JP2003081654A - 合成石英ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
合成石英ガラスおよびその製造方法Info
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- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外線、特に、エキシマレーザ等による短波
長の強力な紫外線が照射された場合においても、緑色蛍
光および赤色蛍光の発生が抑制され、短波長の紫外線の
透過性に優れた、光学用部材として好適に用いることが
できる合成石英ガラスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 直接法またはスート法によって製造され
た合成石英ガラスの母材またはその成形体を熱処理する
工程において、前記合成石英ガラスの母材またはその成
形体は、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ以下であるカー
ボン材によって構成され、かつ、予め、減圧下または不
活性ガス雰囲気下にて、１２００℃以上での熱処理が施
された容器に収容されて、熱処理されることを特徴とす
る合成石英ガラスの製造方法により、Ｃｕの含有濃度が
０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×
１０18分子／ｃｍ3 以上である合成石英ガラスを得る。
長の強力な紫外線が照射された場合においても、緑色蛍
光および赤色蛍光の発生が抑制され、短波長の紫外線の
透過性に優れた、光学用部材として好適に用いることが
できる合成石英ガラスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 直接法またはスート法によって製造され
た合成石英ガラスの母材またはその成形体を熱処理する
工程において、前記合成石英ガラスの母材またはその成
形体は、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ以下であるカー
ボン材によって構成され、かつ、予め、減圧下または不
活性ガス雰囲気下にて、１２００℃以上での熱処理が施
された容器に収容されて、熱処理されることを特徴とす
る合成石英ガラスの製造方法により、Ｃｕの含有濃度が
０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×
１０18分子／ｃｍ3 以上である合成石英ガラスを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、合成石英ガラスお
よびその製造方法に関し、より詳細には、紫外線、特
に、エキシマレーザを照射した際における、緑色蛍光お
よび赤色蛍光の発生が抑制され、耐レーザ性に優れ、光
学用部材として好適な合成石英ガラスおよびその製造方
法に関する。
よびその製造方法に関し、より詳細には、紫外線、特
に、エキシマレーザを照射した際における、緑色蛍光お
よび赤色蛍光の発生が抑制され、耐レーザ性に優れ、光
学用部材として好適な合成石英ガラスおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の超微細化に対応し
て、集積回路製造用露光機の光源には、ＫｒＦ（波長：
２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）等を用いた
エキシマレーザ等の短波長の強力な紫外線レーザが使用
されている。そして、このエキシマレーザ装置に用いら
れるレンズ、プリズム、窓材等の光学用部材としては、
一般に、３００ｎｍ程度以下の短波長の紫外線に対する
透過率が高いことから、合成石英ガラスが使用されてい
る。
て、集積回路製造用露光機の光源には、ＫｒＦ（波長：
２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）等を用いた
エキシマレーザ等の短波長の強力な紫外線レーザが使用
されている。そして、このエキシマレーザ装置に用いら
れるレンズ、プリズム、窓材等の光学用部材としては、
一般に、３００ｎｍ程度以下の短波長の紫外線に対する
透過率が高いことから、合成石英ガラスが使用されてい
る。
【０００３】しかしながら、光学用部材として製造され
た高純度の合成石英ガラスであっても、前記エキシマレ
ーザを照射した際、５００ｎｍ付近にスペクトルピーク
を有する緑色蛍光および６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光が発生することが認められてい
た。
た高純度の合成石英ガラスであっても、前記エキシマレ
ーザを照射した際、５００ｎｍ付近にスペクトルピーク
を有する緑色蛍光および６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光が発生することが認められてい
た。
【０００４】このような蛍光の発生は、光学系の調整等
において使用されるＨｅ−Ｎｅレーザに近い波長である
ため、実用上問題となるものであった。したがって、光
学用石英ガラス、特に、集積回路製造用露光機等の半導
体素子製造装置に用いられる光学用石英ガラスにおい
て、上記のような蛍光の発生を抑制することが望まれて
いた。
において使用されるＨｅ−Ｎｅレーザに近い波長である
ため、実用上問題となるものであった。したがって、光
学用石英ガラス、特に、集積回路製造用露光機等の半導
体素子製造装置に用いられる光学用石英ガラスにおい
て、上記のような蛍光の発生を抑制することが望まれて
いた。
【０００５】しかしながら、上記のような緑色蛍光およ
び赤色蛍光が発生する原因については、前者が石英ガラ
スに含まれる金属不純物に起因するものであり、一方、
後者が石英ガラス中の酸素欠陥に起因するものであるこ
とは指摘されていたが、原因の特定は、まだ明確にはさ
れていなかった。したがって、除去すべき元素または制
御すべき要因等が特定されておらず、上記した蛍光の発
生を抑制するための有効な対策は、十分にはなされてい
なかった。
び赤色蛍光が発生する原因については、前者が石英ガラ
スに含まれる金属不純物に起因するものであり、一方、
後者が石英ガラス中の酸素欠陥に起因するものであるこ
とは指摘されていたが、原因の特定は、まだ明確にはさ
れていなかった。したがって、除去すべき元素または制
御すべき要因等が特定されておらず、上記した蛍光の発
生を抑制するための有効な対策は、十分にはなされてい
なかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光学用合成
石英ガラスは、一般に、高純度の四塩化ケイ素（ＳｉＣ
