JP2008244289A - Electromagnetic shielding structure - Google Patents

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幸宣 垂井
Isao Kurata
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electromagnetic shielding structure which is easy to manufacture an object having a high electromagnetic shield property, at low cost. <P>SOLUTION: The electromagnetic shielding structure is constructed, in a manner such that high-frequency functional components MC, MC mounted on a dielectric substrate 20A are covered with an electromagnetic shield component. On the dielectric substrate, transmission lines 7a, 7b, 9a-9c, an inside layer ground pattern 11, a pseudo coaxial vertical feeder line, and a plurality of hollow ground through holes 17a which are located at interval so as to enclose each high-frequency functional component are located. On the electromagnetic shielding component 30, a shield ring portion 21 from which a plurality of columnar conductors 21a to be inserted into each of a plurality of the hollow ground through holes protrude, and a cover portion 23 covering the shield ring are located, and the distance between the adjacent hollow ground through holes is smaller than 1/2 the effective in-substrate wavelength of a high-frequency signal used in the high-frequency functional component. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は電磁シールド構造に関し、更に詳しくは、配線基板に実装されてマイクロ波帯またはミリ波帯等の高周波帯で動作する高周波機能部品からの電磁波をシールドする電磁シールド構造に関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic shield structure, and more particularly, to an electromagnetic shield structure that shields electromagnetic waves from a high-frequency functional component that is mounted on a wiring board and operates in a high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band.

マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波帯の電磁波を使用する無線LAN(Local Area Network)、車載レーダ等の機器では、マイクロ波集積回路(MIC;Microwave Integrated Circuit)やモノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC;Monolithic MIC)等の高周波集積回路を備えた高周波機能部品、例えば増幅器、位相器、減衰器等では、他の高周波ノイズ放射源と電磁結合を起こして特性変動や帰還による発振等の不要動作が起こるので、当該高周波機能部品には電磁シールドが施される。   In devices such as wireless local area networks (LANs) and in-vehicle radars that use electromagnetic waves in high frequency bands such as microwave bands and millimeter wave bands, microwave integrated circuits (MIC) and monolithic / microwave integrated circuits ( High-frequency functional parts equipped with high-frequency integrated circuits such as MMIC (Monolithic MIC), such as amplifiers, phase shifters, and attenuators, cause electromagnetic coupling with other high-frequency noise radiation sources, and unnecessary operations such as oscillation due to characteristic fluctuations and feedback Therefore, electromagnetic shielding is applied to the high-frequency functional component.

例えば非特許文献1には、外側の面に配置されたマイクロストリップ伝送線路と内側の面に配置されたコプラナー型の導波路とがスルーホール接続されているアルミナ単層基板の下面にMMICをフリップチップボンディングし、このMMICを覆うようにしてアルミナ単層基板にキャップ部材を固着させることで当該MMICを気密に封止したパッケージ構造が記載されている。   For example, in Non-Patent Document 1, the MMIC is flipped on the lower surface of an alumina single-layer substrate in which a microstrip transmission line disposed on the outer surface and a coplanar waveguide disposed on the inner surface are connected through holes. A package structure is described in which the MMIC is hermetically sealed by chip bonding and fixing a cap member to an alumina single layer substrate so as to cover the MMIC.

非特許文献2には、薄膜配線技術を用いた多層アルミナ基板の下面に金属フレームを設けると共に、上記多層アルミナ基板の下面にMMIC等のミリ波素子をフリップチップボンディングし、多層アルミナ基板の上面に設けたマイクロストリップ線から電磁結合を利用した貫通接続によりミリ波素子に信号を伝達するパッケージ構造が記載されている。   In Non-Patent Document 2, a metal frame is provided on the lower surface of a multilayer alumina substrate using a thin film wiring technique, and a millimeter wave device such as MMIC is flip-chip bonded to the lower surface of the multilayer alumina substrate, and the upper surface of the multilayer alumina substrate is provided. A package structure is described in which a signal is transmitted from a provided microstrip line to a millimeter wave device by through connection using electromagnetic coupling.

Yoji Ohashi、他3名,「MMIC Modules for 76 GHz Automotive Radar Sensors」,MWE '99 Microwave Workshop Digest [WS12-4]Yoji Ohashi and three others, “MMIC Modules for 76 GHz Automotive Radar Sensors”, MWE '99 Microwave Workshop Digest [WS12-4] Takehiro Okumichi、他6名,「Development of Millimeter-Wave Interconnection Technologies」,MWE 2000 Microwave Workshop Digest [WS5-1]Takehiro Okumichi and 6 others, “Development of Millimeter-Wave Interconnection Technologies”, MWE 2000 Microwave Workshop Digest [WS5-1]

非特許文献1に記載されたパッケージ構造におけるように、アルミナ基板の下面にフリップチップボンディングしたMMICをキャップ部材で気密に封止するパッケージ構造では、少なくともキャップ部材が固着される領域でのアルミナ基板の面精度を高めなければならない。また、非特許文献2に記載されたパッケージング構造におけるように、アルミナ基板の下面に金属フレームを設けると共に、当該アルミナ基板の下面にMMIC等のミリ波素子をフリップチップボンディングしたパッケージ構造では、アルミナ基板と金属フレームとの気密性を高めるためには少なくともメタルフレームが固着される領域でのアルミナ基板の面精度および接合部の製造精度を高めなければならない。しかしながら、アルミナ基板およびアルミナ基板以外の誘電体基板においては、その面精度および接合部の製造精度を高めようとすると製造コストが嵩む。   As in the package structure described in Non-Patent Document 1, in the package structure in which the MMIC flip-chip bonded to the lower surface of the alumina substrate is hermetically sealed with the cap member, at least the area of the alumina substrate in the region where the cap member is fixed is used. Surface accuracy must be increased. Further, as in the packaging structure described in Non-Patent Document 2, in a package structure in which a metal frame is provided on the lower surface of the alumina substrate and a millimeter wave element such as MMIC is flip-chip bonded to the lower surface of the alumina substrate, alumina is used. In order to improve the airtightness between the substrate and the metal frame, it is necessary to improve the surface accuracy of the alumina substrate and the manufacturing accuracy of the joint at least in the region where the metal frame is fixed. However, in the case of an alumina substrate and a dielectric substrate other than the alumina substrate, if it is attempted to increase the surface accuracy and the manufacturing accuracy of the joint, the manufacturing cost increases.

