JP2008135430A - High-frequency module - Google Patents
High-frequency module Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008135430A JP2008135430A JP2006318248A JP2006318248A JP2008135430A JP 2008135430 A JP2008135430 A JP 2008135430A JP 2006318248 A JP2006318248 A JP 2006318248A JP 2006318248 A JP2006318248 A JP 2006318248A JP 2008135430 A JP2008135430 A JP 2008135430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- inductor
- frequency module
- shield cover
- module according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
Description
本発明は、大型のインダクタが搭載される高周波モジュールに関するものである。 The present invention relates to a high frequency module on which a large inductor is mounted.
以下、従来の高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールにおいて、基板の一方の面上には、複数の電子部品が搭載され、回路が形成されている。この回路には高周波信号を処理する高周波回路を含んでいる。そして、基板には、回路全体を覆うために金属製のシールドカバーが装着される。 Hereinafter, a conventional high-frequency module will be described. In a conventional high-frequency module, a plurality of electronic components are mounted on one surface of a substrate to form a circuit. This circuit includes a high frequency circuit for processing a high frequency signal. A metal shield cover is attached to the substrate to cover the entire circuit.
なお電子部品には大きなインダクタンス値のインダクタを含み、このインダクタも基板上に搭載されている。そしてこのような高周波モジュールにおいて、インダクタには例えば4.7マイクロヘンリーのように大きなインダクタンス値のインダクタが用いられている。 The electronic component includes an inductor having a large inductance value, and this inductor is also mounted on the substrate. In such a high-frequency module, an inductor having a large inductance value such as 4.7 microhenry is used as the inductor.
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、2が知られている。
しかしながら、例えば4.7マイクロヘンリーのような大きなインダクタンス値のインダクタはサイズが大きく、高周波モジュールが大型化するという課題を有していた。 However, for example, an inductor having a large inductance value such as 4.7 microhenry has a problem that the size is large and the high-frequency module is enlarged.
そこで本発明は、この問題を解決したもので、小型の高周波モジュールを提供することを目的としたものである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves this problem and aims to provide a small high-frequency module.
この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第1のインダクタと、この第1のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第2のインダクタとを備え、前記第2のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第2のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続するものである。これにより所期の目的を達成できる。 In order to achieve this object, a high-frequency module according to the present invention is provided on a substrate, a high-frequency circuit configured on one surface of the substrate, a metal shield cover that covers the high-frequency circuit, and the high-frequency circuit. A first inductor; and a second inductor having an inductance value larger than that of the first inductor, wherein the second inductor is formed at least on a top surface of the shield cover, and the second inductor The connection terminals provided at both ends of the are connected to the substrate. This achieves the intended purpose.
以上のように本発明によれば、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第1のインダクタと、この第1のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第2のインダクタとを備え、前記第2のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第2のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続する高周波モジュールである。 As described above, according to the present invention, the substrate, the high-frequency circuit configured on one surface of the substrate, the metal shield cover that covers the high-frequency circuit, and the first inductor provided in the high-frequency circuit And a second inductor having an inductance value larger than the inductance value of the first inductor, the second inductor being formed at least on the top surface of the shield cover and provided at both ends of the second inductor. A high-frequency module for connecting the connected terminal to the substrate.
これにより、大きなインダクタンス値が必要なインダクタはシールドカバー上に設けられるので、基板には第2のインダクタを実装するスペースが不要とできる。従って、高周波モジュールを小型化できるという効果がある。 As a result, an inductor that requires a large inductance value is provided on the shield cover, so that a space for mounting the second inductor on the substrate can be eliminated. Therefore, there is an effect that the high-frequency module can be reduced in size.
(実施の形態1)
以下、本実施の形態について、図面を用いて説明する。図1(a)は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図1(b)は、同、側面図であり、図2は同、断面図である。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. 1A is a top view of the high-frequency module according to the present embodiment, FIG. 1B is a side view thereof, and FIG. 2 is a cross-sectional view thereof.
