JP2011029677A5 - - Google Patents

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Description

半導体レーザ装置Semiconductor laser device

本発明は、半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser device.

近年、パーソナルコンピュータおよびマルチメディア機器の高性能化に伴い、処理対象となる情報量が著しく増加している。情報量の増加に伴い、大容量化および情報処理の高速化に対応した光学式記録媒体およびその駆動装置が開発されている。 In recent years, as the performance of personal computers and multimedia devices has increased, the amount of information to be processed has increased remarkably. As the amount of information increases, an optical recording medium and a driving device for the same have been developed to cope with an increase in capacity and speed of information processing.

特に、光学式記録媒体に対して読み書きが可能なＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブ、ＭＯ（マグネットオプティック）ドライブ、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブ等の光学式記録媒体駆動装置においては、半導体レーザ装置が用いられている。 In particular, in an optical recording medium driving device such as a CD-R (compact disc-recordable) drive, an MO (magnet optic) drive, a DVD (digital versatile disc) drive capable of reading and writing to an optical recording medium, A semiconductor laser device is used.

例えば、特許文献１に示されている発光装置においては、半導体レーザ素子を支持する支持体に導電性を有する複数のピンが設けられている。この複数のピンは、それぞれワイヤを介して各半導体レーザ素子のｎ側電極およびｐ側電極に接続されている。これにより、各半導体レーザ素子のｎ側電極とｐ側電極との間に電圧が印加されると、各半導体レーザ素子内に形成された活性層に電流が注入され、正孔と電子との再結合により発光が行われる。
特開２００１−２３０５０２号公報 For example, in the light emitting device disclosed in Patent Document 1, a plurality of pins having conductivity are provided on a support that supports a semiconductor laser element. The plurality of pins are connected to the n-side electrode and the p-side electrode of each semiconductor laser element through wires. As a result, when a voltage is applied between the n-side electrode and the p-side electrode of each semiconductor laser element, a current is injected into the active layer formed in each semiconductor laser element, and the holes and electrons are regenerated. Light emission occurs by the combination.
JP 2001-230502 A

しかしながら、上記の発光装置においては、赤色光を出射する赤色半導体レーザ素子のｎ側電極と赤外光を出射する赤外半導体レーザ素子のｎ側電極とが共通になっており、赤色半導体レーザ素子のｐ側電極と青紫色光を出射する青紫色半導体レーザ素子のｎ側電極とが共通になっているため、赤色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子のそれぞれの電極に独立に任意の電圧を印加することが困難である。 However, in the above light emitting device, the n-side electrode of the red semiconductor laser element that emits red light and the n-side electrode of the infrared semiconductor laser element that emits infrared light are common, and the red semiconductor laser element Since the p-side electrode and the n-side electrode of the blue-violet semiconductor laser element that emits blue-violet light are common, each of the red semiconductor laser element, the infrared semiconductor laser element, and the blue-violet semiconductor laser element has It is difficult to apply an arbitrary voltage independently.

本発明の目的は、複数の半導体レーザ素子を備えかつ複数の半導体レーザ素子の電極に独立に電圧を印加することが可能な半導体レーザ装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a semiconductor laser device including a plurality of semiconductor laser elements and capable of independently applying a voltage to electrodes of the plurality of semiconductor laser elements.

第１の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近く、第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近く、第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１の方向において第１の半導体レーザ素子の一方電極と第２の半導体レーザ素子の一方電極との間に位置するように配置され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。 A semiconductor laser device according to a first aspect of the present invention includes a conductive casing, a conductive pedestal provided in the casing, and first, second, and third provided in the casing and insulated from the casing. A terminal, a fourth terminal provided on the housing and electrically connected to the pedestal, and first, second and third semiconductor laser elements provided on the pedestal and each having one electrode. The first terminal and the second terminal are disposed along the first direction, and the third terminal and the fourth terminal are disposed along the second direction intersecting the first direction, In the first, second and third semiconductor laser elements, one electrode of the first semiconductor laser element is closer to the first terminal than one electrode of the second and third semiconductor laser elements, and the second semiconductor laser One electrode of the element is at the second end than one electrode of the first and third semiconductor laser elements And at least part of one electrode of the third semiconductor laser element is disposed between the one electrode of the first semiconductor laser element and the one electrode of the second semiconductor laser element in the first direction. The first terminal and one electrode of the first semiconductor laser element are connected by a first wire, the second terminal and one electrode of the second semiconductor laser element are connected by a second wire, The third terminal and one electrode of the third semiconductor laser element are connected by a third wire, and the third semiconductor laser element further has the other electrode electrically connected to the pedestal.

本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。 In the semiconductor laser device according to the present invention, the first terminal and the one electrode of the first semiconductor laser element are connected by the first wire, and the second terminal and the one electrode of the second semiconductor laser element are connected. Connected by the second wire, and the third terminal and one electrode of the third semiconductor laser element are connected by the third wire, whereby the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the second semiconductor laser element The three semiconductor laser elements can be driven independently.

また、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近くに位置するので、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近くに位置するので、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１の方向において第１の半導体レーザ素子の一方電極と第２の半導体レーザ素子の一方電極との間に位置するので、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。 In addition, since one electrode of the first semiconductor laser element is located closer to the first terminal than one electrode of the second and third semiconductor laser elements, the first electrode of the first semiconductor laser element and the first electrode The terminal can be simply and easily connected by the first wire. Since one electrode of the second semiconductor laser element is located closer to the second terminal than one electrode of the first and third semiconductor laser elements, the one electrode and the second terminal of the second semiconductor laser element are Can be simply and easily connected by the second wire. Since at least a part of the one electrode of the third semiconductor laser element is located between the one electrode of the first semiconductor laser element and the one electrode of the second semiconductor laser element in the first direction, the third semiconductor One electrode of the laser element and the third terminal can be simply and easily connected by the third wire.

第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子上に設けられていることが好ましい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子それぞれのレーザ光の間隔を狭くすることができる。 The first semiconductor laser element and the second semiconductor laser element are preferably provided on the third semiconductor laser element. In this case, the interval between the laser beams of the first, second, and third semiconductor laser elements can be reduced.

第３の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子の一方電極側に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面に形成された絶縁膜とを有し、リッジ部は、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体レーザ素子との間に設けられてもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤによってさらに単純かつ容易に接続することができる。 The third semiconductor laser element has a ridge portion formed on one electrode side of the third semiconductor laser element and an insulating film formed on a side surface of the ridge portion, and the ridge portion is formed by the first semiconductor laser. It may be provided between the element and the second semiconductor laser element. In this case, the one electrode of the third semiconductor laser element and the third terminal can be more simply and easily connected by the third wire.

第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置、第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置および第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置されることが好ましい。それにより、第１、第２および第３のワイヤが交差することが防止される。 The first connection position between the first wire and one electrode of the first semiconductor laser element, the third connection position between the third wire and one electrode of the third semiconductor laser element, and the second wire and the first wire It is preferable that the second connection position with the one electrode of the two semiconductor laser elements is sequentially arranged from the first terminal side to the second terminal side in the first direction. This prevents the first, second and third wires from intersecting.

第３の接続位置は、第１および第２の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。 The third connection position may be set on the opposite side of the laser beam emission side of the first, second, and third semiconductor laser elements from at least one of the first and second connection positions. Good. Thereby, since the inductance component of the third wire is reduced, the third semiconductor laser element can be driven at high speed.

第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、第４のワイヤにより第１の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。 The first, second, and third terminals extend from one side to the other along a third direction that intersects the first direction and the second direction, and the first, second, and third semiconductor lasers The element is arranged so as to emit main laser light to the other side along the third direction, and the first and second semiconductor laser elements each further include the other electrode, and the first connection position is higher than the first connection position. The other electrode of the first semiconductor laser element may be electrically connected to the pedestal by a fourth wire at a position on the laser beam emission side of the one semiconductor laser element. In this case, the other electrode of the first semiconductor laser element and the other electrode of the third semiconductor laser element can be commonly connected to the base by the fourth wire.

第２の接続位置よりも第２の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第２の半導体レーザ素子の他方電極が第５のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、第５のワイヤにより第２の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。 The second electrode of the second semiconductor laser element may be electrically connected to the pedestal by a fifth wire at a position closer to the laser beam emission side of the second semiconductor laser element than the second connection position. In this case, the other electrode of the second semiconductor laser element and the other electrode of the third semiconductor laser element can be commonly connected to the base by the fifth wire.

第２の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近く、第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近く、第３の半導体レーザ素子の一方電極と台座との間にサブマウントをさらに備え、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、サブマウント上において第３の半導体レーザ素子から突出するように形成され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とがサブマウント上において第３のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。 A semiconductor laser device according to a second aspect of the present invention includes a conductive casing, a conductive pedestal provided in the casing, and first, second, and third provided in the casing and insulated from the casing. A terminal, a fourth terminal provided on the housing and electrically connected to the pedestal, and first, second and third semiconductor laser elements provided on the pedestal and each having one electrode. The first terminal and the second terminal are disposed along the first direction, and the third terminal and the fourth terminal are disposed along the second direction intersecting the first direction, In the first, second and third semiconductor laser elements, one electrode of the first semiconductor laser element is closer to the first terminal than one electrode of the second and third semiconductor laser elements, and the second semiconductor laser One electrode of the element is at the second end than one electrode of the first and third semiconductor laser elements , A submount is further provided between the one electrode of the third semiconductor laser element and the pedestal, and the one electrode of the third semiconductor laser element protrudes from the third semiconductor laser element on the submount. The first terminal and one electrode of the first semiconductor laser element are connected by a first wire, and the second terminal and one electrode of the second semiconductor laser element are connected by a second wire. The third terminal and one electrode of the third semiconductor laser element are connected by a third wire on the submount, and the third semiconductor laser element further has the other electrode electrically connected to the pedestal. Is.

