JP2008034244A - Microwave treatment device and microwave treatment method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロ波により対象物を処理するマイクロ波処理装置およびマイクロ波処理方法に関する。 The present invention relates to a microwave processing apparatus and a microwave processing method for processing an object with microwaves.
従来より、マイクロ波発生装置として一般的に用いられるマグネトロンに代えて、半導体素子を用いたマイクロ波発生装置が提案されてきた。半導体素子を用いたマイクロ波発生装置によれば、小型でかつ安価な構成でマイクロ波の周波数を容易に調整することができる。このように、半導体素子を用いたマイクロ波発生装置を備える高周波加熱装置が特許文献1に記載されている。 Conventionally, microwave generators using semiconductor elements have been proposed in place of magnetrons generally used as microwave generators. According to the microwave generator using the semiconductor element, the frequency of the microwave can be easily adjusted with a small and inexpensive configuration. As described above, Patent Document 1 discloses a high-frequency heating device including a microwave generator using a semiconductor element.
特許文献1の高周波加熱装置においては、所定の周波数帯域でマイクロ波の周波数が掃引され、反射電力が最小値を示すときのマイクロ波の周波数が記憶される。そして、記憶された周波数のマイクロ波が加熱室内のアンテナから放射され、対象物が加熱される。これにより、電力変換効率が向上する。
半導体素子は放熱部材が接触した状態で用いられる。反射電力により半導体素子が発熱した場合、放熱部材により放熱が行われる。 The semiconductor element is used in a state where the heat dissipation member is in contact. When the semiconductor element generates heat due to the reflected power, heat dissipation is performed by the heat dissipation member.
しかしながら、マイクロ波の周波数が掃引される際に非常に大きい反射電力が発生すると、その反射電力により発生する熱が放熱部材の放熱能力を超える場合がある。この場合、半導体素子が破損するおそれがある。 However, when a very large reflected power is generated when the microwave frequency is swept, the heat generated by the reflected power may exceed the heat dissipation capability of the heat dissipation member. In this case, the semiconductor element may be damaged.
本発明の目的は、電力変換効率を向上させるとともに、反射電力によるマイクロ波発生装置の破損を防止できるマイクロ波処理装置およびマイクロ波処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a microwave processing apparatus and a microwave processing method capable of improving power conversion efficiency and preventing damage to the microwave generation apparatus due to reflected power.
(1)第1の発明に係るマイクロ波処理装置は、マイクロ波を用いて対象物を処理するマイクロ波処理装置であって、マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、放射部からの反射電力を検出する検出手段と、マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、制御手段は、対象物の処理前に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射させ、検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定し、対象物の処理時に、決定された処理周波数のマイクロ波をマイクロ波発生手段により発生させるものである。 (1) A microwave processing apparatus according to a first aspect of the present invention is a microwave processing apparatus for processing an object using a microwave, and is generated by a microwave generating means for generating a microwave, and the microwave generating means. A radiating unit that radiates the target microwave to the object, a detection unit that detects reflected power from the radiating unit, and a control unit that controls the microwave generation unit, the control unit prior to processing the object For processing the object based on the frequency at which the reflected power detected by the detecting means is minimized or minimized by radiating the microwave from the radiating unit to the object while changing the microwave frequency by the microwave generating means. The microwave frequency is determined as the processing frequency, and the microwave of the determined processing frequency is generated by the microwave generating means when the object is processed.
このマイクロ波処理装置においては、対象物の処理前に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数が変化されつつ放射部から対象物にマイクロ波が放射される。このとき、検出手段により検出される放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて、対象物の処理のためのマイクロ波の周波数が処理周波数として決定される。対象物の処理時に、決定された処理周波数のマイクロ波がマイクロ波発生手段により発生される。 In this microwave processing apparatus, the microwave is radiated from the radiating unit to the object while the frequency of the microwave is changed by the microwave generating means before the object is processed. At this time, the frequency of the microwave for processing the object is determined as the processing frequency based on the frequency at which the reflected power from the radiating portion detected by the detecting means is minimized or minimized. At the time of processing the object, a microwave having a determined processing frequency is generated by the microwave generating means.
このように、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上される。 As described above, since the microwave having the processing frequency determined based on the frequency at which the reflected power from the radiating unit is minimized or minimized is used for processing the object, the reflected power generated when the object is processed is reduced. The Thereby, the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus is improved.
また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。 Further, even when the microwave generating means generates heat due to the reflected power, the amount of generated heat is reduced. As a result, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are prevented.
(2)制御手段は、対象物の処理前に、検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる1または複数の周波数を処理周波数として決定してもよい。 (2) The control unit may determine, as the processing frequency, one or a plurality of frequencies at which the reflected power detected by the detection unit is minimized or minimized before processing the object.
この場合、対象物の処理時に発生する反射電力を十分に低減することができる。これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が十分に向上される。 In this case, the reflected power generated during processing of the object can be sufficiently reduced. Thereby, the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus is sufficiently improved.
また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、発熱量が十分に低減される。その結果、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が十分に防止される。 Further, even when the microwave generating means generates heat due to the reflected power, the amount of generated heat is sufficiently reduced. As a result, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are sufficiently prevented.
(3)制御手段は、対象物の処理前に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力を対象物の処理時に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力よりも小さい値に設定してもよい。 (3) The control means sets the power of the microwave radiated from the radiating unit to the target before processing the target to a value smaller than the power of the microwave radiated from the radiating unit to the target at the time of processing the target. It may be set.
この場合、対象部の処理前にマイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力が、対象物の処理時に放射されるマイクロ波の電力よりも小さいので、対象物の処理前に、対象物が大きな電力を有するマイクロ波により処理されることを防止できる。それにより、対象物の処理前の電力消費が低減されるとともに、対象物が不所望の条件で処理されることが防止される。 In this case, the microwave power radiated from the radiating unit to the target object is smaller than the microwave power radiated during the processing of the target object while changing the microwave frequency before the target part processing. It is possible to prevent the object from being processed by microwaves having a large electric power before the object is processed. Thereby, power consumption before the processing of the object is reduced, and the object is prevented from being processed under undesired conditions.
(4)マイクロ波発生手段は、放熱手段を含み、対象物の処理前に放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力は、放熱手段が放熱可能なエネルギーよりも低い値に設定されてもよい。 (4) The microwave generating means includes heat radiating means, and the power of the microwave radiated from the radiating unit to the object before processing the object is set to a value lower than the energy that the heat radiating means can radiate. Also good.
この場合、対象物の処理前に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射する際に、放射部からの反射電力に起因して発生する熱が放熱手段により十分に放散される。それにより、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が確実に防止される。また、対象物の処理前の電力消費が低減される。 In this case, before the object is processed, the heat generated due to the reflected power from the radiating unit when the microwave is radiated from the radiating unit to the object while changing the frequency of the microwave by the microwave generating unit. Is sufficiently dissipated by the heat dissipation means. Thereby, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are reliably prevented. In addition, power consumption before processing the object is reduced.
(5)制御手段は、対象物の処理中に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射させ、検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を新たな処理周波数として決定し、決定された新たな処理周波数のマイクロ波をマイクロ波発生手段により発生させる周波数更新処理を行ってもよい。 (5) During the processing of the object, the control means causes the microwave generation means to radiate the microwave to the object while changing the microwave frequency, and the reflected power detected by the detection means is minimized or Based on the minimum frequency, the frequency of the microwave for processing the object is determined as a new processing frequency, and the frequency update processing is performed in which the microwave of the determined new processing frequency is generated by the microwave generation means. May be.
