JP2003298115A - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード

Info

Publication number
JP2003298115A
JP2003298115A JP2002103237A JP2002103237A JP2003298115A JP 2003298115 A JP2003298115 A JP 2003298115A JP 2002103237 A JP2002103237 A JP 2002103237A JP 2002103237 A JP2002103237 A JP 2002103237A JP 2003298115 A JP2003298115 A JP 2003298115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
resin body
emitting diode
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002103237A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadato Imai
貞人 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP2002103237A priority Critical patent/JP2003298115A/ja
Priority to DE20321614U priority patent/DE20321614U1/de
Priority to DE10314468A priority patent/DE10314468A1/de
Priority to US10/407,249 priority patent/US6774404B2/en
Publication of JP2003298115A publication Critical patent/JP2003298115A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子を封止する樹脂体の側面側に射出さ
れる光量を増やすことによって、広角な指向性を得られ
るようにすると共に全体の輝度アップを図るようにした
発光ダイオードを提供することである。 【解決手段】 電極２３ａ，２３ｂが形成された基板２
２の上面に発光素子２４を載置し、該発光素子２４と前
記電極２３ａ，２３ｂとを電気的に接続すると共に、該
発光素子２４を樹脂体２６で封止してなる発光ダイオー
ド２１において、前記樹脂体２６の表層部に光散乱材７
が集中する光散乱層３０を設け、樹脂体２６の側面３３
側での発光輝度を向上させることで広角な指向性を有す
る発光効果を得られるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広角な指向性を備
えた発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光ダイオードとして、例えば図
４に示すようなものが知られている（特開２０００−１
２４５０７号公報等参照）。この発光ダイオード１は、
一対の電極３ａ，３ｂが両側に形成された基板２と、こ
の基板２上に載置されボンディングワイヤ５を介して前
記電極３ａ，３ｂと接続される発光素子４と、この発光
素子４の上方を封止する樹脂体６とで構成され、さらに
樹脂体６の内部には発光輝度を高める目的で微粒状の光
散乱材７が全体に分散した構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の発光ダイオード１にあっては、光散乱材７が樹脂体
６の内部全体に均一に分散した構造となっていたので、
光散乱材７による散乱効果が発光素子４の発光正面側、
即ち樹脂体６の上面である発光射出面８で大きくなり発
光輝度が向上するものの、樹脂体６の側面９では光散乱
効果が小さいために広指向性を有した発光が得られな
い。そのため、上記発光ダイオード１の発光方向は狭い
範囲に限られたものとなっていた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、発光素子を封止
する樹脂体の側面側に射出される光量を増やすことによ
って、広角な指向性を得られるようにすると共に全体の
輝度アップを図るようにした発光ダイオードを提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、発光素子から発光した光が樹脂体を透過
する際の反射率を高め、樹脂体の側面方向へ多くの光を
散乱させたものである。即ち、本発明の請求項１に係る
発光ダイオードは、電極が形成された基板の上面に発光
素子を載置し、該発光素子と前記電極とを電気的に接続
すると共に、該発光素子を樹脂体で封止してなる発光ダ
イオードにおいて、前記樹脂体の表層部に光散乱材が集
中する光散乱層を設けたことを特徴とする。
【０００６】この発明によれば、樹脂体の表層部に光散
乱材を集中させたので、発光素子から発する光が樹脂体
を透過する際には光散乱材に当たる頻度が高くなると共
に樹脂体の内部に反射する率も高くなり、その分樹脂体
の側面から射出される光量が多くなる。このことから、
側面側での発光輝度が向上し、発光ダイオードの指向性
が広がるものとなる。
【０００７】前記光散乱層は、二酸化ケイ素や酸化チタ
ン等からなる微粒状の光散乱材が混入された塗料を樹脂
体の表面に印刷するか、もしくは光散乱材が含有された
シート部材を樹脂体の表面に貼付するなどして形成する
ことができる。
【０００８】なお、前記光散乱層は、発光素子の発光正
面である樹脂体の発光射出面に設けることによって、光
の屈折効果や反射効果を高めることができ、それによっ
て広角な指向性と高輝度が図られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図
１は本発明に係る発光ダイオードの全体形状を示す斜視
図、図２は前記発光ダイオードの断面図である。
【００１０】図１及び図２に示されるように、この実施
形態に係る発光ダイオード２１は、ガラスエポキシやＢ
Ｔレジン（Bismaleimide Triazine Resin）等からなる
基板２２と、この基板２２上に載置される発光素子２４
と、該発光素子２４を基板２２上に封止する樹脂体２６
と、この樹脂体２６の表層部に形成される光散乱層３０
とで構成されている。前記基板２２には、発光素子２４
との導通及びマザーボード等の外部基板に実装するため