ｌ4 ）等を出発原料とし、直接法やスート法等によっ
て、合成石英ガラスの母材が製造され、この母材を所定
の形状に成形加工し、さらに、アニール処理等すること
によって、合成石英ガラス部材とされる。このとき、前
記成形加工およびアニール処理等の熱処理工程において
は、合成石英ガラスの母材は、容器（鋳型）に収容され
る。そして、この容器の材質としては、通常、カーボン
材が用いられる。
石英ガラスは、一般に、高純度の四塩化ケイ素（ＳｉＣ
ｌ4 ）等を出発原料とし、直接法やスート法等によっ
て、合成石英ガラスの母材が製造され、この母材を所定
の形状に成形加工し、さらに、アニール処理等すること
によって、合成石英ガラス部材とされる。このとき、前
記成形加工およびアニール処理等の熱処理工程において
は、合成石英ガラスの母材は、容器（鋳型）に収容され
る。そして、この容器の材質としては、通常、カーボン
材が用いられる。
【０００７】前記合成石英ガラスの母材は、金属不純物
等が少なく、高純度であるが、前記熱処理工程におい
て、収容される容器と接触する部分およびその周辺、特
に、表層部分は、容器を構成するカーボン材に含まれる
不純物によって汚染される。なお、ここで言う金属不純
物とは、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ等のアルカリ金属および
アルカリ土類金属、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ
等の遷移金属を指す。
等が少なく、高純度であるが、前記熱処理工程におい
て、収容される容器と接触する部分およびその周辺、特
に、表層部分は、容器を構成するカーボン材に含まれる
不純物によって汚染される。なお、ここで言う金属不純
物とは、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ等のアルカリ金属および
アルカリ土類金属、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ
等の遷移金属を指す。
【０００８】このため、容器を構成するカーボン材に関
しては、予め純化処理等が施されるが、上述のとおり、
緑色蛍光および赤色蛍光の発生は、それらの原因となる
元素が特定されていないため、その発生を抑制するため
の有効な対策は、十分になされていなかった。したがっ
て、従来は、合成石英ガラスの母材またはその成形体の
表層部分を研削して除去する等の対処法しか見出せず、
高価な高純度合成石英ガラス部材の歩留を低下させる要
因にもなっていた。
しては、予め純化処理等が施されるが、上述のとおり、
緑色蛍光および赤色蛍光の発生は、それらの原因となる
元素が特定されていないため、その発生を抑制するため
の有効な対策は、十分になされていなかった。したがっ
て、従来は、合成石英ガラスの母材またはその成形体の
表層部分を研削して除去する等の対処法しか見出せず、
高価な高純度合成石英ガラス部材の歩留を低下させる要
因にもなっていた。
【０００９】そこで、本発明者らは、上記のような蛍光
が発生することなく、エキシマレーザ装置等の光学装置
における光学用部材として好適に用いることができる合
成石英ガラスを提供するため、前記蛍光の発生原因を究
明し、その原因が除去された合成石英ガラスの製法方法
を確立するため、鋭意研究を重ねた。その結果、前記緑
色蛍光は、合成石英ガラスに含まれるＣｕ濃度と相関が
あり、また、前記赤色蛍光は、石英ガラスに含まれる水
素濃度と相関があることを見出し、この知見に基づき、
本発明を完成するに至った。
が発生することなく、エキシマレーザ装置等の光学装置
における光学用部材として好適に用いることができる合
成石英ガラスを提供するため、前記蛍光の発生原因を究
明し、その原因が除去された合成石英ガラスの製法方法
を確立するため、鋭意研究を重ねた。その結果、前記緑
色蛍光は、合成石英ガラスに含まれるＣｕ濃度と相関が
あり、また、前記赤色蛍光は、石英ガラスに含まれる水
素濃度と相関があることを見出し、この知見に基づき、
本発明を完成するに至った。
【００１０】本発明は、紫外線、特に、エキシマレーザ
等による短波長の強力な紫外線が照射された場合におい
ても、前記緑色蛍光および赤色蛍光の発生が抑制され、
短波長の紫外線の透過性に優れ、光学用部材として好適
に用いることができる合成石英ガラスおよびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
等による短波長の強力な紫外線が照射された場合におい
ても、前記緑色蛍光および赤色蛍光の発生が抑制され、
短波長の紫外線の透過性に優れ、光学用部材として好適
に用いることができる合成石英ガラスおよびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る合成石英ガ
ラスは、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以下であり、か
つ、水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 以上であ
ることを特徴とする。Ｃｕ濃度が低減されることによ
り、紫外線、特に、エキシマレーザ等の短波長の強力な
紫外線が照射された場合であっても、緑色蛍光の発生が
抑制され、かつ、水素を比較的高濃度で含有することに
より、赤色蛍光の発生も抑制される。
ラスは、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以下であり、か
つ、水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 以上であ
ることを特徴とする。Ｃｕ濃度が低減されることによ
り、紫外線、特に、エキシマレーザ等の短波長の強力な
紫外線が照射された場合であっても、緑色蛍光の発生が
抑制され、かつ、水素を比較的高濃度で含有することに
より、赤色蛍光の発生も抑制される。
【００１２】本発明に係る合成石英ガラスの製造方法
は、直接法またはスート法によって製造された合成石英
ガラスの母材またはその成形体を熱処理する工程におい
て、前記合成石英ガラスの母材またはその成形体は、Ｃ
ｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ以下であるカーボン材によ
って構成され、かつ、予め、減圧下または不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上での熱処理が施された容器
に収容されて、熱処理されることを特徴とする。Ｃｕの
含有濃度が０．１ｐｐｍ以下の低濃度のカーボン材によ
って構成された容器を、予め使用前に、所定の条件下に