ここで、対象物の処理中に発生する反射電力は、対象物の処理状態に応じて変化する場合がある。そこで、対象物の処理中に周波数更新処理が行われることにより、対象物の処理状態に応じた新たな処理周波数のマイクロ波で対象物の処理が行われる。それにより、放射部からの反射電力が常時低減される。 Here, the reflected power generated during the processing of the target object may change depending on the processing state of the target object. Therefore, the frequency update process is performed during the processing of the object, whereby the object is processed with the microwave having a new processing frequency corresponding to the processing state of the object. Thereby, the reflected power from the radiation part is always reduced.
これにより、対象物の処理中におけるマイクロ波処理装置の電力変換効率の低下が防止される。また、マイクロ波処理手段の破損および故障も防止される。 Thereby, the fall of the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus during the process of a target object is prevented. Further, breakage and failure of the microwave processing means can be prevented.
(6)制御手段は、対象物の処理中に、検出手段により検出される反射電力が予め定められたしきい値を超えた場合に周波数更新処理を行ってもよい。 (6) The control means may perform the frequency update process when the reflected power detected by the detection means exceeds a predetermined threshold during the processing of the object.
この場合、対象物の状態の変化により放射部からの反射電力がしきい値を超えると、周波数更新処理が行われ、対象物に放射されるマイクロ波の新たな処理周波数が決定される。そして、決定された新たな処理周波数のマイクロ波が対象物に放射される。それにより、対象物の状態の変化によるマイクロ波処理装置の電力変換効率の低下が確実に防止されるとともに、マイクロ波発生手段の破損および故障も確実に防止される。 In this case, when the reflected power from the radiating unit exceeds a threshold due to a change in the state of the object, a frequency update process is performed, and a new processing frequency of the microwave radiated to the object is determined. And the microwave of the determined new processing frequency is radiated | emitted to a target object. This reliably prevents a decrease in power conversion efficiency of the microwave processing apparatus due to a change in the state of the object, and also prevents damage and failure of the microwave generation means.
(7)制御手段は、対象物の処理中に、所定時間が経過するごとに、周波数更新処理を行ってもよい。 (7) The control means may perform the frequency update process every time a predetermined time elapses during the processing of the object.
この場合、対象物の状態の変化により放射部からの反射電力が上昇する場合でも、所定時間ごとに周波数更新処理が行われ、対象物に放射されるマイクロ波の新たな処理周波数が決定される。そして、決定された新たな処理周波数のマイクロ波が対象物に放射される。それにより、対象物の状態の変化によるマイクロ波処理装置の電力変換効率の低下が確実に防止されるとともに、マイクロ波発生手段の破損および故障も確実に防止される。 In this case, even when the reflected power from the radiating unit increases due to a change in the state of the object, frequency update processing is performed every predetermined time, and a new processing frequency of the microwave radiated to the object is determined. . And the microwave of the determined new processing frequency is radiated | emitted to a target object. This reliably prevents a decrease in power conversion efficiency of the microwave processing apparatus due to a change in the state of the object, and also prevents damage and failure of the microwave generation means.
(8)制御手段は、周波数更新処理において、直前に決定された処理周波数を含む一定の範囲でマイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させてもよい。 (8) In the frequency update process, the control means may change the frequency of the microwave by the microwave generation means within a certain range including the processing frequency determined immediately before.
この場合、周波数更新処理に必要な時間が短縮される。それにより、周波数更新処理が処理中の対象物に与える影響を最小限に抑制することができる。 In this case, the time required for the frequency update process is shortened. Thereby, the influence which the frequency update process has on the object being processed can be minimized.
(9)放射部は複数設けられ、検出手段は、複数の放射部からの反射電力をそれぞれ検出し、制御手段は、対象物の処理前に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ複数の放射部から対象物にマイクロ波を放射させ、検出手段により検出される複数の放射部からの反射電力がそれぞれ最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定してもよい。 (9) A plurality of radiation units are provided, the detection unit detects reflected power from each of the plurality of radiation units, and the control unit changes the frequency of the microwave by the microwave generation unit before processing the object. While radiating microwaves to a target from a plurality of radiating sections, the microwaves for processing the target are based on frequencies at which reflected power from the plurality of radiating sections detected by the detecting means is minimized or minimized, respectively. The frequency may be determined as the processing frequency.
この場合、検出手段により検出される複数の放射部からの反射電力がそれぞれ最小または極小となる周波数に基づいて、対象物の処理のためのマイクロ波の周波数が処理周波数として決定される。 In this case, the frequency of the microwave for processing the object is determined as the processing frequency based on the frequency at which the reflected power from the plurality of radiating portions detected by the detection means is minimized or minimized.
このように、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上される。 As described above, since the microwave having the processing frequency determined based on the frequency at which the reflected power from the radiating unit is minimized or minimized is used for processing the object, the reflected power generated when the object is processed is reduced. The Thereby, the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus is improved.
また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。 Further, even when the microwave generating means generates heat due to the reflected power, the amount of generated heat is reduced. As a result, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are prevented.
(10)対象物の処理は加熱処理であってもよく、マイクロ波処理装置は、対象物を加熱のために収容する加熱室をさらに備えてもよい。 (10) The treatment of the object may be a heat treatment, and the microwave processing apparatus may further include a heating chamber that accommodates the object for heating.
この場合、加熱室の内部に対象物を収容することにより、対象物の加熱処理を行うことができる。 In this case, the object can be heat-treated by accommodating the object in the heating chamber.
(11)第2の発明に係るマイクロ波処理方法は、マイクロ波を用いて対象物を処理するマイクロ波処理方法であって、対象物の処理前に、マイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射するとともに放射部からの反射電力を検出するステップと、検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定するステップと、対象物の処理時に、決定された処理周波数のマイクロ波を発生させるステップとを備えるものである。 (11) A microwave processing method according to a second aspect of the present invention is a microwave processing method for processing an object using microwaves, and the radiation unit changes the frequency of the microwave before processing the object. The step of detecting the reflected power from the radiating part and radiating the microwave from the object to the object, and processing the frequency of the microwave for processing the object based on the frequency at which the detected reflected power is minimized or minimized A step of determining the frequency, and a step of generating a microwave of the determined processing frequency when the object is processed.
このマイクロ波処理方法においては、対象物の処理前に、マイクロ波の周波数が変化されつつ放射部から対象物にマイクロ波が放射され、放射部からの反射電力が検出される。検出される放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて、対象物の処理のためのマイクロ波の周波数が、処理周波数として決定される。対象物の処理時に、決定された処理周波数のマイクロ波が発生される。 In this microwave processing method, the microwave is radiated from the radiating unit to the object while the frequency of the microwave is changed before the object is processed, and the reflected power from the radiating unit is detected. Based on the frequency at which the reflected power from the detected radiation part is minimized or minimized, the frequency of the microwave for processing the object is determined as the processing frequency. During processing of the object, a microwave with a determined processing frequency is generated.
このように、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。これにより、マイクロ波を発生し、対象物を処理するための電力変換効率が向上される。 As described above, since the microwave having the processing frequency determined based on the frequency at which the reflected power from the radiating unit is minimized or minimized is used for processing the object, the reflected power generated when the object is processed is reduced. The Thereby, the power conversion efficiency for generating a microwave and processing a target object is improved.
また、反射電力に起因してマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。 Further, even when the microwave generating means for generating microwaves due to the reflected power generates heat, the amount of generated heat is reduced. As a result, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are prevented.
(12)マイクロ波処理方法は、対象物の処理中に、マイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射するとともに放射部からの反射電力を検出するステップと、検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を新たな処理周波数として決定するステップと、決定された新たな処理周波数のマイクロ波を発生させるステップとをさらに備えてもよい。 (12) The microwave processing method includes detecting a reflected power from the radiation unit and radiating a microwave from the radiation unit to the target while changing the frequency of the microwave during the processing of the target object. Determining a microwave frequency for processing the object as a new processing frequency based on a frequency at which the reflected power is minimized or minimized, and generating a microwave with the determined new processing frequency. May be further provided.
