JP2006093485A - Glass ceramic substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体の内部に、ガラスセラミック絶縁層と同時焼成されて形成されるとともに内部にコイル用導体が埋設された、インダクタンス値を上げるためのフェライト層が設けられたガラスセラミック基板に関する。 The present invention provides a ferrite layer for increasing an inductance value, which is formed by firing together with a glass ceramic insulating layer and having a coil conductor embedded therein, in an insulating base made of a glass ceramic sintered body. The obtained glass ceramic substrate.
従来、携帯電話機を始めとする移動体通信機器等の電子機器には、多数の電子装置が組み込まれている。かかる携帯電話機等の通信機器は、近年小型化が急激に進んでおり、これに搭載される各種電子装置も小型化、薄型化が要求されている。例えば、ガラスセラミック基板の内部にコイルを内蔵した構成のLCフィルタが知られている。このLCフィルタの場合、従来チップ部品のコイルを用いていたのをガラスセラミック基板の内部に内蔵することで小型化、薄型化ができるという利点を有する。なかでも、100nHを超えるインダクタンスの大きなコイルは、チップ部品として比較的大型であり、これをガラスセラミック基板に内蔵することは小型化、薄型化への効果が大きいという利点を有する。 2. Description of the Related Art Conventionally, many electronic devices are incorporated in electronic devices such as mobile communication devices such as mobile phones. Such communication devices such as mobile phones have been rapidly reduced in size in recent years, and various electronic devices mounted thereon are required to be reduced in size and thickness. For example, an LC filter having a configuration in which a coil is built in a glass ceramic substrate is known. In the case of this LC filter, it has the advantage that it can be reduced in size and thickness by incorporating the coil of the chip component in the inside of the glass ceramic substrate. Among them, a coil having a large inductance exceeding 100 nH is relatively large as a chip component, and incorporating this in a glass ceramic substrate has an advantage that the effect of miniaturization and thinning is great.
しかしながら、コイルを内蔵したガラスセラミック基板では、非磁性のガラスセラミック基板内にコイルを形成するため、100nH程度と比較的大きなインダクタンスを得ることができるコイルを内蔵させるには、コイルの巻き数を多くすることが必要となるため、ガラスセラミック基板にコイルを内蔵しても小型化、薄型化を達成することができなくなるという不具合があった。 However, in a glass ceramic substrate with a built-in coil, the coil is formed in a non-magnetic glass ceramic substrate. Therefore, in order to incorporate a coil capable of obtaining a relatively large inductance of about 100 nH, the number of turns of the coil must be increased. Therefore, even if the coil is built in the glass ceramic substrate, there is a problem that it becomes impossible to achieve a reduction in size and thickness.
そこで、近年ではガラスセラミック基板内部に強磁性を有するフェライト層を形成し、コイルをこのフェライト層に埋設させることにより、コイルの巻き数を多くすることなく100nHを超えるコイルを内蔵させ、これにより表面実装工程の簡略化およびガラスセラミック基板の小型化が図られている。 Therefore, in recent years, a ferrite layer having ferromagnetism is formed inside the glass ceramic substrate, and the coil is embedded in the ferrite layer, so that a coil exceeding 100 nH can be built in without increasing the number of turns of the coil, and thereby the surface. The mounting process is simplified and the glass ceramic substrate is downsized.
なお、このような方法では、ガラスセラミック絶縁層のガラスをフェライト層に拡散させることによりフェライト層とガラスセラミック絶縁層を強固に接合するために、フェライト層とガラスセラミック絶縁層を同時焼成することによってガラスセラミック基板の内部にフェライト層を形成している。
しかしながら、上記のようなガラスセラミック基板内部にフェライト層を形成し、このフェライト層にコイルを埋設した従来のガラスセラミック基板では、フェライト層とガラスセラミック絶縁層との同時焼成において、フェライト層のガラスがガラスセラミック基板のガラスと結合することによって、フェライト層がガラスセラミック絶縁層に拘束され収縮することを阻害され、フェライト層の焼結が不十分となって粗密になり、この結果、ガラスセラミック基板の端部側面に露出したフェライト層から大気中の水分などが侵入し、ガラスセラミック基板に吸水が発生するという問題点があった。このように、ガラスセラミック基板に吸水が発生すると、ガラスセラミック基板の内層に形成されたコイル用導体が短絡する等の電気特性不良を誘発してしまい、ガラスセラミック基板の電気的信頼性を低下させることとなる。 However, in a conventional glass ceramic substrate in which a ferrite layer is formed inside the glass ceramic substrate as described above, and a coil is embedded in the ferrite layer, the ferrite layer glass is formed in the simultaneous firing of the ferrite layer and the glass ceramic insulating layer. By bonding with the glass of the glass ceramic substrate, the ferrite layer is restrained from contracting due to the glass ceramic insulating layer, and the ferrite layer is not sufficiently sintered and becomes dense. There has been a problem that moisture in the atmosphere enters from the ferrite layer exposed on the side surface of the end portion, and water absorption occurs in the glass ceramic substrate. As described above, when water absorption occurs in the glass ceramic substrate, an electrical characteristic failure such as a short circuit of the coil conductor formed in the inner layer of the glass ceramic substrate is induced, thereby reducing the electrical reliability of the glass ceramic substrate. It will be.
また、フェライト層に埋設されたコイル用導体に電流を流すと、コイル用導体間から発生する磁束の漏れにより、フェライト層に磁気飽和が起きやすくなり、コイルを内蔵したガラスセラミック基板の重畳特性などの電気特性が劣化するという問題点があった。 In addition, if current is passed through the coil conductor embedded in the ferrite layer, magnetic saturation is likely to occur in the ferrite layer due to leakage of magnetic flux generated between the coil conductors, and the superposition characteristics of the glass-ceramic substrate with a built-in coil, etc. There was a problem that the electrical characteristics of the battery deteriorated.
