JP2008216622A - Manufacturing method of display device - Google Patents

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JP2008216622A JP2007053786A JP2007053786A JP2008216622A JP 2008216622 A JP2008216622 A JP 2008216622A JP 2007053786 A JP2007053786 A JP 2007053786A JP 2007053786 A JP2007053786 A JP 2007053786A JP 2008216622 A JP2008216622 A JP 2008216622A
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glass substrate
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manufacturing
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Wataru Ito
伊藤  渉
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Seiko Epson Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a display device which is easily installed on a curved surface having a constant radius of curvature. <P>SOLUTION: Thicknesses, elastic moduli, and coefficients of thermal expansion of a glass substrate 17 and a back substrate 15 and a heating temperature at which the glass substrate 17 and back substrate 15 are heated to be joined together are set according to a desired radius of curvature on the basis of the relation among the respective thicknesses, elastic moduli, and coefficients of thermal expansion of the glass substrate 17 and back substrate 15, and the heating temperature. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、液晶表示装置、有機エレクトロ・ルミネッセンス表示装置、電気泳動表示
装置等の表示装置の製造方法に係り、詳しくは、表示層を駆動するための画素電極配線層
が形成されたガラス基板を背面基板に接合した表示装置の製造方法に関するものである。
The present invention relates to a method of manufacturing a display device such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescence display device, an electrophoretic display device, and the like. Specifically, a glass substrate on which a pixel electrode wiring layer for driving a display layer is formed is provided. The present invention relates to a method for manufacturing a display device bonded to a back substrate.

従来、この種の表示装置としては、図7に示すような、電気泳動表示方式のものがある
。この表示装置50は、背面側電極基板51、この背面側電極基板51に対向する正面側
電極基板52、及び、背面側電極基板51と正面側電極基板52との間に配置された電気
泳動表示層53とにより構成されている。背面側電極基板51は、一表面に半導体回路層
54が形成されたガラス基板55に背面基板56を張り合わされて構成される。正面側電
極基板52は、透明基板57上に透明共通電極58を形成して構成される。電気泳動表示
層53は、多数のマイクロカプセル59をバインダ60で固定して構成される。この表示
装置50において、ガラス基板55は、背面基板56とほぼ同じ大きさに形成され、ガラ
ス基板55の周縁と背面基板56の周縁とはほぼ同じ位置にある。
Conventionally, as this type of display device, there is an electrophoretic display type as shown in FIG. The display device 50 includes a back electrode substrate 51, a front electrode substrate 52 facing the back electrode substrate 51, and an electrophoretic display disposed between the back electrode substrate 51 and the front electrode substrate 52. Layer 53. The back-side electrode substrate 51 is configured by bonding a back substrate 56 to a glass substrate 55 having a semiconductor circuit layer 54 formed on one surface. The front electrode substrate 52 is configured by forming a transparent common electrode 58 on a transparent substrate 57. The electrophoretic display layer 53 is configured by fixing a number of microcapsules 59 with a binder 60. In the display device 50, the glass substrate 55 is formed to be approximately the same size as the back substrate 56, and the periphery of the glass substrate 55 and the periphery of the back substrate 56 are at approximately the same position.

電極泳動方式の表示装置は、ガラス基板55以外の構成部分が有機物によって構成され
る。このため、ガラス基板55に代えて合成樹脂製や金属製の基板を用いれば、電子ペー
パーとして可撓性に富んだ表示装置を実現することができる。しかしながら、ドット・マ
トリックス表示による高精細かつ自由度に富んだ画像を表示するためにアクティブ・マト
リックス駆動方式を採用する場合には、高温状態での生成プロセスを必要とする薄膜トラ
ンジスタを形成するために軟化点や融点が高く、かつ剛性が高い石英ガラスや耐熱ガラス
の基板を必要とする。従って、結局のところ、可撓性に富んだ表示装置を実現することは
できなかった。
In the electrophoretic display device, components other than the glass substrate 55 are made of an organic material. For this reason, if a synthetic resin or metal substrate is used instead of the glass substrate 55, a flexible display device can be realized as electronic paper. However, when the active matrix driving method is used to display high-definition and high-definition images by dot-matrix display, it is softened to form thin film transistors that require a high-temperature generation process. A quartz glass or heat-resistant glass substrate having a high point and melting point and high rigidity is required. Therefore, after all, it has not been possible to realize a display device with high flexibility.

このような課題を解決するために、一旦ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを樹
脂基板上に転写する方法や、可撓性を有する樹脂基板上に薄膜トランジスタを低温プロセ
スにより直接形成する方法の開発は進められているが、いずれも未だ実用段階とはなって
いない。
In order to solve such problems, the development of a method of transferring a thin film transistor once formed on a glass substrate onto a resin substrate and a method of directly forming a thin film transistor on a flexible resin substrate by a low temperature process are proceeding. However, none of them are in the practical stage yet.

