JP2011023547A - Circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、例えばリジット(硬質)部とフレックス(可撓)部などのように、層構成が変わる箇所に跨がって信号伝送路が形成されたストリップ構造およびマイクロストリップ構造を備える回路基板に関する。 The present invention relates to a circuit board having a strip structure and a microstrip structure in which a signal transmission path is formed across a portion where the layer configuration changes, such as a rigid (hard) portion and a flex (flexible) portion. .
リジット部とフレックス部とを備えたリジットフレックス多層基板は、リジット部に電子部品を搭載し、設置条件に応じて前記フレキシブル部を適宜変形させて機器に搭載可能であることから、近年において多くの電子機器に採用されている。 In recent years, a rigid-flex multilayer board having a rigid part and a flex part can be mounted on equipment by mounting electronic components on the rigid part and appropriately deforming the flexible part according to installation conditions. Used in electronic equipment.
一方、前記した電子機器における信号の処理速度はますます上昇しており、高周波帯で動作する電子部品を実装する回路基板は、信号の反射や波形歪みの発生を抑えるために信号伝送路の特性インピーダンス(以下、Zoとも言う。)を、前記ディバイスの入出力インピーダンスに整合させる必要がある。 On the other hand, the processing speed of signals in the electronic devices described above is increasing, and circuit boards mounted with electronic components that operate in the high frequency band are characterized by the characteristics of signal transmission lines in order to suppress signal reflection and waveform distortion. It is necessary to match the impedance (hereinafter also referred to as Zo) to the input / output impedance of the device.
前記した信号伝送路の特性インピーダンスを整合させるためには、適切なパターン幅の信号伝送路(ストリップライン)に適切な厚さの絶縁層を挟んでグランド層を対峙させるマイクロストリップ構造もしくはストリップ構造が採用されている。 In order to match the characteristic impedance of the signal transmission path described above, a microstrip structure or a strip structure in which a ground layer is opposed to a signal transmission path (strip line) having an appropriate pattern width with an insulating layer having an appropriate thickness interposed therebetween is used. It has been adopted.
前記した回路基板構造における前記グランド層は、信号伝送路の特性インピーダンスを規定する電気的な基準面となる。そして、一般に特性インピーダンスはシングルエンド伝送で50Ω前後に、差動伝送で100Ω前後に選択される場合が多い。
なお、前記した回路基板におけるZoは、信号伝送路の単位長さあたりのリアクタンスLと、前記信号伝送路とグランド層との間における単位面積あたりの静電容量Cの比(リアクタンスL/静電容量C)の平方根で近似される値となる。
The ground layer in the circuit board structure described above serves as an electrical reference plane that defines the characteristic impedance of the signal transmission path. In general, the characteristic impedance is often selected to be around 50Ω for single-ended transmission and around 100Ω for differential transmission.
Note that Zo in the circuit board described above is a ratio of reactance L per unit length of the signal transmission path and capacitance C per unit area between the signal transmission path and the ground layer (reactance L / electrostatic capacity). It is a value approximated by the square root of the capacitance C).
したがって、層構成の薄い多層構造の回路基板を利用した場合においては、当然ながら前記グランド層に対する信号伝送路の層間が狭く(薄く)、両者間における静電容量Cの値が前記層間の寸法にほぼ反比例して上昇する。 Accordingly, in the case of using a circuit board having a thin multilayer structure, the layer of the signal transmission path with respect to the ground layer is naturally narrow (thin), and the value of the capacitance C between the two is the dimension between the layers. It rises almost inversely.
それ故、前記した薄い多層構造の回路基板において、所望の前記Zoを得ようとするには、従来の層間が厚い回路基板に比べて信号伝送路の幅を狭く(細く)形成することで、前記静電容量Cの上昇を抑える手段を採用せざるを得ない。 Therefore, in order to obtain the desired Zo in the above-described thin multilayer circuit board, the width of the signal transmission path is narrower (thinner) than that of a conventional circuit board having a thick interlayer, A means for suppressing the increase in the capacitance C must be employed.