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、電磁シールド性の高いものを低コストで形成することが容易な電磁シールド構造を得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain an electromagnetic shield structure that can easily form a high electromagnetic shielding property at a low cost.

上記の目的を達成する本発明の電磁シールド構造は、伝送線路、この伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、この誘電体基板に実装され、擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、この高周波機能部品を囲むように間隔をおいて誘電体基板に形成され、内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホール部と、これら複数の中空グランドスルーホール部の各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、このシールドリング部を覆う蓋体部とを有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満であることを特徴とするものである。   The electromagnetic shield structure of the present invention that achieves the above object is mounted on a dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern that forms a pair with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line, and the dielectric substrate, A high-frequency functional component connected to the pseudo-coaxial vertical feed line, a plurality of hollow ground through-hole portions formed on the dielectric substrate at intervals to surround the high-frequency functional component, and connected to the inner layer ground pattern, A plurality of columnar conductor portions that are inserted into each of the plurality of hollow ground through-hole portions project to form a frame-shaped shield ring portion in which a space for accommodating a high-frequency functional component is formed, and covers the shield ring portion The distance between the hollow ground through holes adjacent to each other is ½ of the effective wavelength in the substrate of the high frequency signal used in the high frequency functional component. It is characterized in that it is fully.

本発明の電磁シールド構造では、上記の内層グランドパターン、複数の中空グランドスルーホール、複数の柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部によって、高周波機能部品を電磁シールドする空間を形成している。高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満の間隔で上記複数の中空グランドスルーホールが設けられていることから、誘電体基板とシールドリング部と蓋体部とによって高周波機能部品を気密に封止しなくても、高い電磁シールド性を容易に得ることができる。誘電体基板の面精度やシールドリング部の製造公差を緩くすることができるので、本発明によれば、電磁シールド性の高い電磁シールド構造を低コストで形成することができる。   In the electromagnetic shield structure of the present invention, the inner layer ground pattern, the plurality of hollow ground through holes, the plurality of columnar conductor portions, the shield ring portion, and the lid portion form a space for electromagnetically shielding the high-frequency functional component. . Since the plurality of hollow ground through holes are provided at intervals of less than half of the effective wavelength in the substrate of the high frequency signal used in the high frequency functional component, the dielectric substrate, the shield ring portion, and the lid portion Even if the high-frequency functional component is not hermetically sealed, high electromagnetic shielding properties can be easily obtained. Since the surface accuracy of the dielectric substrate and the manufacturing tolerance of the shield ring portion can be relaxed, according to the present invention, an electromagnetic shield structure with high electromagnetic shielding properties can be formed at low cost.

以下、本発明の電磁シールド構造の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the electromagnetic shield structure of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below.

実施の形態1.
図1は電磁シールド構造の一例を概略的に示す断面図、図2は図1に示した電磁シールド構造を構成する柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部を概略的に示す側面図、図3は図1に示した電磁シールド構造を概略的に示す上面図、図4は図1に示した電磁シールド構造を構成するシールドリング部を概略的に示す底面図である。
Embodiment 1 FIG.
1 is a cross-sectional view schematically showing an example of an electromagnetic shield structure, FIG. 2 is a side view schematically showing a columnar conductor portion, a shield ring portion, and a lid portion constituting the electromagnetic shield structure shown in FIG. 3 is a top view schematically showing the electromagnetic shield structure shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a bottom view schematically showing a shield ring portion constituting the electromagnetic shield structure shown in FIG.

図1に示す電磁シールド構造S1は、誘電体基板20Aと、誘電体基板20Aの下面に実装された高周波機能部品MC,MCと、導電性材料により形成されて各高周波機能部品MC,MCを覆う電磁シールド部材30とを備えている。図示の誘電体基板20Aは誘電体層1が複数層積層された多層誘電体基板であり、当該誘電体基板20Aは所定パターンの伝送線路やビア等を有している。 The electromagnetic shield structure S 1 shown in FIG. 1 includes a dielectric substrate 20A, high-frequency functional components MC and MC mounted on the lower surface of the dielectric substrate 20A, and a high-frequency functional component MC and MC formed of a conductive material. And an electromagnetic shielding member 30 for covering. The illustrated dielectric substrate 20A is a multilayer dielectric substrate in which a plurality of dielectric layers 1 are laminated, and the dielectric substrate 20A has transmission lines, vias, and the like of a predetermined pattern.

具体的には、図1、図3および図4に示すように、各高周波機能部品MC,MCに高周波信号を伝える信号ビア3a,3b、信号ビア3aを平面視上取り巻くようにして配置された複数のグランドビア5a、信号ビア3bを平面視上取り巻くようにして配置された複数のグランドビア5b、誘電体基板20Aの上面に配置された伝送線路7a,7b、誘電体基板20Aの下面に配置された伝送線路9a〜9c、および図示を省略した内部伝送線路等を有している。信号ビア3aとその周囲の各グランドビア5aは擬似同軸形垂直給電線路Vf1を構成しており、信号ビア3bとその周囲の各グランドビア5bは擬似同軸形垂直給電線路Vf2を構成している。 Specifically, as shown in FIG. 1, FIG. 3 and FIG. 4, the signal vias 3a, 3b and the signal via 3a for transmitting a high-frequency signal to the high-frequency functional parts MC, MC are arranged so as to surround the planar view. A plurality of ground vias 5a, a plurality of ground vias 5b arranged so as to surround the signal via 3b in plan view, transmission lines 7a and 7b arranged on the upper surface of the dielectric substrate 20A, and arranged on the lower surface of the dielectric substrate 20A Transmission lines 9a to 9c and internal transmission lines (not shown). Each ground via 5a surrounding the signal via 3a constitutes a pseudo coaxial vertical feed line Vf 1, the ground vias 5b surrounding the signal via. 3b constitutes a pseudo coaxial vertical feed line Vf 2 Yes.