本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。 In the semiconductor laser device according to the present invention, the first terminal and the one electrode of the first semiconductor laser element are connected by the first wire, and the second terminal and the one electrode of the second semiconductor laser element are connected. Connected by the second wire, and the third terminal and one electrode of the third semiconductor laser element are connected by the third wire, whereby the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the second semiconductor laser element The three semiconductor laser elements can be driven independently.

また、第１の半導体レーザ素子の一方電極が第２および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第１の端子に近くに位置するので、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第２の半導体レーザ素子の一方電極が第１および第３の半導体レーザ素子の一方電極よりも第２の端子に近くに位置するので、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。第３の半導体レーザ素子の一方電極はサブマウント上において第３の半導体レーザ素子から突出するように形成されているので、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とをサブマウント上において第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。 In addition, since one electrode of the first semiconductor laser element is located closer to the first terminal than one electrode of the second and third semiconductor laser elements, the first electrode of the first semiconductor laser element and the first electrode The terminal can be simply and easily connected by the first wire. Since one electrode of the second semiconductor laser element is located closer to the second terminal than one electrode of the first and third semiconductor laser elements, the one electrode and the second terminal of the second semiconductor laser element are Can be simply and easily connected by the second wire. Since one electrode of the third semiconductor laser element is formed on the submount so as to protrude from the third semiconductor laser element, the one electrode and the third terminal of the third semiconductor laser element are connected to the submount. Can be connected simply and easily by the third wire.

第３の半導体レーザ素子の一方電極の少なくとも一部が第１および第２の半導体レーザ素子の一方電極よりも第３の端子に近いことが好ましい。それにより、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第３のワイヤによってより単純かつ容易に接続することができる。 It is preferable that at least a part of one electrode of the third semiconductor laser element is closer to the third terminal than one electrode of the first and second semiconductor laser elements. Thereby, the one electrode of the third semiconductor laser element and the third terminal can be more simply and easily connected by the third wire.

第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子は、第３の半導体レーザ素子上に設けられていることが好ましい。この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子それぞれのレーザ光の間隔を狭くすることができる。 The first semiconductor laser element and the second semiconductor laser element are preferably provided on the third semiconductor laser element. In this case, the interval between the laser beams of the first, second, and third semiconductor laser elements can be reduced.

第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置、第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置および第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置されることが好ましい。それにより、第１、第２および第３のワイヤが交差することが防止される。 The first connection position between the first wire and one electrode of the first semiconductor laser element, the third connection position between the third wire and one electrode of the third semiconductor laser element, and the second wire and the first wire It is preferable that the second connection position with the one electrode of the two semiconductor laser elements is sequentially arranged from the first terminal side to the second terminal side in the first direction. This prevents the first, second and third wires from intersecting.

第３の接続位置は、第１および第２の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。 The third connection position may be set on the opposite side of the laser beam emission side of the first, second, and third semiconductor laser elements from at least one of the first and second connection positions. Good. Thereby, since the inductance component of the third wire is reduced, the third semiconductor laser element can be driven at high speed.

第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極は互いに電気的に接続され、第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第３の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。 The first, second, and third terminals extend from one side to the other along a third direction that intersects the first direction and the second direction, and the first, second, and third semiconductor lasers The element is arranged to emit main laser light to the other side along the third direction, and the first and second semiconductor laser elements each further include the other electrode, and the first, second, and third elements The other electrode of the semiconductor laser element is electrically connected to each other, and the other electrode of the third semiconductor laser element is the fourth electrode at a position closer to the laser beam emission side of the first semiconductor laser element than the first connection position. It may be electrically connected to the pedestal by a wire.

この場合、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極が互いに電気的に接続されているので、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の他方電極を第４のワイヤにより台座に共通に接続することができる。 In this case, since the other electrodes of the first, second, and third semiconductor laser elements are electrically connected to each other, the other electrodes of the first, second, and third semiconductor laser elements are connected by the fourth wire. Can be commonly connected to the pedestal.

第３の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１、第２および第３の端子と、筐体に設けられかつ台座に電気的に接続された第４の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極を有する第１、第２および第３の半導体レーザ素子とを備え、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第３の端子および第４の端子は、第１の方向に交差する第２の方向に沿って配置され、第１の半導体レーザ素子の発光部、第３の半導体レーザ素子の発光部および第２の半導体レーザ素子の発光部が第１の方向において第１の端子側から第２の端子側に順に配置され、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、第１の方向において第２の端子側の第２の半導体レーザ素子の側面よりも第２の端子に近い位置まで延び、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第３の半導体レーザ素子の一方電極とが第３のワイヤにより接続され、第３の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第３の半導体レーザ素子は、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射するとともに台座に電気的に接続された他方電極をさらに有するものである。 A semiconductor laser device according to a third aspect of the present invention includes a conductive casing, a conductive pedestal provided in the casing, and first, second, and third provided in the casing and insulated from the casing. A terminal, a fourth terminal provided on the housing and electrically connected to the pedestal, and first, second and third semiconductor laser elements provided on the pedestal and each having one electrode. The first terminal and the second terminal are disposed along the first direction, and the third terminal and the fourth terminal are disposed along the second direction intersecting the first direction, The light emitting part of the first semiconductor laser element, the light emitting part of the third semiconductor laser element, and the light emitting part of the second semiconductor laser element are arranged in order from the first terminal side to the second terminal side in the first direction. The one electrode of the third semiconductor laser element is the second electrode on the second terminal side in the first direction. Extends to a position closer to the second terminal than the side surface of the semiconductor laser element, the first terminal and one electrode of the first semiconductor laser element are connected by the first wire, and the second terminal and the third terminal One electrode of the semiconductor laser element is connected by a third wire, the third terminal and one electrode of the second semiconductor laser element are connected by a second wire, and the third semiconductor laser element is And a laser beam having a wavelength shorter than that of the second semiconductor laser element, and further having the other electrode electrically connected to the pedestal.

本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子の発光部が、第１の方向において第１の半導体レーザ素子の発光部と第２の半導体レーザ素子の発光部との間に設けられることにより、第３の半導体レーザ素子が筐体の中央部に位置する。それにより、レーザ光を例えばレンズ等で集光する場合、第３の半導体レーザ素子の発光部による光の利用効率を向上することができる。 In the semiconductor laser device according to the present invention, the light emitting portion of the third semiconductor laser element that emits laser light having a shorter wavelength than the first and second semiconductor laser elements is the first semiconductor laser in the first direction. By providing between the light emitting part of the element and the light emitting part of the second semiconductor laser element, the third semiconductor laser element is located in the central part of the housing. Thereby, when condensing a laser beam with a lens etc., the utilization efficiency of the light by the light emission part of a 3rd semiconductor laser element can be improved, for example.

また、第３の半導体レーザ素子の一方電極は、第１の方向において第２の端子側の第２の半導体レーザ素子の側面よりも第２の端子に近い位置まで延びていることにより、第１および第２の半導体レーザ素子よりも短い波長のレーザ光を出射する第３の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを接続する第３のワイヤの長さを短くすることができる。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。 In addition, the first electrode of the third semiconductor laser element extends to a position closer to the second terminal than the side surface of the second semiconductor laser element on the second terminal side in the first direction. And the length of the 3rd wire which connects one electrode and the 2nd terminal of the 3rd semiconductor laser element which radiate | emits a laser beam with a shorter wavelength than a 2nd semiconductor laser element can be shortened. Thereby, since the inductance component of the third wire is reduced, the third semiconductor laser element can be driven at high speed.

さらに、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができ、第３の半導体レーザ素子の一方電極と第２の端子とを第３のワイヤにより単純かつ容易に接続することができ、第２の半導体レーザ素子の一方電極と第３の端子とを第２のワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。 Further, the one electrode of the first semiconductor laser element and the first terminal can be simply and easily connected by the first wire, and the one electrode of the third semiconductor laser element and the second terminal are connected to the first terminal. The three wires can be simply and easily connected, and the one electrode of the second semiconductor laser element and the third terminal can be simply and easily connected by the second wire.

第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１および第２の半導体レーザ素子はそれぞれ他方電極をさらに有し、第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１の半導体レーザ素子の他方電極が第４のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。 The first, second, and third terminals extend from one side to the other along a third direction that intersects the first direction and the second direction, and the first, second, and third semiconductor lasers The element is arranged to emit main laser light to the other side along the third direction, and the first and second semiconductor laser elements each further include the other electrode, and the first wire and the first wire The other electrode of the first semiconductor laser element is electrically connected to the pedestal by the fourth wire at a position closer to the laser beam emission side of the first semiconductor laser element than the first connection position with the one electrode of the semiconductor laser element. May be connected.

この場合、第４のワイヤにより第１の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。 In this case, the other electrode of the first semiconductor laser element and the other electrode of the third semiconductor laser element can be commonly connected to the base by the fourth wire.