このように所望のZoを得るために、信号伝送路の線幅を細く形成しようとする場合においては、信号配線の加工が困難なほどに細くせざるを得ない場合が発生する。また、たとえ信号配線の加工が可能であっても、信号配線が細いほど回路加工精度および線幅ばらつきの比率が高まり、これに伴ってZoのばらつきが増大する。 Thus, in order to obtain a desired Zo, in the case where the line width of the signal transmission path is to be narrowed, there is a case where the signal wiring has to be made so thin that it is difficult to process. Even if signal wiring can be processed, the thinner the signal wiring, the higher the ratio of circuit processing accuracy and line width variation, and the Zo variation increases accordingly.
このために、前記Zoの変化が大きな信号配線部分において、信号の反射や波形歪みを発生させるという問題を招来させる。さらに、信号配線の配線抵抗値が高くなるために、これに供給される信号周波数が高いほど、伝送特性の悪化の要因になる等の問題を抱えることになる。 For this reason, there arises a problem that signal reflection and waveform distortion occur in the signal wiring portion where the change of Zo is large. Furthermore, since the wiring resistance value of the signal wiring is increased, there is a problem that the higher the signal frequency supplied to the signal wiring, the worse the transmission characteristics.
そこで、前記した技術的な課題を解決するために、いわゆるベタ電極層として形成される前記グランド層をメッシュ状に銅抜きして、単位面積あたりのグランド層と信号配線との対向面積を実質的に小さくさせることで、前記信号配線の幅を確保する提案がなされている。これは次に示す先行技術文献に開示されている。 Therefore, in order to solve the above-described technical problem, the ground layer formed as a so-called solid electrode layer is removed in a mesh shape so that the opposing area between the ground layer and the signal wiring per unit area is substantially reduced. Proposals have been made to ensure the width of the signal wiring by making it smaller. This is disclosed in the following prior art documents.
ところで、前記したようにグランド層をメッシュ状に銅抜きする手段を採用して、信号伝送路の線幅をある程度確保できるとしても、前記したようにリジットフレックス多層基板のようにリジット部とフレックス部において層構成が異なり、例えばストリップ構造およびマイクロストリップ構造が混在する場合においては、信号伝送路のZoを一定に保つことは不可能になる。 By the way, as described above, even if the means for removing the copper in the mesh layer is adopted and the line width of the signal transmission path can be secured to some extent, the rigid portion and the flex portion as in the rigid flex multilayer substrate as described above. However, when the strip structure and the microstrip structure are mixed, it is impossible to keep the Zo of the signal transmission line constant.
図5および図6は、前記したように層構成が異なり、ストリップ構造およびマイクロストリップ構造が混在する場合において、前記Zoを一定に保つためになされる信号伝送路の線幅および線間距離について模式的に示したものである。 FIG. 5 and FIG. 6 are schematic diagrams of the line width and the distance between lines of the signal transmission line which is made to keep the Zo constant when the layer structure is different as described above and the strip structure and the microstrip structure are mixed. It is shown as an example.
図5はシングルエンド伝送路を構成した場合の線幅の例を示すものであり、符号Aはマイクロストリップ構造になされた部分を、また符号Bはストリップ構造になされた部分を示している。
すなわち、ストリップ構造B部分においては、信号伝送路4を上下に挟むようにグランド層が対峙し、信号伝送路4に対する容量結合が上昇するためにマイクロストリップ構造部分Aの線幅W1よりも、ストリップ構造部分Bの線幅W2を狭く構成する必要がある。
FIG. 5 shows an example of the line width when a single-end transmission line is configured. Reference numeral A indicates a portion formed in a microstrip structure, and reference numeral B indicates a portion formed in a strip structure.