そこで、ガラス基板55は、例えば200μm以下の厚さに加工され、ある程度の可撓
性を付与された状態で用いられる(例えば、特許文献1)。これによって、表示装置50
にある程度の可撓性が付与されている。
特開2006−41135号公報
Therefore, the glass substrate 55 is processed in a thickness of, for example, 200 μm or less and used in a state where a certain degree of flexibility is given (for example, Patent Document 1). Thus, the display device 50
A certain degree of flexibility is imparted.
JP 2006-41135 A

ところで、薄い表示装置を、例えば円柱の周面上に沿わせて設置することが考えられる
。このような場合には、表示装置をその可撓性を利用して円柱の曲率半径に合わせて湾曲
させる必要がある。しかしながら、図7に示すようなガラス基板等よりなる平板状の表示
装置は、湾曲されても弾性によって元の状態に復帰しようとする。このため、表示装置を
復元方向への反発力を内在した湾曲状態で固定しなければならず、例えば円柱の周面上へ
の設置は容易でない。
By the way, it is conceivable to install a thin display device along a circumferential surface of a cylinder, for example. In such a case, it is necessary to bend the display device in accordance with the curvature radius of the cylinder using its flexibility. However, a flat display device made of a glass substrate or the like as shown in FIG. 7 tries to return to its original state by elasticity even if it is curved. For this reason, it is necessary to fix the display device in a curved state having a repulsive force in the restoring direction, and for example, it is not easy to install the display device on the circumferential surface of a cylinder.

この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。
その目的とするところは、所定の曲率半径を有する曲面上への設置が容易な表示装置の製
造方法を提供することにある。
The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art.
The object is to provide a method of manufacturing a display device that can be easily installed on a curved surface having a predetermined radius of curvature.

上記の目的を達成するために、この発明は、表示層を駆動するための画素電極配線層を
ガラス基板上に形成し、前記ガラス基板と背面基板とを加熱して接合する表示装置の製造
方法において、前記ガラス基板及び背面基板の各厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、同ガラ
ス基板及び背面基板を加熱して接合するときの加熱温度と、接合された両基板の曲率半径
との関係に基づき、所望の曲率半径に応じて、前記各基板の厚さ、弾性率及び熱膨張係数
と、前記加熱温度とを設定することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a display device in which a pixel electrode wiring layer for driving a display layer is formed on a glass substrate, and the glass substrate and the back substrate are heated and bonded. The relationship between the thickness of each of the glass substrate and the back substrate, the elastic modulus and the coefficient of thermal expansion, the heating temperature when the glass substrate and the back substrate are joined by heating, and the radius of curvature of both the joined substrates Based on the above, the thickness, elastic modulus and thermal expansion coefficient of each substrate and the heating temperature are set according to a desired radius of curvature.

この構成によれば、ガラス基板及び背面基板の各厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、ガラ
ス基板及び背面基板を加熱(焼成)して接合するときの加熱(焼成)温度とを、接合され
た両基板に発生する湾曲(反り)の所定の基板温度における曲率半径に応じて予め設定す
ることにより、所望の曲率半径で湾曲した表示装置が作成される。従って、表示装置を設
置しようとする曲面の曲率半径に合わせて同表示装置を湾曲させる必要がないため、所定
の曲率半径を有する曲面上への設置が容易となる。
According to this configuration, the thickness, elastic modulus, and thermal expansion coefficient of the glass substrate and the back substrate and the heating (firing) temperature when the glass substrate and the back substrate are joined by heating (firing) are joined. In addition, a display device curved with a desired curvature radius is created by presetting the curvature (warpage) generated on both the substrates in accordance with the curvature radius at a predetermined substrate temperature. Therefore, since it is not necessary to bend the display device in accordance with the curvature radius of the curved surface on which the display device is to be installed, installation on a curved surface having a predetermined curvature radius is facilitated.

また、この発明は、前記ガラス基板及び背面基板の各厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、
同ガラス基板及び背面基板を加熱して接合するときの加熱温度と、接合された両基板の曲
率半径との関係が、ガラス基板の厚さをa1、ガラス基板の弾性率をE1、ガラス基板の
熱膨張係数をα1、背面基板の厚さをa2、背面基板の弾性率をE2、背面基板の熱膨張
係数をα2、加熱温度をT1、基板温度をT0、曲率半径をρとするとともに、h=a1
+a2、m=a1/a2、n=E1/E2として、
The present invention also includes the thicknesses of the glass substrate and the back substrate, the elastic modulus and the thermal expansion coefficient,
The relationship between the heating temperature when heating and bonding the glass substrate and the back substrate and the radius of curvature of both bonded substrates is that the thickness of the glass substrate is a1, the elastic modulus of the glass substrate is E1, and the glass substrate The thermal expansion coefficient is α1, the back substrate thickness is a2, the back substrate elastic modulus is E2, the back substrate thermal expansion coefficient is α2, the heating temperature is T1, the substrate temperature is T0, the radius of curvature is ρ, and h = A1
+ A2, m = a1 / a2, n = E1 / E2,

Figure 2008216622
となるようにすることを特徴とする。
Figure 2008216622
It is characterized by becoming.