ここで、対象物の処理中に発生する反射電力は、対象物の処理状態に応じて変化する場合がある。そこで、対象物の処理中にマイクロ波の処理周波数が新たに決定され、新たな処理周波数のマイクロ波で対象物の処理が行われる。それにより、放射部からの反射電力が常時低減される。 Here, the reflected power generated during the processing of the target object may change depending on the processing state of the target object. Therefore, the processing frequency of the microwave is newly determined during the processing of the object, and the processing of the object is performed with the microwave having the new processing frequency. Thereby, the reflected power from the radiation part is always reduced.
これにより、対象物の処理中におけるマイクロ波処理装置の電力変換効率の低下が防止される。また、マイクロ波処理手段の破損および故障が防止される。 Thereby, the fall of the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus during the process of a target object is prevented. Further, breakage and failure of the microwave processing means are prevented.
本発明によれば、放射部からの反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて決定された処理周波数のマイクロ波が対象物の処理に用いられるので、対象物の処理時に発生する反射電力が低減される。これにより、マイクロ波処理装置の電力変換効率が向上される。 According to the present invention, the microwave having the processing frequency determined based on the frequency at which the reflected power from the radiating unit is minimized or minimized is used for the processing of the object. Therefore, the reflected power generated during the processing of the object is reduced. Reduced. Thereby, the power conversion efficiency of the microwave processing apparatus is improved.
また、反射電力に起因してマイクロ波発生手段が発熱する場合でも、その発熱量が低減される。その結果、反射電力に起因するマイクロ波発生手段の破損および故障が防止される。 Further, even when the microwave generating means generates heat due to the reflected power, the amount of generated heat is reduced. As a result, breakage and failure of the microwave generation means due to the reflected power are prevented.
以下、本発明の一実施の形態に係るマイクロ波処理装置およびマイクロ波処理方法について説明する。以下の説明では、マイクロ波処理装置の一例として、電子レンジを説明する。 Hereinafter, a microwave processing apparatus and a microwave processing method according to an embodiment of the present invention will be described. In the following description, a microwave oven will be described as an example of a microwave processing apparatus.
[1] 第1の実施の形態
(1−1) 電子レンジの構成および動作の概略
図1は、第1の実施の形態に係る電子レンジの構成を示すブロック図である。図1に示すように、本実施の形態に係る電子レンジ1は、マイクロ波発生装置100および筐体501を含む。筐体501内には、アンテナA1が設けられる。
[1] First Embodiment (1-1) Outline of Configuration and Operation of Microwave Oven FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a microwave oven according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, a microwave oven 1 according to the present embodiment includes a
また、マイクロ波発生装置100は、電圧供給部200、マイクロ波発生部300、マイクロ波増幅部400、反射電力検出装置600およびマイクロコンピュータ700を備える。マイクロ波発生装置100は、電源プラグ10を介して商用電源に接続される。
Further, the
マイクロ波発生装置100において、電圧供給部200は、商用電源から供給される交流電圧を可変電圧および直流電圧に変換し、可変電圧をマイクロ波発生部300に与え、直流電圧をマイクロ波増幅部400に与える。
In the
マイクロ波発生部300は、電圧供給部200から与えられる可変電圧に基づいてマイクロ波を発生する。マイクロ波増幅部400は、電圧供給部200から与えられる直流電圧により動作し、マイクロ波発生部300により発生されるマイクロ波を増幅する。電圧供給部200、マイクロ波発生部300およびマイクロ波増幅部400の構成および動作の詳細は後述する。
The
反射電力検出装置600は、検波ダイオード、方向性結合器および終端器等を含み、マイクロ波増幅部400により増幅されたマイクロ波を筐体501内に設けられたアンテナA1に与える。これにより、筐体501内でアンテナA1からマイクロ波が放射される。
The reflected
このとき、アンテナA1から反射電力検出装置600に反射電力が与えられる。反射電力検出装置600は、与えられた反射電力の大きさに対応する反射電力検出信号をマイクロコンピュータ700に与える。
At this time, the reflected power is applied from the antenna A1 to the reflected
筐体501内には、対象物の温度を測定するための温度センサTSが設けられている。温度センサTSによる対象物の温度測定値は、マイクロコンピュータ700に与えられる。
A temperature sensor TS for measuring the temperature of the object is provided in the
マイクロコンピュータ700は、電圧供給部200およびマイクロ波発生部300を制御する。詳細は後述する。
The
(1−2) マイクロ波発生装置の構成の詳細
図2は、図1の電子レンジ1を構成するマイクロ波発生装置100の概略側面図であり、図3は、図2のマイクロ波発生装置100の回路構成を模式的に示した図である。
(1-2) Details of Configuration of Microwave Generation Device FIG. 2 is a schematic side view of the
図2および図3に基づき、マイクロ波発生装置100の各構成部の詳細を説明する。なお、図2および図3では、反射電力検出装置600およびマイクロコンピュータ700の図示は省略する。
Based on FIG. 2 and FIG. 3, the detail of each structure part of the
図2の電圧供給部200は、整流回路201(図3)および電圧制御装置202(図3)を含む。電圧制御装置202は、トランス202aおよび電圧制御回路202bを含む。整流回路201および電圧制御装置202は、樹脂等の絶縁材料により封止された状態で金属ケースIM1(図2)内に収容されている。
2 includes a rectifier circuit 201 (FIG. 3) and a voltage control device 202 (FIG. 3).
図2のマイクロ波発生部300は、放熱フィン301および回路基板302を含む。回路基板302には、図3のマイクロ波発生器303が形成されている。回路基板302は、放熱フィン301上に設けられる。回路基板302およびマイクロ波発生器303は、放熱フィン301上において、絶縁材料により封止された状態で金属ケースIM2内に収容されている。マイクロ波発生器303は、例えば、トランジスタ等の回路素子により構成される。
The
マイクロ波発生器303は、図1のマイクロコンピュータ700に接続されている。これにより、マイクロ波発生器303の動作は、マイクロコンピュータ700により制御される。
The
図2のマイクロ波増幅部400は、放熱フィン401および回路基板402を含む。回路基板402上には、図3の3個の増幅器403,404,405が形成されている。回路基板402は、放熱フィン401上に設けられる。回路基板402および増幅器403,404,405は、放熱フィン401上において、絶縁材料により封止された状態で金属ケースIM3内に収容されている。増幅器403,404,405は、GaN(窒化ガリウム)、SiC(炭化ケイ素)等を用いたトランジスタ等の高耐熱性かつ高耐圧の半導体素子により構成される。
2 includes a
図3に示すように、マイクロ波発生器303の出力端子は、回路基板302に形成された線路L1、同軸ケーブルCC1および回路基板402に形成された線路L2を介して増幅器403の入力端子に接続されている。なお、同軸ケーブルCC1と線路L2とは、絶縁連結部MCにおいて接続されている。
As shown in FIG. 3, the output terminal of the
増幅器403の出力端子は、回路基板402に形成された線路L3を介して電力分配器406の入力端子に接続されている。電力分配器406は、増幅器403から線路L3を介して入力された電力を2分配して出力する。
The output terminal of the
電力分配器406の2つの出力端子は、回路基板402に形成された線路L4,L5を介して増幅器404および増幅器405のそれぞれの入力端子に接続されている。
Two output terminals of the