一方、上記のような内部にフェライト層を形成し、このフェライト層にコイルを埋設した従来のガラスセラミック基板では、以下の理由から、内部のフェライト層は微小体積または低密度のものしか形成できず、また同じように作製したガラスセラミック基板間でのコイルのインダクタンスのばらつきもあり、フェライト層を用いて充分なコイル特性を持ったガラスセラミック基板を安定して得ることが困難であるという問題点もある。例えば、焼成温度800〜1000℃で焼結密度5.0g/cm3以上であり、1KHz〜10MHzの周波数帯域で透磁率100以上のフェライト層を内蔵したガラスセラミック基板を得ることはできなかった。 On the other hand, in the conventional glass ceramic substrate in which a ferrite layer is formed as described above and a coil is embedded in this ferrite layer, the inner ferrite layer can be formed only with a minute volume or low density for the following reasons. In addition, there is a variation in coil inductance between glass ceramic substrates produced in the same manner, and it is difficult to stably obtain a glass ceramic substrate having sufficient coil characteristics using a ferrite layer. is there. For example, it was not possible to obtain a glass ceramic substrate having a sintered density of 5.0 g / cm 3 or higher at a firing temperature of 800 to 1000 ° C. and a ferrite layer having a permeability of 100 or higher in a frequency band of 1 KHz to 10 MHz.
これは、従来の構成では、焼成温度が1000℃を超えるフェライト層をガラスセラミック基板の焼成温度である800℃〜1000℃で焼成するためには、ガラス粉末やSiO2、Al2O3等の焼結助剤を添加しなければならなかった。一般的に、フェライト等の磁性体の磁気特性は透磁率(μ)を指標として表される。透磁率が高ければ、コイルのインダクタンスが高くなる。ただし、透磁率は磁性体中に非磁性部分が存在するとその非磁性部分の体積の3乗に比例して低下する。従って、フェライト層に非磁性体であるガラス粉末や焼結助剤を添加した場合、これらはフェライト層中に非磁性の領域を形成することとなり、フェライト層中のフェライトの密度が低下して、透磁率が低くなるという問題がある。 In the conventional configuration, in order to fire a ferrite layer having a firing temperature exceeding 1000 ° C. at 800 ° C. to 1000 ° C. which is the firing temperature of the glass ceramic substrate, glass powder, SiO 2 , Al 2 O 3, etc. A sintering aid had to be added. In general, the magnetic properties of a magnetic material such as ferrite are expressed using magnetic permeability (μ) as an index. The higher the magnetic permeability, the higher the coil inductance. However, the magnetic permeability decreases in proportion to the cube of the volume of the nonmagnetic portion when a nonmagnetic portion exists in the magnetic material. Therefore, when glass powder or a sintering aid, which is a non-magnetic material, is added to the ferrite layer, these will form a non-magnetic region in the ferrite layer, reducing the density of ferrite in the ferrite layer, There is a problem that the magnetic permeability is lowered.
本発明は、以上のような従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ガラスセラミック絶縁層と同時に低温での焼成が可能であり、端面からの吸水がなく、高周波帯域で透磁率の高くかつ磁気飽和が抑制されたフェライト層を備えており、そのフェライト層に内蔵されたコイル用導体のインダクタンスが高くかつ安定しているガラスセラミック基板を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems in the prior art, and its purpose is to be capable of firing at a low temperature simultaneously with the glass ceramic insulating layer, no water absorption from the end face, and high frequency. An object of the present invention is to provide a glass ceramic substrate having a ferrite layer having high permeability in a band and suppressing magnetic saturation, and having a high and stable inductance of a coil conductor incorporated in the ferrite layer.
本発明のガラスセラミック基板は、ガラスおよびフィラーからなるガラスセラミック絶縁層が複数層積層されて成る絶縁基体の内層に、前記ガラスセラミック絶縁層と同じ大きさのフェライト層が形成されており、前記フェライト層の内部にはコイル用導体が埋設されてなるガラスセラミック基板であって、前記ガラスセラミック基板の側面の前記フェライト層端部が露出している部位に、金属を主成分とする保護層が形成されていることを特徴とする。 In the glass ceramic substrate of the present invention, a ferrite layer having the same size as the glass ceramic insulating layer is formed on the inner layer of an insulating substrate formed by laminating a plurality of glass ceramic insulating layers made of glass and filler, and the ferrite A glass ceramic substrate in which a coil conductor is embedded inside the layer, and a protective layer mainly composed of a metal is formed on a portion of the side surface of the glass ceramic substrate where the end of the ferrite layer is exposed It is characterized by being.
本発明のガラスセラミック基板は好ましくは、前記フェライト層の上下面に前記コイル用導体と対向するように内層接地導体層が形成されているとともに、前記保護層が前記内層接地導体層に電気的に接続されていることを特徴とする。 The glass ceramic substrate of the present invention preferably has an inner ground conductor layer formed on the upper and lower surfaces of the ferrite layer so as to face the coil conductor, and the protective layer is electrically connected to the inner ground conductor layer. It is connected.
また、本発明のガラスセラミック基板は好ましくは、前記保護層は、Cu,Ag,Au,Pt,Al,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種の金属とガラスとから成ることを特徴とする。 In the glass ceramic substrate of the present invention, preferably, the protective layer is made of at least one metal selected from Cu, Ag, Au, Pt, Al, Ag—Pd alloy and Ag—Pt alloy and glass. It is characterized by.
また、本発明のガラスセラミック基板は好ましくは、前記フェライト層は、Fe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%含有していることを特徴とする。 In the glass ceramic substrate of the present invention, preferably, the ferrite layer comprises 63 to 73 wt% of Fe 2 O 3 , 5 to 10 wt% of CuO, 5 to 12 wt% of NiO, and 10 to 23 wt% of ZnO. % Content.
