JP2009094213A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属ベースプリント配線板からなる配線基板に実装して用いる場合の温度サイクルに対する信頼性を向上できる発光装置を提供する。
【解決手段】LEDチップ1と、LEDチップ1が一表面側に実装された多層セラミック基板からなる実装基板2と、実装基板2の他表面側に埋設され投影視における外周線がLEDチップ1の外周線よりも外側に位置するメタルプレート25とを備える。メタルプレート25は、実装基板2の上記他表面を含む平面から突出している。金属ベースプリント配線板からなる配線基板7に実装する際は、メタルプレート25を半田からなる接合部85を介して配線基板7の導体パターン75と接合して熱結合させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDチップ(発光ダイオードチップ)を利用した発光装置に関するものである。
従来から、LEDチップと、LEDチップを収納する収納凹所が一表面側に形成されLEDチップへの給電用の配線パターンが設けられた実装基板と、実装基板の上記一表面側で収納凹所を閉塞する色変換部材とを備え、各配線パターンのうち実装基板の収納凹所の内底面上に形成された一端部がチップ接続部を構成し、実装基板の他表面側の周部に形成された他端部が外部接続用電極を構成してなる表面実装型の発光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。ここにおいて、実装基板は、熱伝導率の高いセラミックス基板からなる絶縁性基板に上記収納凹所が形成されるとともに配線パターンが設けられている。なお、上述の発光装置では、LEDチップとして青色LEDチップを用い、色変換部材を黄色蛍光体および透光性材料により形成することで、青色光と黄色光との混色光からなる白色光が得られる白色発光装置を実現することができる。
ところで、複数個の発光装置を配線基板に表面実装してLEDモジュールを構成する場合、実装基板の上記他表面側の各外部接続用電極を半田からなる接合部を介して配線基板の配線パターンと電気的に接続すればよく、上記特許文献1には、発光装置のLEDチップで発生した熱を効率良く放熱させるために配線基板として金属ベースプリント配線板を用い、実装基板の他表面から連続一体に突出した放熱用凸部を金属ベースプリント配線板に半田からなる接合部を介して熱結合させることが提案されている。
特開2005−12155号公報 特開2007−490019号公報
しかしながら、上述の発光装置では、実装基板を金属ベースプリント配線板からなる配線基板に半田からなる接合部を介して表面実装して使用する場合、通電のオンオフなどによる温度サイクルに起因した熱ストレスがかかると、実装基板と配線基板との線膨張率差に起因して接合部に応力がかかり、接合部にクラックが発生して通電不良や放熱性低下などの原因になることがあった。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、金属ベースプリント配線板からなる配線基板に実装して用いる場合の温度サイクルに対する信頼性を向上できる発光装置を提供することにある。
請求項1の発明は、LEDチップと、LEDチップが一表面側に実装された実装基板と、実装基板の他表面側に埋設され投影視における外周線がLEDチップの外周線よりも外側に位置するメタルプレートとを備え、メタルプレートは、実装基板の前記他表面を含む平面から突出していることを特徴とする。
この発明によれば、実装基板の他表面側に埋設され投影視における外周線がLEDチップの外周線よりも外側に位置するメタルプレートを備え、メタルプレートが、実装基板の前記他表面を含む平面から突出しているので、金属ベースプリント配線板からなる配線基板に実装して用いる場合に、メタルプレートを配線基板に半田からなる接合部を介して熱結合させることにより、実装基板を配線基板に半田からなる接合部を介して熱結合させるのに比べて、線膨張率差が小さくなり、温度サイクルに起因して接合部にかかる応力を緩和することができ、温度サイクルに対する信頼性を向上できる。また、LEDチップで発生した熱がLEDチップよりも広いメタルプレートへ伝熱されて放熱されるので、LEDチップの温度上昇が抑制され、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。
請求項2の発明は、請求項1の発明において、前記実装基板の前記他表面側に前記LEDチップと電気的に接続される外部接続用電極が形成されてなり、前記メタルプレートが外部接続用電極の表面を含む平面よりも突出していることを特徴とする。
この発明によれば、前記メタルプレートを備えていない場合や前記メタルプレートと外部接続用電極とが面一の場合に比べて、外部接続用電極と配線基板の配線パターンとの間の接合部の厚みを厚くすることができ、通電のオンオフによる温度サイクルがかかったときに配線基板と前記実装基板との線膨張率差に起因して外部接続用電極と配線パターンとの接合部に生じる応力が緩和される。
