JP2004273426A - Conductive paste and ceramic multilayer substrate using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は積層セラミック電子部品に用いる高精度で高平坦性を有するセラミック多層基板およびその製造に用いられる導電ペーストに関するものである。 The present invention relates to a ceramic multilayer substrate having high precision and high flatness used for a multilayer ceramic electronic component, and a conductive paste used for manufacturing the same.
従来の積層セラミック電子部品に用いる低温焼成タイプのセラミック多層基板は、配線パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層後焼成することにより三次元回路が形成される。 In a low-temperature firing type ceramic multilayer substrate used for a conventional multilayer ceramic electronic component, a three-dimensional circuit is formed by stacking and firing a plurality of ceramic green sheets on which wiring patterns are formed.
このセラミック多層基板の各層の配線パターンどうしを接続するには所望層のセラミックグリーンシートにあらかじめ貫通孔を形成し、この貫通孔にAg,Cuなどの導体ペーストを充填して積層した後同時焼成することで各層の配線パターンを接続することにより三次元回路を形成するものである。 In order to connect the wiring patterns of each layer of the ceramic multilayer substrate, through holes are previously formed in the ceramic green sheet of the desired layer, and a conductive paste such as Ag or Cu is filled in the through holes and laminated, and then fired simultaneously. Thus, a three-dimensional circuit is formed by connecting the wiring patterns of each layer.
しかし、通常の焼成法では導体材料とセラミック材料の焼成収縮挙動が異なる場合が多く、大判で平坦なセラミック多層基板を得ることは困難であった。 However, in the normal firing method, the firing shrinkage behavior of the conductor material and the ceramic material often differ, and it has been difficult to obtain a large and flat ceramic multilayer substrate.
また、焼成時の収縮ばらつきによって寸法精度の高いセラミック多層基板を得ることも困難であった。 Also, it was difficult to obtain a ceramic multilayer substrate having high dimensional accuracy due to shrinkage variation during firing.
そこで、寸法精度の高いセラミック多層基板を得るための焼成方法として、セラミックグリーンシートの積層体の両主面に前記セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機組成物からなるセラミックグリーンシートを拘束層として積層した後、焼成する方法が提案されている。この拘束層を用いることで平面方向の収縮が大幅に抑制され、厚み方向のみに選択的に収縮が発生する。これにより、平坦かつ寸法精度の良好なセラミック多層基板を得ることが可能となるものである。 Therefore, as a firing method for obtaining a ceramic multilayer substrate with high dimensional accuracy, a ceramic green sheet made of an inorganic composition that does not sinter at the firing temperature of the ceramic green sheet is constrained on both main surfaces of the ceramic green sheet laminate. Then, a method of firing after lamination is proposed. By using this constraining layer, shrinkage in the plane direction is greatly suppressed, and shrinkage occurs selectively only in the thickness direction. This makes it possible to obtain a flat ceramic multilayer substrate with good dimensional accuracy.
なお、前記拘束層は焼成後においても焼結が殆ど進んでいないために簡単に除去することが可能である。 The constraining layer can be easily removed because sintering has hardly progressed even after firing.
一方、通常の焼成条件では導体ペーストとセラミックグリーンシート材料の焼成収縮挙動が異なる場合が多く、導体である導電粒子がセラミック材料よりも低温で拡散反応が始まり収縮していき、その後セラミック材料が焼結して収縮することから焼成収縮による残留内部応力が大きくなってしまう。 On the other hand, under normal firing conditions, the firing shrinkage behavior of the conductor paste and the ceramic green sheet material often differs, and the conductive particles, which are conductors, begin to diffuse at a lower temperature than the ceramic material and shrink, and then the ceramic material fires. Because of the shrinkage, the residual internal stress due to shrinkage during firing increases.
そのため、配線パターンの占有面積が大きくなるグラウンド層(接地層)を構成したときなどに剥離やクラックなどの欠陥が多く発生したり、生産性を高めるための大判で平坦なセラミック多層基板を得ることは困難であった。この課題を解決するために、AgやCuなどの導電粒子の表面に高温で安定な金属酸化物を被覆することによって反応する焼成温度領域を高温側へシフトさせ、焼成収縮挙動のマッチングを図る方法が提案されている。 Therefore, when a ground layer (ground layer) occupying a large area of the wiring pattern is formed, many defects such as peeling and cracks occur, and a large and flat ceramic multilayer substrate for improving productivity is obtained. Was difficult. In order to solve this problem, a method in which the surface of conductive particles such as Ag and Cu is coated with a stable metal oxide at a high temperature to shift a firing temperature range to be reacted to a higher temperature side and to match firing shrinkage behavior. Has been proposed.
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、特許文献2が知られている。
しかしながら、前述した方法でセラミック多層基板の製造を行う上で新たな課題が生じてくる。 However, a new problem arises in manufacturing a ceramic multilayer substrate by the above-described method.
それは、焼成過程において、導電ペーストとセラミックグリーンシート積層体との焼結タイミングや焼成収縮挙動の差により、内部電極層をより多層にしたときに内層電極とガラスセラミック層との間や内層電極周辺のセラミック素体に欠陥が発生しやすくなるということである。この現象はファインライン電極などを高密度に形成したり、特に積層したときなどに顕著に現われる。 In the firing process, the difference between the sintering timing and firing shrinkage behavior of the conductive paste and the ceramic green sheet laminate causes a difference between the inner electrode and the glass ceramic layer and around the inner electrode when the inner electrode layer is made more multilayer. In this case, defects easily occur in the ceramic body. This phenomenon appears remarkably when fine line electrodes and the like are formed at a high density, particularly when they are laminated.
従来の製造方法によるものであれば、焼成過程において三次元方向に収縮が起こるために欠陥が生じにくく、また、例え欠陥が生じたとしても微細なものであれば焼成途中に十分修復が可能であった。 According to the conventional manufacturing method, defects hardly occur because shrinkage occurs in the three-dimensional direction in the firing process.Also, even if defects occur, fine defects can be sufficiently repaired during firing. there were.
