JP2011003721A - 太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光電変換効率に優れ、簡便な方法で安価に製造可能な太陽電池セルを得ること。
【解決手段】ＰＮ接合を有する半導体基板１の一面側にワイヤボンディング法により第１金属ワイヤ６ａを敷設するとともに前記第１金属ワイヤ６ａの少なくとも一部を前記半導体基板１の一面側に接着する第１工程と、前記半導体基板１に加熱処理を施すことにより前記第１金属ワイヤ６ａと前記半導体基板１の一面側との着設部を合金化させて前記第１金属ワイヤ６ａと前記半導体基板１の一面側とを接合して前記第１金属ワイヤ６ａからなる第１金属ワイヤ電極６を形成する第２工程と、を含む。
【選択図】図２−２

Description

本発明は、太陽電池セルおよびその太陽電池の製造方法に関する。

太陽電池の性能向上には、太陽電池を構成する太陽電池基板の内部に太陽光を効率良く取り込むことが大切である。このため、太陽電池の受光面（表面）に設けられる受光面側電極においては、光電変換効率を向上させるために、実効の受光面積を減らす要因となる受光面における電極面積を減らすことが重要である。そこで、太陽電池の受光面（表面）では、受光面積を広く確保するために、細線の導電性電極（グリッド電極）を形成する。

そして、抵抗損失を低減して光電流を効率良く収集するために、グリッド電極は、できるだけ導電率が高い材料を使いて、できる限り細く、厚く形成することが望まれる。さらに、太陽電池の製造工程においては、簡素に、安価に形成することも重要である。

太陽電池基板にグリッド電極を形成する一般的な方法は、例えば導電性物質を含んだ印刷ペーストを使用し、スクリーン印刷法で形成する方法である（たとえば、特許文献１参照）。このスクリーン印刷法を用いた方法は、簡易且つ安価にグリッド電極を形成できる方法として広く使用されている。

また、グリッド電極の形成方法としては、シリコン基板と白板強化ガラスとの間に電極としてのアルミワイヤを挟んだ状態で、ＥＶＥ樹脂を用いてシリコン基板と白板強化ガラスとを封止してアルミワイヤを固定する方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。また、グリッド電極を細線化する方法として、フォトリソグラフィによるパターニングを利用する方法がある。

特開平６−１３２５５１号公報 特開平８−３０６９４６号公報

しかしながら、特許文献１の方法では、電極を細線化する場合にスクリーン印刷版にペーストが詰まり、電極の断線やかすれが生じる、という問題がある。すなわち、スクリーン印刷によるグリッド電極の細線化には限界がある。また、特許文献２の方法では、シリコン基板と白板強化ガラスとを封止する封止材が必要なためコストアップにつながり、また構成的にも形態が限定される、という問題がある。

また、フォトリソグラフィによるパターニングを利用する方法では、フォトリソグラフィによるパターニング工程は多くの工程および材料を必要とし、工程費用が高価となる、という問題がある。したがって、この方法は、宇宙用太陽電池等の、高コストとなっても高信頼性や高効率が必要な特殊用途でのみ使用されている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、光電変換効率に優れ、簡便な方法で安価に製造可能な太陽電池セルおよびその製造方法を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、ＰＮ接合を有する半導体基板の一面側にワイヤボンディング法により第１金属ワイヤを敷設するとともに前記第１金属ワイヤの少なくとも一部を前記半導体基板の一面側に接着する第１工程と、前記半導体基板に加熱処理を施すことにより前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側との着設部を合金化させて前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側とを接合して前記第１金属ワイヤからなる第１金属ワイヤ電極を形成する第２工程と、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、半導体基板の一面側にワイヤボンディング法により第１金属ワイヤを敷設し、第１金属ワイヤと半導体基板の一面側との着設部を合金化させることで第１金属ワイヤと半導体基板の一面側とを接合して第１金属ワイヤ電極を形成するため、簡便且つ安価に第１金属ワイヤ電極を形成することが可能であり、第１金属ワイヤ電極の細線化が容易である、という効果を奏する。

図１−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの構成を示す要部斜視図である。 図１−２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの断面構成を示す要部断面図である。 図２−１は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。 図２−２は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。 図２−３は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。 図２−４は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。 図２−５は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。

以下に、本発明にかかる太陽電池セルおよびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。

実施の形態
図１−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの構成を示す要部斜視図である。図１−２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの断面構成を示す要部断面図であり、図１−１のＸ方向における要部断面図である。

