JP2005108912A

JP2005108912A - 液晶表示装置とその製造方法

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Publication number: JP2005108912A
Application number: JP2003336707A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Quanta Display Japan Inc; Quanta Display Inc
Current assignee: Quanta Display Japan Inc; Quanta Display Inc
Priority date: 2003-09-29
Filing date: 2003-09-29
Publication date: 2005-04-21
Also published as: TW200512525A; US20050157236A1; TWI287161B; CN100386669C; CN1603898A

Abstract

【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法ではチャネル長が短くなると製造裕度（マージン）が小さく歩留が低下する。
【解決手段】信号線の形成工程と絵素電極の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、
走査線の形成工程と半導体層の形成工程、走査線の形成工程とエッチストップ層の形成工程、さらには走査線の形成工程とコンタクト形成工程とをハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術との技術の組合せによるＴＮ型液晶表示装置の４枚マスク・プロセス、３枚マスク・プロセス案を構築する。
【選択図】図２

Description

本発明はカラー画像表示機能を有する液晶表示装置、とりわけアクティブ型の液晶表示装置に関するものである。

近年の微細加工技術、液晶材料技術および高密度実装技術等の進歩により、５〜５０ｃｍ対角の液晶表示装置でテレビジョン画像や各種の画像表示機器が商用ベースで大量に提供されている。また、液晶パネルを構成する２枚のガラス基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによりカラー表示も容易に実現している。特にスイッチング素子を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストークも少なく、応答速度も早く高いコントラスト比を有する画像が保証されている。

これらの液晶表示装置（液晶パネル）は走査線としては２００〜１２００本、信号線としては３００〜１６００本程度のマトリクス編成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に対応すべく大画面化と高精細化とが同時に進行している。

図５４は液晶パネルへの実装状態を示し、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端子群５に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３を導電性の接着剤を用いて接続するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）方式や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金または半田メッキされた銅箔の端子を有するＴＣＰフィルム４を信号線の電極端子群６に導電性媒体を含む適当な接着剤で圧接して固定するＴＣＰ（Ｔａｐｅ−Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｐａｃｋａｇｅ）方式などの実装手段によって電気信号が画像表示部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時に図示しているが実際には何れかの方式が適宜選択される。

液晶パネル１のほぼ中央部に位置する画像表示部内の画素と走査線及び信号線の電極端子５，６との間を接続する配線路が７、８で、必ずしも電極端子群５，６と同一の導電材で構成される必要はない。９は全ての液晶セルに共通する透明導電性の対向電極を対向面上に有するもう１枚の透明性絶縁基板である対向ガラス基板またはカラーフィルタである。

図５５はスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタ１０を絵素毎に配置したアクティブ型液晶表示装置の等価回路図を示し、１１（図５４では７）は走査線、１２（図２８では８）は信号線、１３は液晶セルであって、液晶セル１３は電気的には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類は液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成され、点線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電極１４はもう一方のガラス基板９の対向する主面上に形成されている。絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低い場合や表示画像の階調性を重視する場合には、負荷としての液晶セル１３の時定数を大きくするための補助の蓄積容量１５を液晶セル１３に並列に加える等の回路的工夫が加味される。なお１６は蓄積容量１５の共通母線である。

図５６は液晶表示装置の画像表示部の要部断面図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板２，９は樹脂性のファイバ、ビーズあるいはカラーフィルタ９上に形成された柱状スペーサ等のスペーサ材（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口材（何れも図示せず）とで封止された閉空間になっており、この閉空間に液晶１７が充填されている。

カラー表示を実現する場合には、ガラス基板９の閉空間側に着色層１８と称する染料または顔料のいずれか一方もしくは両方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機薄膜が被着されて色表示機能が与えられるので、その場合にはガラス基板９は別名カラーフィルタ（ＣｏｌｏｒＦｉｌｔｅｒ略語はＣＦ）と呼称される。そして液晶材料１７の性質によってはガラス基板９の上面またはガラス基板２の下面の何れかもしくは両面上に偏光板１９が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能する。現在、市販されている大部分の液晶パネルでは液晶材料にＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏光板１９は通常２枚必要である。図示はしないが、透過型液晶パネルでは光源として裏面光源が配置され、下方より白色光が照射される。

液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９上に形成された例えば厚さ０．１μｍ程度のポリイミド系樹脂薄膜２０は液晶分子を決められた方向に配向させるための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続するドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）１２と同時に形成されることが多い。信号線１２とドレイン電極２１との間に位置するのは半導体層２３であり詳細は後述する。カラーフィルタ９上で隣り合った着色層１８の境界に形成された厚さ０．１μｍ程度のＣｒ薄膜層２４は半導体層２３と走査線１１及び信号線１２に外部光が入射するのを防止するための光遮蔽部材で、いわゆるブラックマトリクス（ＢｌａｃｋＭａｔｒｉｘ略語はＢＭ）として定着化した技術である。

ここでスイッチング素子として絶縁ゲート型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用されており、そのうちの一つのエッチストップ型と呼称されるものを従来例として紹介する。図５７は従来の液晶パネルを構成するアクティブ基板（表示装置用半導体装置）の単位絵素の平面図であり、図５７（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図５８に示し、その製造工程を以下に簡単に説明する。

先ず、図５７（ａ）と図５８（ａ）に示したように耐熱性と耐薬品性と透明性が高い絶縁性基板として厚さ０．５〜１．１ｍｍ程度のガラス基板２、例えばコーニング社製の商品名１７３７の一主面上にＳＰＴ（スパッタ）等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。走査線の材質は耐熱性と耐薬品性と耐弗酸性と導電性とを総合的に勘案して選択するが一般的にはＣｒ，Ｔａ，ＭｏＷ合金等の耐熱性の高い金属または合金が使用される。

液晶パネルの大画面化や高精細化に対応して走査線の抵抗値を下げるためには走査線の材料としてＡＬ（アルミニウム）を用いるのが合理的であるが、ＡＬは単体では耐熱性が低いので上記した耐熱金属であるＣｒ，Ｔａ，Ｍｏまたはそれらのシリサイドと積層化する、あるいはＡＬの表面に陽極酸化で酸化層（Ａｌ２Ｏ３）を付加することも現在では一般的な技術である。すなわち走査線１１は１層以上の金属層で構成される。

次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイディ）装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、図５７（ｂ）と図５８（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して３２Ｄとし、第１の非晶質シリコン層３１を露出する。

続いて、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、図５７（ｃ）と図５８（ｃ）に示したようにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４と、低抵抗配線層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬ薄膜層３５と、さらに膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を順次被着し、微細加工技術によりソース・ドレイン配線材であるこれら３種の薄膜層３４Ａ，３５Ａ及び３６Ａの積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２とを選択的に形成する。この選択的パターン形成は、ソース・ドレイン配線の形成に用いられる感光性樹脂パターンをマスクとしてＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４を順次食刻した後、ソース・ドレイン電極１２，２１間の第２の非晶質シリコン層３３を除去して第２のＳｉＮｘ層３２Ｄを露出するとともに、その他の領域では第１の非晶質シリコン層３１をも除去してゲート絶縁層３０を露出することによってなされる。このようにチャネルの保護層である第２のＳｉＮｘ層３２Ｄが存在して第２の非晶質シリコン層３３の食刻が自動的に終了することからこの製法はエッチストップと呼称される。

絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構造とならぬようソース・ドレイン電極１２，２１はエッチストップ層３２Ｄと一部（数μｍ）平面的に重なって形成される。この重なりは寄生容量として電気的に作用するので小さいほど良いが、露光機の合わせ精度とフォトマスクの精度とガラス基板の膨張係数及び露光時のガラス基板温度で決定され、実用的な数値は精々２μｍ程度である。

さらに上記感光性樹脂パターンを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図５７（ｄ）と図５８（ｄ）に示したようにパシベーション絶縁層３７を微細加工技術により選択的に除去してドレイン電極２１上に開口部６２と、画像表示部外の領域で走査線１１の電極端子５が形成される位置上に開口部６３と、信号線１２の電極端子６が形成される位置上に開口部６４を形成してドレイン電極２１と走査線１１と信号線１２の一部分を露出する。蓄積容量線１６（を平行に束ねた電極パターン）上には開口部６５を形成して蓄積容量線１６の一部を露出する。

最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）あるいはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、図５７（ｅ）と図５８（ｅ）に示したように微細加工技術により開口部６２を含んでパシベーション絶縁層３７上に絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。開口部６３内の露出している走査線１１の一部を電極端子５とし、開口部６４内の露出している信号線１２の一部を電極端子６としても良く、図示したように開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成しても良いが、通常は電極端子５Ａ，６Ａ間を接続する透明導電性の短絡線４０も同時に形成される。その理由は、図示はしないが電極端子５Ａ，６Ａと短絡線４０との間を細長いストライプ状に形成することにより高抵抗化して静電気対策用の高抵抗とすることが出来るからである。同様に開口部６５を含んで蓄積容量線１６への電極端子が形成される。

信号線１２の配線抵抗が問題とならない場合にはＡＬよりなる低抵抗配線層３５は必ずしも必要ではなく、その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の耐熱金属材料を選択すればソース・ドレイン配線１２，２１を単層化して簡素化することが可能である。このようにソース・ドレイン配線は耐熱金属層を用いて第２の非晶質シリコン層と電気的な接続を確保することが重要であり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性については先行例である特開平７−７４３６８号公報に詳細が記載されている。なお、図５７（ｃ）において蓄積容量線１６とドレイン電極２１とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５０（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を形成しているが、ここではその詳細な説明は省略する。
特開平７−７４３６８号公報

以上述べた５枚マスク・プロセスは詳細な経緯は省略するが、半導体層の島化工程の合理化とコンタクト形成工程が１回削減された結果得られたもので、当初は７〜８枚程度必要であったフォトマスクもドライエッチ技術の導入により、現時点では５枚に減少してプロセスコストの削減に大きく寄与している。液晶表示装置の生産コストを下げるためにはアクティブ基板の作製工程ではプロセスコストを、またパネル組立工程とモジュール実装工程では部材コストを下げることが有効であることは周知の開発目標である。プロセスコストを下げるためにはプロセスを短くする工程削減と、安価なプロセス開発またはプロセスへの置き換えとがあるが、ここでは４枚のフォトマスクでアクティブ基板が得られる４枚マスク・プロセスを工程削減の一例として説明する。４枚マスク・プロセスはハーフトーン露光技術の導入により写真食刻工程を削減するもので、図５９は４枚マスク・プロセスに対応したアクティブ基板の単位絵素の平面図で、図５９（ｅ）のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’およびＣ−Ｃ’線上の断面図を図６０に示す。既に述べたように絶縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用されているが、ここではチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタを採用している。

先ず、５枚マスク・プロセスと同様にガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層を被着し、図５９（ａ）と図６０（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となるＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を、例えば０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着する。引き続き、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ薄膜層３４と、膜厚０．３μｍ程度の低抵抗配線層としてＡＬ薄膜層３５と、さらに膜厚０．１μｍ程度の中間導電層として例えばＴｉ薄膜層３６を、すなわちソース・ドレイン配線材を順次被着し、微細加工技術により絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１とソース電極も兼ねる信号線１２を選択的に形成するのであるが、この選択的パターン形成に当たりハーフトーン露光技術により図５９（ｂ）と図６０（ｂ）に示したようにソース・ドレイン間のチャネル形成領域８０Ｂ（斜線部）の膜厚が例えば１．５μｍで、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａ（１２），８０Ａ（２１）の膜厚３μｍよりも薄い感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを形成する点が大きな特徴である。

このような感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂは、液晶表示装置用基板の作製には通常ポジ型の感光性樹脂を用いるので、ソース・ドレイン配線形成領域８０Ａが黒、すなわちＣｒ薄膜が形成されており、チャネル領域８０Ｂは灰色、たとえば幅０．５〜１μｍ程度のラインアンドスペースのＣｒパターンが形成されており、その他の領域は白、すなわちＣｒ薄膜が除去されているようなフォトマスクを用いれば良い。灰色領域は露光機の解像力が不足しているためにラインアンドスペースが解像されることはなく、ランプ光源からのフオトマスク照射光を半分程度透過させることが可能であるので、ポジ型感光性樹脂の残膜特性に応じて図６０（ｂ）に示したような断面形状を有する感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを得ることができる。

上記感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂをマスクとして図６０（ｂ）に示したようにＴｉ薄膜層３６、ＡＬ薄膜層３５、Ｔｉ薄膜層３４、第２の非晶質シリコン層３３及び第１の非晶質シリコン層３１を順次食刻してゲート絶縁層３０を露出した後、図５９（ｃ）と図６０（ｃ）に示したように酸素プラズマ等の灰化手段により感光性樹脂パターン８０Ａ，８０Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８０Ｂが消失してチャネル領域が露出するとともに、ソース・ドレイン配線形成領域上にのみ８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）を残すことができる。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）をマスクとして、再びソース・ドレイン配線間（チャネル形成領域）のＴｉ薄膜層，ＡＬ薄膜層，Ｔｉ薄膜層，第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａを順次食刻し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻する。ソース・ドレイン配線が金属層をエッチングした後に第１の非晶質シリコン層３１Ａを０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することによりなされるので、このような製法で得られる絶縁ゲート型トランジスタはチャネル・エッチと呼称されている。なお上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましいがその理由は後述する。

さらに上記感光性樹脂パターン８０Ｃ（１２），８０Ｃ（２１）を除去した後は、５枚マスク・プロセスと同じく図５９（ｄ）と図６０（ｄ）に示したようにガラス基板２の全面に透明性の絶縁層として０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、ドレイン電極２１と走査線１１と信号線１２の電極端子が形成される領域にそれぞれ開口部６２，６３，６４を形成し、開口部６３内のパシベーション絶縁層３７とゲート絶縁層３０を除去して開口部６３内に走査線の一部を露出するとともに、開口部６２，６４内のパシベーション絶縁層３７を除去してドレイン電極２１の一部と信号線の一部を露出する。

最後にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層として例えばＩＴＯあるいはＩＺＯを被着し、図５９（ｅ）と図６０（ｅ）に示したように微細加工技術によりパシベーション絶縁層３７上に開口部６２を含んで透明導電性の絵素電極２２を選択的に形成してアクティブ基板２として完成する。電極端子に関してはここでは開口部６３，６４を含んでパシベーション絶縁層３７上にＩＴＯよりなる透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを選択的に形成している。

このように５枚マスク・プロセスと４枚マスク・プロセスにおいてはドレイン電極２１と走査線１１へのコンタクト形成工程が同時になされるため、それらに対応した開口部６２，６３内の絶縁層の厚さと種類が異なっている。パシベーション絶縁層３７はゲート絶縁層３０に比べると製膜温度が低く膜質が劣悪で、弗酸系のエッチング液による食刻では食刻速度が夫々数１０００Å／分、数１００Å／分と１桁も異なり、ドレイン電極２１上の開口部６２の断面形状は上部に余りにも過食刻が生じて穴径が制御できない理由から弗素系のガスを用いた乾式食刻（ドライエッチ）を採用している。

