JP2007175891A - Substrate resin laminated structure and optical waveguide module - Google Patents

Substrate resin laminated structure and optical waveguide module Download PDF

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Hisashi Taniguchi
久司 谷口
Hidekazu Omura
英一 大村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the joining strength between a resin layer and a substrate by using an intermediate layer of a new structure in a substrate resin laminated structure in which the resin layer is laminated on the surface of the substrate such as a Si substrate. <P>SOLUTION: A surface-modified film 15 (SiO<SB>2</SB>heat-oxidized film) is formed on the surface of the Si substrate 12 by heat oxidation etc. At least one oxidized film 16 (SiOx film) is formed on the surface-modified film 15 by a spatter or CVD, and the resin layer is formed on the oxidized film 16. The density of the oxidized film 16 is greater than that of the surface-modified film 15. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板樹脂積層構造体及び光導波路モジュールに関し、具体的にいうと、Si基板等の基板の表面に樹脂層を積層した基板樹脂積層構造体において、樹脂層と基板との接合強度を向上させるための技術に関する。   The present invention relates to a substrate resin laminate structure and an optical waveguide module. Specifically, in a substrate resin laminate structure in which a resin layer is laminated on the surface of a substrate such as a Si substrate, the bonding strength between the resin layer and the substrate is increased. It relates to technology to improve.

いろいろな技術分野においてSi基板の表面に樹脂層を積層一体化させた基板樹脂積層構造体が用いられているが、樹脂層とSi基板との接合強度を得ることは難しい。そのため、樹脂層とSi基板との接合強度を得るためには、中間層を設けて密着力を確保することが一般的である。   In various technical fields, a substrate resin laminated structure in which a resin layer is laminated and integrated on the surface of a Si substrate is used, but it is difficult to obtain a bonding strength between the resin layer and the Si substrate. Therefore, in order to obtain the bonding strength between the resin layer and the Si substrate, it is common to provide an intermediate layer to ensure adhesion.

一方、熱酸化膜(シリコン酸化膜)はSi基板に対して非常に強い密着膜となることは、一般的に知られている。しかし、特許文献1などに記載されているように、熱酸化膜では樹脂層と高い密着性が得られない。特に、Si基板の上に光導波路を接合させた光導波路モジュールの場合には、アクリル樹脂からなる光導波路にフッ素を混入させて光導波路の性能向上を図っているので、光導波路中のフッ素が析出して光導波路とSi基板との密着を妨げる。そのため、Si基板と光導波路の接合強度を得ることは困難であった。   On the other hand, it is generally known that a thermal oxide film (silicon oxide film) becomes an extremely strong adhesion film with respect to a Si substrate. However, as described in Patent Document 1 and the like, the thermal oxide film cannot provide high adhesion to the resin layer. In particular, in the case of an optical waveguide module in which an optical waveguide is bonded on a Si substrate, fluorine is mixed into the optical waveguide made of acrylic resin to improve the performance of the optical waveguide. Precipitation prevents the optical waveguide and the Si substrate from sticking to each other. For this reason, it has been difficult to obtain the bonding strength between the Si substrate and the optical waveguide.

よって、樹脂層とSi基板との間の中間層としては、一般に、有機ジルコニウムや酸化チタンなどが含まれたカップリング剤を用いるか、フッ素を含有しない樹脂が用いられている。あるいは、両者を併用する場合もある。   Therefore, as an intermediate layer between the resin layer and the Si substrate, generally, a coupling agent containing organic zirconium, titanium oxide or the like is used, or a resin not containing fluorine is used. Or both may be used together.

しかしながら、有機ジルコニウムや酸化チタンなどを含むカップリング剤を中間層として用いた場合には、特許文献2に記載されているように、カップリング剤に含まれている粒子が起点となって中間層にクラックやスポットが成長し、粒子位置から中間層の剥離が拡がるために強固な密着膜を得ることができなかった。これを防止しようとすれば、フィルタなどを通してカップリング剤に含まれる粒子を除去しなければならず、工程数が多くなる不都合があると共に粒子を完全に除去することは困難であった。   However, when a coupling agent containing organic zirconium, titanium oxide, or the like is used as the intermediate layer, as described in Patent Document 2, particles included in the coupling agent are used as the starting point for the intermediate layer. As a result, cracks and spots grew, and peeling of the intermediate layer spread from the particle position, so that a strong adhesion film could not be obtained. In order to prevent this, particles contained in the coupling agent must be removed through a filter or the like, which has the disadvantage that the number of steps increases and it is difficult to completely remove the particles.

フッ素を含有しない樹脂を中間層として用いた場合には、密着性は改善されるものの、その密着性は未だ不十分であった。また、フッ素を含有しない樹脂を用いて中間層を形成する場合には、当該樹脂の塗布厚を正確に制御することが困難であるため、中間層を目的とする厚みにすることが難しかった。さらに、Si基板の表面に凹凸があった場合には、通常のプロセスではフッ素を含有しない樹脂をSi基板の凸部上の表面に均一に塗布することができない。また、光学部品等の部品をその上に載せる場合において、サブミクロンオーダーでアライメント及び位置決めを要求される場合にはアライメントおよび位置決めができず、また均等な密着力を得ることができなかった。   When a resin containing no fluorine is used as the intermediate layer, the adhesion is improved, but the adhesion is still insufficient. Further, when the intermediate layer is formed using a resin not containing fluorine, it is difficult to accurately control the coating thickness of the resin, and thus it is difficult to make the intermediate layer have a desired thickness. Furthermore, when the surface of the Si substrate is uneven, a resin not containing fluorine cannot be uniformly applied to the surface of the convex portion of the Si substrate by a normal process. In addition, when a component such as an optical component is placed thereon, when alignment and positioning are required on the submicron order, alignment and positioning cannot be performed, and uniform adhesion cannot be obtained.

たとえば、Si基板の表面にフッ素を含有しない樹脂を一般的に最も良く使われるスピンコータで塗布する場合には、回転数、時間、温度、樹脂粘度などを厳密に管理していても塗膜の厚みがばらつく。しかも、塗膜を多層にすると、さらに誤差が大きくなって厚みのばらつきがより大きくなる。また、スピンコート法では、使用する樹脂溶液のうちSi基板に塗布される量はほんの一部で、大半が塗膜となることなく廃棄されるため、樹脂溶液の消費量が大きい。よって、中間層として使用される樹脂の無駄が大きく、費用的なロスが大きかった。   For example, when a resin that does not contain fluorine is applied to the surface of the Si substrate with a spin coater that is most commonly used, the thickness of the coating film is controlled even if the rotational speed, time, temperature, resin viscosity, etc. are strictly controlled. It varies. In addition, when the coating film is multilayered, the error is further increased and the thickness variation is further increased. In the spin coating method, only a small portion of the resin solution used is applied to the Si substrate, and most of the resin solution is discarded without forming a coating film, so that the consumption of the resin solution is large. Therefore, the waste of the resin used as the intermediate layer is large and the cost loss is large.

特開2001−100055号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-100055 特開2005−75978号公報JP 2005-75978 A

本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Si基板等の基板の表面に樹脂層を積層した基板樹脂積層構造体において、新規な構造の中間層を用いて樹脂層と基板との接合強度を向上させることにある。   The present invention has been made in view of the technical problems as described above. The object of the present invention is to provide a substrate resin laminate structure in which a resin layer is laminated on the surface of a substrate such as a Si substrate, and has a novel structure. The intermediate layer is used to improve the bonding strength between the resin layer and the substrate.

本発明にかかる第1の基板樹脂積層構造体は、基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりも密度の低い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂層が形成されている。酸化膜とは、酸化物を含む膜であって、酸化物とその他の物質(例えば窒化物)との混合物でもよい。また、酸化膜の密度が厚み方向で変化している場合には、樹脂層と接触している酸化膜上面の密度が表面改質膜の密度よりも低ければよい。樹脂層は、熱硬化型樹脂、紫外線硬化型樹脂、常温硬化型樹脂などどのような樹脂でも用いることができる。必要に応じて酸化膜上にプライマ等を塗布した上で樹脂層を形成してもよい。   The first substrate resin laminated structure according to the present invention has a surface modified film formed by surface modification on the surface of the substrate, and the surface modified film formed by deposition on the surface modified film. At least one oxide film having a low density is formed, and a resin layer is formed on the oxide film. The oxide film is a film containing an oxide, and may be a mixture of an oxide and another substance (for example, a nitride). Further, when the density of the oxide film changes in the thickness direction, the density of the upper surface of the oxide film in contact with the resin layer may be lower than the density of the surface modified film. The resin layer can be any resin such as a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or a room temperature curable resin. If necessary, a resin layer may be formed after applying a primer or the like on the oxide film.

本発明の発明者らは、鋭意研究の結果、樹脂層と中間層との密着性は、結合に寄与するOH基の数の問題であることに想到した。すなわち、中間層の密度が高いと互いの分子どうしがくっつき合ってOH基の結合手が出る比率が少なくなるが、中間層の密度が低いと互いにくっつき合う分子が少なくなってOH基の余っている結合手が多くなる。また、密度が高いと膜の表面のOH基しか現れないが、密度が低くなると分子の充填率が小さくなるので、膜内部のOH基も外に現れて結合し易くなる。   As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have conceived that the adhesion between the resin layer and the intermediate layer is a problem of the number of OH groups that contribute to bonding. That is, when the density of the intermediate layer is high, the ratio of molecules to each other and the OH group bond is reduced, but when the density of the intermediate layer is low, the number of molecules that stick to each other is reduced and the OH group remains. There are more bonds. In addition, when the density is high, only OH groups on the surface of the film appear, but when the density is low, the packing rate of molecules becomes small, so that OH groups inside the film also appear outside and become easy to bond.

本発明の第1の基板樹脂積層構造体は、かかる見知に基づいてなされたものであり、表面改質膜よりも密度の低い酸化膜を表面改質膜の上に形成しているので、表面改質膜の場合よりも多くのOH基の結合手が酸化膜に現れる。そのため酸化膜のOH基と樹脂層のOH基(あるいは、プライマ等を塗布している場合には、プライマ等のOH基でもよい。)とが反応しやすくなり、酸化膜と樹脂層との間で強い密着性が得られる。また、表面改質膜も基板の表面に強固に形成されており、酸化膜は表面改質膜の上にエネルギーを与えられた堆積膜として強い密着性でもって成膜されるので、樹脂層を強い密着性で基板の上に接合させることができる。   The first substrate resin laminated structure of the present invention is made based on this knowledge, and an oxide film having a lower density than the surface modified film is formed on the surface modified film. More OH group bonds appear in the oxide film than in the surface-modified film. For this reason, the OH group of the oxide film and the OH group of the resin layer (or, if a primer or the like is applied, an OH group such as a primer may be easily reacted) between the oxide film and the resin layer. Gives strong adhesion. In addition, the surface modification film is also firmly formed on the surface of the substrate, and the oxide film is formed on the surface modification film with strong adhesion as an energized deposition film. It can be bonded onto the substrate with strong adhesion.