しかしながら、上記特許文献1の製造方法では平面方向に収縮がほとんど起こらないために発生した欠陥は修復される可能性が極めて少なく、いったん発生してしまうと最終段階までそれが残存してしまう。このように内層電極とガラスセラミック層との界面に欠陥が生じると、セラミック多層基板の信頼性が大きく低下することになる。 However, in the manufacturing method of Patent Document 1, since the shrinkage hardly occurs in the plane direction, the possibility of occurrence of the defect is extremely low, and once it occurs, it remains until the final stage. When defects occur at the interface between the inner layer electrode and the glass ceramic layer, the reliability of the ceramic multilayer substrate is greatly reduced.
一方、表層電極などの外部の電極では電極とセラミック多層基板との密着強度が十分に得られないために搭載する部品との接合やプリント実装基板との接合の強度が不十分となっていた。 On the other hand, with an external electrode such as a surface layer electrode, the adhesion strength between the electrode and the ceramic multilayer substrate cannot be sufficiently obtained, so that the bonding strength with a component to be mounted or the bonding with a printed mounting board is insufficient.
そこで、本発明は半導体やチップ部品を実装するために十分な平坦性と良好な寸法精度と電極密着強度を有し、ファインライン電極などを高密度に積層することが可能で、なおかつ電気特性を劣化させることなく、焼成後の内層電極周辺に信頼性を低下させるような欠陥等のない信頼性の高い導電ペーストおよびそれを用いたセラミック多層基板を得ることを目的とするものである。 Therefore, the present invention has sufficient flatness, good dimensional accuracy, and electrode adhesion strength for mounting semiconductors and chip components, enables fine-line electrodes and the like to be stacked at a high density, and has excellent electrical characteristics. It is an object of the present invention to obtain a highly reliable conductive paste which does not deteriorate and does not have a defect such as a decrease in reliability around an inner layer electrode after firing and a ceramic multilayer substrate using the same.
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。 In order to achieve the above object, the present invention has the following configurations.
本発明の請求項1に記載の発明は、AgまたはAgを主成分とする金属粉末の表面にAgより融点の高い金属酸化物を被覆した導電粒子と、モリブデン化合物と、有機ビヒクルを少なくとも含有した導電ペーストであり、高精度で高平坦性を有するセラミック多層基板を実現するための導電ペーストを提供することができる。 The invention according to claim 1 of the present invention contains at least a conductive particle in which Ag or a metal powder whose main component is Ag is coated with a metal oxide having a melting point higher than Ag, a molybdenum compound, and an organic vehicle. A conductive paste for realizing a ceramic multilayer substrate having high precision and high flatness, which is a conductive paste, can be provided.
本発明の請求項2に記載の発明は、モリブデン化合物を有機ビヒクルと導電粒子の合計量に対してMoO3に換算して0.1〜5重量%含有した請求項1に記載の導電ペーストであり、請求項1の作用に加えて低抵抗な導電ペーストを実現することができる。
The invention according to
本発明の請求項3に記載の発明は、AgまたはAgを主成分とする金属粉末の表面に、Agより融点の高い金属酸化物と前記金属酸化物よりも融点の低い金属化合物の少なくとも2種類を被覆した導電粒子と、有機ビヒクルを少なくとも含有し、モリブデン化合物を有機ビヒクルと導電粒子の合計量に対してMoO3に換算して0〜5重量%含有した導電ペーストであり、高精度で高平坦性を有する多層基板を実現するための導電ペーストを提供することができる。 According to a third aspect of the present invention, at least two types of metal oxides having a melting point higher than Ag and metal compounds having a lower melting point than the metal oxide are formed on the surface of Ag or a metal powder containing Ag as a main component. And a conductive paste containing at least an organic vehicle and a molybdenum compound in an amount of 0 to 5% by weight in terms of MoO 3 with respect to the total amount of the organic vehicle and the conductive particles. A conductive paste for realizing a multilayer substrate having flatness can be provided.
本発明の請求項4に記載の発明は、導電粒子の平均粒径が0.1〜3μmである請求項1または3に記載の導電ペーストであり、焼成後の電極とガラスセラミックスとの界面の平滑度が良好なため高周波特性に優れ、かつファインライン性に優れた欠陥の少ない高性能な内部電極を実現することができる。 The invention according to claim 4 of the present invention is the conductive paste according to claim 1 or 3, wherein the conductive particles have an average particle size of 0.1 to 3 µm, and the interface between the electrode and the glass ceramic after firing. Since the smoothness is good, it is possible to realize a high-performance internal electrode that is excellent in high-frequency characteristics and excellent in fine line characteristics and has few defects.
本発明の請求項5に記載の発明は、少なくとも有機ビヒクルを5〜30重量%、導電粒子を70〜95重量%含有した請求項1または3に記載の導電ペーストであり、より生産性に優れた高性能な導電ペーストを提供することができる。 The invention according to claim 5 of the present invention is the conductive paste according to claim 1 or 3, which contains at least 5 to 30% by weight of an organic vehicle and 70 to 95% by weight of conductive particles, and is more excellent in productivity. A high-performance conductive paste can be provided.
本発明の請求項6に記載の発明は、25℃における粘度が剪断速度0.2s-1の時に1200Pa・s以上である請求項1または3に記載の導電ペーストであり、再現性に優れた生産効率の良い導電ペーストを提供することができる。
The invention according to
本発明の請求項7に記載の発明は、25℃における粘度が剪断速度0.2s-1の時に300Pa・s以上、かつ剪断速度20s-1の時に150Pa・s以下である請求項1または3に記載の導電ペーストであり、高精度な印刷パターンを形成することができる導電ペーストを提供することができる。 In the invention according to claim 7 of the present invention, the viscosity at 25 ° C. is 300 Pa · s or more at a shear rate of 0.2 s −1 and 150 Pa · s or less at a shear rate of 20 s −1. And a conductive paste capable of forming a highly accurate print pattern.
本発明の請求項8に記載の発明は、ガラスセラミック材料からなるセラミックグリーンシートに配線パターンを形成し、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層し、その両主面にセラミックグリーンシート積層体の焼成温度では焼結しないセラミック材料よりなる拘束層を積層し、セラミックグリーンシート積層体を焼成し、焼成後に拘束層を除去して作製されたセラミック多層基板であって、少なくとも前記配線パターンの一部または全部を請求項1〜7のいずれか一つに記載の導電ペーストで形成したセラミック多層基板であり、高精度で高平坦性を有するセラミック多層基板を実現することができる。 According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a ceramic green sheet made of a glass ceramic material, wherein a wiring pattern is formed, a plurality of the ceramic green sheets are laminated, and the firing temperature of the ceramic green sheet laminate is formed on both main surfaces thereof. A ceramic multilayer substrate produced by laminating a constraining layer made of a ceramic material that does not sinter, firing the ceramic green sheet laminate, and removing the constraining layer after firing, at least a part or all of the wiring pattern Is a ceramic multilayer substrate formed of the conductive paste according to any one of claims 1 to 7, and a ceramic multilayer substrate having high accuracy and high flatness can be realized.
