JP2007165816A - プリント配線基板、その製造方法およびその使用方法 - Google Patents

プリント配線基板、その製造方法およびその使用方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】本発明のプリント配線基板は、絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成されたCuノジュール層と、該Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメッキ層と、該かぶせメッキ層の上面に形成された第1金属
メッキ層とを有しており、該配線回路の上面に、Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されていることを特徴とし、感光性樹脂から形成されたパターンの側壁面を規制しながらCuノジュール層などの上記の金属層を析出させることにより製造で可能である。
【効果】本発明のプリント配線基板は、配線回路の側面部に延びるノジュールは形成されていないので隣接する配線回路間で短絡が生じにくく、また配線回路の上面にジュールに起因した凹凸が形成され、接着剤だけで異方性導電接着が可能である。
【選択図】図１−２

Description

本発明は、Cuノジュール層を有するプリント配線基板、その製造方法およびこのプリント配線基板の用途に関する。
絶縁フィルム、接着剤層および導電性金属箔から形成された配線パターンが形成された３層構造のTABテープあるいは絶縁フィルム上に直接導電性金属箔からなる配線パターン
が形成された2層構造のCOFテープなどのプリント配線板の出力側アウターリードおよび入力側アウターリードは、図４に示されるように、それぞれ液晶パネルあるいはリジッドプリント配線板の回路部と異方性導電フィルム（ACF; Anisotoropic Conductive Film）で
電気的に接続される。図４において、付け番１０はポリイミドフィルムのような絶縁基材であり、付け番５０はLCDであり、付け番４０は異方性導電接着フィルムであり、付け番
４１は導電性粒子であり、付け番４２は接着剤であり、絶縁基材１０の表面に形成された配線パターン４３は、導電性粒子４１によってLCDと電気的に接続しており、LCD５０と絶縁基材１０とは接着剤４２により接着固定されている。
近年液晶画面の高精細化に伴ってドライバーICチップの金バンプのファインピッチ化が進むに従いCOFなどのIC実装用プリント配線板においてもインナーリードピッチを２０μm以下に細線化された回路を形成することが必要になりつつある。
従来は、このように細線化されたプリント配線板を形成するためには使用する導電性金属箔を薄くする必要があると考えられていた。例えば１０μm以下の線幅、配線間隔を１
０μm以下の回路をエッチングにより形成しようとする場合には、導体となる導電性金属
箔（例；電解銅箔）の厚さを線幅以下（例えば５μm以下）にしないと所望の細線化され
た線幅（例えば線幅を６μm以上）にすることができないという問題がある。また、線幅
が細いとインナーリードボンディングにおけるスズメッキダレによる銅食われによるさらなるCu細りやパターン傾きが発生する可能性がある。
しかしながら、Cu箔などの導電性金属箔の厚さを５μm以下にすると異方性導電フィル
ム（ACF）による接続の信頼性が著しく低下する。これはCu箔のような導電性金属箔の厚
さあるいはピッチに対して、異方性導電接着剤中に含有される導電性粒子のサイズが大きいことおよびバインダーとなる接着剤シート厚さが厚いことに起因する機械的制約であると推察されている。
ところが、最近では、セミアディティブ（Semi-Additive）法による超ファインピッチ
配線パターンの形成技術が進歩し、この技術によってCuなどの導体厚さが８μmと厚くて
も２０μmピッチ以下の配線パターンを形成することが可能になっている。このような細
線化された配線パターンを有するプリント配線基板もACFにより接続する必要がある。こ
こで使用されるACFには導電性粒子として直径が数μmの粒子が配合されており、この導電性粒子を異なる上下二枚のプリント配線基板の間に多数個介在させて、上下二枚の配線によって挟持された異方性導電粒子を介して異なる二枚の上下配線基板間の導通を確立しているのである。このような異方性導電粒子による電気的接続は、例えば８５℃×８５％RHのような高温高湿条件で配線パターン間に直流電圧を長時間印加し続けると、線間絶縁抵抗が劣化する傾向があり、特にファインピッチの配線パターンにおいてはその傾向が大きくなる。
こうした実情から配線基板間の電気的接続を確立する方法として、異方性導電接着以外
の新たな方法の開発が切望されている。
上記のような異方性導電接着剤を用いずに配線パターン間の電気的接続を確立する方法として、特許文献１（特許第2660934号公報）には、エッチングにより配線パターンが形
成されたプリント配線基板のリード部分に、電気メッキによりCuノジュール（樹枝状Cu結晶）を形成し、このノジュールを介して電子部品あるいはLCDパネルのリードと配線板回
路のリードとを電気的に接続すると共にシート状接着剤を用いてボンダーで加熱圧着して電子部品と配線パターンとを電気的に接続する方法が開示されている。
この方法は配線パターン表面に形成された多数のノジュールによって電気的な接続を確立するために安定した電気的接続状態を形成することができるが、このようなCuノジュール（樹枝状Cu結晶）を形成するためには、銅箔をエッチングして配線パターンを形成した後、Cuノジュールを形成するために配線を介してメッキ電力を供給する必要があり、さらに、このエッチング法により形成した配線パターンのリード部分などにCuノジュールを形成する必要があるが、このようにして配線パターンのリード部分にCuノジュールを形成すると、Cuノジュールの成長方向などは制御することができず、電気的接続に寄与する配線パターンの上面だけでなく、配線パターンの側面からも外側に向かってCuノジュールが成長されてしまう。
昨今のプリント配線基板には非常に密に配線パターンが形成されており、上記のようなCuノジュールを形成するための電力を供給する配線を敷設する余裕がなくなりつつあり、さらにこのようなCuノジュールを形成するための電流を供給する配線を別途設けることによりプリント配線基板の設計の自由度が著しく低くなるという問題がある。また、上記のようなCuノジュールはリード部分に形成されるが、電気的接続の確立に寄与するCuノジュールは配線パターンの上面に形成されるCuノジュールだけであり、配線パターンの側面から成長したノジュールは、配線パターンがファインピッチ化している昨今のプリント配線板においては、隣接する配線パターン間でノジュールが接触して短絡の原因ともなりかねない。また、この短絡を防止するためにCuノジュールの高さを低くすると、電気的接続の信頼性が低下する。
上記のような理由からプリント配線板の電気的接続にCuノジュールは積極的には利用されておらず、依然として異方性導電着剤が使用されている。
特許第2660934号公報
本発明は、配線回路の側面の断面が傾斜していない矩形に近い形状、あるいは配線パターンの断面が上部よりも広く形成される傾向があり、非常に細線化された配線回路を高い密度で形成することができるプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、例えば導電性接着の際の電気的接続手段として利用することが可能な凸部を配線回路の表面に有し、この凸部を利用して接着剤成分だけで導電接着が可能なプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
さらに本発明は、配線回路を形成する層としてＣｕノジュール層が形成されており、このＣｕノジュール層に起因する凹凸面を配線回路の上面に有するが、側面部は絶縁基板に対して略垂直に立ち上がり、しかもこの配線回路のＣｕノジュール層が形成され表面にはＣｕノジュール層を覆うように第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）が形成されてい
る配線回路を有するプリント配線基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
また、本発明は上記のような配線回路の上面に凹凸を有するプリント配線基板の使用方法を提供することを目的としている。
本発明のプリント配線基板は、絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線回路とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成されたCuノジュール層と、該Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメッキ層と、該かぶせメッキ層の上面に形成された第1金属メッキ
層（好適には金メッキ層）とを有しており、該配線回路の上面に、Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されていることを特徴としている。本発明のプリント配線基板において、上記下地層は、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることが好ましく、また、上記導電性下地層の上面にセミアディティブ銅層を有することが好ましい。
