JP2012185770A - 透明電極素子、情報入力装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】透明導電膜で構成された電極領域の視認性を極限まで低下させることが可能な透明電極素子を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１上に設けられた透明導電膜１３と、透明導電膜１３を用いて構成された電極領域１５と、電極領域１５に隣接した領域であってランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって透明導電膜１３が独立した島状に分割されている絶縁領域１７とを有する透明電極素子１である。
【選択図】図２

Description

本技術は、透明電極素子、情報入力装置、および電子機器に関し、特にはパターニングされた電極領域を有する透明電極素子と、この透明電極素子を用いた情報入力装置、およびこの透明電極素子を表示パネルに設けたを電子機器に関する。

表示パネルの表示面側に配置される情報入力装置（いわゆるタッチパネル）は、透明基板上にＸ方向に延びる電極パターンと、Ｙ方向に延びる電極パターンとをそれぞれ絶縁状態で配列させた構成である。これらの電極パターンは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）のような金属酸化物からなる透明導電膜、または金属ナノワイヤーを集積させた透明導電膜を用いて構成されている。

このような構成の情報入力装置において、透明導電膜を用いて構成された電極パターンの抵抗値を低く抑えようとした場合、ある程度の膜厚が必要とされる。このため、情報入力装置を外側から見た場合に電極パターンが視認され易くなり、この情報入力装置が配置された表示パネルにおいての表示画像の視認性が低下する要因となる。

そこで、電極パターン間にフローティング状態のダミー電極を設けることにより、電極パターンと電極パターン間とのコントラストを抑えて電極パターンの存在を目立たなくする構成が提案されている（例えば下記特許文献１，２参照）。

特開２００８−１２９７０８号公報 特開２０１０−２９５８号公報

しかしながら、上述したダミー電極を設けた構成の情報入力装置であっても、電極パターンとダミー電極との間には、電極パターンに沿って連続して透明導電膜が除去された領域が形成されるため、完全に電極パターンを見えなくすることはできなかった。

そこで本技術は、透明導電膜で構成された電極領域の視認性を極限まで低下させることが可能な透明電極素子、および情報入力装置を提供することを目的とする。また本技術は、表示パネルの表示面側に透明導電膜からなる電極領域をパターン形成した構成において、高精彩な表示を行うことが可能とした電子機器を提供することを目的とする。

このような目的を達成するための本技術の透明電極素子は、基材と、この基材上に設けられた透明導電膜と、この透明導電膜を用いて構成された電極領域とを有している。またさらに、この電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって、上述の透明導電膜が独立した島状に分割された絶縁領域を有している。

また本技術は、このような構成の透明電極素子を用いた情報入力装置と、このような構成の透明電極素子を表示パネルの表示面側に配置した電子機器でもある。

このような構成の透明電極素子では、電極領域に隣接して配置された絶縁領域に、独立した島状に分割された透明導電膜を配置したことにより、電極領域と絶縁領域とのコントラストが小さく抑えられる。特に、絶縁領域の透明導電膜は、ランダムな方向に延設された溝パターンによって分割されている。このため、モアレの発生が抑制され、かつ絶縁領域と電極領域との境界に電極領域に沿って連続した溝パターンが配置されることはなく、電極領域の輪郭が目立たない構成となっている。しかも、絶縁領域における透明導電膜の被覆率は、溝パターンの幅によって広い範囲で調整されるため、透明導電膜の被覆率が高い絶縁領域を構成することができる。これにより、電極領域と絶縁領域とのコントラストを小さくすることが可能になる。

以上説明したように本技術によれば、透明導電膜で構成された電極領域を備えた透明電極素子および情報入力装置において、電極領域と絶縁領域とのコントラストを小さく抑え、電極領域の視認性を極限まで低下させることが可能になる。また表示パネルの表示面側に透明導電膜からなる電極領域をパターン形成した電子機器において、電極領域が表示パネルにおいての表示特性に影響を及ぼすことが防止され、高精彩な表示を行うことが可能となる。

第１実施形態の透明電極素子の構成を説明する平面図である。 第１実施形態の透明電極素子の構成を説明するための要部を拡大した平面図および断面図である。 第２実施形態の透明電極素子の構成を説明するための要部を拡大した平面図および断面図である。 ランダムパターン生成のアルゴリズムを説明する略線図（その１）である。 ランダムパターン生成のアルゴリズムを説明するフローチャート（その１）である。 ランダムパターン生成のアルゴリズムを説明する略線図（その２）である。 ランダムパターン生成のアルゴリズムを説明するフローチャート（その２）である。 ランダムパターン生成のアルゴリズムを説明する略線図（その３）である。 ランダムパターンの生成方法のイメージを示す模式図である。 生成パターンに基づいて作成した電極領域における孔パターンのレイアウト図である。 生成パターンに基づいて絶縁領域の溝パターンを作成する手順を示す平面図である。 溝パターンの幅の変更を示す平面図である。 本技術の透明電極素子の第1の製造方法に用いられる原盤の構成を示す図である。 原盤を用いた本技術の透明電極素子の第１の製造方法を説明するための断面工程図である。 本技術の透明電極素子の第２の製造方法を説明するための断面工程図である。 本技術の透明電極素子の変形例１〜４を示す断面図である。 本技術の透明電極素子を用いた情報入力装置の構成の一例を示す構成図である。 情報入力装置を備えた表示装置（電子機器）の構成を説明する斜視図である。 表示部を備えたテレビ（電子機器）を示す斜視図である。 表示部を備えたデジタルカメラ（電子機器）を示す斜視図である。 表示部を備えたノート型パーソナルコンピュータ（電子機器）を示す斜視図である。 表示部を備えたビデオカメラ（電子機器）を示す斜視図である。 表示部を備えた携帯端末装置（電子機器）の正面図である。 実施例１〜３の電極領域および絶縁領域のパターンを示す平面図である。

以下、本技術の実施の形態を、図面に基づいて次の順に説明する。
１．第１実施形態（電極領域および絶縁領域にランダムパターンを設けた透明電極素子）
２．第２実施形態（絶縁領域のみにランダムパターンを設けた透明電極素子）
３．透明電極素子のパターン作成方法
４．透明電極素子の第１の製造方法（原盤を用いる方法）
５．透明電極素子の第２の製造方法（パターンエッチングを適用する方法）
６．透明電極素子の変形例１〜４
７．第３実施形態（透明電極素子を用いた情報入力装置）
８．第４実施形態（情報入力装置を用いた表示装置）
９．第５実施形態（電子機器への適用例）

