JP2006071567A - プローブの接触状態判別方法、回路基板検査方法および回路基板検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プローブと導電パターンとの接触状態を正確かつ確実に判別する。
【解決手段】検査対象の回路基板１０に形成された相互に絶縁されている導体パターン１１，１２に接触させているプローブ３，４のうちのプローブ４と基準電極２ｂとを同電位に維持しつつプローブ３と基準電極２ｂとの間に検査用の交流信号を出力してプローブ３と基準電極２ｂとの間についての電気的パラメータを測定し、この測定した測定値に基づいてプローブ３と導体パターン１１との間の接触状態を判別する。
【選択図】図２

Description

本発明は、測定対象の回路基板における導体パターンとプローブとの接触状態を判別するプローブの接触状態判別方法、並びにこのプローブの接触状態判別方法に従って導体パターンとプローブとの接触状態を判別すると共に回路基板を検査する回路基板検査方法および回路基板検査装置に関するものである。

この種の回路基板検査装置として、出願人は、導体パターンおよび基準電極間の静電容量を測定して導体パターンと検査用プローブとの接触状態を判別する回路基板検査装置を特開２００１−２４２２１１号公報に開示している。この場合、この回路基板検査装置は、絶縁フィルムが貼付された基準電極を有する電極部、一対の検査用プローブ、一対の移動機構、測定部および制御部を備えて構成されている。一方、検査対象の回路基板は、複数の導体パターンが形成されて構成されている。この回路基板検査装置による回路基板の検査時には、一例として、導体パターンの形成面を上向きにして回路基板を電極部の上に載置する。次に、制御部が、移動機構を制御して、相互に絶縁されている一対の導体パターンに一対の検査プローブをそれぞれ接触させる。この状態において、測定部は、一方の検査用プローブおよび基準電極間に検査信号としての交流電圧を出力して、一方の検査用プローブおよび基準電極間の静電容量を測定する。次いで、測定部は、他方の検査用プローブおよび基準電極間に検査信号としての交流電圧を出力して、他方の検査用プローブおよび基準電極間の静電容量を測定する。

続いて、制御部は、測定した両静電容量と接触状態判別用データとを順次比較することにより、一対の検査プローブと導体パターンとの接触状態を判別する。この際に、例えば、一方の検査用プローブと導体パターンとが接触していないときには、測定された静電容量が接触状態判別用データの下限値を下回るため、制御部は、一方の検査用プローブと導体パターンとが接触していないと判別する。また、一方の検査用プローブと導体パターンとが接触しているときには、測定された静電容量が接触状態判別用データの上限値を上回るため、制御部は、一方の検査用プローブと導体パターンとが接触していると判別する。次いで、制御部は、双方の検査用プローブが導体パターンに接触していると判別したときには、測定部に対して両検査用プローブを介して検査信号を出力させて両導体パターン間の抵抗値を測定させる。続いて、制御部は、測定された抵抗値に基づいて両導体パターン間の絶縁状態を検査する。
特開２００１−２４２２１１号公報（第３−４頁）

ところが、出願人が開示している回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題がある。具体的には、図３に示すように、出願人が開示している回路基板検査装置を初めとする回路基板検査装置１０１によって検査される一例としての回路基板１０には、互いに絶縁された導体パターン１１，１２を初めとして数多くの導体パターンが形成されている。ここで、導体パターン１２は、例えば電源パターンやグランドパターンなどの広い面積を有するパターンであって、回路基板１０の一面に形成された導体パターン１１に対向するようにして回路基板１０の他面に形成されると共に、回路基板１０の一面側にも形成されてスルーホールを介して接続されている。この場合、導体パターン１２は、導体パターン１１と重なり合う位置において、絶縁フィルム２ａが貼り付けられた基準電極２ｂに近接して広い面積で対向している。このため、導体パターン１２および基準電極２ｂ間の静電容量は、導体パターン１１および基準電極２ｂ間の静電容量と比較して著しく大きくなっている。