本発明のプリント配線基板の製造方法は、絶縁基材の表面にメッキ電流を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性樹脂層を形成して該感光性樹脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光・現像して感光性樹脂層に凹部を形成し、該凹部の内部にＣｕノジュール層を形成すると共に該Ｃｕノジュール層の少なくとも表面にかぶせメッキ層を形成し、さらにCuノジュール層の上免に形成されたかぶせメッキ層の上面に第1
金属メッキ層（好適には金メッキ層）を形成して該Ｃｕノジュール層を被覆した後、感光性樹脂層を剥離し、次いで、感光性樹脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴としている。
すなわち、本発明のプリント配線基板の製造方法は、好適には、導電性金属薄層が積層された絶縁基材の導電性金属薄層の表面に感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層を露光現像することにより所望のパターンを形成した後、該絶縁基板に形成されたパターン部分にセミアディティブ法によりセミアディティブ銅層を形成し、次いで該セミアディティブ銅層の上にCuノジュールを形成し、該Cuノジュールにかぶせメッキ層を形成してCuノジュールを固着した後、該配線回路に第1金属メッキ層を形成し、次いで感光性樹脂層を剥離
して導電性金属薄層を露出させ、該導電性金属薄層の内、配線回路が形成されていない部分の導電性金属薄層を溶解除去することを特徴としている。
上記のようにして形成された配線回路には、さらに錫メッキなどにより第2金属メッキ
層を形成して配線回路を第2金属メッキ層で覆うことが好ましい。
さらに、上記のようにして製造されたプリント配線基板を用いることにより導電性粒子を含有しない接着剤だけで異方性導電接着を行うことができる。すなわち、上記Ｃｕノジュール層に起因する凸部を表面に有する配線回路を有するプリント配線基板を、導電性粒子を含有しない接着剤を用いて接着することにより、凸部が電気的接合点として良好に作用して非常に信頼性の高い導電性接着を行うことができる。
このようにして形成された本発明のプリント配線基板は、配線回路の断面の上端部と下端部の幅が略同一であり、しかもこの配線回路は感光性樹脂の壁により横方向への成長が規制されることから絶縁基材に対して略垂直に形成される。さらにこの配線回路の線幅は、感光性樹脂を露光現像して形成された感光性樹脂の溝の幅と同一であるので、配線回路の線幅を感光性樹脂の露光現像限界まで細くすることができる。具体的には露光する光の波長まで細線化することができる。また、このようにして形成された配線回路の上端部は、Cuノジュール層の表面状態と略同一の多数の凹凸が形成されており、この凸部を導電接着の際の電気的接続点として使用することができる。さらに、Cuノジュールを形成する際に配線回路の側面は感光性樹脂からなる壁面で規制されるためにCuノジュールが配線回路
の厚さ方向に成長し、配線回路の側面から横方向への成長は阻止される。さらにこの配線回路のＣｕノジュール層の側壁に対して略垂直に且つ非常にシャープに立ち上がり、矩形の断面形状を有する。またCuノジュールが横方向に成長しないので、Cuノジュールによって短絡は形成されない。
本発明のプリント配線基板の製造方法においては、下地層の表面に形成された感光性樹脂層を露光・現像して配線回路を形成する凹部を予め形成し、この凹部にＣｕノジュール層などのメッキ層を積層しているので、Ｃｕノジュールが配線回路の厚さ方向に伸び、配線回路の横方向に対するCuノジュールの成長は、感光性樹脂の壁面によりブロックされているので、隣接する配線回路間で短絡が生ずることがない。しかも、この配線回路を構成しているＣｕノジュール層の上面部は第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）により覆
われ、且つ形成された配線回路が、配線回路の側面部が絶縁基板に対して垂直に形成された矩形あるいは略矩形の断面を有する。
しかもこのような矩形の配線回路では横方向にノジュールが成長することなく非常にシャープに立ち上がった形態を有しており、さらに細線化が可能であるので、プリント配線基板表面に高い密度で配線回路を形成することができる。さらに、配線回路を構成する各メッキ層は電気メッキにより形成されるが、この電気メッキの際に必要な電力は絶縁基板の表面に積層された導電性金属薄層およびスパッタリング銅層を介して供給されるので、電気メッキの電力を供給するためだけの配線を絶縁基板の表面に形成する必要がなく、プリント配線基板の設計の自由度が高くなる。
また、本発明のプリント配線基板に形成されている配線回路の上面は、Ｃｕノジュール層を形成したことに起因する凹凸が形成されており、この配線回路にある凸部を利用することにより、導電性粒子を含有しない接着剤だけで導電接着を行うことができ、このようにして形成された接着部分に導電性粒子が含有されていないので、接着剤成分に流動性が発現するような過酷な環境においても、導電性接着の信頼性が低下することがない。
次の本発明のプリント配線基板およびその製造方法について図面を参照しながら具体的に説明する。
図１−１、図１−２は、本発明のプリント配線基板を製造する方法の各工程における基板の断面の例を示す図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のプリント配線基板の製造方法では、絶縁基材１０の少なくとも一方の表面に導電性金属薄層１２を形成する。ここで絶縁基材１０は、絶縁性樹脂からなる板、フィルム、シート、プリプレグなど、通常の絶縁基材として使用されているものであれば特に限定することなく使用することができる。ただし、本発明のプリント配線基板をリール toリール方式で連続的に製造するためには、この絶縁基材
１０が可撓性を有していることが望ましく、また、プリント配線基板を製造する工程において、この絶縁基材１０は、酸性溶液あるいはアルカリ性溶液と接触することがあることから耐薬品性に優れていることが望ましく、さらに、高温に晒されることがあることから耐熱性に優れていることが望ましい。また、この絶縁基材１０を用いてメッキ工程により配線パターンを製造することから、水との接触により、変性あるいは変形しないものであることが望ましい。こうした観点から本発明で使用する絶縁基材１０としては、耐熱性の合成樹脂フィルムを使用することが好ましく、特にポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエステル樹脂フィルム、フッ素樹脂フィルム、液晶樹脂フィルムなど、プリント配線基板の製造に通常使用されている樹脂フィルムを使用することが好ましく、これらの中でも耐熱性、耐薬品性、耐水性などの特性に優れるポリイミドフィルムが特に
好ましい。
また、本発明において絶縁基材１０は上記のようなフィルム状である必要性はなく、例えば繊維状物とエポキシ樹脂などの複合体からなる板状の絶縁基材であっても良い。
本発明において絶縁基材１０としてフィルム状の絶縁基材を使用する場合には、絶縁フィルムの厚さは通常は５〜１００μｍ、好ましくは５〜７０μｍの範囲内にある。この絶縁基材１０として用いられるおよそ２０μｍに満たない厚さの樹脂フィルムは、単独で取り扱うのが困難であることが多く、このような絶縁基材１０を使用する場合には図１（ａ）に一点鎖線で示すように、裏面に補強用の補強材１１が配置されていてもよい。また、絶縁基板の厚さに拘りなく補強材１１で裏打ちした絶縁基板を用いることもできる。このような補強材１１は、配線回路を形成後剥離されることから、補強材１１の接着剤層の表面に剥離層が形成されていてもよく、このような剥離層としてはシリコーン樹脂層などが形成されていても良い。このように剥離層として形成されたシリコーン樹脂層などは補強材１１を剥離すると、絶縁基材１０の裏面に転写されて残存することがあり、このようにしてシリコーン樹脂などからなる離型層は、高い耐熱性を有することから、絶縁基材１０の裏面側に離型層が転写されることにより、ボンディングツールが汚染されるのを防止することができる。なお、図１（ａ）では補強材１１は一点鎖線で示されているが、図１（ｂ）以降ではこの補強材１１の記載は省略する。
本発明では上記のような絶縁基材１０には、必要によりスプロケットホール、デバイスホール、折り曲げ用スリット、位置決め孔など必要な貫通孔を形成することができる。これらの貫通孔はパンチング法、レーザー穿設法などによって形成することができる。
本発明では、絶縁基材１０の少なくとも一方の面に導電性金属薄層１２を形成する。この導電性金属薄層１２は、この導電性金属薄層１２の表面に電気メッキにより金属層を積層する際の電極になる層であり、通常は、ニッケル、クロム、銅、鉄、ニッケル-クロム
合金、Ni-Zn、Ni-Cr-Znなどの金属あるいはこれらの金属を含む合金で形成することがで
きる。このような導電性金属薄層１２は、絶縁基材１０の表面に上記のような導電性金属が析出する方法であればその形成法に特に制限はないが、スパッタリングにより形成するのが有利である。スパッタリングにより導電性金属薄層１２を形成することにより、スパッタされる金属あるいは合金が絶縁基材１０の表面に喰い付き、絶縁基材１０とスパッタリングされた導電性金象薄層１２とが強固に接合する。従って、本発明のプリント配線基板を製造するに際しては絶縁基材１０と導電性金象薄層１２との間に接着剤層を設ける必要はない。
本発明において、導電性金属薄層１２は、ニッケル-クロム合金を用いて形成すること
が好ましく、このようなニッケル-クロム合金を用いる場合、クロム含量を通常は５〜５
０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の範囲内に設定する。このようなクロム含量のニッケル-クロム合金を用いて形成された下地層は、耐マイグレーション性に優れ、かつエ
