JP2008135430A - High-frequency module - Google Patents

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JP2008135430A
JP2008135430A JP2006318248A JP2006318248A JP2008135430A JP 2008135430 A JP2008135430 A JP 2008135430A JP 2006318248 A JP2006318248 A JP 2006318248A JP 2006318248 A JP2006318248 A JP 2006318248A JP 2008135430 A JP2008135430 A JP 2008135430A
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Masaaki Noda
雅明 野田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem wherein a high-frequency module cannot be miniaturized when mounting an inductor having a large inductance value. <P>SOLUTION: On one surface of a substrate 2, a high-frequency circuit including a chip inductor 3a is composed, and a metallic shield cover 4 is attached to the substrate 2 while the high-frequency circuit is covered. A choke coil 7, which has an inductance value larger than that of the chip inductor 3a, is formed at a ceiling surface section 4a of at least the shield cover 4, and a connection terminal 8a provided at both the ends of the choke coil 7 is connected to the substrate 2, thus dispensing with space for mounting the choke coil 7 requiring a large inductance value on the substrate. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、大型のインダクタが搭載される高周波モジュールに関するものである。   The present invention relates to a high frequency module on which a large inductor is mounted.

以下、従来の高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールにおいて、基板の一方の面上には、複数の電子部品が搭載され、回路が形成されている。この回路には高周波信号を処理する高周波回路を含んでいる。そして、基板には、回路全体を覆うために金属製のシールドカバーが装着される。   Hereinafter, a conventional high-frequency module will be described. In a conventional high-frequency module, a plurality of electronic components are mounted on one surface of a substrate to form a circuit. This circuit includes a high frequency circuit for processing a high frequency signal. A metal shield cover is attached to the substrate to cover the entire circuit.

なお電子部品には大きなインダクタンス値のインダクタを含み、このインダクタも基板上に搭載されている。そしてこのような高周波モジュールにおいて、インダクタには例えば4.7マイクロヘンリーのように大きなインダクタンス値のインダクタが用いられている。   The electronic component includes an inductor having a large inductance value, and this inductor is also mounted on the substrate. In such a high-frequency module, an inductor having a large inductance value such as 4.7 microhenry is used as the inductor.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、2が知られている。
特開2001−36341号公報 特開2003−347129号公報
As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Documents 1 and 2 are known.
JP 2001-36341 A JP 2003-347129 A

しかしながら、例えば4.7マイクロヘンリーのような大きなインダクタンス値のインダクタはサイズが大きく、高周波モジュールが大型化するという課題を有していた。   However, for example, an inductor having a large inductance value such as 4.7 microhenry has a problem that the size is large and the high-frequency module is enlarged.

そこで本発明は、この問題を解決したもので、小型の高周波モジュールを提供することを目的としたものである。   SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves this problem and aims to provide a small high-frequency module.

この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第1のインダクタと、この第1のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第2のインダクタとを備え、前記第2のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第2のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続するものである。これにより所期の目的を達成できる。   In order to achieve this object, a high-frequency module according to the present invention is provided on a substrate, a high-frequency circuit configured on one surface of the substrate, a metal shield cover that covers the high-frequency circuit, and the high-frequency circuit. A first inductor; and a second inductor having an inductance value larger than that of the first inductor, wherein the second inductor is formed at least on a top surface of the shield cover, and the second inductor The connection terminals provided at both ends of the are connected to the substrate. This achieves the intended purpose.

以上のように本発明によれば、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第1のインダクタと、この第1のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第2のインダクタとを備え、前記第2のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第2のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続する高周波モジュールである。   As described above, according to the present invention, the substrate, the high-frequency circuit configured on one surface of the substrate, the metal shield cover that covers the high-frequency circuit, and the first inductor provided in the high-frequency circuit And a second inductor having an inductance value larger than the inductance value of the first inductor, the second inductor being formed at least on the top surface of the shield cover and provided at both ends of the second inductor. A high-frequency module for connecting the connected terminal to the substrate.

これにより、大きなインダクタンス値が必要なインダクタはシールドカバー上に設けられるので、基板には第2のインダクタを実装するスペースが不要とできる。従って、高周波モジュールを小型化できるという効果がある。   As a result, an inductor that requires a large inductance value is provided on the shield cover, so that a space for mounting the second inductor on the substrate can be eliminated. Therefore, there is an effect that the high-frequency module can be reduced in size.

(実施の形態1)
以下、本実施の形態について、図面を用いて説明する。図1(a)は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図1(b)は、同、側面図であり、図2は同、断面図である。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. 1A is a top view of the high-frequency module according to the present embodiment, FIG. 1B is a side view thereof, and FIG. 2 is a cross-sectional view thereof.

図1から図2において、高周波モジュール1は、デジタル地上波放送を受信するチューナ(高周波回路の一例として用いた)であり、主に携帯電話のような携帯機器に搭載される。   1 to 2, a high-frequency module 1 is a tuner (used as an example of a high-frequency circuit) that receives digital terrestrial broadcasting, and is mainly mounted on a portable device such as a mobile phone.

このチューナには、高周波回路ブロックと復調回路ブロックとを有し、それらの回路ブロックは互いに異なった電圧により動作する。一方携帯機器のバッテリー電圧は約3.6Vである。そして高周波モジュール1の電源端子には、このバッテリーの電圧が直接供給される。そこで高周波モジュール1には、バッテリーから供給された単一の電圧を、それぞれの回路ブロックへ適する電圧へ変換するための電源回路を設ける。この電源回路では、入力された3.6Vの電圧から2.8Vと1.2Vの電圧へと降下させて出力する。   This tuner has a high-frequency circuit block and a demodulation circuit block, and these circuit blocks operate with different voltages. On the other hand, the battery voltage of the portable device is about 3.6V. The battery voltage is directly supplied to the power supply terminal of the high-frequency module 1. Therefore, the high frequency module 1 is provided with a power supply circuit for converting a single voltage supplied from the battery into a voltage suitable for each circuit block. In this power supply circuit, the input voltage is dropped from the input voltage of 3.6V to 2.8V and 1.2V and output.