本発明のガラスセラミック基板によれば、ガラスセラミック基板のフェライト層が露出している端部側面からの水分の侵入を防ぐことが可能な金属から成る保護層が設けられていることから、ガラスセラミック基板が吸水することを防ぐことができ、その結果、ガラスセラミック基板の内層に形成されたコイル用導体が短絡したりするなどの電気特性不良が発生しない。また、保護層を金属にすることで、フェライト層端部側面を金属で囲むことになり、コイル用導体から発生する基板側面方向の磁束の漏れを抑制することができ、フェライト層の磁器飽和が起きにくくなり、その結果重畳特性などの電気特性を高いものとすることができる。
本発明のガラスセラミック基板によれば、好ましくは、保護層を絶縁基体の内層に形成されたフェライト層の上下面に配置された内層接地導体層に電気的に接続したことから、フェライト層に埋設されたコイル用導体を接地された金属で囲い込むことになり、コイル用導体から発生する磁束の漏れを全方位にわたって抑制することができ、フェライト層により一層磁気飽和が起きにくくなり、その結果、重畳特性などの電気特性を高いものとすることができる。
According to the glass ceramic substrate of the present invention, the glass ceramic substrate is provided with the protective layer made of a metal capable of preventing the intrusion of moisture from the end side surface where the ferrite layer of the glass ceramic substrate is exposed. It is possible to prevent the substrate from absorbing water, and as a result, electrical characteristics such as a short circuit of the coil conductor formed in the inner layer of the glass ceramic substrate do not occur. In addition, by making the protective layer metal, the side surface of the ferrite layer is surrounded by metal, and leakage of magnetic flux in the direction of the substrate side surface generated from the coil conductor can be suppressed. As a result, electrical characteristics such as superimposition characteristics can be improved.
According to the glass ceramic substrate of the present invention, preferably, the protective layer is electrically connected to the inner ground conductor layer disposed on the upper and lower surfaces of the ferrite layer formed on the inner layer of the insulating base, so that it is embedded in the ferrite layer. The coil conductor is surrounded by a grounded metal, magnetic flux leakage generated from the coil conductor can be suppressed in all directions, and the magnetic saturation is less likely to occur due to the ferrite layer. Electrical characteristics such as superposition characteristics can be made high.
また、本発明のガラスセラミック基板によれば、上記構成において好ましくは、保護層をCu,Ag,Au,Pt,Al,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種としたことから、これらの金属は低抵抗であることから効率良く磁束の漏れを抑制することができ、重畳特性などの電気特性をより高いものとすることができる。 According to the glass ceramic substrate of the present invention, preferably, in the above configuration, the protective layer is at least one of Cu, Ag, Au, Pt, Al, Ag—Pd alloy, and Ag—Pt alloy. Since these metals have low resistance, leakage of magnetic flux can be suppressed efficiently, and electrical characteristics such as superposition characteristics can be made higher.
また、本発明のガラスセラミック基板によれば、上記構成において好ましくは、フェライト層は、Fe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%を含有していることから、低温で焼結可能なCuZnフェライトを高周波帯域特性に優れたNiZnフェライトに組み合わせたNiCuZnフェライトを用いてガラスセラミック絶縁層と同じ大きさの、内部にコイルが埋設されたフェライト層を形成することができる。その結果、フェライト層にガラス粉末やSiO2、Al2O3等の焼結助剤を添加しなくても、ガラスセラミック基板と同時焼成が可能で、かつ高周波帯で高い透磁率を得ることができ、高いインダクタンスをもつコイルを内蔵したガラスセラミック基板を得ることができる。 Further, according to the glass ceramic substrate of the present invention, preferably, in the above configuration, the ferrite layer is composed of 63 to 73% by weight of Fe 2 O 3 , 5 to 10% by weight of CuO, 5 to 12% by weight of NiO, and ZnO. 10 to 23% by weight of NiZnZr ferrite in which CuZn ferrite, which can be sintered at low temperature, is combined with NiZn ferrite excellent in high frequency band characteristics, and has the same size as the glass ceramic insulating layer. A ferrite layer in which a coil is embedded can be formed. As a result, it is possible to co-fire with the glass ceramic substrate without adding glass powder or sintering aids such as SiO 2 and Al 2 O 3 to the ferrite layer and to obtain high magnetic permeability in the high frequency band. And a glass ceramic substrate with a built-in coil having high inductance can be obtained.