本発明の請求項9に記載の発明は、ガラスセラミック材料からなるセラミックグリーンシートに配線パターンを形成し、前記セラミックグリーンシートを複数枚積層し、その両主面にセラミックグリーンシート積層体の焼成温度では焼結しないセラミック材料よりなる拘束層を積層し、セラミックグリーンシート積層体を焼成し、焼成後に拘束層を除去して作製されたセラミック多層基板であって、少なくとも表面または/及び裏面または/及び側面の配線パターンを請求項1〜7のいずれか一つに記載の導電ペーストで形成したセラミック多層基板であり、実装信頼性の高いセラミック多層基板を実現することができる。 According to a ninth aspect of the present invention, a wiring pattern is formed on a ceramic green sheet made of a glass ceramic material, a plurality of the ceramic green sheets are laminated, and the firing temperature of the ceramic green sheet laminate is formed on both main surfaces thereof. A ceramic multilayer substrate manufactured by laminating a constraining layer made of a ceramic material that is not sintered, firing the ceramic green sheet laminate, and removing the constraining layer after firing, wherein at least the front surface or / and the back surface or / and This is a ceramic multilayer substrate in which the wiring pattern on the side surface is formed of the conductive paste according to any one of claims 1 to 7, and a ceramic multilayer substrate with high mounting reliability can be realized.
本発明の請求項10に記載の発明は、ガラスセラミック材料がAl2O3,MgO,ROa(RはLa,Ce,Pr,Nd,SmおよびGdから選ばれる少なくとも一種の元素であり、aは前記Rの価数に応じて化学量論的に定まる数値)を少なくとも含有する誘電体セラミック成分とアルカリ土類ケイ酸塩系ガラス成分とからなる請求項8または9に記載のセラミック多層基板であり、請求項8または9の作用に加えて強度に優れたセラミック多層基板を実現することができる。
According to a tenth aspect of the present invention, the glass ceramic material is Al 2 O 3 , MgO, ROa (R is at least one element selected from La, Ce, Pr, Nd, Sm and Gd, and a is 10. The ceramic multilayer substrate according to
本発明の請求項11に記載の発明は、アルカリ土類ケイ酸塩系ガラスがSiO2を40〜50重量%、B2O3を0〜10重量%、MeO(MeはBa,Ca,Srから選ばれる少なくとも一種以上)を25〜50重量%含む組成からなる請求項10に記載のセラミック多層基板であり、請求項10の作用に加えて低温焼結性に優れたセラミック多層基板を実現することができる。
Invention of claim 11 of the present invention, salt-based glass alkaline earth silicate the SiO 2 40 to 50 wt%, the B 2 O 3 0 wt%, MeO (Me is Ba, Ca, Sr 11. The ceramic multilayer substrate according to
本発明にかかる導電ペーストを使用してセラミック多層基板を製造することにより、焼成後において、高精度に積層したファインラインを有した内層電極とガラスセラミック層との界面およびその周辺に欠陥等を生じることのない、高精度でかつ高い平坦性を有する高周波特性に優れたセラミック多層基板を得ることが可能となる。また、密着強度の高い外部電極を有し、実装信頼性に優れたセラミック多層基板を得ることが可能となる。 By producing a ceramic multilayer substrate using the conductive paste according to the present invention, after firing, defects and the like occur at the interface between the inner layer electrode having fine lines laminated with high precision and the glass ceramic layer and the periphery thereof. It is possible to obtain a ceramic multi-layer substrate having high precision and high flatness and excellent high-frequency characteristics without any problem. Further, it is possible to obtain a ceramic multilayer substrate having an external electrode with high adhesion strength and excellent in mounting reliability.
(実施の形態1)
以下、実施の形態1を用いて本発明の請求項1〜11に記載の発明について説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to the first embodiment.
図1は本発明の実施の形態におけるセラミック多層基板の構造を説明するための断面図であり、図2はセラミックグリーンシート積層体の構造を説明するための断面図である。また図3は焼成後における電極周辺部の欠陥を説明するための断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a structure of a ceramic multilayer substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a structure of a ceramic green sheet laminate. FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining defects in the peripheral portion of the electrode after firing.
まず、セラミック多層基板10の構成を製造方法を参考にしながら説明する。
First, the configuration of the
1は所定の厚みに設計して作製されたセラミックグリーンシートであり、このセラミックグリーンシート1としては低温焼結型のガラスセラミック材料を用いることができる。このセラミックグリーンシート1にガラスセラミック材料を用いることによりAg,Cuなどの高導電率を有する電極材料を用いることができ、高周波デバイスの用途において小型で高性能な高周波モジュールなどを実現できるセラミック多層基板を提供することができる。 Reference numeral 1 denotes a ceramic green sheet designed and manufactured to have a predetermined thickness. As the ceramic green sheet 1, a low-temperature sintering type glass ceramic material can be used. By using a glass ceramic material for the ceramic green sheet 1, an electrode material having a high conductivity such as Ag or Cu can be used, and a ceramic multilayer substrate capable of realizing a small, high-performance high-frequency module or the like in high-frequency device applications. Can be provided.
このセラミックグリーンシート1は次のように作製することができる。まずセラミック粉末とガラス粉末を混合したガラスセラミック材料に適量のポリビニルブチラール系樹脂バインダ、可塑剤、有機溶剤を加え、よく分散させることによりセラミックスラリーを作製した。なおここで使用するガラスセラミックスについては後に詳述する。 This ceramic green sheet 1 can be manufactured as follows. First, an appropriate amount of a polyvinyl butyral-based resin binder, a plasticizer, and an organic solvent were added to a glass ceramic material obtained by mixing a ceramic powder and a glass powder, and the mixture was thoroughly dispersed to prepare a ceramic slurry. The glass ceramic used here will be described later in detail.
