JP2003172946A - 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、スイッチング素子が形成されたアレ
イ基板側にカラーフィルタを形成したＣＦ−ｏｎ−ＴＦ
Ｔ構造の液晶表示装置用基板に関し、フォトリソグラフ
ィ工程を代表とする製造プロセスを簡略化でき、且つ高
い信頼性を有する液晶表示装置用基板を提供することを
目的とする。 【解決手段】ガラス基板３上にマトリクス状に配列され
た複数の画素領域Ｐから引き出されたゲートバスライン
６に電気的に接続された第１の端子電極５２ａと、画素
電極の形成材料でガラス基板３上に直接形成された第２
の端子電極５２ｂと、第１及び第２の端子電極５２ａ、
５２ｂを電気的に接続する電極繋ぎ換え領域５２ｃとを
備え、外部回路とゲートバスライン６とを電気的に接続
する外部接続端子を有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置用基
板及びその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置に係
り、特に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）等のスイッチング素子を
用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いら
れる液晶表示装置用基板及びその製造方法に関する。さ
らに、スイッチング素子が形成されたアレイ基板側にカ
ラーフィルタ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ；ＣＦ）を形
成したＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置用基板及
びその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＴＦＴをスイッチング素子として用いた
アクティブマトリクス型の液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）は、例え
ば、特開平６−２０２１５３号公報に開示されている。
当該公報には、以下に概説するように、チャネル保護膜
が形成された逆スタガ型のＴＦＴ−ＬＣＤが開示されて
いる。

【０００３】開示されたＴＦＴ−ＬＣＤには、ＴＦＴが
形成された基板のほぼ全面に無機絶縁材料からなるパッ
シベーション膜が形成されている。パッシベーション膜
上には、透明電極材料で形成された画素電極が形成され
ている。画素電極は、パッシベーション膜を開口したコ
ンタクトホールを介してＴＦＴのソース電極に接続され
ている。

【０００４】ドレインバスラインに接続される外部接続
端子（以下、ドレイン端子と略称する）は、ｎ⁺型ａ−
Ｓｉ層及び金属層で形成された下部電極を有している。
下部電極上には、パッシベーション膜に開口されたコン
タクトホールを介して、画素電極と同一材料の酸化導電
膜からなる上部電極が積層されて下部電極の酸化を防止
している。上部電極にドレインバスライン駆動回路の接
続端子が接続されて各ドレインバスラインに所定の階調
電圧が印加されるようになっている。

【０００５】また、ゲートバスラインに接続される外部
接続端子（以下、ゲート端子と略称する）は、ゲート電
極及びゲートバスラインと共通の層をなす金属層で形成
された下部電極を有している。下部電極上には、ゲート
絶縁膜と共通の層をなす絶縁膜及びパッシベーション膜
に開口されたコンタクトホールを介して、画素電極と同
一材料の酸化導電膜からなる上部電極が積層され、下部
電極の酸化を防止している。上部電極にゲートバスライ
ン駆動回路の接続端子が接続されて各ゲートバスライン
に所定のゲートパルスが順次印加されるようになってい
る。

【０００６】次に、上記チャネル保護膜が形成された逆
スタガ型ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法について概説する。
ガラス基板等の透明絶縁性基板上に複数のゲートバスラ
イン及びゲート端子下部電極を形成する。次に、全面に
絶縁膜を形成する。なお、この絶縁膜においてゲート電
極上部は特にゲート絶縁膜と称する。続いて、絶縁膜上
にａ−Ｓｉ層を形成し、次いでチャネル保護膜を形成す
る。次いで、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層を成膜した後、金属層を
成膜し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして一
括エッチングし、ＴＦＴ部のゲート絶縁膜上にａ−Ｓｉ
層の動作半導体層を形成すると共に、チャネル保護膜の
両側にソース電極及びドレイン電極を形成してＴＦＴが
完成する。

【０００７】また同時に、ドレインバスラインに接続す
るｎ⁺型ａ−Ｓｉ層及び金属層からなるドレイン端子下
部電極を形成する。

【０００８】次いで、全面に、無機絶縁性材料であるＳ
ｉＮ膜、ＳｉＯ₂膜、又はこれらの複合膜からなる厚さ
４００ｎｍのパッシベーション膜を成膜する。次いで、
レジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法を用い
て、ソース電極、ドレイン端子下部電極、及びゲート端
子下部電極上にそれぞれ開口部を持つレジストパターン
を形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとし
てパッシベーション膜又はパッシベーション膜及び絶縁
膜をエッチングし、コンタクトホールをそれぞれ開口す
る。

【０００９】次いで、全面に、スパッタ法等を用いて、
厚さ１００ｎｍのＩＴＯ等からなる透明導電膜を成膜す
る。次いで、透明導電膜を所定の形状にパターニング
し、コンタクトホールを介してソース電極に接続する画
素電極を形成する。また同時に、別のコンタクトホール
を介してドレイン端子下部電極に接続するドレイン端子
上部電極を形成し、さらに他のコンタクトホールを介し
てゲート端子下部電極に接続するゲート端子上部電極を
形成する。

【００１０】このように上記公報の記載によれば、ゲー
ト端子及びドレイン端子を形成する場合、ゲート端子下
部電極及びドレイン端子下部電極を形成し、ゲート端子
下部電極及びドレイン端子下部電極上部を覆うパッシベ
ーション膜を成膜し、パッシベーション膜をエッチング
してコンタクトホールを開口し、コンタクトホールを介
してゲート端子下部電極に接続する透明導電膜からなる
ゲート端子上部電極及び、ドレイン端子下部電極に接続
する透明導電膜からなるドレイン端子上部電極を、画素
電極と同時に形成するようにしている。

【００１１】また、特開２０００−２３１１２３号公報
には、基板面法線方向に見て、画素間領域及び画素内を
横切る蓄積容量バスラインを遮光する遮光膜（ブラック
マトリクス；ＢＭ）上に、画素毎に形成されたカラーフ
ィルタのエッジ部を重ねることが開示されている。

【００１２】さらに、特開昭５４−０９２０２２号公報
には、ＴＦＴのフォトコンダクティビティによるリーク
電流の発生を抑制するためにアレイ基板又は対向基板上
に遮光膜を設けることが開示されている。

【００１３】またさらに、アレイ基板側にカラーフィル
タを形成するＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造について、例えば
特開昭５６−１４０３２４号公報には、隣接画素間の分
光特性が異なること、及び画素間でカラーフィルタを重
ねて柱状スペーサを形成することが開示されている。

【００１４】また、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造において、
色樹脂を重ねて遮光機能を持たせたり、配線を遮光膜と
して用いて開口率を稼いだりすることや、遮光膜のエッ
ジに色樹脂を重ねる構造等は公知技術である。

【００１５】また、特開平０１−０６８７２６号公報に
は、ＴＦＴ上が薄く、他の領域が厚い平坦化透明絶縁膜
上に画素を形成することが開示されている。

【００１６】また、マトリクス状に配列された複数の画
素で構成される表示領域の周辺部の額縁領域は、バック
ライトからの漏れ光を遮光する遮光領域として機能させ
る必要がある。このため、対向基板側にＣＦが形成され
たＬＣＤの場合には、額縁領域に樹脂ＣＦ層を積層する
か、あるいは低反射Ｃｒ（クロム）膜を成膜して遮光機
能を持たせるようにしている。また、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦ
Ｔ構造のＬＣＤでは、額縁領域に樹脂ＣＦを積層させて
遮光機能を持たせるようにしている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記特開平
６−２０２１５３号公報に開示された無機絶縁膜のパッ
シベーション膜に代えて、絶縁性有機樹脂材料によるオ
ーバーコート（ＯＣ）層を用いる場合について検討す
る。シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の無機絶縁膜の膜厚は
一般に３００〜４００ｎｍと薄膜なのに対し、ＯＣ層
は、膜厚が１０００〜３０００ｎｍと極めて厚くなる点
に特徴を有している。また、ＯＣ層は、ＯＣ層を形成す
る樹脂の誘電率が約３あるいはそれ以下で比較的小さい
ため、膜厚が厚いことと併せて、ＴＦＴ特性を劣化させ
る寄生容量を低減できるという利点を有している。

【００１８】ところが一方で、ＯＣ層は、上層に形成さ
れた電極材との密着性が無機絶縁材料からなるパッシベ
ーション膜と比較して劣っており、また、膜厚が厚いた
めに大きな段差が形成されてしまうため、上層に形成さ
れる電極材の段切れ等による導通不良の発生や、電極材
の残渣又は電極幅の細りの発生等のエッチング不良の問
題が発生し易い。さらに、ＯＣ層にコンタクトホールを
開口して下層電極と電気的接続をとる場合においても、
ＯＣ層の厚い樹脂層に形成するコンタクトホールの形状
やホール位置と上下電極との位置関係に十分考慮する必
要が生じる。

【００１９】またさらに、液晶表示装置用基板に形成さ
れた配線パターンの検査工程で、樹脂ＣＦ層の膜厚が厚
いために、落射光学系を備えた測定装置で樹脂ＣＦ層下
層の配線パターンに焦点を合わせるのが困難であるとい
う問題も生じている。

【００２０】また、額縁領域の遮光にＢＭ膜を用いる場
合、ＢＭ膜として通常、低反射Ｃｒ膜や黒色樹脂膜が用
いられるが、これらの形成工程はパネル製造のコスト高
の要因になっている。樹脂ＣＦ層を重ねて遮光層にする
場合には、遮光能力を高めるためにＲ、Ｇ、Ｂの３層の
積層構造か、あるいは液晶層の遮光能力を併用したＣＦ
樹脂層２層構造があるが漏れ光の問題が生じる可能性が
ある。

【００２１】また、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造において、
例えば色成分として顔料を分散した樹脂をＣＦ層に用い
る場合は、顔料の無機成分が液晶層および半導体層を汚
染する可能性がある点に留意する必要がある。ＣＦ−ｏ
ｎ−ＴＦＴ構造によれば、対向基板側には基本的にコモ
ン電極及び配向膜だけを形成すればよく基板簡略化が実
現できるものの、従来対向電極側にあった遮光機能まで
省略するため、アレイ基板上に如何に最適に遮光機能を
持たせるかが重要な課題となる。

【００２２】ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造での遮光機能に関
しては、室内灯や太陽光などの外光の入射によるＴＦＴ
のフォトコンダクティビティに起因する誤動作の問題
と、透過型表示装置におけるバックライトからの漏れ光
による周辺額縁部のぎらつき及び画素のコントラスト低
下が問題となる。表示領域周辺の額縁部に対しては、バ
ックライトの光が強力なため、樹脂ＣＦ層を最低２色分
以上積層した遮光膜が必要となることが実験の結果明ら
かになっている。ところが、額縁部には樹脂ＣＦ層を２
層積層して表示領域の画素には各１層のＣＦ層を形成す
ると、表示領域と額縁部との高さが異なってしまい、セ
ルギャップ厚がばらついてしまうという問題が発生す
る。全面にＯＣ層を形成して平坦化を図っても額縁部の
積層された樹脂ＣＦ層４２の高さが比較的大きいので十
分な平坦化効果は得られない。