また、誘電体基板20Aは、上述した伝送線路以外に、伝送線路と対をなすように形成されて各グランドビア5a,5bに接続された内部グランドパターン11、スルーホールTHの上側開口端の周囲に配置された表面グランドパターン13a、スルーホールTHの下側開口端の周囲に配置された裏面グランドパターン15a、スルーホールTHの壁面上に形成された筒状の導電体層からなる中空グランドスルーホール17a等を有している。図1には1つのスルーホールTHと該スルーホールTHの壁面上に形成された中空グランドスルーホール17aとが現れているが、誘電体基板20Aには複数のスルーホールと個々のスルーホールの壁面上に形成された中空グランドスルーホール17a〜17g(図3参照)とが形成されている。各中空グランドスルーホール17a〜17gは、各高周波機能部品MC,MCを囲むように間隔をおいて誘電体基板20Aに設けられて、内層グランドパターン11に接続されている。   In addition to the transmission line described above, the dielectric substrate 20A is formed so as to be paired with the transmission line and connected to the ground vias 5a and 5b, and around the upper opening end of the through hole TH. A hollow ground through hole made of a cylindrical conductor layer formed on the wall surface of the through hole TH, a front surface ground pattern 13a disposed on the back surface, a back surface ground pattern 15a disposed around the lower opening end of the through hole TH 17a and the like. Although one through hole TH and a hollow ground through hole 17a formed on the wall surface of the through hole TH appear in FIG. 1, the dielectric substrate 20A has a plurality of through holes and wall surfaces of the individual through holes. Hollow ground through holes 17a to 17g (see FIG. 3) formed above are formed. The hollow ground through holes 17 a to 17 g are provided on the dielectric substrate 20 </ b> A so as to surround the high-frequency functional parts MC and MC, and are connected to the inner layer ground pattern 11.

各高周波機能部品MC,MCには樹脂封止が施された樹脂封止品または金属封止が施された金属封止品であり、当該高周波機能部品MC,MCのうちの一方の高周波機能部品MCは伝送線路9aに、また他方の高周波機能部品MCは伝送線路9cにはんだSにより固定されている。伝送線路9aの一端は信号ビア3aの下端に接続されており、伝送線路9cの一端は信号ビア3bの下端に接続されている。そして、2つの高周波機能部品MC,MCは、伝送線路9bにより互いに接続されている。   Each high-frequency functional component MC, MC is a resin-sealed product with resin sealing or a metal-sealed product with metal sealing, and one of the high-frequency functional components MC, MC is a high-frequency functional component. MC is fixed to the transmission line 9a, and the other high-frequency functional component MC is fixed to the transmission line 9c with solder S. One end of the transmission line 9a is connected to the lower end of the signal via 3a, and one end of the transmission line 9c is connected to the lower end of the signal via 3b. The two high-frequency functional parts MC and MC are connected to each other by a transmission line 9b.

一方、電磁シールド部材30は、各高周波機能部品MC,MCを取り囲んで当該高周波機能部品MC,MCを収容する空間Cv(図1参照)を形成する枠体形状のシールドリング部21と、シールドリング部21を覆って上記の空間Cvを閉塞する蓋体部23とを有しており、これらシールドリング部21および蓋体部23は金属や合金等の導電性材料により形成されて互いに固着している。シールドリング部21の上面には、図2〜図4に示すように複数の柱状導体部21a〜21gが突設されており、これらの柱状導体部21a〜21gを中空グランドスルーホール17a〜17gに挿入して当該中空グランドスルーホール17a〜17gに接触させることで、シールドリング部21が誘電体基板20Aに係合される。このとき、1つの中空グランドスルーホールに1つの柱状導体部が挿入される。   On the other hand, the electromagnetic shield member 30 includes a frame-shaped shield ring portion 21 that surrounds each high-frequency functional component MC, MC and forms a space Cv (see FIG. 1) for accommodating the high-frequency functional component MC, MC, and a shield ring. A cover body portion 23 that covers the portion 21 and closes the space Cv. The shield ring portion 21 and the cover body portion 23 are formed of a conductive material such as a metal or an alloy and are fixed to each other. Yes. As shown in FIGS. 2 to 4, a plurality of columnar conductor portions 21 a to 21 g protrude from the upper surface of the shield ring portion 21, and these columnar conductor portions 21 a to 21 g are formed in the hollow ground through holes 17 a to 17 g. The shield ring portion 21 is engaged with the dielectric substrate 20A by being inserted and brought into contact with the hollow ground through holes 17a to 17g. At this time, one columnar conductor is inserted into one hollow ground through hole.

図2に示すように、対応する中空グランドスルーホール17a〜17gに各柱状導体部21a〜21gを確実に接触させるために、個々の柱状導体部21a〜21gには中空グランドスルーホール内壁側に突出した凸部が形成されている。ただし、図2においては、柱状導体部21aに形成された凸部22aと柱状導体部21eに形成された凸部22eの計2つの凸部のみが現れている。各凸部は、柱状導体部を中空グランドスルーホールに挿入したときに、中空グランドスルーホールの内壁面を押圧する。   As shown in FIG. 2, in order to make each columnar conductor part 21a-21g contact each corresponding hollow ground through-hole 17a-17g reliably, each columnar conductor part 21a-21g protrudes to the inner wall side of a hollow ground through-hole. Convex parts are formed. However, in FIG. 2, only a total of two convex portions appear, that is, the convex portion 22a formed on the columnar conductor portion 21a and the convex portion 22e formed on the columnar conductor portion 21e. Each convex portion presses the inner wall surface of the hollow ground through hole when the columnar conductor portion is inserted into the hollow ground through hole.