次に、前記セラミックスラリーをドクターブレード法等のセラミックグリーンシート成形法によりベースフィルム(PETフィルムなど)上に厚み20〜100μmのセラミックグリーンシート1を形成する。なお、ここではベースフィルムとしてPETフィルムを使用したが、離型性を有する材質であれば特に限定する必要はない。 Next, the ceramic slurry is formed into a ceramic green sheet 1 having a thickness of 20 to 100 μm on a base film (such as a PET film) by a ceramic green sheet forming method such as a doctor blade method. Here, the PET film is used as the base film, but there is no particular limitation as long as the material has releasability.
その後、前記セラミックグリーンシート1を所定のサイズに切断後、ビア電極3を形成するためのビアホールをパンチングやレーザ加工等の方法で形成する。なお、必要に応じて積層時の位置決め用のパイロット穴も同時に形成する。 Then, after cutting the ceramic green sheet 1 to a predetermined size, a via hole for forming the via electrode 3 is formed by a method such as punching or laser processing. If necessary, a pilot hole for positioning at the time of lamination is also formed at the same time.
その後、これらのビアホールへ電極ペーストを充填することによってビア電極3を形成し、スクリーン印刷法によって内層電極2の電極パターンの印刷を行う。なおここで使用する導電ペーストについては後に詳細に説明する。
Thereafter, the via holes 3 are formed by filling the via holes with an electrode paste, and the electrode pattern of the
前記ビア電極3および内層電極2を形成した後、ベースフィルム面を上にして積層機のピンとベースフィルム上のパイロット穴で位置合わせを行い、熱圧着後ベースフィルムを剥離する。この作業を必要な積層数分だけ繰り返すことでガラスセラミック材料を用いたセラミックグリーンシート1の積層体を形成する。
After the via electrode 3 and the
さらに、このセラミックグリーンシート1の積層体の上下面に前記セラミックグリーンシート1の焼成温度では焼結しないAl2O3,ZrO2,MgO等の材料からなる拘束用セラミックグリーンシートを拘束層5として積層し、この積層体を熱プレスにより加圧することで図2に示したような上下に拘束層5を配置したセラミックグリーンシート積層体11を形成する。このセラミックグリーンシート積層体11を350〜600℃で脱脂後、850〜950℃で焼成を行うことにより、図1に示すような三次元配線回路を有する低温焼成型のセラミック多層基板10が得られる。図1において、6はセラミックグリーンシート1を焼成したガラスセラミック層を示している。
Further, a constraining ceramic green sheet made of a material such as Al 2 O 3 , ZrO 2 , MgO which does not sinter at the firing temperature of the ceramic green sheet 1 is formed on the upper and lower surfaces of the laminate of the ceramic green sheets 1 as the constraining layer 5. By laminating and pressing this laminate by a hot press, a ceramic green sheet laminate 11 in which the constraining layers 5 are arranged vertically as shown in FIG. 2 is formed. After the ceramic green sheet laminate 11 is degreased at 350 to 600 ° C. and fired at 850 to 950 ° C., a low-temperature fired
また、表層電極4についてはセラミックグリーンシート積層体11と同時焼成あるいは焼成後に焼き付けを行う方法であっても、どちらでも可能である。 The surface electrode 4 may be baked simultaneously with the ceramic green sheet laminate 11 or may be baked after the calcination.
なお、拘束層5は焼成後に研磨、超音波洗浄、ブラスト等の方法で簡単に除去することが可能である。そして、この後できたセラミック多層基板10の表層に必要に応じてIC、SAWフィルタ、チップ部品等を実装した後、ダイシング等の方法により所定のチップサイズに切断することで所望の積層セラミック電子部品が得られる。
Note that the constraining layer 5 can be easily removed after polishing by a method such as polishing, ultrasonic cleaning, or blasting. Then, after mounting an IC, a SAW filter, a chip component, and the like as necessary on the surface layer of the
以上のような構成により、高度な寸法精度と優れた平坦性を有するセラミック多層基板10を効率よく提供することが可能となる。
With the above configuration, it is possible to efficiently provide the
次に、このセラミック多層基板に用いる導電ペーストについて詳細に説明する。 Next, the conductive paste used for the ceramic multilayer substrate will be described in detail.
この方法で作製されるセラミック多層基板10の焼成による内層電極2の周辺の欠陥を防止するには、導電ペーストが通常のAgペーストよりも焼結が遅く、かつガラスセラミック材料の焼結温度の前後において、急激な収縮を起こさないことが重要である。
In order to prevent defects around the
本発明にかかる導電ペーストは有機ビヒクルと、AgまたはAgを主成分とする金属粉末12の表面に、Agより融点の高い金属酸化物13で被覆した導電粒子とモリブデン化合物とを少なくとも含有する導電ペーストによって構成されている。
The conductive paste according to the present invention is a conductive paste containing at least an organic vehicle, conductive particles coated with
この導電ペーストはAgより融点の高い金属酸化物13で被覆することにより導電粒子であるAg粉末の平均粒径を小さくしても通常のAg粉末よりも焼結を遅らせることができるとともにモリブデン化合物を含むことによって、緩やかな収縮挙動特性を得ることができるので、ガラスセラミック材料の焼結温度の前後において、急激な収縮を起こさない導電ペーストを実現することができる。
By coating the conductive paste with a
また、モリブデン化合物はMo金属、MoO3、ナフテン酸Moや2エチルヘキサン酸Mo、オクチル酸MoなどのMo有機化合物、あるいは珪化物としてMoSiO2がその効果を発揮することができることを確認した。 It was also confirmed that Mo metal, MoO 3 , Mo organic compounds such as naphthenic acid Mo, 2-ethylhexanoic acid Mo, and octylic acid Mo, or MoSiO 2 as a silicide can exert the effect of the molybdenum compound.
また、このモリブデン化合物の含有量は有機ビヒクルと導電粒子の合計量に対して、MoO3に換算して0.1〜5重量%が好ましい特性を実現することが分かった。0.1重量%より少ない時はモリブデン化合物の添加効果が少なく、5重量%より多い時は焼成後の導体抵抗が大きくなり高周波領域において特性の低下が見られ実用性に乏しくなるからである。 Further, it has been found that the content of the molybdenum compound is preferably 0.1 to 5% by weight in terms of MoO 3 with respect to the total amount of the organic vehicle and the conductive particles to realize preferable characteristics. When the amount is less than 0.1% by weight, the effect of adding the molybdenum compound is small, and when the amount is more than 5% by weight, the conductor resistance after firing becomes large, the characteristics are deteriorated in a high frequency region, and practicality is poor.
