JP2009016751A - Tape carrier and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、テープキャリア及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリア及びその半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a tape carrier and a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a thin film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on-film or a tape carrier package and a method for manufacturing the semiconductor device.
図19と図20に、チップオンフィルム(以下、適宜「COF」と称す。COF:Chip On Film)とテープキャリアパッケージ(以下、適宜「TCP」と称す。TCP:Tape Carrier Package)の形態による半導体装置の断面構造を夫々示す。図21と図22に、COF半導体装置とTCP半導体装置が、夫々、プリント基板20及び液晶パネル19に接続してモジュール化された場合の断面構造を夫々示す。
19 and 20, a semiconductor in the form of a chip-on-film (hereinafter referred to as “COF” as appropriate; COF: Chip On Film) and a tape carrier package (hereinafter referred to as “TCP” as appropriate; TCP: Tape Carrier Package). The cross-sectional structure of the device is shown. FIGS. 21 and 22 show cross-sectional structures when the COF semiconductor device and the TCP semiconductor device are connected to the printed
COF半導体装置とTCP半導体装置は、以下の点で相違する。先ず、TCPでは絶縁テープ2のLSI(大規模集積回路)等の半導体チップ10が搭載される部分に予め貫通した開口部15が開けられ、リード配線3が片持ち梁状に突き出した状態でリード配線3の先端部分と半導体チップ10が接合されるのに対して、COFでは半導体チップ10を搭載するための搭載用の開口部を有しておらず、半導体チップ10が薄膜絶縁テープ2の表面上に形成されたリード配線3に接合して搭載されている点で相違する。また、TCPではリード配線3が片持ち梁状に突き出した状態であるために、リード配線3の厚みは18μm以上を使用しており、リード配線3の配線ピッチが45μm未満の製造が困難であるのに対して、COFでは薄膜絶縁テープ2の表面上にリード配線3が形成されているために、リード配線3の厚みは8μm以下も使用でき、リード配線3の配線ピッチが35μm以下の製造も容易である点で相違する。また、TCPでは液晶パネル等への実装後の折り曲げ部分に予めスリットが設けられているのに対して、COFでは折り曲げ用のスリットを有しておらず、薄膜絶縁テープ2の何処でも自由に折り曲げられる点で相違する。更に、TCPでは、リード配線3をパターニングする前の薄膜絶縁テープ2と金属薄膜が積層した原材料テープをポリイミドから成る絶縁テープ上に、接着剤9を用いて銅箔をラミネートして形成しているのに対して、COFでは原材料テープを銅箔裏面にポリイミド等を塗布、硬化させて形成するか(キャスティング法)、或いは、ポリイミド等から成る絶縁テープ上に銅をスパッタで積層して形成している(メタライジング法)点で相違する。
A COF semiconductor device and a TCP semiconductor device differ in the following points. First, in TCP, an opening 15 penetrating in advance is opened in a portion on which a
COFは、その使用目的から自由に折り曲げることが可能な薄膜絶縁テープ2が使用され、薄膜絶縁テープ2の表面上に配置された各リード配線3は、半導体チップ10の対応する端子(突起電極)11と電気的に接続され、外部接続用コネクタ部には、液晶パネル19やプリント基板20等に接続される。上記以外のリード配線3の露出部は、ソルダーレジスト4が塗布され、絶縁状態が確保される。
The COF uses a thin
COF及びTCP共に、薄膜絶縁テープ2にスプロケットホール5(図23〜図25参照)と呼ばれる搬送用の開口が4.75mm間隔で設置されており、各工程の製造設備内では、スプロケットホールを使用して搬送されている。
For both COF and TCP, thin
COF及びTCP用の多条テープキャリアの製造方法に関する従来技術としては、下記の特許文献1に開示された技術がある。特許文献1に開示された従来技術では、複数の異なる規格幅を整数倍した共通の近似値幅を設定し、該近似値幅に応じて、一定の絶縁テープ幅となるように、両端の位置決め用パーフォーレーション(スプロケットホール)幅を設定し、近似値幅と位置決め用パーフォーレーション(スプロケットホール)幅を合計して絶縁テープ幅を調整し、絶縁テープに対して、位置決め用と個々の半導体装置用テープキャリアの搬送用のパーフォーレーション(スプロケットホール)を形成し、ローラーによって絶縁テープを搬送するとともに、所定の規格幅からなる半導体装置用の多条テープキャリアを製造している。
As a conventional technique related to a method for manufacturing a multi-fed tape carrier for COF and TCP, there is a technique disclosed in
尚、本従来技術は、規格幅から絶縁テープ幅を調整するものであり、ある程度の製造面での効率化は考えられているが、絶縁テープ原材料のテープ幅を基準にした製造面、及び材料面での効率化は考慮されていない。また、多条テープキャリアの製造工程において、個々のテープキャリアにスリット加工し分割するものであり、その後のアセンブリ工程やユーザ実装も含めた効率化までは考慮されていない。 In addition, this prior art is for adjusting the insulating tape width from the standard width, and although some improvement in efficiency is considered, the manufacturing surface and material based on the tape width of the insulating tape raw material Efficiency is not taken into consideration. Moreover, in the manufacturing process of a multi-strip tape carrier, it slits and divides | segments into each tape carrier, and the efficiency improvement including subsequent assembly process and user mounting is not considered.
現在、COF及びTCP用テープキャリアの製造メーカは、テープキャリアの製造を1条〜4条(テープ幅35mmの場合)で行っている。図23〜図25に、夫々1条取り、2条取り、4条取りの製造用テープで製造されたテープキャリアの一例を示す。 Currently, manufacturers of tape carriers for COF and TCP carry out tape carrier production from 1 to 4 (when the tape width is 35 mm). FIG. 23 to FIG. 25 show an example of a tape carrier manufactured with a tape for manufacturing one, two, and four strips, respectively.
生産数量の増加に対し、従来の1条取りでは、1回の製造工程で製造できる数量が少ないため製造効率が悪い上に、能力アップに莫大な設備投資が必要となることから、解決方法として、多条取りによる製造が実施されるようになり、図24に示す2条取り(テープ幅:70mm、96mm)では、それ程大きな製造効率の向上はできず、図25に示す4条取り(テープ幅:156mm〜158mm)は、製造効率はある程度向上している反面、COF用テープキャリアを製造する原材料の主なテープ幅が524mmであるのに対して、材料の使用効率があまり良くないため材料の廃棄による無駄が生じている。 In contrast to the increase in production volume, the conventional single-threading method has a low manufacturing efficiency due to the small quantity that can be manufactured in a single manufacturing process, and requires a huge capital investment to increase capacity. In this way, the production by multi-striping is carried out, and in the 2-striping shown in FIG. 24 (tape width: 70 mm, 96 mm), the production efficiency cannot be improved so much, and the 4-striping (tape shown in FIG. 25) (Width: 156 mm to 158 mm), while the manufacturing efficiency is improved to some extent, the main tape width of the raw material for manufacturing the COF tape carrier is 524 mm, but the material usage efficiency is not so good. There is a waste of waste.
つまり、COF用テープキャリアを製造する原材料のテープ幅は、主に524mmが一般的であり、3条〜4条(テープ幅35mmの場合)となる112mm、156mm、及び158mm幅での製造では、製造効率は向上するものの、材料の使用効率はあまり良くなく、材料の廃棄による無駄も発生している。原材料が不足した時期には、テープキャリア製造メーカからの供給不足にも影響していた。例えば、35mm幅で、1条の場合に廃棄する材料は約7%であるが、4条(158mmの場合)の場合には約20%を廃棄することになる。 That is, the tape width of the raw material for producing the tape carrier for COF is generally 524 mm, and in the manufacture of 112 mm, 156 mm, and 158 mm width, which is 3 to 4 (when the tape width is 35 mm), Although the production efficiency is improved, the use efficiency of the material is not so good, and waste due to the disposal of the material is also generated. During the shortage of raw materials, it also affected supply shortages from tape carrier manufacturers. For example, in the case of 35 mm width, the material discarded in the case of 1 line is about 7%, but in the case of 4 lines (in the case of 158 mm), about 20% is discarded.
本発明は、上記問題点、つまり、従来の多条取りにおける製造効率の向上に伴う材料の使用効率の低下という問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造方法において、従来の多条取りより製造効率と材料使用効率の両方を向上可能なテープキャリアの製造方法、及び、そのテープキャリアの製造方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する点にある。 The present invention has been made in view of the above problems, that is, the problem of a decrease in the use efficiency of materials accompanying an increase in production efficiency in conventional multi-striping, and the object thereof is a chip-on-film or a tape carrier. In a method for manufacturing a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a package, a method for manufacturing a tape carrier capable of improving both manufacturing efficiency and material usage efficiency over conventional multi-stripping, and the tape carrier A semiconductor device manufacturing method using the manufacturing method is provided.
上記目的を達成するための本発明に係るテープキャリアの製造方法は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造方法であって、
前記テープキャリアの原材料となる幅方向に未切断の原材料絶縁テープの全面に金属薄膜が形成された原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅、前記原テープ幅の3分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の3分の1幅の製造幅で、製造工程中に所定の製品配置幅を占める前記半導体装置を幅方向に複数配列可能な多条製造用テープを準備する第1工程と、前記多条製造用テープに対して、前記多条製造用テープを搬送するための多条用スプロケットホールを前記多条製造用テープの幅方向の両端部分に、前記多条製造用テープの長手方向に沿って形成する第2工程と、前記多条製造用テープに対して、前記金属薄膜をパターニング加工して、前記半導体装置を構成する半導体チップの各電極と接続するリード配線を形成し、ソルダーレジストを塗布し、所定の検査を行う第3工程と、を有し、
前記第1工程において、前記原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の前記多条製造用テープを準備する場合は、前記多条製造用テープが製造工程中に所定の製品配置幅を占める前記半導体装置を幅方向に5以上配列可能とし、前記原材料テープから、前記原テープ幅の3分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の3分の1幅の前記多条製造用テープを準備する場合は、前記多条製造用テープを前記製品配置幅単位で長手方向に沿って区分した単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、条別のスプロケットホールが形成されていないことを第1の特徴とする。
A tape carrier manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a method of manufacturing a thin film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on-film or a tape carrier package,
From a raw material tape in which a metal thin film is formed on the entire surface of a raw material insulating tape that is not cut in the width direction, which is a raw material of the tape carrier, the same width as the raw tape width of the raw material tape, a predetermined unused width from the raw tape width The same width as the use width from which the tape is removed, the half width of the original tape width, the half width of the use width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width, and the third width of the original tape width A plurality of semiconductor devices that occupy a predetermined product arrangement width in the width direction in a manufacturing width of one width or one-third of a used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width. A first step of preparing an arrayable multi-row manufacturing tape, and a multi-row sprocket hole for transporting the multi-row manufacturing tape to the multi-row manufacturing tape. At the both ends in the width direction, A second step of forming the metal strip along the longitudinal direction of the tape, and patterning the metal thin film on the multi-strip manufacturing tape to connect lead wires connected to each electrode of the semiconductor chip constituting the semiconductor device. Forming, applying a solder resist, and performing a predetermined inspection,
In the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, the same width as the used width obtained by removing a predetermined unused width from the raw tape width, and a half of the raw tape width When preparing the multi-strip manufacturing tape having a width or a half width of the used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width, the multi-strip manufacturing tape is predetermined during the manufacturing process. 5 or more of the semiconductor devices occupying the product arrangement width can be arranged in the width direction, and one-third width of the original tape width or a predetermined unused width is removed from the raw tape width from the raw material tape. When preparing the multi-row manufacturing tape having a width of one-third of the width of use, the width direction of the unit-row manufacturing tape region in which the multi-row manufacturing tape is divided along the longitudinal direction by the product arrangement width unit. The sprocket ho The first, characterized in that Le is not formed.