本実施の形態にかかる太陽電池セルは、図１−１および図１−２に示されるように、光電変換機能を有する太陽電池基板であってｐｎ接合を有する半導体基板１と、半導体基板１の受光面側の面（おもて面）に形成されて受光面での入射光の反射を防止する絶縁膜である反射防止膜４と、半導体基板１の受光面側の面（おもて面）に着設された金属ワイヤ電極である受光面側電極５と、半導体基板１で発電された電気の取り出しと入射光の反射を目的として半導体基板１の裏面の全面に形成された裏面側電極８と、を備える。

半導体基板１は、第１導電型層であるｐ型シリコン基板２と、半導体基板１の受光面側にリン拡散によって形成された第２導電型層である不純物拡散層（ｎ型不純物拡散層）３と、によりｐｎ接合が構成されている。反射防止膜４は、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が用いられるが、これに限定されるものではない。

受光面側電極５は、太陽電池セルの第１金属ワイヤ電極であるグリッド電極６および第２金属ワイヤ電極であるバス電極７を含み、ｎ型不純物拡散層３に電気的に接続されている。グリッド電極６は、例えば第１金属ワイヤである銀ワイヤが半導体基板１の受光面側の面（おもて面）に着設されてなり、半導体基板１で発電された電気を集電するために受光面に局所的に設けられている。具体的には、グリッド電極６として、半導体基板１の受光面側の面（おもて面）において相対する一対の辺に略平行に、互いに離間した状態で複数の銀ワイヤが配置されている。

グリッド電極６と半導体基板１の受光面側の面（おもて面）との接合部には、銀ワイヤの銀と半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）のシリコンとが合金化（銀シリコン合金）した合金部９が形成されており、該合金部９を介してグリッド電極６が半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面に着設されている。

グリッド電極６を構成する銀ワイヤとしては、従来のスクリーン印刷を用いて形成されたグリッド電極よりも細線化された径である例えば１０μｍ〜７０μｍ程度の径を有する銀ワイヤが用いられており、本実施の形態にかかる太陽電池セルでは５０μｍとされている。グリッド電極６を構成する金属ワイヤは銀ワイヤに限らず、通常の太陽電池セルにおいてグリッド電極に用いられる金属材料のワイヤを用いることができる。また、グリッド電極６を構成する銀ワイヤ間の間隔は、金属ワイヤの材質、径や太陽電池セルの特性等の諸条件により任意に設定できる。

バス電極７は、太陽電池セルをモジュール化する際のタブ接続用として、グリッド電極６で集電された電気を取り出すためにグリッド電極６にほぼ直交して設けられている。バス電極７は、例えば第２金属ワイヤとして径が５０μｍの銀ワイヤが複数のグリッド電極６上に接合されている。また、接続強度を確保するため、バス電極７は、略平行に密着させて配置された２本の銀ワイヤにより構成されている。なお、バス電極７として配置する銀ワイヤの本数はこれに限定されず、任意に設定できる。また、バス電極７を構成する金属ワイヤは銀ワイヤに限らず、通常の太陽電池セルにおいて表バス電極に用いられる金属材料のワイヤを用いることができる。

また、裏面側電極８は、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなり、半導体基板１の裏面の全面に形成されている。

以上のように構成された本実施の形態にかかる太陽電池セルにおいては、直径５０μｍの銀ワイヤからなるグリッド電極６と半導体基板１の受光面側の面（おもて面）との接合部に、銀ワイヤの銀と半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）のシリコンとが合金化（銀シリコン合金）した合金部９が形成されており、該合金部９を介してグリッド電極６が半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面に着設されている。これにより、従来のスクリーン印刷を用いて形成されたグリッド電極よりも細線化されたグリッド電極６が実現されており、実効の受光面積を減らす要因となるグリッド電極６による面積の低減が抑制され、光電変換効率の向上が図られている。また、グリッド電極６は銀ワイヤを着設することで形成されているため、簡略な工程で安価に製造可能である。

また、同様に、バス電極７は、銀ワイヤがグリッド電極６上に接合されて形成されている。これにより、従来のスクリーン印刷を用いて形成されたバス電極よりも細線化されたバス電極７が実現されており、実効の受光面積を減らす要因となるバス電極７による面積の低減が抑制され、光電変換効率の向上が図られている。また、バス電極７は銀ワイヤをグリッド電極６に接合することで形成されているため、簡略な工程で安価に製造可能である。

したがって、本実施の形態にかかる太陽電池セルによれば、光電変換効率に優れ、簡便な方法で安価に製造可能な太陽電池セルが実現されている。

つぎに、このような太陽電池セルの製造方法の一例について図２−１〜図２−５を参照して説明する。図２−１〜図２−５は、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための斜視図である。

