JP2009188060A - Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2009188060A
JP2009188060A JP2008024445A JP2008024445A JP2009188060A JP 2009188060 A JP2009188060 A JP 2009188060A JP 2008024445 A JP2008024445 A JP 2008024445A JP 2008024445 A JP2008024445 A JP 2008024445A JP 2009188060 A JP2009188060 A JP 2009188060A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
liquid
substrate
exposure light
optical path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008024445A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasufumi Nishii
康文 西井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2008024445A priority Critical patent/JP2009188060A/en
Publication of JP2009188060A publication Critical patent/JP2009188060A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid immersion system capable of suppressing remaining of liquid on a body such as a substrate. <P>SOLUTION: The liquid immersion system is used for liquid immersion exposure wherein the substrate is exposed to exposure light through an optical member and liquid, and the optical path of the exposure light between the optical member and substrate is filled with the liquid. The liquid immersion system has a first surface disposed at a periphery of the optical path of exposure light and a liquid recovery area provided outside the first surface about the optical path of exposure light to suck and collect the liquid on the opposed body. The liquid recovery area includes a first area disposed adjacently to an outer edge of the first surface, a second area disposed outside the first area about the optical path of exposure light, and a third area disposed outside the second area about the optical path of exposure light. Suctional force in the second area is smaller than that in the first area and that in the third area. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、液浸システム、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an immersion system, an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
米国特許出願公開2007/0046910号公報 国際公開第2007/055373号パンフレット
In an exposure apparatus used in a photolithography process, an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light via a liquid as disclosed in the following patent document is known.
US Patent Application Publication No. 2007/0046910 International Publication No. 2007/055373 Pamphlet

液浸露光装置において、基板が高速で移動したり、長距離を移動したりした場合、例えば投影光学系等の光学部材と基板との間の露光光の光路を液体で所望状態に満たすことが困難となる可能性がある。また、基板が高速で移動したり、長距離を移動したりした場合、液体が所定空間から漏出したり、基板上に液体(膜、滴など)が残留したりする可能性がある。それにより、基板に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが製造される可能性がある。   In the immersion exposure apparatus, when the substrate moves at a high speed or moves a long distance, the optical path of the exposure light between the optical member such as the projection optical system and the substrate can be filled with the liquid in a desired state. It can be difficult. Further, when the substrate moves at a high speed or moves a long distance, there is a possibility that the liquid leaks from the predetermined space or the liquid (film, droplet, etc.) remains on the substrate. As a result, a defective exposure may occur, such as a defect in the pattern formed on the substrate. As a result, a defective device may be manufactured.

本発明は、基板等の物体上における液体の残留を抑制できる液浸システムを提供することを目的とする。また本発明は、基板等の物体上における液体の残留を抑制でき、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide an immersion system that can suppress liquid remaining on an object such as a substrate. It is another object of the present invention to provide an exposure apparatus and an exposure method that can suppress the liquid from remaining on an object such as a substrate and suppress the occurrence of exposure failure. Moreover, an object of this invention is to provide the device manufacturing method which can suppress generation | occurrence | production of a defective device.

本発明の第1の態様に従えば、光学部材と液体とを介して露光光で基板を露光する液浸露光で用いられ、光学部材と基板との間の露光光の光路を液体で満たすための液浸システムであって、露光光の光路の周囲に配置された第1面と、露光光の光路に対して第1面の外側に設けられ、対向する物体上の液体を吸引して回収する液体回収領域と、を備え、液体回収領域は、第1面の外縁と隣り合って配置される第1領域と、露光光の光路に対して第1領域の外側に配置された第2領域と、露光光の光路に対して第2領域の外側に配置された第3領域と、を含み、第2領域における吸引力は、第1領域における吸引力及び第3領域における吸引力より小さい液浸システムが提供される。   According to the first aspect of the present invention, it is used in immersion exposure in which a substrate is exposed with exposure light through an optical member and a liquid, and the optical path of the exposure light between the optical member and the substrate is filled with the liquid. The immersion system is provided with a first surface arranged around the optical path of the exposure light and an outer side of the first surface with respect to the optical path of the exposure light, and sucks and collects the liquid on the opposing object And a liquid recovery region, the liquid recovery region being disposed adjacent to the outer edge of the first surface, and a second region disposed outside the first region with respect to the optical path of the exposure light And a third region disposed outside the second region with respect to the optical path of the exposure light, wherein the suction force in the second region is smaller than the suction force in the first region and the suction force in the third region. An immersion system is provided.

本発明の第2の態様に従えば、光学部材と液体とを介して露光光で基板を露光する液浸露光で用いられ、光学部材と基板との間の露光光の光路を液体で満たすための液浸システムであって、露光光の光路の周囲に配置された第1面と、露光光の光路に対して第1面の外側に設けられ、対向する物体上の液体を吸引して回収する多孔部材の表面を含む液体回収領域と、を備え、液体回収領域は、第1面の外縁と隣り合って配置される第1領域と、露光光の光路に対して第1領域の外側に配置された第2領域と、露光光の光路に対して第2領域の外側に配置された第3領域と、を含み、第2領域における開口率は、第1領域における開口率及び第3領域における開口率より小さい液浸システムが提供される。   According to the second aspect of the present invention, it is used in immersion exposure in which a substrate is exposed with exposure light through an optical member and a liquid, and the optical path of the exposure light between the optical member and the substrate is filled with the liquid. The immersion system is provided with a first surface arranged around the optical path of the exposure light and an outer side of the first surface with respect to the optical path of the exposure light, and sucks and collects the liquid on the opposing object A liquid recovery region including a surface of the porous member that is disposed on the outside of the first region with respect to the optical path of the exposure light, the first region disposed adjacent to the outer edge of the first surface A second area disposed, and a third area disposed outside the second area with respect to the optical path of the exposure light, wherein the aperture ratio in the second area is equal to the aperture ratio in the first area and the third area. An immersion system smaller than the aperture ratio at is provided.

本発明の第3の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、第1、第2の態様の液浸システムを備えた露光装置が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid, the exposure apparatus including the liquid immersion system according to the first and second aspects.

本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the third aspect and developing the exposed substrate.

本発明の第5の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、第1、第2の態様の液浸システムを用いて、光学部材と基板との間の露光光の光路を液体で満たすことと、光学部材と液体とを介して基板に露光光を照射することと、を含む露光方法が提供される。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid, and using the immersion system according to the first and second aspects, between the optical member and the substrate. An exposure method is provided that includes filling the optical path of the exposure light with a liquid and irradiating the substrate with the exposure light through the optical member and the liquid.

本発明の第6の態様に従えば、第5の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure method according to the fifth aspect and developing the exposed substrate.

本発明によれば、露光光の光路を液体で所望状態に満たして、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。   According to the present invention, the optical path of exposure light can be filled with a liquid in a desired state, the occurrence of exposure failure can be suppressed, and the occurrence of defective devices can be suppressed.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1を移動する第1駆動システム1Dと、基板ステージ2を移動する第2駆動システム2Dと、マスクステージ1及び基板ステージ2それぞれの位置情報を計測可能な干渉計システム3と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a substrate stage 2 that can move while holding a substrate P, a first drive system 1D that moves the mask stage 1, A second drive system 2D for moving the substrate stage 2, an interferometer system 3 capable of measuring positional information of the mask stage 1 and the substrate stage 2, an illumination system IL for illuminating the mask M with the exposure light EL, and exposure light A projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated by EL onto the substrate P, and a control device 4 that controls the operation of the entire exposure apparatus EX are provided.

マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pが、感光膜と別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)を含んでもよい。   The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. The mask M includes a transmission type mask in which a predetermined pattern is formed on a transparent plate such as a glass plate using a light shielding film such as chromium. A reflective mask can also be used as the mask M. The substrate P is a substrate for manufacturing a device. The substrate P includes a substrate in which a photosensitive film is formed on a base material such as a semiconductor wafer such as a silicon wafer. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). Further, the substrate P may include a film different from the photosensitive film. For example, the substrate P may include an antireflection film or a protective film (topcoat film) that protects the photosensitive film.

本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。露光装置EXは、露光光ELの光路Kの少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材6を備えている。液浸空間LSは、液体LQで満たされた空間である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. The exposure apparatus EX includes a liquid immersion member 6 capable of forming the liquid immersion space LS so that at least a part of the optical path K of the exposure light EL is filled with the liquid LQ. The immersion space LS is a space filled with the liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.

本実施形態において、液浸空間LSは、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子5から射出される露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように形成される。終端光学素子5は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面5Uを有する。液浸空間LSは、終端光学素子5とその終端光学素子5の射出面5Uと対向する位置に配置された物体との間の光路Kが液体LQで満たされるように形成される。射出面5Uと対向する位置は、射出面5Uから射出される露光光ELの照射位置を含む。   In the present embodiment, the immersion space LS is such that the optical path K of the exposure light EL emitted from the terminal optical element 5 closest to the image plane of the projection optical system PL is the liquid LQ among the plurality of optical elements of the projection optical system PL. It is formed to be filled with. The last optical element 5 has an exit surface 5U that emits the exposure light EL toward the image plane of the projection optical system PL. The immersion space LS is formed such that the optical path K between the terminal optical element 5 and an object disposed at a position facing the exit surface 5U of the terminal optical element 5 is filled with the liquid LQ. The position facing the emission surface 5U includes the irradiation position of the exposure light EL emitted from the emission surface 5U.

液浸部材6は、終端光学素子5の近傍に配置されている。液浸部材6は、下面7を有する。本実施形態において、射出面5Uと対向可能な物体は、下面7と対向可能である。物体の表面が射出面5Uと対向する位置に配置されたとき、下面7の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面5Uと物体の表面とが対向しているとき、射出面5Uと物体の表面との間に液体LQを保持できる。また、液浸部材6の下面7と物体の表面とが対向しているとき、下面7と物体の表面との間に液体LQを保持できる。一方側の射出面5U及び下面7と、他方側の物体の表面との間に保持された液体LQによって、液浸空間LSが形成される。   The liquid immersion member 6 is disposed in the vicinity of the last optical element 5. The liquid immersion member 6 has a lower surface 7. In the present embodiment, an object that can face the emission surface 5U can face the lower surface 7. When the surface of the object is disposed at a position facing the emission surface 5U, at least a part of the lower surface 7 faces the surface of the object. When the exit surface 5U and the surface of the object face each other, the liquid LQ can be held between the exit surface 5U and the object surface. Further, when the lower surface 7 of the liquid immersion member 6 and the surface of the object face each other, the liquid LQ can be held between the lower surface 7 and the surface of the object. An immersion space LS is formed by the liquid LQ held between the injection surface 5U and the lower surface 7 on one side and the surface of the object on the other side.