請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明において、前記実装基板の側面の一部に前記メタルプレートの側面を露出させる切欠部が設けられてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記実装基板の側面の一部に前記メタルプレートの側面を露出させる切欠部が設けられていることにより、配線基板に実装して用いる場合に、前記配線基板への実装後に前記メタルプレートと配線基板との接合部の接合状況を目視確認することが可能となり、X線装置などの大掛かりな設備を利用しなくても接合部の接合状況を確認することができるので、接合部の接合状況を確認する工程が容易になる。
請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3の発明において、前記メタルプレートは、前記実装基板の前記一表面側に露出するマウント部が突設されてなり、前記LEDチップは、マウント部に搭載されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップで発生した熱が前記メタルプレートへ直接伝熱されるので、放熱性が向上し、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。
請求項5の発明は、請求項4の発明において、前記マウント部は、前記実装基板の前記一表面を含む平面から突出していることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップから放射される光のうち前記実装基板の前記一表面へ入射して吸収される成分を低減できて、前記色変換部材に直接入射する成分が増えるから、発光装置全体としての外部への光取り出し効率を向上できる。
請求項6の発明は、請求項4または請求項5の発明において、前記マウント部は、前記LEDチップの搭載領域の周囲に短絡防止溝が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記LEDチップを前記マウント部の搭載領域に半田により接合する際に前記LEDチップ直下から溢れ出た余分な半田が短絡防止溝に溜まるので、余分な半田が前記実装基板の前記一表面側の配線パターン上まで流れ出ることによる短絡を防止することができる。
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項6の発明において、前記メタルプレートは、前記実装基板の他表面側と同じ面側に中央から外側に向かって幅の広くなる溝が形成されてなることを特徴とする。
この発明によれば、前記配線基板に実装して用いるにあたって、前記メタルプレートを前記配線基板に半田により接合する際に、半田の溶融から硬化の過程で生じるフラックスなどのガスおよび気泡が溝に沿って外部に抜けやすくなり、硬化後の半田からなる接合部の内部にボイドが生じるのを抑制することができ、結果的に、前記LEDチップと前記配線基板との間の熱抵抗のばらつきを小さくすることができるとともに、温度サイクルがかかった時に前記実装基板と前記配線基板との線膨張率差によって生じる応力変化に対する接合部の耐性が高くなって信頼性が向上する。
請求項1の発明では、金属ベースプリント配線板からなる配線基板に実装して用いる場合の温度サイクルに対する信頼性を向上できるという効果がある。
(実施形態1)
本実施形態の発光装置Aは、図1に示すように、LEDチップ1と、LEDチップ1が一表面側に実装された実装基板2と、LEDチップ1から放射された光によって励起されてLEDチップ1の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成されLEDチップ1を実装基板2との間に囲む形で実装基板2の上記一表面側に配設されたドーム状の色変換部材4と、LEDチップ1と色変換部材4との間に設けられLEDチップ1を封止した透光性材料からなる封止部3とを備えている。ここにおいて、本実施形態の発光装置Aは、LEDチップ1を実装基板2との間に囲む形で実装基板2の上記一表面側に配設されたドーム状の光学部材15を備えており、色変換部材4が、光学部材15の光出射面との間に空気層16が形成される形で実装基板2に接合されており、光学部材15と実装基板2とで囲まれた空間に封止部3が充実されている。
なお、本実施形態の発光装置では、LEDチップ1として、青色光を放射するGaN系青色LEDチップを用い、色変換部材4の蛍光体として、LEDチップ1から放射された青色光によって励起されてブロードな黄色系の光を放射する粒子状の黄色蛍光体を用いており、LEDチップ1から放射され封止部3および光学部材15および色変換部材4を透過した青色光と、色変換部材4の黄色蛍光体から放射された黄色光とが色変換部材4の光出射面から拡散した配光となって出射されることとなり、白色光を得ることができる。
実装基板2は、LEDチップ1が電気的に接続される2つの配線パターン21,21が一表面側に設けられた多層セラミック基板により構成されている。ここにおいて、実装基板2の他表面側には2つの外部接続用電極23,23が形成されており、各配線パターン21,21がビア22a,22aを介して内部の導体パターン22b,22bと繋がっており、当該導体パターン22b,22bが側面に沿って形成された導体パターン22c,22cを介して外部接続用電極23,23と電気的に接続されている。なお、実装基板2の材料はセラミックに限らず、絶縁性の高いガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂でもよい。
また、本実施形態の発光装置Aは、実装基板2の他表面側に、LEDチップ1で発生した熱が伝熱されるCu製のメタルプレート25が埋設されており、投影視におけるメタルプレート25の外周線がLEDチップ1の外周線の外側に位置している。要するに、メタルプレート25の投影領域内にLEDチップ1が配置されている。したがって、LEDチップ1で発生した熱がLEDチップ1よりも広いメタルプレート25へ伝熱されて放熱されるので、LEDチップ1の温度上昇が抑制され、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。ここにおいて、実装基板2は、上記他表面の中央部にメタルプレート25が埋設される埋込穴24aが設けられ、埋込穴24aの内底面(メタルプレート25との接合部位)にメッキが施されており、メタルプレート25がロウ付けなどで接合されている。また、メタルプレート25は、他表面が実装基板2の上記他表面を含む平面よりも突出しており、メタルプレート25の上記他表面が実装基板2の上記他表面を含む平面と平行になっている。ここで、メタルプレート25は、各外部接続用電極23,23の表面を含む平面よりも突出している。なお、メタルプレート25の材料は、Cuに限らず、例えば、CuWなどでもよい。
ところで、LEDチップ1は、一表面側に各電極が形成されており、他表面側が実装基板2に半田からなる接合部12を介して接合され、各電極それぞれが金細線からなるボンディングワイヤ14を介して配線パターン21と電気的に接続されている。なお、接合部12の材料は半田に限らず、導電性の高い銀ペーストなどを採用してもよい。
実装基板2は、上述のように上記他表面側に2つの外部接続用電極23,23が形成されるとともにメタルプレート25が突出されているので、外部接続用電極23,23に対応する配線パターン73,73およびメタルプレート25に対応する導体パターン75が形成された配線基板7に実装する際に、外部接続用電極23,23を半田からなる接合部83,83を介して配線基板7の配線パターン73,73と接合して電気的に接続するとともに、メタルプレート25を半田からなる接合部85を介して配線基板7の導体パターン75と接合して熱結合させることにより、LEDチップ1で発生した熱は上述の接合部12および実装基板2の上記一表面と埋込穴24aの内底面との間の薄肉部を通してメタルプレート25へ伝熱されメタルプレート25で拡散しつつ配線基板7へ伝熱されて外部へ放熱される。ここにおいて、配線基板7は、Cu製の金属板71上に絶縁層72が形成され、絶縁層72上に配線パターン73,75が形成された金属ベース基板(金属ベースプリント配線板)により構成されている。なお、金属板71の材料は、Cuに限らず、例えば、Alでもよい。また、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1で発生した熱が実装基板2の上記一表面と埋込穴24aの内底面との間の薄肉部を通してメタルプレート25へ伝熱されるので、熱抵抗を小さくする観点から上記薄肉部の厚みは薄い方が望ましい。
また、LEDチップ1および各ボンディングワイヤ14,14は、上述の封止部3により封止されている。ここにおいて、封止部3は、実装基板2の上記一表面側においてLEDチップ1および各ボンディングワイヤ14,14を覆う凸レンズ状に形成されており、光出射面が光学部材15の光入射面と密着している。しかして、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1と色変換部材4との間に、LEDチップ1を封止した透光性材料からなる封止部3が設けられているので、LEDチップ1の光取り出し面が接する媒質が空気の場合に比べてLEDチップ1と当該LEDチップ1の光取り出し面が接する媒質との屈折率差が小さくなり、LEDチップ1からの光取り出し効率が向上し、結果的に発光装置A全体としての光取り出し効率が向上する。なお、本実施形態では、封止部3の透光性材料としてシリコーン樹脂を採用しているが、シリコーン樹脂に限らず、エポキシ樹脂などを採用してもよい。
上述の光学部材15は、透光性材料(例えば、シリコーン樹脂など)により形成されている。ここで、本実施形態では、光学部材15をシリコーン樹脂により形成してあるので、光学部材15と封止部3との屈折率差および線膨張率差を小さくすることができる。なお、実装基板2の上記一表面には光学部材15を位置決めする第1の段差部2bが形成されており、当該第1の段差部2bが、上述の封止部3の形成時に封止部3の透光性材料が実装基板2の側面へ流れるのを防止する堰部として機能する。