ドライエッチを採用してもドレイン電極２１上の開口部６２はパシベーション絶縁層３７のみであるので、走査線１１上の開口部６３と比較して過食刻になるのは避けられず、材質によっては中間導電層３６Ａが食刻ガスによって膜減りすることがある。また、食刻終了後の感光性樹脂パターンの除去に当たり、まずは弗素化された表面のポリマー除去のために酸素プラズマ灰化で感光性樹脂パターンの表面を０．１〜０．３μｍ程度削り、その後に有機剥離液、例えば東京応化製の剥離液１０６等を用いた薬液処理がなされるのが一般的であるが、中間導電層３６Ａが膜減りして下地のアルミニウム層３５Ａが露出した状態になっていると、酸素プラズマ灰化処理でアルミニウム層３５Ａの表面に絶縁体であるＡＬ２Ｏ３が形成されて、絵素電極２２との間でオーミック接触が得られなくなる。そこで中間導電層３６Ａが膜減りしてもいいように、その膜厚を例えば０．２μｍと厚く設定することでこの問題から逃れようとしている。あるいは開口部６２〜６５の形成時、アルミニウム層３５Ａを除去して下地の耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａを露出してから絵素電極２２を形成する回避策も可能であり、この場合には当初から中間導電層３６Ａは不要となるメリットもある。

しかしながら、前者の対策ではこれら薄膜の膜厚の面内均一性が良好でないとこの取組みも必ずしも有効に作用するわけではなく、また食刻速度の面内均一性が良好でない場合にも全く同様である。後者の対策では中間導電層３６Ａは不要となるが、アルミニウム層３５Ａの除去工程が増加し、また開口部６２の断面制御が不十分であると絵素電極２２が段切れを起こす恐れがあった。

加えてチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタではチャネル領域の不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１はどうしても厚めに（通常０．２μｍ以上）被着しておかないと、ガラス基板の面内均一性に大きく影響されてトランジスタ特性、とりわけＯＦＦ電流が不揃いになりがちである。このことはＰＣＶＤの稼働率とパーティクル発生状況とに大きく影響し、生産コストの観点からも非常に重要な事項である。

また４枚マスク・プロセスにおいて適用されているチャネル形成工程はソース・ドレイン配線１２，２１間のソース・ドレイン配線材と不純物を含む半導体層とを選択的に除去するので、絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ特性を大きく左右するチャネルの長さ（現在の量産品で４〜６μｍ）を決定する工程である。このチャネル長の長さの変動は絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流値を大きく変化させるので、通常は厳しい製造管理を要求されるが、チャネル長、すなわちハーフトーン露光領域のパターン寸法は露光量（光源強度とフォマスクのパターン精度、特にライン＆スペース寸法）、感光性樹脂の塗布厚、感光性樹脂の現象処理、および当該のエッチング工程における感光性樹脂の膜減り量等多くのパラメータに左右され、加えてこれら諸量の面内均一性もあいまって必ずしも歩留高く安定して生産できるわけではなく、従来の製造管理よりも一段と厳しい製造管理が必要となり、決して高度に完成したレベルにあるとは言えないのが現状である。特にチャネル長が６μｍ以下ではレジストパターンの膜厚減少に伴って発生するパターン寸法の影響が大きくその傾向が顕著となる。

本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、従来の５枚マスク・プロセスや４枚マスク・プロセスに共通するコンタクト形成時の不具合を回避するだけでなく、製造マージンの大きいハーフトーン露光技術を採用して製造工程の削減を実現するものである。また液晶パネルの低価格化を実現し、需要の増大に対応していくためにも製造工程数の更なる削減を鋭意追求していく必要性があることは明白であり、他の主要な製造工程を簡略化あるいは低コスト化する技術を付与することによりさらに本発明の価値を高めんとするものである。

本発明においては先ず、ハーフトーン露光技術を絵素電極の形成工程と信号線の工程に適用することで製造工程の削減を図っている。次に、ソース・ドレイン配線のみを有効にパシベーションするために先行技術である特開平２−２１６１２９号公報に開示されているアルミニウムよりなるソース・ドレイン配線の表面に絶縁層を形成する陽極酸化技術と融合させてプロセスの合理化と低温化を実現せんとするものである。あるいはハーフトーン露光技術を用いて信号線上にのみ感光性有機絶縁層を選択的に残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする合理化を実現している。また更なる工程削減のためにコンタクトの形成工程と半導体層またはエッチストップ層の形成工程、走査線の形成工程と半導体層またはエッチストップ層の形成工程、あるいは走査線の形成工程とコンタクト形成工程をハーフトーン露光技術により同一のフォトマスクで処理する技術と組み合わせている。
特開平２−２１６１２９号公報

請求項１に記載の液晶表示装置は、一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのソース配線がチャネルとなる不純物を含まない第１の半導体層に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を介して接続され、
透明導電性の絵素電極が前記第１の半導体層に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を介して接続されていることを特徴とする。

この構成により信号線は透明導電層と低抵抗金属との積層で構成され、信号線の抵抗値を下げることが容易となる。これは本発明の液晶表示装置に共通する構造的な特徴である。既に述べたように絶縁ゲート型トランジスタにはエッチストップ型とチャネルエッチ型の２種類があり、その型に応じて様々な液晶表示装置の実施形態を構成することが可能であるのでそれを請求項２から請求項２１で具体的に述べることとする。

請求項２に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、ソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されて最低限のパシベーション機能が付与されるためパシベーション絶縁層をガラス基板の全面に被着する必要は無くなり、絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性が問題となることはなくなる。そして透明導電性の電極端子を有するＴＮ型の液晶表示装置が得られ、これは本発明の液晶表示装置に共通する特徴となる。

請求項３に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、ソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されており、請求項２に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られ、信号線上の絶縁層の構成を除くと請求項２に記載の液晶表示装置と酷似している。

請求項４に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、ソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されて最低限のパシベーション機能が付与されるので請求項２に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られ、走査線の電極端子部の構成を除くと請求項２に記載の液晶表示装置と酷似している。

請求項５に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、ソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されており、走査線の電極端子部の構成を除くと請求項３に記載の液晶表示装置と酷似している。

請求項６に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の保護絶縁層と第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりコンタクトは走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されて最低限のパシベーション機能が付与されており、請求項２に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項７に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の保護絶縁層と第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりコンタクトは走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されており、請求項３に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項８に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりチャネルの保護絶縁層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されて最低限のパシベーション機能が付与されており、請求項２に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項９に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりチャネルの保護絶縁層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されており、請求項３に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１０に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりソース・ドレイン電極はゲート電極上に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には感光性有機絶縁層が形成されて最低限のパシベーション機能が付与されており、請求項２に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１１に記載の液晶表示装置は同じく
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の（その側面に陽極酸化層と酸化シリコン層を各々有する）耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりソース・ドレイン電極はゲート電極上に形成されるとともにゲート絶縁層は走査線と同一のパターン幅で形成され、走査線の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて、走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には保護絶縁層が形成されてチャネルを保護するとともに信号線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与されており、請求項３に記載の液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１２に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、アクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護している。また走査線と信号線の電極端子には透明導電層と低抵抗金属層の何れを選択しても良い。

請求項１３に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでゲート絶縁層上に形成されるが、ソース・ドレイン間のチャネル上には酸化シリコン層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与され、請求項３に記載のＴＮ型液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１４に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成によりコンタクトは走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そして透明導アクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護している。また走査線と信号線の電極端子には透明導電層と低抵抗金属層の何れを選択しても良い。

請求項１５に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成によりコンタクトは走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には酸化シリコン層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与され、請求項３に記載のＴＮ型液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１６に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成により半導体層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてアクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護している。また走査線と信号線の電極端子には透明導電層と低抵抗金属層の何れを選択しても良い。

請求項１７に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により半導体層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には酸化シリコン層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与され、請求項３に記載のＴＮ型液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項１８に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第１の半導体層が形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成により半導体層はゲート電極上にゲート電極よりもわずかに幅細くされ、ゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてアクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護している。また走査線と信号線の電極端子には透明導電層と低抵抗金属層の何れを選択しても良い。

請求項１９に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第１の半導体層が形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により半導体層はゲート電極上にゲート電極よりもわずかに幅細くされ、ゲート絶縁層はゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には酸化シリコン層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与され、請求項３に記載のＴＮ型液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項２０に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上にゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層が形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上には不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
走査線と信号線の交差点上の第１の半導体層には不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上と走査線と信号線の交差点上の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で走査線の一部上に透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。

この構成により半導体層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極上と走査線と信号線の交差点近傍上にのみゲート電極と同一のパターン幅で形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてアクティブ基板上には従来通りのパシベーション絶縁層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとソース・ドレイン配線を保護している。また走査線と信号線の電極端子には透明導電層と低抵抗金属層の何れを選択しても良い。

請求項２１に記載の液晶表示装置は同じく、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の陽極酸可能な第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上に１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層が形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上には絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
走査線と信号線の交差点を除く走査線と信号線の交差点近傍上の第１の半導体層上には酸化シリコン層が形成され、
走査線と信号線の交差点上の第１の半導体層にはその側面に酸化シリコン層を有する第２の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する耐熱金属層が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上と前記走査線と信号線の交差点上の耐熱金属層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で走査線の一部上に透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
前記走査線の電極端子を除いて走査線上に陽極酸化層が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする。

この構成により半導体層は走査線と自己整合的に形成されるとともにゲート絶縁層はゲート電極上と走査線と信号線の交差点近傍上にのみゲート電極と同一のパターン幅で形成され、走査線と信号線との交差領域近傍を除いて走査線上には走査線の陽極酸化層が形成され、ゲート電極（走査線）の側面にはゲート絶縁層とは別の絶縁層が付与されて走査線と信号線との交差が可能となる。なお透明導電性の絵素電極は信号線と同時に形成されるのでガラス基板上に形成される。そしてソース・ドレイン間のチャネル上には酸化シリコン層が形成されて絶縁ゲート型トランジスタのチャネルを保護するとともに信号線とドレイン配線の表面には絶縁性の陽極酸化層である例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成されてパシベーション機能が付与され、請求項３に記載のＴＮ型液晶表示装置と同様の効果が得られる。

請求項２２に記載の液晶画像表示装置は走査線の側面に形成された絶縁層が有機絶縁層であることを特徴とする請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０及び請求項２１に記載の液晶表示装置である。この構成により走査線の材質や構成によらず走査線の側面に電着法により有機絶縁層を形成する事ができて、ハーフトーン露光技術を用いて走査線の形成工程とコンタクトの形成工程及び走査線の形成工程とエッチストップ層または半導体層の形成工程を１枚のフォトマスクで連続して処理する事が可能となる。

請求項２３に記載の液晶画像表示装置は第１の金属層が陽極酸化可能な金属層よりなり走査線の側面に形成された絶縁層が陽極酸化層であることを特徴とする請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０及び請求項２１に記載の液晶表示装置である。この構成により走査線の側面に陽極酸化により陽極酸化層を形成する事ができて、ハーフトーン露光技術を用いて走査線の形成工程とコンタクトの形成工程及び走査線の形成工程とエッチストップ層または半導体層の形成工程を１枚のフォトマスクで連続して処理する事が可能となる。

請求項２４は請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すこと工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされる結果、５枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

請求項２５は請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減もなされる結果、５枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項２６も請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項２７も請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項２８は請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりエッチストップ層とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、エッチストップ層とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項２９は請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりエッチストップ層とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、エッチストップ層とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３０は請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３１は請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、エッチストップ層を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３２は請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とエッチストップ層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とエッチストップ層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３３は請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とエッチストップ層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とエッチストップ層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３４は請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法であって、エッチストップ層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残す工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に感光性有機絶縁層を残すことでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３５は請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、エッチストップ層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際して信号線上にのみ選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３６は請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減がなされる結果、５枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を作製する事ができる。

請求項３７は請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、半導体層を形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際してチャネル上と信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減がなされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３８も請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項３９も請求項１３に記載の液晶表示装置の製造方法であって、走査線を形成する工程と、ハーフトーン露光技術によりコンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際してチャネル上と信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、コンタクトと半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４０は請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４１は請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、半導体層を形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際してチャネル上と信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４２は請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、４枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４３は請求項１７に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、コンタクトを形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際してチャネル上と信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４４は請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法であって、半導体層を形成する工程、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

請求項４５は請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法であって、半導体層を形成する工程、ハーフトーン露光技術により走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

請求項４６は請求項２０に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、走査線を露出する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、パシベーション絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する製造工程の削減と、走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成するとともに走査線を露出するのでコンタクト形成をも不要とする製造工程の削減が同時になされ、３枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

請求項４７は請求項２１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、ハーフトーン露光技術により走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、走査線を露出する工程と、ハーフトーン露光技術により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成する工程と、チャネルと信号線以外の素子を陽極酸化から保護する工程を有することを特徴とする。

この構成により絵素電極と信号線を１枚のフォトマスクを用いて形成するに際してチャネル上と信号線上に選択的に陽極酸化層を形成することでパシベーション絶縁層の形成を不要とする製造工程の削減と、走査線と半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成するとともに走査線を露出するのでコンタクト形成をも不要とする製造工程の削減が同時になされ、２枚のフォトマスクを用いてＴＮ型の液晶表示装置を製造することが可能となる。

本発明に記載の液晶表示装置の一部では絶縁ゲート型トランジスタはチャネル上に保護絶縁層を有しているので、画像表示部内の透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線上にのみ感光性有機絶縁層を選択的に形成するか、あるいは透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線を陽極酸化してその表面に絶縁層を形成することでアクティブ基板にはパシベーション機能が与えられる。同様に本発明に記載の液晶表示装置の他の一部ではチャネル上に陽極酸化により酸化シリコン層が形成されるので、透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線をチャネルと同時に陽極酸化してその表面に絶縁層を形成することでアクティブ基板にはパシベーション機能が与えられる。したがってこれらの液晶表示装置を構成するアクティブ基板の作製に当たりパシベーション絶縁層の形成工程が不要となるだけでなく、格別な加熱工程を伴わず、非晶質シリコン層を半導体層とする絶縁ゲート型トランジスタに過度の耐熱性を必要としない。換言すればパシベーション形成で電気的な性能の劣化を生じない効果が付加されている。また、信号線上にのみ感光性有機絶縁層または陽極酸化層を形成するに当たり、ハーフトーン露光技術の導入により走査線や信号線の電極端子上を選択的に保護することが可能となり写真食刻工程数の増加を阻止できる格別の効果が得られる。

ハーフトーン露光技術の導入により透明導電層と低抵抗金属層の積層よりなるソース・ドレイン配線を形成した後、ドレイン配線上の低抵抗金属層を選択的に除去することで絵素電極を形成する工程削減は本発明の主眼点であり、走査線と信号線の電極端子が透明導電層で構成されるという構造的な特徴が生まれる。

