JP2005300930A - Method for manufacturing optical and electrical consolidated substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光配線と電気配線とを同一基板に混載して設けた光電気混載基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing an opto-electric hybrid board in which optical wiring and electric wiring are provided in a mixed manner on the same substrate.
近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大などに伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気配線に光配線を混載することが種々検討されている。 In recent years, the need for an information processing circuit having a very high-speed information transmission path is increasing with the rapid widening of communication infrastructure and the dramatic increase in information processing capability of computers and the like. Under such a background, transmission by an optical signal is considered as one means for breaking the limit of the transmission speed of an electric signal, and various studies have been made on mounting an optical wiring on an electric wiring.
このような電気配線と光配線を混載した光電気混載基板の製造方法の一つとして、仮基材上にクラッド層とコア層とからなる光配線層や導体層を形成した後、仮基材を剥離するという手法が採られている(特許文献1参照)。 As one method of manufacturing an opto-electric hybrid board in which such electrical wiring and optical wiring are mixed, an optical wiring layer or a conductor layer composed of a clad layer and a core layer is formed on the temporary base, and then the temporary base Has been employed (see Patent Document 1).
このような仮基材を使用した光電気混載基板の製造方法の一つとして、図4に示すものが提案されている。これは、仮基材1の一面に、熱発泡性シート等の熱剥離性シートやUV剥離性シートなどのような剥離性シート13を介して銅箔等の金属箔12を積層し、この銅箔の表面にクラッド層4とコア層5からなる光配線層3を構成する光導波路を形成すると共に必要に応じて光配線層3を導波する光と外部との間の光の授受を行うためのミラー8を設け、次いで剥離性シート13を加熱したりUV照射したりすることで接着力を失わせて仮基材1と金属箔12とを剥離し、この金属箔12をパターン形成することで電気配線を形成するものである。
しかし、上記の従来技術においては、剥離シートとして熱剥離シートを用いている場合には途中工程で加熱処理を行うことができず、また熱剥離シートは一般的に耐溶剤性が低く洗浄や現像等の処理を行うことができないものであった。またUV剥離性シートを用いる場合には途中工程でリソグラフィー等のUV処理を行うことができず、またUV剥離性シートは一般的に耐熱性、耐溶剤性が低く、加熱処理を行う際の上限温度が制限されたり、洗浄や現像等の処理の際の処理時間に制約が課せられたり、またこのような処理を施すと剥離再現性が悪くなるといった問題があった。 However, in the above prior art, when a heat-release sheet is used as the release sheet, heat treatment cannot be performed in the middle of the process, and the heat-release sheet is generally low in solvent resistance and is not washed or developed. Etc. could not be processed. Further, when a UV peelable sheet is used, UV treatment such as lithography cannot be performed in the middle of the process, and the UV peelable sheet is generally low in heat resistance and solvent resistance, and the upper limit when performing heat treatment. There are problems that the temperature is limited, the processing time during processing such as washing and development is restricted, and that when such processing is performed, peeling reproducibility deteriorates.
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、仮基材に導体層と光配線層とを積層成形した後、仮基材を剥離する工程を含む光電気混載基板の製造方法において、UV処理や加熱処理等によって仮基材が導体層から不用意に剥離することがなく、且つ仮基材の剥離時には良好な剥離性を示し、安定に歩留まり良く光電気混載基板を製造できる方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and in a method for manufacturing an opto-electric hybrid board including a step of peeling a temporary base material after forming a conductor layer and an optical wiring layer on the temporary base material. , A method in which a temporary base material is not inadvertently peeled off from a conductor layer by UV treatment, heat treatment, etc., and exhibits good peelability when the temporary base material is peeled off, and can stably produce an opto-electric hybrid board. Is intended to provide.
