JP2010500595A - Method and detector for measuring and / or judging afterglow of ceramic materials - Google Patents
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Abstract
本発明は、Eu、Tb及び/又はYb含有量を測定することによって、特にGd2O2S材料及び/又は前駆体物質のようなセラミック材料のアフターグローを測定し及び/又は判断する方法に関する。The present invention relates to a method for measuring and / or determining the afterglow of ceramic materials, in particular Gd 2 O 2 S materials and / or precursor materials, by measuring Eu, Tb and / or Yb content. .
Description
本発明は、セラミック材料、特にGd2O2S材料のアフターグローを測定する方法に関する。 The present invention relates to a method for measuring the afterglow of ceramic materials, in particular Gd 2 O 2 S materials.
高エネルギー放射線を検出するための蛍光部材は、放射線を吸収し、それを可視光に変換することができる蛍光体を含む。これにより生成されるルミネセンス発光は、例えばフォトダイオード又は光電子増倍管のような光感受性システムの助けによって、電子的に取得され、評価される。このような蛍光部材は、例えばドープされたアルカリハロゲン化物のような単結晶物質から製造されることができる。非単結晶物質が、粉末状の燐光体として、又はそこから製造されるセラミック部材の形で、用いられることができる。 Fluorescent members for detecting high energy radiation include phosphors that can absorb radiation and convert it to visible light. The luminescent emission produced thereby is obtained and evaluated electronically with the aid of a light sensitive system such as a photodiode or a photomultiplier tube. Such a fluorescent member can be manufactured from a single crystal material such as a doped alkali halide. Non-single crystalline materials can be used as powdered phosphors or in the form of ceramic members made therefrom.
10乃至200keVのX線放射線を検出するために用いられる代表的な蛍光セラミック材料は、例えばCe3+又はPr3+によってドープされる、ドープされたGd2O2Sである。しかしながら、Gd2O2Sが、「アフターグロー」として知られるルミネセンス特性を示す場合、すなわち、所望の即座の蛍光の後(使用される特定の活性体イオンの固有の発光時間によって決定される)、幾分より暗いが、より長く持続し、即座の蛍光と異なる波長で発生しうる「第2の蛍光」が、見られることができる場合、Gd2O2Sの使用は幾分減らされる。換言すれば、アフターグローは、シンチレータのX線光子露呈をオフにされたのち、静止シンチレータ信号の非瞬間的な反応として規定されることができる。この残留信号は、ラグと呼ばれることがあり、又はアフターグローと呼ばれることも多い。アフターグローは、検査下、シンチレータ材料の静止信号に対する相対値として与えられ、通常、X線パルスの終了後の時間の関数として評価される。CTにおいて、アフターグロー信号の関連する時間ドメインは、0.1msから2sの間であり、他方、値は、アーチファクトのないCT画像を確実にするために、5msでは300ppmよりも、0.5sでは20ppmよりも十分低くなければならない。アフターグローは、CTアプリケーションにおいて、シンチレータの重要な性能基準の1つである。 A typical fluorescent ceramic material used to detect 10-200 keV x-ray radiation is doped Gd 2 O 2 S, for example doped with Ce 3+ or Pr 3+ . However, if Gd 2 O 2 S exhibits a luminescent property known as “afterglow”, ie after the desired immediate fluorescence (determined by the specific emission time of the particular activator ion used ) Use of Gd 2 O 2 S is somewhat reduced if a “second fluorescence” can be seen that is somewhat darker but lasts longer and can occur at a wavelength different from the immediate fluorescence . In other words, afterglow can be defined as a non-instantaneous response of a stationary scintillator signal after the scintillator X-ray photon exposure is turned off. This residual signal is sometimes referred to as lag, or often referred to as afterglow. The afterglow is given as a relative value to the stationary signal of the scintillator material under examination and is usually evaluated as a function of time after the end of the X-ray pulse. In CT, the associated time domain of the afterglow signal is between 0.1 ms and 2 s, while the value is less than 300 ppm at 5 ms and 0.5 s to ensure an artifact-free CT image. Must be well below 20 ppm. Afterglow is one of the key performance criteria for scintillators in CT applications.
本発明の第1の目的は、Gd2O2S材料のアフターグローが効果的に測定されることができる方法を提供することである。 The first object of the present invention is to provide a method by which the afterglow of Gd 2 O 2 S material can be effectively measured.