第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置よりも第２の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第２の半導体レーザ素子の他方電極が第５のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。 The second electrode of the second semiconductor laser element is positioned at a position closer to the laser beam emission side of the second semiconductor laser element than the second connection position between the second wire and one electrode of the second semiconductor laser element. 5 may be electrically connected to the base.

この場合、第５のワイヤにより第２の半導体レーザ素子の他方電極と第３の半導体レーザ素子の他方電極とを台座に共通に接続することができる。 In this case, the other electrode of the second semiconductor laser element and the other electrode of the third semiconductor laser element can be commonly connected to the base by the fifth wire.

第２の接続位置は、第１の接続位置および第３のワイヤと第３の半導体レーザ素子の一方電極との第３の接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側に設定されてもよい。それにより、第３のワイヤのインダクタンス成分が小さくなるので、第３の半導体レーザ素子を高速で駆動することが可能となる。 The second connection position is greater than the first connection position and the third connection position between the third wire and the one electrode of the third semiconductor laser element than the first connection position, the first connection position, the second connection position, and the second connection position. The semiconductor laser element 3 may be set on the opposite side to the laser beam emission side. Thereby, since the inductance component of the third wire is reduced, the third semiconductor laser element can be driven at high speed.

第２の方向に第１、第２および第３の半導体レーザ素子を見た場合に、第１、第２、第３および第４のワイヤがそれぞれ交差しないことが好ましい。それにより、電極、端子および台座の配線が単純かつ容易になる。 When the first, second, and third semiconductor laser elements are viewed in the second direction, it is preferable that the first, second, third, and fourth wires do not intersect each other. Thereby, wiring of electrodes, terminals and pedestals is simple and easy.

第３の半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層を含んでもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子の活性層から青紫色の光が出射される。 The third semiconductor laser element may include an active layer made of a nitride semiconductor. In this case, blue-violet light is emitted from the active layer of the third semiconductor laser element.

第３の端子の長さは、第１および第２の端子の長さよりも短く、第１、第２および第３の端子は、第１の方向および第２の方向に交差する第３の方向に沿って一方側から他方側に延び、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第３の方向に沿って他方側に主たるレーザ光を出射するように配置され、第１、第２および第３の半導体レーザ素子は、第１の方向において第１の端子と第２の端子との間に配置され、第３の端子の長さは、第３の方向において第１、第２および第３の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側と反対側の端面に重ならないように設定されてもよい。それにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子を第３の端子に妨げられることなく台座に容易に取り付けることができる。 The length of the third terminal is shorter than the length of the first and second terminals, and the first, second, and third terminals are in a third direction that intersects the first direction and the second direction. The first, second, and third semiconductor laser elements are arranged so as to emit main laser light to the other side along the third direction. The second and third semiconductor laser elements are disposed between the first terminal and the second terminal in the first direction, and the length of the third terminal is the first and second in the third direction. Alternatively, the third semiconductor laser element may be set so as not to overlap with the end surface opposite to the laser beam emission side. Thereby, the first, second and third semiconductor laser elements can be easily attached to the base without being obstructed by the third terminal.

第４の発明に係る半導体レーザ装置は、導電性の筐体と、筐体に設けられた導電性の台座と、筐体に設けられかつ筐体から絶縁された第１および第２の端子と、台座上に設けられかつそれぞれ一方電極および他方電極を有する第１および第２の半導体レーザ素子とを備え、第１の半導体レーザ素子は、第２の半導体レーザ素子上に設けられ、第１の端子および第２の端子は、第１の方向に沿って配置され、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続され、第１および第２の半導体レーザ素子の少なくとも一方の他方電極は、台座側のワイヤにより台座に電気的に接続されたものである。 A semiconductor laser device according to a fourth aspect of the present invention includes a conductive casing, a conductive pedestal provided in the casing, and first and second terminals provided in the casing and insulated from the casing. And a first semiconductor laser element provided on the base and having one electrode and the other electrode, respectively, the first semiconductor laser element being provided on the second semiconductor laser element, The terminal and the second terminal are arranged along the first direction, the first terminal and one electrode of the first semiconductor laser element are connected by the first wire, and the second terminal and the second terminal One electrode of the semiconductor laser element is connected by a second wire, and at least one other electrode of the first and second semiconductor laser elements is electrically connected to the base by a wire on the base side.

本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の端子と第１の半導体レーザ素子の一方電極とが第１のワイヤにより接続され、第２の端子と第２の半導体レーザ素子の一方電極とが第２のワイヤにより接続されることにより、第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができる。 In the semiconductor laser device according to the present invention, the first terminal and the one electrode of the first semiconductor laser element are connected by the first wire, and the second terminal and the one electrode of the second semiconductor laser element are connected. The first semiconductor laser element and the second semiconductor laser element can be independently driven by being connected by the second wire.

第１の半導体レーザ素子は、第２の半導体レーザ素子上において第１の端子に対して第２の端子よりも近い位置に設けられることが好ましい。この場合、第１の半導体レーザ素子の一方電極と第１の端子とを第１のワイヤにより単純かつ容易に接続することができるとともに、第１のワイヤと第２のワイヤとがそれぞれ交差することが防止される。 The first semiconductor laser element is preferably provided on the second semiconductor laser element at a position closer to the first terminal than the second terminal. In this case, the first electrode and the first terminal of the first semiconductor laser element can be simply and easily connected by the first wire, and the first wire and the second wire cross each other. Is prevented.

第２の半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層を含んでもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子の活性層から青紫色の光が出射される。 The second semiconductor laser element may include an active layer made of a nitride semiconductor. In this case, blue-violet light is emitted from the active layer of the second semiconductor laser element.

第１のワイヤと第１の半導体レーザ素子の一方電極との第１の接続位置または第２のワイヤと第２の半導体レーザ素子の一方電極との第２の接続位置よりも第１の半導体レーザ素子のレーザ光の出射側の位置において、第１および第２の半導体レーザ素子の少なくとも一方の他方電極が台座側のワイヤにより台座に電気的に接続されてもよい。この場合、台座側のワイヤが、第１のワイヤおよび第２のワイヤとそれぞれ交差することが防止される。 The first semiconductor laser than the first connection position between the first wire and one electrode of the first semiconductor laser element or the second connection position between the second wire and one electrode of the second semiconductor laser element. At the position on the laser beam emission side of the element, at least one other electrode of the first and second semiconductor laser elements may be electrically connected to the pedestal by a wire on the pedestal side. In this case, the pedestal side wire is prevented from crossing the first wire and the second wire, respectively.

第１〜第３の発明によれば、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができるとともに、第１〜第３の半導体レーザ素子の各一方電極と各端子とをワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。 According to the first to third inventions, the first semiconductor laser element, the second semiconductor laser element, and the third semiconductor laser element can be driven independently, and the first to third semiconductor lasers can be driven independently. Each one electrode and each terminal of the element can be simply and easily connected by a wire.

また、第４の発明によれば、第１の半導体レーザ素子および第２の半導体レーザ素子をそれぞれ独立に駆動することができるとともに、第１および第２の半導体レーザ素子の各一方電極と各端子とをワイヤにより単純かつ容易に接続することができる。 According to the fourth aspect of the invention, the first semiconductor laser element and the second semiconductor laser element can be independently driven, and each one electrode and each terminal of the first and second semiconductor laser elements. Can be simply and easily connected to each other by a wire.

以下、本実施の形態に係る半導体レーザ装置について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, the semiconductor laser device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser device according to the first embodiment.

本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００は、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）１、波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）２および波長約４００ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）３を備える。なお、青紫色半導体レーザ素子３は、窒化物系半導体からなる活性層（図示せず）を含む。 A semiconductor laser device 100 according to the present embodiment includes a semiconductor laser element (hereinafter referred to as a red semiconductor laser element) 1 that emits laser light having a wavelength of about 650 nm, and a semiconductor laser element that emits laser light having a wavelength of about 780 nm. (Hereinafter referred to as an infrared semiconductor laser element) 2 and a semiconductor laser element (hereinafter referred to as a blue-violet semiconductor laser element) 3 that emits laser light having a wavelength of about 400 nm. The blue-violet semiconductor laser device 3 includes an active layer (not shown) made of a nitride semiconductor.

本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子３はＧａＮ基板上に半導体層を形成することにより作製される。赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２はＧａＡｓ基板上に半導体層を形成することにより作製される。 In the present embodiment, the blue-violet semiconductor laser device 3 is manufactured by forming a semiconductor layer on a GaN substrate. The red semiconductor laser device 1 and the infrared semiconductor laser device 2 are manufactured by forming a semiconductor layer on a GaAs substrate.