本実施形態において、射出面5U及び下面7と対向可能な物体は、終端光学素子5の射出側(像面側)で移動可能な物体を含み、射出面5U及び下面7と対向する位置に移動可能な物体を含む。本実施形態においては、その物体は、基板ステージ2、及びその基板ステージ2に保持された基板Pの少なくとも一方を含む。なお、以下においては、説明を簡単にするために、主に、一方側の射出面5U及び下面7と他方側基板Pの表面とが対向している状態を例にして説明する。しかしながら、一方側の射出面5U及び下面7と他方側の基板ステージ2の表面とが対向している場合も同様である。   In this embodiment, the object that can face the exit surface 5U and the lower surface 7 includes an object that can move on the exit side (image surface side) of the last optical element 5 and moves to a position that faces the exit surface 5U and the lower surface 7. Includes possible objects. In the present embodiment, the object includes at least one of the substrate stage 2 and the substrate P held on the substrate stage 2. In the following description, in order to simplify the description, a description will be given mainly by taking, as an example, a state in which the injection surface 5U and the lower surface 7 on one side face the surface of the other substrate P. However, the same applies to the case where the injection surface 5U and the lower surface 7 on the one side face the surface of the substrate stage 2 on the other side.

本実施形態においては、射出面5U及び下面7と対向する位置に配置された基板Pの表面の一部の領域(局所的な領域)が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成され、その基板Pの表面と下面7との間に液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LGが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置EXは、基板Pの露光時に、投影光学系PLの投影領域PRを含む基板P上の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSを形成する局所液浸方式を採用する。   In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that a partial region (local region) on the surface of the substrate P disposed at a position facing the emission surface 5U and the lower surface 7 is covered with the liquid LQ. An interface (meniscus, edge) LG of the liquid LQ is formed between the surface of the substrate P and the lower surface 7. That is, in the present embodiment, the exposure apparatus EX sets the immersion space LS so that a part of the area on the substrate P including the projection area PR of the projection optical system PL is covered with the liquid LQ when the substrate P is exposed. Adopt the local immersion method to be formed.

照明系ILは、所定の照明領域IRを均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL illuminates a predetermined illumination region IR with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, ArF Vacuum ultraviolet light (VUV light) such as excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light, which is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light), is used as the exposure light EL.

マスクステージ1は、マスクMを保持するマスク保持部1Hを有する。マスク保持部1Hは、マスクMを着脱可能である。本実施形態において、マスク保持部1Hは、マスクMのパターン形成面(下面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。第1駆動システム1Dは、リニアモータ等のアクチュエータを含む。マスクステージ1は、第1駆動システム1Dの作動により、マスクMを保持してXY平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ1は、マスク保持部1HでマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。   The mask stage 1 includes a mask holding unit 1H that holds the mask M. The mask holding part 1H can attach and detach the mask M. In the present embodiment, the mask holding unit 1H holds the mask M so that the pattern formation surface (lower surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel. The first drive system 1D includes an actuator such as a linear motor. The mask stage 1 can move in the XY plane while holding the mask M by the operation of the first drive system 1D. In the present embodiment, the mask stage 1 is movable in three directions, ie, the X axis, the Y axis, and the θZ direction, with the mask M held by the mask holder 1H.

投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒PKで保持される。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。   The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. The plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by a lens barrel PK. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is substantially parallel to the Z axis. Further, the projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.

基板ステージ2は、ベース部材8のガイド面8G上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面8Gは、XY平面とほぼ平行である。基板ステージ2は、基板Pを保持して、ガイド面8Gに沿って、XY平面内を移動可能である。   The substrate stage 2 is movable on the guide surface 8G of the base member 8. In the present embodiment, the guide surface 8G is substantially parallel to the XY plane. The substrate stage 2 holds the substrate P and can move in the XY plane along the guide surface 8G.

基板ステージ2は、基板Pを保持する基板保持部2Hを有する。基板保持部2Hは、基板Pをリリース可能に保持可能である。本実施形態において、基板保持部2Hは、基板Pの露光面(表面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2駆動システム2Dは、リニアモータ等のアクチュエータを含む。基板ステージ2は、第2駆動システム2Dの作動により、基板Pを保持してXY平面内を移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ2は、基板保持部2Hで基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。   The substrate stage 2 has a substrate holding part 2H that holds the substrate P. The substrate holding part 2H can hold the substrate P in a releasable manner. In the present embodiment, the substrate holding unit 2H holds the substrate P so that the exposure surface (front surface) of the substrate P and the XY plane are substantially parallel. The second drive system 2D includes an actuator such as a linear motor. The substrate stage 2 can move in the XY plane while holding the substrate P by the operation of the second drive system 2D. In the present embodiment, the substrate stage 2 is movable in six directions including the X axis, the Y axis, the Z axis, the θX, the θY, and the θZ directions while holding the substrate P by the substrate holding portion 2H.

基板ステージ2は、基板保持部2Hの周囲に配置された上面2Tを有する。本実施形態において、上面2Tは、平坦であり、XY平面とほぼ平行である。また、基板ステージ2は、凹部2Cを有する。基板保持部2Hは、凹部2Cの内側に配置される。本実施形態において、上面2Tと、基板保持部2Hに保持された基板Pの表面とが、ほぼ同一平面内に配置される(面一となる)。   The substrate stage 2 has an upper surface 2T disposed around the substrate holding part 2H. In the present embodiment, the upper surface 2T is flat and substantially parallel to the XY plane. The substrate stage 2 has a recess 2C. The substrate holding part 2H is disposed inside the recess 2C. In the present embodiment, the upper surface 2T and the surface of the substrate P held by the substrate holding part 2H are arranged in substantially the same plane (being flush with each other).

干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1及び基板ステージ2のそれぞれの位置情報を計測する。干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計3Aと、XY平面内における基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計3Bとを備えている。レーザ干渉計3Aは、マスクステージ1に配置された反射面1Rに計測光を照射し、その反射面1Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測する。レーザ干渉計3Bは、基板ステージ2に配置された反射面2Rに計測光を照射し、その反射面2Rを介した計測光を用いて、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)の位置情報を計測する。   The interferometer system 3 measures position information of the mask stage 1 and the substrate stage 2 in the XY plane. The interferometer system 3 includes a laser interferometer 3A that measures position information of the mask stage 1 in the XY plane and a laser interferometer 3B that measures position information of the substrate stage 2 in the XY plane. The laser interferometer 3A irradiates measurement light onto the reflection surface 1R disposed on the mask stage 1, and uses the measurement light via the reflection surface 1R to mask the mask stage 1 (X-axis, Y-axis, and θZ directions). The position information of the mask M) is measured. The laser interferometer 3B irradiates the reflection surface 2R disposed on the substrate stage 2 with measurement light, and uses the measurement light via the reflection surface 2R to use the substrate stage 2 (X-axis, Y-axis, and θZ directions). The position information of the substrate P) is measured.

また、本実施形態においては、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出システム(不図示)が配置されている。フォーカス・レベリング検出システムは、Z軸、θX、及びθY方向に関する基板Pの表面の位置情報を検出する。   In the present embodiment, a focus / leveling detection system (not shown) for detecting position information on the surface of the substrate P held on the substrate stage 2 is disposed. The focus / leveling detection system detects position information on the surface of the substrate P in the Z-axis, θX, and θY directions.

基板Pの露光時、マスクステージ1の位置情報がレーザ干渉計3Aで計測され、基板ステージ2の位置情報がレーザ干渉計3Bで計測される。制御装置4は、レーザ干渉計3Aの計測結果に基づいて、第1駆動システム1Dを作動し、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置制御を実行する。また、制御装置4は、レーザ干渉計3Bの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム2Dを作動し、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置制御を実行する。   During the exposure of the substrate P, the position information of the mask stage 1 is measured by the laser interferometer 3A, and the position information of the substrate stage 2 is measured by the laser interferometer 3B. The control device 4 operates the first drive system 1D based on the measurement result of the laser interferometer 3A, and executes the position control of the mask M held on the mask stage 1. The control device 4 operates the second drive system 2D based on the measurement result of the laser interferometer 3B and the detection result of the focus / leveling detection system, and controls the position of the substrate P held on the substrate stage 2. Execute.

本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置4は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、露光光ELの光路(光軸AX)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置4は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、基板Pは露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. When the substrate P is exposed, the control device 4 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2 so that the mask M and the substrate P are scanned in the XY plane intersecting the optical path (optical axis AX) of the exposure light EL. Move in the direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The control device 4 moves the substrate P in the Y axis direction with respect to the projection region PR of the projection optical system PL, and in the illumination region IR of the illumination system IL in synchronization with the movement of the substrate P in the Y axis direction. On the other hand, the substrate P is irradiated with the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS on the substrate P while moving the mask M in the Y-axis direction. Thereby, the substrate P is exposed with the exposure light EL, and an image of the pattern of the mask M is projected onto the substrate P.

次に、液浸部材6について、図2〜図5を参照して説明する。図2は、液浸部材6の近傍を示す側断面図、図3は、液浸部材6を示す概略斜視図の一部破断図、図4は、液浸部材6を下側から見た斜視図、図5は、液浸部材6の一部を拡大した側断面図である。   Next, the liquid immersion member 6 will be described with reference to FIGS. 2 is a side sectional view showing the vicinity of the liquid immersion member 6, FIG. 3 is a partially cutaway view of a schematic perspective view showing the liquid immersion member 6, and FIG. 4 is a perspective view of the liquid immersion member 6 seen from below. FIGS. 5 and 5 are enlarged side sectional views of a part of the liquid immersion member 6.

なお、以下の説明においては、終端光学素子5の射出面5U及び液浸部材6の下面7と対向する位置に基板Pの表面が配置されている場合を例にして説明するが、上述のように、終端光学素子5の射出面5U及び液浸部材6の下面7と対向する位置には、基板ステージ2の上面2T等、基板P以外の物体も配置可能である。また、以下の説明においては、終端光学素子5の射出面5Uを適宜、終端光学素子5の下面5U、と称する。   In the following description, the case where the surface of the substrate P is disposed at a position facing the exit surface 5U of the last optical element 5 and the lower surface 7 of the liquid immersion member 6 will be described as an example. In addition, objects other than the substrate P, such as the upper surface 2T of the substrate stage 2, can be arranged at positions facing the exit surface 5U of the last optical element 5 and the lower surface 7 of the liquid immersion member 6. In the following description, the exit surface 5U of the terminal optical element 5 is appropriately referred to as the lower surface 5U of the terminal optical element 5.

液浸部材6は、終端光学素子5と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能である。液浸部材6は、環状の部材であって、露光光ELの光路Kを囲むように配置されている。本実施形態においては、液浸部材6は、終端光学素子5の周囲に配置される側板部12と、Z軸方向に関して少なくとも一部が終端光学素子5の下面5Uと基板Pの表面との間に配置される下板部13とを有する。   The liquid immersion member 6 can form the liquid immersion space LS so that the optical path K of the exposure light EL between the last optical element 5 and the substrate P is filled with the liquid LQ. The liquid immersion member 6 is an annular member and is disposed so as to surround the optical path K of the exposure light EL. In the present embodiment, the liquid immersion member 6 includes a side plate portion 12 disposed around the terminal optical element 5, and at least a part between the lower surface 5U of the terminal optical element 5 and the surface of the substrate P in the Z-axis direction. And a lower plate portion 13 disposed on the surface.