また、本発明にかかる導電ペーストは有機ビヒクルと、AgまたはAgを主成分とする金属粉末12の表面に、Agより融点の高い金属酸化物13と前記金属酸化物よりも融点の低い金属化合物14の少なくとも2種類を被覆した導電粒子と、有機ビヒクルを少なくとも含有し、モリブデン化合物を有機ビヒクルと導電粒子の合計量に対してMoO3に換算して0〜5重量%含有した導電ペーストによって構成されている。
Further, the conductive paste according to the present invention comprises an organic vehicle, a
この導電ペーストは、Agより融点の高い金属酸化物13と前記金属酸化物よりも融点の低い金属化合物14の少なくとも2種類をAg粉末の表面に被覆した形態で、通常のAg粉末よりも焼結を遅らせることができるとともに前記金属酸化物13より融点の低い金属化合物14で被覆することによって、1種類の金属酸化物のみで被覆した場合に比べ、焼結温度の制御がしやすく、緩やかな収縮挙動特性を得ることができるので、ガラスセラミック材料の焼結温度の前後において、急激な収縮を起こさない導電ペーストを実現することができる。また、5重量%以下のモリブデン化合物を含有してもより効果が発揮できる。
This conductive paste has a form in which at least two kinds of
さらに、ここで使用される有機ビヒクルは有機バインダ及び溶剤を含有するものであり、特に限定はされないが、例えばエチルセルロース、ブチラール樹脂、アクリル樹脂等を使用することができる。また、溶剤についても、例えばブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、テルピネオール等を使用することができる。 Further, the organic vehicle used here contains an organic binder and a solvent, and is not particularly limited. For example, ethyl cellulose, butyral resin, acrylic resin and the like can be used. As the solvent, for example, butyl carbitol, butyl carbitol acetate, terpineol, and the like can be used.
また、導電粒子としては高い導電性を有する金属であれば良く、Cuなども窒素雰囲気中で焼成すれば用いることができる。さらにAg粉末には必要に応じてAgの他にPd,Pt,Au,Cuなどの金属を混合するか、あるいはこれらの合金粉末として使用してもよい。Ag以外の金属の含有量としては、焼結温度、導体抵抗、コストなどの兼ね合いで決めることができる。 Further, as the conductive particles, any metal having high conductivity may be used, and Cu or the like can be used by firing in a nitrogen atmosphere. Further, a metal such as Pd, Pt, Au, Cu or the like may be mixed with the Ag powder, if necessary, or may be used as an alloy powder thereof. The content of the metal other than Ag can be determined in consideration of the sintering temperature, conductor resistance, cost, and the like.
また、Agより融点の高い金属酸化物の種類は、特に限定されるものではないがAl2O3,ZrO2,TiO2,BaO,CaO,SiO2などが効果的であった。そして、Ag系粉末を被覆する量は必要とされる導体抵抗の範囲内になるように、その量を選ぶことが望ましい。検討の結果、好ましい導体抵抗の範囲は0.01〜0.5重量%の範囲内において優れた高周波特性を示した。 The kind of metal oxide having a higher melting point than Ag is not particularly limited, but Al 2 O 3 , ZrO 2 , TiO 2 , BaO, CaO, SiO 2 and the like were effective. It is desirable to select the amount so that the amount of the Ag-based powder to be coated is within the required range of the conductor resistance. As a result of the study, a preferable range of the conductor resistance showed excellent high-frequency characteristics in a range of 0.01 to 0.5% by weight.
また、前記金属酸化物より融点の低い金属化合物は、前記金属酸化物より融点の低い金属酸化物でも良く、有機金属化合物やモリブデン化合物などでも良い。そして、Ag系粉末を被覆する量は必要とされる導体抵抗の範囲内になるように、その量を選ぶことが望ましい。 The metal compound having a lower melting point than the metal oxide may be a metal oxide having a lower melting point than the metal oxide, or may be an organic metal compound, a molybdenum compound, or the like. It is desirable to select the amount so that the amount of the Ag-based powder to be coated is within the required range of the conductor resistance.
ここで被覆とは、図4に示すようにAg系粉末の表面全体を切れ目なく被覆した状態のみならず、図5に示すように一部分を被覆しているもの、さらには図6に示すように点在して付着しているものも含むものである。そして、その形態は被覆する金属酸化物の量に応じて変わるものである。 Here, the coating means not only a state in which the entire surface of the Ag-based powder is continuously coated as shown in FIG. 4, but also a part in which the surface is coated as shown in FIG. 5, and further, as shown in FIG. This includes those that are scattered and attached. The form changes according to the amount of the metal oxide to be coated.
