JP2003222877A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents
Liquid crystal display device and method of manufacturing the sameInfo
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置及
び液晶表示装置の製造方法に係り、特に、画像を表示す
る表示領域に柱状スペーサを備えたカラー液晶表示装置
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the liquid crystal display device, and more particularly to a color liquid crystal display device having columnar spacers in a display area for displaying an image.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、一般的に用いられているアクティ
ブマトリクス駆動の液晶表示装置は、例えば、アモルフ
ァスシリコン(a−Si)を半導体層とした薄膜トラン
ジスタ(TFT)、このTFTに接続された画素電極な
どを備えたアレイ基板と、このアレイ基板に対向して配
置された対向電極、カラーフィルタ層などを備えた対向
基板とを備え、この2枚の基板間に液晶組成物を挟持す
ることによって構成されている。2. Description of the Related Art At present, a liquid crystal display device of active matrix drive which is generally used is, for example, a thin film transistor (TFT) having a semiconductor layer of amorphous silicon (a-Si) and a pixel electrode connected to the TFT. And an opposing substrate provided with a counter electrode arranged to face the array substrate, a color filter layer, and the like, and a liquid crystal composition is sandwiched between the two substrates. Has been done.
【0003】これらアレイ基板及び対向基板は、それら
の周囲を液晶封入口を除いて塗布された接着剤によって
固定されている。液晶封入口は、封止剤によって封止さ
れている。この中でカラー表示用の液晶表示装置は、画
像を表示する表示領域において、2枚のガラス基板のう
ちの一方の基板の画素毎に配置された赤(R)、緑
(G)、青(B)の着色樹脂層からなるカラーフィルタ
層を備えている。The array substrate and the counter substrate are fixed around their periphery by an adhesive applied except for the liquid crystal sealing port. The liquid crystal filling port is sealed with a sealant. Among them, the liquid crystal display device for color display is a red (R), green (G), blue () arranged on each pixel of one of the two glass substrates in a display area for displaying an image. The color filter layer is formed of the colored resin layer of B).
【0004】これらの液晶表示装置においては、表示領
域の周辺の遮光領域に遮光層が設けられている。この遮
光層は、カラーフィルタ層を備えた基板と同一の基板上
に設けられることが多い。特に、カラーフィルタ層と遮
光層との両方をアレイ基板上に設けることにより、画素
部の開口率を向上することが可能となり、高開口率の液
晶表示素子を得ることができる。In these liquid crystal display devices, a light shielding layer is provided in a light shielding area around the display area. This light shielding layer is often provided on the same substrate as the substrate provided with the color filter layer. In particular, by providing both the color filter layer and the light-shielding layer on the array substrate, the aperture ratio of the pixel portion can be improved, and a liquid crystal display device with a high aperture ratio can be obtained.
【0005】このような液晶表示装置では、少なくとも
一方の基板に柱状スペーサを設けることにより、アレイ
基板と対向基板との間に一定のギャップを保持する構造
が提案されている。In such a liquid crystal display device, a structure has been proposed in which a columnar spacer is provided on at least one of the substrates to maintain a constant gap between the array substrate and the counter substrate.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
カラーフィルタ層を積層して形成された柱状スペーサ
は、形成位置における積層条件に依存して積層されるカ
ラーフィルタ層のレベリング特性が異なるため、高さに
ばらつきが生じる。このような構造の柱状スペーサを表
示領域に形成した場合、一定のギャップを保持すること
が困難となり、表示ムラなどの表示不良を発生するおそ
れがある。However, since the columnar spacer formed by laminating a plurality of color filter layers has different leveling characteristics depending on the laminating conditions at the forming position, the leveling characteristics are high. Variation occurs. When the columnar spacer having such a structure is formed in the display region, it becomes difficult to maintain a constant gap, and display defects such as display unevenness may occur.
【0007】そこで、この発明は、上述した問題点に鑑
みなされたものであって、その目的は、製造コストの増
大を招くことなく、表示品位の優れた液晶表示装置及び
液晶表示装置の製造方法を提供することにある。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a liquid crystal display device having excellent display quality and a method for manufacturing the liquid crystal display device without increasing the manufacturing cost. To provide.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明の第1の様態に
よる液晶表示装置は、一対の基板間に液晶組成物を挟持
して構成された液晶表示装置において、前記一対の基板
のうち一方の基板は、画像を表示する表示領域に、画素
毎に配置されたカラーフィルタ層と、前記一対の基板間
に所定のギャップを形成する柱状スペーサと、を備え、
前記表示領域の外周に沿って配置された遮光領域に、遮
光性を有する樹脂レジストによって形成された遮光層を
備え、前記柱状スペーサの上層にオーバコート層を配置
したことを特徴とする。A liquid crystal display device according to a first aspect of the present invention is a liquid crystal display device in which a liquid crystal composition is sandwiched between a pair of substrates. The substrate is provided with a color filter layer arranged for each pixel in a display region for displaying an image, and a columnar spacer forming a predetermined gap between the pair of substrates,
A light-shielding region formed along the outer periphery of the display region is provided with a light-shielding layer formed of a resin resist having a light-shielding property, and an overcoat layer is disposed above the columnar spacers.
【0009】また、この発明の第2の様態による液晶表
示装置の製造方法は、一対の基板間に液晶組成物を挟持
して構成された液晶表示装置の製造方法において、前記
一対の基板のうち一方の基板の画像を表示する表示領域
に、画素毎にカラーフィルタ層を配置するとともに、複
数の色の前記カラーフィルタ層を積層して前記一対の基
板間に所定のギャップを形成する柱状スペーサを形成す
る工程と、前記表示領域の外周に沿って配置された遮光
領域に、遮光性を有する樹脂レジストによって形成され
た遮光層を配置するとともに、前記柱状スペーサの上層
にオーバコート層を配置する工程と、を備えたことを特
徴とする。A method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention is the method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal composition is sandwiched between a pair of substrates. A columnar spacer for arranging a color filter layer for each pixel in the display area for displaying an image on one substrate and stacking the color filter layers of a plurality of colors to form a predetermined gap between the pair of substrates is provided. A step of forming and a step of disposing a light shielding layer formed of a resin resist having a light shielding property in a light shielding area arranged along the outer periphery of the display area, and disposing an overcoat layer on the columnar spacer. And are provided.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態に
係る液晶表示装置について図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0011】この発明の一実施の形態に係る液晶表示装
置、例えばアクティブマトリクス型液晶表示装置は、液
晶表示パネルを備えている。A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, for example, an active matrix type liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel.
【0012】(第1の実施の形態)すなわち、第1の実
施の形態に係る液晶表示パネル10は、図1及び図2に
示すように、アレイ基板100と、このアレイ基板10
0に対向配置された対向基板200と、アレイ基板10
0と対向基板200との間に配置された液晶組成物30
0とを備えている。このような液晶表示パネル10にお
いて、画像を表示する表示領域102は、アレイ基板1
00と対向基板200とを貼り合わせる外縁シール部材
106によって囲まれた領域内に形成されている。表示
領域102の外周に沿って配置された周辺領域104
は、額縁状に形成された遮光領域を有している。(First Embodiment) That is, a liquid crystal display panel 10 according to the first embodiment includes an array substrate 100 and an array substrate 10 as shown in FIGS.
Counter substrate 200 and array substrate 10 which are arranged to face each other.
0 and the liquid crystal composition 30 disposed between the counter substrate 200
It has 0 and. In such a liquid crystal display panel 10, the display area 102 for displaying an image is the array substrate 1
00 and the counter substrate 200 are formed in a region surrounded by the outer edge seal member 106. A peripheral region 104 arranged along the outer periphery of the display region 102
Has a light-shielding region formed in a frame shape.
【0013】表示領域102において、アレイ基板10
0は、図2に示すように、マトリクス状に配置されたm
×n個の画素電極151、これら画素電極151の行方
向に沿って形成されたm本の走査線Y1〜Ym、これら
画素電極151の列方向に沿って形成されたn本の信号
線X1〜Xn、m×n個の画素電極151に対応して走
査線Y1〜Ymおよび信号線X1〜Xnの交差位置近傍
にスイッチング素子として配置されたm×n個の薄膜ト
ランジスタすなわち画素TFT121を有している。In the display area 102, the array substrate 10
0 is m arranged in a matrix as shown in FIG.
× n pixel electrodes 151, m scanning lines Y1 to Ym formed along the row direction of these pixel electrodes 151, and n signal lines X1 to X1 formed along the column direction of these pixel electrodes 151. Xn, m × n thin film transistors, that is, pixel TFTs 121 arranged as switching elements near the intersections of the scanning lines Y1 to Ym and the signal lines X1 to Xn, corresponding to the m × n pixel electrodes 151. .
【0014】また、周辺領域104において、アレイ基
板100は、走査線Y1〜Ymを駆動する走査線駆動回
路18、信号線X1〜Xnを駆動する信号線駆動回路1
9などを有している。In the peripheral region 104, the array substrate 100 includes the scanning line driving circuit 18 for driving the scanning lines Y1 to Ym and the signal line driving circuit 1 for driving the signal lines X1 to Xn.
9 and so on.