側板部12は、終端光学素子5の外周面14と対向し、その外周面に沿って形成された内周面15を有する。外周面14と内周面15との間には、所定の間隙が形成されている。   The side plate portion 12 has an inner peripheral surface 15 that faces the outer peripheral surface 14 of the last optical element 5 and is formed along the outer peripheral surface. A predetermined gap is formed between the outer peripheral surface 14 and the inner peripheral surface 15.

下板部13は、中央に開口16を有する。下面5Uから射出された露光光ELは、開口16を通過可能である。例えば、基板Pの露光中、下面5Uから射出された露光光ELは、開口16を通過し、液体LQを介して基板Pの表面に照射される。本実施形態においては、開口16における露光光ELの断面形状はX軸方向に長い矩形状(スリット状)である。開口16は、露光光ELの断面形状に応じた形状を有する。すなわち、XY平面内における開口16の形状は、矩形状(スリット状)である。また、開口16における露光光ELの断面形状と、基板Pにおける投影光学系PLの投影領域PRの形状とはほぼ同じである。   The lower plate portion 13 has an opening 16 at the center. The exposure light EL emitted from the lower surface 5U can pass through the opening 16. For example, during the exposure of the substrate P, the exposure light EL emitted from the lower surface 5U passes through the opening 16 and is irradiated onto the surface of the substrate P through the liquid LQ. In the present embodiment, the cross-sectional shape of the exposure light EL in the opening 16 is a rectangular shape (slit shape) that is long in the X-axis direction. The opening 16 has a shape corresponding to the cross-sectional shape of the exposure light EL. That is, the shape of the opening 16 in the XY plane is a rectangular shape (slit shape). Further, the cross-sectional shape of the exposure light EL in the opening 16 is substantially the same as the shape of the projection region PR of the projection optical system PL on the substrate P.

また、液浸部材6は、液浸空間LSを形成するための液体LQを供給する供給口31と、基板P上の液体LQの少なくとも一部を吸引して回収する回収口32とを備えている。   Further, the liquid immersion member 6 includes a supply port 31 for supplying the liquid LQ for forming the liquid immersion space LS, and a recovery port 32 for sucking and collecting at least a part of the liquid LQ on the substrate P. Yes.

本実施形態においては、液浸部材6の下板部13は、露光光ELの光路の周囲に配置されている。下板部13の上面33は+Z軸方向を向いており、所定の間隙を介して上面33と下面5Uとが対向する。供給口31は、下面5Uと上面33との間の内部空間34に液体LQを供給可能である。本実施形態においては、供給口31は、光路Kに対してY軸方向両側のそれぞれに設けられている。   In the present embodiment, the lower plate portion 13 of the liquid immersion member 6 is disposed around the optical path of the exposure light EL. The upper surface 33 of the lower plate portion 13 faces the + Z-axis direction, and the upper surface 33 and the lower surface 5U face each other with a predetermined gap. The supply port 31 can supply the liquid LQ to the internal space 34 between the lower surface 5U and the upper surface 33. In the present embodiment, the supply ports 31 are provided on both sides of the optical path K in the Y-axis direction.

供給口31は、流路36を介して、液体供給装置35と接続されている。液体供給装置35は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。流路36は、液浸部材6の内部に形成された供給流路36A、及びその供給流路36Aと液体供給装置35とを接続する供給管で形成される流路36Bを含む。液体供給装置35から送出された液体LQは、流路36を介して供給口31に供給される。供給口31は、液体供給装置35からの液体LQを光路Kに供給する。   The supply port 31 is connected to the liquid supply device 35 via the flow path 36. The liquid supply device 35 can deliver clean and temperature-adjusted liquid LQ. The flow path 36 includes a supply flow path 36 </ b> A formed inside the liquid immersion member 6 and a flow path 36 </ b> B formed by a supply pipe connecting the supply flow path 36 </ b> A and the liquid supply device 35. The liquid LQ delivered from the liquid supply device 35 is supplied to the supply port 31 via the flow path 36. The supply port 31 supplies the liquid LQ from the liquid supply device 35 to the optical path K.

回収口32は、流路38を介して、液体回収装置37と接続されている。液体回収装置37は、真空システムを含み、液体LQを吸引して回収可能である。流路38は、液浸部材6の内部に形成された回収流路38A、及びその回収流路38Aと液体回収装置37とを接続する回収管で形成される流路38Bを含む。液体回収装置37が作動することにより、回収口32から回収された液体LQは、流路38を介して、液体回収装置37に回収される。   The recovery port 32 is connected to the liquid recovery device 37 via the flow path 38. The liquid recovery device 37 includes a vacuum system and can recover the liquid LQ by sucking it. The flow path 38 includes a recovery flow path 38 </ b> A formed inside the liquid immersion member 6 and a flow path 38 </ b> B formed of a recovery pipe that connects the recovery flow path 38 </ b> A and the liquid recovery device 37. By operating the liquid recovery device 37, the liquid LQ recovered from the recovery port 32 is recovered by the liquid recovery device 37 via the flow path 38.

本実施形態において、液浸部材6の回収口32には多孔部材24が配置されている。基板Pとの間の液体LQの少なくとも一部が回収口32(多孔部材24)を介して回収される。液浸部材6の下面7は、露光光ELの光路Kの周囲に配置された第1面21と、露光光ELの光路Kに対して第1面21の外側に設けられた液体回収領域22とを含む。本実施形態において、液体回収領域22は、多孔部材24の表面(下面)を含む。   In the present embodiment, the porous member 24 is disposed in the recovery port 32 of the liquid immersion member 6. At least a part of the liquid LQ between the substrate P is recovered through the recovery port 32 (porous member 24). The lower surface 7 of the liquid immersion member 6 includes a first surface 21 disposed around the optical path K of the exposure light EL, and a liquid recovery region 22 provided outside the first surface 21 with respect to the optical path K of the exposure light EL. Including. In the present embodiment, the liquid recovery region 22 includes the surface (lower surface) of the porous member 24.

以下の説明において、第1面21を適宜、ランド面21、と称し、液体回収領域22を適宜、回収面22、と称する。   In the following description, the first surface 21 is appropriately referred to as a land surface 21, and the liquid recovery region 22 is appropriately referred to as a recovery surface 22.

ランド面21は、基板Pの表面との間で液体LQを保持可能である。本実施形態において、ランド面21は−Z軸方向を向いており、下板部13の下面を含む。ランド面21は、開口16の周囲に配置されている。本実施形態において、ランド面21は、平坦であり、基板Pの表面(XY平面)とほぼ平行である。本実施形態において、XY平面内におけるランド面21の外形は、矩形状であるが、他の形状、例えば円形でもよい。   The land surface 21 can hold the liquid LQ with the surface of the substrate P. In the present embodiment, the land surface 21 faces the −Z axis direction and includes the lower surface of the lower plate portion 13. The land surface 21 is disposed around the opening 16. In the present embodiment, the land surface 21 is flat and substantially parallel to the surface (XY plane) of the substrate P. In the present embodiment, the outer shape of the land surface 21 in the XY plane is a rectangular shape, but may be another shape, for example, a circular shape.

回収面22は、一方側の下面5U及び下面7と他方側の基板Pの表面との間の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。回収面22は、露光光ELの光路Kに対するY軸方向(走査方向)の両側に配置されている。本実施形態においては、回収面22は、露光光ELの光路Kの周囲に配置されている。すなわち、回収面22は、ランド面21の周囲に矩形環状に配置されている。また、本実施形態において、ランド面21と回収面22とは、ほぼ同一平面内に配置される(面一である)。   The recovery surface 22 can recover at least a part of the liquid LQ between the lower surface 5U and the lower surface 7 on one side and the surface of the substrate P on the other side. The collection surfaces 22 are disposed on both sides in the Y-axis direction (scanning direction) with respect to the optical path K of the exposure light EL. In the present embodiment, the collection surface 22 is disposed around the optical path K of the exposure light EL. That is, the collection surface 22 is arranged in a rectangular ring around the land surface 21. Moreover, in this embodiment, the land surface 21 and the collection | recovery surface 22 are arrange | positioned in the substantially same plane (it is flush | level).

回収面22は、多孔部材24の表面(下面)を含み、回収面22に接触した液体LQを多孔部材24の孔を介して回収される。   The recovery surface 22 includes the surface (lower surface) of the porous member 24, and the liquid LQ that is in contact with the recovery surface 22 is recovered through the holes of the porous member 24.

図6(A)は、本実施形態の多孔部材24を拡大した平面図、図6(B)は、図6(A)のA−A線断面矢視図である。図6に示すように、本実施形態において、多孔部材24は、複数の小さい孔24Hが形成された薄いプレート部材である。多孔部材24は、薄いプレート部材を加工して、複数の孔24Hを形成した部材であり、メッシュプレートとも呼ばれる。   6A is an enlarged plan view of the porous member 24 of the present embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6A. As shown in FIG. 6, in this embodiment, the porous member 24 is a thin plate member in which a plurality of small holes 24H are formed. The porous member 24 is a member obtained by processing a thin plate member to form a plurality of holes 24H, and is also called a mesh plate.

多孔部材24は、基板Pの表面と対向する下面24Bと、下面24Bと反対側の上面24Aとを有する。下面24Bは、回収面22を形成する。上面24Aは、回収流路38Aと接する。孔24Hは、上面24Aと下面24Bとの間に形成されている。すなわち、孔24Hは、上面24Aと下面24Bとを貫通するように形成されている。本実施形態において、上面24Aと下面24Bとは、ほぼ平行である。すなわち、本実施形態において、上面24Aと下面24Bとは、基板Pの表面(XY平面)とほぼ平行である。本実施形態において、孔24Hは、上面24Aと下面24Bとの間を、Z軸方向とほぼ平行に貫通する。液体LQは、孔24Hを流通可能である。基板P上の液体LQは、孔24Hを介して、回収流路38Aに引き込まれる。   The porous member 24 has a lower surface 24B facing the surface of the substrate P and an upper surface 24A opposite to the lower surface 24B. The lower surface 24B forms the collection surface 22. The upper surface 24A is in contact with the recovery channel 38A. The hole 24H is formed between the upper surface 24A and the lower surface 24B. That is, the hole 24H is formed so as to penetrate the upper surface 24A and the lower surface 24B. In the present embodiment, the upper surface 24A and the lower surface 24B are substantially parallel. That is, in the present embodiment, the upper surface 24A and the lower surface 24B are substantially parallel to the surface (XY plane) of the substrate P. In the present embodiment, the hole 24H penetrates between the upper surface 24A and the lower surface 24B substantially parallel to the Z-axis direction. The liquid LQ can flow through the hole 24H. The liquid LQ on the substrate P is drawn into the recovery channel 38A through the hole 24H.

