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
以下に、前記一般式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。
In the general formulas (3-1) to (3-4), A ′ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), An oxygen atom or a sulfur atom.
The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ is preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
z may be any of 0 to 2, and is most preferably 0.
When z is 2, the plurality of R 6 may be the same or different.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R 6 , the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.
Below, the specific cyclic group represented by the said general formula (3-1)-(3-4) is illustrated. In the formula, “Ac” represents an acetyl group.
−SO2−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(3−1)で表される基が好ましく、前記化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)および(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 Among the above, the —SO 2 -containing cyclic group is preferably a group represented by the general formula (3-1), and the chemical formulas (3-1-1), (3-1-18), ( It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by any of 3-3-1) and (3-4-1), and represented by the chemical formula (3-1-1). Are most preferred.
構成単位(a0)の例として、より具体的には、下記一般式(a0−0)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a0) include structural units represented by general formula (a0-0) shown below.
式(a0−0)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。
Rにおける炭素数1〜5のアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Rにおけるハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。
In formula (a0-0), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, n- Examples thereof include a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
The halogenated alkyl group in R is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is most preferably a hydrogen atom or a methyl group in terms of industrial availability.
式(a0−0)中、R30は、前記で挙げた−SO2−含有環式基と同様である。
R29’は、単結合又は2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
R29’における2価の連結基としては、上述した構成単位(a1)の説明の中で挙げた一般式(a1−0−2)中のY2における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R29’の2価の連結基としては、アルキレン基、2価の脂環式炭化水素基またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。これらの中でも、アルキレン基、エステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。
該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Y2における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:−R20−C(=O)−O−[式中、R20は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(a0)は、下記一般式(a0−0−1)で表される構成単位であることが好ましい。
In formula (a0-0), R 30 is the same as the —SO 2 — containing cyclic group mentioned above.
R 29 ′ may be either a single bond or a divalent linking group. Since it is excellent in the effect of this invention, it is preferable that it is a bivalent coupling group.
Examples of the divalent linking group for R 29 ′ include those listed as the divalent linking group for Y 2 in the general formula (a1-0-2) given in the description of the structural unit (a1). The same thing is mentioned.
The divalent linking group for R 29 ′ is preferably an alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom. Among these, those containing an alkylene group and an ester bond (—C (═O) —O—) are preferable.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same as the linear alkylene group and the branched alkylene group mentioned as the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 can be used.
As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the general formula: —R 20 —C (═O) —O— [wherein R 20 is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (a0) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a0-0-1).
R20としては、特に限定されず、たとえば上記一般式(a0−0)中のR29’における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R20の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記のR29’で好ましいものとして挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH3)−、−C(CH3)2−または−C(CH3)2CH2−が特に好ましい。
酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前記の式−Y21−O−Y22−、式−[Y21−C(=O)−O]m’− Y22−または式−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基がより好ましい。Y21、Y22、m’は、それぞれ前記と同じである。
なかでも、式−Y21−O−C(=O)−Y22−で表される基が好ましく、式−(CH2)c−O−C(=O)−(CH2)d−で表される基が特に好ましい。cは1〜5の整数であり、1〜3の整数が好ましく、1または2がより好ましい。dは1〜5の整数であり、1〜3の整数が好ましく、1または2がより好ましい。
R 20 is not particularly limited, and examples thereof include those similar to those exemplified as the divalent linking group for R 29 ′ in the general formula (a0-0).
The divalent linking group for R 20 is preferably a linear or branched alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom.
Examples of the linear or branched alkylene group, divalent alicyclic hydrocarbon group, and divalent linking group containing a hetero atom include the linear groups mentioned above as preferred for R 29 ′. Or the thing similar to the branched alkylene group, the bivalent alicyclic hydrocarbon group, and the bivalent coupling group containing a hetero atom is mentioned.
Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable.
As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom, is preferably a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond, the formula -Y 21 -O-Y 22 -, wherein - [Y 21 -C (= O ) -O] m '- Y 22 - or the formula -Y 21 -O-C (= O ) -Y 22 - group represented by is more preferable. Y 21 , Y 22 and m ′ are the same as described above.
Among them, a group represented by the formula —Y 21 —O—C (═O) —Y 22 — is preferable, and a group represented by the formula — (CH 2 ) c —O—C (═O) — (CH 2 ) d — The groups represented are particularly preferred. c is an integer of 1 to 5, an integer of 1 to 3 is preferable, and 1 or 2 is more preferable. d is an integer of 1 to 5, an integer of 1 to 3 is preferable, and 1 or 2 is more preferable.
構成単位(a0)としては、特に、下記一般式(a0−0−11)または(a0−0−12)で表される構成単位が好ましく、式(a0−0−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (a0), a structural unit represented by general formula (a0-0-11) or (a0-0-12) shown below is preferable, and a structural unit represented by formula (a0-0-12) is preferable. Units are more preferred.
式(a0−0−11)中、A’はメチレン基、エチレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましい。
R20としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R20における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
式(a0−0−12)で表される構成単位としては、特に、下記一般式(a0−0−12a)または(a0−0−12b)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a0-0-11), A ′ is preferably a methylene group, an ethylene group, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—).
R 20 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 20, the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom respectively mentioned above are used. Examples are the same as the linking group.
As the structural unit represented by the formula (a0-0-12), a structural unit represented by the following general formula (a0-0-12a) or (a0-0-12b) is particularly preferable.
(A1)成分が含有する構成単位(a0)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中の構成単位(a0)の割合は、当該(A1)成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されるレジストパターン形状が良好となり、ELマージン、LWR、マスク再現性等のリソグラフィー特性にも優れることから、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜60モル%であることが好ましく、5〜55モル%がより好ましく、10〜50モル%がさらに好ましく、15〜45モル%が最も好ましい。
As the structural unit (a0) contained in the component (A1), 1 type of structural unit may be used, or 2 or more types may be used.
The proportion of the structural unit (a0) in the component (A1) is such that the resist pattern shape formed using the resist composition containing the component (A1) becomes good, and lithography such as EL margin, LWR, mask reproducibility, etc. From the viewpoint of excellent properties, it is preferably 1 to 60 mol%, more preferably 5 to 55 mol%, still more preferably 10 to 50 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). 15 to 45 mol% is most preferable.
[構成単位(a2)]
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、−O−C(=O)−構造を含むひとつの環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位(a2)のラクトン環式基は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液(特にアルカリ現像プロセスの場合)との親和性を高めたりする上で有効なものである。
[Structural unit (a2)]
The structural unit (a2) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a lactone-containing cyclic group. .
Here, the lactone-containing cyclic group refers to a cyclic group containing one ring (lactone ring) containing a —O—C (═O) — structure. The lactone ring is counted as the first ring. When only the lactone ring is present, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure.
When the lactone cyclic group of the structural unit (a2) is used to form a resist film, the component (A1) is used to enhance the adhesion of the resist film to the substrate or to contain a developer containing water (especially an alkali development process). In the case of ()).
構成単位(a2)としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
As the structural unit (a2), any unit can be used without any particular limitation.
Specifically, as the lactone-containing monocyclic group, a group in which one hydrogen atom is removed from a 4- to 6-membered ring lactone, for example, a group in which one hydrogen atom is removed from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed, and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.
構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a2) include structural units represented by general formulas (a2-1) to (a2-5) shown below.
一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記構成単位(a1)におけるRと同様である。
R’の炭素数1〜5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
R’の炭素数1〜5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。
R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”は、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基であることが好ましい。
R”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
A”としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
R29は単結合または2価の連結基である。2価の連結基としては、前記一般式(a1−0−2)中のY2で説明した2価の連結基と同様であり、それらの中でも、アルキレン基、エステル結合(−C(=O)−O−)、もしくはそれらの組み合わせであることが好ましい。R29における2価の連結基としてのアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。具体的には、前記Y2における脂肪族炭化水素基で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
s”は1〜2の整数が好ましい。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位の具体例をそれぞれ例示する。
以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as R in the structural unit (a1).
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group.
R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
R ″ is preferably a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or a monocycloalkane which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group; a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as a bicycloalkane, tricycloalkane or tetracycloalkane Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Etc.
A ″ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
R 29 is a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group is the same as the divalent linking group described for Y 2 in the general formula (a1-0-2), and among them, an alkylene group and an ester bond (—C (═O ) -O-) or a combination thereof. The alkylene group as the divalent linking group for R 29 is more preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same linear alkylene groups and branched alkylene groups as those described above for the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 can be used.
s ″ is preferably an integer of 1 to 2.
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) are illustrated below.
In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
(A1)成分が含有する構成単位(a2)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましい。なかでも、化学式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−7)、(a2−3−1)および(a2−3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
As the structural unit (a2) contained in the component (A1), 1 type of structural unit may be used, or 2 or more types may be used.
As the structural unit (a2), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formulas (a2-1) to ( At least one selected from the group consisting of structural units represented by a2-3) is more preferred. Among them, chemical formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-3-1) and (a2-3-5) It is preferable to use at least one selected from the group consisting of structural units represented by
(A1)成分中の構成単位(a2)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、5〜60モル%が好ましく、10〜50モル%がより好ましく、10〜45モル%がさらに好ましい。
構成単位(a2)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The proportion of the structural unit (a2) in the component (A1) is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (A1). More preferably, it is 45 mol%.
By setting the proportion of the structural unit (a2) to the lower limit value or more, the effect of including the structural unit (a2) is sufficiently obtained, and by setting the proportion of the structural unit (a2) to the upper limit value or less, balance with other structural units is achieved. It becomes easy.
[構成単位(a3)]
構成単位(a3)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(ただし、上述した構成単位(a1)、(a0)、(a2);構成単位(g’)、構成単位(h’)に該当するものを除く)である。
(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、環状の脂肪族炭化水素基(環式基)が挙げられる。該環式基としては、単環式基でも多環式基でもよく、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該環式基としては多環式基であることが好ましく、炭素数は7〜30であることがより好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
[Structural unit (a3)]
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group Units (however, the structural units (a1), (a0), (a2) described above, excluding those corresponding to the structural unit (g ′) and the structural unit (h ′)).
When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) increases, which contributes to the improvement of resolution.
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom. A hydroxyl group is particularly preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group). The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. For example, a resin for a resist composition for an ArF excimer laser can be appropriately selected from those proposed. The cyclic group is preferably a polycyclic group, and more preferably 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, there are groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane. Industrially preferable.
構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記の式(a3−1)で表される構成単位、式(a3−2)で表される構成単位、式(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。 The structural unit (a3) is derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. When the hydrocarbon group is a polycyclic group, the structural unit represented by the following formula (a3-1), the structural unit represented by the formula (a3-2), the formula ( The structural unit represented by a3-3) is preferred.
式(a3−1)中、jは1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、特に、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
j is preferably 1, and it is particularly preferred that the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.
式(a3−2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。 In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
式(a3−3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。 In formula (a3-3), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.
(A1)成分が含有する構成単位(a3)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中、構成単位(a3)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、5〜50モル%であることが好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜25モル%がさらに好ましい。
構成単位(a3)の割合を下限値以上とすることにより、構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
As the structural unit (a3) contained in the component (A1), 1 type of structural unit may be used, or 2 or more types may be used.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (A1). 5 to 25 mol% is more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (a3) to the lower limit value or more, the effect of including the structural unit (a3) can be sufficiently obtained, and by setting the proportion of the structural unit (a3) to the upper limit value or less, balance with other structural units can be obtained. It becomes easy.