上記第1の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、第1工程において、原材料テープから、原材料テープの原テープ幅と同一幅、原テープ幅の2分の1幅、原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の多条製造用テープを準備する場合は、多条製造用テープが製造工程中に所定の製品配置幅を占める前記半導体装置を幅方向に5以上配列可能であるので、第3工程の処理を5条以上のテープキャリアを纏めて実行できるので、製造効率が従来の4条取りより向上し、従来4条取り以上の多条取りでは、材料使用効率が低下するところ、原テープ幅と同一幅または2分の1幅程度と従来の多条製造用テープより大幅に幅広となるので、材料使用効率も、従来の1条取りと同程度まで向上する。また、第1工程において、原材料テープから、原テープ幅の3分の1幅、原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の3分の1幅の多条製造用テープを準備する場合は、多条製造用テープのテープ幅が狭くなって、製造効率及び材料使用効率が、原材料テープを分割しない場合或いは2分割する場合より低下するものの、従来の4条取り以上のレベルが維持でき、多条製造用テープ上の単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、条別のスプロケットホールが形成されていないため、アセンブリ工程やユーザでの実装工程において設備投資が必要となる場合もあるが、条別のスプロケットホール部分を有効に利用することで、多条製造用テープ当たりのテープキャリアの条数が増加して製造効率が向上し、或いは、製品の有効幅が広がるため、半導体チップサイズが僅かに大きく1つ上の規格幅を使用しなければならない状況でも、規格幅を上げる必要がなくなり、結果として多条製造用テープ当たりのテープキャリアの条数の低下を抑制でき、材料使用効率が向上する。ここで、製品配置幅とは、多条製造用テープ上における半導体装置の製造工程中の製品幅を示し、幅方向に隣接する半導体装置の配置間隔に相当する。従って、条別のスプロケットホールを有する場合には、そのスペースも含まれる。 According to the tape carrier manufacturing method of the first feature, in the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, a half width of the raw tape width, and a predetermined width from the raw tape width. When preparing a multi-row manufacturing tape having a half width of the used width from which the unused width is removed, the semiconductor device occupies a predetermined product arrangement width in the width direction during the manufacturing process. Since it is possible to arrange 5 or more, the process of the third step can be performed collectively on 5 or more tape carriers, so that the production efficiency is improved from the conventional 4-striping, Where material use efficiency is reduced, the width is approximately the same or half the width of the original tape, which is significantly wider than conventional multi-strip manufacturing tapes. To improve. Further, in the first step, a multi-strip manufacturing tape having a width of one third of the original tape width and a width of one third of the used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width is prepared from the raw material tape. In this case, the tape width of the multi-strip manufacturing tape is narrowed, and the production efficiency and the material use efficiency are lower than when the raw material tape is not divided or divided into two, but the level of the conventional 4-strip or more is maintained. Yes, because there are no separate sprocket holes at both ends in the width direction of the unit strip manufacturing tape area on the multi-segment manufacturing tape, capital investment is required in the assembly process and the mounting process by the user In some cases, the effective use of the sprocket hole section for each strip increases the number of strips of tape carrier per multi-strip manufacturing tape and improves the production efficiency, or increases the effective width of the product. Therefore, even when the semiconductor chip size is slightly larger and it is necessary to use a standard width that is one level higher, there is no need to increase the standard width, resulting in a decrease in the number of tape carriers per tape for multi-strip manufacturing. And the material use efficiency is improved. Here, the product arrangement width indicates the product width during the manufacturing process of the semiconductor device on the multi-row manufacturing tape, and corresponds to the arrangement interval of the semiconductor devices adjacent in the width direction. Therefore, when it has a sprocket hole according to a section, the space is also included.
尚、本発明の説明においてテープキャリアは、1条の長尺テープ状か、多条の長尺テープ状か、或いは、半導体装置単位に切断された状態かは区別せず、絶縁テープ上にリード配線が形成され、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの形態で半導体チップを搭載可能或いは搭載したものを指す。 In the description of the present invention, the tape carrier is not distinguished whether it is a single long tape shape, a multi-long long tape shape, or a state in which the tape carrier is cut in units of semiconductor devices. A wiring is formed and a semiconductor chip can be mounted or mounted in the form of a chip-on-film or a tape carrier package.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記第1工程において、前記原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の前記多条製造用テープを準備する場合においても、前記多条製造用テープ上の前記単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、前記条別のスプロケットホールが形成されていないことを第2の特徴とする。 In addition to the first feature, the tape carrier manufacturing method according to the present invention further includes, in the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, and a predetermined width from the raw tape width. The same width as the used width from which the unused width is removed, the half width of the original tape width, or the half width of the used width obtained by removing the predetermined unused width from the original tape width. In the case of preparing a strip manufacturing tape, the second sprocket hole is not formed at both end portions in the width direction of the unit strip manufacturing tape region on the multi-strip manufacturing tape. Features.
上記第2の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、アセンブリ工程やユーザでの実装工程において設備投資が必要となる場合もあるが、条別のスプロケットホールが形成されていないため、原材料テープの原テープ幅と同一幅、原テープ幅の2分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の多条製造用テープを準備する場合において、更に、製造効率或いは材料使用効率が向上する。 According to the tape carrier manufacturing method of the second feature, equipment investment may be required in the assembly process or the mounting process by the user. However, since no separate sprocket holes are formed, the raw material tape When preparing multi-strip manufacturing tapes having the same width as the original tape width, half the width of the original tape, or half the used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width Further, the production efficiency or the material use efficiency is improved.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第2の特徴に加えて、更に、前記多条製造用テープ上の前記単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分が、前記条別のスプロケットホールを形成する代わりに、前記リード配線の一部を形成するために使用されることを第3の特徴とする。 In the tape carrier manufacturing method according to the present invention, in addition to the second feature described above, both end portions in the width direction of the unit strip manufacturing tape region on the multi-strip manufacturing tape have the striped sprockets. A third feature is that it is used to form a part of the lead wiring instead of forming a hole.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第2または第3の特徴に加えて、更に、前記半導体装置の前記所定の製品配置幅が、所定の規格幅より前記条別のスプロケットホールを形成しない分だけ狭いことを第4の特徴とする。 In the tape carrier manufacturing method according to the present invention, in addition to the second or third feature, the predetermined product arrangement width of the semiconductor device forms the sprocket holes according to a predetermined standard width. The fourth feature is that it is narrow as much as possible.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第2乃至第4の何れかの特徴に加えて、更に、前記半導体装置の前記所定の製品配置幅が、所定の規格幅と同じで、前記条別のスプロケットホールを形成しない分だけ有効製品幅が広くなっていることを第5の特徴とする。 In the tape carrier manufacturing method according to the present invention, in addition to any of the second to fourth features, the predetermined product arrangement width of the semiconductor device is the same as a predetermined standard width, and The fifth feature is that the effective product width is increased by the amount not forming another sprocket hole.
上記第3または第4の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、条別のスプロケットホール部分を有効に利用することで、多条製造用テープ当たりのテープキャリアの条数が増加して製造効率が向上する。 According to the method for manufacturing a tape carrier of the third or fourth feature, the number of tape carriers per multi-strip manufacturing tape is increased and manufacturing efficiency can be increased by effectively using the sprocket hole portion. Will improve.
また、上記第3または第5の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、或いは、製品の有効幅が広がるため、半導体チップサイズが僅かに大きく1つ上の規格幅を使用しなければならない状況でも、規格幅を上げる必要がなくなり、結果として多条製造用テープ当たりのテープキャリアの条数の低下を抑制でき、材料使用効率が向上する。 In addition, according to the method of manufacturing the tape carrier of the third or fifth feature, or because the effective width of the product is widened, the semiconductor chip size is slightly larger and the standard width that is one higher must be used. However, it is not necessary to increase the standard width, and as a result, it is possible to suppress a decrease in the number of tape carriers per tape for multi-strip manufacturing, and to improve material use efficiency.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第2乃至第5の何れかの特徴に加えて、更に、前記第3工程において、前記多条製造用テープ上の前記単位条製造用テープ領域の前記リード配線の1条毎の配線パターンが、幅方向に隣接する2条間で前記多条製造用テープの長手方向に反転したパターンとなるように、前記リード配線を形成することを第6の特徴とする。 The tape carrier manufacturing method according to the present invention, in addition to any of the above-described second to fifth features, further includes, in the third step, the unit strip manufacturing tape region on the multiple strip manufacturing tape. Forming the lead wiring so that the wiring pattern for each one of the lead wirings is a pattern reversed in the longitudinal direction of the multi-strip manufacturing tape between two adjacent strips in the width direction; Features.