ッチング特性もよくしシャープな配線回路を形成することができる。
図１（ａ）には、絶縁基材１０が示されており、図1（ｂ）には、この絶縁基材１０の
一方の表面に導電性金属薄層１２が形成された状態が示されている。ここで、導電性金属薄層１２の平均厚さは通常は１０〜１０００Å、好ましくは５０〜５０Åの範囲内にある。この導電性金属薄層１２は、この導電性金属薄層１２に層を重ねる際の下地層１３となると共にメッキ電力を供給する層であり、他の層を積層する際のメッキ電力を供給できるだけの厚さを有していればよく、さらに上記のような厚さにすることにより配線回路を形成した後の除去が容易になる。
上記のようにして導電性金属薄層１２を形成した後、図１（ｃ）に示すように、この導
電性金属薄層１２の表面に薄い銅層を形成することが好ましい。本発明ではこの薄銅層を、銅をスパッタリングすることにより形成した銅スパッタリング層１４とすることが好ましい。上記の導電性金属薄層１２と銅スパッタリング層１４とを併せて下地層１３となる（以下、本発明では下地層１３は、導電性金属薄層１２と銅スパッタリング層１４とを含むものとする。）。ただし、この銅スパッタリング層１４は、スパッタリングに限らず、真空蒸着法、無電解メッキ層など種々の方法で形成することが可能であるが、スパッタリングにより形成された銅スパッタリング層１４は層間の接合力が良好で強度の高い銅金属回路を形成することができる。この銅スパッタリング層１４は、銅を主成分とする層であるが、この層の特性が損なわれない範囲内で銅以外の金属が含有されていても良い。この銅スパッタリング層の平均厚さは、通常は０．０１〜５μｍ、好ましくは０．１〜３μｍの範囲内にある。このような平均厚さで銅スパッタリング層１４を形成することにより、この銅スパッタリング層１４の表面に形成されるセミアディティブ法により形成される銅層との親和性が向上する。
上記のようにして銅スパッタリング層１４を形成した後、そのまま次の工程に移行させることもできるが、銅スパッタリング層１４の表面には酸化膜などが形成されていることがあるので、硫酸、塩酸などの強酸で銅スパッタリング層１４の表面を短時間酸洗した後、次の工程に移行させることが望ましい。
本発明では、銅スパッタリング層１４を形成した後、図１（ｄ）に示されるように、この銅スパッタリング層１４の表面の全面に液状感光性樹脂を塗布して感光性樹脂層１６を形成する。この感光性樹脂層１６を形成する樹脂は、光を照射した部分が硬化して現像液で溶解しないタイプと、光を照射した部分が現像液で溶解するタイプとがあるが、本発明ではいずれのタイプの感光性樹脂を使用することもできる。またドライフィルム等のフィルム状レジストをラミネートして使用してもよい。本発明では、薄い絶縁基板を使用しているので液状感光性樹脂で層１６を形成することが好ましい。このような液体の感光性樹脂の粘度は、塗布温度において通常は２〜５０cps、好ましくは５〜３０cpsの範囲内にある。
ここで塗布される感光性樹脂は、形成しようとする配線パターンの高さと略同一の厚さにすることが好ましく、例えば、感光性樹脂の塗布厚は、５〜２０μｍ、好ましくは２〜１５μｍであり、図１（ｇ）（ｆ）において製造しようとしているスパッタリング銅層２０の厚さおよびCuノジュール層２２の厚さの合計５〜２０μｍ、好ましくは２〜１５μｍと略同一である。図１には、感光性樹脂の塗布厚は９μｍであり、セミアディティブ銅層２０の厚さ２．５μｍとＣｕノジュール層２２の厚さ６．５μｍとの合計の厚さが９μｍである配線回路が形成されたプリント配線基板の断面の例が示されており、このプリント配線基板を製造する際の感光性樹脂の塗布厚は９μｍであり、両者が同一である態様が示されている。
感光性樹脂の塗布方法に特に制限はなくロールコーター、スピンコーター、ドクターブレードなどの公知の塗布装置を用いることができる。
上記のようにして感光性樹脂を塗布して後、この感光性樹脂からなる感光性樹脂層１６を乾燥させるために通常は８０〜１００℃に加熱された加熱炉に１〜２分間保持して感光性樹脂を加熱固化させる。
こうして加熱炉で加熱固化された感光性樹脂層１６の表面に、図１（ｅ）に示すように、所望のパターンが形成されたフォトマスク１８を配置してフォトマスク１８の上から光を照射して感光性樹脂層１６を感光させ、次いで現像することにより、配線回路を形成する部分の感光性樹脂が除去されて凹部１７が形成される。図１（ｆ）に示すように、こうして形成された凹部１７の底部には、上記図１の（ｃ）で形成したスパッタリング銅層１
４が露出している。すなわち、図１（ｆ）には、露光した部分の感光性樹脂層１６がアルカリ現像液で溶出されて、この凹部１７の底部に銅スパッタリング層１４が露出した状態の基板が示されている。なお、感光性樹脂層16の露光に際して、配線回路の電気抵抗値を調整するために、露光条件を変えて配線回路の幅を調整することもできる。
このようにして感光性樹脂層１６を露光現像することにより感光性樹脂が除去された部分に銅スパッタリング層１４を露出させた後、この基板を電気銅メッキ浴に移して導電性金属薄層１２を一方の電極としてメッキ浴に設けられた他方の電極との間にメッキ電圧を印加して、銅スパッタリング層１４の表面にセミアディティブ銅層２０を形成する。このようなセミアディティブ層２０を設けることにより形成される導電抵抗をより均一に保つことができる。
このセミアディティブ銅層２０を形成するために使用するメッキ液中における銅濃度は、通常は１０〜２９ｇ／リットル、好ましくは１３〜１７ｇ／リットルである。また、セミアディティブ銅層２０を形成する際の電流密度は、通常は１〜５Ａ／dm2.、好ましくは１．５〜４Ａ／dm2.であり、メッキ液温度は通常は１８〜２５℃、好ましくは２０〜２５℃の範囲内に設定される。
このようなメッキ条件で通常は８〜１２分間、好ましくは９〜１１分間電気メッキを行うことにより、厚さ２〜５μｍ、好ましくは２．５〜４．５μｍの厚さのセミアディティブ銅層２０を形成することができる。このようにして形成されるセミアディティブ銅層２０は、図１（ｇ）に示されるように、両側壁が感光性樹脂層１６の側壁１５で規制されているので、セミアディティブ銅層２０が横方向に広がることはない。
次いで、上記のようにして形成されたセミアディティブ銅層２０の表面に、図１（ｈ）に示すように、Cuノジュール層２２を形成する。Cuノジュールは、通常よりも低い硫酸銅メッキ液に例えばアルファナフトキノンのようなノジュール形成用の添加剤を加えた銅メッキ液を用いて非常に高い電流密度で数秒間Cuメッキを行うことにより形成することができる。このようにして形成された個々のＣｕノジュールの高さは、２〜１０数μｍであり、このような高さのノジュールが多数重なり合うように形成されてＣｕノジュール層２２が形成される。こうしてCuノジュールを形成される個々のCuノジュールの高さは、例えば配線回路が１００μｍピッチ程度である場合には１０〜１５μｍ、好ましくは１２〜１４μｍ程度であり、また例えば配線回路が５０μｍピッチ以下である場合には６μｍ以下、好ましくは２〜６μｍ、特に好ましくは３〜５μｍ程度となるように、配線回路のピッチにあわせてCuノジュール高さを調整する。Cuノジュールは、電気メッキ条件を変えることにより析出銅が樹枝状に成長することにより形成されるＣｕの結晶構造であり、Cuノジュール層２２は樹枝状に成長した多数のCu結晶からなり、このCuノジュール層２２には樹枝状Cu結晶間に相当の空隙が形成される。
こうして形成されるCuノジュール層２２はその上端部が感光性樹脂層１６の上端部とほぼ一致する高さになるようにノジュールを成長させることにより形成される。
このようにCuノジュール層２２を形成するためのメッキ液中における銅濃度は、通常は６〜１０ｇ／リットル、好ましくは７〜９ｇ／リットルである。また、Cuノジュール層２２を形成する際の電流密度は、通常は２５〜１５０Ａ／dm2.、好ましくは１５〜１００Ａ／dm2.であり、メッキ液温度は通常は１８〜２５℃、好ましくは２０〜２３℃の範囲内に設定される。また、このようなＣｕノジュールを形成しやすくするために上記のような銅濃度のメッキ液に例えばアルファナフトキノリンなどのＣｕをノジュール状に形成するための添加剤を配合することが好ましい。
このようにしてCuノジュール層を形成するに際しては、通常は１〜１５秒間、好ましく
は２〜１０秒間電気メッキを行うことにより、層の厚さが３〜３０μｍ、好ましくは５〜２０μｍのCuノジュール層２２を形成することができる。このようにして形成されたノジュールは粘着テープを貼着して、この粘着テープを引き剥がすと剥離してしまう程度の強度で付着しているだけなので、このCuノジュール層２２を固着するために、図１（ｉ）に示すように、かぶせメッキ層２４を形成する。かぶせメッキ層２４は、通常使用されている硫酸銅メッキ液を用いて通常は１〜５Ａ／dm2.、好ましくは２〜４A／dm2.の電流密度
で電気銅メッキを行うことにより形成することができる。図１（ｉ）に示すように、このようにかぶせメッキ層２４を形成することによりCuノジュール層２２を固定することができ、粘着フィルムを貼着して引き剥がした程度ではメッキ層が剥離しなくなる。
このようなかぶせメッキ層２４を形成するメッキ液中における銅濃度は、通常は１０〜２０ｇ／リットル、好ましくは１３〜１７ｇ／リットルである。また、かぶせメッキ２４を形成する際の電流密度は、通常は１〜５Ａ／dm2.、好ましくは１．５〜４Ａ／dm2.であり、メッキ液温度は通常は１８〜２５℃、好ましくは２０〜２３℃の範囲内に設定される。
また、このかぶせメッキ層は、例えばスルファミン酸ニッケルなどを含有するニッケルメッキ浴などを用いることにより、銅以外の金属で形成することもできる。