まず、半導体基板１を用意する。半導体基板１としては、例えば民生用太陽電池向けとして最も多く使用されているｐ型多結晶シリコン基板を用意する（以下、ｐ型多結晶シリコン基板１と呼ぶ場合がある）。ｐ型多結晶シリコン基板１は、溶融したシリコンを冷却固化してできた多結晶シリコンインゴットをマルチワイヤーソーでスライスして製造するため、表面にスライス時のダメージが残っている。

そこで、まずはこのダメージ層の除去も兼ねて、ｐ型多結晶シリコン基板１を、加熱したアルカリ溶液中、例えば水酸化ナトリウム水溶液に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してｐ型多結晶シリコン基板１の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く。ダメージ除去後の、ｐ型多結晶シリコン基板１の厚みは２５０μｍ、寸法は１５０ｍｍ×１５０ｍｍである。

つぎに、このｐ型多結晶シリコン基板１を熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）ガス雰囲気中、例えば８４０℃で１０分程度加熱することにより、図２−１に示すようにｐ型多結晶シリコン基板１の表面にｎ型不純物拡散層３を形成してｐ型シリコン基板２とｎ型不純物拡散層３とを作り分け、半導体ｐｎ接合を形成する。

ここで、ｎ型不純物拡散層３の形成直後の表面にはガラスを主成分とする膜が形成されているため、フッ酸等を用いて除去する。また、受光面側をレジストや耐酸性樹脂等で保護した後にフッ硝酸溶液中に半導体基板１を浸漬することにより、半導体基板１の端面と裏面側とのｎ型不純物拡散層３を除去する。

つぎに、図２−２に示すようにワイヤボンディング法を用いてグリッド電極６を形成する。ワイヤボンディング法とは、主に金属製のワイヤを用いて、一方の金属製パッドに接着し、ワイヤを導いて他方の金属製パッドに接着する方法であり、一般的に端子間の配線に使用されている。ワイヤボンディング法は様々な集積回路の外部配線等の形成に用いられ、信頼性が高く、処理が簡便である。

グリッド電極６は以下の工程により形成する。まず、グリッド電極６用に第１金属ワイヤ６ａとして径が５０μｍの銀ワイヤを用意し、並列ワイヤボンディングツール１１を使用して、半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）において相対する一対（第１の対）の辺に略平行に、互いに離間した状態で複数の銀ワイヤを敷設し、ボンディングする。

具体的には、半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）において相対する他の一対（第２の対）の辺における一方の辺の近傍から他方の辺に向かって第１金属ワイヤ６ａとしての銀ワイヤを敷設し、ボンディングする。第１金属ワイヤ６ａの敷設開始時には、一方の辺の近傍で第１金属ワイヤ６ａを半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）にボンディングする。つぎに、第１金属ワイヤ６ａを他方の辺に向かって敷設する。そして、他方の辺の近傍で第１金属ワイヤ６ａを半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）にボンディングし、最後に切断する。

ここでの、ボンディングは、次工程で、グリッド電極６用の第１金属ワイヤ６ａ全体を半導体基板１に着設させるまでの仮止めである。また、第１金属ワイヤ６ａは直線形状を有するので、ボンディング強度は小さくてもよく、ワイヤ端の精密な溶解形状形成は不要である。ボンディングは、並列ワイヤボンディングツール１１を使用して超音波および熱にて行う。

つぎに、図２−３に示すようにワイヤボンディング法を用いてバス電極７を形成する。バス電極７は以下の工程により形成する。まず、バス電極７用に第２金属ワイヤ７ａとして径が５０μｍの銀ワイヤを用意し、並列ワイヤボンディングツール１１を使用して、半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）において相対する他の一対（第２の対）の辺に略平行に、第１金属ワイヤ６ａにほぼ直交させて全ての第１金属ワイヤ６ａ上にわたって敷設し、ボンディングする。

具体的には、半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３の上面）において相対する一対（第１の対）の辺における一方の辺の近傍から他方の辺に向かって第２金属ワイヤ７ａとしての銀ワイヤを敷設し、ボンディングする。第２金属ワイヤ７ａの敷設開始時には、一方の辺の近傍で第２金属ワイヤ７ａを任意の第１金属ワイヤ６ａにボンディングする。つぎに、第２金属ワイヤ７ａを他方の辺に向かって敷設する。そして、他方の辺の近傍で第２金属ワイヤ７ａを任意の第１金属ワイヤ６ａにボンディングし、最後に切断する。