各中空グランドスルーホール17a〜17gに所定の柱状導体部21a〜21gが係合された電磁シールド部材30は、その後、各柱状導体部21a〜21gを中空グランドスルーホール17a〜17gにはんだS(図1参照)あるいは導電性接着剤で固定することにより、誘電体基板20Aに固定される。内層グランドパターン11、各中空グランドスルーホール17a〜17g、各柱状導体部21a〜21g、シールドリング部21、および蓋体部23によって、各高周波機能部品MC,MCを電磁シールドするシールド空間が形成される。   The electromagnetic shield member 30 with the predetermined columnar conductor portions 21a to 21g engaged with the hollow ground through holes 17a to 17g is then soldered with the columnar conductor portions 21a to 21g to the hollow ground through holes 17a to 17g (see FIG. 1) or is fixed to the dielectric substrate 20A by fixing with a conductive adhesive. The inner layer ground pattern 11, the hollow ground through holes 17a to 17g, the columnar conductor portions 21a to 21g, the shield ring portion 21, and the lid portion 23 form a shield space for electromagnetically shielding the high-frequency functional components MC and MC. The

このような構造を有する電磁シールド構造S1では、互いに隣接する2つの中空グランドスルーホール17a〜17gの距離D(図3参照)が、各高周波機能部品MC,MCで使用される高周波信号の基板内実効波長(誘電体基板20A内での実効波長)の1/2未満以下に選定されている。上記の距離Dをこのように選定すると、各高周波機能部品MC,MCに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材30によって容易に得ることができる。そのため、上記のシールド空間外にある線路不連続部やワイヤ接続部等の高周波ノイズ放射源と、上記のシールド空間内にある高周波ノイズ放射源とが電磁結合することによって各高周波機能部品MC,MCに生じる特性変動や帰還による発振等の不要動作を、抑制することができる。なお、電磁シールド部材30によって高い電磁シールド性を得るうえからは上記の距離Dをできるだけ小さな値とすることが好ましく、所望の内径を有する2つのスルーホールTH,THを互いに隣接(近接)させて形成する際の当該2つのスルーホールTH,TH同士の間隔については、製造上の限界値がその下限値となる。 In the electromagnetic shield structure S 1 having such a structure, a distance D (see FIG. 3) between two hollow ground through holes 17a to 17g adjacent to each other is a high frequency signal substrate used in each of the high frequency functional components MC and MC. It is selected to be less than half of the inner effective wavelength (effective wavelength in the dielectric substrate 20A). When the distance D is selected as described above, high electromagnetic shielding properties for the high-frequency functional parts MC and MC can be easily obtained by the electromagnetic shielding member 30. For this reason, the high-frequency noise radiation source such as the line discontinuity part and the wire connection part outside the shield space and the high-frequency noise radiation source inside the shield space are electromagnetically coupled to each other, so that each high-frequency functional component MC, MC Unnecessary operations such as fluctuations in characteristics and oscillation due to feedback can be suppressed. In order to obtain a high electromagnetic shielding property by the electromagnetic shielding member 30, it is preferable that the distance D is as small as possible, and the two through holes TH and TH having a desired inner diameter are adjacent (close) to each other. Regarding the interval between the two through holes TH and TH when forming, the manufacturing limit value is the lower limit value.

また、各高周波機能部品MC,MCを気密に封止しなくてもよいことから、誘電体基板20Aの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材30の製造公差、特にシールドリング部21の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板20Aや電磁シールド部材30の製造コストを抑えることができる。シールドリング部21に柱状導体部21a〜21gが設けられているので、誘電体基板20Aに電磁シールド部材30を装着する際には当該柱状導体部21a〜21gにより電磁シールド部材30の位置決めを行うことができ、はんだS(図1参照)や導電性接着剤等による電磁シールド部材30の固定作業が容易である。   Further, since it is not necessary to hermetically seal each high-frequency functional component MC, MC, the surface accuracy of the dielectric substrate 20A, particularly the surface accuracy of the lower surface, the manufacturing tolerance of the electromagnetic shield member 30, particularly the shield ring portion 21. The manufacturing tolerances of the dielectric substrate 20A and the electromagnetic shield member 30 can be reduced as a result. Since the columnar conductor portions 21a to 21g are provided in the shield ring portion 21, when the electromagnetic shield member 30 is mounted on the dielectric substrate 20A, the electromagnetic shield member 30 is positioned by the columnar conductor portions 21a to 21g. The electromagnetic shield member 30 can be easily fixed with solder S (see FIG. 1), conductive adhesive, or the like.

したがって、上述の電磁シールド構造S1によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。また、各高周波機能部品MC,MCを誘電体基板20Aの下面に実装して電磁シールドするので、誘電体基板20Aの上面には、各高周波機能部品MC,MCの上方にあたる位置であっても大形のキャパシタC(図1および図3参照)や制御用デジタル/アナログ回路等を実装することができ、電子部品の実装密度を高めて当該誘電体基板20Aの小型化を図ることも容易である。 Therefore, according to the above-described electromagnetic shield structure S 1 , it is easy to reduce the manufacturing cost of a device that requires an electromagnetic shield. Further, since each high frequency functional component MC, MC is mounted on the lower surface of the dielectric substrate 20A and electromagnetically shielded, the upper surface of the dielectric substrate 20A is large even at a position above the high frequency functional component MC, MC. Type capacitor C (see FIGS. 1 and 3), a control digital / analog circuit, and the like can be mounted, and it is easy to increase the mounting density of electronic components and downsize the dielectric substrate 20A. .