ここでRF回路ブロックは2.8Vで動作する。そこで、3.6Vの電圧から2.8Vの電圧への変換には、LDOレギュレータを用いる。一方、復調回路ブロックは、デジタルICに対するプロセスの微細化が進み低電圧駆動化され、1.2Vの電圧で動作する。そこで、この変換には変換効率が良好であり、携帯機器の消費電力を小さくできるDC−DCコンバータを用いる。   Here, the RF circuit block operates at 2.8V. Therefore, an LDO regulator is used for conversion from a voltage of 3.6V to a voltage of 2.8V. On the other hand, the demodulating circuit block is driven at a low voltage by the miniaturization of the process for the digital IC, and operates at a voltage of 1.2V. Therefore, a DC-DC converter that has good conversion efficiency and can reduce power consumption of the portable device is used for this conversion.

次に高周波モジュール1の構成について説明する。基板2の上面には、複数の電子部品3が搭載されチューナと電源回路とが構成される。この電子部品3には、比較的小さなインダクタのチップインダクタ3aであるとか、チップコンデンサあるいは半導体素子が含まれている。そして基板2には、少なくともチューナをシールドするために、これらのチューナとDC−DCコンバータとの回路を覆うように金属製のシールドカバー4が装着される。このシールドカバー4には電子部品3の上方に配置された天面部4aと、この天面部4aの向かい合う2つの端部のそれぞれから下方へ折り曲げて形成された縦側面部4bと、この縦側面部4bの先端から下方へ延在して設けられた脚部4cとを有している。さらに、シールドカバー4には、それぞれの縦側面部4bの両側端から折り曲げて形成された横側面部4dを有し、この横側面部4dの先端にも下方へ向かって延在された脚部4cが設けられる。なお、本実施の形態では、両縦側面部4bから横側面部4dを形成したが、これはいずれか一方から形成しても良い。   Next, the configuration of the high frequency module 1 will be described. A plurality of electronic components 3 are mounted on the upper surface of the substrate 2 to constitute a tuner and a power supply circuit. The electronic component 3 includes a chip inductor 3a that is a relatively small inductor, a chip capacitor, or a semiconductor element. In order to shield at least the tuner, a metallic shield cover 4 is attached to the substrate 2 so as to cover the circuit between the tuner and the DC-DC converter. The shield cover 4 has a top surface portion 4a disposed above the electronic component 3, a vertical side surface portion 4b formed by bending downward from each of two opposing end portions of the top surface portion 4a, and the vertical side surface portion. 4b and a leg 4c extending downward from the tip of 4b. Further, the shield cover 4 has a lateral side surface portion 4d formed by bending from both side ends of the respective longitudinal side surface portions 4b, and leg portions extending downward also at the distal ends of the lateral side surface portions 4d. 4c is provided. In the present embodiment, the lateral side surface portion 4d is formed from both the vertical side surface portions 4b, but this may be formed from either one.

ここで基板2の側面には切欠き5aが設けられる。そして、縦側面部4bと横側面部4dの脚部4cが切欠き5aへ挿入され、この切欠き5aの内周面に形成された導体電極と脚部4cとがはんだ6によって接続される。このように構成によって、電子部品3は縦側面部4bと横側面部4dとによって囲まれ、チューナのシールドがなされる。   Here, a notch 5 a is provided on the side surface of the substrate 2. And the leg part 4c of the vertical side part 4b and the horizontal side part 4d is inserted in the notch 5a, and the conductor electrode and the leg part 4c formed in the inner peripheral surface of this notch 5a are connected by the solder 6. FIG. With this configuration, the electronic component 3 is surrounded by the vertical side surface portion 4b and the horizontal side surface portion 4d, and the tuner is shielded.

次にDC−DCコンバータのチョークコイル7(インダクタの一例として用いた)について説明する。チューナを構成するチップインダクタ3aのインダクタンス値は小さいが、一般にDC−DCコンバータのチョークコイル7には大きなインダクタンスが必要である。そこで本実施の形態におけるチョークコイル7は、耐熱性の絶縁被覆を有した導線8を天面部4aに巻き回す。そして導線8の両端には、基板2と接続するための接続端子8aが形成される。この接続端子8aは絶縁被覆が剥離された領域であり、この接続端子8aが基板2側面に設けられた切欠き5bへ挿入され、はんだ6によって接続される。このようにチョークコイル7は基板2の側面で接続されるので、接続の良否判定が容易である。また、孔に挿入する必要もないので、生産性も良好とできる。   Next, the choke coil 7 (used as an example of an inductor) of the DC-DC converter will be described. Although the inductance value of the chip inductor 3a constituting the tuner is small, the choke coil 7 of the DC-DC converter generally needs a large inductance. Therefore, choke coil 7 in the present embodiment winds conductive wire 8 having a heat-resistant insulating coating around top surface portion 4a. At both ends of the conductive wire 8, connection terminals 8 a for connecting to the substrate 2 are formed. This connection terminal 8 a is a region where the insulation coating has been peeled off, and this connection terminal 8 a is inserted into a notch 5 b provided on the side surface of the substrate 2 and connected by solder 6. Since the choke coil 7 is connected on the side surface of the substrate 2 in this way, it is easy to determine whether or not the connection is good. Moreover, since it is not necessary to insert in a hole, productivity can also be made favorable.

