JP2005252105A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】並列運転を行う際、ロット間で異なる成膜時間における影響を極小化し、スループットを実現する。
【解決手段】搬送室１０３に、基板に対して成膜処理を行う複数の処理室２０２，１３７，１３９と、基板を載置する複数の予備室１２２，１２３とを連接し、これら処理室及び予備室に対する基板の搬送処理を搬送室内に設けた一つの搬送装置１１１，１１２で行うと共に、搬送室の外部に設けた他の搬送装置１２１により、基板が格納される複数のカセット１００から一定間隔で搬送室内に処理対象の基板が搬送され、複数のカセットのうち一つのカセットに対して複数の処理室のうち一つの処理室が対応し、他のカセットに対しては他の処理室が対応するようになっている基板処理装置において、一つのカセット内に格納される基板に対する成膜処理と別のカセット内に格納される基板に対する成膜処理を並行して行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の真空処理室を有する基板処理装置に関し、特に並列運転を行う際に高スループットを実現するためのスケジューリングを行う基板処理装置に関するものである。

基板を一枚ずつ処理する枚葉式基板処理装置においては、被処理基板をカセットから取り出し、真空処理室（以下、PM（Process Module）という）まで搬送し、そこで成膜を行った後、基板冷却を経てカセットに戻すという処理を複数の基板単位（ロット）毎に行っている。

このような枚葉式基板処理装置では、生産効率向上のため、一つのカセットのロット処理を行った後、他のカセットのロット処理を行うというように、カセット毎にロット処理を行うのではなく、一つのカセットに対するロット処理中に他のカセットのロット処理を並列的に行うことがあり、この場合、搬送経路が重複しないこと、ＰＭ内での被処理基板の滞留時間が一定になること、スループットが落ちないことが要求される。このような従来技術では、基板（以下ウエハという）の処理シーケンスに従い、ある制御の終了をトリガとして、次の制御を開始するというイベントドリブン方式を基準に、カセット（以下、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）という）からウエハを取り出すタイミングなど一部の制御についてのみ開始タイミング制御を行うのが一般的である。

しかし、成膜処理時間は、ＰＭ毎（又はロット毎）に異なることが多く、経路上の搬送タイミング等の制御のぶつかりを防ぐために、必要以上にスループットが落ちたり、プロセス時間の差が並列に行っている運転間でタイミングのゆがみとなり、ロット内の一部の基板だけが、ＰＭ内でのプロセス処理済後異常に長く滞留することになるという問題がある。さらに、これを回避するために、二つのロット間で成膜処理時間や待ち時間等を調整することを人的作業により行う場合もあり、全自動化が妨げられるという問題もあった。

本発明は、並列運転を行う際、ロット間で異なる成膜時間であっても、その影響を極小化し、人手を介さずに自動でスケジューリングを行うことで、使用勝手が良く、且つ高スループットを実現することができる基板処理装置を提供することを目的としている。

上述した課題を解決するため、本発明は、例えば、異なる顧客仕様により処理枚数が少ない基板の成膜を行う場合に、第１カセット（例として２０枚程度の第１仕様）の第１基板、第２カセット（例として２０枚程度の第２仕様）の第２基板を成膜するときに、効率良く（例えばスループット良く）成膜を可能にする方法として、第１カセット内の第１基板を複数のチャンバ内に入れて成膜し、次に、第２カセット内の第２基板を複数のチャンバ内に入れるようなことはせず、並列運転を行うようにする。すなわち、搬送室に、基板に対して処理を行う複数の処理室と、前記基板を載置する複数の予備室とを連接し、前記搬送室の外部に設けた他の搬送装置により、前記基板が格納される複数のカセットから一定間隔で前記複数の予備室の一つに処理対象の前記基板が搬送され、該予備室から前記搬送室内に設けた一つの搬送装置により前記複数の処理室の一つに搬送され処理が行われるようになっており、前記複数のカセットのうち一つのカセットに対して前記複数の処理室のうち一つの処理室が対応し、他のカセットに対しては他の処理室が対応するようになっている基板処理装置において、
一つのカセット内に格納される基板に対する処理と別のカセット内に格納される基板に対する処理を並行して行うことを特徴とするものである。