本発明の第1の基板樹脂積層構造体のある実施態様は、前記酸化膜が2層以上形成され、このうちいずれか任意の2層の酸化膜について、前記基板に近い側に位置する酸化膜よりも、前記基板から遠い側に位置する酸化膜の方が密度が低くなっている。かかる実施態様にあっては、表面改質膜側で酸化膜の密度が大きくなっているので、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜の密度が小さくなっているので、酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In one embodiment of the first substrate resin laminate structure of the present invention, the oxide film is formed in two or more layers, and any two of these oxide films are located on the side closer to the substrate The density of the oxide film located on the far side from the substrate is lower than that of the substrate. In such an embodiment, since the density of the oxide film is increased on the surface modification film side, the number of molecules that the oxide film and the surface modification film are bonded by chemical bonds increases, and the oxide film and the surface modification are increased. Adhesion with the film increases. On the other hand, since the density of the oxide film is small on the resin layer side, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第1の基板樹脂積層構造体の別な実施態様は、前記酸化膜が2層以上形成され、前記表面改質膜に隣接する酸化膜よりも、前記樹脂層に隣接する酸化膜の方が密度が低くなっている。かかる実施態様にあっても、表面改質膜側で酸化膜の密度が大きくなっているので、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜の密度が小さくなっているので、酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。中間の酸化膜の密度は特に問題としなくても、酸化膜どうしは密度が異なっていても強い密着性を持つ。   In another embodiment of the first substrate resin laminated structure of the present invention, the oxide film is formed of two or more layers, and the oxide film adjacent to the resin layer is formed more than the oxide film adjacent to the surface modification film. The density is lower. Even in such an embodiment, since the density of the oxide film is increased on the surface modified film side, the number of molecules that the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the oxide film and the surface modified film increase. Adhesion with the film increases. On the other hand, since the density of the oxide film is small on the resin layer side, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film, and the resin layer can be bonded more firmly. Even if the density of the intermediate oxide film is not particularly a problem, the oxide films have strong adhesion even if the densities are different.

本発明の第1の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記酸化膜が前記基板に近い側から遠い側に向けて次第に密度が低くなっている。なお、この場合、酸化膜が酸化物と他の物質との混合物又は化合物であって、酸化物と他の物質との組成比が徐々に変化しているものであってもよい。かかる実施態様にあっても、表面改質膜側で酸化膜の密度が大きくなっているので、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜の密度が小さくなっているので、酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In still another embodiment of the first substrate resin laminated structure of the present invention, the density of the oxide film gradually decreases from the side closer to the substrate toward the side farther from the substrate. In this case, the oxide film may be a mixture or compound of an oxide and another substance, and the composition ratio of the oxide and the other substance may be gradually changed. Even in such an embodiment, since the density of the oxide film is increased on the surface modified film side, the number of molecules that the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the oxide film and the surface modified film increase. Adhesion with the film increases. On the other hand, since the density of the oxide film is small on the resin layer side, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第1の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記酸化膜は前記基板の表面に垂直な方向で密度が変化しており、前記表面改質膜に隣接する領域よりも、前記樹脂層に隣接する領域の方が密度が低くなっている。かかる実施態様にあっても、表面改質膜側で酸化膜の密度が大きくなっているので、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜の密度が小さくなっているので、酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。中間の酸化膜の密度は特に問題としなくても、酸化膜どうしは密度が異なっていても強い密着性を持つ。   According to still another embodiment of the first substrate resin laminated structure of the present invention, the density of the oxide film changes in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and the oxide film is more dense than a region adjacent to the surface modified film. The density is lower in the region adjacent to the resin layer. Even in such an embodiment, since the density of the oxide film is increased on the surface modified film side, the number of molecules that the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the oxide film and the surface modified film increase. Adhesion with the film increases. On the other hand, since the density of the oxide film is small on the resin layer side, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film, and the resin layer can be bonded more firmly. Even if the density of the intermediate oxide film is not particularly a problem, the oxide films have strong adhesion even if the densities are different.

本発明の第2の基板樹脂積層構造体は、基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりもOH基の数密度の多い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂層が形成されていることを特徴としている。表面改質膜よりもOH基の数密度の少ない酸化膜を形成することにより酸化膜と樹脂層との密着性を高めることができ、樹脂層を基板の上に強固に接合させることができる。   In the second substrate resin laminated structure of the present invention, a surface modified film by surface modification is formed on the surface of the substrate, and OH is more effective than the surface modified film formed by deposition on the surface modified film. At least one oxide film having a large number density of groups is formed, and a resin layer is formed on the oxide film. By forming an oxide film having a lower number density of OH groups than the surface modified film, the adhesion between the oxide film and the resin layer can be improved, and the resin layer can be firmly bonded onto the substrate.

本発明の第2の基板樹脂積層構造体のある実施態様は、前記酸化膜が2層以上形成され、このうちいずれか任意の2層の酸化膜について、前記基板に近い側に位置する酸化膜よりも、前記基板から遠い側に位置する酸化膜の方がOH基の数密度が大きくなっている。かかる実施態様にあっては、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In one embodiment of the second substrate resin laminate structure of the present invention, the oxide film is formed in two or more layers, and any two of these oxide films are located on the side closer to the substrate The number density of OH groups is higher in the oxide film located farther from the substrate than in the substrate. In such an embodiment, the number of molecules in which the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the adhesion between the oxide film and the surface modified film increases. On the other hand, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film on the resin layer side, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第2の基板樹脂積層構造体の別な実施態様は、前記酸化膜が2層以上形成され、前記表面改質膜に隣接する酸化膜よりも、前記樹脂層に隣接する酸化膜の方がOH基の数密度が大きくなっている。かかる実施態様にあっては、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In another embodiment of the second substrate resin laminate structure of the present invention, two or more oxide films are formed, and an oxide film adjacent to the resin layer is formed rather than an oxide film adjacent to the surface modification film. However, the number density of OH groups is larger. In such an embodiment, the number of molecules in which the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the adhesion between the oxide film and the surface modified film increases. On the other hand, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film on the resin layer side, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第2の基板樹脂積層構造体の別な実施態様は、前記酸化膜は、前記基板に近い側から遠い側に向けて次第にOH基の数密度が大きくなっている。かかる実施態様にあっては、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In another embodiment of the second substrate resin laminated structure according to the present invention, the oxide film has a gradually increasing number density of OH groups from a side closer to the substrate to a side farther from the substrate. In such an embodiment, the number of molecules in which the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the adhesion between the oxide film and the surface modified film increases. On the other hand, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film on the resin layer side, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第2の基板樹脂積層構造体の別な実施態様は、前記酸化膜は前記基板の表面に垂直な方向で密度が変化しており、前記表面改質膜に隣接する領域よりも、前記樹脂層に隣接する領域の方がOH基の数密度が大きくなっている。かかる実施態様にあっては、酸化膜と表面改質膜が化学結合で結合する分子数が多くなり、酸化膜と表面改質膜との密着性が高くなる。一方、樹脂層側で酸化膜にOH基による結合手が出やすく、より強固に樹脂層を接合させることができる。   In another embodiment of the second substrate resin laminate structure of the present invention, the density of the oxide film changes in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and more than a region adjacent to the surface modification film, The region adjacent to the resin layer has a higher number density of OH groups. In such an embodiment, the number of molecules in which the oxide film and the surface modified film are bonded by chemical bonds increases, and the adhesion between the oxide film and the surface modified film increases. On the other hand, bonds due to OH groups are easily generated in the oxide film on the resin layer side, and the resin layer can be bonded more firmly.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体における基板としては、Si基板を用いることができる。この場合には、表面改質膜として、SiO、SiOx、SiC、SiN等の珪素化合物を用いることができる。また、酸化膜としては、SiOxや、TiOx又はAlOxなどの金属酸化膜を用いることができる。また、表面改質膜の上に酸化膜を堆積させる手段としてはスパッタ、CVD法、蒸着などの堆積法を用いることができる。スパッタ、CVD法、蒸着などの堆積法によれば、酸化膜に活性を有するOH基が数多く生じる。この中でもスパッタやCVD法によれば特に酸化膜に活性を有するOH基が数多く生じるのでよい。 As the substrate in the first or second substrate resin laminated structure of the present invention, a Si substrate can be used. In this case, a silicon compound such as SiO 2 , SiOx, SiC, or SiN can be used as the surface modification film. As the oxide film, a metal oxide film such as SiOx, TiOx, or AlOx can be used. Further, as a means for depositing an oxide film on the surface modification film, a deposition method such as sputtering, CVD, or vapor deposition can be used. According to a deposition method such as sputtering, CVD, or vapor deposition, many OH groups having activity in the oxide film are generated. Of these, sputtering and CVD methods may produce a large number of OH groups having activity especially in the oxide film.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体における基板としては、Ti基板やAl基板等の金属基板を用いることができる。この場合には、表面改質膜として、TiOx、AlOxなどの金属酸化膜や、金属炭化膜、金属窒化膜を用いることができる。また、酸化膜としては、SiOxや、TiOx又はAlOxなどの金属酸化膜を用いることができる。また、表面改質膜の上に酸化膜を堆積させる手段としてはスパッタ、CVD法、蒸着などの堆積法を用いることができる。スパッタ、CVD法、蒸着などの堆積法によれば、酸化膜に活性を有するOH基が数多く生じる。この中でもスパッタやCVD法によれば特に酸化膜に活性を有するOH基が数多く生じるのでよい。   As a board | substrate in the 1st or 2nd board | substrate resin laminated structure of this invention, metal substrates, such as Ti board | substrate and Al board | substrate, can be used. In this case, a metal oxide film such as TiOx or AlOx, a metal carbide film, or a metal nitride film can be used as the surface modification film. As the oxide film, a metal oxide film such as SiOx, TiOx, or AlOx can be used. Further, as a means for depositing an oxide film on the surface modification film, a deposition method such as sputtering, CVD, or vapor deposition can be used. According to a deposition method such as sputtering, CVD, or vapor deposition, many OH groups having activity in the oxide film are generated. Of these, sputtering and CVD methods may produce a large number of OH groups having activity especially in the oxide film.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記基板の表面及び/又は前記表面改質膜の表面及び/又は前記酸化膜の表面が荒れていることを特徴としている。表面を荒らす方法としてはエッチングやサンドブラストによればよく、荒さとしては十分の数μm〜1μm程度が好ましい。かかる実施態様においては、基板の表面及び/又は表面改質膜の表面及び/又は酸化膜の表面が荒れているので、表面積が増すことに加えミクロなアンカー効果により基板と表面改質膜の間、表面改質膜と酸化膜の間、あるいは酸化膜と樹脂層との間の密着性をより高めることができる。またこの際、基板などの下側の層のみを荒らしておけばその上の膜は、粗さは小さくなるものの荒れが再現される。このため各層を荒らさずとも一定の効果が得られる。   Still another embodiment of the first or second substrate resin laminated structure of the present invention is that the surface of the substrate and / or the surface of the surface modification film and / or the surface of the oxide film is rough. It is a feature. As a method for roughening the surface, etching or sand blasting may be used, and the roughness is preferably about several μm to 1 μm. In such an embodiment, since the surface of the substrate and / or the surface of the surface modification film and / or the surface of the oxide film is rough, the surface area is increased and the micro anchor effect is added between the substrate and the surface modification film. In addition, the adhesion between the surface modification film and the oxide film or between the oxide film and the resin layer can be further improved. At this time, if only the lower layer such as the substrate is roughened, the roughness of the film on the top layer is reduced although the roughness is reduced. Therefore, a certain effect can be obtained without making each layer rough.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記基板の表面に凹凸が存在していることを特徴としている。かかる実施態様にあっては、基板の表面に凹凸が形成されていて表面積が大きくなっているので、基板と表面改質膜の間の密着性をより高めることができる。さらに、凸凹形状はその上に形成される表面改質膜や酸化膜の形状においても再現若しくは複製されるので、表面改質膜と酸化膜の間、酸化膜と樹脂層との間の密着性をより高めることができる。またこれに加え、凸凹を形成された基板の各層をエッチングやサンドブラストにより表面を微小に荒らすことで更なる表面積増とミクロなアンカー効果により基板と表面改質膜の間、表面改質膜と酸化膜の間、酸化膜と樹脂層との間の密着性をより高めることができる。またこの際、基板などの下側の層のみを荒らしておけば、その上に形成される膜の粗さは小さくなるものの荒れが再現される。このため各層を荒らさずとも一定の効果が得られる。   Still another embodiment of the first or second substrate resin laminated structure of the present invention is characterized in that irregularities exist on the surface of the substrate. In such an embodiment, the unevenness is formed on the surface of the substrate and the surface area is increased, so that the adhesion between the substrate and the surface modification film can be further enhanced. Furthermore, since the uneven shape is reproduced or duplicated in the shape of the surface modification film or oxide film formed on the surface, the adhesion between the surface modification film and the oxide film, and between the oxide film and the resin layer. Can be further enhanced. In addition to this, each layer of the substrate with irregularities is slightly roughened by etching or sandblasting to further increase the surface area and between the substrate and the surface modified film by the micro-anchor effect. The adhesion between the oxide film and the resin layer can be further increased between the films. At this time, if only the lower layer such as the substrate is roughened, the roughness of the film formed thereon is reduced but the roughness is reproduced. Therefore, a certain effect can be obtained without making each layer rough.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記樹脂層がフッ素を含有していることを特徴としている。樹脂層が光学部品特に光導波路の場合には、樹脂にフッ素を含有させることにより光学性能を向上させることができる。しかし、一方で樹脂層にフッ素を含ませると酸化膜と樹脂層との間の密着性が低下する恐れがあるが、本発明によれば樹脂層にフッ素が含まれている場合でも充分な密着性を得ることができる。   Yet another embodiment of the first or second substrate resin laminate structure of the present invention is characterized in that the resin layer contains fluorine. When the resin layer is an optical component, particularly an optical waveguide, the optical performance can be improved by adding fluorine to the resin. However, if fluorine is included in the resin layer, the adhesion between the oxide film and the resin layer may be lowered. However, according to the present invention, sufficient adhesion is achieved even when the resin layer contains fluorine. Sex can be obtained.