上記第6の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、多条製造用テープ当たりのテープキャリアの条数が更に増加して製造効率が向上する。 According to the method for manufacturing a tape carrier of the sixth feature, the number of tape carriers per multi-strip manufacturing tape is further increased, and the manufacturing efficiency is improved.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記第1工程において、前記原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の前記多条製造用テープを準備し、前記第2工程において、前記多条製造用テープに対して、前記単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、前記多条製造用テープの長手方向に沿って前記条別のスプロケットホールを形成することを第7の特徴とする。 In addition to the first feature, the tape carrier manufacturing method according to the present invention further includes, in the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, and a predetermined width from the raw tape width. The same width as the used width from which the unused width is removed, the half width of the original tape width, or the half width of the used width obtained by removing the predetermined unused width from the original tape width. A strip manufacturing tape is prepared, and in the second step, with respect to the multiple strip manufacturing tape, at both end portions in the width direction of the unit strip manufacturing tape region, along the longitudinal direction of the multiple strip manufacturing tape. The seventh feature is to form the sprocket holes according to the above.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第7の特徴に加えて、更に、前記半導体装置の前記所定の製品配置幅が、所定の規格幅と同じであることを第8の特徴とする。 In addition to the seventh feature described above, the method for manufacturing a tape carrier according to the present invention is further characterized in that the predetermined product arrangement width of the semiconductor device is the same as a predetermined standard width. .
上記第7または第8の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、製造効率が従来の4条取りより向上し、材料使用効率も、従来の1条取りと同程度まで向上するとともに、多条製造用テープを分割して単位条製造用テープ領域を個別の両端部分に条別のスプロケットホールを備えた従来の1条取りと同じテープキャリアが作製されるので、従来の設備を使用してアセンブリ工程やユーザでの実装工程が可能となる。 According to the method for manufacturing the tape carrier of the seventh or eighth feature, the manufacturing efficiency is improved from the conventional four-threading, and the material use efficiency is improved to the same level as the conventional one-threading. The same tape carrier as that of the conventional single strip with a separate sprocket hole at each end of the unit tape manufacturing tape area is prepared by dividing the manufacturing tape, so that the assembly can be performed using conventional equipment. A process or a mounting process by a user is possible.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第4、第5または第8の特徴に加えて、更に、前記原テープ幅が524mmで、前記所定の規格幅が35mmまたは48mmであることを第9の特徴とする。 In addition to the fourth, fifth, or eighth feature, the tape carrier manufacturing method according to the present invention further includes that the original tape width is 524 mm and the predetermined standard width is 35 mm or 48 mm. Nine features.
上記第9の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、一般的に供給されている原材料テープを使用して、製造効率及び材料使用効率の向上が図れる。 According to the method for manufacturing a tape carrier of the ninth feature, it is possible to improve manufacturing efficiency and material use efficiency by using a raw material tape that is generally supplied.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第1乃至第9の何れかの特徴に加えて、更に、チップオンフィルムの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造方法であって、前記第1工程において使用する前記原材料テープが、前記原材料絶縁テープ上に前記金属薄膜をスパッタ法で積層するか、または、前記金属薄膜上に絶縁性樹脂を塗布して硬化させるキャスティング法で前記原材料絶縁テープを積層して作製されることを第10の特徴とする。 The tape carrier manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on film, in addition to any of the first to ninth features. The raw material tape used in the first step is a casting method in which the metal thin film is laminated on the raw material insulating tape by a sputtering method, or an insulating resin is applied on the metal thin film and cured. The tenth feature is that the raw material insulating tape is laminated.
上記第10の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、チップオンフィルムの形態による半導体装置の製造に適した原材料テープが準備できる。 According to the method for manufacturing a tape carrier of the tenth feature, a raw material tape suitable for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on-film can be prepared.
本発明に係るテープキャリアの製造方法は、上記第1乃至第9の何れかの特徴に加えて、更に、テープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造方法であって、前記第1工程において使用する前記原材料テープが、前記原材料絶縁テープ上に前記金属薄膜をラミネート法により接着剤で貼付して作製されることを第11の特徴とする。 The tape carrier manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing a thin film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a tape carrier package, in addition to any of the first to ninth features. The eleventh feature is that the raw material tape used in the first step is produced by attaching the metal thin film on the raw material insulating tape with an adhesive by a laminating method.
上記第11の特徴のテープキャリアの製造方法によれば、テープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に適した原材料テープが準備できる。 According to the tape carrier manufacturing method of the eleventh feature, a raw material tape suitable for manufacturing a semiconductor device in the form of a tape carrier package can be prepared.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの何れかの形態によって薄膜状のテープキャリア上に樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、上記何れかの特徴のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第4工程を実行することを第1の特徴とする。 A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device that is resin-sealed on a thin-film tape carrier in the form of either a chip-on-film or a tape carrier package. The semiconductor chip is mounted on each of the multi-row manufacturing tapes after the first, second and third processes of the tape carrier manufacturing method, and the electrodes and the lead wires are connected to each other. The first feature is to execute the fourth step of resin sealing.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記第4工程後に、前記多条製造用テープから前記半導体装置を個別に打ち抜くことを第2の特徴とする。 In addition to the first feature, the semiconductor device manufacturing method according to the present invention has a second feature that, after the fourth step, the semiconductor device is individually punched from the multi-row manufacturing tape. .
上記第1または第2の特徴の半導体装置の製造方法によれば、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程において、多条製造用テープの状態で第4工程を実行するため、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程の製造効率が大幅に向上する。 According to the semiconductor device manufacturing method of the first or second feature, in the assembly process or the mounting process by the user, the fourth process is executed in the state of the multi-row manufacturing tape. The manufacturing efficiency of the mounting process is greatly improved.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの何れかの形態によって薄膜状のテープキャリア上に樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、上記第2乃至第6の何れかの特徴のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープから、前記半導体装置単位の前記テープキャリアを個別に打ち抜き、別途準備された幅方向の両端部分にスプロケットホールが形成され、中央部分が前記半導体装置単位に開口したアセンブリ用の単位条搬送テープに転載し、前記単位条搬送テープに転載された前記テープキャリアに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第5工程を有することを第3の特徴とする。 A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device that is resin-sealed on a thin-film tape carrier in the form of either a chip-on film or a tape carrier package. The tape carrier of each semiconductor device unit is individually punched out from the multi-row manufacturing tape after each of the first, second, and third steps of the tape carrier manufacturing method according to any one of the features Sprocket holes are formed at both end portions in the prepared width direction, and the central portion is transferred to the unit strip transport tape opened in the semiconductor device unit, and the tape carrier is transferred to the unit strip transport tape. And a third step of mounting the semiconductor chip separately, connecting each electrode and the lead wiring, and sealing with resin. To.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの何れかの形態によって薄膜状のテープキャリア上に樹脂封止された半導体装置の製造方法であって、上記第7または第8の何れかの特徴のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープを長手方向に沿って分割して前記半導体装置の前記所定の製品配置幅と同じ幅の単位条製造用テープを作製し、前記単位条製造用テープに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第6工程を実行することを第4の特徴とする。 A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device that is resin-sealed on a thin-film tape carrier in the form of either a chip-on film or a tape carrier package. The tape for manufacturing a tape carrier according to any one of the features of 8 is divided along the longitudinal direction after the processing of each of the first, second, and third steps to divide the predetermined tape of the semiconductor device. A tape for manufacturing unit strips having the same width as the product arrangement width is manufactured, and the semiconductor chip is separately mounted on the tape for manufacturing unit strips, the electrodes and the lead wires are connected, and resin sealing is performed. The fourth feature is to execute the sixth step.
上記第3または第4の特徴の半導体装置の製造方法によれば、新たな設備投資を行わずに従来の設備を使用してアセンブリ工程やユーザでの実装工程が可能となる。 According to the semiconductor device manufacturing method of the third or fourth feature, an assembly process or a mounting process by a user can be performed using conventional equipment without making a new capital investment.
本発明に係る半導体モジュール装置は、上記第1乃至第4の何れかの特徴の半導体装置の製造方法を用いて製造された半導体装置を備えてなることを特徴とする。 A semiconductor module device according to the present invention includes a semiconductor device manufactured by using the method for manufacturing a semiconductor device having any one of the first to fourth characteristics.
以下、本発明に係るテープキャリア及び半導体装置の製造方法(以下、適宜「本発明方法」と略称する)の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、以下の説明で参照する図面では、説明の理解の容易のため、共通する構成要素には共通の符号を付している。 Embodiments of a method for manufacturing a tape carrier and a semiconductor device according to the present invention (hereinafter abbreviated as “method of the present invention” as appropriate) will be described below with reference to the drawings. In the drawings referred to in the following description, common components are denoted by common reference numerals for easy understanding of the description.
〈第1実施形態〉
図1は、第1実施形態における本発明方法によるチップオンフィルム(COF)またはテープキャリアパッケージ(TCP)の形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造工程を示す工程図であり、原材料テープから多条長尺テープ状のテープキャリアが製造されるまでの工程を示している。図2及び図3は、図1に示す製造工程を経て作製された1条単位に切断前の多条長尺テープ状のテープキャリア1を示す平面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a process diagram showing a manufacturing process of a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip on film (COF) or a tape carrier package (TCP) according to the method of the present invention in the first embodiment. The process from the raw material tape to the production of a multi-long long tape-like tape carrier is shown. 2 and 3 are plan views showing a
図1に示すように、本発明方法は、幅方向に所定の製品配置幅を占める半導体装置を複数配列可能な多条製造用テープを準備する第1工程(#11)と、第1工程で準備された多条製造用テープに対して、搬送用の多条用スプロケットホールを形成する第2工程(#12)と、多条製造用テープに対して、リード配線を形成し、ソルダーレジストを塗布し、メッキ処理、所定の電気的検査と外観検査等を行う第3工程(#13)を有する。 As shown in FIG. 1, the method of the present invention includes a first step (# 11) for preparing a multi-row manufacturing tape capable of arranging a plurality of semiconductor devices occupying a predetermined product arrangement width in the width direction, and a first step. The second step (# 12) for forming the multi-row sprocket holes for the prepared multi-row manufacturing tape, and the lead wiring for the multi-row manufacturing tape, and the solder resist It has a third step (# 13) of applying, plating, predetermined electrical inspection and appearance inspection.