≪１．第１実施形態≫
（電極領域および絶縁領域にランダムパターンを設けた透明電極素子）
図１は第１実施形態の透明電極素子の構成を説明する平面図である。図２は図１における拡大部Ａの拡大平面図と、この拡大平面図におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。これらの図に示す透明電極素子１は、例えば表示パネルにおける表示面側に好適に配置される透明電極素子であって、以下のように構成される。

すなわち透明電極素子１は、基材１１と、この基材１１上に設けられた透明導電膜１３とを備えている。さらにこの透明電極素子１は、透明導電膜１３を用いて構成された複数の電極領域１５と、これらの電極領域１５に隣接して配置された絶縁領域１７とを有しており、絶縁領域１７にも透明導電膜１３が配置されているところが特徴的である。次に各部材および領域の詳細を説明する。

＜基材１１＞
基材１１は、例えば透明材料で構成されたものであって、例えば、公知のガラスまたは公知のプラスチックを用いることができる。公知のガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなどが挙げられる。公知のプラスチックとしては、例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（Ｐ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、ノルボルネン系熱可塑性樹脂などが挙げられる。

ガラスを用いた基材１１の厚みは、２０μｍ〜１０ｍｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。プラスチックを用いた基材１１の厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。

＜透明導電膜１３＞
透明導電膜１３の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。この他にも、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。

透明導電膜１３の材料としては、この他にもカーボンナノチューブをバインダー材料に分散させた複合材料、または金属ナノワイヤーやこれに有色化合物を吸着させたことで表面での光の乱反射を防止した材料を用いても良い。さらに置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体の導電性ポリマーを使用してもよい。これら２種以上を複合して使用してもよい。

透明導電膜１３の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法など用いることができる。透明導電膜１３の厚みは、パターニング前の状態（基材１１の全面に透明導電膜が形成されている状態）にて表面抵抗が１０００Ω／□以下となるように適宜選択することが好ましい。

＜電極領域１５＞
電極領域１５は、透明導電膜１３に対して複数の孔パターン１５ａをランダムに設けた領域として構成されている。つまり電極領域１５は、透明導電膜１３を用いて構成されており、ランダムパターンとしてランダムな大きさの孔パターン１５ａがランダムに配列されているのである。ここでは例えば、様々な直径を有する円形の孔パターン１５ａを、それぞれ独立して透明導電膜１３に配置されており、これによって各電極領域１５が全体として導電性が確保されているのである。

この電極領域１５においては、各孔パターン１５ａに対して設定される直径の範囲によって、透明導電膜１３による被覆率が調整されていることとする。この被覆率は、電極領域１５に必要とされる導電性が得られる程度に、透明導電膜１３の材質および膜厚ごとに設定される。尚、孔パターン１５ａの直径の範囲による被覆率の調整は、以降のランダムパターンの生成方法の項目において説明する。

尚、電極領域１５に配置される孔パターン１５ａの形状は、円形に限定されることはない。孔パターン１５ａの形状としては、目視により認識できず周期性を持たなければよく、例えば、円形状、楕円形状、円形状の一部を切り取った形状、楕円形状の一部を切り取った形状、多角形状、角を取った多角形状および不定形状からなる群より選ばれる１種または２種以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。

また、電極領域１５は、次に説明する絶縁領域１７に溝パターン１７ａを反転させて透明導電膜１３を帯状パターンとして設け、この帯状パターンによって分離された孔パターン１５ａを配置した構成であっても良い。この場合、電極領域１５には、透明導電膜１３で構成される帯状パターンがランダムな方向に延設された状態となる。またこのような延設方向がランダムな帯状パターンも、ランダムパターンとなる。

ただし、孔パターン１５ａは、個々のサイズが大きすぎると目視によって形状が視認できてしまう。このため、任意の点からいずれの方向にも１００μｍ以上連続して孔パターン１５ａおよび透明導電膜１３部分が続くような形状部分が、電極領域１５中に多数存在する状態は避けることが好ましい。例えば孔パターン１５ａを円形状にする場合、直径を１００μｍ未満にすることが好ましい。

＜絶縁領域１７＞
絶縁領域１７は、電極領域１５に隣接して配置された領域であり、各電極領域１５間を埋め込むと共に、各電極領域１５間を絶縁する状態で設けられている。この絶縁領域１７に配置された透明導電膜１３は、ランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって独立した島状に分割されている。つまり絶縁領域１７は、透明導電膜１３を用いて構成されており、ランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって透明導電膜１３を分割してなる島状パターンが、ランダムパターンとして配置されているのである。これらの島状パターン（すなわちランダムパターン）は、ランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって、ランダムな多角形に分割されたものとなる。尚、延設方向がランダムな溝パターン１７ａ自体も、ランダムパターンとなる。

ここで、絶縁領域１７に設けられた各溝パターン１７ａは、絶縁領域１７においてランダムな方向に延設されたものであり、延設方向に対して垂直をなす幅（線幅と称する）が同一の線幅であることとする。この絶縁領域１７においては、各溝パターン１７ａの線幅によって、透明導電膜１３による被覆率が調整されている。この被覆率は、電極領域１５においての透明導電膜１３による被覆率と同程度となるように設定されていることとする。ここで同程度とは、電極領域１５および絶縁領域１７のピッチごとに、これらの領域１５，１７がパターンとして視認できない程度とする。尚、溝パターン１７ａの線幅による被覆率の調整は、以降のランダムパターンの生成方法の項目において説明する。

ただし、溝パターン１７ａによって分離される島状の透明導電膜１３は、個々のサイズが大きすぎると目視によって形状が視認できてしまう。このため、任意の点からいずれの方向にも１００μｍ以上連続して透明導電膜１３部分が続くような形状部分が、電極領域１５中に多数存在する状態は避けることが好ましい。

また以上のような電極領域１５と絶縁領域１７との境界には、これらの領域１５−１７間にわたって配置された透明導電膜１３が、ランダムに配置される。

＜第１実施形態の効果＞
以上説明した構成の透明電極素子１では、電極領域１５を構成する透明導電膜１３に対して複数の孔パターン１５ａをランダムに設けたことにより、電極領域１５においての透明導電膜１３による被覆率が抑えられている。一方、電極領域１５に隣接する絶縁領域１７には、島状に分割された透明導電膜１３が配置されている。これにより、電極領域１５と絶縁領域１７とにおいての、透明導電膜１３による被覆率差が小さく抑えられ、これらの領域１５，１７間のコントラストを低下させて電極領域１５のパターンの視認性を低下させることができる。