て熱処理して純化させることにより、該容器に収容され
る合成石英ガラスの不純物金属等による汚染を防止し、
さらに、上記の緑色および赤色蛍光を発生しない合成石
英ガラスを得ることができる。
は、直接法またはスート法によって製造された合成石英
ガラスの母材またはその成形体を熱処理する工程におい
て、前記合成石英ガラスの母材またはその成形体は、Ｃ
ｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ以下であるカーボン材によ
って構成され、かつ、予め、減圧下または不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上での熱処理が施された容器
に収容されて、熱処理されることを特徴とする。Ｃｕの
含有濃度が０．１ｐｐｍ以下の低濃度のカーボン材によ
って構成された容器を、予め使用前に、所定の条件下に
て熱処理して純化させることにより、該容器に収容され
る合成石英ガラスの不純物金属等による汚染を防止し、
さらに、上記の緑色および赤色蛍光を発生しない合成石
英ガラスを得ることができる。
【００１３】前記容器の熱処理は、２０Ｔｏｒｒ以下の
減圧下にて、１２００℃以上１９００℃以下で行われる
ことが好ましい。このような条件下で熱処理を行うこと
により、Ｃｕが０．１ｐｐｍ程度含まれている場合で
も、通常の分析方法による検出限界（０．０１ｐｐｍ）
以下まで低減させ、容器を構成するカーボン材を純化さ
せることができる。
減圧下にて、１２００℃以上１９００℃以下で行われる
ことが好ましい。このような条件下で熱処理を行うこと
により、Ｃｕが０．１ｐｐｍ程度含まれている場合で
も、通常の分析方法による検出限界（０．０１ｐｐｍ）
以下まで低減させ、容器を構成するカーボン材を純化さ
せることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係る合成石英ガラスは、Ｃｕの含有濃度が０．
１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×１０
18分子／ｃｍ3 以上であることを特徴とするものであ
る。上述したように、石英ガラスの紫外線照射による蛍
光の発生に関しては、５００ｎｍ付近にスペクトルピー
クを有する緑色蛍光の発生は、Ｃｕの含有濃度と相関が
あり、Ｃｕ濃度が０．１ｐｐｂ以下に低減されることに
より、ＫｒＦ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１
９３ｎｍ）等のエキシマレーザのような短波長の強力な
紫外線が照射された場合であっても、前記緑色蛍光の発
生が抑制される。また、６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光の発生は、水素の含有濃度と相関
があることが認められ、水素を１×１０18分子／ｃｍ3
以上の比較的高濃度で含有することにより、前記赤色蛍
光の発生が抑制される。
本発明に係る合成石英ガラスは、Ｃｕの含有濃度が０．
１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×１０
18分子／ｃｍ3 以上であることを特徴とするものであ
る。上述したように、石英ガラスの紫外線照射による蛍
光の発生に関しては、５００ｎｍ付近にスペクトルピー
クを有する緑色蛍光の発生は、Ｃｕの含有濃度と相関が
あり、Ｃｕ濃度が０．１ｐｐｂ以下に低減されることに
より、ＫｒＦ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１
９３ｎｍ）等のエキシマレーザのような短波長の強力な
紫外線が照射された場合であっても、前記緑色蛍光の発
生が抑制される。また、６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光の発生は、水素の含有濃度と相関
があることが認められ、水素を１×１０18分子／ｃｍ3
以上の比較的高濃度で含有することにより、前記赤色蛍
光の発生が抑制される。
【００１５】前記合成石英ガラス中のＣｕの含有濃度が
０．１ｐｐｂを超える場合は、エキシマレーザのような
短波長の強力な紫外線が照射された際の緑色蛍光の発生
は抑制されない。このＣｕ含有濃度は、好ましくは、
０．０３ｐｐｂ以下である。
０．１ｐｐｂを超える場合は、エキシマレーザのような
短波長の強力な紫外線が照射された際の緑色蛍光の発生
は抑制されない。このＣｕ含有濃度は、好ましくは、
０．０３ｐｐｂ以下である。
【００１６】また、前記合成石英ガラス中の水素の含有
濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満である場合は、前記
エキシマレーザを照射した際の赤色蛍光の発生は抑制さ
れない。この水素の含有濃度は、好ましくは、３×１０
18分子／ｃｍ3 以上１×１０ 19分子／ｃｍ3 以下であ
る。
濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満である場合は、前記
エキシマレーザを照射した際の赤色蛍光の発生は抑制さ
れない。この水素の含有濃度は、好ましくは、３×１０
18分子／ｃｍ3 以上１×１０ 19分子／ｃｍ3 以下であ
る。
【００１７】前記水素の含有濃度については、直接法に
より製造された合成石英ガラスは、本来、５×１０16分
子／ｃｍ3 以上含有しているが、合成石英ガラスの母材
を加工する際の熱処理工程が長時間となる場合等は、拡
散により水素濃度が低下する場合がある。したがって、
例えば、水素の含有濃度が５×１０18分子／ｃｍ3 であ
る合成石英ガラスの母材から、約２００ｍｍ×２００ｍ
ｍ×１００ｍｍの成形体を得るための加熱成形等の熱処
理は、５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、約１９００℃
で、３０分間〜１時間程度で行うことが好ましい。
より製造された合成石英ガラスは、本来、５×１０16分
子／ｃｍ3 以上含有しているが、合成石英ガラスの母材
を加工する際の熱処理工程が長時間となる場合等は、拡
散により水素濃度が低下する場合がある。したがって、
例えば、水素の含有濃度が５×１０18分子／ｃｍ3 であ
る合成石英ガラスの母材から、約２００ｍｍ×２００ｍ
ｍ×１００ｍｍの成形体を得るための加熱成形等の熱処
理は、５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、約１９００℃
で、３０分間〜１時間程度で行うことが好ましい。
【００１８】上記熱処理等の途中工程において水素の含
有濃度が低下した場合、または、合成石英ガラスの母材
自体の水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満で