この目的は、本発明の請求項1により、セラミック材料によって解決される。従って、Gd2O2S:M蛍光セラミック材料のアフターグローを測定し及び/又は判断する方法であって、Mが、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループ及び/又は前記セラミック材料の前駆体物質から選択される少なくとも1つの成分を表す、方法が提供される。それによって、アフターグローは、前記蛍光セラミック材料及び/又は前駆体物質において、Eu、Tb及び/又はYb濃度を測定することによって、測定され及び/又は判断される。
This object is solved by a ceramic material according to
驚くべきことに、本願発明者は、Gd2O2S材料のアフターグローを、前記材料中のEu、Tb及び/又はYb濃度を測定することによって、測定し及び/又は判断することが可能であることを見い出した。更に、本願発明者は、本発明の範囲内の広範囲のアプリケーションについて、前記Gd2O2S材料の前駆体物質中のEu、Tb及び/又はYb濃度を測定することによって、Gd2O2S材料のアフターグローを測定し及び/又は判断することが可能であることを見い出した。 Surprisingly, the inventor can measure and / or determine the afterglow of a Gd 2 O 2 S material by measuring the Eu, Tb and / or Yb concentration in the material. I found something. Furthermore, the present inventor, for a wide range of applications within the scope of the present invention, the Gd 2 O 2 S Eu precursor substance of the material, by measuring the Tb and / or Yb concentration, Gd 2 O 2 S It has been found that the afterglow of the material can be measured and / or determined.
本発明の意味において「前駆体物質」なる語は、Gd2O2S材料が生成される材料を意味し及び/又は含む。前駆体物質の非限定的な例の列挙は、GdCl3、GdBr3、GdI3、Gd(NO3)3、Gd2(SO4)3 GdF3、Gd2S3、Gd2O3、Gd2(CO3)3、Gd2(C2O4)3、及びPr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループから選択される金属Mの個々の塩類を含む。 The term “precursor material” in the sense of the present invention means and / or includes the material from which the Gd 2 O 2 S material is produced. A list of non-limiting examples of precursor materials is GdCl 3 , GdBr 3 , GdI 3 , Gd (NO 3 ) 3 , Gd 2 (SO 4 ) 3 GdF 3 , Gd 2 S 3 , Gd 2 O 3 , Gd 2 (CO 3 ) 3 , Gd 2 (C 2 O 4 ) 3 , and individual salts of metal M selected from the group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho.
いかなる特定の理論にも制限されずに、本願発明者は、Gd2O2S材料のアフターグローを引き起こす際のEuの多くの役割が少なくとも以下のメカニズムに起因することを確信する: Without being limited to any particular theory, the inventor believes that many roles of Eu in causing afterglow of Gd 2 O 2 S materials are due to at least the following mechanisms:
蛍光セラミック材料の処理中、三価イオンの形で通常存在するGd2O2Sにおける金属Mの部分は、式Iによって表されるように酸化される:
M3+ −> M4+ + e− (I)
During processing of the fluorescent ceramic material, the portion of the metal M in Gd 2 O 2 S that is normally present in the form of trivalent ions is oxidized as represented by Formula I:
M 3+ −> M 4+ + e − (I)
Mが、(本発明の好適な実施例である)プラセオジミウムである場合、この方程式は、式Iaのように示される:
Pr3+ −> Pr4+ + e− (Ia)
When M is praseodymium (which is a preferred embodiment of the present invention), this equation is shown as Formula Ia:
Pr 3+ -> Pr 4+ + e - (Ia)
式I(又はIa)によってリリースされる電子の一部は、式IIに示されるようにユウロピウムと反応する:
Eu3+ + e− −> Eu2+ (II)
Some of the electrons released by Formula I (or Ia) react with Europium as shown in Formula II:
Eu 3+ + e − −> Eu 2+ (II)
これらのEu2+イオンは、ホールの捕獲によって、更に酸化され、Eu3+イオンに戻る。しかしながら、これらEu3+イオンは、励起状態にあり、その後範囲580―640nmでのその最も顕著な発光を伴う約400―750nmの波長範囲の光(いくつかの発光ライン)を放出し、これは、Pr3+発光スペクトル(式III)との相当な重なりを示す。
h+ + Eu2+ −> Eu3+ + hν (400−750nm)(III)
これは、セラミック材料の望ましくないアフターグローをもたらす。
These Eu 2+ ions are further oxidized by hole trapping and return to Eu 3+ ions. However, these Eu 3+ ions are in an excited state and then emit light in the wavelength range of about 400-750 nm (several emission lines) with its most prominent emission in the range 580-640 nm, A substantial overlap with the Pr 3+ emission spectrum (formula III) is shown.
h + + Eu 2 + -> Eu 3+ + hν (400-750 nm) (III)
This results in an undesirable afterglow of the ceramic material.
対照的に、Tbによるアフターグロー寄与は、Euに関して記述されたメカニズムによって生じるのではない。ここで、励起されたTbイオンの固有の崩壊が、優勢な役割を果たす。これは、アフターグロー信号の関連する時間ドメインが、10ms以下であることを示し、こうして、いわゆる短期間のアフターグロードメイン(<20ms)のみに影響を及ぼす。 In contrast, the afterglow contribution by Tb is not caused by the mechanism described for Eu. Here, the intrinsic decay of the excited Tb ions plays a dominant role. This indicates that the associated time domain of the afterglow signal is 10 ms or less, thus only affecting the so-called short-term afterglow domain (<20 ms).
