JP2008288075A - Method of manufacturing display device, and display device - Google Patents

Method of manufacturing display device, and display device Download PDF

Info

Publication number
JP2008288075A
JP2008288075A JP2007132825A JP2007132825A JP2008288075A JP 2008288075 A JP2008288075 A JP 2008288075A JP 2007132825 A JP2007132825 A JP 2007132825A JP 2007132825 A JP2007132825 A JP 2007132825A JP 2008288075 A JP2008288075 A JP 2008288075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic layer
electrode
auxiliary electrode
display device
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007132825A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Ozawa
信夫 小澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2007132825A priority Critical patent/JP2008288075A/en
Publication of JP2008288075A publication Critical patent/JP2008288075A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a display device which can improve a display quality by promoting a complete removal of a portion formed on an auxiliary electrode of an organic layer, and to provide a display device. <P>SOLUTION: A portion formed on an auxiliary electrode 14 of the first organic layer 16A and a second organic layer 16B is removed selectively by irradiating a laser beam LB on a first organic layer 16A. When the laser beam LB is irradiated, the first organic layer 16A sublimates and adhesiveness between the auxiliary electrode 14 and the first organic layer 16A is reduced remarkably, the second organic layer 16B formed on the first organic layer 16A is removed together with the first organic layer 16A. The first organic layer 16A is preferably composed of a material of a lower melting point than that of the auxiliary electrode 14, and is preferably composed of a sublimating material, namely, a material which sublimates by a laser beam irradiation. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機発光素子を備えた表示装置の製造方法および表示装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a display device including an organic light emitting element and the display device.

この種の表示装置としては、例えば図20に示したように、基板811に、各有機発光素子ごとに第1電極813を形成し、その上に、発光層を含む有機層816および第2電極817を順に積層したものが知られている。ここで、第2電極817は薄膜状の共通電極であるので抵抗値が高く、電源(図示せず)から個々の有機発光素子までの距離に応じて電圧降下が異なり、それにより画面内に輝度のばらつきが発生するおそれがある。このような輝度のばらつきを抑制するため、第1電極813の間の領域に、比較的厚みの厚い補助電極814を設け、この補助電極814と第2電極817とを電気的に接続する場合がある。   As this type of display device, for example, as shown in FIG. 20, a first electrode 813 is formed on a substrate 811 for each organic light emitting element, and an organic layer 816 including a light emitting layer and a second electrode are formed thereon. The thing which laminated | stacked 817 in order is known. Here, since the second electrode 817 is a thin film-like common electrode, the resistance value is high, and the voltage drop differs depending on the distance from the power source (not shown) to each organic light emitting element, thereby causing the luminance in the screen. There is a risk of variation. In order to suppress such variation in luminance, a relatively thick auxiliary electrode 814 may be provided in a region between the first electrodes 813, and the auxiliary electrode 814 and the second electrode 817 may be electrically connected. is there.

第2電極817と補助電極814とを電気的に接続するためには、第2電極817を形成する前に、有機層816の補助電極814上に形成された部分を除去しておく必要がある。有機層816は、マスク等を用いて第1電極813のみに形成される場合と、基板810の表示領域のほぼ全面に形成される場合とがあるが、いずれの場合にも、補助電極814が有機層816で覆われてしまう可能性があるからである。   In order to electrically connect the second electrode 817 and the auxiliary electrode 814, it is necessary to remove the portion formed on the auxiliary electrode 814 of the organic layer 816 before forming the second electrode 817. . The organic layer 816 may be formed only on the first electrode 813 using a mask or the like, or may be formed on almost the entire display area of the substrate 810. In either case, the auxiliary electrode 814 is formed. This is because the organic layer 816 may be covered.

従来では、例えば特許文献1において、補助電極に光吸収層を設け、この光吸収層でレーザ光を熱変換し、有機層の補助電極上に形成された部分を一括除去することが記載されている。
特開2007−52966号公報
Conventionally, for example, Patent Document 1 describes that a light absorption layer is provided on an auxiliary electrode, laser light is thermally converted by this light absorption layer, and a portion formed on the auxiliary electrode of the organic layer is collectively removed. Yes.
JP 2007-52966 A

しかしながら、補助電極と接する有機層の材料によっては、補助電極と有機層との密着性が強い場合、あるいは、有機層が融点が高い材料を含む場合があり、そのような場合には、除去残りが発生してしまうおそれがあった。また、有機層の厚みが厚い場合も、同様に除去残りが発生してしまう可能性があった。その結果、補助電極と第2電極との電気的接続が悪化し、表示品位が著しく劣化してしまうという問題が生じていた。   However, depending on the material of the organic layer in contact with the auxiliary electrode, the adhesion between the auxiliary electrode and the organic layer may be strong, or the organic layer may contain a material having a high melting point. Could occur. Further, when the organic layer is thick, there is a possibility that unremoved residue is generated. As a result, there is a problem that the electrical connection between the auxiliary electrode and the second electrode is deteriorated and the display quality is remarkably deteriorated.

このような場合、除去残りを防ぐためには、強いレーザ強度を必要とする。しかし、レーザ強度を強くすると、補助電極そのものにダメージを及ぼすか、レーザ照射時の熱が高くなりすぎて、隣接素子にダメージを及ぼし、有機発光素子の特性が劣化してしまうという問題があった。   In such a case, a strong laser intensity is required to prevent the removal residue. However, when the laser intensity is increased, there is a problem that the auxiliary electrode itself is damaged, or the heat at the time of laser irradiation becomes too high, causing the adjacent element to be damaged and the characteristics of the organic light emitting element to deteriorate. .

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機層の補助電極上に形成された部分の完全な除去を促進し、表示品位を高めることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object thereof is to promote the complete removal of the portion formed on the auxiliary electrode of the organic layer, and to improve the display quality and the display device manufacturing method. It is to provide a display device.

本発明による表示装置の製造方法は、基板に複数の有機発光素子を有する表示装置を製造するものであって、以下の(A)〜(E)の工程を含むものである。
(A) 基板に、複数の第1電極、複数の第1電極の間の領域の補助電極、および、複数の第1電極と補助電極との間の領域の絶縁膜を形成する工程
(B) 補助電極を覆う第1の有機層を形成する工程
(C) 発光層を含むと共に複数の第1電極,絶縁膜および第1の有機層を覆う第2の有機層を形成する工程
(D) 第1の有機層にレーザ光を照射することにより、第1の有機層と第2の有機層との補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程
(E) 第2の有機層および補助電極の上に第2電極を形成する工程
The manufacturing method of the display apparatus by this invention manufactures the display apparatus which has a some organic light emitting element in a board | substrate, Comprising: The process of the following (A)-(E) is included.
(A) Forming a plurality of first electrodes, an auxiliary electrode in a region between the plurality of first electrodes, and an insulating film in a region between the plurality of first electrodes and the auxiliary electrode on the substrate (B) Step (C) of forming a first organic layer covering the auxiliary electrode (D) Step of forming a second organic layer including the light emitting layer and covering the plurality of first electrodes, the insulating film, and the first organic layer (D) (E) a step of selectively removing a portion formed on the auxiliary electrode of the first organic layer and the second organic layer by irradiating the first organic layer with laser light; Forming a second electrode on the auxiliary electrode;

本発明の表示装置の製造方法では、補助電極と第2の有機層との間に第1の有機層を設けるようにしたので、レーザ光を照射すると第1の有機層が昇華して、補助電極と第1の有機層との密着力が大きく低下する。よって、第1の有機層の除去と共に、第1の有機層の上に形成された第2の有機層も一緒に除去される。よって、第1の有機層は第2の有機層の完全な除去を促進するのに役立つ。   In the display device manufacturing method of the present invention, since the first organic layer is provided between the auxiliary electrode and the second organic layer, when the laser beam is irradiated, the first organic layer is sublimated to assist The adhesion between the electrode and the first organic layer is greatly reduced. Therefore, the second organic layer formed on the first organic layer is removed together with the removal of the first organic layer. Thus, the first organic layer serves to facilitate complete removal of the second organic layer.