また、各プローブ３，４を流れる測定用の交流電流を測定するために切り換え制御される切換回路１１０内の切換スイッチ１１２を開状態に維持したとしても、プローブ４に接続されたシールド線の芯線とシールドとの間に静電容量Ｃが存在する。したがって、プローブ３と導体パターン１１との接触状態を判別する際に、交流信号源６１から出力される交流電流のうちの大部分は、基準電極２ｂ、導体パターン１２、プローブ４、シールド線の芯線、およびシールドを経由して、同図に示す交流電流Ｉ１１２としてグランドに流れ込む。このため、基準電極２ｂ、導体パターン１１、プローブ３、シールド線の芯線、閉状態の切換スイッチ１１１、および電流計６３を経由して流れる交流電流Ｉ１１１は極く僅かな電流値となる。したがって、この回路基板検査装置１０１には、交流電流Ｉ１１１の電流値が極く僅かなことに起因して、電流計６３によって測定される電流値や電流位相に多くの測定誤差が含まれるおそれがある。このような状態では、測定される静電容量にも大きな測定誤差が含まれることに起因して、接触状態の判別を誤る可能性があると共に、電流計６３の測定下限値を下回って測定自体が困難となる結果、接触状態の判別が不能となるおそれがある。したがって、この点を改善するのが好ましい。

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、プローブと導電パターンとの接触状態を正確かつ確実に判別し得るプローブの接触状態判別方法、回路基板検査方法および回路基板検査装置を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載のプローブの接触状態判別方法は、検査対象の回路基板に形成された相互に絶縁されている導体パターンに接触させている複数のプローブのうちの１つのプローブを除いた他のプローブと基準電極とを同電位に維持しつつ当該１つのプローブと当該基準電極との間に検査用の交流信号を出力して当該１つのプローブと当該基準電極との間についての電気的パラメータを測定し、当該測定した測定値に基づいて前記１つのプローブと前記導体パターンとの間の接触状態を判別する。

請求項２記載のプローブの接触状態判別方法は、請求項１記載のプローブの接触状態判別方法において、前記１つのプローブと前記基準電極との間の静電容量および当該１つのプローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも一方を前記電気的パラメータとして測定する。

請求項３記載の回路基板検査方法は、請求項１または２記載のプローブの接触状態判別方法において測定した前記測定値と予め規定した基準値とを比較して、前記１つのプローブを接触させた前記導体パターンの良否を検査する。

請求項４記載の回路基板検査装置は、検査対象の回路基板に形成された導体パターンに接触可能な複数のプローブと、前記回路基板の前記導体パターンに前記各プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記プローブおよび基準電極の間についての電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御すると共に前記回路基板を検査する制御部とを備え、前記制御部は、相互に絶縁されている前記導体パターンに接触させている前記複数のプローブのうちの１つのプローブを除いた他のプローブと前記基準電極とを同電位に維持させつつ当該１つのプローブと当該基準電極との間に検査用の交流信号を出力させて当該１つのプローブと当該基準電極との間についての前記電気的パラメータを測定させ、当該測定させた測定値に基づいて当該１つのプローブと当該導体パターンとの間の接触状態を判別する。

請求項５記載の回路基板検査装置は、請求項４記載の回路基板検査装置において、前記測定部は、前記１つのプローブと前記基準電極との間の静電容量および当該１つのプローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも一方を前記電気的パラメータとして測定する。

請求項６記載の回路基板検査装置は、請求項４または５記載の回路基板検査装置において、前記制御部は、前記測定値と予め規定した基準値とを比較して、前記１つのプローブを接触させた前記導体パターンの良否を検査する。