本発明の第1又は第2の基板樹脂積層構造体のさらに別な実施態様は、前記表面改質膜と前記酸化膜が同一元素によって構成されていることを特徴としている。かかる実施態様では、表面改質膜と酸化膜とが同じ元素で構成されているため化学結合し易く、表面改質膜と酸化膜との密着性がより向上する。   Still another embodiment of the first or second substrate resin laminated structure of the present invention is characterized in that the surface modification film and the oxide film are composed of the same element. In such an embodiment, since the surface modification film and the oxide film are composed of the same element, chemical bonding is easy, and adhesion between the surface modification film and the oxide film is further improved.

なお、本発明の基板樹脂積層構造体においては、基板として金属基板を用いることもできる。そして、金属基板を用いた場合には、その上に形成する表面改質膜として、AlOx(酸化アルミニウム)、AlN(窒化アルミニウム)、TiOx(酸化チタン)、TiN(窒化チタン)、TiC(炭化チタン)といった酸化物や窒化物、炭化物などを用いることができる。   In addition, in the board | substrate resin laminated structure of this invention, a metal substrate can also be used as a board | substrate. When a metal substrate is used, AlOx (aluminum oxide), AlN (aluminum nitride), TiOx (titanium oxide), TiN (titanium nitride), TiC (titanium carbide) are used as surface modification films formed thereon. Oxides, nitrides, carbides, etc. can be used.

本発明にかかる光導波路モジュールは、基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりも密度の低い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂により形成された光導波路が接合されていることを特徴としている。かかる光導波路モジュールは、本発明の第1の基板樹脂積層構造体の構成を光導波路モジュールに適用したものであるので、基板の上に光導波路を強固に接合させることができる。   An optical waveguide module according to the present invention includes a surface modified film formed by surface modification on a surface of a substrate, and an oxide film having a lower density than the surface modified film formed by deposition on the surface modified film Is characterized in that at least one layer is formed, and an optical waveguide formed of resin is bonded onto the oxide film. Such an optical waveguide module is obtained by applying the configuration of the first substrate resin laminated structure of the present invention to the optical waveguide module, and therefore the optical waveguide can be firmly bonded on the substrate.

なお、本発明の以上説明した構成要素は、可能な限り任意に組み合わせることができる。   In addition, the component demonstrated above of this invention can be combined arbitrarily as much as possible.

以下、本発明の実施例を図面に従って詳細に説明する。以下に述べる実施例では、光導波路モジュールを例にとってに説明するが、本発明は光導波路モジュールに限定されるものでなく、基板と樹脂層との接合部位において広く用いることが可能である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the embodiments described below, an optical waveguide module will be described as an example. However, the present invention is not limited to the optical waveguide module, and can be widely used at the junction between the substrate and the resin layer.

図1は本発明の一実施例を示す光導波路モジュール11の側面図、図2はその分解斜視図である。図2に示すように、Siよりなる基板12の上面中央部には光導波路固定面13が形成されており、また上面両端部には光ファイバ固定面14が形成されている。光導波路固定面13及び光ファイバ固定面14の表面には表面改質膜15が形成され、さらにその上には酸化膜16が形成されている。   FIG. 1 is a side view of an optical waveguide module 11 showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. As shown in FIG. 2, an optical waveguide fixing surface 13 is formed at the center of the upper surface of the substrate 12 made of Si, and optical fiber fixing surfaces 14 are formed at both ends of the upper surface. A surface modification film 15 is formed on the surfaces of the optical waveguide fixing surface 13 and the optical fiber fixing surface 14, and an oxide film 16 is further formed thereon.

両光ファイバ固定面14にはそれぞれ、光ファイバ17を位置決めするためのV溝状をした光ファイバ位置決め溝18が、基板12の長手方向と平行に1本ないし複数本凹設されている。光導波路固定面13と光ファイバ固定面14との間では、基板12の上面にそれぞれ全幅にわたる凹溝19が形成されている。図1に示すように、凹溝19の断面形状は側面方向から見て斜めに傾斜している。   One or a plurality of optical fiber positioning grooves 18 each having a V-groove shape for positioning the optical fiber 17 are provided in parallel to the longitudinal direction of the substrate 12 in both the optical fiber fixing surfaces 14. Between the optical waveguide fixing surface 13 and the optical fiber fixing surface 14, a concave groove 19 is formed on the upper surface of the substrate 12. As shown in FIG. 1, the cross-sectional shape of the concave groove 19 is inclined obliquely when viewed from the side surface direction.

光導波路20は、透明なクラッド用樹脂からなる上クラッド部21内に、上クラッド部21よりも屈折率の高いコア用樹脂で成形された光導波路コア22を埋め込んだものであり、上クラッド部21及び光導波路コア22の下面には上クラッド部21と同じ屈折率の同じ樹脂により下クラッド部23が形成されている。光導波路コア22は、信号の合波、分波、合成、分岐などの目的に応じた構造を有しており、光導波路コア22の端面は光導波路20の両端面に露出している。光導波路20は、下クラッド部23側を酸化膜16に接合され、光導波路固定面13の上に実装されている。このとき光ファイバ位置決め溝とコアが精密にアライメントされ位置決めされている。上記クラッド用樹脂としては、フッ素を含んだアクリル樹脂等の透明樹脂が用いられている。また、この樹脂としては、アクリル樹脂以外の樹脂であっても、OH基を有する樹脂であればよい。また、OH基を有さない樹脂の場合でも、酸化膜16の上にプライマなどを塗布するなどによって用いることができる。   The optical waveguide 20 is obtained by embedding an optical waveguide core 22 formed of a core resin having a refractive index higher than that of the upper cladding portion 21 in an upper cladding portion 21 made of a transparent cladding resin. A lower clad portion 23 is formed of the same resin having the same refractive index as that of the upper clad portion 21 on the lower surfaces of 21 and the optical waveguide core 22. The optical waveguide core 22 has a structure according to purposes such as signal multiplexing, demultiplexing, synthesis, and branching, and the end faces of the optical waveguide core 22 are exposed at both end faces of the optical waveguide 20. The optical waveguide 20 is mounted on the optical waveguide fixing surface 13 with the lower cladding portion 23 side bonded to the oxide film 16. At this time, the optical fiber positioning groove and the core are precisely aligned and positioned. As the cladding resin, a transparent resin such as an acrylic resin containing fluorine is used. Moreover, as this resin, even if it is resin other than an acrylic resin, what is necessary is just a resin which has OH group. Even in the case of a resin having no OH group, it can be used by applying a primer or the like on the oxide film 16.