本発明に係る光電気混載基板の製造方法は、光配線と電気配線とを同一基板に混載して設けた光電気混載基板の製造方法において、仮基材1の一面に導体層2を化学的に結合させずに積層成形し、前記導体層2の仮基材1とは反対側の面にコア層5とクラッド層4とを有する光配線層3を形成した後、導体層2から仮基材1を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。このため、導体層2と仮基材1とが接合している際にUV処理や加熱処理等を施しても、導体層2と仮基材1とが不用意に剥離することがなくなって、製造上の自由度が高くなり、また仮基材1を剥離する際には容易に剥離することができる。
The method for manufacturing an opto-electric hybrid board according to the present invention is a method for manufacturing an opto-electric hybrid board in which optical wiring and electrical wiring are provided on the same substrate. After forming the
上記導体層2は、複数の導体膜を積層成形することで形成することができ、この場合、種々の機能が付与された導体膜を積層して形成して、導体層2の機能性を高めることができる。
The
上記導体層2は、真空成膜法又はめっき法により形成することができ、この場合は、所望の厚みの導体層2を厚み精度良く形成することができる。このとき、特に真空成膜法により形成すると、厚みのバラツキが少なく非常に膜厚精度が高い導体層2を形成することができ、且つピンホール等の欠陥の発生が抑制されて、非常に高品質の導体層2が形成されるものであり、まためっき法により形成すると、比較的厚膜の導体層2であっても容易に形成することができるものである。
The
また、上記導体層2を、複数の導体膜を積層成形することで形成すると共に、上記仮基材1に接する導体膜と上記光配線層3に接する導体膜のうち少なくとも一方を真空成膜法により形成するようにしても良い。このようにすると、導体層2と、仮基材1或いは光配線層3との間に理想的な界面を形成することができ、このとき特に仮基材1に接する導体膜を真空成膜法により形成すると、仮基材1を導体層2から剥離する際に予期せぬ密着性の変化の発生を抑制して良好な剥離性を付与することができ、また光配線層3と接する導体膜を真空成膜法により形成すると、導体層2の光配線層3側の面を直径数十nm程度の微細な結晶粒にて構成することができて、この面を粗面化する際に、微細かつ高密度な凹凸を有する粗面を形成することができる。
The
また、上記導体層2の表面に光配線層3を形成する前に、前記導体層2の光配線層3側の面を粗面化することが好ましい。このような粗面を形成すると、投錨効果により導体層2と光配線層3との間の密着性を向上することができる。
Further, before forming the
このように上記導体層2の光配線層3側の面を粗面化する場合には、その表面粗度Ry(JIS B0601:最大高さ)が0.5μm以下となる範囲で粗面化することが好ましく、この場合、導体層2に積層して形成される光配線層3のクラッド層4の外面に大きすぎる凹凸が形成されないようにして、光損失による光強度の発生を抑制することができる。
When the surface of the
また、上記導体層2の光配線層3側の面の粗面化は、エッチング処理によって行うことが好ましく、この場合、導体層2はその結晶粒界の部分がエッチングされやすいことから凹凸が形成され、処理後の導体層2の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
The surface of the
また、上記導体層2の光配線層3側の面の粗面化は、表面酸化処理によって行うことも好ましく、この場合、導体層2はその結晶粒界から酸化が進行しやすいものであり、このため処理後の導体層2の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
The roughening of the surface of the
また、光配線層3の形成後、仮基材1を剥離する前に、光配線層3の仮基材1とは反対側の面に、支持材6を設けることが好ましく、この場合、導体層2から仮基材1を剥離する際に、光配線層3と導体層2との積層物に剛性が付与され、反りの発生を抑制することができる。
In addition, after the
また、このように支持材6を設ける場合には、上記光配線層3のクラッド層4の、上記支持材6と接する面を、接着性を有する樹脂にて形成することが好ましい。この場合、接着性を有する樹脂によりクラッド層4の支持材6と接する面を形成すると共に、この接着剤の接着力により支持材6を光配線層3に積層して設けることができる。これにより、クラッド層4の形成と同時に支持材6を接着することができて、製造工程を簡略化することができ、また別途の接着剤を介在させる必要がなくなるため全体の厚みを薄くすることができる。