本発明による表示装置は、基板に複数の有機発光素子を有するものであって、以下の(A)〜(E)の構成要件を備えたものである。
(A) 基板に設けられた複数の第1電極
(B) 複数の第1電極の間の領域に設けられた補助電極
(C) 複数の第1電極と補助電極との間の領域に設けられた絶縁膜
(D) 発光層を含むと共に複数の第1電極および絶縁膜を覆い、複数の第1電極上に形成された部分の厚みD1、および、絶縁膜上に形成された部分の厚みD2がD1<D2を満たす有機層
(E) 有機層および補助電極の上に設けられた第2電極
The display device according to the present invention has a plurality of organic light-emitting elements on a substrate and has the following constituents (A) to (E).
(A) A plurality of first electrodes provided on the substrate (B) An auxiliary electrode provided in a region between the plurality of first electrodes (C) Provided in a region between the plurality of first electrodes and the auxiliary electrode Insulating film (D) includes a light emitting layer, covers the plurality of first electrodes and the insulating film, and has a thickness D1 formed on the plurality of first electrodes, and a thickness D2 formed on the insulating film. Is an organic layer satisfying D1 <D2 (E) Second electrode provided on the organic layer and the auxiliary electrode

本発明の表示装置の製造方法によれば、補助電極および絶縁膜を覆う第1の有機層を形成したのち、複数の第1電極,絶縁膜および第1の有機層を覆う有機層よりなる第2の有機層を形成し、第1の有機層にレーザ光を照射することにより、第1の有機層と第2の有機層との補助電極上に形成された部分を選択的に除去するようにしたので、第1の有機層により、第2の有機層の補助電極上に形成された部分の完全な除去を促進することができる。本発明の表示装置の製造方法によれば、本発明の表示装置を容易に製造することができ、その表示品位を高めることができる。   According to the method for manufacturing a display device of the present invention, after forming the first organic layer covering the auxiliary electrode and the insulating film, the first organic layer covering the plurality of first electrodes, the insulating film, and the first organic layer is formed. Forming the second organic layer and irradiating the first organic layer with laser light to selectively remove the portion formed on the auxiliary electrode of the first organic layer and the second organic layer. Therefore, the first organic layer can promote complete removal of the portion formed on the auxiliary electrode of the second organic layer. According to the method for manufacturing a display device of the present invention, the display device of the present invention can be easily manufactured, and the display quality can be improved.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる基板11の上に、後述する複数の有機発光素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が形成されると共に、この表示領域110の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が形成されたものである。   FIG. 1 shows a configuration of a display device according to an embodiment of the present invention. This display device is used as an ultra-thin organic light emitting color display device. For example, a plurality of organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B described later are arranged in a matrix on a substrate 11 made of glass. And a signal line driving circuit 120 and a scanning line driving circuit 130, which are drivers for displaying images, are formed around the display area 110.

表示領域110内には画素駆動回路140が形成されている。図2は、画素駆動回路140の一例を表したものである。この画素駆動回路140は、後述する第1電極15の下層に形成され、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、その間のキャパシタ(保持容量)Csと、第1の電源ライン(Vcc)および第2の電源ライン(GND)の間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機発光素子10R(または10G,10B)とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2は、一般的な薄膜トランジスタ(TFT(Thin Film Transistor))により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいしスタガー構造(トップゲート型)でもよく特に限定されない。   A pixel drive circuit 140 is formed in the display area 110. FIG. 2 illustrates an example of the pixel driving circuit 140. The pixel driving circuit 140 is formed below the first electrode 15 described later, and includes a driving transistor Tr1 and a writing transistor Tr2, a capacitor (holding capacitor) Cs therebetween, a first power supply line (Vcc), and a second power source line (Vcc). This is an active drive circuit having an organic light emitting element 10R (or 10G, 10B) connected in series to the drive transistor Tr1 between power supply lines (GND). The driving transistor Tr1 and the writing transistor Tr2 are configured by a general thin film transistor (TFT (Thin Film Transistor)), and the configuration may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There is no particular limitation.

画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、有機発光素子10R,10G,10Bのいずれか一つ(サブピクセル)に対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。   In the pixel driving circuit 140, a plurality of signal lines 120A are arranged in the column direction, and a plurality of scanning lines 130A are arranged in the row direction. An intersection between each signal line 120A and each scanning line 130A corresponds to one of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B (sub pixel). Each signal line 120A is connected to the signal line drive circuit 120, and an image signal is supplied from the signal line drive circuit 120 to the source electrode of the write transistor Tr2 via the signal line 120A. Each scanning line 130A is connected to the scanning line driving circuit 130, and a scanning signal is sequentially supplied from the scanning line driving circuit 130 to the gate electrode of the writing transistor Tr2 via the scanning line 130A.

図3は、表示領域110の平面構成の一例を表したものである。表示領域110には、赤色の光を発生する有機発光素子10Rと、緑色の光を発生する有機発光素子10Gと、青色の光を発生する有機発光素子10Bとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。なお、有機発光素子10R,10G,10Bは短冊形の平面形状を有し、隣り合う有機発光素子10R,10G,10Bの組み合わせが一つの画素(ピクセル)を構成している。   FIG. 3 illustrates an example of a planar configuration of the display area 110. In the display area 110, an organic light emitting element 10R that generates red light, an organic light emitting element 10G that generates green light, and an organic light emitting element 10B that generates blue light are sequentially formed in a matrix. Has been. The organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B have a rectangular planar shape, and a combination of adjacent organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B constitutes one pixel.

図4は図3に示した有機発光素子10R,10G,10Bの断面構成を表したものである。有機発光素子10R,10G,10Bは、それぞれ、基板11の側から、上述した画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1、平坦化絶縁膜12、陽極としての第1電極13、補助電極14、絶縁膜15、後述する発光層を含む有機層16、および陰極としての第2電極17がこの順に積層された構成を有している。   FIG. 4 illustrates a cross-sectional configuration of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B illustrated in FIG. The organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B are respectively arranged from the substrate 11 side from the driving transistor Tr1 of the pixel driving circuit 140, the planarization insulating film 12, the first electrode 13 as the anode, the auxiliary electrode 14, and the insulating film 15. The organic layer 16 including a light emitting layer, which will be described later, and the second electrode 17 as a cathode are stacked in this order.

このような有機発光素子10R,10G,10Bは、必要に応じて、窒化ケイ素(SiN)または酸化ケイ素(SiO)などの保護膜(図示せず)により被覆され、更にこの保護膜上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層(図示せず)を間にしてガラスなどよりなる封止用基板(図示せず)が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。   Such organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B are covered with a protective film (not shown) such as silicon nitride (SiN) or silicon oxide (SiO) as necessary, and further, a thermal film is formed on the protective film. A sealing substrate (not shown) made of glass or the like is bonded across the entire surface with an adhesive layer (not shown) such as a curable resin or an ultraviolet curable resin in between.

駆動トランジスタTr1は、平坦化絶縁膜12に設けられた接続孔12Aを介して第1電極13に電気的に接続されている。   The drive transistor Tr1 is electrically connected to the first electrode 13 through a connection hole 12A provided in the planarization insulating film 12.

平坦化絶縁膜12は、画素駆動回路140が形成された基板11の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔12Aが形成されるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜12の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン(SiO2 )などの無機材料が挙げられる。 The planarization insulating film 12 is for planarizing the surface of the substrate 11 on which the pixel driving circuit 140 is formed, and is formed of a material having a high pattern accuracy because a fine connection hole 12A is formed. Is preferred. Examples of the constituent material of the planarization insulating film 12 include an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide (SiO 2 ).