ある場合には、例えば、水素ガス雰囲気中でのアニール
処理等により、合成石英ガラス中に水素を導入させ、そ
の水素の含有濃度を１×１０18分子／ｃｍ3 以上に調整
することができる。
有濃度が低下した場合、または、合成石英ガラスの母材
自体の水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満で
ある場合には、例えば、水素ガス雰囲気中でのアニール
処理等により、合成石英ガラス中に水素を導入させ、そ
の水素の含有濃度を１×１０18分子／ｃｍ3 以上に調整
することができる。
【００１９】なお、前記合成石英ガラスが、集積回路製
造用露光機等の半導体素子製造装置等における光学用部
材として用いられる場合には、Ｃｕ濃度および水素濃度
が上記範囲内であることに加えて、さらに、Ｎａ、Ｋ、
Ｌｉ等のアルカリ金属、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ等のア
ルカリ土類金属およびＦｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、すなわち、不純物金属元素の含有
濃度の合計が５０ｐｐｂ以下であることが、製造される
半導体素子の金属不純物による汚染を防止する等の観点
から好ましい。
造用露光機等の半導体素子製造装置等における光学用部
材として用いられる場合には、Ｃｕ濃度および水素濃度
が上記範囲内であることに加えて、さらに、Ｎａ、Ｋ、
Ｌｉ等のアルカリ金属、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ等のア
ルカリ土類金属およびＦｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、すなわち、不純物金属元素の含有
濃度の合計が５０ｐｐｂ以下であることが、製造される
半導体素子の金属不純物による汚染を防止する等の観点
から好ましい。
【００２０】次に、本発明に係る合成石英ガラスの製造
方法を、詳細に説明する。まず、直接法またはスート法
により、合成石英ガラスの母材を製造する。そして、必
要に応じて、得られた石英ガラスの母材をカーボン材か
らなる鋳型を用いて所定の形状に加熱成形する。次い
で、この得られた成形体を、処理容器中でアニール処理
し、所定の合成石英ガラス部材を得る。このとき、鋳型
またはアニール処理容器等の容器としては、Ｃｕの含有
濃度が０．１ｐｐｍ以下の高純度カーボン材により構成
され、かつ、使用前に予め、減圧下または不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上で熱処理したものを用い
る。
方法を、詳細に説明する。まず、直接法またはスート法
により、合成石英ガラスの母材を製造する。そして、必
要に応じて、得られた石英ガラスの母材をカーボン材か
らなる鋳型を用いて所定の形状に加熱成形する。次い
で、この得られた成形体を、処理容器中でアニール処理
し、所定の合成石英ガラス部材を得る。このとき、鋳型
またはアニール処理容器等の容器としては、Ｃｕの含有
濃度が０．１ｐｐｍ以下の高純度カーボン材により構成
され、かつ、使用前に予め、減圧下または不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上で熱処理したものを用い
る。
【００２１】直接法またはスート法によって製造された
合成石英ガラスの母材自体は、高純度の四塩化ケイ素等
を出発原料とするため、通常、不純物金属はほとんど含
有されておらず、高純度のシリカからなる。一方、合成
石英ガラスの成形体中には、その成形体の表面から約２
０ｍｍまでの表層部分に集中して、不純物金属等の汚染
物質が存在している。このことから、成形体の不純物金
属による汚染は、専ら熱処理の際に用いられる容器との
接触により、その容器を構成するカーボン材中に含まれ
る不純物金属が拡散移動することによるものであると考
えられる。したがって、本発明に係る製造方法は、Ｃｕ
の含有濃度が０．１ｐｐｍ以下の低濃度のカーボン材に
よって構成された上記容器を、予め使用前に、所定の条
件下にて熱処理して純化させることにより、該容器に収
容される合成石英ガラスの不純物金属等による汚染を防
止し、さらに、上述した緑色および赤色蛍光を発生しな
い合成石英ガラスを製造するものである。
合成石英ガラスの母材自体は、高純度の四塩化ケイ素等
を出発原料とするため、通常、不純物金属はほとんど含
有されておらず、高純度のシリカからなる。一方、合成
石英ガラスの成形体中には、その成形体の表面から約２
０ｍｍまでの表層部分に集中して、不純物金属等の汚染
物質が存在している。このことから、成形体の不純物金
属による汚染は、専ら熱処理の際に用いられる容器との
接触により、その容器を構成するカーボン材中に含まれ
る不純物金属が拡散移動することによるものであると考
えられる。したがって、本発明に係る製造方法は、Ｃｕ
の含有濃度が０．１ｐｐｍ以下の低濃度のカーボン材に
よって構成された上記容器を、予め使用前に、所定の条
件下にて熱処理して純化させることにより、該容器に収
容される合成石英ガラスの不純物金属等による汚染を防
止し、さらに、上述した緑色および赤色蛍光を発生しな
い合成石英ガラスを製造するものである。
【００２２】前記カーボン材のＣｕの含有濃度が０．１
ｐｐｍを超える場合には、このカーボン材により構成さ
れた容器を上記所定条件下にて熱処理した場合であって
も、十分に純化されず、Ｃｕの含有濃度が、通常の分析
方法による検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下にはならな
い。このため、この容器に収容されて熱処理された合成
石英ガラスのＣｕの含有濃度は、０．１ｐｐｂ以下とす
ることは困難である。
ｐｐｍを超える場合には、このカーボン材により構成さ
れた容器を上記所定条件下にて熱処理した場合であって
も、十分に純化されず、Ｃｕの含有濃度が、通常の分析
方法による検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下にはならな
い。このため、この容器に収容されて熱処理された合成
石英ガラスのＣｕの含有濃度は、０．１ｐｐｂ以下とす
ることは困難である。
【００２３】また、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ程度
のカーボン材からなる容器であっても、合成石英ガラス
の熱処理容器として使用する前に、上記所定条件下にて
熱処理しない場合も、この容器に収容されて熱処理され
た合成石英ガラスのＣｕの含有濃度を０．１ｐｐｂ以下
にすることは困難である。
のカーボン材からなる容器であっても、合成石英ガラス