このように、チョークコイル7は面積の広いシールドカバー4の天面部4aへ巻いて形成されるので、大きなインダクタンス値を得ることができる。なお、本実施の形態におけるシールドカバー4には洋白を用いたが、これは他の材料を用いても良い。ただし、シールドカバーの材料としては、高周波信号の遮蔽と、大きなインダクタンスの形成が可能であることが必要である。そこで、洋白に代えて、例えばパーマアロイ(Fe−Ni合金)や珪素鋼板(Fe−Si合金)のような高透磁率の材料を用いれば、さらに大きなインダクタンス値のインダクタを形成できる。特に、Co−Fe−Mn−Cr−Si−Bに代表されるような非鉄系のアモルファス合金を用いれば、インダクタを流れる信号によって発生する渦電流を抑制できるので、信号の損失が小さくできる。つまり、このインダクタをDC−DCコンバータのチョークコイル7として用いた場合、高効率のDC−DCコンバータを実現できるので、消費電力の小さな高周波モジュール1を実現できる。また、このインダクタをフィルタに用いれば、信号損失の小さいフィルタを得ることができる。   Thus, since the choke coil 7 is formed by being wound around the top surface portion 4a of the shield cover 4 having a large area, a large inductance value can be obtained. In addition, although the white was used for the shield cover 4 in this Embodiment, you may use another material for this. However, the material of the shield cover needs to be capable of shielding high frequency signals and forming a large inductance. Therefore, if a material having a high magnetic permeability such as permalloy (Fe—Ni alloy) or silicon steel plate (Fe—Si alloy) is used instead of the white and white, an inductor having a larger inductance value can be formed. In particular, when a non-ferrous amorphous alloy such as Co—Fe—Mn—Cr—Si—B is used, eddy currents generated by a signal flowing through the inductor can be suppressed, so that signal loss can be reduced. That is, when this inductor is used as the choke coil 7 of the DC-DC converter, a high-efficiency DC-DC converter can be realized, so that the high-frequency module 1 with low power consumption can be realized. If this inductor is used as a filter, a filter with a small signal loss can be obtained.

以上の構成によって、チョークコイル7はシールドカバー4に形成されるので、基板2上にチョークコイル7を配置する必要がない。従って、高周波モジュール1の面積を小さくできる。さらに、導線8を天面部4aへ巻き回しているので、チョークコイル7の高さ方向の寸法も小さくできる。従って、厚みの薄い高周波モジュール1を実現できる。   With the above configuration, the choke coil 7 is formed on the shield cover 4, so there is no need to dispose the choke coil 7 on the substrate 2. Therefore, the area of the high frequency module 1 can be reduced. Furthermore, since the conducting wire 8 is wound around the top surface portion 4a, the height dimension of the choke coil 7 can be reduced. Therefore, the thin high frequency module 1 can be realized.

なお本実施の形態において、シールドカバー4の表側における中心近傍は導線8の不設部9としている。つまり、天面部4aへ導線8を巻き回すときに、この不設部9の領域では導線8がシールドカバー4の内側を通るようにするわけである。これによってシールドカバー4の中央部では、平坦な天面部4aが露出することとなる。従って、この高周波モジュール1をマザー基板へ実装する場合、この不設部9を吸着して実装が可能となる。このように平坦な天面部4aを吸着できるので、汎用の実装装置で容易に実装することができる。   In the present embodiment, the vicinity of the center on the front side of the shield cover 4 is a non-installed portion 9 of the conducting wire 8. That is, when the conducting wire 8 is wound around the top surface portion 4 a, the conducting wire 8 passes through the inside of the shield cover 4 in the region of the non-installed portion 9. As a result, the flat top surface portion 4a is exposed at the central portion of the shield cover 4. Therefore, when the high frequency module 1 is mounted on the mother board, it is possible to mount the high-frequency module 1 by sucking the non-installed portion 9. Thus, since the flat top surface part 4a can be adsorbed, it can be easily mounted with a general-purpose mounting apparatus.

また、シールドカバー4はプレス加工によって成形されるので、切断箇所にはバリが生じる。そこで、天面部4aにおける切断部10には、樹脂製の絶縁シートを貼り付けている。これにより、導線8と天面部4aとの間には、絶縁シートが挟まれることとなるので、シールドカバー4加工時のバリによってシールドカバー4と導線8とが短絡し難くなる。   Further, since the shield cover 4 is formed by press working, burrs are generated at the cut portions. Therefore, a resin insulating sheet is attached to the cut portion 10 in the top surface portion 4a. Thereby, since the insulating sheet is sandwiched between the conductor 8 and the top surface portion 4a, it is difficult for the shield cover 4 and the conductor 8 to be short-circuited by burrs when the shield cover 4 is processed.

次に高周波モジュール1の製造方法について説明する。最初に基板2へ電子部品3を実装し、はんだなどによって接続する。一方シールドカバー4をプレス加工する。ただしこのときには、縦側面部4bの折り曲げは行われていない。このシールドカバー4をコイル巻き線の設備へ装着し、天面部4aへ導線8を巻き回す。そして、導線8を中央近傍まで巻き回すと、シールドカバー4の内面を通して、シールドカバー4の表面に導線8の不設部9を形成させる。なお、導線8は、予め所定の間隔で絶縁被覆が剥がされ、所定の回数巻き回されると、導線8が切断される。そしてその後で、両縦側面部4bが折り曲げられて、チョークコイル7が形成されたシールドカバー4が完成する。このように縦側面部4bを後で折り曲げることによって、導線8を天面部4aへ容易に巻き回し易くなる。   Next, the manufacturing method of the high frequency module 1 is demonstrated. First, the electronic component 3 is mounted on the substrate 2 and connected by soldering or the like. On the other hand, the shield cover 4 is pressed. However, at this time, the vertical side surface portion 4b is not bent. The shield cover 4 is attached to a coil winding facility, and the conductive wire 8 is wound around the top surface portion 4a. Then, when the conducting wire 8 is wound to the vicinity of the center, the non-installed portion 9 of the conducting wire 8 is formed on the surface of the shield cover 4 through the inner surface of the shield cover 4. In addition, the conducting wire 8 is cut | disconnected when the insulation coating is stripped in advance at a predetermined interval and the conductive wire 8 is wound a predetermined number of times. After that, both the vertical side surface parts 4b are bent, and the shield cover 4 in which the choke coil 7 is formed is completed. Thus, by bending the vertical side surface portion 4b later, the conductive wire 8 can be easily wound around the top surface portion 4a.