しかしながら、Ybの場合、本願発明者は、メカニズムが、Euと同様であり、CTに関連する完全な時間ドメイン(0.1ms乃至2s)における望ましくないアフターグローにつながる大きな影響を有すると確信する。 However, in the case of Yb, the inventor believes that the mechanism is similar to Eu and has a significant impact that leads to undesirable afterglow in the full time domain (0.1 ms to 2 s) associated with CT.
実際、Ybは、式IVに示されるように、式IIIに見られるEuの反応と同様に、反応する:
h+ + Yb2+ −> Yb3+ + hν (約980nm) (IV)
In fact, Yb reacts similarly to the Eu reaction found in Formula III, as shown in Formula IV:
h + + Yb 2+ −> Yb 3+ + hν (about 980 nm) (IV)
本発明の好適な実施例によれば、本発明による方法は、時間遅延されるスペクトロスコピーを含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the method according to the present invention includes time-delayed spectroscopy.
本発明の意味における「時間遅延されるスペクトロスコピー」なる語は、特に、時間T0におけるセラミック材料及び/又は前駆体物質の励起の終了及び時間T1後の測定の遅延される開始を意味し及び/又は含む。 The term “time-delayed spectroscopy” in the sense of the present invention means in particular the end of excitation of the ceramic material and / or precursor material at time T 0 and the delayed start of measurement after time T 1. And / or include.
本発明の好適な実施例により、時間T0は、(Pr3+及び/又はEu3+、Yb3+、その他の)発光を励起するレーザパルスの強度が、その最も高い強度の1%より低い時間をさし、これは、T0が、任意の遅延される発光プロセスの開始点として規定されることを意味する。 The preferred embodiment of the present invention, the time T 0 is the (Pr 3+ and / or Eu 3+, Yb 3+, other) the intensity of the laser pulses for exciting the emission is lower time than 1% of the highest intensity Now, this means that T 0 is defined as the starting point for any delayed light emission process.
本実施例において、特に好適には、レーザパルス波形及び特にその立ち下がりエッジは、例えば99%の強度レベル及び1%の強度レベルに対応するタイムスタンプによって規定される時間差が、任意の関連する固有又は遅延される発光プロセスより小さいように、選択されなければならない。この時間差は、好適には、適当な時間だけ遅延される分光フィンガープリント測定を確実にするために、最も速い発光減衰時間の1%より小さい。 In this embodiment, it is particularly preferred that the laser pulse waveform and in particular its falling edge has a time difference defined by a time stamp corresponding to, for example, a 99% intensity level and a 1% intensity level, and any associated inherent characteristic. Or it must be chosen to be smaller than the delayed luminescence process. This time difference is preferably less than 1% of the fastest emission decay time to ensure spectroscopic fingerprint measurements delayed by an appropriate time.
T1は、例えばCCDカメラを使用する時間遅延されるスペクトロスコピー測定が開始される時間であり、T2は、測定が止められる時間である。 T 1 is, for example, a time spectroscopy measurements are time delays using the CCD camera is initiated, T 2 is the measurement is stopped time.
本発明の好適な実施例によれば、測定は、370nm以上1100nm以下、好適には600nm以上1050nm以下の波長範囲の材料の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the measurement includes measuring the emission of a material in the wavelength range of 370 nm to 1100 nm, preferably 600 nm to 1050 nm.
本発明の好適な実施例によれば、T1―T0は、1μs以上1000μs以下であり、好適には20μs以上500μs以下である。これは、本発明の範囲内の広範囲なアプリケーションについて、アフターグローの測定又は判断の正確さを増加させる。 According to a preferred embodiment of the present invention, T 1 -T 0 is not less than 1 μs and not more than 1000 μs, preferably not less than 20 μs and not more than 500 μs. This increases the accuracy of afterglow measurement or judgment for a wide range of applications within the scope of the present invention.
好適な実施例によれば、広範囲なアプリケーションにおいて、T1―T0は、直接の(遅延されない)Pr3+発光の検出を妨げるように少なくとも20μsであることが有利であり、そうでない場合、他のいかなる発光プロセスをも大いに支配することが分かった。 According to a preferred embodiment, in a wide range of applications, T 1 -T 0 is advantageously at least 20 μs to prevent detection of direct (non-delayed) Pr 3+ emission, otherwise It has been found that it dominates any luminescence process.
本発明の好適な実施例によれば、時間遅延されるスペクトロスコピーは、100nm以上300nm以下、好適には240nm以上270nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の励起を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the time-delayed spectroscopy can excite a ceramic material or precursor material having at least one wavelength in the wavelength region of 100 nm to 300 nm, preferably 240 nm to 270 nm. Including.
本発明の好適な実施例によれば、時間遅延されるスペクトロスコピーは、時間T2後に止められ、ここで、T2―T1は、500ms以上であり、好適には1s以上である。 According to a preferred embodiment of the invention, the time delayed spectroscopy is stopped after time T 2 , where T 2 −T 1 is 500 ms or more, preferably 1 s or more.