かぶせメッキの厚さはＣｕノジュール層の高さが１２μｍ以上の場合にはノジュール高さの１／２以上、ノジュールの高さが６μｍを超え12μｍに満たない場合には、ノジュールの高さの１／３〜１／４、ノジュール高さが６μｍ以下の場合にはノジュール高さの１／６程度以下にすることが好ましい。図１（ｉ）には、３〜５μｍ厚のかぶせメッキ層２４が形成された態様が示されている。図１（ｉ）においては、本発明の方法により製造されるプリント配線基板の層構造を示すために、かぶせメッキ層２４の状態を簡略化して単一の厚さを有する層として表しているが、このかぶせメッキ層２４の下地となるＣｕノジュール層２２の上部表面は多数の樹枝状のＣｕノジュールが形成されていることから平坦な面ではなく、図２、図３に付け番２２で示すように、多数の樹枝状のＣｕ結晶（Ｃｕノジュール）が突出して凹凸が形成された面であり、このような多数のＣｕノジュール突起が形成されたＣｕノジュール層２２の表面にかぶせメッキを行うと、形成されるかぶせメッキ層２４は、図２、図３に付け番２４で示すように、Ｃｕノジュール層２２の表面の凹凸状態に追随して、Ｃｕノジュール層２２の表面の凹凸状態を反映してそのかぶせメッキ層２４の表面も同等の表面状態になる。
かぶせメッキ層を形成するためには、上記のようなメッキ条件で通常は３〜１０分間、好ましくは４〜８分間電気メッキを行うことにより、良好なかぶせメッキ層２４を形成することができる。
このようにしてかぶせメッキ２４を形成した段階では図１（ｉ）に示すように、配線回路の側面は感光性樹脂層の側壁１５で規制されており、ノジュールはこの感光性樹脂層の側壁内に侵入することはないので、Ｃｕノジュールは専ら配線回路の上方に成長し、このＣｕノジュールメッキ層２２の上面にかぶせメッキ層２４が形成される。
感光性樹脂層１６の側壁１５によって幅が規制されるＣｕノジュールメッキ層２２の感光性樹脂層１６の当接面は感光性樹脂層１６の側壁１５によって規制されてはいるが、Cuノジュール層２２の側壁に当接するように多数のＣｕノジュールが形成されており、前述のようにこのＣｕノジュール間には多数の空隙が形成されていることから、この空隙にかぶせメッキを形成するメッキ液が侵入して感光性樹脂層１６の側壁１５方向に樹枝状に成長したＣｕノジュールの表面にもかぶせメッキ層２４が形成される。しかしながらＣｕノジュール層２２は感光性樹脂層１６の側壁１５によって幅方向の成長が規制されており、幅方向にかぶせメッキ層を成長させるのに充分な間隙も存在しないことから、Ｃｕノジュ
ール層２２を形成する各ノジュールの表面に薄いかぶせメッキ層が形成されるにとどまる。なお、後述の第1金属メッキ層として金メッキ層を厚く形成する場合には金メッキ層を
かぶせメッキ層と同様に作用させることができるので、上記のかぶせメッキ層の形成を省略することができる。
本発明ではこのようにしてＣｕノジュール層２２を形成し、さらにかぶせメッキ層２４を形成した後、感光性樹脂層１６を除去することなく、第1金属メッキ層を形成する。こ
の第1金属メッキ層を、例えば、金メッキ層、錫メッキ層、ニッケルメッキ層、銀メッキ
層、パラジウムメッキ層、ハンダメッキ層および鉛フリーハンダメッキ層などの金属メッキ層、または、これらの金属メッキ層形成金属に他の金属が含有された金属合金メッキ層とすることができる。
特に本発明では第1金属メッキ層が金メッキ層であることが好ましい。
第1金属メッキ層が金メッキ層である場合、上記のようにして、かぶせメッキ層を形成
した後、基板を金メッキ浴に浸漬して金メッキを行うとかぶせメッキ層の上面に金メッキ層が形成される。
従来の銅箔をエッチングして配線基板を製造する方法では、銅箔の上面からエッチングが進むために、形成された配線の上端部の断面幅が下端部の断面幅よりも小さくなるのが一般的であり、この配線回路の上端部の断面幅（A)と下端部の断面幅（B）との差(B−A)
の１／２と、配線高さ（H）との比（すなわちEf=｛２H／（B ― A）｝）をエッチングフ
ァクターとして表しており、このエッチングファクターが大きいほど、エッチング液の性能がよいとされている。現在使用されているエッチング液で上記のエッチングファクターが５〜１０以上になるような優れたエッチング液はなく、配線回路の上端部はエッチング液との接触時間が長くなることから、上端部の断面幅は下端部の断面幅よりも狭くなってしまう。
しかしながら、本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記のような配線回路を導電性金属箔のエッチングによって形成していないために、従来のプリント配線基板のようにエッチングファクターという概念が存在しない。すなわち、本発明では絶縁基材の表面に形成した導電性の金属層の全面に感光性樹脂を用いて感光性樹脂層１６を形成し、この感光性樹脂層を露光・現像して配線回路を形成するための凹部１７を形成し、この凹部１７にセミアディティブ銅層２０、Cuノジュール層２２を積層し、さらにかぶせメッキ層２４を積層した配線回路の表面を第1金属メッキ層（好適には金メッキ層２６）で被覆した
後に、感光性樹脂層１６を撤去して絶縁基材表面に露出した導電性の金属層を除去してそれぞれの配線回路を電気的に独立させているので、導電性金属箔を選択的なエッチングにより配線回路とするエッチング工程が存在しない。しかも形成される配線回路は、感光性樹脂層１６を露光・現像することによって形成された凹部１７の内部に金属を析出して配線回路としており、配線回路の断面の両側面は、感光性樹脂層１６の側壁によって絶縁基材１０の表面に対して垂直に規制されている。したがって、本発明のプリント配線基板の製造方法により形成される配線回路は、断面形状が矩形、略矩形あるいは逆台形に形成されている。
本発明において、上記のような第1金属メッキ層26である金メッキ層は、単一の金メッ
キ処理により形成することもできるが、この工程を二つに分けて、最初に金ストライクメッキにより金メッキ層を形成することが好ましい。金ストライクメッキによれば、金メッキされる素材を活性化すると同時に密着性の高い金メッキ層を形成することができる。しかも、この金ストライクメッキ処理により形成された金メッキ層は、この後の工程で形成されるメッキ層と非常に高い密着性を示す。
上記のようにして例えば金ストライクメッキにより金メッキ層２６を形成するメッキ液中における金濃度は、通常は０．５〜４ｇ／リットル、好ましくは０．８〜３ｇ／リットルである。また、金ストライクメッキにより金メッキ層を形成する際の電流密度は、通常は０．１〜７Ａ／dm2.、好ましくは０．５〜６Ａ／dm2.であり、メッキ液温度は通常は４０〜６０℃、好ましくは４５〜５５℃の範囲内に設定される。このようなメッキ条件で通常は３〜３０秒間、好ましくは５〜２０秒間電気メッキを行うことにより、良好な金ストライクメッキ層を形成することができる。このようにして金ストライクメッキを行うことにより形成される金メッキ層の厚さは、通常は０．００１〜０．２μm、好ましくは０．
００５〜０．１μmである。
本発明のプリント配線基板の製造方法では、上記のようにして金ストライクメッキにより金メッキ層を形成すればよいが、上記のようにして金ストライクメッキを行った後、さらに通常の金メッキを行い、金ストライクメッキ層の上に通常の金メッキ層を積層することもできる。この金ストライクメッキの後に行われる金メッキのメッキ液中における金濃度は、通常は６〜１２ｇ／リットル、好ましくは７〜１０ｇ／リットルである。また、上記のようにして金メッキ層を形成する際の電流密度は、通常は０．１〜１Ａ／dm2、好ま
しくは０．２〜０．６Ａ／dm2.であり、メッキ液温度は通常は５５〜７５℃、好ましくは６０〜７０℃の範囲内に設定される。このようなメッキ条件で通常は１〜３分間、好ましくは１．５〜２．５分間電気メッキを行うことにより、第1金属メッキ層として良好な金
メッキ層を形成することができる。このようにして金メッキを行うことにより形成される金メッキ層などの第１金属メッキ層の厚さは、通常は０．１〜０．８μm、好ましくは０
．３〜０．６μmであり、前述の金ストライクメッキにより形成された金ストライクメッ
キ層と併せて配線回路上面における金メッキ層の厚さは通常は０．３５〜０．５５μm、
好ましくは０．４〜０．５μmである。
上記の説明は、第1金属メッキ層２６が金メッキ層である場合について説明したが、本
発明では第1金属メッキ層２６を金以外の金属で形成することもできる。すなわち、本発
明では、第1金属メッキ層２６が、錫メッキ層、ニッケルメッキ層、銀メッキ層、パラジ
ウムメッキ層、ハンダメッキ層および鉛フリーハンダメッキ層などの金以外の金属を含有するメッキ層とすることもでき、さらにこれらの金属と他の金属とを含有する金属合金メッキ層とすることができる。
上記のようにして第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）２６を形成した基板の断面
は、図１（ｊ）に示すようになる。すなわち、絶縁基材１０の表面全面に導電性金属薄層１２および銅スパッタリング層１４がこの順序で積層されており、銅スパッタリング層１４の表面には感光性樹脂層１６が形成されると共に、感光性樹脂層１６が積層されていない銅スパッタリング層１４の上にはセミアディティブ銅層２０が形成され、さらにこのセミアディティブ銅層２０の上にはCuノジュール層２２が形成されている。このCuノジュール層は、上面部が、感光性樹脂層１６の上面部と略同一面になるような厚さを有している。さらに、Cuノジュール層２０の上面および側面にはかぶせメッキ層２４が形成されており、さらにこのかぶせメッキ層２４の表面を覆うように第1金属メッキ層（好適には金メ