加えてコンタクトとエッチストップ層または半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する合理化技術、走査線とコンタクトを１枚のフォトマスクを用いて形成する合理化技術、さらには走査線とエッチストップ層または半導体層を１枚のフォトマスクを用いて形成する合理化技術との組合せもあいまって、写真食刻工程数を従来の５回よりさらに削減できて４枚あるいは３枚のフォトマスクを用いて液晶表示装置を作製することが可能となり、液晶表示装置のコスト削減の観点からも工業的な価値は極めて大きい。しかもこれらの工程のパターン精度はさほど高くないので歩留や品質に大きな影響を与えない事も生産管理を容易なものとしてくれる。

なお本発明の要件は上記の説明からも明らかなようにアクティブ基板の作製に当たり信号線と絵素電極の形成工程をハーフトーン露光技術の導入により透明導電層と低抵抗金属層の積層よりなるソース・ドレイン配線を形成した後、ドレイン配線上の低抵抗金属層を選択的に除去することで絵素電極を形成した点にあり、それ以外の構成に関しては走査線、ゲート絶縁層等の材質や膜厚等が異なった表示装置用半導体装置、あるいはその製造方法の差異も本発明の範疇に属することは自明であり、垂直配向の液晶を用いた液晶表示装置や反射型の液晶表示装置においても本発明の有用性は変らず、また絶縁ゲート型トランジスタの半導体層も非晶質シリコンに限定されるものでないことも明らかである。

本発明の実施例を図１〜図５３に基づいて説明する。図１に本発明の実施例１に係る表示装置用半導体装置（アクティブ基板）の平面図を示し、図２に図１のＡ−Ａ’線上とＢ−Ｂ’線上及びＣ−Ｃ’線上の製造工程の断面図を示す。同様に実施例２は図３と図４、実施例３は図５と図６、実施例４は図７と図８、実施例５は図９と図１０、実施例６は図１１と図１２、実施例７は図１３と図１４、実施例８は図１５と図１６、実施例９は図１７と図１８、実施例１０は図１９と図２０、実施例１１は図２１と図２２、実施例１２は図２３と図２４、実施例１２は図２３と図２４、実施例１２は図２３と図２４、実施例１２は図２３と図２４、実施例１２は図２３と図２４、実施例１３は図２５と図２６、実施例１４は図２７と図２８、実施例１５は図２９と図３０、実施例１６は図３１と図３２、実施例１７は図３３と図３４、実施例１８は図３５と図３６、実施例１９は図３７と図３８、実施例２０は図３９と図４０、実施例２１は図４１と図４２、実施例２２は図４３と図４４、実施例２３は図４５と図４６、実施例２４は図４７と図４８とで夫々アクティブ基板の平面図と製造工程の断面図を示す。なお従来例と同一の部位については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

実施例１では従来例と同様に先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。必要であれば低抵抗化のためにＡＬまたはＡＬ合金と耐熱性の高いこれらの金属との積層とすれば良いことは言うまでも無い。そして図１（ａ）と図２（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、図１（ｂ）と図２（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残してチャネル保護層（またはエッチストップ層あるいは保護絶縁層）３２Ｄとし、第１の非晶質シリコン層３１を露出する。

続いて、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図１（ｃ）と図２（ｃ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上にゲート電極１１Ａよりも幅太く耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域を形成してゲート絶縁層３０を露出する。

引き続き、図１（ｄ）と図２（ｄ）に示したように微細加工技術により画像表示部外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上に選択的に開口部６３Ａ，６５Ａを形成し、前記開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０を食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

そしてガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、微細加工技術により感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬ薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１（ｅ）と図２（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで透明導電層９１Ａと低抵抗金属層３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、透明導電層９１Ｂと低抵抗金属層３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。このように耐熱金属層３４Ａはこの工程で一対の電極３４Ａ１、３４Ａ２（共に図示せず）に分割され、信号線１２は一方の電極３４Ａ１を、また絵素電極２２は他方の電極３４Ａ２を含んで形成されることにより夫々絶縁ゲート型トランジスタのソース電極、ドレイン電極として機能する。以降の説明では省略するが、同様に蓄積容量線１６の一部７５を含んで番号は付与しないが蓄積容量線１６の電極端子も形成する。

この時に信号線１２上の領域８６Ａ（黒領域）の膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の領域８６Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが第１の実施例の重要な特徴である。電極端子５，６に対応した８６Ｂの最小寸法は数１０μｍと大きく、フォトマスク製作もまたその仕上がり寸法管理も極めて容易であるが、信号線１２に対応した領域８６Ａの最小寸法は４〜８μｍと比較的寸法精度が高いので黒領域としては細いパターンを必要とする。しかしながら合理化された従来例で説明したように１回の露光処理と２回の食刻処理で形成されたソース・ドレイン配線１２，２１と比較すると、本発明のソース・ドレイン配線１２，２１は１回の露光処理と１．５回の食刻処理（後述するように２回目の食刻は低抵抗金属層３５Ａ、３５Ｂのみである）で形成されるためにパターン幅の変動する要因が少なく、ソース・ドレイン配線１２，２１の寸法管理も、ソース・ドレイン配線１２，２１間すなわちチャネル長の寸法管理も従来のハーフトーン露光技術よりはパターン精度の管理が容易である。またチャネルエッチ型の絶縁ゲートトランジスタと比較するとエッチストップ型の絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流を決定するのはチャネル保護絶縁層３２Ｄの寸法であってソース・ドレイン配線１２，２１間の寸法ではないことからもプロセス管理がさらに容易となることを理解されたい。

ソース・ドレイン配線１２，２２の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失して絵素電極（ドレイン電極）２２と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができるが、上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８６Ｃが等方的に膜減りして感光性樹脂パターン８６Ｃのパターン幅が細くなると信号線１２の上面が露出し、液晶表示装置としての信頼性が低下するので酸素プラズマ処理にはＲＩＥ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓａｍａ）方式やＴＣＰ（ＴｒａｎｓｆｅｒＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓａｍａ）方式の酸素プラズマ処理で異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。そして膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図１（ｆ）と図２（ｆ）に示したように透明導電性の電極９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々電極端子６Ａ，絵素電極２２及び電極端子５Ａが得られる。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１が完了する。実施例１では感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切であり、感光性有機絶縁層の材質によっては加熱することで流動化させて信号線１２の側面を覆うように構成することも可能で、この場合には液晶パネルとして信頼性が一段と向上する。蓄積容量１５の構成に関しては図１（ｆ）に示したように絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、前段の走査線１１と絵素電極２２との間にゲート絶縁層３０を含む絶縁層を介して構成しても良い。静電気対策は図１（ｆ）に示したようにアクティブ基板２の外周に静電気対策用の透明導電層パターン４０を配置し、透明導電層パターン４０を透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａに接続して構成する従来例の静電気対策でも良いが、ゲート絶縁層３０への開口部形成工程が付与されているのでその他の静電気対策も容易である。

実施例１では信号線１２上のみに有機絶縁層を形成して絵素電極２２は導電性を保ったまま露出しているが、これでも十分な信頼性が得られる理由は液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、カラーフィルタの対向面上に形成された対向電極１４と絵素電極２２との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。

このように実施例１では感光性有機絶縁層を用いてソース・ドレイン配線を形成し、かつ信号線１２上にのみ感光性有機絶縁層をそのまま残しており、従来の製造方法と比較するとソース・ドレイン配線を形成するための感光性樹脂パターンの除去工程と、パシベーション絶縁層の形成工程と、パシベーション絶縁層への開口部形成工程を不要とする製造工程の削減を推進している。しかしながら有機絶縁層の厚みが通常は１μｍ以上あるので高精細パネルで画素が小さい場合にはラビング布を用いた配向膜の配向処理でその段差が非配向状態をもたらす、あるいは液晶セルのギャップ精度の確保に支障が出る恐れもある。そこで実施例２では最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。

実施例２では図３（ｄ）と図４（ｄ）に示したように走査線１１と蓄積容量線１６へのコンタクト６３Ａ，６５Ａの形成工程までは実施例１と同一の製造工程で進行する。ただし、耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図３（ｅ）と図４（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで透明導電層９１Ａと低抵抗金属層３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、透明導電層９１Ｂと低抵抗金属層３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。この時にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の領域８７Ａ（黒領域）の膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の領域８７Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例２の重要な特徴である。

ソース・ドレイン配線１２，２２の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８７Ｃのパターン幅が細くなっても大きなパターン寸法を有する絵素電極２２と電極端子５，６の周囲に陽極酸化層が形成されるだけで、電気特性と歩留及び品質に与える影響は殆ど無いのは特筆すべき特徴である。そして感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図３（ｆ）と図４（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層を形成する。信号線１２の上面には低抵抗金属層であるＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａが、またチャネル側の一方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａと透明導電層９１Ａと耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａ１（図示せず）と第２の非晶質シリコン層３３Ａとの積層が、そしてチャネルと反対側の他方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａと透明導電層９１Ａとの積層が露出しており、陽極酸化によってＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａは絶縁層であるアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）または酸化アルミニウム６９（１２）に、図示はしないがＴｉ薄膜層３４Ａ１は半導体である酸化チタン（ＴｉＯ２）６８（１２）に、そして同じく図示はしないが第２の非晶質シリコン層３３Ａは不純物を含む酸化シリコン層（ＳｉＯ２）６６に夫々変質する。絵素電極２２の上面は感光性樹脂パターン８７Ｃで覆われており、またチャネル側の一方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ｂと透明導電層９１Ｂと耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａ２（図示せず）と第２の非晶質シリコン層３３Ａとの積層が、チャネルと反対側の他方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ｂと透明導電層９１Ｂとの積層が露出しており、同様にこれらの薄膜の陽極酸化層が形成される。酸化チタン層６８は絶縁層ではないが膜厚が極めて薄く露出面積も小さいのでパシベーション上はまず問題とならないが、耐熱金属薄膜層３４ＡもＴａを選択しておくことが望ましい。しかしながらＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を吸収してオーミック接触を容易にする機能に欠ける特性に注意する必要がある。ＩＺＯまたはＩＴＯよりなる透明導電層９１Ａは陽極酸化しても絶縁性の酸化層が形成される事は無い。

信号線１２の陽極酸化時、絵素電極９１Ｂ上の低抵抗金属層３５Ｂの側面には絶縁層であるアルミナ６９（３５Ｂ）が形成され、静電気対策で走査線と信号線の電極端子５，６間が導電性媒体で接続されていれば導電性媒体を通して信号線１２から化成電流が流れるので低抵抗金属層３５Ｃよりなる電極端子５の側面には同じく６９（３５Ｃ）が形成される。ただし、導電性媒体の抵抗値が一般的には高いので６９（３５Ｃ）の膜厚は通常６９（３５Ｂ）の膜厚よりも一段と薄いものである。

陽極酸化で形成されるアルミナ６９、酸化チタン６８、酸化シリコン層６６の各酸化層の膜厚は配線のパシベーションとしては０．１〜０．２μｍ程度で十分であり、エチレングリコール等の化成液を用いて印可電圧は同じく１００Ｖ超で実現する。陽極酸化層６９（１２）の膜厚は０．１〜０．２μｍ程度で十分なパシベーション性能が得られるので、配向処理で不具合が生ずる恐れは皆無である。ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸化に当たって留意すべき事項は、図示はしないが全ての信号線１２は電気的に並列または直列に形成されている必要があり、後に続く製造工程の何処かでこの直並列を解除しないとアクティブ基板２の電気検査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支障があることは言うまでもないだろう。これは以降の実施例でも共通する事項で、解除手段としてはレーザ光の照射による蒸散、またはスクライブによる機械的切除が簡易的であるが詳細な説明は省略する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図３（ｇ）と図４（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなるドレイン電極（絵素電極）と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図３（ｈ）と図４（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。なお、絵素電極２２（３５Ｂ）の側面と走査線の電極端子５の側面の陽極酸化層６９（３５Ｂ）と６９（３５Ｃ）は存在母体（３５Ｂ，３５Ｃ）が消失するのでリフトオフされて消失する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１と同一である。

実施例２では信号線１２上のみに陽極酸化層を形成して絵素電極２２は導電性を保ったまま露出しているが、これでも十分な信頼性が得られる理由は液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、カラーフィルタの対向面上に形成された対向電極１４と絵素電極２２との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。厳密に述べると信号線１２の下側面には透明導電層９１Ａが露出しているが、その露出量は精々０．１μｍの幅と小さく、例えば信号線１２のパターン幅が４μｍとすると、およそ１／４０しかないので信号線１２の上面に絶縁層が形成されていれば、露出している透明導電層９１Ａからの直流成分で液晶が劣化することは無視して良い程である。

実施例１と実施例２では絵素電極と信号線の同時形成並びにパシベーション絶縁層を不要とする工程削減を実現したがアクティブ基板の製作に必要なマスク枚数は５枚止まりに過ぎない。その他の主要工程を合理化して更なる低コスト化を実現する事が本発明の主題であり、以下の実施例では絵素電極と信号線の同時形成並びにパシベーション絶縁層を不要とする工程削減を維持しつつ他の主要工程を合理化して４枚マスク・プロセスさらには３枚マスク・プロセスを実現する創意・発明について説明する。

実施例３では図５（ｂ）と図６（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に残して３２Ｄ（エッチストップ層、チャネル保護層、保護絶縁層）とし、第１の非晶質シリコン層３１を露出するまでは実施例１と同一の製造工程で進行する。

続いて、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、画像表示部外の領域で走査線１１と蓄積容量線１６のコンタクト形成領域上に開口部６３Ａ，６５Ａを有するとともに絶縁ゲート型トランジスタの半導体層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８１Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８１Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。そして図５（ｃ）と図６（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内に露出している耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１を順次食刻し、開口部６３Ａ，６５Ａ内にゲート絶縁層３０を露出する。走査線１１の電極端子は最大で駆動用ＬＳＩの電極ピッチの半分程度まで、通常２０μｍ以上の大きさを有するので開口部６３Ａ，６５Ａ（白領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も極めて容易である。

続いて、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂを１μｍ以上膜減りさせると、図５（ｄ）と図６（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ｂが消失して耐熱金属層３４が露出すると共にゲート電極１１Ａ上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをそのまま残すことができる。エッチストップ層３２Ｄ、ゲート電極１１Ａ、島状半導体層形成領域（８１Ｃ）の順にパターン幅がマスク合わせ精度（通常２〜３μｍ）分太くなっており、ソース・ドレイン配線１２，２１のマスク合わせではエッチストップ層３２Ｄを基準にマスク合わせを行うので半導体層形成領域が多少小さくなっても絶縁ゲート型トランジスタがオフセットして動作不能になるとか、絶縁ゲート型トランジスタの電気的な特性が大きく変化する影響は無いので半導体層形成領域、すなわち８１Ｃの寸法変化にさほど注意する必要は無い。