本発明の好適な実施例によれば、時間遅延されるスペクトロスコピーは、時間T2後に止められ、ここで、T2―T1は、2s以下であり、好適には1.5s以下であり、より好適には1s以下である。 According to a preferred embodiment of the invention, the time delayed spectroscopy is stopped after time T 2 , where T 2 −T 1 is 2 s or less, preferably 1.5 s or less. More preferably, it is 1 s or less.
本発明の広範囲なアプリケーション内で、上述したようにT2を選択することは、十分な情報が集められることができるので、実際に有利であるが、T2があまりに長いと、信号/雑音比が不利に低下しうることが分かった。 Within the broad application of the present invention, selecting T 2 as described above is actually advantageous because sufficient information can be gathered, but if T 2 is too long, the signal / noise ratio Has been found to be disadvantageous.
本発明の他の実施例によれば、更に、レーザ励起中の発光スペクトルが、Pr3+発光スペクトルをも決定するために測定されることができることに注意すべきである。しかしながら、このスペクトルは、多くのアプリケーションにおいて、例えばEu3+、Yb3+等の小さい寄与をも含む。時間遅延される発光スペクトル及びPr発光スペクトルを測定したのち、定量的情報を得るために、これらのスペクトルのこれらの発光バンドの強度比率を解析することもできる。上述したように、T1―T0は、他の洞察(遅延時間の関数としての強度比率)を得るために使用されることもできる。 It should further be noted that according to another embodiment of the present invention, the emission spectrum during laser excitation can be measured to also determine the Pr 3+ emission spectrum. However, this spectrum also includes small contributions such as Eu 3+ , Yb 3+ etc. in many applications. After measuring the time-delayed emission spectrum and the Pr emission spectrum, the intensity ratio of these emission bands of these spectra can also be analyzed to obtain quantitative information. As mentioned above, T 1 -T 0 can also be used to obtain other insights (intensity ratio as a function of delay time).
本発明の好適な実施例によれば、方法は、時間分解分光法を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the method includes time-resolved spectroscopy.
「時間分解分光法」なる語は、特に、特定の時間にわたる連続的な測定を意味し及び/又は含み、特定の時間は、好適には50μs以上1s以下であり、より好適には100μs以上500ms以下である。 The term “time-resolved spectroscopy” particularly means and / or includes a continuous measurement over a specific time, the specific time being preferably not less than 50 μs and not more than 1 s, more preferably not less than 100 μs and not more than 500 ms. It is as follows.
本発明の好適な実施例によれば、時間分解分光法は、特にEu濃度及び対応するアフターグロー寄与を決定するために、600nm以上650nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the time-resolved spectroscopy is a ceramic material or precursor having at least one wavelength in the wavelength region from 600 nm to 650 nm, in particular to determine the Eu concentration and the corresponding afterglow contribution. Includes measurement of luminescence of body material.
本発明の好適な実施例によれば、時間分解分光法は、特にYb濃度及び対応するアフターグロー寄与を決定するために、930nm以上1100nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the time-resolved spectroscopy is a ceramic material or precursor having at least one wavelength in the wavelength range from 930 nm to 1100 nm, in particular to determine the Yb concentration and the corresponding afterglow contribution. Includes measurement of luminescence of body material.
本発明の好適な実施例によれば、時間分解分光法は、Tb濃度及び対応するアフターグロー寄与を決定するために、370nm以上570nm以下(より好適には530nm乃至560nm)の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, time-resolved spectroscopy is performed at least 1 in the wavelength region from 370 nm to 570 nm (more preferably from 530 nm to 560 nm) in order to determine the Tb concentration and the corresponding afterglow contribution. Including the measurement of the emission of a ceramic material or precursor material having two wavelengths.
本発明の範囲内の広範囲のアプリケーションによれば、Eu、Tb及び/又はYbの決定のための上述の領域は、他のPr3+発光ラインからのいかなる付加的な寄与も排除され又は無視されることができるように選択されることに注意すべきである。このようにして、(例えば時間遅延されるEu3+、Tb3+及び/又はYb3+発光によって生じる)アフターグロー信号の強度は、時間分解されるアフターグロー曲線を得るために、正規化群としてPr3+発光強度を使用して、いつでも測定されることができる。 According to a wide range of applications within the scope of the present invention, the above-mentioned region for the determination of Eu, Tb and / or Yb eliminates or ignores any additional contribution from other Pr 3+ emission lines. It should be noted that it is chosen so that it can. In this way, the intensity of the afterglow signal (eg caused by time-delayed Eu 3+ , Tb 3+ and / or Yb 3+ luminescence) is obtained as a normalized group Pr 3+ to obtain a time-resolved afterglow curve. The luminescence intensity can be measured at any time.