第1電極13は、有機発光素子10R,10G,10Bの各々に対応して形成されている。また、第1電極13は、発光層で発生した光を反射させる反射電極としての機能を有しており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。第1電極13は、例えば、厚みが100nm以上1000nm以下であり、銀(Ag),アルミニウム(Al),クロム(Cr),チタン(Ti),鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),モリブデン(Mo),銅(Cu),タンタル(Ta),タングステン(W),白金(Pt)あるいは金(Au)などの金属元素の単体または合金により構成されている。   The first electrode 13 is formed corresponding to each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. In addition, the first electrode 13 has a function as a reflective electrode that reflects light generated in the light emitting layer, and it is desirable that the first electrode 13 has a reflectance as high as possible in order to increase the light emission efficiency. For example, the first electrode 13 has a thickness of 100 nm or more and 1000 nm or less, and is silver (Ag), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni ), Molybdenum (Mo), copper (Cu), tantalum (Ta), tungsten (W), platinum (Pt), gold (Au), or the like.

補助電極14は、電源(図示せず)から個々の有機発光素子10R,10G,10Bまでの距離により電圧降下に大きな差が生じないようにし、これにより画面内の輝度のばらつきを抑制するためのものであり、第1電極13の間の領域に形成されている。また、補助電極14は、絶縁膜15により第1電極13とは電気的に絶縁されている一方、第2電極17と電気的に接続されている。すなわち、補助電極14の上面は有機層16で覆われておらず、この露出した部分が第2電極17とのコンタクト領域となっている。なお、補助電極14は、上面の全部で第2電極17と電気的に接続されていることが望ましいが、上面の少なくとも一部で第2電極17と電気的に接続されていてもよい。   The auxiliary electrode 14 prevents a large difference in voltage drop depending on the distance from the power source (not shown) to the individual organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B, thereby suppressing variations in luminance within the screen. It is formed in a region between the first electrodes 13. The auxiliary electrode 14 is electrically insulated from the first electrode 13 by the insulating film 15 and is electrically connected to the second electrode 17. That is, the upper surface of the auxiliary electrode 14 is not covered with the organic layer 16, and this exposed portion serves as a contact region with the second electrode 17. The auxiliary electrode 14 is desirably electrically connected to the second electrode 17 on the entire upper surface, but may be electrically connected to the second electrode 17 on at least a part of the upper surface.

補助電極14は、例えば、銀(Ag),アルミニウム(Al),クロム(Cr),チタン(Ti),鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),モリブデン(Mo),銅(Cu),タンタル(Ta),タングステン(W),白金(Pt)あるいは金(Au)などの金属元素の単体または合金により構成されている。補助電極14は、第1電極13と同一の材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。また、補助電極14は、後述するレーザ光に対して吸収性の高い材料により構成されていることが望ましい。   The auxiliary electrode 14 is made of, for example, silver (Ag), aluminum (Al), chromium (Cr), titanium (Ti), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper (Cu ), Tantalum (Ta), tungsten (W), platinum (Pt), gold (Au), or the like. The auxiliary electrode 14 may be made of the same material as the first electrode 13 or may be made of a different material. Further, it is desirable that the auxiliary electrode 14 is made of a material having high absorbability with respect to laser light to be described later.

絶縁膜15は、第1電極13と補助電極14との間の領域に形成され、第1電極13と補助電極14および第2電極17との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするための電極間絶縁膜としての機能を有している。この絶縁膜15は、例えば、ポリイミドなどの有機材料、または酸化シリコン(SiO2 )などの無機絶縁材料により構成され、第1電極13の発光領域と補助電極14とに対応して開口部を有している。なお、有機層16および第2電極17は、発光領域だけでなく絶縁膜15の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁膜15の第1電極13に対応する開口部だけである。 The insulating film 15 is formed in a region between the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 to ensure insulation between the first electrode 13, the auxiliary electrode 14, and the second electrode 17 and to accurately set a light emitting region. It has a function as an interelectrode insulating film for forming a shape. The insulating film 15 is made of, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ), and has an opening corresponding to the light emitting region of the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14. is doing. The organic layer 16 and the second electrode 17 may be continuously provided not only on the light emitting region but also on the insulating film 15, but light emission occurs corresponding to the first electrode 13 of the insulating film 15. It is only an opening to be made.

有機層16は、第1電極13および絶縁膜15を覆い、第1電極13上に形成された部分の厚みD1、および、絶縁膜15上に形成された部分の厚みD2が、D1<D2を満たしている。この有機層16は、後述するように、補助電極14および絶縁膜15を覆う第1の有機層16Aを形成したのち、発光層を含むと共に第1電極13,絶縁膜15および第1の有機層16Aを覆う第2の有機層16Bを形成し、第1の有機層16Aにレーザ光を照射することにより、第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分を選択的に除去することにより形成されたものである。第1の有機層16Aの絶縁膜15上に形成された部分はレーザ光の照射後も残存しているので、有機層16の絶縁膜15上に形成された部分の厚みD2は、残存している第1の有機層16Aの厚み分だけ、第1電極13上に形成された部分の厚みD1よりも大きくなっている。また、第1の有機層16Aの端には、残存している第1の有機層16Aに起因して、段差16Cが生じている。   The organic layer 16 covers the first electrode 13 and the insulating film 15, and the thickness D1 of the portion formed on the first electrode 13 and the thickness D2 of the portion formed on the insulating film 15 satisfy D1 <D2. Satisfies. As will be described later, the organic layer 16 includes a light emitting layer and a first electrode 13, the insulating film 15, and the first organic layer after forming the first organic layer 16 </ b> A covering the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15. A second organic layer 16B covering 16A is formed, and the first organic layer 16A is irradiated with laser light, thereby being formed on the auxiliary electrode 14 of the first organic layer 16A and the second organic layer 16B. This is formed by selectively removing the portions. Since the portion formed on the insulating film 15 of the first organic layer 16A remains after the laser light irradiation, the thickness D2 of the portion formed on the insulating film 15 of the organic layer 16 remains. The thickness of the portion formed on the first electrode 13 is larger than the thickness D1 of the first organic layer 16A. Further, a step 16C is generated at the end of the first organic layer 16A due to the remaining first organic layer 16A.

第1の有機層16Aは、レーザ光の照射の際に、第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分を除去しやすくするための剥離補助層としての機能を有するものである。そのためには、第1の有機層16Aは、補助電極14よりも低融点の材料により構成されていることが好ましい。レーザ光のエネルギーを低くすることができ、補助電極14あるいは隣接素子に対するダメージを抑えることができるからである。また、第1の有機層16Aは、昇華性材料、すなわち、レーザ光の照射により昇華する材料により構成されていることが好ましい。レーザ光の照射により溶融してしまうことがなく、隣接素子などの汚染を抑えることができるからである。   The first organic layer 16A is a peeling auxiliary layer for facilitating removal of the portions formed on the auxiliary electrode 14 of the first organic layer 16A and the second organic layer 16B when the laser beam is irradiated. It has the function as. For this purpose, the first organic layer 16 </ b> A is preferably made of a material having a melting point lower than that of the auxiliary electrode 14. This is because the energy of the laser beam can be lowered and damage to the auxiliary electrode 14 or the adjacent element can be suppressed. The first organic layer 16A is preferably made of a sublimable material, that is, a material that sublimes when irradiated with laser light. This is because the laser beam is not melted by irradiation and contamination of adjacent elements can be suppressed.

第1の有機層16Aは、例えば、厚みが5nm以上100nm以下であり、昇華性色素あるいは8≡ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3 )により構成されている。これらの材料は、正孔注入層または正孔輸送層としての機能を有しないので、第1の有機層16Aは、第1電極13以外の領域に制限して、例えば補助電極14および絶縁膜15Aを覆うように形成されていることが好ましい。 The first organic layer 16A has, for example, a thickness of 5 nm to 100 nm and is made of a sublimable dye or 8≡hydroxyquinoline aluminum (Alq 3 ). Since these materials do not have a function as a hole injection layer or a hole transport layer, the first organic layer 16A is limited to a region other than the first electrode 13, for example, the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15A. It is preferable that it is formed so as to cover.