【００２３】本発明の目的は、フォトリソグラフィ工程
を代表とする製造プロセスを簡略化でき、且つ高い信頼
性を有する液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそ
れを用いた液晶表示装置を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、対向配置さ
れる対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、前
記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画素
領域に形成された画素電極と、前記画素電極とバスライ
ンとに接続されたスイッチング素子と、前記バスライン
に電気的に接続された第１の端子電極と、前記画素電極
の形成材料で前記絶縁性基板上に形成された第２の端子
電極と、前記第１及び第２の端子電極を電気的に接続す
る電極繋ぎ換え領域とを備え、外部回路と前記バスライ
ンとを電気的に接続する外部接続端子とを有することを
特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。

【００２５】基板全面に樹脂層を形成し、当該樹脂層上
に例えば透明酸化電極材等からなる電極配線等を形成す
ると、当該配線等の樹脂層との密着性はガラス基板上よ
りも劣る場合が多く、剥離を生じる場合がある。このた
め、樹脂層を開口して配線等をガラス基板に直接接触さ
せてパターニングすることにより配線等の剥離を抑制で
きる。また、樹脂層の開口部が直線的な形状を有する場
合、段差が激しく電極配線間で透明酸化電極材等のエッ
チング残渣が生じてしまうことがある。これに対して、
電極端子間の樹脂層の開口パターンを先端が尖った形状
にすることにより、選択部の段差形状を緩和してエッチ
ング残渣の発生を抑えることができる。

【００２６】対向電極に遮光膜を持たないＣＦ−ｏｎ−
ＴＦＴ構造において、表示領域周辺の額縁領域は、バッ
クライトユニットからの強烈な光漏れが問題となる。そ
のため、額縁領域は２色以上の色樹脂重ねによる遮光が
必要である。ところが、オーバーコート（ＯＣ）層を備
えた構成では、額縁領域は２層積層のＣＦ層とＯＣ層の
積層された膜厚となり、表示領域のＣＦ層１層とＯＣ層
の積層された膜厚よりも高くなり段差が大きくなる。こ
れにより液晶のセル厚が変動してしまい、いわゆる額縁
ムラと呼ばれる表示ムラを引き起こしてしまう。これに
対応するため、額縁領域でＣＦ樹脂を３層重ねるように
して、且つ当該領域ではＯＣ層を形成しないようにして
開口領域を設けておく。そして、ゲート絶縁膜等のエッ
チングに当該額縁領域を晒すことにより、ＣＦ樹脂重ね
部の最上部ＣＦ層をエッチング除去して額縁領域全体の
膜厚を樹脂ＣＦ層２層＋αとすることにより、表示領域
との間で著しい段差を生じさせないようにすることがで
きる。

【００２７】また、額縁領域全体の膜厚を樹脂ＣＦ層２
層＋αとした後、必要に応じてその上部に画素電極の形
成と同一の工程で透明電極パターンによりカラーフィル
タ層の露出領域を覆う。さらに、当該透明電極を対向電
極（コモン電極）と同電位にすることにより、額縁領域
上の液晶層を電圧無印加状態にできるため、ＭＶＡ（Ｍ
ｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇ
ｎｍｅｎｔ）−ＬＣＤ等のノーマリブラック（ＮＢ）型
の表示方式においては十分な遮光が可能となる。

【００２８】ＭＶＡ−ＬＣＤ等のＮＢ型の表示方式で
は、ＴＦＴがオフのときに液晶層が外光に対する遮光機
能を実質的に持つため、樹脂ＣＦ層のうち最も透過率の
高い緑色の樹脂ＣＦ層が１層でも遮光領域に存在すれば
十分遮光機能が作用するのでフォトコンダクティビティ
によるＴＦＴの誤動作は生じない。

【００２９】また近年、対向基板側の配向規制用構造物
である土手の形成を省略し、対向基板とアレイ基板との
間にモノマーを配合した液晶を注入した後にコモン電極
と画素電極の間に電圧を印加しつつ、当該液晶にＵＶ光
を照射してモノマーを重合させ、液晶分子にプレチルト
角を付与するＭＶＡ−ＬＣＤが登場している。このポリ
マーを用いたプレチルト角付与技術を用いたＭＶＡ−Ｌ
ＣＤの場合も、額縁領域の遮光領域表面のカラーフィル
タ層の露出領域に画素電極の形成と同一の工程で透明電
極パターンを形成することが望ましい。さらに、当該透
明電極を対向電極あるいはコモン電極と同電位にするこ
とにより、額縁領域の遮光領域上の液晶層を電圧無印加
状態にして、当該領域の液晶分子にプレチルト角を付与
しないようにできるのでＮＢ型の表示方式において十分
な遮光能力が得られる。

【００３０】逆スタガ型のＴＦＴは、ＮＳＩ（チャネル
エッチ）型とＩＳＩ（チャネル保護膜）型の２種類の代
表的構造を有しているが、何れの構造においても樹脂Ｃ
Ｆ層に含まれる顔料成分によるａ−Ｓｉ等の動作半導体
層への汚染が問題となる。ＴＦＴ上に直接樹脂ＣＦ層を
形成する場合の汚染の問題に関し、樹脂ＣＦ層の形成材
料の体積抵抗率の相違で汚染の程度が異なることが見出
された。

【００３１】体積抵抗率が小さい材料は電荷を蓄積し焼
き付きを生じさせる。従って体積抵抗率はできるだけ大
きいＣＦ材が好ましい。さらには、ＳｉＮ等の無機絶縁
膜をＴＦＴ上に層間絶縁膜として設けることが好まし
い。この場合、従来のＬＣＤに用いられているゲート絶
縁膜や保護膜等の３００〜４００ｎｍの膜厚に比べて極
めて薄い膜厚、例えば、膜厚１０〜１５０ｎｍ程度でよ
く、好適には５０〜１２０ｎｍ程度がよい。

【００３２】ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造においては、従来
の数十〜数百ｎｍ程度の段差ではなく、数千ｎｍの段差
が形成されるＯＣ層が存在することにより、落射光学系
の検査装置でのフォーカス不良が生じたり、ＣＦ樹脂の
存在によりパターンの識別不良が生じたりしている。

【００３３】これらの問題に対して、例えば、蓄積容量
電極に開口パターンを設け、さらにその上層のＣＦ層に
も同様の開口パターンを設けることで、オートフォーカ
スの障害となるＣＦ層による落射光の吸収をなくすこと
ができ、また、蓄積容量電極の開口パターンと画素電極
に開口した開口パターンとの重ね合せを測定できるよう
になる。

【００３４】ＴＦＴのソース電極と画素電極の電気的接
続をとるコンタクトホールの形状については、ソース電
極上に存在するＣＦ層、ＳｉＮ層、ＯＣ層のコンタクト
ホール径の関係を、ＣＦ層＞ＳｉＮ層＞ＯＣ層とするこ
とにより、ＯＣ層でＣＦ樹脂を上下から覆う構造が可能
となり、樹脂ＣＦ層内の顔料などによる液晶あるいはＴ
ＦＴへの汚染の影響を排除することができる。

【００３５】また、ＣＦ樹脂の体積抵抗率が大きく汚染
等の問題がない場合は、画素電極の段切れを防止するこ
とを目的として、コンタクトホール径をＯＣ層＞ＣＦ層
＞ＳｉＮ層とすることが好ましい。

【００３６】ＯＣ層やＣＦ層は有機樹脂からなり、その
熱膨張係数はガラスより１桁小さい。また、熱膨張率は
画素電極に用いられる透明酸化導電膜に対しても１桁異
なるため、熱ストレスにより画素電極にクラックが入る
ことがあった。

【００３７】熱膨張率が異なることに起因するクラック
は、段差部であるコンタクトホールに発生しやすいた
め、ストレスを緩和できるコンタクトホール構造が必要
となる。

【００３８】コンタクトホールでのクラックを減少させ
るには、画素電極エッジとコンタクトホールの距離を十
分とることが必要であり、好ましくは６μｍ以上必要で
ある。この距離は樹脂膜の膜厚とも相関を有している。

【００３９】樹脂膜とコンタクトホールの位置関係は重
要であり、ＯＣ層の膜厚と画素端部の距離の関係を２．
５倍以上にすること、コンタクトホール端のテーパ部の
距離を膜厚の１．５倍以上あるいは、角度を４５°以下
とすることによりクラックの発生を抑制することができ
る。

【００４０】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態による
液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを用いた
液晶表示装置について図１乃至図４５及び図５０を用い
て説明する。まず、本実施の形態による液晶表示装置の
概略の構成について図１を用いて説明する。本実施の形
態による液晶表示装置は、ＴＦＴ２等が形成されたＴＦ
Ｔ基板（アレイ基板）１とコモン電極等が形成された対
向基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封
入した構造を有している。ＴＦＴ基板１は、ＴＦＴ２形
成面側に例えば顔料分散型の樹脂ＣＦ層が形成され、そ
の上層に絶縁性有機樹脂材料からなるＯＣ層が形成され
たＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造を有している。

【００４１】図２は、ＴＦＴ基板１上に形成された素子
の等価回路を示している。ＴＦＴ基板１上には、図中左
右方向に延びるゲートバスライン６が互いに平行に複数
形成され、それらにほぼ直角に交差して図中上下方向に
延びるドレインバスライン８が互いに平行に複数形成さ
れている。複数のゲートバスライン６とドレインバスラ
イン８とで囲まれた各領域が画素領域となる。各画素領
域にはＴＦＴ２と画素電極１０が形成されている。各Ｔ
ＦＴ２のドレイン電極は隣接するドレインバスライン８
に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン６
に接続され、ソース電極は画素電極１０に接続されてい
る。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６と
平行に蓄積容量バスライン１２が形成されている。これ
らのＴＦＴ２や画素電極１０、各バスライン６、８、１
２は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レ
ジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」
という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。

【００４２】図１に戻り、液晶を封止して対向基板４と
対向配置されたＴＦＴ基板１には、複数のゲートバスラ
イン６を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバス
ライン駆動回路１４と、複数のドレインバスライン８を
駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン
駆動回路１６とが設けられている。これらの駆動回路１
４、１６は、制御回路１８から出力された所定の信号に
基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラ
イン６あるいはドレインバスライン８に出力するように
なっている。ＴＦＴ基板１の素子形成面と反対側の基板
面には偏光板２０が配置され、偏光板２０のＴＦＴ基板
１と反対側の面にはバックライトユニット２２が取り付
けられている。対向基板４のコモン電極形成面と反対側
の面には、偏光板２０とクロスニコルに配置された偏光
板２４が貼り付けられている。