なお、本発明において、カセット単位で前記成膜処理（顧客仕様）を異ならすことが可能であり、成膜処理（仕様）を異ならすとは、温度、圧力、ガス流量（成膜ガス、不純物ガス、不活性ガス（及びキャリアガス））処理時間の少なくとも一つの条件を異ならせることを言う。

以上に詳述したように本発明によれば、並列運転を行う際、ロット間で異なる成膜時間における影響を極小化し、人手を介さずに自動でスケジューリングを行うことで、使用勝手が良く、且つ高スループットを実現することができる基板処理装置を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。

＜ウエハ処理１シーケンスの流れ＞
図１は本実施の形態による基板処理装置の構成を示す平面図である。

なお、本発明が適用される基板処理装置においては、ウエハなどの基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ１００が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。即ち図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後は紙面の上、左右は紙面の左右とする。
図１に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成された搬送室（以下、ＴＭ（Transfer Module）という）１０３を備えており、ＴＭ１０３には負圧下でウエハ２００を移載する第１のウエハ移載機１１１と１１２が設置されている。第１のウエハ移載機１１１と１１２は、エレベータ１１５によって、ＴＭ１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。

筐体１０１の側壁のうち前側に位置する側壁には、ロードロック室（以下、ＬＭ（Loadlock Module）という）１２２と１２３とがそれぞれゲートバルブ２４４，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。さらに、ＬＭ１２２には２つの基板を置くことが可能な基板置き台１４０が設置され、ＬＭ１２３には２つの基板を置くことが可能な基板置き台１４１が設置されている。処理済のウエハ２００はこのいずれかの基板置き台上にて冷却される（以下クーリング）ように構成されている。

ＬＭ１２２及びＬＭ１２３の前側には、略大気圧下で用いられる大気搬送機構（以下、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）という）１２１がゲートバルブ１２８，１２９を介して連結されている。ＥＦＥＭ１２１にはウエハ２００を移載する第２のウエハ移載機１２４が設置されている。第２のウエハ移載機１２４はＥＦＥＭ１２１に設置されたエレベータによって昇降されるように構成されていると共に、リニアアクチュエータによって左右方向に往復移動されるように構成されている。

図１に示されているように、ＥＦＥＭ１２１の左側にはウエハアライメント装置（以下、ＡＵ（Alignment Unit）という）１０６が設置されている。

図１に示されているように、ＥＦＥＭ１２１の筐体１２５には、ウエハ２００をＥＦＥＭ１２１に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口１３４と、前記ウエハ搬入搬出口を閉塞する蓋と、ＦＯＵＰオープナ１０８がそれぞれ設置されている。ＦＯＵＰオープナ（キャップ開閉機構）１０８は、ＩＯステージ１０５に載置されたＦＯＵＰ１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋を開閉するキャップ開閉機構とを備えており、ＩＯステージ１０５に載置されたＦＯＵＰ１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を閉塞する蓋をキャップ開閉機構によって開閉することにより、ＦＯＵＰ１００のウエハ出し入れを可能にする。また、ＦＯＵＰ１００は図示しない工程内搬送装置（以下、ＲＧＶという）によって、前記ＩＯステージ１０５に供給及び排出されるようになっている。

図１に示されているように、筐体１０１の側壁には、ウエハに所望の処理を行う処理炉ＰＭ２（２０２）と、処理炉ＰＭ３（１３７）と、処理炉ＰＭ４（１３９）がそれぞれ隣接して連結されている。

以下、前記構成を有する基板処理装置を使用した処理工程を一枚のウエハについて説明する。

未処理のウエハ２００は最大２５枚がＦＯＵＰ１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されてくる。図１に示されているように、搬送されてきたＦＯＵＰ１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ＦＯＵＰ１００のキャップ及びウエハ搬入搬出口１３４を開閉する蓋がキャップ開閉機構１０８によって取外され、ＦＯＵＰ１００のウエハ出し入れ口が解放される。