の電極２３ａ，２３ｂが設けられている。発光素子２４
は、一対の素子電極部２９ａ，２９ｂ（アノード電極，
カソード電極）を備えた微小な四角形状のシリコンチッ
プであり、底部が前記基板２２上に絶縁性接着剤２８を
介して固定され、前記素子電極部２９ａ，２９ｂが基板
２２上の電極２３ａ，２３ｂにボンディングワイヤ２５
によって接続されている。また、樹脂体２６は、発光素
子２４を中心にして基板２２上に形成された略直方体形
状の封止体であり、透明又は乳白色など透光性を備えた
エポキシ系の樹脂材を金型等に充填することによって形
成される。そして、前記発光素子２４及びボンディング
ワイヤ２５を封止すると共に、発光素子２４から発した
光を透過する。
【００１１】前記発光素子２４の発光正面となる樹脂体
２６の上面は平坦状の発光射出面２７として構成されて
おり、この発光射出面２７に光散乱層３０が形成されて
いる。この光散乱層３０には微粒状の光散乱材７が集中
しており、発光射出面２７の全面に一定の厚みを持たせ
て形成されている。光散乱材７としては、例えば、二酸
化ケイ素（ＳｉＯ２）や酸化チタン（ＴｉＯ２）等の反
射率の高い微粒子が効果的である。微粒子の大きさは特
に限定されないが、平均粒径が１μｍ程度のものが反射
効果及び取扱い面で好ましい。
【００１２】前記光散乱層３０の形成方法として、成形
された樹脂体２６の発光射出面２７に予め適量の光散乱
材７が混入してある塗料を印刷し、適宜の厚さの塗装膜
を形成することによって簡易に得ることができる。光散
乱材７の混入密度を高めることで光の散乱効果は大きく
なるが、多過ぎると透過率の低下を招くので、バランス
が必要である。また、光散乱層３０の厚みも特に限定さ
れないが、樹脂体２６の厚みに対して１〜２割程度とな
るように印刷形成したときに散乱効果が大きくなる。塗
料材料は透明又は透光性のあるエポキシ系樹脂塗料を利
用することができる。上記印刷方法によって光散乱層３
０を形成した場合は、図１及び図２に示したように、発
光射出面２７から光散乱材７が突出して全面が凸凹状と
なり、樹脂体２６と外部との境界面でも大きく屈折する
ので、反射光がランダムになって発光輝度をより高める
ことができる。
【００１３】次に、上記構造からなる発光ダイオード２
１の発光作用を図２に基づいて説明する。発光ダイオー
ド２１は、基板２２に形成された電極２３ａ，２３ｂに
電流を流すことによって発光素子２４が励起されて光を
発する。そして、発光した光はその多くが発光素子２４
と対向する樹脂体２６の上面、即ち発光射出面２７に向
かって透過し、さらにこの発光射出面２７に印刷形成さ
れた光散乱層３０で屈折され、あるいは反射される。こ
れらの屈折光や反射光は、様々な角度で樹脂体２６の外
部に散乱したり、樹脂体２６の内部に向かって進む。内
部に向かった反射光は、その角度によってそのまま樹脂
体２６の側面３３から射出されたり、あるいは基板２２
の上面に再度反射してから樹脂体２６の側面３３から射
出されるものも多い。このように、樹脂体２６の内部あ
るいは基板２２の上面で乱反射が繰り返されることで側
面３３から射出される光量が増え、側面３３側での発光
輝度が向上する。一方、樹脂体２６の発光射出面２７も
散乱光の増加によって発光輝度が向上することから、発
光ダイオード２１全体の指向性が拡大することになる。
【００１４】図３に示した他の実施形態は、樹脂体２６
の発光射出面２７に光散乱材７が含有されたシート部材
３２を貼付することによって、前記と同様の光散乱層３
０を形成したものである。前記シート部材３２は、エポ
キシ樹脂等の透明又は透光性のある樹脂材に二酸化ケイ
素（ＳｉＯ２）や酸化チタン（ＴｉＯ２）等の微粒子を
練り込んでシート状に成形したものである。シート部材
３２の厚み及び光散乱材７の含有量は適宜設定される。
成形された樹脂体２６の発光射出面２７に透明性のある
接着剤によって貼付することで、簡易に形成することが
できる。前述の光散乱層３０と同様、光散乱材７をシー
ト上面から僅かに突出させてシート部材３２全体を凸凹
状にすることで、大きな光散乱効果を得ることができ
る。
【００１５】なお、前記光散乱層３０の形成方法とし
て、例えば、樹脂体２６を成形する際の金型の底面に前
記光散乱材７を敷き詰めておき、その上に樹脂材を充填
することで樹脂体２６の成形と同時に形成することもで
きる。このようにして製造された発光ダイオードは、光
散乱層３０が樹脂体２６と一体になっているので、外部
からの衝撃や温度変化等によって剥がれたり、脱落する
ことがない。このため、長期間に亘って一定の発光品質
を維持することができる。
【００１６】また、上記の各実施形態では、光散乱層３
０を樹脂体２６の上面に位置する発光射出面２７に設け
た場合を示したが、樹脂体２６の側面にも前記と同様の
光散乱材７を混入させた光散乱層を設けてもよく、さら
に樹脂体２６の側面側に発光射出面がある場合には側面
だけに光散乱層を設けてもよい。また、樹脂体２６の形
状も直方体形状のものに限られず、樹脂体で封止される
あらゆる形状の発光ダイオードに適用可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
ダイオードによれば、樹脂体の表層部に光散乱材が集中
する光散乱層を設けたので、発光素子から発光する光が
樹脂体を透過する際には光散乱材に当たる頻度が高くな
ると共に樹脂体の内部に反射する率も高くなり、その分
樹脂体の側面から射出される光量が多くなる。このた
め、側面側での発光輝度が向上し、発光ダイオードの指
向性が広がるものとなった。
【００１８】また、本発明では二酸化ケイ素や酸化チタ
ン等の微粒状の光散乱材を利用することで、光散乱材の
粒径や混入量を容易に調整することができ、発光ダイオ
ードの使用目的に応じた指向性や発光輝度を容易に得る
ことができる。
【００１９】さらに、本発明では光散乱材が混入された
塗料の印刷や光散乱材が含有されたシート部材の貼付な
ど、簡易な手段によって光散乱層を形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発光ダイオードの全体形状を示す
斜視図である。
【図２】上記図１の発光ダイオードの断面図である。
【図３】樹脂体の上面に光散乱材を含有させたシート部
材を貼付して形成された発光ダイオードの断面図であ
る。
【図４】従来の発光ダイオードの断面図である。
【符号の説明】
７ 光散乱材 ２１，３１ 発光ダイオード ２２ 基板 ２３ａ，２３ｂ 電極 ２４ 発光素子 ２６ 樹脂体 ２７ 発光射出面 ３０ 光散乱層 ３２ シート部材 ３３ 側面