【００４３】次に、本実施形態による液晶表示装置用基
板としてのＴＦＴ基板１の構成について図３乃至図１１
及び図５０を用いて説明する。図３はガラス基板３上の
１画素を液晶層側から見た状態を示している。図４は、
図３のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。図５は、
ＴＦＴ基板１を液晶層側から見た状態であって額縁領域
近傍の構成を示している。図６は、ガラス基板３上のゲ
ート端子近傍の構造を示している。図７及び図８は、図
６のＣ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線で切断した断面を示してい
る。図９は、ガラス基板３上のドレイン端子近傍の構造
を示している。図１０及び図１１は、図９のＥ−Ｅ線及
びＦ−Ｆ線で切断した断面を示している。図５０は、図
５に示す額縁領域５６近傍の断面構成を示しており、ゲ
ートバスライン６又はドレインバスライン８のいずれか
の延伸方向に沿う断面を示している。

【００４４】まず、図３及び図４に示すように、透明絶
縁性基板としてのガラス基板３上には図中左右方向に延
びる複数のゲートバスライン６（図３では１本のみ図示
している）が形成されている。またガラス基板３上に
は、ゲートバスライン６と絶縁膜（ゲートバスライン６
直上では「ゲート絶縁膜」ということにする）３２を介
して交差して図３上下方向に延びる複数のドレインバス
ライン８（図３では２本のみ図示している）が形成され
ている。これらゲートバスライン６とドレインバスライ
ン８とで画定される領域が画素領域となる。そして、各
ゲートバスライン６とドレインバスライン８との交差位
置近傍にＴＦＴ２が形成されている。図３及び図４に示
すように、上部金属層６２及びオーミックコンタクト層
３６からなるＴＦＴ２のドレイン電極２６は、図３中左
側のドレインバスライン８から引き出されて、その端部
がゲートバスライン６上に形成されたチャネル保護膜２
８上の一端辺側に位置するように形成されている。上部
金属層６２及びオーミックコンタクト層３６からなるソ
ース電極３０は、ドレイン電極２６に対向するようにチ
ャネル保護膜２８上の他端辺側に形成されている。この
ような構成においてチャネル保護膜２８直下のゲートバ
スライン６領域がＴＦＴ２のゲート電極として機能する
ようになっている。図４に示すように、ゲートバスライ
ン６上にはゲート絶縁膜３２が形成され、ゲート絶縁膜
３２と上層のチャネル保護膜２８との間にはチャネルを
構成する例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）から
なる動作半導体層３４が形成されている。動作半導体層
３４は、ドレイン／ソース電極２６、３０の例えばｎ⁺
型ａ−Ｓｉ層のオーミックコンタクト層３６と接続され
ている。

【００４５】また、図３に示すように、画素領域ほぼ中
央を左右に延びる蓄積容量バスライン１２が形成されて
いる。画素領域内の蓄積容量バスライン１２の上層には
絶縁膜３２を介して蓄積容量電極３８が形成されてい
る。

【００４６】図４に示すＴＦＴ２上層及び不図示の蓄積
容量電極３８上層を含む画素領域全面には画素毎に所定
の樹脂ＣＦ層４２Ｒ（赤）、４２Ｇ（緑）、４２Ｂ
（青）が形成されている。

【００４７】画素領域の樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４
２Ｂ上にはＯＣ層４４が形成されている。各画素のＯＣ
層４４上には、透明酸化電極材をパターニングして画素
電極１０が形成されている。画素電極１０は、ＯＣ層４
４及び、樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂのいずれか
を開口して形成されたコンタクトホール４６を介してソ
ース電極３０と電気的に接続されている。同様に画素電
極１０は、ＯＣ層４４及び、樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２
Ｇ、４２Ｂのいずれか開口して形成されたコンタクトホ
ール４８を介して蓄積容量電極３８と電気的に接続され
ている。

【００４８】次に、図５及び図５０を用いてＴＦＴ基板
１の額縁領域近傍の構造について説明する。なお図５に
おいて、各構成要素を明確に表示するため、表示領域５
０や額縁領域５６、及びゲート端子／ドレイン端子の形
成領域５１、５３等の寸法の比率は実際とは異なってい
る。図５に示すように、ＴＦＴ基板１は、マトリクス状
に配置された複数の画素領域Ｐが形成され、各画素領域
Ｐ内にはＴＦＴ２が形成されている。複数の画素領域Ｐ
で画像の表示領域５０が構成されている。各ゲートバス
ライン６は、ＴＦＴ基板１の外周囲のゲート端子形成領
域５１に形成された複数のゲート端子５２にそれぞれ接
続されて、外部に設けられたゲートバスライン駆動回路
１４（図１参照）に接続されるようになっている。

【００４９】同様にして、各ドレインバスライン８は、
ＴＦＴ基板１の外周囲のドレイン端子形成領域５３に形
成された複数のドレイン端子５４にそれぞれ接続され
て、外部に設けられたドレインバスライン駆動回路１６
（図１参照）に接続されるようになっている。

【００５０】図５において、符号４’は、ＴＦＴ基板１
と対向基板４とを貼り合せた際の、対向基板４のエッジ
位置を示している。エッジ４’は、ＴＦＴ基板１端辺よ
りほぼゲート端子／ドレイン端子の形成領域分だけ内方
に位置するようになっている。表示領域５０内の各画素
領域Ｐの周辺部は樹脂ＣＦ層４２が少なくとも１層形成
されており遮光層（ＢＭ）として機能するようになって
いる。ＢＭ層は、表示領域５０内の複数の画素領域Ｐを
それぞれ画定してコントラストを稼ぐためと、ＴＦＴ２
を遮光して光リーク電流の発生を防止させるために用い
られる。

【００５１】図５０に示すように、表示領域５０の外周
囲の額縁領域５６には、バックライトユニット２２（図
１参照）からの表示領域５０外周囲の不要光を遮光する
ために、樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂのうち、少
なくともいずれか２層を積層して形成されたＢＭ層が設
けられている。図５０に示す例では、樹脂ＣＦ層４２Ｒ
及び４２Ｇがこの順に積層されて、さらに、樹脂ＣＦ層
４２Ｂの薄い層が積層されている。また、ＴＦＴ基板１
を対向基板４と貼り合せるために、光硬化性樹脂からな
るメインシール（シール剤）５８がＴＦＴ基板１の額縁
領域周囲に形成されている。

【００５２】ＯＣ層４４は、額縁領域５６には形成され
ておらず、図５に示す表示領域５０及び、メインシール
５８、ゲート端子／ドレイン端子の形成領域５１、５３
内の両矢印４４で示す領域に形成されている。

【００５３】額縁領域５６のＯＣ層４４が形成されてい
ない領域には、樹脂ＣＦ層４２による液晶の汚染を防止
するために、画素電極１０に用いる例えばＩＴＯ等の透
明導電膜材料で保護膜７０が形成されている。導電性を
有する保護膜７０は、両基板を貼り合わせた際には、不
図示の対向基板４のコモン電極に接続されるようになっ
ている。なお、コモン電極は両基板の貼り合わせ時では
蓄積容量バスライン１２とは電気的に分離されている
か、あるいは少なくとも高抵抗状態で接続されている。
対向基板４のコモン電極とＴＦＴ基板１の蓄積容量バス
ライン１２とは、ゲートバスライン駆動回路１４とドレ
インバスライン駆動回路１６とが実装されることにより
トランスファを介して同電位に保たれるようになってい
る。

【００５４】次に、ゲート端子５２の構成について、図
６乃至図８を用いて説明する。図６は、図５に示した複
数のゲート端子５２のうちの２つを拡大して示してい
る。図５及び図６において、ゲート端子５２は、第１の
端子電極５２ａと第２の端子電極５２ｂとを有してい
る。また、両電極５２ａ、５２ｂを電気的に接続する電
極繋ぎ換え領域５２ｃが設けられている。第１の端子電
極５２ａは、ゲートバスライン６の形成と同時にゲート
バスライン６の形成材料で形成されている。一方、第２
の端子電極５２ｂは、ＯＣ層４４上に形成される画素電
極１０の形成と同時に画素電極１０の形成材料で形成さ
れている。

【００５５】図６及び図６のＤ−Ｄ線での断面を表す図
８に示すように、電極繋ぎ換え領域５２ｃでＯＣ層４４
は開口されており、さらに、下層のゲート絶縁膜３２も
開口されて、第１の端子電極５２ａ表面が露出してい
る。また、隣接するゲート端子５２間のＯＣ層４４は、
電極繋ぎ換え領域５２ｃ側の第１の端子電極５２ａ端面
にほぼ一致する端面を有している。さらに、ＯＣ層４４
は、当該端面のほぼ中方部から突出して、ガラス基板３
の基板面に平行な断面形状が例えば鋭角の頂角を有する
三角形形状に形成された突起６０を有している。

【００５６】図８に示すように、電極繋ぎ換え領域５２
ｃにおいて、第１の端子電極５２ａ直上に第２の端子電
極５２ｂが形成されて、両電極５２ａ、５２ｂが電気的
に接続されている。このような構成により、ＯＣ層４４
はゲート端子形成領域５１内の第２の端子電極５２ｂの
形成領域上に存在しないため、図６のＣ−Ｃ線での断面
を表す図７に示すように、第２の端子電極５２ｂは、電
極繋ぎ換え領域５２ｃからガラス基板３端辺に向かう方
向でガラス基板３上に直接形成されている。

【００５７】以上はゲート端子形成領域５１について説
明したが、ドレイン端子形成領域５３もほぼ同様の構造
を有している。次に、ドレイン端子５４の構成につい
て、図９乃至図１１を用いて説明する。図９は、図５に
示した複数のドレイン端子５４のうちの２つを拡大して
示している。図５及び図９において、ドレイン端子５４
は、第１の端子電極５４ａと第２の端子電極５４ｂとを
有している。また、両電極５４ａ、５４ｂを電気的に接
続する電極繋ぎ換え領域５４ｃが設けられている。第１
の端子電極５４ａは、ドレインバスライン８の形成と同
時にドレインバスライン８の形成材料で形成されてい
る。一方、第２の端子電極５４ｂは、ＯＣ層４４上に形
成される画素電極１０の形成と同時に画素電極１０の形
成材料で形成されている。

【００５８】図９及び図９のＦ−Ｆ線での断面を表す図
１１に示すように、電極繋ぎ換え領域５４ｃでのＯＣ層
４４は開口されており、第１の端子電極５４ａ表面が露
出している。また、隣接するドレイン端子５４間のＯＣ
層４４は、電極繋ぎ換え領域５４ｃ側の第１の端子電極
５４ａ端面にほぼ一致する端面を有している。さらに、
ＯＣ層４４は、当該端面のほぼ中方部から突出して、ガ
ラス基板３の基板面に平行な断面形状が例えば鋭角の頂
角を有する三角形形状に形成された突起６０を有してい
る。