ＦＯＵＰ１００がＦＯＵＰオープナ１０８により開放されると、ＥＦＥＭ１２１に設置された第２のウエハ移載機１２４はＦＯＵＰ１００からウエハ２００をピックアップし、ＡＵ１０６に搬送しアライメントを行う。その後ＬＭ１２２又は１２３に搬入しウエハ２００を基板置き台１４０又は１４１に移載する。この移載作業中には、ＴＭ１０３側のゲートバルブ２４４は閉じられており、ＴＭ１０３の負圧は維持されている。ウエハ２００の基板置き台１４０への移載が完了すると、当該のゲートバルブ１２８が閉じられ、ＬＭ１２２が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。

ＬＭ１２２が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ２４４が開かれ、ＴＭ１０３の第１のウエハ移載機１１１は基板置き台１４０からウエハ２００をピックアップする。ゲートバルブ２４４は閉じられ、目的とするＰＭ２（２０２）又はＰＭ３（１３７）又はＰＭ４（１３９）に搬入されるが、このときゲートバルブ１３０等が搬送に伴い開けられ、搬送終了と共に閉じられる。そして、ＰＭ２〜４（２０２又は１３７又は１３９）内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハ２００に行われる。

ＰＭ２〜４（２０２又は１３７又は１３９）で前述の処理が完了すると、処理済のウエハ２００はＴＭ１０３の第２ウエハ移載機１１２によってＴＭ１０３に搬出される（Ｓ１）。

そして、第２ウエハ移載機１１２は処理炉ＰＭ２〜４（２０２又は１３７又は１３９）から搬出したウエハ２００をＬＭ２（１２３）へ搬入し、基板置き台１４１に移載した後、ＬＭ２（１２３）はゲートバルブ１２７によって閉じられ、処理済のウエハをクーリングする。このとき、ＬＭ２（１２３）内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。

ＬＭ２（１２３）において予め設定されたクーリング時間が経過すると、ゲートバルブ１２９が開かれ、元のＦＯＵＰの元のスロットに戻される。

ここで示す基板処理装置では、ＴＭ１０３内に２つのウエハ移載機１１１と１１２を有しているが、複数のウエハを連続処理する場合には、上記Ｓ１の処理で次のウエハを予め第１のウエハ移載機１１１まで搬送しており、ＰＭからの処理済ウエハ取り出しと次の未処理ウエハ搬入とを連続時に行う。以後この動作のことをＳＷＡＰ搬送と呼ぶ。

以上の動作が繰り返されることにより、ウエハが順次処理される。

なお、上述の基板処理装置では、ＬＭ１２２，１２３内それぞれのウエハ置き台（各２箇所）に関して、ウエハの投入順により予め決められた経路を通ることで、経路のぶつかりが発生することを防いでいる。また、この方法によりＬＭを搬入用、搬出用と固定するよりも、スループットが上がることが判っている。

以上の処理をシーケンス図として表したものが図２〜図５である。図２〜図４は一つのシーケンスの流れを示している。これらの図において矩形で表される各制御が上下に重なっている部分があるが、これは同時に制御していることを表している。

＜固定スケジュール方式（遅延制御）＞
図６において、本発明が適用される基板処理装置の１ロット運転時の処理シーケンスを説明する。

図６（Ａ）で、スケジュールを制御するための周期は２００ｍｓｅｃである。この周期毎にカウンタをインクリメントさせそのカウンタ値が目的の値に到達した時その制御を開始させる。

搬送ＬＰ→ＡＵは１６秒の予定である。１６秒経過したとき（制御カウンタ＝８０）は搬送ＬＰ→ＡＵは終了しており、このときＡＵとＬＭを略大気圧状態にする処理（以下Ｌｅａｋ処理）を並行して開始するスケジュールとする。

図６（Ｂ）は、搬送ＬＰ→ＡＵが予定を約１秒オーバして終了した状態を表す。

図６（Ｃ）で図６（Ｂ）の詳細を示す。
制御カウンタが７９から８０にインクリメントされる前に、予定していた搬送ＬＰ→ＡＵが終了しているか否かを確認するが、ここでは終了していない。そこでこれ以上他の制御を進行させないために、制御カウンタのインクリメントを凍結し、代わりに遅延カウンタをインクリメントする（Ｓ２）。