[構成単位(g’)]
(A1)成分が含有する構成単位(g’)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中、構成単位(g’)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、0.1〜30モル%が好ましく、0.5〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
構成単位(g’)の割合を下限値以上とすることにより、酸の拡散制御の効果がより高まり、リソグラフィー特性又はレジストパターン形状がより良好となる。他方、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
[Structural unit (g ′)]
The structural unit (g ′) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (g ′) is preferably 0.1 to 30 mol%, and 0.5 to 15 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). More preferably, 1-10 mol% is further more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (g ′) to be equal to or higher than the lower limit value, the effect of acid diffusion control is further improved, and the lithography characteristics or the resist pattern shape is improved. On the other hand, by setting it to the upper limit value or less, it becomes easy to balance with other structural units.
[構成単位(h’)]
(A1)成分が含有する構成単位(h’)は1種であってもよく2種以上であってもよい。
(A1)成分中、構成単位(h’)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、0.1〜30モル%が好ましく、0.5〜15モル%がより好ましく、1〜10モル%がさらに好ましい。
構成単位(h’)の割合を下限値以上とすることにより、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動がより抑制される。他方、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
[Structural unit (h ')]
The structural unit (h ′) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
In the component (A1), the proportion of the structural unit (h ′) is preferably 0.1 to 30 mol%, and 0.5 to 15 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). More preferably, 1-10 mol% is further more preferable.
By setting the proportion of the structural unit (h ′) to be equal to or higher than the lower limit value, dimensional fluctuations of the resist pattern due to the influence of time are further suppressed. On the other hand, by setting it to the upper limit value or less, it becomes easy to balance with other structural units.
[その他の構成単位]
(A1)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記の構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a2)、構成単位(a3)、構成単位(g’)及び構成単位(h’)以外のその他の構成単位を有してもよい。
かかるその他の構成単位は、上述の構成単位に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
かかるその他の構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸非解離性の脂肪族多環式基を含む構成単位(a4)、露光により酸を発生し得る構成単位(a5)等が挙げられる。
[Other structural units]
The component (A1) is within the range not impairing the effects of the present invention, and the structural unit (a1), structural unit (a0), structural unit (a2), structural unit (a3), structural unit (g ′), and structural unit. You may have other structural units other than a unit (h ').
Such other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit that is not classified as the above-mentioned structural unit, and it is used for resist resins such as for ArF excimer laser and for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). Many things conventionally known as what is used can be used.
Such other structural unit is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and is a non-acid dissociable aliphatic polycyclic And a structural unit (a4) containing a group and a structural unit (a5) capable of generating an acid upon exposure.
(構成単位(a4))
構成単位(a4)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸非解離性の脂肪族多環式基を含む構成単位である。
構成単位(a4)において、該多環式基は、たとえば、前記の構成単位(a1)の場合に例示した多環式基と同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特に、トリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−5)で表される構造のものを例示することができる。
(Structural unit (a4))
The structural unit (a4) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and is a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group Is a structural unit including
In the structural unit (a4), examples of the polycyclic group include the same polycyclic groups as exemplified in the case of the structural unit (a1). For ArF excimer laser, KrF excimer Many things conventionally known as what is used for the resin component of resist compositions, such as for lasers (preferably for ArF excimer lasers), can be used.
In particular, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include those represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-5).
かかる構成単位(a4)を(A1)成分に含有させる際には、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位(a4)を1〜30モル%含有させることが好ましく、10〜20モル%含有させることがより好ましい。 When the structural unit (a4) is contained in the component (A1), the structural unit (a4) is preferably contained in an amount of 1 to 30 mol% based on the total of all the structural units constituting the component (A1). 10 to 20 mol% is more preferable.
(構成単位(a5))
構成単位(a5)は、露光により酸を発生し得る構成単位である。
構成単位(a5)としては、露光により酸を発生するものであれば特に限定されず、例えば、上述した構成単位(a1)〜(a4)、(a0)等と共重合可能な構成単位に、従来化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを導入したものを用いることができる。
構成単位(a1)〜(a4)、(a0)等と共重合可能な構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレンから誘導される構成単位等が好適なものとして挙げられる。
従来化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものとしては、後述する(B)成分が好適なものとして挙げられる。
構成単位(a5)中における、露光により酸を発生する構造部位としては、イオン性の構造部位であることが好ましく、後述の(B)成分についての説明のなかで例示するスルホニウム塩、またはヨードニウム塩におけるイオン性の構造部位が好ましい。また、露光により発生する酸アニオンとしては、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオンが好ましい。これらの酸アニオンは、露光により樹脂の側鎖から発生することがより好ましい。
(Structural unit (a5))
The structural unit (a5) is a structural unit capable of generating an acid upon exposure.
The structural unit (a5) is not particularly limited as long as it generates an acid upon exposure. For example, the structural unit can be copolymerized with the structural units (a1) to (a4) and (a0) described above. Any of those that have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.
The structural unit copolymerizable with the structural units (a1) to (a4), (a0) and the like is derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. And a structural unit derived from hydroxystyrene in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent.
As a conventionally proposed acid generator for a chemically amplified resist, the component (B) described later is preferable.
In the structural unit (a5), the structural site that generates an acid upon exposure is preferably an ionic structural site, and the sulfonium salt or iodonium salt exemplified in the description of the component (B) described later. The ionic structural site in is preferred. The acid anion generated by exposure is preferably a sulfonic acid anion, a carboxylic acid anion, a sulfonylimide anion, a bis (alkylsulfonyl) imide anion, or a tris (alkylsulfonyl) methide anion. These acid anions are more preferably generated from the side chain of the resin by exposure.
なかでも、本発明の構成単位(a5)は、酸強度、感度、解像性、ラフネスの点で、下記一般式(a5−1−1)又は(a5−2−1)で表される基を有することが好ましい。 Among them, the structural unit (a5) of the present invention is a group represented by the following general formula (a5-1-1) or (a5-2-1) in terms of acid strength, sensitivity, resolution, and roughness. It is preferable to have.
式(a5−1−1)、(a5−2−1)中、Aは単結合又は2価の連結基である。
Aの2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
該炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。
該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
In formulas (a5-1-1) and (a5-2-1), A represents a single bond or a divalent linking group.
Preferred examples of the divalent linking group for A include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.
The term “having a substituent” for the hydrocarbon group means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with groups or atoms other than hydrogen atoms.
The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.
The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
前記脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8がより好ましく、1〜5がさらに好ましく、1〜2が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH2−]、エチレン基[−(CH2)2−]、トリメチレン基[−(CH2)3−]、テトラメチレン基[−(CH2)4−]、ペンタメチレン基[−(CH2)5−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH3)−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)2−、−C(CH3)(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−C(CH2CH3)2−等のアルキルメチレン基;−CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−、−C(CH2CH3)2−CH2−等のアルキルエチレン基;−CH(CH3)CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH3)CH2CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2CH2−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
More specifically, examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, and the like.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, still more preferably 1 to 5, and most preferably 1 to 2.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group [—CH 2 —], an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [ — (CH 2 ) 3 —], tetramethylene group [— (CH 2 ) 4 —], pentamethylene group [— (CH 2 ) 5 —] and the like can be mentioned.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 -CH 2 - alkyl groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene groups such as; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The chain-like aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (═O).
構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。
多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group including a ring in the structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group includes the chain described above. And a group that is bonded to the terminal of the chain-like aliphatic hydrocarbon group or intervenes in the middle of the chain-like aliphatic hydrocarbon group.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane.
As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetra And cyclododecane.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、1価の芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた2価の芳香族炭化水素基;当該2価の芳香族炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された芳香族炭化水素基;ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等で、かつ、その芳香族炭化水素の核から水素原子をさらに1つ除いた芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group include aromatics of monovalent aromatic hydrocarbon groups such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. A divalent aromatic hydrocarbon group obtained by further removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon; a part of the carbon atoms constituting the ring of the divalent aromatic hydrocarbon group are oxygen atom, sulfur atom, nitrogen Aromatic hydrocarbon groups substituted with heteroatoms such as atoms; arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc. And an aromatic hydrocarbon group obtained by further removing one hydrogen atom from the nucleus of the aromatic hydrocarbon.
The aromatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).
「ヘテロ原子を含む2価の連結基」におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)、−NH−、−NR05(R05はアルキル基)−、−NH−C(=O)−、=N−等が挙げられる。また、これらの「ヘテロ原子を含む2価の連結基」と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。
The hetero atom in the “divalent linking group containing a hetero atom” is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and a halogen atom.
Specific examples of the divalent linking group containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —, —C (═O) —O—, and a carbonate bond (—O—C (═O) —. O-), -NH-, -NR05 ( R05 is an alkyl group)-, -NH-C (= O)-, = N- and the like. Moreover, the combination etc. of these "divalent coupling groups containing a hetero atom" and a bivalent hydrocarbon group are mentioned. Examples of the divalent hydrocarbon group include the same hydrocarbon groups that may have a substituent as described above, and a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable.
Aは、その構造中に酸解離性部位を有していてもよいし、有していなくてもよい。「酸解離性部位」とは、当該有機基内における、露光により発生する酸が作用して解離する部位をいう。Aが酸解離性部位を有する場合、好ましくは第三級炭素原子を有する酸解離性部位を有することが好ましい。 A may or may not have an acid dissociable site in its structure. The “acid-dissociable site” refers to a site in the organic group that is dissociated by the action of an acid generated by exposure. When A has an acid dissociable site, it preferably has an acid dissociable site having a tertiary carbon atom.
Aの2価の連結基としては、アルキレン基、2価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
Aがアルキレン基である場合、該アルキレン基は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜6であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが特に好ましく、炭素数1〜3であることが最も好ましい。具体的には、前記で挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
Aが2価の脂肪族環式基である場合、該脂肪族環式基としては、前記「構造中に環を含む脂肪族炭化水素基」で挙げた環状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
該脂肪族環式基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が二個以上除かれた基であることが特に好ましい。
The divalent linking group for A is preferably an alkylene group, a divalent aliphatic cyclic group or a divalent linking group containing a hetero atom.
When A is an alkylene group, the alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably 1 to 4 carbon atoms, It is most preferable that it is 1-3. Specific examples include the same linear alkylene groups and branched alkylene groups as mentioned above.
When A is a divalent aliphatic cyclic group, the aliphatic cyclic group is the same as the cyclic aliphatic hydrocarbon group mentioned in the above “aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure”. Things.
The aliphatic cyclic group is particularly preferably a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane or tetracyclododecane.
Aがヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。
)、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−、式−A’−O−B’−で表される基、式−[A’−C(=O)−O]m’−B’−で表される基等が挙げられる。ここで、A’およびB’はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、m’は0〜3の整数である。
Aが−NH−の場合、そのHはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
−A’−O−B’−または−[A’−C(=O)−O]m’−B’−において、A’およびB’は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。
A’およびB’における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基としては、前記でAにおける「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」として挙げたものと同様のものが挙げられる。
A’としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
B’としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
また、式−[A’−C(=O)−O]m’−B’−で表される基において、m’は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
本発明においてAとしては、単結合、又はエステル結合[−C(=O)−O−]、エーテル結合(−O−)、アルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましく、これらの中でもアルキレン基が特に好ましい。
When A is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred examples of the linking group include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C ( ═O) —O—, —C (═O) —NH—, and —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group.
), - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O-, a group represented by the formula -A'-O-B'-, wherein - [A'-C ( ═O) —O] m ′ —B′— and the like. Here, A ′ and B ′ are each independently a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and m ′ is an integer of 0 to 3.
When A is —NH—, H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
In —A′—O—B′— or — [A′—C (═O) —O] m ′ —B′—, A ′ and B ′ each independently have a substituent. It is also a good divalent hydrocarbon group.
Examples of the divalent hydrocarbon group which may have a substituent in A ′ and B ′ include those mentioned above as “the divalent hydrocarbon group which may have a substituent” in A. The same thing is mentioned.
As A ′, a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable. preferable.
B ′ is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula — [A′—C (═O) —O] m ′ —B′—, m ′ is an integer of 0 to 3, and preferably an integer of 0 to 2. 0 or 1 is more preferable, and 1 is most preferable.
In the present invention, A is preferably a single bond, an ester bond [—C (═O) —O—], an ether bond (—O—), an alkylene group or a combination thereof, and among these, an alkylene group Is particularly preferred.
式(a5−1−1)中、R44は、置換基を有していてもよいアリーレン基である。置換基は1つでもよいし、複数であってもよい、
R44のアリーレン基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリーレン基であって、該アリーレン基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよい。たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
このようなアリーレン基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリーレン基が好ましい。具体的には、たとえばフェニレン基、ナフチレン基が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基であることがより好ましい。
前記アリーレン基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
In formula (a5-1-1), R 44 represents an arylene group which may have a substituent. There may be one or more substituents,
The arylene group R 44, not particularly limited, for example, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, said arylene groups, part or all of the hydrogen atoms may be substituted. For example, it may or may not be substituted with an alkyl group, alkoxy group, halogen atom, hydroxyl group or the like.
Such an arylene group is preferably an arylene group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenylene group and a naphthylene group, and a phenylene group is particularly preferable.
The alkyl group which may be substituted with a hydrogen atom of the arylene group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Are more preferable, and a methyl group is particularly preferable.
As the alkoxy group that may be substituted for the hydrogen atom of the arylene group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, A tert-butoxy group is more preferable.
The halogen atom that may be substituted for the hydrogen atom of the arylene group is preferably a fluorine atom.
式(a5−1−1)中、R45、R46は、それぞれ独立に有機基である。
R45、R46の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
R45、R46の有機基としては、アリール基またはアルキル基が好ましい。
In formula (a5-1-1), R 45 and R 46 are each independently an organic group.
The organic groups of R 45 and R 46 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 45 and R 46 , an aryl group or an alkyl group is preferable.
R45、R46のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部が、置換されていてもよい。たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
このようなアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられ、フェニル基が特に好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子としては、前記R44のアリーレン基が置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子と同様のものが挙げられる。
The aryl group for R 45 and R 46 is not particularly limited, and may be, for example, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and the aryl group may have part or all of its hydrogen atoms substituted. Good. For example, it may or may not be substituted with an alkyl group, alkoxy group, halogen atom, hydroxyl group or the like.
Such an aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group, and a phenyl group is particularly preferable.
The aryl group or an alkyl group which may be substituted is a hydrogen atom, an alkoxy group, the halogen atom, the alkyl group an arylene group substituted in R 44, alkoxy groups, those similar to the halogen atom Can be mentioned.
R45、R46のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デカニル基等が挙げられる。なかでも、より解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。 The alkyl group of R 45, R 46, not particularly limited, for example, linear C1-10, branched or cyclic alkyl group, and the like. It is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decanyl group. . Among these, a methyl group is preferable because it is more excellent in resolution and can be synthesized at a low cost.
式(a5−1−1)中、R45、R46は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。
かかる場合、イオウ原子を含めて3〜10員環を形成していることが好ましく、5〜7員環を形成していることが特に好ましい。
当該イオウ原子と共に形成される環構造には、硫黄原子、酸素原子(−O−、=O)等のヘテロ原子が含まれていてもよい。
形成される環の具体例としては、たとえばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられる。
In formula (a5-1-1), R 45 and R 46 may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
In such a case, it is preferable to form a 3- to 10-membered ring including a sulfur atom, and it is particularly preferable to form a 5- to 7-membered ring.
The ring structure formed with the sulfur atom may contain a hetero atom such as a sulfur atom or an oxygen atom (—O—, ═O).
Specific examples of the ring formed include, for example, a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, fluorene ring, triphenylene ring, naphthacene ring, biphenyl ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, Thiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, indolizine ring, indole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, isobenzofuran ring, quinolidine ring, quinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, quinoxaline ring, quinoxazoline ring , Isoquinoline ring, carbazole ring, phenanthridine ring, acridine ring, phenanthroline ring, thianthrene ring, chromene ring, xanthene ring, phenoxathiin ring, phenothiazine ring, phenazine ring and the like.
式(a5−1−1)中、X−は対アニオンである。
X−の対アニオンとしては、特に限定されるものではなく、後述する(B)成分中の、一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R4”SO3 −);後述する(B)成分中の、一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン等が挙げられ、特にR4”SO3 −であることが好ましく、炭素数1〜8のフッ素化アルキルスルホン酸イオン(好ましくは炭素数1〜4)または後述する一般式(b1)〜(b8)から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
In formula (a5-1-1), X − represents a counter anion.
The X − counter anion is not particularly limited, and an anion of an onium salt acid generator represented by the general formula (b-1) or (b-2) in the component (B) described later. Part (R 4 ″ SO 3 − ); an anion represented by the general formula (b-3) or (b-4) in the component (B) to be described later is exemplified, and particularly R 4 ″ SO 3 − Preferably, it is at least one selected from fluorinated alkyl sulfonate ions having 1 to 8 carbon atoms (preferably having 1 to 4 carbon atoms) or general formulas (b1) to (b8) described later. .
式(a5−2−1)中、Rf1、Rf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。
Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。
本発明においてRf1、Rf2としては、フッ素原子であることが好ましい。
In formula (a5-2-1), R f1 and R f2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group, and at least one of R f1 and R f2 is a fluorine atom or A fluorinated alkyl group;
As the alkyl group for R f1 and R f2 , an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group Group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.
Examples of the fluorinated alkyl group of R f1, R f2, group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group of the R f1, R f2 is substituted with a fluorine atom is preferred.
In the present invention, R f1 and R f2 are preferably fluorine atoms.
式(a5−2−1)中、n”は1〜8の整数であり、1〜4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。 In formula (a5-2-1), n ″ is an integer of 1 to 8, preferably an integer of 1 to 4, and more preferably 1 or 2.
式(a5−2−1)中、Mr+は対カチオンであり、rは1〜3の整数である。
Mr+の対カチオンとしては、金属カチオン又はオニウムカチオンが挙げられる。
Mr+の金属イオンとしては、ナトリウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属イオン、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属イオン、鉄イオン、アルミニウムイオン等が挙げられる。なかでも、スルホネートへのイオン交換が容易であるため、ナトリウムイオン、カリウムイオン、リチウムイオンが好ましい。
Mr+のオニウムカチオンとしては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ジアゾニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。なかでも、後述する(B)成分中の一般式(b−1)又は(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のカチオン部と同様のものであることが好ましい。
In formula (a5-2-1), M r + is a counter cation, and r is an integer of 1 to 3.
Examples of the counter cation of Mr + include a metal cation or an onium cation.
Examples of the metal ion of Mr + include alkali metal ions such as sodium, potassium and lithium, alkaline earth metal ions such as magnesium and calcium, iron ions and aluminum ions. Among these, sodium ion, potassium ion, and lithium ion are preferable because ion exchange to sulfonate is easy.
Examples of the onium cation of Mr + include a sulfonium cation, an iodonium cation, a phosphonium cation, a diazonium cation, an ammonium cation, and a pyridinium cation. Especially, it is preferable that it is the same as the cation part of the onium salt type | system | group acid generator represented by general formula (b-1) or (b-2) in (B) component mentioned later.
以下に、式(a5−1−1)又は(a5−2−1)で表される基の具体例を示す。 Specific examples of the group represented by the formula (a5-1-1) or (a5-2-1) are shown below.
本発明の構成単位(a5)は、特に、酸強度、感度、解像性、ラフネス、合成のしやすさ等の点から、下記一般式(a5−1)で表される構成単位、又は下記一般式(a5−2)で表される構成単位であることが好ましい。 The structural unit (a5) of the present invention is a structural unit represented by the following general formula (a5-1), particularly from the viewpoints of acid strength, sensitivity, resolution, roughness, ease of synthesis, and the like. A structural unit represented by general formula (a5-2) is preferable.
式(a5−1)、(a5−2)中、Rは前記と同様であり、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
式(a5−1)、(a5−2)中、A、R44、R45、R46、X−、Rf1、Rf2、n”、Mr+、r、はそれぞれ、上記式(a5−1−1)、(a5−2−1)中のA、R44、R45、R46、X−、Rf1、Rf2、n”、Mr+、rと同様である。
In formulas (a5-1) and (a5-2), R is the same as described above, and is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In the formulas (a5-1) and (a5-2), A, R 44 , R 45 , R 46 , X − , R f1 , R f2 , n ″, M r + , r are each represented by the above formula (a5- 1-1), the same as A, R 44 , R 45 , R 46 , X − , R f1 , R f2 , n ″, M r + , r in (a5-2-1).
かかる構成単位(a5)を(A1)成分に含有させる際には、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位(a5)を1〜40モル%含有させることが好ましく、1〜35モル%含有させることがより好ましく、3〜30モル%含有させることがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、ラフネスがより低減するなど、リソグラフィー特性が向上する。上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとることができる。 When the structural unit (a5) is contained in the component (A1), the structural unit (a5) is preferably contained in an amount of 1 to 40 mol% based on the total of all the structural units constituting the component (A1). 1 to 35 mol% is more preferable, and 3 to 30 mol% is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, lithography properties are improved, for example, roughness is further reduced. By setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.
本発明のレジスト組成物において、(A)成分は、構成単位(a1)を有する重合体(A1)を含有するものが好ましい。
(A1)成分として具体的には、構成単位(a1)、構成単位(a2)及び構成単位(a3)からなる共重合体(A1−11−1);構成単位(a1)、構成単位(a0)及び構成単位(a3)からなる共重合体(A1−11−2);構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a3)及び構成単位(g’)からなる共重合体(A1−12−1);構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a3)及び構成単位(h’)からなる共重合体(A1−13−1);構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a2)及び構成単位(a3)からなる共重合体(A1−11−3);構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a2)、構成単位(a3)及び構成単位(g’)からなる共重合体(A1−12−2);構成単位(a1)、構成単位(a0)、構成単位(a2)、構成単位(a3)及び構成単位(h’)からなる共重合体(A1−13−2)等が例示できる。
(A)成分中、(A1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(A1)成分としては、たとえば上記例示のうち、構成単位(g’)又は構成単位(h’)を有さない共重合体のみ(共重合体(A1−11−1)〜(A1−11−3)の少なくとも一種)、構成単位(g’)を有する共重合体のみ(共重合体(A1−12−1)及び(A1−12−2)の少なくとも一種)、構成単位(h’)を有する共重合体のみ(共重合体(A1−13−1)及び(A1−13−2)の少なくとも一種)、又はこれらの組合せ等を用いることができる。
(A)成分中の(A1)成分の割合は、(A)成分の総質量に対し、25質量%以上が好ましく、50質量%がより好ましく、75質量%がさらに好ましく、100質量%であってもよい。該割合が25質量%以上であると、MEF、露光余裕度(ELマージン)、ラフネス低減等のリソグラフィー特性、レジストパターン形状がより向上する。
In the resist composition of the present invention, the component (A) preferably contains the polymer (A1) having the structural unit (a1).