That is, in the strip structure B portion, the ground layer is opposed so as to sandwich the
また、図6は差動伝送路を構成した場合の一対の信号伝送路の線間距離の関係を示したものであり、同様に符号Aはマイクロストリップ構造になされた部分を、また符号Bはストリップ構造になされた部分を示している。この場合においては、マイクロストリップ構造部分Aにおけるペア配線4a,4bの線間距離S1に対して、ストリップ構造部分Bのペア配線の線間距離S2を狭く形成する必要がある。
FIG. 6 shows the relationship between the line distances of a pair of signal transmission lines when a differential transmission line is configured. Similarly, reference numeral A denotes a portion formed in a microstrip structure, and reference numeral B denotes The part made into the strip structure is shown. In this case, it is necessary to form the distance S2 between the pair wirings of the strip structure portion B narrower than the distance S1 between the
前記したように層構成が変化する部分において、シングルエンド伝送路における線幅を変化させたり、また差動伝送路においてペア配線の線間距離を変化させた場合には、その層構成の変化部分において高周波信号の反射等が発生して伝送損失を招くなど、高周波信号の伝送特性に悪影響を与えることになる。 As described above, when the line width in the single-ended transmission line is changed in the portion where the layer configuration changes or the distance between the pair wires in the differential transmission line is changed, the changed portion of the layer configuration In this case, the transmission characteristics of the high frequency signal are adversely affected.
この発明は、前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、シングルエンド伝送および差動伝送にかかわらず、層構成に応じて線幅および線間距離を制御することなく、伝送線路の特性インピーダンスの制御を十分に果たすことができる回路基板を提供することを課題とするものである。 The present invention has been made paying attention to the above-mentioned technical problems, and transmission is possible without controlling the line width and the distance between lines according to the layer configuration regardless of single-ended transmission and differential transmission. It is an object of the present invention to provide a circuit board that can sufficiently control the characteristic impedance of a line.
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる回路基板は、第1のグランド層に対して絶縁体層を介して信号伝送路が配設されることで、マイクロストリップ構造を形成した第1の層構成部分と、前記信号伝送路の少なくとも一部を第2の絶縁体層で覆い、さらに前記第2の絶縁体層上に第2のグランド層を重畳させることでストリップ構造を形成した第2の層構成部分よりなり、前記信号伝送路が第1の層構成部分と第2の層構成部分とに跨がって形成された回路基板であって、前記第1の層構成部分および第2の層構成部分における前記第1のグランド層には、それぞれメッシュ状の開口が施されると共に、前記第1の層構成部分における第1のグランド層の導体残存率に対して、前記第2の層構成部分における第1のグランド層の導体残存率を小さくし、第1の層構成部分と第2の層構成部分とに跨がって形成された前記信号伝送路の特性インピーダンスを制御するように構成したことを特徴とする。
The circuit board according to the present invention, which has been made to solve the above-described problems, has a microstrip structure in which a signal transmission line is disposed via an insulator layer with respect to the first ground layer. The
この場合、前記第2の層構成部分における第2のグランド層にメッシュ状の開口がさらに施され、前記第1および第2のグランド層にそれぞれ施されたメッシュ状の開口による導体残存率に基づいて、前記第2の層構成部分における信号伝送路の特性インピーダンスを制御するように構成されていることが望ましい。 In this case, the second ground layer in the second layer constituent portion is further provided with a mesh-like opening, and based on the conductor remaining rate due to the mesh-like openings provided in the first and second ground layers, respectively. It is desirable that the characteristic impedance of the signal transmission line in the second layer component is controlled.
そして、前記信号伝送路がシングルエンドの伝送路になされた場合には、前記第1の層構成部分と前記第2の層構成部分とにおける伝送路の線幅が同一となるように構成される。また、前記信号伝送路が差動伝送路になされた場合には、前記第1の層構成部分と前記第2の層構成部分における差動伝送路を構成するペア配線の線間距離が同一となるように構成される。 When the signal transmission line is a single-ended transmission line, the transmission line is configured to have the same line width in the first layer constituent part and the second layer constituent part. . Further, when the signal transmission path is a differential transmission path, the distance between the pair wirings constituting the differential transmission path in the first layer constituent portion and the second layer constituent portion is the same. It is comprised so that it may become.