第1工程では、テープキャリア1の原材料となる幅方向に未切断の原材料絶縁テープの全面に金属薄膜が形成された原材料テープから、原材料テープの原テープ幅W0(本実施形態では、524mmを想定する)と同一幅、原テープ幅から所定の未使用幅Wx1(本実施形態では、28mmと38mmの2通りを想定する)を除去した使用幅Wy1と同一幅(486mm、496mm)、原テープ幅W0の2分の1幅(262mm)、原テープ幅W0から所定の未使用幅Wx2(本実施形態では、22mmと32mmの2通りを想定する)を除去した使用幅Wy2の2分の1幅(246mm、251mm)の何れかの製造幅W1を有する多条製造用テープを準備する。従って、本実施形態では、原テープ幅W0と製造幅W1の関係は、以下の数1に示す4通りとなる。
In the first step, the raw tape width W0 of the raw material tape (in this embodiment, 524 mm is assumed) from the raw material tape in which the metal thin film is formed on the entire surface of the uncut raw material insulating tape in the width direction, which is the raw material of the
[数1]
W1=W0
W1=Wy1=W0−Wx1
W1=W0/2
W1=Wy2/2=(W0−Wx2)/2
[Equation 1]
W1 = W0
W1 = Wy1 = W0-Wx1
W1 = W0 / 2
W1 = Wy2 / 2 = (W0−Wx2) / 2
本実施形態の第1工程では、原材料テープから1本(分割なし)または2本(2分割)の多条製造用テープが準備される。図2は、数1の第1式または第2式の関係により原材料テープを分割せずに準備された製造幅(486mm、496mm、524mm)の多条製造用テープで作製されたテープキャリアを示し、図3は、数1の第3式または第4式の関係により原材料テープを2分割して準備された製造幅(246mm、251mm、262mm)の多条製造用テープで作製されたテープキャリアを示している。尚、図2及び図3は、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2が35mmの場合を例示している。
In the first step of the present embodiment, one (no division) or two (two divisions) multi-strip manufacturing tape is prepared from the raw material tape. FIG. 2 shows a tape carrier made of a multi-row production tape having a production width (486 mm, 496 mm, 524 mm) prepared without dividing the raw material tape according to the relationship of the first formula or the second formula of
第1工程で準備された多条製造用テープ上には、製品配置幅W2の単位条製造用テープ領域が幅方向に、5列以上形成されている。多条製造用テープの製造幅が486mm、496mm、または、524mmの場合(分割なし)には、製品配置幅W2が35mmの単位条製造用テープ領域が14列、製品配置幅W2が48mmの単位条製造用テープ領域が10列、夫々形成される。また、多条製造用テープの製造幅が246mm、251mm、または、262mmの場合(2分割時)には、製品配置幅W2が35mmの単位条製造用テープ領域が7列、製品配置幅W2が48mmの単位条製造用テープ領域が5列、夫々形成される。単位条製造用テープ領域には、半導体装置が長手方向に沿って一列に形成される領域で、単位条製造用テープ領域の本数は、即ち、多条テープキャリア1が半導体装置を幅方向に搭載可能な個数である。尚、本実施形態で使用する製品配置幅W2は、従来の1条取りのテープキャリアの規格幅と同じ35mmと48mmである。 On the multi-row manufacturing tape prepared in the first step, five or more rows of unit stripe manufacturing tape regions having a product arrangement width W2 are formed in the width direction. When the production width of the multi-row production tape is 486 mm, 496 mm, or 524 mm (no division), the unit arrangement production tape area with the product arrangement width W2 of 35 mm is 14 rows, and the product arrangement width W2 is 48 mm. Ten rows of strip manufacturing tape regions are formed respectively. Further, when the production width of the multi-row production tape is 246 mm, 251 mm, or 262 mm (when divided into two), the product arrangement width W2 is 35 rows and the unit arrangement production tape area is 7 rows and the product arrangement width W2 is Five rows of 48 mm unit strip manufacturing tape regions are formed. The unit strip manufacturing tape region is a region where semiconductor devices are formed in a line along the longitudinal direction. The number of unit strip manufacturing tape regions is the same as the number of unit strip manufacturing tape regions. It is a possible number. Note that the product arrangement width W2 used in the present embodiment is 35 mm and 48 mm, which are the same as the standard width of a conventional single-feed tape carrier.
多条製造用テープ上において単位条製造用テープ領域以外の未使用幅(多条製造用テープの製造幅W1の調整用余白部分(図2及び図3で図示されていない)と多条用スプロケットホール6)をWz、単位条製造用テープ領域の本数をNとすると、単位条製造用テープ領域の本数Nと、製造幅W1、製品配置幅W2及び未使用幅Wzの関係は、以下の数2に示すようになる。 On the multi-strip manufacturing tape, the unused width other than the unit-strip manufacturing tape area (the blank space for adjusting the production width W1 of the multi-strip manufacturing tape (not shown in FIGS. 2 and 3) and the multi-strip sprocket. When the hole 6) is Wz and the number of unit strip manufacturing tape regions is N, the relationship between the number N of unit strip manufacturing tape regions, the manufacturing width W1, the product arrangement width W2, and the unused width Wz is as follows. As shown in 2.
[数2]
N=(W1−Wz)/W2
[Equation 2]
N = (W1-Wz) / W2
また、原材料テープは、原材料絶縁テープの全面に金属薄膜が形成された積層膜であるが、COFとTCPで作製方法が異なる。COFに使用される原材料テープは、自由に折り曲げることが可能な柔軟性の高い厚さ15〜40μmの薄膜のポリイミド系絶縁テープを基材とし、絶縁テープの表面に厚さ8〜18μmの銅の薄膜をスパッタ法で積層して形成するか(メタライジング法)、或いは、厚さ8〜18μmの銅箔裏面にポリイミド等を厚さ15〜40μmで塗布、硬化させて形成する(キャスティング法)。TCPに使用される原材料テープは、ポリイミドからなる絶縁テープ上に、接着剤を用いて銅箔をラミネートして形成する。TCPでは、絶縁テープの半導体チップが搭載される部分に予め貫通した開口部が開けられ、リード配線が開口部に向って片持ち梁状に突き出した状態となるため、ラミネートする銅箔の厚みは18μm以上を使用しており、液晶パネル等への実装後の折り曲げ部分には予めスリットが設けられている。 The raw material tape is a laminated film in which a metal thin film is formed on the entire surface of the raw material insulating tape, but the manufacturing method is different between COF and TCP. The raw material tape used for the COF is based on a polyimide insulating tape having a thin film thickness of 15 to 40 μm which can be bent freely, and the surface of the insulating tape is made of copper having a thickness of 8 to 18 μm. A thin film is formed by laminating by sputtering (metalizing method), or polyimide or the like is applied to a back surface of a copper foil having a thickness of 8 to 18 μm and cured to a thickness of 15 to 40 μm (casting method). The raw material tape used for TCP is formed by laminating a copper foil on an insulating tape made of polyimide using an adhesive. In TCP, since an opening that penetrates in advance to the portion where the semiconductor chip of the insulating tape is mounted is opened, and the lead wiring protrudes in a cantilever shape toward the opening, the thickness of the copper foil to be laminated is 18 μm or more is used, and a slit is provided in advance in a bent portion after mounting on a liquid crystal panel or the like.
第1工程において、多条製造用テープを準備する際に、製造幅W1を未使用幅Wx1またはWx2を除去して狭くしておくと、第3工程後において、作製されたテープキャリア上にできる廃棄すべき余剰部分(未使用幅Wzに相当)を少なくすることができる。つまり、第1工程において、製造幅W1を未使用幅Wx1またはWx2を除去しない場合には、作製されたテープキャリア上にできる廃棄すべき余剰部分が多くなるが、原材料テープから見た廃棄すべき余剰部分の占める未使用率は、第1工程において未使用幅Wx1またはWx2を除去する場合と全く同じである。余剰部分を除去するタイミングと回数が違うだけである。 In the first step, when preparing the multi-row manufacturing tape, if the manufacturing width W1 is reduced by removing the unused width Wx1 or Wx2, it can be formed on the manufactured tape carrier after the third step. The surplus part to be discarded (corresponding to the unused width Wz) can be reduced. In other words, in the first step, if the manufacturing width W1 is not removed from the unused width Wx1 or Wx2, there will be more surplus parts to be discarded on the manufactured tape carrier, but it should be discarded as viewed from the raw material tape. The unused ratio occupied by the surplus portion is exactly the same as when the unused width Wx1 or Wx2 is removed in the first step. The only difference is the timing and number of times to remove the surplus part.