各光ファイバ17は、光ファイバ位置決め溝18内に嵌り込むことによって左右方向及び上下方向の位置決めをされており、光ファイバ17のコア中心が光導波路コア22の端面の中心と一致するように位置決めされている。光ファイバ位置決め溝18内に嵌った光ファイバ17は、カバープレート25の下面に設けられた窪み24内に納められカバープレート25によって上から押えられている。カバープレート25は接着剤26を用いて光ファイバ17及び光ファイバ固定面14の酸化膜16に接着されている。この接着剤26は、フッ素を含まない接着樹脂である。なお、カバープレート25は用いないで、接着剤26のみによって光ファイバ17を基板12に接着していてもよい。この際、OH基を有さない接着剤の場合でも、酸化膜16の上にプライマなどを塗布するなどによって用いることができる。またフッ素を含有した接着剤を用いても良い。   Each optical fiber 17 is positioned in the horizontal direction and the vertical direction by fitting into the optical fiber positioning groove 18, and positioned so that the core center of the optical fiber 17 coincides with the center of the end face of the optical waveguide core 22. Has been. The optical fiber 17 fitted in the optical fiber positioning groove 18 is accommodated in a recess 24 provided on the lower surface of the cover plate 25 and is pressed from above by the cover plate 25. The cover plate 25 is bonded to the optical fiber 17 and the oxide film 16 on the optical fiber fixing surface 14 using an adhesive 26. The adhesive 26 is an adhesive resin that does not contain fluorine. Note that the optical fiber 17 may be bonded to the substrate 12 only by the adhesive 26 without using the cover plate 25. At this time, even an adhesive having no OH group can be used by applying a primer or the like on the oxide film 16. Further, an adhesive containing fluorine may be used.

図3は図1のX部を模式的に示した拡大図であって、基板12と光導波路20との接合部分を表わしている。Siからなる基板12の表面にはSiOxからなる表面改質膜15が形成されている。表面改質膜15は、基板12の表面を熱酸化させることによって形成されたSiOx膜でもよく、基板12の表面に酸素イオンビームを照射して酸素イオンを打ち込んだものでもよい。このような表面改質膜15としては、SiO膜が構造上安定していて、基板12との良好な密着性が得られるので、SiO膜が特に望ましい。従って、これ以降においては、主にSiO膜からなる表面改質膜15の場合について述べるが、SiO膜からなる表面改質膜15はSiOx膜からなる表面改質膜15に置き換えることができる。表面改質膜15の上にはスパッタ、CVD法、蒸着などの堆積法によってSiOxを堆積させて酸化膜16が成膜されている。 FIG. 3 is an enlarged view schematically showing a portion X in FIG. 1 and shows a joint portion between the substrate 12 and the optical waveguide 20. A surface modification film 15 made of SiOx is formed on the surface of the substrate 12 made of Si. The surface modification film 15 may be a SiOx film formed by thermally oxidizing the surface of the substrate 12, or may be a film in which oxygen ions are irradiated on the surface of the substrate 12 to implant oxygen ions. Such surface modified film 15, SiO 2 film is not structurally stable, since good adhesion to the substrate 12 is obtained, SiO 2 film is particularly desirable. Therefore, in the following, the case of the surface modification film 15 made mainly of SiO 2 film will be described, but the surface modification film 15 made of SiO 2 film can be replaced with the surface modification film 15 made of SiO x film. . An oxide film 16 is formed on the surface modification film 15 by depositing SiOx by a deposition method such as sputtering, CVD, or vapor deposition.

表面改質膜15の膜厚t1は、0.005μm≦t1≦3μmであればよい。自然酸化膜は普通の状態では、0.001μm(=10Å)くらいの膜厚しかなく、欠陥が多くて充分な密着力が得られないが、表面改質膜15の膜厚t1を0.005μm(=50Å)以上にすれば一般的な装置を用いて欠陥の少なく表面改質膜15を安定に成膜することができる。また、表面改質膜15の膜厚t1が3μm以下であれば、一般的な装置で作製可能であり、また破損させることなく熱酸化膜を作成することができるからである。さらに、表面改質膜15の膜厚t1は、上記範囲内のうちでも、特に0.05μm≦t1≦0.5μmが好ましい。簡略なプロセスで表面改質膜15が得られるためよく使用される熱酸化等を用いた方法においては、膜厚t1が0.05μm(=500Å)以上あれば安定したSiO膜を形成でき、これ以下の膜厚ではSiリッチの組成になり、また分子構造が不均一になり密着性のばらつきが生じ、そのため酸化膜16との密着性が下がるからである。また、膜厚t1が0.5μm以下であれば、実製作上問題のない時間で表面改質膜15を作成することができ、成膜コストを下げることができるからである。 The film thickness t1 of the surface modification film 15 may be 0.005 μm ≦ t1 ≦ 3 μm. In a normal state, the natural oxide film has a film thickness of only about 0.001 μm (= 10 mm), and there are many defects, and sufficient adhesion cannot be obtained. However, the film thickness t1 of the surface modification film 15 is 0.005 μm. If it is set to (= 50 mm) or more, the surface-modified film 15 can be stably formed with few defects using a general apparatus. Further, if the film thickness t1 of the surface modification film 15 is 3 μm or less, it can be produced by a general apparatus, and a thermal oxide film can be produced without being damaged. Further, the thickness t1 of the surface modification film 15 is particularly preferably 0.05 μm ≦ t1 ≦ 0.5 μm, even within the above range. In a method using thermal oxidation or the like that is often used because the surface modified film 15 can be obtained by a simple process, a stable SiO 2 film can be formed if the film thickness t1 is 0.05 μm (= 500 mm) or more. If the film thickness is less than this, the Si-rich composition is obtained, the molecular structure becomes non-uniform, and the adhesiveness varies, thereby reducing the adhesiveness with the oxide film 16. Further, if the film thickness t1 is 0.5 μm or less, the surface modified film 15 can be formed in a time without any problem in actual production, and the film formation cost can be reduced.

酸化膜16の膜厚t2は、0.022μm<t2≦2μmであればよい。酸化膜16の膜厚t2が0.022μm(=220Å)よりも薄いと酸化膜16がアイランド状になる恐れがあるが、0.022μm以上あれば酸化膜16を層状に形成することができるからである。また、酸化膜16の膜厚t2が2μmよりも厚いと膜自体の応力によって酸化膜16が割れる恐れがあるので、酸化膜16の膜厚は2μm以下とするのが好ましい。さらに。酸化膜16の膜厚t2は、上記範囲のうちでも、特に0.05μm≦t2≦1μmが好ましい。酸化膜16の膜厚t2が0.05μm(=500Å)以上あれば、表面に荒れなどの凹凸がある場合でも表面改質膜15の全面を覆って酸化膜16を層状に形成できるからである。また、酸化膜16の膜厚t2が1μm以下にすれば、実製作上問題のない時間で酸化膜16を作成することができ、成膜コストを下げることができるからである。   The film thickness t2 of the oxide film 16 may be 0.022 μm <t2 ≦ 2 μm. If the thickness t2 of the oxide film 16 is smaller than 0.022 μm (= 220 mm), the oxide film 16 may be island-shaped, but if it is 0.022 μm or more, the oxide film 16 can be formed in layers. It is. Further, if the thickness t2 of the oxide film 16 is larger than 2 μm, the oxide film 16 may be broken by the stress of the film itself. Therefore, the thickness of the oxide film 16 is preferably 2 μm or less. further. The film thickness t2 of the oxide film 16 is particularly preferably 0.05 μm ≦ t2 ≦ 1 μm in the above range. This is because if the thickness t2 of the oxide film 16 is 0.05 μm (= 500 mm) or more, the oxide film 16 can be formed in a layered manner covering the entire surface of the surface modification film 15 even when the surface has irregularities such as roughness. . Further, if the thickness t2 of the oxide film 16 is 1 μm or less, the oxide film 16 can be formed in a time that does not cause a problem in actual production, and the film formation cost can be reduced.

酸化膜16は、表面改質膜15よりも密度(重量密度)が低くなっており、表面改質膜15よりも元素の充填率がかなり小さくなっている。酸化膜16であるSiOxにおけるxの値は特に限定されず、例えばx=2などであってもよいが、SiOx(1≦x≦1.5)特にSiO1.3でOH基が多く出ることが確認されており、後述のように酸化膜16と樹脂層(下クラッド部23)との密着力を高くできる。表面改質膜15と酸化膜16の密度比率としては、表面改質膜15に対し、酸化膜16が1未満〜0.60の比率が密着性の強度が取れるためより良い。この際たとえばSiの場合、密度は表面改質膜15が2.6〜2.15g/cm、酸化膜16が2.15〜1.6g/cmであればよい。さらにこの際、同密度比率が0.95以上であれば屋外の用途などに適したより高い信頼性レベルの密着性を実現できるためさらに良い。また、屈折率比率としては、表面改質膜15の値が1に対し酸化膜16は1未満〜0.89の比率が密着性の強度が取れるためよりよく。この際たとえば、SiOの場合、表面改質膜15が1.475〜1.460、酸化膜16が1.460〜1.320の範囲であればよい。さらにこの際、同屈折率比率が0.99以上であれば屋外の用途などに適したより高い信頼性レベルの密着性を実現できるためさらに良い。 The oxide film 16 has a density (weight density) lower than that of the surface modification film 15, and the element filling rate is considerably smaller than that of the surface modification film 15. The value of x in SiOx that is the oxide film 16 is not particularly limited, and may be, for example, x = 2, but many OH groups appear in SiOx (1 ≦ x ≦ 1.5), especially SiO 1.3. As described later, the adhesion between the oxide film 16 and the resin layer (lower clad portion 23) can be increased. As the density ratio of the surface modification film 15 and the oxide film 16, a ratio of less than 1 to 0.60 for the oxide film 16 with respect to the surface modification film 15 is better because adhesion strength can be obtained. In this case for example Si, density surface modification layer 15 is 2.6~2.15g / cm 3, the oxide film 16 may be a 2.15~1.6g / cm 3. Further, at this time, if the density ratio is 0.95 or more, it is more preferable because it is possible to realize adhesion with a higher reliability level suitable for outdoor use. As the refractive index ratio, the value of the surface modification film 15 is 1 and the ratio of the oxide film 16 of less than 1 to 0.89 is better because the adhesion strength can be obtained. At this time, for example, in the case of SiO 2 , the surface modification film 15 may be in the range of 1.475 to 1.460, and the oxide film 16 may be in the range of 1.460 to 1.320. Further, at this time, if the same refractive index ratio is 0.99 or more, it is further preferable because it is possible to realize adhesion with a higher reliability level suitable for outdoor use.

光導波路20を光導波路固定面13の上に実装するに当たっては、上クラッド部21の凹部内に光導波路コア22を成形した後、基板12の酸化膜16の上にクラッド用樹脂を滴下し、光導波路コア22が露出している面を下にして上クラッド部21及び光導波路コア22を光導波路固定面13の上に重ねて押圧する。ついで、上クラッド部21及び光導波路コア22と酸化膜16の間にクラッド用樹脂を押し広げて下クラッド部23を成形すると共に酸化膜16の上に光導波路20を接合させている。このとき、使用する樹脂種を考え必要により密着性を上げるためにプライマなどを酸化膜上に塗布してから実装しても良い。またクラッド用樹脂はフッ素を含有しないものであればより強力な密着性が得られるためなおよい。   In mounting the optical waveguide 20 on the optical waveguide fixing surface 13, after forming the optical waveguide core 22 in the recess of the upper cladding portion 21, a cladding resin is dropped on the oxide film 16 of the substrate 12, The upper cladding portion 21 and the optical waveguide core 22 are superimposed on the optical waveguide fixing surface 13 and pressed with the surface where the optical waveguide core 22 is exposed facing down. Next, the lower cladding portion 23 is formed by spreading a cladding resin between the upper cladding portion 21 and the optical waveguide core 22 and the oxide film 16, and the optical waveguide 20 is bonded onto the oxide film 16. At this time, in consideration of the type of resin to be used, if necessary, a primer or the like may be applied on the oxide film for mounting in order to improve adhesion. In addition, if the resin for cladding does not contain fluorine, it is more preferable because stronger adhesion can be obtained.