このようにして加工されたシールドカバー4は基板2へ装着される。このとき、脚部4cが基板2の切欠き5aに挿入され、一方接続端子8aが切欠き5bへ挿入される。   The shield cover 4 processed in this way is attached to the substrate 2. At this time, the leg 4c is inserted into the notch 5a of the substrate 2, while the connection terminal 8a is inserted into the notch 5b.

そしてその後で、脚部4cと切欠き5aおよび、接続端子8aと切欠き5bとがそれぞれはんだ6によって接続されて、高周波モジュール1が完成する。   Thereafter, the leg portion 4c and the notch 5a, and the connection terminal 8a and the notch 5b are respectively connected by the solder 6, and the high frequency module 1 is completed.

なお、本実施の形態においてチョークコイル7をシールドカバー4に設けたが、これは他のコイルでも良い。例えば、基板2上にAM放送波を受信するチューナ回路を構成したような場合、信号の周波数が低いので入力のフィルタ回路に用いるインダクタのインダクタンス値は大きくなる。従って、大きなコイルが必要となるので、このようなインダクタをシールドカバー4に形成しても良い。   Although the choke coil 7 is provided on the shield cover 4 in the present embodiment, this may be another coil. For example, when a tuner circuit for receiving AM broadcast waves is configured on the substrate 2, the inductance value of the inductor used for the input filter circuit is large because the signal frequency is low. Accordingly, since a large coil is required, such an inductor may be formed on the shield cover 4.

さらに、本実施の形態ではシールドカバー4上に1個のインダクタを形成したが、これは複数個のインダクタを形成しても良い。ただし、この場合においても、不設部9には導線8を巻かないようにすることが必要である。   Furthermore, in the present embodiment, one inductor is formed on the shield cover 4, but a plurality of inductors may be formed. However, even in this case, it is necessary not to wind the conducting wire 8 around the non-installed portion 9.

(実施の形態2)
以下、本実施の形態における高周波モジュール21について図面を用いて説明する。図3(a)は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図3(b)は、同側面図であり、図4は、シールドカバーの側面図である。なお、これらの図3から図4において、図1や図2と同じものには、同じ番号を用い、その説明は簡略化している。
(Embodiment 2)
Hereinafter, the high frequency module 21 in the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 3A is a top view of the high-frequency module in the present embodiment, FIG. 3B is a side view thereof, and FIG. 4 is a side view of the shield cover. 3 to 4, the same reference numerals are used for the same components as those in FIGS. 1 and 2, and the description thereof is simplified.

図3、図4における高周波モジュール21では、シールドカバー22とシールドカバー23とを有し、導線8はシールドカバー23の天面部23aに巻き回されている。この天面部23aの両端から縦側面部23bが折り曲げられ、この縦側面部23bの先端には脚部23cが設けられている。   The high frequency module 21 in FIGS. 3 and 4 includes a shield cover 22 and a shield cover 23, and the conductive wire 8 is wound around the top surface portion 23 a of the shield cover 23. The vertical side surface portion 23b is bent from both ends of the top surface portion 23a, and a leg portion 23c is provided at the tip of the vertical side surface portion 23b.

一方シールドカバー22には、天面部22aと、この天面部22aの四方の端部から折り曲げられた側面部22bと、この側面部22bの先端から延在された脚部22cを有している。ここで、基板2の側面には切欠き5aが設けられ、脚部22cが挿入される。また、基板2の側面には切欠き5cを有し、この切欠き5cには脚部22cと脚部23cとが挿入される。そして脚部22cと脚部23cとは共に、はんだ6で切欠き5cへ固定される。このように脚部22cと脚部23cとは同時に、はんだ6接続することができるので、生産性の良好な高周波モジュール21を得ることができる。   On the other hand, the shield cover 22 has a top surface portion 22a, a side surface portion 22b bent from four ends of the top surface portion 22a, and a leg portion 22c extending from the tip of the side surface portion 22b. Here, a notch 5a is provided on the side surface of the substrate 2, and the leg portion 22c is inserted. Further, the side surface of the substrate 2 has a notch 5c, and a leg portion 22c and a leg portion 23c are inserted into the notch 5c. And both the leg part 22c and the leg part 23c are fixed to the notch 5c with the solder 6. FIG. Thus, since the leg part 22c and the leg part 23c can be simultaneously connected to the solder 6, the high-frequency module 21 with good productivity can be obtained.

ここで、シールドカバー22の天面部22aには、シールドカバー23の天面部23aに対応する孔24が設けられる。なお本実施の形態において、シールドカバー22の高さとシールドカバー23の高さは同じである。以上のような構成により、導線8はシールドカバー23の天面部23aに巻き回されるので、縦側面部22bを折り曲げた状態でも容易に導線8の巻き回しが可能である。従って生産性が良好な高周波モジュールを得ることができる。また、孔24は天面部23aによって塞がれるので、高周波回路をシールドできる。   Here, a hole 24 corresponding to the top surface portion 23 a of the shield cover 23 is provided in the top surface portion 22 a of the shield cover 22. In the present embodiment, the height of the shield cover 22 and the height of the shield cover 23 are the same. With the above configuration, the conducting wire 8 is wound around the top surface portion 23a of the shield cover 23. Therefore, the conducting wire 8 can be easily wound even when the vertical side surface portion 22b is bent. Therefore, a high frequency module with good productivity can be obtained. Further, since the hole 24 is blocked by the top surface portion 23a, the high frequency circuit can be shielded.

なお、本実施の形態では、天面部22aと天面部23aの高さは同じとしたが、天面部22aの内周面の高さを導線8の上端の高さより高くしても良い。このようにすれば、天面部23aを孔24より大きくでき、天面部23aと孔24との間の隙間を小さくできる。従ってさらにシールド性が良好となる。   In the present embodiment, the heights of the top surface portion 22a and the top surface portion 23a are the same, but the height of the inner peripheral surface of the top surface portion 22a may be made higher than the height of the upper end of the conducting wire 8. In this way, the top surface portion 23a can be made larger than the hole 24, and the gap between the top surface portion 23a and the hole 24 can be reduced. Therefore, the shielding property is further improved.