Specifically, as the component (A1), a copolymer (A1-11-1) comprising the structural unit (a1), the structural unit (a2) and the structural unit (a3); the structural unit (a1), the structural unit (a0) ) And a structural unit (a3) copolymer (A1-11-2); a structural unit (a1), a structural unit (a0), a structural unit (a3) and a structural unit (g ′). A1-12-1); a copolymer (A1-13-1) comprising the structural unit (a1), the structural unit (a0), the structural unit (a3) and the structural unit (h ′); the structural unit (a1), Copolymer (A1-11-3) consisting of structural unit (a0), structural unit (a2) and structural unit (a3); structural unit (a1), structural unit (a0), structural unit (a2), structural unit A copolymer (A1-12-2) comprising (a3) and the structural unit (g ′); 1) the structural units (a0), the structural unit (a2), a copolymer consisting of the structural unit (a3) and the structural unit (h ') (A1-13-2) and the like.
In the component (A), as the component (A1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
As the component (A1), for example, among the above examples, only copolymers having no structural unit (g ′) or structural unit (h ′) (copolymers (A1-11-1) to (A1-11) -3)), only the copolymer having the structural unit (g ′) (at least one of the copolymers (A1-12-1) and (A1-12-2)), the structural unit (h ′). Only copolymers having at least one of copolymers (A1-13-1) and (A1-13-2), or combinations thereof can be used.
The proportion of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass, further preferably 75% by mass, and 100% by mass with respect to the total mass of the component (A). May be. When the ratio is 25% by mass or more, MEF, exposure margin (EL margin), lithography characteristics such as roughness reduction, and resist pattern shape are further improved.
(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2000〜20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.0〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, 2000 to 2000 20000 is most preferred. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
The dispersity (Mw / Mn) is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.0 to 2.5. In addition, Mn shows a number average molecular weight.
(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、(A1)成分には、上記重合の際に、たとえばHS−CH2−CH2−CH2−C(CF3)2−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF3)2−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
各構成単位を誘導するモノマーは、市販のものを用いてもよく、公知の方法を利用して合成してもよい。
The component (A1) can be obtained by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN).
Further, for the component (A1), in the polymerization, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that the terminal A —C (CF 3 ) 2 —OH group may be introduced into the. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing
A commercially available monomer may be used as the monomer for deriving each structural unit, or the monomer may be synthesized using a known method.
(A)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、(A1)成分以外の、酸の作用により極性が増大する基材成分(以下「(A2)成分」という。)を含有してもよい。
本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、(A2)成分として、分子量が500以上2500未満であって、上述の(A1)成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物を用いてもよい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部または全部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。
該低分子化合物としては、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
該低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2〜6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2〜6個有するフェノール化合物が、解像性、ラインエッジラフネス(LWR)に優れることから好ましい。該酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。
The component (A) may contain a base material component (hereinafter referred to as “component (A2)”) whose polarity is increased by the action of an acid other than the component (A1) as long as the effects of the present invention are not impaired. Good.
When the resist composition of the present invention is a resist composition that forms a positive resist pattern in an alkali development process and a negative resist pattern in a solvent development process, the molecular weight is 500 or more and less than 2500 as the component (A2). Then, a low molecular compound having an acid dissociable group and a hydrophilic group as exemplified in the description of the component (A1) may be used. Specific examples include those in which some or all of the hydrogen atoms of the hydroxyl group of the compound having a plurality of phenol skeletons are substituted with the acid dissociable group.
Examples of the low molecular weight compound include a sensitizer in a non-chemically amplified g-line or i-line resist, and a part of the hydrogen atom of the hydroxyl group of a low molecular weight phenol compound known as a heat resistance improver. Those substituted with a dissociable group are preferred, and any of them can be used arbitrarily.
Examples of the low molecular weight phenol compound include bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl). ) Propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′, 4′-trihydroxyphenyl) propane, tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-) 3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3, 4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxypheny Rumethane, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxy-6-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl- 4-hydroxy-6-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, Examples include 2 to 6 nuclei of formalin condensates of phenols such as phenol, m-cresol, p-cresol and xylenol. Of course, it is not limited to these. In particular, a phenol compound having 2 to 6 triphenylmethane skeletons is preferable because of excellent resolution and line edge roughness (LWR). The acid dissociable group is not particularly limited, and examples thereof include those described above.
本発明のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。 In the resist composition of the present invention, the content of the component (A) may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.
<(B)成分>
本発明のレジスト組成物において、(B)成分としては、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式(b−1)又は(b−2)で表される化合物を用いることができる。
<(B) component>
In the resist composition of the present invention, as the component (B), those that have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.
Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, and poly (bissulfonyl) diazomethanes. There are various known diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators, and the like.
As the onium salt acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.
前記式(b−1)中、R1”〜R3”は、前記式(g−c1)中のR1”〜R3”とそれぞれ同様である。 In the formula (b-1), R 1 "~R 3" , the formula (g-c1) in R 1 "~R 3" to be similar, respectively.
前記式(b−1)中、R4”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
R4”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
R4”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合(ハロゲン化率(%))が、10〜100%であることが好ましく、50〜100%であることが好ましく、100%が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるため好ましい。
前記R4”におけるアリール基は、炭素数6〜20のアリール基であることが好ましい。
前記R4”におけるアルケニル基は、炭素数2〜10のアルケニル基であることが好ましい。
前記R4”において、「置換基を有していてもよい」とは、前記のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部もしくは全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていてもよいことを意味する。
R4”における置換基の数は、1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
In the formula (b-1), R 4 ″ represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent.
The alkyl group for R 4 ″ may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Examples of the halogenated alkyl group for R 4 ″ include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the linear, branched, or cyclic alkyl group have been substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
In the halogenated alkyl group, the ratio of the number of halogen atoms to the total number of halogen atoms and hydrogen atoms contained in the halogenated alkyl group (halogenation rate (%)) is preferably 10 to 100%. 50 to 100% is preferable, and 100% is most preferable. The higher the halogenation rate, the better the acid strength.
The aryl group for R 4 ″ is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group in R 4 ″ is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
In the above R 4 ″, “may have a substituent” means that a part or all of the hydrogen atoms in the alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group are a substituent (hydrogen atom). It may be substituted with other atoms or groups).
The number of substituents in R 4 ″ may be one, or two or more.
前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:RX−Q1−[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、RXは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
Examples of the substituent include a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, a formula: R X -Q 1- [where Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom, and R X represents a substituent. It is a C3-C30 hydrocarbon group which may have. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group in R 4 ″.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.
RX−Q1−で表される基において、Q1は、酸素原子を含む2価の連結基である。
Q1は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合;−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−(式中、R91〜R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
R91〜R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH2−];−CH(CH3)−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)2−、−C(CH3)(CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH2CH3)−、−C(CH2CH3)2−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CH2CH2−];−CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CH2CH2CH2−];−CH(CH3)CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CH2CH2CH2CH2−];−CH(CH3)CH2CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2CH2−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CH2CH2CH2CH2CH2−]等が挙げられる。
Q1としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
In the group represented by R X —Q 1 —, Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q 1 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond; —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an amide bond (—C (═O) —NH. -), A carbonyl group (-C (= O)-), a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group such as a carbonate bond (-O-C (= O) -O-); the non-hydrocarbon oxygen atom Examples include a combination of a containing linking group and an alkylene group.
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) — , R 91 to R 93 are each independently an alkylene group.) And the like.
The alkylene group for R 91 to R 93 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 — and the like. Alkylethylene groups; trimethylene groups (n-propylene groups) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; alkyls such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 — trimethylene; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 C 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q 1 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond, and in particular, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) — or —C (═O) — O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.
RX−Q1−で表される基において、RXの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。 In the group represented by R X -Q 1- , the hydrocarbon group of R X may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
RXにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
RXにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
RXにおける「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、シアノ基等が挙げられる。
前記アルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for R X may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In R X , the aliphatic hydrocarbon group may be a group in which a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and the hydrogen constituting the aliphatic hydrocarbon group A part or all of the atoms may be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in R X is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may be composed of only the hetero atom, or may be a group containing a group or atom other than the hetero atom.
Specific examples of the substituent for substituting a part of the carbon atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O. —, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group, etc.), —S—, —S (═O) 2 —, — S (= O) 2 —O— and the like can be mentioned. When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.
Specific examples of the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), and a cyano group.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group. Is most preferred.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As the halogenated alkyl group, a part or all of hydrogen atoms of an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, etc. And a group substituted with a halogen atom.
脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.
不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group.
Among the above, the unsaturated hydrocarbon group is particularly preferably a propenyl group.
脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups represented by the following formulas (L1) to (L6) and (S1) to (S4).
式中、Q”、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91〜R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。
これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
In the formula, examples of the alkylene group for Q ″, R 94 and R 95 include the same alkylene groups as those described above for R 91 to R 93 .
In these aliphatic cyclic groups, a part of hydrogen atoms bonded to carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
As said alkyl group, a C1-C5 alkyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.
Examples of the alkoxy group and the halogen atom are the same as those exemplified as the substituent for substituting part or all of the hydrogen atoms.
上記のなかでも、かかるRXとしては、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記(L2)〜(L5)、(S3)〜(S4)で表される基等が好ましい。
Among the above, R X is preferably a cyclic group which may have a substituent. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. Examples of the polycyclic aliphatic cyclic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, groups represented by the above (L2) to (L5) and (S3) to (S4). Etc. are preferred.
また、RXは、リソグラフィー特性、レジストパターン形状がより向上することから、極性部位を有するものが特に好ましい。
極性部位を有するものとしては、たとえば、上述したRXの脂肪族環式基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基、すなわち、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)2−、−S(=O)2−O−等、で置換されたものが挙げられる。
Also, R X, since the lithography properties, resist pattern shape is further improved, which has a polar moiety is particularly preferred.
As having a polar moiety, for example, substituted groups in which some of the carbon atoms constituting the aliphatic cyclic group of the above-mentioned R X includes a heteroatom, i.e., -O -, - C (= O) -O -, -C (= O)-, -O-C (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -NH- (H is substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. may be), - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- , etc., in include those substituted.