また、この発明は、前記表示層は、電気泳動粒子と、この電気泳動粒子が分散された電
気泳動分散媒とにより構成されることを特徴とする。
また、この発明は、前記ガラス基板上に画素電極配線層を形成し、次に、同ガラス基板
を所定の厚さまで薄くした後、同背面基板上にガラス基板を貼り付けることを特徴とする
In addition, the present invention is characterized in that the display layer is composed of electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium in which the electrophoretic particles are dispersed.
Further, the present invention is characterized in that a pixel electrode wiring layer is formed on the glass substrate, and then the glass substrate is thinned to a predetermined thickness, and then the glass substrate is pasted on the back substrate.

また、この発明は、前記背面基板とガラス基板とを、所定温度まで加熱した状態で加圧
して貼り合わせることを特徴とする。
また、この発明は、透明基板上に透明共通電極層を形成し、次に、この透明共通電極層
上に前記表示層を形成した後、接合された前記背面基板及びガラス基板の画素電極配線層
上に同透明基板を貼り付けることを特徴とする。
In addition, the present invention is characterized in that the back substrate and the glass substrate are pressed and bonded together while being heated to a predetermined temperature.
Further, the present invention forms a transparent common electrode layer on a transparent substrate, and then forms the display layer on the transparent common electrode layer, and then joins the pixel electrode wiring layers of the back substrate and the glass substrate. The transparent substrate is stuck on the top.

また、この発明は、前記背面基板及びガラス基板と、前記透明基板とを、所定温度まで
加熱した状態で加圧して接合させることを特徴とする。
Further, the present invention is characterized in that the back substrate, the glass substrate, and the transparent substrate are pressed and bonded in a state of being heated to a predetermined temperature.

この発明によれば、一定の曲率半径を有する曲面上への設置が容易な表示装置を製造す
ることができる。
According to the present invention, it is possible to manufacture a display device that can be easily installed on a curved surface having a certain radius of curvature.

次に、この発明を電気泳動表示方式の表示装置に具体化した一実施形態について、図1
〜図5を参照して説明する。
図1に示すように、この実施形態の表示装置11は、背面側電極基板12、この背面側
電極基板12に対向する正面側電極基板13、及び、背面側電極基板12と正面側電極基
板13との間に挟まれた電気泳動表示層(以下、単に表示層という)14とより構成され
ている。
Next, an embodiment in which the present invention is embodied in an electrophoretic display type display device will be described with reference to FIG.
Description will be given with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the display device 11 of this embodiment includes a back-side electrode substrate 12, a front-side electrode substrate 13 facing the back-side electrode substrate 12, and the back-side electrode substrate 12 and the front-side electrode substrate 13. And an electrophoretic display layer (hereinafter simply referred to as a display layer) 14 sandwiched between them.

前記背面側電極基板12は、可撓性を有する背面基板15と、画素電極配線層としての
半導体回路層16が形成されたガラス基板17とを接着層18を介して接合して構成され
ている。半導体回路層16は、行方向及び列方向にそれぞれ複数配列された画素電極、画
素駆動回路、配線等により構成され、画素駆動回路は、薄膜トランジスタ(TFT)によ
り構成されている。各画素駆動回路は、図示しない行デコーダ及び列デコーダを介して外
部の駆動回路に接続される。前記背面基板15は、可撓性、弾性等に優れた熱可塑性樹脂
又は熱硬化性樹脂材料、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイ
ミド、ポリエチレン、エポキシ系架橋樹脂と無機物を含む混合物等によって、30μm以
上かつ300μm以下の厚さ範囲で形成されている。ガラス基板17は、無アルカリガラ
ス、石英ガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス等の軟化点及び融点が高いガラスによって、
50μm以上かつ200μm以下の厚さ範囲で形成されている。さらに、接着層18は、
エポキシ樹脂やアクリル樹脂等により、5μm以上かつ10μm以下の厚さ範囲で設けら
れている。
The back-side electrode substrate 12 is configured by bonding a flexible back substrate 15 and a glass substrate 17 on which a semiconductor circuit layer 16 as a pixel electrode wiring layer is formed via an adhesive layer 18. . The semiconductor circuit layer 16 is configured by a plurality of pixel electrodes, a pixel driving circuit, wirings, and the like arranged in the row direction and the column direction, and the pixel driving circuit is configured by a thin film transistor (TFT). Each pixel drive circuit is connected to an external drive circuit via a row decoder and a column decoder (not shown). The back substrate 15 is made of a thermoplastic resin or thermosetting resin material excellent in flexibility, elasticity, etc., for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene, a mixture containing an epoxy-based cross-linking resin and an inorganic substance, and the like. It is formed in a thickness range of 300 μm or less. The glass substrate 17 is made of glass having a high softening point and melting point such as alkali-free glass, quartz glass, soda glass, heat-resistant glass, etc.
The thickness is 50 μm or more and 200 μm or less. Furthermore, the adhesive layer 18 is
It is provided in a thickness range of 5 μm or more and 10 μm or less by an epoxy resin or an acrylic resin.