特に、電極領域１５の透明導電膜１３にはランダムに孔パターン１５ａが設けられ、かつ絶縁領域１７の透明導電膜１３は、ランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって分割されている。このため、モアレの発生が抑制され、しかも絶縁領域１７と電極領域１５との境界に、電極領域１５に沿って連続した溝パターンが配置されることはなく、電極領域の輪郭が目立たない構成となっている。

しかも以降の≪３．透明電極素子のパターン作成方法≫で述べるように、絶縁領域１７における透明導電膜１３の被覆率は、溝パターン１７ａの幅によって広い範囲で調整可能である。このため、電極領域１５におけるシート抵抗を低く抑えるために透明導電膜１３の膜厚を厚く設定した場合であっても、透明導電膜１３の被覆率が高い絶縁領域１７を構成することができるため、電極領域１５のコントラストを効果的に小さくすることが可能になる。

≪２．第２実施形態≫
（絶縁領域のみにランダムパターンを設けた透明電極素子）
図３は第２実施形態の透明電極素子の構成を説明するための拡大図である。図３Ａは、図１における拡大部Ａに対応する拡大平面図であり、図３Ｂは、図３Ａの拡大平面図におけるＡ−Ａ’部分の断面図である。これらの図に示す透明電極素子２が、図２を用いて説明した第１実施形態の透明電極素子と異なるところは、電極領域１５’がベタ膜状の透明導電膜１３で構成されているところにあり、他の構成は同様である。

すなわち、電極領域１５’は、この領域内に透明導電膜１３がベタ膜状で配置され、透明導電膜１３による被覆率が１００％である。このような電極領域１５’と絶縁領域１７との境界にも、これらの領域１５’−１７間にわたって配置された透明導電膜１３が、ランダムに配置される。

この場合、絶縁領域１７の構成は第１実施形態と同様であるが、絶縁領域１７における透明導電膜１３の被覆率の設定範囲は、第１実施形態よりも高くなる。このため、この被覆率を調整する溝パターン１７ａの線幅の調整範囲は、第１実施形態よりも小さくなる。

＜第２実施形態の効果＞
このような構成の透明電極素子２であっても、電極領域１５’に隣接する絶縁領域１７には、ランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって島状に分割された透明導電膜１３が配置されている。このため、第１実施形態と同様に、モアレの発生が抑制され、しかも電極領域１５’の輪郭が目立たない構成であるとともに、電極領域１５’におけるシート抵抗を低く抑えるために透明導電膜１３の膜厚を厚く設定した場合であっても、透明導電膜１３の被覆率が高い絶縁領域１７を構成することができる。したがって、電極領域１５のコントラストを効果的に小さくすることが可能になる。

≪３．透明電極素子のパターン作成方法≫
次に、第１実施形態で説明した透明電極素子１における電極領域のパターン作成方法、および第1実施形態および第２実施形態で説明した透明電極素子１，２における絶縁領域のパターン作成方法について説明する。尚、ここで説明するパターン作成方法は、あくまでも一例であり、本技術の透明電極素子がこのパターン作成方法を適用して得られたものに限定されることはない。

［ランダムパターンの生成］
先ず、円の半径を設定範囲内でランダムに変化させて配置する際、隣接した円が常に接するように円の中心座標を計算し配置することで、配置のランダム性と高密度充填とを両立したランダムパターンを生成する。この場合、以下のような（１）、（２）のアルゴリズムにより、少ない計算量で高密度、かつ一様にランダム配置されたランダムパターンが得られる。

（１）Ｘ軸上に「半径をある範囲でランダム」とした円を接するように並べる。以下に、必要なパラメータを示す。
Ｘmax：円を生成する領域のＸ座標最大値
Ｙw：Ｘ軸上に円を配置する時に、円の中心が取り得るＹ座標の最大値の設定
Ｒmin：生成する円の最小半径
Ｒmax：生成する円の最大半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐn：Ｘ座標値ｘn、Ｙ座標値ｙn、半径ｒnで定義される円

図４には、上記（１）のアルゴリズムを説明する略線図を示す。この図に示すように、Ｙ座標値をＸ軸上である０．０から概ねＲminの値の範囲でランダムに決定し、また半径をＲminからＲmaxの範囲でランダムに決定した円を、既存の円に接するように並べることを繰り返し、Ｘ軸上にランダムに1列の円を並べる。

以下、図５に示したフローチャートを用いて（１）のアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１において、上述した（１）で必要なパラメータを設定する。次に、ステップＳ２において、円Ｐ0（ｘ0，ｙ0，ｒ0）を以下のように設定する。
ｘ0＝０．０
ｙ0＝０．０
ｒ0＝Ｒmin＋（Ｒmax−Ｒmin）×Ｒｎｄ

その後、ステップＳ２’において、ｎ＝１に設定する。

次に、ステップＳ３において、円Ｐn（ｘn，ｙn，ｒn）を以下の式により決定する。
ｒn＝Ｒmin＋(Ｒmax−Ｒmin)×Ｒｎｄ
ｙn＝Ｙw×Ｒｎｄ
ｘn＝ｘn-1＋（ｒn−ｒn-1）×ｃｏｓ（ａｓｉｎ（ｙn−ｙn-1）／（ｒn−ｒn-1））

次に、ステップＳ４において、Ｘn＞Ｘmaxであるか否かを判別する。ステップＳ４にてＸn＞Ｘmaxであると判別された場合には、処理は終了する。ステップＳ４にてＸn＞Ｘmaxでないと判別された場合には、処理はステップＳ５に進む。ステップＳ５において、円Ｐn（ｘn，ｙn，ｒn）を記憶する。次に、ステップＳ６において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ３に処理を移行する。

（２）「ランダムな半径の円」を決定し、既存の２つの円に接し、他の円に重ならないよう下から順に積上げる。以下に、必要なパラメータを示す。
Ｙmax：円を生成する領域のＹ座標最大値
Ｒmin：生成する円の最小半径
Ｒmax：生成する円の最大半径
Ｒfill：充填率を上げるため、補助的に円を設定する場合の最小半径
Ｒｎｄ：０．０〜１．０の範囲で得られる乱数値
Ｐn：Ｘ座標値ｘn、Ｙ座標値ｙn、半径ｒnで定義される円

図６には、上記（２）のアルゴリズムを説明する略線図を示す。この図に示すように、（１）で決定したＸ軸上に1列に並んだ円（破線で図示）を元に、ＲminからＲmaxの範囲でランダムな半径の円を決定し、Ｙ座標が小さい方から他の円に接するように円を配置し重ねて行く。また、Ｒminより小さいＲfillを設定し、決定した円では埋まらない隙間ができた場合にのみ、隙間を埋めることで充填率を向上させる。Ｒminより小さい円を用いない場合は、Ｒfill＝Ｒminと設定する。