第2の有機層16Bは、第1電極13,絶縁膜15および第1の有機層16Bを覆い、例えば、第1電極13の側から順に、正孔注入層,正孔輸送層,発光層および電子輸送層(いずれも図示せず)を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、第2の有機層16Bは、有機発光素子10R,10G,10Bの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。第2の有機層16Bは、後述する製造工程においてレーザ光が第1の有機層16Aまで十分に到達するために、レーザ光に対する透過率の高い材料を用いることが望ましい。ただし、第2の有機層16Bは、通常の使用膜厚であれば十分にレーザ光を透過するので、特にレーザ光に対して高い透過率を有する材料に限定される必要はない。   The second organic layer 16B covers the first electrode 13, the insulating film 15, and the first organic layer 16B. For example, in order from the first electrode 13 side, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and Although it has the structure which laminated | stacked the electron carrying layer (all are not shown), what is necessary is just to provide layers other than a light emitting layer among these as needed. Further, the second organic layer 16B may have a different configuration depending on the emission color of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The hole injection layer is a buffer layer for improving hole injection efficiency and preventing leakage. The hole transport layer is for increasing the efficiency of transporting holes to the light emitting layer. In the light emitting layer, recombination of electrons and holes occurs when an electric field is applied to generate light. The electron transport layer is for increasing the efficiency of electron transport to the light emitting layer. The second organic layer 16B is desirably made of a material having a high transmittance with respect to the laser beam so that the laser beam sufficiently reaches the first organic layer 16A in a manufacturing process described later. However, since the second organic layer 16B sufficiently transmits laser light as long as it is a normal use film thickness, it is not necessary to be limited to a material having a particularly high transmittance with respect to the laser light.

有機発光素子10Rの正孔注入層の構成材料としては、例えば、4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)あるいは4,4’,4”−トリス(2−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(2−TNATA)が挙げられ、有機発光素子10Rの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、ビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン(α−NPD)が挙げられ、有機発光素子10Rの発光層の構成材料としては、例えば、9,10−ジ−(2−ナフチル)アントラセン(ADN)に2,6≡ビス[4´≡メトキシジフェニルアミノ)スチリル]≡1,5≡ジシアノナフタレン(BSN)を30重量%混合したものが挙げられ、有機発光素子10Rの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Alq3 が挙げられる。 As a constituent material of the hole injection layer of the organic light emitting device 10R, for example, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA) or 4,4 ′, 4 ″ is used. -Tris (2-naphthylphenylamino) triphenylamine (2-TNATA) is exemplified, and the constituent material of the hole transport layer of the organic light emitting device 10R is, for example, bis [(N-naphthyl) -N-phenyl]. Benzidine (α-NPD) is exemplified, and examples of the constituent material of the light emitting layer of the organic light emitting device 10R include 9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (ADN) and 2,6≡bis [4′≡. Methoxydiphenylamino) styryl] ≡1,5≡dicyanonaphthalene (BSN) mixed at 30% by weight, and constituent material of the electron transport layer of the organic light emitting device 10R The, for example, Alq 3.

有機発光素子10Gの正孔注入層の構成材料としては、例えば、m−MTDATAあるいは2−TNATAが挙げられ、有機発光素子10Gの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−NPDが挙げられ、有機発光素子10Gの発光層の構成材料としては、例えば、ADNにクマリン6(Coumarin6)を5体積%混合したものが挙げられ、有機発光素子10Gの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Alq3 が挙げられる。 Examples of the constituent material of the hole injection layer of the organic light emitting element 10G include m-MTDATA or 2-TNATA. Examples of the constituent material of the hole transport layer of the organic light emitting element 10G include α-NPD. As a constituent material of the light emitting layer of the organic light emitting element 10G, for example, a material in which 5% by volume of Coumarin 6 is mixed with ADN can be used. As a constituent material of the electron transport layer of the organic light emitting element 10G, for example, , it includes Alq 3.

有機発光素子10Bの正孔注入層の構成材料としては、例えば、m−MTDATAあるいは2−TNATAが挙げられ、有機発光素子10Bの正孔輸送層の構成材料としては、例えば、α−NPDが挙げられ、有機発光素子10Bの発光層の構成材料としては、例えば、ADNに4,4´≡ビス[2≡{4≡(N,N≡ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル]ビフェニル(DPAVBi)を2.5重量%混合したものが挙げられ、有機発光素子10Bの電子輸送層の構成材料としては、例えば、Alq3 が挙げられる。 Examples of the constituent material of the hole injection layer of the organic light emitting element 10B include m-MTDATA or 2-TNATA. Examples of the constituent material of the hole transport layer of the organic light emitting element 10B include α-NPD. As a constituent material of the light emitting layer of the organic light emitting device 10B, for example, 4,4′≡bis [2≡ {4≡ (N, N≡diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) is added to ADN. Examples of the constituent material of the electron transport layer of the organic light emitting device 10B include Alq 3 .

第2電極17は、例えば、厚みが5nm以上50nm以下であり、アルミニウム(Al),マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca),ナトリウム(Na)などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金(MgAg合金)、またはアルミニウム(Al)とリチウム(Li)との合金(AlLi合金)が好ましい。また、第2電極17は、ITO(インジウム・スズ複合酸化物)またはIZO(インジウム・亜鉛複合酸化物)により構成されていてもよい。   For example, the second electrode 17 has a thickness of 5 nm or more and 50 nm or less, and is made of a simple substance or an alloy of a metal element such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), or sodium (Na). Among these, an alloy of magnesium and silver (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is preferable. The second electrode 17 may be made of ITO (indium / tin composite oxide) or IZO (indium / zinc composite oxide).

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。   This display device can be manufactured, for example, as follows.

図5ないし図10は、この表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図5に示したように、上述した材料よりなる基板11を用意し、この基板11の上に駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜12を形成し、露光および現像により平坦化絶縁膜12を所定の形状にパターニングすると共に接続孔12Aを形成し、焼成する。   5 to 10 show the manufacturing method of this display device in the order of steps. First, as shown in FIG. 5, a substrate 11 made of the above-described material is prepared, a pixel driving circuit 140 including a driving transistor Tr <b> 1 is formed on the substrate 11, and then a photosensitive resin is applied to the entire surface. Then, the planarizing insulating film 12 is formed by patterning, and the planarizing insulating film 12 is patterned into a predetermined shape by exposure and development, and a connection hole 12A is formed and baked.

次いで、同じく図5に示したように、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第1電極13を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。また、例えばスパッタ法により、上述した補助電極14を形成し、例えばエッチングにより所定の形状に成形する。なお、第1電極13および補助電極14は、同一工程で成膜およびエッチングによる成形を行うようにしてもよい。また、補助電極14を第1電極13とは異なる材料により、別工程で成膜およびエッチングによる成形を行うようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 5 also, the first electrode 13 made of the above-described material is formed by, for example, sputtering, and formed into a predetermined shape by, for example, etching. Further, the auxiliary electrode 14 described above is formed by, for example, sputtering, and is formed into a predetermined shape by, for example, etching. The first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 may be formed by film formation and etching in the same process. Further, the auxiliary electrode 14 may be formed by a film different from the first electrode 13 and formed by etching in a separate process.

続いて、同じく図5に示したように、例えばフォトリソグラフィ法により、上述した材料よりなる絶縁膜15を形成する。このとき、第1電極13の発光領域と、補助電極14とに対応して開口部を設ける。   Subsequently, similarly as shown in FIG. 5, the insulating film 15 made of the above-described material is formed by, for example, photolithography. At this time, an opening is provided corresponding to the light emitting region of the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14.