加えて、回路基板のコアとなる前記絶縁体層は、フィルム状ベース基材により構成されていることが望ましい。 In addition, it is desirable that the insulator layer serving as the core of the circuit board is composed of a film-like base material.
前記した構成の回路基板によれば、マイクロストリップ構造を構成する第1の層構成部分におけるグランド層、およびストリップ構造を形成する第2の層構成部分におけるグランド層にそれぞれ施されるメッシュ状開口による導体残存率を前記した関係にしたことで、両者間に跨がる伝送線路の特性インピーダンスを、ほぼ同一の値に制御することができる。 According to the circuit board having the above-described configuration, the ground layer in the first layer constituent part constituting the microstrip structure and the mesh-like opening provided in the ground layer in the second layer constituent part forming the strip structure are respectively provided. By setting the conductor remaining rate as described above, it is possible to control the characteristic impedance of the transmission line straddling both to substantially the same value.
これにより、シングルエンド伝送路および差動伝送路にかかわらず、層構成に応じて線幅および線間距離を格別に制御する必要はなく、前記線幅および線間距離を制御することにより生ずる高周波信号の反射等により伝送損失を招来させる問題を解消することができる。 Thus, regardless of the single-ended transmission line and the differential transmission line, there is no need to control the line width and the distance between the lines according to the layer configuration, and the high frequency generated by controlling the line width and the distance between the lines. The problem of incurring transmission loss due to signal reflection or the like can be solved.
以下、この発明にかかる回路基板について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図1に示す回路基板1は、第1のグランド層2とこのグランド層に対して絶縁体層3を介して信号伝送路(以下、これを信号配線とも言う。)4が配設されており、この構成によりマイクロストリップ構造を形成している。
図1においては前記マイクロストリップ構造部分を符号Aで示しており、これを第1の層構成部分とも言う。
Hereinafter, a circuit board according to the present invention will be described based on the embodiments shown in the drawings. A
In FIG. 1, the microstrip structure portion is indicated by the symbol A, which is also referred to as a first layer constituent portion.
また、前記信号配線4の一部は、第2の絶縁体層5で覆われ、さらに前記第2の絶縁体層上に第2のグランド層6を重畳させることでストリップ構造を形成している。前記ストリップ構造部分を符号Bで示しており、これを第2の層構成部分とも言う。
Further, a part of the
なお、前記第2の層構成部分Bにおいては、必要に応じて第1のグランド層2および第2のグランド層6に対して、さらに図示せぬ絶縁体層および導体層が重畳される。これにより第2の層構成部分は例えばリジット部を構成し、第1の層構成部分であるフレックス部と共に、リジットフレックス多層基板が構成される。そして、前記信号配線3はその両者に跨がるようにして配設されている。
In the second layer component B, an insulator layer and a conductor layer (not shown) are further superimposed on the
図2および図3は、前記したとおり図1におけa−a線およびb−b線より矢印方向に視た断面図である。すなわち、マイクロストリップ構造部分A、およびストリップ構造部分Bを断面図で示している。
図2および図3に示すように、この実施の形態における前記信号配線4は、差動伝送路を構成しており、そのペア配線をそれぞれ符号4a,4bで示している。
2 and 3 are cross-sectional views as viewed from the direction of the arrows along the lines aa and bb in FIG. 1 as described above. That is, the microstrip structure portion A and the strip structure portion B are shown in cross-sectional views.
As shown in FIGS. 2 and 3, the
この実施の形態においては、前記絶縁体層3としてフィルム状のベース基材が採用され、回路基板1のコアとして機能する前記ベース基材には、樹脂フィルム、繊維基材等が用いられる。
In this embodiment, a film-like base substrate is employed as the
前記樹脂フィルムを構成する素材としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
これらの中でもポリイミド樹脂または液晶ポリマーが好ましい。例えばポリイミド樹脂の場合は、耐熱性や機械特性に優れ、かつ入手するのが容易である。また、液晶ポリマーの場合は、その比誘電率の低さにより高速信号伝送用途に好適であり、かつ吸湿性の低さにより寸法安定性等にも優れる。
Examples of the material constituting the resin film include polyimide resins such as polyimide resins, polyamide resins, and polyamideimide resins, thermosetting resins such as epoxy resins, and thermoplastic resins such as liquid crystal polymers.