When the
また、上記導体層2から上記仮基材1を剥離した後、前記導体層2にパターニング処理を施すことにより導体配線10を形成することができる。このようにすると、導体配線10により電気配線を構成することができる。
Moreover, after peeling the
本発明によれば、仮基材に導体層を接合させた状態で光配線層を形成することができて作業性が良好なものであり、またこのときUV処理や加熱処理等を施すなどしても仮基材が導体層から剥離することを防ぐことができて、製造上の自由度が高くなるものである。また、光配線層を形成した後、導体層から仮基材を剥離する際には仮基材の剥離性が良好で、容易に剥離することが可能となるものである。従って、光電気混載基板を製造するにあたって安定した製造を行うことができて、歩留まりを良好なものとすることができるものである。 According to the present invention, the optical wiring layer can be formed in a state where the conductor layer is bonded to the temporary base material, and the workability is good, and at this time, UV treatment or heat treatment is performed. However, the temporary base material can be prevented from peeling off from the conductor layer, and the degree of freedom in manufacturing becomes high. In addition, after the optical wiring layer is formed, when the temporary base material is peeled from the conductor layer, the temporary base material has good peelability and can be easily peeled off. Therefore, stable manufacturing can be performed in manufacturing the opto-electric hybrid board, and the yield can be improved.
以下、本発明をその実施をするための最良の形態に基づいて説明する。 Hereinafter, the present invention will be described based on the best mode for carrying out the invention.
図1,2に示す光電気混載基板の製造工程においては、まず図1(a)、図1(b)に示すように、仮基材1の一面に導体層2を、化学的に結合させずに積層成形する。
In the manufacturing process of the opto-electric hybrid board shown in FIGS. 1 and 2, first, as shown in FIGS. 1A and 1B, the
仮基材1としては、適宜の材質のものを用いることができ、特に制限はされないが、例えばガラス製の板材を用いることができる。
As the
導体層2は、適宜の金属にて形成することができるが、例えば銅、ニッケル、金などで形成することができる。
The
ここで、化学的に結合させずに積層成形するとは、導体層2と仮基材1との間に化学的な結合が形成されない状態でこの導体層2と仮基材1とが密着して積層されている状態を意味するものであり、例えば導体層2と仮基材1とが主としてファンデルワールス力によって接合されている状態や、或いは導体層2と仮基材1とが一部分において接着剤等で接合されると共に大部分の領域で導体層2と仮基材1とが直接密接している状態も意味するものである。
Here, lamination molding without chemically bonding means that the
仮基材1の一面に導体層2を、化学的に結合させずに積層成形するにあたっては、堆積法により仮基材1の一面側に導体層2を形成することができる。すなわち仮基材1の一面に金属を析出させて所望の厚みになるまで堆積させることで導体層2を形成するものである。この場合は、所望の厚みの導体層2を厚み精度良く形成することができる。
When the
上記堆積法としては、真空成膜法や、めっき法などを適用することができる。 As the deposition method, a vacuum film formation method, a plating method, or the like can be applied.