【0015】図2に示すように、液晶容量CLは、画素
電極151、対向電極204、及びこれらの電極間に挟
持された液晶層300によって形成される。また、補助
容量Csは、液晶容量CLと電気的に並列に形成され
る。この補助容量Csは、絶縁膜を介して対向配置され
た一対の電極、すなわち、画素電極151と同電位の補
助容量電極61と、所定の電位に設定された補助容量線
52とによって形成される。As shown in FIG. 2, the liquid crystal capacitance CL is formed by the pixel electrode 151, the counter electrode 204, and the liquid crystal layer 300 sandwiched between these electrodes. Further, the auxiliary capacitance Cs is electrically formed in parallel with the liquid crystal capacitance CL. The auxiliary capacitance Cs is formed by a pair of electrodes, which are opposed to each other via an insulating film, that is, the auxiliary capacitance electrode 61 having the same potential as the pixel electrode 151, and the auxiliary capacitance line 52 set to a predetermined potential. .
【0016】図3に示すように、液晶表示装置は、アレ
イ基板100と対向基板200との間に液晶組成物30
0を挟持した透過型の液晶表示パネル10と、この液晶
表示パネル10を背面から照明するバックライトユニッ
ト400と、を備えている。As shown in FIG. 3, the liquid crystal display device includes a liquid crystal composition 30 between the array substrate 100 and the counter substrate 200.
A transmission type liquid crystal display panel 10 sandwiching 0 and a backlight unit 400 for illuminating the liquid crystal display panel 10 from the back side are provided.
【0017】液晶表示パネル10のアレイ基板100
は、表示領域102において、ガラス基板などの透明な
絶縁性基板11上に、マトリクス状 に配置さ
れた複数の画素にそれぞれ対応して形成された画素TF
T121、画素TFT121を含む表示領域102を覆
って形成されるカラーフィルタ層24(R、G、B)、
カラーフィルタ層24上に画素毎に配置された画素電極
151、カラーフィルタ層24上に配置されているとと
もにアレイ基板100と対向基板200との間に所定の
ギャップを形成する複数の柱状スペーサ31、及び複数
の画素電極151全体を覆うように形成された配向膜1
3Aを備えている。Array substrate 100 of liquid crystal display panel 10
Is a pixel TF formed in the display region 102 on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate corresponding to a plurality of pixels arranged in a matrix.
T121, a color filter layer 24 (R, G, B) formed so as to cover the display region 102 including the pixel TFT 121,
Pixel electrodes 151 arranged for each pixel on the color filter layer 24, a plurality of columnar spacers 31 arranged on the color filter layer 24 and forming a predetermined gap between the array substrate 100 and the counter substrate 200, And the alignment film 1 formed so as to cover the entire plurality of pixel electrodes 151.
It has 3A.
【0018】また、アレイ基板100は、周辺領域10
4において、表示領域102の外周を取り囲み、絶縁性
基板11の遮光領域41に配置された柱状スペーサ31
の一部と同材料からなる遮光層SPを備えている。The array substrate 100 has a peripheral region 10
4, the columnar spacers 31 surrounding the outer periphery of the display area 102 and arranged in the light shielding area 41 of the insulating substrate 11
And a light-shielding layer SP made of the same material.
【0019】カラーフィルタ層24は、例えば約3.2
μmの厚さを有し、緑色(G)、青色(B)、および赤
色(R)それぞれの画素毎に配置されている。これらカ
ラーフィルタ層24は、緑色、青色、および赤色の各色
成分の光をそれぞれ透過させる3色の着色樹脂レジスト
によって構成されている。The color filter layer 24 is, for example, about 3.2.
It has a thickness of μm and is arranged for each pixel of green (G), blue (B), and red (R). These color filter layers 24 are composed of colored resin resists of three colors that respectively transmit light of respective color components of green, blue, and red.
【0020】画素電極151は、各画素に割当てられる
カラーフィルタ層24G,24B,24R上にそれぞれ
形成されたITO(インジウム・ティン・オキサイド)
等の光透過性導電部材によって形成されている。画素電
極151は、これらカラーフィルタ層24(R、G、
B)を貫通するスルーホール26を介して画素TFT1
21にそれぞれ接続されている。The pixel electrode 151 is made of ITO (Indium Tin Oxide) formed on the color filter layers 24G, 24B and 24R assigned to each pixel.
It is formed of a light-transmissive conductive member such as. The pixel electrode 151 has the color filter layers 24 (R, G,
Pixel TFT1 through through hole 26 penetrating B)
21 are respectively connected.
【0021】各画素TFT121は、画素電極151の
行に沿って形成される走査線Y及び画素電極151の列
に沿って形成される信号線Xに接続され、走査線Yから
の駆動電圧により導通し、信号電圧を画素電極151に
印加する。Each pixel TFT 121 is connected to a scanning line Y formed along a row of pixel electrodes 151 and a signal line X formed along a column of pixel electrodes 151, and is turned on by a drive voltage from the scanning line Y. Then, the signal voltage is applied to the pixel electrode 151.
【0022】図4に、より詳細な構造を示すように、ア
レイ基板100は、画素電極151の行に沿って形成さ
れた走査線Y、画素電極151の列に沿って形成された
信号線X、画素電極151に対応して走査線Yおよび信
号線Xの交差位置近傍に配置された画素TFT121を
有している。As shown in more detail in FIG. 4, in the array substrate 100, the scanning lines Y formed along the rows of the pixel electrodes 151 and the signal lines X formed along the columns of the pixel electrodes 151. The pixel TFT 121 is provided near the intersection of the scanning line Y and the signal line X corresponding to the pixel electrode 151.
【0023】さらに、アレイ基板100は、液晶容量C
Lと電気的に並列な補助容量CSを形成するためにゲー
ト絶縁膜62を介して対向配置された画素電極151と
同電位の補助容量電極61と、所定の電位に設定された
補助容量線52とを備えている。Further, the array substrate 100 has a liquid crystal capacitance C.
An auxiliary capacitance electrode 61 having the same potential as the pixel electrode 151, which is arranged to face the pixel electrode 151 in order to form an auxiliary capacitance CS electrically parallel to L, and an auxiliary capacitance line 52 set to a predetermined potential. It has and.
【0024】信号線Xは、層間絶縁膜76を介して、走
査線Y及び補助容量線52に対して略直交するように配
置されている。補助容量線52は、走査線Yと同一の層
に同一の材料によって形成されているとともに、走査線
Yに対して略平行に形成されている。補助容量線52の
一部は、ゲート絶縁膜62を介して補助容量電極61に
対向配置されている。この補助容量電極61は、不純物
ドープされたポリシリコン膜によって形成されている。The signal line X is arranged so as to be substantially orthogonal to the scanning line Y and the auxiliary capacitance line 52 via the interlayer insulating film 76. The auxiliary capacitance line 52 is formed of the same material in the same layer as the scanning line Y and is formed substantially parallel to the scanning line Y. A part of the auxiliary capacitance line 52 is arranged to face the auxiliary capacitance electrode 61 via the gate insulating film 62. The auxiliary capacitance electrode 61 is formed of an impurity-doped polysilicon film.
【0025】これら信号線X、走査線Y、及び補助容量
線52等の配線部は、アルミニウムや、モリブデン−タ
ングステンなどの遮光性を有する低抵抗材料によって形
成されている。この実施の形態では、走査線Y及び補助
容量線52は、モリブデン−タングステンによって形成
され、信号線Xは、主にアルミニウムによって形成され
ている。Wiring portions such as the signal lines X, the scanning lines Y, and the auxiliary capacitance lines 52 are formed of a light-shielding low resistance material such as aluminum or molybdenum-tungsten. In this embodiment, the scanning line Y and the auxiliary capacitance line 52 are made of molybdenum-tungsten, and the signal line X is mainly made of aluminum.
【0026】画素TFT121は、補助容量電極61と
同層のポリシリコン膜によって形成された半導体層11
2を有している。この半導体層112は、ガラス基板1
1上に配置されたアンダーコーティング層60上に配置
され、チャネル領域112Cの両側にそれぞれ不純物を
ドープすることによって形成されたドレイン領域112
D及びソース領域112Sを有している。この画素TF
T121は、ゲート絶縁膜62を介して半導体層112
に対向して配置された走査線Yと一体のゲート電極63
を備えている。The pixel TFT 121 has a semiconductor layer 11 formed of a polysilicon film in the same layer as the auxiliary capacitance electrode 61.
Have two. The semiconductor layer 112 is the glass substrate 1
Drain region 112 that is formed on the undercoating layer 60 that is formed on the first region and is formed by doping impurities on both sides of the channel region 112C.
It has a D and a source region 112S. This pixel TF
T121 is the semiconductor layer 112 via the gate insulating film 62.
Of the gate electrode 63 integrated with the scanning line Y arranged to face
Is equipped with.
【0027】画素TFT121のドレイン電極88は、
信号線Xと一体に形成され、ゲート絶縁膜62及び層間
絶縁膜76を貫通するコンタクトホール77を介して半
導体層112のドレイン領域112Dに電気的に接続さ
れている。画素TFT121のソース電極89は、ゲー
ト絶縁膜62及び層間絶縁膜76を貫通するコンタクト
ホール78を介して半導体層112のソース領域112
Sに電気的に接続されている。The drain electrode 88 of the pixel TFT 121 is
It is formed integrally with the signal line X and is electrically connected to the drain region 112D of the semiconductor layer 112 via a contact hole 77 penetrating the gate insulating film 62 and the interlayer insulating film 76. The source electrode 89 of the pixel TFT 121 has a source region 112 of the semiconductor layer 112 via a contact hole 78 penetrating the gate insulating film 62 and the interlayer insulating film 76.
It is electrically connected to S.