上記のなかでも、R4”は、置換基としてRX−Q1−を有することが好ましい。この場合、R4”としては、RX−Q1−Y1−[式中、Q1およびRXは前記と同じであり、Y1は置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。
RX−Q1−Y1−で表される基において、Y1のアルキレン基としては、前記Q1で挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
Y1のフッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
Y1として、具体的には、−CF2−、−CF2CF2−、−CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2−、−CF(CF2CF3)−、−C(CF3)2−、−CF2CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2CF2−、−CF2CF(CF3)CF2−、−CF(CF3)CF(CF3)−、−C(CF3)2CF2−、−CF(CF2CF3)CF2−、−CF(CF2CF2CF3)−、−C(CF3)(CF2CF3)−;−CHF−、−CH2CF2−、−CH2CH2CF2−、−CH2CF2CF2−、−CH(CF3)CH2−、−CH(CF2CF3)−、−C(CH3)(CF3)−、−CH2CH2CH2CF2−、−CH2CH2CF2CF2−、−CH(CF3)CH2CH2−、−CH2CH(CF3)CH2−、−CH(CF3)CH(CF3)−、−C(CF3)2CH2−;−CH2−、−CH2CH2−、−CH2CH2CH2−、−CH(CH3)CH2−、−CH(CH2CH3)−、−C(CH3)2−、−CH2CH2CH2CH2−、−CH(CH3)CH2CH2−、−CH2CH(CH3)CH2−、−CH(CH3)CH(CH3)−、−C(CH3)2CH2−、−CH(CH2CH3)CH2−、−CH(CH2CH2CH3)−、−C(CH3)(CH2CH3)−等が挙げられる。
Among the above, R 4 ″ preferably has R X —Q 1 — as a substituent. In this case, R 4 ″ includes R X -Q 1 -Y 1- [wherein Q 1 and R X is the same as above, and Y 1 is an optionally substituted alkylene group having 1 to 4 carbon atoms or an optionally substituted fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms. is there. ] Is preferable.
In the group represented by R X —Q 1 —Y 1 —, the alkylene group for Y 1 includes the same alkylene groups as those described above for Q 1 having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the fluorinated alkylene group for Y 1 include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 1, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - C H 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH (CF 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CF 3 ) CH 2 —, —CH (CF 3 ) CH (CF 3 ) —, —C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.
Y1としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF2−、−CF2CF2−、−CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2−、−CF2CF2CF2CF2−、−CF(CF3)CF2CF2−、−CF2CF(CF3)CF2−、−CF(CF3)CF(CF3)−、−C(CF3)2CF2−、−CF(CF2CF3)CF2−;−CH2CF2−、−CH2CH2CF2−、−CH2CF2CF2−;−CH2CH2CH2CF2−、−CH2CH2CF2CF2−、−CH2CF2CF2CF2−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF2−、−CF2CF2−、−CF2CF2CF2−、又はCH2CF2CF2−が好ましく、−CF2−、−CF2CF2−又は−CF2CF2CF2−がより好ましく、−CF2−が特に好ましい。
Y 1 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.
前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The alkylene group or fluorinated alkylene group may have a substituent. An alkylene group or a fluorinated alkylene group has a “substituent” means that part or all of the hydrogen atom or fluorine atom in the alkylene group or fluorinated alkylene group is substituted with an atom or group other than a hydrogen atom and a fluorine atom. Means that
Examples of the substituent that the alkylene group or fluorinated alkylene group may have include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyl group.
前記式(b−2)中、R5”〜R6”は、前記式(g−c2)中のR5”〜R6”とそれぞれ同様である。
前記式(b−2)中のR4”としては、上記式(b−1)におけるR4”と同様のものが挙げられる。
In the formula (b-2), R 5 "~R 6" are respectively similar to the R 5 "~R 6" in formula (g-c2).
"The, R 4 in the above formula (b-1)" R 4 in the formula (b-2) include the same as.
式(b−1)、(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。 Specific examples of the onium salt acid generators represented by formulas (b-1) and (b-2) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium. Trifluoromethane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its Nonafluorobutanesulfonate, dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptaful Lopropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of monophenyldimethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; trifluoromethanesulfonate of diphenylmonomethylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate (4-methylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate , Trifluoromethanesulfonate of tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, its heptafluoropropane Sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, di (1-naphthyl) phenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1-phenyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate Or nonafluorobutanesulfonate thereof; 1- (4-methylphenyl) ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-ethoxynaphthalene-1- Yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonaflu 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1-phenyltetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate , Its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl -4-Hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanes Honeto or nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-methylphenyl) trifluoromethanesulfonate tetrahydrothiophenium Pila chloride, heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, and the like.
また、これらのオニウム塩のアニオン部を、メタンスルホネート、n−プロパンスルホネート、n−ブタンスルホネート、n−オクタンスルホネート、1−アダマンタンスルホネート、2−ノルボルナンスルホネート等のアルキルスルホネート;d−カンファー−10−スルホネート、ベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、p−トルエンスルホネート等のスルホネートにそれぞれ置き換えたオニウム塩も用いることができる。 In addition, the anion portion of these onium salts may be substituted with methanesulfonate, n-propanesulfonate, n-butanesulfonate, n-octanesulfonate, 1-adamantansulfonate, 2-norbornanesulfonate, or the like; d-camphor-10-sulfonate Further, onium salts substituted with sulfonates such as benzenesulfonate, perfluorobenzenesulfonate, and p-toluenesulfonate can also be used.
また、これらのオニウム塩のアニオン部を、下記式(b1)〜(b8)のいずれかで表されるアニオンに置き換えたオニウム塩も用いることができる。 Moreover, the onium salt which replaced the anion part of these onium salts by the anion represented by either of following formula (b1)-(b8) can also be used.
R50の置換基としては、前記RXにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
R50に付された符号(r1〜r2、w1〜w5)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR50はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
As the substituent of R 50, the same as those described as the substituent that the aliphatic hydrocarbon group may have and the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in the above R X Is mentioned.
Code (r1 and r2, w1 to w5) attached to R 50 when it is 2 or more integer, a plurality of R 50 in the compound may be the same, respectively, it may be different.
また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部(R4”SO3 −)を下記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオンに置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は前記式(b−1)又は(b−2)におけるカチオン部と同様)。 As the onium salt-based acid generator, in the general formula (b-1) or (b-2), the anion moiety (R 4 "SO 3 -) of the following general formula (b-3) or (b- An onium salt acid generator substituted with the anion represented by 4) can also be used (the cation moiety is the same as the cation moiety in the formula (b-1) or (b-2)).
X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2〜6であり、好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。
該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, Most preferably, it has 3 carbon atoms.
Y ″ and Z ″ are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably Has 1 to 7 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms.
The carbon number of the alkylene group of X ″ or the carbon number of the alkyl group of Y ″ and Z ″ is preferably as small as possible because the solubility in the resist solvent is good within the above carbon number range.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, the strength of the acid increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less This is preferable because the transparency to the surface is improved.
The proportion of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. A perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group.
また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部(R4”SO3 −)を、Rh−COO−[式中、Rhはアルキル基又はフッ素化アルキル基である。]に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は前記式(b−1)又は(b−2)におけるカチオン部と同様)。
前記式中、Rhとしては、前記R4”と同様のものが挙げられる。
上記「Rh−COO−」の具体例としては、たとえばトリフルオロ酢酸イオン、酢酸イオン、1−アダマンタンカルボン酸イオン等が挙げられる。
As the onium salt-based acid generator, in the general formula (b-1) or (b-2), anion - a, R h -COO (R 4 " SO 3) - [ wherein, R h Is an alkyl group or a fluorinated alkyl group.] An onium salt-based acid generator substituted with a cation moiety can also be used (the cation moiety is the same as the cation moiety in the formula (b-1) or (b-2)).
In the above formula, examples of R h include the same as R 4 ″.
Specific examples of the “R h —COO − ” include trifluoroacetate ions, acetate ions, 1-adamantanecarboxylate ions and the like.
また、オニウム塩系酸発生剤として、前記の一般式(g−c3)又は(g−c4)で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。
さらに、前記の一般式(g−c5)又は一般式(g−c6)で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。
Further, as the onium salt acid generator, a sulfonium salt having a cation represented by the above general formula (g-c3) or (g-c4) in the cation part can also be used.
Furthermore, the sulfonium salt which has the cation represented by the said general formula (g-c5) or general formula (g-c6) in a cation part can also be used.
前記の式(g−c3)〜(g−c6)で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式(b−1)または(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部(R4”SO3 −)等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン、前記式(b1)〜(b8)のいずれかで表されるアニオン等が挙げられる。 The anion part of the sulfonium salt having cations represented by the above formulas (g-c3) to (g-c6) in the cation part is not particularly limited, and the anion of the onium salt acid generators proposed so far It may be the same as the part. Examples of the anion moiety include fluorinated alkyl sulfonate ions such as the anion moiety (R 4 ″ SO 3 − ) of the onium salt acid generator represented by the general formula (b-1) or (b-2). An anion represented by the general formula (b-3) or (b-4), an anion represented by any one of the formulas (b1) to (b8), and the like.
本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射(露光)によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。 In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation (exposure) of radiation. It is what you have. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.
R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。 More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).
前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
R34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していてもよい。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of carbon atoms constituting the ring of these groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.
前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は、好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.
オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット(65〜85頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope N-tenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [chemical formula 18] to [chemical formula 19]), pamphlet of International Publication No. 04/074242, An oxime sulfonate-based acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on pages 65 to 85 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.
ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.
(B)成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のレジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して0.5〜60質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく、1〜40質量部がさらに好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
As the component (B), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.
0.5-60 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, as for content of (B) component in the resist composition of this invention, 1-50 mass parts is more preferable, 1-40 mass parts Is more preferable. By setting it within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, when each component of a resist composition is melt | dissolved in the organic solvent, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.
<その他成分>
本発明のレジスト組成物においては、本発明の効果を損なわない範囲で、さらに、上述した成分に該当しない、アミン成分(D)(以下「(D)成分」という。)を含有してもよい。
(D)成分としては、酸拡散制御剤、すなわち、露光によりたとえば前記の(B)成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであれば特に限定されず、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよい。具体的には、脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜20であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキル基、およびヒドロキシアルキル基におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2〜20であることがより好ましく、2〜8であることがさらに好ましい。
該アルキル基が環状である場合(シクロアルキル基である場合)、その炭素数は、3〜30であることが好ましく、3〜20がより好ましく、3〜15がさらに好ましく、炭素数4〜12であることが特に好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
前記アルキルアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;が挙げられる。
前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
その他の脂肪族アミンとして、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミンなどが挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
<Other ingredients>
The resist composition of the present invention may further contain an amine component (D) (hereinafter referred to as “component (D)”) that does not fall under the above-described components as long as the effects of the present invention are not impaired. .
The component (D) is not particularly limited as long as it acts as an acid diffusion control agent, that is, a quencher that traps acid generated from the component (B) by exposure, for example. Since it has been proposed, any known one may be used. Specific examples include amines such as aliphatic amines and aromatic amines, among which aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.
An aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 20 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include an amine (alkylamine or alkyl alcohol amine) or a cyclic amine in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 20 or less carbon atoms. .
The alkyl group and the alkyl group in the hydroxyalkyl group may be linear, branched or cyclic.
When the alkyl group is linear or branched, the carbon number thereof is more preferably 2-20, and further preferably 2-8.