第2工程では、搬送用の多条用スプロケットホール6が、多条製造用テープの幅方向の両端部分に、長手方向に沿って4.75mm間隔で開口される。次の第3工程の各個別処理の設備内において、多条用スプロケットホール6を使用して多条製造用テープが搬送される。本実施形態では、第2工程において、多条用スプロケットホール6とともに、条別のスプロケットホール5が、単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、長手方向に沿って4.75mm間隔で開口される。
In the second step, the multi-row sprocket holes 6 for conveyance are opened at intervals of 4.75 mm along the longitudinal direction at both end portions in the width direction of the multi-row manufacturing tape. In the individual processing equipment of the next third step, the multi-strip manufacturing tape is transported using the multi-strip sprocket holes 6. In the present embodiment, in the second step, the multi-sprocket sprocket holes 6 and the
第3工程では、多条製造用テープに対して、多条製造用テープの金属薄膜を公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニング加工して、半導体装置を構成する半導体チップの各電極と接続するリード配線を形成する。更に、リード配線に対してメッキ処理が施され、リード配線の電極との接触部分及び外部接続用の端子部分以外にソルダーレジストを塗布して絶縁状態が確保される。更に、所定の電気的検査と外観検査等が行われる。第3工程の各処理は、従来のテープキャリア製造工程と同じであるので、詳細な説明は割愛する。以上により、多条長尺テープ状のテープキャリア1が作製される。
In the third step, with respect to the multi-row manufacturing tape, the metal thin film of the multi-row manufacturing tape is patterned using a known photolithography technique and etching technique, and each electrode of the semiconductor chip constituting the semiconductor device and A lead wire to be connected is formed. Further, the lead wiring is plated, and a solder resist is applied to portions other than the contact portion with the electrode of the lead wiring and the terminal portion for external connection to ensure an insulating state. Further, predetermined electrical inspection and appearance inspection are performed. Since each process of the third step is the same as the conventional tape carrier manufacturing step, a detailed description is omitted. As described above, the multi-long long tape-
本発明方法の各工程(#11〜#13)により作製された多条テープキャリア1は、単位条製造用テープ領域毎に分割され、従来の1条取りテープキャリア(単位条製造用テープに相当)が作製される(#14)。本実施形態では、第2工程において単位条製造用テープ領域に条別のスプロケットホール5が形成されており、更に、当該1条取りテープキャリアのテープ幅が規格幅の35mmと48mmと同じであるので、後続のアセンブリ工程或いはユーザでの実装工程において(#15、第6工程に相当)、半導体チップを分割された1条取りテープキャリアに搭載する際に、既存設備を有効利用できる。アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程(#15)では、1条取りテープキャリアが各処理の製造設備内を条別のスプロケットホール5を用いて搬送される。
The
アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程(#15)では、半導体チップが1条取りテープキャリア上に搭載され、半導体チップ上に形成されたバンプと呼ばれる突起電極と、樹脂封止されるリード配線の内側端部の対応するもの同士が接合され、電気的に接続される。半導体チップが接合及び搭載された後に、COFの場合には、半導体チップとテープキャリアの隙間に樹脂12が注入され、TCPの場合には、テープキャリアの開口部15内に露出した半導体チップの表面に樹脂12が塗布され、半導体チップとリード配線の接合部分と半導体チップ表面が樹脂封止される。個別の半導体装置は、図19と図20に示すものと同様となり、図21及び図22に示すように、リード配線の外部接続用の端子部分が、液晶パネル19やプリント基板20と接続してモジュール化され、半導体モジュール装置となる。
In the assembly process or the user mounting process (# 15), a semiconductor chip is mounted on a single tape carrier, protruding electrodes called bumps formed on the semiconductor chip, and the inside of the lead wiring to be resin-sealed The corresponding ones at the ends are joined and electrically connected. After bonding and mounting the semiconductor chip, in the case of COF, the
図4に、本実施形態における、原材料テープの原テープ幅(W0)、多条製造用テープの製造幅(W1)及び本数(M)、原材料テープの使用幅(Wy1、Wy2)及び未使用幅(Wx1、Wx2)、並びに、単位条製造用テープ領域の本数(N)、製品配置幅(W2)及び有効製品幅(W3)、多条製造用テープの使用幅(W1−Wz)及び未使用幅(Wz)、原材料テープに対する単位条製造用テープ領域の本数(L=M×N)、原材料テープの材料使用率(U)の相互関係を、一覧にして示している。尚、単位条製造用テープ領域の有効製品幅(W3)は、第3工程においてリード配線の形成やソルダーレジストの塗布に利用できる部分を含む半導体装置として最終の製品幅と同等である。従って、製品配置幅(W2)から有効製品幅(W3)を除いた部分に、条別のスプロケットホール5と、半導体装置から条別のスプロケットホール5を切り離す場合の切り取り代(片側1mm)が含まれる。
In FIG. 4, the raw tape width (W0) of the raw material tape, the manufacturing width (W1) and the number (M) of the multi-strip manufacturing tape, the used width (Wy1, Wy2) and the unused width of the raw material tape in this embodiment (Wx1, Wx2), the number of unit strip production tape areas (N), product placement width (W2) and effective product width (W3), multi-use production tape use width (W1-Wz) and unused A list of mutual relationships among the width (Wz), the number of tape regions for manufacturing the unit strip with respect to the raw material tape (L = M × N), and the material usage rate (U) of the raw material tape is shown in a list. Note that the effective product width (W3) of the unit strip manufacturing tape region is equal to the final product width of the semiconductor device including a portion that can be used for forming the lead wiring and applying the solder resist in the third step. Therefore, the portion of the product arrangement width (W2) minus the effective product width (W3) includes the
また、図5に、従来の1条〜4条取りのテープキャリアにおける同様の相互関係を、比較例として一覧にして示している。図4と図5の比較より、本実施形態の本発明方法で作成されたテープキャリア1では、従来の1条取りのテープキャリアと同等の材料使用率が達成でき、しかも、第3工程における各処理が、従来の1条〜4条取りのテープキャリアより高効率で実行できることが分かる。
In addition, FIG. 5 shows a list of similar interrelationships in a conventional tape carrier with one to four strips as a comparative example. From the comparison between FIG. 4 and FIG. 5, the
〈第2実施形態〉
図6は、第2実施形態における本発明方法によるCOFまたはTCPの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造工程、及び、半導体装置の製造工程を示す工程図であり、原材料テープから多条長尺テープ状のテープキャリアが製造されるまでの工程(#21〜#23)と、当該テープキャリアに半導体チップが搭載されて半導体装置が製造されるまでの工程(#24〜#25)を示している。図7〜図9は、図6に示すテープキャリアの製造工程(#21〜#23)を経て作製された個別の半導体装置単位に切断前の多条長尺テープ状のテープキャリア1を示す平面図である。
Second Embodiment
FIG. 6 is a process chart showing a manufacturing process of a thin film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of COF or TCP according to the method of the present invention in the second embodiment, and a manufacturing process of the semiconductor device. Steps (# 21 to # 23) until a multi-long long tape-like tape carrier is manufactured, and steps (# 24 to # 23) until a semiconductor chip is mounted on the tape carrier and a semiconductor device is manufactured. 25). 7 to 9 are plan views showing the
図6に示すように、本発明方法のテープキャリアの製造工程は、幅方向に所定の製品配置幅を占める半導体装置を複数配列可能な多条製造用テープを準備する第1工程(#21)と、第1工程で準備された多条製造用テープに対して、搬送用の多条用スプロケットホールを形成する第2工程(#22)と、多条製造用テープに対して、リード配線を形成し、ソルダーレジストを塗布し、メッキ処理、所定の電気的検査と外観検査等を行う第3工程(#23)を有する。 As shown in FIG. 6, the manufacturing process of the tape carrier of the method of the present invention is a first process (# 21) of preparing a multi-strip manufacturing tape capable of arranging a plurality of semiconductor devices occupying a predetermined product arrangement width in the width direction. And the second step (# 22) for forming the multi-row sprocket holes for the multi-row manufacturing tape prepared in the first step, and the lead wiring for the multi-row manufacturing tape. Forming, applying a solder resist, and performing a plating process, a predetermined electrical inspection and an appearance inspection, and the like (# 23).
第1工程では、テープキャリア1の原材料となる幅方向に未切断の原材料絶縁テープの全面に金属薄膜が形成された原材料テープから、原材料テープの原テープ幅W0(本実施形態では、524mmを想定する)と同一幅、原テープ幅から所定の未使用幅Wx1(本実施形態では、22mmと34mmの2通りを想定する)を除去した使用幅Wy1と同一幅(490mm、502mm)、原テープ幅W0の2分の1幅(262mm)、原テープ幅W0から所定の未使用幅Wx2(本実施形態では、16mmと72mmの2通りを想定する)を除去した使用幅Wy2の2分の1幅(226mm、254mm)、原テープ幅W0から所定の未使用幅Wx3(本実施形態では、2mmと41mmと110mmの3通りを想定する)を除去した使用幅Wy3の3分の1幅(138mm、161mm、174mm)の何れかの製造幅W1を有する多条製造用テープを準備する。従って、本実施形態では、原テープ幅W0と製造幅W1の関係は、以下の数3に示す5通りとなる。尚、本実施形態では、原テープ幅W0(524mm)の3分の1幅は、3分の2mmの端数が生じるため、製造幅W1としては採用していないが、原テープ幅W0が3mmの倍数の場合には、原テープ幅W0の3分の1幅を製造幅W1としても構わない。
In the first step, the raw tape width W0 of the raw material tape (in this embodiment, 524 mm is assumed) from the raw material tape in which the metal thin film is formed on the entire surface of the uncut raw material insulating tape in the width direction, which is the raw material of the
[数3]
W1=W0
W1=Wy1=W0−Wx1
W1=W0/2
W1=Wy2/2=(W0−Wx2)/2
W1=Wy3/3=(W0−Wx3)/3
[Equation 3]
W1 = W0
W1 = Wy1 = W0-Wx1
W1 = W0 / 2
W1 = Wy2 / 2 = (W0−Wx2) / 2
W1 = Wy3 / 3 = (W0-Wx3) / 3
本実施形態の第1工程では、原材料テープから1本(分割なし)、2本(2分割)、または、3本(3分割)の多条製造用テープが準備される。図7は、数3の第1式または第2式の関係により原材料テープを分割せずに準備された製造幅(490mm、502mm、524mm)の多条製造用テープで作製されたテープキャリアを示し、図8は、数3の第3式または第4式の関係により原材料テープを2分割して準備された製造幅(226mm、254mm、262mm)の多条製造用テープで作製されたテープキャリアを示し、図9は、数1の第5式の関係により原材料テープを3分割して準備された製造幅(138mm、161mm、174mm)の多条製造用テープで作製されたテープキャリアを示している。尚、図7〜図9は、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2が35mmの場合を例示している。
In the first step of the present embodiment, one (no division), two (two divisions), or three (three divisions) multi-strip manufacturing tapes are prepared from the raw material tape. FIG. 7 shows a tape carrier made of a multi-strip manufacturing tape having a manufacturing width (490 mm, 502 mm, 524 mm) prepared without dividing the raw material tape according to the relationship of
第1工程で準備された多条製造用テープ上には、3分割で製品配置幅W2が44mmの場合を除いて、製品配置幅W2の単位条製造用テープ領域が幅方向に5列以上形成されている。多条製造用テープの製造幅が490mm、502mm、または、524mmの場合(分割なし)には、製品配置幅W2が31mmの単位条製造用テープ領域が16列、製品配置幅W2が44mmの単位条製造用テープ領域が11列、夫々形成される。また、多条製造用テープの製造幅が226mm、254mm、または、262mmの場合(2分割時)には、製品配置幅W2が31mmの単位条製造用テープ領域が8列、製品配置幅W2が44mmの単位条製造用テープ領域が5列、夫々形成される。また、多条製造用テープの製造幅が138mm、161mm、または、174mmの場合(3分割時)には、製品配置幅W2が31mmの単位条製造用テープ領域が5列、製品配置幅W2が44mmの単位条製造用テープ領域が3列、夫々形成される。尚、本実施形態で使用する製品配置幅W2は、従来の1条取りのテープキャリアの規格幅35mm、48mmより夫々4mm(片側で2mm)狭く設定されている。これは、第2工程において、条別のスプロケットホール5を開口しないため、第1実施形態と単位条製造用テープ領域の有効製品幅W3が同じに維持したまま、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2を狭くできるためである。この結果、分割なし或いは2分割時において、多条製造用テープ上に形成される単位条製造用テープ領域の本数Nが、2分割時で製品配置幅W2が44mmの場合を除いて、第1実施形態の場合より増加しているので、第3工程での処理効率が向上する。