引き続いて、図５（ｅ）と図６（ｅ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをマスクとして耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１をゲート１１電極Ａ上にゲート１１電極Ａよりも幅広く選択的に残して夫々島状３４Ａ，３３Ａ，３１Ａとし、ゲート絶縁層３０を露出する。感光性樹脂パターン８１Ｃ（黒領域）、すなわち半導体層形成領域３４Ａの大きさは最小寸法でも１６μｍの大きさを有し、白領域と黒領域以外の領域をハーフトーン露光領域とするフォトマスクの作製が容易なだけでなく、半導体層形成領域３４Ａの寸法精度が変動しても絶縁ゲート型トランジスタの電気特性の変動はほとんど無いのでプロセス管理が容易となることを理解されたい。

この時、開口部６３Ａ，６５Ａのエッチング状況は次に記載する通りであり、最終的には開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５が夫々露出する。耐熱金属層３４の食刻には通常塩素系のガスを用いたドライエッチ（乾式食刻）が採用されるが、その時にＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０は耐性を持ち殆ど膜減りしないので先ず耐熱金属層３４が除去されてガラス基板２の全面に第２の非晶質シリコン層３３が露出する。次に第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の食刻には弗素系のガスを用いたドライエッチが採用されるが、その時にＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０は非晶質シリコン層３３，３１よりも若干速く（３倍程度）食刻されるプロセス条件を適用する事により、第２の非晶質シリコン層３３（膜厚０．０５μｍ）と第１の非晶質シリコン層３１（膜厚０．０５μｍ）の食刻が終ると開口部６３Ａ，６５Ａ内のＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０（膜厚０．３μｍ）の食刻が終わり、開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５が夫々露出する。

この適切な食刻速度比よりも速く第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の食刻が終る場合には過食刻で開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０を除去しなければならないが、その場合には既にガラス基板２の全面にゲート絶縁層３０が露出しており、全体としてゲート絶縁層３０が膜減りして後続の製造工程で形成されるソース・ドレイン配線１２，２１と走査線１１との層間短絡や絵素電極２２と蓄積容量線１６との層間短絡が生じ易く歩留を下げるので、対策としては信号線１２と走査線１１との交点近傍と蓄積容量線１６上に図示はしないが半導体層形成領域と同様に耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１よりなる積層を残してゲート絶縁層３０の膜減りを防止することができる。すなわちパターン設計による歩留確保が可能である。

半導体層形成領域の食刻時に耐熱金属層３４の食刻ガスまたは食刻液が露出している走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を食刻する速度が極めて低い場合、例えば耐熱金属層３４がＣｒ，Ｍｏで（Ｃｒの食刻液には過塩素酸と硝酸セリウムの混合液、Ｍｏの食刻液には過酸化水素水に微量のアンモニアを添加した食刻液を用いる）、走査線１１がＡＬ合金のような場合には、図５（ｃ）と図６（ｃ）においてゲート絶縁層３０も一気に連続して食刻して開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１と蓄積容量線１６の一部７３と７５を夫々露出し、その後酸素プラズマ処理を行い、膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをマスクとして上記の食刻液を用いて耐熱金属層３４（Ｃｒ，Ｍｏ）を除去し、次にドライエッチで第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１を食刻してゲート絶縁層３０を露出することが可能であるが、一般的に言ってドライエッチでは食刻液程の選択比が得られないので、その場合には当初に記載した食刻方法を採用する事になる。

前記感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後は実施例１と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図５（ｆ）と図６（ｆ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去して、図５（ｇ）と図６（ｇ）に示したように透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを形成する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例３が完了する。実施例３でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては図５（ｇ）に示したように、実施例１と同様に絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しているが、既に述べたようにゲート絶縁層３０に加えて耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の積層を介在させることも容易である。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施例４では実施例３に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例４では図７（ｅ）と図８（ｅ）に示したようにゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域と、画像表示外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上にコンタクト６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例３と同一の製造工程で進行する。ただし、耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。また誌面の関係から図７（ｄ）と図８（ｄ）は記載を略す。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極２１上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍで、信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図７（ｆ）と図８（ｆ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図７（ｇ）と図８（ｇ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図７（ｈ）と図８（ｈ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図７（ｉ）と図８（ｉ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例４が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例３と同一である。

このように実施例３と実施例４では半導体層の形成工程とコンタクトの形成工程とをハーフトーン露光技術を用いて同一のフォトマスクで処理する事により製造工程の削減を推進し、４枚のフォトマスクを用いて液表表示装置を得ているが、ハーフトーン露光技術を別の主要工程に適用することで異なった内容の４枚マスク・プロセスも可能であるので、それを以下に説明する。

実施例５では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。そして図９（ａ）と図９（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、そして図９（ｂ）と図１０（ｂ）に示したように画像表示部外の領域で走査線１１と蓄積容量線１６のコンタクト形成領域上に開口部６３Ａ，６５Ａを有するとともに保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８５Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８５Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８５Ａ，８５Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８５Ａ，８５Ｂをマスクとして開口部６３Ａ，開口部６５Ａ内の第２のＳｉＮｘ層３２と第１の非晶質シリコン層３１とゲート絶縁層である第１のＳｉＮｘ層３０を選択的に除去して走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。すなわち走査線１１と蓄積容量線１６にコンタクトを形成する。走査線１１の電極端子は最大で駆動用ＬＳＩの電極ピッチの半分程度まで、通常２０μｍ以上の大きさを有するので開口部６３Ａ，６５Ｂ（白領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も極めて容易である。

続いて、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８５Ａ，８５Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８５Ｂが消失し、第２のＳｉＮｘ層３２が露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８５Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８５Ｃ、すなわちエッチストップ層のパターン幅はソース・ドレイン配線間の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ソース・ドレイン配線間を４〜６μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると１０〜１２μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。しかしながらレジストパターン８５Ａから８５Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、ソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８５Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましいことも既に述べた通りである。

引き続き図９（ｃ）と図１０（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８５Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２をゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に食刻してエッチストップ層３２Ｄとするとともに第１の非晶質シリコン層３１を露出する。保護絶縁層形成領域、すなわち感光性樹脂パターン８５Ｃ（黒領域）の大きさは最小寸法でも１０μｍの大きさを有し、白領域と黒領域以外の領域をハーフトーン露光領域とするフォトマスクの作製が容易なだけでなく、チャネルエッチ型の絶縁ゲートトランジスタと比較すると絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流を決定するのはチャネル保護絶縁層３２Ｄの寸法であってソース・ドレイン配線１２，２１間の寸法ではないことからもプロセス管理がさらに容易となることを理解されたい。具体的には例えばチャネルエッチ型においてソース・ドレイン配線間の寸法が５±１μｍとなり、エッチストップ型における保護絶縁層の寸法が１０±１μｍとなるような同一の現像条件の下ではＯＮ電流の変動量は略半減する。

前記感光性樹脂パターン８５Ｃを除去し、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着した後、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図９（ｄ）と図１０（ｄ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上にゲート電極１１Ａよりも幅太く耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域を形成してゲート絶縁層３０を露出する。この時、開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃとの積層よりなる中間電極も形成するのが一般的である。この結果、中間電極下の開口部６３Ａの周囲には第１の非晶質シリコン層３１Ｃが部分的に形成されて残る。

第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃの形成時に走査線の一部７３上にコンタクト抵抗を高めるような反応性生物が生じないような走査線材料あるいはエッチング方式であれば、上記中間電極を形成せずに走査線の一部７３をそのまま露出させておくことも可能であり、その場合のアクティブ基板２の構成は実施例１及び実施例２と同一となり、構成上の差異は無くなることを補足しておく。

ソース・ドレイン配線と絵素電極の形成工程では実施例１と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、微細加工技術により感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図９（ｅ）と図１０（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している中間電極を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

この時に信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例５の重要な特徴となることは言うまでも無い。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができる。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図９（ｆ）と図１０（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａが得られる。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例５が完了する。実施例５でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては図９（ｆ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しており実施例１と同一である。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施例６では実施例５に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例６では図１１（ｄ）と図１２（ｄ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上にゲート電極１１Ａよりも幅太く陽極酸化可能な耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域と開口部６３Ａ，６５Ａを含んで耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃとの積層よりなる中間電極を形成してゲート絶縁層３０を露出するまでは実施例５と同一の製造工程で進行する。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極２１上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１１（ｅ）と図１２（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している中間電極を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図１１（ｆ）と図１２（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図１１（ｇ）と図１２（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図１１（ｈ）と図１２（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例６が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例５と同一である。

このように実施例５と実施例６ではエッチストップ層の形成工程とコンタクトの形成工程とをハーフトーン露光技術を用いて同一のフォトマスクで処理する事により製造工程の削減を推進して４枚のフォトマスクを用いて液晶表示装置を得ているが、さらに異なった内容の４枚マスク・プロセスも可能であるのでそれを以下に説明する。

実施例７では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。以降の説明で明確になるが実施例７においては走査線の側面に形成される絶縁層に有機絶縁層を選択する場合には走査線材料がもたらす制約はほとんど無いが、走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、そして図１３（ａ）と図１４（ａ）に示したように開口部６３Ａ，６５Ａに対応したコンタクト形成領域８２Ｂの膜厚が例えば１μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８２Ａの膜厚２μｍより薄い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層を選択的に除去してガラス基板２を露出する。コンタクトの大きさは電極端子に匹敵する通常１０μｍ以上の大きさを有するので８２Ｂ（中間調領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も容易である。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図１３（ｂ）と図１４（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｂが消失して開口部６３Ａ，６５Ａ内の第２のＳｉＮｘ層３２Ａ，３２Ｂが露出すると共に走査線１１上と蓄積容量線１６上に膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８２Ｃ（黒領域）、すなわちゲート電極１１Ａのパターン幅は保護絶縁層の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、チャネルの保護絶縁層を１０〜１２μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると最小でも１６〜１８μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。また走査線１１と蓄積容量線１６のパターン幅も抵抗値の関係から通常１０μｍ以上に設定される。しかしながらレジストパターン８２Ａから８２Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続の保護絶縁層形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８２Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。

引き続き図１４（ｂ）に示したようにゲート電極１１Ａ（走査線１１）の側面に絶縁層７６を形成する。このためには図４９に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に走査線１１に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１とシリコン窒化層３０，３２の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に鋭い刃先を有する鰐口クリップ等の接続手段を用いて接続パターン７８上の感光性樹脂パターン８２Ｃ（７８）を突き破り＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと、走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合には文献、月間「高分子加工」２００２年１１月号にも示されているようにペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。露出している走査線１１と蓄積容量線１６の側面への絶縁層形成に当たって留意すべき事項は、後に続く製造工程の何処かで少なくとも走査線１１の並列を解除しないとアクティブ基板２の電気検査のみならず、液晶表示装置としての実動作に支障があることは言うまでもないだろう。解除手段としてはレーザ光の照射による蒸散、またはスクライブによる機械的切除が簡易的であるが詳細な説明は省略する。
月間「高分子加工」２００２年１１月号

絶縁層７６の形成後、図１３（ｃ）と図１４（ｃ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内の第２のＳｉＮｘ層３２Ａ，３２Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂとゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを選択的に食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後、図１３（ｄ）と図１４（ｄ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上の第２のＳｉＮｘ層３２Ａをゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に食刻してエッチストップ層（またはチャネル保護層あるいは保護絶縁層）３２Ｄとするとともに走査線１１上の第１の非晶質シリコン層３１Ａと蓄積容量線１６上の第１の非晶質シリコン層３１Ｂを露出する。この時、図示はしないが必要とあらば露出している走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５は感光性樹脂で覆っておけば走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５が第２のＳｉＮｘ層３２Ａの食刻時に膜減りする、あるいは変質すると言った不具合は容易に回避できる。すなわち開口部６３Ａ，６５Ａの周囲に第２のＳｉＮｘ層３２Ｃが残ってしまうが、走査線１１へのコンタクト性に関しては何ら支障の無いものである。

その後、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図１３（ｅ）と図１４（ｅ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａを含んでゲート電極１１Ａよりも幅太く耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａとの積層よりなる半導体層領域を選択的に形成してガラス基板２を露出するとともに過食刻により走査線１１上と蓄積容量線１６上の第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂも除去して夫々ゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを露出する。この時に開口部６３Ａ，６５Ａを含んで耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃとの積層よりなる中間電極も形成する。

ソース・ドレイン配線と絵素電極の形成工程では実施例１と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、微細加工技術により感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１３（ｆ）と図１４（ｆ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している中間電極を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

この時に信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例７の重要な特徴となることは言うまでも無い。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができる。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図１３（ｇ）と図１４（ｇ）に示したように透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａが得られる。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例７が完了する。実施例７でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては図１３（ｇ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、前段の走査線１１と絵素電極２２との間にゲート絶縁層３０Ａを含む絶縁層を介して構成しても良い。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施例８では実施例７に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例８では図１５（ｅ）と図１６（ｅ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａを含んでゲート電極１１Ａよりも幅太く陽極酸化可能な耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａとの積層よりなる半導体領域と開口部６３Ａ，６５Ａを含んで耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃとの積層よりなる中間電極を形成してガラス基板２を露出するまでは実施例５と同一の製造工程で進行する。ただし誌面の関係で図１５（ｃ）と図１６（ｃ）は記載を省略している。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術により電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍとソース・ドレイン配線１２，２１上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１５（ｆ）と図１６（ｆ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している中間電極を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図１５（ｇ）と図１６（ｇ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図１５（ｈ）と図１６（ｈ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図１５（ｉ）と図１６（ｉ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例８が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例７と同一である。

このように実施例７と実施例８では走査線の形成工程とコンタクトの形成工程とをハーフトーン露光技術を用いて同一のフォトマスクで処理する事により製造工程の削減を推進し４枚のフォトマスクを用いて液晶表示装置を得ているが、本発明者は更なる合理化の組合せが存在することを発案するに至り、それによって３枚マスク・プロセスが可能となるのでそれを以下に説明する。

実施例９では実施例７と同様に先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、既に述べたように走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、そして図１７（ａ）と図１８（ａ）に示したように保護絶縁層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８３Ａの膜厚が例えば２μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８３Ｂ上の膜厚１μｍより厚い感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層を選択的に除去してガラス基板２を露出する。走査線１１の線幅は抵抗値の関係から最小でも通常１０μｍ以上の大きさを有するので８３Ｂ（中間調領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も容易である。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８３Ａ，８３Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図１８（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８３Ｂが消失して第２のＳｉＮｘ層３２Ａ，３２Ｂ（図示せず）が露出すると共に保護絶縁層形成領域上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８３Ｃをそのまま残す形成することができる。上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８３Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計する、またはレジストパターン８３Ａのパターン寸法が大きくなるような露光・現像条件でプロセス的な対応を図る等の処置が望ましいことも既に述べた通りである。

引き続き図１７（ｂ）と図１８（ｂ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８３Ｃをマスクとして第２のＳｉＮｘ層３２Ａをゲート電極１１Ａよりも幅細く選択的に食刻してエッチストップ層（またはチャネル保護層あるいは保護絶縁層）３２Ｄとするとともに走査線１１上と蓄積容量線１６上の第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂを夫々露出する。