ッキ層）２６が形成されている。感光性樹脂層１６の上面よりも上に形成されているかぶせメッキ層２４は、感光性樹脂層１６を露光・現像することにより形成される凹部１７の幅と同等であるか、感光性樹脂層１６の側壁面による規制がないので、凹部１７の幅よりも若干幅広に形成されることがある。さらにこのかぶせメッキ層２４を覆うように形成される第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）２６は、凹部１７の幅よりも若干幅広にな
る。
しかしながら、感光性樹脂層１６の側壁面で線幅が規制されるセミアディティブ銅層２０の幅は、凹部１７と同じ幅であり、さらにこのセミアディティブ銅層２０の上に積層さ
れるCuノジュール層２２の幅は、Cuノジュール層２２とこのCuノジュール層２２の両側面のメッキ層を併せた合計幅が凹部１７と同じ幅になる。
上記のようにして第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）２６を形成した後、感光性
樹脂層１６を除去する。この感光性樹脂層１６の除去には、アルカリ洗浄液、有機溶媒などを使用することができるが、アルカリ洗浄液を用いて感光性樹脂層１６を除去することが好ましい。アルカリ洗浄液は本発明のプリント配線基板を構成する素材に悪影響を及ぼさず、また有機溶媒の蒸散などによる環境汚染も生じない。
本発明においては、この上記のようにして感光性樹脂層１６を除去した後の基板の断面を図１（ｋ）に示す。
図１（ｋ）に示すように感光性樹脂層１６を除去すると、この感光性樹脂層１６を除去した部分にはスパッタリング銅層１４およびその下にある導電性金属薄層１２からなる下地層１３が露出する。この導電性金属薄層１２およびスパッタリング銅層１４からなる下地層１３は電気導電性を有しているので、この導電性金属薄層１２およびスパッタリング銅層１４からなる下地層１３を除去しなければ形成した回路を独立した配線回路として使用することはできない。
こうして感光性樹脂層１６が除去された部分の表面には、スパッタリング銅層１４が露出する。
こうして露出したスパッタリング銅層１４を銅を溶解可能なエッチング液、特に形成された配線回路に悪影響を及ぼさないソフトエッチング液を用いて溶解除去することが好ましい。ここでスパッタリング銅層１４の除去に好適に使用できるソフトエッチング液としては、例えば１３０〜２００ｇ／リットルのK2S2O8が溶解されたソフトエッチング液を用いることができる。このようなソフトエッチング液を用いて、２０〜４０℃の温度、好ましくは室温付近〔通常は25℃±5℃付近〕で１０秒〜５分間、好ましくは３０秒〜３分間
程度ソフトエッチング処理することによりスパッタリング銅層１４をほぼ完全に除去することができる。
こうしてスパッタリング銅層１４を溶解除去することにより、スパッタリング銅層１４のしたにある導電性金属薄層１２が露出する。
この配線回路間の絶縁基材１０の表面に形成されている導電性金属薄層１２は、例えばＮｉ−Ｃｒから形成されており、このような導電性金属層１２を、鉱酸を含有する水溶液と接触させることにより除去することができる。特に本発明では、塩酸水溶液と、硫酸・塩酸混合水溶液とを繰返し使用することが好ましい。ここで使用する塩酸水溶液としては、塩酸濃度が３〜２０重量％、好ましくは５〜１５重量％の塩酸水溶液を用いることができる。また、硫酸・塩酸昆混合水溶液としては、硫酸濃度が通常は１０〜１７重量％、好ましくは１２〜１５重量％、塩酸濃度が通常は１０〜１７重量％、好ましくは１２〜１５重量％である混合水溶液を用いることができる。導電性金属薄層１２を除去するために、上記のような塩酸水溶液を用いた処理と、硫酸・塩酸混合水溶液を用いた処理とを組み合わせて、それぞれ１〜５回、好ましくは２〜４回行うことにより、配線回路１が形成されていない絶縁基板１０表面に露出した導電性金属薄層１２をほぼ完全に除去することができる。なお、上記の酸水溶液による処理は、一回の処理時間を１〜３０秒間、好ましくは５〜３０秒間に設定して行うことができる。このようにして処理することにより配線回路１が形成されていない絶縁基板１０表面の導電性金属薄層１２はほぼ完全に除去することができるが、配線回路１には第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）が形成されている
ために、上記のような酸水溶液との接触によってもほとんど影響を受けることない。
上記のようにして導電性金属薄層１２を除去する処理を行った後、このプリント配線基板を水洗してそのまま使用することもできるが、導電性金属薄層１２は、前述のようにス
パッタリングにより形成したことから、絶縁基板の表面にNiあるいはCrなど金属が残存していることがあり、このような残存金属を不働態化することが好ましい。この不働態化処理には、本発明ではアルカリ性に調整した過マンガン酸塩のような酸化性物質を含有する水溶液を用いることが好ましい。ここで使用する処理液としては、NaMnO4および／またはKMｎO4と、NaOHおよび／またはKOHを含有する水溶液を用いることが好ましい。この処理
液中におけるNaMnO4および／またはKMｎO4の濃度は、通常は４０〜６５ｇ／リットル、好ましくは４５〜６０ｇ／リットルであり、NaOHおよび／またはKOHの濃度は、通常は２０
〜６０ｇ／リットル、好ましくは３０〜５０ｇ／リットルである。このような酸化性水溶液を用いた処理条件は、通常は水溶液の温度を２０〜８０℃に調整し、処理時間は５〜１８０秒間である。このようにして処理することにより、極微量の導電性金属が残留したとしてもこれらの残留金属によってプリント配線基板の特性が変動することがない。
上記のようにして処理した後、シュウ酸のような還元性の有機酸を含有することにより、基板表面に残存することもあるマンガンを完全に除去することができる。このときに好適に使用されるシュウ酸水溶液中のシュウ酸（シュウ酸二水物）濃度は、通常は５〜９０ｇ／リットル、好ましくは２０〜７０ｇ／リットルである。
こうしてシュウ酸水溶液で処理した後、水洗することにより図１（ｍ）に示されるような層構成を有する配線回路が形成されたプリント配線基板を得ることができる。
図１（ｍ）に示すようにこうして形成された配線回路の表面は第1金属メッキ層（好適
には金メッキ層）である。
本発明では、上記のような金メッキ層のような第1金属メッキ層が形成された配線回路
の表面に、第1金属メッキ層２６を形成する金属以外の金属により第2金属メッキ層２８を形成することができる。
すなわち、プリント配線基板はその使用形態によって、表面層がスズメッキ層、あるいは、ハンダメッキ層、鉛フリーハンダメッキ層などの表面層を形成することが必要になる場合がある。例えば図１（ｎ）には、第1金属メッキ層である金メッキ層２６が形成され
た表面にさらに第2金属メッキ層としてスズメッキ層２８が形成された配線回路２を有す
るプリント配線基板が示されている。
例えば、このプリント配線基板に実装される電子部品の端子が金バンプである場合には、配線回路の表面をスズメッキ層とすることが好ましく、さらに、プリント配線基板の使用形態によっては、その表面にハンダメッキ層、鉛フリーハンダメッキ層、ニッケルメッキ層など第１金属メッキ層２６とは異なる金属から形成された第2金属メッキ層とするこ
とができる。このような第2金属メッキ層２８は、第1金属メッキ層を形成する金属とは異なる金属から形成することができ、例えば、錫メッキ層、ニッケルメッキ層、銀メッキ層、パラジウムメッキ層、ハンダメッキ層および鉛フリーハンダメッキ層などの金属メッキ層あるいは金属合金メッキ層とすることができる。また、第1金属メッキ層２６が金メッ
キ層でない場合には、第2金属メッキ層を金メッキ層とすることもできる。このような第2金属メッキ層２８は、通常のメッキ法により形成することができ、例えば、上記のようなスズメッキ層は、無電解スズメッキ液を用いて無電解メッキをすることにより形成することができる。
なお、上記のようにして配線回路が形成されたプリント配線基板の表面に、接続端子となるリードが露出するようにソルダーレジスト層を形成することができる。このようにソルダーレジスト層を形成する場合には、第2金属層として、例えばスズメッキ層を形成し
た後ソルダーレジスト層を形成することもできるし、メッキ層を形成する前にソルダーレジスト層を形成し、ソルダーレジスト層から露出するリード部分にスズメッキ層を形成す
ることもできる。
なお、本発明のプリント配線基板を製造する際には、例えば第1金属メッキ層を形成し
た後、あるいは第2金属メッキ層を形成した後、例えば１００℃以上の温度でアニール処
理を行うことができる。このようなアニール処理を行うことにより、金属メッキ層を形成する金属と、被メッキ層金属とが相互に拡散することがある。従って、実際に製造されたプリント配線基板に形成されている配線回路を構成する金属メッキ層の組成が、この層を形成する際に用いた金属と組成が異なることがある。例えば、銅層とスズ層とを積層した場合、アニーリング処理により、銅層中にはスズが拡散すると共にスズ層には銅が拡散した相互拡散層を形成することがある。このような金属の相互拡散が生ずることは知られており、本発明のプリント配線基板の配線回路を構成する各金属層には、上記のような相互拡散層が形成されている場合があるが、本発明のプリント配線基板には、形成されている金属層に上記のように拡散層が形成されていてもよい。
このようにして形成されたプリント配線基板は通常のプリント配線基板と同様に使用することができるが、本発明の方法で製造したプリント配線基板の配線回路の表面には、図２に示すように、Ｃｕノジュール層を形成したことに起因した凹凸が形成される。この凹凸を利用することにより、導電性粒子を含有する異方性導電接着剤を使用せずに、接着剤だけを用いて加圧方向に選択的に導電性を確立した導電接着を行うことができる。