上記Ｓ２の処理を制御周期毎に繰り返し、ＬＰ→ＡＵの搬送が終了するまで待つ。

そして、該搬送の終了が確認されたら、制御カウンタを７９から８０にインクリメントし、これにより制御カウンタ８０で開始することになっていたアライメントユニットとＬＭのＬｅａｋ処理を開始する。

制御周期が２００ｍｓｅｃであるため、遅延が発生した場合、この制御周期でカバーしている。これが１秒周期である場合、微妙な遅れがスケジュール全体のズレに現れるため、タクト時間にも影響が出やすくなる。

ここでタクト時間とは、同一ＰＭにおける、あるウエハに対する成膜プロセスと次のウエハの成膜プロセス開始時間間隔である。また、この時間は同一ＰＭに対するウエハをＦＯＵＰから順次取り出す間隔と同義とする。

ここでは、遅延発生中は制御カウンタをインクリメントしないものとしたが、２種類またはそれ以上のカウンタや制御フラグなどを利用することで、同様な制御が実現可能である。

＜１ロット（１ＰＭ）運転の処理シーケンス＞
図７〜図１０において、本発明が適用される基板処理装置の１ロット運転時の処理シーケンスを説明する。

♯１のウエハがＦＯＵＰから取り出されてから、タクト時間である３分６秒後に♯２のウエハがＦＯＵＰから取り出される。このタクト時間は計算により求めることが可能である。

♯１のシーケンス開始から４分１３秒後、♯２のウエハをＬＭから取り出す。♯２のウエハがＰＭへ搬入できる準備が整った４分２４秒後、プロセス終了と共にＳＷＡＰ搬送動作を行う。またこの時払い出した♯１のウエハをＬＭに搬入するため、当該ＬＭを減圧（以下Ｅｖａｃという）する。４分４５秒後、ＰＭに搬入された♯２ウエハに対してプロセスを開始する。♯１と♯２のプロセス開始時間の間隔は３分６秒である。

以上の処理を繰り返し行うことで、１ロット分の処理が行われる。

＜２ロット（２ＰＭ）並列運転の処理シーケンス＞
図１１〜図１４において、本発明が適用される基板処理装置の２ロット並列運転時の処理シーケンスを説明する。

運転Ａと運転Ｂはそれぞれ大した時間差がなく運転開始を指示されたものとする。

運転Ａ−♯１ウエハがＦＯＵＰから取り出されてから、バッチ間隔である１分２秒後に運転Ｂ−♯１のウエハがＦＯＵＰから取り出される。この時間は、基準となる運転Ａに対して、運転Ｂが開始される時間間隔である。このバッチ間隔は計算により求まり、ここではバッチ間隔＝タクト時間÷３で求まっているものとする。
ここでバッチ間隔とは、あるＰＭにおけるウエハ成膜プロセスと別のＰＭにおけるウエハ成膜プロセスの開始時間間隔である。またこの時間は、これら異なるＰＭに対するウエハをそれぞれのＦＯＵＰから取り出す間隔と同義とする。

開始から４分８秒後、運転Ｂ♯２のウエハがＦＯＵＰから取り出される。

開始から５分１１秒後、運転Ｂ♯２のウエハをＬＭから取り出し運転Ｂ♯１とのＳＷＡＰ搬送を行う。この動作は運転Ａの♯１と♯２のＳＷＡＰ動作が終了してから行う。干渉はない。運転Ｂの各ウエハは運転Ａの各ウエハと経路上、制御上のぶつかりが無いようスケジュール計算されている。

運転Ａ−♯１はウエハクーリングまで終了し、ＬＰに戻すための搬送を行うが、この時運転Ｂ−♯３のウエハを交換するようにＬＭの同一場所へ搬入する。これはＥＦＥＭ側大気搬送口ボットで実行している。

