JP2007134545A - Prober - Google Patents
Prober Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007134545A JP2007134545A JP2005327029A JP2005327029A JP2007134545A JP 2007134545 A JP2007134545 A JP 2007134545A JP 2005327029 A JP2005327029 A JP 2005327029A JP 2005327029 A JP2005327029 A JP 2005327029A JP 2007134545 A JP2007134545 A JP 2007134545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- path
- prober
- coolant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップ(ダイ)の電気的な検査を行うためにダイの電極をテスタに接続するプローバに関し、特にウエハを保持するウエハチャックを冷却して低温環境で検査が行えるプローバに関する。 The present invention relates to a prober for connecting a die electrode to a tester in order to electrically inspect a plurality of semiconductor chips (dies) formed on a semiconductor wafer, and in particular, to cool the wafer chuck holding the wafer at a low temperature. It relates to probers that can be tested in the environment.
半導体製造工程では、薄い円板状の半導体ウエハに各種の処理を施して、半導体装置(デバイス)をそれぞれ有する複数のチップ(ダイ)を形成する。各チップは電気的特性が検査され、その後ダイサーで切り離なされた後、リードフレームなどに固定されて組み立てられる。上記の電気的特性の検査は、プローバとテスタで構成されるウエハテストシステムにより行われる。プローバは、ウエハをステージに保持し、各チップの電極パッドにプローブを接触させる。テスタは、プローブに接続される端子から、電源および各種の試験信号を供給し、チップの電極に出力される信号をテスタで解析して正常に動作するかを確認する。 In the semiconductor manufacturing process, various processes are performed on a thin disk-shaped semiconductor wafer to form a plurality of chips (dies) each having a semiconductor device (device). Each chip is inspected for electrical characteristics, then separated by a dicer, and then fixed to a lead frame and assembled. The inspection of the electrical characteristics is performed by a wafer test system composed of a prober and a tester. The prober holds the wafer on the stage and brings the probe into contact with the electrode pad of each chip. The tester supplies power and various test signals from the terminals connected to the probe, and analyzes the signals output to the electrodes of the chip with the tester to check whether it operates normally.
半導体装置は広い用途に使用されており、−55°Cのような低温環境や、200°Cのような高温環境でも使用される半導体装置(デバイス)もあり、プローバにはこのような環境での検査が行えることが要求される。そこで、プローバにおいてウエハを保持するウエハチャックのウエハ載置面の下に、例えば、ヒータ機構、チラー機構などのウエハチャックの表面の温度を変えるウエハ温度調整手段を設けて、ウエハチャックの上に保持されたウエハを加熱又は冷却することが行われる。 Semiconductor devices are used in a wide range of applications, and there are semiconductor devices (devices) that can be used in low-temperature environments such as -55 ° C and high-temperature environments such as 200 ° C. It is required that the inspection can be performed. Therefore, a wafer temperature adjusting means for changing the surface temperature of the wafer chuck, such as a heater mechanism and a chiller mechanism, is provided below the wafer mounting surface of the wafer chuck that holds the wafer in the prober, and is held on the wafer chuck. The heated wafer is heated or cooled.