そののち、図6に示したように、上述した昇華性色素またはAlq3 よりなる第1の有機層16Aを形成する。昇華性色素またはAlq3 は正孔注入性および正孔輸送性を有しないので、成膜方法としては印刷法,インクジェット法,転写法または塗り分けマスクを用いた蒸着法などを用い、第1の有機層16Aを、第1電極13上を回避して、補助電極14および絶縁膜15上に制限して形成する。 After that, as shown in FIG. 6, the first organic layer 16A made of the above-described sublimable dye or Alq 3 is formed. Since the sublimable dye or Alq 3 does not have a hole injecting property and a hole transporting property, a printing method, an ink jet method, a transfer method, a vapor deposition method using a separate mask, or the like is used as a film forming method. The organic layer 16 </ b> A is formed on the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15 while avoiding the first electrode 13.

第1の有機層16Aを形成したのち、図7に示したように、例えば蒸着法,CVD(Chemical Vapor Deposition ;化学気相成長)法,印刷法,インクジェット法または転写法などの一般的な成膜方法により、第1電極13および補助電極14を覆う第2の有機層16Bを形成する。なお、第2の有機層16Bは、必ずしも基板11上の全面を覆うように成膜する必要はなく、各有機発光素子10R,10G,10Bごとにパターン成膜してもよい。ただし、第2の有機層16Bは第1電極13の上面を完全に覆う必要があるので、第2の有機層16Bをパターン成膜する場合であっても、第2の有機層16Bは絶縁膜15および補助電極14上にはみ出して形成されることになる。   After the formation of the first organic layer 16A, as shown in FIG. 7, a general process such as a vapor deposition method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a printing method, an ink jet method or a transfer method is used. A second organic layer 16B that covers the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 is formed by a film method. The second organic layer 16B does not necessarily have to be formed so as to cover the entire surface of the substrate 11, and may be formed as a pattern for each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. However, since the second organic layer 16B needs to completely cover the upper surface of the first electrode 13, even if the second organic layer 16B is patterned, the second organic layer 16B is an insulating film. 15 and the auxiliary electrode 14.

第2の有機層16Bを形成したのち、図8に示したように、第1の有機層16Aにレーザ光LBを照射することにより、第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分を選択的に除去し、図9に示したように補助電極14を露出させる。   After forming the second organic layer 16B, as shown in FIG. 8, the first organic layer 16A is irradiated with the laser beam LB, thereby forming the first organic layer 16A and the second organic layer 16B. The portion formed on the auxiliary electrode 14 is selectively removed to expose the auxiliary electrode 14 as shown in FIG.

このとき、補助電極14と第2の有機層16Bとの間には第1の有機層16Aが設けられているので、レーザ光LBが照射されると第1の有機層16Aが昇華して、補助電極14と第1の有機層16Aとの密着力が大きく低下する。よって、第1の有機層16Aの除去と共に、第1の有機層16Aの上に形成された第2の有機層16Bも一緒に除去される。よって、第1の有機層16Aは第2の有機層16Bの完全な除去を促進するのに役立つ。従って、第2の有機層16Bが補助電極14との密着性の強い層を含む場合や、融点の高い材料よりなる層を含む場合であっても、第1の有機層16Aおよび第2の有機層16Bが確実に除去され、除去残りが防止される。また、第2の有機層16Bの厚みが厚い場合でも、除去残りが防止される。   At this time, since the first organic layer 16A is provided between the auxiliary electrode 14 and the second organic layer 16B, the first organic layer 16A sublimates when irradiated with the laser beam LB, The adhesion between the auxiliary electrode 14 and the first organic layer 16A is greatly reduced. Therefore, along with the removal of the first organic layer 16A, the second organic layer 16B formed on the first organic layer 16A is also removed together. Thus, the first organic layer 16A helps to promote complete removal of the second organic layer 16B. Therefore, even when the second organic layer 16B includes a layer having strong adhesion to the auxiliary electrode 14 or a layer made of a material having a high melting point, the first organic layer 16A and the second organic layer 16B The layer 16B is reliably removed, and the remaining removal is prevented. Further, even when the thickness of the second organic layer 16B is thick, the removal residue is prevented.

また、除去残りを防止するためにレーザ光LBのエネルギーを強くする必要がなくなるので、レーザ光LBの照射により補助電極14そのものにダメージを及ぼすこともなく、且つ、隣接素子への熱的なダメージの影響も少なく、有機発光素子10R,10G,10Bの特性が劣化するのを抑えることができる。   Further, since it is not necessary to increase the energy of the laser beam LB in order to prevent the removal residue, the auxiliary electrode 14 itself is not damaged by the irradiation of the laser beam LB, and the adjacent element is thermally damaged. It is possible to suppress the deterioration of the characteristics of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

更に、第2の有機層16Bは、レーザ光LBの照射により昇華する材料よりなる第1の有機層16Aと共に、補助電極14上から除去されるので、飛散物の発生や有機発光素子10R,10G,10Bへの再付着が抑制され、高い歩留まりに繋がる。   Furthermore, since the second organic layer 16B is removed from the auxiliary electrode 14 together with the first organic layer 16A made of a material that sublimes when irradiated with the laser beam LB, the generation of scattered matter and the organic light emitting elements 10R and 10G are eliminated. , 10B is prevented from being reattached, leading to a high yield.

レーザ光LBの照射方法としては、レーザ照射装置(図示せず)が精密なアライメント機構を備えている場合は、補助電極14上の一部または全部に選択的にレーザ光LBを照射し、補助電極14の表面が第1の有機層16Aおよび第2の有機層16Bから露出した状態を形成する。   As a method of irradiating the laser beam LB, when a laser irradiation apparatus (not shown) has a precise alignment mechanism, a part or all of the auxiliary electrode 14 is selectively irradiated with the laser beam LB to assist the laser beam LB. A state is formed in which the surface of the electrode 14 is exposed from the first organic layer 16A and the second organic layer 16B.

一方、レーザ照射装置(図示せず)が精密なアライメント機構を備えていない場合は、あらかじめレーザ光LBを照射する領域に対応して開口を有するマスク(図示せず)を用いて、基板11上の第1の有機層16Aの位置と、マスクの開口とを精度よく重ね合わせておくことが好ましい。レーザ光LBを精度よく照射する必要がなくなり、レーザ光LBを一括して照射することなども可能となるからである。   On the other hand, when the laser irradiation apparatus (not shown) does not have a precise alignment mechanism, a mask (not shown) having an opening corresponding to the region irradiated with the laser beam LB is used on the substrate 11 in advance. The position of the first organic layer 16A and the opening of the mask are preferably overlapped with high accuracy. This is because there is no need to irradiate the laser beam LB with high accuracy, and the laser beam LB can be irradiated in a lump.

このレーザ光LBを照射する工程は、大気中でも行うことが可能であるが、素子特性を保持するためには真空雰囲気中で行うことが望ましい。   Although the step of irradiating the laser beam LB can be performed in the air, it is preferable to perform it in a vacuum atmosphere in order to maintain device characteristics.

第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分を選択的に除去したしたのち、図10に示したように、例えば蒸着法,スパッタ法またはCVD法により、第2の有機層16Bおよび補助電極14の上に第2電極17を形成する。これにより、補助電極14の露出した部分で補助電極14と第2電極17とが電気的に接続される。そののち、第2電極17の上に、必要に応じて、例えば蒸着法,スパッタ法またはCVD法により、上述した材料よりなる保護膜を形成し、この保護膜上に、接着層を間にして封止用基板を貼り合わせる。以上により、図1に示した表示装置が完成する。   After selectively removing the portions of the first organic layer 16A and the second organic layer 16B formed on the auxiliary electrode 14, as shown in FIG. 10, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method. Thus, the second electrode 17 is formed on the second organic layer 16 </ b> B and the auxiliary electrode 14. Thereby, the auxiliary electrode 14 and the second electrode 17 are electrically connected at the exposed portion of the auxiliary electrode 14. After that, a protective film made of the above-described material is formed on the second electrode 17 as necessary, for example, by vapor deposition, sputtering, or CVD, and an adhesive layer is placed on the protective film. A sealing substrate is bonded together. Thus, the display device shown in FIG. 1 is completed.