When the alkyl group is cyclic (when it is a cycloalkyl group), the carbon number is preferably 3 to 30, more preferably 3 to 20, still more preferably 3 to 15, and 4 to 12 carbon atoms. It is particularly preferred that the number of carbon atoms is 5-10. The alkyl group may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from monocycloalkane, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
Specific examples of the alkylamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-n- Dialkylamines such as heptylamine, di-n-octylamine, dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri- and trialkylamines such as n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, and tri-n-dodecylamine.
Specific examples of the alkyl alcohol amine include diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine, stearyl diethanolamine, lauryldiethanolamine and the like.
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ) Ethoxy} ethyl] amine and the like.
Examples of the aromatic amine include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, diphenylamine, triphenylamine, and tribenzylamine.
These may be used alone or in combination of two or more.
(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component. By setting the content in the above range, the resist pattern shape, the stability over time, and the like are improved.
本発明のレジスト組成物は、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、リンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下「(E)成分」という。)を含有してもよい。
リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
The resist composition of the present invention is at least selected from the group consisting of phosphorus oxoacids and derivatives thereof as an optional component for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, retention time stability, etc. One type of compound (E) (hereinafter referred to as “component (E)”) may be contained.
Examples of phosphorus oxo acids include phosphoric acid, phosphonic acid, and phosphinic acid. Among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of the phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(E) A component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.
本発明のレジスト組成物には、レジスト膜に撥水性を付与するために、フッ素添加剤(以下「(F)成分」という。)を含有させることができる。
(F)成分をさらに含有することにより、レジスト膜表面の疎水性が高まり、現像後のディフェクト発生がより抑制される。
(F)成分としては、例えば、特開2010−002870号公報に記載の含フッ素高分子化合物などを用いることができる。
(F)成分として具体的には、下記一般式(f1)で表される構成単位を有する共重合体が好適に挙げられる。より具体的には、下記式(f1)で表される構成単位のみからなる重合体(ホモポリマー)、下記式(f1)で表される構成単位と前記構成単位(a1)との共重合体、下記式(f1)で表される構成単位とアクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と前記構成単位(a1)との共重合体が好ましい。当該構成単位(a1)のなかでも、前記式(a1−1−32)で表される構成単位が特に好ましい。
The resist composition of the present invention may contain a fluorine additive (hereinafter referred to as “component (F)”) in order to impart water repellency to the resist film.
By further containing the component (F), the hydrophobicity of the resist film surface is increased and the occurrence of defects after development is further suppressed.
As the component (F), for example, a fluorine-containing polymer compound described in JP 2010-002870 A can be used.
Specific examples of the component (F) include a copolymer having a structural unit represented by the following general formula (f1). More specifically, a polymer (homopolymer) consisting only of a structural unit represented by the following formula (f1), a copolymer of the structural unit represented by the following formula (f1) and the structural unit (a1) A copolymer of a structural unit represented by the following formula (f1), a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1) is preferable. Among the structural units (a1), the structural unit represented by the formula (a1-1-32) is particularly preferable.
前記式(f1)中、R7”はフッ素原子を含む有機基であり、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。フッ素原子を含む炭化水素基としては、フッ素化アルキル基がより好ましく、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がさらに好ましい。なかでも、R7”としては、「−(CH2)o−CF3」で表される基が好ましい(式中、oはCH2の繰返し数を示し、1〜3の整数である)。
式(f1)中、R8”のアルキレン基の炭素数は1〜5であり、1〜3であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。R8”のアルキレン基の水素原子は、フッ素原子、炭素数1〜5のアルキル基、又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基で置換されていてもよい。
式(f1)中、Rは前記と同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
(F)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物中の(F)成分の含有量は、(A)成分100質量部あたり1〜10質量部の割合で用いることが好ましい。(F)成分の含有量を上記範囲とすることで、レジスト膜表面の疎水性が高まり、現像後のディフェクト発生がより抑制される。
In the formula (f1), R 7 ″ is an organic group containing a fluorine atom, preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom. The hydrocarbon group containing a fluorine atom is more preferably a fluorinated alkyl group. Further, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable. Among them, as R 7 ″, a group represented by “— (CH 2 ) o—CF 3 ” is preferable (wherein, o is CH 2). Is an integer of 1 to 3).
In formula (f1), the carbon number of the alkylene group of R 8 ″ is 1 to 5, preferably 1 to 3, and more preferably 1 or 2. The hydrogen atom of the alkylene group of R 8 ″. May be substituted with a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
In the formula (f1), R is the same as described above. R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
(F) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
The content of the component (F) in the resist composition is preferably 1 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the component (A). By making content of (F) component into the said range, the hydrophobicity of the resist film surface increases, and the defect generation after image development is suppressed more.
本発明のレジスト組成物には、さらに、所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。 The resist composition of the present invention may further contain, if desired, miscible additives such as an additional resin for improving the performance of the resist film, a surfactant for improving coatability, a dissolution inhibitor, Plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents, dyes, and the like can be added and contained as appropriate.
本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤(以下「(S)成分」ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、シクロヘキサノン、ELが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:(PGME+シクロヘキサノン)の質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。
The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as “(S) component”).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution. Conventionally, any one of known solvents for chemically amplified resists can be used. Two or more types can be appropriately selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Monohydric alcohols; compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl of the polyhydric alcohols or compound having the ester bond Ether alkyl such as ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) or propylene glycol monomethyl ether (PGME) among these]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, Aromatic organics such as dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene A solvent etc. can be mentioned.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), cyclohexanone, and EL are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range. For example, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3. Further, when PGME and cyclohexanone are blended as polar solvents, the mass ratio of PGMEA: (PGME + cyclohexanone) is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2, and even more preferably 3. : 7 to 7: 3.
In addition, as the component (S), PGMEA, EL or a mixed solvent of PGMEA and a polar solvent and a mixed solvent of γ-butyrolactone are also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
The amount of component (S) used is not particularly limited, but is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, the solid content concentration of the resist composition is 1 -20% by mass, preferably 2-15% by mass.
以上説明した本発明のレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する際、上述したように、レジスト膜の未露光部に存在する(G)成分は、たとえば(B)成分から発生する酸とイオン交換反応を行い、酸の拡散現象を抑制する作用を奏する。他方、レジスト膜の露光部に存在する(G)成分は、露光により分解して、たとえば(B)成分から発生する酸に対しての塩基性を失う。これらの作用により、本発明のレジスト組成物によれば、リソグラフィー特性、レジストパターン形状等の向上が図られる。
加えて、本発明のレジスト組成物は、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動を抑制できる、という効果も有する。その理由は明らかではないが、以下のように推測される。
一般的に、レジスト組成物には、基材成分(A)と酸発生剤成分(B)とに加えて、露光によりたとえば(B)成分から発生する酸の拡散を制御するために、アミン成分等が好適に配合されている。
かかるレジスト組成物においては、レジスト組成物を調製して一定の期間保存されることにより、保存前後で形成されるレジストパターンの寸法が変動するという問題がある。
この問題は、レジスト組成物中における、前記アミン成分と他の配合成分との相互作用により、当該他の配合成分の分解(経時劣化)が進むため、と推測される。
本発明のレジスト組成物においては、特定の(G)成分と(H)成分とが組み合わされていることにより、保存期間中、(G)成分の他の配合成分への求核性がより低減されて、当該他の配合成分の分解(経時劣化)が抑制されるため、保存前後で形成されるレジストパターンの寸法変化も小さい、と推測される。
When forming a resist pattern using the resist composition of the present invention described above, as described above, the component (G) present in the unexposed portion of the resist film includes, for example, acids and ions generated from the component (B). Performs an exchange reaction and has an effect of suppressing the phenomenon of acid diffusion. On the other hand, the component (G) present in the exposed portion of the resist film is decomposed by exposure and loses basicity with respect to the acid generated from the component (B), for example. By these actions, according to the resist composition of the present invention, the lithography properties, the resist pattern shape and the like can be improved.
In addition, the resist composition of the present invention has an effect that it is possible to suppress dimensional fluctuations of the resist pattern due to the influence of time. The reason is not clear, but is presumed as follows.
In general, in addition to the base component (A) and the acid generator component (B), the resist composition includes an amine component for controlling the diffusion of acid generated from the component (B) by exposure. Etc. are suitably blended.
In such a resist composition, there is a problem that the dimension of the resist pattern formed before and after the storage fluctuates by preparing the resist composition and storing it for a certain period.
This problem is presumed to be due to the decomposition (deterioration with time) of the other compounding components due to the interaction between the amine component and the other compounding components in the resist composition.
In the resist composition of the present invention, the combination of the specific (G) component and the (H) component further reduces the nucleophilicity of the (G) component to other compounding components during the storage period. Then, since the decomposition (deterioration with time) of the other compounding components is suppressed, it is estimated that the dimensional change of the resist pattern formed before and after storage is small.
≪レジストパターン形成方法≫
本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下のようにして行うことができる。
すなわち、まず支持体上に前記本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施してレジスト膜を形成する。
次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。
次に、前記レジスト膜を現像処理する。
現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)用いて行う。
現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。
≪Resist pattern formation method≫
The resist pattern forming method of the present invention includes a step of forming a resist film on a support using the resist composition of the present invention, a step of exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern. Forming.
The resist pattern forming method of the present invention can be performed, for example, as follows.
That is, first, the resist composition of the present invention is applied onto a support with a spinner or the like, and a baking (post-apply bake (PAB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably A resist film is formed by applying for 60 to 90 seconds.
Next, the resist film is exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed using an exposure apparatus such as an ArF exposure apparatus, an electron beam drawing apparatus, or an EUV exposure apparatus, or a mask pattern. After performing selective exposure by drawing or the like by direct irradiation with an electron beam without passing through, baking (post-exposure baking (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 Apply for ~ 90 seconds.
Next, the resist film is developed.
The development treatment is performed using an alkaline developer in the case of an alkali development process, and using a developer (organic developer) containing an organic solvent in the case of a solvent development process.
A rinsing treatment is preferably performed after the development treatment. The rinse treatment is preferably a water rinse using pure water in the case of an alkali development process, and is preferably a rinse solution containing an organic solvent in the case of a solvent development process.
In the case of a solvent development process, after the development process or the rinse process, a process of removing the developer or rinse liquid adhering to the pattern with a supercritical fluid may be performed.
Drying is performed after development or rinsing. In some cases, a baking process (post-bake) may be performed after the development process. In this way, a resist pattern can be obtained.
支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)とに分けられる。
The support is not particularly limited, and a conventionally known one can be used, and examples thereof include a substrate for electronic components and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the above-described substrate. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include organic films such as an organic antireflection film (organic BARC) and a lower organic film in a multilayer resist method.
Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are provided on a substrate, and the resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. This is a method of patterning a lower organic film, and it is said that a pattern with a high aspect ratio can be formed. That is, according to the multilayer resist method, the required thickness can be secured by the lower organic film, so that the resist film can be thinned and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
In the multilayer resist method, basically, a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower organic film (two-layer resist method), and one or more intermediate layers between the upper resist film and the lower organic film And a method of forming a multilayer structure of three or more layers (metal thin film etc.) (three-layer resist method).
露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高い。 The wavelength used for the exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation. The resist composition is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV.
レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure method of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).