の熱処理容器として使用する前に、上記所定条件下にて
熱処理しない場合も、この容器に収容されて熱処理され
た合成石英ガラスのＣｕの含有濃度を０．１ｐｐｂ以下
にすることは困難である。
【００２４】上記容器の熱処理は、２０Ｔｏｒｒ以下の
減圧下、または、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上１９００℃以下で、３０分
間以上１０時間以下行うことが好ましい。より好ましく
は、前記熱処理温度は１８００〜１９００℃であり、熱
処理時間は１時間以上３時間以下である。この熱処理
は、カーボン材を純化させるための処理であり、これに
より、Ｃｕが０．１ｐｐｍ程度含まれている場合でも、
検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下まで低減させることが
できる。
減圧下、または、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰
囲気下にて、１２００℃以上１９００℃以下で、３０分
間以上１０時間以下行うことが好ましい。より好ましく
は、前記熱処理温度は１８００〜１９００℃であり、熱
処理時間は１時間以上３時間以下である。この熱処理
は、カーボン材を純化させるための処理であり、これに
より、Ｃｕが０．１ｐｐｍ程度含まれている場合でも、
検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下まで低減させることが
できる。
【００２５】前記熱処理を２０Ｔｏｒｒ以下の減圧下、
または、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で
行うのは、熱処理中に、カーボン材が酸化することを防
止するためである。
または、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で
行うのは、熱処理中に、カーボン材が酸化することを防
止するためである。
【００２６】また、前記熱処理温度が１２００℃未満の
場合は、１時間程度、熱処理した場合であっても、カー
ボン材のＣｕの含有濃度は上記検出限界以下にまでは低
減されず、前記カーボン材により構成される容器に収容
される合成石英ガラスへの不純物金属の拡散移行は、十
分に抑制されない。
場合は、１時間程度、熱処理した場合であっても、カー
ボン材のＣｕの含有濃度は上記検出限界以下にまでは低
減されず、前記カーボン材により構成される容器に収容
される合成石英ガラスへの不純物金属の拡散移行は、十
分に抑制されない。
【００２７】本発明に係る製造方法に係る合成石英ガラ
スの母材には、光学用部材に好適なものとして、直接法
またはスート法によって、高純度の四塩化ケイ素等の高
純度原料から製造された、高純度の石英ガラスが用いら
れる。直接法は、一般に、ベルヌーイ炉を用いて、酸水
素火炎バーナー中で四塩化ケイ素を加水分解させること
により石英ガラスを合成し、この石英ガラスを、スプレ
ー状に吹付けるようにして塊状に育成させる方法であ
る。この直接法によって合成された石英ガラスは、酸水
素火炎中で合成されるため、通常、約５００ｐｐｍ以上
の水酸基（−ＯＨ）を含み、かつ、５×１０16分子／ｃ
ｍ3 以上の水素を含有している。
スの母材には、光学用部材に好適なものとして、直接法
またはスート法によって、高純度の四塩化ケイ素等の高
純度原料から製造された、高純度の石英ガラスが用いら
れる。直接法は、一般に、ベルヌーイ炉を用いて、酸水
素火炎バーナー中で四塩化ケイ素を加水分解させること
により石英ガラスを合成し、この石英ガラスを、スプレ
ー状に吹付けるようにして塊状に育成させる方法であ
る。この直接法によって合成された石英ガラスは、酸水
素火炎中で合成されるため、通常、約５００ｐｐｍ以上
の水酸基（−ＯＨ）を含み、かつ、５×１０16分子／ｃ
ｍ3 以上の水素を含有している。
【００２８】一方、スート法は、一旦、シリカのすす
（スート）を形成させ、水分を除去した後、これを約１
５００℃で焼き固めて石英ガラスの母材を得る方法であ
り、ＣＶＤ法、ＶＡＤ法等の各種の製造方法がある。こ
のスート法は、直接法に比べて水酸基濃度が低く、２段
階でガラス化させるため、フッ素、ＧｅＯ2 等のドープ
等の各種の応用処理が可能である。このスート法によっ
て合成された石英ガラスの水素の含有濃度は、通常、５
×１０16分子／ｃｍ3 以下である。
（スート）を形成させ、水分を除去した後、これを約１
５００℃で焼き固めて石英ガラスの母材を得る方法であ
り、ＣＶＤ法、ＶＡＤ法等の各種の製造方法がある。こ
のスート法は、直接法に比べて水酸基濃度が低く、２段
階でガラス化させるため、フッ素、ＧｅＯ2 等のドープ
等の各種の応用処理が可能である。このスート法によっ
て合成された石英ガラスの水素の含有濃度は、通常、５
×１０16分子／ｃｍ3 以下である。
【００２９】上記製造方法によって得られた合成石英ガ
ラスの母材中に含まれる水素は、その後の熱処理等の途
中工程において、拡散により、合成石英ガラス中の含有
濃度が低下したり、または、合成石英ガラスの母材自体
の水素の含有濃度が１×１０ 18分子／ｃｍ3 未満である
場合もある。この場合は、上述したように、水素ガス雰
囲気中でアニール処理等することにより、その水素の含
有濃度を１×１０18分子／ｃｍ3 以上に調整することが
できる。
ラスの母材中に含まれる水素は、その後の熱処理等の途
中工程において、拡散により、合成石英ガラス中の含有
濃度が低下したり、または、合成石英ガラスの母材自体
の水素の含有濃度が１×１０ 18分子／ｃｍ3 未満である
場合もある。この場合は、上述したように、水素ガス雰
囲気中でアニール処理等することにより、その水素の含
有濃度を１×１０18分子／ｃｍ3 以上に調整することが
できる。
【００３０】したがって、本発明に係る製造方法によれ
ば、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、
水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 以上である合
成石英ガラスを得ることができ、上述した緑色および赤
色蛍光を発生しない合成石英ガラスを、その表層部分を
研削することなく、歩留よく、効率的に製造することが
できる。
ば、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、
水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 以上である合
成石英ガラスを得ることができ、上述した緑色および赤
色蛍光を発生しない合成石英ガラスを、その表層部分を
研削することなく、歩留よく、効率的に製造することが