【００５９】図１１に示すように、電極繋ぎ換え領域５
４ｃにおいて、第１の端子電極５４ａ直上に第２の端子
電極５４ｂが形成されて、両電極５４ａ、５４ｂが電気
的に接続されている。このような構成により、ＯＣ層４
４はドレイン端子形成領域５３内の第２の端子電極５４
ｂの形成領域上に存在しないため、図９のＥ−Ｅ線での
断面を表す図１０に示すように、第２の端子電極５４ｂ
は、電極繋ぎ換え領域５４ｃからガラス基板３端辺に向
かう方向でガラス基板３上に直接形成されている。

【００６０】なお、上記構成のドレイン端子５４の構造
に限らず、例えば、ゲートバスライン６形成材料を用い
てゲート端子５２の形成と同時にドレイン端子形成領域
５３にゲート端子５２と同層の配線層を含むドレイン端
子５４を形成してもよい。この場合には電極繋ぎ換え領
域が２箇所になり、例えば、ドレインバスライン８と同
層金属で形成されてドレインバスライン８から延びる配
線と、当該配線端部に第１の電極繋ぎ換え領域で接続さ
れてその先に延びる画素電極１０の形成材料で形成され
た配線とで第１の端子電極５４ａが構成される。そし
て、第２の電極繋ぎ換え領域から最先端部に向かって、
第１の端子電極５４ａから延びる画素電極１０の形成材
料がゲートバスライン６形成材料で形成された端子電極
上表面に積層された第２の端子電極５４ｂが形成される
構成となる。

【００６１】次に、図１乃至図１１及び図５０に示した
液晶表示装置の製造方法について図１２乃至図４５を用
いて説明する。なお、図１２乃至図４５において、図１
乃至図１１及び図５０に示した構成要素と同一の構成要
素については同一の符号を付している。ここで、図１２
乃至図４５のうち、図１２乃至図１８は、図３のＡ−Ａ
線で切断したＴＦＴ形成領域の製造工程断面図である。
また、図１９乃至図２５は、図３のＢ−Ｂ線で切断した
蓄積容量形成領域であってコンタクトホール４８を通る
領域の製造工程断面図である。また、図２６乃至図２９
は図６のＣ−Ｃ線で切断したゲート端子５２の第２の端
子電極５２ｂの領域の製造工程断面図である。図３０乃
至図３４は、図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子５２
の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図である。ま
た、図３５乃至図３８は、図９のＥ−Ｅ線で切断したド
レイン端子５４の第２の端子電極５４ｂの製造工程断面
図である。図３９乃至図４３は図９のＦ−Ｆ線で切断し
たドレイン端子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断
面図である。

【００６２】さて、透明絶縁性基板としてのガラス基板
３上に直接、または必要に応じてＳｉＯ_X等の保護膜を
形成した後、例えばＡｌ（アルミニウム）合金を膜厚例
えば１３０ｎｍ、ＭｏＮ（窒化モリブデン）を膜厚例え
ば７０ｎｍ、およびＭｏ（モリブデン）を膜厚例えば１
５ｎｍでこの順にスパッタリングにより全面に成膜し、
厚さ約２１５ｎｍの金属層を形成する。Ａｌ合金として
は、ＡｌにＮｄ（ネオジミウム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｃ
ｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ
（タンタル）、Ｓｃ（スカンジウム）等を１つまたは複
数含む材料を用いることができる。

【００６３】次いで、全面にレジスト層を形成してから
第１のマスク（フォトマスクあるいはレチクル、以下マ
スクという）を用いて露光してレジストマスクを形成
し、燐酸系エッチャントを用いたウエットエッチングに
より、ゲートバスライン６（図１２参照）及び蓄積容量
バスライン１２（図１９参照）、並びにゲート端子５２
の第１の端子電極５２ａ（図２６参照）を形成する。

【００６４】次いで、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）
をプラズマＣＶＤ法により約４００ｎｍの厚さで基板全
面に成膜してゲート絶縁膜（成膜の部位により層間絶縁
膜；以下、成膜部位によりゲート絶縁膜又は絶縁膜とい
う）３２を形成する。次に、動作半導体層３４を形成す
るための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層３
４’をプラズマＣＶＤ法により約３０ｎｍの厚さで基板
全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜（エッチング
ストッパ）２８を形成するための例えばシリコン窒化膜
（ＳｉＮ）２８’をプラズマＣＶＤ法により約１２０ｎ
ｍの膜厚で全面に形成する（図１２、図１９、図２６、
図３０、図３５、及び図３９参照）。

【００６５】次に、スピンコート等により全面にフォト
レジスト（図示せず）を塗布した後、ゲートバスライン
６及び蓄積容量バスライン１２をマスクとして、透明ガ
ラス基板３に対して背面露光を行う。露光された領域の
レジスト層を溶解することにより、ゲートバスライン６
及び蓄積容量バスライン１２並びにゲート端子５２の第
１の端子電極５２ａ上に自己整合的にレジストパターン
（図示せず）が形成される。このレジストパターンに対
してさらに順方向から第２のマスクを用いて露光するこ
とにより、チャネル保護膜２８の形成領域上のみにレジ
スト層が残存するレジストパターンが形成される。これ
をエッチングマスクとしてシリコン窒化膜２８’に対し
てフッソ系ガスを用いたドライエッチングを施すことに
よりチャネル保護膜２８が形成される（図１３、図２
０、図２７、図３１、図３６、及び図４０参照）。

【００６６】次に、希フッ酸を用いてアモルファスシリ
コン層３４’表面を洗浄（自然酸化膜の除去）した後、
速やかに、図１４、図２１、図２８、図３２、図３７、
及び図４１に示すように、オーミックコンタクト層３６
を形成するための例えばｎ⁺型ａ−Ｓｉ層３６’をプラ
ズマＣＶＤ法により約３０ｎｍの厚さに透明ガラス基板
３全面に形成する。次いで、ドレイン電極２６、ソース
電極３０、蓄積容量電極３８、ドレインバスライン８、
及びドレイン端子５４の第１の端子電極５４ａを形成す
るための例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉからなる金属層６２を
スパッタリングによりそれぞれ２０／７５／４０ｎｍの
厚さに成膜する。金属層６２は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の
複合膜以外にも、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリ
ブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ
（アルミニウム）等の単体あるいはそれらの複合膜を用
いることができる。

【００６７】次に、基板全面にフォトレジスト層（図示
せず）を形成し、第３のマスクを用いてレジストを露光
した後現像してレジスト層をパターニングする。パター
ニングされたレジスト層をエッチングマスク（図示せ
ず）として、金属層６２、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層３６’、ア
モルファスシリコン層３４’に対して塩素系ガスを用い
たドライエッチングを施して、図１５、図２２、図２
９、図３３、図３８、及び図４２に示すように、ドレイ
ンバスライン８、ドレイン端子５４の第１の端子電極５
４ａ、ドレイン電極２６、ソース電極３０、蓄積容量電
極３８、及びオーミック層３６並びに動作半導体層３４
を形成する。このエッチング処理において、チャネル保
護膜２８はエッチングストッパとして機能するので、そ
の下層のアモルファスシリコン層３４’はエッチングさ
れずに残存して所望の動作半導体層３４が形成される。

【００６８】以上の工程が終了すると、図４２に示すよ
うに、ドレイン端子５４には、アモルファスシリコン層
３４’、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層３６’、金属層６２がこの順
に積層された第１の端子電極５４ａが形成される。ま
た、図１５に示すように、ゲートバスライン６上にゲー
ト絶縁膜３２を介して動作半導体層３４が形成され、動
作半導体層３４上にチャネル保護膜２８、及びドレイン
電極２６、ソース電極３０を備えたＴＦＴ構造の原型が
形成される。ドレイン電極２６及びソース電極３０は、
オーミックコンタクト層３６、金属層６２がこの順に積
層された構造として形成される。また、図２２に示すよ
うに、蓄積容量バスライン１２上に絶縁膜３２を介して
アモルファスシリコン層３４’が形成され、その上にｎ
⁺型ａ−Ｓｉ層３６’、金属層６２がこの順に積層され
た蓄積容量電極３８が形成されている。

【００６９】次に、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの画素領域Ｐに
対して、樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂをそれぞれ
形成する。各樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは、図
５の画素領域Ｐに示すように、上下方向に同一色になる
ようにストライプ状に形成される。

【００７０】まず、例えば、赤色（Ｒ）の顔料を分散さ
せたアクリル系ネガ型感光性樹脂をスピンコータやスリ
ットコータ等を用いてガラス基板３上全面に例えば膜厚
１７０ｎｍに塗布する。次いで、大型マスクを用いた近
接露光（プロキシミティ露光）により所定の複数列の画
素領域Ｐにストライプ状に樹脂が残るようにパターンを
露光する。次いで、ＫＯＨなどのアルカリ現像液を用い
て現像することにより赤色樹脂ＣＦ層４２Ｒが形成され
る。これにより、当該赤色画素領域Ｐに対して赤色の分
光特性が付与されると共に、外光のＴＦＴ２への入射を
阻害する遮光機能を付加することができる（図１６及び
図２３参照）。

【００７１】上記と同様にして、青色（Ｂ）の顔料を分
散させたアクリル系ネガ型感光性樹脂を塗布してパター
ニングし、赤色樹脂ＣＦ層４２Ｒの隣列の画素領域Ｐに
ストライプ状の青色樹脂ＣＦ層４２Ｂを形成する。これ
により当該青色画素領域Ｐに対して青色の分光特性が付
与されると共に、外光のＴＦＴ２への入射を阻害する遮
光機能が付加される。

【００７２】さらに、緑色（Ｂ）の顔料を分散させたア
クリル系ネガ型感光性樹脂を塗布してパターニングし、
赤色樹脂ＣＦ層４２Ｒ、及び青色樹脂ＣＦ層５２Ｂに隣
接する画素領域Ｐにストライプ状の緑色樹脂ＣＦ層４２
Ｇを形成する。これにより当該緑色画素領域Ｐに対して
緑色の分光特性が付与されると共に、外光のＴＦＴ２へ
の入射を阻害する遮光機能が付加される。

【００７３】樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは、図
５及び図５０に示す表示領域５０内およびメインシール
内側の額縁領域５６に形成される。額縁領域５６には樹
脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの３層が積層されてい
る。