増幅器404および増幅器405のそれぞれの出力端子は、回路基板402に形成された線路L6,L8を介して電力合成器407の入力端子に接続されている。電力合成器407は、入力されたそれぞれの電力を合成加算して出力する。電力合成器407の出力端子は、回路基板402に形成された線路L7を介して同軸ケーブルCC2の一端に接続されている。同軸ケーブルCC2の他端は、筐体501内に設けられたアンテナA1に接続されている。なお、同軸ケーブルCC2と線路L7とは、絶縁連結部MCにおいて接続されている。
The output terminals of the
整流回路201の一対の入力端子およびトランス202aの一次巻線には、商用電源PSから交流電圧VCCが与えられる。交流電圧VCCは、例えば、100(V)である。整流回路201の一対の出力端子には、高電位側の電源ラインLV1および低電位側の電源ラインLV2が接続されている。
The AC voltage VCC is supplied from the commercial power source PS to the pair of input terminals of the
整流回路201は、商用電源PSから与えられる交流電圧VCCを整流し、直流電圧VDDを電源ラインLV1,LV2間に印加する。直流電圧VDDは、例えば、140(V)である。増幅器403,404,405の電源端子は電源ラインLV1に接続され、増幅器403,404,405の接地端子は電源ラインLV2に接続されている。
The
トランス202aの二次巻線は、電圧制御回路202bの一対の入力端子に接続されている。トランス202aは交流電圧VCCを降圧する。電圧制御回路202bは、トランス202aにより降圧された交流電圧から任意に調整可能な可変電圧VVAをマイクロ波発生器303に与える。可変電圧VVAは、例えば、0〜10(V)の間で調整可能な電圧である。
The secondary winding of the
マイクロ波発生器303は、電圧制御回路202bから与えられる可変電圧VVAに基づいてマイクロ波を発生する。マイクロ波発生器303により発生されたマイクロ波は、線路L1、同軸ケーブルCC1および線路L2を介して増幅器403に与えられる。
The
増幅器403は、マイクロ波発生器303から与えられたマイクロ波の電力を増幅する。増幅器403により増幅されたマイクロ波は、線路L3、電力分配器406、および線路L4,L5を介して増幅器404,405に与えられる。
The
増幅器404,405は、増幅器403から与えられたマイクロ波の電力を増幅する。増幅器404および増幅器405により増幅されたマイクロ波は、それぞれ線路L6,L8を介して電力合成器407に入力され、電力合成器407により電力加算されて出力され、線路L7および同軸ケーブルCC2を介してアンテナA1に与えられる。増幅器404,405からアンテナA1に与えられたマイクロ波は、筐体501内へ放射される。
The
(1−3) マイクロコンピュータの制御手順
図4および図5は、図1のマイクロコンピュータ700の制御手順を示すフローチャートである。
(1-3) Microcomputer Control Procedure FIGS. 4 and 5 are flowcharts showing the control procedure of the
図1のマイクロコンピュータ700は、使用者の操作により対象物の加熱が指令されることにより以下に示すマイクロ波処理を行う。
The
図4に示すように、マイクロコンピュータ700は、初めに自己に内蔵されたタイマによる計測動作を開始させる(ステップS11)。そして、図1のマイクロ波発生部300を制御することにより、予め定められた第1の出力電力を電子レンジ1の出力電力として設定する(ステップS12)。この第1の出力電力は、後述の第2の出力電力よりも小さい。第1の出力電力の決定方法については後述する。
As shown in FIG. 4, the
次に、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波発生部300により発生されるマイクロ波の周波数を電子レンジ1で用いられる2400MHz〜2500MHzの全周波数帯域にかけてスイープ(掃引)するとともに、図1の反射電力検出装置600により検出される反射電力と周波数との関係を記憶する(ステップS13)。この周波数帯域はISM(Industrial Scientific and Medical)バンドと呼ばれている。
Next, the
なお、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波の周波数のスイープ時に全周波数帯域における反射電力と周波数との関係を記憶する代わりに、反射電力が極小値を示すときの反射電力と周波数との関係のみを記憶してもよい。この場合、マイクロコンピュータ700内の記憶装置の使用領域を削減することができる。
Note that the
続いて、マイクロコンピュータ700は、ISMバンドから特定の周波数を抽出する周波数抽出処理を行う(ステップS14)。
Subsequently, the
この周波数抽出処理では、例えば、記憶した反射電力から特定の反射電力(例えば、最小値)を識別し、その反射電力が得られたときの周波数を本加熱周波数として抽出する。この具体例については後述する。 In this frequency extraction process, for example, a specific reflected power (for example, a minimum value) is identified from the stored reflected power, and the frequency when the reflected power is obtained is extracted as the main heating frequency. A specific example will be described later.
なお、反射電力が極小値を示すときの反射電力と周波数との関係のみをマイクロコンピュータ700が複数組記憶する場合には、記憶された複数の周波数の中から特定の周波数が本加熱周波数として抽出される。
When the
次に、マイクロコンピュータ700は、予め定められた第2の出力電力を電子レンジ1の出力電力として設定する(ステップS15)。
Next, the
この第2の出力電力は、図1の筐体501内に配置された対象物を加熱するための電力であり、電子レンジ1の最大出力電力(定格出力電力)に相当する。例えば、電子レンジ1の定格出力電力が950Wである場合、第2の出力電力は950Wとして予め定められる。
The second output power is power for heating the object arranged in the
そして、マイクロコンピュータ700は、第2の出力電力で本加熱周波数のマイクロ波をアンテナA1から筐体501内に放射させる(ステップS16)。これにより、筐体501内に配置された対象物が加熱される(本加熱)。
Then, the
その後、マイクロコンピュータ700は、図1の温度センサTSにより検出される対象物の温度が目標温度(例えば、70℃)に達したか否かを判別する(ステップS17)。なお、目標温度は、予め固定的に設定されていてもよいし、使用者により手動で任意に設定されてもよい。
Thereafter, the
対象物の温度が目標温度に達していない場合、マイクロコンピュータ700は、反射電力検出装置600により検出される反射電力が予め定められたしきい値を超えたか否かを判別する(ステップS18)。しきい値の決定方法については後述する。
When the temperature of the object does not reach the target temperature, the
反射電力が予め定められたしきい値を超えない場合、マイクロコンピュータ700は、タイマによる計測値に基づいて、ステップS11におけるタイマの計測動作開始時から所定時間(例えば、10sec)が経過したか否かを判別する(ステップS19)。
If the reflected power does not exceed a predetermined threshold, the
所定時間が経過していない場合、マイクロコンピュータ700は、第2の出力電力で本加熱周波数のマイクロ波を放射した状態を維持しつつ、ステップS17〜S19の動作を繰り返す。
If the predetermined time has not elapsed, the
ステップS17において、対象物の温度が目標温度に達した場合、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波処理を終了する。
In step S17, when the temperature of the object reaches the target temperature, the
また、ステップS18において、反射電力が予め定められたしきい値を超えた場合、マイクロコンピュータ700は、ステップS11の動作に戻る。
If the reflected power exceeds a predetermined threshold value in step S18, the
ステップS19において、所定時間が経過した場合、マイクロコンピュータ700は、図5に示すようにタイマをリセットするとともに、再度タイマの計測動作を開始させる(ステップS20)。
When the predetermined time has elapsed in step S19, the
そして、マイクロコンピュータ700は、ステップS12と同様に、第1の出力電力を電子レンジ1の出力電力として設定する(ステップS21)。
And the
続いて、マイクロコンピュータ700は、ステップS16において抽出した本加熱周波数を基準周波数として設定し、その基準周波数を含む一定範囲の周波数帯域(例えば、基準周波数から±5MHzの範囲内の周波数帯域)で、マイクロ波の周波数を部分的にスイープするとともに、反射電力検出装置600により検出される反射電力と周波数との関係を記憶する(ステップS22)。
Subsequently, the
なお、ここでも、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波の周波数のスイープ時に上記の部分的な周波数帯域における反射電力と周波数との関係を記憶する代わりに、反射電力が極小値を示すときの反射電力と周波数との関係のみを記憶してもよい。この場合、マイクロコンピュータ700内の記憶装置の使用領域を削減することができる。
In this case as well, the
ステップS22でスイープの対象となる周波数帯域は、ステップS13でスイープの対象となる周波数帯域、すなわちISMバンドよりも狭い。したがって、ステップS22のスイープに必要な時間は、ステップS13のスイープに必要な時間に比べて短縮される。 The frequency band to be swept in step S22 is narrower than the frequency band to be swept in step S13, that is, the ISM band. Therefore, the time required for the sweep in step S22 is shortened compared to the time required for the sweep in step S13.