また、Agより融点の高い金属酸化物13とそれより融点の低い金属化合物14で被覆する場合も、図7に示すように粉末の表面全体を切れ目なく2重に被覆されたもの、また図8に示すように1種類のみ切れ目なく被覆されたもの、さらに図9に示すように2種類とも一部分を被覆したものなどがあるが、その量に応じて被覆の形態は変わるものであり、ここに示した形態に限るものではない。
In the case of coating with a
また、図4〜図9では被覆する金属酸化物13が粒子状になっているが、図10に示すように膜状の金属酸化物13で被覆しても良い。またこの膜状の被覆の場合も、図10に示すような切れ目のない被覆に限らず、一部分を被覆しているものや点在して付着しているものも被覆に含む。同様に、図11に示すように膜状の金属酸化物13と金属化合物14で被覆しても良い。この場合も図11に示すような粉末の表面全体を切れ目なく2重に被覆されたものに限らず、1種類のみ切れ目なく被覆されたものや2種類とも一部分を被覆したものなどを含む。
4 to 9, the
さらに、この導電ペーストは有機ビヒクルを5〜30重量%、導電粒子を70〜95重量%それぞれ含有することが好ましく、また導電粒子の平均粒径が0.1〜3μmであることが好ましい。導電粒子が70重量%より少なくなるとファインラインで構成した内層電極2が焼成後に断線する確率が高くなり、95重量%より多くなると内層電極2のファインラインの印刷性が悪くなるからである。また、導電粒子の平均粒径が0.1μmより小さいと焼結温度が低下してしまい、3μmよりも大きいと内層電極2のファインラインの印刷性が悪くなるとともに電極とガラスセラミックスとの界面の平滑度が悪くなり高周波特性が劣化するからである。
Further, the conductive paste preferably contains 5 to 30% by weight of the organic vehicle and 70 to 95% by weight of the conductive particles, and preferably has an average particle size of 0.1 to 3 μm. If the conductive particles are less than 70% by weight, the probability of disconnection of the
次に、導電ペーストの25℃における粘度は剪断速度0.2s-1の時に1200Pa・s以上であることがより好ましい。25℃における粘度が剪断速度0.2s-1の時に1200Pa・s以上であるとファインラインを連続印刷した時に生じるパターンの潰れを大幅に低減することができるからである。 Next, the viscosity of the conductive paste at 25 ° C. is more preferably 1200 Pa · s or more when the shear rate is 0.2 s −1 . If the viscosity at 25 ° C. is 1200 Pa · s or more when the shear rate is 0.2 s −1 , it is possible to greatly reduce the collapse of the pattern that occurs when fine lines are continuously printed.
さらに、導電ペーストの25℃における粘度は剪断速度0.2s-1の時に300Pa・s以上で、かつ剪断速度20s-1の時に150Pa・s以下であることが好ましい。好ましい粘度をこの範囲にした理由は、剪断速度0.2s-1での粘度が300Pa・sよりも低いと、内層電極2のファインラインの印刷精度が悪くなったり、内層電極2のファインラインとファインラインの間のスペースが狭いパターンでは導電ペーストのダレによるショート不良が起きる確率が高くなるからである。また剪断速度20s-1での粘度が150Pa・sより高いと、内層電極2のファインラインの印刷性が著しく悪くなるからである。
Further, the viscosity of the conductive paste at 25 ° C. is preferably 300 Pa · s or more at a shear rate of 0.2 s −1 and 150 Pa · s or less at a shear rate of 20 s −1 . The reason for setting the preferable viscosity in this range is that if the viscosity at a shear rate of 0.2 s -1 is lower than 300 Pa · s, the printing accuracy of the fine line of the
前記導電ペーストは、所望する配合の導電粒子、モリブデン化合物、有機ビヒクルとを混練し、三本ロールでこれらの物質を均一に分散することによって作製することができる。 The conductive paste can be produced by kneading conductive particles, a molybdenum compound, and an organic vehicle having a desired composition, and uniformly dispersing these substances with a three-roll mill.
次にガラスセラミック材料について説明する。 Next, the glass ceramic material will be described.
本実施の形態において作製されるセラミック多層基板10の特性を確保するには、ガラスセラミック材料がAg系の導電ペーストと同時焼成可能であり、焼成後の電極周辺に欠陥が生じないことが必要である。またAgの融点を考慮するとガラスセラミック材料は850〜950℃で焼結することが望ましい。
In order to ensure the characteristics of the
本実施の形態にかかるセラミック多層基板10を構成するガラスセラミック材料はAl2O3,MgO,ROa(RはLa,Ce,Pr,Nd,SmおよびGdから選ばれる少なくとも一種の元素であり、aは前記Rの価数に応じて化学量論的に定まる数値)を少なくとも含有する誘電体セラミック成分と、アルカリ土類ケイ酸塩系ガラス成分とからなることが好ましい。
The glass-ceramic material constituting the
このようなガラスセラミック材料で構成することによって、内部欠陥が少なく、高強度、高精度、かつ高周波での使用に適した低損失のセラミック多層基板10を得ることができた。
By using such a glass ceramic material, it was possible to obtain a
また、セラミック多層基板10のガラスセラミック材料を構成するアルカリ土類ケイ酸塩系ガラスはSiO2が40〜50重量%、B2O3が0〜10重量%、MeO(MeはBa,Ca,Srから選ばれる少なくとも一種以上)が25〜50重量%の範囲内で含まれていることが好ましい。SiO2はガラスの主形成酸化物であるが50wt%を超えると溶融温度が高くなりすぎ、40wt%未満ではガラスの化学的安定性が悪くなり、後工程でセラミック多層基板10の外部端子などに形成するために必要なめっき処理を行うときにガラスセラミック材料が侵されやすくなる。
Further, salt-based glass alkaline earth silicates SiO 2 is 40 to 50% by weight constituting the glass-ceramic material of the
また、B2O3はガラス軟化点を下げる効果があるが、10wt%を超えると軟化点が下がりすぎてAgとの反応が激しくなり、焼成時にガラス成分とAg導体との相互拡散によって導体の導電率低下やガラスセラミック材料の絶縁抵抗の低下を引き起こす。さらにMeOは焼成時におけるガラス材料の結晶性に関係するものであって、含有量は25〜50wt%が最適であるが、これはより好ましい例であって限定されるものではない。またその他の成分も特性を大きく損なわない限り添加が可能であり、例えばAl2O3,La2O3,Sn2O3,P2O3,K2Oなどが挙げられる。 Further, B 2 O 3 has an effect of lowering the glass softening point, but if it exceeds 10 wt%, the softening point is too low, and the reaction with Ag becomes intense. This causes a decrease in conductivity and a decrease in insulation resistance of the glass ceramic material. Further, MeO is related to the crystallinity of the glass material at the time of firing, and the content is optimally 25 to 50% by weight, but this is a more preferable example and is not limited. Other components can be added as long as the characteristics are not significantly impaired, and examples thereof include Al 2 O 3 , La 2 O 3 , Sn 2 O 3 , P 2 O 3 , and K 2 O.
次に、無機フィラーとなるセラミック粉末の作製は出発原料を所定の組成になるよう秤量し、ボールミル等の混合設備で純水と共に混合し、混合したセラミックスラリーを乾燥機にて乾燥させた後、電気炉にて1300〜1500℃で仮焼を行い、仮焼したセラミック粉末を純水と共にボールミル等の粉砕設備で平均粒径1μmになるまで粉砕した後乾燥機にて乾燥させて作製した。 Next, the preparation of the ceramic powder to be an inorganic filler, the starting material is weighed to have a predetermined composition, mixed with pure water in a mixing facility such as a ball mill, and the mixed ceramic slurry is dried by a dryer, The powder was calcined at 1300 to 1500 ° C. in an electric furnace, and the calcined ceramic powder was pulverized together with pure water by a pulverizing equipment such as a ball mill until the average particle diameter became 1 μm, and then dried by a drier.