【００７４】上記工程では、各画素領域Ｐに対して樹脂
ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂのいずれか１層形成する
ようにしているが、例えば、図４４に示すような積層構
造を採用することが好ましい。図４４は、樹脂ＣＦ層４
２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂが形成された複数の画素領域Ｐを
ガラス基板３の基板面法線方向に見た状態を示してい
る。図４４第（Ａ）行に例示する樹脂ＣＦ層４２は、右
隣りの画素のＴＦＴ２上を覆うように張り出した┣状
（ト字状）パターンを有している。これにより各画素領
域ＰのＴＦＴ２上は樹脂ＣＦ層の２層積層構造になるた
め、より遮光能力を向上させることができる。

【００７５】図４４第（Ｂ）行の例示は、最も可視光透
過率が高い緑色の樹脂ＣＦ層４２Ｇが、両隣りの画素の
ＴＦＴ２上を覆うように張り出したＴ字状（あるいは十
字状）パターンを有している。これにより赤色及び青色
の画素領域ＰのＴＦＴ２上は緑色の樹脂ＣＦ層４２Ｇが
重なった２層積層構造になるため、より遮光能力を向上
させることができる。

【００７６】図４４第（Ｃ）行の例示は、最も可視光透
過率が高い緑色の樹脂ＣＦ層４２Ｇが、ＴＦＴ２上を覆
うよう行方向全体に張り出したパターンを有している。
これにより赤色及び青色の画素領域ＰのＴＦＴ２上は緑
色の樹脂ＣＦ層４２Ｇが重なった２層積層構造になるた
め、より遮光能力を向上させることができる。

【００７７】遮光機能に関し、ＮＢ（ノーマリブラッ
ク）モードのＬＣＤでは外光の問題はあまり重要でな
く、画素とバスラインとを重ねなくても画素配線間は電
界が印加されないため黒表示となるので、コントラスト
の低下はほとんど生じない。しかしながら、ＴＦＴ２上
方はフォトコンダクティビティの影響を防ぐため最低限
の遮光が必要となる。実験の結果Ｒ、Ｇ、Ｂの三色を樹
脂ＣＦ層４２で実現する場合、最も可視光透過率の高い
Ｇ（緑）の樹脂ＣＦ層４２Ｇであっても１層のみで十分
にフォトコンダクティビティに対する遮光効果があるこ
とが判明している。

【００７８】従って、最も可視光透過率が高い緑色の樹
脂ＣＦ層４２Ｇで隣接画素に張り出した┣状（ト字状）
パターンやＴ字状あるいは十字状パターンを形成し、当
該パターンの上下層には他の樹脂ＣＦ層４２Ｒや４２Ｂ
を形成しない樹脂ＣＦ層４２Ｇだけの単層構成の遮光層
にすることもできる。この場合の遮光用樹脂ＣＦ層４２
Ｇ単層パターンは、基板面法線方向に見て、ゲートバス
ライン６近傍必要領域だけを覆い、画素領域内の樹脂Ｃ
Ｆ層４２Ｒや４２Ｂの形成領域を侵食しないように形成
することが望ましい。以上に鑑み遮光機能を満たすべく
ＴＦＴ２上を選択的に樹脂ＣＦ層４２により遮光すれば
よい。

【００７９】このような樹脂ＣＦ層の積層構造における
色樹脂の形成順序は任意であり、本例ではＲ、Ｇ、Ｂの
順に形成している。しかしながら、樹脂ＣＦが液晶層や
ＴＦＴ２に対して汚染等の悪影響を及ぼす可能性を考慮
する必要があり、この観点からＴＦＴ２に直接接触する
樹脂ＣＦ層には、樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの
うち最も体積抵抗の大きい材料で形成されて樹脂ＣＦ層
を用いることが望ましい。望ましい抵抗率としては１０
¹⁶Ω・ｃｍ以上であり、好適には２．０×１０ ¹⁶〜２．
２×１０¹⁶Ω・ｃｍ以上である。

【００８０】樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂが形成
されたら、続いて、ＴＦＴ２のソース電極３０上層の樹
脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂにコンタクトホール４
６を開口する（図１６参照）。同様に、蓄積容量電極３
８上の樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂにコンタクト
ホール４８を開口する（図２３参照）。

【００８１】次に、図１７及び図２４に示すようにＯＣ
層４４を形成する。樹脂ＣＦ層の形成と同様にして、Ｏ
Ｃ樹脂をスピンコータやスリットコータ等を用いてガラ
ス基板３上全面に塗布し、１４０℃以下の温度で加熱処
理する。使用するＯＣ樹脂は、ネガ型の感光性を有する
アクリル系樹脂である。次いで、大型マスクを用いて近
接露光し、ＫＯＨなどのアルカリ現像液を用いて現像す
ることによりＯＣ層４４が形成される。

【００８２】パターニングされたＯＣ層４４は、図３４
に示すように、ゲート端子端子形成領域５１の電極繋ぎ
換え領域５２ｃで開口されており、底部に絶縁膜３２が
露出している。

【００８３】また、ＯＣ層４４は、隣接するゲート端子
５２間において、電極繋ぎ換え領域５２ｃ側の第１の端
子電極５２ａ端面にほぼ一致するように端面が形成され
ている。さらに、当該ＯＣ層４４端面のほぼ中方部から
突出して、ガラス基板３の基板面に平行な断面形状が例
えば鋭角の頂角を有する三角形形状にパターニングされ
た突起６０が形成される。

【００８４】同様に、ドレイン端子形成領域５３のＯＣ
層４４は、図４３に示すように、電極繋ぎ換え領域５４
ｃで開口されており、第１の端子電極５４ａ表面が露出
している。

【００８５】また、ＯＣ層４４は、隣接するドレイン端
子５４間において、電極繋ぎ換え領域５４ｃ側の第１の
端子電極５４ａ端面にほぼ一致するように端面が形成さ
れている。さらに、当該ＯＣ層４４端面のほぼ中方部か
ら突出して、ガラス基板３の基板面に平行な断面形状が
例えば鋭角の頂角を有する三角形形状にパターニングさ
れた突起６０が形成されている。

【００８６】突起６０は、ＯＣ層４４をマスクとしたエ
ッチングプロセスにおいて、ゲート端子５２間やドレイ
ン端子５４間のように、上部配線となる第２の端子電極
５２ｂ、５４ｂのパターニングにおいてそれらの残渣が
短絡不良となるような場合において有効に機能する。Ｏ
Ｃ層４４をマスクとする場合だけでなくポジ／ネガ型何
れのレジストのレジストパターンをマスクとしたエッチ
ングプロセスにおいて、突起６０の形状効果により先端
部ほど段差形状が緩和されるため、上部配線の残渣発生
を抑制するのに突起６０は効果を発揮する。

【００８７】さらに、ＯＣ層４４のパターニングで額縁
領域５６上のＯＣ層４４は剥離除去されており、額縁領
域５６にはＯＣ層４４は存在しない（図５０参照）。表
示領域外周部の額縁領域５６に対しては、バックライト
ユニット２２からの光が強力なため、樹脂ＣＦ層４２の
積層により最低２色以上での遮光が必要であることが実
験の結果から明らかとなっている。このため、額縁領域
５６に積層構造の樹脂ＣＦ層４２を形成して、さらにＯ
Ｃ層４４を積層してしまうと表示領域５０と額縁領域５
６の高さが異なってしまい液晶のセル厚に影響が生じて
しまうという問題が発生する。

【００８８】従って、基本的に樹脂ＣＦ層４２が１層の
表示領域５０と２層以上の額縁領域との高さを同じにす
るためには、表示領域５０の樹脂ＣＦ層４２＋ＯＣ層４
４に対して、額縁領域５６を樹脂ＣＦ層４２の２層構造
あるいはそれより少し高い程度の構造にすればよい。

【００８９】またさらに、ＯＣ層４４のパターニングに
おいて、ＴＦＴ２のソース電極３０上層の樹脂ＣＦ層４
２に形成されたコンタクトホール４６に位置合わせして
ＯＣ層４４にもコンタクトホール４６が形成される（図
１７参照）。同様に、蓄積容量電極３８上層の樹脂ＣＦ
層４２に形成されたコンタクトホール４８に位置合わせ
してＯＣ層４４にもコンタクトホール４８が形成される
（図２４参照）。

【００９０】続いて、ＯＣ層４４をマスクとしてフッ素
系ガスを用いたドライエッチングにより下層の絶縁膜３
２を除去する。このエッチングにより、図５に示すゲー
ト端子５２の第２の端子電極５２ｂの形成領域（電極繋
ぎ換え領域５２ｃを含む）と、ドレイン端子５４の第２
の端子電極５４ｂの形成領域の絶縁膜３２が除去され
る。

【００９１】この絶縁膜３２のエッチングの際、額縁領
域５６はエッチングプロセスに晒されるため膜減りが生
じる。樹脂ＣＦ層４２を用いている場合には、概ねどの
色においても１層分の膜厚の減少が生じる。これによ
り、樹脂ＣＦ層３層を積層した額縁領域は、ほぼ樹脂Ｃ
Ｆ層２層積層の厚さに減少する（図５０参照）。

【００９２】また、コンタクトホール４６、４８下方の
ソース電極３０及び蓄積容量電極３８の金属層６２を構
成するＴｉ（あるいはＭｏ）はフッ素系ガスに対する耐
性が低いため一部、主に中央部側からＡｌが剥き出しに
なるが、周辺部にはＴｉ（あるいはＭｏ）が残存するた
め、その後の画素電極１０との接続は問題ない。同様
に、ゲート端子形成領域５１の電極繋ぎ換え領域５２ｂ
の第１の端子電極５２ｂ及びドレイン端子形成領域５４
の電極繋ぎ換え領域５４ｂの第１の端子電極５４ｂの金
属層Ｔｉ（あるいはＭｏ）もフッ素系ガスに対する耐性
が低いため一部、主に中央部側からＡｌが剥き出しにな
るが、周辺部にはＴｉ（あるいはＭｏ）が残存するた
め、その後の第２の端子電極５２ｂ、５４ｂとの各接続
に問題は生じない。上記エッチングプロセスが終了した
ら、２００〜２３０℃の範囲内で熱処理を行う。

【００９３】続いて、透明酸化物導電材料であるＩＴＯ
（インジウム・ティン・オキサイド）からなる画素電極
１０形成用のＩＴＯ膜（厚さ７０ｎｍ）をスパッタリン
グ等の薄膜形成方法により基板上全面に形成した後、所
定パターンのレジストマスクを形成してシュウ酸系エッ
チャントを用いたウエットエッチングにより、コンタク
トホール４６、４８を介してソース電極３０及び蓄積容
量電極４８と電気的に接続された画素電極１０を形成す
る（図１８及び図２５参照）。また、同時に、図５及び
図８に示すように、ゲート端子形成領域５１に第１の端
子電極５２ａと電極繋ぎ換え領域５２ｂで接続される第
２の端子電極５２ｂをパターニングし、図５及び図１１
に示すように、ドレイン端子形成領域５４に第１の端子
電極５４ａと電極繋ぎ換え領域５４ｂで接続される第２
の端子電極５４ｂをパターニングする。この後、１５０
〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理をす
る。