図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子３は上面側にストライプ状のリッジ部Ｒｉを有する。青紫色半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉの両側には絶縁膜４が形成され、リッジ部Ｒｉの上面を覆うようにｐ電極３２が形成され、下面にはｎ電極３５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。 As shown in FIG. 1, the blue-violet semiconductor laser device 3 has a striped ridge portion Ri on the upper surface side. An insulating film 4 is formed on both sides of the ridge portion Ri of the blue-violet semiconductor laser device 3, a p-electrode 32 is formed so as to cover the upper surface of the ridge portion Ri, and an n-electrode 35 is formed on the lower surface. The blue-violet semiconductor laser element 3 is formed with a pn junction surface 30 that is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

赤色半導体レーザ素子１の上面にはｎ電極１３が形成され、下面にはｐ電極１２が形成されている。赤色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。 An n-electrode 13 is formed on the upper surface of the red semiconductor laser element 1, and a p-electrode 12 is formed on the lower surface. The red semiconductor laser element 1 has a pn junction surface 10 which is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

赤外半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。 An n-electrode 23 is formed on the upper surface of the infrared semiconductor laser element 2, and a p-electrode 22 is formed on the lower surface. The infrared semiconductor laser element 2 has a pn junction surface 20 that is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

青紫色半導体レーザ素子３の絶縁膜４上にｐ電極３２から離間するようにｐ型パッド電極１２ａ，２２ａが形成されている。 P-type pad electrodes 12 a and 22 a are formed on the insulating film 4 of the blue-violet semiconductor laser element 3 so as to be separated from the p-electrode 32.

ｐ型パッド電極１２ａ，２２ａの上面に、それぞれはんだ膜Ｈが形成されている。赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２がはんだ膜Ｈを介してｐ型パッド電極１２ａ上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ型パッド電極２２ａ上に接合されている。 Solder films H are formed on the upper surfaces of the p-type pad electrodes 12a and 22a, respectively. The p-electrode 12 of the red semiconductor laser element 1 is bonded onto the p-type pad electrode 12a through the solder film H. Further, the p-electrode 22 of the infrared semiconductor laser element 2 is bonded to the p-type pad electrode 22a through the solder film H.

これにより、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｐ型パッド電極１２ａとが電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｐ型パッド電極２２ａとが電気的に接続される。 Thereby, the p electrode 12 and the p-type pad electrode 12a of the red semiconductor laser element 1 are electrically connected, and the p electrode 22 and the p-type pad electrode 22a of the infrared semiconductor laser element 2 are electrically connected. .

図１においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２のｐｎ接合面３０，１０，２０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２のｐｎ接合面３０，１０，２０に垂直な方向である。 In FIG. 1, three directions orthogonal to each other as indicated by arrows X, Y, and Z are defined as an X direction, a Y direction, and a Z direction. The X direction and the Y direction are directions parallel to the pn junction surfaces 30, 10, and 20 of the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2. The Z direction is a direction perpendicular to the pn junction surfaces 30, 10, and 20 of the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2.

赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｘ方向に沿って一方側に主たるレーザ光を出射するように配置される。 The red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are arranged so as to emit main laser light on one side along the X direction.

青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とｎ電極３５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０におけるリッジ部Ｒｉの下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）３１から波長約４００ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。 By applying a voltage between the p-electrode 32 and the n-electrode 35 of the blue-violet semiconductor laser element 3, a region below the ridge Ri in the pn junction surface 30 (hereinafter referred to as a blue-violet emission point) 31. Laser beam having a wavelength of about 400 nm is emitted in the X direction.

赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｎ電極１３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）１１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。 By applying a voltage between the p electrode 12 and the n electrode 13 of the red semiconductor laser element 1, a laser having a wavelength of about 650 nm from a predetermined region (hereinafter referred to as a red light emitting point) 11 in the pn junction surface 10 is used. Light is emitted in the X direction.

赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｎ電極２３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）２１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。 By applying a voltage between the p-electrode 22 and the n-electrode 23 of the infrared semiconductor laser element 2, a wavelength of about 780 nm from a predetermined region (hereinafter referred to as infrared emission point) 21 in the pn junction surface 20 is obtained. Laser beam is emitted in the X direction.

図２（ａ）は、図１の半導体レーザ装置１００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図２（ｂ）は、図１の半導体レーザ装置１００を台座上に組み立てた際の上面図である。 2A is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device 100 of FIG. 1 is assembled on the pedestal, and FIG. 2B is a view when the semiconductor laser device 100 of FIG. 1 is assembled on the pedestal. FIG.

図１の半導体レーザ装置１００を光ピックアップ装置に用いる場合、図２（ａ）に示すように、半導体レーザ装置１００をＣｕ、ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなる導電性の台座５００上に取り付ける。そして、ワイヤ３Ｗ，１Ｗａ，１Ｗｂ，２Ｗａ，２Ｗｂを用いてｐ電極３２，１２ａ，２２ａおよびｎ電極１３，２３の配線を行う。 When the semiconductor laser device 100 of FIG. 1 is used for an optical pickup device, as shown in FIG. 2A, the semiconductor laser device 100 is mounted on a conductive pedestal 500 made of a metal such as Cu, CuW or Al. Then, the p electrodes 32, 12a, 22a and the n electrodes 13, 23 are wired using the wires 3W, 1Wa, 1Wb, 2Wa, 2Wb.

なお、この場合において、ｎ電極３５は、台座５００の上面に接合される。これにより、ｎ電極３５と台座５００とが電気的に接続される。 In this case, the n-electrode 35 is bonded to the upper surface of the pedestal 500. Thereby, the n electrode 35 and the base 500 are electrically connected.

赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３がワイヤ１Ｗｂにより台座５００の上面に電気的に接続される。赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３がワイヤ２Ｗｂにより台座５００に電気的に接続される。 The n-electrode 13 of the red semiconductor laser element 1 is electrically connected to the upper surface of the pedestal 500 by the wire 1Wb. The n-electrode 23 of the infrared semiconductor laser element 2 is electrically connected to the pedestal 500 by the wire 2Wb.

これにより、台座５００が青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の共通のｎ電極となり、カソードコモンの結線を実現することができる。 As a result, the pedestal 500 becomes a common n-electrode for the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2, and a cathode common connection can be realized.

半導体レーザ装置１００が取り付けられた台座５００は、導電性のステム５０１に設けられている。 A pedestal 500 to which the semiconductor laser device 100 is attached is provided on a conductive stem 501.

ステム５０１には、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐが設けられている。なお、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短い。 The stem 501 is provided with a first terminal 1P, a second terminal 2P, a third terminal 3P, and a fourth terminal 4P. The length of the third terminal 3P is shorter than the length of the first terminal 1P and the second terminal 2P.

第１の端子１Ｐは、絶縁リング１Ｉによりステム５０１から絶縁され、第２の端子２Ｐは、絶縁リング２Ｉによりステム５０１から絶縁され、第３の端子３Ｐは、絶縁リング３Ｉによりステム５０１から絶縁されている。なお、第４の端子４Ｐは、台座５００内に設けられ、台座５００に電気的に導通している。 The first terminal 1P is insulated from the stem 501 by the insulating ring 1I, the second terminal 2P is insulated from the stem 501 by the insulating ring 2I, and the third terminal 3P is insulated from the stem 501 by the insulating ring 3I. ing. The fourth terminal 4P is provided in the pedestal 500 and is electrically connected to the pedestal 500.

第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐは、Ｙ方向に沿って配置され、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、Ｙ方向に交差するＺ方向に沿って配置されている。また、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐは、Ｘ方向に沿って一方側から他方側に延びている。 The first terminal 1P and the second terminal 2P are arranged along the Y direction, and the third terminal 3P and the fourth terminal 4P are arranged along the Z direction intersecting with the Y direction. The first terminal 1P, the second terminal 2P, and the third terminal 3P extend from one side to the other side along the X direction.

赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置される。 The red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are disposed between the first terminal 1P and the second terminal 2P in the Y direction.

第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３の主たるレーザ光を出射する端面の出射側と反対側の端面に重ならないように設定される。 The length of the third terminal 3P overlaps with the end surface opposite to the emission side of the main laser beam emission surface of the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 in the X direction. It is set not to be.

ここで、主たるレーザ光を出射する端面とは、反対側の端面に比べて出射光の光量が多い方の端面（以下、出射側端面と呼ぶ）をいう。 Here, the end face from which the main laser beam is emitted refers to the end face (hereinafter referred to as the emission-side end face) having a larger amount of emitted light than the opposite end face.

ここで、ｐ型パッド電極１２ａ、ｐ型パッド電極２２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐとの位置関係について説明する。 Here, the positional relationship among the p-type pad electrode 12a, the p-type pad electrode 22a, the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the first terminal 1P, the second terminal 2P, and the third terminal 3P will be described. To do.

ｐ型パッド電極１２ａがｐ型パッド電極２２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第１の端子１Ｐに近く、ｐ型パッド電極２２ａがｐ型パッド電極１２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第２の端子２Ｐに近く、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２がＹ方向においてｐ型パッド電極１２ａとｐ型パッド電極２２ａとの間に位置するように、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３がそれぞれ配置されている。 The p-type pad electrode 12a is closer to the first terminal 1P than the p-type pad electrode 22a and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the p-type pad electrode 22a is closer to the p-type pad electrode 12a and the blue-violet semiconductor laser element 3 Red semiconductor so that the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 is located between the p-type pad electrode 12a and the p-type pad electrode 22a in the Y direction, closer to the second terminal 2P than the p-electrode 32 of Laser element 1, infrared semiconductor laser element 2 and blue-violet semiconductor laser element 3 are respectively arranged.

これにより、図２（ｂ）に示すように、第１の端子１Ｐとｐ型パッド電極１２ａとがワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第２の端子２Ｐとｐ型パッド電極２２ａとがワイヤ２Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第３の端子３Ｐと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とがワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続される。 Thereby, as shown in FIG. 2B, the first terminal 1P and the p-type pad electrode 12a are simply and easily connected by the wire 1Wa, and the second terminal 2P and the p-type pad electrode 22a are connected by the wire. The second terminal 3P and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser device 3 are simply and easily connected by the wire 3W.