前記感光性樹脂パターン８３Ｃを除去した後、図１７（ｃ）と図１８（ｃ）に示したようにゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図５０に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１とシリコン窒化層３０，３２の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に刃先の鋭い鰐口クリップ等の接続手段を用いて走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合には先述したようにペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。なお実施例９では絶縁層７６を形成することにより走査線１１上のゲート絶縁層３０Ａに生じているピンホールが絶縁層であるアルミナまたはポリイミド樹脂で埋められるため、走査線１１と後述するソース・ドレイン配線１２，２１との間の層間短絡が抑制され、歩留が向上する副次的な効果もあることを忘れてはならない。

この後は実施例３と同一の製造工程を進行するので説明を簡略に行うが、ＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、画像表示部外の領域で走査線１１と蓄積容量線１６のコンタクト形成領域に開口部６３Ａ，６５Ａを有するとともに絶縁ゲート型トランジスタの半導体層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８１Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８１Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。そして図１７（ｄ）と図１８（ｄ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内に露出している耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂを順次食刻し、開口部６３Ａ，６５Ａ内に夫々ゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを露出する。

続いて、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂを１μｍ以上膜減りさせると、図１７（ｅ）と図１８（ｅ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ｂが消失して耐熱金属層３４が露出すると共にゲート電極１１Ａ上の半導体層形成領域上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをそのまま残すことができる。

引き続いて、図１７（ｆ）と図１８（ｆ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ｃをマスクとして耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３をゲート１１電極Ａよりも幅広く選択的に残して島状３４Ａ，３３Ａとし、ガラス基板２を露出する。エッチストップ層３２Ｄ、ゲート電極１１Ａ、島状半導体層形成領域（８１Ｃ）の順にパターン幅がマスク合わせ精度（通常２〜３μｍ）分太くなっており、ソース・ドレイン配線１２，２１のマスク合わせではエッチストップ層３２Ｄを基準にマスク合わせを行うので半導体層領域が多少小さくなっても絶縁ゲート型トランジスタがオフセットして動作不能になるとか、絶縁ゲート型トランジスタの電気的な特性が大きく変化する影響は無いので半導体層形成領域の寸法変化にさほど注意する必要は無い。

開口部６３Ａ，６５Ａのエッチング状況は実施例３に記載した通りであり、最終的には走査線１１と蓄積容量線１６上のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂに形成された開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１と蓄積容量線１６の一部７３と７５が夫々露出する。

前記感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後は実施例３と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１７（ｇ）と図１８（ｇ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去して、図１７（ｈ）と図１８（ｈ）に示したように透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを形成する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例９が完了する。実施例９でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては図１７（ｈ）に示したように絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しており、実施例７と同一である。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施１０では実施例９に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例１０では図１９（ｆ）と図２０（ｆ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａを含んでゲート電極１１よりも幅太く陽極酸化可能な耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａとの積層よりなる半導体層領域と、画像表示部外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂに夫々コンタクト（開口部）６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例９と同一の製造工程で進行する。ただし、誌面の関係で図１９（ｂ）、図１９（ｅ）、図２０（ｂ）及び図２０（ｅ）は記載を省略する。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａを除去して図１９（ｇ）と図２０（ｇ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出しているコンタクト（開口部）６３Ａ，６５Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図１９（ｈ）と図２０（ｈ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図１９（ｉ）と図２０（ｉ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図１９（ｊ）と図２０（ｊ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１０が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例９と同一である。

このように実施例９と実施例１０では走査線の形成工程とエッチストップ層の形成工程と、コンタクトの形成工程と半導体層の形成工程と、ソース・ドレイン配線の形成工程と絵素電極の形成工程と、全ての写真食刻工程でハーフトーン露光技術を用いて処理する事により３枚のフォトマスクを用いて液表表示装置を得ているが、従来には無い観点から写真食刻工程の順番を入れ替える事によりもう少し製造工程数を削減する事が可能であるので、それを実施例１１と実施例１２で説明する。

実施例１１でも実施例７と同様に先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層９２として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、既に述べたように走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及びチャネルを保護する絶縁層となる第２のＳｉＮｘ層３２と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．０５−０．１μｍ程度の膜厚で順次被着し、そして微細加工技術により最上層の第２のＳｉＮｘ層３２を選択的に食刻して絶縁ゲート型トランジスタの保護絶縁層（またはエッチストップ層あるいはチャネル保護層）となる第２のＳｉＮｘ層３２Ｄとするとともに第１の非晶質シリコン層３１を露出する。その後図２１（ａ）と図２２（ａ）に示したようにＰＣＶＤ装置を用いてガラス基板２の全面に不純物として例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば０．０５μｍ程度の膜厚で被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着する。

続いて図２１（ｂ）と図２２（ｂ）に示したようにコンタクト形成領域８２Ｂである開口部６３Ａ，６５Ａの膜厚が例えば１μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８２Ａ上の膜厚２μｍより薄い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして耐熱金属層３４、第２の非晶質シリコン層層３３、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層９２を選択的に除去してガラス基板２を露出する。コンタクトの大きさは電極端子に匹敵する通常１０μｍ以上の大きさを有するので８２Ｂ（中間調領域）を形成するためのフォトマスクの作製もその仕上がり寸法の精度管理も容易である。

引き続き酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図２１（ｃ）と図２２（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｂが消失して開口部６３Ａ，６５Ａ内の耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂが露出すると共に走査線１１上と蓄積容量線１６上に膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８２Ｃ（黒領域）、すなわちゲート電極１１Ａのパターン幅は保護絶縁層の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、保護絶縁層を１０〜１２μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると最小でも１６〜１８μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。また走査線１１と蓄積容量線１６のパターン幅も抵抗値の関係から通常１０μｍ以上に設定される。しかしながら実施例１１では半導体層の形成工程が無く、半導体層はゲート電極１１Ａ上にゲート電極１１Ａと同じ寸法で形成されるため、レジストパターン８２Ａから８２Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続のソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８２Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。

その後、図２２（ｃ）に示したようにゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図４９に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１，３３とシリコン窒化層３０，３２とＳＰＴによる耐熱金属層３４の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に鋭い刃先を有する鰐口クリップ等の接続手段を用いて接続パターン７８上の感光性樹脂パターン８２Ｃ（７８）を突き破り走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと、走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合にはペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。

絶縁層７６の形成後、図２１（ｄ）と図２２（ｄ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内の耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂと第２の晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂとゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを選択的に食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後は実施例１と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上の８６Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極２１上と電極端子５，６上の８６Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂを除去して図２１（ｅ）と図２２（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａの周囲の耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃと露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８６Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃが露出すると共に信号線１２上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８６Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去して、図２１（ｆ）と図２２（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを形成する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１１が完了する。実施例１１でも感光性樹脂パターン８６Ｃは液晶に接しているので、感光性樹脂パターン８６Ｃはノボラック系の樹脂を主成分とする通常の感光性樹脂ではなく、純度が高く主成分にアクリル樹脂やポリイミド樹脂を含む耐熱性の高い感光性有機絶縁層を用いることが大切である。蓄積容量１５の構成に関しては図２１（ｆ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とが耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施例１２では実施例１１に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例１２では図２３（ｄ）と図２４（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域と、画像表示外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上にコンタクト６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例１１と同一の製造工程で進行する。ただし、耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍで、信号線１２の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂを除去して図２３（ｅ）と図２４（ｅ）に示したようにチャネル保護層３２Ｄと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａの周囲の耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃと露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そこで膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図２３（ｆ）と図２４（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図２３（ｇ）と図２４（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図２３（ｈ）と図２４（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１２が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１１と同一である。

以上述べてきた液晶表示装置において、絶縁ゲート型トランジスタにはエッチストップ型のものが用いられているが、チャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタを用いても本発明の主題である信号線と絵素電極との同時形成は可能であり、それを以下の実施例で記載する。

実施例１３では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。そして図２５（ａ）と図２６（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び例えば不純物として燐を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図２５（ｂ）と図２６（ｂ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１上にゲート電極１１Ａよりも幅太く耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａ及び第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域を選択的に形成してゲート絶縁層３０を露出する。

続いて図２５（ｃ）と図２６（ｃ）に示したように微細加工技術により画像表示部外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上に選択的に開口部６３Ａ，６５Ａを形成し、前記開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０を食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

そしてガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、微細加工技術により感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図２５（ｄ）と図２６（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで低抵抗金属層３５Ａと透明導電層９１Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、低抵抗金属層３５Ｂと透明導電層９１Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。このように耐熱金属層３４Ａはこの工程で一対の電極３４Ａ１、３４Ａ２（共に図示せず）に分割され、信号線１２は一方の電極３４Ａ１を、また絵素電極２２は他方の電極３４Ａ２を含んで形成されることにより夫々絶縁ゲート型トランジスタのソース電極、ドレイン電極として機能する。

この時に信号線１２上と電極端子５，６上の領域８８Ａ（黒領域）の膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の領域８８Ｂ（中間調領域）の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例１３の重要な特徴である。電極端子５，６に対応した８８Ｂの最小寸法は数１０μｍと大きく、フォトマスク製作もまたその仕上がり寸法管理も極めて容易であるが、信号線１２に対応した領域８８Ａの最小寸法は４〜８μｍと比較的寸法精度が高いので黒領域としては細いパターンを必要とする。しかしながら合理化された従来例で説明したように１回の露光処理と２回の食刻処理で形成されたソース・ドレイン配線１２，２１と比較すると、本発明のソース・ドレイン配線１２，２１は１回の露光処理と１．５回の食刻処理で形成されるためにパターン幅の変動する要因が少なく、ソース・ドレイン配線１２，２１の寸法管理も、ソース・ドレイン配線１２，２１間すなわちチャネル長の寸法管理も従来のハーフトーン露光技術よりはパターン精度の管理が容易である。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるが、上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８８Ｃが等方的に膜減りして感光性樹脂パターン８８Ｃのパターン幅が細くなると後続の低抵抗金属層３５Ｂの除去工程で信号線１２（３５Ａ）の線幅が細くなるので酸素プラズマ処理にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理で異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８８Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。そして膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去すると、図２５（ｅ）と図２６（ｅ）に示したように透明導電性の絵素電極２２が得られる。低抵抗金属層３５Ｂの除去時に露出している絶縁ゲート型トランジスタのチャネル層である第１の非晶質シリコン３１Ａが膜減りする、あるいは損傷を受けて絶縁ゲート型トランジスタの電気的な特性が劣化しないような低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃの材質と食刻方法は本発明の重要なポイントであり、このような観点からは食刻の選択比が大きい低抵抗金属層としてはＡＬ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等を採用し、食刻液には夫々燐酸、硝酸セリウムと過塩素酸を主成分とするＣｒ食刻液、微量のアンモニアを添加した過酸化水素水が最適である。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図２５（ｆ）と図２６（ｆ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１３が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図２５（ｆ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しているが、蓄積容量１５の構成はこれに限られるものではなく、前段の走査線１１と絵素電極２２との間にゲート絶縁層３０を含む絶縁層を介して構成しても良い。静電気対策は実施例１と同様にアクティブ基板２の外周に静電気対策用の透明導電層パターン４０を配置し、透明導電層パターン４０を透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａに接続して構成する従来例の静電気対策でも良いが、ゲート絶縁層３０への開口部形成工程が付与されているのでその他の静電気対策も容易である。

実施例１３では電極端子５，６を夫々低抵抗金属層３５Ｃ，３５Ｂで構成しているため、ＴＣＰ実装あるいはＣＯＧ実装時に接続抵抗を小さくできるメリットが得られる。一方、低抵抗金属層としてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金を用いると水分の浸入により容易に腐食するので液晶パネルの実装には高度なシール技術を要求される課題もある。ＩＴＯまたはＩＺＯはＡＬ合金と比較すると水分の浸入による対腐食性は高いので、実施例１〜実施例１２と同様に透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを与える事も可能であり、そのためにはソース・ドレイン配線１２，２１を形成するために用いられる感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを実施例１と同様に信号線１２上の膜厚がドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の膜厚よりも厚い感光性樹脂パターン８６Ａ，８６Ｂに変更するだけで良いことを補足しておく。これは以降で説明する実施例１５、実施例１７、実施例１９、実施例２１、実施例２３にも当てはまる設計的事項となる。この場合の最終的な平面図と断面図を図２５（ｇ）と図２６（ｇ）に示しておく。

あるいはソース・ドレイン配線１２，２１の形成時にハーフトーン露光を用いずにソース・ドレイン配線１２，２１の形成を行い、パシベーション絶縁層３７への開口部３８，６３，６４の形成時にパシベーション絶縁層３７に加えて低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃをも除去して透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを得ることも可能である。この場合には信号線１２を構成する低抵抗金属層３５Ａが一度の食刻で形成されるのでパターン精度が上がり、信号線１２が細くなって抵抗値が増大する恐れは回避されるメリットと２回目の低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃの除去時にチャネル部はパシベーション絶縁層３７で保護されてチャネル部への損傷が発生しないメリットも生まれる。これはまた以降で説明する実施例１５、実施例１７、実施例１９、実施例２１、実施例２３にも当てはまるデバイスとプロセスの新規発案事項である。この場合の最終的な平面図と断面図を図２５（ｈ）と図２６（ｈ）に示しておく。

実施例１３におけるＳｉＮｘを用いたパシベーション形成に代えて実施例２のようにソース・ドレイン配線材に陽極酸化可能な金属薄膜を用い、ソース・ドレイン配線の形成時に陽極酸化により絶縁性の陽極酸化層を形成してソース・ドレイン配線のパシベーション形成を行うことが可能であり、チャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタでは同時にチャネル表面に酸化シリコン層を形成してチャネルのパシベーション形成を行うことも可能であり、これによって写真食刻工程数の削減も推進されるのでそれを実施例１４として説明する。

実施例１４では図２７（ｃ）と図２８（ｃ）に示したように微細加工技術により画像表示部外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上に選択的に開口部６３Ａ，６５Ａを形成し、前記開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０を食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出するまでは実施例１３と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

ソース・ドレイン配線の形成工程ではＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着する。そしてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１を微細加工技術により感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いて順次食刻し、図２７（ｄ）と図２８（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで透明導電層９１Ａと低抵抗金属層３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、透明導電層９１Ｂと低抵抗金属層３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成するが、この時にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の膜厚が例えば３μｍと、信号線１２上の膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂをハーフトーン露光技術により形成しておくことが実施例１４の重要な特徴である。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理で感光性樹脂パターン８７Ｃのパターン幅が細くなっても大きなパターン寸法を有するドレイン電極も兼ねる絵素電極２２と電極端子５，６の周囲に陽極酸化層が形成されるだけで、電気特性と歩留及び品質に与える影響は殆ど無いのは特筆すべき特徴である。そして図２７（ｅ）と図２８（ｅ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして実施例２と同様に光を照射しながら信号線１２を陽極酸化して酸化層６９（１２）を形成するとともにソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと厚み方向に隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。