本発明の他の及びその範囲において好適な実施例によれば、使用される情報は、同様に時間の関数としての検査されたスペクトル領域の強度比率である。 According to another and preferred embodiment of the invention, the information used is also the intensity ratio of the examined spectral region as a function of time.
本発明の好適な実施例によれば、時間分解分光法は、100nm以上300nm以下、好適には240nm以上270nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の励起を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the time-resolved spectroscopy comprises excitation of a ceramic material or precursor material having at least one wavelength in the wavelength region of 100 nm to 300 nm, preferably 240 nm to 270 nm.
本発明の好適な実施例によれば、方法は、連続励起スペクトロスコピーを含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the method includes continuous excitation spectroscopy.
「連続励起スペクトロスコピー」なる語は、特に、特定の異なる波長領域におけるセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を意味し及び/又は含み、それらの測定は、Eu、Tb及び/又はYb濃度を得るために、互いに比較される。「連続励起スペクトロスコピー」なる語は、特に、連続的な光源が使用されることを意味し及び/又は含み、再び、光子エネルギーは、励起がバンドギャップを介するように選択される。発光スペクトルは、例えばCCDカメラを介して測定される。 The term “continuous excitation spectroscopy” means and / or includes, in particular, the measurement of the emission of ceramic materials or precursor substances in specific different wavelength ranges, which measurement includes the Eu, Tb and / or Yb concentration. Compared to each other to get. The term “continuous excitation spectroscopy” specifically means and / or includes that a continuous light source is used, and again the photon energy is selected such that the excitation is through the band gap. The emission spectrum is measured, for example, via a CCD camera.
本発明の好適な実施例によれば、連続励起スペクトロスコピーは、特にEu濃度を決定し、対応するアフターグロー寄与を判断するために、600nm以上650nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the continuous excitation spectroscopy is a ceramic having at least one wavelength in the wavelength region from 600 nm to 650 nm, in particular to determine the Eu concentration and to determine the corresponding afterglow contribution. Includes measurement of luminescence of material or precursor material.
本発明の好適な実施例によれば、連続励起スペクトロスコピーは、特にYb濃度を決定し、対応するアフターグロー寄与を判断するために、930nm以上1050nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, the continuous excitation spectroscopy is a ceramic having at least one wavelength in the wavelength range from 930 nm to 1050 nm, in particular to determine the Yb concentration and to determine the corresponding afterglow contribution. Includes measurement of luminescence of material or precursor material.
本発明の好適な実施例によれば、連続励起スペクトロスコピーは、Tb濃度を決定し、対応するアフターグロー寄与を判断するために、370nm以上570nm以下の波長領域に、より好適には530nm以上560nm以下の波長領域に、少なくとも1つの波長を有するセラミック材料又は前駆体物質の発光の測定を含む。 According to a preferred embodiment of the present invention, continuous excitation spectroscopy is performed in the wavelength region of 370 nm to 570 nm, more preferably 530 nm to 560 nm, in order to determine the Tb concentration and to determine the corresponding afterglow contribution. The following wavelength regions include measurement of the emission of a ceramic material or precursor material having at least one wavelength.
本発明は更に、Gd2O2S:M蛍光セラミック材料のアフターグローを測定する検出器であって、Mが、上で記述される方法の1又は複数を使用してPr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループ及び/又は前記セラミック材料の前駆体物質から選択される少なくとも1つの成分を表す、検出器に関する。 The present invention further provides a detector for measuring the afterglow of a Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material, wherein M is Pr, Dy, Sm, using one or more of the methods described above. It relates to a detector which represents at least one component selected from the group of Ce, Nd and / or Ho and / or a precursor material of said ceramic material.
本発明の一実施例によれば、検出器は、好適には時間ゲートされるスペクトル可変の検出レンジを有するCCDベースの検出器及び/又はYAGベースのレーザのようなレーザを有する。 According to one embodiment of the present invention, the detector preferably comprises a laser such as a CCD-based detector and / or a YAG-based laser with a spectrally variable detection range that is time-gated.
本発明は、更に、検出器の使用及び/又は以下のシステムの1又は複数における上述した方法のいずれかの使用に関する:
−医用イメージングに適応されたシステム。
−Gd2O2S:M蛍光セラミック材料の品質を判断するシステム。Mは、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループ及び/又は前駆体物質から選択される少なくとも1つの成分を表す。
−Gd2O2S:M蛍光セラミック材料を製造するシステム。Mは、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループから選択される少なくとも1つの成分を表す。
The invention further relates to the use of the detector and / or the use of any of the methods described above in one or more of the following systems:
-A system adapted for medical imaging.
A system for judging the quality of Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic materials. M represents at least one component selected from the group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho and / or precursor materials.
A system for producing a Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material. M represents at least one component selected from the group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho.