また、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂ，２Ｗｂのそれぞれが交差しない。 Further, when the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are viewed in the Z direction, the wires 1Wa, 2Wa, 3W, 1Wb, and 2Wb do not intersect each other.

上記のように、本実施の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。 As described above, in the present embodiment, the blue-violet semiconductor laser device 3 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 3W, and the voltage between the base 500 and the wire 1Wa. Can be driven, and the infrared semiconductor laser device 2 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 2Wa.

このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。 Thus, the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2 can be driven independently.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。 The blue-violet emission point 31 of the blue-violet semiconductor laser element 3 that emits laser light having a shorter wavelength than the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 is the red emission point of the red semiconductor laser element 1 in the Y direction. 11 and the infrared emission point 21 of the infrared semiconductor laser element 2, the blue-violet semiconductor laser element 3 can be easily provided at the center of the lens when used in an optical device such as an optical pickup device. Can be positioned.

その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。 As a result, it is possible to reduce the influence of the circumferential difference in the peripheral portion of the lens and improve the light use efficiency by the blue-violet semiconductor laser element 3.

また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａとの接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａとの接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。 Further, the connection position between the wire 1 Wa and the p-type pad electrode 12 a of the red semiconductor laser element 1, the connection position between the wire 3 W and the p electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the p of the wire 2 Wa and the infrared semiconductor laser element 2. It is preferable that the connection positions with the mold pad electrode 22a are arranged in order from the first terminal 1P side to the second terminal 2P side in the Y direction. This prevents the wires 1Wa, 2Wa, and 3W from intersecting.

また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。 The length of the third terminal 3P is shorter than the length of the first terminal 1P and the second terminal 2P, and the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are The third terminal 3P is arranged between the first terminal 1P and the second terminal 2P in the Y direction, and the length of the third terminal 3P is the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor in the X direction. By setting the laser element 3 so as not to overlap the end face opposite to the laser light emission side end face, the p-electrode 32 and the third terminal 3P of the blue-violet semiconductor laser element 3 are simply and easily connected by the wire 3W. Can be connected to.

さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとの接続位置は、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとの接続位置および赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第２の端子２Ｐとの接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側と反対側に設定されることが好ましい。それにより、ワイヤ３Ｗを短くすることができ、ワイヤ３Ｗのインダクタンス成分が小さくなるので、青紫色半導体レーザ素子３を高速で駆動することが可能となる。 Further, the connection position between the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 and the third terminal 3P is the connection position between the p-type pad electrode 12a of the red semiconductor laser element 1 and the first terminal 1P and the infrared semiconductor laser. The laser beam of the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 is at least one of the connection positions of the p-type pad electrode 22a of the element 2 and the second terminal 2P. It is preferable to set the side opposite to the emission side. Thereby, the wire 3W can be shortened, and the inductance component of the wire 3W can be reduced, so that the blue-violet semiconductor laser device 3 can be driven at high speed.

なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図２（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。 The first terminal 1P, the second terminal 2P, the third terminal 3P, and the fourth terminal 4P are preferably provided concentrically on the stem 501 as shown in FIG. . This prevents the wires connecting the semiconductor laser elements and the terminals from crossing each other.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。 The positions where the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 are provided may be reversed.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。 The red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 may have a monolithic structure.

さらに、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。 Further, a submount made of silicon carbide, aluminum nitride, or the like may be provided between the blue-violet semiconductor laser element 3 and the pedestal 500. In this case, heat radiation of the blue semiconductor laser element 3 can be realized.

（第２の実施の形態）
図３は、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。図４（ａ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図４（ｂ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。 (Second Embodiment)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser device according to the second embodiment. 4A is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device of FIG. 3 is assembled on the pedestal, and FIG. 4B is an upper surface when the semiconductor laser device of FIG. 3 is assembled on the pedestal. FIG.

本実施の形態に係る半導体レーザ装置２００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は以下の点である。 The semiconductor laser device 200 according to the present embodiment is different from the semiconductor laser device 100 according to the first embodiment in the following points.

図３に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置２００においては、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２が、Ｙ方向において第２の端子２Ｐ側の赤外半導体レーザ素子２の側面よりも第２の端子２Ｐに近い位置まで延びている。 As shown in FIG. 3, in the semiconductor laser device 200 according to the present embodiment, the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 has a side surface of the infrared semiconductor laser element 2 on the second terminal 2P side in the Y direction. Rather than the second terminal 2P.

また、ｐ電極３２上に絶縁膜４ｂを介してｐ型パッド電極２２ａが形成され、このｐ型パッド電極２２ａ上にはんだ膜Ｈを介して赤外半導体レーザ素子２が形成される。 A p-type pad electrode 22a is formed on the p-electrode 32 via an insulating film 4b, and the infrared semiconductor laser device 2 is formed on the p-type pad electrode 22a via a solder film H.

さらに、図４（ａ），（ｂ）に示すように、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。 Further, as shown in FIGS. 4A and 4B, the p-type pad electrode 22a of the infrared semiconductor laser element 2 and the third terminal 3P are connected by the wire 2Wa, and the p-type of the blue-violet semiconductor laser element 3 is connected. The electrode 32 and the second terminal 2P are connected by a wire 3W.

上記のように、本実施の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。 As described above, in the present embodiment, the blue-violet semiconductor laser device 3 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 3W, and the voltage between the base 500 and the wire 1Wa. Can be driven, and the infrared semiconductor laser device 2 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 2Wa.

このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。 Thus, the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2 can be driven independently.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。 The blue-violet emission point 31 of the blue-violet semiconductor laser element 3 that emits laser light having a shorter wavelength than the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 is the red emission point of the red semiconductor laser element 1 in the Y direction. 11 and the infrared emission point 21 of the infrared semiconductor laser element 2, the blue-violet semiconductor laser element 3 can be easily provided at the center of the lens when used in an optical device such as an optical pickup device. Can be positioned.

その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。 As a result, it is possible to reduce the influence of the circumferential difference in the peripheral portion of the lens and improve the light use efficiency by the blue-violet semiconductor laser element 3.

また、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２は、Ｙ方向において第２の端子２Ｐ側の赤外半導体レーザ素子２の側面よりも第２の端子２Ｐに近い位置まで延びていることにより、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとを接続するワイヤ３Ｗの長さを短くすることができる。それにより、ワイヤ３Ｗのインダクタンス成分が小さくなるので、青紫色半導体レーザ素子３を高速で駆動することが可能となる。 Further, the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 extends to a position closer to the second terminal 2P than the side surface of the infrared semiconductor laser element 2 on the second terminal 2P side in the Y direction. To shorten the length of the wire 3W that connects the p-electrode 32 and the second terminal 2P of the blue-violet semiconductor laser element 3 that emits laser light having a shorter wavelength than the semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 Can do. Thereby, since the inductance component of the wire 3W becomes small, the blue-violet semiconductor laser element 3 can be driven at high speed.

また、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとをワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続することができ、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができ、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとをワイヤ２Ｗａにより単純かつ容易に接続することができる。 Further, the p-type pad electrode 12a of the red semiconductor laser element 1 and the first terminal 1P can be simply and easily connected by the wire 1Wa, and the p-electrode 32 and the second terminal 2P of the blue-violet semiconductor laser element 3 can be connected. Can be simply and easily connected by the wire 3W, and the p-type pad electrode 22a of the infrared semiconductor laser element 2 and the third terminal 3P can be simply and easily connected by the wire 2Wa.

さらに、赤外半導体レーザ素子２のｐ型パッド電極２２ａと第３の端子３Ｐとの接続位置は、赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａと第１の端子１Ｐとの接続位置および青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとの接続位置のうち少なくとも一つの接続位置よりも赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側と反対側に設定されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。 Further, the connection position between the p-type pad electrode 22a of the infrared semiconductor laser element 2 and the third terminal 3P is the connection position between the p-type pad electrode 12a of the red semiconductor laser element 1 and the first terminal 1P and the bluish purple color. The laser beam of the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 is at least one of the connection positions of the p electrode 32 and the second terminal 2P of the semiconductor laser element 3. It is preferable to set the side opposite to the emission side. This prevents the wires 1Wa, 2Wa, and 3W from intersecting.

なお、赤色半導体レーザ素子１と、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３との設けられる位置が第３の端子３Ｐの長手方向を中心として左右対称に設定されてもよい。 The positions where the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are provided may be set symmetrically about the longitudinal direction of the third terminal 3P.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。 The red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 may have a monolithic structure.

さらに、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。 Further, a submount made of silicon carbide, aluminum nitride, or the like may be provided between the blue-violet semiconductor laser element 3 and the pedestal 500. In this case, heat radiation of the blue semiconductor laser element 3 can be realized.

上記第１および第２の実施の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗｂが第５のワイヤに相当する。加えて、上記第１および第２の実施の形態においては、ワイヤ１Ｗｂ，２Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。 In the first and second embodiments, the wire 1Wa corresponds to the first wire, the wire 2Wa corresponds to the second wire, the wire 3W corresponds to the third wire, and the wire 1Wb corresponds to the first wire. 4 wire, and the wire 2Wb corresponds to the fifth wire. In addition, in the first and second embodiments, the wires 1Wb and 2Wb correspond to pedestal wires.