実施の形態2.
図5は、電磁シールド構造の他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す電磁シールド構造S2では、中実グランドビア18a,18bが設けられた誘電体基板20Bの下面に高周波機能部品MC,MCが実装され、これらの高周波機能部品MC,MCが電磁シールド部材40により電磁シールドされている。図5に示す構成要素のうちで図1に示した構成要素と共通するものについては、図1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another example of the electromagnetic shield structure. In the electromagnetic shield structure S 2 shown in the figure, the solid ground vias 18a, 18b high-frequency function on the lower surface of the dielectric substrate 20B provided the parts MC, MC are mounted, these high-frequency functional components MC, MC electromagnetic shield The member 40 is electromagnetically shielded. Among the constituent elements shown in FIG. 5, those common to the constituent elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those used in FIG. 1 and description thereof is omitted.

図5に現れている中実グランドビアは中実グランドビア18a,18bの2つであるが、誘電体基板20Bには、例えば実施の形態1で説明した誘電体基板20Aにおけるのと同様に7つの中実グランドビアが各高周波機能部品MC,MCを囲むように間隔をおいて設けられている。そして、互いに隣接する中実グランドビアの距離D(図3参照)は、各高周波機能部品MC,MCで使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満に選定されている。また、個々の中実グランドビアの下端は裏面グランドパターンにより覆われている。同図には2つの裏面グランドパターン19a,19bが現れている。   The solid ground vias appearing in FIG. 5 are the two solid ground vias 18a and 18b. The dielectric substrate 20B includes, for example, 7 as in the dielectric substrate 20A described in the first embodiment. Two solid ground vias are provided at intervals so as to surround each high-frequency functional component MC, MC. The distance D (see FIG. 3) between the solid ground vias adjacent to each other is selected to be less than ½ of the effective wavelength in the substrate of the high-frequency signal used in each high-frequency functional component MC, MC. Further, the lower ends of the individual solid ground vias are covered with the back surface ground pattern. In the figure, two backside ground patterns 19a and 19b appear.

一方、上記の電磁シールド部材40は、各高周波機能部品MC,MCを取り囲んで当該高周波機能部品MC,MCを収容する空間Cvを形成するシールドリング部31と、シールドリング部31を覆って上記の空間Cvを閉塞する蓋体部33とを有しており、これらシールドリング部31および蓋体部33は金属や合金等の導電性材料により形成されて互いに固着している。シールドリング部31の上面は平坦面になっている。電磁シールド部材40は、シールドリング部31の上面が各裏面グランドパターン19a,19bを介して各中実グランドビア19a,19bに当接した状態で、例えばはんだペーストを用いて形成されたはんだSにより、あるいは導電性接着剤により、誘電体基板20Bに固定されている。   On the other hand, the electromagnetic shield member 40 surrounds the high-frequency functional parts MC, MC and forms a space Cv that accommodates the high-frequency functional parts MC, MC. The electromagnetic shield member 40 covers the shield ring part 31 and covers the shield ring part 31. It has a lid part 33 that closes the space Cv, and the shield ring part 31 and the lid part 33 are formed of a conductive material such as metal or alloy and are fixed to each other. The upper surface of the shield ring portion 31 is a flat surface. The electromagnetic shield member 40 is made of, for example, solder S formed using a solder paste in a state where the upper surface of the shield ring portion 31 is in contact with the solid ground vias 19a and 19b via the back ground patterns 19a and 19b. Alternatively, it is fixed to the dielectric substrate 20B by a conductive adhesive.

上述の構成を有する電磁シールド構造S2では、実施の形態1で説明した電磁シールド構造S1におけるのと同様の理由から、各高周波機能部品MC,MCに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材40によって容易に得ることができる。また、誘電体基板20Bの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材40の製造公差、特にシールドリング部31の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板20Bや電磁シールド部材40の製造コストを抑えることができる。したがって、上述の電磁シールド構造S2によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。 In the electromagnetic shielding structure S 2 having the above-described configuration, the electromagnetic shielding member 40 provides high electromagnetic shielding properties for the high-frequency functional parts MC and MC for the same reason as in the electromagnetic shielding structure S 1 described in the first embodiment. Can be easily obtained. Further, the surface accuracy of the dielectric substrate 20B, particularly the surface accuracy of the lower surface, and the manufacturing tolerance of the electromagnetic shield member 40, particularly the manufacturing tolerance of the shield ring portion 31, can be loosened. As a result, the dielectric substrate 20B and the electromagnetic shield member 40 manufacturing costs can be reduced. Therefore, according to the electromagnetic shield structure S 2 described above, it becomes easy to reduce the manufacturing cost of equipment that requires an electromagnetic shield.

実施の形態3.
図6は、電磁シールド構造の更に他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す電磁シールド構造S3では、中空グランドスルーホール17a,17bを有する誘電体基板20Cの下面に高周波機能部品MC,MCが実装され、これらの高周波機能部品MC,MCが電磁シールド部材50により電磁シールドされている。誘電体基板20Cの構成要素のうちで図1に示した構成要素と機能が共通するものについては、図1で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing still another example of the electromagnetic shield structure. In the electromagnetic shield structure S 3 shown in the figure, the high-frequency functional components MC and MC are mounted on the lower surface of the dielectric substrate 20C having the hollow ground through holes 17a and 17b, and these high-frequency functional components MC and MC are used as the electromagnetic shield member 50. Is electromagnetically shielded. Among the constituent elements of the dielectric substrate 20C, those having the same functions as those of the constituent elements shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals as those used in FIG.