【００９４】また、同時に、図５０に示すように、額縁
領域５６のＯＣ層４４が形成されていない領域に露出し
ている樹脂ＣＦ層４２を覆うように保護膜７０をパター
ニングする。

【００９５】図４５は、コンタクトホール４６近傍の変
形例を示している。図４５に示すように、樹脂ＣＦ層４
２を形成した後、予め樹脂ＣＦ層４２に広めのコンタク
トホール４６’を形成しておく。そして、ＯＣ層４４を
成膜してコンタクトホール４６を開口する際、コンタク
トホール４６’内壁にＯＣ層４４を残存させるようにす
る。こうすることにより、コンタクトホール４６内壁に
おいても、樹脂ＣＦ層４２をＯＣ層４４で覆うことがで
きる。

【００９６】また、本実施の形態において、図３に幅α
で示すコンタクトホール４６エッジからゲートバスライ
ン６までの基板面方向の距離は、画素領域の大きさが縦
３００μ横１００μｍ程度である場合、６μｍ以上離さ
れていることが重要である。

【００９７】このような、コンタクトホール４６内壁に
ＯＣ層４４を残存させ、且つ幅αを６μｍ以上取ること
により、プロセス上においてコンタクトホール４６に熱
膨張率の違いによるストレスからのクラック（ひび割
れ）等が発生する可能性を極めて低く抑えることができ
るようになる。

【００９８】ＯＣ層４４上に画素電極１０を配置する場
合、上記のように熱膨張率の違いからクラック不良が発
生しやすくなるが、平坦部ではなくコンタクトホール等
の段差を有する部位付近で特徴的に発生する。従ってＯ
Ｃ層４４とコンタクトホールの関係は重要であり、画素
領域の平坦部の距離や面積とコンタクトホールを形成す
る樹脂層の膜厚・穴径およびコンタクトホールのテーパ
長の関係を調整することにより上記不良を改善できる。
好ましくは、ＯＣ層４４の膜厚と画素端部の距離の関係
を２．５倍以上とすること、コンタクトホール端のテー
パ部の距離を膜厚の１．５倍以上あるいは、角度を４５
°以下とする。

【００９９】また、図３に示すように、本実施形態によ
る画素領域の画素電極１０は、ＴＦＴ２のソース電極３
０及び蓄積容量電極３８を除き、基板面法線方向に見
て、ゲートバスライン６やドレインバスライン８等の下
部電極配線と重ならない構造となっている。このため、
クロストークの発生も十分抑制することができ、優れた
表示品質を得ることができる。

【０１００】以上により、本実施の形態による液晶表示
装置用基板（ＴＦＴ基板１）が完成する。この後、パネ
ル・ユニット工程を経て図１に示す液晶表示装置が完成
する。本実施の形態による遮光機能をより効果的に機能
させるにはノーマリブラック（ＮＢ）モードを採用する
のが好ましく、さらに好ましくはＭＶＡに代表される垂
直配向のネガ型液晶を用いるのが好適である。

【０１０１】上記構成及びその製造方法を用いた本実施
の形態によれば、外部接続端子は、酸化導電材料からな
る第２の端子電極５２ｂ、５４ｂがガラス基板３に密着
良好に直接形成されるので、端子剥がれ等による隣り合
う端子間での短絡不良を防ぐことができる。

【０１０２】また、本実施の形態の遮光構造によれば、
画素領域の全てのＴＦＴ２上に少なくとも緑色の樹脂Ｃ
Ｆ層を形成することが可能なので、十分な遮光性能の遮
光膜を形成することができる。さらに、額縁領域５６に
は、２層構造の樹脂ＣＦ層４２を形成することができる
ので、バックライトユニットからの光漏れに対して十分
な遮光が可能となる。一方で、画素領域Ｐは１層の樹脂
ＣＦ層４２とＯＣ層４４の積層構造とすることができる
ので、２層構造の樹脂ＣＦ層４２の膜厚と１層の樹脂Ｃ
Ｆ層４２とＯＣ層４４の積層構造の膜厚とを略同一に形
成すれば、均一なセルギャップが得られる液晶表示装置
用基板を実現することができる。

【０１０３】なお、パネル・ユニット工程において、ポ
リマーを用いて液晶分子にプレチルト角を付与する場合
には、液晶封入後に対向基板４のコモン電極とＴＦＴ基
板１の画素電極１０との間に所定の電圧を印加しつつＵ
Ｖ光を液晶に照射して液晶中のモノマーを重合させる。
これにより、液晶分子に所定のプレチルト角を付与する
ことができる。このとき、額縁領域５６上にも電圧が印
加されていると、モノマーの重合により額縁領域５６上
の液晶分子にもプレチルト角が付与されてしまい、ＮＢ
モードの場合は液晶層による遮光性能が低下する。これ
を抑えるため、額縁領域５６上の導電性の保護膜７０を
コモン電極に接続して額縁領域５６上の液晶に電圧が印
加されない状態を作り出すようにする。このプレチルト
角の付与時に蓄積容量バスライン１２に印加される電圧
はコモン電圧とは異なるため、額縁領域５６上の保護膜
７０は蓄積容量バスライン１２に対しては電気的に分離
されているか、高抵抗接続になっていることが重要であ
る。

【０１０４】次に、本発明の第２の実施の形態による液
晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを用いた液
晶表示装置について図４６乃至図４８と図５１及び図５
２を用いて説明する。本実施の形態では、ＴＦＴ２と樹
脂ＣＦ層４２との間に層間絶縁膜としてＳｉＮ膜４０が
形成されている場合について説明する。なお、第１の実
施の形態と同一の機能作用を奏する構成要素には同一の
符号を付してその説明は省略する。

【０１０５】まず、第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板の製造方法におけるＴＦＴ２の製造工程を示す
図１２乃至図１５と同様の工程を経てＴＦＴ２の原型が
完成する。次いで、保護膜として無機絶縁膜のＳｉＮ膜
４０をプラズマＣＶＤにより膜厚１０〜１５０ｎｍ以
下、好ましくは５０ｎｍ程度形成する。

【０１０６】ＳｉＮ膜４０の好適な成膜条件および膜質
条件は以下のとおりである。成膜温度：ゲート絶縁膜
（ＳｉＮ膜）３２＞２７０℃≧ＳｉＮ膜４０屈折率
（Ｒ．Ｉ．）：ゲート絶縁膜（ＳｉＮ膜）３２の屈折率
が１．８２〜１．９２であるとき、ＳｉＮ膜４０の屈折
率は、１．９２を超えることエッチングレート（Ｅ．
Ｒ．）：（ＳｉＮ膜４０）／（ゲート絶縁膜（ＳｉＮ
膜）３２）≧０．７

【０１０７】次いで、色樹脂の形成工程に移るが、第１
の実施の形態と同様であるのでその説明は省略する。続
いて、ＯＣ層４４を形成するが、第１の実施の形態と同
様であるのでその説明は省略するが、ＯＣ層４４、樹脂
ＣＦ層４２、及びＳｉＮ膜４０のコンタクトホール４６
における大小関係は、図４６に示すようになっている。
すなわち、樹脂ＣＦ層４２＞ＳｉＮ膜４０＞ＯＣ層４４
となり、樹脂ＣＦ層４２はＯＣ層４４で覆われた構造と
なっている。こうすることにより色樹脂の汚染の影響を
防ぐことが可能となる。

【０１０８】本実施の形態による液晶表示装置用基板の
特徴的構成を図４６乃至図４８に示す。図４６乃至図４
８は、第１の実施の形態における図１、図８及び図１１
にそれぞれ対応している。図４６乃至図４８に示すよう
に、ＴＦＴ２と樹脂ＣＦ層４２との間に色樹脂による汚
染防止用としてＳｉＮ膜４０が層間絶縁膜として形成さ
れている。

【０１０９】本実施の形態による液晶表示装置用基板に
よっても、第１の実施の形態と同様の効果を奏すること
ができる。さらに、ＴＦＴ２上に層間保護膜を配置する
ことで色樹脂による汚染を防止できるので、色樹脂の選
択の自由度を広げることができる。さらに、第１及び第
２の実施の形態によるチャネル保護タイプ（ＩＳＩ）の
ＴＦＴ構造だけでなく、より汚染の影響を受けやすいエ
ッチバックタイプ（ＮＳＩ）のＴＦＴ構造のＴＦＴ基板
に用いても好適である。また、液晶層に対してもＯＣ層
４４が色樹脂を覆っている構造であるので液晶への汚染
を防ぐことが可能である。

【０１１０】図５１は、本実施の形態によるＴＦＴ基板
１と対向基板４とを貼り合わせて液晶８４を封止した状
態であって、図３のＡ−Ａ線とＢ−Ｂ線を通る線で切断
した断面を示している。図５１に示すように、本実施の
形態によるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造のＴＦＴ基板１を用
いると、対向基板４はガラス基板上にコモン電極８０と
配向膜（不図示）だけを形成すればよい。セルギャップ
はガラス製や樹脂製の球状スペーサ（ビーズ）８２によ
り得られる。図５２は、球状スペーサ８２に代えて、フ
ォトリソグラフィ工程を用いて柱状スペーサ８６を形成
し、柱状スペーサ８６により所定のセルギャップを得る
ようにしたＬＣＤを示している。図５２では、柱状スペ
ーサ８６は対向基板４側に形成されているが、ＴＦＴ基
板１側に形成してももちろんよい。なお、図５１及び図
５２に示す構成は第１の実施の形態及び次に説明する第
３の実施の形態にももちろん適用可能である。

【０１１１】次に、本発明の第３の実施の形態による液
晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを用いた液
晶表示装置について図４９を用いて説明する。本実施の
形態による液晶表示装置用基板は、第１及び第２の実施
の形態で説明したＴＦＴ基板１に対し、図４９に示すよ
うに、さらに位置ずれ確認用のバーニアパターンを追加
した点に特徴を有している。

【０１１２】図４９に示すように、位置ずれ確認用のバ
ーニアパターンは、蓄積容量電極３８を開口して形成さ
れた長方形状の第１開口パターン６４と、画素電極１０
を開口して形成され、第１開口パターン内に収まる大き
さの長方形状の第２開口パターン６６と、樹脂ＣＦ層４
２を開口して形成され、第１及び第２開口パターン６
４、６６を包含する大きさの長方形状の第３開口パター
ンとを有している。

【０１１３】こうすることにより、落射光学系を備えた
寸法測定機のオートフォーカスエラーや、樹脂ＣＦ層４
２での落射光吸収をなくすことができ、画素電極１０と
下層メタルパターンとの重ね合せ測定を容易に正確に行
うことができるようになる。また、ＯＣ層４４とコンタ
クトホール４６等の形成を別途行うようにすれば、位置
ずれ確認用バーニアパターン上のＯＣ層４４を除去する
ことも可能であり、検査装置のフォーカスズレを改善す
ることができる。