図1から図2において、高周波モジュール1は、デジタル地上波放送を受信するチューナ(高周波回路の一例として用いた)であり、主に携帯電話のような携帯機器に搭載される。 1 to 2, a high-frequency module 1 is a tuner (used as an example of a high-frequency circuit) that receives digital terrestrial broadcasting, and is mainly mounted on a portable device such as a mobile phone.
このチューナには、高周波回路ブロックと復調回路ブロックとを有し、それらの回路ブロックは互いに異なった電圧により動作する。一方携帯機器のバッテリー電圧は約3.6Vである。そして高周波モジュール1の電源端子には、このバッテリーの電圧が直接供給される。そこで高周波モジュール1には、バッテリーから供給された単一の電圧を、それぞれの回路ブロックへ適する電圧へ変換するための電源回路を設ける。この電源回路では、入力された3.6Vの電圧から2.8Vと1.2Vの電圧へと降下させて出力する。 This tuner has a high-frequency circuit block and a demodulation circuit block, and these circuit blocks operate with different voltages. On the other hand, the battery voltage of the portable device is about 3.6V. The battery voltage is directly supplied to the power supply terminal of the high-frequency module 1. Therefore, the high frequency module 1 is provided with a power supply circuit for converting a single voltage supplied from the battery into a voltage suitable for each circuit block. In this power supply circuit, the input voltage is dropped from the input voltage of 3.6V to 2.8V and 1.2V and output.
ここでRF回路ブロックは2.8Vで動作する。そこで、3.6Vの電圧から2.8Vの電圧への変換には、LDOレギュレータを用いる。一方、復調回路ブロックは、デジタルICに対するプロセスの微細化が進み低電圧駆動化され、1.2Vの電圧で動作する。そこで、この変換には変換効率が良好であり、携帯機器の消費電力を小さくできるDC−DCコンバータを用いる。 Here, the RF circuit block operates at 2.8V. Therefore, an LDO regulator is used for conversion from a voltage of 3.6V to a voltage of 2.8V. On the other hand, the demodulating circuit block is driven at a low voltage by the miniaturization of the process for the digital IC, and operates at a voltage of 1.2V. Therefore, a DC-DC converter that has good conversion efficiency and can reduce power consumption of the portable device is used for this conversion.
次に高周波モジュール1の構成について説明する。基板2の上面には、複数の電子部品3が搭載されチューナと電源回路とが構成される。この電子部品3には、比較的小さなインダクタのチップインダクタ3aであるとか、チップコンデンサあるいは半導体素子が含まれている。そして基板2には、少なくともチューナをシールドするために、これらのチューナとDC−DCコンバータとの回路を覆うように金属製のシールドカバー4が装着される。このシールドカバー4には電子部品3の上方に配置された天面部4aと、この天面部4aの向かい合う2つの端部のそれぞれから下方へ折り曲げて形成された縦側面部4bと、この縦側面部4bの先端から下方へ延在して設けられた脚部4cとを有している。さらに、シールドカバー4には、それぞれの縦側面部4bの両側端から折り曲げて形成された横側面部4dを有し、この横側面部4dの先端にも下方へ向かって延在された脚部4cが設けられる。なお、本実施の形態では、両縦側面部4bから横側面部4dを形成したが、これはいずれか一方から形成しても良い。
Next, the configuration of the high frequency module 1 will be described. A plurality of
ここで基板2の側面には切欠き5aが設けられる。そして、縦側面部4bと横側面部4dの脚部4cが切欠き5aへ挿入され、この切欠き5aの内周面に形成された導体電極と脚部4cとがはんだ6によって接続される。このように構成によって、電子部品3は縦側面部4bと横側面部4dとによって囲まれ、チューナのシールドがなされる。