あるいは逆に天面部22aの表面と、導線8の上端の高さとを同じ高さとしても良い。このようにすれば、天面部22aの下には背の高い部品が配置できる。   Or conversely, the surface of the top surface portion 22a and the height of the upper end of the conductor 8 may be the same height. In this way, tall parts can be arranged under the top surface portion 22a.

なおこの場合においても、シールドカバー23の中央部には、不設部9を設けておくことが必要である。   Even in this case, it is necessary to provide the non-installed portion 9 at the center of the shield cover 23.

以上の構成によって、本実施の形態における高周波モジュール21において、チョークコイル7はシールドカバー23に形成されるので、基板2上にチョークコイル7を装着するスペースが不要となる。従って小型の高周波モジュール21が実現できる。   With the above configuration, in the high-frequency module 21 according to the present embodiment, the choke coil 7 is formed on the shield cover 23, so that a space for mounting the choke coil 7 on the substrate 2 becomes unnecessary. Therefore, a small high-frequency module 21 can be realized.

(実施の形態3)
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。図5は、本実施の形態における高周波モジュール31の断面図であり、図6は同、裏から見た要部拡大図である。なおこれらの図5、図6において、図1、図2と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
(Embodiment 3)
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a cross-sectional view of the high-frequency module 31 according to the present embodiment, and FIG. 6 is an enlarged view of a main part viewed from the back side. In FIGS. 5 and 6, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified.

本実施の形態における高周波モジュール31において、チョークコイルはシールドカバー32の内面に形成される。そのためにシールドカバー32の内面に折り曲げ可能なコイル基板33が貼り付けられ、シールドカバー32と一緒に折り曲げられている。なおコイル基板33は、フレキシブル基板の両面に絶縁フィルムが貼り合わされたものであり、このフレキシブル基板の両面には、コイル導体が形成され、このコイル導体同士をスルーホールで接続することでインダクタが形成されている。このようにすることによって、シールドカバー32の内面全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。   In the high frequency module 31 in the present embodiment, the choke coil is formed on the inner surface of the shield cover 32. For this purpose, a foldable coil substrate 33 is attached to the inner surface of the shield cover 32 and is bent together with the shield cover 32. The coil substrate 33 has an insulating film bonded to both sides of a flexible substrate. Coil conductors are formed on both sides of the flexible substrate, and inductors are formed by connecting the coil conductors with through holes. Has been. By doing so, the inductor can be formed using the entire area of the inner surface of the shield cover 32, so that an inductor having a large inductance value can be configured.

ここで、シールドカバー32には天面部32aと、この天面部32aの4つの端部から折り曲げて形成された側面部32bと、この側面部32bの先端から延在して設けられた脚部32c、脚部32dとを有している。ここで脚部32cはコイル基板33上に形成されたインダクタを基板2上の回路へ接続するために用い、脚部32dはシールドカバー32を基板2のグランドと接続するために用いられる。   Here, the shield cover 32 has a top surface portion 32a, a side surface portion 32b formed by bending from the four end portions of the top surface portion 32a, and a leg portion 32c provided extending from the tip of the side surface portion 32b. And a leg portion 32d. Here, the leg portion 32 c is used to connect the inductor formed on the coil substrate 33 to the circuit on the substrate 2, and the leg portion 32 d is used to connect the shield cover 32 to the ground of the substrate 2.

まず、脚部32dにおいては、コイル基板33が貼り合わされておらず、脚部32dが露出している。そしてこの脚部32dは基板の側面に設けられた切欠き5aに挿入され、はんだ6で切欠き5aの内周に設けられた導体電極と接続される。   First, in the leg portion 32d, the coil substrate 33 is not bonded, and the leg portion 32d is exposed. The leg portion 32d is inserted into a notch 5a provided on the side surface of the substrate, and is connected to a conductor electrode provided on the inner periphery of the notch 5a by a solder 6.

一方、脚部32cには、コイル基板33に形成されたインダクタ接続端子33aを設ける。そのためにこの脚部32cにおけるコイル基板33には、最内層の絶縁フィルムを設けず、接続端子33aをフレキシブル基板の内側面に形成する。これにより脚部32cにおいて、接続端子33aが露出する。そこで、この脚部32cを切欠き5bへ挿入し、接続端子33aと切欠き5bの内周に設けられた導体電極とをはんだ6で接続する。   On the other hand, the leg 32c is provided with an inductor connection terminal 33a formed on the coil substrate 33. For this purpose, the innermost insulating film is not provided on the coil substrate 33 in the leg portion 32c, and the connection terminal 33a is formed on the inner surface of the flexible substrate. Thereby, the connection terminal 33a is exposed in the leg part 32c. Therefore, the leg 32c is inserted into the notch 5b, and the connection terminal 33a and the conductor electrode provided on the inner periphery of the notch 5b are connected by the solder 6.

なお、接続端子33aの幅は、脚部32cの幅より狭くする。また、切欠き5bの導体電極の幅は、接続端子33aの幅とほぼ等しくする。これにより、接続端子33aと脚部32cとの間や、脚部32cと導体電極との間ではんだ6が短絡し難くなる。   Note that the width of the connection terminal 33a is narrower than the width of the leg portion 32c. Further, the width of the conductor electrode of the notch 5b is made substantially equal to the width of the connection terminal 33a. This makes it difficult for the solder 6 to be short-circuited between the connection terminal 33a and the leg portion 32c or between the leg portion 32c and the conductor electrode.