On the multi-strip manufacturing tape prepared in the first step, five or more rows of unit strip manufacturing tape regions of product layout width W2 are formed in the width direction, except when the product layout width W2 is 44 mm. Has been. When the manufacturing width of the multi-row manufacturing tape is 490 mm, 502 mm, or 524 mm (no division), the unit arrangement manufacturing tape area is 16 rows with a product arrangement width W2 of 31 mm and the product arrangement width W2 is 44 mm. Eleven rows of tape manufacturing tape regions are formed respectively. Further, when the manufacturing width of the multi-strip manufacturing tape is 226 mm, 254 mm, or 262 mm (when divided into two), the product layout width W2 is 31 mm, the unit strip manufacturing tape area is 8 rows, and the product layout width W2 is Five rows of 44 mm unit strip manufacturing tape regions are formed respectively. Further, when the production width of the multi-row production tape is 138 mm, 161 mm, or 174 mm (when divided into three), the product arrangement width W2 is 31 mm and the product arrangement width W2 is 5 rows. Three rows of 44 mm unit strip manufacturing tape regions are formed. The product arrangement width W2 used in this embodiment is set to be 4 mm (2 mm on one side) narrower than the
単位条製造用テープ領域の本数Nと、製造幅W1、製品配置幅W2及び未使用幅Wz(多条製造用テープの製造幅W1の調整用余白部分7と多条用スプロケットホール6)の関係は、個々の数値は異なるが、第1実施形態と同様に数2に示すようになる。また、原材料テープの作製方法は、第1実施形態と同様であるので重複する説明は割愛する。
Relationship between the number N of unit strip manufacturing tape areas, the manufacturing width W1, the product arrangement width W2, and the unused width Wz (the
第2工程では、搬送用の多条用スプロケットホール6が、多条製造用テープの幅方向の両端部分に、長手方向に沿って4.75mm間隔で開口される。次の第3工程の各個別処理の設備内において、多条用スプロケットホール6を使用して多条製造用テープが搬送される。第2実施形態では、第1実施形態とは異なり、第2工程において、単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分には条別のスプロケットホール5は開口されない。従って、第1工程で準備される多条製造用テープにおいて、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2が、条別のスプロケットホール5に利用する部分(2mm×2)だけ狭くなっており、上述の通り、従来の1条取りのテープキャリアの規格幅35mm、48mmより夫々4mm(片側で2mm)狭く設定されている。尚、第2実施形態では、条別のスプロケットホール5に利用する部分を、単位条製造用テープ領域の本数Nを増加するために利用したので、半導体装置の有効製品幅(W3)は、第1実施形態と同じである。第2実施形態では、製品配置幅(W2)から有効製品幅(W3)を除いた部分には、条別のスプロケットホール5は含まれないが、幅方向に隣接する半導体装置を個々に分離する際の切り取り代8(2mm)が含まれる。尚、多条用スプロケットホール6と両端の単位条製造用テープ領域との間の余白部分7は、製造幅W1の調整用で、多条製造用テープの未使用幅Wzに含まれる。
In the second step, the multi-row sprocket holes 6 for conveyance are opened at intervals of 4.75 mm along the longitudinal direction at both end portions in the width direction of the multi-row manufacturing tape. In the individual processing equipment of the next third step, the multi-strip manufacturing tape is transported using the multi-strip sprocket holes 6. In the second embodiment, unlike the first embodiment, in the second step, the
第3工程では、多条製造用テープに対して、多条製造用テープの金属薄膜を公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニング加工して、半導体装置を構成する半導体チップの各電極と接続するリード配線を形成する。更に、リード配線に対してメッキ処理が施され、リード配線の電極との接触部分及び外部接続用の端子部分以外にソルダーレジストを塗布して絶縁状態が確保される。更に、所定の電気的検査と外観検査等が行われる。第3工程の各処理は、第1実施形態と同様である。以上により、多条長尺テープ状のテープキャリア1が作製される。
In the third step, with respect to the multi-row manufacturing tape, the metal thin film of the multi-row manufacturing tape is patterned using a known photolithography technique and etching technique, and each electrode of the semiconductor chip constituting the semiconductor device and A lead wire to be connected is formed. Further, the lead wiring is plated, and a solder resist is applied to portions other than the contact portion with the electrode of the lead wiring and the terminal portion for external connection to ensure an insulating state. Further, predetermined electrical inspection and appearance inspection are performed. Each process in the third step is the same as that in the first embodiment. As described above, the multi-long long tape-
本発明方法の各工程(#21〜#23)により作製された多条テープキャリア1は、単位条製造用テープ領域毎に分割されずに、そのまま、後続のアセンブリ工程或いはユーザでの実装工程(#24、第4工程に相当)で使用される。アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程(#24)では、多条用スプロケットホール6を用いて多条テープキャリア1が各処理の製造設備内を搬送される。
The
アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程(#24)では、半導体チップが多条テープキャリア1上に搭載され、半導体チップ上に形成されたバンプと呼ばれる突起電極と、樹脂封止されるリード配線の内側端部の対応するもの同士が接合され、電気的に接続される。半導体チップが接合及び搭載された後に、COFの場合には、半導体チップと多条テープキャリア1の隙間に樹脂が注入され、TCPの場合には、多条テープキャリア1の開口部内に露出した半導体チップの表面に樹脂が塗布され、半導体チップとリード配線の接合部分と半導体チップ表面が樹脂封止される。
In the assembly process or the user mounting process (# 24), the semiconductor chip is mounted on the
多条テープキャリア1上に完成された半導体装置は、個々の半導体装置に打ち抜かれて分離される(#25)。従って、本実施形態では、多条テープキャリア1は、1条取りのテープキャリアに分割されることはない。個別に分離された半導体装置は、図19と図20に示すものと同様となり、図21及び図22に示すように、リード配線の外部接続用の端子部分が、液晶パネル19やプリント基板20と接続してモジュール化され、半導体モジュール装置となる。
The semiconductor device completed on the
図10に、第2実施形態における、原材料テープの原テープ幅(W0)、多条製造用テープの製造幅(W1)及び本数(M)、原材料テープの使用幅(Wy1、Wy2)及び未使用幅(Wx1、Wx2)、並びに、単位条製造用テープ領域の本数(N)、製品配置幅(W2)及び有効製品幅(W3)、多条製造用テープの使用幅(W1−Wz)及び未使用幅(Wz)、原材料テープに対する単位条製造用テープ領域の本数(L=M×N)、原材料テープの材料使用率(U)の相互関係を、一覧にして示している。 In FIG. 10, the raw tape width (W0) of the raw material tape, the manufacturing width (W1) and the number (M) of the multi-strip manufacturing tape, the used width of the raw material tape (Wy1, Wy2) and unused in the second embodiment Width (Wx1, Wx2), number of tape areas for manufacturing unit strips (N), product arrangement width (W2) and effective product width (W3), use width of multi-strip manufacturing tape (W1-Wz) and not The interrelationships of the width of use (Wz), the number of tape regions for manufacturing the unit strips with respect to the raw material tape (L = M × N), and the material usage rate (U) of the raw material tape are shown in a list.
図10と図5の比較より、第2実施形態の本発明方法で作成されたテープキャリア1では、分割なしの場合、或いは、2分割時で製品配置幅W2が31mmの場合には、従来の1条取りのテープキャリアと同等以上の材料使用率が達成でき、2分割時で製品配置幅W2が44mmの場合、或いは、3分割時で製品配置幅W2が31mmの場合には、従来の3条または4条取りのテープキャリアと同等以上の材料使用率が達成でき、しかも、第3工程における各処理が、従来の1条〜4条取りのテープキャリアより高効率で実行できることが分かる。更に、第2実施形態では、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程を、テープキャリア1上において複数列同時に実行できるため、半導体製造工程の全体としても製造効率が大幅に向上することになる。尚、3分割時で製品配置幅W2が44mmの場合には、従来の3条取りのテープキャリアより材料使用率が低下しているが、その理由は、従来の3条取りのテープキャリアでは、条別のスプロケットホールが廃棄されずに、1条取りのテープキャリアに分離された場合に利用可能であるためで、有効製品幅(W3)で比較した場合の材料使用率は全く同じであるが、上述の通り、半導体製造工程の全体として製造効率が大幅に向上することになる。
From the comparison between FIG. 10 and FIG. 5, in the
〈第3実施形態〉
第3実施形態は、第2実施形態の別実施形態であり、第3実施形態における本発明方法の各工程は、第2実施形態と基本的に同じであり、原材料テープから多条長尺テープ状のテープキャリアが製造されるまでの工程(#21〜#23)と、当該テープキャリアに半導体チップが搭載されて半導体装置が製造されるまでの工程(#24〜#25)を有する。第2実施形態との相違点は、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2が、第1実施形態と同様に、従来の1条取りのテープキャリアの規格幅35mm、48mmと同一幅に設定されている点である。図11〜図13は、図6に示すテープキャリアの製造工程(#21〜#23)を経て第3実施形態における製品配置幅W2の設定条件で作製された多条長尺テープ状のテープキャリア1を示す平面図である。図14は、図13に示す3分割時のテープキャリア1に半導体チップ10が実装されて半導体装置となった状態で、個別の半導体装置に分離される前の状態を示している。
<Third Embodiment>
The third embodiment is another embodiment of the second embodiment, and each step of the method of the present invention in the third embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Steps (# 21 to # 23) until a solid tape carrier is manufactured and steps (# 24 to # 25) until a semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor chip on the tape carrier. The difference from the second embodiment is that the product arrangement width W2 of the unit strip manufacturing tape area is set to the same width as the
また、単位条製造用テープ領域の製品配置幅W2が、第2実施形態の場合と相違するので、多条製造用テープの製造幅W1等も、一部が第2実施形態の場合と相違する。 In addition, since the product arrangement width W2 of the unit strip manufacturing tape region is different from that in the second embodiment, the manufacturing width W1 of the multi-row manufacturing tape is partially different from that in the second embodiment. .
第3実施形態においては、第1工程で準備された多条製造用テープ上には、3分割時を除いて、製品配置幅W2の単位条製造用テープ領域が幅方向に5列以上形成されている。多条製造用テープの製造幅が486mm、496mm、または、524mmの場合(分割なし)には、製品配置幅W2が35mmの単位条製造用テープ領域が14列、製品配置幅W2が48mmの単位条製造用テープ領域が10列、夫々形成される。また、多条製造用テープの製造幅が246mm、251mm、または、262mmの場合(2分割時)には、製品配置幅W2が35mmの単位条製造用テープ領域が7列、製品配置幅W2が48mmの単位条製造用テープ領域が5列、夫々形成される。また、多条製造用テープの製造幅が146mm、150mm、または、174mmの場合(3分割時)には、製品配置幅W2が35mmの単位条製造用テープ領域が4列、製品配置幅W2が48mmの単位条製造用テープ領域が3列、夫々形成される。 In the third embodiment, on the multi-row manufacturing tape prepared in the first step, five or more rows of unit-row manufacturing tape regions of the product arrangement width W2 are formed in the width direction, except when divided into three. ing. When the production width of the multi-row production tape is 486 mm, 496 mm, or 524 mm (no division), the unit arrangement production tape area with the product arrangement width W2 of 35 mm is 14 rows, and the product arrangement width W2 is 48 mm. Ten rows of strip manufacturing tape regions are formed respectively. Further, when the production width of the multi-row production tape is 246 mm, 251 mm, or 262 mm (when divided into two), the product arrangement width W2 is 35 rows and the unit arrangement production tape area is 7 rows and the product arrangement width W2 is Five rows of 48 mm unit strip manufacturing tape regions are formed. In addition, when the production width of the multi-row production tape is 146 mm, 150 mm, or 174 mm (when divided into three), the product arrangement width W2 is 35 mm and the unit arrangement production tape area has four rows and the product arrangement width W2 is Three rows of 48 mm unit strip manufacturing tape regions are formed.