一般的には、タクト時間＝バッチ間隔×ｎとなるようスケジュール計算されることになるが、ＰＭ数、プロセス時間、搬送時間などにより最適なｎが決まる。
例示したシーケンスの場合は、ｎ＝３となるようにすることが可能である。

図１５において、ｎ＝３の場合の後発開始タイミングを説明する。
ここでは、説明を簡単にするために、バッチ間隔＝タクト時間÷３の場合の後発運転開始タイミングを説明しており、タクト時間＝３分、バッチ間隔＝１分としている。後発の運転開始指定は任意であるが、ここでは先発側♯２の開始前までに後発側の運転開始指示があったものとする。

図１５（ａ）は、先発側♯１ウエハ処理開始を示す。同図（ｂ）は、先発側♯１ウエハ処理開始後６０秒以内に後発側開始指定した場合の開始タイミングを示す。同図（ｃ）は、先発側♯１ウエハ処理開始後６０秒〜１２０秒以内に後発側開始指定した場合の開始タイミングを示す。同図（ｄ）は、先発側♯２の開始タイミングを表す（Ｓ２）。同図（ｅ）に示されるように、先発側♯１ウエハ処理開始後１２０秒以後に開始したものは、上記Ｓ２の先発側と重ならないために、開始時間は２４０秒後となる。

ここで、ｎ＝３の場合とｎ＝２の場合で、後発側の運転開始タイミングが異なるが、どちらが優れているのかを検証する。
図１５の場合、タクト間隔を３分（１８０秒）とすると、バッチ間隔は６０秒となり、（６０×１/３）＋（１２０×１/３）＋（２４０×１/３）＝１４０（秒）となり、後発側の平均運転開始遅延時間は１４０秒となることが図１６（ａ）より理解される。

同様な条件でｎ＝２の場合を想定したものが図１６（ｂ）であり、タクト間隔を３分（１８０秒）とすると、バッチ間隔は９０秒となり、（９０×１/２）+（２７０×１/２）＝１８０（秒）となり、その平均運転開始遅延時間は１８０秒となる。

ｎ＝３のシーケンスでは、ｎ＝２の場合よりＦＯＵＰターンアラウンドタイムが向上することになる。

図１５により、ｎ＝３のシーケンスでは、先発運転の１つのバッチシーケンスに対して、２つの後発運転開始タイミングがあることが判る。
後発の運転開始タイミングは任意のタイミングで行われる。このため、後発の指定タイミングにより適当なバッチ開始タイミングを自動検出することは当然である。

＜２ロット（２ＰＭ）並列運転：プロセス時間が異なる場合の処理シーケンス＞
図１７〜図２４において、本発明が適用される基板処理装置のプロセス時間が異なる２ロット運転時の処理シーケンスを説明する。
図１７〜図２０について、先発運転側、即ち、（先発運転プロセス時間＜後発運転プロセス時間）の場合の並列運転シーケンスを説明する。

先発運転側プロセス時間は２分４５秒（先発の２分４５秒でスケジューリング）であり、スケジュール上のプロセス時間は以後この時間で統一される。後発運転側プロセス時間は３分であり、先発との差分１５秒は遅延としてスケジュール全体を待ち状態にする。

後発運転Ｂ−♯１のプロセス時間が２分４５秒たっても終了していないため、遅延状態に入り、スケジュール制御はホールド状態となる。この時実行中である搬送動作などが一時停止しているわけではない。

運転Ｂ−♯１のプロセス時間が３分経過後（遅延開始１５秒後）にプロセスは終了し、スケジュール制御を再開する。

運転Ｂ−♯１のプロセス遅延中、運転Ａ−♯２のプロセスは実行中のままである。しかし、スケジュール上は全体が遅延しているため、予定していた搬送動作は事前に始まっていない。事前に始まっていない１５秒分はＰＭでの滞留時間となって現れる。

運転Ａ−♯１のＬＭから払い出しと運転Ｂ−♯３のＬＭへの搬入はちょうどタイミングが合っている。スケジュール全体を遅延させたことでタイミングは維持されている。

後発運転Ｂ−♯２のプロセスが遅延する。これも同様にスケジュール全体を遅延させることでタイミングを維持する。
以後も同様に、遅延検知スケジュールホールド状態により、タイミングを維持していく。