前記正面側電極基板13は、可撓性を有する透明基板19を備え、その下面には、透明
共通電極層20が形成されている。透明基板19は、透明性、可撓性等に優れた熱可塑性
樹脂又は熱硬化性樹脂材料、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポ
リイミド、ポリエチレン等により形成されている。透明共通電極層20は、インジウムス
ズ酸化物、ポリアニリン等の電子導電性高分子等により形成されている。
The front-side electrode substrate 13 includes a transparent substrate 19 having flexibility, and a transparent common electrode layer 20 is formed on the lower surface thereof. The transparent substrate 19 is formed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin material excellent in transparency and flexibility, for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, polyethylene, and the like. The transparent common electrode layer 20 is formed of an electronically conductive polymer such as indium tin oxide or polyaniline.

前記表示層14は、脂肪族アクリレート等のバインダ21によって一体化された多数の
マイクロカプセル22によって構成されている。マイクロカプセル22には、電気泳動分
散媒23と、電気泳動粒子24とが封入されている。電気泳動粒子24は、マイクロカプ
セル22に印可された電界の向きに応じて電気泳動分散媒23中を泳動する。マイクロカ
プセル22は、例えばアラビアゴム・ゼラチン系化合物、ウレタン系化合物等により形成
されている。電気泳動分散媒23は、例えば水、メタノール、エタノール等からなり、電
気泳動粒子24は、例えばアニリンブラック、カーボンブラック、二酸化チタン等により
形成されている。
The display layer 14 includes a large number of microcapsules 22 integrated with a binder 21 such as aliphatic acrylate. An electrophoretic dispersion medium 23 and electrophoretic particles 24 are enclosed in the microcapsule 22. The electrophoretic particles 24 migrate in the electrophoretic dispersion medium 23 according to the direction of the electric field applied to the microcapsules 22. The microcapsules 22 are made of, for example, gum arabic / gelatin compounds, urethane compounds, or the like. The electrophoretic dispersion medium 23 is made of, for example, water, methanol, ethanol, or the like, and the electrophoretic particles 24 are made of, for example, aniline black, carbon black, titanium dioxide, or the like.

この表示装置11は、正面側電極基板13側を凸にして円柱面状に湾曲した(すなわち
反った)形態を備えている。すなわち、この表示装置11は、所定の曲率半径で湾曲形成
されている。
The display device 11 has a form that is curved (that is, warped) into a cylindrical surface with the front electrode substrate 13 side convex. That is, the display device 11 is curved with a predetermined radius of curvature.

次に、上記のように構成されたこの実施形態の製造方法について図2〜図5を参照して
説明する。
まず、表示装置11を実際に作製する前に、作製しようとする表示装置11の曲率半径
を所望の許容可能な値に決定する。そして、その曲率半径の表示装置11を作製するため
の条件を、次式(1)を用いて設定する。この条件とは、所望の曲率半径ρを決定する以
下の要素である。すなわち、この要素は、ガラス基板17の厚さa1、弾性率E1及び熱
膨張係数α1と、背面基板15の厚さa2、弾性率E2及び熱膨張係数α2と、張り合わ
された背面基板15及びガラス基板17を加熱(焼成)するときの加熱温度(焼成温度)
T1とよりなる。
Next, the manufacturing method of this embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS.
First, before actually manufacturing the display device 11, the radius of curvature of the display device 11 to be manufactured is determined to be a desired allowable value. And the conditions for producing the display apparatus 11 of the curvature radius are set using following Formula (1). This condition is the following element that determines the desired radius of curvature ρ. That is, this element includes the thickness a1, the elastic modulus E1, and the thermal expansion coefficient α1 of the glass substrate 17, the thickness a2, the elastic modulus E2, and the thermal expansion coefficient α2 of the back substrate 15, and the back substrate 15 and the glass bonded together. Heating temperature (firing temperature) when heating (firing) the substrate 17
It consists of T1.