尚、本実施形態で使用する製品配置幅W2は、従来の1条取りのテープキャリアの規格幅35mm、48mmと同一幅に設定されているが、第2実施形態と同様に、第2工程において条別のスプロケットホール5を開口しないので、条別のスプロケットホール5を開口するスペースをリード配線の形成に利用できるため、有効製品幅W3をその分(本実施形態では4mm)拡大することができる。従って、従来の1条〜4条取りのテープキャリア、或いは、第1実施形態の多条テープキャリア1において、半導体チップのチップサイズが僅かに大きい(例えば、幅方向のチップサイズ増加量が4mm以下の場合)ために、規格幅35mmの製品配置幅W2に収容できずに、規格幅48mmの製品配置幅W2に拡大する必要が生じ、単位条製造用テープ領域の本数Nが減少して、製造効率が低下する場合であっても、有効製品幅W3が拡大することで、同じ規格幅35mmの製品配置幅W2に収容できることになり、大きな製造効率の大幅な向上が実質的に図ることができる。尚、図11〜図13の各平面図では、半導体チップのチップサイズの増大に合わせたリード配線の配線パターンとはなっていないが、余白部分が半導体チップのチップサイズの増大に対応できることを示している。
In addition, although the product arrangement width W2 used in this embodiment is set to the same width as the
図15に、第3実施形態における、原材料テープの原テープ幅(W0)、多条製造用テープの製造幅(W1)及び本数(M)、原材料テープの使用幅(Wy1、Wy2)及び未使用幅(Wx1、Wx2)、並びに、単位条製造用テープ領域の本数(N)、製品配置幅(W2)及び有効製品幅(W3)、多条製造用テープの使用幅(W1−Wz)及び未使用幅(Wz)、原材料テープに対する単位条製造用テープ領域の本数(L=M×N)、原材料テープの材料使用率(U)の相互関係を、一覧にして示している。 FIG. 15 shows the raw tape width (W0) of the raw material tape, the manufacturing width (W1) and the number (M) of the multi-strip manufacturing tape, the used width of the raw material tape (Wy1, Wy2) and unused in the third embodiment. Width (Wx1, Wx2), number of tape areas for manufacturing unit strips (N), product arrangement width (W2) and effective product width (W3), use width of multi-strip manufacturing tape (W1-Wz) and not The interrelationships of the width of use (Wz), the number of tape regions for manufacturing the unit strips with respect to the raw material tape (L = M × N), and the material usage rate (U) of the raw material tape are shown in a list.
図15と図5の比較より、第3実施形態の本発明方法で作成されたテープキャリア1では、分割なしの場合、或いは、2分割時の場合には、従来の1条取りのテープキャリアと同等以上の材料使用率が達成でき、3分割時の場合には、従来の3条または4条取りのテープキャリアと同等以上の材料使用率が達成でき、しかも、第3工程における各処理が、従来の1条〜4条取りのテープキャリアより高効率で実行できることが分かる。更に、第3実施形態では、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程を、テープキャリア1上において複数列同時に実行できるため、半導体製造工程の全体としても製造効率が大幅に向上することになる。更に、第3実施形態では、上述の如く、単位条製造用テープ領域の有効製品幅W3が拡大することによる製造効率の向上効果も大きい。
15 and FIG. 5, the
〈第4実施形態〉
第4実施形態は、第2実施形態の別実施形態であり、第4実施形態における本発明方法の各工程は、第2実施形態と基本的に同じであり、原材料テープから多条長尺テープ状のテープキャリアが製造されるまでの工程(#21〜#23)と、当該テープキャリアに半導体チップが搭載されて半導体装置が製造されるまでの工程(#24〜#25)を有する。第2実施形態との相違点は、多条製造用テープ上に形成される単位条製造用テープ領域の第3工程で形成されるリード配線の配線パターンである。
<Fourth embodiment>
The fourth embodiment is another embodiment of the second embodiment, and each step of the method of the present invention in the fourth embodiment is basically the same as that of the second embodiment. Steps (# 21 to # 23) until a solid tape carrier is manufactured and steps (# 24 to # 25) until a semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor chip on the tape carrier. The difference from the second embodiment is the wiring pattern of the lead wiring formed in the third step of the unit strip manufacturing tape region formed on the multi-row manufacturing tape.
第2実施形態では、第3工程において、多条製造用テープ上に形成される全ての単位条製造用テープ領域で、リード配線は全て同じ配線パターンに形成されている。これに対して、第4実施形態では、第3工程において、図16に示すように、単位条製造用テープ領域のリード配線の1条毎の配線パターンが、幅方向に隣接する2条間で多条製造用テープの長手方向に交互に反転したパターンとなるように、リード配線のパターニングが行われる。この結果、図16に示すように、半導体装置の形状が、長方形や正方形ではなく、台形状のように、製品幅が長手方向の両端で異なる場合には、平均的な有効製品幅が実質的に短くなって、結果として、同じ多条製造用テープの製造幅W1に対して、単位条製造用テープ領域の本数Nが増加する場合が生じる。第2実施形態の図8に示す2分割時の単位条製造用テープ領域の本数Nが8であるのに対して、第4実施形態の図16に示す2分割時の単位条製造用テープ領域の本数Nが9と1増加しており、これにより、材料使用率が向上するとともに、テープキャリア及び半導体装置の夫々の製造効率が更に向上する。 In the second embodiment, in the third step, the lead wirings are all formed in the same wiring pattern in all unit strip manufacturing tape regions formed on the multi-strip manufacturing tape. On the other hand, in 4th Embodiment, as shown in FIG. 16, in the 3rd process, the wiring pattern for every 1 lead | read | reed wiring of the tape area | region for unit strip manufacture is between two strips adjacent in the width direction. The lead wiring is patterned so that the pattern is alternately reversed in the longitudinal direction of the multi-row manufacturing tape. As a result, as shown in FIG. 16, when the product width is different at both ends in the longitudinal direction, such as a trapezoidal shape rather than a rectangle or square, the average effective product width is substantially equal. As a result, the number N of unit strip manufacturing tape regions may increase with respect to the manufacturing width W1 of the same multi-strip manufacturing tape. The number N of unit strip manufacturing tape areas in the second embodiment shown in FIG. 8 of the second embodiment is 8, whereas the number of unit strip manufacturing tape areas in the second embodiment shown in FIG. The number N of N is increased by 1 to 9, which improves the material usage rate and further improves the manufacturing efficiency of each of the tape carrier and the semiconductor device.
〈第5実施形態〉
第5実施形態は、第2実施形態の別実施形態であり、図17は、第5実施形態における本発明方法によるCOFまたはTCPの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリアの製造工程、及び、半導体装置の製造工程を示す工程図であり、原材料テープから多条長尺テープ状のテープキャリア1が製造されるまでの工程(#31〜#33)と、多条テープキャリア1に半導体チップが搭載されて半導体装置が製造されるまでの工程(#34〜#35)を示している。
<Fifth Embodiment>
The fifth embodiment is another embodiment of the second embodiment, and FIG. 17 shows a manufacturing process of a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of COF or TCP according to the method of the present invention in the fifth embodiment. FIG. 4 is a process diagram showing the manufacturing process of the semiconductor device, and the steps (# 31 to # 33) until the multi-long long tape-shaped
多条テープキャリア1が製造されるまでの工程(#31〜#33)は、第2実施形態における多条テープキャリア1が製造されるまでの工程(#21〜#23)と同じである。第2実施形態と重複する説明は割愛する。
The steps (# 31 to # 33) until the
第2実施形態との相違点は、多条テープキャリア1に半導体チップが搭載されて半導体装置が製造されるまでの工程(#34〜#35、第5工程に相当)、つまり、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程が、第2実施形態の工程(#24〜#25)と異なる点である。第5実施形態では、図18に示すように、本発明方法の各工程(#31〜#33)により作製された多条テープキャリア1から、単位条製造用テープ領域の個別の半導体装置となる個別テープキャリア16が、夫々打ち抜かれて、別途準備された幅方向の両端部分にスプロケットホール18が形成され、中央部分が半導体装置単位に開口したアセンブリ用の単位条搬送テープ17に転載する(#34)。個別テープキャリア16と単位条搬送テープ17の接続は、例えば接着剤等により仮付けすることにより行う。
The difference from the second embodiment is that a process (# 34 to # 35, corresponding to the fifth process) until a semiconductor device is manufactured by mounting a semiconductor chip on the
引き続いて、単位条搬送テープ17に転載された個別テープキャリア16に対して、半導体チップを各別に搭載し、半導体チップ上に形成されたバンプと呼ばれる突起電極と、個別テープキャリア16の樹脂封止されるリード配線の内側端部の対応するもの同士が接合され、電気的に接続され、半導体チップが接合及び搭載された後に、COFの場合には、半導体チップと個別テープキャリア16の隙間に樹脂が注入され、TCPの場合には、個別テープキャリア16の開口部内に露出した半導体チップの表面に樹脂が塗布され、半導体チップとリード配線の接合部分と半導体チップ表面が樹脂封止される(#35)。個別の半導体装置は、図19と図20に示すものと同様となり、図21及び図22に示すように、リード配線の外部接続用の端子部分が、液晶パネル19やプリント基板20と接続してモジュール化され、半導体モジュール装置となる。第5実施形態では、個別テープキャリア16が転載された単位条搬送テープ17は、従来の1条取りテープキャリアと同じであるので、既存設備を有効利用できる。
Subsequently, a semiconductor chip is separately mounted on the
ここで、単位条搬送テープ17は、アセンブリ工程或いはユーザでの実装工程が終了する毎に、半導体装置となった個別テープキャリア16を単位条搬送テープ17から回収した後に、再利用するのも好ましい。更に、単位条搬送テープ17を再利用しない場合であっても、多条テープキャリア1の製造に使用する原材料テープより十分に安価な材料を利用して単位条搬送テープ17を作製できるため、大幅な製造コストの上昇を伴わずに、既存設備を有効利用できるという利点を享受できる。
Here, it is also preferable that the unit strip transport tape 17 is reused after the
以上、第1乃至第5実施形態において、本発明に係るテープキャリア及び半導体装置の製造方法について具体的な数値を例示して詳細に説明したが、上記説明に使用した数値や図面に示した各部の形状等は、一例であって、本発明方法の内容を制限するものではなく、適宜変更可能である。 As described above, in the first to fifth embodiments, the manufacturing method of the tape carrier and the semiconductor device according to the present invention has been described in detail by exemplifying specific numerical values, but the numerical values used in the above description and the respective parts shown in the drawings. The shape and the like are merely examples, and do not limit the contents of the method of the present invention, and can be appropriately changed.