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極が形成された基板の上面に発光素子
    を載置し、該発光素子と前記電極とを電気的に接続する
    と共に、該発光素子を樹脂体で封止してなる発光ダイオ
    ードにおいて、 前記樹脂体の表層部に光散乱材が集中する光散乱層を設
    けたことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 前記光散乱層が、光散乱材が混入された
    塗料を樹脂体の表面に印刷して形成した塗装膜である請
    求項１記載の発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 前記光散乱層が、樹脂体の表面に貼付さ
    れた光散乱材を含有するシート部材である請求項１記載
    の発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 前記光散乱層が、前記発光素子と対向す
    る樹脂体の発光射出面に設けられた請求項１乃至３のい
    ずれかに記載の発光ダイオード。
  5. 【請求項５】 前記光散乱材は、微粒状の二酸化ケイ素
    及び酸化チタンのいずれかで構成されている請求項１乃
    至３のいずれかに記載の発光ダイオード。
JP2002103237A 2002-04-05 2002-04-05 発光ダイオード Pending JP2003298115A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002103237A JP2003298115A (ja) 2002-04-05 2002-04-05 発光ダイオード
DE20321614U DE20321614U1 (de) 2002-04-05 2003-03-31 Licht emittierende Diode
DE10314468A DE10314468A1 (de) 2002-04-05 2003-03-31 Licht emittierende Diode
US10/407,249 US6774404B2 (en) 2002-04-05 2003-04-07 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002103237A JP2003298115A (ja) 2002-04-05 2002-04-05 発光ダイオード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003298115A true JP2003298115A (ja) 2003-10-17