図２は、ＬＣＤの端子に本発明の方法で製造したプリント配線基板を接着したときの配線回路の断面の状態を示す断面図である。
図２に示されるように、スパッタリング銅層２０の上にＣｕノジュール層２２を形成することにより、このＣｕノジュール層２２の表面は、ノジュールによる凹凸形成される。このＣｕノジュール層２２の表面の凹凸は、その後に行われるかぶせメッキ、金メッキなどの第1金属メッキ層を形成する工程、さらに無電解スズメッキなどの第２金属メッキ層
を形成する工程によっても損なわれることがない。このようにして形成された凸部４６をＬＣＤの基板に対する接続点として使用する。
すなわち、本発明の方法で製造したプリント配線基板とＬＣＤとの間に接着剤４５を介在させて上下方向から加熱圧着することにより、配線回路の表面に形成された金メッキ層２６の凸部４６がＬＣＤの基板に圧接されてこの凸部４６の頂部によってＬＣＤとプリント配線基板とが電気的に接続される。他方、加圧方向に対して横方向には接着剤４５が存在するだけなので、横方向の絶縁性は確保される。ここで使用される接着剤４５としては、従来から異方性導電接着剤に使用されていたエポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリアミド系接着剤などの接着性成分を使用することができる。このように本発明の方法で製造されたプリント配線基板を用いることにより、配線回路の表面に形成された凸部４６を電気的な接続点として使用するので、異方性導電接着の際に導電性粒子をする必要がなく、接着剤中には接着性の成分だけが含有されており、使用環境の変化などによりこの接着剤が流動したとしても、加圧方向の電気導電性および加圧方向に対する横方向の絶縁性が変動することがない。
上記のように本発明の方法で製造されたプリント配線基板の表面には、Ｃｕノジュール層を形成したことによる凹凸が形成されており、この凹凸を利用して電子部品などと接続させることも可能である。
また、本発明の方法で製造されたプリント配線基板に形成される配線回路の側面部２１は、図２および図３に示すように、絶縁基板１０に対して垂直に形成されている。ただし、感光性樹脂層１６が形成されていた部分より上（図２、図３では感光性樹脂層１６の上端部位置をＡ−Ａ線で示されている）に形成されるかぶせメッキ層２４および第1金属メ
ッキ層（好適には金メッキ層）２６は、感光性樹脂層１６を露光・現像することにより形成される凹部１７の幅よりも若干広くなる傾向があるが、その幅の広がりは僅かである。
このように本発明の方法で製造されたプリント配線基板に形成される配線回路は、基板に対して略直角に形成されており、配線回路の上端部と下端部とが実質的に同一幅である。また、この配線回路１は、上面に第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）が形成され
、横方向のCuノジュールの成長は抑制されていることから、横方向の絶縁状態を阻害するものが存在せず、配線回路間の絶縁性は長期間安定な状態が保たれる。また、本発明の方法では、感光性樹脂層を予め感光・露光することにより、予め配線回路の形成位置を感光性樹脂層に形成しており、この配線回路の形成位置は、理論的に露光に使用される光の波長と同等にすることができる。さらに形成された配線回路の幅方向には絶縁性を阻害する要因がないので、非常に細線化された配線回路を高密度で形成することができる。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
厚さ３５μｍのポリイミドフィルムの前処理側表面にNi−Cr（２０重量％）を２５０Åの厚さでスパッタリングして基材金属層を形成した。さらにこの基材金属層の表面に銅を０．５μｍの厚さでスパッタリングして銅スパッタリング層を形成した。次に厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（PET）フィルムを補強フィルムとして貼り合わせた。
こうして得られた基材テープを３５ｍｍの幅にスリットして、サンプル作製用基材テープを得た。
この基材テープを硫酸で酸洗いし、続いてこの基材テープの銅スパッタリング層の表面にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、ポジ型液体フォトレジストFR200、粘度１８cps）を９μｍの厚さにロールコートで塗布してトンネル炉内で乾燥させた。
次いで１５ｍｍの長さのラインがそれぞれ１６本並んだ５０μｍピッチ、７０μｍピッチおよび１００μｍピッチ出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを配置した露光装置（ウシオ電機（株）製）を用いて、３６０ｍＪ／cm2で紫外線露光
した。
さらに、７％KOH溶液で８０秒間現像して露光部分を溶解して各ピッチを有する９μｍ
厚のフォトレジストパターンを形成した。
こうして感光性樹脂によるパターンが形成された基材テープに硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901）を添加した銅メッキ液を用いて温度２５℃、電流密度４A／dm2の条件で3分間攪拌しながら高さ２．５μmのCuメッキを行ってCuセミアディティブ層を形成した。
続いて、温度２５℃、電流密度５０A／dm2の条件で１０秒間激しく攪拌しながら高さ７〜９μmのCuのノジュールメッキ層を形成した。メッキ液中のCuSO4・５H2Oが３２ｇ/リットル（Cu＝８ｇ／リットル）でH2SO4が１００ｇ／リットルであり、さらにアルファナフ
トキノリン（C3H9N）を２００ppm添加した溶液を用いた。
さらに、硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901）を添加した銅メッキ液を用いて温度２５℃、電流密度４A／dm2の条件、４分間攪拌しながらかぶせメッキを行ってノジュールを固着した。
続いて、ストライク用金メッキ液（EEJA社製、オーロボンドTN）を用いて、５０℃、電流密度６A／dm2の条件で１５秒間メッキして金メッキ層を形成し、さらに金メッキ液（EEJA社製、テンペレックス＃８４００）を用いて温度６５℃、電流密度０．５A／dm2の条件で２分間金メッキを行って０．５μｍ厚さの金メッキ層を形成した。
こうして金メッキ層を形成した後、１０％NaOH水溶液を用いて、４０℃で３０秒間処理することにより配線パターン形成に使用した感光性樹脂層を剥離して、この感光性樹脂層の下のNi-Cr基材金属層およびCuスパッタリング層を露出させた。
こうして露出させたCuスパッタリング層を、１５０ｇ／リットルのK2S2O8（過硫酸カリウム）を主成分とするソフトエッチング液を用いて常温で１分間浸漬して除去し、さらに９％の塩酸溶液を用いて温度５５℃で１０秒間処理し、すすぎ洗いをせずに５５℃の１３％硫酸＋１３％塩酸混合溶液で１０秒間処理する工程を3回繰り返してNi-Cr層を溶解した。
次いで、４０％NaMnO4＝１００ml／リットルと２５％のNaOH＝１５０ml／リットルとの混合溶液を用いて６５℃で３０秒間処理して水洗し続いて５０ｇ／リットルのシュウ酸２水和物を用いて温度４０℃、３０秒間処理して基材テープ表面の二酸化マンガンを除去した後水洗した。
なお、無電解スズメッキ前の線幅６０μmの導体をScanning Auger Microscopy(SAM)に
よりAuを分析したところ、Cuノジュール層の上面を覆うように金層が形成されていることが確認され、さらに側面上部にも極少量の金が検出された。
こうして前記工程を経て金メッキが施された基材テープに形成された配線パターンに、無電解スズメッキ液（ロームアンドハース社製、無電解メッキ液LT-34）を用いて温度７
０℃、メッキ時間3分間の条件で厚さ０．５μｍの無電解スズメッキ層を形成した。
上記のようにして形成された５０μmピッチの配線パターン、７０μmの配線パターン、および、１００μmの配線パターン共にショートなどは発生しなかった。また、得られた
配線パターンの断面を観察したところ、配線パターンの上部の幅が底部の幅よりわずかに広い同一である矩形の断面を有していた。
ノジュール付き７０μmピッチパターン（線幅４０μm、トータル厚さ１５μm）にエポ
キシ系シート状接着剤（２５μm厚）を１００℃×３秒、圧力２．８kg／mm2の条件で仮圧着した後、２５００Å厚さのITO付きガラス板（26mm×76mm×0.7mm厚さ）と１８０℃×１９．８秒、圧力７．５kg／mm2の条件で本圧着した。
使用したツールは、３mm幅×110mm長さのスーパーインバー製で熱圧着装置は日本アビ
オニクス（株）製のパルスヒートボンダーTC-125を使用した。
このときの初期接続抵抗値を測定した結果１６本のライン全てにおいて０．０９mm2の
面積の接触抵抗値は1Ω以下であった。
実施例１と同様に基材シートを３５mm幅にスリットした後、得られた基材テープを硫酸で酸洗し、続いて、Cu面上にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、FR200）の粘度を１８cpsに調整してロールコーターを用いて９μm厚さになるように塗布し、
トンネル炉で乾燥させて感光性樹脂層を形成した。
この感光性樹脂層を、長さ１５mmのラインがそれぞれ１６本並んだ５０μmピッチ、70
μmピッチおよび１００μmピッチの出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを用いた露光装置（ウシオ電機（株）製）により３６０mJ／cm2で紫外線露光
した。