本発明は、チップオンフィルムまたはテープキャリアパッケージの形態による半導体装置の製造に用いる薄膜状のテープキャリア及びその半導体装置の製造方法に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a thin film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on-film or a tape carrier package and a method for manufacturing the semiconductor device.
1: テープキャリア
2: 薄膜絶縁テープ
3: リード配線
4: ソルダーレジスト
5: 条別のスプロケットホール
6: 多条用スプロケットホール
7: 多条製造用テープの製造幅調整用の余白部分
8: 切り取り代
9: 接着剤
10: 半導体チップ
11: 突起電極(バンプ)
12: 封止樹脂
13: チップオンフィルム(COF)の形態による半導体装置
14: テープキャリアパッケージ(TCP)の形態による半導体装置
15: 開口部
16: 個別テープキャリア
17: 単位条搬送テープ
18: 単位条搬送テープのスプロケットホール
19: 液晶パネル
20: プリント基板
W1: 多条製造用テープの製造幅
W2: 製品配置幅
W3: 有効製品幅
1: Tape carrier 2: Thin-film insulating tape 3: Lead wiring 4: Solder resist 5: Sprocket hole according to strip 6: Sprocket hole for multiple strips 7: Blank portion for adjusting the manufacturing width of the tape for multi-strand manufacturing 8: Cutting allowance 9: Adhesive 10: Semiconductor chip 11: Projection electrode (bump)
12: Sealing resin 13: Semiconductor device in the form of chip-on-film (COF) 14: Semiconductor device in the form of a tape carrier package (TCP) 15: Opening 16: Individual tape carrier 17: Unit strip transport tape 18: Unit strip Sprocket hole of transport tape 19: LCD panel 20: Printed circuit board W1: Manufacturing width of multi-strip manufacturing tape W2: Product placement width W3: Effective product width
Claims (16)
前記テープキャリアの原材料となる幅方向に未切断の原材料絶縁テープの全面に金属薄膜が形成された原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅、前記原テープ幅の3分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の3分の1幅の製造幅で、製造工程中に所定の製品配置幅を占める前記半導体装置を幅方向に複数配列可能な多条製造用テープを準備する第1工程と、
前記多条製造用テープに対して、前記多条製造用テープを搬送するための多条用スプロケットホールを前記多条製造用テープの幅方向の両端部分に、前記多条製造用テープの長手方向に沿って形成する第2工程と、
前記多条製造用テープに対して、前記金属薄膜をパターニング加工して、前記半導体装置を構成する半導体チップの各電極と接続するリード配線を形成し、ソルダーレジストを塗布し、所定の検査を行う第3工程と、を有し、
前記第1工程において、前記原材料テープから、前記原材料テープの原テープ幅と同一幅、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅と同一幅、前記原テープ幅の2分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の2分の1幅の前記多条製造用テープを準備する場合は、前記多条製造用テープが製造工程中に所定の製品配置幅を占める前記半導体装置を幅方向に5以上配列可能とし、前記原材料テープから、前記原テープ幅の3分の1幅、或いは、前記原テープ幅から所定の未使用幅を除去した使用幅の3分の1幅の前記多条製造用テープを準備する場合は、前記多条製造用テープを前記製品配置幅単位で長手方向に沿って区分した単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、条別のスプロケットホールが形成されていないことを特徴とするテープキャリアの製造方法。 A method of manufacturing a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on-film or a tape carrier package,
From a raw material tape in which a metal thin film is formed on the entire surface of a raw material insulating tape that is not cut in the width direction, which is a raw material of the tape carrier, the same width as the raw tape width of the raw material tape, a predetermined unused width from the raw tape width The same width as the use width from which the tape is removed, the half width of the original tape width, the half width of the use width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width, and the third width of the original tape width A plurality of semiconductor devices that occupy a predetermined product arrangement width in the width direction in a manufacturing width of one width or one-third of a used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width. A first step of preparing an arrayable multi-row manufacturing tape;
With respect to the multi-strip manufacturing tape, multi-strip sprocket holes for conveying the multi-strip manufacturing tape are provided at both end portions in the width direction of the multi-strip manufacturing tape, and the longitudinal direction of the multi-strip manufacturing tape. A second step of forming along
The metal thin film is subjected to patterning on the multi-row manufacturing tape to form lead wirings connected to each electrode of the semiconductor chip constituting the semiconductor device, a solder resist is applied, and a predetermined inspection is performed. A third step,
In the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, the same width as the used width obtained by removing a predetermined unused width from the raw tape width, and a half of the raw tape width When preparing the multi-strip manufacturing tape having a width or a half width of the used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width, the multi-strip manufacturing tape is predetermined during the manufacturing process. 5 or more of the semiconductor devices occupying the product arrangement width can be arranged in the width direction, and one-third width of the original tape width or a predetermined unused width is removed from the raw tape width from the raw material tape. When preparing the multi-row manufacturing tape having a width of one-third of the width of use, the width direction of the unit-row manufacturing tape region in which the multi-row manufacturing tape is divided along the longitudinal direction by the product arrangement width unit. At both ends of the Manufacturing method of the tape carrier, characterized in that Le is not formed.
前記第2工程において、前記多条製造用テープに対して、前記単位条製造用テープ領域の幅方向の両端部分に、前記多条製造用テープの長手方向に沿って前記条別のスプロケットホールを形成することを特徴とする請求項1に記載のテープキャリアの製造方法。 In the first step, from the raw material tape, the same width as the raw tape width of the raw material tape, the same width as the used width obtained by removing a predetermined unused width from the raw tape width, and a half of the raw tape width Preparing the multi-row manufacturing tape having a width or a half width of the used width obtained by removing a predetermined unused width from the original tape width;
In the second step, the striped sprocket holes are formed along the longitudinal direction of the multi-strip manufacturing tape at both end portions in the width direction of the unit-strip manufacturing tape region with respect to the multi-strip manufacturing tape. The tape carrier manufacturing method according to claim 1, wherein the tape carrier is formed.
前記第1工程において使用する前記原材料テープが、前記原材料絶縁テープ上に前記金属薄膜をスパッタ法で積層するか、または、前記金属薄膜上に絶縁性樹脂を塗布して硬化させるキャスティング法で前記原材料絶縁テープを積層して作製されることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載のテープキャリアの製造方法。 A method of manufacturing a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a chip-on film,
The raw material tape used in the first step is obtained by casting the metal thin film on the raw material insulating tape by a sputtering method, or by applying an insulating resin on the metal thin film and curing the raw material. The method for manufacturing a tape carrier according to any one of claims 1 to 9, wherein the tape carrier is manufactured by laminating insulating tapes.
前記第1工程において使用する前記原材料テープが、前記原材料絶縁テープ上に前記金属薄膜をラミネート法により接着剤で貼付して作製されることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載のテープキャリアの製造方法。 A method of manufacturing a thin-film tape carrier used for manufacturing a semiconductor device in the form of a tape carrier package,
The said raw material tape used in the said 1st process is produced by affixing the said metal thin film on the said raw material insulation tape with the adhesive by the laminating method, In any one of Claims 1-9 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the tape carrier of description.
請求項1〜11の何れか1項に記載のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第4工程を実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device resin-sealed on a thin-film tape carrier in any form of a chip-on-film or a tape carrier package,
The semiconductor chip is separately provided for each of the multi-row manufacturing tapes after each of the first, second, and third steps of the tape carrier manufacturing method according to claim 1. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting, connecting each of the electrodes and the lead wiring, and performing resin sealing.
請求項2〜6の何れか1項に記載のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープから、前記半導体装置単位の前記テープキャリアを個別に打ち抜き、別途準備された幅方向の両端部分にスプロケットホールが形成され、中央部分が前記半導体装置単位に開口したアセンブリ用の単位条搬送テープに転載し、前記単位条搬送テープに転載された前記テープキャリアに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第5工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device resin-sealed on a thin-film tape carrier in any form of a chip-on-film or a tape carrier package,
The said tape carrier of the said semiconductor device unit from the said multi-strip manufacturing tape after each process of the said 1st, 2nd and 3rd process of the manufacturing method of the tape carrier of any one of Claims 2-6 Are individually punched, sprocket holes are formed at both ends in the width direction, which are separately prepared, and the central portion is transferred to the unit strip transport tape that is opened in the semiconductor device unit, and is transferred to the unit strip transport tape. A method of manufacturing a semiconductor device comprising: a fifth step of separately mounting the semiconductor chip on the tape carrier, connecting the electrodes and the lead wiring, and sealing with resin.
請求項7または8に記載のテープキャリアの製造方法の前記第1、第2及び第3工程の各処理後の前記多条製造用テープを長手方向に沿って分割して前記半導体装置の前記所定の製品配置幅と同じ幅の単位条製造用テープを作製し、前記単位条製造用テープに対して、前記半導体チップを各別に搭載し、前記各電極と前記リード配線を接続し、樹脂封止する第6工程を実行することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor device resin-sealed on a thin-film tape carrier in any form of a chip-on-film or a tape carrier package,
9. The predetermined tape of the semiconductor device by dividing the multi-row manufacturing tape after each of the first, second, and third steps of the tape carrier manufacturing method according to claim 7 or 8 along a longitudinal direction. A tape for manufacturing unit strips having the same width as the product arrangement width is manufactured, the semiconductor chip is separately mounted on the tape for manufacturing unit strips, the electrodes and the lead wires are connected, and resin sealing is performed. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising performing a sixth step.
A semiconductor module device comprising a semiconductor device manufactured by using the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12.
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