できる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的
に説明するが、本発明は下記の実施例により制限される
ものではない。 ［実施例１］Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍのカーボン
材により構成された熱処理容器を、予め、２０Ｔｏｒｒ
の減圧下、１８５０℃で１時間熱処理し、この熱処理を
２回繰り返した。この容器を用いて、直接法によって製
造した合成石英ガラスの母材を、５００Ｔｏｒｒの減圧
下にて、１８００〜１９００℃で１時間熱処理し、約２
００×２００×１００ｍｍの直方体状の合成石英ガラス
成形体を得た。この成形体の表面から１０ｍｍの部分に
おいて試料を採取し、ＩＣＰ−ＭＳ装置（誘導結合プラ
ズマ質量分析装置）による純度分析、ラマン分光計によ
る水素濃度分析を行った。また、前記試料に２００Ｈ
ｚ、３ｍＪ／ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅのＡｒＦエキシマレー
ザを１×１０5 ｐｕｌｓｅ照射して、緑色および赤色蛍
光の発生を目視により観察した。上記分析および観察の
結果を表１に示す。
に説明するが、本発明は下記の実施例により制限される
ものではない。 ［実施例１］Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍのカーボン
材により構成された熱処理容器を、予め、２０Ｔｏｒｒ
の減圧下、１８５０℃で１時間熱処理し、この熱処理を
２回繰り返した。この容器を用いて、直接法によって製
造した合成石英ガラスの母材を、５００Ｔｏｒｒの減圧
下にて、１８００〜１９００℃で１時間熱処理し、約２
００×２００×１００ｍｍの直方体状の合成石英ガラス
成形体を得た。この成形体の表面から１０ｍｍの部分に
おいて試料を採取し、ＩＣＰ−ＭＳ装置（誘導結合プラ
ズマ質量分析装置）による純度分析、ラマン分光計によ
る水素濃度分析を行った。また、前記試料に２００Ｈ
ｚ、３ｍＪ／ｃｍ2 ・ｐｕｌｓｅのＡｒＦエキシマレー
ザを１×１０5 ｐｕｌｓｅ照射して、緑色および赤色蛍
光の発生を目視により観察した。上記分析および観察の
結果を表１に示す。
【００３２】［実施例２］Ｃｕの含有濃度が０．０８ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下にて、１８００℃で１時間熱
処理し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で３０分間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍ
の直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体
について、実施例１と同様にして、表層部分の純度分
析、水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの
結果を表１に示す。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下にて、１８００℃で１時間熱
処理し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で３０分間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍ
の直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体
について、実施例１と同様にして、表層部分の純度分
析、水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの
結果を表１に示す。
【００３３】［比較例１］Ｃｕの含有濃度が０．５０ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で１時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
が認められたため、この緑色蛍光が発生しない石英ガラ
スを得るためには、成形体の表層部を約１５ｍｍ研削す
る必要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で１時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
が認められたため、この緑色蛍光が発生しない石英ガラ
スを得るためには、成形体の表層部を約１５ｍｍ研削す
る必要があった。
【００３４】［比較例２］Ｃｕの含有濃度が０．３３ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で１時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
が認められたため、この緑色蛍光が発生しない石英ガラ
スを得るためには、成形体の表層部を約１２ｍｍ研削す
る必要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で１時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
が認められたため、この緑色蛍光が発生しない石英ガラ
スを得るためには、成形体の表層部を約１２ｍｍ研削す
る必要があった。
【００３５】［比較例３］Ｃｕの含有濃度が０．１１ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で３時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
および弱い赤色蛍光が認められたため、この緑色および
赤色蛍光が発生しない石英ガラスを得るためには、成形
体の表層部を約１２ｍｍ研削する必要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を用い
て、直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、
５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００
℃で３時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの
直方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体に
ついて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、