真空成膜法では、真空中又は減圧雰囲気中に配置した仮基材1の表面に金属を析出させるものであり、真空蒸着法やスパッタリング等を適用することができる。このような真空成膜法を適用すると、導体層2は厚みのバラツキが少なく非常に膜厚精度が高いものであり、且つピンホール等の欠陥の発生が抑制されて、非常に高品質の導体層2が形成されるものである。
In the vacuum film forming method, a metal is deposited on the surface of the
また、めっき法にて導体層2を形成する場合には、例えば無電解めっき処理により所望の膜厚の導体層2を形成したり、或いは無電解めっき処理を施した後、電解めっき処理を施すことで、所望の厚みの導体層2を形成することができる。このようなめっき法により導体層2を形成すると、比較的厚膜の導体層2であっても容易に形成することが可能となる。
Further, when the
上記導体層2は適宜の厚みに形成されるが、好ましくは0.1〜30μmの範囲に形成することができる。
Although the said
導体層2の形成法の具体例を挙げると、まず、例えば平滑性の高い直径75mm、厚み1mmのガラス板を仮基材1として用い、その一面にスパッタリング法により例えば厚み1μmの銅製の導体層2を形成することができる。
A specific example of the method for forming the
また、同様の仮基材1の一面に、無電解めっき処理により例えば厚み10μmの銅製の導体層2を形成することができる。
Further, a
また、導体層2を形成するにあたっては、複数層の導体膜を積層成形して導体層2を形成することもできる。これにより、種々の機能が付与された導体膜を積層して形成して、導体層2の機能性を高めることができる。
In forming the
例えば仮基材1に直接接合する導体膜には、導体層2から仮基材1を剥離する際の剥離性を付与したり、またこの導体膜は導体配線10を形成する際に最も表層に配置されることから、耐食性やワイヤボンディング性を付与したりすることが好ましい。また、最後に形成される導体膜、すなわち最も光配線層3側に形成される導体膜には、主として導体層2に高い導電性を付与する機能を備えさせることが好ましい。また更に必要に応じて、導体層2の耐食性や強度等を向上するために適宜の導体膜を積層して形成することができる。
For example, the conductor film that is directly bonded to the
例えば仮基材1の表面に、まず第一の導体膜として金からなる導体膜を真空蒸着法等で厚みを例えば0.1μmに形成し、次に第二の導体膜としてニッケルからなる導体膜を真空蒸着法等で厚みを例えば1μmに形成し、更に第三の導体膜として銅からなる導体膜を電解めっき法等で厚みを例えば10μmに形成することで、導体層2を形成することができる。
For example, a conductive film made of gold is first formed as a first conductive film on the surface of the
勿論、複数の導体膜にて導体層2を形成する場合は、各導体膜の形成方法や層数は上記のものに限られず、各導体膜をめっき法、真空成膜法等の適宜の方法にて、適宜の材質、厚みの導体膜を、所望の層数だけ形成することができる。このときめっき法、真空成膜法等の堆積法により導体膜を形成すると、導体膜の層間の密着性が高い導体層2を形成することができる。
Of course, when forming the
また、導体層2の、仮基材1に接する面と光配線層3に接する面のうち少なくとも一方を真空成膜法により形成すると、導体層2と、仮基材1或いは光配線層3との間に理想的な界面を形成することができる。
Further, when at least one of the surface of the
すなわち、導体層2を形成する場合には、仮基材1と直接接する面を、真空成膜法により形成することが好ましく、この場合、例えば導体層2を総て真空成膜法で形成し、また複数層の導体膜にて導体層2を形成する場合には最初に形成される導体膜、すなわち最も仮基材1側に形成されてこの仮基材1に接する導体膜2を真空成膜法により形成する。このようにすると、仮基材1を導体層2から剥離する際の剥離性を良好なものにすると共にこの剥離性を所望のものに容易に調整することができる。
That is, when forming the