本実施形態において、XY平面内における孔(開口)24Hの形状は、円形である。また、上面24Aにおける孔(開口)24Hの大きさと、下面24Bにおける孔(開口)24Hの大きさとはほぼ等しい。なお、XY平面内における孔24Hの形状は、円形以外の形状、例えば5角形、6角形等の多角形でもよい。   In the present embodiment, the shape of the hole (opening) 24H in the XY plane is a circle. Further, the size of the hole (opening) 24H in the upper surface 24A is substantially equal to the size of the hole (opening) 24H in the lower surface 24B. The shape of the hole 24H in the XY plane may be a shape other than a circle, for example, a polygon such as a pentagon or a hexagon.

本実施形態においては、制御装置4は、真空システムを含む液体回収装置37を作動して、多孔部材24の上面24Aと下面24Bとの間に圧力差を発生させることによって、多孔部材24(回収面22)より液体LQを回収する。回収面22から回収された液体LQは、流路38を介して、液体回収装置37に回収される。   In the present embodiment, the control device 4 operates the liquid recovery device 37 including a vacuum system to generate a pressure difference between the upper surface 24A and the lower surface 24B of the porous member 24, whereby the porous member 24 (recovery) The liquid LQ is recovered from the surface 22). The liquid LQ recovered from the recovery surface 22 is recovered by the liquid recovery device 37 via the flow path 38.

本実施形態の回収面22は、図2〜図5に示すように、ランド面21の外縁と隣り合って配置される第1領域51と、光路Kに対して第1領域51の外側に配置された第2領域52と、光路Kに対して第2領域52の外側に配置された第3領域53と、光路Kに対して第3領域53の外側に配置された第4領域54とを含む。本実施形態において、第1領域51は、ランド面21の周囲に矩形環状に配置されている。第2領域52は、第1領域51の周囲に矩形環状に配置されている。第3領域53は、第2領域52の周囲に矩形環状に配置されている。第4領域54は、第3領域53の周囲に矩形環状に配置されている。   2 to 5, the collection surface 22 of the present embodiment is disposed outside the first region 51 with respect to the optical path K, with the first region 51 disposed adjacent to the outer edge of the land surface 21. The second region 52, the third region 53 disposed outside the second region 52 with respect to the optical path K, and the fourth region 54 disposed outside the third region 53 with respect to the optical path K. Including. In the present embodiment, the first region 51 is arranged in a rectangular ring around the land surface 21. The second area 52 is arranged in a rectangular ring around the first area 51. The third region 53 is arranged in a rectangular ring around the second region 52. The fourth region 54 is arranged in a rectangular ring around the third region 53.

本実施形態において、第2領域52における開口率は、第1領域51における開口率及び第3領域53における開口率より小さい。また、本実施形態において、第1領域51における開口率と、第3領域53における開口率とは、ほぼ同じである。また、本実施形態において、第4領域54における開口率は、第3領域53における開口率より大きい。   In the present embodiment, the aperture ratio in the second region 52 is smaller than the aperture ratio in the first region 51 and the aperture ratio in the third region 53. In the present embodiment, the aperture ratio in the first region 51 and the aperture ratio in the third region 53 are substantially the same. In the present embodiment, the aperture ratio in the fourth region 54 is larger than the aperture ratio in the third region 53.

本実施形態において、開口率は、多孔部材24の回収面22の単位面積当たりの孔の割合である。具体的には、開口率は、基板Pの表面と対向する回収面22における単位面積当たりの複数の孔24Hの総面積の割合である。例えば、単位面積当たりの孔24Hの数を変化させることによって、開口率を変化させることができる。換言すれば、回収面22における孔24Hの密度を変化させることによって、開口率を変化させることができる。また、回収面22における孔24Hの大きさ(径)を変化させることによって、開口率を変化させることができる。もちろん、単位面積当たりの孔24Hの数と、孔24Hの大きさとの両方を変化させて、開口率を変化させてもよい。   In the present embodiment, the aperture ratio is the ratio of holes per unit area of the collection surface 22 of the porous member 24. Specifically, the aperture ratio is a ratio of the total area of the plurality of holes 24H per unit area on the collection surface 22 facing the surface of the substrate P. For example, the aperture ratio can be changed by changing the number of holes 24H per unit area. In other words, the aperture ratio can be changed by changing the density of the holes 24H in the recovery surface 22. Further, the aperture ratio can be changed by changing the size (diameter) of the hole 24H in the collection surface 22. Of course, the aperture ratio may be changed by changing both the number of holes 24H per unit area and the size of the holes 24H.

上面24Aと下面24Bとの間に圧力差が同じだとすると、開口率によって、回収面22の各領域の吸引力が異なる。吸引力は、単位面積及び単位時間当たりにおける回収面22の液体回収量(液体LQを回収可能な量)を含む。開口率が大きくなると、吸引力は大きくなり、開口率が小さくなると、吸引力は小さくなる。   If the pressure difference is the same between the upper surface 24A and the lower surface 24B, the suction force of each region of the collection surface 22 varies depending on the aperture ratio. The suction force includes the liquid recovery amount of the recovery surface 22 per unit area and unit time (an amount capable of recovering the liquid LQ). When the aperture ratio increases, the suction force increases. When the aperture ratio decreases, the suction force decreases.

したがって、本実施形態においては、第2領域52における吸引力は、第1領域51における吸引力及び第3領域53における吸引力より小さい。また、本実施形態においては、第1領域51における吸引力と、第3領域53における吸引力とは、ほぼ同じである。また、本実施形態においては、第4領域54における吸引力は、第3領域53における吸引力より大きい。   Therefore, in the present embodiment, the suction force in the second region 52 is smaller than the suction force in the first region 51 and the suction force in the third region 53. In the present embodiment, the suction force in the first region 51 and the suction force in the third region 53 are substantially the same. In the present embodiment, the suction force in the fourth region 54 is larger than the suction force in the third region 53.

また、本実施形態においては、光路K(光軸AX)に対する放射方向(例えばY軸方向)において、第2領域52の大きさ(幅)W2は、第1領域51の大きさ(幅)W1より大きい。また、本実施形態においては、光路Kに対する放射方向において、第2領域52の大きさ(幅)W2は、第3領域53の大きさ(幅)W3より小さい。また、本実施形態においては、光路Kに対する放射方向において、第2領域52の大きさ(幅)W2は、第4領域54の大きさ(幅)W4とほぼ同じである。   In the present embodiment, the size (width) W2 of the second region 52 is the size (width) W1 of the first region 51 in the radiation direction (for example, the Y-axis direction) with respect to the optical path K (optical axis AX). Greater than. In the present embodiment, the size (width) W2 of the second region 52 is smaller than the size (width) W3 of the third region 53 in the radiation direction with respect to the optical path K. In the present embodiment, in the radiation direction with respect to the optical path K, the size (width) W2 of the second region 52 is substantially the same as the size (width) W4 of the fourth region 54.

なお、本実施形態においては、図3に示すように、液浸部材6は、内部空間34と外部空間(大気空間)39とを連通させるための排気口40を有している。排気口40は、排気流路41を介して、開口42と接続されている。開口42は、液浸部材6(液浸空間LS)の周囲の外部空間39(周囲環境)の気体と接触可能な位置に配置されている。内部空間34は、排気流路41を介して、大気開放された状態となっている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the liquid immersion member 6 has an exhaust port 40 for communicating the internal space 34 and the external space (atmospheric space) 39. The exhaust port 40 is connected to the opening 42 via the exhaust channel 41. The opening 42 is disposed at a position where it can come into contact with the gas in the external space 39 (ambient environment) around the liquid immersion member 6 (immersion space LS). The internal space 34 is open to the atmosphere via the exhaust passage 41.

液浸部材6の下面7と対向する位置に基板Pが配置されているとき、液浸部材6は、ランド面21と基板Pの表面との間で液体LQを保持できる。本実施形態においては、液浸部材6のランド面21は、親液性である。例えば、ランド面21と液体LQとの接触角は、40度以下であり、好ましくは20度以下である。ランド面21は、基板PがXY方向に移動した場合でも、液体LQと接触し続けることができる。ランド面21は、少なくとも基板Pの露光中に、液浸空間LSの液体LQと接触し続ける。   When the substrate P is disposed at a position facing the lower surface 7 of the liquid immersion member 6, the liquid immersion member 6 can hold the liquid LQ between the land surface 21 and the surface of the substrate P. In the present embodiment, the land surface 21 of the liquid immersion member 6 is lyophilic. For example, the contact angle between the land surface 21 and the liquid LQ is 40 degrees or less, preferably 20 degrees or less. The land surface 21 can continue to contact the liquid LQ even when the substrate P moves in the XY direction. The land surface 21 continues to contact the liquid LQ in the immersion space LS at least during the exposure of the substrate P.

図2及び図5においては、基板P上の液体LQの一部が、ランド面21及び回収面22の一部の領域と基板Pとの間に保持されている状態が示されている。例えば基板Pの露光中、一方側の下面5U及び液浸部材6の下面7と他方側の基板Pの表面との間に液体LQを保持することによって、液浸空間LSが形成される。   2 and 5 show a state in which a part of the liquid LQ on the substrate P is held between a part of the land surface 21 and the recovery surface 22 and the substrate P. For example, during the exposure of the substrate P, the liquid immersion space LS is formed by holding the liquid LQ between the lower surface 5U on one side and the lower surface 7 of the liquid immersion member 6 and the surface of the substrate P on the other side.

次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを液浸露光する方法について説明する。   Next, a method for immersion exposure of the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.

液浸空間LSを形成するために、制御装置4は、供給口31を用いて、光路Kに液体LQを供給する。液体LQを供給するときには、制御装置4は、下面5U及び下面7と対向する位置に、基板P(基板ステージ2)等の物体を配置する。液体供給装置35から送出された液体LQは、流路36を介して供給口31に供給される。供給口31は、内部空間34に液体LQを供給する。液体LQは、内部空間34を流れ、開口16を介して、ランド面21と基板Pの表面との間の空間に流入し、そのランド面21と基板Pの表面との間に保持される。また、液体LQの少なくとも一部は、回収面22と基板Pの表面との間の空間に流入する。   In order to form the immersion space LS, the control device 4 supplies the liquid LQ to the optical path K using the supply port 31. When supplying the liquid LQ, the control device 4 arranges an object such as the substrate P (substrate stage 2) at a position facing the lower surface 5U and the lower surface 7. The liquid LQ delivered from the liquid supply device 35 is supplied to the supply port 31 via the flow path 36. The supply port 31 supplies the liquid LQ to the internal space 34. The liquid LQ flows through the internal space 34, flows into the space between the land surface 21 and the surface of the substrate P through the opening 16, and is held between the land surface 21 and the surface of the substrate P. Further, at least a part of the liquid LQ flows into the space between the collection surface 22 and the surface of the substrate P.