水素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果
を表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い緑色蛍光
および弱い赤色蛍光が認められたため、この緑色および
赤色蛍光が発生しない石英ガラスを得るためには、成形
体の表層部を約１２ｍｍ研削する必要があった。
【００３６】［比較例４］Ｃｕの含有濃度が０．１２ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１７００℃で１時間熱処理
し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用いて、
直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、５０
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００℃で
１０時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの直
方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体につ
いて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、水
素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果を
表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い赤色蛍光が
認められたため、この赤色蛍光が発生しない石英ガラス
を得るためには、成形体の表層部を約１０ｍｍ研削する
必要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１７００℃で１時間熱処理
し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用いて、
直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、５０
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００℃で
１０時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの直
方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この成形体につ
いて、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、水
素濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果を
表１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い赤色蛍光が
認められたため、この赤色蛍光が発生しない石英ガラス
を得るためには、成形体の表層部を約１０ｍｍ研削する
必要があった。
【００３７】［比較例５］Ｃｕの含有濃度が０．１１ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１８５０℃で１時間熱処理
した。この容器を用いて、直接法によって製造した合成
石英ガラスの母材を、５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下に
て、１８００〜１９００℃で１０時間熱処理し、約２０
０×２００×１００ｍｍの直方体状の合成石英ガラス成
形体を得た。この試料について、実施例１と同様にし
て、表層部分の純度分析、水素濃度分析および蛍光の観
察を行った。これらの結果を表１に示す。なお、蛍光の
観察の結果、強い赤色蛍光が認められたため、この赤色
蛍光が発生しない石英ガラスを得るためには、成形体の
表層部を約１０ｍｍ研削する必要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１８５０℃で１時間熱処理
した。この容器を用いて、直接法によって製造した合成
石英ガラスの母材を、５００Ｔｏｒｒ以下の減圧下に
て、１８００〜１９００℃で１０時間熱処理し、約２０
０×２００×１００ｍｍの直方体状の合成石英ガラス成
形体を得た。この試料について、実施例１と同様にし
て、表層部分の純度分析、水素濃度分析および蛍光の観
察を行った。これらの結果を表１に示す。なお、蛍光の
観察の結果、強い赤色蛍光が認められたため、この赤色
蛍光が発生しない石英ガラスを得るためには、成形体の
表層部を約１０ｍｍ研削する必要があった。
【００３８】［比較例６］Ｃｕの含有濃度が０．１１ｐ
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１２００℃で１時間熱処理
し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用いて、
直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、５０
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００℃で
１０時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの直
方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この試料につい
て、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、水素
濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果を表
１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い赤色蛍光が認
められたため、この赤色蛍光が発生しない石英ガラスを
得るためには、成形体の表層部を約１０ｍｍ研削する必
要があった。
ｐｍのカーボン材により構成された熱処理容器を、予
め、２０Ｔｏｒｒの減圧下、１２００℃で１時間熱処理
し、この熱処理を２回繰り返した。この容器を用いて、
直接法によって製造した合成石英ガラスの母材を、５０
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１８００〜１９００℃で
１０時間熱処理し、約２００×２００×１００ｍｍの直
方体状の合成石英ガラス成形体を得た。この試料につい
て、実施例１と同様にして、表層部分の純度分析、水素
濃度分析および蛍光の観察を行った。これらの結果を表