Here, a
次にDC−DCコンバータのチョークコイル7(インダクタの一例として用いた)について説明する。チューナを構成するチップインダクタ3aのインダクタンス値は小さいが、一般にDC−DCコンバータのチョークコイル7には大きなインダクタンスが必要である。そこで本実施の形態におけるチョークコイル7は、耐熱性の絶縁被覆を有した導線8を天面部4aに巻き回す。そして導線8の両端には、基板2と接続するための接続端子8aが形成される。この接続端子8aは絶縁被覆が剥離された領域であり、この接続端子8aが基板2側面に設けられた切欠き5bへ挿入され、はんだ6によって接続される。このようにチョークコイル7は基板2の側面で接続されるので、接続の良否判定が容易である。また、孔に挿入する必要もないので、生産性も良好とできる。
Next, the choke coil 7 (used as an example of an inductor) of the DC-DC converter will be described. Although the inductance value of the chip inductor 3a constituting the tuner is small, the
このように、チョークコイル7は面積の広いシールドカバー4の天面部4aへ巻いて形成されるので、大きなインダクタンス値を得ることができる。なお、本実施の形態におけるシールドカバー4には洋白を用いたが、これは他の材料を用いても良い。ただし、シールドカバーの材料としては、高周波信号の遮蔽と、大きなインダクタンスの形成が可能であることが必要である。そこで、洋白に代えて、例えばパーマアロイ(Fe−Ni合金)や珪素鋼板(Fe−Si合金)のような高透磁率の材料を用いれば、さらに大きなインダクタンス値のインダクタを形成できる。特に、Co−Fe−Mn−Cr−Si−Bに代表されるような非鉄系のアモルファス合金を用いれば、インダクタを流れる信号によって発生する渦電流を抑制できるので、信号の損失が小さくできる。つまり、このインダクタをDC−DCコンバータのチョークコイル7として用いた場合、高効率のDC−DCコンバータを実現できるので、消費電力の小さな高周波モジュール1を実現できる。また、このインダクタをフィルタに用いれば、信号損失の小さいフィルタを得ることができる。
Thus, since the
以上の構成によって、チョークコイル7はシールドカバー4に形成されるので、基板2上にチョークコイル7を配置する必要がない。従って、高周波モジュール1の面積を小さくできる。さらに、導線8を天面部4aへ巻き回しているので、チョークコイル7の高さ方向の寸法も小さくできる。従って、厚みの薄い高周波モジュール1を実現できる。
With the above configuration, the
なお本実施の形態において、シールドカバー4の表側における中心近傍は導線8の不設部9としている。つまり、天面部4aへ導線8を巻き回すときに、この不設部9の領域では導線8がシールドカバー4の内側を通るようにするわけである。これによってシールドカバー4の中央部では、平坦な天面部4aが露出することとなる。従って、この高周波モジュール1をマザー基板へ実装する場合、この不設部9を吸着して実装が可能となる。このように平坦な天面部4aを吸着できるので、汎用の実装装置で容易に実装することができる。
In the present embodiment, the vicinity of the center on the front side of the shield cover 4 is a non-installed portion 9 of the conducting
また、シールドカバー4はプレス加工によって成形されるので、切断箇所にはバリが生じる。そこで、天面部4aにおける切断部10には、樹脂製の絶縁シートを貼り付けている。これにより、導線8と天面部4aとの間には、絶縁シートが挟まれることとなるので、シールドカバー4加工時のバリによってシールドカバー4と導線8とが短絡し難くなる。
Further, since the shield cover 4 is formed by press working, burrs are generated at the cut portions. Therefore, a resin insulating sheet is attached to the
次に高周波モジュール1の製造方法について説明する。最初に基板2へ電子部品3を実装し、はんだなどによって接続する。一方シールドカバー4をプレス加工する。ただしこのときには、縦側面部4bの折り曲げは行われていない。このシールドカバー4をコイル巻き線の設備へ装着し、天面部4aへ導線8を巻き回す。そして、導線8を中央近傍まで巻き回すと、シールドカバー4の内面を通して、シールドカバー4の表面に導線8の不設部9を形成させる。なお、導線8は、予め所定の間隔で絶縁被覆が剥がされ、所定の回数巻き回されると、導線8が切断される。そしてその後で、両縦側面部4bが折り曲げられて、チョークコイル7が形成されたシールドカバー4が完成する。このように縦側面部4bを後で折り曲げることによって、導線8を天面部4aへ容易に巻き回し易くなる。
Next, the manufacturing method of the high frequency module 1 is demonstrated. First, the
このようにして加工されたシールドカバー4は基板2へ装着される。このとき、脚部4cが基板2の切欠き5aに挿入され、一方接続端子8aが切欠き5bへ挿入される。