こうして、終端光学素子5の下面5Uと基板Pの表面との間の光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。   Thus, the immersion space LS is formed so that the optical path K between the lower surface 5U of the last optical element 5 and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ.

また、本実施形態においては、制御装置4は、供給口31による液体供給動作と並行して、回収面22(回収口32)による液体回収動作を行う。回収面22と接触した液体LQの少なくとも一部は、回収面22を形成する多孔部材24を介して吸引される。制御装置4は、液体供給動作と液体回収動作とを並行して行うことで、常に所望状態(温度、クリーン度等)の液体LQで、基板P表面の一部に液浸領域を局所的に形成できる。   In the present embodiment, the control device 4 performs a liquid recovery operation using the recovery surface 22 (recovery port 32) in parallel with the liquid supply operation using the supply port 31. At least a part of the liquid LQ in contact with the recovery surface 22 is sucked through the porous member 24 that forms the recovery surface 22. The control device 4 performs the liquid supply operation and the liquid recovery operation in parallel, so that the liquid LQ is always in a desired state (temperature, cleanliness, etc.), and the liquid immersion region is locally formed on a part of the surface of the substrate P. Can be formed.

液浸空間LSが形成された後、制御装置4は、基板Pの露光を開始する。上述のように、本実施形態の露光装置EXは走査型露光装置である。制御装置4は、液浸空間LSを形成した状態で、露光光ELに対して、基板Pの表面をY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液体LQとを介して露光光ELを基板Pに照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。   After the immersion space LS is formed, the control device 4 starts exposure of the substrate P. As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus. The control device 4 moves the surface of the substrate P in the Y-axis direction with respect to the exposure light EL in a state where the immersion space LS is formed, via the projection optical system PL and the liquid LQ on the substrate P. The substrate P is irradiated with exposure light EL. Thereby, the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P, and the substrate P is exposed with the exposure light EL.

また、制御装置4は、例えば基板P上の第1のショット領域の露光が終了した後、第2のショット領域の露光を開始するために、液浸空間LSを形成した状態で、基板Pの表面をX軸方向(あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向)に移動する動作を実行する。   For example, after the exposure of the first shot region on the substrate P is completed, the control device 4 is configured to form the immersion space LS in order to start the exposure of the second shot region. An operation of moving the surface in the X-axis direction (or a direction inclined with respect to the X-axis direction in the XY plane) is executed.

本実施形態においては、下面5U及び下面7と基板Pの表面との間に液浸空間LSを形成した状態で、基板PをXY方向に移動した場合でも、ランド面21と基板Pの表面との間に存在する液体LQがランド面21と接触し続けるように、ランド面21と基板Pとの間隔、ランド面21の形状、大きさ及びランド面21の表面状態が最適化されている。なお、ランド面21の表面状態は、液体LQに対するランド面21における液体LQの接触角を含む。   In the present embodiment, even when the substrate P is moved in the XY direction with the immersion space LS formed between the lower surface 5U and the lower surface 7 and the surface of the substrate P, the land surface 21 and the surface of the substrate P The distance between the land surface 21 and the substrate P, the shape and size of the land surface 21, and the surface state of the land surface 21 are optimized so that the liquid LQ existing between the land surface 21 and the land surface 21 is kept in contact. The surface state of the land surface 21 includes a contact angle of the liquid LQ on the land surface 21 with respect to the liquid LQ.

また、本実施形態においては、回収面22の第2領域52における吸引力が、第1領域51における吸引力及び第3領域53における吸引力より小さいので、液浸空間LSに対して基板Pの表面をXY方向に移動した場合でも、液浸空間LSの大きさ及び形状を所望の状態に維持することができる。すなわち、本実施形態の液浸部材6によれば、液体LQの界面LGの位置及び形状が大きく変化することを抑制することができる。具体的には、液浸部材6に対して基板Pの表面を高速で移動させたり、長距離を移動させたりした場合でも、液浸空間LSの拡大(大型化)を抑制し、液浸空間LSの形状を安定化させることができる。これにより、下面7と基板Pの表面との間の液体LQが、その下面7と基板Pの表面との間の空間の外側に漏出することが抑制される。また、基板Pの表面に液体LQ(液体LQの膜、滴など)が残留することが抑制される。このように、第2領域52における吸引力を、第1領域51における吸引力及び第3領域における吸引力より小さくしたのは、以下のような発明者の知見による。   In the present embodiment, since the suction force in the second region 52 of the recovery surface 22 is smaller than the suction force in the first region 51 and the suction force in the third region 53, the substrate P is in the immersion space LS. Even when the surface is moved in the XY direction, the size and shape of the immersion space LS can be maintained in a desired state. That is, according to the liquid immersion member 6 of the present embodiment, the position and shape of the interface LG of the liquid LQ can be prevented from changing greatly. Specifically, even when the surface of the substrate P is moved at a high speed with respect to the liquid immersion member 6 or moved over a long distance, expansion (upsizing) of the liquid immersion space LS is suppressed, and the liquid immersion space is reduced. The shape of LS can be stabilized. This suppresses the liquid LQ between the lower surface 7 and the surface of the substrate P from leaking outside the space between the lower surface 7 and the surface of the substrate P. Further, the liquid LQ (liquid LQ film, droplets, etc.) is prevented from remaining on the surface of the substrate P. As described above, the reason why the suction force in the second region 52 is made smaller than the suction force in the first region 51 and the suction force in the third region is based on the knowledge of the inventors as follows.

図7は、比較例に係る液浸部材6Jを示す部分模式図である。図7に示す液浸部材6Jの回収面22Jには、開口率(吸引力)の分布がない。回収面22Jの吸引力は、例えば上述の第3領域53における吸引力をほぼ同じである。   FIG. 7 is a partial schematic view showing a liquid immersion member 6J according to a comparative example. The recovery surface 22J of the liquid immersion member 6J shown in FIG. 7 has no distribution of the aperture ratio (suction force). The suction force of the collection surface 22J is substantially the same as the suction force in the third region 53 described above, for example.

図7(A)は、液浸部材6Jと、基板Pとの間に液浸空間LSが形成されている状態を示す図である。基板P上の液浸領域は、XY平面内において所定の大きさJ0を有する。   FIG. 7A is a view showing a state in which an immersion space LS is formed between the immersion member 6J and the substrate P. FIG. The liquid immersion area on the substrate P has a predetermined size J0 in the XY plane.

なお、以下の説明においては、説明を簡単にするために、投影光学系PLの光軸AXと基板Pの表面とが交わる位置と、所定方向(ここではY軸方向)に関する液体LQの界面LGの先端と基板Pの表面とが交わる位置との距離を、XY平面内における液浸領域の大きさとする。   In the following description, in order to simplify the description, the position LG where the optical axis AX of the projection optical system PL intersects the surface of the substrate P and the interface LG of the liquid LQ in a predetermined direction (here, the Y-axis direction). The distance between the tip of the substrate and the position where the surface of the substrate P intersects is the size of the liquid immersion region in the XY plane.

図7(A)の状態から、液浸部材6Jに対して基板PをXY平面内の一方向(ここでは−Y方向)に高速で移動すると、図7(B)に示すように、液浸部材6Jの下面7Jと基板Pとの間において液体LQの一部が基板P上で薄い膜となり、基板P上の液体LQが回収面22Jの外側、具体的には、基板Pの移動方向の前方側(−Y側)において、回収面22Jの外側に漏出する場合がある。すなわち、基板Pを移動することによって、液浸空間の大きさJ1が非常に大きくなる可能性がある。   From the state of FIG. 7A, when the substrate P is moved at high speed in one direction in the XY plane (here, the −Y direction) with respect to the liquid immersion member 6J, as shown in FIG. A part of the liquid LQ becomes a thin film on the substrate P between the lower surface 7J of the member 6J and the substrate P, and the liquid LQ on the substrate P is outside the recovery surface 22J, specifically, in the moving direction of the substrate P. On the front side (−Y side), leakage may occur outside the collection surface 22J. That is, by moving the substrate P, the size J1 of the immersion space may become very large.

この現象は、液浸部材6Jの下面7Jと基板Pの表面との間において、液浸部材6Jの下面7J近傍の液体LQは、回収面22Jの吸引動作によって上方(+Z方向)に流れ、その回収面22Jに回収されるが、基板Pの表面近傍の液体LQは、基板Pとの表面張力等により、回収面22Jから回収されずに、基板P上で薄い膜となり、基板Pの移動とともに、基板Pの移動方向の前方側において回収面22Jの外側へ引き出されることによって生じる。このような現象が生じると、回収面22Jの外側に引き出された液体LQが、例えば滴となって基板P上に残留し、パターンの欠陥等を引き起こす原因となる。そして、このような現象は、界面LGが形成されている回収面22Jの吸引力が大きくなると発生しやすくなる。また、このような現象は、基板Pの移動速度が高速化すると発生しやすくなる。   In this phenomenon, between the lower surface 7J of the liquid immersion member 6J and the surface of the substrate P, the liquid LQ in the vicinity of the lower surface 7J of the liquid immersion member 6J flows upward (+ Z direction) by the suction operation of the recovery surface 22J. Although recovered on the recovery surface 22J, the liquid LQ near the surface of the substrate P is not recovered from the recovery surface 22J due to surface tension with the substrate P or the like, but becomes a thin film on the substrate P. This is caused by being pulled out of the collection surface 22J on the front side in the moving direction of the substrate P. When such a phenomenon occurs, the liquid LQ drawn to the outside of the recovery surface 22J remains as a droplet on the substrate P, for example, and causes a pattern defect or the like. Such a phenomenon is likely to occur when the suction force of the recovery surface 22J on which the interface LG is formed increases. Such a phenomenon is likely to occur when the moving speed of the substrate P is increased.

図8は、本実施形態に係る液浸部材6と基板Pとの間に形成された液浸空間LSの挙動の一例を示す模式図である。図8(A)は、液浸部材6と、基板Pとの間に液浸空間LSが形成されている状態の一例を示す図である。図8(A)においては、液体LQの界面LGは、第2領域52と基板Pの表面との間に形成されている。   FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of the behavior of the immersion space LS formed between the immersion member 6 and the substrate P according to this embodiment. FIG. 8A is a diagram illustrating an example of a state in which an immersion space LS is formed between the immersion member 6 and the substrate P. In FIG. 8A, the interface LG of the liquid LQ is formed between the second region 52 and the surface of the substrate P.