In immersion exposure, the space between the resist film and the lowermost lens of the exposure apparatus is filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air in advance, and exposure (immersion exposure) is performed in that state. It is an exposure method.
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferable, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).
As the immersion medium, water is preferably used from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility, and the like.
アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、(A)成分(露光前の(A)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。
Examples of the alkali developer used for the development treatment in the alkali development process include a 0.1 to 10% by mass tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution.
The organic solvent contained in the organic developer used in the development process in the solvent development process is not particularly limited as long as it can dissolve the component (A) (component (A) before exposure). It can be selected as appropriate. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and hydrocarbon solvents can be used.
A known additive can be blended in the organic developer as required. Examples of the additive include a surfactant. The surfactant is not particularly limited, and for example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0. 0% with respect to the total amount of the organic developer. 5 mass% is more preferable.
The development process can be carried out by a known development method, for example, a method in which a support is immersed in a developer for a certain period of time (dip method), a developer is raised on the surface of the support by surface tension, and is left for a certain period of time. (Paddle method), spraying developer on the surface of the support (spray method), coating the developer while scanning the developer coating nozzle at a constant speed on the support rotating at a constant speed The method to continue (dynamic dispensing method) etc. are mentioned.
溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
As the organic solvent contained in the rinsing liquid used for the rinsing treatment after the development process in the solvent development process, for example, among the organic solvents mentioned as the organic solvent contained in the organic developer, those which are difficult to dissolve the resist pattern are appropriately used. You can select and use. Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents and amide solvents is preferable, and at least one selected from alcohol solvents and ester solvents is preferable. More preferred are alcohol solvents.
The rinse treatment (washing treatment) using the rinse liquid can be performed by a known rinse method. Examples of the method include a method of continuously applying a rinsing liquid on a support rotating at a constant speed (rotary coating method), a method of immersing the support in a rinsing liquid for a predetermined time (dip method), and the surface of the support. And a method of spraying a rinse liquid (spray method).
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
本実施例では、化学式(1)で表される化合物を「化合物(1)」と記載し、他の化学式で表される化合物についても同様に記載する。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.
In this example, the compound represented by the chemical formula (1) is described as “compound (1)”, and the compounds represented by other chemical formulas are also described in the same manner.
[ポリマー合成例1(共重合体(2)の合成)]
温度計、還流管及び窒素導入管を備えたセパラブルフラスコ内で、12.00g(70.52mmol)の化合物(1)と、12.60g(39.83mmol)の化合物(2)と、20.77g(79.15mmol)の化合物(3)と、5.85g(34.75mmol)の化合物(4)と、6.95g(29.43mmol)の化合物(5)と 、1.61g(3.08mmol)の化合物(6)とを、76.81gのメチルエチルケトン(MEK)に溶解させた。この溶液に、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチル(V−601)4.14g(17.97mmol)を添加して溶解させた。
これを、41.66gのMEKに、窒素雰囲気下、80℃で4時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を80℃に加熱しながら1時間攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。
得られた反応重合液を大量のn−ヘプタンに滴下して、重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別、乾燥して、目的物である共重合体(2)27.08gを得た。
この共重合体(2)についてGPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)は7600であり、分子量分散度(Mw/Mn)は1.68であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求められた共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))は、l/m/n/o/p/q=34.7/23.5/16.3/14.5/9.8/1.2であった。
[Polymer synthesis example 1 (synthesis of copolymer (2))]
In a separable flask equipped with a thermometer, a reflux tube and a nitrogen introduction tube, 12.00 g (70.52 mmol) of compound (1), 12.60 g (39.83 mmol) of compound (2), and 20. 77 g (79.15 mmol) of compound (3), 5.85 g (34.75 mmol) of compound (4), 6.95 g (29.43 mmol) of compound (5), 1.61 g (3.08 mmol) ) Compound (6) was dissolved in 76.81 g of methyl ethyl ketone (MEK). To this solution, 4.14 g (17.97 mmol) of dimethyl azobisisobutyrate (V-601) was added and dissolved as a polymerization initiator.
This was dripped at 41.66 g of MEK over 4 hours at 80 ° C. in a nitrogen atmosphere. After completion of dropping, the reaction solution was stirred for 1 hour while being heated to 80 ° C., and then the reaction solution was cooled to room temperature.
The obtained reaction polymerization liquid was dropped into a large amount of n-heptane, and an operation for precipitating the polymer was performed. The precipitated white powder was filtered and dried, and the target copolymer (2) 27 0.08 g was obtained.
The weight average molecular weight (Mw) in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement for this copolymer (2) was 7600, and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) was 1.68. The copolymer composition ratio (ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by carbon-13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz — 13 C-NMR) is 1 / m / n / o / p / It was q = 34.7 / 23.5 / 16.3 / 14.5 / 9.8 / 1.2.
[ポリマー合成例2〜9(共重合体(1)、(3)〜(9)の合成)]
共重合体(1)、(3)〜(9)は、各共重合体を構成する構成単位を誘導する下記化合物(1)〜(10)を所定のモル比で用いた以外は、上記ポリマー合成例1と同様の方法により合成した。
各共重合体について、各構成単位を誘導する化合物、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求めた共重合組成比、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量、及び分子量分散度(Mw/Mn)を表1に示す。
[Polymer synthesis examples 2 to 9 (synthesis of copolymers (1) and (3) to (9))]
Copolymers (1) and (3) to (9) are the same as those described above except that the following compounds (1) to (10) for deriving structural units constituting each copolymer were used in a predetermined molar ratio. Synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1.
For each copolymer, a compound that derives each structural unit, a copolymer composition ratio determined by carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz — 13 C-NMR), a mass average molecular weight in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement, and a molecular weight The degree of dispersion (Mw / Mn) is shown in Table 1.
<レジスト組成物の調製>
[実施例1〜52、比較例1〜20]
表2〜6に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
[Examples 1 to 52, Comparative Examples 1 to 20]
Resist compositions were prepared by mixing and dissolving the components shown in Tables 2-6.
表2〜6中、[ ]内の数値は配合量(質量部)であり、各略号はそれぞれ以下のものを示す。
(A)−1〜(A)−9:前記の共重合体(1)〜共重合体(9)。
(B)−1:下記化学式(B)−1で表される化合物。
In Tables 2-6, the numerical value in [] is a compounding quantity (mass part), and each abbreviation shows the following, respectively.
(A) -1 to (A) -9: Copolymer (1) to Copolymer (9).
(B) -1: a compound represented by the following chemical formula (B) -1.
(G)−1〜(G)−11:下記化学式(G)−1〜(G)−11で表される化合物。 (G) -1 to (G) -11: Compounds represented by the following chemical formulas (G) -1 to (G) -11.
(H)−1〜(H)−11:下記化学式(H)−1〜(H)−11で表される化合物。 (H) -1 to (H) -11: Compounds represented by the following chemical formulas (H) -1 to (H) -11.
(S)−1:γ−ブチロラクトン。
(S)−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノメチルエーテル=6/4(質量比)の混合溶剤。
(S) -1: γ-butyrolactone.
(S) -2: mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate / propylene glycol monomethyl ether = 6/4 (mass ratio).
<レジストパターンの形成>
8インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC−29A」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。
次いで、該反射防止膜上に、上記のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、下記の表に示す温度で60秒間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚150nmのレジスト膜を形成した。
次に、該レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯照明)により、マスク(6%ハーフトーン)を介して、ArFエキシマレーザー(193nm)を選択的に照射した。
そして、下記の表に示す温度で60秒間の露光後加熱(PEB)処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液「NMD−3」(商品名、東京応化工業社製)で30秒間のアルカリ現像処理を行い、その後30秒間、純水リンスし、振り切り乾燥を行った。
その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、スペース幅120nmのスペースが等間隔(ピッチ240nm)に配置されたスペースアンドラインのレジストパターン(以下「SLパターン」という。)が形成された。
かかるSLパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm2)、すなわち感度を求めた。その結果を表に示す。
<Formation of resist pattern>
An organic antireflection film composition “ARC-29A” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) was applied on an 8-inch silicon wafer using a spinner, and baked on a hot plate at 205 ° C. for 60 seconds. By drying, an organic antireflection film having a film thickness of 82 nm was formed.
Next, each of the above resist compositions is applied onto the antireflection film using a spinner, and prebaked (PAB) for 60 seconds at a temperature shown in the following table on a hot plate, followed by drying. Thus, a resist film having a thickness of 150 nm was formed.
Next, an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 0.60, 2/3 annular illumination) is applied to the resist film through a mask (6% halftone). ArF excimer laser (193 nm) was selectively irradiated.
Then, a post-exposure heating (PEB) treatment was performed for 60 seconds at the temperature shown in the following table, and a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution “NMD-3” (trade name, (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was subjected to an alkali development treatment for 30 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then shaken off and dried.
As a result, in each example, a space-and-line resist pattern (hereinafter referred to as “SL pattern”) in which spaces having a space width of 120 nm are arranged at equal intervals (pitch 240 nm) was formed on the resist film.
The optimum exposure amount Eop (mJ / cm 2 ) at which such an SL pattern is formed, that is, the sensitivity was obtained. The results are shown in the table.
[ラインワイズラフネス(LWR)の評価]
上記レジストパターンの形成と同じ手順に従い、前記Eopにて形成されたスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンにおいて、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧800V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差(s)の3倍値(3s)を求め、そのなかで5箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果を「LWR(nm)」として表に示す。
この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のSLパターンが得られたことを意味する。
[Evaluation of line width roughness (LWR)]
In accordance with the same procedure as the formation of the resist pattern, a length measurement SEM (scanning electron microscope, accelerating voltage 800 V, trade name: S-9380, Hitachi High) was used in the SL pattern formed by Eop with a space width of 120 nm and a pitch of 240 nm. Measured at 400 locations in the longitudinal direction of the space by Technologies, Inc.), and obtained the value of 3 times the standard deviation (s) (3 s) from the result, and averaged the values for 3 s in 5 locations. Was calculated as a measure of LWR. The results are shown in the table as “LWR (nm)”.
The smaller the value of 3s, the smaller the roughness of the line width, which means that a more uniform SL pattern was obtained.
[マスクエラーファクタ(MEF)の評価]
上記レジストパターンの形成と同じ手順に従い、前記Eopにおいて、スペース幅120nm、ピッチ260nmのSLパターンをターゲットとするマスクパターンと、スペース幅130nm、ピッチ260nmのSLパターンをターゲットとするマスクパターンとを用いてそれぞれSLパターンを形成し、以下の式からMEFの値を求めた。その結果を「MEF」として表に示す。
MEF=|CD130−CD120|/|MD130−MD120|
上記式中、CD130、CD120は、それぞれ、スペース幅130nm、120nmをターゲットとするマスクパターンを用いて形成されたSLパターンの実際のスペース幅(nm)である。MD130、MD120は、それぞれ、当該マスクパターンがターゲットとするスペース幅(nm)であり、MD130=130、MD120=120である。
このMEFの値が1に近いほど、マスクパターンに忠実なレジストパターンが形成されたことを示す。
[Evaluation of mask error factor (MEF)]
According to the same procedure as the formation of the resist pattern, in the Eop, using a mask pattern targeting a SL pattern having a space width of 120 nm and a pitch of 260 nm and a mask pattern targeting a SL pattern having a space width of 130 nm and a pitch of 260 nm. Each SL pattern was formed, and the MEF value was determined from the following equation. The results are shown in the table as “MEF”.