The shield cover 4 processed in this way is attached to the
そしてその後で、脚部4cと切欠き5aおよび、接続端子8aと切欠き5bとがそれぞれはんだ6によって接続されて、高周波モジュール1が完成する。
Thereafter, the leg portion 4c and the
なお、本実施の形態においてチョークコイル7をシールドカバー4に設けたが、これは他のコイルでも良い。例えば、基板2上にAM放送波を受信するチューナ回路を構成したような場合、信号の周波数が低いので入力のフィルタ回路に用いるインダクタのインダクタンス値は大きくなる。従って、大きなコイルが必要となるので、このようなインダクタをシールドカバー4に形成しても良い。
Although the
さらに、本実施の形態ではシールドカバー4上に1個のインダクタを形成したが、これは複数個のインダクタを形成しても良い。ただし、この場合においても、不設部9には導線8を巻かないようにすることが必要である。
Furthermore, in the present embodiment, one inductor is formed on the shield cover 4, but a plurality of inductors may be formed. However, even in this case, it is necessary not to wind the
(実施の形態2)
以下、本実施の形態における高周波モジュール21について図面を用いて説明する。図3(a)は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図3(b)は、同側面図であり、図4は、シールドカバーの側面図である。なお、これらの図3から図4において、図1や図2と同じものには、同じ番号を用い、その説明は簡略化している。
(Embodiment 2)
Hereinafter, the
図3、図4における高周波モジュール21では、シールドカバー22とシールドカバー23とを有し、導線8はシールドカバー23の天面部23aに巻き回されている。この天面部23aの両端から縦側面部23bが折り曲げられ、この縦側面部23bの先端には脚部23cが設けられている。
The
一方シールドカバー22には、天面部22aと、この天面部22aの四方の端部から折り曲げられた側面部22bと、この側面部22bの先端から延在された脚部22cを有している。ここで、基板2の側面には切欠き5aが設けられ、脚部22cが挿入される。また、基板2の側面には切欠き5cを有し、この切欠き5cには脚部22cと脚部23cとが挿入される。そして脚部22cと脚部23cとは共に、はんだ6で切欠き5cへ固定される。このように脚部22cと脚部23cとは同時に、はんだ6接続することができるので、生産性の良好な高周波モジュール21を得ることができる。
On the other hand, the
ここで、シールドカバー22の天面部22aには、シールドカバー23の天面部23aに対応する孔24が設けられる。なお本実施の形態において、シールドカバー22の高さとシールドカバー23の高さは同じである。以上のような構成により、導線8はシールドカバー23の天面部23aに巻き回されるので、縦側面部22bを折り曲げた状態でも容易に導線8の巻き回しが可能である。従って生産性が良好な高周波モジュールを得ることができる。また、孔24は天面部23aによって塞がれるので、高周波回路をシールドできる。
Here, a
なお、本実施の形態では、天面部22aと天面部23aの高さは同じとしたが、天面部22aの内周面の高さを導線8の上端の高さより高くしても良い。このようにすれば、天面部23aを孔24より大きくでき、天面部23aと孔24との間の隙間を小さくできる。従ってさらにシールド性が良好となる。
In the present embodiment, the heights of the top surface portion 22a and the top surface portion 23a are the same, but the height of the inner peripheral surface of the top surface portion 22a may be made higher than the height of the upper end of the
あるいは逆に天面部22aの表面と、導線8の上端の高さとを同じ高さとしても良い。このようにすれば、天面部22aの下には背の高い部品が配置できる。
Or conversely, the surface of the top surface portion 22a and the height of the upper end of the
なおこの場合においても、シールドカバー23の中央部には、不設部9を設けておくことが必要である。
Even in this case, it is necessary to provide the non-installed portion 9 at the center of the
以上の構成によって、本実施の形態における高周波モジュール21において、チョークコイル7はシールドカバー23に形成されるので、基板2上にチョークコイル7を装着するスペースが不要となる。従って小型の高周波モジュール21が実現できる。
With the above configuration, in the high-
(実施の形態3)