請求項１記載のプローブの接触状態判別方法および請求項４記載の回路基板検査装置では、相互に絶縁されている導体パターンに接触させている複数のプローブのうちの１つのプローブを除いた他のプローブと基準電極とを同電位に維持しつつこの１つのプローブとこの基準電極との間に検査用の交流信号を出力して電気的パラメータを測定し、この測定値に基づいて１つのプローブと導体パターンとの間の接触状態を判別する。したがって、このプローブの接触状態判別方法および回路基板検査装置によれば、例えば、１つのプローブを接触させた導体パターン（以下、１つのプローブを接触させた導体パターンを「検査中の導体パターン」ともいう）と基準電極との間に他のプローブを接触させた他の導体パターンが存在したとしても、従来の回路基板検査装置１０１によるプローブの接触状態の判別方法とは異なり、基準電極から他の導体パターンを経由してグランドなどに検査用の交流信号が流れることがなく、基準電極として機能する他の導体パターンから検査中の導体パターンに検査用の交流信号が出力されるため、電気的パラメータの測定に最低限必要とされる電流値の交流信号が検査中の導体パターンに確実に流れる結果、電気的パラメータを正確に測定することができる。したがって、１つのプローブと検査中の導体パターンとの接触状態を正確かつ確実に判別することができる。さらに、この回路基板検査装置によれば、プローブの接触不良が生じている状態での検査を回避することができ、この結果、検査の信頼性を十分に向上させることができる。

また、請求項２記載のプローブの接触状態判別方法および請求項５記載の回路基板検査装置では、１つのプローブと基準電極との間の静電容量および１つのプローブと基準電極との間を流れる電流の少なくとも一方を電気的パラメータとして測定する。このため、このプローブの接触状態判別方法および回路基板検査装置によれば、電気的パラメータとして静電容量を測定する場合には、二端子法で測定パラメータを測定することができるため、簡易に構成された装置を用いて測定することができる結果、測定のコストを高騰させることなく、プローブと導体パターンとの接触状態を正確に判別することができる。また、電気的パラメータとして電流を測定する場合には、静電容量を測定する場合と比較して、短時間で電流を測定することができるため、短時間で接触状態を判別することができる。

また、請求項３記載の回路基板検査方法および請求項６記載の回路基板検査装置では、上記のプローブの接触状態判別方法において測定した測定値を用いて導体パターンの良否を検査する。このため、この回路基板検査方法および回路基板検査装置によれば、プローブの接触状態についての判別処理と導体パターンの良否の検査処理とで異なる電気的パラメータを測定するのと比較して１種類の電気的パラメータを測定すればよいため、検査処理を短時間で行うことができる。

以下、本発明に係るプローブの接触状態判別方法、回路基板検査方法および回路基板検査装置の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、本発明に係る回路基板検査装置１の構成について、図面を参照して説明する。なお、回路基板検査装置１０１の構成要素と同一の機能を有するものについては、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１に示す回路基板検査装置１は、検査対象の回路基板１０について各種の電気的検査を実行する装置であって、電極部２、プローブ３，４、プローブ移動機構（以下、単に移動機構ともいう）５ａ，５ｂ、測定部６、制御部７、ＲＡＭ８およびＲＯＭ９を備えて構成されている。電極部２は、その表面に絶縁フィルム２ａが貼付されると共に測定部６に接続された平板状の基準電極２ｂを有して回路基板１０を載置可能に構成されている。プローブ３，４は、Ｘ−Ｙ方式の接触型プローブであって、プローブ固定具３ａ，４ａを介して移動機構５ａ，５ｂにそれぞれ取り付けられると共にシールド線を介して測定部６に接続されている。移動機構５ａ，５ｂは、制御部７の制御下でプローブ３，４を上下左右に移動させることにより、回路基板１０の表面における任意の位置にプローブ３，４の先端部を移動可能に構成されている。例えば、移動機構５ａ，５ｂは、回路基板１０の表面に形成された各導体パターン上に予め設定されている検査位置にプローブ３，４の先端部を接触させる。