MEF = | CD 130 −CD 120 | / | MD 130 −MD 120 |
In the above formula, CD 130 and CD 120 are the actual space widths (nm) of the SL patterns formed using the mask patterns targeting the space widths 130 nm and 120 nm, respectively. MD 130 and MD 120 are space widths (nm) targeted by the mask pattern, respectively, and MD 130 = 130 and MD 120 = 120.
The closer this MEF value is to 1, the more the resist pattern faithful to the mask pattern is formed.
[露光余裕度(ELマージン)の評価]
前記Eopで、SLパターンのスペースがターゲット寸法(スペース幅120nm)の±5%(114nm〜126nm)の範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン(単位:%)を求めた。その結果を「EL(%)」として表に示す。
ELマージン(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
E1:スペース幅114nmのSLパターンが形成された際の露光量(mJ/cm2)
E2:スペース幅126nmのSLパターンを形成された際の露光量(mJ/cm2)
なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。
[Evaluation of exposure margin (EL margin)]
In Eop, the exposure amount when the space of the SL pattern is formed within a range of ± 5% (114 nm to 126 nm) of the target dimension (space width 120 nm) is obtained, and the EL margin (unit:%) is calculated by the following equation. Asked. The results are shown in the table as “EL (%)”.
EL margin (%) = (| E1-E2 | / Eop) × 100
E1: Exposure amount when an SL pattern having a space width of 114 nm was formed (mJ / cm 2 )
E2: exposure amount (mJ / cm 2 ) when an SL pattern having a space width of 126 nm was formed
Note that the larger the value of the EL margin, the smaller the change amount of the pattern size accompanying the change in the exposure amount.
[レジストパターン形状の評価]
前記Eopにて形成されたスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンについて、走査型電子顕微鏡SEM(製品名SU8000、日立ハイテクノロジーズ社製)を用いて観察し、当該SLパターンの断面形状を評価した。その結果を表に示す。
[Evaluation of resist pattern shape]
The SL pattern having a space width of 120 nm and a pitch of 240 nm formed by Eop was observed using a scanning electron microscope SEM (product name SU8000, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the cross-sectional shape of the SL pattern was evaluated. The results are shown in the table.
[(G)成分と(H)成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合(モル比)]
各例のレジスト組成物において、(G)成分と(H)成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合(モル比)を算出した。その結果を、(G)成分に対する(H)成分のモル比「(G):(H)モル比」として表に示す。
実施例1〜38、45、52、比較例1、2については、(G)成分及び(H)成分がいずれも低分子化合物(添加剤)である場合のモル比を示す。
実施例39〜43、46〜50については、(G)成分が樹脂(基材成分)、(H)成分が低分子化合物(添加剤)である場合のモル比を示す。
実施例44、51については、(G)成分が低分子化合物(添加剤)、(H)成分が樹脂(基材成分)である場合のモル比を示す。
[Proportion (molar ratio) of the content of the component (G) and component (H) contained in the resist composition]
In the resist composition of each example, the ratio (molar ratio) of the amount of substance contained in the resist composition of the component (G) and the component (H) was calculated. The results are shown in the table as the molar ratio (G) :( H) molar ratio of component (H) to component (G).
About Examples 1-38, 45, 52, and Comparative Examples 1 and 2, the molar ratio in case both (G) component and (H) component are low molecular weight compounds (additive) is shown.
About Examples 39-43 and 46-50, the molar ratio in case (G) component is resin (base-material component) and (H) component is a low molecular weight compound (additive) is shown.
About Example 44 and 51, the molar ratio in case (G) component is a low molecular compound (additive) and (H) component is resin (base material component) is shown.
一例として、実施例39の「(G):(H)モル比」について説明する。
実施例39において、(G)成分は樹脂(基材成分)、(H)成分は低分子化合物(添加剤)である。
・(G)成分の含有物質量
(G)成分(基材成分(A))として共重合体(2)が用いられている。下記手順(1)〜(3)より、(G)成分の含有物質量が決定される(表7を参照)。
手順(1):共重合体(2)中、(G)成分に該当する化合物(6)から誘導される構成単位の割合は1.2モル%である。
手順(2):手順(1)で求めた構成単位の割合(モル比)より、樹脂全体(当該共重合体(2))を100(質量部)とした際、化合物(6)から誘導される構成単位の割合(質量比)は、2.73[=(523.59×1.2/100)/229.99×100]と求められる。
手順(3):手順(2)で求めた構成単位の割合(質量比)を化合物(6)の質量とみなし、化合物(6)の含有物質量を求めると、5.21(mmol)(=2.73/523.59×103)と算出される。
As an example, “(G) :( H) molar ratio” in Example 39 will be described.
In Example 39, the component (G) is a resin (base material component), and the component (H) is a low molecular compound (additive).
-Content amount of (G) component The copolymer (2) is used as the (G) component (base component (A)). From the following procedures (1) to (3), the content of the component (G) is determined (see Table 7).
Procedure (1): In the copolymer (2), the proportion of structural units derived from the compound (6) corresponding to the component (G) is 1.2 mol%.
Procedure (2): From the proportion (molar ratio) of the structural units determined in Procedure (1), when the total resin (the copolymer (2)) is 100 (parts by mass), it is derived from the compound (6). The ratio (mass ratio) of the structural units to be obtained is 2.73 [= (523.59 × 1.2 / 100) /2299.99×100].
Procedure (3): The proportion (mass ratio) of the structural units determined in Procedure (2) is regarded as the mass of the compound (6), and the content of the compound (6) is determined to be 5.21 (mmol) (= 2.73 / 523.59 × 10 3 ).
・(H)成分の含有物質量
(H)成分(添加剤)として(H)−2(分子量355.11)が用いられている。
レジスト組成物中、(H)−2の含有量は、(A)成分100質量部に対して3.39質量部である。これより、(H)−2の含有物質量は9.55(mmol)(=3.39/355.11×103)と算出される。
・(G):(H)モル比
(G)成分と(H)成分のレジスト組成物中の含有物質量の割合(モル比)は次のようになる。(G):(H)モル比=1:(9.55/5.21)≒1:1.8。
-Content amount of component (H) (H) -2 (molecular weight 355.11) is used as the component (H) (additive).
In the resist composition, the content of (H) -2 is 3.39 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A). From this, the content amount of (H) -2 is calculated to be 9.55 (mmol) (= 3.39 / 355.11 × 10 3 ).
-(G): (H) molar ratio The ratio (molar ratio) of the amount of substances contained in the resist composition of the (G) component and the (H) component is as follows. (G) :( H) molar ratio = 1: (9.55 / 5.21) ≈1: 1.8.
[経時の影響によるレジストパターンの寸法変動の評価]
各例のレジスト組成物について1ヶ月間冷凍保存したもの(冷凍保存品)と1ヶ月間室温保存したもの(室温保存品)とを用い、上記レジストパターンの形成と同じ方法により、前記Eopと同一の露光量でスペース幅120nm、ピッチ240nmのSLパターンをそれぞれ形成した。
そして、冷凍保存品及び室温保存品とによりそれぞれ形成されたSLパターンの所定位置のライン幅(寸法)を測定し、両者の寸法差を求めた。
かかる両者の寸法差が、2%以下だった場合を◎◎、2%超5%以下だった場合を◎、5%超10%以下だった場合を○、10%超50%以下だった場合を△、冷凍保存品及び室温保存品の一方又は両方においてSLパターンを形成できなかった場合を×、として、経時の影響によるレジストパターンの寸法変動の評価を行った。その結果を「1M後CD変化」として表に示す。
[Evaluation of resist pattern dimensional variation due to aging]
The resist composition of each example is the same as the above Eop by the same method as the formation of the resist pattern, using a resist composition that has been frozen for one month (frozen) and a one that has been stored at room temperature for one month (room temperature). SL patterns having a space width of 120 nm and a pitch of 240 nm were respectively formed with the exposure amount of.
And the line width (dimension) of the predetermined position of each SL pattern formed by the frozen preservation goods and the room temperature preservation goods was measured, and both dimensional difference was calculated | required.
When the dimensional difference between the two is 2% or less, ◎◎ When it is over 2% and 5% or less ◎ When it is over 5% and 10% or less ○ When it is over 10% and 50% or less △, and the case where the SL pattern could not be formed in one or both of the frozen storage product and the room temperature storage product was evaluated as x, and the dimensional variation of the resist pattern due to the influence of time was evaluated. The results are shown in the table as “CD change after 1M”.
表に示す結果から、本発明を適用した実施例1〜52のレジスト組成物は、経時の影響による寸法変動が抑制されると共に、リソグラフィー特性とレジストパターン形状に優れていることが分かる。 From the results shown in the table, it can be seen that the resist compositions of Examples 1 to 52 to which the present invention is applied have excellent lithographic properties and resist pattern shapes while suppressing dimensional variations due to the influence of time.
実施例1〜3より、化合物(H)の含有物質量が化合物(G)の含有物質量以上であると、経時の影響による寸法変動がより効果的に抑制できていることが確認できた。
また(H)成分に対する(G)成分の組み合わせは、pKa値等を考慮することが、経時の影響による寸法変動の抑制の点で好ましい。
また、(H)成分として(G)成分と同様の構造を有する化合物を使用した場合(実施例1〜12、実施例45、実施例52)、経時の影響による寸法変動を抑制でき、かつ、LWR又はMEFがより向上することが確認できた(実施例4に対する実施例13〜16、実施例6に対する実施例17〜20、実施例7に対する実施例21〜24、実施例8に対する実施例25〜28)。
From Examples 1 to 3, it was confirmed that the dimensional variation due to the influence of time could be more effectively suppressed when the content of the compound (H) was equal to or greater than the content of the compound (G).
In addition, the combination of the (G) component and the (H) component is preferably in consideration of the pKa value and the like from the viewpoint of suppressing dimensional variation due to the influence of time.
In addition, when a compound having the same structure as the component (G) is used as the component (H) (Examples 1 to 12, Example 45, Example 52), dimensional variation due to the influence of time can be suppressed, and It was confirmed that LWR or MEF was further improved (Examples 13 to 16 for Example 4, Examples 17 to 20 for Example 6, Examples 21 to 24 for Example 7, Example 25 for Example 8) ~ 28).
Claims (11)
下記の一般式(h1)で表される一価の基又は一般式(h2)で表される一価の基を有する化合物(H)と
を含有することを特徴とするレジスト組成物。
A resist composition comprising: a monovalent group represented by the following general formula (h1) or a compound (H) having a monovalent group represented by the general formula (h2).
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137311A JP2013003512A (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Resist composition, and resist pattern forming method |
KR1020120066220A KR20130001138A (en) | 2011-06-21 | 2012-06-20 | Resist composition and method of forming resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011137311A JP2013003512A (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Resist composition, and resist pattern forming method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013003512A true JP2013003512A (en) | 2013-01-07 |
Family
ID=47672116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011137311A Pending JP2013003512A (en) | 2011-06-21 | 2011-06-21 | Resist composition, and resist pattern forming method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013003512A (en) |
KR (1) | KR20130001138A (en) |
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