この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子10R,10G,10Bに駆動電流Idが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第2電極17,保護膜および封止用基板を透過して取り出される。ここでは、製造工程において、補助電極14および絶縁膜15を覆う第1の有機層16Aを形成したのち、第1電極13,絶縁膜15および第1の有機層16Aを覆う第2の有機層16Bを形成し、第1の有機層16Aにレーザ光LBを照射することにより、第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分が除去されているので、除去残りが少なくなっており、補助電極14と第2電極17との電気的な接続が良好になっている。よって、電源(図示せず)から供給された電流は、電圧降下に大きな差を生ずることなく、補助電極14を通じて各有機発光素子10R,10G,10Bに流れ、その結果、画面全体にわたって均一な輝度で表示がなされる。   In this display device, a scanning signal is supplied to each pixel from the scanning line driving circuit 130 via the gate electrode of the writing transistor Tr2, and an image signal is supplied from the signal line driving circuit 120 via the writing transistor Tr2. Held in Cs. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off in accordance with the signal held in the holding capacitor Cs, whereby the driving current Id is injected into each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, so that holes, electrons, Recombine to emit light. This light is extracted through the second electrode 17, the protective film, and the sealing substrate. Here, in the manufacturing process, after forming the first organic layer 16A covering the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15, the second organic layer 16B covering the first electrode 13, the insulating film 15 and the first organic layer 16A. Since the first organic layer 16A is irradiated with the laser beam LB, the portions of the first organic layer 16A and the second organic layer 16B formed on the auxiliary electrode 14 are removed. The remaining removal is reduced, and the electrical connection between the auxiliary electrode 14 and the second electrode 17 is good. Therefore, the current supplied from the power source (not shown) does not cause a large difference in voltage drop and flows to each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B through the auxiliary electrode 14, and as a result, uniform luminance over the entire screen. Is displayed.

このように本実施の形態によれば、補助電極14および絶縁膜15を覆う第1の有機層16Aを形成したのち、第1電極13,絶縁膜15および第1の有機層16Aを覆う第2の有機層16Bを形成し、第1の有機層16Aにレーザ光LBを照射することにより、第1の有機層16Aと第2の有機層16Bとの補助電極14上に形成された部分を選択的に除去するようにしたので、第1の有機層16Aにより、第2の有機層16Bの補助電極14上に形成された部分の完全な除去を促進することができる。よって、この表示装置の製造方法によれば、本実施の形態の表示装置を容易に製造することができ、その表示品位を高めることができる。   Thus, according to the present embodiment, after forming the first organic layer 16A covering the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15, the second electrode covering the first electrode 13, the insulating film 15 and the first organic layer 16A. The portion formed on the auxiliary electrode 14 of the first organic layer 16A and the second organic layer 16B is selected by forming the organic layer 16B and irradiating the first organic layer 16A with the laser beam LB. Therefore, the first organic layer 16A can promote complete removal of the portion formed on the auxiliary electrode 14 of the second organic layer 16B. Therefore, according to this display device manufacturing method, the display device of the present embodiment can be easily manufactured, and the display quality can be improved.

なお、上記実施の形態では、第1の有機層16Aを、正孔注入性および正孔輸送性を有しない材料、例えば昇華性色素あるいはAlq3 により構成し、第1電極13以外の領域に制限して形成する場合について説明した。しかしながら、第1の有機層16Aは、正孔注入層または正孔輸送層としての機能を有する層であってもよい。そのような材料としては、例えば、正孔輸送層に用いられるα−NPDが挙げられる。この場合、図11に示したように、第1の有機層16Aは、蒸着法により第1電極13および補助電極14上に一括して形成することが可能となり、第1電極13上に形成された部分は正孔輸送層として、補助電極14上に形成された部分は剥離補助層としての機能を有する。また、第1の有機層16Aを、第1電極13以外の領域に制限して形成する必要はなく、第1電極13と補助電極14とで有機層を塗り分ける工程は不要となり、成膜プロセスを簡素化することができる。なお、この場合、第2の有機層16Bの正孔注入層または正孔輸送層は、省略してもよいし、第1の有機層16Aとは別に再び成膜してもよい。 In the above embodiment, the first organic layer 16A is made of a material that does not have a hole injection property and a hole transport property, for example, a sublimation dye or Alq 3, and is limited to a region other than the first electrode 13. The case where it is formed is described. However, the first organic layer 16A may be a layer having a function as a hole injection layer or a hole transport layer. Examples of such a material include α-NPD used for a hole transport layer. In this case, as shown in FIG. 11, the first organic layer 16 </ b> A can be formed on the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 by evaporation, and is formed on the first electrode 13. The portion formed on the auxiliary electrode 14 functions as a hole transport layer, and the portion formed on the auxiliary electrode 14 functions as a peeling assist layer. Further, it is not necessary to form the first organic layer 16 </ b> A in a region other than the first electrode 13, and the step of coating the organic layer between the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 is not necessary, and the film formation process Can be simplified. In this case, the hole injection layer or the hole transport layer of the second organic layer 16B may be omitted, or may be formed again separately from the first organic layer 16A.

更に、上記実施の形態では、第1の有機層16Aを、補助電極14の上面の全部および絶縁膜15にかかるように形成した場合について説明したが、図12に示したように、第1の有機層16Aを、補助電極14の上面の一部に形成してもよい。   Further, in the above embodiment, the case where the first organic layer 16A is formed so as to cover the entire upper surface of the auxiliary electrode 14 and the insulating film 15 has been described. However, as shown in FIG. The organic layer 16 </ b> A may be formed on a part of the upper surface of the auxiliary electrode 14.

また、上記実施の形態では、第1電極13および補助電極14が平坦化絶縁膜12上に形成されている場合について説明したが、補助電極14は、図13に示したように、駆動トランジスタTr1を含む画素駆動回路140と同様に、基板11上に形成され、平坦化絶縁膜12に設けられた接続孔12Bを介して第2電極17に接続されるようにしてもよい。   In the above embodiment, the case where the first electrode 13 and the auxiliary electrode 14 are formed on the planarization insulating film 12 has been described. However, as shown in FIG. Similarly to the pixel driving circuit 140 including the pixel driving circuit 140, the pixel driving circuit 140 may be formed on the substrate 11 and connected to the second electrode 17 through a connection hole 12 </ b> B provided in the planarization insulating film 12.

(モジュールおよび適用例)
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
(Modules and application examples)
Hereinafter, application examples of the display device described in the above embodiment will be described. The display device according to the above embodiment is an image signal that is input from the outside or is generated internally, such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera. Alternatively, the present invention can be applied to display devices for electronic devices in various fields that display images.

(モジュール)
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図14に示したようなモジュールとして、後述する適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板30および接着層20から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
(module)
The display device according to the above-described embodiment is incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module illustrated in FIG. In this module, for example, a region 210 exposed from the sealing substrate 30 and the adhesive layer 20 is provided on one side of the substrate 11, and wirings of the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 are provided in the exposed region 210. An external connection terminal (not shown) is formed by extending. The external connection terminal may be provided with a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input / output.

(適用例1)
図15は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 1)
FIG. 15 illustrates an appearance of a television device to which the display device of the above embodiment is applied. This television apparatus has, for example, a video display screen unit 300 including a front panel 310 and a filter glass 320, and the video display screen unit 300 is configured by the display device according to the above embodiment.

(適用例2)
図16は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 2)
FIG. 16 shows the appearance of a digital camera to which the display device of the above embodiment is applied. The digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440, and the display unit 420 is configured by the display device according to the above embodiment. .