以下、図７に示したフローチャートを用いて（２）のアルゴリズムについて説明する。
まず、ステップＳ１１において、上述した（２）で必要なパラメータを設定する。次に、ステップＳ１２において、（１）で生成した円Ｐ0から円ＰnのうちＹ座標値ｙiが最小な円Ｐiを求める。次に、ステップＳ１３において、ｙi＜Ｙmaxである否かを判別する。ステップＳ１３にてｙi＜Ｙmaxではない（Ｎｏ）と判別された場合には、処理は終了となる。ステップＳ１３において、ｙi＜Ｙmaxである（Ｙｅｓ）と判別された場合には、ステップＳ１４において追加する円Ｐkの半径ｒkをｒk＝Ｒmin＋（Ｒmax−Ｒmin）×Ｒｎｄとする。次に、ステップＳ１５において、円Ｐi近傍で円Ｐiを除きＹ座標値ｙiが最小な円Ｐjを求める。

次に、ステップＳ１６において、最小な円Ｐiが存在するか否かを判別する。ステップＳ１６にて最小な円Ｐiが存在しないと判別した場合には、ステップＳ１７において、以降Ｐiは無効とする。ステップＳ１６にて最小な円Ｐiが存在すると判別した場合には、ステップＳ１８において、円Ｐiと円Ｐjとに接する半径ｒkの円Ｐkが存在するかを求める。

図８には、ステップＳ１８において、接する２つの円に、任意の半径の円が接するように配置するときの座標の求め方を示す。

次に、ステップＳ１９において、円Ｐiと円Ｐjとに接する半径ｒkの円Ｐkが存在するか否かを判別する。ステップＳ１９において円Ｐkが存在しないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐi、円Ｐjの組み合わせは除外する。ステップＳ１９において円Ｐkが存在すると判別した場合には、ステップＳ２１において、円Ｐ0から円Ｐnに円Ｐkと重なる円が存在するか否かを判別する。ステップＳ２１にて重なる円が存在しないと判別した場合には、ステップＳ２４において、円Ｐk（ｘk，ｙk，ｒk）を記憶する。次に、ステップＳ２５においてｎの値をインクリメントし、ステップＳ２６においてＰｎ＝Ｐｋとし、さらにステップＳ２７においてｋの値をインクリメントしてステップＳ１２に処理を移行する。

ステップＳ２１にて重なる円が存在すると判別した場合には、ステップＳ２２にて円Ｐkの半径ｒkをＲfill以上の範囲で小さくすれば重なりを回避できるか否かを判別する。ステップＳ２２にて重なりを回避できないと判別した場合には、ステップＳ２０において、以降円Ｐi、円Ｐjの組み合わせは除外する。ステップＳ２２にて重なりを回避できると判別した場合には、半径ｒkを重なりを回避できる最大の値にする。次に、ステップＳ２４において、円Ｐk（ｘk，ｙk，ｒk）を記憶する。次に、ステップＳ２５において、ｎの値をインクリメントし、ステップＳ２６においてＰｎ＝Ｐｋとし、さらにステップＳ２７においてｋの値をインクリメントしてステップＳ１２に処理を移行する。

図９Ａは、ランダムパターンの生成方法のイメージを示す模式図である。図９Ｂは、円の面積比率を８０％としたランダムパターン生成の例を示す図である。図９Ａに示すように、円の半径を設定した範囲（Ｒmin〜Ｒmax）内でランダムに変化させて積み上げることで、規則性を廃した密度の高いランダムパターンを生成することができる。

次に、以上のようにしてランダムパターンを生成した後には、このランダムパターンに基づいて、以下のように電極領域における孔パターンおよび絶縁領域における溝パターンを作成する。

［電極領域のパターン作成］
図１０Ａに示すように、生成したランダムパターンの円半径を縮小する、または図１０Ｂ示すように、生成したランダムパターンの円内に、例えば角を取った正方形でパターンのような任意の図形を描く。これにより、孤立したランダムパターンを作成し、これらを図２Ａに示した電極領域１５における孔パターン１５ａとすることで、電極領域１５のランダムパターンを得る。

尚、生成したランダムパターンの円内に描く図形は、円、楕円、多角形、角を取った多角形、不定形などが挙げられ、この図形の選択によりパターンの傾向を変えたり、面積占有率（透明導電膜１３での被覆率）を調整することができる。

［絶縁領域のパターン作成］
図１１Ａに示すように、生成したランダムパターンにおいて、外周が接する円の中心同士を結ぶ直線を発生させる。これにより、図１１Ｂに示すように、ランダムな方向に延設された線分によって構成された多角形のランダムパターンが生成される。次に、図１１Ｃに示すように、多角形のランダムパターンを構成する線分を所定の線幅に太らせ、これらの太らせた線分を図２Ａに示した絶縁領域１７における溝パターン１７ａとすることで、絶縁領域１７のランダムパターンを得る。

図１２に示すように、溝パターン１７ａは、様々な線幅Ｗに変化させることができる。溝パターン１７ａの線幅Ｗを変化させることにより、溝パターン１７ａで分割された透明導電膜１３による絶縁領域１７の被覆率が、広い範囲で調整可能である。下記表１には、ランダムパターンとして生成させる円の半径ｒの範囲（Ｒmin〜Ｒmax）、および溝パターン１７ａの線幅Ｗ毎に、透明導電膜１３による絶縁領域１７の被覆率［％］を算出した結果を示す。

上記表１に示すように、溝パターン１７ａによって透明導電膜１３を分割してなる絶縁領域１７では、透明導電膜１３による被覆率を２８．５％〜７４．９％の広い範囲で調整することが可能であることがわかる。

これに対して、例えば図２Ａに示した電極領域１５の反転パターンを絶縁領域とした場合、この絶縁領域においての透明導電膜１３の被覆率は、次の計算により上限６５％程度が限界値として導かれる。

すなわち、ある領域に円を配列する場合、円の充填率の最大値は、円を千鳥配列した状態が理論的な最大値９０．７％となる。ここで、円の半径を５０μｍとした時、各円を独立して配置するために円と円との間に８μｍの間隔を設けるとすると、各円の半径は（５０−８／２）＝４６μｍに縮小される。この状態での円の面積率は（４６×４６）／（５０×５０）＝０．８４６となり、円の充填率は（９０．７％）×（０．８４６）＝７６．７％となる。