図1は、ウエハ温度調整手段を有するプローバを備えるウエハテストシステムの概略構成を示す図である。図示のように、プローバ10は、基台11と、その上に設けられた移動ベース12と、Y軸移動台13と、X軸移動台14と、Z軸移動部15と、Z軸移動台16と、θ回転部17と、ウエハチャック18と、ウエハアライメントカメラ19と、支柱20及び21と、ヘッドステージ22と、ヘッドステージ22に設けられたカードホルダ23と、カードホルダ23に取り付けられるプローブカード24と、を有する。プローブカード24には、カンチレバー式のプローブ25が設けられる。移動ベース12と、Y軸移動台13と、X軸移動台14と、Z軸移動部15と、Z軸移動台16と、θ回転部17は、ウエハチャック18を3軸方向及びZ軸を中心として回転する移動・回転機構を構成する。移動・回転機構については広く知られているので、ここでは説明を省略する。プローブカード24は、検査するデバイスの電極配置に応じて配置されたプローブ25を有し、検査するデバイスに応じて交換される。なお、プローブの位置を検出する針位置合わせカメラ19や、プローブをクリーニングするクリーニング機構などが設けられているが、ここでは省略している。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wafer test system including a prober having a wafer temperature adjusting means. As shown, the
テスタ30は、テスタ本体31と、テスタ本体31に設けられたコンタクトリング32とを有する。プローブカード24には各プローブに接続される端子が設けられており、コンタクトリング32はこの端子に接触するように配置されたスプリングプローブを有する。テスタ本体31は、図示していない支持機構により、プローバ10に対して保持される。プローバ10は、ウエハテストにおいてテスタ30と連携して測定を行うが、その電源系や機構部分はテスタ本体及びテストヘッドとは独立した装置である。
The
検査を行う場合には、図示していない針位置合わせカメラでプローブ25の先端位置を検出する。次に、ウエハチャック18に検査するウエハWを保持した状態で、ウエハWがウエハアライメントカメラ19の下に位置するように、Z軸移動台16を移動させ、ウエハW上の半導体チップの電極パッドの位置を検出する。1チップのすべての電極パッドの位置を検出する必要はなく、いくつかの電極パッドの位置を検出すればよい。また、ウエハW上のすべてのチップの電極パッドを検出する必要はなく、いくつかのチップの電極パッドの位置が検出される。
When performing the inspection, the tip position of the
プローブ25の位置及びウエハWの電極の位置を検出した後、チップの電極パッドの配列方向がプローブ25の配列方向に一致するように、θ回転部17によりウエハチャック18を回転する。そして、ウエハWの検査するチップの電極パッドがプローブ25の下に位置するように移動した後、ウエハチャック18を上昇させて、電極パッドをプローブ25に接触させる。そして、テスタ本体31から、コンタクトリング32を介して電極に電源及びテスト信号を供給し、電極に出力される信号を検出して正常に動作するかを確認する。
After detecting the position of the
以上が、ウエハテストシステムの概略構成であるが、ウエハチャックを加熱又は冷却し、保持したウエハWを高温又は低温にして検査できるプローバでは、ウエハチャック18内に、ヒータ26及びチャック冷却液経路27が設けられる。チャック冷却液経路27には冷却液源28から循環経路29を介して冷却液が流され、ウエハWを保持するウエハチャック18の表面を冷却する。ここでは、チャック冷却液経路27、冷却液源28及び循環経路29で構成される部分をチラーシステムと称する。また、ヒータ26は発熱してウエハWを保持するウエハチャック18の表面を加熱する。
The above is the schematic configuration of the wafer test system. In a prober capable of heating or cooling the wafer chuck and inspecting the held wafer W at a high temperature or a low temperature, a
ウエハチャック18内には、他にもウエハWを真空吸着するための真空経路などが設けられ、ウエハチャック18内におけるヒータ26、チャック冷却液経路27及び真空経路の配置については各種の変形例がある。
In addition, a vacuum path or the like for vacuum-sucking the wafer W is provided in the
ウエハを所定の設定温度にして検査を行う場合、ウエハWをウエハチャック18に保持した状態で、ウエハチャック18が所定の設定温度になるようにヒータ26又はチラーシステムを動作させる。ウエハチャック18は、アルミニューム、銅などの金属や、熱伝導性の良好なセラミックなどの材料で作られている。
When the inspection is performed with the wafer set at a predetermined set temperature, the
以上説明したプローバ及びウエハテストシステムの構成は、広く知られているので、ここではこれ以上の説明を省略する。 Since the configuration of the prober and wafer test system described above is widely known, further description is omitted here.