上述したコンポーネント、請求項に記載のコンポーネント、及び記述される実施例において本発明に従って使用されるコンポーネントは、関係のある分野で知られている選択基準が、制限なく適用されることができるように、それらのサイズ、形状、材料選択及び技術的概念に関していかなる特別な例外も受けない。 The components described above, the claimed components, and the components used in accordance with the present invention in the described embodiments are such that selection criteria known in the relevant field can be applied without limitation. , Without any special exceptions regarding their size, shape, material selection and technical concepts.
本発明の目的の付加的な詳細、特性及び利点は、従属請求項、図面、及び本発明による検出器の好適な実施例を例示として示す個々の図面及び例示の以下の記述に開示される。 Additional details, characteristics and advantages of the object of the invention are disclosed in the dependent claims, the figures and the following description of the individual drawings and examples which show by way of example preferred embodiments of the detector according to the invention.
図1は、本発明の第1の実施例による、a)レーザパルスを使用したI時間遅延されるスペクトロスコピー(上図)、及びb)レーザを使用して励起されたプローブの発光(下図)について、強度対時間の2つの非常に概略的な図を示している。両方の曲線が非常に概略的であり、時間遅延されるスペクトロスコピープロセスを例示するために使用されるだけであることが強調されるべきである。 FIG. 1 shows a) I time-delayed spectroscopy using a laser pulse (top), and b) emission of a probe excited using a laser, according to a first embodiment of the invention (bottom). Shows two very schematic diagrams of intensity versus time. It should be emphasized that both curves are very schematic and are only used to illustrate a time delayed spectroscopy process.
図1において、時間T0は、レーザパルスの強度(その強度は上側の図に示される)は、その最も高い強度の1%より小さい時間に示され、T0が、任意の遅延される発光プロセスについて開始点として規定されることを意味する。「99%」―強度―時間は、「T―1」として示される。 In FIG. 1, time T 0 is shown when the intensity of the laser pulse (its intensity is shown in the upper diagram) is less than 1% of its highest intensity, and T 0 is any delayed emission. It is defined as the starting point for the process. “99%” — intensity—time is indicated as “T- 1 ”.
本実施例において、レーザパルス波形及び特にその立ち下がりエッジは、例えば99%の強度レベル(「T−1」)及び1%の強度レベル「T0」に対応するタイムスタンプによって規定される時間差が、プローブの任意の関連する固有又は遅延される発光プロセスよりも小さくなるように、選択された。 In this embodiment, the laser pulse waveform and in particular edge falling its falling, for example the time difference is defined by the time stamp corresponding to the 99% intensity level ( "T -1") and 1% of the intensity level "T 0" is The probe was chosen to be smaller than any associated intrinsic or delayed luminescence process.
時間インジケータ「T1」及び「T2」は、測定が開始され、止められるときを示す。しかしながら、図1は、非常に概略的であり、T2はほとんどのアプリケーションにおいてもっと長いことに注意すべきである。 The time indicators “T 1 ” and “T 2” indicate when the measurement is started and stopped. However, Figure 1 is a highly schematic, T 2 should be more attention to long for most applications.
図2は、時間遅延されるスペクトロスコピーによって測定される第1のGOS粉末の発光スペクトルを示している。時間の遅延(=T1―T0)は、266nmの波長領域においてレーザパルス後の10msである。T0は、図1に記述されるようにセットされた。 FIG. 2 shows the emission spectrum of the first GOS powder measured by time-delayed spectroscopy. The time delay (= T 1 −T 0 ) is 10 ms after the laser pulse in the wavelength region of 266 nm. T 0 was set as described in FIG.
スペクトルから、Eu含有量が非常に低く(すなわち<1ppmEu)、その一方で、Tb(540nm付近でピーク)の小さい含有量があることが得られうる。図4に示すように、このTb含有量は、10ms以下の時間ドメインのアフターグロー(短期間のアフターグロー)をもたらす。 From the spectrum, it can be obtained that the Eu content is very low (ie <1 ppm Eu), while there is a small content of Tb (peak near 540 nm). As shown in FIG. 4, this Tb content results in a time domain afterglow of 10 ms or less (short-term afterglow).
図3は、時間遅延されるスペクトロスコピーによって測定される異なるGOS粉末の発光スペクトルを示す。再び、時間遅延(=T1―T0)は、266nmの波長領域においてレーザパルス後の10msである。T0は、図1に記述されるようにセットされた。 FIG. 3 shows the emission spectra of different GOS powders measured by time-delayed spectroscopy. Again, the time delay (= T 1 −T 0 ) is 10 ms after the laser pulse in the 266 nm wavelength region. T 0 was set as described in FIG.
スペクトルから、Eu含有量がほぼ10ppmであることが得られうる。 From the spectrum, it can be obtained that the Eu content is approximately 10 ppm.
図2及び図3の強度は、強度を直接に比較することができないことに注意すべきである。図3において、620―630nm及び700nm付近のEu発光ピークは、540nm付近の小さいTb寄与よりはるかに高く、これは、図2のGOS粉末と同様に、わずか10ms(短期間のアフターグロー)以下の時間ドメインのアフターグローをもたらす。 It should be noted that the intensities in FIGS. 2 and 3 cannot be directly compared. In FIG. 3, the Eu emission peaks near 620-630 nm and 700 nm are much higher than the small Tb contribution near 540 nm, which is just under 10 ms (short-term afterglow), similar to the GOS powder of FIG. Bring time domain afterglow.