以上のような構成によって、基板2上にインダクタを配置するスペースが不要となるので、小型の高周波モジュール31を実現できる。また、インダクタは薄いフィルム状のフレキシブル基板上に形成されるので、インダクタの厚みが薄くできる。従って、薄型の高周波モジュール31を実現できる。   With the above configuration, a space for placing the inductor on the substrate 2 is not necessary, and thus a small high-frequency module 31 can be realized. Further, since the inductor is formed on a thin film flexible substrate, the thickness of the inductor can be reduced. Therefore, a thin high-frequency module 31 can be realized.

さらに、導線などを巻き回す必要がないので、生産性が良好である。さらにまた、接続端子33aが脚部32c上に形成されるので、シールドカバー32の装着と同時に接続端子33aを切欠き5bへ挿入できるので、生産性の良好な高周波モジュール31を実現できる。   Further, since there is no need to wind a conducting wire or the like, the productivity is good. Furthermore, since the connection terminal 33a is formed on the leg portion 32c, the connection terminal 33a can be inserted into the notch 5b simultaneously with the mounting of the shield cover 32, so that the high-frequency module 31 with good productivity can be realized.

それに加えて、インダクタと電子部品3との間は、絶縁フィルムによって絶縁されているので、電子部品3と天面部32aとの間の隙間を小さくできる。従ってさらに薄型の高周波モジュール31を実現できる。   In addition, since the inductor and the electronic component 3 are insulated by an insulating film, the gap between the electronic component 3 and the top surface portion 32a can be reduced. Accordingly, a thinner high-frequency module 31 can be realized.

(実施の形態4)
以下、本実施の形態における高周波モジュール41について、図面を用いて説明する。図7は、本実施の形態における高周波モジュールの断面図であり、図8(a)は同、高周波モジュールに用いるアース端子の上面図であり、図8(b)は、同側面図である。ここで図7、図8において図1、図2と同じものには、同じ番号を用いてその説明は簡略化している。
(Embodiment 4)
Hereinafter, the high frequency module 41 in this Embodiment is demonstrated using drawing. FIG. 7 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the present embodiment, FIG. 8A is a top view of a ground terminal used in the high-frequency module, and FIG. 8B is a side view thereof. 7 and 8, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified.

図7、図8において、アース端子43は、天面部43aと、この天面部43aの端部から4方向に折り曲げて形成された側面43bと、この側面43bの先端から延在して形成された脚部43cとを有している。   7 and 8, the ground terminal 43 is formed by extending the top surface portion 43a, a side surface 43b formed by bending the end portion of the top surface portion 43a in four directions, and extending from the tip of the side surface 43b. Leg portions 43c.

一方多層基板42は4層基板であり、基板2とほぼ同じ大きさとしている。この多層基板42の最上層(図7において上方向)はグランド層であり、全面にグランドパターンが形成されている。中間の2つの層は、インダクタが形成される層である。そして最下層は、アース端子43を接続する接続ランド42aが形成される層である。この接続ランド42aはアース端子43の天面部43aに対応する位置に形成され、接続ランド42aと天面部43aとははんだによって接続される。ここで接続ランド42aは最上層のグランドパターンとスルーホールによって接続されている。これにより、多層基板42のグランド層とアース端子43の側面43bと脚部43cによって、擬似的にシールドカバーが構成される。そしてこの脚部43cが基板2の切欠き5aへ挿入され、脚部43cと切欠き5aとがはんだ6で接続される。   On the other hand, the multilayer substrate 42 is a four-layer substrate, and is approximately the same size as the substrate 2. The uppermost layer (upward in FIG. 7) of the multilayer substrate 42 is a ground layer, and a ground pattern is formed on the entire surface. The two middle layers are layers on which inductors are formed. The lowermost layer is a layer in which a connection land 42a for connecting the ground terminal 43 is formed. The connection land 42a is formed at a position corresponding to the top surface portion 43a of the ground terminal 43, and the connection land 42a and the top surface portion 43a are connected by solder. Here, the connection land 42a is connected to the uppermost ground pattern by a through hole. Thus, a pseudo shield cover is configured by the ground layer of the multilayer substrate 42, the side surface 43b of the ground terminal 43, and the leg portion 43c. And this leg part 43c is inserted in the notch 5a of the board | substrate 2, and the leg part 43c and the notch 5a are connected with the solder 6. FIG.

次に多層基板42に構成されたインダクタと基板2との接続について説明する。多層基板42の最下層には、多層基板42のインダクタと接続された接続ランド42bが設けられる。この接続ランド42bは切欠き5bの上方に位置され、接続ランド42bと切欠き5bとの間は信号端子44によって接続される。この信号端子44は、接続ランド42bに対してはんだで接続される接続部44aと、この接続部44aから下方へ折り曲げて形成された脚部44bとから形成される。そして、この脚部44bが切欠き5bへ挿入されて、はんだ6で基板2へ接続される。このようにすることにより、接続ランド42bと切欠き5bとが、接続され、多層基板42のインダクタと基板2上の回路とが接続されることとなる。   Next, the connection between the inductor formed on the multilayer substrate 42 and the substrate 2 will be described. A connection land 42 b connected to the inductor of the multilayer substrate 42 is provided in the lowermost layer of the multilayer substrate 42. The connection land 42b is positioned above the notch 5b, and the connection land 42b and the notch 5b are connected by a signal terminal 44. The signal terminal 44 is formed of a connection portion 44a connected to the connection land 42b by solder and a leg portion 44b formed by bending downward from the connection portion 44a. The leg portion 44 b is inserted into the notch 5 b and connected to the substrate 2 with the solder 6. By doing so, the connection land 42b and the notch 5b are connected, and the inductor of the multilayer board 42 and the circuit on the board 2 are connected.

なお、多層基板42の下面側にはDC−DCコンバータを構成する電子部品45が装着される。このように多層基板42を擬似カバーとして用いるので、この多層基板42にも電子部品45の実装が可能となる。従って、さらに小型の高周波モジュール41を実現できる。   An electronic component 45 constituting a DC-DC converter is mounted on the lower surface side of the multilayer substrate 42. Thus, since the multilayer substrate 42 is used as a pseudo cover, the electronic component 45 can be mounted on the multilayer substrate 42. Therefore, a further compact high-frequency module 41 can be realized.