測定部６は、図２に示すように、交流信号源６１、電圧計６２、電流計６３、演算回路６４および切換回路６５を備えて構成されている。交流信号源６１は、検査用の交流信号を出力する。電圧計６２は、交流信号源６１から出力される交流信号の電圧値および電圧位相を測定して演算回路６４に出力する。電流計６３は、切換回路６５内の切換スイッチ７１が閉状態で切換スイッチ７３が開状態のときには、プローブ３を流れる交流電流の電流値および電流位相を測定し、切換スイッチ７１が開状態で切換スイッチ７３が閉状態のときには、プローブ４を流れる交流電流の電流値および電流位相を測定して、測定した電流値および電流位相を演算回路６４に出力する。演算回路６４は、電圧計６２から入力した交流信号の電圧値および電圧位相、電流計６３から入力した電流値および電流位相に基づいて静電容量（本発明における電気的パラメータに相当する）を演算する。切換回路６５は、制御部７から出力される切換信号Ｓｓに従って開閉制御される切換スイッチ７１〜７５を備えて構成されている。切換スイッチ７１は、閉状態でプローブ３と電流計６３とを接続し、切換スイッチ７２は、閉状態でプローブ３と交流信号源６１とを接続する。切換スイッチ７３は、閉状態でプローブ４と電流計６３とを接続し、切換スイッチ７４は、閉状態でプローブ４と交流信号源６１とを接続する。また、切換スイッチ７５は、閉状態で交流信号源６１と基準電極２ｂとを接続する。

制御部７は、移動機構５ａ，５ｂに対する駆動制御、プローブ３，４と導体パターン１１，１２とがそれぞれ接触しているか否かを判別する接触状態判別処理、および導体パターン１１，１２が正常に形成されているかを検査する検査処理などを実行する。ＲＡＭ８は、良品回路基板から予め吸収して規定した接触状態判別用データおよび検査用データ（本発明における基準値に相当する）、並びに制御部７の演算結果などを一時的に記憶する。ＲＯＭ９は、制御部７の動作プログラムを記憶する。

次に、回路基板検査装置１による回路基板１０に形成された導体パターン１１，１２とプローブ３，４とのそれぞれの接触状態判別方法および各導体パターンに対する検査方法について、図面を参照して説明する。

まず、図２に示すように、導体パターン１１の形成面を例えば上向きにして回路基板１０を電極部２の上に載置する。次いで、制御部７が、移動機構５ａ，５ｂを制御して、プローブ３，４を導体パターン１１，１２に接触させる。続いて、制御部７は、接触状態判別処理を実行する。この接触状態判別処理では、最初に、制御部７が、切換信号Ｓｓを出力して、切換スイッチ７１，７４，７５を閉状態に移行させると共に切換スイッチ７２，７３を開状態に移行させる。この場合、プローブ３が、本発明における１つのプローブに相当して、切換スイッチ７１を介して電流計６３に接続される。また、プローブ４が、本発明における他のプローブに相当して、交流信号源６１に接続される。さらに、基準電極２ｂが、切換スイッチ７５を介して交流信号源６１に接続される。このため、交流信号源６１が、切換スイッチ７４を介して検査用の交流信号をプローブ４に出力すると共に、切換スイッチ７５を介して検査用の交流信号を基準電極２ｂに出力する。したがって、この状態では、プローブ４と基準電極２ｂとが同電位に維持される結果、プローブ４が接触している導体パターン１２と基準電極２ｂとが同電位に維持される。

この場合、図２に示すように、導体パターン１２は、導体パターン１１と基準電極２ｂとの間に位置するため、基準電極２ｂに代わって基準電極として機能する。したがって、この状態では、交流信号源６１から出力された交流信号が、切換スイッチ７４、プローブ４、導体パターン１２、導体パターン１１、プローブ３および切換スイッチ７１を経由して、同図に示す交流電流Ｉ１として電流計６３を流れる。一方、プローブ３が例えば導体パターン１１の非形成部に接触しているとき、つまりプローブ３が導体パターン１１に接触していないときにも、導体パターン１２が基準電極として機能するため、交流信号源６１から出力された交流信号は、導体パターン１１を経由することなく、切換スイッチ７４、プローブ４、導体パターン１２、プローブ３および切換スイッチ７１を経由して電流計６３を流れる。このため、従来の回路基板検査装置とは異なり、たとえ導体パターン１１と基準電極２ｂとの間に導体パターン１２が存在したとしても、静電容量の測定（演算）に用いる交流電流Ｉ１の電流値および電流位相を測定するために最低限必要とされる電流値の交流電流Ｉ１が確実に電流計６３に流れることとなる。