図8(B)は、図8(A)の状態から、液浸部材6に対して基板Pを−Y方向に高速で移動させたときの液浸空間LSの状態を示す図である。本実施形態においては、界面LGと結ばれた第2領域52における吸引力は小さいので、図7(B)を参照して説明したように液体LQが薄い膜となる現象の発生が抑制される。また、基板Pを−Y方向に移動することによって、界面LGも−Y方向に移動しようとする。特に、基板Pが長距離を移動すると、界面LGも大きく−Y方向に移動しようとする。本実施形態においては、第2領域52に対して+Y側に、第2領域52より大きい吸引力を有する第1領域51が配置されている。したがって、その第1領域51による液体LQの回収動作によって、界面LGの−Y方向への大きな移動が抑制される。すなわち、基板Pが長距離を移動した場合でも、第1領域51による液体LQの回収動作によって、液浸空間LSの大型化が抑制され、界面LGの位置が大きく変動することが抑制される。したがって、界面LGが第3領域53と基板Pの表面との間に形成されることが抑制される。   FIG. 8B is a diagram showing a state of the immersion space LS when the substrate P is moved at a high speed in the −Y direction with respect to the immersion member 6 from the state of FIG. In the present embodiment, since the suction force in the second region 52 connected to the interface LG is small, the occurrence of the phenomenon that the liquid LQ becomes a thin film as described with reference to FIG. 7B is suppressed. . Further, by moving the substrate P in the −Y direction, the interface LG also tries to move in the −Y direction. In particular, when the substrate P moves a long distance, the interface LG also tends to move in the −Y direction. In the present embodiment, the first region 51 having a larger suction force than the second region 52 is disposed on the + Y side with respect to the second region 52. Therefore, the movement of the liquid LQ by the first region 51 suppresses the large movement of the interface LG in the −Y direction. That is, even when the substrate P moves over a long distance, the liquid LQ recovery operation by the first region 51 suppresses an increase in the size of the immersion space LS and suppresses a significant change in the position of the interface LG. Therefore, the formation of the interface LG between the third region 53 and the surface of the substrate P is suppressed.

また、本実施形態においては、第2領域52の大きさW2は、第1領域51の大きさW1より大きいので、基板Pが−Y方向に長距離移動した場合でも、界面LGを、第2領域52と基板Pの表面とを結ぶ位置に配置し続けることができる。   In the present embodiment, since the size W2 of the second region 52 is larger than the size W1 of the first region 51, even when the substrate P moves a long distance in the -Y direction, the interface LG The region 52 and the surface of the substrate P can be continuously disposed at a position connecting them.

また、仮に、第2領域52と基板Pとの間で基板P上の液体LQが膜になった場合でも、第3領域53で、液体LQを回収することができる。本実施形態においては、第2領域52の吸引力が比較的小さいため、基板P上の液体LQの一部が膜になったとしても、その膜の厚さは比較的厚い(例えば、図7(B)で説明した基板P上の膜よりも厚い)。したがって、基板P上で膜となった液体LQを、第3領域53で回収することができる。   Even if the liquid LQ on the substrate P becomes a film between the second region 52 and the substrate P, the liquid LQ can be recovered in the third region 53. In the present embodiment, since the suction force of the second region 52 is relatively small, even if a part of the liquid LQ on the substrate P becomes a film, the thickness of the film is relatively thick (for example, FIG. 7 It is thicker than the film on the substrate P described in (B)). Therefore, the liquid LQ that has become a film on the substrate P can be collected in the third region 53.

また、本実施形態においては、第3領域53の大きさW3は、第2領域52の大きさW2より大きいので、基板P上で液体LQが膜になったとしても、その液体LQを第3領域W3で回収することができる。   In the present embodiment, since the size W3 of the third region 53 is larger than the size W2 of the second region 52, even if the liquid LQ becomes a film on the substrate P, the liquid LQ is transferred to the third region 53. It can collect | recover in area | region W3.

また、本実施形態においては、第3領域53に対して−Y側に、第3領域53より大きい吸引力を有する第4領域54が配置されている。したがって、仮に、第3領域53で液体LQを回収しきれなかったとしても、その回収しきれなかった液体LQを第4領域54で回収することができる。   In the present embodiment, the fourth region 54 having a suction force larger than that of the third region 53 is arranged on the −Y side with respect to the third region 53. Therefore, even if the liquid LQ cannot be recovered in the third region 53, the liquid LQ that cannot be recovered can be recovered in the fourth region 54.

以上説明したように、本実施形態によれば、液体LQの漏出、残留等の発生を抑制できるので、露光不良の発生を抑制できる。また、露光不良の発生を抑制しつつ、基板Pの移動速度を高速化できる。したがって、良好なデバイスを生産性良く製造できる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of leakage, remaining, etc. of the liquid LQ, and thus it is possible to suppress the occurrence of exposure failure. In addition, the movement speed of the substrate P can be increased while suppressing the occurrence of exposure failure. Therefore, a good device can be manufactured with high productivity.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図9は、第2実施形態に係る液浸部材6Bを示す図である。本実施形態において、多孔部材24Nの開口率はほぼ均一である。本実施形態においては、図9に示すように、回収流路38Aが、複数の仕切部材70によって、複数の回収流路381〜384に分けられている。回収流路381は、第1領域51を介した液体LQを回収し、回収流路382は、第2領域52を介した液体LQを回収し、回収流路383は、第3領域53を介した液体LQを回収し、回収流路384は、第2領域54を介した液体LQを回収する。各回収流路381〜384には、液体回収装置371〜374がそれぞれ接続されている。制御装置は、第1〜第4領域51〜54のそれぞれが、例えば上述の第1実施形態で説明した吸引力となるように、各液体回収装置371〜374を制御する。吸引力は、多孔部材24Nの上面24Aと下面24Bとの圧力差によって変化するので、制御装置4は、第1〜第4領域51〜54のそれぞれが所望の吸引力となるように、すなわち、第1〜第4領域51〜54のそれぞれにおいて、上面24Aと下面24Bとが所望の圧力差となるように、各液体回収装置371〜374を制御する。本実施形態においても、液体LQの漏出、残留等を抑制することができる。   FIG. 9 is a view showing a liquid immersion member 6B according to the second embodiment. In the present embodiment, the aperture ratio of the porous member 24N is substantially uniform. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the recovery flow path 38 </ b> A is divided into a plurality of recovery flow paths 381 to 384 by a plurality of partition members 70. The recovery channel 381 recovers the liquid LQ via the first region 51, the recovery channel 382 recovers the liquid LQ via the second region 52, and the recovery channel 383 passes through the third region 53. The recovered liquid LQ is recovered, and the recovery flow path 384 recovers the liquid LQ via the second region 54. Liquid recovery devices 371 to 374 are connected to the recovery channels 381 to 384, respectively. The control device controls each of the liquid recovery devices 371 to 374 such that each of the first to fourth regions 51 to 54 has the suction force described in the first embodiment, for example. Since the suction force varies depending on the pressure difference between the upper surface 24A and the lower surface 24B of the porous member 24N, the control device 4 allows each of the first to fourth regions 51 to 54 to have a desired suction force, that is, In each of the first to fourth regions 51 to 54, the liquid recovery devices 371 to 374 are controlled so that the upper surface 24A and the lower surface 24B have a desired pressure difference. Also in the present embodiment, leakage, remaining, etc. of the liquid LQ can be suppressed.

なお、上述の第1、第2実施形態において、回収面22の異なる2つの領域(例えば第1領域51と第2領域52)の吸引力を異ならせるために、多孔部材の開口率と多孔部材の上面との下面との間の圧力差の両方を異ならせてもよい。   In the first and second embodiments described above, the aperture ratio of the porous member and the porous member are different in order to make the suction forces of two different regions (for example, the first region 51 and the second region 52) of the collection surface 22 different. Both of the pressure differences between the upper surface and the lower surface may be made different.

なお、上述の第1、第2実施形態において、第1領域51における吸引力と、第3領域53における吸引力とが異なってもよい。例えば、第1領域51における開口率と、第3領域53における開口率とが異なってもよい。例えば、第1領域51における吸引力を、第3領域53における吸引力より大きくしてもよいし、第1領域51における吸引力を、第3領域53における吸引力より小さくしてもよい。   In the first and second embodiments described above, the suction force in the first region 51 and the suction force in the third region 53 may be different. For example, the aperture ratio in the first region 51 may be different from the aperture ratio in the third region 53. For example, the suction force in the first region 51 may be larger than the suction force in the third region 53, and the suction force in the first region 51 may be smaller than the suction force in the third region 53.

なお、上述の各実施形態において、光路Kに対する放射方向において、第2領域52の大きさW2が、第3領域53の大きさW3とほぼ同じでもよい。   In each of the above-described embodiments, the size W2 of the second region 52 may be substantially the same as the size W3 of the third region 53 in the radiation direction with respect to the optical path K.

なお、上述の各実施形態において、光路Kに対する放射方向において、第4領域54の大きさW4が、第2領域52の大きさW2より大きくてもよい。また、光路Kに対する放射方向において、第4領域54の大きさW4が、第3領域53の大きさW3より大きくてもよい。   In each embodiment described above, the size W4 of the fourth region 54 may be larger than the size W2 of the second region 52 in the radiation direction with respect to the optical path K. Further, the size W4 of the fourth region 54 may be larger than the size W3 of the third region 53 in the radiation direction with respect to the optical path K.

なお、上述の各実施形態において、第3領域53、及び/又は第4領域54における吸引力が、光路Kに対する放射方向(例えば図8における−Y軸方向)において、徐々に大きくなってもよい。例えば、第3領域53及び/又は第4領域54における開口率が、光路Kにおける放射方向において、徐々に大きくなってもよい。例えば、光路Kにおける放射方向において、第4領域54における孔24Hの密度を徐々に高くしてもよい。これにより、より確実に液体LQを回収することができる。   In each of the above-described embodiments, the suction force in the third region 53 and / or the fourth region 54 may gradually increase in the radial direction with respect to the optical path K (for example, the −Y axis direction in FIG. 8). . For example, the aperture ratio in the third region 53 and / or the fourth region 54 may gradually increase in the radiation direction in the optical path K. For example, in the radiation direction in the optical path K, the density of the holes 24H in the fourth region 54 may be gradually increased. Thereby, the liquid LQ can be collected more reliably.

なお、上述の各実施形態においては、第1領域51における吸引力と、第2領域52における吸引力と、第3領域53における吸引力と、第4領域54における吸引力とがステップ的に変化してもよいし、徐々に変化(連続的に変化)してもよい。   In each of the above-described embodiments, the suction force in the first region 51, the suction force in the second region 52, the suction force in the third region 53, and the suction force in the fourth region 54 change stepwise. Alternatively, it may be gradually changed (continuously changed).

なお、上述の各実施形態において、回収面22が、光路Kに対して第4領域54の外側に、第4領域54より大きい吸引力を有する第5領域を備えてもよい。   In each of the above-described embodiments, the collection surface 22 may include a fifth region that has a greater suction force than the fourth region 54 outside the fourth region 54 with respect to the optical path K.