ここで、剥離性を悪化させる要因としては、仮基材1の表面の付着物(大気中からの付着有機物、油脂類等)や、めっき処理にて導体層2を形成する場合のめっき液中の不純物などがあり、これらが仮基材1と導体層2との界面に介在することとなって、予期せぬ密着性の変化が生じたり、また、形成された導体層2の表面にゴミが付着したり導体層2の形成前の仮基材1の表面にゴミが付着することによりその部位に導体層2が形成されなくなったりすることによりピンホールが発生することがあり、このピンホールが形成された箇所においてクラッド層4(第一クラッド層4a)とが直接接触されたりすることなどがあるが、上記のように真空成膜法により導体層2を形成すると、清浄な表面状態の仮基材1上に真空中で純度の高い導体層2を形成することができ、このため前記のような密着性を変化させるような要因を排除することができて、所期の通りの密着性(剥離性)を付与することができるものである。
Here, factors that deteriorate the peelability include deposits on the surface of the temporary base 1 (attached organic matter, oils and fats from the atmosphere), and in the plating solution when the
また、導体層2を形成する場合に、光配線層3が形成される側の面、すなわち仮基材1と接触している面とは反対側の面を、真空成膜法により形成することも好ましく、このとき例えば導体層2を総て真空成膜法で形成し、また、複数層の導体膜にて導体層2を形成する場合には、最後に形成される導体膜、すなわち仮基材1と接触している面とは反対側に配置されて光配線層3に接する導体膜を真空成膜法により形成する。このようにすると、導体層2の光配線層3と接触する面は、直径数十nm程度の微細な結晶粒にて構成されることになり、このような導体層2の表面に後述するような粗面化処理を施すと、微細且つ高密度な凹凸形状を有する粗面を形成することができて、投錨効果により光配線層3との間に高い密着性が得られるものである。
When the
導体層2の形成後は、この導体層2の、光配線層3が形成される側の面、すなわち仮基材1と接触している面とは反対側の面に、粗面化処理を施すことにより、光配線層3を形成する際に投錨効果により導体層2と光配線層3との密着性を向上することが好ましい。
After the formation of the
粗化処理は適宜の手法で行うことができるが、例えばエッチング処理や表面酸化処理を行うことができる。 The roughening treatment can be performed by an appropriate method, and for example, etching treatment or surface oxidation treatment can be performed.
エッチング処理は導体層2の材質に応じた適宜のエッチング液にて導体層2の表面を処理するものであり、例えば銅からなる導体層2に対して硫酸を主成分とするエッチング液によるエッチング処理を行うことができる。このとき導体層2はその結晶粒界の部分がエッチングされやすいことから凹凸が形成され、処理後の導体層2の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まるため、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
In the etching process, the surface of the
エッチング処理による導体層2の粗化処理の一例を挙げると、例えば直径75mm、厚み1mmの平坦なガラス板からなる仮基材1の表面に、スパッタリング法により例えば厚み1μm、結晶粒径5nm程度の銅製の導体層2を形成した後、この導体層2を、エッチング液、例えば硫酸を主成分とするメック(株)製の表面処理剤BO−7770Vを用いて、まずプレディップ剤(BO−7770VP)と35%過酸化水素水とを例えば99:1の体積比率で混合した例えば100cm3の混合液中に例えば23℃で60秒間浸漬させた後、本処理剤(BO−7770VM)と35%過酸化水素水とを例えば94:6の体積比率で混合した100cm3の混合液中に例えば23℃で10秒間浸漬し、次いで流水で例えば5分間リンスすることにより、所望の表面粗度、例えば表面粗度Ry(JIS B0601:最大高さ)が0.4μmの粗化面を形成することができる。
An example of the roughening treatment of the
また、表面酸化処理は、導体層2の材質等に応じた適宜の酸化処理剤により導体層2の表面を酸化させるものであり、例えば銅製の導体層2に対してはいわゆる黒化処理を施すことができる。このとき、導体層2はその結晶粒界から酸化が進行しやすいものであり、このため処理後の導体層2の表面のモフォロジーは結晶粒径と結晶粒の分布状況によって決まり、非常に微細且つ高密度の凹凸形状を有する粗化面を形成することができる。