Figure 2008216622
ここで、h=a1+a2、m=a1/a2、n=E1/E2であり、T0は基板温度で
ある。なお、基板温度T0は、所定の雰囲気温度下に一定時間以上放置されたときの背面
基板15及びガラス基板17の温度であって、そのときの雰囲気温度と同じ温度である。
Figure 2008216622
Here, h = a1 + a2, m = a1 / a2, n = E1 / E2, and T0 is the substrate temperature. The substrate temperature T0 is the temperature of the back substrate 15 and the glass substrate 17 when left at a predetermined atmospheric temperature for a predetermined time or more, and is the same temperature as the atmospheric temperature at that time.

すなわち、所定の基板温度T0において形成される表示装置11の曲率半径ρは、接着
層18を介して接合されるガラス基板17及び背面基板15の各厚さa1,a2、弾性率
E1,E2及び熱膨張係数α1,α2と、両基板15,17の接合時の加熱温度T1とに
対して式(1)で表される関係を有している。ここで接着層18は、その厚さが背面基板
15及びガラス基板17に比較して相対的に十分薄いことから、表示装置11の湾曲(反
り)に対する接着層18の力学的なマイナス面の寄与は殆ど無視できる。また、正面側電
極基板13及び表示層14は、その弾性率が背面基板15及びガラス基板17に比較して
十分に小さいことから、表示装置11の湾曲に対する力学的なマイナス面の寄与は殆ど無
視できる。従って、ガラス基板17及び背面基板15の各厚さa1,a2、弾性率E1,
E2及び熱膨張係数α1,α2と、両基板15,17の加熱温度T1とを、作製しようと
する表示装置11の曲率半径ρに応じて設定することにより、所望の曲率半径ρを有する
表示装置11を作製することができる。
That is, the radius of curvature ρ of the display device 11 formed at a predetermined substrate temperature T0 is the thickness a1, a2 of each of the glass substrate 17 and the back substrate 15 bonded via the adhesive layer 18, the elastic modulus E1, E2, and The thermal expansion coefficients α1 and α2 and the heating temperature T1 at the time of joining the two substrates 15 and 17 have a relationship represented by the formula (1). Here, since the thickness of the adhesive layer 18 is relatively sufficiently thin as compared with the back substrate 15 and the glass substrate 17, the contribution of the mechanical negative surface of the adhesive layer 18 to the curvature (warp) of the display device 11. Is almost negligible. Further, since the elastic modulus of the front electrode substrate 13 and the display layer 14 is sufficiently smaller than that of the rear substrate 15 and the glass substrate 17, the contribution of the mechanical negative surface to the curvature of the display device 11 is almost ignored. it can. Therefore, each thickness a1, a2 of the glass substrate 17 and the back substrate 15 and the elastic modulus E1,
A display device having a desired radius of curvature ρ by setting E2 and thermal expansion coefficients α1 and α2 and the heating temperature T1 of both substrates 15 and 17 according to the radius of curvature ρ of the display device 11 to be manufactured. 11 can be produced.

次に、背面側電極基板12を作製するために、背面基板15の一表面に対し、接着層1
8を形成するための接着フィルム(接着材)を例えばロールラミネータによって貼り付け
る。また、図3に示すように、ガラス基板17上に、例えば真空蒸着、スパッタリング、
化学気相成長(CVD)等により半導体回路層16を形成し、その後、半導体回路層16
が形成されたガラス基板17を、ウェットエッチング処理によって例えば100μmまで
薄くする。
Next, in order to produce the back-side electrode substrate 12, the adhesive layer 1 is applied to one surface of the back substrate 15.
The adhesive film (adhesive material) for forming 8 is stuck by a roll laminator, for example. Further, as shown in FIG. 3, on the glass substrate 17, for example, vacuum deposition, sputtering,
The semiconductor circuit layer 16 is formed by chemical vapor deposition (CVD) or the like, and then the semiconductor circuit layer 16
The glass substrate 17 on which is formed is thinned to, for example, 100 μm by wet etching.

次に、図4に示すように、背面基板15上の接着フィルム25の上に、ガラス基板17
を貼り付ける。このとき、例えばロールラミネータを用い、背面基板15及びガラス基板
17を例えば100℃まで加熱した状態で加圧して貼り合わせる。なお、接着フィルム2
5を用いる代わりに、加熱によって背面基板15の表面を溶融させ、溶融状態となった表
面にガラス基板17を直接貼り合わせてもよい。
Next, as shown in FIG. 4, the glass substrate 17 is placed on the adhesive film 25 on the back substrate 15.
Paste. At this time, for example, using a roll laminator, the back substrate 15 and the glass substrate 17 are pressed and bonded together while being heated to, for example, 100 ° C. Adhesive film 2
Instead of using 5, the surface of the back substrate 15 may be melted by heating, and the glass substrate 17 may be directly bonded to the molten surface.