１に示す。なお、蛍光の観察の結果、強い赤色蛍光が認
められたため、この赤色蛍光が発生しない石英ガラスを
得るためには、成形体の表層部を約１０ｍｍ研削する必
要があった。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１に示したとおり、Ｃｕの含有濃度が
０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×
１０18分子／ｃｍ3 以上である合成石英ガラス（実施例
１、２）は、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎ
ｍ）を照射した際、５００ｎｍ付近にスペクトルピーク
を有する緑色蛍光および６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光の発生は認められなかった。一
方、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂを超える場合（比較
例１〜３）は、緑色蛍光の発生が認められた。また、水
素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満である場合
（比較例３〜６）は、赤色蛍光の発生が認められた。
０．１ｐｐｂ以下であり、かつ、水素の含有濃度が１×
１０18分子／ｃｍ3 以上である合成石英ガラス（実施例
１、２）は、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎ
ｍ）を照射した際、５００ｎｍ付近にスペクトルピーク
を有する緑色蛍光および６５０ｎｍ付近にスペクトルピ
ークを有する赤色蛍光の発生は認められなかった。一
方、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂを超える場合（比較
例１〜３）は、緑色蛍光の発生が認められた。また、水
素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 未満である場合
（比較例３〜６）は、赤色蛍光の発生が認められた。
【００４１】さらに、表１に示した結果から、カーボン
材により構成された熱処理容器のＣｕの含有濃度が０．
１ｐｐｍ程度である場合は、２０Ｔｏｒｒ以下の減圧下
にて、１２００℃以上で熱処理することにより、該容器
のＣｕの含有濃度を検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下と
なることが認められた（実施例１および２、比較例４〜
６）。
材により構成された熱処理容器のＣｕの含有濃度が０．
１ｐｐｍ程度である場合は、２０Ｔｏｒｒ以下の減圧下
にて、１２００℃以上で熱処理することにより、該容器
のＣｕの含有濃度を検出限界（０．０１ｐｐｍ）以下と
なることが認められた（実施例１および２、比較例４〜
６）。
【００４２】以上より、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｍ
以下であるカーボン材により構成され、かつ、予め、２
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１２００℃以上での熱処
理が施された容器に、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以
下であり、かつ、水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃ
ｍ3 以上である合成石英ガラスを収容して熱処理を行う
ことにより、上記緑色および赤色蛍光を発生しない合成
石英ガラスが得られることが認められた。
以下であるカーボン材により構成され、かつ、予め、２
０Ｔｏｒｒ以下の減圧下にて、１２００℃以上での熱処
理が施された容器に、Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以
下であり、かつ、水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃ
ｍ3 以上である合成石英ガラスを収容して熱処理を行う
ことにより、上記緑色および赤色蛍光を発生しない合成
石英ガラスが得られることが認められた。
【００４３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る合成石英ガ
ラスは、紫外線、特に、エキシマレーザ等による短波長
の強力な紫外線が照射された場合においても、緑色蛍光
および赤色蛍光の発生が抑制され、短波長の紫外線の透
過性に優れているため、フォトマスク基板、エキシマレ
ーザ装置に用いられるレンズ、プリズム、窓材等の光学
用部材として好適に用いることができる。また、本発明
に係る合成石英ガラスの製造方法によれば、上記緑色蛍
光および赤色蛍光の発生が抑制された合成石英ガラス
を、歩留よく、効率的に製造することができる。
ラスは、紫外線、特に、エキシマレーザ等による短波長
の強力な紫外線が照射された場合においても、緑色蛍光
および赤色蛍光の発生が抑制され、短波長の紫外線の透
過性に優れているため、フォトマスク基板、エキシマレ
ーザ装置に用いられるレンズ、プリズム、窓材等の光学
用部材として好適に用いることができる。また、本発明
に係る合成石英ガラスの製造方法によれば、上記緑色蛍
光および赤色蛍光の発生が抑制された合成石英ガラス
を、歩留よく、効率的に製造することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G014 AH00
4G015 EA04
4G062 AA04 BB02 CC01 DA08 MM02
NN01
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｕの含有濃度が０．１ｐｐｂ以下であ
り、かつ、水素の含有濃度が１×１０18分子／ｃｍ3 以
上であることを特徴とする合成石英ガラス。 - 【請求項２】 直接法またはスート法によって製造され
た合成石英ガラスの母材またはその成形体を熱処理する
工程において、 前記合成石英ガラスの母材またはその成形体は、Ｃｕの
含有濃度が０．１ｐｐｍ以下であるカーボン材によって
構成され、かつ、予め、減圧下または不活性ガス雰囲気
下にて、１２００℃以上での熱処理が施された容器に収
容されて、熱処理されることを特徴とする合成石英ガラ
スの製造方法。 - 【請求項３】 前記容器の熱処理は、２０Ｔｏｒｒ以下
の減圧下にて、１２００℃以上１９００℃以下で行われ
ることを特徴とする請求項２記載の合成石英ガラスの製
造方法。
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