また、ガラス粉末の作製は出発原料を所定の組成になるように秤量し、ボールミル等の混合設備で純水と共に混合し、混合スラリーを乾燥後、電気炉にて溶融した後に急冷し、粉砕設備にて平均粒径1μmに粉砕して作製した。 The glass powder was prepared by weighing the starting materials so as to have a predetermined composition, mixing the starting materials with pure water in a mixing facility such as a ball mill, drying the mixed slurry, melting in an electric furnace, quenching, and then crushing. And pulverized to an average particle size of 1 μm.
これらのセラミック粉末とガラス粉末をボールミル等の混合設備で純水と共に混合し、乾燥機にて乾燥させてガラスセラミック材料を作製した。 These ceramic powder and glass powder were mixed with pure water in a mixing facility such as a ball mill, and dried with a dryer to produce a glass ceramic material.
(実施例1)
上記実施の形態のさらなる具体例について詳述する。
(Example 1)
A further specific example of the above embodiment will be described in detail.
実施例1では(表1)に示す組成を有する導電ペーストを作製し、前記セラミック多層基板10の作製方法に基づいてセラミック多層基板10を作製し、その内層電極2およびセラミック多層基板10の評価を行った。なお、ここでのガラスセラミック材料は(表3)に示すNo.32の組成のものを使用した。
In Example 1, a conductive paste having a composition shown in (Table 1) was prepared, a
評価項目としては導電ペーストの粘度、連続印刷性、焼成後の内層電極2の周辺部の欠陥、導体抵抗、ファインライン性、外部電極の密着強度について評価した。
As the evaluation items, the viscosity of the conductive paste, the continuous printability, the defect at the peripheral portion of the
また、内層電極2の周辺の欠陥の評価についてはライン/スペース=50μm/50μmのファインラインが厚さ25μmのセラミックグリーンシート1を介して4層積層されたセラミックグリーンシート1の積層体を作製し、実施の形態で説明した作製方法で焼成した後、セラミック多層基板10の断面を研磨して内層電極2の周辺の欠陥またはクラックの発生の有無について金属顕微鏡を用いて観察した。
Regarding the evaluation of the defect around the
さらに、ファインライン性についてはライン/スペース=50μm/50μm、長さ15mmのファインラインを厚さ25μmのセラミックグリーンシート1の上に内層電極2として30本印刷形成し、前記作製方法と同様に焼成した後、内層電極2のショート不良または断線不良から評価した。
Further, regarding the fine line property, 30 fine lines having a line / space of 50 μm / 50 μm and a length of 15 mm were printed and formed as
また、ファインラインの連続印刷性は、ライン/スペース=20μm/20μmのファインラインを厚さ25μmのセラミックグリーンシート1に裏拭きなしで100回連続印刷した時のパターン潰れの有無を金属顕微鏡で観察した。 The continuous printability of the fine line is determined by observing with a metallographic microscope whether or not the pattern has collapsed when a fine line having a line / space of 20 μm / 20 μm is continuously printed 100 times without wiping on the ceramic green sheet 1 having a thickness of 25 μm. did.
また、外部電極の密着強度については、同時焼成によって形成した2mm×2mmの正方形状の表層電極にリード線を半田付けし、ガラスセラミック基板に対して垂直方向に引っ張り試験を行い、電極が破壊したときの試験力を測定した。 Regarding the adhesion strength of the external electrode, a lead wire was soldered to a 2 mm × 2 mm square surface layer electrode formed by simultaneous firing, and a tensile test was performed in a direction perpendicular to the glass ceramic substrate, and the electrode was broken. The test force at that time was measured.
その評価結果を(表2)および(表4)および(表5)に示す。 The evaluation results are shown in (Table 2), (Table 4) and (Table 5).
(表2)の結果より、モリブデン化合物を含まないNo.1のペーストを用いた場合、図3に示すような内層電極7の周辺には焼成後に欠陥9が生じた。それ以外のモリブデン化合物を添加した場合は上記欠陥9は生じることはなかった。さらに添加量を増やしたNo.6の場合は内層電極7とガラスセラミック層6の界面において反応層が生じており、また導体抵抗値についても大きくなり変化していた。
From the results of (Table 2), it is found that No. 2 containing no molybdenum compound. When the paste No. 1 was used, a defect 9 occurred around the inner layer electrode 7 after firing as shown in FIG. When any other molybdenum compound was added, the above defect 9 did not occur. No. 3 in which the addition amount was further increased. In the case of No. 6, a reaction layer was formed at the interface between the inner layer electrode 7 and the
また(表4)の結果より、Ag系粉末12にAgより融点の高い金属酸化物13と前記金属酸化物より融点の低い金属化合物14を被覆したペーストも、焼結時の収縮速度が緩やかとなり、内層電極7の周辺には焼成後に欠陥9が発生しなかった。
Also, from the results in Table 4, the paste in which the Ag-based
さらに(表5)の結果より、モリブデン化合物を含まないNo.1のペーストを用いた場合に比べ、モリブデン化合物を添加したペーストは、外部電極の密着強度が大きく向上した。 Further, from the results of (Table 5), it is found that No. As compared with the case where the paste No. 1 was used, the paste to which the molybdenum compound was added greatly improved the adhesion strength of the external electrode.
また、Mo化合物については酸化物のみならず、金属Mo、珪化物、有機化合物においても良好な結果が得られた。 Good results were obtained not only for oxides but also for metal Mo, silicides and organic compounds.
次に、導電粒子の含有率を70wt%未満にしたNo.18は断線不良が大幅に増加した。しかしながら導電粒子の含有率が70〜95wt%では断線不良は発生しなかった。さらに導電粒子の含有量が95wt%を超えるNo.14についても、断線不良が増加した。 Next, in the case of No. 3 in which the content of the conductive particles was less than 70 wt%. In No. 18, the number of disconnection failures significantly increased. However, when the content of the conductive particles was 70 to 95 wt%, no disconnection failure occurred. Further, in the case of No. 1 in which the content of the conductive particles exceeds 95 wt%. 14 also showed an increase in disconnection failure.