次いで、電流計６３が、測定した交流電流Ｉ１の電流値および電流位相を演算回路６４に出力し、電圧計６２が、交流信号源６１から出力された交流信号の電圧値および電圧位相を演算回路６４に出力する。続いて、演算回路６４が、電圧計６２から入力した電圧値および電圧位相、並びに電流計６３から入力した電流値および電流位相に基づいて、導体パターン１１および基準電極２ｂ（導体パターン１２）間の静電容量Ｃ１を演算して、この演算した静電容量Ｃ１を示す静電容量データＤｃを制御部７に出力する。

次いで、制御部７は、切換信号Ｓｓを出力して、切換スイッチ７１，７４を開状態に移行させると共に切換スイッチ７２，７３を閉状態に移行させる。また、制御部７は、切換スイッチ７５を閉状態に維持させる。この場合、プローブ３が、本発明における他のプローブに相当して、切換スイッチ７２を介して交流信号源６１に接続される。また、プローブ４が、本発明における１つのプローブに相当して、電流計６３に接続される。この際にも、制御部７は、上記した導体パターン１１および基準電極２ｂ（導体パターン１２）間の静電容量Ｃ１の測定と同様にして、測定部６に対して導体パターン１２および基準電極２ｂ（導体パターン１１）間の静電容量Ｃ２を測定させる。なお、プローブ３を基準電極２ｂと同電位に維持することなく、導体パターン１２および基準電極２ｂ間の静電容量を測定することも可能である。しかしながら、すべての導体パターンの位置関係を予め把握して、測定に用いていないプローブを基準電極２ｂと同電位に維持するか否かを測定の度に判別するのは煩雑である。したがって、測定に用いていないプローブを常に基準電極２ｂと同電位に維持することにより、導体パターンおよび基準電極２ｂ間の静電容量を確実かつ容易に測定することができる。

次いで、制御部７は、測定部６によって測定された静電容量Ｃ１，Ｃ２と、ＲＡＭ８から読み出した接触状態判別用データとを順次比較することにより、プローブ３，４と導体パターン１１，１２との接触状態を判別する。この際に、例えば、プローブ３と導体パターン１１とが接触していないときには、プローブ３および基準電極２ｂ間の静電容量が低下する。したがって、制御部７は、例えばプローブ３を介して測定された静電容量Ｃ１が接触状態判別用データの下限値を下回るときには、プローブ３と導体パターン１１とが接触していないと判別する。この場合、制御部７は、移動機構５ａを駆動制御して、プローブ３を僅かに移動させた後に、導体パターン１１にプローブ３を再度接触させて再プロービングを行う。次いで、制御部７は、同様にして、接触状態の判別処理を再度実行する。一方、測定された静電容量Ｃ１が接触状態判別用データの上限値を上回るときには、制御部７は、プローブ３と導体パターン１１とが接触していると判別する。同様にして、制御部７は、プローブ４と導体パターン１２との接触状態を判別し、接触していないと判別したときには、上記したように、プローブ４を移動させた後に、接触状態を再度判別する。以上により、接触状態判別処理が終了する。