図4は、図2及び図3のGOS粉末から生成される2つのGOSセラミックのアフターグロースペクトルを示す。2つのGOSセラミックは、欧州特許出願公開第05110054.3号公報に従って、GOS粉末から生成された。この公報の内容は、参照によってここに盛り込まれるものとする。 FIG. 4 shows the afterglow spectra of two GOS ceramics produced from the GOS powders of FIGS. Two GOS ceramics were produced from GOS powder according to EP-A-0 511 0054.3. The contents of this publication are incorporated herein by reference.
図4において、図2のGOS粉末から作られたGOSセラミックのアフターグロースペクトラムは、ドット記号(「・」)によって示されており、図3のGOS粉末から作られたGOSセラミックのアフターグロースペクトラムは、プラス記号(「+」)によって示されている。 In FIG. 4, the afterglow spectrum of the GOS ceramic made from the GOS powder of FIG. 2 is indicated by a dot symbol (“•”), and the afterglow spectrum of the GOS ceramic made from the GOS powder of FIG. , Indicated by a plus sign (“+”).
より低いEu含有量を有する粉末から作られるGOSセラミックが、著しく低いアフターグローを有することが分かる。実際、このセラミックだけが、許容できると考えられる。 It can be seen that GOS ceramics made from powders with lower Eu content have a significantly lower afterglow. In fact, only this ceramic is considered acceptable.
しかしながら、両方のGOSセラミックが、少量のTbが混ざった粉末から作られたという事実により、1ms付近(アフターグロー曲線の異なる傾斜)のタイムゾーンに目に見えるアフターグロー曲線のわずかな増加がある。しかしながら、両方のセラミックにおいて、Tb含有量は、許容できないアフターグローを引き起こさないように十分少ないが、本発明によれば、この短期間のアフターグローは、同様に測定されることができ及び/又は判断されることができる。 However, due to the fact that both GOS ceramics were made from powder mixed with a small amount of Tb, there is a slight increase in afterglow curve visible in the time zone around 1 ms (different slope of afterglow curve). However, in both ceramics, the Tb content is low enough not to cause unacceptable afterglow, but according to the invention, this short-term afterglow can be measured as well and / or Can be judged.
図4において、(アフターグローを示すことを妨げる)測定装置の効果が、600μs以下のアフターグロー曲線の形状を支配することに注意すべきである。 In FIG. 4, it should be noted that the effect of the measuring device (which prevents showing afterglow) dominates the shape of the afterglow curve below 600 μs.
本発明においては、許容できるGOSセラミックは、0.5s後の20*10―6より低いアフターグローを有するものとして規定される。このポイントは、図4の2本の太線によって示されている。図2の粉末から作られたGOSセラミックだけが許容でき、他のGOSセラミックは許容できないことが明らかに分かる。 In the present invention, an acceptable GOS ceramic is defined as having an afterglow lower than 20 * 10 −6 after 0.5 s. This point is indicated by the two thick lines in FIG. It can clearly be seen that only GOS ceramics made from the powder of FIG. 2 are acceptable and other GOS ceramics are not acceptable.
従って、本発明の範囲内の広範囲なアプリケーションについて、単にGd2O2S:M蛍光セラミック材料のEu、Tb及び/又はYb含有量の測定から、このGd2O2S:M蛍光セラミック材料が許容できるアフターグローを有するか否かを識別することが可能であり、ここで、Mは、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループ及び/又は前記セラミック材料の前駆体物質から選択される少なくとも1つの成分を表す。 Thus, for a wide range of applications within the scope of the present invention, simply Gd 2 O 2 S: from measurements of Eu in M fluorescent ceramic material, Tb and / or Yb content, the Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material It is possible to identify whether it has an acceptable afterglow, where M is from a group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho and / or a precursor material of said ceramic material Represents at least one selected component.
本発明の範囲内の広範囲なアプリケーションについて、前駆体物質のEu、Tb及び/又はYb含有量から、最終的なGd2O2S:M蛍光セラミック材料のアフターグローを推定することが可能であるので、これらのGd2O2S:M蛍光セラミック材料の生産の有効性及び/又は歩留まりを大いに増加させることが可能である。 For a wide range of applications within the scope of the present invention, the afterglow of the final Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material can be estimated from the Eu, Tb and / or Yb content of the precursor material. As such, the production effectiveness and / or yield of these Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic materials can be greatly increased.