また、特許文献1は、ウエハチャック11の表面を複数の領域に分割し、各領域毎に独立に制御可能な温度調整機構(加熱機構とチラーシステム)及び温度センサを設け、各温度センサの検出した温度に基づいて各領域の温度調整機構を制御することを記載している。
Further,
上記のように、チラーシステムは、チャック冷却液経路27、冷却液源28及び循環経路29で構成されるが、冷却液源28は、冷却液を所定の温度に冷却する部分であり、熱交換機などを有するので、大きく重い部分である。このような冷却液源28をウエハチャック18に近接して配置して、移動・回転機構で移動及び回転することはできない。そこで、図1に示すように、冷却液源28は、離れた位置に配置され、可撓性の循環経路29で接続しているが、冷却液源28をウエハチャック18の移動範囲に配置することはできないので、冷却液源28はかなり離れた位置に配置する必要があり、循環経路29はかなりの長さを有することになる。なお、冷却液源28はプローバ10の筐体内に配置されることも、筐体の外部に配置されることもある。
As described above, the chiller system includes the chuck cooling
検査を行う時の設定温度が室温より高い場合、ヒータ26のみを動作させても設定温度に調整することができ、チャック冷却液経路27に冷却液を循環させると逆に効率が悪くなる。そのため、設定温度が室温より高い場合、冷却液源28から循環経路29への冷却液の供給及び循環経路29から冷却液源28への冷却液の回収は行わない。この場合、冷却液源28自体の動作を停止する場合も、冷却液源28は動作するが、循環経路29との間の冷却液の供給及び回収を行わない場合がある。いずれにしろ、循環経路29内の冷却液は循環しないので、循環経路29及びその内部の冷却液の温度は室温に近い温度又は室温より高い温度になる。
If the set temperature at the time of inspection is higher than room temperature, it can be adjusted to the set temperature even if only the
検査を行う時の設定温度を室温より高い温度から室温より低い温度に切り換える場合、冷却液源28が冷却液を低い設定温度にするように動作を開始すると共に、循環経路29との間の冷却液の供給及び回収を開始する。この場合、上記のように、循環経路29及びその内部の冷却液の温度は室温に近い温度又は室温より高い温度であり、更にチャック冷却液経路27、その内部の冷却液及びウエハチャック18の温度は前の検査の温度である。そのため、低い設定温度に変更する場合には、ウエハチャック18、チャック冷却液経路27と循環経路29及びそれらの内部の冷却液をすべて低い設定温度にする必要があり、それらの部分の設定温度を変更する前の温度と設定温度の差に各部の熱容量を乗じた総熱量を少なくとも奪う必要があり、冷却液源28はこれらの熱量を冷却液から奪う。冷却液源28が単位時間当たりに奪うことができる熱量は、冷却能力として決められており、設定温度を変更して検査が行えるまでの時間は、奪う必要のある熱量を冷却能力で除して得られる時間より少なくとも長くなる。
When the set temperature at the time of inspection is switched from a temperature higher than the room temperature to a temperature lower than the room temperature, the cooling
ウエハテストシステムでは、スループットの向上が要求されており、多数のチップ(デバイス)を同時に検査することなどの各種の改良が行われている。そこで、検査の設定温度を変更する時の変更に要する時間も低減することが要求されている。 The wafer test system is required to improve the throughput, and various improvements such as inspecting a large number of chips (devices) at the same time have been made. Therefore, it is required to reduce the time required for changing the inspection set temperature.
本発明は、上記のような問題を解決するもので、プローバにおいて設定温度を変更する時の変更に要する時間を短縮することを目的とする。 The present invention solves the above-described problems, and an object thereof is to shorten the time required for changing a preset temperature in a prober.
上記目的を実現するため、本発明のプローバは、チャック冷却液経路のバイパス経路を設ける。 In order to achieve the above object, the prober of the present invention provides a bypass path for the chuck coolant path.