図6に現れている中空グランドスルーホールは中空グランドスルーホール17a,17bの2つであるが、誘電体基板20Cには、例えば実施の形態1で説明した誘電体基板20Aにおけるのと同様に各高周波機能部品MC,MCを囲むように間隔を開けて7つの中空グランドスルーホールが設けられている。個々の中空グランドスルーホールは、実施の形態1で説明した誘電体基板20A(図1参照)での各中空グランドスルーホールと同様に、誘電体基板20Cに設けられたスルーホールTHの壁面上に形成された筒状の導電体層からなる。また、互いに隣接する2つの中空グランドホールの距離D(図3参照)は、各高周波機能部品MC,MCで使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満に選定されている。   The hollow ground through holes appearing in FIG. 6 are the two hollow ground through holes 17a and 17b. Each of the dielectric substrates 20C includes, for example, the same as in the dielectric substrate 20A described in the first embodiment. Seven hollow ground through holes are provided at intervals so as to surround the high-frequency functional parts MC and MC. Each hollow ground through hole is formed on the wall surface of the through hole TH provided in the dielectric substrate 20C in the same manner as each hollow ground through hole in the dielectric substrate 20A (see FIG. 1) described in the first embodiment. It consists of the formed cylindrical conductor layer. Further, the distance D (see FIG. 3) between two hollow ground holes adjacent to each other is selected to be less than ½ of the effective wavelength in the substrate of the high-frequency signal used in each of the high-frequency functional parts MC and MC.

一方、電磁シールド部材50は、誘電体基板20Cを支持する導電性シャーシ部41を有し、この導電性シャーシ41には、各高周波機能部品MC,MCを取り囲んで当該高周波機能部品MC,MCを収容する空間Cv(図6参照)を形成する枠体形状のシールドリング部43が削りだしにより形成されている。導電性シャーシ部41が上記の空間Cvを閉塞している。誘電体基板20Cは、個々の中空グランドスルーホールに挿入された導電性ネジにより電磁波シールド部材50に、具体的にはシールドリング部43に、ネジ止めされている。図6には、中空グランドスルーホール17aに挿入された導電性ネジ50aと、中空グランドスルーホール17bに挿入された導電性ネジ50bとが現れている。なお、これらの導電性ネジは、高周波機能部品MC,MCの動作に伴って生じる熱を空間Cvの外に放散させる放熱体としても機能する。   On the other hand, the electromagnetic shield member 50 has a conductive chassis portion 41 that supports the dielectric substrate 20C. The conductive chassis 41 surrounds the high-frequency functional components MC, MC and surrounds the high-frequency functional components MC, MC. A frame-shaped shield ring portion 43 that forms a space Cv (see FIG. 6) to be accommodated is formed by cutting. The conductive chassis portion 41 closes the space Cv. The dielectric substrate 20 </ b> C is screwed to the electromagnetic wave shielding member 50, specifically, to the shield ring portion 43 by conductive screws inserted into individual hollow ground through holes. In FIG. 6, a conductive screw 50a inserted into the hollow ground through hole 17a and a conductive screw 50b inserted into the hollow ground through hole 17b appear. Note that these conductive screws also function as a heat radiator that dissipates heat generated by the operation of the high-frequency functional parts MC and MC to the outside of the space Cv.

上述の構成を有する電磁シールド構造S3では、実施の形態1で説明した電磁シールド構造S1におけるのと同様の理由から、各高周波機能部品MC,MCに対する高い電磁シールド性を電磁シールド部材50によって容易に得ることができる。また、誘電体基板20Cの面精度、特に下面の面精度や、電磁シールド部材50の製造公差、特にシールドリング部43の製造公差を緩くすることができ、結果として誘電体基板20Cや電磁シールド部材50の製造コストを抑えることができる。さらには、高周波機能部品が実装された誘電体基板は一般に導電性シャーシに固定されて使用されるので、電磁シールド構造S3におけるように導電性シャーシ41にシールドリング部43を予め形成することで電磁シールド部材50を構成すれば、導電性シャーシ41とは別に電磁シールド用の蓋体部を設ける場合に比べて部品点数を少なくすることができる。したがって、上述の電磁シールド構造S3によれば、電磁シールドが求められる機器の製造コストを低減させることが容易になる。 In the electromagnetic shielding structure S 3 having the above-described configuration, the electromagnetic shielding member 50 provides high electromagnetic shielding properties for the high-frequency functional parts MC and MC for the same reason as in the electromagnetic shielding structure S 1 described in the first embodiment. Can be easily obtained. Further, the surface accuracy of the dielectric substrate 20C, particularly the surface accuracy of the lower surface, and the manufacturing tolerance of the electromagnetic shield member 50, particularly the manufacturing tolerance of the shield ring portion 43, can be loosened. As a result, the dielectric substrate 20C and the electromagnetic shield member 50 manufacturing costs can be reduced. Further, the dielectric substrate high-frequency functional components are mounted so commonly used is fixed to the conductive chassis, by previously forming a shield ring 43 to a conductive chassis 41, as in the electromagnetic shielding structure S 3 If the electromagnetic shielding member 50 is configured, the number of components can be reduced as compared with the case where a lid for electromagnetic shielding is provided separately from the conductive chassis 41. Therefore, according to the above-described electromagnetic shield structure S 3 , it is easy to reduce the manufacturing cost of equipment that requires an electromagnetic shield.

以上、本発明の電磁シールド構造について実施の形態を挙げて説明したが、前述のように、本発明は上述の形態に限定されるものではない。例えば、高周波機能部品は誘電体基板の上面および下面のいずれに実装されていてもよい。また、誘電体基板における層構成や伝送線路の配置パターン、あるいは中空グランドスルーホールの形状等は、適宜選定可能である。中空グランドスルーホールと電磁シールド部材との係合形態や、中実グランドビアと電磁シールド部材との係合形態についても、適宜選定可能である。例えば、シールドリング部の上面を中空グランドスルーホールまたは中実グランドビアの下面に直接、当接させることもできる。   The electromagnetic shield structure of the present invention has been described with reference to the embodiment. However, as described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, the high frequency functional component may be mounted on either the upper surface or the lower surface of the dielectric substrate. Further, the layer configuration on the dielectric substrate, the arrangement pattern of the transmission line, the shape of the hollow ground through hole, and the like can be selected as appropriate. The form of engagement between the hollow ground through hole and the electromagnetic shield member and the form of engagement between the solid ground via and the electromagnetic shield member can be selected as appropriate. For example, the upper surface of the shield ring portion can be brought into direct contact with the lower surface of the hollow ground through hole or solid ground via.