【0028】赤(R)、緑(G)、青(B)にそれぞれ
着色されたカラーフィルタ層24(R、G、B)は、層
間絶縁膜76上に配置されている。画素電極151は、
カラーフィルタ層24(R、G、B)上に配置され、カ
ラーフィルタ層24(R、G、B)に形成されたスルー
ホール26を介して画素TFT121のソース電極89
に電気的に接続されている。The color filter layers 24 (R, G, B) colored red (R), green (G), and blue (B) respectively are arranged on the interlayer insulating film 76. The pixel electrode 151 is
The source electrode 89 of the pixel TFT 121 is disposed on the color filter layer 24 (R, G, B) and through the through hole 26 formed in the color filter layer 24 (R, G, B).
Electrically connected to.
【0029】補助容量電極61は、ゲート絶縁膜62及
び層間絶縁膜76を貫通するコンタクトホール79を介
して信号線Xと同一材料によって形成されたコンタクト
電極80に電気的に接続されている。画素電極151
は、カラーフィルタ層24を貫通するコンタクトホール
81を介してコンタクト電極80に電気的に接続されて
いる。これにより、画素TFT121のソース電極8
9、画素電極151、及び補助容量電極61は、同電位
となる。The auxiliary capacitance electrode 61 is electrically connected to a contact electrode 80 made of the same material as the signal line X via a contact hole 79 penetrating the gate insulating film 62 and the interlayer insulating film 76. Pixel electrode 151
Are electrically connected to the contact electrode 80 through a contact hole 81 penetrating the color filter layer 24. Thereby, the source electrode 8 of the pixel TFT 121
9, the pixel electrode 151, and the auxiliary capacitance electrode 61 have the same potential.
【0030】図3に示すように、この第1の実施の形態
では、柱状スペーサ31A、31B、31Cは、複数の
有色樹脂レジストを積層することによって形成されてい
る。すなわち、この柱状スペーサ31(A、B、C)
は、例えば、赤色カラーフィルタ層24R、緑色カラー
フィルタ層24G、及び、青色カラーフィルタ層24B
をアレイ基板100の主面側からこの順に積層すること
によって形成されている。As shown in FIG. 3, in the first embodiment, the columnar spacers 31A, 31B, 31C are formed by laminating a plurality of colored resin resists. That is, this columnar spacer 31 (A, B, C)
Are, for example, a red color filter layer 24R, a green color filter layer 24G, and a blue color filter layer 24B.
Are formed in this order from the main surface side of the array substrate 100.
【0031】この柱状スペーサ31(A、B、C)は、
例えば、約4.9μmの高さに形成されている。この柱
状スペーサ31(A、B、C)は、表示領域40内にお
いては、開口率を低下させないため、遮光性を有する配
線部(例えば、モリブデン−タングステン合金膜で形成
された走査線や補助容量線、及び、アルミニウムで形成
された信号線など)の上に配置されている。The columnar spacers 31 (A, B, C) are
For example, the height is about 4.9 μm. Since the columnar spacers 31 (A, B, C) do not reduce the aperture ratio in the display region 40, the wiring portion having a light shielding property (for example, the scanning line or the auxiliary capacitor formed of a molybdenum-tungsten alloy film). Lines and signal lines made of aluminum, etc.).
【0032】表示領域102の外周に沿って額縁状に設
けられた遮光領域41において、遮光層SPは、遮光性
を有する黒色樹脂レジストによって形成されている。In the light-shielding region 41 provided in a frame shape along the outer periphery of the display region 102, the light-shielding layer SP is formed of a black resin resist having a light-shielding property.
【0033】また、この実施の形態では、柱状スペーサ
31(A、B、C)の上層にオーバコート層35が配置
されている。このオーバコート層35は、遮光層SPと
同一材料によって形成されている。Further, in this embodiment, the overcoat layer 35 is arranged on the columnar spacers 31 (A, B, C). The overcoat layer 35 is formed of the same material as the light shielding layer SP.
【0034】配向膜13Aは、液晶組成物300に含ま
れる液晶分子をアレイ基板100に対して所定の方向に
配向する。The alignment film 13A aligns liquid crystal molecules contained in the liquid crystal composition 300 with respect to the array substrate 100 in a predetermined direction.
【0035】対向基板200は、ガラス基板などの透明
な絶縁性基板21上に配置された対向電極204、及び
この対向電極204を覆う配向膜13Bを有している。The counter substrate 200 has a counter electrode 204 arranged on a transparent insulating substrate 21 such as a glass substrate, and an alignment film 13B covering the counter electrode 204.
【0036】対向電極204は、アレイ基板110側の
すべての画素電極151に対向するよう配置されるIT
O等の光透過性導電部材によって形成されている。配向
膜13Bは、液晶組成物300に含まれる液晶分子を対
向基板200に対して所定の方向に配向する。The counter electrode 204 is arranged to face all the pixel electrodes 151 on the array substrate 110 side.
It is formed of a light-transmissive conductive member such as O. The alignment film 13B aligns liquid crystal molecules contained in the liquid crystal composition 300 in a predetermined direction with respect to the counter substrate 200.
【0037】液晶表示パネル10におけるアレイ基板1
00の表面には、偏光板PL1が設けられているととも
に、対向基板200の表面には、偏光板PL2が設けら
れている。Array substrate 1 in liquid crystal display panel 10
A polarizing plate PL1 is provided on the surface of 00, and a polarizing plate PL2 is provided on the surface of the counter substrate 200.
【0038】このような液晶表示装置において、バック
ライトユニット400から出射された光は、液晶表示パ
ネル10をアレイ基板100の背面側から照明する。液
晶表示パネル10におけるアレイ基板100側の偏光板
PL1を通過して液晶表示パネル10の内部に入射した
光は、液晶組成物300を介して変調され、対向基板2
00側の偏光板PL2によって選択的に透過される。こ
れにより、カラー画像が表示される。In such a liquid crystal display device, the light emitted from the backlight unit 400 illuminates the liquid crystal display panel 10 from the back side of the array substrate 100. The light that has passed through the polarizing plate PL1 on the array substrate 100 side of the liquid crystal display panel 10 and enters the inside of the liquid crystal display panel 10 is modulated through the liquid crystal composition 300, and the counter substrate 2
It is selectively transmitted by the polarizing plate PL2 on the 00 side. As a result, a color image is displayed.
【0039】ところで、上述したような複数の色のカラ
ーフィルタ層24(R、G、B)を積層して形成した柱
状スペーサ31(A、B、C)は、形成位置における積
層条件に依存して高さにばらつきが生じる。この現象に
ついて、図面を参照して説明する。なお、ここでは、赤
色カラーフィルタ層24R、緑色カラーフィルタ層24
G、青色カラーフィルタ層24Bの順に積層するものと
する。The columnar spacers 31 (A, B, C) formed by laminating the color filter layers 24 (R, G, B) of a plurality of colors as described above depend on the laminating conditions at the forming position. Height will vary. This phenomenon will be described with reference to the drawings. Here, here, the red color filter layer 24R and the green color filter layer 24
G and the blue color filter layer 24B are laminated in this order.
【0040】すなわち、図5に示すように、まず1色目
の赤色樹脂レジストを成膜し、パターニングすることに
よって赤色カラーフィルタ層24Rを形成する。That is, as shown in FIG. 5, first, a red color resin resist of the first color is formed and patterned to form a red color filter layer 24R.
【0041】続いて、2色目の緑色樹脂レジストを成膜
する。このとき、緑色樹脂レジストは、一方で赤色カラ
ーフィルタ層24R上に積層されるが、他方で赤色カラ
ーフィルタ層24Rの谷間に流れ込み、レベリングされ
る。このため、谷間に流れ込んだ緑色樹脂レジストの膜
厚を赤色カラーフィルタ層24Rと同等にしたとき、赤
色カラーフィルタ層24R上に積層された緑色樹脂レジ
ストの膜厚は、赤色カラーフィルタ24Rより薄くな
る。このような緑色樹脂レジストをパターニングするこ
とによって緑色カラーフィルタ層24Gを形成する。Then, a second color green resin resist is formed. At this time, the green resin resist is laminated on the red color filter layer 24R on the one hand, but flows into the valleys of the red color filter layer 24R on the other hand and is leveled. Therefore, when the film thickness of the green resin resist flowing into the valley is made equal to that of the red color filter layer 24R, the film thickness of the green resin resist laminated on the red color filter layer 24R becomes smaller than that of the red color filter 24R. . The green color filter layer 24G is formed by patterning such a green resin resist.
【0042】続いて、3色目の青色樹脂レジストを成膜
する。このとき、青色樹脂レジストは、一方で赤色カラ
ーフィルタ層24R上に流れ込み、他方で緑色カラーフ
ィルタ層24G上及び緑色カラーフィルタ層24Gと隣
接する赤色カラーフィルタ層24Rとの間の谷間に流れ
込み、レベリングされる。このため、谷間に流れ込んだ
青色樹脂レジストの膜厚を赤色カラーフィルタ層24R
及び緑色カラーフィルタ層24Gと同等にしたとき、緑
色カラーフィルタ層24G上に積層された青色樹脂レジ
ストの膜厚は、緑色カラーフィルタ24Gよりさらに薄
くなる。このような青色樹脂レジストをパターニングす
ることによって青色カラーフィルタ層24Bを形成す
る。Subsequently, a blue resin resist for the third color is formed. At this time, the blue resin resist flows on the red color filter layer 24R on the one hand, and on the other hand, on the green color filter layer 24G and in the valleys between the green color filter layer 24G and the adjacent red color filter layer 24R, and leveling is performed. To be done. Therefore, the film thickness of the blue resin resist flowing into the valley is set to the red color filter layer 24R.
When it is made equal to the green color filter layer 24G, the film thickness of the blue resin resist laminated on the green color filter layer 24G becomes thinner than that of the green color filter 24G. The blue color filter layer 24B is formed by patterning such a blue resin resist.