(適用例3)
図17は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 3)
FIG. 17 illustrates the appearance of a notebook personal computer to which the display device of the above embodiment is applied. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image. The display unit 530 is a display device according to the above embodiment. It is comprised by.

(適用例4)
図18は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 4)
FIG. 18 shows the appearance of a video camera to which the display device of the above embodiment is applied. This video camera has, for example, a main body 610, a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610, a start / stop switch 630 at the time of photographing, and a display 640. Reference numeral 640 denotes the display device according to the above embodiment.

(適用例5)
図19は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
(Application example 5)
FIG. 19 illustrates an appearance of a mobile phone to which the display device of the above embodiment is applied. For example, the mobile phone is obtained by connecting an upper housing 710 and a lower housing 720 with a connecting portion (hinge portion) 730, and includes a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 770. Yes. The display 740 or the sub-display 750 is configured by the display device according to the above embodiment.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法,成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法,成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第1電極13は、ITOまたはIZO(インジウム・亜鉛複合酸化物)により構成されていてもよい。また、第1電極13は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。   While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment, or the film formation method, film formation conditions, laser light irradiation conditions, and the like are not limited, and may be other materials and thicknesses, or other The film forming method, film forming conditions, and irradiation conditions may be used. For example, the first electrode 13 may be made of ITO or IZO (indium / zinc composite oxide). The first electrode 13 can also have a dielectric multilayer film.

加えて、例えば、上記実施の形態においては、基板11の上に、第1電極13,有機層16および第2電極17を基板11の側から順に積層し、封止用基板の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、基板11の上に、第2電極17,有機層16および第1電極13を基板11の側から順に積層し、基板11の側から光を取り出すようにすることもできる。   In addition, for example, in the above-described embodiment, the first electrode 13, the organic layer 16, and the second electrode 17 are sequentially stacked on the substrate 11 from the substrate 11 side, and light is emitted from the sealing substrate side. Although the case where it was made to take out was demonstrated, the lamination | stacking order was reversed and the 2nd electrode 17, the organic layer 16, and the 1st electrode 13 were laminated | stacked in order from the substrate 11 side on the board | substrate 11, and the board | substrate 11 side It is also possible to extract light from the light source.

更にまた、例えば、上記実施の形態では、第1電極13を陽極、第2電極17を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第1電極13を陰極、第2電極17を陽極としてもよい。さらに、第1電極13を陰極、第2電極17を陽極とすると共に、基板11の上に、第2電極17,有機層16および第1電極13を基板11の側から順に積層し、基板11の側から光を取り出すようにすることもできる。   Furthermore, for example, in the above embodiment, the case where the first electrode 13 is an anode and the second electrode 17 is a cathode has been described. However, the anode and the cathode are reversed, and the first electrode 13 is the cathode and the second electrode. 17 may be an anode. Further, the first electrode 13 is a cathode, the second electrode 17 is an anode, and the second electrode 17, the organic layer 16, and the first electrode 13 are sequentially stacked on the substrate 11 from the substrate 11 side. It is also possible to extract light from the side.

加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子10R,10G,10Bの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第1電極13と有機層16との間に、酸化クロム(III)(Cr2 3 ),ITO(Indium-Tin Oxide:インジウム(In)およびスズ(Sn)の酸化物混合膜)などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。 In addition, in the above-described embodiment, the configuration of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B has been specifically described. However, it is not necessary to include all layers, and other layers may be further included. Good. For example, between the first electrode 13 and the organic layer 16, chromium oxide (III) (Cr 2 O 3 ), ITO (Indium-Tin Oxide: mixed oxide film of indium (In) and tin (Sn)), etc. A hole injecting thin film layer may be provided.

更にまた、上記実施の形態では、第2電極17が半透過性電極により構成され、発光層で発生した光を第2電極17の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第1電極13の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第2電極17はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the case where the second electrode 17 is configured by a semi-transmissive electrode and light generated in the light emitting layer is extracted from the second electrode 17 side has been described. You may make it take out from the 13th side. In this case, it is desirable to increase the luminous efficiency so that the second electrode 17 has as high a reflectance as possible.

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路120や走査線駆動回路130のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。   In addition, in each of the above embodiments, the case of an active matrix display device has been described. However, the present invention can also be applied to a passive matrix display device. Furthermore, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in each of the above embodiments, and a capacitor or a transistor may be added as necessary. In that case, a necessary driving circuit may be added in addition to the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130 described above in accordance with the change of the pixel driving circuit.

本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。It is a figure showing the structure of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図1に示した画素駆動回路の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the pixel drive circuit shown in FIG. 図1に示した表示領域の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the display area shown in FIG. 図3に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図1に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 図5に続く工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process following FIG. 図6に続く工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process following FIG. 図7に続く工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process following FIG. 図8に続く工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process following FIG. 図9に続く工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the process following FIG. 図1に示した有機発光素子の他の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the other structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図1に示した有機発光素子の更に他の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the further another structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図1に示した有機発光素子の更に他の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the further another structure of the organic light emitting element shown in FIG. 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。It is a top view showing schematic structure of the module containing the display apparatus of the said embodiment. 上記実施の形態の表示装置の適用例1の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of the display apparatus of the said embodiment. (A)は適用例2の表側から見た外観を表す斜視図であり、(B)は裏側から見た外観を表す斜視図である。(A) is a perspective view showing the external appearance seen from the front side of the application example 2, (B) is a perspective view showing the external appearance seen from the back side. 適用例3の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3. FIG. 適用例4の外観を表す斜視図である。14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4. FIG. (A)は適用例5の開いた状態の正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態の正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。(A) is a front view of the application example 5 in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) is a left side view, and (E) is a right side view, (F) is a top view and (G) is a bottom view. 従来の有機発光素子を有する表示装置の構成を表す平面図である。It is a top view showing the structure of the display apparatus which has the conventional organic light emitting element.

符号の説明Explanation of symbols

10R,10G,10B…有機発光素子、11…基板、12…平坦化絶縁膜、13…第1電極、14…補助電極、15…絶縁膜、16…有機層、17…第2電極   10R, 10G, 10B ... organic light emitting element, 11 ... substrate, 12 ... flattened insulating film, 13 ... first electrode, 14 ... auxiliary electrode, 15 ... insulating film, 16 ... organic layer, 17 ... second electrode

Claims (8)