ここで、各円の半径をランダムにした場合、円と円との隙間がさらに広がり、実際の充填率は、千鳥配列での充填率（９０．７％）と格子配列での充填率（７８．５％）との間の値になる。この値は、ランダムに生成させた円の最大半径と最小半径との比（分布）によって変わるが、おおよそ最大８０％程度となる。

そこで、初期にランダムパターンとして生成する円の半径ｒの範囲をＲmin＝３５μｍ〜Ｒmax＝５０μｍとし、円と円との間に８μｍの間隔を設けることとする。この場合の円の充填率は、８０％×（３１×３１）／（３５×３５）＝６２．７６％〜８０％×（４６×４６）／（５０×５０）＝６７．７１％の間となる。ランダムに生成させた円の分布を、少し大きい円にシフトさせても充填率６５％程度が限界値として導かれるのである。このようにして算出された充填率６５％程度の限界値は、溝パターン１７ａによって透明導電膜１３を分割してなる絶縁領域１７において算出した被覆率７４．９％よりも低いことがわかる。

≪４．透明電極素子の第１の製造方法≫
（原盤を用いる方法）
次に、第１実施形態および第２実施形態で説明した透明電極素子の第１の製造方法として、原盤を用いる製造方法を説明する。

［原盤］
図１３Ａは、第１の製造方法で用いられる原盤の形状の一例を示す斜視図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示した電極領域形成部１５ｒおよび絶縁領域形成部１７ｒの一部（拡大部Ｂ）を拡大して示す平面図である。これらの図に示す原盤２１は、例えば、転写面としての円柱面を有するロール原盤であり、その円柱面には電極領域形成部１５ｒおよび絶縁領域形成部１７ｒが交互に敷き詰められている。

電極領域形成部１５ｒには、凹形状の複数の孔部１５ｒａが離間して形成されている。これらの孔部１５ｒａは、透明電極素子の電極領域における孔パターンを印刷により形成するための部分である。また電極領域形成部１５ｒにおける各孔部１５ｒａ間の凸部分は、電極領域に配置される透明導電膜を印刷によって形成するための部分である。尚、この原盤２１が、図３を用いて説明した透明電極素子２の製造に用いる原盤である場合、電極領域形成部１５ｒには孔部１５ｒａを配置せず、電極領域形成部１５ｒは同一高さの印刷面とすれば良い。

絶縁領域形成部１７ｒには、凹形状の溝部１７ｒａがランダムな方向に延設されている。これらの溝部１７ｒａは、透明電極素子の絶縁領域における溝パターンを印刷により形成するための部分である。また絶縁領域形成部１７ｒにおける各溝部１７ｒａで分離された島状の凸部分は、絶縁領域に独立した島状で配置される透明導電膜を印刷により形成するための部分であり、電極領域形成部１５ｒの凸部分と同一高さを有する部分である。

［透明電極素子の製造手順］
図１４は、上述した原盤２１を用いた透明電極素子の第１の製造方法を説明するための断面工程図である。次にこれらの図に基づいて第１の製造方法の手順を説明する。

先ず図１４Ａに示すように、原盤２１の転写面に導電性インクを塗布し、塗布した導電性インクを基材１１の表面に印刷する。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、水なし平板印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷などを用いることができる。次に、図１４Ｂに示すように、必要に応じて、基材１１の表面に印刷された導電性インクを加熱することにより、導電性インクを乾燥および／または焼成する。これにより、目的とする第１実施形態の透明電極素子１、または第２実施形態の透明電極素子２を得ることができる。

≪５．透明電極素子の第２の製造方法≫
（パターンエッチングを適用する方法）
次に、第１実施形態および第２実施形態で説明した透明電極素子の第２の製造方法として、パターンエッチングを適用する方法を説明する。

先ず、図１５Ａに示すように、電極領域１５と絶縁領域１７とが設定された基材１１の表面上に透明導電膜１３を成膜する。透明導電膜１３の成膜方法としては、化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）や、物理的気相成長法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）の中から、透明導電膜を構成する材料によって選択された方法が適用される。ＣＶＤ法としては、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどが適用される。ＰＶＤ法としては、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどが適用される。透明導電膜１３を成膜する際には、必要に応じて基材１１を加熱しても良い。

次に、必要に応じて、透明導電膜１３に対してアニール処理を施す。これにより、透明導電膜１３が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態、または多結晶状態となり、透明導電膜１３の導電性が向上する。

次いで、図１５Ｂに示すように、透明導電膜１３の表面上に、リソグラフィー法を適用してレジストパターンＰＲを形成する。このレジストパターンＰＲは、電極領域１５に対応する部分に独立した複数の孔パターン１５ＰＲａを有し、絶縁領域１７に対応する部分に各方向に延設された溝パターン１７ＰＲａを有する。孔パターン１５ＰＲａは、電極領域１５の透明導電膜１３に形成する孔パターンに対応して形成される。また溝パターン１７ＰＲａは、絶縁領域１７の透明導電膜１３に形成する溝パターンに対応して形成される。尚、図３を用いて説明した透明電極素子２を製造する場合であれば、電極領域１５に対応する部分には、孔パターンを設けずにレジストパターンＰＲで覆う。

以上のレジストパターンＰＲを構成するレジスト材料は、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上の遷移金属からなる金属化合物を用いることができる。

次に、図１５Ｃに示すように、レジストパターンＰＲをマスクにして透明導電膜１３をパターンエッチングする。これにより、電極領域１５の透明導電膜１３に孔パターン１５ａを形成し、絶縁領域１７の透明導電膜１３に溝パターン１７ａを形成する。透明導電膜１３のパターンエッチングは、例えば、ドライエッチングおよびウエットエッチングのいずも用いることができるが、設備が簡易である点からすると、ウエットエッチングを用いることが好ましい。尚、レジストパターンＰＲが、電極領域１５に対応する部分に孔パターンを有していない場合、電極領域１５の透明導電膜１３に孔パターン１５ａが形成されることはない。

以上の後には、図１５Ｄに示すように、アッシングなどにより透明導電膜１３上に形成されたレジストパターンＰＲを剥離し、目的とする第１実施形態の透明電極素子１（または第２実施形態の透明電極素子２）を得る。

≪６．透明電極素子の変形例１〜４≫
図１６には、本技術の透明電極素子の変形例１〜４の断面図を示す。以下、これらの図に基づいて、透明電極素子の各変形例を説明する。尚、図１６Ａ〜１６Ｄにおいては、第1実施形態の透明電極素子１に対して各変形例を適用した構成を図示しているが、各変形例は第２実施形態の透明電極素子２に対して同様に適用することも可能である。