信号線１２の上面には低抵抗金属層であるＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａが、またチャネル側の一方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａと透明導電層９１Ａと耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａとの積層が、そしてチャネルと反対側の他方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａと透明導電層９１Ａとの積層が露出しており、陽極酸化によってＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ａは絶縁層であるアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）または酸化アルミニウム６９（１２）に、図示はしないがＴｉ薄膜層３４Ａは半導体である酸化チタン（ＴｉＯ２）６８（１２）に夫々変質する。絵素電極（ドレイン電極）２２の上面は感光性樹脂パターン８７Ｃで覆われており、またチャネル側の一方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ｂと透明導電層９１Ｂと耐熱金属層であるＴｉ薄膜層３４Ａとの積層が、チャネルと反対側の他方の側面にはＡＬまたはＡＬ合金薄膜層３５Ｂと透明導電層９１Ｂとの積層が露出しており、同様にこれらの薄膜の陽極酸化層が形成される。酸化チタン層６８は絶縁層ではないが膜厚が極めて薄く露出面積も小さいのでパシベーション上はまず問題とならないが、耐熱金属薄膜層３４ＡもＴａを選択しておくことが望ましい。しかしながらＴａはＴｉと異なり下地の表面酸化層を吸収してオーミック接触を容易にする機能に欠ける特性に注意する必要がある。ＩＺＯまたはＩＴＯよりなる透明導電層９１Ａは陽極酸化しても絶縁性の酸化層が形成される事は無い。

信号線１２の陽極酸化時、絵素電極９１Ｂ上の低抵抗金属層３５Ｂの側面には絶縁層であるアルミナ６９（３５Ｂ）が形成され、静電気対策で走査線と信号線の電極端子５，６間が導電性媒体で接続されていれば導電性媒体を通して信号線１２から化成電流が流れるので低抵抗金属層３５Ｃよりなる電極端子５の側面には同じく６９（３５Ｃ）が形成される。ただし、導電性媒体の抵抗値が一般的には高いので６９（３５Ｃ）の膜厚は通常６９（３５Ｂ）の膜厚よりも薄くなる。

チャネル間の不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａは厚み方向に全て完全に絶縁層化しないと絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流の増大をもたらす。そこで光を照射しながら陽極酸化を実施することが陽極酸化工程の重要なポイントとなることは先行例にも開示されている。具体的には１万ルックス程度の十分強力な光を照射して絶縁ゲート型トランジスタのリーク電流がμＡを越えれば、ソース・ドレイン配線１２，２１間のチャネル部とドレイン電極２１の面積から計算して１０ｍＡ／ｃｍ２程度の陽極酸化で良好な膜質を得るための電流密度が得られる。

また不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａを陽極酸化して絶縁層である酸化シリコン層６６に変質させるに足る化成電圧１００Ｖ超より１０Ｖ程度、化成電圧を高く設定することで形成された不純物を含む酸化シリコン層６６に接する不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部（１００Å程度）まで不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）に変質させることで、チャネルの電気的な純度が高まりソース・ドレイン配線１２，２１間の電気的な分離は完全なものとすることができる。すなわち、絶縁ゲート型トランジスタのＯＦＦ電流が十分に減少して高いＯＮ／ＯＦＦ比が得られる。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図２７（ｆ）と図２８（ｆ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図２７（ｇ）と図２８（ｇ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。なお、絵素電極２２（３５Ｂ）の側面と走査線電極端子５の側面の陽極酸化層６９（３５Ｂ）と６９（３５Ｃ）は存在母体（３５Ｂ，３５Ｃ）が消失するのでリフトオフされて消失する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１４が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１３と同一である。

実施例１４では信号線１２上のみに陽極酸化層６９（１２）を形成して絵素電極２２は導電性を保ったまま露出しているが、これでも十分な信頼性が得られる理由は実施例２で述べたように液晶セルに印可される駆動信号は基本的に交流であり、カラーフィルタの対向面上に形成された対向電極１４と絵素電極２２との間には直流電圧成分が少なくなるように対向電極１４の電圧は画像検査時に調整されるので（フリッカ低減調整）、従って信号線１２上にのみ直流成分が流れないように絶縁層を形成しておけば良いからである。

実施例１３と実施例１４では絵素電極と信号線の同時形成並びにパシベーション絶縁層を不要とする工程削減を実現したが必要なマスク枚数は夫々５枚、４枚止まりに過ぎない。その他の主要工程を合理化して更なる低コスト化を実現する事が本発明の主題であり、以下の実施例では絵素電極と信号線の同時形成並びにパシベーション絶縁層を不要とする工程削減を維持しつつ他の主要工程を合理化して４枚マスク・プロセスさらには３枚マスク・プロセスを実現する創意・発明について説明する。

実施例１５では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。そして図２９（ａ）と図３０（ａ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６を選択的に形成する。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物として例えば燐を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、画像表示部外の領域で走査線１１と蓄積容量線１６のコンタクト成領域上に開口部６３Ａ，６５Ａを有するとともに絶縁ゲート型トランジスタの半導体層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８１Ａの膜厚が例えば２μｍと他の領域８１Ｂの膜厚１μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをハーフトーン露光技術により形成する。そして図２９（ｂ）と図３０（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内に露出している耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１を順次食刻し、開口部６３Ａ，６５Ａ内にゲート絶縁層３０を露出する。

続いて、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８１Ａ，８１Ｂを１μｍ以上膜減りさせると、図２９（ｃ）と図３０（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８１Ｂが消失して耐熱金属層３４が露出すると共にゲート電極１１Ａ上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８１Ｃ、すなわち島状半導体層のパターン幅はゲート電極１１Ａの寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ゲート電極１１Ａを１０〜１２μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると１６〜１８μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。しかしながらレジストパターン８１Ａから８１Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続のソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。先述したように具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８１Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましいことは既に述べた通りである。

引き続いて、図２９（ｄ）と図３０（ｄ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８１Ｃをマスクとして耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１をゲート１１電極Ａよりも幅広く選択的に残して島状３４Ａ，３３Ａ，３１Ａとし、ゲート絶縁層３０を露出する。

この時、開口部６３Ａ，６５Ａのエッチング状況は実施例３と酷似しており、最終的には開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１と蓄積容量線１６の一部７３と７５が夫々露出する。耐熱金属層３４の食刻には通常塩素系のガスを用いたドライエッチ（乾式食刻）が採用されるが、その時にＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０は耐性を持ち殆ど膜減りしないので先ず耐熱金属層３４が除去されてガラス基板２の全面に第２の非晶質シリコン層３３が露出する。次に第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の食刻には弗素系のガスを用いたドライエッチ（乾式食刻）が採用されるが、その時にＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０は非晶質シリコン層３１，３３とほぼ同じ速度で食刻されるプロセス条件を適用する事により、第２の非晶質シリコン層３３（膜厚０．０５μｍ）と第１の非晶質シリコン層３１（膜厚０．２μｍ）の食刻が終ると開口部６３Ａ，６５Ａ内のＳｉＮｘよりなるゲート絶縁層３０（膜厚０．３μｍ）が終わり、開口部６３Ａ，６５Ａ内に走査線１１と蓄積容量線１６の一部７３と７５が夫々露出する。

この適切な食刻速度比よりも速く第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の食刻が終る場合には過食刻で開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０を除去しなければならないが、その場合には既にガラス基板２の全面にゲート絶縁層３０が露出しており、全体としてゲート絶縁層３０が膜減りして後続の製造工程で形成される信号線１２と走査線１１との層間短絡や絵素電極２２と蓄積容量線１６との層間短絡が生じ易く歩留を下げるので、その対策としては信号線１２と走査線１１との交点近傍と蓄積容量線１６上に図示はしないが、半導体層形成領域と同様に耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１よりなる積層を残してゲート絶縁層３０の膜減りを防止することができる。すなわちパターン設計による歩留確保が可能であることは実施例３において述べた通りである。

前記感光性樹脂パターン８１Ｃを除去した後は実施例１３と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上と電極端子５，６上の８８Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の８８Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図２９（ｅ）と図３０（ｅ）に示したようにゲート電極１１Ａと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去して、図２９（ｆ）と図３０（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２を露出する。実施例１３でも述べたように低抵抗金属層３５Ｂの除去に当たり、既に露出しておりチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１Ａの膜減りと損傷については十分な注意が必要である。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図２９（ｇ）と図３０（ｇ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１５が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図２９（ｇ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０を介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示しているが、既に述べたようにゲート絶縁層３０に加えて耐熱金属層３４と第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３１の積層を介在させることも容易である。

実施例１３と実施例１４の関係と同様に実施例１６では実施例１５に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例１６では図３１（ｄ）と図３２（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域と、画像表示外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上にコンタクト６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例１５と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍで、信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａを除去して図３１（ｅ）と図３２（ｅ）に示したようにゲート電極１１Ａと一部重なるように半導体層領域３４Ａの一部を含んで９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図３１（ｆ）と図３２（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図３１（ｇ）と図３２（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図３１（ｈ）と図３２（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１６が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１５と同一である。

このように実施例１５と実施例１６は半導体層の形成工程とコンタクトの形成工程とをハーフトーン露光技術を用いて同一のフォトマスクで処理する事により製造工程の削減を推進し、夫々４枚と３枚のフォトマスクを用いて液表表示装置を得ているが、ハーフトーン露光技術を別の主要工程に適用することで異なった内容の４枚マスク・プロセスと３枚マスク・プロセスも可能であるので、それを以下に説明する。

実施例１７では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、既に述べたように走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物として例えば燐を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図３３（ａ）と図３４（ａ）に示したように開口部６３Ａ，６５Ａに対応したコンタクト形成領域８２Ｂの膜厚が例えば１μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８２Ａの膜厚２μｍより薄い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとして耐熱金属層３４、第２の非晶質シリコン層３３、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層を選択的に除去してガラス基板２を露出する。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図３３（ｂ）と図３４（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｂが消失して開口部６３Ａ，６５Ａ内に耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂが露出すると共に走査線１１上と蓄積容量線１６上に膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８２Ｃ（黒領域）、すなわちゲート電極１１Ａのパターン幅はソース・ドレイン配線間の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ソース・ドレイン配線間を４〜１２μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると最小でも１０〜１２μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。また走査線１１と蓄積容量線１６のパターン幅も抵抗値の関係から通常１０μｍ以上に設定される。しかしながら実施例１７においては半導体層をゲート電極１１Ａよりも幅太く形成することができないため、レジストパターン８２Ａから８２Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続のソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８２Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。

引き続き図３４（ｂ）に示したようにゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図４９に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１，３３とシリコン窒化層３０及びＳＰＴ等の真空製膜装置による耐熱金属層３４の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に鋭い刃先を有する鰐口クリップ等の接続手段を用いて接続パターン７８上の感光性樹脂パターン８２Ｃ（７８）を突き破り走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと、走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合には実施例５でも述べたようにペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。

絶縁層７６の形成後、図３３（ｃ）と図３４（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内の耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂとゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを選択的に食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去した後、図３３（ｄ）と図３４（ｄ）に示したように微細加工技術によりゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる島状の半導体層領域を選択的に残して走査線１１上のゲート絶縁層３０Ａと蓄積容量線１６上のゲート絶縁層３０Ｂを露出する。この時、開口部６３Ａ，６５Ａ内に露出している走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５は感光性樹脂で覆っておけば走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５が半導体層領域の形成時に膜減りする、あるいは変質すると言った不具合は容易に回避できる。すなわち開口部６３Ａ，６５Ａの周囲にも耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃが部分的に残ってしまうが、走査線１１へのコンタクト性に関しては何ら支障の無いものである。

この後は実施例１３と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上と電極端子５，６上の８８Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の８８Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図３３（ｅ）と図３４（ｅ）に示したように半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ，６５Ａの周囲の耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃと露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去して、図３３（ｆ）と図３４（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２を露出する。実施例１３で述べたようにチャネルとなる露出している第１の非晶質シリコン層３１Ａの膜減りと損傷については十分な注意が必要である。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図３３（ｇ）と図３４（ｇ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１７が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図３３（ｇ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。静電気対策については記載を省略しているが、コンタクト形成工程を有するので種々の構成の静電気対策を採用することができることは言うまでも無い。

実施例１３と実施例１４の関係と同様に実施例１８では実施例１７に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例１８では図３５（ｄ）と図３６（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域と、画像表示外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上にコンタクト６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例１７と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍで、信号線２１上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１を選択的に除去して図３５（ｅ）と図３６（ｅ）に示したように半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ，６５Ａの周囲の耐熱金属層３４Ｃと第２の非晶質シリコン層３３Ｃと第１の非晶質シリコン層３１Ｃと露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図３５（ｆ）と図３６（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図３５（ｇ）と図３６（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図３５（ｈ）と図３６（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１８が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１７と同一である。

このように実施例１７と実施例１８では走査線の形成工程とコンタクトの形成工程とをハーフトーン露光技術を用いて同一のフォトマスクで処理する事により製造工程の削減を推進し、夫々４枚と３枚のフォトマスクを用いて液表表示装置を得ているが、本発明者は更なる合理化の組合せが存在することを発案するに至り、それによって異なった内容の４枚マスク・プロセスと３枚マスク・プロセスが可能となるのでそれを以下に説明する。

実施例１９では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、既に述べたように走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物として例えば燐を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図３７（ａ）と図３８（ａ）に示したように半導体層形成領域、すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８４Ａの膜厚が例えば２μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８４Ｂ上の膜厚１μｍより厚い感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂをマスクとして耐熱金属層３４、第２の非晶質シリコン層３３、第１の非晶質シリコン層３１、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層を選択的に除去してガラス基板２を露出する。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８４Ａ，８４Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図３７（ｂ）と図３８（ｂ）に示したように感光性樹脂パターン８４Ｂが消失して耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂが露出すると共に半導体層形成領域上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８４Ｃをそのまま残すことができる。感光性樹脂パターン８４Ｃ（黒領域）、すなわちゲート電極１１Ａ（半導体層）のパターン幅はソース・ドレイン配線間の寸法にマスク合わせ精度を加算したものであるから、ソース・ドレイン配線間を４〜６μｍ、合わせ精度を±３μｍとすると最小でも１０〜１２μｍとなり寸法精度としては厳しいものではない。しかしながらレジストパターン８４Ａから８４Ｃへの変換時にレジストパターンが等方的に１μｍ膜減りすると、寸法が２μｍ小さくなるだけでなく、後続のソース・ドレイン配線形成時のマスク合わせ精度が１μｍ小さくなって±２μｍとなり、前者よりも後者の影響がプロセス的には厳しいものとなる。したがって上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。具体的にはＲＩＥ方式、さらに高密度のプラズマ源を有するＩＣＰ方式やＴＣＰ方式の酸素プラズマ処理がより望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８４Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計する、またはレジストパターン８４Ａのパターン寸法が大きくなるような露光・現像条件でプロセス的な対応を図る等の処置が望ましい。

引き続き図３７（ｃ）と図３８（ｃ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８４Ｃをマスクとして耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ａ，３１Ｂを選択的に食刻してゲート電極１１Ａ上に耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域を形成し、走査線１１上と蓄積容量線１６上のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを夫々露出する。