ところで、光学部材15は、光出射面が、光入射面から入射した光を光出射面と上述の空気層16との境界で全反射させない凸曲面状に形成されている。ここで、光学部材15は、光出射面が球面(楕円球面も含む)の一部により形成されており、当該球面の中心がLEDチップ1の光軸上に位置するように配置されている。したがって、LEDチップ1から放射され光学部材15の光入射面に入射された光が光出射面と空気層16との境界で全反射されることなく色変換部材4まで到達しやすくなり、全光束を高めることができる。なお、光学部材15は、位置によらず法線方向に沿った肉厚が一様となるように形成されている。
色変換部材4は、シリコーン樹脂からなる透光性材料にLEDチップ1から放射された青色光によって励起されて黄色光を放射する粒子状の黄色蛍光体を分散させた混合材料を用いてドーム状に形成されている。なお、色変換部材4の材料として用いる透光性材料は、シリコーン樹脂に限らず、例えば、アクリル樹脂、ガラス、有機成分と無機成分とがnmレベルもしくは分子レベルで混合、結合した有機・無機ハイブリッド材料などを採用してもよい。また、色変換部材4の材料として用いる透光性材料に含有させる蛍光体も黄色蛍光体に限らず、色調整や演色性を高めるなどの目的で複数種類の蛍光体を用いてもよく、例えば、赤色蛍光体と緑色蛍光体とを用いることで演色性の高い白色光を得ることができる。ここで、複数種類の蛍光体を用いる場合には必ずしも発光色の異なる蛍光体の組み合わせに限らず、例えば、発光色はいずれも黄色で発光スペクトルの異なる複数種類の蛍光体を組み合わせてもよい。
ところで、色変換部材4は、実装基板2の上記一表面側が開口され光入射面および光出射面それぞれが球面の一部からなるドーム状に形成されており、実装基板2の上記一表面側にシリコーン樹脂などの接着剤により接合されている。なお、実装基板2の上記一表面側には、色変換部材4を位置決めする第2の段差部2aが形成されている。また、本実施形態では、実装基板2の外周形状が矩形状となっているが、矩形状に限らず、円形状や多角形状でもよい。
以上説明した本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1が上記一表面側に実装された実装基板2と、実装基板2の上記他表面側に埋設され投影視における外周線がLEDチップ1の外周線よりも外側に位置するメタルプレート25とを備え、メタルプレート25が、実装基板2の上記他表面を含む平面から突出しているので、金属ベースプリント配線板からなる配線基板7に実装して用いる場合に、メタルプレート25を配線基板7に半田からなる接合部85を介して熱結合させることにより、実装基板2を配線基板7に半田からなる接合部を介して熱結合させるのに比べて、線膨張率差が小さくなり、通電のオンオフによる温度サイクルに起因して接合部85にかかる応力を緩和することができ、温度サイクルに対する信頼性を向上できる。また、LEDチップ1で発生した熱がLEDチップ1よりも広いメタルプレート25へ伝熱されて放熱されるので、LEDチップ1の温度上昇が抑制され、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。
また、本実施形態の発光装置Aでは、実装基板2の上記他表面側においてメタルプレート25が各外部接続用電極23,23の表面を含む平面よりも突出しているので、メタルプレート25を備えていない場合やメタルプレート25と外部接続用電極23,23とが面一の場合に比べて、外部接続用電極23,23と配線基板7の配線パターン73,73との間の接合部83,83の厚みを厚くすることができ、通電のオンオフによる温度サイクルがかかったときに配線基板7と実装基板2との線膨張率差に起因して接合部83,83に生じる応力が緩和され(接合部83,83の単位厚さ当たりの歪量が小さくなって応力が緩和され)、温度サイクルに対する信頼性(接合部83,83の耐久性)が向上する。
(実施形態2)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであって、図2および図3に示すように、実装基板2の側面の一部にメタルプレート25の側面を露出させる切欠部2eが設けられている点が相違するだけである。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態の発光装置Aでは、実装基板2の側面に切欠部2eが設けられていることにより、配線基板7に実装して用いる場合に、配線基板7への実装後にメタルプレート25と配線基板7との接合部85の接合状況を切欠部2eを通して目視確認することが可能となり、X線装置などの大掛かりな設備を利用しなくても接合部85の接合状況を確認することができるので、接合部85の接合状況を確認する工程が容易になる。
(実施形態3)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態1と略同じであって、図4に示すように、メタルプレート25は、実装基板2の上記一表面側に露出するマウント部25bが一表面の中央部から連続一体に突設されており、LEDチップ1が、サブマウント部材30を介してマウント部25bに搭載されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態における実装基板2は、上記一表面と埋込穴24aの内底面との間の部位にマウント部25bが挿入される貫通孔24bが設けられている。