次に、マイクロコンピュータ700は、ステップS22でスイープの対象となる周波数帯域の中から特定の周波数を再度抽出する周波数再抽出処理を行う(ステップS23)。この周波数再抽出処理は、ステップS14の周波数抽出処理と同様の処理である。
Next, the
さらに、マイクロコンピュータ700は、上述の第2の出力電力を電子レンジ1の出力電力として設定する(ステップS24)。
Furthermore, the
そして、マイクロコンピュータ700は、第2の出力電力で新たに抽出された本加熱周波数のマイクロ波をアンテナA1から筐体501内に放射させる(ステップS25)。
Then, the
その後、マイクロコンピュータ700は、上記ステップS17〜S19と同様にステップS26〜S28の動作を行う。なお、ステップS27において、反射電力が予め定められたしきい値を超えた場合、マイクロコンピュータ700は、図4のステップS11の動作に戻る。また、ステップS28において、所定時間が経過した場合、マイクロコンピュータ700は、ステップS20の動作に戻る。
Thereafter, the
(1−4) 第1の出力電力の決定方法
上述のように、図1の電子レンジ1においては、第2の出力電力で対象物が加熱される前に、第1の出力電力でマイクロ波の周波数のスイープが行われ、周波数抽出処理が行われる。これは以下の理由による。
(1-4) First Output Power Determination Method As described above, in the microwave oven 1 of FIG. 1, the microwave is generated with the first output power before the object is heated with the second output power. Frequency sweep is performed, and frequency extraction processing is performed. This is due to the following reason.
マイクロ波の放射により発生する反射電力は、マイクロ波の周波数に応じて変化する。ここで、反射電力により図3のマイクロ波発生部300およびマイクロ波増幅部400を構成する回路素子が発熱した場合、図2の放熱フィン301,401により放熱が行われるが、反射電力が放熱フィン301,401の放熱能力を超えて大きくなると、放熱フィン301,401上に設けられた回路素子が発熱し、破損するおそれがある。
The reflected power generated by the microwave radiation changes according to the frequency of the microwave. Here, when the circuit elements constituting the
そこで、本実施の形態では、反射電力が放熱フィン301,401の放熱能力を超えないように、第1の出力電力を決定する。
Therefore, in the present embodiment, the first output power is determined so that the reflected power does not exceed the heat radiation capability of the
第1の出力電力の決定方法の一例を説明する。例えば、電子レンジ1の定格出力電力が950Wであり、かつ電力変換効率が65%である場合を想定する。 An example of a method for determining the first output power will be described. For example, it is assumed that the rated output power of the microwave oven 1 is 950 W and the power conversion efficiency is 65%.
この場合、電子レンジ1の出力電力を950Wに設定するためには、1460Wの入力電力を電子レンジ1に供給する必要がある。 In this case, in order to set the output power of the microwave oven 1 to 950 W, it is necessary to supply the input power of 1460 W to the microwave oven 1.
このとき、電子レンジ1では、1460Wの35%である510Wのエネルギー損失が生じる。そこで、本例では、このときのエネルギー損失を、放熱フィン301,401の放熱能力とみなし、510Wの入力電力を電子レンジ1に供給する場合の出力電力を算出する。
At this time, in the microwave oven 1, an energy loss of 510 W, which is 35% of 1460 W, occurs. Therefore, in this example, the energy loss at this time is regarded as the heat radiation capability of the
この場合、入力電力510Wの65%である330Wが電子レンジ1の出力電力となる。このようにして得られる330Wの出力電力を第1の出力電力として決定する。 In this case, 330 W that is 65% of the input power 510 W is the output power of the microwave oven 1. The output power of 330 W obtained in this way is determined as the first output power.
これにより、電子レンジ1に入力される510Wが全て熱エネルギーとして放熱フィン301,401に与えられる場合でも、その熱エネルギーは全て放熱フィン301,401から放熱される。それにより、放熱フィン301,401上に設けられた回路素子が発熱し、破損することが防止される。
As a result, even when 510 W input to the microwave oven 1 is all given to the
なお、上記の例では、第1の出力電力は330W以下に決定すればよく、330Wの約1/3の100Wに設定してもよいし、330Wの約1/6の50Wに設定してもよい。 In the above example, the first output power may be determined to be 330 W or less, and may be set to 100 W, which is approximately 1/3 of 330 W, or may be set to 50 W, which is approximately 1/6 of 330 W. Good.
また、上記では、電子レンジ1の定格出力電力が950Wであり、かつ電力変換効率が65%である場合の放熱フィン301,401の放熱能力を510Wとみなしているが、実際には放熱フィン301,401の放熱能力は510Wよりも十分大きい。
In the above description, the heat radiation capacity of the
(1−5) 周波数抽出処理および周波数再抽出処理
(1−5−a)
本実施の形態に係る電子レンジ1においては、対象物の本加熱前に、マイクロ波の周波数のスイープおよび周波数抽出処理が行われる(図4のステップS13,S14参照)。
(1-5) Frequency extraction processing and frequency re-extraction processing (1-5-a)
In the microwave oven 1 according to the present embodiment, a microwave frequency sweep and frequency extraction process is performed before the main heating of the object (see steps S13 and S14 in FIG. 4).
図6は、マイクロ波の周波数のスイープおよび周波数抽出処理の具体例を説明するための図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining a specific example of microwave frequency sweeping and frequency extraction processing.
図6(a)に、マイクロ波の周波数をスイープするときの反射電力の変化がグラフにより示されている。図6(a)においては、縦軸が反射電力を示し、横軸がマイクロ波の周波数を示す。 FIG. 6A is a graph showing the change in the reflected power when the frequency of the microwave is swept. In FIG. 6A, the vertical axis indicates the reflected power, and the horizontal axis indicates the frequency of the microwave.
上述のように、本実施の形態の電子レンジ1においては、対象物の本加熱前にISMバンドの全周波数帯域に渡ってマイクロ波の周波数がスイープされる(矢印SW1参照)。マイクロコンピュータ700は、反射電力と周波数との関係を記憶する。
As described above, in the microwave oven 1 according to the present embodiment, the microwave frequency is swept over the entire frequency band of the ISM band before the main heating of the object (see arrow SW1). The
マイクロコンピュータ700は、周波数抽出処理により例えば反射電力が最小となるときの周波数f1を本加熱周波数として抽出する。
The
それにより、第2の出力電力で本加熱周波数f1のマイクロ波がアンテナA1から筐体501内の対象物に放射される。その結果、反射電力を低減しつつ、対象物の加熱を行うことができる。
Thereby, the microwave of the main heating frequency f1 is radiated from the antenna A1 to the object in the
なお、スイープは、例えば0.1MHz当り1msecで行われる。この場合、ISMバンドの全周波数帯域に渡る上記のスイープでは1secの時間を要する。 Note that the sweep is performed at 1 msec per 0.1 MHz, for example. In this case, the above sweep over the entire frequency band of the ISM band requires 1 sec.