図5は、本発明の他の実施例による、検出器1の非常に概略的な図を示している。検出器は、特徴付けられるべき材料20に向けて、λ=1064nmの波長を有する光を発するNd:YAG―レーザ10を有する。光路には、波長をλ=266nmに変更する周波数4倍ユニット15が設けられる。材料20のスペクトルは、トリガユニット30によって同期されるCCD検出器40によって特徴付けられる。CCD検出器は、時間ゲートされるスペクトル可変の検出レンジを備える。最後に、データは、コンピュータ50によって集められ、解析される。
FIG. 5 shows a very schematic view of the
上述の詳細な実施例の構成要素及びフィーチャの特定の組み合わせは、例示に過ぎない;これらの教示の、本願明細書及び参照によって盛り込まれる特許明細書/アプリケーションの中の他の教示との交換及び置き換えもまた、明白に企図される。当業者には理解されるであろうが、本願明細書に記述されていることの変形、変更及び他の実現が、請求項に記載される本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲で当業者には思いつくであろう。従って、前述の説明は、例示にすぎず、制限することを意図するものではない。本発明の範囲は、添付の請求項及びそれと等価なものにおいて規定される。更に、詳細な説明及び請求項において使用される参照記号は、請求項に記載される本発明の範囲を制限しない。 The specific combinations of components and features of the detailed examples described above are exemplary only; the exchange of these teachings with other teachings in this specification and patent specifications / applications incorporated by reference and Replacement is also explicitly contemplated. Those skilled in the art will recognize that variations, modifications, and other implementations of what is described herein do not depart from the spirit and scope of the invention as described in the claims. Would come up with. Accordingly, the foregoing description is by way of example only and is not intended as limiting. The scope of the present invention is defined in the appended claims and equivalents thereof. Furthermore, reference signs used in the detailed description and claims do not limit the scope of the invention as recited in the claims.
Claims (10)
前記時間遅延されるスペクトロスコピーは、時間T2後に止められ、ここで、T2―T1は、500ms以上、好適には1s以上である、請求項1又は2に記載の方法。 The time delayed spectroscopy includes the end of excitation of the ceramic material or precursor material at time T 0 and the delayed start of the measurement after time T 1 , where T 1 -T 0 is , 15 μs or more and 1000 μs or less,
Spectroscopy to be the time delay is stopped after a time T 2, where, T 2 -T 1 is 500 ms or more, preferably at least 1s, the method according to claim 1 or 2.
特に前記Eu濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、600nm以上650nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含み、及び/又は
特に前記Yb濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、930nm以上1050nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含み、及び/又は
特に前記Tb濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、370nm以上570nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含む、
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。 The time-resolved spectroscopy is
In particular, to determine the Eu concentration and the afterglow contribution, including emission of the ceramic material or precursor material having at least one wavelength in the wavelength region of 600 nm to 650 nm and / or in particular the Yb concentration and the afterglow In order to determine the contribution, including the emission of the ceramic material or precursor substance having at least one wavelength in the wavelength region of 930 nm to 1050 nm and / or in particular to determine the Tb concentration and afterglow contribution, Including emission of the ceramic material or precursor substance having at least one wavelength in a wavelength region of 370 nm or more and 570 nm or less,
6. A method according to any one of claims 1-5.
特に前記Eu濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、600nm以上650nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含み、及び/又は
特に前記Yb濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、930nm以上1050nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含み、及び/又は
特に前記Tb濃度及びアフターグロー寄与を決定するために、370nm以上570nm以下の波長領域に少なくとも1つの波長を有する前記セラミック材料又は前駆体物質の発光を含む、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法。 The continuous excitation spectroscopy is
In particular, to determine the Eu concentration and the afterglow contribution, including emission of the ceramic material or precursor material having at least one wavelength in the wavelength region of 600 nm to 650 nm and / or in particular the Yb concentration and the afterglow In order to determine the contribution, including the emission of the ceramic material or precursor substance having at least one wavelength in the wavelength region of 930 nm to 1050 nm and / or in particular to determine the Tb concentration and afterglow contribution, Including emission of the ceramic material or precursor substance having at least one wavelength in a wavelength region of 370 nm or more and 570 nm or less,
The method according to any one of claims 1 to 7.
−医用イメージングに適応されたシステムと、
−Gd2O2S:M蛍光セラミック材料の品質を判断するシステムであって、Mが、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループ及び/又は前駆体物質から選択される少なくとも1つの成分である、システムと、
−Gd2O2S:M蛍光セラミック材料を製造するシステムであって、Mが、Pr、Dy、Sm、Ce、Nd及び/又はHoのグループから選択される少なくとも1つの成分を表す、システムと、
のうち1又は複数における請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法の使用。 Use of a detector according to claim 9, and / or a system adapted for medical imaging;
A system for determining the quality of a Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material, wherein M is at least selected from the group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho and / or precursor materials One component, the system;
A system for producing a Gd 2 O 2 S: M fluorescent ceramic material, wherein M represents at least one component selected from the group of Pr, Dy, Sm, Ce, Nd and / or Ho; ,
Use of the method according to any one of claims 1 to 8 in one or more of the above.
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