【0043】このように、カラーフィルタ層24(R、
G、B)を積層して形成する柱状スペーサ31(A、
B、C)は、そのレベリング特性により、形成される高
さに差が生じる。すなわち、図6の(a)及び(b)に
示したように、2層目の緑色カラーフィルタ層24Gを
1層目の赤色カラーフィルタ層24R上に積層する場
合、緑色樹脂レジストは、一方の方向の谷間に流れ込む
のみである。In this way, the color filter layer 24 (R,
Columnar spacers 31 (A, G, B) formed by stacking G, B)
The heights of B and C) are different due to their leveling characteristics. That is, as shown in FIGS. 6A and 6B, when the second green color filter layer 24G is laminated on the first red color filter layer 24R, the green resin resist is It just flows into the valley in the direction.
【0044】これに対して、図6の(c)に示したよう
に、2層目の緑色カラーフィルタ層24Gを1層目の島
状の赤色カラーフィルタ層24R上に積層する場合、緑
色樹脂レジストは、両方向の谷間に流れ込む。これによ
り、赤色カラーフィルタ層24R上に積層された緑色樹
脂レジストに対して両方向の谷間に向かう張力が発生
し、緑色樹脂レジストの膜厚が薄くなる。このため、図
6の(c)に示した構造の2層目の膜厚は、図6の
(a)及び(b)に示した構造の2層目の膜厚と比較し
て薄くなる。On the other hand, as shown in FIG. 6C, when the second green color filter layer 24G is laminated on the first island-shaped red color filter layer 24R, the green resin The resist flows into the valleys in both directions. As a result, tension is applied to the green resin resist laminated on the red color filter layer 24R toward the valleys in both directions, and the thickness of the green resin resist is reduced. Therefore, the film thickness of the second layer of the structure shown in FIG. 6C is smaller than the film thickness of the second layer of the structure shown in FIGS. 6A and 6B.
【0045】また、図6の(a)に示したように、3層
目の青色カラーフィルタ層24Bを2層目の緑色カラー
フィルタ層24G上に積層する場合、青色樹脂レジスト
は、両方向ともに1層目の赤色カラーフィルタ層24R
及び緑色カラーフィルタ層24G上に流れ込むのみであ
る。As shown in FIG. 6A, when the third blue color filter layer 24B is laminated on the second green color filter layer 24G, the blue resin resist is 1 in both directions. Red color filter layer 24R of the second layer
And only flows into the green color filter layer 24G.
【0046】これに対して、図6の(b)及び(c)に
示したように、1層目の青色カラーフィルタ層24Bを
形成する位置の近傍に3層目の青色カラーフィルタ層2
4Bを積層する場合、青色樹脂レジストは、一方向につ
いては赤色カラーフィルタ層24Rと緑色カラーフィル
タ層24Gとの谷間(図6の(b))、または、赤色カ
ラーフィルタ層24Rの谷間(図6の(c))に流れ込
む。これにより、青色樹脂レジストに対して一方向、す
なわち段差の大きな方向に向かって強い張力が発生する
とともに、他方向、すなわち比較的段差の小さな方向に
向かって張力が発生し、青色樹脂レジストの膜厚が薄く
なる。このため、図6の(b)及び(c)に示した構造
の3層目の膜厚は、図6の(a)に示した構造の3層目
の膜厚と比較して薄くなる。On the other hand, as shown in FIGS. 6B and 6C, the third blue color filter layer 2 is formed near the position where the first blue color filter layer 24B is formed.
When 4B are stacked, the blue resin resist may have a valley between the red color filter layer 24R and the green color filter layer 24G in one direction ((b) of FIG. 6) or a valley of the red color filter layer 24R (see FIG. 6). (C)). As a result, a strong tension is generated in one direction with respect to the blue resin resist, that is, a direction with a large step, and a tension is generated in the other direction, that is, a direction with a relatively small step, so that the blue resin resist film is formed. The thickness becomes thin. Therefore, the film thickness of the third layer of the structure shown in FIGS. 6B and 6C is smaller than the film thickness of the third layer of the structure shown in FIG.
【0047】これら2層目及び3層目の膜厚を考慮した
場合、図6の(a)に示した構造例の柱状スペーサ31
Aの高さが最も高く、図6の(b)に示した構造例の柱
状スペーサ31Bの高さが続いて高く、図6の(c)に
示した構造例の柱状スペーサ31Cの高さが最も低くな
る。Considering the film thicknesses of the second layer and the third layer, the columnar spacer 31 of the structural example shown in FIG.
The height of A is the highest, the height of the columnar spacer 31B of the structural example shown in FIG. 6B is continuously high, and the height of the columnar spacer 31C of the structural example shown in FIG. The lowest.
【0048】上述した第1の実施の形態に係る液晶表示
装置では、図3に示したように、アレイ基板100は、
表示領域102において、複数の色のカラーフィルタ層
24(R、G、B)を積層した積層構造の柱状スペーサ
31(A、B、C)を備えている。このとき、各柱状ス
ペーサ31(A、B、C)は、上述したように、配置位
置における積層条件に応じて、その高さにばらつきを有
している。In the liquid crystal display device according to the first embodiment described above, the array substrate 100, as shown in FIG.
In the display area 102, columnar spacers 31 (A, B, C) having a laminated structure in which color filter layers 24 (R, G, B) of a plurality of colors are laminated are provided. At this time, as described above, each columnar spacer 31 (A, B, C) has a variation in height depending on the stacking condition at the arrangement position.
【0049】このため、各柱状スペーサ31(A、B、
C)は、レベリング性の高い樹脂レジストによって形成
されたオーバコート層35により覆われている。オーバ
コート層35を形成する際のレベリングの程度は、柱状
スペーサ31(A、B、C)の高さが高いほうが大き
い。このため、オーバコート層35の膜厚は、柱状スペ
ーサ31(A、B、C)の高さが高いほど薄く、柱状ス
ペーサ31(A、B、C)の高さが低いほど厚い。Therefore, each columnar spacer 31 (A, B,
C) is covered with an overcoat layer 35 formed of a resin resist having a high leveling property. The degree of leveling when forming the overcoat layer 35 is larger when the height of the columnar spacers 31 (A, B, C) is higher. Therefore, the film thickness of the overcoat layer 35 is thinner as the height of the columnar spacers 31 (A, B, C) is higher, and is thicker as the height of the columnar spacers 31 (A, B, C) is lower.
【0050】この結果、柱状スペーサ31(A、B、
C)の高さの不均一性を低減することができ、基板間の
ギャップの均一性を向上することが可能となる。As a result, the columnar spacers 31 (A, B,
The height nonuniformity of C) can be reduced, and the uniformity of the gap between the substrates can be improved.
【0051】したがって、表示品位の優れた液晶表示装
置を提供することが可能となる。Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display device having excellent display quality.
【0052】また、表示領域102に配置された柱状ス
ペーサ31(A、B、C)は、各カラーフィルター層2
4(R、G、B)と同時に形成することができる。ま
た、オーバコート層35は、遮光領域41に配置された
遮光層SPと同時に形成することができる。このため、
製造工程数が増加することはなく、製造コストの増大を
防止することが可能となる。Further, the columnar spacers 31 (A, B, C) arranged in the display area 102 are provided in each color filter layer 2.
4 (R, G, B) can be formed at the same time. Further, the overcoat layer 35 can be formed simultaneously with the light shielding layer SP arranged in the light shielding region 41. For this reason,
It is possible to prevent an increase in manufacturing cost without increasing the number of manufacturing steps.
【0053】次に、上述した液晶表示パネル10の製造
方法について説明する。Next, a method of manufacturing the above-mentioned liquid crystal display panel 10 will be described.
【0054】アレイ基板100の製造工程では、まず、
厚さ0.7mmの絶縁性基板11上に、CVD法によ
り、シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を続けて成膜
し、2層構造のアンダーコーティング層60を形成す
る。In the manufacturing process of the array substrate 100, first,
A silicon nitride film and a silicon oxide film are successively formed on the insulating substrate 11 having a thickness of 0.7 mm by the CVD method to form an undercoating layer 60 having a two-layer structure.
【0055】続いて、アンダーコーティング層60上
に、CVD法などにより、アモルファスシリコン膜を成
膜する。そして、このアモルファスシリコン膜にエキシ
マレーザビームを照射してアニーリングすることによ
り、多結晶化する。その後に、多結晶化されたシリコン
膜すなわちポリシリコン膜112をフォトリソグラフィ
工程によりパターニングして、TFT121の半導体層
を形成するとともに、補助容量電極61を形成する。Then, an amorphous silicon film is formed on the undercoating layer 60 by the CVD method or the like. Then, this amorphous silicon film is irradiated with an excimer laser beam and annealed to be polycrystallized. After that, the polycrystallized silicon film, that is, the polysilicon film 112 is patterned by a photolithography process to form a semiconductor layer of the TFT 121 and an auxiliary capacitance electrode 61.
【0056】続いて、CVD法により、全面にシリコン
酸化膜を成膜して、ゲート絶縁膜62を形成する。続い
て、スパッタリグ法により、ゲート絶縁膜62上の全面
にタンタル(Ta)、クロム(Cr)、アルミニウム
(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、
銅(Cu)などの単体、または、これらの積層膜、ある
いは、これらの合金膜(この実施の形態では、Mo−W
合金膜)を成膜し、フォトリソグラフィ工程により所定
の形状にパターニングする。これにより、走査線Y、補
助容量線52、及び、走査線Yと一体のゲート電極63
などの各種配線を形成する。Then, a silicon oxide film is formed on the entire surface by the CVD method to form a gate insulating film 62. Then, tantalum (Ta), chromium (Cr), aluminum (Al), molybdenum (Mo), tungsten (W), and the like are formed on the entire surface of the gate insulating film 62 by a sputtering method.