また、上記第１および第２の実施の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。 In the first and second embodiments, the Y direction corresponds to the first direction, the Z direction corresponds to the second direction, the X direction corresponds to the third direction, and the stem 501. Corresponds to the housing, the red semiconductor laser element 1 corresponds to the first semiconductor laser element, the infrared semiconductor laser element 2 corresponds to the second semiconductor laser element, and the blue-violet semiconductor laser element 3 corresponds to the third semiconductor laser element. It corresponds to a semiconductor laser element.

さらに、上記第１および第２の実施の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａが第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ型パッド電極２２ａが第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。 Furthermore, in the first and second embodiments, the p-type pad electrode 12a corresponds to one electrode of the first semiconductor laser element, and the p-type pad electrode 22a serves as one electrode of the second semiconductor laser element. The p electrode 32 corresponds to one electrode of the third semiconductor laser element, the n electrode 13 corresponds to the other electrode of the first semiconductor laser element, and the n electrode 23 corresponds to the other electrode of the second semiconductor laser element. The n-electrode 35 corresponds to the other electrode of the third semiconductor laser element.

（第３の実施の形態）
図５は、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 (Third embodiment)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser device according to the third embodiment.

図５に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置３００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、赤外半導体レーザ素子２、はんだ膜Ｈ（ただし、赤色半導体レーザ素子１のはんだ膜Ｈを除く）およびｐ型パッド電極２２ａが設けられていない点である。 As shown in FIG. 5, the semiconductor laser device 300 according to the present embodiment is different from the semiconductor laser device 100 according to the first embodiment in that an infrared semiconductor laser element 2 and a solder film H (however, a red semiconductor) This is that the p-type pad electrode 22a and the solder film H of the laser element 1 are not provided.

図６（ａ）は、図５の半導体レーザ装置３００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図６（ｂ）は、図５の半導体レーザ装置３００を台座上に組み立てた際の上面図である。 6A is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device 300 of FIG. 5 is assembled on the pedestal, and FIG. 6B is a diagram when the semiconductor laser device 300 of FIG. 5 is assembled on the pedestal. FIG.

図６（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置３００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。 As shown in FIGS. 6A and 6B, the optical pickup device manufactured by assembling the semiconductor laser device 300 according to the present embodiment on the pedestal 500 is the semiconductor laser device according to the first embodiment. Differences from the optical pickup device manufactured by assembling 100 on the base 500 are as follows.

ステム５０１にフォトダイオード５０が電気的に接続される。このフォトダイオード５０と第３の端子３Ｐとがワイヤ４Ｗにより接続される。また、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第２の端子２Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。 The photodiode 50 is electrically connected to the stem 501. The photodiode 50 and the third terminal 3P are connected by a wire 4W. Further, the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 and the second terminal 2P are connected by a wire 3W.

ここで、ｐ型パッド電極１２ａおよび青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐおよび第３の端子３Ｐとの位置関係について説明する。 Here, the positional relationship between the p-type pad electrode 12a and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the first terminal 1P, the second terminal 2P, and the third terminal 3P will be described.

ｐ型パッド電極１２ａが青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２よりも第１の端子１Ｐに近く、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２がｐ型パッド電極１２ａよりも第２の端子２Ｐに近くなるように、赤色半導体レーザ素子１および青紫色半導体レーザ素子３がそれぞれ配置されている。 The p-type pad electrode 12a is closer to the first terminal 1P than the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 is closer to the second terminal 2P than the p-type pad electrode 12a. A red semiconductor laser element 1 and a blue-violet semiconductor laser element 3 are arranged so as to be close to each other.

これにより、第１の端子１Ｐとｐ型パッド電極１２ａとがワイヤ１Ｗａにより単純かつ容易に接続され、第２の端子２Ｐと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２とがワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続される。 Thereby, the first terminal 1P and the p-type pad electrode 12a are simply and easily connected by the wire 1Wa, and the second terminal 2P and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser device 3 are simply and easily connected by the wire 3W. Connected to.

また、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂ，４Ｗのそれぞれが交差しない。 Further, when the red semiconductor laser element 1 and the blue-violet semiconductor laser element 3 are viewed in the Z direction, the wires 1Wa, 3W, 1Wb, and 4W do not intersect each other.

上記のように、本実施の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子３および赤色半導体レーザ素子１をそれぞれ独立に駆動することができる。 As described above, in the present embodiment, the blue-violet semiconductor laser device 3 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 3W, and the voltage between the base 500 and the wire 1Wa. The red semiconductor laser device 1 can be driven by applying. Thus, the blue-violet semiconductor laser element 3 and the red semiconductor laser element 1 can be driven independently.

また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ型パッド電極１２ａとの接続位置およびワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置が、Ｙ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。 Further, the connection position between the wire 1Wa and the p-type pad electrode 12a of the red semiconductor laser element 1 and the connection position between the wire 3W and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3 are from the first terminal 1P side in the Y direction. It is preferable to arrange them in order on the second terminal 2P side. This prevents the wires 1Wa and 3W from crossing each other.

なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図６（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。 The first terminal 1P, the second terminal 2P, the third terminal 3P, and the fourth terminal 4P are preferably provided concentrically on the stem 501 as shown in FIG. . This prevents the wires connecting the semiconductor laser elements and the terminals from crossing each other.

また、青紫色半導体レーザ素子３と台座５００との間に、炭化シリコンまたは窒化アルミニウム等からなるサブマウントを設けてもよい。この場合、青色半導体レーザ素子３の放熱を実現することができる。 Further, a submount made of silicon carbide, aluminum nitride, or the like may be provided between the blue-violet semiconductor laser element 3 and the pedestal 500. In this case, heat radiation of the blue semiconductor laser element 3 can be realized.

さらに、赤色半導体レーザ素子１の代わりに赤外半導体レーザ素子を設けてもよい。 Further, an infrared semiconductor laser element may be provided instead of the red semiconductor laser element 1.

上記第３の実施の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第２のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当し、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第２の半導体レーザ素子に相当する。 In the third embodiment, the wire 1Wa corresponds to the first wire, the wire 3W corresponds to the second wire, the wire 1Wb corresponds to the wire on the pedestal side, and the Y direction is the first direction. , The Z direction corresponds to the second direction, the X direction corresponds to the third direction, the stem 501 corresponds to the housing, and the red semiconductor laser element 1 corresponds to the first semiconductor laser element. The blue-violet semiconductor laser element 3 corresponds to a second semiconductor laser element.

また、上記第３の実施の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａが第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。 In the third embodiment, the p-type pad electrode 12a corresponds to one electrode of the first semiconductor laser element, the p electrode 32 corresponds to one electrode of the second semiconductor laser element, and the n electrode 13 corresponds to the other electrode of the first semiconductor laser element, and the n-electrode 35 corresponds to the other electrode of the second semiconductor laser element.

（第４の参考の形態）
図７は、第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 (4th reference form)
Figure 7 is a schematic sectional view showing an example of a semiconductor laser device according to a fourth reference embodiment.

図７に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、以下の点である。 As shown in FIG. 7, the semiconductor laser device 400 according to this reference embodiment has a semiconductor laser device 100 differs according to the first embodiment, in the following points.

リッジ部Ｒｉの上面およびリッジ部Ｒｉの両側に形成された各絶縁膜４を覆うようにｐ電極３２が形成される。したがって、本参考の形態においては、ｐ型パッド電極１２ａ，２２ａは設けられていない。 A p-electrode 32 is formed so as to cover the insulating film 4 formed on the upper surface of the ridge Ri and both sides of the ridge Ri. Accordingly, in the present reference, p-type pad electrode 12a, 22a is not provided.

そして、このｐ電極３２上の両側にそれぞれはんだ膜Ｈを介して赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２が形成されている。 A red semiconductor laser element 1 and an infrared semiconductor laser element 2 are formed on both sides of the p-electrode 32 via solder films H, respectively.

このように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００においては、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２および青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２が電気的に接続されている。青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５の端部は、青紫色半導体レーザ素子３の外側に突出するように形成される。 Thus, in the semiconductor laser device 400 according to this reference embodiment is, p electrode 12 of the red semiconductor laser element 1, p electrode 32 of the infrared semiconductor laser element 2 p electrode 22 and the blue-violet semiconductor laser element 3 is electrically Connected. The end of the n-electrode 35 of the blue-violet semiconductor laser element 3 is formed so as to protrude outside the blue-violet semiconductor laser element 3.

図８（ａ）は、図７の半導体レーザ装置４００を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、図８（ｂ）は、図７の半導体レーザ装置４００を台座上に組み立てた際の上面図である。 FIG. 8A is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device 400 of FIG. 7 is assembled on the pedestal, and FIG. 8B is a diagram when the semiconductor laser device 400 of FIG. 7 is assembled on the pedestal. FIG.

図８（ａ），（ｂ）に示すように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置４００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。 FIG. 8 (a), the (b), the optical pickup device to be manufactured a semiconductor laser device 400 according to this reference embodiment has assembled to the pedestal 500 on the semiconductor laser device according to a first embodiment Differences from the optical pickup device manufactured by assembling 100 on the base 500 are as follows.