そしてこのようにすることによって、多層基板42の全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。本実施の形態において多層基板42には、ガラス・エポキシ系の基材を用いたが、これは他の基材を用いても良い。特に内層のコア基材にフェライト粉を練り込んだ基材を用いれば透磁率が大きくでき、さらに大きなインダクタを形成することも可能となる。   By doing so, the inductor can be formed using the entire area of the multilayer substrate 42, and thus an inductor having a large inductance value can be configured. In the present embodiment, a glass / epoxy base material is used for the multilayer substrate 42, but other base materials may be used. In particular, if a base material in which ferrite powder is kneaded into the core base material of the inner layer is used, the magnetic permeability can be increased and a larger inductor can be formed.

次に、本実施の形態における高周波モジュール41の製造方法について説明する。最初に基板2の上面に電子部品3が装着される。一方多層基板42の最下層の所定位置にクリームはんだが塗布され、その後で電子部品45とアース端子43が装着される。ここで図8に示すように、アース端子43と信号端子44とは連結部46で連結されている。従ってこのアース端子43を多層基板42上に装着すれば同時に信号端子44も多層基板42上に装着できるので、非常に生産性が良好である。   Next, the manufacturing method of the high frequency module 41 in this Embodiment is demonstrated. First, the electronic component 3 is mounted on the upper surface of the substrate 2. On the other hand, cream solder is applied to a predetermined position on the lowermost layer of the multilayer substrate 42, and then the electronic component 45 and the ground terminal 43 are mounted. Here, as shown in FIG. 8, the ground terminal 43 and the signal terminal 44 are connected by a connecting portion 46. Therefore, if the ground terminal 43 is mounted on the multilayer substrate 42, the signal terminal 44 can be mounted on the multilayer substrate 42 at the same time, so that the productivity is very good.

そしてその後で多層基板42を加熱することにより、クリームはんだを溶融させて、多層基板42に対しアース端子43と信号端子44とを接続する。そしてその後で、あらかじめ電子部品3が装着された基板2に対し、多層基板42が接続された状態のアース端子43を装着する。つまり、アース端子43の脚部43cと信号端子44の脚部44bとのそれぞれを切欠き5b、切欠き5aへ挿入する。これにより、脚部43cの挿入と同時に脚部44bを挿入できるので、挿入作業が容易であり、生産性が良好である。   Then, by heating the multilayer substrate 42, the cream solder is melted, and the ground terminal 43 and the signal terminal 44 are connected to the multilayer substrate 42. After that, the ground terminal 43 in a state where the multilayer substrate 42 is connected is mounted on the substrate 2 on which the electronic component 3 is mounted in advance. That is, the leg 43c of the ground terminal 43 and the leg 44b of the signal terminal 44 are inserted into the notch 5b and the notch 5a, respectively. Thereby, since the leg part 44b can be inserted simultaneously with the insertion of the leg part 43c, insertion work is easy and productivity is favorable.

そして、脚部43c、脚部44bを切欠きへ挿入した後で、脚部43c、脚部44bとそれぞれの切欠きとをはんだ付けする。   And after inserting the leg part 43c and the leg part 44b into a notch, the leg part 43c and the leg part 44b and each notch are soldered.

この状態ではアース端子43と信号端子44とが連結されている。そこで、このはんだ付けの後で、連結部46を切り取り、アース端子43と信号端子44とを分離する。そのために連結部46にはV溝を設けている。そしてこのV溝46aで連結部46を折れば、連結部46が切り離される。これによってアース端子43と信号端子44とが分離され、高周波モジュール41が完成する。   In this state, the ground terminal 43 and the signal terminal 44 are connected. Therefore, after this soldering, the connecting portion 46 is cut off, and the ground terminal 43 and the signal terminal 44 are separated. For this purpose, the connecting portion 46 is provided with a V-groove. And if the connection part 46 is folded in this V groove 46a, the connection part 46 will be cut away. As a result, the ground terminal 43 and the signal terminal 44 are separated, and the high-frequency module 41 is completed.

なお、多層基板42の最下層にもグランドパターンを形成しても良い。この場合、グランドが強化されるので、さらにしっかりと高周波回路をシールドすることができる。また、多層基板42のインダクタはグランド間に挟まれるので、高周波回路の信号はインダクタに飛び込み難くできる。   A ground pattern may also be formed on the lowermost layer of the multilayer substrate 42. In this case, since the ground is strengthened, the high-frequency circuit can be shielded more firmly. In addition, since the inductor of the multilayer substrate 42 is sandwiched between the grounds, the signal of the high-frequency circuit can hardly enter the inductor.

本発明にかかる高周波モジュールは、モジュールの小型・薄型化ができるという効果を有し、DC−DCコンバータのような大きなインダクタを必要とする回路が内蔵された高周波モジュール等に用いると有用である。   The high-frequency module according to the present invention has an effect that the module can be reduced in size and thickness, and is useful when used for a high-frequency module in which a circuit requiring a large inductor such as a DC-DC converter is incorporated.