A simple substance such as copper (Cu), a laminated film of these, or an alloy film thereof (in this embodiment, Mo-W).
An alloy film) is formed and patterned into a predetermined shape by a photolithography process. As a result, the scanning line Y, the auxiliary capacitance line 52, and the gate electrode 63 integrated with the scanning line Y are formed.
And various wirings are formed.
【0057】続いて、ゲート電極63をマスクとして、
イオン注入法やイオンドーピング法によりポリシリコン
膜112に不純物を注入する。これにより、TFT12
1のドレイン領域112D及びソース領域112Sを形
成する。そして、基板全体をアニールすることにより不
純物を活性化する。Then, using the gate electrode 63 as a mask,
Impurities are implanted into the polysilicon film 112 by an ion implantation method or an ion doping method. As a result, the TFT 12
One drain region 112D and one source region 112S are formed. Then, the entire substrate is annealed to activate the impurities.
【0058】続いて、CVD法により、全面に酸化シリ
コン膜を成膜し、層間絶縁膜76を形成する。Subsequently, a silicon oxide film is formed on the entire surface by the CVD method to form an interlayer insulating film 76.
【0059】続いて、フォトリソグラフィ工程により、
ゲート絶縁膜62及び層間絶縁膜76を貫通してTFT
121のドレイン領域112Dに至るコンタクトホール
77及びソース領域112Sに至るコンタクトホール7
8と、補助容量電極61に至るコンタクトホール79
と、を形成する。Then, by a photolithography process,
The TFT penetrates through the gate insulating film 62 and the interlayer insulating film 76.
The contact hole 77 reaching the drain region 112D of 121 and the contact hole 7 reaching the source region 112S.
8 and a contact hole 79 reaching the auxiliary capacitance electrode 61
And form.
【0060】続いて、スパッタリング法により、層間絶
縁膜76上の全面に、Ta,Cr,Al,Mo,W,C
uなどの単体、または、これらの積層膜、あるいは、こ
れらの合金膜(この実施の形態では、Mo−Alの積層
膜)を成膜し、フォトリソグラフィ工程により所定の形
状にパターニングする。これにより、信号線Xを形成す
るとともに、信号線Xと一体にTFT121のドレイン
電極88を形成する。また、同時に、TFT121のソ
ース電極89、及び、補助容量電極61にコンタクトす
るコンタクト電極80を形成する。Then, Ta, Cr, Al, Mo, W, C are formed on the entire surface of the interlayer insulating film 76 by the sputtering method.
A simple substance such as u, a laminated film of these, or an alloy film of these (a laminated film of Mo—Al in this embodiment) is formed and patterned into a predetermined shape by a photolithography process. As a result, the signal line X is formed and the drain electrode 88 of the TFT 121 is formed integrally with the signal line X. At the same time, the source electrode 89 of the TFT 121 and the contact electrode 80 that contacts the auxiliary capacitance electrode 61 are formed.
【0061】続いて、スピンナーにより、赤色の顔料を
分散させた紫外線硬化性アクリル樹脂レジストCR−2
000(富士フィルムオーリン(株)製)を基板全面に
塗布する。そして、このレジスト膜を、赤色画素に対応
した部分に光が照射されるようなフォトマスクを介して
365nmの波長で100mJ/cm2の露光量で露光
する。そして、このレジスト膜をKOHの1%水溶液で
20秒間現像し、さらに水洗した後、焼成する。これに
より、赤色のカラーフィルタ層24Rを形成する。Subsequently, a UV curable acrylic resin resist CR-2 in which a red pigment was dispersed by a spinner was used.
000 (manufactured by Fuji Film Orin Co., Ltd.) is applied to the entire surface of the substrate. Then, this resist film is exposed with a light exposure amount of 100 mJ / cm 2 at a wavelength of 365 nm through a photomask that irradiates the portion corresponding to the red pixel with light. Then, the resist film is developed with a 1% KOH aqueous solution for 20 seconds, washed with water, and then baked. As a result, the red color filter layer 24R is formed.
【0062】続いて、同様の工程により、緑色の顔料を
分散させた紫外線硬化性アクリル樹脂レジストCG−2
000(富士フィルムオーリン(株)製)からなる緑色
のカラーフィルタ層24Gを形成し、さらに、青色の顔
料を分散させた紫外線硬化性アクリル樹脂レジストCB
−2000(富士フィルムオーリン(株)製)からなる
青色のカラーフィルタ層24Bを形成する。Then, by the same process, a UV-curable acrylic resin resist CG-2 in which a green pigment is dispersed is prepared.
UV curable acrylic resin resist CB in which a green color filter layer 24G of 000 (manufactured by Fuji Film Orin Co., Ltd.) is formed and a blue pigment is further dispersed
A blue color filter layer 24B made of -2000 (manufactured by Fuji Film Orin Co., Ltd.) is formed.
【0063】赤色のカラーフィルタ層24Rを形成する
工程では、表示領域41の所定領域に同一の赤色樹脂レ
ジストを形成して柱状スペーサ31(A、B、C)の第
1層を形成する。この第1層は、赤色画素領域のカラー
フィルタ層24Rと同様の膜厚に形成される。また、こ
の第1層は、例えば、30μm×30μmのサイズに形
成されている。In the step of forming the red color filter layer 24R, the same red resin resist is formed in a predetermined area of the display area 41 to form the first layer of the columnar spacers 31 (A, B, C). The first layer is formed to have the same film thickness as the color filter layer 24R in the red pixel area. The first layer has a size of, for example, 30 μm × 30 μm.
【0064】緑色のカラーフィルタ層24Gを形成する
工程では、第1層上に同一の緑色樹脂レジストを積層し
て柱状スペーサ31(A、B、C)の第2層を形成す
る。この第2層は、第1層より薄い膜厚となる。また、
この第2層は、例えば、26μm×26μmのサイズに
形成されている。In the step of forming the green color filter layer 24G, the same green resin resist is laminated on the first layer to form the second layer of the columnar spacers 31 (A, B, C). This second layer is thinner than the first layer. Also,
The second layer has a size of, for example, 26 μm × 26 μm.
【0065】青色のカラーフィルタ層24Bを形成する
工程では、第2層上に同一の青色樹脂レジストを積層し
て柱状スペーサ31(A、B、C)の第3層を形成す
る。この第3層は、第2層より薄い膜厚となる。また、
この第3層は、例えば、22μm×22μmのサイズに
形成されている。In the step of forming the blue color filter layer 24B, the same blue resin resist is laminated on the second layer to form the third layer of the columnar spacers 31 (A, B, C). This third layer is thinner than the second layer. Also,
The third layer is formed to have a size of 22 μm × 22 μm, for example.
【0066】これにより、図3に示すように、表示領域
102において、積層構造の柱状スペーサ31(A、
B、C)を形成する。As a result, as shown in FIG. 3, in the display area 102, the columnar spacers 31 (A,
B, C) are formed.
【0067】これらのカラーフィルタ層24の形成工程
では、スイッチング素子121と画素電極151とをコ
ンタクトするスルーホール26、及び、画素電極151
とコンタクト電極80とをコンタクトするコンタクトホ
ール81も同時に形成する。In the process of forming these color filter layers 24, the through holes 26 that contact the switching elements 121 and the pixel electrodes 151, and the pixel electrodes 151.
A contact hole 81 for making contact with the contact electrode 80 is also formed simultaneously.
【0068】続いて、スパッタリング法により、カラー
フィルタ層24(R、G、B)上にITOを1500オ
ングストロームの膜厚に成膜し、フォトリソグラフィ工
程により所定の画素パターンにパターニングすることに
より、スイッチング素子121にコンタクトした画素電
極151を形成する。Subsequently, ITO is formed into a film having a thickness of 1500 angstroms on the color filter layer 24 (R, G, B) by a sputtering method, and a predetermined pixel pattern is patterned by a photolithography process to perform switching. A pixel electrode 151 that contacts the element 121 is formed.
【0069】続いて、スピンナーにより、この基板表面
に、遮光性を有する黒色の感光性アクリル樹脂レジスト
NN700(JSR(株)製)を塗布する。そして、こ
の黒色樹脂レジストを90℃で10分間乾燥した後に、
所定のパターン形状のフォトマスクを用いて365nm
の波長で、300mJ/cm2の露光量で露光する。そ
して、この樹脂レジストをpH11.5のアルカリ水溶
液にて現像し、200℃で60分間焼成することによ
り、遮光領域41に遮光層SPを形成すると同時に、表
示領域102内の柱状スペーサ31(A、B、C)を覆
うオーバコート層35を形成する。Subsequently, a black photosensitive acrylic resin resist NN700 (manufactured by JSR Corporation) having a light shielding property is applied to the surface of the substrate by a spinner. Then, after drying this black resin resist at 90 ° C. for 10 minutes,
365 nm using a photomask with a predetermined pattern
Exposure with an exposure dose of 300 mJ / cm 2 . Then, this resin resist is developed with an alkaline aqueous solution having a pH of 11.5 and baked at 200 ° C. for 60 minutes to form the light shielding layer SP in the light shielding region 41, and at the same time, the columnar spacers 31 (A, A in the display region 102). An overcoat layer 35 is formed to cover B and C).