このような構造では、表面改質膜15を形成されている基板12の表面が化学変化して表面改質膜15と強く結合しているので、基板12と表面改質膜15とは良好な密着性が得られ、表面改質膜15が基板12から剥がれることはない。また、酸化膜16はスパッタ、CVD等によりエネルギーを与えられた付着物(堆積膜)として表面改質膜15の上に成膜されるので、表面改質膜15と酸化膜16とは充分に強固な化学結合が得られる。しかも、表面改質膜15(SiO膜)と酸化膜16(SiOx膜)とは、同じ元素で構成されているため化学結合し易く、基板12上に直接酸化膜16を形成するよりも高い密着性が得られる。 In such a structure, since the surface of the substrate 12 on which the surface modification film 15 is formed is chemically changed and strongly bonded to the surface modification film 15, the substrate 12 and the surface modification film 15 are good. Adhesion is obtained, and the surface modification film 15 is not peeled off from the substrate 12. Further, since the oxide film 16 is formed on the surface modified film 15 as a deposit (deposited film) given energy by sputtering, CVD or the like, the surface modified film 15 and the oxide film 16 are sufficiently formed. A strong chemical bond is obtained. Moreover, since the surface modification film 15 (SiO 2 film) and the oxide film 16 (SiOx film) are composed of the same element, they are easily chemically bonded and are higher than when the oxide film 16 is directly formed on the substrate 12. Adhesion can be obtained.

膜の密度が高いと互いの分子どうしがくっつき合ってOH基の結合手が出る比率が少なくなるが、膜の密度が低いと互いにくっつき合う分子が少なくなってOH基の余っている結合手が多くなる。また、密度が高いと膜の表面のOH基しか現れないが、密度が低くなると分子の充填率が小さくなるので、膜内部のOH基も外に現れて結合し易くなる。因みに、密度が低くなると密着性が向上する点は、実験データからも確認された。よって、この実施例1のように、酸化膜16の密度が表面改質膜15の密度よりも低くなっていれば、OH基の結合手が数多く現れ、そのため酸化膜16のOH基と光導波路20を構成する樹脂のOH基とが反応しやすくなり(OH基とOH基とが反応して−O−となる。)、酸化膜16と光導波路20との間で強い密着性が得られる。特に、光導波路20の光学的性能を向上させるために光導波路20、特に上クラッド部21及び下クラッド部23を構成する樹脂にフッ素が含まれている場合でも、酸化膜16と光導波路20との間で強い密着力が得られる。よって、このような構成によれば、基板12と表面改質膜15の間、表面改質膜15と酸化膜16の間、酸化膜16と光導波路20の間のいずれでも強い密着力を得ることができ、剥離が生じないように光導波路20を強い密着力で基板12の上に実装させることができる。   When the density of the film is high, the ratio of molecules to each other and OH group bonds decreases, but when the film density is low, the number of molecules that stick to each other decreases and the remaining bonds of OH groups are reduced. Become more. In addition, when the density is high, only OH groups on the surface of the film appear, but when the density is low, the packing rate of molecules becomes small, so that OH groups inside the film also appear outside and become easy to bond. Incidentally, it was also confirmed from experimental data that the adhesiveness improved as the density decreased. Therefore, if the density of the oxide film 16 is lower than the density of the surface modification film 15 as in the first embodiment, many OH group bonds appear, and therefore, the OH group of the oxide film 16 and the optical waveguide 20 easily reacts with the OH group of the resin constituting the resin 20 (OH group and OH group react to become -O-), and strong adhesion is obtained between the oxide film 16 and the optical waveguide 20. . In particular, in order to improve the optical performance of the optical waveguide 20, the oxide film 16, the optical waveguide 20, and the optical waveguide 20, particularly even when fluorine is contained in the resin constituting the upper cladding portion 21 and the lower cladding portion 23, Strong adhesion can be obtained. Therefore, according to such a configuration, strong adhesion is obtained between the substrate 12 and the surface modification film 15, between the surface modification film 15 and the oxide film 16, and between the oxide film 16 and the optical waveguide 20. The optical waveguide 20 can be mounted on the substrate 12 with strong adhesion so that peeling does not occur.

また、基板12の表面、表面改質膜15の表面、酸化膜16の表面のうち任意の表面あるいは全ての表面をエッチングやサンドブラストによって荒らして粗面としておいてもよい。粗面の荒さとしては、十分の数μm〜1μm程度が好ましい。これらの表面を荒らしておけば、表面積増加に加えミクロなアンカー効果によりその上の部材(つまり、表面改質膜15、酸化膜16、下クラッド部23)との密着性をより高めることができる。基板などの下側の層を荒らしておけばその上の層は粗さは小さくなるものの荒れが再現されるため各層を荒らさずとも一定の効果が得られる。   In addition, any or all of the surface of the substrate 12, the surface modification film 15, and the oxide film 16 may be roughened by etching or sandblasting. The roughness of the rough surface is preferably about several μm to 1 μm. If these surfaces are roughened, in addition to increasing the surface area, the micro-anchor effect can further enhance the adhesion with the members thereon (that is, the surface modification film 15, the oxide film 16, and the lower cladding part 23). . If the lower layer of the substrate or the like is roughened, the roughness of the layer above it is reduced but the roughness is reproduced. Therefore, a certain effect can be obtained without roughening each layer.

図4は図1のY部を模式的に示した拡大図であって、基板12とカバープレート25との接合部分を表わしている。この接合部分も図3に示した基板12と光導波路20との接合部分と同様な構成となっている。よって、基板12と光導波路20との接合と同じ理由により、基板12と表面改質膜15の間、表面改質膜15と酸化膜16の間、酸化膜16と接着剤26の間のいずれでも強い密着力を得ることができ、剥離が生じないように強い密着力で接着剤26を基板12の上に付着させることができる。さらに、この箇所では、フッ素を含まない接着剤26を用いているので、接着剤26と酸化膜16との密着力は光導波路20と酸化膜16との密着力よりも大きくなる。なお、カバープレート25は、接着剤26と接着性のよい材料のものを選択すればよく、また、カバープレート25は無くても差し支えない。   FIG. 4 is an enlarged view schematically showing a Y portion in FIG. 1, and shows a joint portion between the substrate 12 and the cover plate 25. This joining portion has the same configuration as the joining portion between the substrate 12 and the optical waveguide 20 shown in FIG. Therefore, for the same reason as the bonding between the substrate 12 and the optical waveguide 20, any one of the substrate 12 and the surface modification film 15, the surface modification film 15 and the oxide film 16, or the oxide film 16 and the adhesive 26 is selected. However, a strong adhesion can be obtained, and the adhesive 26 can be adhered onto the substrate 12 with a strong adhesion so that peeling does not occur. Furthermore, since the adhesive 26 not containing fluorine is used at this location, the adhesive force between the adhesive 26 and the oxide film 16 is greater than the adhesive force between the optical waveguide 20 and the oxide film 16. The cover plate 25 may be made of a material that has good adhesiveness with the adhesive 26, and the cover plate 25 may be omitted.

よって、実施例1の光導波路モジュール11によれば、基板12の上に強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。このとき使用する接着剤はフッ素を含有するものであっても十分な密着性を得られるため差し支えない。   Therefore, according to the optical waveguide module 11 of Example 1, the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 can be firmly mounted on the substrate 12, and the reliability of the optical waveguide module 11 can be improved. Even if the adhesive used at this time contains fluorine, there is no problem because sufficient adhesion can be obtained.

なお、表面改質膜15の上に形成する酸化膜16としては、基板12や表面改質膜15と同種の材料が好ましく、特にOH基による結合手を多く持つスパッタ等によるSiOxが好ましい。しかし、TiOx、AlOx(特に、Al)等の異種材料であってもOH基を有するものであればよい。基板12等と異種材料の場合でも、基板12に直接酸化膜16を形成するよりも、表面改質膜15(SiO)の上から酸化膜16を形成する方が密着力が高くなる。 The oxide film 16 formed on the surface modification film 15 is preferably made of the same material as the substrate 12 and the surface modification film 15, and particularly preferably SiOx by sputtering having many bonds with OH groups. However, different materials such as TiOx and AlOx (especially Al 2 O 3 ) may be used as long as they have OH groups. Even in the case of a material different from the substrate 12 or the like, the adhesion force is higher when the oxide film 16 is formed on the surface modification film 15 (SiO 2 ) than when the oxide film 16 is directly formed on the substrate 12.

図5は、本発明の実施例2による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 5 is a sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to the second embodiment of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例2では、Siからなる基板12の上面に熱酸化等により表面改質膜15(SiO膜)が形成され、その上に2層の酸化膜16a、16bが形成され、その上に樹脂層27が接合されている。ここで、樹脂層27とは、実施例1の光導波路20又は接着剤26であり、説明を簡略にするためにこれ以降は光導波路20及び接着剤26をまとめて樹脂層27で表わすことにする。 In Example 2, a surface modification film 15 (SiO 2 film) is formed on the upper surface of a substrate 12 made of Si by thermal oxidation or the like, two oxide films 16a and 16b are formed thereon, and a resin is formed thereon. Layer 27 is bonded. Here, the resin layer 27 is the optical waveguide 20 or the adhesive 26 of the first embodiment, and for the sake of simplicity, the optical waveguide 20 and the adhesive 26 are collectively represented by the resin layer 27 hereinafter. To do.

表面改質膜15に接する下側の酸化膜16aと樹脂層27に接する上側の酸化膜16bとはいずれもスパッタにより成膜されたSiOx膜であるが、上側の酸化膜16bの方が下側の酸化膜16aよりも密度(重量密度)が低くなっている。かかる構成によれば、下側の酸化膜16aは密度が比較的高いために表面改質膜15と化学結合し易く、表面改質膜15と酸化膜16aとの密着力が大きくなる。また、上側の酸化膜16bは密度が比較的低いので、樹脂層27と結合するOH基の結合手が増加すると共に酸化膜16bの凹凸が大きくなり、酸化膜16bと樹脂層27との密着力が大きくなる。もちろん、酸化膜16aと酸化膜16bは密度が異なるだけであるから、たがいの密着性も高いものである。   The lower oxide film 16a in contact with the surface modification film 15 and the upper oxide film 16b in contact with the resin layer 27 are both formed by sputtering, but the upper oxide film 16b is on the lower side. The density (weight density) is lower than that of the oxide film 16a. According to such a configuration, since the lower oxide film 16a has a relatively high density, it is easy to chemically bond with the surface modified film 15, and the adhesion between the surface modified film 15 and the oxide film 16a is increased. Further, since the upper oxide film 16b has a relatively low density, the number of bonds of OH groups that are bonded to the resin layer 27 is increased, and the unevenness of the oxide film 16b is increased, whereby the adhesion between the oxide film 16b and the resin layer 27 is increased. Becomes larger. Of course, since the oxide film 16a and the oxide film 16b differ only in density, they have high adhesion.