Family

ID=28672243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002103237A Pending JP2003298115A (ja) 2002-04-05 2002-04-05 発光ダイオード

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6774404B2 (ja)
JP (1) JP2003298115A (ja)
DE (1) DE10314468A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616594B1 (ko) 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 색 혼합성이 향상된 ｒｇｂ 발광 다이오드 패키지
JP2008218610A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2008288229A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009231276A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Liquidleds Lighting Corp Ｌｅｄ電球及びその製造方法
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013042095A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
JP2013089645A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013527605A (ja) * 2010-04-27 2013-06-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
KR101756658B1 (ko) * 2010-12-07 2017-07-12 엘지디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법
KR20170135689A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7343535B2 (en) * 2002-02-06 2008-03-11 Avago Technologies General Ip Dte Ltd Embedded testing capability for integrated serializer/deserializers
US6982437B2 (en) * 2003-09-19 2006-01-03 Agilent Technologies, Inc. Surface emitting laser package having integrated optical element and alignment post
US7520679B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device package with turning mirror and alignment post
US6953990B2 (en) 2003-09-19 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Wafer-level packaging of optoelectronic devices
US20050063431A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Gallup Kendra J. Integrated optics and electronics
US6998691B2 (en) * 2003-09-19 2006-02-14 Agilent Technologies, Inc. Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element
US20050063648A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Wilson Robert Edward Alignment post for optical subassemblies made with cylindrical rods, tubes, spheres, or similar features
JP2006032885A (ja) * 2003-11-18 2006-02-02 Sharp Corp 光源装置およびそれを用いた光通信装置
US20050213995A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Myunghee Lee Low power and low jitter optical receiver for fiber optic communication link
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP2008515216A (ja) * 2004-09-30 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 選択光線角度的再利用を用いたｌｅｄの輝度増大
DE102005004931B4 (de) * 2005-02-03 2008-02-21 Albis Plastic Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US20060189013A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 3M Innovative Properties Company Method of making LED encapsulant with undulating surface
EP1864274B1 (en) * 2005-03-25 2019-04-24 Arkema France Illuminating device combining a led and a diffusing sheet
KR100638819B1 (ko) * 2005-05-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 광추출효율이 개선된 수직구조 질화물 반도체 발광소자
DE102005026206A1 (de) * 2005-06-07 2006-12-14 Siemens Ag Lichterzeugende Anordnung
TW200739930A (en) * 2005-06-16 2007-10-16 Nanosource Technology Corp Light emitting diode with larger illumination area
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
KR100742987B1 (ko) 2005-10-10 2007-07-26 (주)더리즈 고효율의 발광다이오드 및 패키지와 그 제조방법
US7952108B2 (en) * 2005-10-18 2011-05-31 Finisar Corporation Reducing thermal expansion effects in semiconductor packages
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
TWI407582B (zh) * 2007-06-26 2013-09-01 Univ Chang Gung The method of making light - emitting diodes for photofluorescent agents
US20090068496A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Liann-Be Chang Led structure
US20100200891A1 (en) * 2007-09-10 2010-08-12 Chang Gung University Led structure
US20090144881A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-11 Michael Harmik Panosian Work gloves with marking indicia
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
DE102007061140A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit Kühlelement
TW200939452A (en) * 2008-03-05 2009-09-16 Harvatek Corp LED chip package structure applied to a backlight module manufacturing method thereof
TW200939869A (en) * 2008-03-05 2009-09-16 Harvatek Corp An LED chip package structure with a high-efficiency heat-dissipating substrate and packaging method thereof
US20100254127A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-07 Kai-Ren Yang LED-based lighting module for emitting white light with easily adjustable color temperature
US20100302771A1 (en) * 2009-06-02 2010-12-02 Joe Yang LED-based streetlamp for emitting white light with easily adjustable color temperature
MX2013005202A (es) * 2010-03-30 2013-11-20 Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences Dispositivo de corriente alterna de led blanco.
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
US20120138981A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Chung-Shan Institute of Science and Technology, Armaments, Bureau, Ministry of National Defense Light-Emitting Diode Apparatus and Method for Making the Same
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP5848562B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-27 シチズン電子株式会社 半導体発光装置及びその製造方法。
JP6003402B2 (ja) * 2012-08-28 2016-10-05 住友大阪セメント株式会社 光半導体発光装置、照明器具、及び表示装置
KR20150119179A (ko) 2013-02-11 2015-10-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 파장 변환 재료의 기밀 밀봉을 가지는 led 모듈
JP6544962B2 (ja) * 2015-03-27 2019-07-17 東レエンジニアリング株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄモジュールの製造方法
JP2016212269A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 株式会社ダイセル 反射防止材
DE102016106896A1 (de) 2016-04-14 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauteil
DE102017117438A1 (de) * 2017-08-01 2019-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
JP7241653B2 (ja) * 2019-09-18 2023-03-17 株式会社ダイセル 反射防止材
DE102021129972A1 (de) * 2021-11-17 2023-05-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6613247B1 (en) * 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616594B1 (ko) 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 색 혼합성이 향상된 ｒｇｂ 발광 다이오드 패키지
JP2008218610A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2008288229A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009231276A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Liquidleds Lighting Corp Ｌｅｄ電球及びその製造方法
US8366503B2 (en) 2008-03-21 2013-02-05 Liquidleds Lighting Corp. LED lamp and production method of the same
JP2013527605A (ja) * 2010-04-27 2013-06-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法
US8965148B2 (en) 2010-04-27 2015-02-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
KR101756658B1 (ko) * 2010-12-07 2017-07-12 엘지디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법
US9231175B2 (en) 2010-12-28 2016-01-05 Nichia Corporation Light emitting device with sealing member containing filler particles
JP2016178344A (ja) * 2010-12-28 2016-10-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012151466A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2013042095A (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
JP2013089645A (ja) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
KR20170135689A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102306760B1 (ko) * 2016-05-31 2021-09-28 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US11430928B2 (en) 2016-05-31 2022-08-30 Nichia Corporation Light-emitting device with exposed filter particles