さらに７％KOH溶液で８０秒間現像して露光部分を溶解し、各ピッチを有する９μm厚のフォトレジストパターンを形成した。
次に硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST−901）を添加
した銅メッキ液を用いて25℃、４A／dm2の条件で３分間攪拌しながらメッキして、銅スパッタリング層の表面に２．５μmのCuメッキ回路を形成した。
続いて、電流密度５０A／dm2の条件で１０秒間攪拌しながらメッキして、高さ３．５μmのノジュールを形成した。ここで使用したメッキ液はCuSO4・5H2Oを３２ｇ／リットル、硫酸を１００g/リットル、さらに、アルファナフトキノリン（C3H9N）を２００ppm添加した溶液である。
上記のようにしてノジュールを形成した後、硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901）を添加した銅メッキ液を用いて温度２５℃、電流密度４A
／dm2の条件で４分間攪拌しながらかぶせメッキをしてノジュールを固着した。
次いで、ストライク用金メッキ液（EEJA社製、オーロボンドTN）を用いて、温度５０℃、電流密度６A／dm2の条件で１５秒間金メッキし、さらに別の金メッキ液（EEJA社製、テンペレックス＃８４００）を用いて温度６５℃、電流密度０．５A／dm2の条件で２分間メッキして０．５μmの金メッキ層を形成した。
その後、１０％NaOH溶液を用いて４０℃で３０秒間処理してフォトレジスト層を剥離して、１５０g／リットルのK2S2O8（過硫酸カリウム）を主成分とするソフトエッチング液
を用いて常温で１分間処理し銅スパッタリング層をエッチング除去してNi-Cr層を露出さ
せた。
次いで、５５℃の９％塩酸溶液で１０秒間処理した後、水洗をせずに５５℃の１３％硫酸+１３％塩酸混合溶液で１０秒間処理する工程を３回繰り返してNi-Cr層を溶解除去した。
さらに４０％NaMnO4＝100ml／リットルと２５％NaOH=150ml／リットルとの混合溶液を
用いて６５℃で、３５秒間処理し水洗し、次いで５０ｇ／リットルのシュウ酸２水和物を用いて４０℃で３０秒間処理し、二酸化マンガンを除去した後水洗した。
上記のようにして金メッキ層を形成し、スズメッキを行わない状態で、５０μmピッチ
部（ノジュール高さ９μm、総厚１６μm、線幅３０μm）について実施例１と同様に熱圧
着し、０．１２mm2の接続面積における電気抵抗を測定した結果１Ω以下であった。
実施例１と同様に基材シートを３５mm幅にスリットした後、得られた基材テープを硫酸で酸洗いし、続いてこの基材テープの銅スパッタリング層の表面にポジ型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、ポジ型液体フォトレジストFR200、粘度１８cps）を８μｍの厚さにロールコート塗布してトンネル炉内で乾燥させた。
次いで１５ｍｍの長さのラインがそれぞれ１６本並んだ２０μｍピッチ、５０μｍピッチおよび７０μｍピッチ出力アウターリード試験パターンを描画したガラスフォトマスクを配置した露光装置（ウシオ電機（株）製）を用いて、３６０ｍＪ／cm2で紫外線露光し
た。
さらに、７％KOH溶液で８０秒間現像して露光部分を溶解して各ピッチを有する８μｍ
厚のフォトレジストパターンを形成した。
こうして感光性樹脂によるパターンが形成された基材テープに硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901）を添加した銅メッキ液を用いて温度２５℃、電流密度３A／dm2の条件で５分間攪拌しながら高さ３．５μmのCuメッキを行ってCu
セミアディティブ層を形成した。
続いて、温度２５℃、電流密度５０A／dm2の条件で３秒間激しく攪拌しながら高さ７μmのCuのノジュールメッキ層を形成した。メッキ液中のCuSO4・５H2Oは３２ｇ/リットル（Cu＝８ｇ／リットル）で、H2SO4は１００ｇ／リットルであり、さらにアルファナフトキ
ノリン（C3H9N）を２００ppm添加した溶液を用いた。
さらに、硫酸銅メッキ添加剤（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901）を添加した銅メッキ液を用いて温度２５℃、電流密度３A／dm2の条件、２分間攪拌しながらかぶせメッキを行ってノジュールを固着した。
その後、１０％NaOH溶液を用いて、常温で１５秒間処理することにより配線パターン形成に使用した感光性樹脂層を剥離して、この感光性樹脂層の下のCuスパッタリング層およびその下のNi-Cr基材金属層を露出させた。
こうして露出させたCuスパッタリング層を、１５０ｇ／リットルのK2S2O8（過硫酸カリウム）を主成分とするソフトエッチング液を用いて３０℃で３０秒間浸漬して除去し、さらに９％の塩酸溶液を用いて温度５５℃で１０秒間処理し、すすぎ洗いをせずに５５℃の１３％硫酸＋１３％塩酸混合溶液で１０秒間処理する工程を２回繰り返してNi-Cr層を溶
解した。なお、この工程でCuも若干エッチングされてのジュール高さおよび導体幅が数ミクロンメートル減少した。
次いで、４０％NaMnO4＝１００ml／リットルと２５％NaOH＝１５０ml／リットルとの混合溶液を用いて６５℃で３０秒間処理して水洗し、続いて５０ｇ／リットルのシュウ酸２水和物の水溶液を用いて温度４０℃、３０秒間処理して基材テープ表面の二酸化マンガンを除去した後水洗した。
最後に１０％硫酸水溶液を用いて３０℃で１０秒間酸洗し、水洗した後、無電解スズメッキ液（LT-34、ロームアンドハース社製）を用いて７０℃で２．５分間無電解スズメッ
キを行い導体全体に厚さ０．５μｍ厚の無電解スズメッキ層を形成した。
無電解スズメッキ層を１２５℃で１時間アニールした状態で２０μｍピッチパターン（ノジュール高さ：３μｍ、総厚：６．５μｍ、トップ線幅：７μｍ）上にエポキシ系接着剤（厚さ：２５μｍ）を置き、１．５kg/mm2の圧力で１００℃で3秒間加圧してエポキシ
系接着剤をパターンに仮圧着した後、厚さ２５００ÅのITO付きガラス板（２６mm×76mm
×０．７mm厚さ）と１８０℃、１９．８秒で２．５kg/mm2の圧力で本圧着した。
使用したツールは、３mm幅×110mm長さのスーパーインバー製で熱圧着装置は日本アビ
オニクス（株）製のパルスヒートボンダーTC-125を使用した。
このときの初期接続抵抗値を測定した結果１６本のライン全てにおいて、接続面積０．０４mm2における接触抵抗値は1Ω以下であった。
〔比較例１〕
実施例１と同様に形成した35mm幅の基材テープを硫酸水溶液で酸洗した後、Cu面のポジ
型液体フォトレジスト（ロームアンドハース社製、FR200、粘度１８cps）を９μm厚にロ
ールコーター塗布し、トンネル炉で乾燥後、長さ１５mmのラインがそれぞれ１６本並んだ５０μmピッチ、７０μmピッチ、１００μmピッチ出力アウターリード試験パターンを描
画したガラスフォトマスクを用いて露光装置（ウシオ電機（株）製）により３６０mＪ／cm2で紫外線露光した。
さらに、７％KOH溶液で８０秒間現像して露光部分を溶解し、各ピッチを有する９μm厚のフォトレジストパターを形成した。
次いで硫酸銅メッキ液（ロームアンドハース社製、カパーグリームST-901を添加）を用いて温度２５℃、電流密度４A／dm2の条件で１０分間メッキし、高さ９μmのCuメッキ回
路を形成した。このメッキ条件ではノジュールは形成されない。次いで、このCuメッキ回路に実施例１と同様に金メッキした。
ノジュールが無くスズメッキを行っていない７０μmピッチパターンについて実施例と
同じ方法で熱圧着した。このときの０．１２mm2の接続面積における初期接続抵抗値を測
定した結果、１６本のライン全てにおいて、接続抵抗値は１０Ω以上であり、中には数メガΩレベルの接続部もあった。
すなわち、パターン上にノジュールが形成されていない場合には電気的接続は不可能であることがわかった。
結果を表１に示す。
Figure 2007165816
註）接着には２５μｍ厚さエポキシ系接着シートを使用した。
接着条件：180℃×19.8秒×２kg/cm2で熱圧着（３mm幅ツール使用）
ITO付きガラス板２６mm×７６mm×０．７mmtと実施例、比較例で製造したサンプルを接着させた。
本発明のプリント配線基板は、絶縁基板の下地層の表面に形成された感光性樹脂層を露光・現像して、予め配線回路の形成位置である凹部を形成し、この凹部にメッキ層を積層することにより配線回路を形成して製造されており、形成される配線回路が絶縁基板に対して垂直な矩形状の断面形状を有している。さらにこのプリント配線基板に形成されている配線回路の断面形状が矩形の配線回路は上端部の幅と下端部の幅が略同一であるか、上端部の幅がわずかに幅広であり、絶縁基板から非常にシャープに切れ上がった断面形態を有する。また、この配線回路を構成するCuノジュール層におけるノジュールの成長方向は、配線回路の厚さ方向であり、Cuノジュール層を形成する際に横方向は感光性樹脂からなるパターンの側壁によりブロックされているために、配線回路の横方向へはノジュールは成長しない。このために非常に細線化された配線回路を高い密度で形成することができ、高い密度で配線回路を形成したとしても、隣接する配線回路との間に短絡が生じない。
また、本発明のプリント配線基板の配線回路は感光性樹脂層を露光・現像して形成した凹部にスパッタリング銅層の上にＣｕノジュール層が形成され、さらにその上にかぶせメッキ層、第1金属メッキ層（好適には金メッキ層）が積層されており、こうして形成され
た導体の表面にはＣｕノジュール層を形成したことに起因して表面に多数の凹凸が形成されおり、この凹凸を利用して導電性粒子を使用せずに接着剤だけで導電性接着を行うことができる。