本発明を添付図面に基づいて以下に詳細に説明する。図1は本発明のガラスセラミック基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、1は複数のガラスセラミック絶縁層6から成る絶縁基体、2はフェライト層、3はコイル用導体、4は絶縁層、5は内層接地導体層、6はガラスセラミック絶縁層、7は保護層である。
The present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a glass ceramic substrate of the present invention, wherein 1 is an insulating base composed of a plurality of glass ceramic
本発明の絶縁基体1は、複数のガラスセラミック絶縁層6が積層されて構成されており、その内層にコイル用導体3が埋設されたフェライト層2が、絶縁層4、内層接地導体層5を介して形成されている。
The
絶縁基体1は、ガラスセラミック絶縁層6となるガラスセラミックグリーンシートおよびフェライト層2となるフェライトグリーンシートを製作し、これらのガラスセラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートにコイル用導体3となる導体ペースト、絶縁層4となる絶縁ペーストおよび内層接地導体層5となる焼結金属ペーストを印刷した後、これらのガラスセラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートを複数枚積層し、大気中または加湿窒素雰囲気中にて、800〜1000℃の温度で焼成して作製される。
The
ガラスセラミック絶縁層6は、まず、ガラス粉末およびフィラー粉末(セラミック粉末)、さらに有機バインダ,可塑剤,有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法,圧延法,カレンダーロール法等によってガラスセラミック絶縁層6となるガラスセラミックグリーンシートを製作し、このガラスセラミックグリーンシート複数枚でフェライト層2を挟んで積層する。
The glass ceramic insulating layer 6 is obtained by first mixing glass powder and filler powder (ceramic powder), and further mixing an organic binder, plasticizer, organic solvent, etc. to obtain a slurry, from which a doctor blade method, a rolling method, a calender roll method, etc. Thus, a glass ceramic green sheet to be the glass ceramic insulating layer 6 is manufactured, and the
ガラス粉末としては、例えばSiO2−B2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3−MO系(但し、MはCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は同じまたは異なってCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は上記と同じである),SiO2−B2O3−M3 2O系(但し、M3はLi,NaまたはKを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M3 2O系(但し、M3は上記と同じである),Pb系ガラス,Bi系ガラス等を用いることができる。
Examples of the glass powder include SiO 2 —B 2 O 3 , SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 , SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —MO (where M is Ca , Sr, Mg, Ba or Zn), SiO 2 —Al 2 O 3 —M 1 O—M 2 O system (wherein M 1 and M 2 are the same or different, Ca, Sr, Mg, Ba or Zn) shown), SiO 2 -B 2 O 3 -Al 2 O 3 -
また、フィラー粉末としては、例えばAl2O3,SiO2,ZrO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物や、TiO2とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物,Al2O3およびSiO2から選ばれる少なくとも1種を含む複合酸化物(例えばスピネル,ムライト,コージェライト)等を用いることができる。 Examples of the filler powder include Al 2 O 3 , SiO 2 , a composite oxide of ZrO 2 and an alkaline earth metal oxide, a composite oxide of TiO 2 and an alkaline earth metal oxide, and Al 2 O. A composite oxide (for example, spinel, mullite, cordierite) containing at least one selected from 3 and SiO 2 can be used.
コイル用導体3は、絶縁基体1の表面、内部およびフェライト層2の内部に形成されており、Cu,Ag,Au,Al,Ag合金等の金属粉末に、適当な有機バインダ,溶剤を混練して作製した導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりガラスセラミックグリーンシート表面およびフェライトグリーンシート表面に塗布し、ガラスセラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートと同時に焼成されて形成される。
The
介在層としての絶縁層4は、コイル用導体3の上下面を覆うフェライト層2とガラスセラミック絶縁層6との間に形成されており、ガラス粉末およびフェライト層2に含有されるフェライト粉末を、その熱膨張係数がガラスセラミック絶縁層6の熱膨張係数とフェライト層2の熱膨張係数との中間になるように配合し、適当な有機バインダ,溶剤を混練して作製した絶縁ペーストを、従来周知のスクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりガラスセラミックグリーンシート上のフェライト層2が載置される位置に塗布し、ガラスセラミックグリーンシートと同時に焼成されて形成される。
The insulating
なお、絶縁層4のフェライト粉末は、フェライト層2のフェライト粉末と同様であり、焼結体としてFe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%より主成分が構成されるフェライトを用いることができる。
Incidentally, the ferrite powder of the insulating
また、絶縁層4のガラス粉末は、ガラスセラミック絶縁層6のガラスセラミックスと同様のものを用いることができ、例えばSiO2−B2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3−MO系(但し、MはCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は同じまたは異なってCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は上記と同じである),SiO2−B2O3−M3 2O系(但し、M3はLi,NaまたはKを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M3 2O系(但し、M3は上記と同じである),Pb系ガラス,Bi系ガラス等を用いることができる。
The glass powder of the insulating
内層接地導体層5は、介在層を兼ねており、コイル用導体3の上下面を覆うフェライト層2とガラスセラミック絶縁層6との間に形成されており、Cu,Ag,Au,Pt,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種の金属の金属粉末にガラス粉末を配合し、適当な有機バインダ,溶剤を混練して作製した金属ペーストを、従来周知のスクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりガラスセラミックグリーンシート上のフェライト層2が載置される位置に塗布し、ガラスセラミックグリーンシートと同時に焼成されて形成される。
The inner