［変形例１］
図１６Ａには透明電極素子の変形例１として、基材１１の両面に透明導電膜１３を設けた透明電極素子１-1の構成を示す。基材１１の両面には、電極領域１５と絶縁領域１７とが設定された透明導電膜１３が設けられている。ここでは、例えば基材１１の第1面上においては、ｘ方向に電極領域１５が配列され、これらの電極領域１５間を埋め込む状態で絶縁領域１７が配置されている。一方、基材１１の第２面上においては、ｙ方向に電極領域１５が配列され、これらの電極領域１５を埋め込む状態で絶縁領域１７が配置されている。

このように基材１１を挟んでｘ−ｙ方向に電極領域１５を配列した透明電極素子１-1は、以降に説明するように情報入力装置として用いることができる。尚、この変形例１に対して、図３を用いて説明した第２実施形態を適用する場合、基材１１の少なくとも一方の面上の電極領域１５に透明導電膜１３をベタ膜で配置すれば良い。

［変形例２］
図１６Ｂには透明電極素子の変形例２として、透明導電膜１３を覆うハードコート層２３を設けた透明電極素子１-2の構成を示す。ハードコート層２３は、基材１１にプラスチック基材を用いる場合、製造工程においての基材１１の傷付き防止、耐薬品性付与、オリゴマーなどの低分子量物の析出を抑制するためのものであり、また透明導電膜１３を保護するためのものである。

このようなハードコート層２３を構成する材料としては、光または電子線などにより硬化する電離放射線硬化型樹脂、または熱により硬化する熱硬化型樹脂を用いることが好ましく、紫外線により硬化する感光性樹脂が最も好ましい。このような感光性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリオールアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミンアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。例えば、ウレタンアクリレート樹脂は、ポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、あるいはプレポリマーを反応させ、得られた生成物に、水酸基を有するアクリレートまたはメタクリレート系のモノマーを反応させることによって得られる。ハードコート層２３の厚みは、１μｍ〜２０μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。

ハードコート層２３は、ハードコート塗料を基材１１上に塗工することにより形成される。塗工方法は、特に限定されるものではなく公知の塗工方法を用いることができる。公知の塗工方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法などが挙げられる。ハードコート塗料は、例えば、二官能以上のモノマーおよび／またはオリゴマーなどの樹脂原料、光重合開始剤、および溶剤を含有する。基材１１上に塗工されたハードコート塗料を乾燥させることにより、溶剤を揮発させる。その後、例えば電離放射線照射または加熱により、基材１１上にて乾燥されたハードコート塗料を硬化させてハードコート層２３とする。

尚、以上のようなハードコート層２３は、基材１１において、透明導電膜１３が設けられていない面上に設けても良い。

［変形例３］
図１６Ｃには透明電極素子の変形例３として、基材１１と透明導電膜１３との間に下地層２５を設けた透明電極素子１-3の構成を示す。下地層２５は、例えば光学調整機能や密着性補助機能を有する。

光学調整機能を有する下地層２５は、透明導電膜１３に形成した孔パターン１５ａや溝パターン１７ａの非視認性をアシストするため層である。このような光学調整機能を有する下地層２５は、例えば屈折率が異なる２層以上の積層体から構成され、透明導電膜１３側を低屈折率層とする。より具体的には、たとえば、従来公知の光学調整層を用いることができる。このような光学調整層としては、例えば、特開２００８−９８１６９号公報、特開２０１０−１５８６１号公報、特開２０１０−２３２８２号公報、特開２０１０−２７２９４号公報に記載されているものを用いることができる。

密着性補助機能を有する下地層２５は、基材１１と透明導電膜１３との間の密着性を確保するための層である。このような密着性補助機能を有する下地層２５は、例えば、ポリアクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、および金属元素の塩化物や過酸化物やアルコキシドなどの加水分解・脱水縮合生成物などを用いることができる。

尚、基材１１と透明導電膜１３との間の密着性の確保を目的とした場合、下地層２５を設けることなく、基材１１における透明導電膜１３の形成面に密着性を補助するための処理を施しても良い。このような処理としては、グロー放電またはコロナ放電を照射する放電処理、酸またはアルカリを用いた化学薬品処理が例示される。また透明導電膜１３を設けた後、カレンダー処理により密着を向上させるようにしても良い。

［変形例４］
図１６Ｄには透明電極素子の変形例４として、基材１１において透明導電膜１３が設けられた面と反対側の面に、シールド層２７を設けた透明電極素子１-4の構成を示す。シールド層２７は、透明導電膜１３で構成された電極領域１５においての電磁波などに起因するノイズを低減するための層である。

このシールド層２７を構成する材料としては、透明導電膜１３と同様の材料を用いることができる。シールド層２７の形成方法としても、透明導電膜１３と同様の方法を用いることができる。ただし、シールド層２７はパターニングせず基材１１の表面全体に形成された状態で使用される。

≪７．第３実施形態≫
（透明電極素子を用いた情報入力装置）
図１７には、透明電極素子を用いた情報入力装置の要部構成図を示す。この図に示す情報入力装置３は、例えば表示パネルの表示面上に配置される静電容量方式のタッチパネルであり、２枚の透明電極素子１ｘ，１ｙを用いて構成されている。これらの透明電極素子１ｘ、１ｙのそれぞれは、図２を用いて説明した第１実施形態の透明電極素子または図３を用いて説明した第２実施形態の透明電極素子、またはこれらの変形例２〜４の透明電極素子の何れかであることとする。

各透明電極素子１ｘ，１ｙは、例えば第１実施形態で説明した電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…を、基材１１上にそれぞれ並列配置させている。これらの透明電極素子１ｘ，１ｙは、電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…と電極領域１５ｙ１，１５ｙ２，…とを、ｘ−ｙ方向に直交させた状態で配置し、接着性の絶縁性膜３１を介して貼り合わせられている。尚、このような２枚の透明電極素子１ｘ、１ｙを張り合わせた構成に換えて、変形例１で説明したように基材１１の両面に透明導電膜１３を配置した構成の透明電極素子１-1を用いても良い。

ここでの図示は省略するが、この情報入力装置３には、透明電極素子１ｘ，１ｙの各電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…に対して、個別に測定電圧を印加するための複数の端子が配線されていることとする。

また、この情報入力装置３において情報の入力面側となる透明電極素子１ｘ上には、必要に応じて接着層３３を介して光学層３５を設けても良い。これらの接着層３３および光学層３５は、透明材料で構成される。また光学層３５に換えて、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜のようなセラミックコート（オーバーコート）層を設けても良い。