本実施形態におけるLEDチップ1は、厚み方向の両面に電極(図示せず)が形成されており、実装基板2側とは反対側の一方の電極が金細線からなるボンディングワイヤ14を介して配線パターン21と電気的に接続され、当該LEDチップ1とメタルプレート25との線膨張率差に起因してLEDチップ1に働く応力を緩和するサブマウント部材30を介してメタルプレート25のマウント部25bに搭載されている。
サブマウント部材30は、LEDチップ1のチップサイズよりも大きなサイズの矩形板状に形成されている。ここにおいて、サブマウント部材30は、上記応力を緩和する機能だけでなく、LEDチップ1で発生した熱をメタルプレート25のマウント部25bにおいてLEDチップ1のチップサイズよりも広い範囲に伝熱させる熱伝導機能を有している。したがって、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1がサブマウント部材30を介してメタルプレート25のマウント部25bに搭載されているので、LEDチップ1で発生した熱をサブマウント部材30およびメタルプレート25を介して効率良く放熱させることができるとともに、LEDチップ1とメタルプレート25との線膨張率差に起因してLEDチップ1に働く応力を緩和することができる。なお、サブマウント部材30は、上述の熱伝導機能を有しており、メタルプレート25のマウント部25bにおけるLEDチップ1側の表面の面積はLEDチップ1におけるマウント部25b側の表面の面積よりも十分に大きいことが望ましい。
本実施形態では、サブマウント部材30の材料として熱伝導率が比較的高く且つ絶縁性を有するAlNを採用し、サブマウント部材30の厚み方向の両面にAu層をめっきしてあり、LEDチップ1とサブマウント部材30とが半田からなる接合部12により接合され、サブマウント部材30とメタルプレート25のマウント部25bとが半田からなる接合部31により接合されている。なお、サブマウント部材30の材料はAlNに限らず、例えば、熱伝導率の高いセラミックやSiCなどを採用してもよい。また、サブマウント部材30の厚みは0.1μmに設定してあるが、この厚みは一例であって特に限定するものではない。
また、本実施形態の発光装置Aでは、サブマウント部材30に厚み方向の両面のAu層を電気的に接続するビアが設けられており、メタルプレート25が外部接続用電極を兼ねているので、配線基板7に実装する際に、外部接続用電極23を半田からなる接合部83を介して配線基板7の配線パターン73と接合して電気的に接続するとともに、メタルプレート25を半田からなる接合部85を介して配線基板7の導体パターン(本実施形態では、配線パターンを兼ねている)75と接合して電気的に接続し且つ熱結合させることにより、LEDチップ1で発生した熱は上述の接合部12およびサブマウント部材30を通してメタルプレート25へ直接伝熱されメタルプレート25で拡散しつつ配線基板7へ伝熱されて外部へ放熱される。
以上説明した本実施形態の発光装置Aでは、メタルプレート25に上述のマウント部25bが突設され、LEDチップ1がマウント部25bに搭載されているので、LEDチップ1で発生した熱が実施形態1のように実装基板2の薄肉部を通すことなくメタルプレート25へ直接伝熱されるので、放熱性が向上し、光束の向上を図れるとともに、寿命および信頼性の向上を図れる。なお、本実施形態では、サブマウント部材30を設けてあるが、LEDチップ1とメタルプレート25との線膨張率差が小さい場合には、サブマウント部材30は必ずしも設ける必要はない。また、本実施形態においても、実装基板2の側面に実施形態2で説明した切欠部2eを設けてもよい。
(実施形態4)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態3と略同じであって、図5に示すように、
マウント部25bが実装基板2の上記一表面を含む平面から突出している点が相違するだけである。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
しかして、本実施形態の発光装置Aでは、マウント部25bが実装基板2の上記一表面を含む平面から突出しているので、LEDチップ1から放射される光のうち実装基板2の上記一表面へ入射して吸収される成分を低減できて、色変換部材4に直接入射する成分が増え、発光装置A全体としての外部への光取り出し効率を向上できる。なお、本実施形態においても、実装基板2の側面に実施形態2で説明した切欠部2eを設けてもよい。
(実施形態5)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態4と略同じであり、図6に示すように、メタルプレート25の上記他表面側(つまり、実装基板2の上記他表面側と同じ面側)に、中央から外側に向かって幅の広くなる複数の溝25dが放射状に形成されている点が相違する。ここにおいて、各溝25dは、メタルプレート25の上記他表面の中央から外側に向かって幅寸法が徐々に大きくなるとともに深さ寸法も徐々に大きくなっている。なお、実施形態4と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