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。図5は、本実施の形態における高周波モジュール31の断面図であり、図6は同、裏から見た要部拡大図である。なおこれらの図5、図6において、図1、図2と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
(Embodiment 3)
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a cross-sectional view of the high-
本実施の形態における高周波モジュール31において、チョークコイルはシールドカバー32の内面に形成される。そのためにシールドカバー32の内面に折り曲げ可能なコイル基板33が貼り付けられ、シールドカバー32と一緒に折り曲げられている。なおコイル基板33は、フレキシブル基板の両面に絶縁フィルムが貼り合わされたものであり、このフレキシブル基板の両面には、コイル導体が形成され、このコイル導体同士をスルーホールで接続することでインダクタが形成されている。このようにすることによって、シールドカバー32の内面全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。
In the
ここで、シールドカバー32には天面部32aと、この天面部32aの4つの端部から折り曲げて形成された側面部32bと、この側面部32bの先端から延在して設けられた脚部32c、脚部32dとを有している。ここで脚部32cはコイル基板33上に形成されたインダクタを基板2上の回路へ接続するために用い、脚部32dはシールドカバー32を基板2のグランドと接続するために用いられる。
Here, the
まず、脚部32dにおいては、コイル基板33が貼り合わされておらず、脚部32dが露出している。そしてこの脚部32dは基板の側面に設けられた切欠き5aに挿入され、はんだ6で切欠き5aの内周に設けられた導体電極と接続される。
First, in the leg portion 32d, the
一方、脚部32cには、コイル基板33に形成されたインダクタ接続端子33aを設ける。そのためにこの脚部32cにおけるコイル基板33には、最内層の絶縁フィルムを設けず、接続端子33aをフレキシブル基板の内側面に形成する。これにより脚部32cにおいて、接続端子33aが露出する。そこで、この脚部32cを切欠き5bへ挿入し、接続端子33aと切欠き5bの内周に設けられた導体電極とをはんだ6で接続する。
On the other hand, the leg 32c is provided with an
なお、接続端子33aの幅は、脚部32cの幅より狭くする。また、切欠き5bの導体電極の幅は、接続端子33aの幅とほぼ等しくする。これにより、接続端子33aと脚部32cとの間や、脚部32cと導体電極との間ではんだ6が短絡し難くなる。
Note that the width of the
以上のような構成によって、基板2上にインダクタを配置するスペースが不要となるので、小型の高周波モジュール31を実現できる。また、インダクタは薄いフィルム状のフレキシブル基板上に形成されるので、インダクタの厚みが薄くできる。従って、薄型の高周波モジュール31を実現できる。
With the above configuration, a space for placing the inductor on the
さらに、導線などを巻き回す必要がないので、生産性が良好である。さらにまた、接続端子33aが脚部32c上に形成されるので、シールドカバー32の装着と同時に接続端子33aを切欠き5bへ挿入できるので、生産性の良好な高周波モジュール31を実現できる。
Further, since there is no need to wind a conducting wire or the like, the productivity is good. Furthermore, since the
それに加えて、インダクタと電子部品3との間は、絶縁フィルムによって絶縁されているので、電子部品3と天面部32aとの間の隙間を小さくできる。従ってさらに薄型の高周波モジュール31を実現できる。
In addition, since the inductor and the
(実施の形態4)
以下、本実施の形態における高周波モジュール41について、図面を用いて説明する。図7は、本実施の形態における高周波モジュールの断面図であり、図8(a)は同、高周波モジュールに用いるアース端子の上面図であり、図8(b)は、同側面図である。ここで図7、図8において図1、図2と同じものには、同じ番号を用いてその説明は簡略化している。
(Embodiment 4)
Hereinafter, the high frequency module 41 in this Embodiment is demonstrated using drawing. FIG. 7 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the present embodiment, FIG. 8A is a top view of a ground terminal used in the high-frequency module, and FIG. 8B is a side view thereof. 7 and 8, the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified.