なお、上述の各実施形態において、回収面22の少なくとも一部が、ランド面21より+Z側に配置されてもよい。換言すれば、基板Pの表面と回収面22の少なくとも一部との間隔が、基板Pの表面とランド面21との間隔より大きくてもよい。例えば、第1領域51及び第2領域52が、第3領域53及び第4領域54より+Z側に配置されてもよい。   In each of the above-described embodiments, at least a part of the collection surface 22 may be disposed on the + Z side from the land surface 21. In other words, the distance between the surface of the substrate P and at least a part of the recovery surface 22 may be larger than the distance between the surface of the substrate P and the land surface 21. For example, the first region 51 and the second region 52 may be arranged on the + Z side from the third region 53 and the fourth region 54.

また、回収面22の少なくとも一部が、ランド面21に対して傾斜する斜面でもよい。例えば、第1領域51の少なくとも一部が、光路Kから離れる方向において、基板Pの表面から徐々に離れるように傾斜していてもよい。あるいは、第2領域52の少なくとも一部が、光路Kから離れる方向において、基板Pの表面に徐々に近付くように傾斜していてもよい。   Further, at least a part of the collection surface 22 may be a slope inclined with respect to the land surface 21. For example, at least a part of the first region 51 may be inclined so as to be gradually separated from the surface of the substrate P in the direction away from the optical path K. Alternatively, at least a part of the second region 52 may be inclined so as to gradually approach the surface of the substrate P in a direction away from the optical path K.

また、回収面22の各領域のZ方向の位置が異なっていてもよい。すなわち、回収面の各領域と基板P表面との間隔が異なっていてもよい。例えば、第2領域52の少なくとも一部が、第1領域51より低い位置に、すなわち第1領域51よりも基板Pの表面に近い位置に形成されていてもよい。この場合、光路Kに対する放射方向(例えば図8における−Y軸方向)において、第2領域52が徐々に基板Pの表面に近づくように下方に傾斜していてもよい。また、第3領域53の少なくとも一部が第2領域52より低い位置、すなわち第2領域52よりも基板Pの表面に近い位置に形成されていてもよい。この場合、光路Kに対する放射方向(例えば図8における−Y軸方向)において、第3領域53が徐々に基板Pの表面に近づくように下方に傾斜していてもよい。   Moreover, the position of each area | region of the collection | recovery surface 22 in the Z direction may differ. That is, the distance between each region of the collection surface and the surface of the substrate P may be different. For example, at least a part of the second region 52 may be formed at a position lower than the first region 51, that is, at a position closer to the surface of the substrate P than the first region 51. In this case, in the radiation direction with respect to the optical path K (for example, the −Y axis direction in FIG. 8), the second region 52 may be inclined downward so as to gradually approach the surface of the substrate P. Further, at least a part of the third region 53 may be formed at a position lower than the second region 52, that is, at a position closer to the surface of the substrate P than the second region 52. In this case, in the radiation direction with respect to the optical path K (for example, the −Y axis direction in FIG. 8), the third region 53 may be inclined downward so as to gradually approach the surface of the substrate P.

なお、上述の各実施形態において、第4領域54を省略してもよい。例えば基板P上で膜となった液体LQを第3領域53で回収しきれる場合には、第4領域54を省略することができる。   In each of the above embodiments, the fourth region 54 may be omitted. For example, when the liquid LQ that has become a film on the substrate P can be collected in the third region 53, the fourth region 54 can be omitted.

なお、上述の各実施形態において、多孔部材24の上面24Aにおける孔(開口)24Hの大きさと、下面24Bにおける孔(開口)24Hの大きさとが異なってもよい。例えば、上面24Aにおける孔(開口)24Hの大きさが、下面24Bにおける孔(開口)24Hの大きさより大きくてもよい。また、上面24Aにおける孔(開口)24Hの大きさが、下面24Bにおける孔(開口)24Hの大きさより小さくてもよい。   In each of the above-described embodiments, the size of the hole (opening) 24H in the upper surface 24A of the porous member 24 may be different from the size of the hole (opening) 24H in the lower surface 24B. For example, the size of the hole (opening) 24H in the upper surface 24A may be larger than the size of the hole (opening) 24H in the lower surface 24B. The size of the hole (opening) 24H in the upper surface 24A may be smaller than the size of the hole (opening) 24H in the lower surface 24B.

なお、上述の各実施形態において、多孔部材24としては、プレート部材に液体LQが流通可能な複数の小さい孔を形成したものに限られず、複数の孔が形成された部材を複数組み合わせて、網目状又はハニカム状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタでもよい。また、多孔部材24として、多数の孔(pore)が形成された焼結部材(例えば、焼結金属)、発泡部材(例えば、発泡金属)等を用いてもよい。   In each of the above-described embodiments, the porous member 24 is not limited to a plate member in which a plurality of small holes through which the liquid LQ can flow is formed, and a plurality of members in which a plurality of holes are formed may be combined to form a mesh. It may be a mesh filter that is a porous member in which a large number of small holes are formed in a honeycomb shape or a honeycomb shape. Further, as the porous member 24, a sintered member (for example, sintered metal) in which a large number of pores are formed, a foamed member (for example, foamed metal), or the like may be used.

なお、上述の各実施形態において、投影光学系PLは、終端光学素子5の射出側(像面側)の光路Kを液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子5の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たす投影光学系を採用することもできる。   In each of the above-described embodiments, the projection optical system PL fills the optical path K on the exit side (image plane side) of the last optical element 5 with a liquid, but is disclosed in International Publication No. 2004/019128. As described above, it is also possible to employ a projection optical system in which the optical path on the incident side (object plane side) of the last optical element 5 is also filled with the liquid LQ.

なお、上述の実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体LQとしては、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材(フォトレジスト)の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体LQとして、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で、液体LQと接触する投影光学系PLの光学素子(終端光学素子など)を形成してもよい。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。   In addition, although the liquid LQ of the above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. The liquid LQ is preferably a liquid LQ that is transparent to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the projection optical system or a photosensitive material (photoresist) film that forms the surface of the substrate. For example, as the liquid LQ, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, cedar oil, or the like can be used. A liquid LQ having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used. Furthermore, an optical element (such as a terminal optical element) of the projection optical system PL that is in contact with the liquid LQ may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz and fluorite (for example, 1.6 or more). In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.

また、例えば露光光ELがFレーザ光である場合、このFレーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはFレーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。 Further, for example, when the exposure light EL is F 2 laser light, the F 2 laser light does not transmit water, so that the liquid LQ can transmit F 2 laser light, such as perfluorinated polyether (PFPE). ), Fluorine-based fluids such as fluorine-based oils can be used. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Further, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system in a state where the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and one shot on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of a region almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.

また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6400441号明細書、米国特許第6549269号明細書、米国特許第6590634号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   In addition, the present invention is disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,400,491, US Pat. No. 6,549,269, US Pat. No. 6,590,634, US Pat. The present invention can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in the specification and the like.

更に、例えば対応米国特許第6897963号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。計測ステージが終端光学素子の射出面及び液浸部材の下面と対向する位置に配置されることによって、終端光学素子及び液浸部材は、計測ステージとの間で液浸空間を形成することができる。   Furthermore, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963, etc., a substrate stage for holding a substrate, a reference member on which a reference mark is formed, and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted. The present invention can also be applied to other exposure apparatuses. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages. By arranging the measurement stage at a position facing the exit surface of the terminal optical element and the lower surface of the liquid immersion member, the terminal optical element and the liquid immersion member can form an immersion space with the measurement stage. .

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.

なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計3A、3Bを含む干渉計システム3を用いてマスクステージ1及び基板ステージ2の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ1、2に設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。   In each of the above-described embodiments, the positional information of the mask stage 1 and the substrate stage 2 is measured using the interferometer system 3 including the laser interferometers 3A and 3B. You may use the encoder system which detects the scale (diffraction grating) provided in each stage 1 and 2. FIG. In this case, it is good also as a hybrid system provided with both an interferometer system and an encoder system.

また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。   In each of the above embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as the exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。   In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).

上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。   In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example, but the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.

また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.

以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図10に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理(露光処理)を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   As shown in FIG. 10, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a substrate of the device. Substrate processing step 204 including substrate processing (exposure processing) including exposing the substrate with exposure light using a mask pattern and developing the exposed substrate according to the above-described embodiment. The device is manufactured through a device assembly step (including processing processes such as a dicing process, a bonding process, and a package process) 205, an inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

第1実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る液浸部材の近傍を示す側断面図である。FIG. 3 is a side sectional view showing the vicinity of the liquid immersion member according to the first embodiment. 第1実施形態に係る液浸部材を示す概略斜視図の一部破断図である。It is a partially broken view of the schematic perspective view which shows the liquid immersion member which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る液浸部材を下側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the liquid immersion member concerning a 1st embodiment from the lower side. 第1実施形態に係る液浸部材の一部を拡大した側断面図である。FIG. 3 is an enlarged side sectional view of a part of the liquid immersion member according to the first embodiment. 第1実施形態に係る多孔部材の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the porous member concerning a 1st embodiment. 比較例に係る液浸部材の作用を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect | action of the liquid immersion member which concerns on a comparative example. 第1実施形態に係る液浸部材の作用を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the effect | action of the liquid immersion member which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る液浸部材の一部を拡大した側断面図である。FIG. 7 is an enlarged side sectional view of a part of a liquid immersion member according to a second embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice.

符号の説明Explanation of symbols

2…基板ステージ、5…終端光学素子、5U…射出面、6…液浸部材、7…下面、21…ランド面、22…回収面、24…多孔部材、24H…孔、51…第1領域、52…第2領域、53…第3領域、54…第4領域、EL…露光光、EX…露光装置、K…光路、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板   2 ... Substrate stage, 5 ... Terminal optical element, 5U ... Ejection surface, 6 ... Immersion member, 7 ... Lower surface, 21 ... Land surface, 22 ... Recovery surface, 24 ... Porous member, 24H ... Hole, 51 ... First region 52 ... second region 53 ... third region 54 ... fourth region EL ... exposure light EX ... exposure device K ... optical path LQ ... liquid liquid LS ... immersion space P ... substrate

Claims (31)