ところで、実装基板2のメタルプレート25を配線基板7の導体パターン(配線パターン)75に半田からなる接合部85により接合した構成では、メタルプレート25の上記他表面が平面であり外部接続用電極23に比べて面積がかなり大きいので、接合部85にボイドが発生する恐れがあり、接合部85にボイドがあると、温度サイクルがかかった時に実装基板2と配線基板7との線膨張率差によって生じる応力変化に起因して、接合部85に、当該接合部85のボイドが基点となってクラックが発生することがある。
これに対して、本実施形態の発光装置Aでは、メタルプレート25の上記他表面側に、中央から外側に向かって幅の広くなる溝25dが形成されているので、発光装置Aを配線基板7に実装して用いるにあたって、図6(c)に示すようにメタルプレート25を配線基板7の導体パターン75に半田85’により接合する際に、半田85’の溶融から硬化の過程で生じるフラックスなどのガス86および気泡(図示せず)が溝25dに沿って外部に抜けやすくなり、硬化後の半田85’からなる接合部85の内部にボイドが生じるのを抑制することができ、結果的に、LEDチップ1と配線基板7との間の熱抵抗のばらつきを小さくすることができるとともに、温度サイクルがかかった時に実装基板2と配線基板7との線膨張率差によって生じる応力変化に対する接合部85の耐性が高くなって信頼性が向上する。なお、実施形態1〜3の発光装置Aにおけるメタルプレート25の上記他表面に、本実施形態で説明した複数の溝25dを形成してもよい。また、本実施形態においても、実装基板2の側面に実施形態2で説明した切欠部2eを設けてもよい。
(実施形態6)
本実施形態の発光装置Aの基本構成は実施形態3と略同じであり、図7に示すように、メタルプレート25のマウント部25bにおけるLEDチップ1の搭載領域の周囲に短絡防止溝25cが形成されている点などが相違する。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
しかして、本実施形態の発光装置Aでは、LEDチップ1をマウント部25bの搭載領域に半田により接合する際にLEDチップ1直下から溢れ出た余分な半田12cが短絡防止溝25cに溜まるので、余分な半田12cが実装基板2の上記一表面側の配線パターン21上まで流れ出ることによる短絡を防止することができる。なお、実施形態4,5の発光装置Aにおいて、マウント部25bにおけるサブマウント部材30の搭載領域の周囲に短絡防止溝を設けてもよい。
ところで、上述の各実施形態では、LEDチップ1として、青色光を放射する青色LEDチップを採用しているが、LEDチップ1は青色光を放射するものに限らず、例えば、紫外光を放射するものでもよく、色変換部材4における蛍光体の発光色も特に限定するものではない。
実施形態1の発光装置を配線基板に実装した状態の概略断面図である。 実施形態2の発光装置を配線基板に実装した状態の概略正面図である。 同上の発光装置の裏面側から見た概略斜視図である。 実施形態3の発光装置を配線基板に実装した状態の概略断面図である。 実施形態4の発光装置を配線基板に実装した状態の概略断面図である。 実施形態5の発光装置を示し、(a)は配線基板に実装した状態の概略断面図、(b)はメタルプレートの下面側から見た概略斜視図、(c)は要部説明図である。 実施形態6の発光装置を示し、(a)は配線基板に実装した状態の概略断面図、(b)は要部概略平面図、(c)は要部概略断面図である。
符号の説明
A 発光装置
1 LEDチップ
2 実装基板
3 封止部
4 色変換部材
7 配線基板
23 外部接続用電極
25 メタルプレート
25b マウント部
25c 短絡防止溝
25d 溝
71 金属板
72 絶縁層
73 配線パターン
75 導体パターン
83 接合部
85 接合部

Claims (7)

  1. LEDチップと、LEDチップが一表面側に実装された実装基板と、実装基板の他表面側に埋設され投影視における外周線がLEDチップの外周線よりも外側に位置するメタルプレートとを備え、メタルプレートは、実装基板の前記他表面を含む平面から突出していることを特徴とする発光装置。
  2. 前記実装基板の前記他表面側に前記LEDチップと電気的に接続される外部接続用電極が形成されてなり、前記メタルプレートが外部接続用電極の表面を含む平面よりも突出していることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記実装基板の側面の一部に前記メタルプレートの側面を露出させる切欠部が設けられてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
  4. 前記メタルプレートは、前記実装基板の前記一表面側に露出するマウント部が突設されてなり、前記LEDチップは、マウント部に搭載されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記マウント部は、前記実装基板の前記一表面を含む平面から突出していることを特徴とする請求項4記載の発光装置。
  6. 前記マウント部は、前記LEDチップの搭載領域の周囲に短絡防止溝が形成されてなることを特徴とする請求項4または請求項5記載の発光装置。