1つの誘電体基板に複数の中空グランドスルーホールと少なくとも1つのグランドビアとを設けることもできる。この場合も、各中空グランドスルーホールおよびグランドビアは、それぞれ、内層グランドパターンに接続される。また、上記複数の中空グランドスルーホールおよび上記少なくとも1つのグランドビアは、互いに隣接(近接)するもの(中空グランドスルーホールまたはグランドビア)同士の距離が高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満となるように配置される。図1に示した電磁シールド構造S1におけるのと同様に、電磁シールド部材を構成するシールドリング部の上面に複数の柱状導体部が突設され、1つの中空グランドスルーホールに1つの柱状導体部を挿入してはんだや導電性接着剤で固着することにより上記の誘電体基板に電磁シールド部材が固定される。あるいは、図6に示した電磁シールド構造S3におけるのと同様に、個々の中空グランドスルーホールに挿入された導電性ネジにより上記の誘電体基板が電磁波シールド部材に、具体的にはシールドリング部にネジ止めされる。 A plurality of hollow ground through holes and at least one ground via can be provided in one dielectric substrate. Also in this case, each hollow ground through hole and ground via are each connected to the inner layer ground pattern. Further, the plurality of hollow ground through holes and the at least one ground via are adjacent to each other (close to each other) (hollow ground through holes or ground vias) in a high frequency signal substrate used in a high frequency functional component. It arrange | positions so that it may become less than 1/2 of an effective wavelength. As in the electromagnetic shield structure S 1 shown in FIG. 1, a plurality of columnar conductor portions project from the upper surface of the shield ring portion constituting the electromagnetic shield member, and one columnar conductor portion is provided in one hollow ground through hole. The electromagnetic shield member is fixed to the dielectric substrate by inserting and fixing with solder or a conductive adhesive. Alternatively, as in the electromagnetic shield structure S 3 shown in FIG. 6, the dielectric substrate is made into an electromagnetic wave shielding member by the conductive screw inserted into each hollow ground through hole, specifically, the shield ring portion. Screwed on.

また、シールドリング部と蓋体部とを有する電磁シールド部材は、シールドリング部と蓋体部とを別々に作製してから所定形状に組み立てたものであってもよいし、これらシールドリング部と蓋体部とを一体成形したものであってもよい。例えば板金をプレス加工して柱状導体部とシールドリング部と蓋体部とを有する電磁シールド部材に一体成形すると、当該電磁シールド部材の製造コストが抑えられると共にシールドリング部の形状を複雑化することが容易になる。シールドリング部の形状を複雑化することができれば、電磁シールド部材でのキャビティの形状を高周波機能部品の配置形態に合った形状とすることができるので、電磁シールド部材の小型化を図ることも容易になる。本発明の電磁シールド構造については、上述したもの以外にも種々の変形、修飾、組み合わせ等が可能である。   Further, the electromagnetic shield member having the shield ring portion and the lid portion may be produced by separately manufacturing the shield ring portion and the lid portion and then assembling them into a predetermined shape. It may be formed integrally with the lid portion. For example, if a sheet metal is pressed into an electromagnetic shield member having a columnar conductor part, a shield ring part, and a lid part, the manufacturing cost of the electromagnetic shield member is reduced and the shape of the shield ring part is complicated. Becomes easier. If the shape of the shield ring part can be complicated, the shape of the cavity in the electromagnetic shield member can be made to match the arrangement of the high-frequency functional parts, so it is easy to reduce the size of the electromagnetic shield member become. The electromagnetic shield structure of the present invention can be variously modified, modified, combined, etc. other than those described above.

実施の形態1の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing an electromagnetic shield structure of a first embodiment. 図1に示した電磁シールド構造を構成する柱状導体部、シールドリング部、および蓋体部を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly the columnar conductor part, shield ring part, and cover part which comprise the electromagnetic shielding structure shown in FIG. 図1に示した電磁シールド構造を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly the electromagnetic shielding structure shown in FIG. 図1に示した電磁シールド構造を構成するシールドリング部を概略的に示す底面図である。It is a bottom view which shows roughly the shield ring part which comprises the electromagnetic shielding structure shown in FIG. 実施の形態2の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electromagnetic shielding structure of Embodiment 2 roughly. 実施の形態3の電磁シールド構造を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematically the electromagnetic shielding structure of Embodiment 3.

符号の説明Explanation of symbols

7a,7b,9a〜9c 伝送線路
11 内層グランドパターン
17a〜17g 中空グランドスルーホール
18a,18b 中実グランドビア
19a,19b 裏面グランドパターン
20A〜20C 誘電体基板
21,31,43 シールドリング部
21a 柱状導体部
23,33 蓋体部
30,40,50 電磁シールド部材
41 導電性シャーシ
D 互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離
TH スルーホール
7a, 7b, 9a-9c Transmission line 11 Inner layer ground pattern 17a-17g Hollow ground through hole 18a, 18b Solid ground via 19a, 19b Backside ground pattern 20A-20C Dielectric substrate 21, 31, 43 Shield ring portion 21a Columnar conductor Part 23, 33 Lid part 30, 40, 50 Electromagnetic shield member 41 Conductive chassis D Distance between adjacent hollow ground through holes TH Through hole

Claims (7)

伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールと、
該複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
A dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern paired with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line;
A high frequency functional component mounted on the dielectric substrate and connected to the pseudo coaxial vertical feed line;
A plurality of hollow ground through holes formed in the dielectric substrate so as to surround the high frequency functional component and connected to the inner layer ground pattern;
A plurality of columnar conductor portions inserted into each of the plurality of hollow ground through holes, and a frame-shaped shield ring portion in which a space for accommodating the high-frequency functional component is formed;
A lid portion covering the shield ring portion;
The distance between the hollow ground through holes adjacent to each other is less than ½ of the effective wavelength in the substrate of the high frequency signal used in the high frequency functional component.
An electromagnetic shield structure characterized by that.
前記複数の柱状導体部は、前記中空グランドスルーホール内壁面を押圧する凸部を有することを特徴とする請求項1に記載の電磁シールド構造。   2. The electromagnetic shield structure according to claim 1, wherein the plurality of columnar conductor portions have a convex portion that presses the inner wall surface of the hollow ground through hole. 伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中実グランドビアと、
前記複数の中実グランドビアの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、互いに隣接する中実グランドビアの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
A dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern paired with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line;
A high frequency functional component mounted on the dielectric substrate and connected to the pseudo coaxial vertical feed line;
A plurality of solid ground vias formed on the dielectric substrate so as to surround the high-frequency functional component and connected to the inner layer ground pattern;
A frame-shaped shield ring portion formed in contact with each of the plurality of solid ground vias and having a space for accommodating the high-frequency functional component;
A lid portion covering the shield ring portion;
The distance between the solid ground vias adjacent to each other is less than ½ of the effective wavelength in the substrate of the high-frequency signal used in the high-frequency functional component.
An electromagnetic shield structure characterized by that.
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールおよび少なくとも1つのグランドビアと、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入される複数の柱状導体部が突設され、前記高周波機能部品を収容する空間が形成された枠体形状のシールドリング部と、
該シールドリング部を覆う蓋体部と、
を有し、前記複数の中空グランドスルーホールおよび前記少なくとも1つのグランドビアは、互いに隣接するもの同士の距離が前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満となるように配置されている、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
A dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern paired with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line;
A high frequency functional component mounted on the dielectric substrate and connected to the pseudo coaxial vertical feed line;
A plurality of hollow ground through holes and at least one ground via formed in the dielectric substrate so as to surround the high frequency functional component and connected to the inner layer ground pattern;
A plurality of columnar conductor portions inserted into each of the plurality of hollow ground through holes, and a frame-shaped shield ring portion in which a space for accommodating the high-frequency functional component is formed;
A lid portion covering the shield ring portion;
The distance between adjacent ones of the plurality of hollow ground through holes and the at least one ground via is less than ½ of an effective wavelength in a substrate of a high frequency signal used in the high frequency functional component Arranged so that,
An electromagnetic shield structure characterized by that.
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールと、
該複数の中空グランドスルーホールの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間を有する枠体形状のシールドリング部が形成された導電性シャーシ部と、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入されて前記誘電体基板を前記シールドリング部に固定する複数の導電性ネジと、
を有し、互いに隣接する中空グランドスルーホールの距離は、前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満である、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
A dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern paired with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line;
A high frequency functional component mounted on the dielectric substrate and connected to the pseudo coaxial vertical feed line;
A plurality of hollow ground through holes formed in the dielectric substrate so as to surround the high frequency functional component and connected to the inner layer ground pattern;
A conductive chassis portion formed with a frame-shaped shield ring portion formed in contact with each of the plurality of hollow ground through holes and having a space for accommodating the high-frequency functional component;
A plurality of conductive screws inserted into each of the plurality of hollow ground through holes to fix the dielectric substrate to the shield ring portion;
The distance between the hollow ground through holes adjacent to each other is less than ½ of the effective wavelength in the substrate of the high frequency signal used in the high frequency functional component.
An electromagnetic shield structure characterized by that.
伝送線路、該伝送線路と対をなす内層グランドパターン、および擬似同軸形垂直給電線路を有する誘電体基板と、
該誘電体基板に実装され、前記擬似同軸形垂直給電線路に接続された高周波機能部品と、
該高周波機能部品を囲むように間隔をおいて前記誘電体基板に形成され、前記内層グランドパターンに接続された複数の中空グランドスルーホールおよび少なくとも1つのグランドビアと、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に当接され、前記高周波機能部品を収容する空間を有する枠体形状のシールドリング部が形成された導電性シャーシ部と、
前記複数の中空グランドスルーホールの各々に挿入されて前記誘電体基板を前記シールドリング部に固定する複数の導電性ネジと、
を有し、前記複数の中空グランドスルーホールおよび前記少なくとも1つのグランドビアは、互いに隣接するもの同士の距離が前記高周波機能部品で使用される高周波信号の基板内実効波長の1/2未満となるように配置されている、
ことを特徴とする電磁シールド構造。
A dielectric substrate having a transmission line, an inner layer ground pattern paired with the transmission line, and a pseudo coaxial vertical feed line;
A high frequency functional component mounted on the dielectric substrate and connected to the pseudo coaxial vertical feed line;
A plurality of hollow ground through holes and at least one ground via formed in the dielectric substrate so as to surround the high frequency functional component and connected to the inner layer ground pattern;
A conductive chassis portion formed with a frame-shaped shield ring portion formed in contact with each of the plurality of hollow ground through holes and having a space for accommodating the high-frequency functional component;
A plurality of conductive screws inserted into each of the plurality of hollow ground through holes to fix the dielectric substrate to the shield ring portion;
The distance between adjacent ones of the plurality of hollow ground through holes and the at least one ground via is less than ½ of an effective wavelength in a substrate of a high frequency signal used in the high frequency functional component Arranged so that,
An electromagnetic shield structure characterized by that.
前記高周波機能部品は樹脂封止品または金属封止品であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の電磁シールド構造。   The electromagnetic shielding structure according to claim 1, wherein the high-frequency functional component is a resin-sealed product or a metal-sealed product.
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