ここでの、ボンディングは、次工程で、バス電極７用の第２金属ワイヤ７ａを全ての第１金属ワイヤ６ａに着設させるまでの仮止めである。また、第２金属ワイヤ７ａは直線形状を有するので、ボンディング強度は小さくてもよく、ワイヤ端の精密な溶解形状形成は不要である。ボンディングは、並列ワイヤボンディングツール１１を使用して超音波および熱にて行う。

また、バス電極７は、太陽電池セルをモジュール化する際に半導体基板１とタブ線とを半田で接続するために設ける。このため、タブ線との接続強度を確保するために、第２金属ワイヤ７ａは複数本敷設することが好ましい。本実施の形態では、第２金属ワイヤ７ａとして２本の銀ワイヤを略平行に密着させて敷設する。なお、敷設する第２金属ワイヤ７ａの本数はこれに限定されず、任意に設定できる。

つぎに、光電変換効率改善のために、図２−４に示すようにｎ型不純物拡散層３を形成した半導体基板１の受光面側に、反射防止膜４として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する。反射防止膜４の形成には例えばプラズマＣＶＤ法を使用し、シランとアンモニアの混合ガスを用いて反射防止膜４としてシリコン窒化膜を形成する。反射防止膜４の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる２層以上の膜を積層して反射防止膜４を構成してもよい。

ここで、反射防止膜４となるシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）の成膜時の基板温度は例えば４００℃と高温である。プラズマＣＶＤ装置の成膜室に半導体基板１を導入する前に、導入室の真空引きと半導体基板１の予備加熱を行う。予備加熱は、グリッド電極６用の第１金属ワイヤ６ａ（銀ワイヤ）とバス電極７用の第２金属ワイヤ７ａ（銀ワイヤ）とが接合可能であり、且つ第１金属ワイヤ６ａ（銀ワイヤ）の銀と半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）のシリコンとが接合可能な温度で行う。これにより、第１金属ワイヤ６ａの銀ワイヤおよび第２金属ワイヤ７ａの銀ワイヤは軟化し、第１金属ワイヤ６ａと第２金属ワイヤ７ａとの着設部において接合される。

また、第１金属ワイヤ６ａである銀ワイヤと半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３）との接合部には、第１金属ワイヤ６ａと半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）のシリコンとが合金化（銀シリコン合金）した合金部９が形成され、該合金部９を介して第１金属ワイヤ６ａが半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面に着設される。以上により、グリッド電極６およびバス電極７が形成される。

反射防止膜４としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）は、第１金属ワイヤ６ａおよび第２金属ワイヤ７ａ上にも形成される。シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）の形成時、第１金属ワイヤ６ａおよび第２金属ワイヤ７ａの断面は円形もしくは円形が少し変形した形状を呈している。このため、半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３）の表面と第１金属ワイヤ６ａとの接合部付近には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）は成膜されない。なお、太陽電池セルが完成した後の太陽電池セルのモジュール化工程では、バス電極７とタブ線とを半田で接合するが、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）は電気絶縁膜であるため、第１金属ワイヤ６ａにおけるシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）が成膜されていない部分に半田を接合し、更にタブ線と接合する。

なお、ここでは、反射防止膜４としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を形成する際の予備加熱により第１金属ワイヤ６ａと第２金属ワイヤ７ａとを接合し、また第１金属ワイヤ６ａを半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面に着設しているが、第１金属ワイヤ６ａと第２金属ワイヤ７ａとをワイヤボンディング法により敷設した後、反射防止膜４の形成とは別に加熱処理を行っても良い。

つぎに、裏面側電極８の電極材料であって例えばアルミニウム、ガラス等を含む電極材料ペーストを、半導体基板１の裏面の全面にスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、大気雰囲気中において、例えば７６０℃の温度で焼成を行う。これにより、図２−５に示すように半導体基板１の裏面のほぼ全面に裏面側電極８が形成される。以上により、図１−１および図１−２に示す太陽電池セルが完成する。

以上のような本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法においては、ワイヤボンディング法を用いて第１金属ワイヤ６ａとして直径５０μｍの銀ワイヤを半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３）上に敷設した後、加熱処理を施すことにより、第１金属ワイヤ６ａと半導体基板１の受光面（ｎ型不純物拡散層３）との接合部において銀とシリコンとが合金化（銀シリコン合金）した合金部９を形成し、該合金部９を介して第１金属ワイヤ６ａを半導体基板１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面に着設し、グリッド電極６を形成することができる。