次に、接着フィルムを介して貼り合わせた背面基板15及びガラス基板17をオーブン
に入れて例えば120℃の加熱温度T1で1時間の加熱(焼成)を行い、その後、常温下
で冷却させる。この工程により、接着フィルム25を加熱によって一旦溶融させ、その後
冷却によってこの接着材を硬化させて接着層18を形成し、この接着層18によって背面
基板15及びガラス基板17を接合する。この結果、接合された背面基板15及びガラス
基板17は、厚さa1,a2、弾性率E1,E2及び熱膨張係数α1,α2のそれぞれの
差と、加熱温度T1とに基づき、所定の曲率で自ら湾曲するとともにその湾曲状態で固定
される。
Next, the back substrate 15 and the glass substrate 17 bonded together through the adhesive film are put in an oven and heated (baked) for 1 hour at a heating temperature T1 of 120 ° C., for example, and then cooled at room temperature. In this step, the adhesive film 25 is once melted by heating, and then the adhesive is cured by cooling to form the adhesive layer 18. The back substrate 15 and the glass substrate 17 are bonded by the adhesive layer 18. As a result, the joined back substrate 15 and glass substrate 17 have a predetermined curvature based on the differences between the thicknesses a1 and a2, the elastic moduli E1 and E2, and the thermal expansion coefficients α1 and α2, and the heating temperature T1. It bends itself and is fixed in its curved state.

一方、正面側電極基板13を作製するために、透明基板19の一表面に対し、例えばス
パッタリングによって透明共通電極層20を形成する。
次に、透明基板19の透明共通電極層20上に、マイクロカプセル22とバインダ21
との混合液を例えばロールコータにより均一に塗布し、その後、前記混合液が塗布された
透明基板19を所定温度で所定時間乾燥させて透明共通電極層20上に表示層14を形成
する。
On the other hand, in order to produce the front electrode substrate 13, the transparent common electrode layer 20 is formed on one surface of the transparent substrate 19 by, for example, sputtering.
Next, the microcapsule 22 and the binder 21 are formed on the transparent common electrode layer 20 of the transparent substrate 19.
The transparent substrate 19 to which the mixed solution is applied is dried at a predetermined temperature for a predetermined time to form the display layer 14 on the transparent common electrode layer 20.

最後に、図5に示すように、背面側電極基板12の半導体回路層16上に、表示層14
が形成された正面側電極基板13を貼り付ける。このとき、例えばロールラミネータを用
い、背面側電極基板12及び正面側電極基板13を例えば100℃まで加熱するとともに
、背面側電極基板12を平面状に延ばした状態で加圧して接合させる。
Finally, as shown in FIG. 5, the display layer 14 is formed on the semiconductor circuit layer 16 of the back-side electrode substrate 12.
The front-side electrode substrate 13 on which is formed is affixed. At this time, for example, using a roll laminator, the back side electrode substrate 12 and the front side electrode substrate 13 are heated to, for example, 100 ° C., and the back side electrode substrate 12 is pressed and bonded in a state of extending in a planar shape.

以上の工程により、表示装置11が作製される。この表示装置11は、ガラス基板17
及び背面基板15の各厚さa1,a2、弾性率E1,E2及び熱膨張係数α1,α2と、
張り合わされた背面基板15及びガラス基板17を加熱するときの加熱温度T1とから、
前記式(1)に従って求められる曲率半径ρを有する。この表示装置11は、図2に示す
ように、その長さLに応じて、次式(2)によって求められる反り量Wを有する。
The display device 11 is manufactured through the above steps. The display device 11 includes a glass substrate 17.
And each thickness a1, a2, elastic modulus E1, E2 and thermal expansion coefficient α1, α2 of the back substrate 15,
From the heating temperature T1 when heating the bonded back substrate 15 and glass substrate 17,
It has a radius of curvature ρ determined according to the equation (1). As shown in FIG. 2, the display device 11 has a warp amount W obtained by the following equation (2) according to its length L.

Figure 2008216622
以上のように製造されたこの実施形態は、以下の効果を有する。
Figure 2008216622
This embodiment manufactured as described above has the following effects.

(1) 表示装置11を設置しようとする円柱の外周の曲率半径と同じ曲率半径ρで湾
曲した表示装置11を作製することができるので、従来の表示装置とは異なり、作製後の
表示装置11を無理に湾曲させることなく円柱の周面に沿わせて容易に設置することがで
きる。
(1) Since the display device 11 curved with the same radius of curvature ρ as the radius of curvature of the outer periphery of the cylinder on which the display device 11 is to be installed can be manufactured, the display device 11 after manufacture is different from the conventional display device. Can be easily installed along the circumferential surface of the cylinder without forcibly bending.