The surface oxidation treatment is to oxidize the surface of the
表面酸化処理による導体層2の粗化処理の一例を挙げると、上記のエッチング処理の場合と同一条件で形成した銅製の導体層2を、まず例えば硫酸を主成分として水溶液にて一次処理をした後、酸化処理剤、例えば日立化成工業(株)製の黒化処理剤HIST−500に例えば80℃で5分間浸漬することで酸化(亜酸化)し、これにより所望の表面粗度、例えば表面粗度Ryが0.2μmの粗化面を形成することができる。
As an example of the roughening treatment of the
このように導体層2の表面を粗化処理する場合には、その粗化面の表面粗度Ryが、0.5μm以下となるようにすることが好ましい。このようにすると、導体層2に積層して形成される光配線層3のクラッド層4の外面に大きすぎる凹凸が形成されないようにして、光損失による光強度の発生を抑制することができる。また、導体層2と光配線層3との間の高い密着性を維持するためには、この表面粗度Ryが0.05μm以上であることが好ましい。
When the surface of the
導体層2を形成し、更に必要に応じて上記のように粗化処理を施した後に、コア層5とクラッド層4とを有する光配線層3を導体層2に積層して形成する。
After forming the
光配線層3を形成するにあたっては、屈折率の異なる二種の透明樹脂を成形硬化することで、導体層2に積層してクラッド層4を形成すると共にこのクラッド層4に埋設させてコア層5を形成して、光配線を構成する光導波路を形成する。また、必要に応じて、コア層5には、コア層5を導波する光を光配線層3の外部へ導出し、或いは外部から入射された光をコア層5に導波させるためのミラー8を設ける。このミラー8は、例えば光電気混載配線基板に光電変換素子を実装し、この光電変換素子から発せられる光をコア層5に導波させたり、或いはコア層5を導波する光を光電変換素子に送って受光させるためなどに設けられる。
In forming the
光配線層3を構成する透明樹脂は、光配線層3のクラッド層4及びコア層5を形成するために従来用いられている公知の適宜の樹脂を採用することができ、また光配線層3の形成方法も、公知の適宜の手法を用いることができる。
As the transparent resin constituting the
光配線層3の具体的な形成方法の一例を示すと、例えばUV硬化性エポキシ樹脂を含有し硬化物の屈折率が1.52である液状のUV硬化型透明樹脂を用い、これを導体層2の上面にスピンコート等により塗布した後、例えば3J/mm2のUV光を照射して硬化させた後、例えば120℃で1時間熱処理をすることにより、図1(c)に示すように、例えば厚み20μmの第一クラッド層4aを形成する。
An example of a specific method for forming the
次に、例えばUV硬化性エポキシ樹脂を含有し硬化物の屈折率が1.54である液状のUV硬化型透明樹脂を用い、これを上記第一クラッド層4aの上面にスピンコート等により塗布し、所定のマスクパターンを介して例えば3J/mm2のUV光を照射した後、未硬化部分を有機溶剤で洗浄除去することで、図1(d)に示すように、例えば厚み40μmのパターン状のコア層5を形成する。
Next, for example, a liquid UV curable transparent resin containing a UV curable epoxy resin and a cured product having a refractive index of 1.54 is applied to the upper surface of the
次に、例えば上記第一クラッド層4aの形成時に用いたものと同一の液状のUV硬化型透明樹脂を用い、第一クラッド層4a上のコア層5が形成されていない上面と、コア層5の上面とにスピンコート等により塗布し、次いで例えば3J/mm2のUV光を照射して硬化させた後、例えば120℃で1時間熱処理をする。これにより、図1(e)に示すように、第一クラッド層4aに積層するようにして中間クラッド層4bを形成すると共にこの中間クラッド層4b内にコア層5を埋設する。このとき、中間クラッド層4bの上面とコア層5の上面との間の厚みは例えば厚み1μm程度の薄肉に形成する。
Next, for example, the same liquid UV curable transparent resin as that used when forming the first