(a)本発明の実施の形態1における高周波モジュールの上面図、(b)同、側面図(A) Top view of the high frequency module in Embodiment 1 of this invention, (b) Same side view 同、断面図Same as above, sectional view (a)本発明の実施の形態2における高周波モジュールの上面図、(b)同、側面図(A) Top view of the high frequency module in Embodiment 2 of this invention, (b) Same side view 同、シールドカバーの側面図Side view of shield cover 実施の形態3における高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module in Embodiment 3 同、裏から見た要部拡大図Same part, enlarged view from the back 実施の形態4における高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module in Embodiment 4 (a)同、アース端子の上面図、(b)同、側面図(A) Same as above, top view of ground terminal, (b) Same as above, side view

符号の説明Explanation of symbols

2 基板
3a チップインダクタ
4 シールドカバー
4a 天面部
7 チョークコイル
8a 接続端子
2 Substrate 3a Chip inductor 4 Shield cover 4a Top surface 7 Choke coil 8a Connection terminal

Claims (14)

基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第1のインダクタと、この第1のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第2のインダクタとを備え、前記第2のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第2のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続する高周波モジュール。 A substrate, a high-frequency circuit formed on one surface of the substrate, a metal shield cover covering the high-frequency circuit, a first inductor provided in the high-frequency circuit, and an inductance value of the first inductor A second inductor having a larger inductance value, wherein the second inductor is formed at least on the top surface of the shield cover, and connection terminals provided at both ends of the second inductor are connected to the substrate. High frequency module. 第2のインダクタは天面部に導線を巻き回して形成し、前記シールドカバーと前記導線との間には絶縁膜が設けられた請求項1に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 1, wherein the second inductor is formed by winding a conductive wire around the top surface portion, and an insulating film is provided between the shield cover and the conductive wire. 導体は予め表面に絶縁膜が形成された絶縁皮膜付導線を用いた請求項2に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 2, wherein the conductor is a conductive wire with an insulating film having an insulating film formed on the surface in advance. シールドカバーはプレス加工によって成形されるとともに、前記シールドカバーの切断端部と前記導線との間に絶縁体が挿入された請求項2に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 2, wherein the shield cover is formed by press working, and an insulator is inserted between the cut end portion of the shield cover and the conductive wire. シールドカバーの表側における中央部は、導線不設部とした請求項2に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 2, wherein a central portion on the front side of the shield cover is a conductor-free portion. 基板の側面には切欠きと、この切欠きの内周に形成された導体電極とを有し、前記導体電極で第2のインダクタの接続端子が接続される請求項1に記載の高周波モジュール。 2. The high-frequency module according to claim 1, wherein the side surface of the substrate has a notch and a conductor electrode formed on an inner periphery of the notch, and the connection terminal of the second inductor is connected to the conductor electrode. シールドカバーは、高周波回路全体を囲うとともに、その天面部に孔を有した第1のシールドカバー部と、導線が巻き回される第2のシールドカバー部とを有し、前記孔は前記第2のシールドカバーの天面で塞がれ、前記第2のシールドケースは少なくとも前記第1のシールドケースと前記基板とのいずれか一方に接続される請求項2に記載の高周波モジュール。 The shield cover surrounds the entire high-frequency circuit, and includes a first shield cover portion having a hole in the top surface portion thereof, and a second shield cover portion around which a conductive wire is wound, and the hole is the second shield portion. The high frequency module according to claim 2, wherein the second shield case is connected to at least one of the first shield case and the substrate. 第1と第2のシールドカバーには前記基板に固定するために前記第1と第2のシールドケース側面のそれぞれから延在して設けられた脚を設けると共に、前記基板の側面には複数の切欠きとこれらの切欠きの内周に形成された導体電極とを設け、前記第1と第2のシールドカバーの脚は共に同じ切欠きへ挿入され、前記導体電極と前記脚部とが接続された請求項7に記載の高周波モジュール。 The first and second shield covers are provided with legs extending from the side surfaces of the first and second shield cases for fixing to the substrate, and the side surfaces of the substrate have a plurality of legs. Notches and conductor electrodes formed on the inner periphery of these notches are provided, the legs of the first and second shield covers are both inserted into the same notch, and the conductor electrodes and the legs are connected to each other. The high-frequency module according to claim 7. 第2のインダクタは折り曲げ可能なフレキシブル基板上に形成され、前記フレキシブル基板はシールドケースへ貼設されるとともに、前記シールドカバーと共に折り曲げられた請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the second inductor is formed on a foldable flexible substrate, and the flexible substrate is attached to a shield case and is bent together with the shield cover. フレキシブル基板はシールドカバーの内側に貼設されるとともに、前記シールドケース側面から延在して設けられた脚の内面に接続端子を形成し、前記脚は前記基板の側面に形成された切欠きへ挿入され、前記接続端子と前記切欠き内周に形成された導体電極とが接続された請求項9に記載の高周波モジュール。 The flexible substrate is affixed to the inside of the shield cover, and a connection terminal is formed on the inner surface of the leg extending from the side surface of the shield case, and the leg extends to the notch formed on the side surface of the substrate. The high-frequency module according to claim 9, wherein the connection terminal is connected to a conductor electrode formed on the inner periphery of the notch. 接続端子の幅は、脚の幅より小さくすると共に、導体電極の幅と前記接続端子との幅はほぼ等しくした請求項10に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 10, wherein the width of the connection terminal is smaller than the width of the leg, and the width of the conductor electrode and the width of the connection terminal are substantially equal. 第2のインダクタとこの第2のインダクタが形成された層とは異なる層にグランド層とを有する多層基板と、この多層基板の外周に沿って立設されるとともに、前記グランド層と前記基板のグランドとの間を接続する金属製のアース端子と、第2のインダクタの両端と基板との間を接続する信号端子とを有し、前記グランド層と前記アース端子とによって、擬似的にシールドケースが構成された請求項1に記載の高周波モジュール。 A multilayer substrate having a ground layer in a layer different from the layer on which the second inductor and the second inductor are formed; and standing up along an outer periphery of the multilayer substrate; A metal ground terminal that connects between the ground and a signal terminal that connects between both ends of the second inductor and the substrate; and a pseudo shield case by the ground layer and the ground terminal The high frequency module according to claim 1, wherein: 多層基板には、第2のインダクタと接続する電子部品が装着された請求項12に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 12, wherein an electronic component connected to the second inductor is mounted on the multilayer substrate. 基板上には高周波回路に接続されたDC−DCコンバータが形成され、第2のインダクタは、前記DC−DCコンバータのチョークコイルとした請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein a DC-DC converter connected to a high-frequency circuit is formed on the substrate, and the second inductor is a choke coil of the DC-DC converter.
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