すなわち、本発明のプローバは、ウエハ上に形成された複数の半導体装置をテスタで検査をするために、前記テスタの各端子を前記半導体装置の電極に接続するプローバであって、ウエハを保持するウエハチャックと、前記ウエハチャックを冷却して保持したウエハを低温にするチラーシステムと、を備え、前記チラーシステムは、冷却液を供給する冷却液源と、前記ウエハチャックを冷却するように設けられたチャック冷却液経路と、前記チャック冷却液経路のバイパス経路と、前記冷却液源から前記チャック冷却液経路及び前記バイパス経路に冷却液を循環させる循環経路と、を備えることを特徴とする。 That is, the prober of the present invention is a prober for connecting each terminal of the tester to an electrode of the semiconductor device in order to inspect a plurality of semiconductor devices formed on the wafer with a tester, and holds the wafer. A wafer chuck and a chiller system that cools the wafer chuck and holds the wafer, and the chiller system is provided to cool the wafer chuck. A chuck cooling liquid path, a bypass path of the chuck cooling liquid path, and a circulation path for circulating the cooling liquid from the cooling liquid source to the chuck cooling liquid path and the bypass path.
本発明のプローバは、バイパス経路を備えており、ウエハチャックを冷却しない時、すなわちチャック冷却液経路に冷却液を流さない時には、循環経路及びバイパス経路を通して冷却液が循環するようにすれば、ウエハチャック、チャック冷却液経路及びその内部の冷却液は、前の検査の設定温度であるが、それ以外の循環経路29及びその内部の冷却液の温度は冷却しておくことが可能である。従って、検査を行う時の設定温度を室温より高い温度から室温より低い温度に切り換える場合に奪わなくてはならない熱量は、ウエハチャック、チャック冷却液経路及びその内部の冷却液に各部の熱容量を乗じた量であり、従来例に比べて経路長の長い循環経路及びその内部の冷却液に各部の熱容量を乗じた量を奪う必要がなくなるので、設定温度を切り換えるのに要する時間を短縮できる。
The prober of the present invention has a bypass path, and when the wafer chuck is not cooled, that is, when the coolant is not supplied to the chuck coolant path, the wafer can be circulated through the circulation path and the bypass path. The chuck, the chuck coolant path, and the coolant inside thereof are the set temperatures of the previous inspection, but the temperatures of the
バイパス経路への一方の分岐点からチャック冷却液経路経て他方の分岐点までの長さはできるだけ短いことが望ましい。これは、温度を変更する部分の熱容量をできるだけ小さくするためである。 It is desirable that the length from one branch point to the bypass path to the other branch point through the chuck coolant path is as short as possible. This is to reduce the heat capacity of the portion where the temperature is changed as much as possible.
室温より高い温度での検査が終了する時刻があらかじめ判明している時には、その時刻から循環経路、バイパス経路及びその内部の冷却液を低い設定温度にするのに要する時間だけ前の時刻から冷却液源から循環経路及びバイパス経路への冷却液の循環を開始してもよい。更に、冷却液源の動作時間も考慮して、冷却液源の動作開始時刻を設定してもよい。これにより、不必要なチラーシステムの動作が低減されるので、省電力化が図れる。 When the time at which the inspection at a temperature higher than room temperature is completed is known in advance, the cooling liquid from the time before the time required to bring the circulating path, the bypass path and the cooling liquid in the interior to a lower set temperature. Circulation of the cooling liquid from the source to the circulation path and the bypass path may be started. Further, the operation start time of the coolant source may be set in consideration of the operation time of the coolant source. As a result, unnecessary chiller system operations are reduced, and power saving can be achieved.
本発明によれば、プローバにおいて設定温度を室温以上の高い温度からチラーシステムを動作させる必要のある低い温度に変更する時の変更に要する時間を短縮することができ、プローバのスループットを向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to shorten the time required for changing the set temperature in the prober from a high temperature above room temperature to a low temperature that requires the chiller system to operate, and to improve the prober throughput. Can do.