基板に複数の有機発光素子を有する表示装置の製造方法であって、
基板に、複数の第1電極、前記複数の第1電極の間の領域の補助電極、および、前記複数の第1電極と前記補助電極との間の領域の絶縁膜を形成する工程と、
前記補助電極を覆う第1の有機層を形成する工程と、
発光層を含むと共に前記複数の第1電極,前記絶縁膜および前記第1の有機層を覆う第2の有機層を形成する工程と、
前記第1の有機層にレーザ光を照射することにより、前記第1の有機層と前記第2の有機層との前記補助電極上に形成された部分を選択的に除去する工程と、
前記第2の有機層および前記補助電極の上に第2電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
A manufacturing method of a display device having a plurality of organic light emitting elements on a substrate,
Forming a plurality of first electrodes, an auxiliary electrode in a region between the plurality of first electrodes, and an insulating film in a region between the plurality of first electrodes and the auxiliary electrode on a substrate;
Forming a first organic layer covering the auxiliary electrode;
Forming a second organic layer including a light emitting layer and covering the plurality of first electrodes, the insulating film, and the first organic layer;
Irradiating the first organic layer with laser light to selectively remove portions of the first organic layer and the second organic layer formed on the auxiliary electrode;
Forming a second electrode on the second organic layer and the auxiliary electrode. A method for manufacturing a display device, comprising:
前記第1の有機層は、前記補助電極よりも低融点の材料により構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the first organic layer is made of a material having a melting point lower than that of the auxiliary electrode.
前記第1の有機層は、レーザ光の照射により昇華する材料により構成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the first organic layer is made of a material that sublimes when irradiated with laser light.
前記第1の有機層を、前記補助電極および前記絶縁膜を覆うように形成する
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the first organic layer is formed so as to cover the auxiliary electrode and the insulating film.
基板に複数の有機発光素子を有する表示装置であって、
前記基板に設けられた複数の第1電極と、
前記複数の第1電極の間の領域に設けられた補助電極と、
前記複数の第1電極と前記補助電極との間の領域に設けられた絶縁膜と、
発光層を含むと共に前記複数の第1電極および前記絶縁膜を覆い、前記複数の第1電極上に形成された部分の厚みD1、および、前記絶縁膜上に形成された部分の厚みD2がD1<D2を満たす有機層と、
前記有機層および前記補助電極の上に設けられた第2電極と
を備えたことを特徴とする表示装置。
A display device having a plurality of organic light emitting elements on a substrate,
A plurality of first electrodes provided on the substrate;
An auxiliary electrode provided in a region between the plurality of first electrodes;
An insulating film provided in a region between the plurality of first electrodes and the auxiliary electrode;
A thickness D1 of a portion including the light emitting layer and covering the plurality of first electrodes and the insulating film and formed on the plurality of first electrodes, and a thickness D2 of the portion formed on the insulating film are D1. <An organic layer satisfying D2;
A display device comprising: a second electrode provided on the organic layer and the auxiliary electrode.
前記有機層は、前記補助電極および前記絶縁膜を覆う第1の有機層を形成したのち、発光層を含むと共に前記複数の第1電極,前記絶縁膜および前記第1の有機層を覆う第2の有機層を形成し、前記第1の有機層にレーザ光を照射することにより、前記第1の有機層と前記第2の有機層との前記補助電極上に形成された部分を選択的に除去することにより形成された
ことを特徴とする請求項5記載の表示装置。
The organic layer forms a first organic layer that covers the auxiliary electrode and the insulating film, and then includes a light emitting layer and a second electrode that covers the plurality of first electrodes, the insulating film, and the first organic layer. And forming a portion of the first organic layer and the second organic layer on the auxiliary electrode selectively by irradiating the first organic layer with laser light. The display device according to claim 5, wherein the display device is formed by removing the display device.
前記第1の有機層は、前記補助電極よりも低融点の材料により構成されている
ことを特徴とする請求項6記載の表示装置。
The display device according to claim 6, wherein the first organic layer is made of a material having a melting point lower than that of the auxiliary electrode.
前記第1の有機層は、レーザ光の照射により昇華する材料により構成されている
ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の表示装置。
The display device according to claim 6, wherein the first organic layer is made of a material that sublimes when irradiated with laser light.
JP2007132825A 2007-05-18 2007-05-18 Method of manufacturing display device, and display device Pending JP2008288075A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007132825A JP2008288075A (en) 2007-05-18 2007-05-18 Method of manufacturing display device, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007132825A JP2008288075A (en) 2007-05-18 2007-05-18 Method of manufacturing display device, and display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008288075A true JP2008288075A (en) 2008-11-27

Family

ID=40147602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007132825A Pending JP2008288075A (en) 2007-05-18 2007-05-18 Method of manufacturing display device, and display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008288075A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012081625A1 (en) * 2010-12-18 2012-06-21 株式会社カネカ Manufacturing method for organic electroluminescent device, manufacturing device for organic electroluminescent device, manufacturing method for optoelectronic converter, and manufacturing device for optoelectronic converter
WO2014104703A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 LG Display Co.,Ltd. Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20140085326A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20170047473A (en) * 2015-10-22 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
JP2020042116A (en) * 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Joled Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing display panel
JP2020042115A (en) * 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Joled Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing display panel
CN111047994A (en) * 2014-09-22 2020-04-21 索尼公司 Display device, method of manufacturing display device, and electronic device
CN112310306A (en) * 2020-10-19 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and manufacturing method thereof
CN114709355A (en) * 2022-04-25 2022-07-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Preparation method of display panel and display panel
JP7125104B2 (en) 2018-07-02 2022-08-24 株式会社Joled Display panel manufacturing equipment
WO2023042027A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
WO2023052908A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Display apparatus
US12041842B2 (en) 2018-07-02 2024-07-16 Jdi Design And Development G.K. Display panel patterning device

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5940460B2 (en) * 2010-12-18 2016-06-29 株式会社カネカ Organic EL device manufacturing method, organic EL device manufacturing device, photoelectric conversion device manufacturing method, and photoelectric conversion device manufacturing device
WO2012081625A1 (en) * 2010-12-18 2012-06-21 株式会社カネカ Manufacturing method for organic electroluminescent device, manufacturing device for organic electroluminescent device, manufacturing method for optoelectronic converter, and manufacturing device for optoelectronic converter
KR102090555B1 (en) * 2012-12-27 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20140085326A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
WO2014104703A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-03 LG Display Co.,Ltd. Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR20140085979A (en) * 2012-12-28 2014-07-08 엘지디스플레이 주식회사 Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9093669B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Lg Display Co., Ltd. Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN104885251A (en) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR102020805B1 (en) * 2012-12-28 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 Transparent organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN111047994A (en) * 2014-09-22 2020-04-21 索尼公司 Display device, method of manufacturing display device, and electronic device
US11476322B2 (en) 2014-09-22 2022-10-18 Sony Corporation Display device, method of manufacturing the display device, and electronic apparatus
KR102417117B1 (en) * 2015-10-22 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
KR20170047473A (en) * 2015-10-22 2017-05-08 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
JP7125104B2 (en) 2018-07-02 2022-08-24 株式会社Joled Display panel manufacturing equipment
US12041842B2 (en) 2018-07-02 2024-07-16 Jdi Design And Development G.K. Display panel patterning device
JP7072225B2 (en) 2018-09-07 2022-05-20 株式会社Joled Display panel manufacturing equipment and display panel manufacturing method
JP2020042116A (en) * 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Joled Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing display panel
JP7117773B2 (en) 2018-09-07 2022-08-15 株式会社Joled Display panel manufacturing apparatus and display panel manufacturing method
JP2020042115A (en) * 2018-09-07 2020-03-19 株式会社Joled Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing display panel
CN112310306A (en) * 2020-10-19 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and manufacturing method thereof
WO2023042027A1 (en) * 2021-09-16 2023-03-23 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
WO2023052908A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Display apparatus
CN114709355A (en) * 2022-04-25 2022-07-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Preparation method of display panel and display panel
CN114709355B (en) * 2022-04-25 2024-01-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and preparation method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4340982B2 (en) Manufacturing method of display device
JP2008288075A (en) Method of manufacturing display device, and display device
JP5157825B2 (en) Manufacturing method of organic EL display
JP5126545B2 (en) Manufacturing method of display device
JP4678421B2 (en) Display device
JP4600569B2 (en) Method for manufacturing donor substrate and display device
JP5256863B2 (en) ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
JP5035295B2 (en) Organic electroluminescence display device
JP5217949B2 (en) Method for manufacturing reflector and method for manufacturing display device
JP4957929B2 (en) Method for manufacturing donor substrate and display device
JP6159946B2 (en) Display device and electronic device
JP6248288B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP2010192413A (en) Organic electroluminescence device, and display unit
JP4396864B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2009259416A (en) Display element, manufacturing method of the same and display device
JP2008235010A (en) Method of manufacturing display device
JP5470813B2 (en) Reflector, display device, and manufacturing method thereof
JP2009146715A (en) Donor substrate, and manufacturing method for display device
JP2009146716A (en) Display device and donor substrate
JP2008311103A (en) Manufacturing method of display device, and the display device
JP2008235011A (en) Method of manufacturing display method
JP2011040328A (en) Display device and method of manufacturing the same
JP2010177034A (en) Method and apparatus for manufacturing display device
JP5151576B2 (en) Method for manufacturing organic light emitting element, organic light emitting display device, method for manufacturing self light emitting element, and self light emitting display device
JP2009140903A (en) Method of manufacturing display