前記感光性樹脂パターン８４Ｃを除去した後、図示はしないがゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図５２に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１，３３とシリコン窒化層３０の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に刃先の鋭い鰐口クリップ等の接続手段を用いて走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合には先述したようにペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。なお実施例１９においては絶縁層７６を形成することにより走査線１１上のゲート絶縁層３０Ａに生じているピンホールが絶縁層であるアルミナまたはポリイミド樹脂で埋められるため、走査線１１と後述するソース・ドレイン配線１２，２１との間の層間短絡が抑制される副次的な効果もあることを忘れてはならない。

さらに図３７（ｄ）と図３８（ｄ）に示したように微細加工技術により画像表示部外の領域で走査線１１と蓄積容量線１６のコンタクト形成領域に開口部６３Ａ，６５Ａを形成して開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを選択的に除去して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

この後は実施例１３と同様にガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上と電極端子５，６上の８８Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の８８Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図３７（ｅ）と図３８（ｅ）に示したように半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極２１も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去して、図３７（ｆ）と図３８（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２を露出する。実施例１３で述べたようにチャネルとなる露出している第１の非晶質シリコン層３１Ａの膜減りと損傷については十分な注意が必要である。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図３７（ｇ）と図３８（ｇ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例１９が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図３７（ｇ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。

実施例１と実施例２の関係と同様に実施２０は実施例１９に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例２０では図３９（ｄ）と図４０（ｄ）に示したように微細加工技術により画像表示部外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂに夫々コンタクト（開口部）６３Ａ，６５Ａを形成して走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出するまでは実施例１９と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１を除去して図３９（ｅ）と図４０（ｅ）に示したように半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出しているコンタクト（開口部）６３Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図３９（ｆ）と図４０（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図３９（ｇ）と図４０（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図３９（ｈ）と図４０（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２０が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例１９と同一である。

このように実施例１９と実施例２０では走査線の形成工程と半導体の形成工程と、ソース・ドレイン配線の形成工程と絵素電極の形成工程にハーフトーン露光技術を用いて処理する事により夫々４枚と３枚のフォトマスクを用いて液表表示装置を得ているが、従来には無い観点から写真食刻工程の順番を入れ替える事によりもう少し製造工程数を削減する事が可能であるので、それを実施例２１と実施例２２で説明する。

実施例２１でも実施例１３と同様に先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層９２として例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ等あるいはそれらの合金やシリサイドを被着する。走査線の側面に形成される絶縁層に陽極酸化層を選択する場合にはその陽極酸化層が絶縁性を保有する必要があり、その場合にはＴａ単体では抵抗が高いこととＡＬ単体では耐熱性が乏しいことを考慮すると、既に述べたように走査線の低抵抗化のために走査線の構成としては耐熱性の高いＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｄ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｄ）合金等の積層構成が選択可能である。

次にガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物して例えば燐を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、微細加工技術により図４１（ａ）と図４２（ａ）に示したように耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域を選択的に形成してゲート絶縁層３０を露出する。

続いて図４１（ｂ）と図４２（ｂ）に示したようにコンタクト形成領域８２Ｂである開口部６３Ａ，６５Ａの膜厚が例えば１μｍで、走査線１１と蓄積容量線１６に対応した領域８２Ａ上の膜厚２μｍより薄い感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂをマスクとしてゲート絶縁層３０及び第１の金属層９２を選択的に除去してガラス基板２を露出する。耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとの積層よりなる半導体層領域よりも若干パターン幅を大きく設定して感光性樹脂パターン８２Ａのパターン幅を設定すると合理的であるが、絶縁ゲート型トランジスタのサイズが若干大きくなる不具合が生じる。逆に上記の積層よりなる半導体層領域よりも若干パターン幅を小さくして感光性樹脂パターン８１Ａのパターン幅を設定しても、ゲート絶縁層３０及び第１の金属層９２の食刻時に上記の積層よりなる半導体層がマスクとなり半導体層も食刻されてその断面形状がテーパ加工されるので、結局何れにしても上記の積層よりなる半導体層はゲート絶縁層３０Ａとゲート電極１１Ａよりもパターン幅が小さくなる。

続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８２Ａ，８２Ｂを１μｍ以上膜減りさせると図４１（ｃ）と図４２（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８２Ｂが消失して開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂが露出すると共に走査線１１上と蓄積容量線１６上に膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理ではパターン寸法の変化を抑制するため異方性を強めることが望ましい。あるいはレジストパターンの寸法変化量を見込んでレジストパターン８２Ａのパターン寸法をあらかじめ大きく設計することでプロセス的な対応を図る等の処置が望ましいことは既に述べた通りである。

その後、図４２（ｃ）に示したようにゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図４９に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１，３３とシリコン窒化層３０，３２とＳＰＴによる耐熱金属層３４の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に鋭い刃先を有する鰐口クリップ等の接続手段を用いて接続パターン７８上の感光性樹脂パターン８２Ｃ（７８）を突き破り走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと、走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合にはペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。

絶縁層７６の形成後、図４１（ｄ）と図４２（ｄ）に示したように膜減りした感光性樹脂パターン８２Ｃをマスクとして開口部６３Ａ，６５Ａ内のゲート絶縁層３０Ａ，３０Ｂを選択的に食刻して夫々走査線１１の一部７３と蓄積容量線１６の一部７５を露出する。

その後は実施例１３と同様に前記感光性樹脂パターン８２Ｃを除去し、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上と電極端子５，６上の８８Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の８８Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図４１（ｅ）と図４２（ｅ）に示したように半導体領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に開口部６３Ａ内に露出している走査線の一部７３を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去して、図４１（ｆ）と図４２（ｆ）に示したように透明導電性の絵素電極２２を形成する。実施例１３で述べたようにチャネルとなる露出している第１の非晶質シリコン層３１Ａの膜減りと損傷については十分な注意が必要である。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図４１（ｇ）と図４２（ｇ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２１が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図４１（ｇ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とがゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。

実施例１３と実施例１４の関係と同様に実施例２２では実施例２１に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例２０では図４３（ｄ）と図４４（ｄ）に示したように画像表示外の領域で走査線１１上と蓄積容量線１６上にコンタクト６３Ａ，６５Ａを形成するまでは実施例２１と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１を除去して図４３（ｅ）と図４４（ｅ）に示したように半導体領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出しているコンタクト（開口部）６３Ａを含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図４３（ｆ）と図４４（ｆ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図４３（ｇ）と図４４（ｇ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図４３（ｈ）と図４４（ｈ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２２が完了する。蓄積容量１９の構成に関しては実施例２１と同一である。

走査線１１と対向電極１４との間で直流電流が流れて液晶が劣化しないように適当な絶縁層を露出した走査線に付与する事ができれば半導体層領域を形成するに際してゲート絶縁をも除去して走査線を露出することによりコンタクト形成工程を削減する事も可能となる。そこで実施例２３では絶縁層として従来通りパシベーション絶縁層を用いて、また実施例２４では走査線に陽極酸化可能な金属層を用い、走査線を陽極酸化することで絶縁層となる陽極酸化層を用いて走査線を絶縁化して液晶表示装置を得んとするものである。

実施例２３では先ずガラス基板２の一主面上にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の第１の金属層９２を被着する。次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ装置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ層３０、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャネルとなる第１の非晶質シリコン層３１、及び不純物を含み絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる第２の非晶質シリコン層３３と３種類の薄膜層を例えば、０．３−０．２−０．０５μｍ程度の膜厚で順次被着し、さらにＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１μｍ程度の耐熱金属層として例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等の薄膜層３４を被着した後、図４５（ａ）と図４６（ａ）に示したように半導体層形成領域すなわちゲート電極１１Ａ上の領域８４Ａ１と、走査線１１と信号線１２とが交差する近傍領域上の領域８４Ａ２と、蓄積容量線１６と信号線１２とが交差する近傍領域上の領域８４Ａ３と、蓄積容量形成領域すなわち蓄積容量１６線の一部上の領域８４Ａ４の膜厚が例えば２μｍで、ゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６に対応した感光性樹脂パターン８４Ｂの膜厚１μｍより厚い感光性樹脂パターン８４Ａ１〜８４Ａ４及び８４Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８４Ａ１〜８４Ａ４及び８４Ｂをマスクとして耐熱金属層３４、第２の非晶質シリコン層３３、第１の非晶質シリコン層３１及びゲート絶縁層層３０に加えて第１の金属層９２をも選択的に除去してガラス基板２を露出する。

このようにしてゲート電極１１Ａも兼ねる走査線１１と蓄積容量線１６に対応した多層膜パターンを得た後、続いて酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８４Ａ１〜８４Ａ４及び８４Ｂを１μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８４Ｂが消失し、図４５（ｂ）と図４６（ｂ）に示したように耐熱金属層３４Ａ，３４Ｂが露出すると共にゲート電極１１Ａ上と、走査線１１と信号線１２とが交差する近傍領域上と、蓄積容量線１６と信号線１２とが交差する近傍領域上と、蓄積容量１６線の一部上にのみ膜減りした感光性樹脂パターン８４Ｃ１〜８４Ｃ４をそのまま残すことができる。上記酸素プラズマ処理では後続のソース・ドレイン配線形成工程におけるマスク合わせ精度が低下しないように異方性を強めてパターン寸法の変化を抑制することが望ましいことは既に述べた通りである。

その後、図４６（ｂ）に示したようにゲート電極１１Ａの側面に絶縁層７６を形成する。このためには図５３に示したように、走査線１１（蓄積容量線１６も同様であるがここでは図示を略す）を並列に束ねる配線７７とガラス基板２の外周部で電着または陽極酸化時に電位を与えるための接続パターン７８が必要であり、さらにプラズマＣＶＤによる非晶質シリコン層３１，３３とシリコン窒化層３０，３２とＳＰＴによる耐熱金属層３４の適当なマスク手段を用いた製膜領域７９が接続パターン７８より内側に限定され、少なくとも接続パターン７８が露出している必要がある。接続パターン７８に鋭い刃先を有する鰐口クリップ等の接続手段を用いて接続パターン７８上の感光性樹脂パターン８４Ｃ５（７８）を突き破り走査線１１に＋（プラス）電位を与えてエチレングリコールを主成分とする化成液中にガラス基板２を浸透させて陽極酸化を行うと、走査線１１がＡＬ系の合金であれば、例えば化成電圧２００Ｖで０．３μｍの膜厚を有するアルミナ（ＡＬ２Ｏ３）が形成される。電着の場合にはペンダントカルボシキル基含有ポリイミド電着液を用いて電着電圧数Ｖで０．３μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂層が形成される。

続いて図４５（ｃ）と図４６（ｃ）に示したように感光性樹脂パターン８４Ｃ１〜８４Ｃ４をマスクとしてゲート電極１１Ａ上と、走査線１１と信号線１２とが交差する近傍領域上には耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン３３Ａと第１の非晶質シリコン３１Ａとゲート絶縁層３０Ａの積層を選択的に残し、蓄積容量線１６と信号線１２とが交差する近傍領域上と蓄積容量１６線の一部上には耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン３３Ｂと第１の非晶質シリコン３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂの積層を選択的に残すとともに、走査線１１上の耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとゲート絶縁層３０Ａを食刻して走査線１１を露出すると同時に、蓄積容量線１６上の耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂを食刻して蓄積容量線１６を露出する。

前記感光性樹脂パターン８４Ｃ１〜８４Ｃ４を除去した後は実施例１７と同様に、ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、信号線１２上と電極端子５，６上の８８Ａの膜厚が例えば３μｍとドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の８８Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂをハーフトーン露光技術により形成し、感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１と第２の非晶質シリコン層３３Ａを食刻して除去し、第１の非晶質シリコン層３１Ａは０．０５〜０．１μｍ程度残して食刻することにより、図４５（ｄ）と図４６（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａ上の半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成し、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８８Ａ，８８Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８８Ｂが消失してドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上の低抵抗金属層３５Ｂが露出すると共に信号線１２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをそのまま残すことができるので、膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃをマスクとして低抵抗金属層３５Ｂを除去して、図４５（ｅ）と図４６（ｅ）に示したように透明導電性の絵素電極２２を露出する。実施例１３で述べたようにチャネルとなる露出している第１の非晶質シリコン層３１Ａの膜減りと損傷については十分な注意が必要である。なお、低抵抗金属層３５Ｂの除去に当たり露出している走査線１１が消失しないような走査線材質の選定が必要であり、低抵抗金属層３５ＢにＡＬ合金を用いるのであれば走査線１１にはＴａ，Ｃｒ，Ｍｏ等の耐熱金属が最適であり、低抵抗金属層３５ＢにＣｒ，Ｍｏ等の耐熱金属を用いるのであれば走査線１１にはＡＬ合金が適している。すなわち走査線１１と低抵抗金属層３５Ｂに同じ種類のものを用いてはならない。

膜減りした感光性樹脂パターン８８Ｃを除去した後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図４５（ｆ）と図４６（ｆ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層を選択的に除去して絵素電極２２と電極端子５，６の大部分を露出する。

走査線１１と低抵抗金属層３５Ｂに同じ種類のものを用いる場合には、ハーフトーン露光は不要で、ソース・ドレイン配線１２，２１の形成の形成後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、図４５（ｇ）と図４６（ｇ）に示したように絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ａを選択的に除去して透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを得れば良い。

実施例２３を除くと低抵抗金属層３５Ｂの除去に当たり走査線１１上には少なくともゲート絶縁層３０またはゲート絶縁層３０Ａが存在するので走査線１１と低抵抗金属層３５Ｂの材質に制約は無く、ハーフトーン露光を用いずにソース・ドレイン配線１２，２１の形成の形成後、ガラス基板２の全面に透明性の絶縁層としてＰＣＶＤ装置を用いて０．３μｍ程度の膜厚の第２のＳｉＮｘ層を被着してパシベーション絶縁層３７とし、絵素電極２２上と電極端子５，６上にそれぞれ開口部３８，６３，６４を形成し、各開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ａを選択的に除去して透明導電性の絵素電極２２と透明導電性の電極端子５Ａ，６Ａを得ることは実施例１３、実施例１５、実施例１７、実施例１９及び実施例２１にもそのまま適用可能である。

このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２３が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては図４５（ｆ）に示したように、絵素電極２２と蓄積容量線１６とが耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン３３Ｂと第１の非晶質シリコン３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂを介して平面的に重なっている領域５１（右下がり斜線部）が蓄積容量１５を構成する場合を例示している。