(2) ガラス基板17及び背面基板15の各厚さa1,a2、弾性率E1,E2及び
熱膨張係数α1,α2と、両基板15,17の接合時の加熱温度T1を設定することによ
り、特別な製造工程、すなわち表示装置11に対して力学的な外力を加えるような製造工
程を設ける必要はなく、所望の曲率半径ρで湾曲した表示装置11を得ることができる。
(2) By setting each thickness a1, a2, elastic modulus E1, E2 and thermal expansion coefficient α1, α2 of the glass substrate 17 and the back substrate 15, and a heating temperature T1 at the time of joining both the substrates 15, 17, There is no need to provide a special manufacturing process, that is, a manufacturing process in which a dynamic external force is applied to the display device 11, and the display device 11 curved with a desired curvature radius ρ can be obtained.

なお、この実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ この発明を、図6に示すように、マイクロカプセル22を用いない構成の電気泳動
表示層14を備えた表示装置11に具体化すること。すなわち、この電気泳動表示層14
は、背面側電極基板12上に形成された枠30の多数の室31に電気泳動分散媒23及び
電気泳動粒子24よりなる電気泳動分散液が充填されて構成されている。なお、枠30は
、フォトレジストやオフセット印刷により、背面基板15の半導体回路層16上に形成さ
れている。また、電気泳動分散液は、例えば液滴吐出法(インクジェット法)により枠3
0の各室31に充填されている。
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
As shown in FIG. 6, the present invention is embodied in a display device 11 that includes an electrophoretic display layer 14 that does not use a microcapsule 22. That is, this electrophoretic display layer 14
Is configured by filling an electrophoretic dispersion liquid composed of the electrophoretic dispersion medium 23 and the electrophoretic particles 24 into a large number of chambers 31 of a frame 30 formed on the back-side electrode substrate 12. The frame 30 is formed on the semiconductor circuit layer 16 of the back substrate 15 by photoresist or offset printing. In addition, the electrophoretic dispersion liquid can be produced by, for example, a frame 3 by a droplet discharge method (inkjet method).
Each of the zero chambers 31 is filled.

・ 半導体回路層16に代えて、複数の電極と、この各電極に通電するための配線とに
より構成された受動型駆動方式の回路を設けた表示装置11に具体化すること。
・ この発明を、球状ツイストボール、磁気ツイストボール又は円柱ツイストボールを
用いた粒子回転方式の粒子方式表示層を備えた表示装置に具体化すること。
Instead of the semiconductor circuit layer 16, the present invention is embodied in the display device 11 provided with a circuit of a passive drive system configured by a plurality of electrodes and wiring for energizing each electrode.
The present invention is embodied in a display device including a particle rotation type particle display layer using a spherical twist ball, a magnetic twist ball, or a cylindrical twist ball.

また、帯電トナー又は電子粉流体を用いた粒子移動方式の粒子方式表示層を備えた表示
装置に具体化すること。
また、磁気泳動型又は磁気感熱型の磁気泳動方式の粒子方式表示層を備えた表示装置に
具体化すること。
Further, the present invention is embodied in a display device including a particle movement type particle display layer using a charged toner or an electronic powder fluid.
Further, the present invention is embodied in a display device including a magnetophoresis type or magneto-sensitive type electrophoretic particle display layer.

・ この発明を、表示層として液晶表示部を備えた表示装置に具体化すること。
・ この発明を、表示層として有機エレクトロ・ルミネッセンス表示部を備えた表示装
置に具体化すること。
-The present invention is embodied in a display device including a liquid crystal display unit as a display layer.
-The present invention is embodied in a display device having an organic electroluminescence display section as a display layer.

一実施形態の表示装置を示す模式縦断面図。The schematic longitudinal cross-sectional view which shows the display apparatus of one Embodiment. 反りを説明するための表示装置の模式図。The schematic diagram of the display apparatus for demonstrating curvature. 表示装置の製造工程を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of a display apparatus. 表示装置の製造工程を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of a display apparatus. 表示装置の製造工程を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the manufacturing process of a display apparatus. 他の実施形態の表示装置を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the display apparatus of other embodiment. 従来の表示装置を示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the conventional display apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

11…表示装置、14…表示層としての電気泳動表示層、15…背面基板、16…画素
電極配線層としての半導体回路層、17…ガラス基板、19…透明基板、20…透明共通
電極層、23…電気泳動分散媒、24…電気泳動粒子、a1,a2…厚さ、E1,E2…
弾性率、T0…基板温度、T1…加熱温度、α1,α2…熱膨張係数、ρ…曲率半径。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Display apparatus, 14 ... Electrophoretic display layer as a display layer, 15 ... Back substrate, 16 ... Semiconductor circuit layer as a pixel electrode wiring layer, 17 ... Glass substrate, 19 ... Transparent substrate, 20 ... Transparent common electrode layer, 23 ... electrophoretic dispersion medium, 24 ... electrophoretic particles, a1, a2 ... thickness, E1, E2 ...
Elastic modulus, T0: substrate temperature, T1: heating temperature, α1, α2: thermal expansion coefficient, ρ: radius of curvature.