図7、図8において、アース端子43は、天面部43aと、この天面部43aの端部から4方向に折り曲げて形成された側面43bと、この側面43bの先端から延在して形成された脚部43cとを有している。
7 and 8, the
一方多層基板42は4層基板であり、基板2とほぼ同じ大きさとしている。この多層基板42の最上層(図7において上方向)はグランド層であり、全面にグランドパターンが形成されている。中間の2つの層は、インダクタが形成される層である。そして最下層は、アース端子43を接続する接続ランド42aが形成される層である。この接続ランド42aはアース端子43の天面部43aに対応する位置に形成され、接続ランド42aと天面部43aとははんだによって接続される。ここで接続ランド42aは最上層のグランドパターンとスルーホールによって接続されている。これにより、多層基板42のグランド層とアース端子43の側面43bと脚部43cによって、擬似的にシールドカバーが構成される。そしてこの脚部43cが基板2の切欠き5aへ挿入され、脚部43cと切欠き5aとがはんだ6で接続される。
On the other hand, the
次に多層基板42に構成されたインダクタと基板2との接続について説明する。多層基板42の最下層には、多層基板42のインダクタと接続された接続ランド42bが設けられる。この接続ランド42bは切欠き5bの上方に位置され、接続ランド42bと切欠き5bとの間は信号端子44によって接続される。この信号端子44は、接続ランド42bに対してはんだで接続される接続部44aと、この接続部44aから下方へ折り曲げて形成された脚部44bとから形成される。そして、この脚部44bが切欠き5bへ挿入されて、はんだ6で基板2へ接続される。このようにすることにより、接続ランド42bと切欠き5bとが、接続され、多層基板42のインダクタと基板2上の回路とが接続されることとなる。
Next, the connection between the inductor formed on the
なお、多層基板42の下面側にはDC−DCコンバータを構成する電子部品45が装着される。このように多層基板42を擬似カバーとして用いるので、この多層基板42にも電子部品45の実装が可能となる。従って、さらに小型の高周波モジュール41を実現できる。
An
そしてこのようにすることによって、多層基板42の全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。本実施の形態において多層基板42には、ガラス・エポキシ系の基材を用いたが、これは他の基材を用いても良い。特に内層のコア基材にフェライト粉を練り込んだ基材を用いれば透磁率が大きくでき、さらに大きなインダクタを形成することも可能となる。
By doing so, the inductor can be formed using the entire area of the
次に、本実施の形態における高周波モジュール41の製造方法について説明する。最初に基板2の上面に電子部品3が装着される。一方多層基板42の最下層の所定位置にクリームはんだが塗布され、その後で電子部品45とアース端子43が装着される。ここで図8に示すように、アース端子43と信号端子44とは連結部46で連結されている。従ってこのアース端子43を多層基板42上に装着すれば同時に信号端子44も多層基板42上に装着できるので、非常に生産性が良好である。
Next, the manufacturing method of the high frequency module 41 in this Embodiment is demonstrated. First, the
そしてその後で多層基板42を加熱することにより、クリームはんだを溶融させて、多層基板42に対しアース端子43と信号端子44とを接続する。そしてその後で、あらかじめ電子部品3が装着された基板2に対し、多層基板42が接続された状態のアース端子43を装着する。つまり、アース端子43の脚部43cと信号端子44の脚部44bとのそれぞれを切欠き5b、切欠き5aへ挿入する。これにより、脚部43cの挿入と同時に脚部44bを挿入できるので、挿入作業が容易であり、生産性が良好である。
Then, by heating the
そして、脚部43c、脚部44bを切欠きへ挿入した後で、脚部43c、脚部44bとそれぞれの切欠きとをはんだ付けする。
And after inserting the
この状態ではアース端子43と信号端子44とが連結されている。そこで、このはんだ付けの後で、連結部46を切り取り、アース端子43と信号端子44とを分離する。そのために連結部46にはV溝を設けている。そしてこのV溝46aで連結部46を折れば、連結部46が切り離される。これによってアース端子43と信号端子44とが分離され、高周波モジュール41が完成する。
In this state, the
なお、多層基板42の最下層にもグランドパターンを形成しても良い。この場合、グランドが強化されるので、さらにしっかりと高周波回路をシールドすることができる。また、多層基板42のインダクタはグランド間に挟まれるので、高周波回路の信号はインダクタに飛び込み難くできる。
A ground pattern may also be formed on the lowermost layer of the
本発明にかかる高周波モジュールは、モジュールの小型・薄型化ができるという効果を有し、DC−DCコンバータのような大きなインダクタを必要とする回路が内蔵された高周波モジュール等に用いると有用である。 The high-frequency module according to the present invention has an effect that the module can be reduced in size and thickness, and is useful when used for a high-frequency module in which a circuit requiring a large inductor such as a DC-DC converter is incorporated.