【０１１４】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態での例示に
限らず、本発明は、配線金属の種類や構造、及び膜厚や
形成方法、あるいはエッチング方法が異なっていてもも
ちろん適用可能である。

【０１１５】また、上記実施の形態ではＴＦＴ２がＩＳ
Ｉ型であるが、本発明はこれに限らず、ＮＳＩや正スタ
ガ型、あるいはコプレナー型等にももちろん適用可能で
ある。さらに本発明は、ＴＦＴのチャネルを形成する半
導体をａ−Ｓｉに代えてポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）にし
てももちろん適用可能である。また、絶縁膜の構成や絶
縁性基板がガラス基板に代えてプラスチック基板であっ
ても本発明はもちろん適用可能である。また、上記実施
の形態では、蓄積容量（ＣＳ）バスライン１２が画素中
央を横切るいわゆる独立ＣＳ方式の画素構造を例にとっ
て説明しているが、本発明はこれに限らず、独立ＣＳ方
式に代えて、次段のゲートバスラインを蓄積容量バスラ
インとして利用するいわゆるＣＳオンゲート方式の画素
構造にももちろん適用可能である。

【０１１６】以上説明した実施の形態による液晶表示装
置及びその欠陥修復方法は、以下のようにまとめられ
る。 （付記１）対向配置される対向基板とともに液晶を挟持
する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上にマトリクス状に
配列された複数の画素領域に形成された画素電極と、前
記画素電極とバスラインとに接続されたスイッチング素
子と、前記バスラインに電気的に接続された第１の端子
電極と、前記画素電極の形成材料で前記絶縁性基板上に
形成された第２の端子電極と、前記第１及び第２の端子
電極を電気的に接続する電極繋ぎ換え領域とを備え、外
部回路と前記バスラインとを電気的に接続する外部接続
端子とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１１７】（付記２）付記１記載の液晶表示装置用基
板において、前記スイッチング素子と前記画素電極との
間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート
層をさらに有し、前記オーバーコート層は、少なくとも
前記第２の端子電極と前記絶縁性基板との間に形成され
ていないことを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１１８】（付記３）付記２記載の液晶表示装置用基
板において、前記オーバーコート層は、前記電極繋ぎ換
え領域近傍に突起を有していることを特徴とする液晶表
示装置用基板。

【０１１９】（付記４）対向配置される対向基板ととも
に液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上にマ
トリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラー
フィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の画
素領域からなる表示領域と、前記表示領域外周囲に前記
樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層を備え
た額縁領域と、前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ
層と前記画素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料か
らなるオーバーコート層とを有することを特徴とする液
晶表示装置用基板。

【０１２０】（付記５）対向配置される対向基板ととも
に液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上にマ
トリクス状に配列され、スイッチング素子が形成された
複数の画素領域と、前記スイッチング素子上方を覆って
前記画素領域上に形成される少なくとも１層の樹脂カラ
ーフィルタ層とを有することを特徴とする液晶表示装置
用基板。

【０１２１】（付記６）付記５記載の液晶表示装置用基
板において、前記樹脂カラーフィルタ層は、前記スイッ
チング素子上方で、複数色の層が積層されていることを
特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１２２】（付記７）付記５又は６に記載の液晶表示
装置用基板において、前記複数色の樹脂カラーフィルタ
層のうち少なくとも１層は、基板面法線方向に見て、隣
接する画素の前記スイッチング素子上を覆うように張り
出したＴ字状パターン又は┣状（ト字状）パターンを有
していることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１２３】（付記８）付記６記載の液晶表示装置用基
板において、前記スイッチング素子に直接接触する前記
樹脂カラーフィルタ層は、前記複数色の樹脂カラーフィ
ルタ層のうちで最も体積抵抗の大きい材料で形成されて
いることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１２４】（付記９）付記８記載の液晶表示装置用基
板において、前記スイッチング素子に直接接触する前記
樹脂カラーフィルタ層は、前記体積抵抗が、２．０×１
０¹⁶乃至２．２×１０¹⁶Ω・ｃｍ又はそれ以上であるこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１２５】（付記１０）付記５乃至９のいずれか１項
に記載の液晶表示装置用基板において、前記スイッチン
グ素子と前記樹脂カラーフィルタ層との間にＳｉＮの層
間絶縁膜が設けられていることを特徴とする液晶表示装
置用基板。

【０１２６】（付記１１）付記１０記載の液晶表示装置
用基板において、前記層間絶縁膜の屈折率は、前記スイ
ッチング素子のゲート絶縁膜の屈折率が１．８２〜１．
９２であるとき、１．９２を超えていることを特徴とす
る液晶表示装置用基板。

【０１２７】（付記１２）付記１０又は１１に記載の液
晶表示装置用基板において、前記層間絶縁膜の膜厚は、
１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする液
晶表示装置用基板。

【０１２８】（付記１３）付記１０乃至１２のいずれか
１項に記載の液晶表示装置用基板において、前記層間絶
縁膜のパターニング時のエッチングレートは、 （前記層間絶縁膜のエッチング時間）／（前記ゲート絶
縁膜のエッチング時間）≧０．７ であることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１２９】（付記１４）対向配置される対向基板とと
もに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に
マトリクス状に配列された複数の画素領域に形成された
樹脂カラーフィルタ層と、前記樹脂カラーフィルタ層の
上層に形成された画素電極と、前記樹脂カラーフィルタ
層の下方に形成され、前記画素電極と接続された蓄積容
量電極と、前記蓄積容量電極に開口した第１開口パター
ンと、前記第１開口パターン上方で前記画素電極に開口
され、前記第１開口パターンに内包される大きさの第２
開口パターンと、前記樹脂カラーフィルタ層に前記第１
開口パターンを内包する位置及び大きさに開口された第
３開口パターンとを備えた位置ずれ確認用バーニアパタ
ーンとを有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１３０】（付記１５）対向配置される対向基板とと
もに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に
マトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリ
コン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とが
この順に形成された複数の画素領域からなる表示領域
と、前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画
素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオー
バーコート層と、開口面積が、前記樹脂カラーフィルタ
層＞前記シリコン窒化膜＞前記オーバーコート層となる
ように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクト
ホールとを有することを特徴とする液晶表示装置用基
板。

【０１３１】（付記１６）対向配置される対向基板とと
もに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に
マトリクス状に配列されて、スイッチング素子と、シリ
コン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ層と、画素電極とが
この順に形成された複数の画素領域からなる表示領域
と、前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画
素電極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオー
バーコート層と、開口面積が、前記オーバーコート層＞
前記樹脂カラーフィルタ層＞前記シリコン窒化膜となる
ように前記スイッチング素子上に開口されたコンタクト
ホールとを有することを特徴とする液晶表示装置用基
板。

【０１３２】（付記１７）付記１５又は１６に記載の液
晶表示装置用基板において、前記コンタクトホール端と
前記画素領域端部との最短距離は、６μｍ以上であるこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１３３】（付記１８）付記１５乃至１７のいずれか
１項に記載の液晶表示装置用基板において、前記コンタ
クトホールは、テーパ部の距離が前記オーバーコート層
の膜厚の１．５倍以上、又はテーパ角度が４５°以下で
あることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１３４】（付記１９）付記１５乃至１７のいずれか
１項に記載の液晶表示装置用基板において、前記コンタ
クトホール端と前記画素領域端部との最短距離は、前記
オーバーコート層の膜厚の２．５倍以上であることを特
徴とする液晶表示装置用基板。

【０１３５】（付記２０）対向配置される対向基板とと
もに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に
マトリクス状に配列されてスイッチング素子と樹脂カラ
ーフィルタ層と画素電極とがこの順に形成された複数の
画素領域からなる表示領域と、前記表示領域外周囲に前
記樹脂カラーフィルタ層を積層して形成した遮光層と、
前記画素電極の形成材料で形成され前記遮光層の前記カ
ラーフィルタ層上層を覆う保護膜とを備えた額縁領域と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１３６】（付記２１）付記２０記載の液晶表示装置
用基板において、前記保護膜は、前記対向基板に配置さ
れたコモン電極と電気的に接続されることを特徴とする
液晶表示装置用基板。

【０１３７】（付記２２）付記２０記載の液晶表示装置
用基板において、前記保護膜は、前記画素領域に設けら
れた蓄積容量を構成する蓄積容量配線に対して絶縁さ
れ、あるいは高抵抗で接続されることを特徴とする液晶
表示装置用基板。

【０１３８】（付記２３）一対の基板と、前記一対の基
板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であっ
て、前記基板の一方に、付記１乃至２２のいずれか１項
に記載の液晶表示装置用基板を用いることを特徴とする
液晶表示装置。

【０１３９】（付記２４）付記２３記載の液晶表示装置
において、前記液晶は、液晶分子にプレチルト角を付与
するポリマーを含んでいることを特徴とする液晶表示装
置。

【０１４０】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、ＣＦ層や
ＯＣ層に新規な樹脂を用いることもなく、また、配線層
と画素領域端部を重ねたりすることもなく且つ特別な遮
光パターンを有さない構造であっても、表示特性に優
れ、且つ信頼性の高い高性能の液晶表示装置を実現でき
る。

【０１４１】また、本発明によれば、アレイ基板側に樹
脂ＣＦ層を設けると共に遮光機能も備えるようにしたの
で、液晶表示装置の製造工程を全体として簡略化できる
だけでなく、対向基板との貼り合せ精度が多少低くても
高開口率で高精細のパネルを量産できるようになる。

【０１４２】また、本発明によれば、額縁領域と表示領
域との間で著しい段差を生じさせることなく額縁領域に
十分な遮光機能を持たせることができる。また、遮光層
を構成する樹脂ＣＦが直接液晶層に接しないようにでき
るので、液晶への汚染を防止することができる。また、
本発明によれば、額縁領域上の液晶層を遮光層として効
率的に利用することができる。

【０１４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の構成を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
のＴＦＴ基板側の等価回路を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
用基板におけるガラス基板３上の１画素を液晶層側から
見た状態を示す図である。

【図４】図３のＡ−Ａ線で切断した断面を示す図であ
る。

【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
用基板におけるＴＦＴ基板１を液晶層側から見た状態で
あって額縁領域近傍の構成を示す図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
用基板におけるガラス基板３上のゲート端子近傍の構造
を示す図である。

【図７】図６のＣ−Ｃ線で切断した断面を示す図であ
る。

【図８】図６のＤ−Ｄ線で切断した断面を示す図であ
る。

【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
用基板におけるガラス基板３上のドレイン端子近傍の構
造を示す図である。