青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と台座５００との間に絶縁性サブマウント６０が設けられている。それにより、ｎ電極３５と台座５００とが絶縁性サブマウント６０によって絶縁される。 An insulating submount 60 is provided between the n-electrode 35 and the pedestal 500 of the blue-violet semiconductor laser device 3. Thereby, the n-electrode 35 and the pedestal 500 are insulated by the insulating submount 60.

また、赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３と第１の端子１Ｐとがワイヤ１Ｗａにより接続され、赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３と第２の端子２Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と第３の端子３Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。 Further, the n electrode 13 of the red semiconductor laser element 1 and the first terminal 1P are connected by a wire 1Wa, the n electrode 23 of the infrared semiconductor laser element 2 and the second terminal 2P are connected by a wire 2Wa, and blue The n-electrode 35 of the violet semiconductor laser element 3 and the third terminal 3P are connected by a wire 3W.

さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と台座５００とがワイヤ１Ｗｂにより接続される。ここで、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。 Further, the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser device 3 and the pedestal 500 are connected by a wire 1Wb. Here, the wire 1Wb corresponds to a wire on the pedestal side.

上記の構成により、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂのそれぞれが交差しない。 With the above configuration, when the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are viewed in the Z direction, the wires 1Wa, 2Wa, 3W, and 1Wb do not intersect each other.

上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。 As described above, in the present reference, pedestal 500 and between the wire 3W voltage can drive a blue-violet semiconductor laser element 3 by applying a voltage between the base 500 and the wire 1Wa Can be driven, and the infrared semiconductor laser device 2 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 2Wa.

このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。 Thus, the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2 can be driven independently.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。 The blue-violet emission point 31 of the blue-violet semiconductor laser element 3 that emits laser light having a shorter wavelength than the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 is the red emission point of the red semiconductor laser element 1 in the Y direction. 11 and the infrared emission point 21 of the infrared semiconductor laser element 2, the blue-violet semiconductor laser element 3 can be easily provided at the center of the lens when used in an optical device such as an optical pickup device. Can be positioned.

その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。 As a result, it is possible to reduce the influence of the circumferential difference in the peripheral portion of the lens and improve the light use efficiency by the blue-violet semiconductor laser element 3.

また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３との接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３との接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。 Further, the connection position between the wire 1Wa and the n-electrode 13 of the red semiconductor laser element 1, the connection position between the wire 3W and the n-electrode 35 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the n-electrode 23 of the wire 2Wa and the infrared semiconductor laser element 2 are shown. It is preferable that the connection position is arranged in order in the Y direction from the first terminal 1P side to the second terminal 2P side. This prevents the wires 1Wa, 2Wa, and 3W from intersecting.

また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。 The length of the third terminal 3P is shorter than the length of the first terminal 1P and the second terminal 2P, and the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are The third terminal 3P is arranged between the first terminal 1P and the second terminal 2P in the Y direction, and the length of the third terminal 3P is the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor in the X direction. The n-electrode 35 and the third terminal 3P of the blue-violet semiconductor laser element 3 are simply and easily connected by the wire 3W by being set so as not to overlap the end face on the opposite side to the laser light emission side end face of the laser element 3. Can be connected to.

なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図８（ａ）に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。 The first terminal 1P, the second terminal 2P, the third terminal 3P, and the fourth terminal 4P are preferably provided concentrically on the stem 501 as shown in FIG. . This prevents the wires connecting the semiconductor laser elements and the terminals from crossing each other.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。 The positions where the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 are provided may be reversed.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。 The red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 may have a monolithic structure.

上記第４の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当する。 In the fourth reference embodiment, the wire 1Wa corresponds to the first wire, the wire 2Wa corresponds to the second wire, the wire 3W corresponds to the third wire, and the wire 1Wb corresponds to the fourth wire. It corresponds to.

また、上記第４の参考の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。 In the fourth reference embodiment, the Y direction corresponds to the first direction, the Z direction corresponds to the second direction, the X direction corresponds to the third direction, and the stem 501 is the housing. The red semiconductor laser element 1 corresponds to the first semiconductor laser element, the infrared semiconductor laser element 2 corresponds to the second semiconductor laser element, and the blue-violet semiconductor laser element 3 corresponds to the third semiconductor laser element. It corresponds to.

さらに、上記第４の参考の形態においては、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極１２が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｐ電極２２が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。 Further, in the fourth reference embodiment, the n-electrode 13 corresponds to one electrode of the first semiconductor laser device, the n-electrode 23 corresponds to one electrode of the second semiconductor laser element, an n-electrode 35 The p-electrode 12 corresponds to one electrode of the third semiconductor laser element, the p-electrode 12 corresponds to the other electrode of the first semiconductor laser element, the p-electrode 22 corresponds to the other electrode of the second semiconductor laser element, and the p-electrode 32 Corresponds to the other electrode of the third semiconductor laser element.

（第５の参考の形態）
図９は、第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図である。 (Fifth reference form)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser device according to the fifth reference embodiment assembled on a pedestal.

本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００と異なる点は、以下の点である。 The semiconductor laser device 550 according to this reference embodiment has a semiconductor laser device 100 differs according to the first embodiment, in the following points.

図９に示すように、青紫色半導体レーザ素子３は下面側にストライプ状のリッジ部Ｒｉを有する。このリッジ部Ｒｉの両側には絶縁膜４が形成され、リッジ部Ｒｉの下面を覆うようにｐ電極３２が形成され、上面にはｎ電極３５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。 As shown in FIG. 9, the blue-violet semiconductor laser device 3 has a striped ridge portion Ri on the lower surface side. An insulating film 4 is formed on both sides of the ridge Ri, a p-electrode 32 is formed so as to cover the lower surface of the ridge Ri, and an n-electrode 35 is formed on the upper surface. The blue-violet semiconductor laser element 3 is formed with a pn junction surface 30 that is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

赤色半導体レーザ素子１の下面にはｎ電極１３が形成され、上面にはｐ電極１２が形成されている。赤色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。 An n-electrode 13 is formed on the lower surface of the red semiconductor laser element 1, and a p-electrode 12 is formed on the upper surface. The red semiconductor laser element 1 has a pn junction surface 10 which is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

赤外半導体レーザ素子２の下面にはｎ電極２３が形成され、上面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。 An n-electrode 23 is formed on the lower surface of the infrared semiconductor laser element 2, and a p-electrode 22 is formed on the upper surface. The infrared semiconductor laser element 2 has a pn junction surface 20 that is a junction surface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor.

赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がそれぞれはんだ膜Ｈを介して青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５上に形成される。 Red semiconductor laser element 1 and infrared semiconductor laser element 2 are formed on n-electrode 35 of blue-violet semiconductor laser element 3 with solder film H interposed therebetween.

このように、本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０においては、赤色半導体レーザ素子１のｎ電極１３、赤外半導体レーザ素子２のｎ電極２３および青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５が電気的に接続されている。 Thus, in the semiconductor laser device 550 according to this reference embodiment has, n electrode 13 of the red semiconductor laser element 1, n electrode 35 of the infrared semiconductor laser element 2 of the n-electrode 23 and the blue-violet semiconductor laser element 3 is electrically Connected.

本参考の形態に係る半導体レーザ装置５５０を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置が、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１００を台座５００上に組み立てて作製される光ピックアップ装置と異なる点は以下の点である。 The semiconductor laser device 550 an optical pickup device manufactured by assembling the pedestal 500 on the semiconductor laser device 100 an optical pickup device manufactured by assembling the pedestal 500 on which according to the first embodiment of the present reference embodiment The following points are different.

青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と台座５００との間に絶縁性サブマウント６０が設けられている。それにより、ｐ電極３２と台座５００とが絶縁性サブマウント６０によって絶縁される。 An insulating submount 60 is provided between the p-electrode 32 and the pedestal 500 of the blue-violet semiconductor laser device 3. Thereby, the p-electrode 32 and the pedestal 500 are insulated by the insulating submount 60.

また、赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２と第１の端子１Ｐとがワイヤ１Ｗａにより接続され、赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２と第２の端子２Ｐとがワイヤ２Ｗａにより接続され、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとがワイヤ３Ｗにより接続される。 Further, the p electrode 12 of the red semiconductor laser element 1 and the first terminal 1P are connected by a wire 1Wa, the p electrode 22 of the infrared semiconductor laser element 2 and the second terminal 2P are connected by a wire 2Wa, and blue The p-electrode 32 of the violet semiconductor laser element 3 and the third terminal 3P are connected by a wire 3W.

さらに、青紫色半導体レーザ素子３のｎ電極３５と台座５００とがワイヤ１Ｗｂにより接続される。ここで、ワイヤ１Ｗｂが台座側のワイヤに相当する。 Further, the n-electrode 35 of the blue-violet semiconductor laser device 3 and the pedestal 500 are connected by a wire 1Wb. Here, the wire 1Wb corresponds to a wire on the pedestal side.

上記の構成により、Ｚ方向に赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３を見た場合に、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗ，１Ｗｂのそれぞれが交差しない。 With the above configuration, when the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are viewed in the Z direction, the wires 1Wa, 2Wa, 3W, and 1Wb do not intersect each other.

上記のように、本参考の形態においては、台座５００とワイヤ３Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子３を駆動することができ、台座５００とワイヤ１Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子１を駆動することができ、台座５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子２を駆動することができる。 As described above, in the present reference, pedestal 500 and between the wire 3W voltage can drive a blue-violet semiconductor laser element 3 by applying a voltage between the base 500 and the wire 1Wa Can be driven, and the infrared semiconductor laser device 2 can be driven by applying a voltage between the base 500 and the wire 2Wa.