Also Published As

Publication number Publication date
DE10314468A1 (de) 2003-11-13
US20030189217A1 (en) 2003-10-09
US6774404B2 (en) 2004-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003298115A (ja) 発光ダイオード
JP2003234509A (ja) 発光ダイオード
JP5013905B2 (ja) 半導体発光装置
JP4167717B1 (ja) 発光装置及びその製造方法
TW530424B (en) Light source device
US9691950B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
KR101208174B1 (ko) 광학시트 및 이를 포함하는 발광소자패키지
CN104716247B (zh) 发光装置
KR100851636B1 (ko) 표면실장형 발광다이오드 소자
US6791116B2 (en) Light emitting diode
US7855501B2 (en) LED with phosphor layer having different thickness or different phosphor concentration
US8310023B2 (en) Light emitting diode package and fabrication method thereof
TWI389266B (zh) 光電子半導體元件
JP5515992B2 (ja) 発光装置
US20050056831A1 (en) Light-emitting device
TWI435467B (zh) 發光二極體封裝體
JP2004127604A (ja) 発光ダイオード及びバックライトユニット
JP6253949B2 (ja) Ｌｅｄ発光装置
JP2003017751A (ja) 発光ダイオード
WO2000079605A1 (en) Light emitting diode
JP2004111882A (ja) 発光装置
JP3393089B2 (ja) 発光ダイオード
TW201921735A (zh) 半導體發光裝置及製造其之方法
JP2017045773A (ja) 発光装置
JP2001036150A (ja) 発光ダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040628

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070327

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070704