一方、プローブ３，４が導体パターン１１，１２にそれぞれ接触していると判別したときには、制御部７は、導体パターン１１，１２の良否についての検査処理を実行する。この検査処理では、最初に、制御部７は、測定した静電容量Ｃ１とＲＡＭ７から読み出した導体パターン１１に予め対応させられている検査用データとを比較することにより、導体パターン１１についての短絡および絶縁の有無を判別する。具体的には、制御部７は、測定された静電容量Ｃ１が検査用データとしての基準容量の下限値（一例として、良品の回路基板１０から予め吸収した静電容量の８０％の値）を下回るときには、導体パターン１１に断線が発生していると判別し、測定された静電容量Ｃ１が基準容量の上限値（一例として、良品の回路基板１０から予め吸収した静電容量の１２０％の値）を上回るときには、導体パターン１１と他の導体パターンとの間に短絡が発生していると判別し、測定された静電容量Ｃ１が下限値から上限値の範囲内のときには、導体パターン１１が正常と判別する。同様にして、制御部７は、測定した静電容量Ｃ２とＲＡＭ７から読み出した導体パターン１２に予め対応させられている検査用データとを比較することにより、導体パターン１２についての短絡および絶縁の有無を判別する。以上により、検査処理が終了する。この場合、接触状態判別処理に用いた静電容量Ｃ１，Ｃ２を検査処理に用いることにより、各処理毎に異なる電気的パラメータを測定するのと比較して１種類の電気的パラメータを測定すればよいため、検査処理を短時間で行うことができる。次いで、以上の接触状態判別処理および検査処理をすべての導体パターンに対して実行して基板検査を終了する。

このように、この回路基板検査装置１では、相互に絶縁されている導体パターン１１，１２に接触させているプローブ３，４のうちのプローブ４（またはプローブ３）と基準電極２ｂとを同電位に維持しつつプローブ３（またはプローブ４）と基準電極２ｂとの間に検査用の交流信号を出力して静電容量Ｃ１（または静電容量Ｃ２）を測定し、この測定値に基づいてプローブ３と導体パターン１１との間の接触状態を判別する。したがって、この回路基板検査装置１によれば、例えば、プローブ３を接触させた導体パターン１１と基準電極２ｂとの間にプローブ４を接触させた他の導体パターン１２が存在したとしても、従来の回路基板検査装置１０１におけるプローブの接触状態の判別方法とは異なり、基準電極２ｂから他の導体パターン１２を経由してグランドなどに検査用の交流信号が流れることがなく、基準電極２ｂとして機能する他の導体パターン１２から検査中の導体パターン１１に検査用の交流信号が出力されるため、静電容量の測定に最低限必要とされる電流値の交流電流が導体パターン１１に確実に流れる結果、静電容量を正確に測定することができる。したがって、プローブ３と導体パターン１１との接触状態を正確かつ確実に判別することができる。さらに、この回路基板検査装置１によれば、プローブ３，４の接触不良が生じている状態での検査を回避することができ、この結果、検査の信頼性を十分に向上させることができる。

なお、本発明は、上記の方法および構成に限定されない。例えば、本発明における電気的パラメータとして静電容量を測定する例について説明したが、プローブ３（またはプローブ４）と基準電極２ｂとの間を流れる電流（交流電流）の値を測定し、その電流値と基準電流値とを比較することによってプローブ３，４と導体パターン１１，１２とのそれぞれの接触状態を判別する構成を採用することができる。ただし、この構成を採用した場合、測定自体を短時間で行うことができるため、短時間で接触状態を判別することができる利点があるものの、プローブ３，４と導体パターン１１，１２との間のそれぞれの接触抵抗の大きさによって電流値が変動することに起因して測定精度が低下するおそれがある。また、接触抵抗の影響をなくすためには、四端子法によって電流値を測定する必要がある。これに対して、電気的パラメータとして静電容量を測定することで、二端子法で測定できるため、回路基板検査装置１を簡易に構成することができる結果、測定のコストを高騰させることなく、プローブと導体パターンとの接触状態を正確に判別することができる。また、２つのプローブ３，４を用いる例について説明したが、３つ以上のプローブを用いて、そのうちの１つを本発明における１つのプローブとして残りのプローブを本発明における他のプローブとすることができる。さらに、本発明におけるプローブとしてＸ−Ｙ方式の接触型プローブを備えた回路基板検査装置１、およびＸ−Ｙ方式の接触型プローブを用いる接触状態判別方法を例に挙げて説明したが、いわゆるジグ型のプローブを初めとして各種プローブを備えた回路基板検査装置や、各種プローブを用いる接触状態判別方法に本発明を適用できるのは勿論である。