(1−5−b)
周波数に依存する反射電力の変化(以下、反射電力の周波数特性と呼ぶ)は、筐体501内における対象物の位置、大きさ、組成および温度等に応じて変化する。したがって、電子レンジ1により対象物が加熱され、対象物の温度が上昇すると、反射電力の周波数特性も変化する。
(1-5-b)
The change in the reflected power depending on the frequency (hereinafter referred to as the frequency characteristic of the reflected power) changes according to the position, size, composition, temperature, and the like of the object in the
図6(b)に、対象物が加熱されることによる反射電力の周波数特性の変化がグラフにより示されている。図6(b)においては、縦軸が反射電力を示し、横軸がマイクロ波の周波数を示す。また、本加熱前のスイープ時における反射電力の周波数特性を実線で示し、本加熱により対象物が加熱されているときの反射電力の周波数特性を破線で示す。 FIG. 6B shows a graph showing changes in the frequency characteristics of the reflected power due to the object being heated. In FIG. 6B, the vertical axis indicates the reflected power, and the horizontal axis indicates the frequency of the microwave. The frequency characteristic of the reflected power during the sweep before the main heating is indicated by a solid line, and the frequency characteristic of the reflected power when the object is heated by the main heating is indicated by a broken line.
反射電力の周波数特性が変化することにより、反射電力が最小および極小となるときの周波数が変化する。図6(b)では、対象物が加熱されたときに、反射電力が最小となる周波数が符号g1で示されている。 By changing the frequency characteristic of the reflected power, the frequency at which the reflected power is minimized and minimized changes. In FIG. 6B, the frequency at which the reflected power is minimum when the object is heated is indicated by reference numeral g1.
このように、反射電力の周波数特性は、対象物の温度にも依存して変化する。したがって、本実施の形態に係る電子レンジ1においては、対象物の本加熱が行われる際、所定時間が経過するごとにマイクロ波の周波数のスイープおよび周波数再抽出処理が行われる(図5のステップS22,S23参照)。 Thus, the frequency characteristic of the reflected power changes depending on the temperature of the object. Therefore, in the microwave oven 1 according to the present embodiment, when main heating of an object is performed, a microwave frequency sweep and a frequency re-extraction process are performed every time a predetermined time elapses (step S22 in FIG. 5). (See S23).
ただし、このときのスイープは、直前の本加熱時に設定されていた周波数f1を基準周波数として、その基準周波数から±5MHzの範囲内の周波数帯域で行う(矢印SW2参照)。これにより、新たに反射電力が最小となる周波数g1が、新たな本加熱周波数として再抽出される。 However, the sweep at this time is performed in a frequency band within a range of ± 5 MHz from the reference frequency with the frequency f1 set at the time of the last main heating as a reference frequency (see arrow SW2). Thereby, the frequency g1 at which the reflected power is newly minimized is re-extracted as a new main heating frequency.
マイクロ波の周波数のスイープを、直前に設定されていた本加熱周波数を含む一定範囲の部分的な周波数帯域で行うことにより、スイープに必要な時間が短縮される。例えば、スイープが0.1MHz当り1msecで行われるとき、基準周波数から±5MHzの範囲内の周波数帯域でのスイープに必要な時間は0.1secである。 By performing the sweep of the microwave frequency in a partial frequency band within a certain range including the main heating frequency set immediately before, the time required for the sweep is shortened. For example, when the sweep is performed at 1 msec per 0.1 MHz, the time required for the sweep in the frequency band within the range of ± 5 MHz from the reference frequency is 0.1 sec.
なお、本実施の形態では、部分的な周波数帯域での周波数のスイープおよび周波数再抽出処理が所定の時間間隔で行われるとしているが、この時間間隔は、反射電力の周波数特性が対象物の加熱により大きく変化しないように、例えば10secに設定することが好ましい。 In the present embodiment, frequency sweep and frequency re-extraction processing in a partial frequency band are performed at a predetermined time interval. In this time interval, the frequency characteristic of reflected power is the heating of the object. For example, it is preferably set to 10 sec so as not to change greatly.
(1−6) 反射電力のしきい値
本実施の形態に係る電子レンジ1においては、対象物の本加熱時に、反射電力が予め定められたしきい値を超えたか否かが判別される(図4のステップS18および図5のステップS27参照)。
(1-6) Threshold of reflected power In the microwave oven 1 according to the present embodiment, it is determined whether or not the reflected power exceeds a predetermined threshold during the main heating of the object (FIG. 4). Step S18 of FIG. 5 and Step S27 of FIG. 5).
ここで、しきい値は、例えば周波数抽出処理時に検出された反射電力の最小値に50Wを加算した値に定められる。それにより、反射電力が本加熱開始時の値から50Wを超えて大きくなると、マイクロコンピュータ700はISMバンドの全周波数帯域に亘ってマイクロ波の周波数をスイープし、周波数抽出処理を行う。
Here, the threshold value is set to a value obtained by adding 50 W to the minimum value of the reflected power detected during the frequency extraction process, for example. Accordingly, when the reflected power increases beyond 50 W from the value at the start of the main heating, the
これにより、対象物の本加熱中に反射電力が著しく大きくなることが防止される。また、対象物が加熱されることにより、反射電力の周波数特性が大きく変化する場合でも、ISMバンドの全周波数帯域に亘ってマイクロ波の周波数がスイープされ、周波数抽出処理が行われるので、常に反射電力を低減することが可能となる。 This prevents the reflected power from becoming significantly large during the main heating of the object. Further, even when the frequency characteristic of the reflected power changes greatly due to the heating of the object, the microwave frequency is swept over the entire frequency band of the ISM band, and the frequency extraction process is performed, so that the reflection is always performed. It becomes possible to reduce electric power.
(1−7) 周波数抽出処理の他の例
周波数抽出処理は以下のように行ってもよい。図6(a)に示されるように、例えば反射電力の周波数特性は、複数の極小値を有する場合がある。このとき、マイクロコンピュータ700は、複数の極小値にそれぞれ対応する周波数f1,f2,f3を本加熱周波数として抽出してもよい。
(1-7) Other examples of frequency extraction processing The frequency extraction processing may be performed as follows. As shown in FIG. 6A, for example, the frequency characteristic of reflected power may have a plurality of minimum values. At this time, the
この場合、マイクロコンピュータ700は、本加熱周波数f1,f2,f3を順に切り替えてもよい。例えば、マイクロコンピュータ700は、対象物の本加熱開始から3secごとに、本加熱周波数f1,f2,f3を順に切り替える。
In this case, the
このように、複数の極小値に対応する複数の周波数で、本加熱を行うことにより、スイープ時に同じレベルの極小値が複数存在する場合でも、各極小値の周波数のマイクロ波で対象物の本加熱を行うことができる。 In this way, by performing the main heating at a plurality of frequencies corresponding to a plurality of minimum values, even when there are a plurality of minimum values at the same level during the sweep, the main heating of the object is performed with the microwaves of the respective minimum values. It can be carried out.
(1−8) 効果
本実施の形態に係る電子レンジ1においては、対象物を本加熱する前に、対象物の加熱時に発生する反射電力が最小となるマイクロ波の周波数が、周波数抽出処理により抽出される。抽出された周波数が本加熱周波数として用いられることにより、電子レンジ1の電力変換効率が向上する。
(1-8) Effect In the microwave oven 1 according to the present embodiment, the frequency of the microwave at which the reflected power generated when the object is heated is minimized by the frequency extraction process before the object is fully heated. Extracted. The power conversion efficiency of the microwave oven 1 is improved by using the extracted frequency as the main heating frequency.
また、周波数抽出処理には、電子レンジ1の出力電力が本加熱時よりも十分に小さい第1の出力電力に設定される。これにより、マイクロ波の周波数のスイープ時に、反射電力によりマイクロ波発生部300およびマイクロ波増幅部400を構成する回路素子が発熱する場合でも、放熱フィン301,401により十分に放熱が行われる。
In the frequency extraction process, the output power of the microwave oven 1 is set to a first output power that is sufficiently smaller than that during main heating. Thus, even when circuit elements constituting the
その結果、放熱フィン301,401上に設けられる回路素子の反射電力による破損が確実に防止される。
As a result, the circuit element provided on the
(1−9) 変形例
第1の実施の形態において、第2の出力電力は電子レンジ1の最大出力電力であるとしているが、第2の出力電力は使用者により手動で任意に設定されてもよい。
(1-9) Modified Example In the first embodiment, the second output power is the maximum output power of the microwave oven 1, but the second output power is arbitrarily set manually by the user. Also good.