次に、中間クラッド層4bの上面に、例えば刃先角度が90°のダイシング用ブレード(#6000)にてコア層5を横切るように切削加工を施すなどして、図1(f)に示すように断面V字状の溝7を形成する。このときV字状の溝7はコア層5の所定の箇所を横切るように形成される。また、このようなV字状の溝7を形成する代わりに、例えば波長248nmのエキシマレーザによるアブレーション加工により、45°の角度を有する傾斜面を、コア層5の所定の箇所を横切るように形成しても良い。そして、このV字状の溝7の内面や、傾斜面の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法などにより選択的に金薄膜等からなる反射膜9を形成し、これにより図2(a)に示すようにミラー8を形成する。反射膜9の厚みは例えば0.2μmとすることができる。
Next, the upper surface of the
次に、例えば上記第一クラッド層4aの形成時に用いたものと同一の液状のUV硬化型透明樹脂を用い、これを中間クラッド層4bの上面にスピンコート法等により塗布し、次いで例えば3J/mm2のUV光を照射して硬化させた後、例えば120℃で1時間熱処理をする。これにより、図2(b)に示すように、中間クラッド層4bに積層するようにして、例えば厚み20μmの第二クラッド層4cを形成するものである。
Next, for example, the same liquid UV curable transparent resin as that used for forming the first
勿論、光配線層3の形成にあたっては、上記の条件に限るものではなく、使用する材料や処理方法、処理条件を適宜変更して行うことができる。
Needless to say, the formation of the
上記のように光配線層3を形成した後には、必要に応じて、図2(c)に示すように、光配線層3の導体層2とは反対側の面に、支持材6を積層して設ける。支持材6は適宜の材質からなるものを用いることができるが、ある程度の剛性を有するものを用いることが好ましく、例えばガラスエポキシ板を用いることができる。ここでいうガラスエポキシ板としては、ガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグを必要に応じて複数枚積層し加熱硬化して得られる、所定の厚み(例えば0.1mm)のものを用いることができる。
After forming the
支持材6の積層は、適宜の手法により行うことができ、例えば熱硬化性エポキシ樹脂接着剤などの接着剤にて接着することで積層することができる。
Lamination | stacking of the
また、支持材6を設けるにあたっては、光配線層3のクラッド層4における、少なくとも支持材6と接する面を、接着性を有する樹脂にて形成し、この樹脂が有する接着性により支持材6をクラッド層4に直接接着して設けることもできる。例えば上記のようにして光配線層3を形成するにあたり、第二クラッド層4cを形成する際に、硬化物の屈折率がクラッド層4の他の部位(第一クラッド層4a及び中間クラッド層4b)と同一である透明な液状の熱硬化性接着剤(例えば熱硬化性エポキシ樹脂組成物からなる接着剤)を用い、この熱硬化性接着剤を中間クラッド層4bの上面に塗布した後、これを硬化する前に支持材6を積層して配置し、この状態で熱硬化性接着剤を、例えば110℃で1時間加熱して硬化するものである。このようにすれば、接着性を有する樹脂によりクラッド層4の支持材6と接する面を形成すると共に、この樹脂の接着力により支持材6を光配線層3に積層して設けることができる。このとき、クラッド層4の形成と同時に支持材6を接着することができて、製造工程を簡略化することができ、また別途の接着剤を介在させる必要がなくなるため全体の厚みを薄くすることができるものである。
Further, in providing the
次に、図2(d)に示すように、導体層2から仮基材1を剥離する。このとき
適宜の手法で仮基材1を容易に剥離することができるが、例えば適宜の治具にて仮基材1の側面を挟持すると共にこの治具にて引っ張り応力をかけることで剥離することができる。このとき、支持材6を設けている場合には、支持材6を保持すると共にこれを若干撓ませた状態で仮基材1を剥離することで、更に容易に剥離することができる。また、吸着ノズルや吸着ヘッドを用いるなどして仮基材1に吸着力をかけることにより剥離することもできる。
Next, as shown in FIG. 2 (d), the
このように導体層2から仮基材1を剥離する際には、上記のように光配線層3に支持材6を積層して設けていれば、光配線層3と導体層2との積層物に剛性が付与されて、反りの発生が抑制される。