この内層接地導体層5の面積は、フェライト層2の上下面に形成されたコイル用導体3の面積以上で形成することがより望ましい。これは、コイル用導体3に発生する磁束をより安定させることができ、これにより、重畳特性を十分に改善することができるからである。
The area of the inner
なお、内層接地導体層5のガラス粉末は、ガラスセラミック絶縁層6のガラスセラミックスと同様のものを用いることができ、例えばSiO2−B2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3−MO系(但し、MはCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は同じまたは異なってCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は上記と同じである),SiO2−B2O3−M3 2O系(但し、M3はLi,NaまたはKを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M3 2O系(但し、M3は上記と同じである),Pb系ガラス,Bi系ガラス等を用いることができる。
The glass powder of the inner
また、内層接地導体層5はコイル用導体3と同じ組成であってもよく、コイル用導体3の一部を内層接地導体層5として用いてもよい。
The inner
なお、介在層を絶縁層4と内層接地導体層5とを組み合わせて形成する場合には、図1に示すようにガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に並列に配置する方法と、ガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に直列に配置する方法と、それらを組み合わせる方法があり、それぞれ前記手法で作製した絶縁ペーストと金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法やグラビア印刷法等によりガラスセラミックグリーンシート上のフェライト層2が載置される位置にそれぞれ別々に塗布し、ガラスセラミックグリーンシートと同時に焼成されて形成される。
In the case where the intervening layer is formed by combining the insulating
絶縁層4と内層接地導体層5とを組み合わせた介在層をガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に並列に配置した場合、ガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に絶縁体である絶縁層4と導体である内層接地導体層5を用いてコイル用導体を形成することができる。
When an intervening layer combining the insulating
絶縁層4と内層接地導体層5とを組み合わせた介在層をガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に直列に配置した場合、絶縁層4と内層接地導体層5の応力緩和の効果によりよりいっそう応力緩和の効果が高くなる。
When an intervening layer combining the insulating
また、絶縁層4と内層接地導体層5とを組み合わせた介在層をガラスセラミック絶縁層6とフェライト層2の間に直列および並列に配置した場合、介在層を直列および並列に配置した場合のそれぞれの効果を合わせ得ることができる。
Further, when an intervening layer in which the insulating
フェライト層2は、コイル用導体3の上下面を覆うようにして、絶縁基体1の内層にコイル用導体3とともに形成されている。このフェライト層2は、その主成分の組成が、焼結体としてFe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%より構成されることから、低温で焼成可能であり、かつ高周波帯域で十分に高い透磁率を得ることができる。
The
Fe2O3は、フェライトの基幹成分であり、そのフェライトの主成分をX−Fe2O4(XはCu,Ni,Zn等)として示される逆スピネル構造の固溶体とすれば、フェライト層2のうちFe2O3が63〜73重量%を構成していなくてはならない。63重量%未満の場合、十分な透磁率が得られない。他方、73重量%より多い場合、焼結密度の低下により機械的強度が低下する。
Fe 2 O 3 is a basic component of ferrite. If the main component of the ferrite is a solid solution having an inverted spinel structure represented as X—Fe 2 O 4 (X is Cu, Ni, Zn, etc.), the
CuOはフェライト層2の主成分のうち5〜10重量%を構成していなくてはならない。これは、CuOは焼結温度の低温化に大きく寄与しており、CuOが低温で液層を形成することにより焼結を促進させる効果を用いて、磁気特性を損なわずにガラスセラミックスの焼成温度である800〜1000℃で焼成するためである。5重量%未満であると、本発明の目的とする低温度域で焼成を行う場合に焼結密度が不十分になり機械強度が不足する。また、10重量%より多い場合、磁気特性の低いCuFe2O4の割合が多くなるため磁気特性を損なうこととなる。
CuO must constitute 5 to 10% by weight of the main component of the
NiOはフェライトの高周波域における透磁率を確保するために含有させる。NiFe2O4は高周波域まで共振による透磁率の減衰を起さず、高周波域での透磁率を比較的高い値に維持することができるが、初期透磁率は低い特徴をもつため、5重量%未満であると、10MHzないしそれ以上の高周波域での透磁率が低下する。また、12重量%より多い場合、NiFe2O4の割合が多くなるため初期透磁率が低下するため、フェライトの主成分中の含有量は5〜12重量%に限定される。 NiO is contained in order to ensure the magnetic permeability of the ferrite in the high frequency range. NiFe 2 O 4 does not cause the attenuation of the magnetic permeability due to resonance up to the high frequency range, and can maintain the magnetic permeability in the high frequency range at a relatively high value. If it is less than%, the magnetic permeability in a high frequency region of 10 MHz or more is lowered. On the other hand, when the content is more than 12% by weight, the ratio of NiFe 2 O 4 increases and the initial magnetic permeability decreases, so the content in the main component of ferrite is limited to 5 to 12% by weight.
ZnOはフェライトの透磁率向上のために重要な要素であり、フェライト主成分のうち10重量%未満であると、磁気特性不十分の問題を生じ、逆に23重量%より多くても磁気特性が悪くなる。 ZnO is an important element for improving the magnetic permeability of ferrite. If the ferrite main component is less than 10% by weight, a problem of insufficient magnetic properties occurs. Deteriorate.
フェライト層2の形成は、まずフェライト粉末に適当な有機バインダ,可塑剤,有機溶剤等を混合してスラリーを得て、これからドクターブレード法、圧延法、カレンダーロール法等によってフェライトグリーンシートを製作する。次に、このフェライトグリーンシートを所定のコイル用導体3を覆うものとしてガラスセラミックグリーンシートと平面視で同じ大きさの同形状にカットし、ガラスセラミックグリーンシート積層体の内部に、間にコイル用導体3となる導体パターンを配置して、そのコイル用導体3の上面および下面を覆うようにして積層する。
The
このとき、効果的にコイル用導体のインダクタンスを高くするためには、コイル用導体3の上下面をフェライト層2で完全に覆う必要がある。よって、そのようなコイル用導体3およびフェライト層2を形成するためには、所定のガラスセラミックグリーンシートの表面に、下面のフェライト層2となるフェライトグリーンシート、コイル用導体3となる導体ペーストのパターン、上面のフェライト層2となるフェライトグリーンシートの順番に各層を配置して積層するとよい。