【0070】これにより、図3に示すように、表示領域
102において、オーバコート層35の膜厚をあわせた
各柱状スペーサ31(A、B、C)の高さは、以下のと
おりである。すなわち、柱状スペーサ31Aは、4.8
3±0.12μm、柱状スペーサ31Bは、4.87±
0.19μm、柱状スペーサ31Cは、4.85±0.
18μmとなった。このように、各柱状スペーサ31
(A、B、C)の高さは、略等しくなった。As a result, as shown in FIG. 3, the height of each columnar spacer 31 (A, B, C) in the display region 102, including the thickness of the overcoat layer 35, is as follows. That is, the columnar spacer 31A has 4.8.
3 ± 0.12 μm, the columnar spacer 31B is 4.87 ±
0.19 μm, the columnar spacer 31C has a width of 4.85 ± 0.
It became 18 μm. In this way, each columnar spacer 31
The heights of (A, B, C) became almost equal.
【0071】続いて、基板全面に、ポリイミドなどの配
向膜材料を600オングストロームの膜厚に塗布し、焼
成することにより、配向膜13Aを形成する。Subsequently, an alignment film material such as polyimide is applied to the entire surface of the substrate to a thickness of 600 angstroms and baked to form an alignment film 13A.
【0072】これにより、アレイ基板100が形成され
る。As a result, the array substrate 100 is formed.
【0073】一方、対向基板200の製造工程では、ま
ず、厚さ0.7mmの絶縁性基板21上に、スパッタリ
ング法により、ITOを1500オングストロームの膜
厚に成膜して対向電極204を形成する。そして、対向
電極204を覆って絶縁性基板21の全面にポリイミド
などの配向膜材料を500オングストロームの膜厚に塗
布し、焼成することにより、配向膜13Bを形成する。On the other hand, in the manufacturing process of the counter substrate 200, first, ITO is formed into a film having a thickness of 1500 angstrom on the insulating substrate 21 having a thickness of 0.7 mm by the sputtering method to form the counter electrode 204. . Then, an alignment film material such as polyimide having a film thickness of 500 angstrom is applied to the entire surface of the insulating substrate 21 so as to cover the counter electrode 204, and is baked to form the alignment film 13B.
【0074】これにより、対向基板200が形成され
る。As a result, the counter substrate 200 is formed.
【0075】液晶表示パネル10の製造工程では、外縁
シール部材106を液晶注入口32を残して液晶収容空
間を囲むようアレイ基板100の外縁に沿って印刷塗布
し、さらに、アレイ基板100から対向電極200に電
圧を印加するための電極転移材を外縁シール部材106
の周辺の電極転移電極上に形成する。続いて、アレイ基
板100の配向膜13Aと対向基板200の配向膜13
Bとが互いに対向するようにアレイ基板100と対向基
板200とを配置し、加熱して外縁シール部材106を
硬化させて両基板を貼り合わせる。外縁シール部材10
6は、例えば熱硬化型エポキシ系接着剤である。In the manufacturing process of the liquid crystal display panel 10, the outer edge seal member 106 is printed and applied along the outer edge of the array substrate 100 so as to surround the liquid crystal accommodation space while leaving the liquid crystal inlet 32, and further, the counter electrode is applied from the array substrate 100. An electrode transition material for applying a voltage to the outer peripheral sealing member 106
It is formed on the electrode transfer electrode around the electrode. Then, the alignment film 13 A of the array substrate 100 and the alignment film 13 of the counter substrate 200
The array substrate 100 and the counter substrate 200 are arranged such that B and B face each other, and the outer edge sealing member 106 is cured by heating to bond the both substrates. Outer edge sealing member 10
6 is, for example, a thermosetting epoxy adhesive.
【0076】続いて、液晶組成物300を液晶注入口3
2から注入し、さらに液晶注入口32を紫外線硬化型エ
ポキシ系接着剤である注入口シール部材33により封止
する。Subsequently, the liquid crystal composition 300 is applied to the liquid crystal injection port 3
Then, the liquid crystal injection port 32 is sealed with an injection port sealing member 33 which is an ultraviolet curing epoxy adhesive.
【0077】以上のような製造方法によって液晶表示パ
ネル10が製造される。The liquid crystal display panel 10 is manufactured by the above manufacturing method.
【0078】このようにして製造したアクティブマトリ
クス型カラー液晶表示装置は、セルギャップが4.78
±0.15μmと非常に均一性が高く、表示不良は確認
されなかった。また、カラーフィルタ層24(R、G、
B)をアレイ基板上に形成したため、対向基板側にカラ
ーフィルタ層を形成した場合と比較して開口率が約5%
向上した。The active matrix type color liquid crystal display device manufactured as described above has a cell gap of 4.78.
The uniformity was as high as ± 0.15 μm, and no display defect was confirmed. In addition, the color filter layer 24 (R, G,
Since B) is formed on the array substrate, the aperture ratio is about 5% compared to the case where the color filter layer is formed on the counter substrate side.
Improved.
【0079】なお、この発明は、上述した実施の形態に
限定されるものではなく、種々変更が可能である。以下
に、この発明の他の実施の形態について説明する。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but various modifications can be made. Other embodiments of the present invention will be described below.
【0080】(第2の実施の形態)第2の実施の形態に
係る液晶表示装置は、図7に示すように、アレイ基板1
00と対向基板200との間に液晶組成物300を挟持
した透過型の液晶表示パネル10と、この液晶表示パネ
ル10を背面から照明するバックライトユニット400
と、を備えている。(Second Embodiment) As shown in FIG. 7, the liquid crystal display device according to the second embodiment has an array substrate 1
00 and a counter substrate 200 sandwiching a liquid crystal composition 300, and a backlight unit 400 for illuminating the liquid crystal display panel 10 from the back side.
And are equipped with.
【0081】液晶表示パネル10のアレイ基板100
は、表示領域102において、ガラス基板などの透明な
絶縁性基板11上に、マトリクス状に配置された複数の
画素にそれぞれ対応して形成された画素TFT121、
画素TFT121を含む表示領域102を覆って形成さ
れる有機絶縁層25、有機絶縁層25上に画素毎に配置
された画素電極151、有機絶縁層25上に配置されて
いるとともにアレイ基板100と対向基板200との間
に所定のギャップを形成する複数の柱状スペーサ31、
及び複数の画素電極151全体を覆うように形成された
配向膜13Aを備えている。Array substrate 100 of liquid crystal display panel 10
Are pixel TFTs 121 formed on the transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate in the display region 102 so as to respectively correspond to a plurality of pixels arranged in a matrix.
The organic insulating layer 25 formed so as to cover the display region 102 including the pixel TFT 121, the pixel electrode 151 arranged for each pixel on the organic insulating layer 25, arranged on the organic insulating layer 25 and facing the array substrate 100. A plurality of columnar spacers 31 that form a predetermined gap with the substrate 200,
And an alignment film 13A formed so as to cover the entire plurality of pixel electrodes 151.
【0082】画素電極151は、画素毎に有機絶縁層2
5上にそれぞれ形成されるITO(インジウム・ティン
・オキサイド)等の光透過性導電部材によって形成さ
れ、この有機絶縁層25を貫通するスルーホール26を
介して画素TFT121にそれぞれ接続されている。The pixel electrode 151 is the organic insulating layer 2 for each pixel.
5 is formed of a light-transmissive conductive member such as ITO (Indium Tin Oxide) formed on each of the electrodes 5, and is connected to the pixel TFT 121 via a through hole 26 penetrating the organic insulating layer 25.
【0083】対向基板200は、ガラス基板などの透明
な絶縁性基板21上の表示領域102内において画素毎
に割り当てられて形成されたカラーフィルタ層24
(R、G、B)を備えている。また、対向基板200
は、カラーフィルタ層24(R、G、B)上に形成され
たすべての画素に共通の対向電極204、及びこの対向
電極204を覆う配向膜13Bを有している。The counter substrate 200 is a color filter layer 24 formed by being assigned to each pixel in the display area 102 on the transparent insulating substrate 21 such as a glass substrate.
(R, G, B). In addition, the counter substrate 200
Has a counter electrode 204 common to all pixels formed on the color filter layer 24 (R, G, B), and an alignment film 13B covering the counter electrode 204.
【0084】また、対向基板200は、表示領域102
において、複数の色のカラーフィルタ層24(R、G、
B)と同一の有色樹脂レジストを積層して構成された柱
状スペーサ31(A、B、C)を備えている。The counter substrate 200 has a display area 102.
In, the color filter layers 24 (R, G,
The columnar spacers 31 (A, B, C) are formed by laminating the same colored resin resist as in B).
【0085】さらに、対向基板200は、周辺領域10
4において、表示領域102の外周を取り囲み、絶縁性
基板21の遮光領域41に配置された遮光層SPを備え
ている。この遮光層SPは、光の透過を遮るために有色
樹脂レジスト、例えば黒色樹脂レジストによって形成さ
れている。Further, the counter substrate 200 has the peripheral region 10
4, a light shielding layer SP is provided which surrounds the outer periphery of the display region 102 and is arranged in the light shielding region 41 of the insulating substrate 21. The light shielding layer SP is formed of a colored resin resist, for example, a black resin resist, in order to block the transmission of light.
【0086】この実施の形態では、赤色カラーフィルタ
層24R、緑色カラーフィルタ層24G、青色カラーフ
ィルタ層24Bの順に形成される。柱状スペーサ31
(A、B、C)は、対向基板200の主面側から赤色カ
ラーフィルタ層24R、緑色カラーフィルタ層24G、
青色カラーフィルタ層24Bの順に積層することによっ
て形成されている。なお、この実施の形態では、柱状ス
ペーサ31(A、B、C)は、遮光性を有する配線部な
どの所定領域上に配置されている。In this embodiment, the red color filter layer 24R, the green color filter layer 24G and the blue color filter layer 24B are formed in this order. Pillar spacer 31
(A, B, C) are red color filter layers 24R, green color filter layers 24G, from the main surface side of the counter substrate 200.