【図１０】図９のＥ−Ｅ線で切断した断面を示す図であ
る。

【図１１】図９のＦ−Ｆ線で切断した断面を示す図であ
る。

【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その１）である。

【図１３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その２）である。

【図１４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その３）である。

【図１５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その４）である。

【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その５）である。

【図１７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その６）である。

【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ形成
領域の製造工程断面図（その７）である。

【図１９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その１）である。

【図２０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その２）である。

【図２１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その３）である。

【図２２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その４）である。

【図２３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その５）である。

【図２４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その６）である。

【図２５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図３のＢ−Ｂ線で切断した蓄積容量形
成領域であってコンタクトホール４８を通る領域の製造
工程断面図（その７）である。

【図２６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＣ−Ｃ線で切断したゲート端子
５２の第２の端子電極５２ｂの領域の製造工程断面図
（その１）である。

【図２７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＣ−Ｃ線で切断したゲート端子
５２の第２の端子電極５２ｂの領域の製造工程断面図
（その２）である。

【図２８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＣ−Ｃ線で切断したゲート端子
５２の第２の端子電極５２ｂの領域の製造工程断面図
（その３）である。

【図２９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＣ−Ｃ線で切断したゲート端子
５２の第２の端子電極５２ｂの領域の製造工程断面図
（その４）である。

【図３０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子
５２の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図（その
１）である。

【図３１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子
５２の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図（その
２）である。

【図３２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子
５２の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図（その
３）である。

【図３３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子
５２の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図（その
４）である。

【図３４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図６のＤ−Ｄ線で切断したゲート端子
５２の電極繋ぎ換え領域５２ｃの製造工程断面図（その
５）である。

【図３５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＥ−Ｅ線で切断したドレイン端
子５４の第２の端子電極５４ｂの製造工程断面図（その
１）である。

【図３６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＥ−Ｅ線で切断したドレイン端
子５４の第２の端子電極５４ｂの製造工程断面図（その
２）である。

【図３７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＥ−Ｅ線で切断したドレイン端
子５４の第２の端子電極５４ｂの製造工程断面図（その
３）である。

【図３８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＥ−Ｅ線で切断したドレイン端
子５４の第２の端子電極５４ｂの製造工程断面図（その
４）である。

【図３９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＦ−Ｆ線で切断したドレイン端
子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断面図（その
１）である。

【図４０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＦ−Ｆ線で切断したドレイン端
子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断面図（その
２）である。

【図４１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＦ−Ｆ線で切断したドレイン端
子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断面図（その
３）である。

【図４２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＦ−Ｆ線で切断したドレイン端
子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断面図（その
４）である。

【図４３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における図９のＦ−Ｆ線で切断したドレイン端
子５４電極繋ぎ換え領域５４の製造工程断面図（その
５）である。

【図４４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板における樹脂ＣＦ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂが
形成された複数の画素領域Ｐをガラス基板３の基板面法
線方向に見た状態を示す図である。

【図４５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板におけるコンタクトホール４６近傍の変形例を
示す図である。

【図４６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置用基板におけるＯＣ層４４、樹脂ＣＦ層４２、及びＳ
ｉＮ膜４０のコンタクトホール４６における大小関係を
示しており、第１の実施の形態の図１に対応する図であ
る。

【図４７】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置用基板であってＳｉＮ膜４０が層間絶縁膜として形成
されていることを示し、第１の実施の形態の図８に対応
する図である。

【図４８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置用基板であってＳｉＮ膜４０が層間絶縁膜として形成
されていることを示し、第１の実施の形態の図１１に対
応する図である。

【図４９】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装
置用基板を示す図である。

【図５０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板におけるＴＦＴ基板１の額縁領域５６近傍の断
面構成を示しており、ゲートバスライン６又はドレイン
バスライン８のいずれかの延伸方向に沿う断面を示す図
である。

【図５１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置用基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封止した状
態を示す断面図である。

【図５２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装
置用基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封止した状
態の他の例を示す断面図である。

【符号の説明】 １ ＴＦＴ基板 ２ ＴＦＴ ３ ガラス基板 ４ 対向基板 ４’ 対向基板４のエッジ ６ ゲートバスライン ８ ドレインバスライン １０ 画素電極 １２ 蓄積容量バスライン １４ ゲートバスライン駆動回路 １６ ドレインバスライン駆動回路 １８ 制御回路 ２０、２４ 偏光板 ２２ バックライトユニット ２６ ドレイン電極 ２８ チャネル保護膜 ３０ ソース電極 ３２ ゲート絶縁膜 ３４ 動作半導体層 ３６ オーミックコンタクト層 ３８ 蓄積容量電極 ４０ ＳｉＮ膜（層間絶縁膜） ４２ 樹脂ＣＦ層 ４４ ＯＣ層 ４６、４８ コンタクトホール ５０ 表示領域 ５１ ゲート端子形成領域 ５２ ゲート端子 ５２ａ、５４ａ 第１の端子電極 ５２ｂ、５４ｂ 第２の端子電極 ５２ｃ、５４ｃ 電極繋ぎ換え領域 ５３ ドレイン端子形成領域 ５４ ドレイン端子 ５６ 額縁領域 ５８ メインシール ６０ 突起 ６２ 金属層 ６４ 第１開口パターン ６６ 第２開口パターン ６８ 第３開口パターン ７０ 保護膜 ８０ コモン電極 ８２ 球状スペーサ ８４ 液晶 ８６ 柱状スペーサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣田 四郎 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 近藤 直人 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 藤川 徹也 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 木原 正博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 美崎 克紀 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 土井 誠児 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 尾田 知茂 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 小森田 章 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 松井 章宏 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 澤崎 学 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 政博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 高木 孝 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田野瀬 友則 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 佐口 琢哉 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 助則 英智 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 井上 弘康 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA04Y FA34Y FB02 FC10 FC26 FD24 GA03 GA07 GA13 GA16 HA09 LA12 2H092 GA17 GA33 GA35 HA04 JA24 JA46 KB25 KB26 MA13 NA07 NA27 PA08 PA09 QA09 5F110 AA16 BB01 CC01 CC06 CC07 DD02 DD13 EE01 EE04 EE06 EE15 EE37 FF03 FF30 GG02 GG13 GG15 GG25 GG45 HK03 HK04 HK09 HK16 HK22 HK35 HM19 NN16 NN24 NN35 NN72 NN73 QQ12

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画
   素領域に形成された画素電極と、 前記画素電極とバスラインとに接続されたスイッチング
   素子と、 前記バスラインに電気的に接続された第１の端子電極
   と、前記画素電極の形成材料で前記絶縁性基板上に形成
   された第２の端子電極と、前記第１及び第２の端子電極
   を電気的に接続する電極繋ぎ換え領域とを備え、外部回
   路と前記バスラインとを電気的に接続する外部接続端子
   とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記スイッチング素子と前記画素電極との間に形成され
   た絶縁性樹脂材料からなるオーバーコート層をさらに有
   し、 前記オーバーコート層は、少なくとも前記第２の端子電
   極と前記絶縁性基板との間に形成されていないことを特
   徴とする液晶表示装置用基板。
3. 【請求項３】請求項２記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記オーバーコート層は、前記電極繋ぎ換え領域近傍に
   突起を有していることを特徴とする液晶表示装置用基
   板。
4. 【請求項４】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチ
   ング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順
   に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、 前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層
   して形成した遮光層を備えた額縁領域と、 前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電
   極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバー
   コート層とを有することを特徴とする液晶表示装置用基
   板。
5. 【請求項５】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列され、スイッチ
   ング素子が形成された複数の画素領域と、 前記スイッチング素子上方を覆って前記画素領域上に形
   成される少なくとも１層の樹脂カラーフィルタ層とを有
   することを特徴とする液晶表示装置用基板。
6. 【請求項６】請求項５記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記複数色の樹脂カラーフィルタ層のうち少なくとも１
   層は、基板面法線方向に見て、隣接する画素の前記スイ
   ッチング素子上を覆うように張り出したＴ字状パターン
   又は┣状（ト字状）パターンを有していることを特徴と
   する液晶表示装置用基板。
7. 【請求項７】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列された複数の画
   素領域に形成された樹脂カラーフィルタ層と、 前記樹脂カラーフィルタ層の上層に形成された画素電極
   と、 前記樹脂カラーフィルタ層の下方に形成され、前記画素
   電極と接続された蓄積容量電極と、 前記蓄積容量電極に開口した第１開口パターンと、前記
   第１開口パターン上方で前記画素電極に開口され、前記
   第１開口パターンに内包される大きさの第２開口パター
   ンと、前記樹脂カラーフィルタ層に前記第１開口パター
   ンを内包する位置及び大きさに開口された第３開口パタ
   ーンとを備えた位置ずれ確認用バーニアパターンとを有
   することを特徴とする液晶表示装置用基板。
8. 【請求項８】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッ
   チング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ
   層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域
   からなる表示領域と、 前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電
   極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバー
   コート層と、 開口面積が、前記樹脂カラーフィルタ層＞前記シリコン
   窒化膜＞前記オーバーコート層となるように前記スイッ
   チング素子上に開口されたコンタクトホールとを有する
   ことを特徴とする液晶表示装置用基板。
9. 【請求項９】対向配置される対向基板とともに液晶を挟
   持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されて、スイッ
   チング素子と、シリコン窒化膜と、樹脂カラーフィルタ
   層と、画素電極とがこの順に形成された複数の画素領域
   からなる表示領域と、 前記表示領域の前記樹脂カラーフィルタ層と前記画素電
   極との間に形成された絶縁性樹脂材料からなるオーバー
   コート層と、 開口面積が、前記オーバーコート層＞前記樹脂カラーフ
   ィルタ層＞前記シリコン窒化膜となるように前記スイッ
   チング素子上に開口されたコンタクトホールとを有する
   ことを特徴とする液晶表示装置用基板。
10. 【請求項１０】対向配置される対向基板とともに液晶を
    挟持する絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上にマトリクス状に配列されてスイッチ
    ング素子と樹脂カラーフィルタ層と画素電極とがこの順
    に形成された複数の画素領域からなる表示領域と、 前記表示領域外周囲に前記樹脂カラーフィルタ層を積層
    して形成した遮光層と、前記画素電極の形成材料で形成
    され前記遮光層の前記カラーフィルタ層上層を覆う保護
    膜とを備えた額縁領域とを有することを特徴とする液晶
    表示装置用基板。
11. 【請求項１１】一対の基板と、前記一対の基板間に封入
    された液晶とを有する液晶表示装置であって、 前記基板の一方に、請求項１乃至１０のいずれか１項に
    記載の液晶表示装置用基板を用いることを特徴とする液
    晶表示装置。
12. 【請求項１２】付記１１記載の液晶表示装置において、 前記液晶は、液晶分子にプレチルト角を付与するポリマ
    ーを含んでいることを特徴とする液晶表示装置。