At this time, in order to effectively increase the inductance of the coil conductor, it is necessary to completely cover the upper and lower surfaces of the
フェライト層2となるフェライトグリーンシートを形成するのに用いるフェライト粉末は、仮焼済みのフェライト粉末であり、平均粒径が0.1μm〜0.9μmの範囲で均一であり、球形状に近い粒が望ましい。これは、平均粒径が0.1μmより小さいと、フェライトグリーンシートの製作においてフェライト粉末の均一な分散が困難であり、平均粒径が0.9μmより大きいとフェライトの焼結温度が高くなるからである。また、粒径が均一で球状に近いことにより均一な焼結状態を得ることができるからであり、例えばフェライト粉末で部分的に小さい粒径が存在した場合は、その部分のみ結晶粒の成長が低下し、焼結後に得られるフェライト層2の透磁率が安定しにくい傾向がある。
The ferrite powder used to form the ferrite green sheet used as the
保護層7は、フェライト層2の端面を完全に覆うように形成されており、例えば、金属、ガラス粉末、有機バインダ、可塑剤、有機溶剤などを混合してペーストを得て、そのペーストにガラスセラミック絶縁層6から成る絶縁基体1とフェライト層2から成るガラスセラミック基板をそのペーストの中に浸漬、あるいは端面に印刷や吹き付け、あるいは蒸着などによって塗布した後、ガラスセラミックグリーンシートと同時に焼成されて形成される。または、焼成後に形成しても良い。
The
焼成後に、保護層7を形成する場合は、母基板となる1枚のガラスセラミックグリーンシートに分割溝を設け、複数枚積層し焼結してセラミックスとした後、分割溝で分割することにより個々の製品とするといった所謂多数個取りの製造があり、ガラスセラミックグリーンシートおよびフェライトグリーンシートを複数枚積層し、大気中または加湿窒素雰囲気中にて、800〜1000℃の温度で焼成して母基板を得て、分割した個々の製品の端面に、上記と同様な方法を用いて保護層7となるペーストを塗布した後、再度焼成することによって保護層7を形成することができる。
When the
また、焼成後に保護層7を形成する場合、上記のようにガラスセラミックグリーンシートを積層し焼成し分割した後、個々の製品側面にCu,Ag,Au,Pt,Al,Ag−Pd合金などの金属板を、Agロウなどのロウ材を介して接合することにより保護層7を形成すると、金属板が基板側面を覆うことによって製品に落下や衝撃などの外力が加わった際の割れや欠けなどが改善できる。
When the
また、保護層7は、耐食性などの耐環境性を高める観点からNiおよびAuめっきを被着形成させることが望ましい。
保護層7は、Cu,Ag,Au,Pt,Al,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種の金属の金属粉末にガラス粉末を配合するが、ガラス粉末としては、例えば、SiO2−B2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3−MO系(但し、MはCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は同じまたは異なってCa,Sr,Mg,BaまたはZnを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M1O−M2O系(但し、M1およびM2は上記と同じである),SiO2−B2O3−M3 2O系(但し、M3はLi,NaまたはKを示す),SiO2−B2O3−Al2O3−M3 2O系(但し、M3は上記と同じである),Pb系ガラス,Bi系ガラス等を用いることができる。
The
The
保護層7は、コイル用導体3や内層接地導体層5と同時に焼成するという観点からは、コイル用導体3や内層接地導体層5と同じ組成を用いてもよい。
The
一方、多数個取りによって製造する場合、再焼成温度を低くしてガラスセラミック絶縁層6やフェライト層2の過焼結による特性変化や、コイル用導体3などの拡散を抑制するという観点からは、軟化点が焼成温度以下のガラスを用いることが望ましく、特に、軟化点が600℃以下のガラスを用いることが好ましい。このような軟化点が焼成温度以下のガラス粉末として、PbO−SiO2−B2O3系、Bi2O3−SiO2−B2O3系、ZnO−SiO2−B2O3系、SiO2−B2O3系ガラスなどを用いることができる。
On the other hand, in the case of producing by multi-cavity, from the viewpoint of reducing the refiring temperature and suppressing the characteristic change due to oversintering of the glass ceramic insulating layer 6 and the
また、上記の保護層7に用いられるガラス粉末として、特に、SiO2−B2O3系,SiO2−B2O3−Al2O3系,SiO2−Al2O3、PbO−SiO2−B2O3系、Bi2O3−SiO2−B2O3系およびZnO−SiO2−B2O3系ガラスを用いた場合、保護層7を絶縁基体1と同時に形成する場合でも、絶縁基体1を焼成した後に再焼成によって形成する場合においても、ガラスセラミック絶縁層6と強固に接合することができ、また、温度差によって基板が割れたり、保護層が剥がれたりすることがなく、ガラスセラミック基板のフェライト層が露出している端部側面を密着よく被覆することができる。
Further, as the glass powder used in the
本発明のガラスセラミック基板の製造方法においては、まず、フェライト層2およびコイル用導体3を上述の要領でガラスセラミックグリーンシートの複数枚とともに積層してガラスセラミックグリーンシート積層体を作製する。そして、このガラスセラミックグリーンシート積層体から有機成分を除去した後に焼成する。有機成分の除去は、ガラスセラミックグリーンシート積層体に荷重をかけつつ100〜800℃の温度範囲でガラスセラミックグリーンシート積層体を加熱することによって行ない、有機成分を分解し揮散させるとよい。また、焼成温度はガラスセラミック組成により異なるが、通常は約800〜1000℃の範囲内である。焼成は通常は大気中で行なうが、コイル用導体3の導体材料にCuを使用する場合、100〜700℃の加湿窒素雰囲気中で有機成分の除去を行ない、次に窒素雰囲気中で焼成を行なう。
In the method for producing a glass ceramic substrate of the present invention, first, a
また、有機成分の除去時および焼成時には、ガラスセラミックグリーンシート積層体の反りを防止するために、その上面に重しを載せる等して荷重をかけるとよい。このような重しによる荷重は50Pa〜1MPa程度が適当である。荷重が50Pa未満である場合は、ガラスセラミックグリーンシート積層体の反りを抑制する作用が充分でなくなる傾向がある。また、荷重が1MPaを超える場合は、使用する重しが大きくなるため、焼成炉に入らなくなったり、また焼成炉に入っても重しが大きいために熱容量が不足することになり焼成できなくなったりする等の問題をひき起こすおそれがある。 Further, at the time of removing the organic component and at the time of firing, in order to prevent the glass ceramic green sheet laminate from warping, it is preferable to apply a load by placing a weight on the upper surface thereof. The load due to such weight is suitably about 50 Pa to 1 MPa. When the load is less than 50 Pa, the effect of suppressing the warp of the glass ceramic green sheet laminate tends to be insufficient. In addition, when the load exceeds 1 MPa, the weight to be used becomes large, so that it cannot enter the firing furnace, or even if it enters the firing furnace, the weight is so large that the heat capacity is insufficient and firing cannot be performed. There is a risk of causing problems.