実施例１３と実施例１４の関係と同様に実施例２４では実施例２３に最小限度の工程数の追加で有機絶縁層に代わるパシベーション技術を具備させるものである。実施例２４では図４７（ｃ）と図４８（ｃ）に示したようにゲート電極１１Ａ上と、走査線１１と信号線１２とが交差する近傍領域上には耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン３３Ａと第１の非晶質シリコン３１Ａとゲート絶縁層３０Ａの積層を選択的に残し、蓄積容量線１６と信号線１２とが交差する近傍領域上と、蓄積容量１６線の一部上には耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン３３Ｂと第１の非晶質シリコン３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂの積層を選択的に残すとともに、走査線１１上の耐熱金属層３４Ａと第２の非晶質シリコン層３３Ａと第１の非晶質シリコン層３１Ａとゲート絶縁層３０Ａを食刻して走査線１１を露出すると同時に、蓄積容量１６上の耐熱金属層３４Ｂと第２の非晶質シリコン層３３Ｂと第１の非晶質シリコン層３１Ｂとゲート絶縁層３０Ｂを食刻して蓄積容量１６を露出するまでは実施例２３と同一の製造工程で進行する。ただし第１の非晶質シリコン層３１の膜厚は０．１μｍと薄く製膜して良い。また耐熱金属層３４は陽極酸化可能な金属である必要がありＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等は適していないので、少なくともＴｉ、好ましくはＴａまたは高融点金属のシリサイドが選択される。

その後ガラス基板２の全面にＳＰＴ等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．２μｍ程度の透明導電層９１として例えばＩＺＯまたはＩＴＯを被着し、さらに陽極酸化可能な低抵抗金属層として膜厚０．３μｍ程度のＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５を順次被着した後、ハーフトーン露光技術によりドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上の８７Ａの膜厚が例えば３μｍと信号線１２上の８７Ｂの膜厚１．５μｍよりも厚い感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを形成し、感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを用いてＡＬまたはＡＬ（Ｎｄ）合金薄膜層３５と透明導電層９１を除去して図４７（ｄ）と図４８（ｄ）に示したようにゲート電極１１Ａ上の半導体層領域３４Ａと一部重なるように９１Ａと３５Ａとの積層よりなりソース配線も兼ねる信号線１２と、９１Ｂと３５Ｂとの積層よりなり絵素電極２２も兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極２１を選択的に形成する。不純物を含む第２の非晶質シリコン層３３Ａと不純物を含まない第１の非晶質シリコン層３１Ａの食刻は不要である。ソース・ドレイン配線１２，２１の形成と同時に露出している走査線の一部を含んで走査線の電極端子５と信号線の一部よりなる電極端子６も同時に形成する。

ソース・ドレイン配線１２，２１の形成後、酸素プラズマ等の灰化手段により上記感光性樹脂パターン８７Ａ，８７Ｂを１．５μｍ以上膜減りさせると感光性樹脂パターン８７Ｂが消失して信号線１２（３５Ａ）が露出すると共にドレイン電極も兼ねる絵素電極２２上と電極端子５，６上に膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをそのまま残すことができる。そして膜減りした感光性樹脂パターン８７Ｃをマスクとして図４７（ｅ）と図４８（ｅ）に示したように信号線１２を陽極酸化してその表面に酸化層６９（１２）を形成するとともに、ソース・ドレイン配線１２，２１間に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａと隣接する第１の非晶質シリコン層３１Ａの一部を陽極酸化して絶縁層である不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）を形成する。この時、露出している走査線１１と蓄積容量線１６も同時に陽極酸化してその表面に酸化層７２を形成する。図５３にも示したように走査線１１を並列に束ねる配線７７と接続パターン７８が形成されているので、ソース・ドレイン配線１２，２１の陽極酸化と同時に走査線１１と蓄積容量線１６の陽極酸化も容易に実施できる。陽極酸化によって走査線１１と信号線１２とが交差する近傍領域上と、蓄積容量線１６と信号線１２とが交差する近傍領域上と、蓄積容量線１６上に露出している第２の非晶質シリコン層３３Ａ，３３Ｂも陽極酸化されて不純物を含む酸化シリコン層６６と不純物を含まない酸化シリコン層（図示せず）に変質する。なお、走査線１１と蓄積容量線１６の上面にも陽極酸化で絶縁層７２を形成するためには走査線１１には陽極酸化可能な金属として、Ｔａ単層、ＡＬ（Ｚｒ，Ｔａ）合金等の単層構成あるいはＡＬ／Ｔａ，Ｔａ／ＡＬ／Ｔａ，ＡＬ／ＡＬ（Ｔａ，Ｚｒ）合金等の積層構成が選択可能であることは既に述べた通りである。

陽極酸化終了後、感光性樹脂パターン８７Ｃを除去すると図４７（ｆ）と図４８（ｆ）に示したようにその側面に陽極酸化層６９（３５Ｂ）を形成された低抵抗金属層３５Ｂよりなる絵素電極と低抵抗金属層３５Ａ，３５Ｃよりなる電極端子６，５が露出する。

さらに信号線１２上の陽極酸化層６９（１２）をマスクとして低抵抗金属層３５Ａ〜３５Ｃを除去すると、図４７（ｇ）と図４８（ｇ）に示したように透明導電層９１Ａ〜９１Ｃが露出し、夫々信号線の電極端子６Ａ、絵素電極２２及び走査線の電極端子５Ａとして機能する。このようにして得られたアクティブ基板２とカラーフィルタとを貼り合わせて液晶パネル化し、本発明の実施例２４が完了する。蓄積容量１５の構成に関しては実施例２３と同一である。

本発明の実施例１にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例３にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例３にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例４にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例４にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例５にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例５にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例６にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例６にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例７にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例７にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例８にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例８にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例９にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例９にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１０にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１０にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１１にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１１にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１２にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１２にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１３にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１３にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１４にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１４にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１５にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１５にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１６にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１６にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１７にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１７にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１８にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１８にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例１９にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例１９にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２０にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２０にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２１にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２１にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２２にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２２にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２３にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２３にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図本発明の実施例２４にかかる表示装置用半導体装置の平面図本発明の実施例２４にかかる表示装置用半導体装置の製造工程断面図実施例７、実施例８、実施例１１、実施例１２、実施例１７、実施例１８、実施例２１及び実施例２２における絶縁層形成のための接続パターンの配置図実施例９と実施例１０における絶縁層形成のための接続パターンの配置図本発明の実施例の接続パターンの参考配置図実施例１９と実施例１０における絶縁層形成のための接続パターンの配置図実施例２３と実施例２４における絶縁層形成のための接続パターンの配置図液晶パネルの実装状態を示す斜視図液晶パネルの等価回路図液晶パネルの断面図従来例のアクティブ基板の平面図従来例のアクティブ基板の製造工程断面図合理化されたアクティブ基板の平面図合理化されたアクティブ基板の製造工程断面図

符号の説明

１：液晶パネル
２：アクティブ基板（ガラス基板）
３：半導体集積回路チップ
４：ＴＣＰフィルム
５：走査線の電極端子、走査線の一部
６：信号線の電極端子、信号線の一部
９：カラーフィルタ（対向するガラス基板）
１０：絶縁ゲート型トランジスタ
１１：走査線
１１Ａ：（ゲート配線、ゲート電極）
１２：信号線（ソース配線、ソース電極）
１６：蓄積容量線
１７：液晶
１９：偏光板
２０：配向膜
２１：ドレイン電極（ＩＰＳ型においては絵素電極）
２２：（透明導電性）絵素電極
３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ：ゲート絶縁層（第１のＳｉＮｘ層）
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ：（不純物を含まない）第１の非晶質シリコン層
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ：第２のＳｉＮｘ層
３２Ｄ：チャネル保護層（エッチストップ層、保護絶縁層）
３３，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ：（不純物を含む）第２の非晶質シリコン層
３４，３４Ａ：（陽極酸化可能な）耐熱金属層
３５，３５Ａ：（陽極酸化可能な）低抵抗金属層（ＡＬ）
３６，３６Ａ：（陽極酸化可能な）中間導電層
３７：パシベーション絶縁層
３８：（絵素電極上の）開口部
５０，５１：蓄積容量形成領域
６２：（ドレイン電極上の）開口部
６３，６３Ａ：（走査線上の）開口部
６４，６４Ａ：（信号線上の）開口部
６５，６５Ａ：（対向電極上の）開口部
６６：不純物を含む酸化シリコン層
６８：陽極酸化層（酸化チタン，ＴｉＯ２）
６９：陽極酸化層（アルミナ，Ａｌ２Ｏ３）
７０：陽極酸化層（５酸化タンタル、Ｔａ２Ｏ５）
７２：走査線上の陽極酸化層
７３：走査線の一部
７４：信号線の一部
７６：走査線の側面に形成された絶縁層
８１Ａ，８１Ｂ，８２Ａ，８２Ｂ，８３Ａ，８３Ｂ，８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８７Ａ，８７Ｂ，８８Ａ，８８Ｂ：（ハーフトーン露光で形成された）感光性樹脂パターン
８６Ａ，８６Ｂ：（ハーフトーン露光で形成された）感光性有機絶縁層
９１，９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃ：透明導電層
９２，９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ：第１の金属層

Claims

一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのソース配線がチャネルとなる不純物を含まない第１の半導体層に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を介して接続され、
透明導電性の絵素電極が前記第１の半導体層に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層を介して接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の保護絶縁層と第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の保護絶縁層と第１の半導体層を含み形成された第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる中間電極上に透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上と第１の透明性絶縁基板上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に感光性有機絶縁層を有する低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で前記信号線上の感光性有機絶縁層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記保護絶縁層の一部上と第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じく陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の（その側面に陽極酸化層と酸化シリコン層を各々有する）耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に１層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部と開口部周辺の耐熱金属層と第２の半導体層と第１の半導体層を含んで透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、
前記開口部を含んで透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に１層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
前記第１の半導体層上に絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上にゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上には不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
走査線と信号線の交差点上の第１の半導体層には不純物を含む第２の半導体層と耐熱金属層が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上と走査線と信号線の交差点上の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で走査線の一部上に透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなり透明導電層または透明導電層と低抵抗金属層との積層よりなる信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の陽極酸可能な第１の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上に１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の半導体層が島状に形成され、
ゲート電極上の第１の半導体層上には絵素電極及び信号線と重なる領域を除いてその側面に酸化シリコン層を有し不純物を含む第２の半導体層と同じくその側面に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な耐熱金属層との積層よりなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
走査線と信号線の交差点を除く走査線と信号線の交差点近傍上の第１の半導体層上には酸化シリコン層が形成され、
走査線と信号線の交差点上の第１の半導体層にはその側面に酸化シリコン層を有する第２の半導体層とその側面に陽極酸化層を有する耐熱金属層が形成され、
前記ソース・ドレイン電極間の第１の半導体層上に酸化シリコン層が形成され、
前記ソース電極上と第１の透明性絶縁基板上と前記走査線と信号線の交差点上の耐熱金属層上に透明導電層とその表面上に陽極酸化層を有する陽極酸化可能な低抵抗金属層との積層よりなる信号線と、前記ドレイン電極上と第１の透明性絶縁基板上に透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で走査線の一部上に透明導電層よりなる走査線の電極端子が形成され、
前記走査線の電極端子を除いて走査線上に陽極酸化層が形成され、
画像表示部外の領域で信号線上の陽極酸化層と低抵抗金属層が除去されて透明導電性の信号線の電極端子が露出していることを特徴とする液晶表示装置。
走査線の側面に形成された絶縁層が有機絶縁層であることを特徴とする請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０及び請求項２１に記載の液晶表示装置。
第１の金属層が陽極酸化可能な金属層よりなり走査線の側面に形成された絶縁層が陽極酸化層であることを特徴とする請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８及び請求項１９、請求項２０及び請求項２１に記載の液晶表示装置。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記コンタクト領域を含んで耐熱金属層と第２非晶質シリコン層との積層よりなる中間電極を形成する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記中間電極を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有しゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記コンタクト領域を含んで耐熱金属層と第２非晶質シリコン層との積層よりなる中間電極を形成する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記中間電極を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の保護絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を選択的に形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記コンタクト領域を含んで耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層との積層よりなる中間電極を形成する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記中間電極を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の保護絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を選択的に形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程とともに前記コンタクト領域を含んで耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層との積層よりなる中間電極を形成する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記中間電極を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の保護絶縁層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記保護絶縁層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記保護絶縁層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅細く保護絶縁層を残して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
絶縁ゲート型トランジスタのチャネル保護層となる保護絶縁層を選択的に形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性有機絶縁層パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して絵素電極上と走査線と信号線の電極端子上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と保護絶縁層を順次被着する工程と、
絶縁ゲート型トランジスタのチャネル保護層となる保護絶縁層を選択的に形成して前記第１の非晶質シリコン層を露出する工程と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、前記保護絶縁層と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記走査線の一部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光樹脂パターンの膜厚を減少して信号線を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く前記耐熱金属層と第２非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く前記耐熱金属層と第２非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
ゲート電極上に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記コンタクト領域を保護してコンタクトの周囲に耐熱金属層と第２非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を残す工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記コンタクト領域を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上の耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
ゲート電極上に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記コンタクト領域を保護してコンタクトの周囲に耐熱金属層と第２非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を残す工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記前記コンタクト領域を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の半導体層形成領域上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を形成して前記開口部内に走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の半導体層形成領域上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上に開口部を形成して前記開口部内に走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
半導体層形成領域に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上のゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域のゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記コンタクト領域を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
半導体層形成領域に耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト形成領域上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少してコンタクト形成領域上のゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記コンタクト領域のゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、前記コンタクト領域を含んで走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、かつゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して走査線上の耐熱金属層を選択的に露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして走査線上の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を順次食刻してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして走査線上のゲート絶縁層を食刻して走査線を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、画像表示部外の領域で前記露出している走査線を含んで走査線の電極端子と、同じく信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、少なくとも絵素電極上の膜厚が信号線領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性有機絶縁層パターンの膜厚を減少して少なくとも絵素電極上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性有機絶縁層パターンをマスクとして露出している低抵抗金属層を除去し、少なくとも透明導電性の絵素電極を形成する工程と、
絵素電極上及び走査線と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層を前記第１の透明性絶縁基板上に形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。
一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線とソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極とを有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板と、前記第１の透明性絶縁基板と対向する第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
少なくとも第１の透明性絶縁基板の一主面上に１層以上の第１の金属層と１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコン層と陽極酸化可能な耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、かつゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第１の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して走査線上の耐熱金属層を選択的に露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして走査線上の耐熱金属層と第２の非晶質シリコン層と第１の非晶質シリコン層を順次食刻してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして走査線上のゲート絶縁層を食刻して走査線を露出する工程と、
透明導電層と陽極酸化可能な低抵抗金属層を被着後、ゲート電極と一部重なるようにソース配線（信号線）と、同じく絵素電極となるドレイン配線と、画像表示部外の領域で前記露出している走査線を含んで走査線の電極端子と、同じく信号線の一部よりなる信号線の電極端子に対応し、信号線上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層を選択的に除去してソース・ドレイン配線と、走査線と信号線の電極端子を形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して信号線上の低抵抗金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして露出している信号線と前記ソース・ドレイン配線間の非晶質シリコン層を陽極酸化してこれらの陽極酸化層を形成するとともに露出している走査線上に陽極酸化層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンを除去後、前記陽極酸化層をマスクとして低抵抗金属層を除去し、透明導電性の絵素電極と透明導電性の走査線と信号線の電極端子を形成する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。