以上のような情報入力装置３は、透明電極素子１ｘに配列して設けられた電極領域１５ｘ，１５ｘ２，…と、透明電極素子１ｙに配列して設けられた電極領域１５ｙ１，１５ｙ２，…とに対して、交互に測定電圧を印加する。この状態で、基材１１の表面に指またはタッチペンが触れると、情報入力装置３内に存在する各部の容量が変化し、各電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…の測定電圧の変化となって現れる。この変化は、指またはタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指またはタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、測定電圧の変化が最大となる、電極領域１５ｘｎ，１５ｙｎでアドレスされた位置が、指またはタッチペンが触れた位置として検出される。

＜第３実施形態の効果＞
以上説明した第３実施形態の情報入力装置３では、第１実施形態および第２実施形態さらには変形例で説明した透明電極素子１ｘ，１ｙを用いている。これにより、各電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…の視認性を極限まで低下させることが可能になる。これにより、次に説明するように、この情報入力装置３を表示パネルの表示面上に配置した場合に、情報入力装置３における電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…のパターンが、表示パネルにおいての表示特性に影響を及ぼすことを防止できる。

尚、本第３実施形態においては、２枚の透明電極素子１ｘ，１ｙを用いた情報入力装置３の構成を説明した。しかしながら、本技術の情報入力装置がこのような構成に限定されることはなく、透明電極素子を備えた構成の情報入力装置に広く適用可能である。例えば１枚の基材１１の同一面上にそれぞれ絶縁された状態で電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…を設けた透明電極素子を用いた構成であっても良い。さらに、抵抗膜方式のタッチパネルであっても良い。このような構成であっても、第３実施形態の情報入力装置３と同様の効果を得ることができる。

≪８．第４実施形態≫
（情報入力装置を用いた表示装置）
図１８には、本技術の電子機器の一例として情報入力装置を備えた表示装置の斜視図を示す。この図に示す表示装置４は、表示パネル４３における表示面上に、例えば第３実施形態で説明した構成の情報入力装置３を配置したものである。

表示パネル４３は、特に限定されるものではないが、例示するならば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種の平面型の表示装置が挙げられる。この他にも、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイであっても良い。

この表示パネル４３には、例えばフレキシブルプリント基板４５が接続されており、表示画像の信号が入力される構成となっている。

このような表示パネル４３における画像の表示面上に、表示面を覆う状態で情報入力装置３が重ねて配置されている。この情報入力装置３には、フレキシブルプリント基板３７が接続されており、ここから情報入力装置３の各電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…に、上述した測定電圧が印加される。

これにより、ユーザは、表示パネル４３で表示された表示画像の一部に指やタッチペンを接触させることにより、接触部分の位置情報を情報入力装置３に入力することができる。

＜第４実施形態の効果＞
以上説明した第４実施形態の表示装置４では、第３実施形態で説明した構成の情報入力装置３を表示パネル４３の表示面上に配置している。このため、表示パネル４３での表示が、情報入力装置３を構成する電極領域１５ｘ１，１５ｘ２，…、１５ｙ１，１５ｙ２，…の視認性に影響を及ぼされることはない。したがって、情報入力装置３を有しつつも、表示パネル４３においての高精彩な表示を確保することが可能になる。

≪９．第５実施形態≫
（電子機器への適用例）
図１９〜図２３には、図１８を用いて説明した第４実施形態の情報入力装置を備えた表示装置を、表示部に適用した電子機器の一例を示す。以下に、本技術の電子機器の適用例について説明する。

図１９は、本技術が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビ１００は、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される表示部１０１を含み、その表示部１０１として先に説明した表示装置を適用する。

図２０は、本技術が適用されるデジタルカメラを示す図であり、図２０Ａは表側から見た斜視図、図２０Ｂは裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラ１１０は、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として先に説明した表示装置を適用する。

図２１は、本技術が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータ１２０は、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として先に説明した表示装置を適用する。

図２２は、本技術が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラ１３０は、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として先に説明した表示装置を適用する。

図２３は、本技術が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す正面図である。本適用例に係る携帯電話機１４０は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、表示部１４４を含み、その表示部１４４として先に説明した表示装置を適用する。

＜第５実施形態の効果＞
以上説明した第５実施形態の各電子機器では、第４実施形態で説明した表示装置を表示部に用いているため、情報入力装置３を有しつつも、表示パネル４３においての高精彩な表示を行うことが可能になる。

以下のようにして、実施例１〜３および比較例の透明電極素子を作製した。

先ず文献（「ＡＣＳ Ｎａｎｏ」２０１０年，ＶＯＬ．４，ＮＯ．５，p.2955-2963）を参照した既存の方法により、直径３０ｎｍ、長さ１０〜５０μｍの銀ナノワイヤーを作製した。

次に、作製した銀ナノワイヤーと共に下記の材料をエタノールに投入し、超音波を用いて銀ナノワイヤーをエタノールに分散させることで分散液を作製した。
銀ナノワイヤー：０．２８重量％
アルドリッチ製ヒドロキシプロピルメチルセルロース（透明樹脂材料）：０．８３重量％
旭化成製デュラネートＤ１０１（樹脂硬化剤）：０．０８３重量％
日東化成製ネオスタンＵ１００（硬化促進触媒）：０．００２５重量％
エタノール（溶剤）：９８．８０４５重量％

作製した分散液を、番手８のコイルバーで透明基材上に塗布して分散膜を形成した。銀ナノワイヤーの目付量は約０．０５ｇ／ｍ２とした。透明基材としては、膜厚１２５μｍのＰＥＴ（三菱樹脂化学製Ｏ３００Ｅ）を用いた。次いで、大気中において８５℃で２分間の加熱処理を行い、分散膜中の溶剤を乾燥除去した。さらに続けて大気中において１５０℃で３０分間の加熱処理を行い、分散膜中の透明樹脂材料を硬化させ、透明導電膜としての銀ナノワイヤー層を得た。このようにして得られた銀ナノワイヤー層を有する透明導電性フィルムのシート抵抗は１００Ω／□であった。

次に、透明導電性フィルムの銀ナノワイヤー層上にレジスト層を形成した後、ランダムパターンの形成されたＣｒフォトマスクを用い、銀ナノワイヤー層の電極領域と絶縁領域とに対してパターン露光を行った。この際、各実施例１〜３では、電極領域と絶縁領域とに対して次の様にパターン露光を行った。

＜実施例１＞
図２４に示すように、電極領域にはランダムパターンなし、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…なし
絶縁領域…半径範囲：２５μｍ〜４５μｍ、溝パターンの線幅：８μｍ