この重しとしては、ガラスセラミック基板の焼成中に変形、溶融等して荷重が不均一になったり、分解した有機成分の揮散を妨げたりすることがないような耐熱性の多孔質のものが適している。具体的には、セラミックス等の耐火物、あるいは高融点の金属等が挙げられる。また、ガラスセラミックグリーンシート積層体の上面に多孔質の重しを置き、その上に非多孔質の重しを置いてもよい。 As this weight, there is a heat-resistant porous material that does not deform or melt during firing of the glass ceramic substrate to make the load non-uniform or to prevent volatilization of decomposed organic components. Is suitable. Specifically, a refractory material such as ceramics or a high melting point metal can be used. Further, a porous weight may be placed on the upper surface of the glass ceramic green sheet laminate, and a non-porous weight may be placed thereon.
本実施例1では、図1に示すような保護層を設けた、5mm×5mmの形状の評価用の試験片を作製し、吸水率を測定した。保護層7は内層接地導体層5に電気的に接続されている。吸水率の測定は、初めに試験片の重量を測定し、その後試験片を水中に浸漬し、真空中に1時間放置し、その後試験片の重量を測定し、水中浸漬前後の重量差を求めた。その重量差を試験片の初期重量で割って百分率を求めて、吸水率が0.1%以上の場合は×、0.1%未満の場合は○で示した。
In Example 1, a test piece for evaluation having a shape of 5 mm × 5 mm provided with a protective layer as shown in FIG. 1 was prepared, and the water absorption rate was measured. The
透磁率の測定は、図2に示すような、外径16mm、内径8mmのリング形状の評価用の試験片を作製し測定した。透磁率の測定は、インピーダンスアナライザー(「HP−4291A」、ヒューレットパッカード社製)を用い、高周波電流電圧法にて測定した。ここで、○は実用上は問題ないが1.0MHz,10.0MHzにおける透磁率100未満のもの、◎は1.0MHz,10.0MHzにおける透磁率100以上のものであり、透磁率の特性としてはさらに良い。 The permeability was measured by preparing a test piece for evaluation of a ring shape having an outer diameter of 16 mm and an inner diameter of 8 mm as shown in FIG. The permeability was measured using an impedance analyzer (“HP-4291A”, manufactured by Hewlett Packard) by the high frequency current voltage method. Here, ◯ indicates that there is no practical problem, but the permeability is less than 100 at 1.0 MHz and 10.0 MHz, and ◎ indicates that the permeability is 100 or more at 1.0 MHz and 10.0 MHz. Is even better.
本実施例2では、実施例1のものにおいて、Fe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%含有しているフェライト層2を設けた試験片を作製し、実施例1と同様の評価を行なった。
In the second embodiment, in that of Example 1, the Fe 2 O 3 63~73 wt%, a
本実施例3では、実施例2のものにおいて、フェライト層2とガラスセラミック絶縁層6との層間に絶縁層4を介在させた、外径16mm,内径8mmのリング状の評価用の試験片を作製し、透磁率を測定した。
In this Example 3, a test piece for evaluation in the form of a ring having an outer diameter of 16 mm and an inner diameter of 8 mm, in which the insulating
絶縁層4を形成する絶縁ペーストは、ガラスセラミックスに含有されるガラス粉末と同じSiO2−Al2O3−MgO−B2O3−ZnO系ガラス粉末30質量%,フェライトグリーンシートグリーンシートに含有されるフェライト仮焼粉末と同じ平均粒径0.5〜0.7μmのZnFe2O4,CuFe2O4,FeFe2O4,NiFe2O4の結晶相から構成されるフェライト粉末70質量%を用い、所定量のエチルセルロース系樹脂とテルピネオールを加え、3本ロールにより適度な粘度になるように混合し作製した。
The insulating paste for forming the insulating
まず、ガラスセラミックグリーンシートの所定枚数を重ね合わせ、その上に絶縁ペースト層を全面に塗布し乾燥を行なった。その後、乾燥した絶縁ペースト層上にフェライトグリーンシートを重ね合わせ、さらに、その上に絶縁ペースト層を全面に塗布し乾燥を行なった。その後、乾燥した絶縁ペースト層上にガラスセラミックグリーンシートの所定枚数を重ね合わせ、温度55℃,圧力20MPaで圧着してガラスセラミック積層体を得た。 First, a predetermined number of glass ceramic green sheets were overlapped, and an insulating paste layer was applied over the entire surface and dried. Thereafter, a ferrite green sheet was superposed on the dried insulating paste layer, and further, the insulating paste layer was applied on the entire surface and dried. Thereafter, a predetermined number of glass ceramic green sheets were superposed on the dried insulating paste layer and pressure-bonded at a temperature of 55 ° C. and a pressure of 20 MPa to obtain a glass ceramic laminate.
得られたガラスセラミック積層体をアルミナセラミックスのセッターに載置し、その上にアルミナセラミックスのセッターと同一成分から成る重しを載せて約0.5MPaの荷重をかけつつ大気中にて500℃で2時間加熱して有機成分を除去した後、大気中にて900℃で2時間焼成した。 The obtained glass ceramic laminate was placed on an alumina ceramic setter, and a weight composed of the same components as the alumina ceramic setter was placed on the glass ceramic laminate, and a load of about 0.5 MPa was applied at 500 ° C. in the atmosphere. After removing the organic components by heating for 2 hours, it was fired at 900 ° C. for 2 hours in the air.
このようにして得られた本実施例3のガラスセラミック基板について、透磁率を測定した結果を表2に示す。 Table 2 shows the results of measuring the magnetic permeability of the glass ceramic substrate of Example 3 thus obtained.