このように、青紫色半導体レーザ素子３、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２をそれぞれ独立に駆動することができる。 Thus, the blue-violet semiconductor laser element 3, the red semiconductor laser element 1, and the infrared semiconductor laser element 2 can be driven independently.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２よりも短い波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子３の青紫色発光点３１が、Ｙ方向において赤色半導体レーザ素子１の赤色発光点１１と赤外半導体レーザ素子２の赤外発光点２１との間に設けられることにより、光ピックアップ装置等の光学装置に用いた場合に、レンズの中央部に青紫色半導体レーザ素子３を容易に位置決めすることができる。 The blue-violet emission point 31 of the blue-violet semiconductor laser element 3 that emits laser light having a shorter wavelength than the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 is the red emission point of the red semiconductor laser element 1 in the Y direction. 11 and the infrared emission point 21 of the infrared semiconductor laser element 2, the blue-violet semiconductor laser element 3 can be easily provided at the center of the lens when used in an optical device such as an optical pickup device. Can be positioned.

その結果、レンズの周辺部における周差の影響を小さくすることかつ青紫色半導体レーザ素子３による光の利用効率を向上することができる。 As a result, it is possible to reduce the influence of the circumferential difference in the peripheral portion of the lens and improve the light use efficiency by the blue-violet semiconductor laser element 3.

また、ワイヤ１Ｗａと赤色半導体レーザ素子１のｐ電極１２との接続位置、ワイヤ３Ｗと青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２との接続位置およびワイヤ２Ｗａと赤外半導体レーザ素子２のｐ電極２２との接続位置がＹ方向において第１の端子１Ｐ側から第２の端子２Ｐ側に順に並ぶように配置されることが好ましい。それにより、ワイヤ１Ｗａ，２Ｗａ，３Ｗが交差することが防止される。 Further, the connection position of the wire 1Wa and the p-electrode 12 of the red semiconductor laser element 1, the connection position of the wire 3W and the p-electrode 32 of the blue-violet semiconductor laser element 3, and the wire 2Wa and the p-electrode 22 of the infrared semiconductor laser element 2 It is preferable that the connection position is arranged in order in the Y direction from the first terminal 1P side to the second terminal 2P side. This prevents the wires 1Wa, 2Wa, and 3W from intersecting.

また、第３の端子３Ｐの長さは、第１の端子１Ｐおよび第２の端子２Ｐの長さよりも短く、赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３は、Ｙ方向において第１の端子１Ｐと第２の端子２Ｐとの間に配置され、第３の端子３Ｐの長さは、Ｘ方向において赤色半導体レーザ素子１、赤外半導体レーザ素子２および青紫色半導体レーザ素子３のレーザ光の出射側端面と反対側の端面に重ならないように設定されることにより、青紫色半導体レーザ素子３のｐ電極３２と第３の端子３Ｐとをワイヤ３Ｗにより単純かつ容易に接続することができる。 The length of the third terminal 3P is shorter than the length of the first terminal 1P and the second terminal 2P, and the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor laser element 3 are The third terminal 3P is arranged between the first terminal 1P and the second terminal 2P in the Y direction, and the length of the third terminal 3P is the red semiconductor laser element 1, the infrared semiconductor laser element 2, and the blue-violet semiconductor in the X direction. By setting the laser element 3 so as not to overlap the end face opposite to the laser light emission side end face, the p-electrode 32 and the third terminal 3P of the blue-violet semiconductor laser element 3 are simply and easily connected by the wire 3W. Can be connected to.

なお、第１の端子１Ｐ、第２の端子２Ｐ、第３の端子３Ｐおよび第４の端子４Ｐは、図９に示すように、ステム５０１上において、同心円状に設けられることが好ましい。それにより、各半導体レーザ素子と各端子とを接続する各ワイヤが交差することが防止される。 The first terminal 1P, the second terminal 2P, the third terminal 3P, and the fourth terminal 4P are preferably provided concentrically on the stem 501 as shown in FIG. This prevents the wires connecting the semiconductor laser elements and the terminals from crossing each other.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２の設けられる位置が逆になってもよい。 The positions where the red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 are provided may be reversed.

また、赤色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子２がモノシリック構造を有してもよい。 The red semiconductor laser element 1 and the infrared semiconductor laser element 2 may have a monolithic structure.

上記第５の参考の形態においては、ワイヤ１Ｗａが第１のワイヤに相当し、ワイヤ２Ｗａが第２のワイヤに相当し、ワイヤ３Ｗが第３のワイヤに相当し、ワイヤ１Ｗｂが第４のワイヤに相当する。 In the fifth reference embodiment, the wire 1Wa corresponds to the first wire, the wire 2Wa corresponds to the second wire, the wire 3W corresponds to the third wire, and the wire 1Wb corresponds to the fourth wire. It corresponds to.

また、上記第５の参考の形態においては、Ｙ方向が第１の方向に相当し、Ｚ方向が第２の方向に相当し、Ｘ方向が第３の方向に相当し、ステム５０１が筐体に相当し、赤色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、赤外半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、青紫色半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当する。 In the fifth reference embodiment, the Y direction corresponds to the first direction, the Z direction corresponds to the second direction, the X direction corresponds to the third direction, and the stem 501 is the housing. The red semiconductor laser element 1 corresponds to the first semiconductor laser element, the infrared semiconductor laser element 2 corresponds to the second semiconductor laser element, and the blue-violet semiconductor laser element 3 corresponds to the third semiconductor laser element. It corresponds to.

さらに、上記第５の参考の形態においては、ｐ電極１２が第１の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極２２が第２の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｐ電極３２が第３の半導体レーザ素子の一方電極に相当し、ｎ電極１３が第１の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極２３が第２の半導体レーザ素子の他方電極に相当し、ｎ電極３５が第３の半導体レーザ素子の他方電極に相当する。 Furthermore, in the fifth reference embodiment, the p electrode 12 corresponds to one electrode of the first semiconductor laser element, the p electrode 22 corresponds to one electrode of the second semiconductor laser element, and the p electrode 32 The n-electrode 13 corresponds to one electrode of the third semiconductor laser element, the n-electrode 13 corresponds to the other electrode of the first semiconductor laser element, the n-electrode 23 corresponds to the other electrode of the second semiconductor laser element, and the n-electrode 35 Corresponds to the other electrode of the third semiconductor laser element.

本発明は、光学式記録媒体駆動装置その他の光学装置の光源または表示装置等に利用することができる。 The present invention can be used for a light source or a display device of an optical recording medium driving device and other optical devices.

第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an example of a semiconductor laser device concerning a 1st embodiment. （ａ）は、図１の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図１の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。(A) is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device of FIG. 1 is assembled on a pedestal, and (b) is a top view when the semiconductor laser device of FIG. 1 is assembled on a pedestal. 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an example of a semiconductor laser device concerning a 2nd embodiment. （ａ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図３の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。(A) is a typical sectional view when the semiconductor laser device of FIG. 3 is assembled on a pedestal, and (b) is a top view when the semiconductor laser device of FIG. 3 is assembled on a pedestal. 第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an example of a semiconductor laser device concerning a 3rd embodiment. （ａ）は、図５の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図５の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。(A) is typical sectional drawing at the time of assembling the semiconductor laser apparatus of FIG. 5 on a base, (b) is a top view at the time of assembling the semiconductor laser apparatus of FIG. 5 on a base. 第４の参考の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。It is a typical sectional view showing an example of a semiconductor laser device concerning the 4th reference form. （ａ）は、図７の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図であり、（ｂ）は、図７の半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の上面図である。(A) is a schematic cross-sectional view when the semiconductor laser device of FIG. 7 is assembled on a pedestal, and (b) is a top view when the semiconductor laser device of FIG. 7 is assembled on a pedestal. 第５の参考の形態に係る半導体レーザ装置を台座上に組み立てた際の模式的断面図である。It is typical sectional drawing at the time of assembling the semiconductor laser apparatus which concerns on a 5th reference form on a base.

１赤色半導体レーザ素子
１Ｐ第１の端子
１Ｗａ，１Ｗｂ，２Ｗａ，２Ｗｂ，３Ｗ，４Ｗワイヤ
２赤外半導体レーザ素子
２Ｐ第２の端子
３青紫色半導体レーザ素子
３Ｐ第３の端子
４Ｐ第４の端子
１１赤色発光点
１２，２２，３２ｐ電極
１２ａ，２２ａｐ型パッド電極
１３，２３，３５ｎ電極
２１赤外発光点
３１青紫色発光点
５０フォトダイオード
６０絶縁性サブマウント
１００，２００，３００，４００，５５０半導体レーザ装置
５００台座
５０１ステム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Red semiconductor laser element 1P 1st terminal 1Wa, 1Wb, 2Wa, 2Wb, 3W, 4W Wire 2 Infrared semiconductor laser element 2P 2nd terminal 3 Blue-violet semiconductor laser element 3P 3rd terminal 4P 4th terminal 11 Red light emitting point 12, 22, 32 p electrode 12a, 22a p-type pad electrode 13, 23, 35 n electrode 21 infrared light emitting point 31 blue-violet light emitting point 50 photodiode 60 insulating submount 100, 200, 300, 400, 550 Semiconductor Laser Device 500 Base 501 Stem

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