  7. 前記メタルプレートは、前記実装基板の他表面側と同じ面側に中央から外側に向かって幅の広くなる溝が形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091399A (ja) * 2009-10-16 2011-05-06 Neobulb Technologies Inc チップリードフレームおよび光電エネルギー変換モジュール
US8348460B2 (en) 2009-05-01 2013-01-08 Abl Ip Holding Llc Lighting apparatus with several light units arranged in a heatsink
CN103079337A (zh) * 2011-10-11 2013-05-01 里德安吉公司 用于改善的焊料接合的带槽板
JP2014068013A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2014120778A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
WO2019151304A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002094122A (ja) * 2000-07-13 2002-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置及びその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8348460B2 (en) 2009-05-01 2013-01-08 Abl Ip Holding Llc Lighting apparatus with several light units arranged in a heatsink
JP2011091399A (ja) * 2009-10-16 2011-05-06 Neobulb Technologies Inc チップリードフレームおよび光電エネルギー変換モジュール
TWI568037B (zh) * 2011-10-11 2017-01-21 硅谷光擎股份有限公司 用於改良之焊料接合的溝槽化板件
CN103079337A (zh) * 2011-10-11 2013-05-01 里德安吉公司 用于改善的焊料接合的带槽板
JP2013084960A (ja) * 2011-10-11 2013-05-09 Led Engin Inc はんだ接合のための溝付き板
US8587019B2 (en) * 2011-10-11 2013-11-19 Ledengin, Inc. Grooved plate for improved solder bonding
US9831406B2 (en) 2012-09-25 2017-11-28 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP2014068013A (ja) * 2012-09-25 2014-04-17 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
US9842975B2 (en) 2012-09-25 2017-12-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
CN108538999A (zh) * 2012-09-25 2018-09-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装
JP2014120778A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
WO2019151304A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JPWO2019151304A1 (ja) * 2018-01-30 2021-01-28 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
JP7123981B2 (ja) 2018-01-30 2022-08-23 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
US11612056B2 (en) 2018-01-30 2023-03-21 Kyocera Corporation Substrate for mounting electronic element, electronic device, and electronic module
US12004293B2 (en) 2018-01-30 2024-06-04 Kyocera Corporation Substrate for mounting electronic element, electronic device, and electronic module

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