Claims (7)

表示層を駆動するための画素電極配線層をガラス基板上に形成し、前記ガラス基板と背
面基板とを加熱して接合する表示装置の製造方法において、
前記ガラス基板及び背面基板の各厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、同ガラス基板及び背
面基板を加熱して接合するときの加熱温度と、接合された両基板の曲率半径との関係に基
づき、所望の曲率半径に応じて、前記各基板の厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、前記加熱
温度とを設定することを特徴とする表示装置の製造方法。
In a manufacturing method of a display device in which a pixel electrode wiring layer for driving a display layer is formed on a glass substrate, and the glass substrate and the back substrate are heated and bonded.
Based on the relationship between each thickness, elastic modulus and thermal expansion coefficient of the glass substrate and the back substrate, the heating temperature when the glass substrate and the back substrate are joined by heating, and the radius of curvature of the joined substrates. A method of manufacturing a display device, wherein the thickness, elastic modulus, thermal expansion coefficient, and heating temperature of each substrate are set according to a desired radius of curvature.
前記ガラス基板及び背面基板の各厚さ、弾性率及び熱膨張係数と、同ガラス基板及び背
面基板を加熱して接合するときの加熱温度と、接合された両基板の曲率半径との関係が、
ガラス基板の厚さをa1、ガラス基板の弾性率をE1、ガラス基板の熱膨張係数をα1、
背面基板の厚さをa2、背面基板の弾性率をE2、背面基板の熱膨張係数をα2、加熱温
度をT1、基板温度をT0、曲率半径をρとするとともに、h=a1+a2、m=a1/
a2、n=E1/E2として、
Figure 2008216622
となるようにすることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
The relationship between the thicknesses of the glass substrate and the back substrate, the modulus of elasticity and the thermal expansion coefficient, the heating temperature when the glass substrate and the back substrate are joined by heating, and the radius of curvature of both the joined substrates,
The thickness of the glass substrate is a1, the elastic modulus of the glass substrate is E1, the thermal expansion coefficient of the glass substrate is α1,
The thickness of the back substrate is a2, the elastic modulus of the back substrate is E2, the thermal expansion coefficient of the back substrate is α2, the heating temperature is T1, the substrate temperature is T0, the radius of curvature is ρ, and h = a1 + a2, m = a1 /
As a2, n = E1 / E2,
Figure 2008216622
The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein:
前記表示層は、電気泳動粒子と、この電気泳動粒子が分散された電気泳動分散媒とによ
り構成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein the display layer includes electrophoretic particles and an electrophoretic dispersion medium in which the electrophoretic particles are dispersed.
前記ガラス基板上に画素電極配線層を形成し、次に、同ガラス基板を所定の厚さまで薄
くした後、同背面基板上にガラス基板を貼り付けることを特徴とする請求項1〜請求項3
のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
4. A pixel electrode wiring layer is formed on the glass substrate, and then the glass substrate is thinned to a predetermined thickness, and then the glass substrate is attached to the rear substrate.
The manufacturing method of the display apparatus as described in any one of these.
前記背面基板とガラス基板とを、所定温度まで加熱した状態で加圧して貼り合わせるこ
とを特徴とする請求項4に記載の表示装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a display device according to claim 4, wherein the back substrate and the glass substrate are pressed and bonded together while being heated to a predetermined temperature.
透明基板上に透明共通電極層を形成し、次に、この透明共通電極層上に前記表示層を形
成した後、接合された前記背面基板及びガラス基板の画素電極配線層上に同透明基板を貼
り付けることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の表示装置の製造方法。
A transparent common electrode layer is formed on the transparent substrate, and then the display layer is formed on the transparent common electrode layer, and then the transparent substrate is formed on the pixel electrode wiring layer of the bonded back substrate and glass substrate. The method for manufacturing a display device according to claim 4, wherein the display device is attached.
前記背面基板及びガラス基板と、前記透明基板とを、所定温度まで加熱した状態で加圧
して接合させることを特徴とする請求項6に記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein the back substrate, the glass substrate, and the transparent substrate are pressed and bonded while being heated to a predetermined temperature.
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JP2023500080A (en) * 2019-11-04 2023-01-04 イー インク コーポレイション A three-dimensional color-changing object comprising a light-transmissive substrate and an electrophoretic medium
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