よって、実施例2によれば、樹脂層27の基板12への接着強度がより大きくなって樹脂層27が剥離しにくくなり、基板12の上により強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。   Therefore, according to the second embodiment, the adhesive strength of the resin layer 27 to the substrate 12 is increased and the resin layer 27 is less likely to be peeled off, and the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 are more firmly mounted on the substrate 12. The reliability of the optical waveguide module 11 can be improved.

図6に示すものは実施例2の変形例であって、SiOからなる表面改質膜15の上に3層以上の酸化膜(SiOx)が積層されている。これらの酸化膜を下層から順に酸化膜16a、酸化膜16b、酸化膜16c、酸化膜16dとすると、これらの酸化膜16a、16b、16c、16dは互いに密度が異なっている(最下層の酸化膜16aと最上層の酸化膜16dを除けば、一部密度が同じであっても差し支えない。)。酸化膜16a、16b、16c、16dの密度をn1、n2、n3、n4とすれば、好ましくは密度が、
n1>n2>n3>n4
となっている。しかし、n1>n4となっていれば、表面改質膜15と酸化膜16aの密着性と、酸化膜16dと樹脂層27の密着性を高めることができるので、中間の酸化膜16b、16cの密度は任意でよい。例えば、
n2>n1>n3>n4
などとなっていても差し支えない。
FIG. 6 shows a modification of the second embodiment, in which three or more oxide films (SiOx) are stacked on the surface modification film 15 made of SiO 2 . If these oxide films are an oxide film 16a, an oxide film 16b, an oxide film 16c, and an oxide film 16d in order from the lower layer, these oxide films 16a, 16b, 16c, and 16d have different densities from each other (the lowermost oxide film). Except for 16a and the uppermost oxide film 16d, the partial density may be the same. If the density of the oxide films 16a, 16b, 16c, and 16d is n1, n2, n3, and n4, the density is preferably
n1>n2>n3> n4
It has become. However, if n1> n4, the adhesion between the surface modification film 15 and the oxide film 16a and the adhesion between the oxide film 16d and the resin layer 27 can be improved, so that the intermediate oxide films 16b and 16c can be improved. The density may be arbitrary. For example,
n2>n1>n3> n4
It does not matter if it is.

図7は、本発明の実施例3による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the joint structure used in the optical waveguide module according to Example 3 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例3では、Siからなる基板12の上面に熱酸化等により表面改質膜15(SiO膜)が形成され、その上にスパッタによって酸化膜16が形成され、その上に樹脂層27が接合されている。酸化膜16は厚み方向で密度が変化しており、下面側から上面側に向けて徐々に、あるいは段階的に密度が低くなっている。 In Example 3, a surface modification film 15 (SiO 2 film) is formed on the upper surface of a substrate 12 made of Si by thermal oxidation or the like, an oxide film 16 is formed thereon by sputtering, and a resin layer 27 is formed thereon. It is joined. The density of the oxide film 16 changes in the thickness direction, and the density decreases gradually or stepwise from the lower surface side to the upper surface side.

実施例3でも、酸化膜16は下面側で密度が高いために表面改質膜15と化学結合し易く、表面改質膜15と酸化膜16との密着力が大きくなる。また、酸化膜16は上面側で密度が低いので、樹脂層27と結合するOH基の結合手が増加すると共に酸化膜16の凹凸が大きくなり、酸化膜16と樹脂層27との密着力が大きくなる。   Also in Example 3, since the density of the oxide film 16 is high on the lower surface side, it is easy to chemically bond with the surface modified film 15 and the adhesion between the surface modified film 15 and the oxide film 16 is increased. In addition, since the oxide film 16 has a low density on the upper surface side, the number of bonds of OH groups that are bonded to the resin layer 27 is increased and the unevenness of the oxide film 16 is increased, so that the adhesion between the oxide film 16 and the resin layer 27 is increased. growing.

よって、実施例3によれば、樹脂層27の基板12への接合強度がより大きくなって樹脂層27が剥離しにくくなり、基板12の上により強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。   Therefore, according to the third embodiment, the bonding strength of the resin layer 27 to the substrate 12 is further increased and the resin layer 27 is hardly peeled off, and the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 are more firmly mounted on the substrate 12. The reliability of the optical waveguide module 11 can be improved.

また、実施例3においても、酸化膜16の密度は下面側から上面側に向けて徐々に減少する場合に限らない。表面改質膜16に隣接する側における酸化膜16の密度よりも、樹脂層27に隣接する側における酸化膜16の密度の方が小さくなっていれば、その中間では酸化膜16の密度がどのように変化していても差し支えない。   Also in the third embodiment, the density of the oxide film 16 is not limited to the case where the density gradually decreases from the lower surface side toward the upper surface side. If the density of the oxide film 16 on the side adjacent to the resin layer 27 is smaller than the density of the oxide film 16 on the side adjacent to the surface modification film 16, what is the density of the oxide film 16 in the middle thereof? It does not matter if it changes.

図8は、本発明の実施例4による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 4 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例4においては、Siからなる基板12の表面に窒化膜(SiN)からなる表面改質膜15が形成されている。表面改質膜15は、窒素ガス雰囲気中で基板12を加熱することによって基板12の表面に窒化膜を形成したものでもよく、あるいは窒素イオンビームを照射して基板12の表面に窒素イオンを打ち込んだものであってもよい。   In Example 4, a surface modification film 15 made of a nitride film (SiN) is formed on the surface of a substrate 12 made of Si. The surface modification film 15 may be a film in which a nitride film is formed on the surface of the substrate 12 by heating the substrate 12 in a nitrogen gas atmosphere, or nitrogen ions are implanted into the surface of the substrate 12 by irradiation with a nitrogen ion beam. It may be.

酸化膜16はSiOxと他の物質(この場合はSiN)との混合物(SiN/SiOx)又は化合物(SiN1-xOx)であって、厚み方向で両物質の組成比が次第に変化している。すなわち、酸化膜16の密度は表面改質膜15の密度よりも低くなっており、そのSiOxの組成は下面側から上面側に向かうに従って次第に大きくなっており、SiNの組成は下面側から上面側に向かうに従って次第に小さくなっている。表面改質膜15と接触する酸化膜16の下面はSiNであり、樹脂層27と接触する酸化膜16の上面はSiOxである。   The oxide film 16 is a mixture (SiN / SiOx) or compound (SiN1-xOx) of SiOx and another substance (in this case, SiN), and the composition ratio of both substances gradually changes in the thickness direction. That is, the density of the oxide film 16 is lower than the density of the surface modification film 15, the composition of SiOx is gradually increased from the lower surface side to the upper surface side, and the composition of SiN is increased from the lower surface side to the upper surface side. It gradually gets smaller as you go to. The lower surface of the oxide film 16 in contact with the surface modification film 15 is SiN, and the upper surface of the oxide film 16 in contact with the resin layer 27 is SiOx.

Si基板の表面に形成された窒化膜(SiN)がSi基板の表面に化学結合して強固に密着することは良く知られているので、実施例4においても表面改質膜15は基板12に強固に密着する。しかし、窒化膜の表面改質膜15はOH基を出さないので、酸化膜16の組成を下方から上方へ向けて窒化膜から酸化膜へと次第に変化させ、酸化膜16の上面ではOH基を出すようにしている。よって、表面改質膜15と酸化膜16の下面とは同じ材料であるから強固に密着する。また、酸化膜16の密度が表面改質膜15の密度よりも低いので、酸化膜16の上面においてはOH基による結合手が多くなり、酸化膜16の上面と樹脂層27との密着性も高くなる。このように、表面改質膜と酸化膜で異種の材料を用いる場合、酸化膜の密度が表面改質膜より低いというのは、酸化膜の密度が同種の表面改質膜の密度より低いことも含む。つまり、異種の材料において密度の高い低いを比較することには、それぞれの材料における表面改質膜の密度で規格化した密度と比較することを含む。   Since it is well known that the nitride film (SiN) formed on the surface of the Si substrate is chemically bonded and firmly adhered to the surface of the Si substrate, the surface modification film 15 is also formed on the substrate 12 in Example 4. Adhere firmly. However, since the surface modification film 15 of the nitride film does not emit OH groups, the composition of the oxide film 16 is gradually changed from the nitride film to the oxide film from the lower side to the upper side. I try to put it out. Therefore, since the surface modification film 15 and the lower surface of the oxide film 16 are the same material, they are firmly adhered. Further, since the density of the oxide film 16 is lower than the density of the surface modification film 15, the number of bonds due to OH groups increases on the upper surface of the oxide film 16, and the adhesion between the upper surface of the oxide film 16 and the resin layer 27 is also improved. Get higher. As described above, when different materials are used for the surface modification film and the oxide film, the density of the oxide film is lower than that of the surface modification film because the density of the oxide film is lower than the density of the same type of surface modification film. Including. That is, comparing the high and low densities of different materials includes comparing with the density normalized by the density of the surface modification film in each material.

従って、実施例4によっても、樹脂層27の基板12への接合強度がより大きくなって樹脂層27が剥離しにくくなり、基板12の上により強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。   Therefore, also in Example 4, the bonding strength of the resin layer 27 to the substrate 12 becomes larger and the resin layer 27 becomes difficult to peel off, and the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 are more firmly mounted on the substrate 12. The reliability of the optical waveguide module 11 can be improved.

上記実施例4においては、Si基板(基板12)の上にSiNからなる表面改質膜を形成していたが、Si基板の上であれば、SiOやSiCなどの珪素化合物を表面改質膜を形成してもよい。また、基板1としてTi基板やAl基板等の金属基板を用いてもよく、その場合には表面改質膜として、TiOxやAlOxなどの金属酸化物、TiNやAlNなどの金属窒化物、TiCなどの金属炭化物などを基板上に形成することもできる。 In Example 4 above, the surface modification film made of SiN was formed on the Si substrate (substrate 12). However, if it is on the Si substrate, silicon compound such as SiO 2 or SiC is surface modified. A film may be formed. Further, a metal substrate such as a Ti substrate or an Al substrate may be used as the substrate 1, and in that case, a metal oxide such as TiOx or AlOx, a metal nitride such as TiN or AlN, TiC, or the like may be used as a surface modification film. It is also possible to form a metal carbide or the like on the substrate.