光学部材と液体とを介して露光光で基板を露光する液浸露光で用いられ、前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路を前記液体で満たすための液浸システムであって、
前記露光光の光路の周囲に配置された第1面と、
前記露光光の光路に対して前記第1面の外側に設けられ、対向する物体上の液体を吸引して回収する液体回収領域と、を備え、
前記液体回収領域は、前記第1面の外縁と隣り合って配置される第1領域と、前記露光光の光路に対して前記第1領域の外側に配置された第2領域と、前記露光光の光路に対して前記第2領域の外側に配置された第3領域と、を含み、
前記第2領域における吸引力は、前記第1領域における吸引力及び前記第3領域における吸引力より小さい液浸システム。
An immersion system used in immersion exposure for exposing a substrate with exposure light through an optical member and a liquid, and filling the optical path of the exposure light between the optical member and the substrate with the liquid. ,
A first surface disposed around the optical path of the exposure light;
A liquid recovery area that is provided outside the first surface with respect to the optical path of the exposure light, and sucks and recovers the liquid on the opposing object;
The liquid recovery region includes a first region disposed adjacent to an outer edge of the first surface, a second region disposed outside the first region with respect to the optical path of the exposure light, and the exposure light. A third region disposed outside the second region with respect to the optical path of
An immersion system in which the suction force in the second region is smaller than the suction force in the first region and the suction force in the third region.
前記第1領域における吸引力と、前記第3領域における吸引力とは、ほぼ同じである請求項1記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 1, wherein the suction force in the first region and the suction force in the third region are substantially the same. 前記第1領域における吸引力と、前記第3領域における吸引力とは、異なる請求項1記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 1, wherein the suction force in the first region is different from the suction force in the third region. 前記液体回収領域は、前記露光光の光路に対して前記第3領域の外側に配置された第4領域を含み、
前記第4領域における吸引力は、前記第3領域における吸引力より大きい請求項1〜3のいずれか一項記載の液浸システム。
The liquid recovery region includes a fourth region disposed outside the third region with respect to the optical path of the exposure light,
The liquid immersion system according to claim 1, wherein the suction force in the fourth region is larger than the suction force in the third region.
前記第4領域における吸引力は、前記露光光の光路に対する放射方向において、徐々に大きくなる請求項4記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 4, wherein the suction force in the fourth region gradually increases in a radiation direction with respect to the optical path of the exposure light. 前記液体回収領域は、多孔部材の表面を含む請求項1〜5のいずれか一項記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 1, wherein the liquid recovery region includes a surface of a porous member. 前記物体上の液体の少なくとも一部は、前記多孔部材を介して回収される請求項6記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 6, wherein at least a part of the liquid on the object is collected through the porous member. 前記多孔部材の単位面積当たりの孔の割合によって、前記吸引力が変化する請求項6又は7記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 6 or 7, wherein the suction force varies depending on a ratio of holes per unit area of the porous member. 前記多孔部材は、前記物体と対向する第1面と、前記第1面との間に前記孔が形成された第2面とを有し、
第1面と前記第2面との圧力差によって、前記吸引力が変化する請求項6又は7記載の液浸システム。
The porous member has a first surface facing the object, and a second surface in which the hole is formed between the first surface,
The liquid immersion system according to claim 6 or 7, wherein the suction force changes depending on a pressure difference between the first surface and the second surface.
光学部材と液体とを介して露光光で基板を露光する液浸露光で用いられ、前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路を前記液体で満たすための液浸システムであって、
前記露光光の光路の周囲に配置された第1面と、
前記露光光の光路に対して前記第1面の外側に設けられ、対向する物体上の液体を吸引して回収する多孔部材の表面を含む液体回収領域と、を備え、
前記液体回収領域は、前記第1面の外縁と隣り合って配置される第1領域と、前記露光光の光路に対して前記第1領域の外側に配置された第2領域と、前記露光光の光路に対して前記第2領域の外側に配置された第3領域と、を含み、
前記第2領域における開口率は、前記第1領域における開口率及び前記第3領域における開口率より小さい液浸システム。
An immersion system used in immersion exposure for exposing a substrate with exposure light through an optical member and a liquid, and filling the optical path of the exposure light between the optical member and the substrate with the liquid. ,
A first surface disposed around the optical path of the exposure light;
A liquid recovery region that is provided outside the first surface with respect to the optical path of the exposure light and includes a surface of a porous member that sucks and recovers the liquid on the opposing object;
The liquid recovery region includes a first region disposed adjacent to an outer edge of the first surface, a second region disposed outside the first region with respect to the optical path of the exposure light, and the exposure light. A third region disposed outside the second region with respect to the optical path of
An immersion system in which the aperture ratio in the second region is smaller than the aperture ratio in the first region and the aperture ratio in the third region.
前記第1領域における開口率と、前記第3領域における開口率とは、ほぼ同じである請求項10記載の液浸システム。   The immersion system according to claim 10, wherein an aperture ratio in the first region and an aperture ratio in the third region are substantially the same. 前記第1領域における開口率と、前記第3領域における開口率とは、異なる請求項10記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 10, wherein an aperture ratio in the first region is different from an aperture ratio in the third region. 前記液体回収領域は、前記露光光の光路に対して前記第3領域の外側に配置された第4領域を含み、
前記第4領域における開口率は、前記第3領域における開口率より大きい請求項10〜12のいずれか一項記載の液浸システム。
The liquid recovery region includes a fourth region disposed outside the third region with respect to the optical path of the exposure light,
The liquid immersion system according to any one of claims 10 to 12, wherein an aperture ratio in the fourth region is larger than an aperture ratio in the third region.
前記第4領域における開口率は、前記露光光の光路に対する放射方向において、徐々に大きくなる請求項13記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 13, wherein an aperture ratio in the fourth region gradually increases in a radiation direction with respect to an optical path of the exposure light. 前記開口率は、前記多孔部材の単位面積当たりの孔の割合である請求項10〜14のいずれか一項記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 10, wherein the aperture ratio is a ratio of holes per unit area of the porous member. 前記物体上の液体の少なくとも一部は、前記多孔部材を介して回収される請求項10〜15のいずれか一項記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to claim 10, wherein at least a part of the liquid on the object is collected through the porous member. 前記露光光の光路に対する放射方向において、前記第2領域の大きさは、前記第1領域の大きさより大きい請求項1〜16のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to any one of claims 1 to 16, wherein a size of the second region is larger than a size of the first region in a radiation direction with respect to an optical path of the exposure light. 前記露光光の光路に対する放射方向において、前記第2領域の大きさは、前記第3領域の大きさより小さい請求項1〜17のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to any one of claims 1 to 17, wherein a size of the second region is smaller than a size of the third region in a radiation direction with respect to an optical path of the exposure light. 前記露光光の光路に対する放射方向において、前記第2領域の大きさは、前記第3領域の大きさとほぼ同じである請求項1〜17のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to any one of claims 1 to 17, wherein a size of the second region is substantially the same as a size of the third region in a radiation direction with respect to an optical path of the exposure light. 前記第3領域の少なくとも一部と前記物体との間隔は、前記第2領域の少なくとも一部と前記物体との間隔よりも小さい請求項1〜19のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to claim 1, wherein a distance between at least a part of the third region and the object is smaller than a distance between at least a part of the second region and the object. 前記第2領域の少なくとも一部は、前記露光光の光路に対する放射方向において下方に傾斜している請求項1〜20のいずれか一項記載の液浸システム。   21. The immersion system according to claim 1, wherein at least a part of the second region is inclined downward in a radiation direction with respect to an optical path of the exposure light. 前記第1面の少なくとも一部は、前記物体の表面とほぼ平行である請求項1〜21のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to any one of claims 1 to 21, wherein at least a part of the first surface is substantially parallel to a surface of the object. 前記液体回収領域の少なくとも一部は、前記第1面とほぼ平行である請求項1〜22のいずれか一項記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to any one of claims 1 to 22, wherein at least a part of the liquid recovery region is substantially parallel to the first surface. 前記露光光に対して前記基板が所定方向に移動され、
前記液体回収領域は、前記露光光の光路に対する前記所定方向の両側に配置されている請求項1〜23のいずれか一項記載の液浸システム。
The substrate is moved in a predetermined direction with respect to the exposure light;
The liquid immersion system according to any one of claims 1 to 23, wherein the liquid recovery area is disposed on both sides of the predetermined direction with respect to the optical path of the exposure light.
前記液体回収領域は、前記露光光の光路の周囲に配置されている請求項1〜24のいずれか一項記載の液浸システム。   The liquid immersion system according to any one of claims 1 to 24, wherein the liquid recovery region is disposed around an optical path of the exposure light. 前記第1面及び前記液体回収領域を有する液浸部材を備え、
前記液浸部材は、前記光路を囲むように配置されている請求項1〜25のいずれか一項記載の液浸システム。
A liquid immersion member having the first surface and the liquid recovery region;
26. The liquid immersion system according to any one of claims 1 to 25, wherein the liquid immersion member is disposed so as to surround the optical path.
前記物体は、前記基板を含む請求項1〜26のいずれか一項記載の液浸システム。   The immersion system according to any one of claims 1 to 26, wherein the object includes the substrate. 液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
請求項1〜27のいずれか一項記載の液浸システムを備えた露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a liquid,
An exposure apparatus comprising the immersion system according to any one of claims 1 to 27.
請求項28記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 28;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
液体を介して露光光で基板を露光する露光方法であって、
請求項1〜27のいずれか一項記載の液浸システムを用いて、前記光学部材と前記基板との間の前記露光光の光路を液体で満たすことと、
前記光学部材と前記液体とを介して前記基板に露光光を照射することと、を含む露光方法。
An exposure method for exposing a substrate with exposure light through a liquid,
Filling the optical path of the exposure light between the optical member and the substrate with a liquid using the immersion system according to any one of claims 1 to 27;
Irradiating the substrate with exposure light through the optical member and the liquid.
請求項30記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure method of claim 30;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
JP2008024445A 2008-02-04 2008-02-04 Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method Pending JP2009188060A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008024445A JP2009188060A (en) 2008-02-04 2008-02-04 Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008024445A JP2009188060A (en) 2008-02-04 2008-02-04 Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009188060A true JP2009188060A (en) 2009-08-20

Family

ID=41071035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008024445A Pending JP2009188060A (en) 2008-02-04 2008-02-04 Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009188060A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011166151A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011166151A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, and device manufacturing method
US8804094B2 (en) 2010-02-12 2014-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5245477B2 (en) Immersion member, immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device manufacturing method
TWI468872B (en) A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
JP5516598B2 (en) Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5846191B2 (en) Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device manufacturing method
JP2010528449A (en) Exposure apparatus, immersion system, exposure method, and device manufacturing method
JP5278034B2 (en) Substrate holding apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010205914A (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing device
JP5369443B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2009021498A (en) Exposure device, liquid immersion system, and device manufacturing method
JP2010135794A (en) Immersion lithography apparatus and method, and device manufacturing method
JP2011222652A (en) Substrate stage, exposure equipment and immersion exposure method using the same, and device manufacturing method using the method
JP2010267656A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device-manufacturing method
JP2009188060A (en) Liquid immersion system, exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP2010157724A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010135796A (en) Immersion lithography apparatus and method, and device manufacturing method
JP2010034318A (en) Stage device, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010034227A (en) Stage device, exposure device, exposure method, and device manufacturing method
JP2009212234A (en) Liquid collecting system, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010278299A (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device
JP2011159865A (en) Liquid immersion member, immersion lithography apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP2010258454A (en) Liquid collecting system, apparatus for exposure, method of exposure, and method of manufacturing device
JP2010192820A (en) Liquid recovery system, exposure device and method, and device manufacturing method
JP2010157725A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010135795A (en) Immersion lithography apparatus and method, and device manufacturing method
JP2010157727A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method