また、本実施の形態では、マイクロコンピュータ700が、マイクロ波処理の終了を図1の温度センサTSにより測定された対象物の温度測定値に基づいて判別するが、マイクロ波処理は、使用者により手動で設定された終了時間に基づいて終了してもよい。
Further, in the present embodiment, the
[2] 第2の実施の形態
第2の実施の形態に係る電子レンジは、以下の点で第1の実施の形態に係る電子レンジ1と異なる。
[2] Second Embodiment A microwave oven according to the second embodiment is different from the microwave oven 1 according to the first embodiment in the following points.
(2−1) 電子レンジの構成および動作の概略
図7は、第2の実施の形態に係る電子レンジの構成を示すブロック図である。図7に示すように、第2の実施の形態に係る電子レンジ1は、マイクロ波発生装置100の構成および筐体501内に設けられるアンテナA1,A2の数が第1の実施の形態に係る電子レンジ1(図1)と異なる。
(2-1) Configuration of Microwave Oven and Outline of Operation FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the microwave oven according to the second embodiment. As shown in FIG. 7, in the microwave oven 1 according to the second embodiment, the configuration of the
本実施の形態に係る電子レンジ1において、マイクロ波発生装置100は、電圧供給部200、2個のマイクロ波発生部300,310、2個のマイクロ波増幅部400,410、2個の反射電力検出装置600,610およびマイクロコンピュータ700を備える。
In the microwave oven 1 according to the present embodiment, the
ここで、マイクロ波発生部310、マイクロ波増幅部410および反射電力検出装置610の構成は、第1の実施の形態で説明したマイクロ波発生部300、マイクロ波増幅部400および反射電力検出装置600と同じである。
Here, the configurations of the
マイクロ波発生装置100は、電源プラグ10を介して商用電源に接続される。マイクロ波発生装置100において、電圧供給部200は、商用電源から供給される交流電圧を可変電圧および直流電圧に変換し、可変電圧をマイクロ波発生部300,310に与え、直流電圧をマイクロ波増幅部400,410に与える。
The
マイクロ波発生部300,310は、電圧供給部200から与えられる可変電圧に基づいてマイクロ波を発生する。マイクロ波増幅部400,410は、電圧供給部200から与えられる直流電圧により動作し、マイクロ波発生部300,310により発生されるマイクロ波を増幅する。
The
反射電力検出装置600,610は、検波ダイオード、方向性結合器および終端器等を含み、マイクロ波増幅部400,410により増幅されたマイクロ波を筐体501内に設けられたアンテナA1,A2に与える。これにより、筐体501内でアンテナA1,A2からマイクロ波が放射される。
The reflected
このとき、アンテナA1,A2から反射電力検出装置600,610に反射電力が与えられる。反射電力検出装置600,610は、与えられた反射電力の大きさに対応する反射電力検出信号をマイクロコンピュータ700に与える。
At this time, reflected power is applied to the reflected
第1の実施の形態と同様に、筐体501内には、対象物の温度を測定するための温度センサTSが設けられている。温度センサTSによる対象物の温度測定値は、マイクロコンピュータ700に与えられる。
Similar to the first embodiment, a temperature sensor TS for measuring the temperature of an object is provided in the
マイクロコンピュータ700は、電圧供給部200を制御する。また、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波発生部300,310を個別に制御する。
The
本実施の形態においても、マイクロコンピュータ700は、図4および図5のフローチャートと同様のマイクロ波処理を行うが、周波数抽出処理が第1の実施の形態と異なる。第2の実施の形態において、マイクロコンピュータ700が行う周波数抽出処理を説明する。
Also in the present embodiment, the
(2−2) 周波数抽出処理
図8は、第2の実施の形態に係る電子レンジ1においてマイクロコンピュータ700が行う周波数抽出処理の具体例を説明するための図である。図8に、マイクロ波の周波数をスイープするときの反射電力の変化がグラフにより示されている。図8においては、縦軸が反射電力を示し、横軸がマイクロ波の周波数を示す。
(2-2) Frequency Extraction Processing FIG. 8 is a diagram for explaining a specific example of the frequency extraction processing performed by the
本実施の形態に係る電子レンジ1においては、2個のアンテナA1,A2からマイクロ波が放射される。そこで、以下の説明ではアンテナA1側の反射電力を第1の反射電力と称し、アンテナA2側の反射電力を第2の反射電力と称する。 In the microwave oven 1 according to the present embodiment, microwaves are radiated from the two antennas A1 and A2. Therefore, in the following description, the reflected power on the antenna A1 side is referred to as first reflected power, and the reflected power on the antenna A2 side is referred to as second reflected power.
図8では、第1の反射電力の周波数特性が実線で示され、第2の反射電力の周波数特性が点線で示されている。 In FIG. 8, the frequency characteristic of the first reflected power is indicated by a solid line, and the frequency characteristic of the second reflected power is indicated by a dotted line.
第1の実施の形態と同様に、対象物の本加熱前に、アンテナA1,A2の各々から放射されるマイクロ波の周波数が個別にスイープされる。これにより、マイクロコンピュータ700は、第1の反射電力が極小値を示すときの第1の反射電力と周波数との関係、および第2の反射電力が極小値を示すときの第2の反射電力と周波数との関係を記憶する。
Similar to the first embodiment, the frequency of the microwave radiated from each of the antennas A1 and A2 is individually swept before the main heating of the object. Thereby, the
なお、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波の周波数のスイープ時に全周波数帯域における第1および第2の反射電力と周波数との関係を記憶してもよい。
Note that the
マイクロコンピュータ700は、周波数抽出処理により、例えば第1の反射電力が最小となるときの周波数f1、および第2の反射電力が最小となるときの周波数h1を、それぞれ第1の本加熱周波数および第2の本加熱周波数として抽出する。
By the frequency extraction process, the
それにより、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波発生部300を制御することにより、対象物を本加熱するための第2の出力電力で本加熱周波数f1のマイクロ波をアンテナA1から放射させる。
Thereby, the
また、マイクロコンピュータ700は、マイクロ波発生部310を制御することにより、第2の出力電力で本加熱周波数h1のマイクロ波をアンテナA2から放射させる。
Further, the
複数のアンテナA1,A2によりマイクロ波の放射が行われる場合、各アンテナA1,A2における第1および第2の反射電力が一致するとは限らない。上記のように、複数のアンテナA1,A2から放射されるマイクロ波の周波数を個別に設定することにより、電子レンジ1が複数のアンテナA1,A2を有する場合でも、電力変換効率が十分に向上される。 When microwave radiation is performed by the plurality of antennas A1 and A2, the first and second reflected powers at the antennas A1 and A2 do not always match. As described above, by individually setting the frequencies of the microwaves radiated from the plurality of antennas A1 and A2, even when the microwave oven 1 has the plurality of antennas A1 and A2, the power conversion efficiency is sufficiently improved. The
なお、マイクロコンピュータ700は、周波数再抽出処理についても同様の処理を行う。
The
(2−3) 周波数抽出処理の他の例
(2−3−a)
第2の実施の形態において、周波数抽出処理は以下のように行ってもよい。図8に示されるように、第1および第2の反射電力の周波数特性は、それぞれ複数の極小値を有する場合がある。
(2-3) Other examples of frequency extraction processing (2-3-a)
In the second embodiment, the frequency extraction process may be performed as follows. As shown in FIG. 8, the frequency characteristics of the first and second reflected powers may each have a plurality of minimum values.