また、導電粒子の平均粒径が0.1μmよりも小さいNo.19は構造欠陥が生じ、3μmよりも大きいNo.23は断線不良が多発する結果となった。この理由は粒径が小さすぎると内層電極2がセラミックグリーンシート1よりも早く収縮し過ぎるためであり、内層電極2が未焼結のセラミックグリーンシート1に対して内部応力を発生させてガラスセラミック層6にクラックが生じてしまうためである。反対に粒径が大きすぎると印刷性が悪くなり、焼成後に断線不良率が増加した。よって導電粒子の平均粒径は0.1〜3μmのものを使用することが好ましい。
In addition, the conductive particles had an average particle size of less than 0.1 μm. In No. 19, a structural defect occurred, and No. 19 was larger than 3 μm. No. 23 resulted in frequent disconnection defects. The reason for this is that if the particle size is too small, the
なお、Ag系粉末についてはAg単体以外にPdとの混合粉からなるものでも良い結果が得られた。Ag以外の金属の例としてはPdの他に一般的にPt,Au,Cu等の比較的導体抵抗が低い金属が挙げられる。また、これらの金属との合金粉末であってもよい。 In addition, as for the Ag-based powder, a good result was obtained by using a powder mixture with Pd in addition to Ag alone. Examples of metals other than Ag include metals generally having relatively low conductor resistance, such as Pt, Au, and Cu, in addition to Pd. Further, an alloy powder with these metals may be used.
次に、25℃の時の粘度が0.2s-1での測定値を300Pa・s未満にしたNo.24はショート不良が増加し、20s-1での測定値が150Pa・sを超えるNo.25はファインラインの印刷性が悪いために断線不良が多発した。さらに0.2s-1での測定値が1200Pa・s以上の特性を有する導電ペーストでは連続印刷した時にパターンの潰れが極めて少ないことがわかる。 Next, the measured value at a viscosity of 0.2 s -1 at 25 ° C. was less than 300 Pa · s. In No. 24, the number of short-circuit defects increased, and the measured value at 20 s -1 exceeded 150 Pa · s. In No. 25, disconnection failure occurred frequently due to poor printability of the fine line. Further, it can be understood that the conductive paste having a characteristic value of 1200 Pa · s or more measured at 0.2 s −1 has very little pattern collapse during continuous printing.
(実施例2)
実施例2では(表3)に示す組成を有するガラスセラミック材料を作製し、セラミックグリーンシート1を複数枚積層してプレスした後、15mmφの円板と5mm×30mmの矩形板を打ち抜き、電気炉にて焼成することによってガラスセラミック材料単体の焼結体を作製した。作製された円板の焼結体の両主面にAg電極を形成し、LCRメーターで比誘電率(εr)と誘電損失を測定した。また矩形板の焼結体は研磨した後、4点曲げ法で抗折強度を測定した。その結果を(表3)に示す。
(Example 2)
In Example 2, a glass ceramic material having the composition shown in (Table 3) was prepared, a plurality of ceramic green sheets 1 were laminated and pressed, and then a 15 mmφ disk and a 5 mm × 30 mm rectangular plate were punched out, and an electric furnace was manufactured. Then, a sintered body of the glass ceramic material alone was produced by firing. Ag electrodes were formed on both main surfaces of the produced sintered body of the disc, and the relative permittivity (εr) and the dielectric loss were measured with an LCR meter. After the rectangular body was polished, the bending strength was measured by a four-point bending method. The results are shown in (Table 3).
(表3)に示すように、これらのガラスセラミック材料は低損失で高強度の特性が得られていることがわかる。 As shown in Table 3, it can be seen that these glass ceramic materials have low loss and high strength characteristics.
なお、ここでのガラスは、SiO2:45wt%、B2O3:5wt%、BaO:15wt%、CaO:20wt%、SrO:5wt%(MeOとして40wt%)を1450℃で溶融して作製したものを用いた。このガラスは820℃の軟化点を有するものである。 The glass here was produced by melting 45% by weight of SiO 2 , 5% by weight of B 2 O 3 , 15% by weight of BaO, 20% by weight of CaO, and 5% by weight of SrO (40% by weight as MeO) at 1450 ° C. What was used was used. This glass has a softening point of 820 ° C.
次に、(表3)のガラスセラミック材料と(表1)のNo.4の導電ペーストを用いて、実施の形態と同じ作製方法でセラミック多層基板10を作製した。
Next, the glass ceramic material of (Table 3) and the No. 1 of (Table 1) were used. Using the conductive paste of No. 4, a
いずれのガラスセラミック材料でも、ファインラインを有する内層電極2などのパターンを高密度に積層した場合に、内層電極2の周辺に欠陥やクラックの発生はなく、信頼性の高いセラミック多層基板10が得られた。また、これらのセラミック多層基板10は面方向の寸法精度が1%以下、平坦性は基板面積100mm×100mmあたり100μm以下と小さく、非常に高精度なセラミック多層基板10であった。
With any of the glass ceramic materials, when a pattern such as the
本発明にかかる導電ペーストおよびそれを用いたセラミック多層基板は、高精度でかつ高い平坦性を有する高周波特性に優れたセラミック多層基板や、実装信頼性に優れたセラミック多層基板を得ることが可能となり、積層セラミック電子部品に用いるセラミック多層基板およびその製造に用いられる導電ペーストとして有用である。 The conductive paste and the ceramic multilayer substrate using the same according to the present invention make it possible to obtain a ceramic multilayer substrate having high precision and high flatness, and having excellent high-frequency characteristics and a ceramic multilayer substrate having excellent mounting reliability. The present invention is useful as a ceramic multilayer substrate used for a multilayer ceramic electronic component and a conductive paste used for manufacturing the same.
1 セラミックグリーンシート
2 内層電極
3 ビア電極
4 表層電極
5 拘束層
6 ガラスセラミック層
7 内層電極
8 ビア電極
9 欠陥
10 セラミック多層基板
11 セラミックグリーンシート積層体
12 AgまたはAgを主成分とする金属粉末
13 金属酸化物
14 金属化合物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic
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