実施例3の絶縁層4に代えてAg粉末(平均粒径1.0μm)80質量%,SiO2−Al2O3−MgO−B2O3−ZnO系ガラス粉末20質量%を用いて内層接地導体層5を形成した以外は実施例3と同様にして、実施例4の評価用の試験片を作製した。得られたガラスセラミック基板について、透磁率を測定した結果を表2に示す。
Instead of the insulating
実施例3の絶縁層4に加えて、Ag粉末(平均粒径1.0μm)80質量%,SiO2−Al2O3−MgO−B2O3−ZnO系ガラス粉末20質量%を用いて内層接地導体層5を形成した以外は実施例3と同様にして、実施例5の評価用の試験片を作製した。得られたガラスセラミック基板について、透磁率を測定した結果を表2に示す。
In addition to the insulating
本実施例5では、実施例2のフェライト層2を有するものであって、保護層7として、Ag粉末(平均粒径1.0μm)80質量%、SiO2−Al2O3−MgO−B2O3−ZnO系ガラス粉末20質量%を含むものを使用した。
In Example 5, the
実施例6では、本発明のガラスセラミック基板における内蔵コイルの重畳特性の例を、図3に線図(グラフ)で示す。評価用の試験片は、フェライト層2の上下面にコイル用導体3と対向するように内層接地導体層5が形成されているとともに、保護層7が内層接地導体層5に電気的に接続されており、また、保護層7は、Cu,Ag,Au,Pt,Al,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種の金属とガラスとから成るものとして、図1の構成で作製した。
In Example 6, an example of the superposition characteristics of the built-in coil in the glass ceramic substrate of the present invention is shown in a diagram (graph) in FIG. In the test piece for evaluation, the inner layer
絶縁基体1は、1層が50μm厚みの誘電体から成るガラスセラミック絶縁層が2層積層されて成る。絶縁基体1の内部には、ガラスセラミック絶縁層と同時焼成されて形成されるとともに、内部にAgから成る厚み30μmのコイル用導体3が埋設された、ガラスセラミック絶縁層と同じ大きさの透磁率500(H/m)のフェライト層2が図1のような構成で内蔵されている。
The insulating
また、フェライト層2の上下面には、コイル用導体3に対向するようにそれぞれ形成されたAgから成る厚み10μm内層接地導体層5が設けられている。そして、保護層7はAgからなり、内層接地導体層5に電気的に接続されている。
Further, on the upper and lower surfaces of the
図3の線図(グラフ)において、横軸は電流(単位mA)を、縦軸はインダクタンス(単位μH)を表し、実線の直線は一般に携帯電話機の電源用回路で使用されるインダクタンス規格値2μHを、破線の特性曲線は図4に示す構成の保護層7のないガラスセラミック基板における内蔵コイルの重畳特性を、実線の特性曲線は本発明のガラスセラミック基板における内蔵コイルの重畳特性を示している。
In the diagram (graph) of FIG. 3, the horizontal axis represents current (unit: mA), the vertical axis represents inductance (unit: μH), and the solid line represents an inductance standard value of 2 μH that is generally used in a power supply circuit of a mobile phone. 4, the characteristic curve indicated by a broken line represents the superposition characteristic of the built-in coil in the glass ceramic substrate without the
図3より、一般に携帯電話機の電源用回路で使用される最大電流である300mAでのインダクタンス値が、規格値である2μH以上を十分に満たすことが可能であり、本発明のガラスセラミック基板によれば、保護層7を絶縁基体1の内層に形成されたフェライト層2の上下面に配置された内層接地導体層5に電気的に接続したことから、フェライト層2に埋設されたコイル用導体3を金属で囲い込むことになり、コイル用導体3から発生する磁束の漏れを全方位にわたって抑制することができた。その結果、フェライト層2に磁気飽和が起きにくくなり、重畳特性などの電気特性を高いものとすることができた。
FIG. 3 shows that the inductance value at 300 mA, which is the maximum current generally used in the power supply circuit of a mobile phone, can sufficiently satisfy the standard value of 2 μH or more. According to the glass ceramic substrate of the present invention, For example, since the
本比較例1では、実施例1において保護層7を設けない構成とした。
表1より、保護層7を設けない比較例1の場合、吸水率が0.1%以上であったが、保護層7を設けた実施例1〜実施例5においては、吸水率は0.1%未満であった。
From Table 1, in the case of Comparative Example 1 in which the
また、フェライト層2として、Fe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%含有しているものを設けると、透磁率は100以上となり、さらに透磁率が高くなった。
表2より、フェライト層2とガラスセラミック絶縁層6との層間に絶縁層4およびまたは焼結金属層5を介在させた実施例3〜5のものの透磁率は、実施例2の透磁率に比べ高かった。これは、絶縁層4および内層接地導体層5の少なくとも一方が、フェライト層2とガラスセラミック絶縁層6との間に働く応力を緩和することにより、フェライト層2に働く磁歪を低減したためである。
From Table 2, the magnetic permeability of Examples 3 to 5 in which the insulating
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の例ではコイル用導体3にAgを用いたが、コイル用導体3にCu,Au,Ag−Pd合金等を用いてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the example of the above-described embodiment, Ag is used for the
1:絶縁基体
2:フェライト層
3:コイル用導体
4:絶縁層
5:内層接地導体層
6:ガラスセラミック絶縁層
7:保護層
1: Insulating substrate 2: Ferrite layer 3: Coil conductor 4: Insulating layer 5: Inner layer ground conductor layer 6: Glass ceramic insulating layer 7: Protective layer
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JP2008160043A (en) * | 2006-11-28 | 2008-07-10 | Kyocera Corp | Substrate with a built-in coil |
JP2010183052A (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Tatung Co | Circuit board structure |
JP2010251691A (en) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | Wiring board |
CN104505222A (en) * | 2014-05-26 | 2015-04-08 | 苏州上电科电气设备有限公司 | High thermal conductivity electric reactor |
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