このとき、マイクロコンピュータ700は、例えば、第1の反射電力について複数の極小値にそれぞれ対応する周波数f1,f2,f3を本加熱周波数として抽出し、第2の反射電力について複数の極小値にそれぞれ対応する周波数h1,h2,h3を本加熱周波数として抽出してもよい。
At this time, for example, the
この場合、マイクロコンピュータ700は、アンテナA1から放射されるマイクロ波の本加熱周波数f1,f2,f3を順に切り替え、アンテナA2から放射されるマイクロ波の本加熱周波数h1,h2,h3を順に切り替えてもよい。
In this case, the
このように、複数の極小値に対応する複数の周波数で、本加熱を行うことにより、スイープ時に同じレベルの極小値が複数存在する場合でも、各極小値の周波数のマイクロ波で対象物の本加熱を行うことができる。 In this way, by performing the main heating at a plurality of frequencies corresponding to a plurality of minimum values, even when there are a plurality of minimum values at the same level during the sweep, the main heating of the object is performed with the microwaves of the respective minimum values. It can be carried out.
(2−3−b)
上記に限らず、マイクロコンピュータ700は、第1および第2の反射電力の複数の極小値にそれぞれ対応する周波数f1,f2,f3,h1,h2,h3に関して、互いに近接する1組の周波数f1,h1、互いに近接する1組の周波数f2,h2、互いに近接する1組の周波数f3,h3のうち、各組でそれぞれより小さい反射電力に対応する周波数f1,f2,f3を本加熱周波数として抽出してもよい。
(2-3-b)
The
この場合、マイクロコンピュータ700は、アンテナA1,A2から放射されるマイクロ波を共通の周波数f1,f2,f3に制御する。
In this case, the
なお、マイクロ波を共通の周波数に制御する場合には、2個のマイクロ波発生部300,310に代えて、アンテナA1,A2に共通の1個のマイクロ波発生部をマイクロ波発生装置100に設けることができる。これにより、構成が簡単になり、小型化が実現される。
When controlling the microwaves to a common frequency, instead of the two
また、2個のマイクロ波増幅部400,410に代えて、アンテナA1,A2に共通の1個のマイクロ波増幅部をマイクロ波発生装置100に設けることができる。これにより、構成が簡単になり、小型化が実現される。
Further, instead of the two
(2−3−c)
マイクロコンピュータ700は、第1および第2の反射電力の複数の極小値にそれぞれ対応する周波数f1,f2,f3,h1,h2,h3に関して、互いに近接する周波数f1,h1の平均の周波数、互いに近接する周波数f2,h2の平均の周波数、互いに近接する周波数f3,h3の平均の周波数を本加熱周波数として抽出してもよい。
(2-3-c)
The
[3] 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
[3] Correspondence between each constituent element of claim and each part of the embodiment Hereinafter, an example of correspondence between each constituent element of the claim and each part of the embodiment will be described, but the present invention is limited to the following example. Not.
第1および第2の実施の形態においては、電子レンジ1およびマイクロ波発生装置100がマイクロ波処理装置に相当し、マイクロ波発生部300,310およびマイクロ波増幅部400,410がマイクロ波発生手段に相当し、アンテナA1,A2が放射部に相当し、反射電力検出装置600,610が検出手段に相当し、マイクロコンピュータ700が制御手段に相当し、放熱フィン301,401が放熱手段に相当し、周波数再抽出処理が周波数更新処理に相当する。
In the first and second embodiments, the microwave oven 1 and the
本発明は、電子レンジ、プラズマ発生装置、乾燥装置、および酵素反応を促進する装置等、反射電力が発生する処理装置に利用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a processing apparatus that generates reflected power, such as a microwave oven, a plasma generation apparatus, a drying apparatus, and an apparatus that promotes an enzyme reaction.
1 電子レンジ
100 マイクロ波発生装置
300,310 マイクロ波発生部
301,401 放熱フィン
400,410 マイクロ波増幅部
600,610 反射電力検出装置
700 マイクロコンピュータ
A1,A2 アンテナ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (12)
マイクロ波を発生するマイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段により発生されるマイクロ波を対象物に放射する放射部と、
前記放射部からの反射電力を検出する検出手段と、
前記マイクロ波発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、対象物の処理前に、前記マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ前記放射部から対象物にマイクロ波を放射させ、前記検出手段により検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定し、対象物の処理時に、前記決定された処理周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生手段により発生させることを特徴とするマイクロ波処理装置。 A microwave processing apparatus for processing an object using a microwave,
Microwave generation means for generating microwaves;
A radiating section for radiating the microwave generated by the microwave generating means to an object;
Detecting means for detecting reflected power from the radiating portion;
Control means for controlling the microwave generation means,
The control means causes the microwave to be emitted from the radiating unit to the object while changing the frequency of the microwave by the microwave generation means before processing the object, and the reflected power detected by the detection means is minimized. Alternatively, a microwave frequency for processing the object is determined as a processing frequency based on the minimum frequency, and the microwave having the determined processing frequency is generated by the microwave generation unit when the object is processed. The microwave processing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記対象物の処理前に前記放射部から対象物に放射されるマイクロ波の電力は、前記放熱手段が放熱可能なエネルギーよりも低い値に設定されることを特徴とする請求項3記載のマイクロ波処理装置。 The microwave generation means includes a heat dissipation means,
The microwave power radiated from the radiating unit to the object before processing the object is set to a value lower than energy that can be radiated by the heat dissipating means. Wave processing device.
前記検出手段は、前記複数の放射部からの反射電力をそれぞれ検出し、
前記制御手段は、対象物の処理前に、マイクロ波発生手段によりマイクロ波の周波数を変化させつつ前記複数の放射部から前記対象物にマイクロ波を放射させ、前記検出手段により検出される複数の放射部からの反射電力がそれぞれ最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定することを特徴とする請求項1記載のマイクロ波処理装置。 A plurality of the radiation portions are provided,
The detection means detects reflected power from the plurality of radiation units,
The control means radiates microwaves from the plurality of radiating units to the object while changing the frequency of the microwaves by the microwave generating means before processing the object, and detects a plurality of detected by the detection means. 2. The microwave processing apparatus according to claim 1, wherein a microwave frequency for processing an object is determined as a processing frequency based on a frequency at which reflected power from the radiating unit is minimized or minimized.
対象物を加熱のために収容する加熱室をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のマイクロ波処理装置。 The treatment of the object is a heat treatment,
The microwave processing apparatus according to claim 1, further comprising a heating chamber that accommodates the object for heating.
対象物の処理前に、マイクロ波の周波数を変化させつつ放射部から対象物にマイクロ波を放射するとともに前記放射部からの反射電力を検出するステップと、
検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を処理周波数として決定するステップと、
対象物の処理時に、決定された処理周波数のマイクロ波を発生させるステップとを備えることを特徴とするマイクロ波処理方法。 A microwave processing method for processing an object using a microwave,
Before processing the object, radiating the microwave from the radiating unit to the object while changing the frequency of the microwave and detecting the reflected power from the radiating unit;
Determining the frequency of the microwave for processing the object as the processing frequency based on the frequency at which the detected reflected power is minimized or minimized;
And a step of generating a microwave having a determined processing frequency when the object is processed.
検出される反射電力が最小または極小となる周波数に基づいて対象物の処理のためのマイクロ波の周波数を新たな処理周波数として決定するステップと、
前記決定された新たな処理周波数のマイクロ波を発生させるステップとをさらに備えることを特徴とする請求項11記載のマイクロ波処理方法。
During processing of the object, radiating the microwave from the radiating unit to the object while changing the frequency of the microwave and detecting the reflected power from the radiating unit;
Determining the microwave frequency for processing the object as a new processing frequency based on the frequency at which the detected reflected power is minimized or minimized;
The microwave processing method according to claim 11, further comprising: generating a microwave of the determined new processing frequency.
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