Among these, a polyimide resin or a liquid crystal polymer is preferable. For example, in the case of polyimide resin, it is excellent in heat resistance and mechanical properties and is easy to obtain. In the case of a liquid crystal polymer, it is suitable for high-speed signal transmission due to its low relative dielectric constant, and it has excellent dimensional stability due to its low hygroscopicity.
また、前記絶縁体層に用いられる繊維基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス繊布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。 Moreover, as a fiber base material used for the insulator layer, for example, a glass fiber base material such as a glass fiber cloth or a glass non-fiber cloth, or an inorganic fiber base material such as a fiber cloth or a non-fiber cloth containing an inorganic compound other than glass, Examples thereof include organic fiber base materials composed of organic fibers such as aromatic polyamide resin, polyamide resin, aromatic polyester resin, polyester resin, polyimide resin, and fluororesin. Among these base materials, glass fiber base materials represented by glass fiber fabric are preferable in terms of strength and water absorption.
前記絶縁体層に繊維基材を用いる場合においては、好ましくは前記繊維基材に樹脂を含浸させた状態で利用される。前記繊維基材に含浸される樹脂としては、好ましくはエポキシ樹脂系、アクリル樹脂系などの熱硬化性樹脂が用いられ、これらの中でも耐熱性の面からエポキシ樹脂系が好ましい。 When a fiber base material is used for the insulator layer, the fiber base material is preferably used in a state of being impregnated with a resin. As the resin impregnated in the fiber base material, a thermosetting resin such as an epoxy resin or an acrylic resin is preferably used, and among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of heat resistance.
前記絶縁体層を構成するベース基材3の裏面(図1に示す下面)に配置された第1のグランド層2は、ベース基材3に直接設けられても良いが、接着剤を介して設けられていてもよく、この第1のグランド層2は銅素材による導電体により構成されている。このグランド層2には、平行四辺形の開口になされた多数の抜き孔が形成されている。なお、このグランド層5の具体的な構成については、図4に基づいて後で詳細に説明する。
The
また、前記ベース基材2の表面(図1に示す上面)に形成された信号配線4a,4bは銅素材により構成され、これはベース基材3に直接設けられても良いが、接着剤を介して設けられていてもよい。そして、信号配線4a,4bは、その端部もしくは適宜の中間部、例えば前記したリジット部などにおいて、図示しない半導体ディバイス等の実装パッドに接合され、回路基板1として機能する。
Further, the
前記信号配線4a,4bを覆う第2の絶縁体層5においても、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材に例えばエポキシ樹脂系、アクリル樹脂系などの熱硬化性樹脂を含浸させた状態で利用される。そして、第2の絶縁体層5の表面(図1に示す上面)には、第2のグランド層6が積層される。
Also in the second insulator layer 5 covering the
この第2のグランド層6としての導電部は、前記した第1のグランド層2と同様に銅素材により構成することもでき、また導電性ペースト(銀ペースト)による印刷、もしくは導電性シールドフィルムを貼着することにより形成することもできる。
この第2のグランド層6にも、好ましくは平行四辺形の開口になされた多数の抜き孔が形成される。なお、前記第2のグランド層6の具体的な構成についても、後で詳細に説明する。
The conductive portion as the second ground layer 6 can be made of a copper material in the same manner as the
The second ground layer 6 is also formed with a large number of holes preferably having parallelogram openings. A specific configuration of the second ground layer 6 will be described later in detail.