特に、表面改質膜がSiOであれば基板及び酸化膜と強力な密着性が得られ、また半導体製造工程を利用できるのでもっとも好ましい。また、この場合基板がSi基板であれば、表面改質膜と密着性がよく、SiOを表面改質膜として形成しやすく、また異方性エッチングにより高精度にファイバ位置決め溝などの機能形状を作製でき、もっとも望ましい。さらに、表面改質膜がTiOx又はAlOxの場合にも、基板及び酸化膜との良好な密着性が得られるため、これらも好ましい。また、これらの表面改質膜を用いる場合には、基板としてそれぞれTi基板又はAl基板を用いれば、これら表面改質膜と密着性がよく、また成膜も容易である。 In particular, if the surface modification film is SiO 2 , strong adhesion to the substrate and the oxide film can be obtained, and a semiconductor manufacturing process can be used, which is most preferable. Also, in this case, if the substrate is a Si substrate, it has good adhesion with the surface modification film, and it is easy to form SiO 2 as the surface modification film, and the functional shape such as the fiber positioning groove with high accuracy by anisotropic etching. Is most desirable. Furthermore, even when the surface modification film is TiOx or AlOx, these are preferable because good adhesion to the substrate and the oxide film can be obtained. Further, when these surface modified films are used, if a Ti substrate or an Al substrate is used as the substrate, the surface modified film has good adhesion and can be formed easily.

また、酸化膜としては、特にSiOxが望ましい。SiOxの酸化膜によれば、表面改質膜および樹脂層と強力な密着性が得られ、また半導体製造工程で成膜できるので最も望ましい。ついで、TiOx、AlOx等の金属酸化膜からなる酸化膜も、表面改質膜や樹脂層と良好な密着性を得られる。   As the oxide film, SiOx is particularly desirable. The SiOx oxide film is most desirable because it provides strong adhesion to the surface modification film and the resin layer, and can be formed in the semiconductor manufacturing process. Next, an oxide film made of a metal oxide film such as TiOx or AlOx can also have good adhesion to the surface modified film and the resin layer.

図9は、本発明の実施例5による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 5 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例5においては、Tiよりなる基板12の上面に熱酸化等によってTiOxからなる表面改質膜15が形成されている。さらに表面改質膜15の上には、スパッタやCVDにより堆積されたTiOxからなる酸化膜16が形成されている。この酸化膜16は、表面改質膜15よりも密度が小さくなっており、その上に樹脂層27が接合されている。   In the fifth embodiment, a surface modification film 15 made of TiOx is formed on the upper surface of a substrate 12 made of Ti by thermal oxidation or the like. Further, an oxide film 16 made of TiOx deposited by sputtering or CVD is formed on the surface modification film 15. The oxide film 16 has a density lower than that of the surface modification film 15, and a resin layer 27 is bonded thereon.

このような構造であっても、熱酸化等による表面改質膜15は基板12に強固に密着している。また、表面改質膜15と酸化膜16は同じ材料であり、しかも酸化膜16が表面改質膜15の上に堆積するときにエネルギーをもって堆積するので、表面改質膜15と酸化膜16も強固に密着する。さらに、酸化膜16は表面改質膜15よりも密度が小さいので、酸化膜16の表面側には表面改質膜15よりも多くのOH基による結合手が現れて強固に樹脂層27と接合する。   Even with such a structure, the surface modification film 15 by thermal oxidation or the like is firmly adhered to the substrate 12. Further, since the surface modification film 15 and the oxide film 16 are made of the same material and are deposited with energy when the oxide film 16 is deposited on the surface modification film 15, the surface modification film 15 and the oxide film 16 are also formed. Adhere firmly. Furthermore, since the density of the oxide film 16 is smaller than that of the surface modification film 15, more bonds are formed by OH groups than the surface modification film 15 on the surface side of the oxide film 16, so that the oxide film 16 is firmly bonded to the resin layer 27. To do.

よって、実施例5によっても、樹脂層27の基板12への接合強度がより大きくなって樹脂層27が剥離しにくくなり、基板12の上により強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。   Therefore, also in Example 5, the bonding strength of the resin layer 27 to the substrate 12 becomes larger and the resin layer 27 becomes difficult to peel off, and the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 are more firmly mounted on the substrate 12. The reliability of the optical waveguide module 11 can be improved.

図10は実施例5の変形例を示す断面図である。この変形例では、酸化膜16として実施例5のTiOxに代えて、表面改質膜15よりも密度の低いSiOxを用いている。酸化膜16をSiOxとしても同種のTiOx酸化膜を用いるより密着性は劣るが、TiOxからなる表面改質膜15との密着性には問題ないので、この変形例でも基板12の上に強固に光導波路20を接合することができる。さらに密着度を上げるため実施例4のようにSiOxとTiOxの組成比を変更して境界をなくして密着度を得る方法もあり、この方が密着力の点でなお良い。   FIG. 10 is a sectional view showing a modification of the fifth embodiment. In this modification, SiOx having a lower density than that of the surface modification film 15 is used as the oxide film 16 in place of the TiOx of the fifth embodiment. Even if the oxide film 16 is made of SiOx, the adhesiveness is inferior to that of using the same kind of TiOx oxide film, but there is no problem with the adhesiveness with the surface modified film 15 made of TiOx. The optical waveguide 20 can be joined. In order to further increase the degree of adhesion, there is a method of obtaining the degree of adhesion by changing the composition ratio of SiOx and TiOx to eliminate the boundary as in Example 4, and this is still better in terms of adhesion.

図11は、本発明の実施例6による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 6 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例6においては、Alよりなる基板12の上面に熱酸化等によってAlOxからなる表面改質膜15が形成されている。さらに表面改質膜15の上には、スパッタやCVDにより堆積されたAlOxからなる酸化膜16が形成されている。この酸化膜16は、表面改質膜15よりも密度が小さくなっており、その上に樹脂層27が接合されている。   In Example 6, the surface modification film 15 made of AlOx is formed on the upper surface of the substrate 12 made of Al by thermal oxidation or the like. Further, an oxide film 16 made of AlOx deposited by sputtering or CVD is formed on the surface modification film 15. The oxide film 16 has a density lower than that of the surface modification film 15, and a resin layer 27 is bonded thereon.

このような構造であっても、熱酸化等による表面改質膜15は基板12に強固に密着している。また、表面改質膜15と酸化膜16は同じ材料であり、しかも酸化膜16が表面改質膜15の上に堆積するときにエネルギーをもって堆積するので、表面改質膜15と酸化膜16も強固に密着する。さらに、酸化膜16は表面改質膜15よりも密度が小さいので、酸化膜16の表面側には表面改質膜15よりも多くのOH基による結合手が現れて強固に樹脂層27と接合する。   Even with such a structure, the surface modification film 15 by thermal oxidation or the like is firmly adhered to the substrate 12. Further, since the surface modification film 15 and the oxide film 16 are made of the same material and are deposited with energy when the oxide film 16 is deposited on the surface modification film 15, the surface modification film 15 and the oxide film 16 are also formed. Adhere firmly. Furthermore, since the density of the oxide film 16 is smaller than that of the surface modification film 15, more bonds are formed by OH groups than the surface modification film 15 on the surface side of the oxide film 16, so that the oxide film 16 is firmly bonded to the resin layer 27. To do.

よって、実施例6によっても、樹脂層27の基板12への接合強度がより大きくなって樹脂層27が剥離しにくくなり、基板12の上により強固に光導波路20や光ファイバ17を実装することができ、光導波路モジュール11の信頼性を向上させることができる。   Therefore, also in Example 6, the bonding strength of the resin layer 27 to the substrate 12 becomes larger and the resin layer 27 becomes difficult to peel off, and the optical waveguide 20 and the optical fiber 17 are more firmly mounted on the substrate 12. The reliability of the optical waveguide module 11 can be improved.

図12は、本発明の実施例7による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 7 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例7にあっては、基板12の表面に凹凸28aを形成している。この実施例では基板12の表面に凹凸28aを形成しているので、表面改質膜15にも凹凸28bができ、さらに酸化膜16にも凹凸28cができる。そのため、凹凸28a、28b、28cによって基板12、表面改質膜15及び酸化膜16の表面積を大きくすることができ、それによって基板12と表面改質膜15、表面改質膜と酸化膜、酸化膜と樹脂それぞれの密着性を向上させることができる。また加えて基板や膜の表面を荒らしておけば更なる表面積増とアンカー効果が得られるため、より良い。このような基板においても、表面改質膜、酸化膜の厚さは均一に形成できるため、実施例1のようなモジュールを基板12上に作製する際にも、ファイバ位置決め溝とコアの高さが精密にアライメントされ位置決めできる。   In Example 7, the unevenness 28 a is formed on the surface of the substrate 12. In this embodiment, since the unevenness 28a is formed on the surface of the substrate 12, the surface modification film 15 has the unevenness 28b, and the oxide film 16 has the unevenness 28c. Therefore, the surface areas of the substrate 12, the surface modification film 15 and the oxide film 16 can be increased by the irregularities 28a, 28b and 28c, whereby the substrate 12 and the surface modification film 15, the surface modification film and the oxide film, and the oxidation film. The adhesion between the film and the resin can be improved. In addition, if the surface of the substrate or film is roughened, the surface area can be further increased and the anchor effect can be obtained. Even in such a substrate, since the thickness of the surface modification film and the oxide film can be formed uniformly, the fiber positioning groove and the height of the core can be obtained even when the module as in Example 1 is formed on the substrate 12. Can be precisely aligned and positioned.

図13は、本発明の実施例8による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。光導波路モジュールの構造は実施例1に示したものと同じであるので説明を省略し、接合構造のみを説明する。   FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 8 of the present invention. Since the structure of the optical waveguide module is the same as that shown in the first embodiment, the description is omitted, and only the junction structure is described.

実施例8にあっては、樹脂層27の上にSiやガラスからなる補強部材29を設けている。補強部材29を上面に貼り付けると、使用時の歪みなどを軽減することができるので、各層の膜界面に応力が発生しにくくなり、各層間の密着性がより向上する。   In Example 8, a reinforcing member 29 made of Si or glass is provided on the resin layer 27. When the reinforcing member 29 is attached to the upper surface, distortion during use can be reduced, so that stress is hardly generated at the film interface of each layer, and adhesion between the layers is further improved.

また、補強部材29は基板12と同じ熱膨張率を有するものが好ましい。基板12と同じ熱膨張率を有する補強部材29を用いれば、周囲温度の変化に伴う基板樹脂積層構造体の反りを防止することができる。   The reinforcing member 29 preferably has the same thermal expansion coefficient as that of the substrate 12. If the reinforcing member 29 having the same thermal expansion coefficient as that of the substrate 12 is used, it is possible to prevent the substrate resin laminated structure from warping due to a change in ambient temperature.