さらに、第1金属メッキ層がAuメッキの場合、長時間の高温加熱後も配線回路の導体で
あるＣｕとＡｕメッキ界面で相互拡散によるカーケンダールVoidが発生しないので、接続部の接触抵抗が増加しない。第1金属メッキ層がＳｎメッキ層である場合には、カーケン
ダールVoidが生ずることがあり、viodの発生という点から見れば、第1金属メッキ層とし
ては、金メッキ層の方がスズメッキ層よりも有利がある。また、第1メッキ層として金メ
ッキ層を形成ことにより、貯蔵安定性も向上する。
他方、実装する電子部品に形成されているバンプ電極が金バンプである場合、この電子部品の金バンプとプリント配線基板とを電気的に接続させるためには、プリント配線基板側の端子からスズを供給して、金バンプの金と金スズ共晶物を形成することが好ましく、このような場合には、第2金属メッキ層として無電解スズメッキ層を形成することにより
電子部品の実装を確実に行うことができる。
この第2金属メッキ層は、配線回路の側面にあるCuノジュール層の側面を含めて配線回
路全体を覆うように形成されるので、形成される配線回路の耐食性が良くなる傾向がある。
また、本発明のプリント配線基板においては、配線の引き回し長さに関係なく、同一のプリント基板内に形成されている配線の電気抵抗値が中心となる値（通常は）±１０％の範囲内にあることが好ましく、このような均一性の高いプリント配線基板を用いることにより、出力側アウターリードから導出される電気信号に配線回路の電気絶縁性の変動による、出力信号のバラツキが小さくなり、より精密な配線回路を形成することができる。
また、このような回路が形成されたプリント配線基板を複数個並列に配置する場合には、個々のプリント配線基板の電気抵抗値の平均値を、より均一になるように製造することは勿論、配線の出力側インナーリードと、出力側アウターリードとの間の多数の配線の配線回路の平均値を近似させると共に、複数並列に配置されたプリント配線基板の最も外側に形成され、隣接する配線回路の電気抵抗の差をできるだけ小さくすることが望ましい。
図１-１は、本発明のプリント配線基板の製造方法の各工程で製造される基板の断面の例を模式的に示す断面図である。 図１-２は、本発明のプリント配線基板の製造方法の各工程で製造される基板の断面の例を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明のプリント配線基板の製造方法によって得られたプリント配線基板の一つの配線がLDC基板に接続された状態を模式的に示す断面図である。 図３は、配線回路の側面部を拡大して模式的に示す拡大断面図である。 図４は、従来のプリント配線基板をLCD基板に異方性導電接着剤を用いて接着した状態を示す断面図である。
符号の説明
１・・・最外層が金メッキ層（第1金属メッキ層）である配線回路の断面を模式示した断
面
２・・・最外層がスズメッキ層（第2金属メッキ層）である配線回路の断面を模式示した
断面
１０・・・絶縁基材（ポリイミドフィルム）
１１・・・補強材
１２・・・導電性金属薄層
１３・・・下地層
１４・・・銅スパッタリング層
１５・・・側壁
１６・・・感光性樹脂層
１７・・・凹部
１８・・・フォトマスク
２０・・・セミアディティブ銅層
２１・・・側縁部
２２・・・Cuノジュール層
２４・・・かぶせメッキ層
２６・・・第1金属メッキ層（金メッキ層）
２８・・・第2金属メッキ層（錫メッキ層）
４０・・・異方性導電フィルム
４１・・・導電性粒子
４２・・・接着剤
４５・・・接着剤
５０・・・LCD

Claims (19)

  1. 絶縁基材と該絶縁基材の表面に形成された多数の配線回路とを有するプリント配線基板であって、該配線回路が、該絶縁基材の表面に形成された導電性下地層と、該下地層の上面に形成されたCuノジュール層と、該Cuノジュール層の上面に形成されたかぶせメッキ層と、該かぶせメッキ層の上面に形成された第1金属メッキ層とを有しており、該配線回路
    の上面に、Cuノジュール層の上面の凹凸に起因した凹凸面が形成されていることを特徴とするプリント配線基板。
  2. 上記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることを特徴とする請求項第1項記載のプリント配線基板。
  3. 上記導電性下地層の上面にセミアディティブ銅層を有することを特徴とする請求項第1
    項又は第2項記載のプリント配線基板。
  4. 上記第1金属メッキ層が、金メッキ層、錫メッキ層、ニッケルメッキ層、銀メッキ層、
    パラジウムメッキ層、ハンダメッキ層および鉛フリーハンダメッキ層よりなる群から選ばれる少なくとも一種類の金属メッキ層、または、これらのメッキ層形成金属に他の金属が含有された金属合金メッキ層であることを特徴とする請求項第1項記載のプリント配線基
    板。
  5. 上記配線回路の上面および側面に、第1金属メッキ層とは異なる金属からなる第２金属
    メッキ層が形成されていることを特徴とする請求項第1項記載のプリント配線基板。
  6. 上記配線回路の断面が、矩形または略矩形に形成されていることを特徴とする請求項第1項乃至第５項の何れかの項記載のプリント配線基板。
  7. 上記Cuノジュール層を構成するCuノジュールが、配線回路の厚さ方向に選択的に成長していることを特徴とする請求項第1項記載のプリント配線基板。
  8. 絶縁基材の表面にメッキ電力を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性樹脂層を形成して該感光性樹脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光・現像して感光性樹脂層に凹部を形成し、該凹部の内部にＣｕノジュール層を形成すると共に該Ｃｕノジュール層の表面にかぶせメッキ層を形成し、さらに形成されたCuノジュール層上のかぶせメッキ層の少なくとも上面に第1金属メッキ層を形成して該Ｃｕノジュール層上
    面を被覆した後、感光性樹脂層を剥離し、次いで、感光性樹脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
  9. 絶縁基材の表面にメッキ電力を供給する導電性の下地層を形成し、該下地層の表面に感光性樹脂層を形成して該感光性樹脂層に配線回路を形成するためのパターンを露光・現像して感光性樹脂層に凹部を形成し、該凹部の内部にＣｕノジュール層を形成すると共に該Ｃｕノジュール層の表面にかぶせメッキ層を形成し、さらにＣｕノジュール層上に形成されたかぶせメッキ層の少なくとも上面に金メッキ層を形成して該Ｃｕノジュール層上面を被覆した後、感光性樹脂層を剥離し、次いで、感光性樹脂層を剥離したことにより露出した下地層を除去することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
  10. 上記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなる導電性金属薄層とスパッタリング銅層とからなることを特徴とする請求項第８項または第９項記載のプリント配線基板の製造方法。
  11. 上記下地層の表面に感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層を露光・現像して配線回路
    を形成するための凹部を形成し、該凹部に露出する下地層表面に、セミアディティブ銅層を形成し、該セミアディティブ銅層の表面にＣｕノジュール層を形成することを特徴と請求項第８項または第９項記載のプリント配線基板の製造方法。
  12. 上記Ｃｕノジュール層の表面に、該Ｃｕノジュール層の上面に形成される凹凸面が反映されるようにかぶせメッキ層および、第1金属メッキ層または金メッキ層を形成すること
    を特徴とする請求項第8項または第9項記載のプリント配線基板の製造方法。
  13. 上記金メッキ処理を二段階に分けて行い、最初に金ストライクメッキを行うことを特徴とする請求項第９項または第１２項記載のプリント配線基板の製造方法。
  14. 上記配線回路を形成した後、感光性樹脂層を剥離し、該感光性樹脂層の剥離によって露出した下地層を強酸性の水溶液と接触させて除去することを特徴とする請求項第８項または第９項記載のプリント配線基板の製造方法。
  15. 上記下地層の一部を塩酸水溶液と接触させて除去し、さらに硫酸・塩酸混合水溶液で下地層の残部を除去することを特徴とする請求項第８項または第９項記載のプリント配線基板の製造方法。
  16. 上記のようにして下地層を溶解除去した後、過マンガン酸塩を含有するアルカリ水溶液で処理することを特徴とする請求項第１４項または第１５項記載のプリント配線基板の製造方法。
  17. 上記過マンガン酸塩を含有するアルカリ水溶液で処理したプリント配線基板を、シュウ酸を含有する水溶液で処理することを特徴とする請求項第１６項記載のプリント配線基板の製造方法。
  18. 上記のようにして下地層を除去した後、金メッキ層または第1金属メッキ層が形成され
    ている配線回路の表面に第2金属メッキ層として無電解スズメッキ層を形成することを特
    徴とする請求項第８項乃至第１７項記載のプリント配線基板の製造方法。
  19. 上記請求項第1項乃至第７項のいずれかの項記載のプリント配線基板を用いて、Ｃｕノ
    ジュール層に起因する凸部を表面に有する配線回路を有するプリント配線基板を、導電性粒子を含有しない接着剤を用いて接続端子が形成された基板に加圧下に接着して加圧方向に電気的接続を選択的に形成することを特徴とするプリント配線基板の異方導電性接着方法。
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