ところで、図1に示すマイクロストリップ構造を構成する第1の層構成部分Aにおける、信号配線4(ペア配線4a,4b)の特性インピーダンスZoは、前記したとおり信号配線の単位長さあたりのリアクタンスLと、信号配線と第1のグランド層2との間における単位面積あたりの静電容量Cの比(リアクタンスL/静電容量C)の平方根で近似される値となる。
By the way, the characteristic impedance Zo of the signal wiring 4 (
また、前記したストリップ構造を構成する第2の層構成部分Bにおける、信号配線4(ペア配線4a,4b)の特性インピーダンスZoは、前記した第1のグランド層2との間において形成される容量結合に加えて、第2のグランド層6との間において形成される容量結合も作用することになる。
Further, the characteristic impedance Zo of the signal wiring 4 (
したがって、マイクロストリップ構造を構成する第1の層構成部分A、およびストリップ構造を構成する第2の層構成部分Bに跨がって信号配線4を配設し、第1および第2の層構成部分における信号配線4の特性インピーダンスに変化が生じないようにするには、第1および第2の層構成部分の両者において、信号配線4と各グランド層2,6との容量結合が一定となる(変化しない)ように構成させる必要が生ずる。
Accordingly, the
図4は、ペア配線4a,4bとグランド層との容量結合を一定にさせる前記した課題を解決する具体例を示すものである。すなわち図4は、第1のグランド層2における第1の層構成部分Aと第2の層構成部分Bとの境界部分を示したものであり、前記したペア配線4a,4bは、グランド層2に対して一定の距離、すなわち、図2に示す絶縁体層3の厚さを隔てて対峙した構成にされている。
FIG. 4 shows a specific example for solving the above-described problem of making the capacitive coupling between the
この場合、前記第1のグランド層2には、それぞれメッシュ状の開口(平行四辺形になされた多数の抜き孔)2a,2bが施されると共に、前記第1の層構成部分Aにおけるグランド層2の導体(銅)残存率に対して、前記第2の層構成部分Bにおけるグランド層2の導体(銅)残存率は小さくなるように構成される。
In this case, the
すなわち、第2の層構成部分Bは前記したとおり、ペア配線4a,4bに対して第2のグランド層6も絶縁体層5を介して対峙しており、ペア配線4a,4bに対して第2のグランド層6が容量結合として作用する分、ここでは第1のグランド層2との容量結合が少なくなるように構成される。
That is, as described above, in the second layer component B, the second ground layer 6 is also opposed to the
なお、前記第2のグランド層6が、ペア配線4a,4bに作用する容量結合の度合いは、前記した第2の絶縁体層5の厚さや素材等にも依存することになるが、第2のグランド層6として銅素材によるベタ電極を用いた場合には、これによる容量結合の度合いが増大する。
したがって、第2のグランド層6にベタ電極を用いる場合においては、第1のグランド層2の導体残存率はより小さくなるように構成する必要が生ずる。
Note that the degree of capacitive coupling that the second ground layer 6 acts on the
Therefore, when a solid electrode is used for the second ground layer 6, it is necessary to configure the
この場合、第1のグランド層2の導体残存率が極端に小さくなされ、第2の層構成部分Bがストリップ構造としての機能が果たせなくなるような場合には、前記した第2のグランド層6にもメッシュ状の開口を施し、第2のグランド層6によるペア配線4a,4bに作用する容量結合の度合いを低く設定することが望ましい。
In this case, in the case where the conductor remaining rate of the
したがって、図には示していないが、第2のグランド層6に施されるメッシュ状の開口も、図4に示した第2の層構成部分Bにおけるメッシュ状の開口2bとほぼ同一寸法(ほぼ同一の導体残存率)となるように構成することが望ましい。
前記した構成にすることで、第1および第2の層構成部分A,Bに跨がるペア配線4a,4bの特性インピーダンスZoがほぼ一定となるように容易に制御することができ、また、インピーダンスZoの調整のしやすさも向上させることができる。
Therefore, although not shown in the drawing, the mesh-shaped opening provided in the second ground layer 6 is also substantially the same size (approximately the same size as the mesh-shaped
With the configuration described above, the characteristic impedance Zo of the
それ故、図に示した差動伝送路を構成するペア配線4a,4bは、前記第1の層構成部分Aと第2の層構成部分Bにかかわらず、線幅を同一に、かつ線間距離も同一となるように構成することができる。
Therefore, the
また、前記した実施の形態においては、ペア配線による差動伝送路を構成した例を示しているが、シングルエンドの伝送路を採用する場合には、前記第1の層構成部分Aと第2の層構成部分Bにかかわらず、線幅が同一となるように構成することができる。
これにより、前記した発明の効果の欄に記載したとおりの作用効果を享受することができる。
In the above-described embodiment, an example is shown in which a differential transmission path using a pair wiring is configured. However, when a single-ended transmission path is employed, the first layer component A and the second layer Regardless of the layer constituent portion B, the line width can be made the same.