図２１〜図２４について、先発運転側、即ち（先発運転プロセス時間＞後発運転プロセス時間）の場合を説明する。

先発運転側プロセス時間は２分４５秒（先発の２分４５秒でスケジューリング）であり、スケジュール上のプロセス時間は以後この時間で統一される。後発運転側プロセス時間は２分３０秒であり、先発との差分１５秒はＰＭ滞留としてスケジュール全体には影響を与えない。

後発運転側プロセス時間は２分３０秒。先発との差分−１５秒はプロセス後ＰＭに滞留させておくことでスケジュール制御全体を維持する。

後発運転Ｂ−♯１のプロセス時間が２分３０秒たって終了したが、払い出しのための準備動作は未だ終わっていない。そのまま１５秒待たされる。その後２分４５秒のタイミングで払い出し（ＳＷＡＰ動作）を行う。
スケジュール全体ではこの滞留は影響していない。

以後も運転Ｂのプロセスを行う度、１５秒ずつの滞留が起こるがスケジュールに影響は与えない。

本実施の形態による基板処理装置の構成を示す平面図である。 ウエハの搬入/搬出シーケンスを示す図（その１）である。 ウエハの搬入/搬出シーケンスを示す図（その２）である。 ウエハの搬入/搬出シーケンスを示す図（その３）である。 各処理の所要時間を表すテーブルである。 本発明が適用される基板処理装置の１ロット運転時の処理シーケンスを説明する図である。 １ロット（１ＰＭ）運転の処理シーケンスを示す図（その１）である。 １ロット（１ＰＭ）運転の処理シーケンスを示す図（その２）である。 １ロット（１ＰＭ）運転の処理シーケンスを示す図（その３）である。 １ロット（１ＰＭ）運転の処理シーケンスを示す図（その４）である。 並列運転の基本シーケンスを示す図（その１）である。 並列運転の基本シーケンスを示す図（その２）である。 並列運転の基本シーケンスを示す図（その３）である。 並列運転の基本シーケンスを示す図（その４）である。 バッチ間隔がタクト時間の１/３である場合の後発運転開始タイミングを示す図である。 バッチ間隔がタクト時間の１/３である場合を１/２である場合との比較において後発運転タイミング比較を示す図である。 先発運転プロセス時間＜後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その１）である。 先発運転プロセス時間＜後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その２）である。 先発運転プロセス時間＜後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その３）である。 先発運転プロセス時間＜後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その４）である。 先発運転プロセス時間＞後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その１）である。 先発運転プロセス時間＞後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その２）である。 先発運転プロセス時間＞後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その３）である。 先発運転プロセス時間＞後発運転プロセス時間の場合の並列運転シーケンスを示す図（その４）である。

符号の説明

１００ ＦＯＵＰ、１０１ 筐体、１０３ ＴＭ、１０５ ＩＯステージ、１０６ ＡＵ、１０８ ＦＯＵＰオープナ、１１２，１１２ ウエハ移載機、１２１ ＥＦＥＭ、１２２，１２３ ＬＭ、１３４ ウエハ搬入搬出口、１３７，１３９，２０２ ＰＭ、１４０，１４１ 基板置き台、２００ ウエハ。

Claims (1)

1. 搬送室に、基板に対して処理を行う複数の処理室と、前記基板を載置する複数の予備室とを連接し、前記搬送室の外部に設けた他の搬送装置により、前記基板が格納される複数のカセットから一定間隔で前記複数の予備室の一つに処理対象の前記基板が搬送され、該予備室から前記搬送室内に設けた一つの搬送装置により前記複数の処理室の一つに搬送され処理が行われるようになっており、前記複数のカセットのうち一つのカセットに対して前記複数の処理室のうち一つの処理室が対応し、他のカセットに対しては他の処理室が対応するようになっている基板処理装置において、
   一つのカセット内に格納される基板に対する処理と別のカセット内に格納される基板に対する処理を並行して行うことを特徴とする基板処理装置。

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