なお、上記各実施例では、酸化膜の密度が表面改質膜の密度よりも小さくなっていたが、同一組成、同一組成比を持つ透明物質の場合では、その密度が小さいほど屈折率が小さいということができるので、表面改質膜よりも屈折率が小さい酸化膜といってもよい。このように、表面改質膜と酸化膜で異種の材料を用いる場合、酸化膜の屈折率が表面改質膜より低いというのは、酸化膜の密度が同種(同一組成、同一組成比)の表面改質膜の屈折率より低いことも含む。つまり、異種の材料において屈折率の高い低いを比較することには、それぞれの材料における表面改質膜の屈折率で規格化した屈折率と比較することを含む。   In each of the above embodiments, the density of the oxide film is lower than the density of the surface modified film. However, in the case of transparent materials having the same composition and the same composition ratio, the refractive index decreases as the density decreases. Therefore, it may be said that the oxide film has a refractive index smaller than that of the surface modified film. Thus, when different materials are used for the surface modification film and the oxide film, the refractive index of the oxide film is lower than that of the surface modification film because the density of the oxide film is the same (same composition, same composition ratio). It also includes lower than the refractive index of the surface modified film. That is, comparing the high and low refractive indices of different materials includes comparing the refractive index normalized with the refractive index of the surface modification film in each material.

また、酸化膜16の上面と樹脂層27との間には、樹脂層27の密着性をさらに上げるための層(膜)を形成しておいてもよい。たとえば、カップリング剤やプライマなどが挙げられる。このようなケースも本発明の範囲に入ることはいうまでもない。   Further, a layer (film) for further improving the adhesion of the resin layer 27 may be formed between the upper surface of the oxide film 16 and the resin layer 27. For example, a coupling agent, a primer, etc. are mentioned. It goes without saying that such a case also falls within the scope of the present invention.

図1は、本発明の実施例1を示す光導波路モジュールの側面図である。FIG. 1 is a side view of an optical waveguide module showing Embodiment 1 of the present invention. 図2は、実施例1の光導波路モジュールの分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the optical waveguide module according to the first embodiment. 図3は、図1のX部を模式的に示した拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view schematically showing a portion X in FIG. 図4は、図1のY部を模式的に示した拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view schematically showing a Y portion of FIG. 図5は、本発明の実施例2による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to the second embodiment of the present invention. 図6は、本発明の実施例2の変形例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modification of the second embodiment of the present invention. 図7は、本発明の実施例3による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the joint structure used in the optical waveguide module according to Example 3 of the present invention. 図8は、本発明の実施例4による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 4 of the present invention. 図9は、本発明の実施例5による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 5 of the present invention. 図10は、実施例5の変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a modification of the fifth embodiment. 図11は、本発明の実施例6による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 6 of the present invention. 図12は、本発明の実施例7による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 7 of the present invention. 図13は、本発明の実施例8による光導波路モジュールに用いられている接合構造を模式的に表わした断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a joint structure used in the optical waveguide module according to Example 8 of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

11 光導波路モジュール
12 基板
13 光導波路固定面
14 光ファイバ固定面
15 表面改質膜
16 酸化膜
16a、16b 酸化膜
17 光ファイバ
18 光ファイバ位置決め溝
19 凹溝
20 光導波路
21 上クラッド部
22 光導波路コア
23 下クラッド部
24 窪み
25 カバープレート
26 接着剤
27 樹脂層
28 凹凸
29 補強部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Optical waveguide module 12 Board | substrate 13 Optical waveguide fixed surface 14 Optical fiber fixed surface 15 Surface modification film | membrane 16 Oxide film 16a, 16b Oxide film 17 Optical fiber 18 Optical fiber positioning groove | channel 19 Concave groove 20 Optical waveguide 21 Upper clad part 22 Optical waveguide Core 23 Lower clad portion 24 Depression 25 Cover plate 26 Adhesive 27 Resin layer 28 Concavity and convexity 29 Reinforcing member

Claims (28)

基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりも密度の低い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂層が形成されていることを特徴とする基板樹脂積層構造体。   A surface modified film by surface modification is formed on the surface of the substrate, and at least one oxide film having a lower density than the surface modified film formed by deposition on the surface modified film is formed, A substrate resin laminated structure, wherein a resin layer is formed on an oxide film. 前記酸化膜が2層以上形成され、このうちいずれか任意の2層の酸化膜について、前記基板に近い側に位置する酸化膜よりも、前記基板から遠い側に位置する酸化膜の方が密度が低くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の基板樹脂積層構造体。   Two or more oxide films are formed, and any two of these oxide films have a density of an oxide film positioned farther from the substrate than an oxide film positioned closer to the substrate. The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 前記酸化膜が2層以上形成され、前記表面改質膜に隣接する酸化膜よりも、前記樹脂層に隣接する酸化膜の方が密度が低くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の基板樹脂積層構造体。   The oxide film adjacent to the resin layer is lower in density than the oxide film adjacent to the surface modification film, wherein two or more oxide films are formed. The board | substrate resin laminated structure of description. 前記酸化膜は、前記基板に近い側から遠い側に向けて次第に密度が低くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の基板樹脂積層構造体。   2. The substrate resin laminated structure according to claim 1, wherein the oxide film has a density that gradually decreases from a side closer to the substrate toward a side farther from the substrate. 前記酸化膜は前記基板の表面に垂直な方向で密度が変化しており、前記表面改質膜に隣接する領域よりも、前記樹脂層に隣接する領域の方が密度が低くなっていることを特徴とする、請求項1に記載の基板樹脂積層構造体。   The density of the oxide film changes in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and the density of the region adjacent to the resin layer is lower than the region adjacent to the surface modification film. The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりもOH基の数密度の多い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂層が形成されていることを特徴とする基板樹脂積層構造体。   A surface modified film by surface modification is formed on the surface of the substrate, and at least one oxide film having a higher number density of OH groups than the surface modified film formed by deposition on the surface modified film is formed. A substrate resin laminate structure, characterized in that a resin layer is formed on the oxide film. 前記酸化膜が2層以上形成され、このうちいずれか任意の2層の酸化膜について、前記基板に近い側に位置する酸化膜よりも、前記基板から遠い側に位置する酸化膜の方がOH基の数密度が大きくなっていることを特徴とする、請求項6に記載の基板樹脂積層構造体。   The oxide film is formed in two or more layers, and any two of the oxide films are formed such that the oxide film located on the side farther from the substrate is OH than the oxide film located on the side closer to the substrate. The board | substrate resin laminated structure of Claim 6 with which the number density of group is large. 前記酸化膜が2層以上形成され、前記表面改質膜に隣接する酸化膜よりも、前記樹脂層に隣接する酸化膜の方がOH基の数密度が大きくなっていることを特徴とする、請求項6に記載の基板樹脂積層構造体。   The oxide film is formed in two or more layers, and the oxide film adjacent to the resin layer has a higher number density of OH groups than the oxide film adjacent to the surface modification film, The board | substrate resin laminated structure of Claim 6. 前記酸化膜は、前記基板に近い側から遠い側に向けて次第にOH基の数密度が大きくなっていることを特徴とする、請求項6に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 6, wherein the oxide film has a number density of OH groups gradually increasing from a side closer to the substrate to a side farther from the substrate. 前記酸化膜は前記基板の表面に垂直な方向で密度が変化しており、前記表面改質膜に隣接する領域よりも、前記樹脂層に隣接する領域の方がOH基の数密度が大きくなっていることを特徴とする、請求項6に記載の基板樹脂積層構造体。   The density of the oxide film changes in a direction perpendicular to the surface of the substrate, and the number density of OH groups is higher in the region adjacent to the resin layer than in the region adjacent to the surface modification film. The board | substrate resin laminated structure of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 前記基板がSi基板であることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 or 6 characterized by the above-mentioned. 前記基板が金属基板であることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 or 6 characterized by the above-mentioned. 前記金属基板が、Ti基板又はAl基板であることを特徴とする、請求項12に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 12, wherein the metal substrate is a Ti substrate or an Al substrate. 前記表面改質膜が、珪素化合物であることを特徴とする、請求項11に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 11, wherein the surface modified film is a silicon compound. 前記珪素化合物が、SiOxであることを特徴とする、請求項14に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 14, wherein the silicon compound is SiOx. 前記珪素化合物が、SiC又はSiNであることを特徴とする、請求項14に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 14, wherein the silicon compound is SiC or SiN. 前記珪素化合物が、SiOであることを特徴とする、請求項14に記載の基板樹脂積層構造体。 The substrate resin laminated structure according to claim 14, wherein the silicon compound is SiO 2 . 前記表面改質膜が、金属酸化膜、金属炭化膜又は金属窒化膜であることを特徴とする、請求項13に記載の基板樹脂積層構造体。   14. The substrate resin laminated structure according to claim 13, wherein the surface modification film is a metal oxide film, a metal carbide film, or a metal nitride film. 前記表面改質膜である金属酸化膜が、TiOx又はAlOxであることを特徴とする、請求項18に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 18, wherein the metal oxide film as the surface modification film is TiOx or AlOx. 前記酸化膜がSiOxであることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 or 6 characterized by the above-mentioned. 前記酸化膜が金属酸化膜であることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminate structure according to claim 1, wherein the oxide film is a metal oxide film. 前記酸化膜である金属酸化膜が、TiOx又はAlOxであることを特徴とする、請求項21に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 21, wherein the metal oxide film as the oxide film is TiOx or AlOx. 前記酸化膜が堆積法により形成されていることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 1, wherein the oxide film is formed by a deposition method. 前記基板の表面及び/又は前記表面改質膜の表面及び/又は前記酸化膜の表面が荒れていることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 1 or 6, wherein the surface of the substrate and / or the surface of the surface modification film and / or the surface of the oxide film is rough. 前記基板の表面に凹凸が存在していることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 or 6 with which the unevenness | corrugation exists in the surface of the said board | substrate. 前記樹脂層がフッ素を含有していることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The board | substrate resin laminated structure of Claim 1 or 6 characterized by the said resin layer containing a fluorine. 前記表面改質膜と前記酸化膜は、同一元素によって構成されていることを特徴とする、請求項1又は6に記載の基板樹脂積層構造体。   The substrate resin laminated structure according to claim 1, wherein the surface modification film and the oxide film are composed of the same element. 基板の表面に表面改質による表面改質膜が形成され、前記表面改質膜の上に堆積により形成された前記表面改質膜よりも密度の低い酸化膜が少なくとも1層成膜され、前記酸化膜の上に樹脂により形成された光導波路が接合されていることを特徴とする光導波路モジュール。   A surface modified film by surface modification is formed on the surface of the substrate, and at least one oxide film having a lower density than the surface modified film formed by deposition on the surface modified film is formed, An optical waveguide module, wherein an optical waveguide formed of a resin is bonded on an oxide film.
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