図2は、本発明の実施例のプローバのチラーシステムの概略構成を示す図である。実施例のプローバは、チラーシステム以外は図1に示した従来のプローバと同じ構成を有する。また、冷却液源28などの構成は従来例と同じである。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a chiller system for a prober according to an embodiment of the present invention. The prober of the embodiment has the same configuration as the conventional prober shown in FIG. 1 except for the chiller system. The configuration of the
図2に示すように、実施例においては、循環経路29が、ウエハチャック18の近くの両側の2箇所で分岐しており、分岐した経路がバイパス経路41を形成している。分岐した2つの経路の一方は、チャック冷却液経路27を通過し、両側にバルブ42、43が設けられている。バイパス経路41を含む分岐した他方の経路の両側にも、バルブ44、45が設けられている。
As shown in FIG. 2, in the embodiment, the
検査時の設定温度が室温より高い時には、バルブ42及び43を閉じ、バルブ44及び45を開いて、冷却液源28が循環経路29及びバイパス経路41に冷却液を循環させる。この時、チャック冷却液経路27を冷却液が循環しないので、ウエハチャック18を冷却することはない。
When the set temperature at the time of inspection is higher than room temperature, the
検査時の設定温度が室温より低い時には、バルブ42及び43を開き、バルブ44及び45を閉じて、冷却液源28が循環経路29及びチャック冷却液経路27に冷却液を循環させる。これにより、ウエハチャック18は冷却される。
When the set temperature at the time of inspection is lower than room temperature, the
例えば、低い設定温度での検査が行われる前に、長時間室温より高い設定温度での検査が行われ、その検査が終了する時刻があらかじめ判明している時には、冷却液源28からの循環経路29及びバイパス経路41への冷却液の循環を停止し、高い設定温度での検査が終了する所定時間前に、循環を開始して、循環経路29及びバイパス経路41を低い設定温度にする動作を開始させる。この所定時間は、循環経路29、バイパス経路41及びその内部の冷却液を低い設定温度にするのに要する時間から算出される。
For example, before the inspection at the low set temperature is performed, when the inspection at the set temperature higher than room temperature is performed for a long time and the time at which the inspection is completed is known in advance, the circulation path from the
さらに、上記の場合、冷却液源28も動作を停止させ、冷却液源28が内部の冷却液を含めて低い設定温度になるのに要する時間を上記の所定時間に加えた時間だけ前に冷却液源28を起動するようにしてもよい。このような制御を行うことで、不必要なチラーシステムの動作が低減されるので、省電力化が図れる。
Further, in the above case, the cooling
なお、実施例の説明では、ヒータについては言及しなかったが、高温での検査を行うためにヒータを設けることが望ましいのはいうまでもない。 In the description of the embodiment, the heater was not mentioned, but it is needless to say that it is desirable to provide a heater in order to perform inspection at a high temperature.
本発明は、チラーシステムを有するプローバであれば、どのようなものにも適用可能である。 The present invention can be applied to any prober having a chiller system.
18 ウエハチャック
26 ヒータ
27 チャック冷却液経路
28 冷却液源
29 循環経路
41 バイパス経路
42、43、44、45 バルブ
W ウエハ
18
Claims (1)
ウエハを保持するウエハチャックと、
前記ウエハチャックを冷却して保持したウエハを低温にするチラーシステムと、を備え、
前記チラーシステムは、冷却液を供給する冷却液源と、
前記ウエハチャックを冷却するように設けられたチャック冷却液経路と、
前記チャック冷却液経路のバイパス経路と、
前記冷却液源から前記チャック冷却液経路及び前記バイパス経路に冷却液を循環させる循環経路と、を備えることを特徴とするプローバ。 A prober for connecting each terminal of the tester to an electrode of the semiconductor device in order to inspect a plurality of semiconductor devices formed on the wafer with a tester,
A wafer chuck for holding the wafer;
A chiller system that cools the wafer chuck and holds the wafer held at a low temperature, and
The chiller system includes a coolant source for supplying a coolant,
A chuck coolant path provided to cool the wafer chuck;
A bypass path of the chuck coolant path;
A prober comprising: a circulation path for circulating a coolant from the coolant source to the chuck coolant path and the bypass path.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005327029A JP2007134545A (en) | 2005-11-11 | 2005-11-11 | Prober |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005327029A JP2007134545A (en) | 2005-11-11 | 2005-11-11 | Prober |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134545A true JP2007134545A (en) | 2007-05-31 |
Family
ID=38155952
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005327029A Pending JP2007134545A (en) | 2005-11-11 | 2005-11-11 | Prober |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007134545A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008311483A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober and method of controlling temperature of wafer chuck of prober |
JP2008311492A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober and method of controlling temperature of wafer chuck of prober |
CN113311303A (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-27 | 爱斯佩克株式会社 | Power cycle test device and power cycle test method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01161169A (en) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Hitachi Ltd | Burn-in test device |