Thereby, the effect as described in the column of the effect of above-described invention can be enjoyed.
なお、以上説明した実施の形態においては、第1および第2のグランド層2,6に形成されるメッシュ状の開口は菱形になされているが、この開口はこれに限らず他の形状になされる場合もあり、その大きさ(開口面積)も、層構成部分AおよびB内において互いに異なるものであってもよい。
しかしながら、前記開口は菱形で、層構成部分AおよびB内において同じ大きさの開口面積になされた場合の方が、信号配線4a,4bの特性インピーダンスを高精度に制御することができる点で好ましい。
In the embodiment described above, the mesh-shaped opening formed in the first and second ground layers 2 and 6 has a rhombus shape, but the opening is not limited to this and is formed in another shape. The size (opening area) may also be different within the layer constituent parts A and B.
However, the openings are diamond-shaped, and it is preferable that the opening areas have the same size in the layer components A and B because the characteristic impedances of the
また、前記した実施の形態におけるグランド層は、回路の基準電位が印加される構成になされる場合もあり、また各ディバイスの動作電源が重畳される場合もある。したがって、グランド層に印加される電位は特に限定されるものではない。 In addition, the ground layer in the above-described embodiment may be configured to be applied with a circuit reference potential, or the operation power supply of each device may be superimposed. Therefore, the potential applied to the ground layer is not particularly limited.
1 回路基板
2 グランド層
2a,2b メッシュ状開口
3 絶縁体層(ベース基材)
4 信号伝送路(信号配線)
4a,4b ペア配線
5 第2の絶縁体層
6 第2のグランド層
A 第1の層構成部分(マイクロストリップ構造部分)
B 第2の層構成部分(ストリップ構造部分)
DESCRIPTION OF
4 Signal transmission path (signal wiring)
4a, 4b Pair wiring 5 Second insulator layer 6 Second ground layer A First layer constituent part (microstrip structure part)
B Second layer component (strip structure)
Claims (5)
前記第1の層構成部分および第2の層構成部分における前記第1のグランド層には、それぞれメッシュ状の開口が施されると共に、前記第1の層構成部分における第1のグランド層の導体残存率に対して、前記第2の層構成部分における第1のグランド層の導体残存率を小さくし、第1の層構成部分と第2の層構成部分とに跨がって形成された前記信号伝送路の特性インピーダンスを制御するように構成したことを特徴とする回路基板。 The signal transmission path is disposed via the insulator layer with respect to the first ground layer, so that the first layer constituent part forming the microstrip structure and at least a part of the signal transmission path are the second part. And a second ground layer formed by superimposing a second ground layer on the second insulator layer to form a strip structure, and the signal transmission path is the first layer. A circuit board formed straddling the component part and the second layer component part,
Each of the first ground layers in the first layer constituent portion and the second layer constituent portion is provided with a mesh-shaped opening, and a conductor of the first ground layer in the first layer constituent portion. The conductor remaining ratio of the first ground layer in the second layer constituent part is reduced with respect to the residual ratio, and the first layer constituent part and the second layer constituent part are formed to extend over the residual ratio. A circuit board configured to control a characteristic impedance of a signal transmission line.
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