また、プローブ３，４と導体パターン１１，１２とのそれぞれの接触状態を判別するために測定した静電容量Ｃ１，Ｃ２を用いて導体パターン１１，１２の良否を判別する検査処理を実行する構成について説明したが、この構成に代えて、接触状態判別処理の終了後に、例えば、切換スイッチ７５を開状態に移行させて、導体パターン１１，１２間の抵抗値や静電容量を本発明における電気的パラメータとして測定して、この測定値に基づいて導体パターン１１，１２についての検査処理を実行する構成を採用することもできる。また、導体パターン１２のグランドパターンが、回路基板１０の裏面（導体パターン１１の形成された面とは反対側の面）に形成されている例について説明したが、回路基板の内層に形成されている回路基板についても同様にして本発明に係る接触状態判別方法を適用することができる。さらに、本発明における基準電極として電極部２の基準電極２ｂを用いた例について上記したが、例えば、検査対象の回路基板内のグランドパターン、電源パターン、および広い面積を有する信号パターンなどを基準電極として用いることもできる。

回路基板検査装置１の構成を示すブロック図である。 プローブ３と回路基板１０の導体パターン１１との間の静電容量を測定するときの回路基板検査装置１における測定系を示すブロック図である。 プローブ３と回路基板１０の導体パターン１１との間の静電容量を測定するときの回路基板検査装置１０１における測定系を示すブロック図である。

符号の説明

１ 回路基板検査装置
２ 電極部
２ｂ 基準電極
３，４ プローブ
５ａ，５ｂ プローブ移動機構
６ 測定部
７ 制御部
１０ 回路基板
１１，１２ 導体パターン
Ｃ１，Ｃ２ 静電容量

Claims (6)

1. 検査対象の回路基板に形成された相互に絶縁されている導体パターンに接触させている複数のプローブのうちの１つのプローブを除いた他のプローブと基準電極とを同電位に維持しつつ当該１つのプローブと当該基準電極との間に検査用の交流信号を出力して当該１つのプローブと当該基準電極との間についての電気的パラメータを測定し、当該測定した測定値に基づいて前記１つのプローブと前記導体パターンとの間の接触状態を判別するプローブの接触状態判別方法。
2. 前記１つのプローブと前記基準電極との間の静電容量および当該１つのプローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも一方を前記電気的パラメータとして測定する請求項１記載のプローブの接触状態判別方法。
3. 請求項１または２記載のプローブの接触状態判別方法において測定した前記測定値と予め規定した基準値とを比較して、前記１つのプローブを接触させた前記導体パターンの良否を検査する回路基板検査方法。
4. 検査対象の回路基板に形成された導体パターンに接触可能な複数のプローブと、前記回路基板の前記導体パターンに前記各プローブを接触させるプローブ移動機構と、前記プローブおよび基準電極の間についての電気的パラメータを測定する測定部と、前記プローブ移動機構および前記測定部を制御すると共に前記回路基板を検査する制御部とを備え、
   前記制御部は、相互に絶縁されている前記導体パターンに接触させている前記複数のプローブのうちの１つのプローブを除いた他のプローブと前記基準電極とを同電位に維持させつつ当該１つのプローブと当該基準電極との間に検査用の交流信号を出力させて当該１つのプローブと当該基準電極との間についての前記電気的パラメータを測定させ、当該測定させた測定値に基づいて当該１つのプローブと当該導体パターンとの間の接触状態を判別する回路基板検査装置。
5. 前記測定部は、前記１つのプローブと前記基準電極との間の静電容量および当該１つのプローブと当該基準電極との間を流れる電流の少なくとも一方を前記電気的パラメータとして測定する請求項４記載の回路基板検査装置。
6. 前記制御部は、前記測定値と予め規定した基準値とを比較して、前記１つのプローブを接触させた前記導体パターンの良否を検査する請求項４または５記載の回路基板検査装置。

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