JPH0729967A (en) * | 1992-08-14 | 1995-01-31 | Texas Instr Inc <Ti> | Method and apparatus for low temperature semiconductor processing |
JPH09172001A (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | Method and device for controlling temperature in semiconductor manufacturing apparatus |
JP2000074585A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Komatsu Ltd | Temperature controller |
JP2001313328A (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate thermal treatment apparatus |
JP2005257372A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature testing device |
-
2005
- 2005-11-11 JP JP2005327029A patent/JP2007134545A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01161169A (en) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Hitachi Ltd | Burn-in test device |
JPH0729967A (en) * | 1992-08-14 | 1995-01-31 | Texas Instr Inc <Ti> | Method and apparatus for low temperature semiconductor processing |
JPH09172001A (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-30 | Sony Corp | Method and device for controlling temperature in semiconductor manufacturing apparatus |
JP2000074585A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Komatsu Ltd | Temperature controller |
JP2001313328A (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate thermal treatment apparatus |
JP2005257372A (en) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature testing device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008311483A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober and method of controlling temperature of wafer chuck of prober |
JP2008311492A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober and method of controlling temperature of wafer chuck of prober |
CN113311303A (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-27 | 爱斯佩克株式会社 | Power cycle test device and power cycle test method |
JP2021124457A (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-30 | エスペック株式会社 | Power cycle test device and power cycle test method |
JP7223718B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-02-16 | エスペック株式会社 | Power cycle test device and power cycle test method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4744382B2 (en) | Prober and probe contact method | |
JP5555633B2 (en) | Method for inspecting a test substrate under a predetermined temperature condition and an inspection apparatus capable of setting the temperature condition | |
EP2980837A1 (en) | Substrate testing apparatus and substrate temperature adjustment method | |
JP2004140296A (en) | Probe apparatus for temperature control of inspected object, and probe inspection method | |
KR101015600B1 (en) | Stage unit for a probe station and apparatus for testing a wafer including the same | |
JP2008103528A (en) | Inspection method and probe card for semiconductor device | |
JP4999775B2 (en) | Prober | |
US20080246499A1 (en) | System and method for the electrical contacting of semiconductor devices | |
JP5147192B2 (en) | Wafer holding method in prober, prober and high thermal conductive sheet | |
JP2007134545A (en) | Prober | |
JP5121322B2 (en) | Prober and prober wafer chuck temperature control method | |
JP7032644B2 (en) | Prober cooling system | |
JP7398037B2 (en) | cooling system | |
JP2019169548A (en) | Cooling system of prober | |
JP5004686B2 (en) | Prober and prober wafer chuck temperature control method | |
JP2007180412A (en) | Prober | |
JP2008053282A (en) | Prober | |
JP7333498B2 (en) | Prober cooling system | |
JP4936705B2 (en) | Prober | |
JP4911953B2 (en) | Prober and wafer test method | |
JP2012178599A (en) | Prober and temperature control method of the same | |
JP2007129090A (en) | Wafer test system, prober, wafer test method and probe card | |
JP4902986B2 (en) | Prober and prober wafer stage heating or cooling method | |
JP4744383B2 (en) | Prober | |
JP4936707B2 (en) | Prober |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080814 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111206 |