Thus, when the
次に、仮基材1を剥離することにより表出した導体層2に、パターニング処理を施して、図2(e)に示すように導体配線10を形成する。パターニング処理は公知の適宜の手法で行うことができるが、例えば導体層2表面にエッチングレジストを形成した後、エッチング処理を施し、更にエッチングレジストを剥離することで行うことができる。
Next, the
上記の実施形態においては、主として導体層2を仮基材1に対して堆積法により形成する場合について説明しているが、既述のように導体層2を仮基材1に対して化学的に結合させずに積層成形するにあたっては、堆積法を用いることに限られるものではなく、例えば堆積法以外の手法として、図3に示すものも挙げられる。
In the above embodiment, the case where the
この図3に示すものでは、図3(a)に示すように、仮基材1の周縁に保持代部1aを一体に設けると共に、銅箔等の金属箔12の周縁には被保持代部2aを一体に設け、この仮基材1の一面に銅箔等の金属箔12を接触させて配置すると共に、保持代部1aと被保持代部2aとの間には熱硬化性の接着剤11を介在させて接着しており、これにより、金属箔12にて形成される導体層2が、仮基材1に固定されている。この場合は熱硬化性の接着剤11を用いていることで、紫外線照射や加熱などによる接着力の減少が生じることがなくなるものである。このとき、接着剤11を設けるにあたっては、フィルム状の基材の両面に熱硬化性接着剤による塗膜を形成した熱硬化型接着フィルムを用いることもできる。
3, as shown in FIG. 3A, a holding
この仮基材1と金属箔12(導体層2)との接着は、真空中又は減圧雰囲気中において行うことが好ましい。この場合、保持代部1a及び被保持代部2aの内側における仮基材1と導体層2との密着性を向上することができ、高い密着強度を得ることができる。
The
このとき金属箔12の厚みは特に制限されないが、例えば10〜35μmの範囲とすることができる。また熱硬化性の接着剤としては、エポキシ樹脂系接着剤等の適宜のものを用いることができる。
At this time, the thickness of the
この実施形態についての具体例を挙げると、仮基材1として例えば平面視寸法10cm×10cm、厚み1mmのガラス基材を用い、その周縁の全周に亘って保持代部1aを設け、一方、金属箔12としては例えば平面視寸法10cm×10cm、厚み35μmのもの(例えば古河電工社製の「MPGT」)を用い、その周縁の全周に亘って被保持代部2aを設け、この仮基材1と金属箔12とを、減圧雰囲気中(例えば13.3Pa)で重ねると共に、保持代部1aと被保持代部2aとの間に熱硬化型接着フィルム(例えば巴川製紙社製、「エレファンUH1W」、接着層厚み20μm、基材厚み25μm)を介在させて、例えば275℃、30秒間の条件で熱圧プレスを行い、これにより仮基材1と金属箔12(導体層2)とを接合させることができる。
As a specific example of this embodiment, for example, a glass substrate having a plan view size of 10 cm × 10 cm and a thickness of 1 mm is used as the
次いで、上記の場合と同様にして図3(b)に示すように導体層2の上面に光配線層3を設けることができ、また図示はしていないが必要に応じて支持材6を設けることができる。
Next, in the same manner as described above, the
次に、仮基材1を導体層2から剥離する場合は、図3(c)に示すように、まず仮基材1、導体層2、光配線層3(或いは更に支持材6)からなる積層体から、保持代部1a及び被保持代部2aに相当する部位を切断する。このとき仮基材1の保持代部1aと、導体層2の被保持代部2aとを切断すると共に、光配線層3(或いは更に支持材6)におけるこれら保持代部1a及び被保持代部2aと重なっている部位3aも同時に切断する。このようにすると、導体層2と仮基材1とを接合していた接着剤11が除去されて、この導体層2から仮基材1を容易に剥離することができるようになる。
Next, when the
仮基材1の剥離後は、上記の場合と同様にして、導体層2にパターニング処理を施すことにより導体配線10を形成して、光電気混載基板を得ることができる。
After the
1 仮基材
2 導体層
3 光配線層
4 クラッド層
5 コア層
6 支持材
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