It is formed by stacking the blue color filter layer 24B in this order. In addition, in this embodiment, the columnar spacers 31 (A, B, C) are arranged on a predetermined region such as a wiring portion having a light shielding property.
【0087】また、各柱状スペーサ31(A、B、C)
は、上述した第1の実施の形態と同様に、オーバコート
層35によって覆われている。このオーバコート層35
は、例えば、遮光層SPと同一材料の黒色樹脂レジスト
によって形成されている。このようなレベリング性の高
い材料によって形成されたオーバコート層35を設けた
ことにより、各柱状スペーサ31(A、B、C)の高さ
のばらつきを緩和することが可能となる。Further, each columnar spacer 31 (A, B, C)
Are covered with the overcoat layer 35 as in the first embodiment described above. This overcoat layer 35
Is formed of, for example, a black resin resist made of the same material as the light shielding layer SP. By providing the overcoat layer 35 formed of such a material having a high leveling property, it becomes possible to reduce the variation in height of the columnar spacers 31 (A, B, C).
【0088】これにより、図7に示すように、表示領域
102において、オーバコート層35の膜厚をあわせた
各柱状スペーサ31(A、B、C)の高さは、以下のと
おりである。すなわち、柱状スペーサ31Aは、4.9
2±0.20μm、柱状スペーサ31Bは、4.93±
0.19μm、柱状スペーサ31Cは、4.92±0.
12μmとなった。このように、各柱状スペーサ31
(A、B、C)の高さは、略等しくなった。As a result, as shown in FIG. 7, in the display area 102, the height of each columnar spacer 31 (A, B, C) including the thickness of the overcoat layer 35 is as follows. That is, the columnar spacer 31A is 4.9.
2 ± 0.20 μm, the columnar spacer 31B is 4.93 ±
0.19 μm, the columnar spacer 31C has a thickness of 4.92 ± 0.
It became 12 μm. In this way, each columnar spacer 31
The heights of (A, B, C) became almost equal.
【0089】このような構造のカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示装置は、セルギャップが4.85±
0.20μmと非常に均一性が高く、表示不良は確認さ
れなかった。The color display type active matrix liquid crystal display device having such a structure has a cell gap of 4.85 ±.
The uniformity was very high at 0.20 μm, and no display defect was confirmed.
【0090】(第3の実施の形態)第3の実施の形態に
係る液晶表示装置は、図8に示すように、アレイ基板1
00と対向基板200との間に液晶組成物300を挟持
した透過型の液晶表示パネル10と、この液晶表示パネ
ル10を背面から照明するバックライトユニット400
と、を備えている。(Third Embodiment) The liquid crystal display device according to the third embodiment is, as shown in FIG.
00 and a counter substrate 200 sandwiching a liquid crystal composition 300, and a backlight unit 400 for illuminating the liquid crystal display panel 10 from the back side.
And are equipped with.
【0091】液晶表示パネル10のアレイ基板100及
び対向基板200は、基本的に上述した第2の実施の形
態と同一である。対向基板200の表示領域102に設
けられた柱状スペーサ31(A、B、C)は、画素毎に
割り当てられて形成されたカラーフィルタ層24(R、
G、B)上に配置された樹脂レジスト36によって形成
されている。The array substrate 100 and the counter substrate 200 of the liquid crystal display panel 10 are basically the same as those in the second embodiment described above. The columnar spacers 31 (A, B, C) provided in the display area 102 of the counter substrate 200 are the color filter layers 24 (R, R) formed by being assigned to each pixel.
G, B) is formed by the resin resist 36 disposed on the above.
【0092】この樹脂レジスト36は、例えば感光性透
明アクリル樹脂レジストNN600によって形成されて
いる。このような柱状スペーサ31(A、B、C)は、
以下のようにして形成される。すなわち、スピンナーに
より、カラーフィルタ層24(R、G、B)上に、透明
アクリル樹脂レジストを塗布する。そして、この透明ア
クリル樹脂レジストを90℃で10分間乾燥した後に、
所定のパターン形状のフォトマスクを用いて365nm
の波長で、100mJ/cm2の露光量で露光する。そ
して、この樹脂レジストをpH11.5のアルカリ水溶
液にて現像し、200℃で60分間焼成する。これによ
り、表示領域102内の柱状スペーサ31(A、B、
C)を形成する。The resin resist 36 is formed of, for example, a photosensitive transparent acrylic resin resist NN600. Such columnar spacers 31 (A, B, C) are
It is formed as follows. That is, a transparent acrylic resin resist is applied onto the color filter layer 24 (R, G, B) by a spinner. Then, after drying this transparent acrylic resin resist at 90 ° C. for 10 minutes,
365 nm using a photomask with a predetermined pattern
Exposure with an exposure dose of 100 mJ / cm 2 . Then, this resin resist is developed with an alkaline aqueous solution having a pH of 11.5 and baked at 200 ° C. for 60 minutes. As a result, the columnar spacers 31 (A, B,
C) is formed.
【0093】また、各柱状スペーサ31(A、B、C)
は、上述した第2の実施の形態と同様に、オーバコート
層35によって覆われている。このオーバコート層35
は、例えば、遮光層SPと同一材料の黒色樹脂レジスト
によって形成されている。このようなレベリング性の高
い材料によって形成されたオーバコート層35を設けた
ことにより、各柱状スペーサ31(A、B、C)の高さ
のばらつきを緩和することが可能となる。Further, each columnar spacer 31 (A, B, C)
Is covered with the overcoat layer 35 as in the second embodiment described above. This overcoat layer 35
Is formed of, for example, a black resin resist made of the same material as the light shielding layer SP. By providing the overcoat layer 35 formed of such a material having a high leveling property, it becomes possible to reduce the variation in height of the columnar spacers 31 (A, B, C).
【0094】このような構造のカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示装置は、セルギャップが4.80±
0.12μmと非常に均一性が高く、表示不良は確認さ
れなかった。The color display type active matrix liquid crystal display device having such a structure has a cell gap of 4.80 ±.
The uniformity was very high at 0.12 μm, and no display defect was confirmed.
【0095】このような構造のカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示装置は、セルギャップの均一性が非
常に高く、表示不良は確認されなかった。また、この液
晶表示装置を高温高湿度(温度:60℃、湿度:80
%)の条件下で1000時間連続点灯試験を行った。こ
の結果、表示ムラの発生は皆無であり、良好な表示品位
が確保できた。In the color display type active matrix liquid crystal display device having such a structure, the uniformity of the cell gap was very high, and no display defect was confirmed. In addition, this liquid crystal display device has a high temperature and high humidity (temperature: 60 ° C., humidity: 80
%), A continuous lighting test was performed for 1000 hours. As a result, there was no occurrence of display unevenness, and good display quality could be secured.
【0096】(比較例1)第2の実施の形態に係る液晶
表示装置において、柱状スペーサ31(A、B、C)に
オーバコート層35を配置しない以外は全く同様にして
液晶表示装置を作製した。各柱状スペーサ31(A、
B、C)の高さを測定したところ、柱状スペーサ31A
の高さは、4.94±0.15μmであり、柱状スペー
サ31Bの高さは、4.77±0.20μmであり、柱
状スペーサ31Cの高さは、4.48±0.17μmで
あって、柱状スペーサの配置位置に依存してそれぞれの
高さに差が生じた。(Comparative Example 1) A liquid crystal display device according to the second embodiment is manufactured in exactly the same manner except that the overcoat layer 35 is not arranged on the columnar spacers 31 (A, B, C). did. Each columnar spacer 31 (A,
When the height of (B, C) was measured, the columnar spacer 31A
Has a height of 4.94 ± 0.15 μm, the height of the columnar spacer 31B is 4.77 ± 0.20 μm, and the height of the columnar spacer 31C is 4.48 ± 0.17 μm. Thus, there was a difference in height depending on the arrangement position of the columnar spacers.
【0097】このような構造のカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示装置は、セルギャップは、4.75
±0.52μmと均一性が非常に低く、100個中2個
の割合で、ギャップムラに起因する表示不良が発生し
た。The color display type active matrix liquid crystal display device having such a structure has a cell gap of 4.75.
The uniformity was extremely low at ± 0.52 μm, and a defective display due to uneven gap occurred at a ratio of 2 out of 100.
【0098】(比較例2)第1の実施の形態に係る液晶
表示装置において、柱状スペーサ31(A、B、C)に
オーバコート層35を配置しない以外は全く同様にして
液晶表示装置を作製した。各柱状スペーサ31(A、
B、C)の高さを測定したところ、柱状スペーサ31A
の高さは、4.91±0.14μmであり、柱状スペー
サ31Bの高さは、4.72±0.20μmであり、柱
状スペーサ31Cの高さは、4.47±0.16μmで
あって、柱状スペーサの配置位置に依存してそれぞれの
高さに差が生じた。(Comparative Example 2) A liquid crystal display device according to the first embodiment is manufactured in exactly the same manner except that the overcoat layer 35 is not arranged on the columnar spacers 31 (A, B, C). did. Each columnar spacer 31 (A,
When the height of (B, C) was measured, the columnar spacer 31A
Has a height of 4.91 ± 0.14 μm, the height of the columnar spacer 31B is 4.72 ± 0.20 μm, and the height of the columnar spacer 31C is 4.47 ± 0.16 μm. Thus, there was a difference in height depending on the arrangement position of the columnar spacers.