＜実施例２＞
図２４に示すように、電極領域にはランダムパターンとして孔パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようにパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲：３５μｍ〜４８μｍ、半径縮小値：１８．５μｍ
絶縁領域…実施例１と同一

＜実施例３＞
図２４に示すように、電極領域にはランダムパターンとして帯状パターンが形成され、絶縁領域にはランダムパターンとして溝パターンが形成されるようパターン露光を行った。ランダムパターン生成の際に用いたパラメータは次のようである。
電極領域…半径範囲：２５μｍ〜４５μｍ、帯状パターンの線幅：３０μｍ
絶縁領域…実施例１と同一

＜比較例＞
電極領域、絶縁領域とも、ランダムパターン無しとした。

以上のようにパターン露光を行った後、レジスト層を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、銀ナノワイヤー層をウエットエッチングした。エッチング終了後には、レジスト層をアッシング処理により除去した。

以上により、透明導電膜による各被覆率パラメータを有する電極領域および絶縁領域を備えた透明電極素子を得た。

＜評価＞
実施例１〜３および比較例で作製した各透明電極素子について、電極領域および絶縁領域のパターンの非視認性、モアレ・干渉光、ギラツキを目視にて評価した。この結果を、透明導電膜による各被覆率パラメータと共に下記表２に合わせて示した。各項目の評価基準は次のようである。

［非視認性］
◎：どの角度から見てもパターンを全く視認できない
○：パターンが非常に視認しにくいが、角度によっては視認可能
×：視認可能

［モアレおよび干渉光］
◎：あらゆる角度から観察してモアレおよび干渉光が感じられない
○：正面から観察してモアレおよび干渉光がないが、斜めから観察してモアレおよび干渉
光が少し感じられる
×：正面から観察してモアレおよび干渉光が感じられる

［ギラツキ］
◎：あらゆる角度から観察してギラツキが感じられない
○：正面から観察してギラツキがないが、斜めから観察してギラツキが少し感じられる
×：正面から観察してギラツキが感じられる

上記表２に示す結果から、実施例１〜３のように、絶縁領域にも透明導電膜を設けたことにより、電極領域および絶縁領域のパターンの非視認性が良好になることが確認された。特に実施例２，３のように、電極領域の透明導電膜にもランダムパターンを設けることで、電極領域と絶縁領域とにおいての透明導電膜による被覆率差を抑えたことにより、実施例１よりもさらにパターンの非視認性が良好になることが確認された。

また実施例２，３の電極領域は、銀ナノワイヤー層からなる透明導電膜の被覆率が抑えられているため、銀ナノワイヤー表面での外光の乱反射による反射Ｌ値の値が小さくなっていた。またこの結果として、透明電極素子を表示パネルの表示面上に配置した構成において、電極領域に直線状パターンやダイヤモンドパターンなどを使用した場合と比較し、実施例２，３の透明電極素子を使用した場合では、表示画面の黒表示が沈む効果が確認された。これにより、透明電極素子を用いたタッチパネルを表示面上に設けた表示装置において、表示特性が向上する効果も見られた。

さらに追加の実施例として、実施例１〜３で得たランダムパターンを有する銀ナノワイヤー層（透明導電膜）を、有色化合物を溶解した溶液に浸漬し、銀ナノワイヤー表面に有色化合物を吸着させる処理を行った。この処理により、実施例１〜３の銀ナノワイヤー層（透明導電膜）で構成された電極領域と絶縁領域ともに、反射Ｌ値がより小さくなることが確認された。その結果、金属ナノワイヤーに有色化合物を吸着させた透明導電膜を用い、これにランダムパターンを形成した透明電極素子をタッチパネルとして用いることにより、表示面上にタッチパネルを設けながらも表示パネルにおいての表示特性を維持可能であることが確認された。

尚、本技術は以下のような構成も取ることができる。

（１）
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された電極領域と、
前記電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
透明電極素子。

（２）
前記電極領域と前記絶縁領域との境界には、当該領域間にわたる前記透明導電膜がランダムに配置されている
（１）記載の透明電極素子。

（３）
前記絶縁領域に配置された前記各溝パターンは、同一の線幅を有する
（１）または（２）記載の透明電極素子。

（４）
前記電極領域を構成する前記透明導電膜には、複数の孔パターンがランダムに設けられている
（１）〜（３）の何れかに記載の透明電極素子。

（５）
前記電極領域は、前記透明導電膜によって構成された複数の帯状パターンがランダムな方向に延設して配置され、当該帯状パターンによって前記孔パターンが分割されている
（４）記載の透明電極素子。

（６）
前記基材は、透明材料で構成されている
（１）〜（５）の何れかに記載の透明電極素子。

（７）
基材と、
前記基材上に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
情報入力装置。

（８）
表示パネルと、
前記表示パネルの表示面側に設けられた透明導電膜と、
前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
電子機器。

１，１-1，１-2，１-3，１-4，１ｘ，１ｙ，２：透明電極素子、
３：情報入力装置、
４：表示装置（電子機器）、
１１：基材、
１３：透明導電膜、
１５，１５’：電極領域、
１５ａ：孔パターン、
１５ｘ１，１５ｘ２，…，１５ｙ１，１５ｙ２，…：電極領域、
１７：絶縁領域、
１７ａ：溝パターン、
４３：表示パネル

Claims (8)

1. 基材と、
   前記基材上に設けられた透明導電膜と、
   前記透明導電膜を用いて構成された電極領域と、
   前記電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
   透明電極素子。
2. 前記電極領域と前記絶縁領域との境界には、当該領域間にわたる前記透明導電膜がランダムに配置されている
   請求項１記載の透明電極素子。
3. 前記絶縁領域に配置された前記各溝パターンは、同一の線幅を有する
   請求項１記載の透明電極素子。
4. 前記電極領域を構成する前記透明導電膜には、複数の孔パターンがランダムに設けられている
   請求項1記載の透明電極素子。
5. 前記電極領域は、前記透明導電膜によって構成された複数の帯状パターンがランダムな方向に延設して配置され、当該帯状パターンによって前記孔パターンが分割されている
   請求項４記載の透明電極素子。
6. 前記基材は、透明材料で構成されている
   請求項１記載の透明電極素子。
7. 基材と、
   前記基材上に設けられた透明導電膜と、
   前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
   前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
   情報入力装置。
8. 表示パネルと、
   前記表示パネルの表示面側に設けられた透明導電膜と、
   前記透明導電膜を用いて構成された複数の電極領域と
   前記複数の電極領域に隣接した領域であって、ランダムな方向に延設された溝パターンによって前記透明導電膜が独立した島状に分割されている絶縁領域とを有する
   電子機器。