したがって、従来のスクリーン印刷を用いて形成されたグリッド電極よりも細線化されたグリッド電極６を作製することができ、実効の受光面積を減らす要因となるグリッド電極６による面積の低減を抑制して、太陽電池セルの光電変換効率の向上を図ることできる。また、銀ワイヤを着設することでグリッド電極６を形成するため、簡略な工程で安価にグリッド電極６を製造可能である。

また、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法においては、第２金属ワイヤ７ａとしての銀ワイヤを第１金属ワイヤ６ａ上に接合してバス電極７を形成する。これにより、従来のスクリーン印刷を用いて形成されたバス電極よりも細線化されたバス電極７を作製することができ、実効の受光面積を減らす要因となるバス電極７による面積の低減を抑制して、太陽電池セルの光電変換効率の向上を図ることができる。また、第２金属ワイヤ７ａをグリッド電極６に接合することでバス電極７を形成するため、簡略な工程で安価にバス電極７を製造可能である。

したがって、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法によれば、光電変換効率に優れた太陽電池セルを、簡便な方法で安価に製造することができる。

なお、上記においては、受光面側電極５の形成に本発明を適用した場合について説明したが、本発明を線状の裏面側電極の形成に適用することも可能である。また、上述した本実施の形態においては、基板上にワイヤをワイヤボンディング法によって乗せた状態（少し離れている可能性もある）とすること又はその状態を「敷設」、ワイヤボンディング法によってボンディングすること又はその状態を「接着」とする。また、加熱でワイヤを「軟化」させ、基板上まで下ろす又は下ろしきること又その直後の状態、接触した状態を「着設」とする。また、電気的に接合した状態とすること又はその状態を「接合」とする。

以上のように、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、光電変換効率に優れた太陽電池セルを簡便な方法で安価に製造する場合に有用であり、安価な太陽電池の普及は、エネルギー問題、環境問題の解決に寄与する。

１ 半導体基板
２ ｐ型シリコン基板
３ ｎ型不純物拡散層
４ 反射防止膜
５ 受光面側電極
６ グリッド電極
６ａ 第１金属ワイヤ
７ バス電極
７ａ 第２金属ワイヤ
８ 裏面側電極
９ 合金部
１１ 並列ワイヤボンディングツール

Claims (8)

1. ＰＮ接合を有する半導体基板の一面側にワイヤボンディング法により第１金属ワイヤを敷設するとともに前記第１金属ワイヤの少なくとも一部を前記半導体基板の一面側に接着する第１工程と、
   前記半導体基板に加熱処理を施すことにより前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側との着設部を合金化させて前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側とを接合して前記第１金属ワイヤからなる第１金属ワイヤ電極を形成する第２工程と、
   を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
2. 前記第１工程では、複数本の前記第１金属ワイヤをワイヤボンディング法により前記半導体基板の一面側に略平行に敷設し、さらに前記複数本の前記第１金属ワイヤ上に前記第１金属ワイヤの長手方向と交差する方向にワイヤボンディング法により第２金属ワイヤを敷設するとともに前記第２金属ワイヤの少なくとも一部を第１金属ワイヤに着設し、
   前記第２工程では、前記半導体基板に加熱処理を施すことにより前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側との着設部を合金化させて前記第１金属ワイヤと前記半導体基板の一面側とを接合するとともに、前記第１金属ワイヤと前記第２金属ワイヤとを接合して、前記第１金属ワイヤからなる第１金属ワイヤ電極および前記第２金属ワイヤからなる第２金属ワイヤ電極を形成すること、
   を特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
3. 前記半導体基板の一面側が太陽電池セルにおける受光面側であること、
   を特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池セルの製造方法。
4. 前記第１金属ワイヤが銀からなること、
   を特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
5. ＰＮ接合を有する半導体基板と、
   第１金属ワイヤからなり、該第１金属ワイヤの成分と前記半導体基板の成分とが合金化された合金部を介して前記半導体基板の一面側に接合された第１金属ワイヤ電極と、
   を備えることを特徴とする太陽電池セル。
6. 前記第１金属ワイヤ電極が前記半導体基板の一面側に略平行に複数本接合され、
   前記第１金属ワイヤの長手方向と交差する方向において第２金属ワイヤからなる第２金属ワイヤ電極が前記複数本の前記第１金属ワイヤ上に接合されていること、
   を特徴とする請求項５に記載の太陽電池セル。
7. 前記半導体基板の一面側が、太陽電池セルにおける受光面側であること、
   を特徴とする請求項５または６に記載の太陽電池セル。
8. 前記第１金属ワイヤ電極が、銀からなること、
   を特徴とする請求項５に記載の太陽電池セル。

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