【0099】このような構造のカラー表示型アクティブ
マトリクス液晶表示装置は、セルギャップは、4.73
±0.52μmと均一性が非常に低かった。また、この
液晶表示装置を高温高湿度(温度:60℃、湿度:80
%)の条件下で1000時間連続点灯試験を行った。こ
の結果、10個中6個の割合で、セルギャップムラに起
因する表示不良が発生した。The color display type active matrix liquid crystal display device having such a structure has a cell gap of 4.73.
The uniformity was ± 0.52 μm, which was extremely low. In addition, this liquid crystal display device has a high temperature and high humidity (temperature: 60 ° C., humidity: 80
%), A continuous lighting test was performed for 1000 hours. As a result, display defects due to cell gap unevenness occurred at a rate of 6 out of 10.
【0100】以上説明したように、この一実施の形態に
係る液晶表示装置によれば、表示領域内において、カラ
ーフィルタ層と同一材料の複数の色の着色樹脂レジスト
を積層することにより形成された積層構造の柱状スペー
サを配置して構成されている。この柱状スペーサは、レ
ベリング性の高い樹脂レジストによって形成されたオー
バコート層により覆われている。オーバコート層の膜厚
は、柱状スペーサの高さが高いほど薄く、柱状スペーサ
の高さが低いほど厚い。As described above, according to the liquid crystal display device of this embodiment, the colored resin resists of the same material as the color filter layer are laminated in the display area. It is configured by arranging columnar spacers having a laminated structure. The columnar spacer is covered with an overcoat layer formed of a resin resist having a high leveling property. The film thickness of the overcoat layer is thinner as the height of the columnar spacer is higher, and is thicker as the height of the columnar spacer is lower.
【0101】これにより、各柱状スペーサの高さのばら
つきをなくし、基板間のセルギャップの均一性を向上す
ることが可能となる。このため、セルギャップムラに起
因する表示不良の発生を防止することが可能となる。As a result, it is possible to eliminate variations in the height of the columnar spacers and improve the uniformity of the cell gap between the substrates. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of display defects due to the cell gap unevenness.
【0102】したがって、表示品位の優れた液晶表示装
置を提供することが可能となる。Therefore, it becomes possible to provide a liquid crystal display device having excellent display quality.
【0103】また、この実施の形態に係る液晶表示装置
によれば、表示領域に配置された柱状スペーサは、各カ
ラーフィルター層と同時に形成することができる。ま
た、オーバコート層は、遮光領域に配置された遮光層と
同時に形成することができる。このため、製造工程数が
増加することはなく、製造コストの増大を防止すること
が可能となる。Further, according to the liquid crystal display device of this embodiment, the columnar spacers arranged in the display area can be formed simultaneously with the respective color filter layers. Further, the overcoat layer can be formed simultaneously with the light-shielding layer arranged in the light-shielding region. Therefore, the number of manufacturing steps does not increase, and it is possible to prevent an increase in manufacturing cost.
【0104】[0104]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、製造コストを増大することなく、表示品位の優れた
液晶表示装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device having excellent display quality without increasing the manufacturing cost.
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係る液晶表
示装置に適用される液晶表示パネルの構造を概略的に示
す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a structure of a liquid crystal display panel applied to a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図2】図2は、図1に示した液晶表示パネルの構成を
概略的に示す回路ブロック図である。FIG. 2 is a circuit block diagram schematically showing a configuration of the liquid crystal display panel shown in FIG.
【図3】図3は、この発明の第1の実施の形態に係る液
晶表示装置の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.
【図4】図4は、図1に示した液晶表示パネルを構成す
るアレイ基板の構造を概略的に示す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a structure of an array substrate which constitutes the liquid crystal display panel shown in FIG.
【図5】図5は、積層される樹脂レジストのレベリング
特性の差による膜厚の差を説明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a difference in film thickness due to a difference in leveling characteristics of laminated resin resists.
【図6】図6の(a)乃至(c)は、柱状スペーサの配
置位置の違いに起因する高さの差を示す図である。6 (a) to 6 (c) are views showing a difference in height due to a difference in the arrangement position of the columnar spacers.
【図7】図7は、この発明の第2の実施の形態に係る液
晶表示装置の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図8】図8は、この発明の第3の実施の形態に係る液
晶表示装置の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view schematically showing a structure of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
10…液晶表示パネル 24(R、G、B)…カラーフィルタ層 31(A、B、C)…柱状スペーサ 35…オーバコート層 41…遮光領域 100…アレイ基板 102…表示領域 104…周辺領域 121…スイッチング素子 151…画素電極 200…対向基板 204…対向電極 300…液晶組成物 SP…遮光層 10 ... Liquid crystal display panel 24 (R, G, B) ... Color filter layer 31 (A, B, C) ... Columnar spacer 35 ... Overcoat layer 41 ... Shading area 100 ... Array substrate 102 ... Display area 104 ... peripheral area 121 ... Switching element 151 ... Pixel electrode 200 ... Counter substrate 204 ... Counter electrode 300 ... Liquid crystal composition SP ... Shading layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 典弘 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2 株式 会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BA45 BA48 BB02 BB07 BB08 BB37 BB44 2H089 LA09 QA16 TA01 TA09 TA12 TA13 TA18 2H091 FA02Y FA34Y FA41Z FD06 GA01 GA13 LA12 2H092 GA29 JA24 JA34 JA37 JA46 JB22 JB61 KA04 KA05 KA10 KB25 MA05 MA07 MA13 MA27 NA25 PA08 PA09 PA13 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Norihiro Yoshida 2 shares, 1-9-1 Harara-cho, Fukaya City, Saitama Prefecture Company Toshiba Fukaya Factory F-term (reference) 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BA45 BA48 BB02 BB07 BB08 BB37 BB44 2H089 LA09 QA16 TA01 TA09 TA12 TA13 TA18 2H091 FA02Y FA34Y FA41Z FD06 GA01 GA13 LA12 2H092 GA29 JA24 JA34 JA37 JA46 JB22 JB61 KA04 KA05 KA10 KB25 MA05 MA07 MA13 MA27 NA25 PA08 PA09 PA13
Claims (7)
された液晶表示装置において、 前記一対の基板のうち一方の基板は、 画像を表示する表示領域に、画素毎に配置されたカラー
フィルタ層と、前記一対の基板間に所定のギャップを形
成する柱状スペーサと、を備え、 前記表示領域の外周に沿って配置された遮光領域に、遮
光性を有する樹脂レジストによって形成された遮光層を
備え、 前記柱状スペーサの上層にオーバコート層を配置したこ
とを特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal display device constituted by sandwiching a liquid crystal composition between a pair of substrates, wherein one of the pair of substrates is arranged for each pixel in a display area for displaying an image. A light shield formed of a resin resist having a light-shielding property, which comprises a color filter layer and a columnar spacer that forms a predetermined gap between the pair of substrates, and a light-shielding region arranged along the outer periphery of the display region. A liquid crystal display device comprising a layer, and an overcoat layer disposed on the columnar spacer.
ーフィルタ層を積層した積層構造を有することを特徴と
する請求項1に記載の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the columnar spacer has a laminated structure in which the color filter layers of a plurality of colors are laminated.
によって形成されたことを特徴とする請求項1に記載の
液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the columnar spacers are formed of a transparent resin resist.
材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に記
載の液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the overcoat layer is formed of the same material as the light shielding layer.
査線と、列方向に配列された信号線と、前記走査線と前
記信号線との交差部近傍に配置されたスイッチング素子
と、前記スイッチング素子に接続されマトリクス状に形
成された画素電極と、を備えたことを特徴とする請求項
1に記載の液晶表示装置。5. The one substrate includes scanning lines arranged in a row direction, signal lines arranged in a column direction, and switching elements arranged near an intersection of the scanning line and the signal line. The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising: a pixel electrode connected to the switching element and formed in a matrix.
対向電極を備えたことを特徴とする請求項1に記載の液
晶表示装置。6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the one substrate is provided with a counter electrode common to all pixels.
された液晶表示装置の製造方法において、 前記一対の基板のうち一方の基板の画像を表示する表示
領域に、画素毎にカラーフィルタ層を配置するととも
に、複数の色の前記カラーフィルタ層を積層して前記一
対の基板間に所定のギャップを形成する柱状スペーサを
形成する工程と、 前記表示領域の外周に沿って配置された遮光領域に、遮
光性を有する樹脂レジストによって形成された遮光層を
配置するとともに、前記柱状スペーサの上層にオーバコ
ート層を配置する工程と、 を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。7. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising a liquid crystal composition sandwiched between a pair of substrates, wherein a color is provided for each pixel in a display area for displaying an image on one of the pair of substrates. A step of arranging a filter layer and a step of stacking the color filter layers of a plurality of colors to form a columnar spacer forming a predetermined gap between the pair of substrates; and a step of arranging along the outer periphery of the display area. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: disposing a light shielding layer formed of a resin resist having a light shielding property in a light shielding region, and disposing an overcoat layer on an upper layer of the columnar spacer. .
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100516906C (en) * | 2004-12-28 | 2009-07-22 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | Detection device and method for array base plate |
US7884900B2 (en) | 2005-05-26 | 2011-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device with partition walls made of color filter layers as a dam for the light shielding material |
JP2012159758A (en) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | Array substrate and liquid crystal display device using the same |
JP7500986B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-06-18 | Toppanホールディングス株式会社 | Color filter and display device |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002022378A patent/JP2003222877A/en active Pending
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