2 基板
3a チップインダクタ
4 シールドカバー
4a 天面部
7 チョークコイル
8a 接続端子
2 Substrate 3a Chip inductor 4
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006318248A JP2008135430A (en) | 2006-11-27 | 2006-11-27 | High-frequency module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006318248A JP2008135430A (en) | 2006-11-27 | 2006-11-27 | High-frequency module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008135430A true JP2008135430A (en) | 2008-06-12 |
Family
ID=39560100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006318248A Withdrawn JP2008135430A (en) | 2006-11-27 | 2006-11-27 | High-frequency module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008135430A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010032534A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | Semiconductor device |
JP2011054585A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Murata Mfg Co Ltd | Inductor and dc-dc converter |
WO2018207447A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | Resonant circuit element and circuit module |
-
2006
- 2006-11-27 JP JP2006318248A patent/JP2008135430A/en not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010032534A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 株式会社ルネサステクノロジ | Semiconductor device |
US20110272781A1 (en) * | 2008-09-18 | 2011-11-10 | Akira Tada | Semiconductor device |
US8525294B2 (en) * | 2008-09-18 | 2013-09-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP5536656B2 (en) * | 2008-09-18 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
JP2011054585A (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Murata Mfg Co Ltd | Inductor and dc-dc converter |
US8284010B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Inductor and DC-DC converter |
WO2018207447A1 (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-15 | 株式会社村田製作所 | Resonant circuit element and circuit module |
JPWO2018207447A1 (en) * | 2017-05-08 | 2019-11-07 | 株式会社村田製作所 | Resonant circuit element and circuit module |
US11239813B2 (en) | 2017-05-08 | 2022-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonant circuit element and circuit module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10121583B2 (en) | Coil structure and electromagnetic component using the same | |
US6246311B1 (en) | Inductive devices having conductive areas on their surfaces | |
KR101138031B1 (en) | Inductor | |
US20150116950A1 (en) | Coil component, manufacturing method thereof, coil component-embedded substrate, and voltage adjustment module having the same | |
US20040130428A1 (en) | Surface mount magnetic core winding structure | |
JP2004063676A (en) | Micro-converter | |
US20130038417A1 (en) | Coil component and manufacturing method thereof | |
US20080238602A1 (en) | Components with on-die magnetic cores | |
US20220148793A1 (en) | Electronic Device and the Method to Make the Same | |
KR20150081834A (en) | Coil component and and board for mounting the same | |
JP2000323336A (en) | Inductor and its manufacture | |
USRE39453E1 (en) | Low profile inductive component | |
US7009484B2 (en) | Magnetic assembly | |
KR20150050306A (en) | Coil component, manufacturing method thereof, coil component embedded substrate, module having the same | |
KR101338139B1 (en) | Power inductor | |
JP2008135430A (en) | High-frequency module | |
WO2010016367A1 (en) | Composite electronic component | |
JP2013247554A (en) | Antenna device and communication terminal device | |
JP2011192710A (en) | Flexible printed-wiring board, transformer, and method for manufacturing transformer | |
JPS62139395A (en) | Multi-function circuit board | |
KR102558332B1 (en) | Inductor and producing method of the same | |
JP3398328B2 (en) | Surface mount type transformer | |
JP2000306749A (en) | Choke coil | |
JP2001006940A (en) | Surface mounting toroidal coil | |
US20130015936A1 (en) | Converter and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090309 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090414 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100806 |